特開 2023-133259 ポリシリコン抵抗および接合終端エッジから形成されるキャパシタを有するＲＣスナバ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023133259

(43)【公開日】2023-09-22

(54)【発明の名称】ポリシリコン抵抗および接合終端エッジから形成されるキャパシタを有するＲＣスナバ

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/8234 20060101AFI20230914BHJP

   H01L 27/088 20060101ALI20230914BHJP

   H02M 3/155 20060101ALI20230914BHJP

   H02M 1/34 20070101ALI20230914BHJP

   H02M 7/48 20070101ALI20230914BHJP

【ＦＩ】

H01L27/06 102A

H01L27/088 A

H01L27/088 331E

H02M3/155 R

H02M1/34

H02M7/48 M

【審査請求】未請求

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2023037555

(22)【出願日】2023-03-10

(31)【優先権主張番号】17/692,509

(32)【優先日】2022-03-11

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(71)【出願人】

【識別番号】599158797

【氏名又は名称】インフィニオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

【氏名又は名称原語表記】Ｉｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ ＡＧ

【住所又は居所原語表記】Ａｍ Ｃａｍｐｅｏｎ １－１５， ８５５７９ Ｎｅｕｂｉｂｅｒｇ， Ｇｅｒｍａｎｙ

(74)【代理人】

【識別番号】100114890

【弁理士】

【氏名又は名称】アインゼル・フェリックス＝ラインハルト

(74)【代理人】

【識別番号】100098501

【弁理士】

【氏名又は名称】森田 拓

(74)【代理人】

【識別番号】100116403

【弁理士】

【氏名又は名称】前川 純一

(74)【代理人】

【識別番号】100134315

【弁理士】

【氏名又は名称】永島 秀郎

(74)【代理人】

【識別番号】100162880

【弁理士】

【氏名又は名称】上島 類

(72)【発明者】

【氏名】デサード ピータース

(72)【発明者】

【氏名】グアン ツェン

【テーマコード（参考）】

5F048

5H730

5H740

5H770

【Ｆターム（参考）】

5F048AC01

5F048AC10

5F048BA14

5F048BA16

5F048BB09

5F048BB11

5F048BB19

5F048BC03

5F048BC12

5F048BD07

5H730AS04

5H730BB14

5H730DD04

5H730DD41

5H730ZZ11

5H730ZZ12

5H730ZZ15

5H740BA12

5H740MM03

5H770AA07

5H770AA21

5H770JA11X

5H770JA14X

5H770KA05X

5H770QA01

5H770QA04

5H770QA06

5H770QA22

(57)【要約】      （修正有）

【課題】半導体デバイス内の振動を減衰する装置を提供する。
【解決手段】装置２００は、接合終端エッジ２６０と、並列に結合されるユニポーラパワートランジスタおよびＲＣスナバ２０１と、を含む。ＲＣスナバ２０１は、ポリシリコン構造２２１と半導体基板２１２との間にあり、接合終端エッジ２６０の一部であるキャパシタ２２０を有する。キャパシタ２２０は、ｐｎ接合を有する。ＲＣスナバ２０１は、ユニポーラパワートランジスタのソース２４４とキャパシタ２２０を形成する第１の層２１４との間のポリシリコン抵抗２１８を有する。ユニポーラパワートランジスタおよびＲＣスナバ２０１は、並列に結合される。ＲＣスナバ２０１およびユニポーラパワートランジスタは、半導体基板２１２上にモノリシックに形成される。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

接合終端エッジと、
ユニポーラパワートランジスタと、
ＲＣスナバと、
を備える装置であって、
前記ＲＣスナバは、
ポリシリコン構造と半導体基板との間にあり、前記接合終端エッジの一部であり、ｐｎ接合を備えるキャパシタと、
前記ユニポーラパワートランジスタのソースと前記キャパシタを形成する第１の層との間のポリシリコン抵抗と、
を備え、
前記ユニポーラパワートランジスタおよび前記ＲＣスナバは、並列に結合され、
前記ＲＣスナバおよび前記ユニポーラパワートランジスタは、前記半導体基板上にモノリシックに形成される、
装置。

【請求項2】

前記半導体基板は、炭化ケイ素基板を備える、
請求項１に記載の装置。

【請求項3】

前記ｐｎ接合は、ｐ型材料の前記第１の層およびｎ型材料の第２の層を備える、
請求項１に記載の装置。

【請求項4】

前記第２の層は、前記第１の層と前記半導体基板との間にある、
請求項３に記載の装置。

【請求項5】

前記ポリシリコン抵抗は、前記ポリシリコン構造を含み、前記ポリシリコン抵抗は、前記ＲＣスナバのスナバ電極と前記第１の層との間にある、
請求項１に記載の装置。

【請求項6】

前記ポリシリコン抵抗は、スナバコンタクトによって前記ＲＣスナバのスナバ電極に接続され、前記ポリシリコン抵抗は、前記スナバ電極を前記第１の層に接続する、
請求項１に記載の装置。

【請求項7】

前記ポリシリコン構造は、前記ユニポーラパワートランジスタのドレインを前記ユニポーラパワートランジスタのゲートから分離する、
請求項１に記載の装置。

【請求項8】

前記ポリシリコン抵抗は、ソースコンタクトによって前記ソースに接続されている、
請求項１に記載の装置。

【請求項9】

前記ポリシリコン抵抗は、前記キャパシタに電気的に結合されている、
請求項１に記載の装置。

【請求項10】

前記第１の層は、ｐ型材料を備える、
請求項１に記載の装置。

【請求項11】

前記ユニポーラパワートランジスタは、３端子トランジスタを備える、
請求項１に記載の装置。

【請求項12】

前記ユニポーラパワートランジスタは、炭化ケイ素金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）または炭化ケイ素接合ゲート電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）の少なくとも１つを備える、
請求項１に記載の装置。

【請求項13】

前記キャパシタは、ｐ型材料の前記接合終端エッジを含む、
請求項１に記載の装置。

【請求項14】

前記半導体基板は、窒化ガリウム基板を備える、
請求項１に記載の装置。

【請求項15】

前記装置は、ＲＣスナバ層を備え、前記ＲＣスナバ層は、
前記ＲＣスナバと、
複数の抵抗と、
を備え、
前記複数の抵抗は、前記抵抗を備える、
請求項１に記載の装置。

【請求項16】

ユニポーラパワートランジスタと、
ＲＣスナバと、
を備える装置であって、
前記ＲＣスナバは、
ポリシリコン構造と半導体基板との間にあり、ｐｎ接合を備えるキャパシタと、
前記ユニポーラパワートランジスタのソースと前記キャパシタを形成する第１の層との間のポリシリコン抵抗と、
を備え、
前記ユニポーラパワートランジスタおよび前記ＲＣスナバは、並列に結合され、
前記ＲＣスナバおよび前記ユニポーラパワートランジスタは、前記半導体基板上にモノリシックに形成される、
装置。

