特開 2023-138181 半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023138181

(43)【公開日】2023-10-02

(54)【発明の名称】半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/34 20060101AFI20230922BHJP

【ＦＩ】

H01L23/34 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022044737

(22)【出願日】2022-03-18

(71)【出願人】

【識別番号】000116024

【氏名又は名称】ローム株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100135389

【弁理士】

【氏名又は名称】臼井 尚

(74)【代理人】

【識別番号】100168099

【弁理士】

【氏名又は名称】鈴木 伸太郎

(72)【発明者】

【氏名】土山 寿朗

【テーマコード（参考）】

5F136

【Ｆターム（参考）】

5F136DA04

5F136DA13

5F136EA13

(57)【要約】

【課題】放熱性を向上させるのに適した半導体装置を提供する。
【解決手段】厚さ方向ｚの一方側を向く第１面１１ａを有する第１リード１と、第１面１１ａに支持された半導体素子３と、第１リード１の少なくとも一部、および半導体素子３を覆う封止樹脂５と、を備え、半導体素子３は、電気的に機能する第１部３Ａと、第１部３Ａに隣接し、且つ電気的に機能しない第２部３Ｂと、を含み、厚さ方向ｚに見たときの第２部３Ｂの面積である第２面積は、厚さ方向ｚに見たときの第１部３Ａの面積である第１面積以上である。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

厚さ方向の一方側を向く第１面を有する第１リードと、
前記第１面に支持された半導体素子と、
前記第１リードの少なくとも一部、および前記半導体素子を覆う封止樹脂と、を備え、
前記半導体素子は、電気的に機能する第１部と、前記第１部に隣接し、且つ電気的に機能しない第２部と、を含み、
前記厚さ方向に見たときの前記第２部の面積である第２面積は、前記厚さ方向に見たときの前記第１部の面積である第１面積以上である、半導体装置。

【請求項2】

前記第２部は、前記第１部に対して、前記厚さ方向に直交する第１方向、ならびに前記厚さ方向および前記第１方向の双方に直交する第２方向のうち少なくともいずれかに隣接して配置される、請求項１に記載の半導体装置。

【請求項3】

前記第２部は、前記第１部に対して、前記第１方向の一方側に隣接して配置される、請求項２に記載の半導体装置。

【請求項4】

前記第２部は、前記第１部に対して、前記第１方向の一方側および他方側それぞれに隣接して配置される、請求項２に記載の半導体装置。

【請求項5】

前記第２面積は、前記第１面積と同一であり、
前記第２部において、前記第１部に対して前記第１方向の両側に配置された部位の各々の前記厚さ方向視における面積は、前記第１面積の１／２である、請求項４に記載の半導体装置。

【請求項6】

前記第１部は、前記厚さ方向に見て矩形状であり、
前記第２部は、前記厚さ方向に見て矩形状をなす少なくとも１つの矩形部位からなる、請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。

【請求項7】

前記第２面積は、前記第１面積の整数倍である、請求項６に記載の半導体装置。

【請求項8】

前記第１面と前記半導体素子との間に介在し、且つ前記第１面と前記半導体素子とを接合する接合材をさらに備える、請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。

【請求項9】

前記接合材は、導電性を有する、請求項８に記載の半導体装置。

【請求項10】

前記接合材の構成材料は、銀を含む、請求項９に記載の半導体装置。

【請求項11】

前記半導体素子は、前記厚さ方向の一方側を向く素子主面と、前記素子主面に配置された複数の電極パッドと、を有し、
前記複数の電極パッドは、前記第１部に配置された少なくとも１つの第１電極パッドを含み、
各々が第１端部および第２端部を有する少なくとも１つの導通部材をさらに備え、
前記少なくとも１つの導通部材は、前記少なくとも１つの第１電極パッドに対応して当該第１電極パッドに前記第１端部が接続されている、請求項７に記載の半導体装置。

【請求項12】

前記厚さ方向に見て前記第１リードから離隔して配置された少なくとも１つの第２リードをさらに備え、
前記少なくとも１つの導通部材は、前記第２端部が前記少なくとも１つの第２リードに接続されたものを含む、請求項１１に記載の半導体装置。

【請求項13】

前記複数の電極パッドは、前記第２部に配置された少なくとも１つの第２電極パッドを含み、
前記少なくとも１つの第２電極パッドには、前記少なくとも１つの導通部材のいずれも接続されていない、請求項１１または１２に記載の半導体装置。

【請求項14】

前記複数の電極パッドのすべてが、前記第１部に配置された前記少なくとも１つの第１電極パッドである、請求項１１または１２に記載の半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体素子を備えた半導体装置は、様々な構成が提案されている。特許文献１には、従来の半導体装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体装置は、リード、半導体素子および封止樹脂を備えている。半導体素子は、リードに支持されている。封止樹脂は、各リードの一部と半導体素子とを覆っている。

【0003】

このような半導体装置において、半導体素子から発生した熱により当該半導体素子の温度が上昇する。半導体素子の過度な温度上昇を抑制するため、放熱性の向上が望まれる場合があった。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１８－１１３３５９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、放熱性を向上させるのに適した半導体装置を提供することを主たる課題とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示によって提供される半導体装置は、厚さ方向の一方側を向く第１面を有する第１リードと、前記第１面に支持された半導体素子と、前記第１リードの少なくとも一部、および前記半導体素子を覆う封止樹脂と、を備え、前記半導体素子は、電気的に機能する第１部と、前記第１部に隣接し、且つ電気的に機能しない第２部と、を含み、前記厚さ方向に見たときの前記第２部の面積である第２面積は、前記厚さ方向に見たときの前記第１部の面積である第１面積以上である。

