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特開 2023-136766出願番号 特願 2022-42640
複合超伝導体およびその製造方法
出願人 国立大学法人九州工業大学（識別番号 504174135）
2026年 特許公開件数ランキング 881位 24件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 849位 22件（※）
公報発行日 2023年9月29
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2023-136766 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】超伝導体の割合を高めた、多様な形状の複合超伝導体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属薄層３２ａと超伝導体層１４とが積層された部分を有し、金属薄層３２ａと超伝導体層１４とがそれぞれ２層以上含まれる複合超伝導体３００の製造方法であって、未研磨金属層１２と未研磨金属層１２上に形成された超伝導体層１４とを含む未研磨積層体１１の未研磨金属層１２の超伝導体層１４と反対側の面１２Ｓの少なくとも一部を研磨し、金属薄層３２ａと金属薄層３２ａ上に形成された超伝導体層１４とを含む単位積層領域３０Ｒを形成することを含む。
【選択図】図２
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明によれば、超伝導体の割合を高めた複合超伝導体およびその製造方法が提供される。本発明の製造方法によれば、超伝導体の割合を高めた、多様な形状の複合超伝導体を簡単に製造することができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
選択図 図2出願人が指定した本件の代表的な図
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