特開2023-136780軟磁性金属粒子、軟磁性金属粉末、磁性素体およびコイル型電子部品
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023136780
(43)【公開日】2023-09-29
(54)【発明の名称】軟磁性金属粒子、軟磁性金属粉末、磁性素体およびコイル型電子部品
(51)【国際特許分類】
H01F 1/147 20060101AFI20230922BHJP
H01F 17/04 20060101ALI20230922BHJP
B22F 1/00 20220101ALI20230922BHJP
C22C 30/00 20060101ALI20230922BHJP
C22C 38/00 20060101ALN20230922BHJP
C22C 19/03 20060101ALN20230922BHJP
【ＦＩ】
H01F1/147 133
H01F17/04 F
H01F1/147 141
B22F1/00 Y
C22C30/00
C22C38/00 303S
C22C19/03 E
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022042660
(22)【出願日】2022-03-17
(71)【出願人】
【識別番号】000003067
【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001494
【氏名又は名称】前田・鈴木国際特許弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】櫻井 優
(72)【発明者】
【氏名】梅田 秀信
(72)【発明者】
【氏名】伊藤 秀幸
(72)【発明者】
【氏名】和田 龍一
(72)【発明者】
【氏名】角田 晃一
【テーマコード（参考）】
4K018
5E041
5E070
【Ｆターム（参考）】
4K018AA08
4K018AA26
4K018AA30
4K018BA16
4K018BA20
4K018BB04
4K018BB06
4K018BC13
4K018BC33
4K018BD04
4K018CA07
4K018CA33
4K018DA03
4K018DA31
4K018FA08
4K018JA22
4K018KA44
4K018KA63
5E041AA07
5E041BD01
5E041NN06
5E070AA01
5E070BB01
(57)【要約】
【課題】高い金属占積率と高い飽和磁化とを両立させた磁性素体を作製可能であり、かつ、インダクタンス、直流重畳特性および耐電圧が全て良好なコイル型電子部品を作製可能な軟磁性金属粒子を提供する。
【解決手段】ＦｅＮｉ系の軟磁性金属からなり、一粒子内にｆｃｃ相とｂｃｃ相とを混在して有する軟磁性金属粒子である。
【選択図】図１
【解決手段】ＦｅＮｉ系の軟磁性金属からなり、一粒子内にｆｃｃ相とｂｃｃ相とを混在して有する軟磁性金属粒子である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ＦｅＮｉ系の軟磁性金属からなり、一粒子内にｆｃｃ相とｂｃｃ相とを混在して有する軟磁性金属粒子。
【請求項2】
Ｘ線回折分析により得られる回折チャートにおいて、前記ｆｃｃ相の回折ピークの強度を前記ｂｃｃ相の回折ピークの強度で割った値が０．０１以上０．８０以下である請求項１に記載の軟磁性金属粒子。
【請求項3】
Ｆｅ、ＮｉおよびＣｏを主成分とする請求項１または２に記載の軟磁性金属粒子。
【請求項4】
請求項１～３のいずれかに記載の軟磁性金属粒子を有する軟磁性金属粉末。
【請求項5】
請求項１～３のいずれかに記載の軟磁性金属粒子を有する磁性素体。
【請求項6】
請求項５に記載の磁性素体と、コイル導体と、を有するコイル型電子部品。
【請求項7】
前記磁性素体の内部に前記コイル導体が配置される請求項６に記載のコイル型電子部品。
【請求項8】
前記磁性素体のコイル内径部およびカバー部に前記軟磁性金属粒子を有する請求項７に記載のコイル型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、軟磁性金属粒子、軟磁性金属粉末、磁性素体およびコイル型電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、積層インダクタに関する発明が記載されており、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｍ軟磁性合金（ＭはＦｅより酸化しやすい金属元素）からなる金属粒子を含む磁性材料を用いて磁性材料層を作製している。特許文献２には、軟磁性合金粉末に関する発明が記載されており、Ｆｅ、Ｎｉ、ＣｏおよびＳｉのそれぞれの含有量を特定の範囲内に制御したＦｅ－Ｎｉ系結晶粒子を含有することを特徴としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１２－２３８８４０号公報
【特許文献2】特開２００８－１３５６７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明は、高い金属占積率と高い飽和磁化とを両立させた磁性素体を作製可能であり、かつ、インダクタンス、直流重畳特性および耐電圧が全て良好なコイル型電子部品を作製可能な軟磁性金属粒子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明に係る軟磁性金属粒子は、ＦｅＮｉ系の軟磁性金属からなり、一粒子内にｆｃｃ相とｂｃｃ相とを混在して有する。
【0006】
本発明に係る軟磁性金属粒子は、Ｘ線回折分析により得られる回折チャートにおいて、前記ｆｃｃ相の回折ピークの強度を前記ｂｃｃ相の回折ピークの強度で割った値が０．０１以上０．８０以下であってもよい。
【0007】
本発明に係る軟磁性金属粒子は、Ｆｅ、ＮｉおよびＣｏを主成分としてもよい。