【請求項17】

前記ポリシリコン抵抗は、前記ポリシリコン構造を含む、
請求項１６に記載の装置。

【請求項18】

前記ポリシリコン抵抗は、ソースコンタクトによって前記ソースに接続され、スナバコンタクトによって前記ＲＣスナバのスナバ電極に接続されている、
請求項１６に記載の装置。

【請求項19】

前記ポリシリコン抵抗は、テストパッドコンタクトによってテストパッドに接続されている、
請求項１６に記載の装置。

【請求項20】

接合終端エッジと、
ユニポーラパワートランジスタと、
ＲＣスナバと、
を備える装置であって、
前記ＲＣスナバは、
ポリシリコン構造と半導体基板との間にあり、前記接合終端エッジの一部であり、ｐｎ接合を備えるキャパシタと、
前記ユニポーラパワートランジスタのソースと前記キャパシタを形成する第１の層との間の抵抗と、
を備え、
前記ユニポーラパワートランジスタおよび前記ＲＣスナバは、並列に結合され、
前記ＲＣスナバおよび前記ユニポーラパワートランジスタは、前記半導体基板上にモノリシックに形成される、
装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、半導体デバイス内の振動を減衰する分野に関する。

【背景技術】

【0002】

さまざまな種類のトランジスタ、例えば、炭化ケイ素金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ）および他のタイプのトランジスタは、高電力かつ高電圧の範囲での使用用途のために、例えば、牽引および風力エネルギーの用途において用いられうる。この種の用途は、高い電流および大きなパワーモジュールまたは並列の接続モジュールを利用しうる。これらのトランジスタの動作は、結果として、比較的高い整流（ｃｏｍｍｕｔａｔｉｏｎ）インダクタンス、例えば、整流経路当たり２０ｎＨから１００ｎＨの範囲になりうる。これらのトランジスタの１つにおいて負荷電流が急速にスイッチングオフされる場合、整流振動はトリガされうる。整流振動は、結果として、電磁干渉および／または電磁干渉限界の不順守になりうる。この種の整流振動は、高負荷電流を利用する用途のために望ましくない。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

この概要は、詳細な説明においてさらに後述する概念の簡略化された形での選択を導くように提供される。この概要は、請求項の主題の主要因または基本的特徴を識別することを意図するものではなく、請求項の主題の範囲を制限するために用いられることを意図するものでもない。

【課題を解決するための手段】

【0004】

本願明細書において提示される技術の一実施形態において、装置が提供される。装置は、接合終端エッジ（ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ ｅｄｇｅ）を備える。装置は、ユニポーラパワートランジスタを備える。装置は、ユニポーラパワートランジスタ内で並列に結合されたＲＣスナバを備える。ＲＣスナバおよびユニポーラパワートランジスタは、半導体基板上にモノリシックに形成される。ＲＣスナバは、キャパシタを備える。キャパシタは、ポリシリコン構造と半導体基板との間にあり、接合終端エッジの一部である。キャパシタは、ｐｎ接合を備える。ＲＣスナバは、ポリシリコン抵抗を備える。ポリシリコン抵抗は、ユニポーラパワートランジスタのソースとキャパシタを形成する第１の層との間にある。

【0005】

上述の目的および関連する目的の達成のために、以下の説明および添付の図面は、特定の例示的な態様および実施態様を記載する。これらは、１つまたは複数の態様が使用されてもよい種々の方法の一部のみを示す。開示の他の態様、利点および新しい特徴は、添付の図面に関連して考慮されるとき、以下の詳細な説明から明らかになる。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】２つのトランジスタを含むハーフブリッジを備える装置を示す構成要素のブロック図であり、各トランジスタは、同じ半導体基板上に形成されるＲＣスナバに並列に結合される。

【図2】同じ半導体基板上に形成されるＲＣスナバに並列に結合されるトランジスタを備える装置の断面である。

【図3】同じ半導体基板上に形成されるＲＣスナバに並列に結合されるトランジスタを備える装置の平面図である。

【図4】同じ半導体基板上に形成されるＲＣスナバに並列に結合するトランジスタを備える装置の平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、請求項の主題は、図面を参照して記載され、同様の参照符号は、全体を通して、同様の要素を参照するために用いられる。以下の記載では、説明のために、多数の具体的な詳細は、請求項の主題の完全な理解を提供するために記載される。しかしながら、請求項の主題がこれらの具体的な詳細なしで実行されてもよいことは明らかでありうる。他の例において、請求項の主題を容易に説明するために、周知の構造およびデバイスは、ブロック図の形態で示される。

【0008】

エレクトロニクスの分野において、炭化ケイ素金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ）、炭化ケイ素接合ゲート電界効果トランジスタ（ＳｉＣ ＪＦＥＴ）、ユニポーラパワートランジスタなどのようなトランジスタは、さまざまな用途、例えば、高電力および／または高電圧の用途においてスイッチングするために用いられてもよい。デバイスのトランジスタがスイッチングされるとき、整流振動をトリガすることがあり、したがって、デバイスの動作に悪影響を及ぼしうる、デバイス内の望ましくない振動エネルギーを引き起こす。例えば、トランジスタが高電圧（例えば、６００ボルト以上の電圧）を有するパワートランジスタとして用いられるとき、整流振動は、トリガされ、トランジスタをスイッチングオフすることは、非常に高速であるので、整流振動が生ずる。これらの整流振動は、デバイスの動作に悪影響を及ぼす高周波ＬＣ振動でありうる。例えば、整流振動は、結果として、デバイスの正しい動作に影響を与える電磁干渉になりうる。電磁干渉の一例において、トランジスタは、最初にオフ状態にあってもよい。オン状態にある間、トランジスタのドレインおよびソース電圧はローである。トランジスタがスイッチングオフされるとき、直流電圧に到達するまで、電圧は増加を開始する。電流は、通常動作モードの間、減少を開始し、したがって、振動が発生し始める。振動は、望ましくない電磁干渉を引き起こす。

