(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023137866
(43)【公開日】2023-09-29
(54)【発明の名称】渦電流探傷装置
(51)【国際特許分類】
G01N 27/90 20210101AFI20230922BHJP
【FI】
G01N27/90
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2022044278
(22)【出願日】2022-03-18
(71)【出願人】
【識別番号】317015294
【氏名又は名称】東芝エネルギーシステムズ株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】000165697
【氏名又は名称】原子燃料工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001380
【氏名又は名称】弁理士法人東京国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】小林 徳康
(72)【発明者】
【氏名】中島 弘達
(72)【発明者】
【氏名】山本 摂
(72)【発明者】
【氏名】元辻 弘行
(72)【発明者】
【氏名】鮫島 修司
【テーマコード(参考)】
2G053
【Fターム(参考)】
2G053AA11
2G053AB21
2G053BA03
2G053BC02
2G053BC14
2G053CA03
2G053DA01
2G053DA08
(57)【要約】
【課題】渦電流探傷において欠陥検出の高感度化及び装置の小型化を共に実現できること。
【解決手段】基板14に電流経路としての導線15が設けられた薄膜コイル13を備える渦電流探傷装置において、薄膜コイル13は、非平面形状である断面円弧形状、例えば円柱または球の表面に沿う曲面形状に形成され、所定の一部分としての凸状の頂部分14Aが被検査体1の被検査面1Aに接触または接近して設置されるよう構成されたものである。
【選択図】
図1
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板に電流経路としての導線が設けられた薄膜コイルを備える渦電流探傷装置において、
前記薄膜コイルは、非平面形状に形成され、所定の一部分が被検査体の被検査面に設置されるよう構成されたことを特徴とする渦電流探傷装置。
【請求項2】
前記薄膜コイルは、断面円弧形状に形成され、凸状の頂部分または凹状の縁部分が被検査体の被検査面に設置されるよう構成されたことを特徴とする請求項1に記載の渦電流探傷装置。
【請求項3】
前記薄膜コイルは、円柱の表面に沿う曲面形状に形成され、凸状の頂部分または凹状の縁部分が被検査体の被検査面に設置されるよう構成されたことを特徴とする請求項1または2に記載の渦電流探傷装置。
【請求項4】
前記薄膜コイルは、球の表面に沿う曲面形状に形成され、凸状の頂部分または凹状の周縁部分が被検査体の被検査面に設置されるよう構成されたことを特徴とする請求項1または2に記載の渦電流探傷装置。
【請求項5】
前記薄膜コイルは、形状が任意に変更可能な構造に構成されたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の渦電流探傷装置。
【請求項6】
前記薄膜コイルは、磁束を励磁しこの磁束を被検査体に作用させる励磁用薄膜コイルと、前記被検査体に生じた渦電流による反作用磁場を検出する検出用薄膜コイルとの少なくとも一方であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の渦電流探傷装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、渦電流探傷装置に関する。
【背景技術】
【0002】
