特開 2023-135783 アイソレータ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023135783

(43)【公開日】2023-09-29

(54)【発明の名称】アイソレータ

(51)【国際特許分類】

   H01F 38/14 20060101AFI20230922BHJP

   H01L 21/822 20060101ALI20230922BHJP

   H01F 17/00 20060101ALI20230922BHJP

   H01F 27/32 20060101ALI20230922BHJP

【ＦＩ】

H01F38/14

H01L27/04 L

H01F17/00 B

H01F27/32 140

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022041048

(22)【出願日】2022-03-16

(71)【出願人】

【識別番号】000003078

【氏名又は名称】株式会社東芝

(71)【出願人】

【識別番号】317011920

【氏名又は名称】東芝デバイス＆ストレージ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110004026

【氏名又は名称】弁理士法人ｉＸ

(72)【発明者】

【氏名】石黒 陽

【テーマコード（参考）】

5E044

5E070

5F038

【Ｆターム（参考）】

5E044CA08

5E044CC04

5E070AA11

5E070AB08

5E070CB12

5F038AZ04

5F038AZ05

(57)【要約】

【課題】１次側と２次側との間の絶縁破壊耐圧を向上させたアイソレータを提供する。
【解決手段】アイソレータは、１次側の第１コイルと、２次側の第２コイルと、第１絶縁膜と、前記１次側に電気的に接続される１次側導体と、を備える。前記第２コイルは、前記第１コイルの上方に設けられ、前記第１コイルに磁気結合される。前記第１絶縁膜は、前記第１コイル上に設けられ、前記第２コイルは、前記第１絶縁膜の前記第１コイルとは反対側の表面に埋め込まれる。前記１次側導体は、前記第１絶縁膜の前記表面側において、前記第２コイルから離間した任意の位置に埋め込まれる。前記第１絶縁膜は、前記表面側において、前記第２コイルと前記１次側導体との間に設けられた複数の島状凸部を有する。前記複数の島状凸部は、前記第１絶縁膜の表面に沿った沿面距離であって、前記第２コイルから前記１次側導体に至る任意の方向の沿面距離が、その間の前記方向における直線距離よりも長くなるように配置される。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

１次側の第１コイルと、
前記第１コイルの上方に設けられ、前記第１コイルに磁気結合された２次側の第２コイルと、
前記第１コイル上に設けられる第１絶縁膜であって、前記第２コイルは、前記第１コイルとは反対側の表面に埋め込まれる第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の前記表面側において、前記第２コイルから離間した位置に埋め込まれ、前記１次側に電気的に接続される１次側導体と、
を備え、
前記第１絶縁膜は、前記表面側において、前記第２コイルと前記１次側導体との間に設けられる複数の島状凸部を有し、
前記複数の島状凸部は、前記第１絶縁膜の表面に沿った沿面距離であって、前記第２コイルから前記１次側導体に至る任意の方向の沿面距離が前記第２コイルから前記１次側導体に至る前記方向の直線距離よりも長くなるように配置される、アイソレータ。

【請求項2】

前記第１コイルと前記第２コイルの複数の対を備え、
前記１次側導体は、複数の前記第２コイルを囲むように設けられる請求項１記載のアイソレータ。

【請求項3】

前記島状凸部は、前記第１絶縁膜の前記表面に沿った平面内において、異なるサイズの多角形を含む請求項１または２に記載のアイソレータ。

【請求項4】

前記島状凸部は、前記第１絶縁膜の前記表面に沿った平面内において、それぞれ六角形であり、相互に最近接して配置される請求項１または２に記載のアイソレータ。

【請求項5】

前記第２コイルの少なくとも一部と前記１次側導体とを覆う第２絶縁膜をさらに備える請求項１乃至４のいずれか１つに記載のアイソレータ。

【請求項6】

前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に設けられ、前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜とは異なる組成を有する第３絶縁膜をさらに備え、
前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜とは同じ組成を有する請求項５記載のアイソレータ。

【請求項7】

前記１次側の基準電位が前記１次側導体に供給される請求項１乃至６のいずれか１つに記載のアイソレータ。

【請求項8】

前記第１コイルから前記第２コイルに向かう方向において、前記島状凸部の高さは、前記第２コイルの厚さよりも小さい請求項１乃至７のいずれか１つに記載のアイソレータ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