【0008】
本発明に係る軟磁性金属粉末は、上記の軟磁性金属粒子を有する。
【0009】
本発明に係る磁性素体は、上記の軟磁性金属粒子を有する。
【0010】
本発明に係るコイル型電子部品は、上記の磁性素体と、コイル導体と、を有する。
【0011】
本発明に係るコイル型電子部品は、前記磁性素体の内部に前記コイル導体が配置されてもよい。
【0012】
本発明に係るコイル型電子部品は、前記磁性素体のコイル内径部およびカバー部に上記の軟磁性金属粒子を有してもよい。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【発明を実施するための形態】
【0014】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づいて説明する。
【0015】
（コイル型電子部品の構造）
コイル型電子部品として、図１に示す積層インダクタ１が例示される。
コイル型電子部品として、図１に示す積層インダクタ１が例示される。
【0016】
図１に示すように、本実施形態に係る積層インダクタ１は、素子２と端子電極３とを有する。素子２は、磁性素体４の内部にコイル導体５が３次元的かつ螺旋状に埋設された構成を有している。素子２の両端には、端子電極３が形成されており、この端子電極３は、引出電極５ａ、５ｂを介してコイル導体５と接続されている。また、素子２はコイル導体５が埋設されている中央部２ｂおよび中央部２ｂの積層方向上下に存在しコイル導体５が埋設されていない表面部２ａからなる。
【0017】
図１に示すように、磁性素体４のうち、積層方向については中央部２ｂに位置し、かつ、コイル導体５の径方向については、コイル導体５のうち軸心に最も近い部分からコイル導体５の軸心までの距離に対して３％以上、コイル導体５の軸心に近い側に位置している部分をコイル内径部４ｂとする。
【0018】
図１に示すように、磁性素体４のうち、積層方向について表面部２ａに位置する部分をカバー部４ｃとする。
【0019】
磁性素体４のうち、コイル内径部４ｂにもカバー部４ｃにも含まれない部分をその他の部分４ａとする。
【0020】
素子２の形状は任意であるが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい。例えば、０．２～２．５ｍｍ×０．１～２．０ｍｍ×０．１～１．２ｍｍとすることができる。
【0021】
端子電極３の材質は、電気伝導体であれば、任意の材質とすることができる。例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ合金、Ｃｕ合金等が用いられる。特にＡｇを用いることが好ましい。Ａｇは安価であり、かつ、電気抵抗が低いためである。また、端子電極３は上記の電気伝導体以外の物質、例えばガラスフリットを含有していてもよい。
【0022】
端子電極３は表面にめっきを施してもよい。たとえば、Ｃｕめっき、ＮｉめっきまたはＳｎめっきであってもよい。また、ＮｉめっきおよびＳｎめっきをこの順番に施してもよい。
【0023】
コイル導体５および引出電極５ａ、５ｂの材質は、電気伝導体であれば、任意の材質とすることができる。例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ合金、Ｃｕ合金等が用いられる。特にＡｇを用いることが好ましい。Ａｇは安価であり、かつ、電気抵抗が低いためである。
【0024】
磁性素体４は、軟磁性金属粒子および樹脂からなっていてもよい。磁性素体４のうち軟磁性金属粒子以外の部分を隙間スペースとする。そして隙間スペースに樹脂が充填され、樹脂が充填されていない部分が空隙となる。また、樹脂を充填する前の段階では、隙間スペースは全て空隙である。
【0025】
樹脂が隙間スペースに充填されることで、積層インダクタ１の強度が高くなる。また、樹脂により軟磁性金属粒子同士の間の絶縁性がさらに高くなる。そのことにより積層インダクタ１のＱがさらに向上する。さらに、積層インダクタ１の信頼性および耐熱性が向上する。
【0026】
樹脂の種類には特に制限はない。具体的には、フェノール樹脂またはエポキシ樹脂であってもよい。特にフェノール樹脂であることが安価で取り扱いが容易のため好ましい。
【0027】
（軟磁性金属粒子）
磁性素体４に含まれる軟磁性金属粒子のうち少なくとも一部の軟磁性金属粒子はＦｅＮｉ系の軟磁性金属からなる。
磁性素体４に含まれる軟磁性金属粒子のうち少なくとも一部の軟磁性金属粒子はＦｅＮｉ系の軟磁性金属からなる。
【0028】
ＦｅＮｉ系の軟磁性金属は、ＦｅおよびＮｉを主に含む。具体的には、Ｆｅの含有量が２０質量％以上であり、かつ、Ｎｉの含有量が２０質量％以上である軟磁性金属である。
【0029】
軟磁性金属粒子がＦｅ、ＮｉおよびＣｏを主成分として含んでいてもよい。具体的には、Ｆｅの含有量が２０質量％以上、Ｎｉの含有量が１０質量％以上、かつ、Ｃｏの含有量が３質量％以上であってもよい。
【0030】
また、ＦｅＮｉ系の軟磁性金属が、Ｆｅ、ＮｉおよびＣｏを主成分として含み、さらに、Ｓｉ、ＣｒおよびＰから選択される１種以上を含んでいてもよい。Ｓｉの含有量が１質量％以上６質量％以下であってもよい。Ｃｒの含有量が０．２質量％以上５質量％以下であってもよい。Ｐの含有量が０．０１質量％以上１質量％以下であってもよい。
【0031】
ＦｅＮｉ系の軟磁性金属は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ、ＣｒおよびＰの含有量の合計を１００質量部とした場合において、その他の元素の含有量が３質量部以下であってもよい。
【0032】
そして、軟磁性金属粒子が一粒子内にｆｃｃ相とｂｃｃ相とを混在して有する。ｆｃｃ相は面心立方構造を有する相であり、ｂｃｃ相は体心立方構造を有する相である。以下の記載では、ＦｅＮｉ系の軟磁性金属からなり一粒子内にｆｃｃ相とｂｃｃ相とを混在して有する軟磁性金属粒子のことを単に特定軟磁性金属粒子と呼ぶことがある。