【0009】

デバイス内の整流振動を減衰するための１つの技術は、高いゲート抵抗値によって動作可能なＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴのような絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）の構成要素またはユニポーラ構成要素を用いることに関する。しかしながら、これは、結果として、デバイスの全体効率に悪影響を及ぼす増加したスイッチング損失になりうる。デバイス内の整流振動を減衰するのを助けるのに用いることができる他の技術は、ＲＣネットワーク／スナバの使用に関する。ＲＣスナバは、パワーエレクトロニクスが高周波ＬＣ振動に反応してこの種の振動を減衰するために用いることができる。振動については、ＲＣスナバのキャパシタは、抵抗を通して電流を引き起こして振動を減衰し、これはまた、結果として容認できない損失になる。これらのＲＣスナバは、減衰されているトランジスタの外部にあり、例えば、負荷接続上に、または、補助接続上に配置されている。これによって、ＲＣスナバとトランジスタ（チップ）との間に漏れインダクタンス（寄生インダクタンス）が生じる。

【0010】

したがって、本願明細書において提供されるように、ＲＣスナバは、装置のユニポーラパワートランジスタの振動を減衰するために、装置内に組み込まれる。ＲＣスナバおよびユニポーラパワートランジスタは、並列に一緒に結合される。ＲＣスナバおよびユニポーラパワートランジスタは、同じ半導体基板上にモノリシックに形成され、したがって、ＲＣスナバおよびユニポーラパワートランジスタは、同じ半導体デバイス内に一緒に組み込まれ、例えば、ＲＣスナバの抵抗（ポリシリコン抵抗）およびキャパシタは、ユニポーラパワートランジスタを形成する材料の層から形成され、したがって、ＲＣスナバは、ユニポーラパワートランジスタの一部として形成される。加えて、キャパシタは、装置の接合終端エッジの一部として形成されてもよく、例えば、接合終端エッジのｐ型材料は、キャパシタを形成する。ＲＣスナバは、装置内に組み込まれ、ユニポーラパワートランジスタと同じ半導体基板上に形成されるので、ＲＣスナバは、ＲＣスナバがユニポーラパワートランジスタの外部にある場合より、ユニポーラパワートランジスタの近くに（その一部として）位置決め可能である。これは、振動の改善された減衰を提供するとともに、さもなければ装置およびユニポーラパワートランジスタの外部のＲＣスナバから生ずる漏れインダクタンスを減少させる。ＲＣスナバは、ユニポーラパワートランジスタ内に組み込まれるので、装置内のより少ない面積が、ＲＣスナバによって消費される。ＲＣスナバをユニポーラパワートランジスタ内に組み込むことによって、多数のユニポーラパワートランジスタを備えるデバイスのためのスケーリングアウト（ｓｃａｌｉｎｇ ｏｕｔ）を可能にする。なぜなら、各ユニポーラパワートランジスタがそれ自身の組み込まれたＲＣスナバを有するからである。

【0011】

開示されたＲＣスナバは、外部のＲＣスナバおよび振動を減衰するために用いられる他の技術に勝るさまざまな利点を提供し、例えば、振動は、高いＬ×Ｉの積を有する適用における振動であり、Ｌ×Ｉの積は、整流インダクタンス（例えば、図１のインダクタンス１０２）とそれを流れる電流との積に対応する。このＲＣスナバについては、ＲＣスナバは、装置およびユニポーラパワートランジスタ内に組み込まれるので、ＲＣスナバとして用いられている追加の／外部の構成要素はない。ＲＣスナバは、ユニポーラパワートランジスタ内に組み込まれるので、例えば、すでに装置の一部であるゲートパッドの下の領域内に組み込まれるので、ＲＣスナバによって消費される追加の面積はほとんどない。装置が十分に冷却されるので、ＲＣスナバは、ＲＣスナバ内の電力損失の消散を提供する。ＲＣスナバは、寄生インダクタンスが含まれないので、振動に直接作用し、振動を減衰することができる。ＲＣスナバは、各装置／トランジスタ内に組み込まれるので、ＲＣスナバは、モジュール内の並列の装置／トランジスタの数に対応する。

【0012】

一実施形態において、ＲＣスナバの抵抗は、ポリシリコンを備えるポリシリコン抵抗である。ポリシリコン抵抗は、他のタイプの材料から形成される抵抗と比較して、改善された絶縁を提供する。また、ポリシリコン抵抗は、他のタイプの材料から形成される抵抗より高いオーバーシュート電圧を維持することができる。一実施形態において、ポリシリコン抵抗は、約９０オームと約１１０オームとの間の抵抗値、例えば、約１００オームまたは他の任意の抵抗値を有する。

【0013】

一実施形態において、ＲＣスナバのキャパシタは、装置の接合終端エッジのｐ型材料から形成される。接合終端エッジは、ユニポーラパワートランジスタのような装置のメインデバイス構成要素の周りでエッジ終端を提供する。このようにして、接合終端エッジを用いて、装置内のある点で電界を制御する。ＲＣスナバのキャパシタは、接合終端エッジ内に組み込み（形成）可能である。これは、接合終端エッジがユニポーラパワートランジスタを囲み、装置の有意な面積（例えば、１０％の面積）をカバーするからである。したがって、キャパシタは、接合終端エッジから形成可能であり、ユニポーラパワートランジスタの出力キャパシタンスの１０％のキャパシタンスのような特定のキャパシタンスを有することができる。

【0014】

図１は、ＲＣスナバ１１０を備える装置を含むモジュール１００を示す。装置は、ＤＣリンクキャパシタ１０４をさらに備える。ＤＣリンクキャパシタ１０４は、電流をスイッチングするために低インピーダンス経路を提供し、かつ、エネルギー貯蔵を提供する中間回路キャパシタとして用いられてもよい。モジュール１００は、負荷１２０に接続されてもよい。モジュール１００は、第１のボディダイオード１０８を備える。一実施形態において、モジュール１００は、第１のユニポーラパワートランジスタを備え、第１のボディダイオード１０８は、第１のユニポーラパワートランジスタのドレインとソースとの間にある。第１のボディダイオード１０８は、第１のユニポーラパワートランジスタのソースとドレインとの間の第１のユニポーラパワートランジスタのｐｎ接合によって形成される。モジュール１００は、任意数のユニポーラパワートランジスタを備えてもよく、例えば、第２のユニポーラパワートランジスタのドレインとソースとの間の第２のボディダイオード１０６を有する第２のユニポーラパワートランジスタを備えてもよい。第２のボディダイオード１０６は、第２のユニポーラパワートランジスタのソースとドレインとの間の第２のユニポーラパワートランジスタのｐｎ接合によって形成される。モジュール１００のユニポーラパワートランジスタは、ＤＣリンク電位１２２またはグラウンド１２４の一方に負荷１２０を選択的に結合する。ＤＣリンク電位は、６００Ｖ、１２００Ｖ、１８００Ｖまたはいくつかの実施形態では３．３ｋＶ以上さえでもよい。グラウンド１２４は、０Ｖまたはいくつかの実施形態では０Ｖ以下さえでもよい。モジュール１００は、インダクタンス１０２、例えば、ＤＣリンクキャパシタ１０４とモジュール１００との間の接続のインダクタンスに対応する寄生インダクタンスを有する。