実施形態は、アイソレータに関する。

【背景技術】

【0002】

２つのコイル間の磁気結合を介して信号伝送を行うアイソレータでは、１次側と２次側との間において、高い絶縁破壊耐圧を保持することが重要である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１８－１８２２２３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

実施形態は、１次側と２次側との間の絶縁破壊耐圧を向上させたアイソレータを提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

実施形態に係るアイソレータは、１次側の第１コイルと、２次側の第２コイルと、第１絶縁膜と、前記１次側に電気的に接続される１次側導体と、を備える。前記第２コイルは、前記第１コイルの上方に設けられ、前記第１コイルに磁気結合される。前記第１絶縁膜は、前記第１コイル上に設けられ、前記第２コイルは、前記第１絶縁膜の前記第１コイルとは反対側の表面に埋め込まれる。前記１次側導体は、前記第１絶縁膜の前記表面側において、前記第２コイルから離間した位置に埋め込まれる。前記第１絶縁膜は、前記表面側において、前記第２コイルと前記１次側導体との間に設けられた複数の島状凸部を有する。前記複数の島状凸部は、前記第１絶縁膜の表面に沿った沿面距離であって、前記第２コイルから前記１次側導体に至る任意の方向の沿面距離が前記第２コイルから前記１次側導体に至る前記方向の直線距離よりも長くなるように配置される。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】実施形態に係るアイソレータを示す模式断面図である。

【図2】実施形態に係るアイソレータの構造を示す模式図である。

【図3】実施形態に係るアイソレータを示す模式平面図である。

【図4】実施形態に係るアイソレータの製造過程を示す模式断面図である。

【図5】実施形態の変形例に係るアイソレータの構造を示す模式平面図である。

【図6】実施形態の別の変形例に係るアイソレータを示す模式平面図である。

【図7】実施形態の別の変形例に係るアイソレータを示す模式断面図である。

【図8】比較例に係るアイソレータを示す模式平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。図面中の同一部分には、同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。

【0008】

さらに、各図中に示すＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を用いて各部分の配置および構成を説明する。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、相互に直交し、それぞれＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を表す。また、Ｚ方向を上方、その反対方向を下方として説明する場合がある。

【0009】

図１は、実施形態に係るアイソレータ１を示す模式断面図である。アイソレータ１は、１次側の第１コイル１０と、２次側の第２コイル２０と、第１コイル１０を含む１次側回路に電気的に接続される１次側導体３０と、を備える。アイソレータ１は、第１コイル１０と第２コイル２０との間の磁気結合を介して、１次側から２次側へ信号を伝達する。第１コイル１０および第２コイル２０は、渦巻状の平面コイル（図３参照）である。

【0010】

１次側導体３０は、第１コイル１０から第２コイル２０に向かう方向、例えば、Ｚ方向において、第２コイル２０と同レベルに配置される。１次側導体３０は、例えば、１次側回路に基準電位を供給するための外部端子として設けられる。

【0011】

図１に示すように、アイソレータ１は、別の１次側導体４０と、第１絶縁膜５０と、第２絶縁膜６０と、第３絶縁膜７０と、半導体基板ＳＳと、をさらに備える。半導体基板ＳＳは、例えば、シリコンである。第１絶縁膜５０、第２絶縁膜６０および第３絶縁膜７０は、半導体基板ＳＳ上に積層される。

【0012】

１次側導体４０は、Ｚ方向において、第１コイル１０と同じレベルに設けられる。１次側導体４０は、例えば、図示しない配線もしくは回路（図７参照）を介して、第１コイル１０に電気的に接続される。１次側導体４０は、接続導体３５を介して、表面側の１次側導体３０に電気的に接続される。

【0013】

第１絶縁膜５０は、第１コイル１０上に設けられる。第１絶縁膜５０は、例えば、シリコン酸化膜である。第１絶縁膜５０は、第１コイル１０と第２コイル２０との間に設けられる。第１絶縁膜５０は、第２コイル２０を第１コイル１０から電気的に絶縁し、第１コイル１０と第２コイル２０との間に所望の絶縁破壊耐圧を与える膜厚を有する。第１絶縁膜５０は、１次側導体３０と１次側導体４０との間に延在する。接続導体３５は、例えば、第１絶縁膜５０中に延在するコンタクトプラグである。接続導体３５は、例えば、銅などの金属を含む導体である。