【0033】
特定軟磁性金属粒子を用いて磁性素体４を作製する場合には、成形時に軟磁性金属粒子の再配列が効率的に行われ、磁性素体４における金属占積率が高くなる。軟磁性金属粒子の再配列が効率的に行われることで、軟磁性金属粒子の配置が最適化されるためである。さらに、特定軟磁性金属粒子は飽和磁化Ｍｓが高い。すなわち、特定軟磁性金属粒子を用いて磁性素体４を作製する場合には、飽和磁化Ｍｓと金属占積率とを同時に高くすることができる。その結果、積層インダクタ１の直流重畳特性が向上する。
【0034】
これは、ｆｃｃ相は比較的硬度が低く、ｂｃｃ相は比較的硬度が高いためである。
【0035】
軟磁性金属粒子がｆｃｃ相のみを含む場合には、軟磁性金属粒子の再配列が十分に進行する前に軟磁性金属粒子の塑性変形が生じやすい。軟磁性金属粒子が塑性変形すると、軟磁性金属粒子の再配列が進行しにくくなる。そのため、軟磁性金属粒子がｆｃｃ相のみを含む場合には、磁性素体４における金属占積率が低くなりやすくなる。
【0036】
ただし、軟磁性金属粒子の塑性変形が十分に生じない場合も、磁性素体４における金属占積率が十分に向上しない。軟磁性金属粒子がｂｃｃ相のみを含む場合には軟磁性金属粒子の塑性変形が生じにくくなりすぎる。そして、磁性素体４における金属占積率が低くなりやすくなる。
【0037】
磁性素体４における特定軟磁性金属粒子を有する部分の位置については特に制限はない。
【0038】
磁性素体４のコイル内径部４ｂおよびカバー部４ｃに特定軟磁性金属粒子を有していてもよく、実質的に磁性素体４のコイル内径部４ｂおよびカバー部４ｃのみに特定軟磁性金属粒子を有していてもよい。実質的に磁性素体４のコイル内径部４ｂおよびカバー部４ｃのみに特定軟磁性金属粒子を有する場合には、特にインダクタンスおよび直流重畳特性をバランスよく向上させやすくなる。
【0039】
磁性素体４のその他の部分４ａ、コイル内径部４ｂおよびカバー部４ｃの全てに特定軟磁性金属粒子を有してもよい。磁性素体４のその他の部分４ａ、コイル内径部４ｂおよびカバー部４ｃの全てに特定軟磁性金属粒子を有する場合には、特に耐電圧が向上しやすくなる。
【0040】
磁性素体４に特定軟磁性金属粒子を有する場合において、どの程度の割合で特定軟磁性金属粒子を有するかについては、特に制限はない。磁性素体４に含まれる軟磁性金属粒子に対して個数割合で１０％以上、特定軟磁性金属粒子を有していてもよい。
【0041】
コイル内径部４ｂに特定軟磁性金属粒子を有する場合において、どの程度の割合で特定軟磁性金属粒子を有するかについては、特に制限はない。コイル内径部４ｂに含まれる軟磁性金属粒子に対して個数割合で１０％以上、特定軟磁性金属粒子を有していてもよい。
【0042】
カバー部４ｃに特定軟磁性金属粒子を有する場合において、どの程度の割合で特定軟磁性金属粒子を有するかについては、特に制限はない。カバー部４ｃに含まれる軟磁性金属粒子に対して個数割合で１０％以上、特定軟磁性金属粒子を有していてもよい。
【0043】
実質的にコイル内径部４ｂおよびカバー部４ｃのみに特定軟磁性金属粒子を有する場合には、その他の部分４ａにおける特定軟磁性金属粒子の個数割合が１０％未満である。逆に、その他の部分４ａに特定軟磁性金属粒子を有する場合において、どの程度の割合で特定軟磁性金属粒子を有するかについては、特に制限はない。その他の部分４ａに含まれる軟磁性金属粒子に対して個数割合で１０％以上、特定軟磁性金属粒子を有していてもよい。
【0044】
磁性素体４が特定軟磁性金属粒子以外の軟磁性金属粒子を含んでいてもよい。例えば、ＦｅＮｉ系の軟磁性金属からなるが一粒子内にｆｃｃ相とｂｃｃ相とを混在して有さない軟磁性金属粒子を含んでいてもよく、ＦｅＮｉ系の軟磁性金属ではない軟磁性金属からなる軟磁性金属粒子を含んでいてもよい。例えば、ＦｅＳｉ系の軟磁性金属からなる軟磁性金属粒子を含んでいてもよい。
【0045】
ＦｅＳｉ系の軟磁性金属は、ＦｅおよびＳｉを主に含む。具体的には、Ｆｅの含有量が９０質量％以上であり、かつ、Ｓｉの含有量が１質量％以上である軟磁性金属である。
【0046】
ＦｅＳｉ系の軟磁性金属は、ＦｅおよびＳｉに加えて、さらにＣｒおよびＰから選択される１種以上を含んでいてもよい。Ｃｒの含有量が０．５質量％以上８質量％以下であってもよい。Ｐの含有量が０．０１質量％以上１質量％以下であってもよい。
【0047】
ＦｅＳｉ系の軟磁性金属は、Ｆｅ、Ｓｉ、ＣｒおよびＰの含有量の合計を１００質量部とした場合において、その他の元素の含有量が３質量部以下であってもよい。
【0048】
実質的にコイル内径部４ｂおよびカバー部４ｃのみに特定軟磁性金属粒子を有する場合には、その他の部分４ａにはＦｅＳｉ系の軟磁性金属からなる軟磁性金属粒子を有していてもよい。この場合には、全ての部分が特定軟磁性金属粒子を有する場合と比較して、インダクタンスと直流重畳特性とのバランスが向上しやすくなる。一方、全ての部分が特定軟磁性金属粒子を有する場合には、耐電圧が向上しやすくなる。
【0049】
磁性素体４に含まれる軟磁性金属粒子の平均粒径（Ｄ５０）には特に制限はない。例えば０．５μｍ以上１５μｍ以下としてもよい。
【0050】
コイル内径部４ｂ、カバー部４ｃ、その他の部分４ａのそれぞれで異なる平均粒径としてもよい。特に、実質的にコイル内径部４ｂおよびカバー部４ｃのみに特定軟磁性金属粒子を有する場合には、コイル内径部４ｂに含まれる軟磁性金属粒子の平均粒径およびカバー部４ｃに含まれる軟磁性金属粒子の平均粒径を、その他の部分４ａに含まれる軟磁性金属粒子の平均粒径よりも大きくすることが好ましい。この場合には、コイル内径部４ｂに含まれる軟磁性金属粒子の平均粒径およびカバー部４ｃに含まれる軟磁性金属粒子の平均粒径を５μｍ以上２０μｍ以下とし、その他の部分４ａに含まれる軟磁性金属粒子の平均粒径を０．５μｍ以上５μｍ以下としてもよい。
【0051】