渦電流探傷は被検査体として導電性材料を対象とし、交流電源から交流電流をコイルに供給して被検査体の表面近傍に渦電流を誘起し、この渦電流が作る反作用磁場をコイルで検出する。仮に、被検査体の表面近傍に欠陥が存在すると、この欠陥により渦電流の流れが変化して、渦電流が作る反作用磁場の強度や分布が変化するので、欠陥を検出することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開2016-61561号公報
【特許文献2】特開平9-33488号公報
【特許文献3】特開平11-183441号公報
【特許文献4】特開2015-105947号公報
【特許文献5】特開2003-344360号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
渦電流探傷では、渦電流の広がりを抑制することで高い渦電流密度を保ち、高い感度で欠陥を検出可能とするために、コイルが発生する磁場分布を制御する場合がある。例えば、特許文献1には、磁性材料で構成される磁束集束部材(強磁性体)でコイルを取り囲み、磁場分布を制御する装置構成が示されている。ところが、このような装置構成では、コイルの周囲に部材を設置するため装置が大型化する懸念がある。
【0005】
本発明の実施形態は、上述の事情を考慮してなされたものであり、欠陥検出の高感度化及び装置の小型化を共に実現できる渦電流探傷装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の実施形態における渦電流探傷装置は、基板に電流経路としての導線が設けられた薄膜コイルを備える渦電流探傷装置において、前記薄膜コイルは、非平面形状に形成され、所定の一部分が被検査体の被検査面に設置されるよう構成されたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【0007】
本発明の実施形態によれば、欠陥検出の高感度化及び装置の小型化を共に実現できる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【
図1】第1実施形態に係る渦電流探傷装置の薄膜コイル等を示し、
図2のI-I線に沿う断面図。
【
図2】
図1の薄膜コイルを展開して平面視で示すと共に、この薄膜コイルを備えた渦電流探傷装置を示す構成図。
【
図4】第2実施形態に係る渦電流探傷装置の薄膜コイルの基板等を示す斜視図。
【
図5】第3実施形態に係る渦電流探傷装置の薄膜コイルの基板等を示す斜視図。
【
図6】第4実施形態に係る渦電流探傷装置の基板等を示す正面断面図。
【
図7】第5実施形態に係る渦電流探傷装置の薄膜コイルの基板等を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本発明を実施するための形態を、図面に基づき説明する。
[A]第1実施形態(
図1~
図3)
図1は、第1実施形態に係る渦電流探傷装置の薄膜コイル等を示し、
図2のI-I線に沿う断面図である。また、
図2は、
図1の薄膜コイルを展開して平面視で示すと共に、この薄膜コイルを備えた渦電流探傷装置を示す構成図である。これらの
図1及び
図2に示す渦電流探傷装置10は、導電性材料からなる被検査体1の被検査面1A近傍に渦電流2を誘起し、この渦電流2が作る反作用磁場の変化に基づいて被検査体1の欠陥を検出するものであり、薄膜コイル13を備えた渦電流探傷プローブ11と、この渦電流探傷プローブ11の薄膜コイル13に接続された渦電流探傷データ収集器12と、を有して構成される。
【0010】
渦電流探傷プローブ11は、通常、被検査体1の被検査面1Aに最も近い位置に薄膜コイル13を備える。この薄膜コイル13は、可撓性の基板14と、この基板14の例えば内側面14Mに電流経路となる導線15がプリント等により例えば螺旋状(即ちスパイラル状、渦巻状)に設けられたコイル部16と、を有して構成される。
【0011】
薄膜コイル13の基板14は、非平面形状としての断面円弧形状に形成され、所定の一部分としての凸状の頂部分14Aを備える。薄膜コイル13は、基板14の頂部分14Aが被検査体1の被検査面1Aに接触または接近して設置される。
【0012】