【0014】

第２コイル２０は、第１絶縁膜５０の第１コイルとは反対側の表面上に設けられる。第２コイル２０は、例えば、第１絶縁膜５０中に埋め込まれる。第２コイルは、例えば、銅などの金属を含む導体である。

【0015】

第２絶縁膜６０は、第１絶縁膜５０上に設けられる。第２絶縁膜６０は、第２コイル２０および１次側導体３０を覆う。第２絶縁膜６０は、例えば、シリコン酸化膜である。また、第２絶縁膜６０は、第１絶縁膜５０とは異なる組成を有してもよい。

【0016】

第３絶縁膜７０は、半導体基板ＳＳと第１絶縁膜５０との間に設けられる。第３絶縁膜７０は、例えば、シリコン酸化膜である。第１コイル１０および１次側導体４０は、第１絶縁膜５０と第３絶縁膜７０との間において、それぞれ、第３絶縁膜７０中に埋め込まれる。第１コイル１０および１次側導体４０は、例えば、銅などの金属を含む導体である。

【0017】

図１に示すように、第１コイル１０および１次側回路（図示しない）は、第１絶縁膜５０により、２次側の第２コイル２０から電気的に絶縁される。１次側と２次側との間の絶縁破壊耐圧は、第１コイル１０から第２コイル２０に至る距離ＶＤ、および、１次側導体３０から第２コイル２０に至る直線距離ＨＤを広くすることにより確保される。

【0018】

しかしながら、第１絶縁膜５０と第２絶縁膜６０との間に電気抵抗の低い界面が存在する場合、１次側と２次側との間の絶縁破壊耐圧が低下する。例えば、製造過程に起因する異物もしくは可動イオンが第１絶縁膜５０と第２絶縁膜６０との間に存在するとか、第２絶縁膜６０の形成過程における初期堆積物による絶縁破壊耐圧の低下などの不具合があると、１次側と２次側との間の絶縁破壊耐圧が低下する。

【0019】

例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）を用いて堆積される絶縁膜では、数十ｎｍ程度の厚さの初期堆積物が異なる組成および結晶性を有し、絶縁破壊耐圧の低下を招く場合がある。このような初期堆積層は、例えば、絶縁膜断面のＴＥＭ像（Transmission Electron Microscope image）のコントラストにより確認される。

【0020】

これに対し、実施形態に係るアイソレータ１では、第２コイル２０と１次側導体３０との間に、複数の島状凸部ＩＰが設けられる。島状凸部ＩＰは、例えば、第１絶縁膜５０の表面に設けられる。これにより、第２コイル２０から第１絶縁膜５０の表面に沿って１次側導体３０に至る沿面距離が直線距離ＨＤよりも長くなり、第１絶縁膜５０と第２絶縁膜６０との間の界面における電気抵抗を高くすることができる。

【0021】

図２は、実施形態に係るアイソレータ１の構造を示す模式図である。図２は、第１絶縁膜５０と第２絶縁膜６０との境界に平行な平面内における島状凸部ＩＰの形状および配置を示す模式平面図である。

【0022】

図２に示すように、島状凸部ＩＰの平面形状は、例えば、正六角形である。隣り合う島状凸部ＩＰを最近接させて配置することにより、複数の島状凸部が設けられる領域において平面充填を実現できる。また、実施形態に係る島状凸部の平面形状は、この例に限定される訳ではなく、例えば、正六角形以外の多角形または円形でもよい。

【0023】

図３は、実施形態に係るアイソレータ１を示す模式平面図である。図３は、第１絶縁膜５０の表面を表す模式図である。

【0024】

図３に示すように、第２コイル２０は、渦巻状の平面コイルである。第２コイル２０は、その両端に接続パッド２３および接続パッド２５を有する。第２コイル２０は、例えば、接続パッド２３および接続パッド２５にボンディングされる金属ワイヤを介して外部回路もしくは他の２次側コイルに電気的に接続される。また、第１コイル１０も平面コイルであり、第２コイル２０の下方において、第２コイル２０と同様の形状を有する。なお、第２コイル２０の平面形状は円形に限らず、例えば、多角形であってもよい。