さらに、その他の部分４ａに含まれる軟磁性金属粒子の平均粒径をコイル内径部４ｂに含まれる軟磁性金属粒子の平均粒径で割った値が０．０２５以上０．７０以下であってもよい。その他の部分４ａに含まれる軟磁性金属粒子の平均粒径をカバー部４ｃに含まれる軟磁性金属粒子の平均粒径で割った値が０．０２５以上０．７０以下であってもよい。
【0052】
コイル内径部４ｂに含まれる軟磁性金属粒子の平均粒径およびカバー部４ｃに含まれる軟磁性金属粒子の平均粒径を、その他の部分４ａに含まれる軟磁性金属粒子の平均粒径よりも大きくする場合には、全ての部分における軟磁性金属粒子の平均粒径が概ね同一である場合と比較して、インダクタンスと直流重畳特性とのバランスが向上しやすくなる。
【0053】
軟磁性金属粒子が、軟磁性金属粒子本体と、軟磁性金属粒子本体を被覆する酸化被膜と、からなっていてもよい。酸化被膜の厚みには特に制限はない。例えば、平均厚みが５ｎｍ以上６０ｎｍ以下であってもよい。酸化被膜の形成方法には特に制限はない。例えば軟磁性金属粒子を含む軟磁性金属粉末を焼成することにより形成できる。
【0054】
（一粒子内にｆｃｃ相とｂｃｃ相とを混在して有することの確認）
以下、軟磁性金属粒子が一粒子内にｆｃｃ相とｂｃｃ相とを混在して有するか否かを判断する方法について説明する。
以下、軟磁性金属粒子が一粒子内にｆｃｃ相とｂｃｃ相とを混在して有するか否かを判断する方法について説明する。
【0055】
軟磁性金属粒子が一粒子内にｆｃｃ相とｂｃｃ相とを混在して有するか否かを判断する方法には特に限定はない。例えば、ＥＢＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ＢａｃｋＳｃａｔｔｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）と呼ばれる方法がある。
【0056】
ＥＢＳＤとは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて回折パターン（ＥＢＳＤパターン）を測定、解析することで、結晶性材料の結晶方位および結晶性材料の結晶系の測定を行う方法である。
【0057】
ＥＢＳＤパターンは、交差する複数のバンドによって形成されている。１本のバンドは１つの結晶面からの回折によって生じる。バンドの幅および強度は格子定数などの結晶構造に依存している。バンドが交差する角度およびバンドが現れる位置は結晶方位によって決まっている。したがって、ＥＢＳＤパターンを解析することにより、結晶相の同定および結晶方位の測定が可能である。
【0058】
ＥＢＳＤを行う場合には、例えば、ＳＥＭの鏡筒内に試料を傾けてセットする。この時に試料に電子線を照射すると、ＥＢＳＤ検出器のスクリーン上にＥＢＳＤパターンが投影される。このＥＢＳＤパターンをＥＢＳＤ検出器（ＣＣＤ検出器）で撮像する。取得した画像を例えばＨａｕｇｈ変換等の所定の方法により画像解析し、既知の結晶構造データベースによるシミュレーションパターンと比較することにより、結晶相および結晶方位が決定される。
【0059】
さらに、決定された結晶相および結晶方位は、座標と共に記録される。したがって、結晶相マッピングや結晶方位マッピングなどの作成および解析が可能である。また、ＥＤＸによる元素マッピングを同時に行うことにより、元素組成情報と結晶構造情報とを統合した総合的な材料解析を行うことができる。
【0060】
積層インダクタ１に含まれる磁性素体４に対してＥＢＳＤを行う場合には、まず、磁性素体４の測定箇所に電子線を照射する。そして、軟磁性金属粒子の各結晶面で回折電子から生じる後方散乱回折を解析する。このことにより、軟磁性金属粒子が一粒子内にｆｃｃ相とｂｃｃ相とを混在して有するか否かを判別することができる。軟磁性金属粒子が多数あっても、各軟磁性金属粒子が一粒子内にｆｃｃ相とｂｃｃ相とを混在して有するのか、ｆｃｃ相のみを有する軟磁性金属粒子とｂｃｃ相のみを有する軟磁性金属粒子とが混在しているのか、を判別することができる。
【0061】
軟磁性金属粒子が一粒子内にｆｃｃ相とｂｃｃ相とを混在して有するか否かを判断する方法としては、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いる電子線回折法も挙げられる。原理的にはＥＢＳＤと同様であるが測定装置がＥＢＳＤとは異なる。この場合には、磁性素体４を薄片化して電子線を照射することで回折パターンを得る。そして、得られた回折パターンから、照射部分の結晶構造を調べることができる。ＥＢＳＤと同様に軟磁性金属粒子が多数あっても、各軟磁性金属粒子が一粒子内にｆｃｃ相とｂｃｃ相とを混在して有するのか、ｆｃｃ相のみを有する軟磁性金属粒子とｂｃｃ相のみを有する軟磁性金属粒子とが混在しているのか、を判別することができる。
【0062】
（ｆｃｃ相とｂｃｃ相との存在割合）
軟磁性金属粒子が一粒子内にｆｃｃ相とｂｃｃ相とを混在して有する場合において、ｆｃｃ相とｂｃｃ相との存在割合には特に制限はない。Ｘ線回折分析により得られる回折チャートにおいて、ｂｃｃ相の回折ピークの強度をｆｃｃ相の回折ピークの強度で割った値（以下、単にｂｃｃ／ｆｃｃ比と記載することがある）が０．０１以上０．８０以下であることが好ましい。なお、ｆｃｃ相の回折ピークは、概ね、２θ＝４３．５°～４４．０°に現れる。ｂｃｃ相の回折ピークは、概ね、２θ＝４４．５°～４５．２°に現れる。
軟磁性金属粒子が一粒子内にｆｃｃ相とｂｃｃ相とを混在して有する場合において、ｆｃｃ相とｂｃｃ相との存在割合には特に制限はない。Ｘ線回折分析により得られる回折チャートにおいて、ｂｃｃ相の回折ピークの強度をｆｃｃ相の回折ピークの強度で割った値（以下、単にｂｃｃ／ｆｃｃ比と記載することがある）が０．０１以上０．８０以下であることが好ましい。なお、ｆｃｃ相の回折ピークは、概ね、２θ＝４３．５°～４４．０°に現れる。ｂｃｃ相の回折ピークは、概ね、２θ＝４４．５°～４５．２°に現れる。
【0063】