渦電流探傷データ収集器12は、薄膜コイル13のコイル部16に交流電流を供給する機能を有する。このように渦電流探傷データ収集器12から薄膜コイル13のコイル部16に交流電流が供給されると、コイル部16の断面視(
図1)において、電流が同一方向(
図1の奥側から手前側の方向)へ流れる単体の各導線15の周囲に磁力線A1が発生する。そして、これらの磁力線A1を合成した合成の磁力線B1が、基板14の頂部分14Aを境にコイル部16の片側全体に形成される。
【0013】
同様に、渦電流探傷データ収集器12から薄膜コイル13のコイル部16に交流電流が供給されると、コイル部16の断面視(
図1)において、電流が同一方向(
図1の手前側から奥側の方向)へ流れる単体の各導線15の周囲に磁力線A2が発生する。そして、これらの磁力線A2を合成した合成の磁力線B2が、基板14の頂部分14Aを境にコイル部16の他の片側全体に形成される。これらの合成の磁力線B1及びB2が被検査体1の被検査面1A近傍に渦電流2を誘起する。渦電流探傷データ収集器12は、この渦電流2により生成されて薄膜コイル13により検出される反作用磁場の変化を、渦電流探傷データとして検出する機能も有する。
【0014】
ここで、
図3に示すように、平面形状の基板101と、この基板101に導線102がプリント等により螺旋状に設けられたコイル部103とを有する薄膜コイル100が、被検査体1の被検査面1Aに設置される場合を比較形態として想定する。この場合にも、渦電流探傷データ収集器12からの交流電流の供給により、コイル部103の断面視において、電流が同一方向(
図3の奥側から手前側の方向)へ流れる単体の各導線102の周囲に磁力線A1が発生する。そして、これらの磁力線A1を合成した合成の磁力線B1が、コイル部103の片側全体に形成される。
【0015】
同様に、渦電流探傷データ収集器12からの交流電流の供給により、電流が同一方向(
図3の手前側から奥側の方向)へ流れる単体の各導線102の周囲に磁力線A2が発生する。そして、これらの磁力線A2を合成した合成の磁力線B2が、コイル部103の他の片側全体に形成される。この比較形態の薄膜コイル100では、薄膜コイル100が平面形状で被検査体1の被検査面1Aに設置されるため、この薄膜コイル100の磁力線B1及びB2が被検査体1の被検査面1A近傍に誘起する渦電流104の領域は、薄膜コイル100のサイズ(寸法)と同等の大きさになる。
【0016】
これに対し、本第1実施形態では、薄膜コイル13は、断面視円弧形状に形成され、その凸状の頂部分14Aが被検査体1の被検査面1Aに接触または接近して設置される。このため、薄膜コイル13のコイル部16の全体が作る磁力線B1及びB2と被検査体1の被検査面1Aとが接する領域が小さくなるように、薄膜コイル13が発生する磁力分布が制御されることになる。これにより、薄膜コイル13の磁力線B1及びB2によって被検査体1の被検査面1Aに誘起される渦電流2の領域は、比較形態の場合よりも格段に小さくなる。
【0017】
以上のように構成されたことから、本第1実施形態によれば、次の効果(1)及び(2)を奏する。
(1)薄膜コイル13は、断面円弧形状に形成され、その凸状の頂部分14Aが被検査体1の被検査面1Aに設置される。このため、薄膜コイル13におけるコイル部16の全体の磁力線B1及びB2によって被検査体1の被検査面1A近傍に誘起される渦電流2の領域が小さくなり、高い渦電流密度を確保できるので、被検査体1の小さな欠陥に対する欠陥検出の高感度化を実現することができる。
【0018】
(2)薄膜コイル13が発生する磁場分布を制御するために、薄膜コイル13の周囲に強磁性体を設置する必要がないので、渦電流探傷装置10、特に薄膜コイル13を備える渦電流探傷プローブ11の小型化を実現することができる。
【0019】
なお、薄膜コイル13は、基板14が断面円弧形状に形成され、その所定の一部分としての凹状の縁部分14Bが、
図1の2点鎖線に示すように被検査体1の被検査面1Aに接触または接近して設置されてもよい。この場合にも、薄膜コイル13におけるコイル部16の全体の磁力線B1及びB2により被検査体1の被検査面1Aに誘起される渦電流3の領域を、比較形態の場合よりも小さくすることができる。