【0015】

一実施形態において、第１のユニポーラパワートランジスタおよび／または第２のユニポーラパワートランジスタは、ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴトランジスタである。一実施形態において、第１のユニポーラパワートランジスタおよび／または第２のユニポーラパワートランジスタは、ＳｉＣ ＪＦＥＴトランジスタである。一実施形態において、第１のユニポーラパワートランジスタおよび／または第２のユニポーラパワートランジスタは、３端子トランジスタである。なぜなら、外部のＲＣスナバに接続するための追加の端子を必要とせずに、ＲＣスナバは、ユニポーラパワートランジスタ内に組み込まれるからである。

【0016】

モジュール１００は、任意数のＲＣスナバ１１０を備えてもよく、例えば、第１のユニポーラパワートランジスタ内に組み込まれ、第１のユニポーラパワートランジスタに並列に結合される第１のＲＣスナバ１１１と、第２のユニポーラパワートランジスタ内に組み込まれ、第２のユニポーラパワートランジスタに並列に結合される第２のＲＣスナバ１１３と、を備えてもよい。第１のＲＣスナバ１１１および第１のユニポーラパワートランジスタは、第１の半導体基板上にモノリシックに形成される。一実施形態において、第１の半導体基板は、炭化ケイ素基板を備える。一実施形態において、第１の半導体基板は、窒化ガリウム基板を備える。第２のＲＣスナバ１１３および第２のユニポーラパワートランジスタは、第２の半導体基板上にモノリシックに形成される。一実施形態において、第２の半導体基板は、炭化ケイ素基板を備える。一実施形態において、第２の半導体基板は、窒化ガリウム基板を備える。

【0017】

第１のＲＣスナバ１１１は、第１のキャパシタ１１４および第１の抵抗１１２、例えば、ポリシリコン抵抗を備える。第１のキャパシタ１１４は、第１のユニポーラパワートランジスタのポリシリコン構造と第１の半導体基板との間に位置する。ポリシリコン構造は、第１のユニポーラパワートランジスタのソースに接続されてもよい。ポリシリコン構造は、第１のユニポーラパワートランジスタのドレインを第１のユニポーラパワートランジスタのゲートから分離する。第１のキャパシタ１１４は、ｐｎ接合、例えば、第１のボディダイオード１０８を形成する第１のユニポーラパワートランジスタのｐｎ接合を備える。ｐｎ接合は、ｐ型材料を備える第１の層およびｎ型材料を備える第２の層を備えてもよい。第２の層は、第１の層と第２の半導体基板との間にある。第１のキャパシタ１１４は、第１のユニポーラパワートランジスタの出力側に位置する。第１のキャパシタ１１４は、モジュール１００の接合終端エッジの一部として形成されてもよい。一実施形態において、第１のキャパシタ１１４は、接合終端エッジのｐ型材料から形成される。

【0018】

第１の抵抗１１２は、第１のユニポーラパワートランジスタのソースと第１のキャパシタ１１４を形成する第１の層との間に位置する。一実施形態において、第１の抵抗１１２および第１のキャパシタ１１４は、互いに電気的に結合されている。一実施形態において、第１の抵抗１１２は、スナバコンタクトによって第１のＲＣスナバ１１１のスナバ電極に結合され、第１の抵抗１１２は、スナバ電極を第１の層に接続する。一実施形態において、第１の抵抗１１２は、ポリシリコン構造を含み、第１の抵抗１１２は、スナバ電極と第１の層との間に形成される。一実施形態において、第１の抵抗１１２は、ソースコンタクトによって第１のユニポーラパワートランジスタのソースに接続される。一実施形態において、第１の抵抗１１２は、テストパッドコンタクトによってテストパッドに接続され、テストパッドコンタクトを用いて、第１の抵抗１１２を測定することができる。

【0019】

第２のＲＣスナバ１１３は、第２のキャパシタ１１８および第２の抵抗１１６、例えば、ポリシリコン抵抗を備える。第２のキャパシタ１１８は、第２のユニポーラパワートランジスタのポリシリコン構造と第２の半導体基板との間に位置する。ポリシリコン構造は、第２のユニポーラパワートランジスタのソースに接続されてもよい。ポリシリコン構造は、第２のユニポーラパワートランジスタのドレインを第２のユニポーラパワートランジスタのゲートから分離する。第２のキャパシタ１１８は、ｐｎ接合、例えば、第２のボディダイオード１０６を形成する第２のユニポーラパワートランジスタのｐｎ接合を備える。ｐｎ接合は、ｐ型材料を備える第１の層およびｎ型材料を備える第２の層を備えてもよい。第２の層は、第１の層と第２の半導体基板との間にある。第２のキャパシタ１１８は、第２のユニポーラパワートランジスタの出力側に位置する。第２のキャパシタ１１８は、モジュール１００の接合終端エッジの一部として形成されてもよい。一実施形態において、第２のキャパシタ１１８は、接合終端エッジのｐ型材料から形成される。

【0020】

第２の抵抗１１６は、第２のユニポーラパワートランジスタのソースと第２のキャパシタ１１８を形成する第１の層との間に位置する。一実施形態において、第２の抵抗１１６および第２のキャパシタ１１８は、互いに電気的に結合されている。一実施形態において、第２の抵抗１１６は、スナバコンタクトによって第２のＲＣスナバ１１３のスナバ電極に結合され、第２の抵抗１１６は、スナバ電極を第１の層に接続する。一実施形態において、第２の抵抗１１６は、ポリシリコン構造を含み、第２の抵抗１１６は、スナバ電極と第１の層との間に形成される。一実施形態において、第２の抵抗１１６は、ソースコンタクトによって第２のユニポーラパワートランジスタのソースに接続される。一実施形態において、第２の抵抗１１６は、テストパッドコンタクトによってテストパッドに接続され、テストパッドコンタクトを用いて、第２の抵抗１１６を測定することができる。