上記したように積層インダクタ１の全ての部分が特定軟磁性金属粒子を有する場合には、ｂｃｃ／ｆｃｃ比が０．３０以上０．８０以下であることが好ましい。
【0064】
上記したように積層インダクタ１のうち実質的にコイル内径部４ｂおよびカバー部４ｃのみに特定軟磁性金属粒子を有する場合には、ｂｃｃ／ｆｃｃ比が０．０１以上０．４０以下であることが好ましい。
【0065】
上記のｂｃｃ／ｆｃｃ比は、ｂｃｃ相の存在割合をｆｃｃ相の存在割合で割った値とは必ずしも一致しない。一般的には結晶相の種類により回折ピークの強度が変化するためである。
【0066】
Ｘ線回折分析を行う軟磁性金属粒子の個数には特に制限はない。同条件で多数の積層インダクタ１を作製している場合には、多数の磁性素体４を測定範囲内に並べてＸ線回折分析を行って回折チャートを得てもよい。粉末Ｘ線回折分析により軟磁性金属粒子を含む軟磁性金属粉末における回折チャートを得てもよい。
【0067】
Ｘ線回折分析の観察範囲をφ１０μｍ程度とすることも可能である。すなわち、Ｘ線回折分析の観察範囲をφ１０μｍ程度として１個の軟磁性金属粒子から回折チャートを得てもよい。
【0068】
（積層インダクタの製造方法）
積層インダクタの製造方法の一例について説明する。まず、磁性素体を構成する軟磁性金属粒子の原料となる軟磁性金属粉末を作製する方法について説明する。
積層インダクタの製造方法の一例について説明する。まず、磁性素体を構成する軟磁性金属粒子の原料となる軟磁性金属粉末を作製する方法について説明する。
【0069】
一粒子内にｆｃｃ相とｂｃｃ相とを混在して有する軟磁性金属粒子を含む軟磁性金属粉末は、図２に示す水アトマイズ装置２１を用いた水アトマイズ法により作製することができる。
【0070】
一般的に、水アトマイズ法では、溶融金属（溶湯）２５をタンディッシュ２２の底部に設けられたノズルを通じて線状の連続的な流体として供給する。供給された溶湯２５に対して、アトマイズノズル２３を通じて供給される高圧水２７を吹き付ける。このことにより溶湯２５が液滴化されてアトマイズ粉２９となる。そして、アトマイズ粉２９が冷却水等の冷却手段により急冷されて微細な金属粉末が得られる。
【0071】
本発明者らは、ＦｅＮｉ系の軟磁性金属からなる溶湯２５を用い、かつ、高圧水２７の水量および水圧を制御することで溶湯２５の冷却速度を制御することにより、一粒子内にｆｃｃ相とｂｃｃ相とを混在して有する軟磁性金属粒子が得られることを見出した。
【0072】
具体的には、高圧水２７の水量を２００Ｌ／ｍｉｎ以上とし、水圧を２０ＭＰａ以上４０ＭＰａ以下とする。特に上記の水量は通常の水アトマイズ法であれば過剰な水量であり、上記の水量で水アトマイズ法を行うと製造コストが高くなる。しかし、ＦｅＮｉ系の軟磁性金属からなる溶湯２５を用いる場合には、高圧水２７の水量を２００Ｌ／ｍｉｎ以上とすることにより一粒子内にｆｃｃ相とｂｃｃ相とを混在して有する軟磁性金属粒子が得られる。
【0073】
高圧水２７の水量には特に上限はない。水量が多くなるほどｂｃｃ／ｆｃｃ比が大きくなる傾向にある。例えば５００Ｌ／ｍｉｎ以下であってもよい。
【0074】
その他の点については、通常の水アトマイズ法と同様の方法により軟磁性金属粉末が得られる。
【0075】
続いて、このようにして得られた軟磁性金属粉末を用いて、積層インダクタを製造する。積層インダクタを製造する方法については制限されず、公知の方法を採用することができる。以下では、シート法を用いて積層インダクタを製造する方法について説明する。
【0076】
得られた軟磁性金属粉末を、溶媒やバインダ等の添加剤とともにスラリー化し、ペーストを作製する。そして、このペーストを用いて、焼成後に磁性素体となるグリーンシートを形成する。この際に、軟磁性金属粉末の種類が異なる複数のペーストを適宜使い分けて目的とする磁性素体が得られるようにしてもよい。次いで、形成されたグリーンシートの上に、コイル導体ペーストを塗布してコイル導体パターンを形成する。コイル導体ペーストは、コイル導体となる金属（Ａｇ等）を溶媒やバインダ等の添加剤とともにスラリー化して作製する。続いて、コイル導体パターンが形成されたグリーンシートを複数積層した後に、各コイル導体パターンを接合することで、コイル導体が３次元的かつ螺旋状に形成されたグリーン積層体が得られる。
【0077】
得られた積層体に対し、熱処理（脱バインダ工程および焼成工程）を行うことにより、バインダを除去し、軟磁性金属粉末に含まれる軟磁性金属粒子が軟磁性金属焼成粒子となる。そして、軟磁性金属焼成粒子同士が互いに接続されて固定された（一体化した）焼成体としての積層体を得る。脱バインダ工程における保持温度（脱バインダ温度）は、バインダが分解してガスとして除去できる温度であれば特に制限されないが、３００～４５０℃であることが好ましい。また、脱バインダ工程における保持時間（脱バインダ時間）も特に制限されないが、０．５～２．０時間であることが好ましい。
【0078】
焼成工程における保持温度（焼成温度）は、軟磁性金属粉末を構成する軟磁性金属粒子が互いに接続される温度であれば特に制限されないが、５５０～８５０℃であることが好ましい。また、焼成工程における保持時間（焼成時間）も特に制限されないが、本実施形態では、０．５～３．０時間であることが好ましい。
【0079】
なお、脱バインダおよび焼成における雰囲気を調整することが好ましい。具体的には、脱バインダおよび焼成を、大気中のような酸化雰囲気で行ってもよいが、大気雰囲気よりも酸化力の弱い雰囲気下、例えば窒素雰囲気下や窒素及び水素の混合雰囲気下で行うことが好ましい。このようにすることで、軟磁性金属粒子の比抵抗を高く維持しながら、磁性素体の密度を向上させ、さらに透磁率等を向上させることができる。また、軟磁性金属粒子の表面にＳｉ酸化被膜を形成させやすくなり、Ｆｅの酸化物を形成させにくくなる。この結果、Ｆｅの酸化によるインダクタンスの低下を防止することができる。
【0080】