【0020】
[B]第2実施形態(
図4)
図4は、第2実施形態に係る渦電流探傷装置の薄膜コイルの基板等を示す斜視図である。この第2実施形態において第1実施形態と同様な部分については、第1実施形態と同一の符号を付すことにより説明を簡略化し、または省略する。
【0021】
本第2実施形態の渦電流探傷装置20(
図2)が第1実施形態と異なる点は、薄膜コイル21の基板22が、非平面形状としての円柱の表面に沿う曲面形状である例えば半円筒形状に形成され、この基板22の頂部分22Aまたは縁部分22Bが被検査体1の被検査面1Aに接触または接近して設置された点である。
【0022】
ここで、基板22の半円筒形状は、円筒をその軸線に沿って切断した形状であり、上記軸線に直交する断面形状は、
図1の基板14と同様に円弧形状である。また、薄膜コイル21のコイル部は、図示していないが、基板22の例えば内側面22Mに、基板22と同様に円柱の表面に沿う曲面形状に形成される。
【0023】
この薄膜コイル21のコイル部が作る磁力線B1及びB2(
図1)は、被検査体1の被検査面1A近傍に幅の狭い線状の渦電流23を誘起する。この渦電流23の幅が狭くなるほど、より小さな欠陥に対し欠陥検出感度が向上するので、本第2実施形態においても、第1実施形態の効果(1)及び(2)と同様な効果を奏する。
【0024】
[C]第3実施形態(
図5)
図5は、第3実施形態に係る渦電流探傷装置の薄膜コイルの基板等を示す斜視図である。この第3実施形態において第1実施形態と同様な部分については、第1実施形態と同一の符号を付すことにより説明を簡略化し、または省略する。
【0025】
本第3実施形態の渦電流探傷装置30(
図2)が第1実施形態と異なる点は、薄膜コイル31の基板32が、非平面形状としての球の表面に沿う曲面形状である例えば半球面の表層部の形状として形成され、この基板32の頂部分32Aまたは周縁部分32Bが被検査体1の被検査面1Aに接触または接近して設置された点である。
【0026】
ここで、半球面の表層部の形状である基板32の縦断面は、
図1の基板14と同様に円弧形状である。また、薄膜コイル31のコイル部は、図示していないが、基板32の例えば内側面32Mに、基板32と同様に球の表面に沿う曲面形状に形成される。
【0027】
この薄膜コイル31のコイル部が作る磁力線B1及びB2(
図1)は、被検査体1の被検査面1A近傍に面積の小さな点状の渦電流33を誘起する。この点状の渦電流33の面積が小さいほど、より小さな欠陥に対し欠陥検出感度が向上するので、本第3実施形態においても、第1実施形態の効果(1)及び(2)と同様な効果を奏する。
【0028】
[D]第4実施形態(
図6)
図6は、第4実施形態に係る渦電流探傷装置の基板等を示す正面断面図である。この第4実施形態において第1実施形態と同様な部分については、第1実施形態と同一の符号を付すことにより説明を簡略化し、または省略する。
【0029】
本第4実施形態の渦電流探傷装置40(
図2)が第1実施形態と異なる点は、被検査体1の被検査面1A近傍に誘起する渦電流44の領域を所望の大きさに設定するように、薄膜コイル41の形状を任意に変更可能とする構造に構成された点である。
【0030】
つまり、薄膜コイル41は、可撓性且つ柔軟性を備えた基板42と、この基板42の例えば内側面42Mに設けられた図示しないコイル部と、を有して構成される。この薄膜コイル41の例えば内側に、複数種類の型から選択された型43を嵌め込むことで、薄膜コイル41を型43に対応した形状に変更する。薄膜コイル41を、型43を用いることなく任意の曲率半径に変更し、図示しない治具等を用いて形状を保持するようにしてもよい。なお、
図6中の符号42Aは、断面円弧形状の基板42の頂部分を、符号42Bは基板42の周縁部分をそれぞれ示す。
【0031】
上述のように薄膜コイル41の形状を任意に変更することで、被検査体1の被検査面1A近傍に小さな領域の渦電流44を誘起することができるので、本第4実施形態においても、第1実施形態の効果(1)及び(2)と同様な効果を奏する。