【0021】

一実施形態において、モジュール１００は、ＲＣスナバ層を備えてもよい。ＲＣスナバ層は、ユニポーラパワートランジスタ内の振動を減衰するのに用いられるＲＣスナバを備えてもよい。ＲＣスナバ層は、複数の抵抗、例えば、ポリシリコン抵抗を備えてもよい。ＲＣスナバからの損失を分散するために、抵抗は、ユニポーラパワートランジスタのゲートパッドの１つまたは複数の側面の周りに位置決めされる抵抗値ブリッジとして実施されてもよく、抵抗値を分散させ、それにより、振動を減衰するＲＣスナバからの損失を分散する。

【0022】

図２から図４に関連して、ユニポーラパワートランジスタ内に組み込まれるＲＣスナバの一実施形態がさらに記載されていることを認識されたい。

【0023】

図２は、ＲＣスナバ２０１を備える装置２００の断面を示し、ＲＣスナバ２０１は、装置２００のユニポーラパワートランジスタ内に組み込まれる。装置２００は、１つまたは複数のユニポーラパワートランジスタが位置するアクティブトレンチトランジスタセル領域２０２を備える。一実施形態において、ユニポーラパワートランジスタのソース２４４は、アクティブトレンチトランジスタセル領域２０２内に位置する。装置２００は、装置２００のゲート２０７のゲートパッドが形成されるゲートパッド領域２０４を備える。装置２００は、半導体基板２１２を備える。一実施形態において、半導体基板２１２は、炭化ケイ素基板を備える。一実施形態において、炭化ケイ素基板は、ｎ^＋炭化ケイ素基板である。一実施形態において、半導体基板２１２は、窒化ガリウム基板を備える。半導体基板２１２が他の材料を備えてもよいことを認識されたい。

【0024】

装置２００は、第１の層２１４を備える。一実施形態において、第１の層２１４は、ドリフトゾーン層、例えば、ｎドリフトゾーン層である。一実施形態において、第１の層２１４は、装置２００の半導体基板２１２上に位置決めされる。一実施形態において、第１の層２１４は、ｎ型材料を備えるｎドープドリフトゾーンである。一実施形態において、第１の層２１４は、ＲＣスナバ２０１のキャパシタ２２０の一部を形成するｎ型層である。

【0025】

装置２００は、第２の層２１０を備える。一実施形態において、第２の層２１０は、アノード層、例えば、ｐ^＋型アノード層である。一実施形態において、第２の層２１０は、ソース２４４に接続される。一実施形態において、第２の層２１０は、装置２００の第１の層２１４上に位置決めされる。一実施形態において、第２の層２１０は、ＲＣスナバ２０１のキャパシタ２２０の一部を形成するｐ型層である。このようにして、ｎ型層としての第１の層２１４およびｐ型層としての第２の層２１０は、ＲＣスナバ２０１のキャパシタ２２０のｐｎ接合を形成する。ｐｎ接合は、装置２００のユニポーラパワートランジスタのドレイン２４２を保護する。一実施形態において、装置２００は、接合終端エッジ２６０を備える。一実施形態において、接合終端エッジ２６０は、ｐ型材料を備える。キャパシタ２２０は、接合終端エッジ２６０から形成されてもよく、例えば、キャパシタ２２０は、接合終端エッジ２６０のｐ型材料から形成されてもよい。このようにして、ＲＣスナバ２０１のキャパシタ２２０は、接合終端エッジ２６０内に組み込まれてもよい（接合終端エッジ２６０の一部を形成してもよい）。これは、接合終端エッジ２６０がユニポーラパワートランジスタを囲み、装置２００の有意な面積（例えば、１０％の面積）をカバーするからである。したがって、キャパシタ２２０は、接合終端エッジ２６０から形成可能であり、ユニポーラパワートランジスタの出力キャパシタンスの１０％のキャパシタンスのような特定のキャパシタンスを有する。

【0026】

装置２００は、第３の層２２２を備える。一実施形態において、第３の層２２２は、ゲート酸化物層である。一実施形態において、第３の層２２２は、ゲート酸化物材料、例えば、二酸化シリコン材料、高誘電率材料、誘電材料などを備える。一実施形態において、第３の層２２２は、第２の層２１０上に位置決めされる。

【0027】

装置２００は、ポリシリコン構造２２１、例えば、ｓ－ｐｏｌｙプレートを備える。一実施形態において、ポリシリコン構造２２１は、第３の層２２２上、例えば、ゲート酸化物層上に位置決めされる。一実施形態において、ポリシリコン構造２２１は、ゲートパッド領域２０４内に位置決めされる。一実施形態において、ポリシリコン構造２２１を用いて、ユニポーラパワートランジスタのドレイン２４２をユニポーラパワートランジスタのゲート２０７から分離する。一実施形態において、ゲート２０７は、導電材料を備える。一実施形態において、導電材料は、アルミニウム銅ＡｌＣｕまたは他の金属材料または導電材料を備える。一実施形態において、ポリシリコン構造２２１は、ソーススナバ電位（Ｓｓｎ）に接続される。一実施形態において、抵抗２１８は、ポリシリコン抵抗であり、ポリシリコン抵抗は、ポリシリコン構造２２１の一部としておよび／または他のポリシリコン材料２６６の一部として形成される。一実施形態において、抵抗２１８は、スナバコンタクト２６４によってＲＣスナバ２０１のスナバ電極２６１に結合され、抵抗２１８は、スナバ電極２６１を第２の層２１０に接続する。一実施形態において、抵抗２１８は、スナバ電極２６１と第２の層２１０との間に形成される。一実施形態において、第２の層２１０は、抵抗２１８およびソースコンタクト２６２を通して第１のユニポーラパワートランジスタのソース２４４に接続され、ソースコンタクト２６２は、抵抗２１８をソース２４４に接続する。一実施形態において、抵抗２１８は、テストパッドコンタクトによってテストパッドに接続され、テストパッドコンタクトを用いて、抵抗２１８を測定することができる。一実施形態において、抵抗２１８は、約９０オームと約１１０オームとの間の抵抗値、例えば、約１００オームまたは他の任意の抵抗値を有する。