【0025】

複数の島状凸部ＩＰは、例えば、第２コイル２０を囲む領域に配置される。１次側導体３０は、島状凸部ＩＰが設けられた領域の外側の任意の位置Ｐ１～Ｐ３に設けることができる。島状凸部ＩＰは、第２コイル２０から１次側導体３０が配置される任意の位置Ｐ１～Ｐ３に至る沿面距離を、その間の直線距離ＨＤよりも長くすることができる。すなわち、図３中に矢印で示すように、第１絶縁膜５０の表面に沿った任意の方向において、第２コイル２０から配置位置Ｐ１～Ｐ３のそれぞれに至る沿面距離を直線距離ＨＤよりも長くすることができる。

【0026】

図４（ａ）～（ｃ）は、実施形態に係るアイソレータの製造過程を示す模式断面図である。図４（ａ）～（ｃ）は、島状凸部の形成過程を例示する模式図である。

【0027】

図４（ａ）に示すように、第１絶縁膜５０中に第２コイル２０を形成した後、第１絶縁膜５０の表面上にエッチングマスクＥＭを形成する。なお、１次側導体３０は、図示しない部分に形成されている。

【0028】

エッチングマスクＥＭは、例えば、フォトレジストである。エッチングマスクＥＭは、例えば、フォトリソグラフィを用いてパターニングされる。島状凸部ＩＰが形成される領域において、エッチングマスクＥＭは、例えば、正六角形にパターニングされている。

【0029】

図４（ｂ）に示すように、第１絶縁膜５０を選択的にエッチングし、島状凸部ＩＰを形成する。第１絶縁膜５０は、例えば、ドライエッチングにより選択的に除去される。この間、エッチングマスクＥＭもエッチングされ、島状凸部ＩＰは、例えば、傾斜した側面を有する形状に設けられる。

【0030】

図４（ｃ）に示すように、エッチングマスクＥＭを除去する。エッチングマスクＥＭは、例えば、アッシングにより除去される。島状凸部ＩＰの高さは、例えば、第２コイル２０のＺ方向の厚さＴＣよりも低い。また、隣り合う島状凸部ＩＰ間の底面を含む平面に対する島状凸部ＩＰの側面の傾斜角θは、例えば、４５°よりも大きい。これにより、第１絶縁膜５０の表面に沿った沿面距離ＳＤを長くすることができる。

【0031】

なお、島状凸部ＩＰの製造方法は、上記の例に限定される訳ではない。例えば、第１絶縁膜５０の表面を粗面化することにより、微細な島状凸部を形成してもよい。例えば、液相エッチングなどにより、絶縁膜の表面に非定型でランダムな形状の凹凸を形成できる。そのような凹凸構造は、例えば、数百ｎｍの段差を有し、凸部の面積比が概ね５０％であることが好ましい。また、数十ｎｍの段差を有する凹凸構造も有効であり、後述する密着性の改善と相まって良好な絶縁破壊耐圧が得られる。

【0032】

図５（ａ）～（ｃ）は、実施形態の変形例に係るアイソレータの構造を示す模式平面図である。図５（ａ）および（ｂ）は、比較例に係る島状凸部ＩＰの配置例を示す模式図である。図５（ｃ）は、実施形態に係る島状凸部ＩＰの配置例を表す模式図である。

【0033】

図５（ａ）に示す例では、四角形の平面形状を有する島状凸部ＩＰを配置している。複数の島状凸部ＩＰは、例えば、Ｘ方向およびＹ方向に等間隔に並ぶ。このため、隣り合う島状凸部ＩＰの間に、直線状の短絡経路ＳＰＸおよびＳＰＹがＸ方向およびＹ方向にそれぞれ存在する。短絡経路ＳＰＸおよびＳＰＹは、いずれの島状凸部ＩＰにも交差しない。したがって、短絡経路ＳＰＸおよびＳＰＹに沿った沿面距離は、直線距離ＨＤと同じになる。

【0034】

図５（ｂ）に示す例は、Ｘ方向に周期的に並ぶ島状凸部ＩＰの位相をずらした配置を示している。すなわち、島状凸部ＩＰのＸ方向における並びの周期が、Ｙ方向において、交互にずれるように配置される。これにより、Ｙ方向の短絡経路ＳＰＹを消すことができるが、Ｘ方向の短絡経路ＳＰＸは残る。

【0035】

図５（ｃ）に示すように、サイズの異なる多角形の島状凸部ＩＰを配置してもよい。すなわち、図５（ｂ）に示す配置に、Ｙ方向のサイズが大きい島状凸部ＩＰを加えている。これによりＸ方向の短絡経路ＳＰＸも消すことができる。