焼成後にアニール処理を行ってもよい。アニール処理を行う場合の条件は任意であるが、例えば５００～８００℃で０．５～２．０時間行ってもよい。また、アニール後の雰囲気も任意である。
【0081】
なお、上記の熱処理後の軟磁性金属粒子の組成は、上記の熱処理前の軟磁性金属粉末の組成と実質的に一致する。
【0082】
続いて、素子に端子電極を形成する。端子電極を形成する方法には特に制限はなく、通常は端子電極となる金属（Ａｇ等）を溶媒やバインダ等の添加剤とともにスラリー化して作製する。
【0083】
次に、素子に対して樹脂を含浸させてもよい。樹脂を含浸させると隙間スペースに樹脂が充填される。樹脂を含浸させる方法は任意である。例えば、真空含浸による方法が挙げられる。
【0084】
樹脂を含浸させる場合において、最終的に得られる積層インダクタの磁性素体における樹脂の含有量は０．５重量％以上３．０重量％以下であってもよい。
【0085】
本実施形態では、樹脂の充填後に端子電極に電解めっきを施すことができる。樹脂が隙間スペースに充填されているため、積層インダクタをめっき液に投入してもめっき液が磁性素体内部に侵入しにくい。そのためにめっき後においても積層インダクタ内部でショートが発生せず、インダクタンスが高く保たれる。
【0086】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上記の実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の範囲内において種々の態様で改変しても良い。
【実施例0087】
以下、実施例を用いて、発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0088】
（実験例１）
（軟磁性金属粉末の作製）
まず、原料として、Ｆｅ単体、Ｎｉ単体、Ｃｏ単体、Ｓｉ単体およびＣｒ単体をそれぞれ準備した。次に、それらを混合してルツボに収容した。続いて、不活性雰囲気下において、ルツボ外部に設けたワークコイルを用いて、ルツボを高周波誘導により１６００℃以上まで加熱し、ルツボ中のインゴット、チャンクまたはショットを溶融、混合して溶湯を得た。なお、Ｐの含有量の調整は、軟磁性金属粉末の原料を溶融、混合する際に、Ｆｅ単体の原料に含まれるＰの量を調整することで行った。
（軟磁性金属粉末の作製）
まず、原料として、Ｆｅ単体、Ｎｉ単体、Ｃｏ単体、Ｓｉ単体およびＣｒ単体をそれぞれ準備した。次に、それらを混合してルツボに収容した。続いて、不活性雰囲気下において、ルツボ外部に設けたワークコイルを用いて、ルツボを高周波誘導により１６００℃以上まで加熱し、ルツボ中のインゴット、チャンクまたはショットを溶融、混合して溶湯を得た。なお、Ｐの含有量の調整は、軟磁性金属粉末の原料を溶融、混合する際に、Ｆｅ単体の原料に含まれるＰの量を調整することで行った。
【0089】
次いで、ルツボから図２に示す水アトマイズ装置２１のタンディッシュ２２に溶湯２５を供給した。そして、タンディッシュ２２から線状の連続的な流体を形成するように供給された溶湯２５に対して、高圧水２３を衝突させた。その際に、高圧水２３の水量が表１に示す値となるようにした。高圧水２３の水圧が４０ＭＰａとなるようにした。
【0090】
溶湯２５が液滴化してアトマイズ粉末２９となった。そして、アトマイズ粉末２９を冷却水で急冷し、さらに、脱水、乾燥、分級することにより、表１に示す各試料の軟磁性金属粉末を作製した。なお、各試料の平均粒径を制御するために、製造条件、分級条件等を適宜制御した。
【0091】
得られた軟磁性金属粉末をＩＣＰ分析法により組成分析した結果、各試料の組成が表１に示す組成となっていることを確認した。また、表１に記載されていない元素は実質的に含有していないことを確認した。
【0092】
（軟磁性金属粉末の飽和磁化Ｍｓの測定）
各軟磁性金属粉末の飽和磁化Ｍｓは、振動試料磁力計（東英工業株式会社製 ＶＳＭ－３Ｓ－１５）を用いて、外部磁場７９５．８ｋＡ／ｍ（１０ｋＯｅ）で測定した。結果を表１に示す。実験例１では、Ｍｓが１．５０Ｔを上回る場合を良好とした。
各軟磁性金属粉末の飽和磁化Ｍｓは、振動試料磁力計（東英工業株式会社製 ＶＳＭ－３Ｓ－１５）を用いて、外部磁場７９５．８ｋＡ／ｍ（１０ｋＯｅ）で測定した。結果を表１に示す。実験例１では、Ｍｓが１．５０Ｔを上回る場合を良好とした。
【0093】
（積層インダクタの作製）
上記の軟磁性金属粉末を、溶媒、バインダ等の添加物と共にスラリー化し、ペーストを作製した。そして、このペーストを用いて焼成後に磁性素体となるグリーンシートを形成した。このグリーンシート上に所定パターンのＡｇ導体（コイル導体）を形成し、積層することにより、厚さ０．８ｍｍのグリーンの積層体を作製した。コイルの巻き数は７．５Ｔｓとした。
上記の軟磁性金属粉末を、溶媒、バインダ等の添加物と共にスラリー化し、ペーストを作製した。そして、このペーストを用いて焼成後に磁性素体となるグリーンシートを形成した。このグリーンシート上に所定パターンのＡｇ導体（コイル導体）を形成し、積層することにより、厚さ０．８ｍｍのグリーンの積層体を作製した。コイルの巻き数は７．５Ｔｓとした。
【0094】
得られたグリーン積層体を１．６ｍｍ×０．８ｍｍ形状に切断して、グリーン積層インダクタを得た。得られたグリーン積層インダクタに対して、不活性雰囲気下、４００℃で脱バインダ処理を行った。その後、還元性雰囲気下７５０℃－１ｈの条件で焼成して焼成体を得た。なお、不活性雰囲気とはＮ2ガス雰囲気のことである。還元性雰囲気とはＮ2とＨ2ガスとの混合ガス雰囲気（水素濃度１．０％）のことである。
【0095】
得られた焼成体の両側端面に、端子電極用ペーストを塗布、乾燥し、酸素分圧１％の雰囲気下、７００℃で１時間、焼付処理を行い、端子電極を形成し、積層インダクタ（焼付品）を得た。
【0096】
次に、得られた焼付品に対して樹脂含浸を行った。具体的には、焼付品にフェノール樹脂の原料混合物を真空含浸し、その後加熱して樹脂を硬化させることで焼付品に樹脂を充填した。樹脂の硬化は１５０℃で２時間、加熱することで行った。なお、樹脂を硬化させる際にフェノール樹脂の原料混合物に含まれる溶剤等が蒸発した。