【0028】

装置２００は、層間絶縁膜（ＩＬＤ）層２０８を備える。一実施形態において、ＩＬＤ層２０８は、低誘電率材料、例えば、約３．９より低いｋ値（誘電率）を有する材料を備える。いくつかの低誘電率材料は、約３．５より低いｋ値を有し、約２．５より低いｋ値を有してもよい。低誘電率材料のいくつかの例は、ＳｉＯ_ｘＣ_ｙＨ_ｚ、ＳｉＯ_ｘ、ＳｉＣＮ、酸素ドープＳｉＣ（ＯＤＣ）、窒素ドープＳｉＣ（ＮＤＣ）、テトラエチルオルトケイ酸塩（ＴＥＯＳ）からの化学蒸着（ＣＶＤ）または他の適切な材料であり、ｘ、ｙおよびｚは１以上の整数である。一実施形態において、ゲートパッド領域２０４内のＩＬＤ層２０８の部分は、ユニポーラパワートランジスタのゲート２０７とポリシリコン構造２２１との間に位置決めされる。一実施形態において、アクティブトレンチトランジスタセル領域２０２内のＩＬＤ層２０８の他の部分は、アクティブトレンチトランジスタセル領域２０２内のポリシリコントレンチゲート構造２２４上に位置決めされる。一実施形態において、アクティブトレンチトランジスタセル領域２０２内のポリシリコントレンチゲート構造２２４は、ＩＬＤ層２０８と第３の層２２２（例えば、ゲート酸化物層）との間に位置決めされ、例えば、ＩＬＤ層２０８は、ポリシリコントレンチゲート構造２２４の上面に隣接して位置決めされ、第３の層２２２（例えば、ゲート酸化物層）は、ポリシリコントレンチゲート構造２２４の底面、第１の側面および／または第２の側面の１つまたは複数に隣接して位置決めされる。

【0029】

装置２００は、ソース構造２０６を備える。一実施形態において、ソース構造２０６は、ユニポーラパワートランジスタのソース２４４を備える。一実施形態において、ソース構造２０６は、導電材料を備える。一実施形態において、導電材料は、アルミニウム銅ＡｌＣｕまたは他の金属材料または導電材料を備える。一実施形態において、ソース構造の第１の寸法（例えば、高さ）は、約３μｍと約７μｍとの間にあり、例えば、約５μｍまたは他の任意のサイズである。一実施形態において、アクティブトレンチトランジスタセル領域２０２内のソース構造２０６の部分は、ポリシリコントレンチゲート構造２２４上に位置決めされる。一実施形態において、ソース構造２０６の他の部分、例えば、ソーススナバ電位（Ｓｓｎ）は、ユニポーラパワートランジスタのソース２４４とユニポーラパワートランジスタのゲート２０７との間に位置決めされる。

【0030】

装置２００は、コンタクト金属構造２３２を備える。一実施形態において、コンタクト金属構造２３２は、アクティブトレンチトランジスタセル領域２０２内に位置決めされる。一実施形態において、コンタクト金属構造２３２は、アクティブトレンチトランジスタセル領域２０２内で、ポリシリコントレンチゲート構造２２４を覆うＩＬＤ層２０８の部分の間に位置決めされる。

【0031】

装置２００は、ソース材料構造２３０を備える。一実施形態において、ソース材料構造２３０は、ｎ^＋ソース材料を備える。一実施形態において、ソース材料構造２３０は、アクティブトレンチトランジスタセル領域２０２内で、１つまたは複数のコンタクト金属構造２３２の下に位置決めされる。

【0032】

装置２００は、ボディ構造２２８を備える。一実施形態において、ボディ構造２２８は、ｐ^－材料を備える。一実施形態において、ボディ構造２２８は、アクティブトレンチトランジスタセル領域２０２内で、ソース材料構造２３０の下に位置決めされる。

【0033】

装置２００は、構造２２６を備える。一実施形態において、構造２２６は、ｎ^－型材料を備える。一実施形態において、構造２２６は、アクティブトレンチトランジスタセル領域２０２内で、ボディ構造２２８の下に位置決めされる。

【0034】

一実施形態において、ソース材料構造２３０、ボディ構造２２８および構造２２６は、ｎｐｎ構造を形成する。ｎｐｎ構造は、電流が流れることができるユニポーラパワートランジスタのためのチャネルとして用いられる。

【0035】

装置２００は、ＲＣスナバ２０１を備え、ＲＣスナバ２０１は、装置２００およびユニポーラパワートランジスタ内に組み込まれ、これらの一部として形成される。ＲＣスナバ２０１およびユニポーラパワートランジスタは、並列に結合される。特に、ＲＣスナバ２０１およびユニポーラパワートランジスタは、半導体基板２１２上にモノリシックに形成される。すなわち、ＲＣスナバ２０１およびユニポーラパワートランジスタは、同じ半導体基板２１２上に形成される。ＲＣスナバ２０１は、抵抗２１８およびキャパシタ２２０を備える。一実施形態において、抵抗２１８は、ポリシリコン材料２６６を備え、ポリシリコン材料２６６は、ユニポーラパワートランジスタのソース２４４に接続されてもよい（例えば、抵抗２１８上に位置決めされるソース構造２０６の部分に接続されてもよい）。一実施形態において、抵抗２１８の抵抗値およびキャパシタ２２０のキャパシタンスＣｏｓｓ（例えば、２０ｐＦ、５０ｐＦなど）は、抵抗２１８のための異なる幅および長さを用いて適合可能である。

【0036】

一実施形態において、抵抗２１８は、ユニポーラパワートランジスタのソース２４４の下、例えば、ソース構造２０６の下に位置決めされる。一実施形態において、抵抗２１８は、スナバ電極２６１の下に位置決めされる。一実施形態において、抵抗２１８は、ソース２４４をスナバ電極２６１に接続してもよい。抵抗２１８は、第２の層２１０上に位置決めされてもよい。ポリシリコン材料２６６は、ユニポーラパワートランジスタの一部でもよく、したがって、ＲＣスナバ２０１は、ユニポーラパワートランジスタの一部として装置２００内に組み込まれる。したがって、ＲＣスナバ２０１は、装置２００内の追加の層および構成要素なしで形成可能である。

【0037】

キャパシタ２２０は、ポリシリコン構造２２１と半導体基板２１２との間に位置決めされる。一実施形態において、キャパシタ２２０は、接合終端エッジ２６０の一部として形成される。一実施形態において、キャパシタ２２０は、ｐｎ接合を備える。ｐｎ接合は、第２の層２１０（例えば、アノード層）のｐ型材料を備える。ｐｎ接合は、第１の層２１４（例えば、ドリフトゾーン層）のｎ型材料を備える。ｐｎ接合は、ユニポーラパワートランジスタのドレイン２４２を保護するために用いられる。キャパシタ２２０は、抵抗２１８に電気的に接続されている。このようにして、状態間でスイッチングされているユニポーラパワートランジスタに関連付けられた振動を減衰するために、ＲＣスナバ２０１の抵抗２１８およびキャパシタ２２０は、装置２００およびユニポーラパワートランジスタ内に組み込まれ、さもなければ、振動は、装置２００の動作に悪影響を及ぼす電磁干渉を引き起こす。