【0032】
[E]第5実施形態(
図7)
図7は、第5実施形態に係る渦電流探傷装置の薄膜コイルの基板等を示す斜視図である。この第5実施形態において第1実施形態と同様な部分については、第1実施形態と同一の符号を付すことにより説明を簡略化し、または省略する。
【0033】
本第5実施形態の渦電流探傷装置50(
図2)が第1実施形態と異なる点は、励磁用薄膜コイル51の基板52と、検出用薄膜コイル55の基板56との少なくとも一方、
図7では両方が、非平面形状としての球の表面に沿う球面形状である例えば半球面の表層部の形状として形成され、これらの基板52、56の頂部分52A、56A、または周縁部分52B、56Bが被検査体1の被検査面1Aに接触または接近して設置された点である。これらの励磁用薄膜コイル51と検出用薄膜コイル55は、例えば重ね合されて配置されている。
【0034】
ここで、励磁用薄膜コイル51は、磁束(磁力線)を励磁しこの磁束を被検査体1の被検査面1Aに作用させる薄膜コイルである。また、検出用薄膜コイル55は、被検査体1の被検査面1A近傍に誘起された渦電流58による反作用磁場を検出する薄膜コイルである。
【0035】
励磁用薄膜コイル51では、コイル部は図示されていないが、球の表面に沿った曲面形状に形成されて、基板52の例えば内側面52Mに設けられている。同様に、検出用薄膜コイル55でも、コイル部は図示されていないが、球の表面に沿った曲面形状に形成されて、基板56の例えば内側面56Mに設けられている。
【0036】
励磁用薄膜コイル51と検出用薄膜コイル55は、球の表面に沿う曲面形状の例えば曲率半径が必ずしも同一でなくてもよい。また、励磁用薄膜コイル51と検出用薄膜コイル55のそれぞれのコイル部における導線の巻線形態(導線の直径、巻線数など)は、必ずしも同一でなくてもよい。
【0037】
本第5実施形態では、渦電流探傷において励磁用薄膜コイル51と検出用薄膜コイル55とを併用することで、励磁用薄膜コイル51では励磁に適したコイル部を、検出用薄膜コイル55では検出に適したコイル部を、それぞれ適用することが可能になる。例えば、励磁用薄膜コイル51は、コイル部の導線の直径を大きく(太く)することで、大きな交流電流を供給することが可能になる。また、検出用薄膜コイル55では、コイル部の導線の直径を小さく(細く)して巻線数を増加させることで、渦電流58が作る反作用磁場との鎖交磁束数を増大させることが可能になる。
【0038】
以上のように、励磁用薄膜コイル51、検出用薄膜コイル55が半球面の表層部の形状として形成され、頂部分52A、56A、または周縁部分52B、56Bが被検査体1の被検査面1Aに接触等するように設置されるので、第1実施形態の効果(1)及び(2)と同様な効果を奏するほか、次の効果(3)を奏する。
【0039】
(3)励磁用薄膜コイル51のコイル部が励磁に適した巻線形態に、また、検出用薄膜コイル55のコイル部が検出に適した巻線形態にそれぞれ設けられるので、小さな欠陥に対する欠陥検出のより一層の高感度化を実現することができる。
【0040】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更、組み合わせを行うことができ、また、それらの置き換えや変更、組み合わせは、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【0041】
1…被検査体、1A…被検査面、2、3…渦電流、10…渦電流探傷装置、14…基板、14A…頂部分、14B…縁部分、15…導線、16…コイル部、20…渦電流探傷装置、21…薄膜コイル、22…基板、22A…頂部分、22B…縁部分、23…渦電流、30…渦電流探傷装置、31…薄膜コイル、32…基板、32A…頂部分、32B…周縁部分、33…渦電流、40…渦電流探傷装置、41…薄膜コイル、42…基板、43…型、44…渦電流、50…渦電流探傷装置、51…励磁用薄膜コイル、52…基板、52A…頂部分、52B…周縁部分、55…検出用薄膜コイル、56…基板、56A…頂部分、56B…周縁部分