【0036】

このように、サイズの異なる多角形の平面形状を有する複数の島状凸部ＩＰを配置することにより、任意の方向において、沿面距離が直線距離ＨＤよりも長くなる配置を実現することができる。

【0037】

図６は、実施形態の別の変形例に係るアイソレータ２を示す模式平面図である。図６は、第１絶縁膜５０の表面を示す模式図である。この例では、複数の第２コイル２０が２次側に設けられる。複数の第２コイル２０は、例えば、金属ワイヤ（図示しない）を介して直列接続される。また、複数の第２コイル２０は、下方に配置された複数の第１コイル１０にそれぞれ磁気結合される。さらに、第２コイル２０は、その最外周で各々のコイルと連結し、巻き方向が同一ないし逆巻き方向になる構成でも良い。

【0038】

図６中には、４つの第２コイル２０が記載されているが、これに限定される訳ではない。２次側に配置される第２コイル２０の数は任意であり、少なくとも２つの第２コイル２０が設けられる。

【0039】

図６に示すように、１次側導体３０は、複数の第２コイル２０を囲むように配置される。１次側導体３０と、それぞれの第２コイル２０との間には、図示しない複数の島状凸部ＩＰが設けられる（図３参照）。島状凸部ＩＰは、第２コイル２０のそれぞれから１次側導体３０に至る沿面距離が、任意の方向において、その間の直線距離よりも長くなるように配置される。

【0040】

例えば、図８は、比較例に係るアイソレータ３を示す模式平面図である。アイソレータ３では、複数の溝５０Ｇが第１絶縁膜５０の表面側に設けられる。複数の溝５０Ｇは、複数の第２コイル２０のそれぞれと１次側導体３０との間において、複数の第２コイル２０を囲むように設けられる。このような構成でも、第２コイル２０のそれぞれから１次側導体３０に至る沿面距離を直線距離ＨＤよりも長くすることができる。しかしながら、第２コイル２０のそれぞれと１次側導体３０との間に複数の溝５０Ｇを設けるために、その間に広い面積が必要となる。

【0041】

実施形態に係るアイソレータ２において、第２コイル２０のそれぞれと１次側導体３０との間のスペースを広げることなく、複数の島状凸部ＩＰを設けることができる。また、島状凸部ＩＰの配置は、第２コイル２０および１次側導体３０のそれぞれの形態および配置に依存しない。すなわち、実施形態に係る島状凸部ＩＰは、アイソレータ２の小型化に適し、配置の自由度も大きい。

【0042】

図７は、実施形態の別の変形例に係るアイソレータ２を示す模式断面図である。図７は、図６中に示すＡ－Ａ線に沿った断面図である。

【0043】

図７に示すように、第１絶縁膜５０は、第１膜５１、第２膜５３、第３膜５５および第４膜５７を含む積層構造を有する。第２絶縁膜６０は、第１膜６１と第２膜６３と第３膜６５とを含む。第３絶縁膜７０は、第１膜７３と第２膜７５とを含む。

【0044】

第１絶縁膜５０の第１膜５１は、例えば、ＰＣＶＤ（Plasma enhanced Chemical Vapor Deposition）を用いて形成されるシリコン炭窒化膜（ＳｉＣＮ膜）である。第１膜５１は、第３絶縁膜７０上に設けられる。第１膜５１は、第１コイル１０および１次側導体４０から第１絶縁膜５０中への金属原子の拡散を抑制する。

【0045】

第２膜５３は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）を用いて形成されるシリコン酸化膜である。第２膜５３は、第１膜５１上に設けられる。第２膜５３は、第１コイル１０と第２コイル２０との間に位置し、その間の絶縁破壊耐圧を確保できる膜厚を有する。第２膜５３は、Ｚ方向において、例えば、５マイクロメートル以上の膜厚を有する。

【0046】

第３膜５５は、例えば、ＰＣＶＤを用いて形成されるシリコン窒化膜である。第３膜５５は、第２膜５３上に設けられる。さらに、第４膜５７は、第３膜５５上に設けられる。第４膜５７は、例えば、ＰＣＶＤを用いて形成されるシリコン酸化膜である。

【0047】

第２コイル２０は、第４膜５７中に埋め込まれる。第２コイル２０の形成過程において、第３膜５５は、エッチング停止膜として機能する。すなわち、第２コイル２０および１次側導体３０を埋め込むための溝を第４膜５７に形成する際、第３膜５５は、第２膜５３に至る過剰エッチングを防ぐ。