【0038】

図３は、装置２００の平面図３００を示す。一実施形態において、抵抗２１８を形成するポリシリコン材料２６６は、ソースコンタクト２６２によってソース２４４に接続している。ソース２４４は、装置２００のアクティブトランジスタ領域２７０の一部である。一実施形態において、抵抗２１８を形成するポリシリコン材料２６６は、テストパッドコンタクト３０４によってテストパッドに接続する。抵抗２１８はまた、ポリシリコン構造２２１のポリシリコン材料に接続してもよいし、または、これを備えてもよい。一実施形態において、ポリシリコン材料２６６は、ポリシリコン材料２６６が１つまたは複数の回数だけ前後にループするように、メアンダ形状を有する。

【0039】

図４は、装置２００の平面図４００を示す。接合終端エッジ２６０は、第１の層２１４と第２の層２１０との間に位置決めされる。キャパシタ２２０は、接合終端エッジ２６０の一部として形成され、例えば、キャパシタ２２０は、接合終端エッジ２６０のｐ型材料を備える。キャパシタ２２０は、ドレイン２４２と抵抗２１８との間に形成される。キャパシタ２２０は、抵抗２１８に接続されている。抵抗２１８は、ソース２４４に接続されている。抵抗２１８は、ポリシリコン材料２６６から形成される。ソースコンタクト２６２は、ポリシリコン材料２６６（および抵抗２１８）をソース構造２０６に接続する。ソース構造２０６は、ポリシリコン材料２６６とアクティブトランジスタ領域２７０との間にある。スナバコンタクト２６４は、ポリシリコン材料２６６（および抵抗２１８）をスナバ電極２６１に接続する。抵抗２１８は、第２の層２１０上に形成される。

【0040】

装置２００のＲＣスナバ２０１は、追加の構成要素（例えば、ユニポーラパワートランジスタの外部の構成要素）を用いることなく、振動の改善された減衰を提供する。なぜなら、ＲＣスナバ２０１は、装置２００およびユニポーラパワートランジスタ内に組み込まれる（例えば、ＲＣスナバ２０１の抵抗およびキャパシタは、ユニポーラパワートランジスタの部分から形成される）からである。ＲＣスナバ２０１は、装置２００およびユニポーラパワートランジスタ内に組み込まれるので、例えば、すでに装置２００の一部であるゲート２０７（ゲートパッド）の下の領域内に組み込まれるので、ＲＣスナバ２０１によって消費される追加の面積はほとんどない。装置２００が十分に冷却されるので、ＲＣスナバ２０１は、ＲＣスナバ２０１内の電力損失の消散を提供する。ＲＣスナバ２０１は、寄生インダクタンスが含まれないので、振動に直接作用し、振動を減衰することができる。ＲＣスナバは、各装置／トランジスタ内に組み込まれるので、ＲＣスナバ２０１は、モジュール内の並列の装置／トランジスタの数に対応する。ＲＣスナバ２０１は、ユニポーラパワートランジスタの外部にあることと対照的に、ユニポーラパワートランジスタ内に組み込まれるので、さもなければ外部のＲＣスナバとユニポーラパワートランジスタとの間に発生する漏れインダクタンスは、減少または除去される。ＲＣスナバ２０１はまた、ユニポーラパワートランジスタのスイッチング挙動も抑える。

【0041】

本開示の主題の一実施形態は、装置を備える。装置は、接合終端エッジと、ユニポーラパワートランジスタと、ＲＣスナバと、を備え、ＲＣスナバは、ポリシリコン構造と半導体基板との間にあり、接合終端エッジの一部であり、ｐｎ接合を備えるキャパシタと、ユニポーラパワートランジスタのソースとキャパシタを形成する第１の層との間のポリシリコン抵抗と、を備え、ユニポーラパワートランジスタおよびＲＣスナバは、並列に結合され、ＲＣスナバおよびユニポーラパワートランジスタは、半導体基板上にモノリシックに形成される。

【0042】

いくつかの実施形態によれば、半導体基板は、炭化ケイ素基板を備える。

【0043】

いくつかの実施形態によれば、ｐｎ接合は、ｐ型材料の第１の層およびｎ型材料の第２の層を備える。

【0044】

いくつかの実施形態によれば、第２の層は、第１の層と半導体基板との間にある。

【0045】

いくつかの実施形態によれば、ポリシリコン抵抗は、ポリシリコン構造を含み、ポリシリコン抵抗は、スナバのスナバ電極と第１の層との間にある。

【0046】

いくつかの実施形態によれば、ポリシリコン抵抗は、スナバコンタクトによってスナバのスナバ電極に接続され、ポリシリコン抵抗は、スナバ電極を第１の層に接続する。

【0047】

いくつかの実施形態によれば、ポリシリコン構造は、ユニポーラパワートランジスタのドレインをユニポーラパワートランジスタのゲートから分離する。

【0048】

いくつかの実施形態によれば、ポリシリコン抵抗は、ソースコンタクトによってソースに接続されている。

【0049】

いくつかの実施形態によれば、抵抗は、キャパシタに電気的に結合されている。

【0050】

いくつかの実施形態によれば、第１の層は、ｐ型材料を備える。

【0051】

いくつかの実施形態によれば、ユニポーラパワートランジスタは、３端子トランジスタを備える。

【0052】

いくつかの実施形態によれば、ユニポーラパワートランジスタは、炭化ケイ素金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）または炭化ケイ素接合ゲート電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）の少なくとも１つを備える。

【0053】

いくつかの実施形態によれば、キャパシタは、ｐ型材料の接合終端エッジを含む。

【0054】

いくつかの実施形態によれば、半導体基板は、窒化ガリウム基板を備える。

【0055】

いくつかの実施形態によれば、装置は、ＲＣスナバ層を備え、ＲＣスナバ層は、ＲＣスナバと、複数の抵抗と、を備え、複数の抵抗は、抵抗を備える。

【0056】

本開示の主題の一実施形態は、装置を備える。装置は、ユニポーラパワートランジスタと、ＲＣスナバと、を備え、ＲＣスナバは、ポリシリコン構造と半導体基板との間にあり、ｐｎ接合を備えるキャパシタと、ユニポーラパワートランジスタのソースとキャパシタを形成する第１の層との間のポリシリコン抵抗と、を備え、ユニポーラパワートランジスタおよびＲＣスナバは、並列に結合され、ＲＣスナバおよびユニポーラパワートランジスタは、半導体基板上にモノリシックに形成される。