【0097】
そして、電解めっきを施し、端子電極上にＮｉめっき層およびＳｎめっき層を形成して図１に示す積層インダクタ１を得た。なお、コイル導体５の厚みは４０μｍ、層間部４ａの厚みは１５μｍであった。
【0098】
磁性素体４の組成についてＩＣＰ分析法を用いて確認した。磁性素体４に含まれる軟磁性金属粒子の組成が軟磁性金属粉末の組成と実質的に一致することを確認した。
【0099】
（一粒子内にｂｃｃ相とｆｃｃ相とを混在して有することの確認）
得られた磁性素体４に含まれる軟磁性金属粒子について、ＥＢＳＤにより一粒子内にｂｃｃ相とｆｃｃ相とを混在して有するか否かを確認した。全ての実施例において、ＦｅＮｉ系の軟磁性金属からなる軟磁性金属粒子は一粒子内にｂｃｃ相とｆｃｃ相とを混在して有することを確認した。
得られた磁性素体４に含まれる軟磁性金属粒子について、ＥＢＳＤにより一粒子内にｂｃｃ相とｆｃｃ相とを混在して有するか否かを確認した。全ての実施例において、ＦｅＮｉ系の軟磁性金属からなる軟磁性金属粒子は一粒子内にｂｃｃ相とｆｃｃ相とを混在して有することを確認した。
【0100】
（軟磁性金属粒子のｂｃｃ／ｆｃｃ比の測定）
得られた磁性素体４に含まれる軟磁性金属粒子について、ｂｃｃ／ｆｃｃ比をＸ線回折分析により特定した。結果を表１に示す。なお、ｂｃｃ相の回折ピークが検出されなかった場合には「ｆｃｃ単相」と記載し、ｆｃｃ相の回折ピークが検出されなかった場合には「ｂｃｃ単相」と記載した。「ｆｃｃ単相」は数値で表せば０．００である。
得られた磁性素体４に含まれる軟磁性金属粒子について、ｂｃｃ／ｆｃｃ比をＸ線回折分析により特定した。結果を表１に示す。なお、ｂｃｃ相の回折ピークが検出されなかった場合には「ｆｃｃ単相」と記載し、ｆｃｃ相の回折ピークが検出されなかった場合には「ｂｃｃ単相」と記載した。「ｆｃｃ単相」は数値で表せば０．００である。
【0101】
（平均粒径の測定）
積層インダクタ１の磁性素体４の断面をＳＥＭで画像解析することにより軟磁性金属粒子の円相当径を求めた。４００個以上の軟磁性金属粒子が観察範囲に含まれるように観察範囲を設定し、観察範囲に含まれる軟磁性金属粒子の円相当径を測定した。各軟磁性金属粒子の円相当径を平均することで軟磁性金属粒子の平均粒径を算出した。実験例１では、全ての実施例および比較例で軟磁性金属粒子の平均粒径が３μｍ程度であることを確認した。
積層インダクタ１の磁性素体４の断面をＳＥＭで画像解析することにより軟磁性金属粒子の円相当径を求めた。４００個以上の軟磁性金属粒子が観察範囲に含まれるように観察範囲を設定し、観察範囲に含まれる軟磁性金属粒子の円相当径を測定した。各軟磁性金属粒子の円相当径を平均することで軟磁性金属粒子の平均粒径を算出した。実験例１では、全ての実施例および比較例で軟磁性金属粒子の平均粒径が３μｍ程度であることを確認した。
【0102】
（軟磁性金属粒子の占積率の測定）
上記の観察範囲における磁性素体４の全面積に対する軟磁性金属粒子の合計面積の割合を軟磁性金属粒子の占積率とした。結果を表１に示す。実験例１では、占積率が６０％を上回る場合を良好とし、７０％を上回る場合をさらに良好とした。
上記の観察範囲における磁性素体４の全面積に対する軟磁性金属粒子の合計面積の割合を軟磁性金属粒子の占積率とした。結果を表１に示す。実験例１では、占積率が６０％を上回る場合を良好とし、７０％を上回る場合をさらに良好とした。
【0103】
（軟磁性金属粒子の飽和磁化の測定）
積層インダクタ１のうち磁性素体４である部分をレーザー加工による微細加工で切り出した。磁性素体４に含まれる軟磁性金属粒子について、振動試料磁力計（東英工業株式会社製 ＶＳＭ－３Ｓ－１５）を用いて、外部磁場７９５．８ｋＡ／ｍ（１０ｋＯｅ）で飽和磁化を測定した。その結果、全ての実施例および比較例において、磁性素体４に含まれる軟磁性金属粒子の飽和磁化が軟磁性金属粉末の飽和磁化と同一であることを確認した。実験例１では、飽和磁化Ｍｓが１．５０Ｔを上回る場合を良好とした。
積層インダクタ１のうち磁性素体４である部分をレーザー加工による微細加工で切り出した。磁性素体４に含まれる軟磁性金属粒子について、振動試料磁力計（東英工業株式会社製 ＶＳＭ－３Ｓ－１５）を用いて、外部磁場７９５．８ｋＡ／ｍ（１０ｋＯｅ）で飽和磁化を測定した。その結果、全ての実施例および比較例において、磁性素体４に含まれる軟磁性金属粒子の飽和磁化が軟磁性金属粉末の飽和磁化と同一であることを確認した。実験例１では、飽和磁化Ｍｓが１．５０Ｔを上回る場合を良好とした。
【0104】
（インダクタンス、Ｉｓａｔの測定）
積層インダクタ１のインダクタンスをＬＣＲメータ（ＨＥＷＬＥＴＴ ＰＡＣＫＡＲＤ社製：４２８５Ａ）で測定しながら、直流電流を０から印加していった。インダクタンスの測定周波数は２ＭＨｚ、測定電流は０．１Ａとした。
積層インダクタ１のインダクタンスをＬＣＲメータ（ＨＥＷＬＥＴＴ ＰＡＣＫＡＲＤ社製：４２８５Ａ）で測定しながら、直流電流を０から印加していった。インダクタンスの測定周波数は２ＭＨｚ、測定電流は０．１Ａとした。
【0105】
直流電流が０である時のインダクタンスをＬ（単位：μＨ）として、インダクタンスが０．７０×Ｌに低下する時の直流電流をＩｓａｔ（単位：Ａ）とした。表１に示すＩｓａｔは、各実施例および比較例のそれぞれについて作製された３０個の積層インダクタのＩｓａｔを平均した値である。実験例１では、Ｉｓａｔが１．６０Ａ以上である場合に直流重畳特性が良好であるとした。
【0106】
インダクタンスと直流重畳特性とのバランスを評価する指標としてＬ×Ｉｓａｔ（単位：μＶ・ｓ）を表１に示す。Ｌ×Ｉｓａｔは１．１０μＶ・ｓ以上である場合を良好とし、１．６０μＶ・ｓ以上である場合をさらに良好とした。
【0107】
（耐電圧の測定）