【0048】

第２絶縁膜６０の第１膜６１は、第１絶縁膜５０上に設けられる。第１膜６１は、例えば、ＳｉＣＮ膜である。第１膜６１は、第２コイル２０および１次側導体３０の金属原子の拡散を抑制する。

【0049】

第２膜６３は、第１膜６１上に設けられる。第２膜６３は、例えば、ＣＶＤを用いて形成されるシリコン酸化膜である。第２膜６３は、第２コイル２０を覆うように形成される。

【0050】

第３膜６５は、第２膜６３および第１膜６１上に設けられる。第３膜６５は、第２コイル２０と１次側導体３０との間において、第１膜６１に接するように設けられる。第３膜６５は、例えば、ＰＣＶＤを用いて形成されるシリコン酸化膜である。

【0051】

第３絶縁膜７０の第１膜７３は、半導体基板ＳＳ上に設けられる。第１膜７３は、例えば、ＣＶＤを用いて形成されるシリコン酸化膜である。第１膜７３は、層間絶縁膜として形成される。

【0052】

第２膜７５は、第１膜７３上に設けられる。第２膜７５は、例えば、ＰＣＶＤを用いて形成されるシリコン酸化膜である。第１コイル１０および１次側導体４０は、第２膜７５中に埋め込まれる。

【0053】

図７に示すように、アイソレータ２は、駆動回路ＤＣをさらに備える。駆動回路ＤＣは、第１コイル１０を動作させる。駆動回路ＤＣは、半導体基板ＳＳの表面側に設けられる。第３絶縁膜７０の第１膜７３は、駆動回路ＤＣの多層配線を含む。１次側導体４０は、例えば、駆動回路ＤＣを介して第１コイル１０に電気的に接続される。

【0054】

アイソレータ２では、第１絶縁膜５０の第４膜５７の表面に島状凸部ＩＰが設けられる。これにより、第１絶縁膜５０の第４膜５７と第２絶縁膜６０の第１膜６１との界面、および、第２絶縁膜６０の第１膜６１と第２絶縁膜６０の第３膜６５との界面のそれぞれにおける沿面距離を直線距離ＨＤよりも長くすることができる。これにより、第２コイル２０と１次側導体３０との間の絶縁破壊電圧を高くすることができる。

【0055】

さらに、第１絶縁５０の第４膜５７と第２絶縁膜６０の第１膜６１との界面における密着性が向上し、ＴＣＴなどの繰り返し温度試験において、例えば、封止樹脂による応力を分散させることが可能となる。すなわち、複数の凸部により沿面距離を長くするとともに、密着性の向上による界面の安定性を確保できる。また、第２絶縁膜６０の第１膜６１の線膨張係数が第２絶縁膜の第３膜６５および第１絶縁膜５０の第４膜５７の線膨張係数よりも小さくなるように構成し、且つ、第２絶縁膜６０の第１膜６１の膜厚が第３膜６５および第１絶縁膜５０の第４膜５７の膜厚よりも薄くなるように構成することにより、第１絶縁膜５０の第４膜５７と第２絶縁膜６０の第１膜６１との界面、および、第２絶縁膜６０の第１膜６１と第２絶縁膜６０の第３膜６５との界面における応力緩和の効果を向上させることができる。つまり、薄い膜（第２絶縁膜６０の第１膜６１）を、薄い膜とは線膨張係数が異なる厚い膜（第１絶縁膜５０の第４膜５７および第２絶縁膜の第３膜６５）の間に挟む構造にすることにより、島状構造による沿面距離の拡大と密着性の向上が相まって、より高い絶縁破壊電圧を得ることができる。

【0056】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0057】

１、２、３…アイソレータ、 １０…第１コイル、 ２０…第２コイル、 ２３、２５…接続パッド、 ３０、４０…１次側導体、 ３５…接続導体、 ５０…第１絶縁膜、 ５０Ｇ…溝、 ５１、６１、７３…第１膜、 ５３、６３、７５…第２膜、 ５５、６５…第３膜、 ５７…第４膜、 ６０…第２絶縁膜、 ７０…第３絶縁膜、 ＤＣ…駆動回路、 ＥＭ…エッチングマスク、 ＩＰ…島状凸部、 ＳＰＸ、ＳＰＹ…短絡経路

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】