【0057】

いくつかの実施形態によれば、ポリシリコン抵抗は、ポリシリコン構造を含む。

【0058】

いくつかの実施形態によれば、ポリシリコン抵抗は、ソースコンタクトによってソースに接続され、スナバコンタクトによってスナバのスナバ電極に接続されている。

【0059】

いくつかの実施形態によれば、ポリシリコン抵抗は、テストパッドコンタクトによってテストパッドに接続されている。

【0060】

本開示の主題の一実施形態は、装置を備える。装置は、接合終端エッジと、ユニポーラパワートランジスタと、ＲＣスナバと、を備え、ＲＣスナバは、ポリシリコン構造と半導体基板との間にあり、接合終端エッジの一部であり、ｐｎ接合を備えるキャパシタと、ユニポーラパワートランジスタのソースとキャパシタを形成する第１の層との間の抵抗と、を備え、ユニポーラパワートランジスタおよびＲＣスナバは、並列に結合され、ＲＣスナバおよびユニポーラパワートランジスタは、半導体基板上にモノリシックに形成される。

【0061】

主題が、構造的特徴および／または方法論的行為に特有の言語で説明されてきたが、添付の特許請求の範囲において定義されている主題が必ずしも上述した特定の特徴または行為に限定されるものではないことを理解されたい。むしろ、上述した特定の特徴および行為は、特許請求の範囲を実施する例示的な形態として開示される。

【0062】

出願において用いられているように、「構成要素」、「モジュール」、「システム」、「インタフェース」などの用語は、一般的に、ハードウェア、ハードウェアおよびソフトウェアの組み合わせ、ソフトウェア、または、実行中のソフトウェアのいずれかのコンピュータ関連のエンティティを意味することを意図する。１つまたは複数の構成要素は、１つのコンピュータ上に局在してもよいし、および／または、２つ以上のコンピュータ間に分散してもよい。

【0063】

さらに、請求項の主題は、標準プログラミングおよび／またはエンジニアリング技法を用いて、ソフトウェア、ファームウェア、ハードウェアまたは任意のそれらの組み合わせを生成し、開示された主題を実施するためにコンピュータを制御する方法、装置または製造品として実施されてもよい。本願明細書において用いられる「製造品」という用語は、任意のコンピュータ可読デバイス、キャリアまたは媒体からアクセス可能なコンピュータプログラムを包含することを意図する。もちろん、当業者は、請求項の主題の範囲または精神を逸脱しない範囲で多くの修正がこの構成になされてもよいことを認識する。

【0064】

実施形態のさまざまな動作は、本願明細書において提供される。一実施形態において、記載されている動作の１つまたは複数は、１つまたは複数のコンピュータ可読媒体上に記憶されるコンピュータ可読命令を構成することができ、コンピューティングデバイスによって実行される場合、コンピューティングデバイスに記載されている動作を実行させる。動作の一部または全部が記載されている順序は、これらの動作が必ずしも順序に依存することを示唆するものとして解釈されるべきではない。代替の順序は、この説明の利益を有する当業者によって認識される。さらに、すべての動作が、本願明細書において提供される各実施形態に必ずしも存在するわけではないことを理解されたい。

【0065】

「例」として本願明細書において記載される任意の態様または設計は、必ずしも他の態様または設計よりも有利であると解釈されるべきではない。むしろ、「例」という用語の使用は、本願明細書において提示される技術に属しうる１つの可能な態様および／または実施態様を提示することを意図する。この種の例は、この種の技術に必須ではないか、または、限定することを意図するものではない。この種の技術の種々の実施形態は、単独で、または、他の特徴と組み合わせて、この種の例を含んでもよく、および／または、図示例を変化させてもよく、および／または、図示例を省略してもよい。

【0066】

本出願において用いられるとき、「または」という用語は、排他的な「または」ではなく、包括的な「または」を意味することを意図する。すなわち、特に明記しない限り、または、文脈から明らかでない限り、「Ｘは、ＡまたはＢを使用する」は、自然の包括的な順列のいずれかを意味することを意図する。すなわち、ＸがＡを使用する、ＸがＢを使用する、または、ＸがＡおよびＢを使用する場合、「Ｘは、ＡまたはＢを使用する」は、上述した例のいずれかのもとで満たされる。加えて、本出願および添付の特許請求の範囲において用いられる単数形の不定冠詞は、概して、特に明記しない限り、または、単数形に向けられたものであることが文脈から明らかでない限り、「１つまたは複数」を意味すると解釈されうる。また、特に明記しない限り、「第１」、「第２」などは、時間的な側面、空間的な側面、順序などを意味することを意図するものではない。むしろ、この種の用語は、単に、特徴、要素、アイテムなどのための識別子、名称などとして用いられるだけである。例えば、第１の要素および第２の要素は、概して、要素Ａおよび要素Ｂ、２つの異なる要素、２つの同一の要素または同じ要素に対応する。

【0067】

また、開示は、１つまたは複数の実施態様に関して図示および説明されてきたが、当業者は、この明細書および添付の図面の読解および理解に基づいて、同等の代替および修正に想到する。開示は、すべてのこの種の修正および代替を含み、以下の特許請求の範囲のみによって限定される。特に、上述した構成要素（例えば、要素、リソースなど）によって実行される種々の機能に関して、この種の構成要素を記載するのに用いられる用語は、本願明細書において示される開示の例示的実施態様において、機能を実行する開示された構造に構造的に同等ではない場合であっても、特に明記しない限り、記載されている構成要素の指定された機能を実行する（例えば、機能的に同等である）任意の構成要素に対応することを意図する。加えて、開示の特定の特徴がいくつかの実施態様のただ１つに関して開示されてきたかもしれないが、この種の特徴は、任意の所定の用途または特定の用途に望ましく、有利でありうるように、他の実施態様の１つまたは複数の他の特徴と組み合わせられてもよい。さらに、「含む」、「有する」という用語またはこれらの異形が、詳細な説明または特許請求の範囲のいずれかにおいて使用される限りにおいて、この種の用語は、「備える」という用語に類似の方法で包括的であることが意図されている。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【外国語明細書】