積層インダクタに対してインパルス試験機（株式会社電子制御国際製 ＤＷＸ－３００ＬＩ）を用いてインパルス電圧を印加した。そして、インパルス電圧の印加後に改めてインダクタンスを測定した。
積層インダクタに対してインパルス試験機（株式会社電子制御国際製 ＤＷＸ－３００ＬＩ）を用いてインパルス電圧を印加した。そして、インパルス電圧の印加後に改めてインダクタンスを測定した。
【0108】
同条件で作製した複数の積層インダクタに対して、インパルス電圧の大きさを１Ｖ刻みで変化させて同様の試験を実施した。そして、インパルス電圧の印加によるインダクタンスの低下率を算出した。
【0109】
インダクタンスの低下率が１０％以下である積層インダクタに印可されたインパルス電圧のうち、最も大きなインパルス電圧を耐電圧とした。耐電圧は１０Ｖ以上を良好とし、２０Ｖ以上を更に良好とした。
【0110】
【表1】
【0111】
表１より、実施例１～９の軟磁性合金粉末に含まれる軟磁性合金粒子は一粒子中にｆｃｃ相とｂｃｃ相とを混在して有していた。そして、当該軟磁性合金粉末を用いて作製された積層インダクタは、磁性素体における軟磁性金属粒子の飽和磁化Ｍｓおよび占積率が高くなり、耐電圧および直流重畳特性が高くなった。
【0112】
比較例１では軟磁性金属粉末にｂｃｃ相が含まれなかった。比較例１では磁性素体における軟磁性金属粒子の占積率は高かったものの、飽和磁化Ｍｓが低くなった。そして、積層インダクタの耐電圧および直流重畳特性も劣る結果となった。
【0113】
比較例２では軟磁性金属粉末にｆｃｃ相が含まれなかった。比較例２では磁性素体における軟磁性金属粒子の飽和磁化Ｍｓは高かったものの、占積率が低くなった。そして、積層インダクタの耐電圧および直流重畳特性も劣る結果となった。
【0114】
比較例３では軟磁性金属粉末にｂｃｃ相が含まれなかった。比較例３では磁性素体における軟磁性金属粒子の占積率は高かったものの、飽和磁化Ｍｓが低くなった。そして、積層インダクタの耐電圧および直流重畳特性が劣る結果となった。
【0115】
（実験例２）
実験例２では、積層インダクタ１の磁性素体４について、コイル内径部４ｂ、上下カバー部４ｃ、その他の部分のそれぞれで異なる組成および／または平均粒径の軟磁性金属粒子を含むようにした。
実験例２では、積層インダクタ１の磁性素体４について、コイル内径部４ｂ、上下カバー部４ｃ、その他の部分のそれぞれで異なる組成および／または平均粒径の軟磁性金属粒子を含むようにした。
【0116】
目的とする積層インダクタ１の磁性素体４に応じて複数種類の軟磁性金属粉末を作製し、軟磁性金属粉末の種類ごとにスラリー化し、複数種類のペーストを作製した。そして、複数種類のペーストを適宜使い分けて焼成後に目的とする磁性素体４となるグリーンシートを形成した。
【0117】
平均粒径については、コイル内径部４ｂおよび上下カバー部４ｃで軟磁性金属粒子の平均粒径が１０μｍ程度となるようにした。その他の部分４ａで軟磁性金属粒子の平均粒径が３μｍ程度となるようにした。
【0118】
コイル内径部４ｂ、上下カバー部４ｃ、その他の部分のそれぞれに含まれる軟磁性金属粒子の組成を表２に示す。
【0119】
その他の点については実験例１と同様に実施した。結果を表２に示す。
【0120】
【表2】
【0121】
表２より、一粒子中にｆｃｃ相とｂｃｃ相とを混在して有する軟磁性金属粒子を少なくともいずれかの部分に含む実施例１１～２０の積層インダクタは、良好な特性を有していた。
【0122】
一粒子中にｆｃｃ相とｂｃｃ相とを混在して有し、ｂｃｃ／ｆｃｃピーク比が０．０１以上０．８０以下である軟磁性金属粒子を積層インダクタ全体に含む実施例１１～１６は、比較的、耐電圧が良好となった。特に、ｂｃｃ／ｆｃｃピーク比が０．３０以上０．８０以下である軟磁性金属粒子を積層インダクタ全体に含む実施例１２、１５、１６は良好な特性が得られた。
【0123】
実施例１３は、実施例１１からその他の部分４ａにおけるｂｃｃ／ｆｃｃ比を上昇させた点以外は同条件で実施した実施例である。実施例１１からその他の部分４ａにおけるｂｃｃ／ｆｃｃ比を上昇させて０．３０以上０．８０以下とすることにより、インダクタンスおよび直流重畳特性を同等程度に維持しながら耐電圧を向上させることができた。
【0124】
一粒子中にｆｃｃ相とｂｃｃ相とを混在して有し、ｂｃｃ／ｆｃｃピーク比が０．０１以上０．８０以下である軟磁性金属粒子をコイル内径部４ｂおよび上下カバー部４ｃのみに実質的に含む実施例１８～２０は比較的、Ｌ×Ｉｓａｔが向上した。ｂｃｃ／ｆｃｃピーク比が０．０１以上０．４０以下である実施例１９、２０はＬ×Ｉｓａｔが特に向上した。
【0125】
これに対し、一粒子中にｆｃｃ相とｂｃｃ相とを混在して有する軟磁性金属粒子を含まない比較例１１～１３は、コイル内径部４ｂおよび上下カバー部４ｃにおける軟磁性金属粒子の平均粒径が変化した点以外は比較例１～３と同条件である。しかし、Ｉｓａｔは特に変化しなかった。また、各種特性が良好ではなかった。
【0126】
また、比較例１４は一粒子中にｆｃｃ相とｂｃｃ相とを混在して有さない軟磁性金属粒子を用いる点以外は実施例１８～２０と同条件であるが、実施例１８～２０と比較して全ての特性が劣っていた。
【符号の説明】
【0127】
１… 積層インダクタ
２… 素子
２ａ…表面部
２ｂ…中央部
３… 端子電極
４… 磁性素体
４ａ… その他の部分
４ｂ… コイル内径部
４ｃ… カバー部
５… コイル導体
５ａ，５ｂ…引出電極
２１… 水アトマイズ装置
２２… タンディッシュ
２３… アトマイズノズル
２５… 溶融金属（溶湯）
２７… 高圧水
２９… アトマイズ粉末
２… 素子
２ａ…表面部
２ｂ…中央部
３… 端子電極
４… 磁性素体
４ａ… その他の部分
４ｂ… コイル内径部
４ｃ… カバー部
５… コイル導体
５ａ，５ｂ…引出電極
２１… 水アトマイズ装置
２２… タンディッシュ
２３… アトマイズノズル
２５… 溶融金属（溶湯）
２７… 高圧水
２９… アトマイズ粉末
【図1】
【図2】