【発明の効果】

【0007】

本開示の半導体装置によれば、放熱性を向上させることができる。

【0008】

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。

【図2】図２は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す底面図である。

【図3】図３は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す平面図（封止樹脂を透過）である。

【図4】図４は、図３のＩＶ－ＩＶ線に沿う拡大断面図である。

【図5】図５は、図３のＶ－Ｖ線に沿う拡大断面図である。

【図6】図６は、図３のＶＩ－ＶＩ線に沿う拡大断面図である。

【図7】図７は、図３の部分拡大図である。

【図8】図８は、第１実施形態の第１変形例に係る半導体装置を示す平面図（封止樹脂を透過）である。

【図9】図９は、図８のＩＸ－ＩＸ線に沿う拡大断面図である。

【図10】図１０は、第１実施形態の第２変形例に係る半導体装置を示す平面図（封止樹脂を透過）である。

【図11】図１１は、図１０のＸＩ－ＸＩ線に沿う拡大断面図である。

【図12】図１２は、第１実施形態の第３変形例に係る半導体装置を示す平面図（封止樹脂を透過）である。

【図13】図１３は、第１実施形態の第４変形例に係る半導体装置を示す平面図（封止樹脂を透過）である。

【図14】図１４は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す平面図（封止樹脂を透過）である。

【図15】図１５は、第２実施形態の第１変形例に係る半導体装置を示す平面図（封止樹脂を透過）である。

【図16】図１６は、第２実施形態の第２変形例に係る半導体装置を示す平面図（封止樹脂を透過）である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

【0011】

本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。

【0012】

本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。また、本開示において「ある面Ａが方向Ｂ（の一方側または他方側）を向く」とは、面Ａの方向Ｂに対する角度が９０°である場合に限定されず、面Ａが方向Ｂに対して傾いている場合を含む。また「ある物Ａがある物Ｂに支持されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接支持されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに支持されていること」を含む。

【0013】

＜第１実施形態＞
図１～図７は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ１０は、第１リード１、複数の第２リード２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ、半導体素子３、複数のワイヤ４、および封止樹脂５を備えている。

【0014】

図１は、半導体装置Ａ１０を示す平面図である。図２は、半導体装置Ａ１０を示す底面図である。図３は、半導体装置Ａ１０を示す平面図である。図４は、図３のＩＶ－ＩＶに沿う拡大断面図である。図５は、図３のＶ－Ｖ線に沿う拡大断面図である。図６は、図３のＶＩ－ＶＩ線に沿う拡大断面図である。図７は、図３の部分拡大図である。なお、図３においては、理解の便宜上、封止樹脂５を透過させており、当該封止樹脂５を想像線で示している。

【0015】

半導体装置Ａ１０の説明においては、半導体装置Ａ１０の厚さ方向（平面視方向）は、本開示の「厚さ方向」の一例であり、「厚さ方向ｚ」と呼ぶ。厚さ方向ｚに対して直交する方向は、本開示の「第１方向」の一例であり、「第１方向ｘ」と呼ぶ。厚さ方向ｚおよび第１方向ｘの双方に対して直交する方向は、本開示の「第２方向」の一例であり、「第２方向ｙ」と呼ぶ。また、図３において図中右側は本開示の「第１方向の一方側」の一例であり、「第１方向ｘの一方側」と呼び、図中左側は本開示の「第１方向の他方側」の一例であり、「第１方向ｘの他方側」と呼ぶ。図３において図中上側を「第２方向ｙの一方側」と呼び、図中下側を「第２方向ｙの他方側」と呼ぶ。図４において図中上側は本開示の「厚さ方向の一方側」の一例であり、「厚さ方向ｚの一方側」と呼び、図中下側は本開示の「厚さ方向の他方側」の一例であり、「厚さ方向ｚの他方側」と呼ぶ。なお、半導体装置Ａ１０の大きさは特に限定されない。

【0016】

第１リード１および第２リード２Ａ～２Ｄは、たとえば、金属板（リードフレーム）に打ち抜き加工や折り曲げ加工等を施すことにより形成されている。第１リード１および第２リード２Ａ～２Ｄの構成材料は特に限定されず、たとえばＣｕ（銅）およびＮｉ（ニッケル）のいずれか、またはこれらの合金などからなる。なお、耐食性、導電性、熱伝導性、あるいは、接合性などを考慮して、第１リード１および第２リード２Ａ～２Ｄの各々の表面の一部にめっきを施していてもよい。

【0017】

第１リード１は、半導体素子３が搭載される部材である。図３～図６に示すように、第１リード１は、ダイパッド１１、突出部１２、根元部１３、中間屈曲部１４、パッド部１５、連結部１６、端子部１７、屈曲部１８および庇部１９を有する。

【0018】

ダイパッド１１は、第１面１１ａおよびパッド裏面１１ｂを有する。第１面１１ａは、厚さ方向ｚの一方側を向いており、パッド裏面１１ｂは第１面１１ａとは反対側（厚さ方向ｚの他方側）を向く。第１面１１ａには、半導体素子３が搭載されており、この第１面１１ａに半導体素子３が支持されている。ダイパッド１１の形状は何ら限定されず、図示された例においては、厚さ方向ｚに見て略矩形状である。また、図４～図６に示すように、本実施形態においては、パッド裏面１１ｂは、封止樹脂５から露出している。パッド裏面１１ｂは、たとえば半導体装置Ａ１０を図示しない回路基板等に実装する際に、はんだなどの接合材によって接合される部位である。

【0019】

突出部１２は、図３～図５に示すように、ダイパッド１１に対して第２方向ｙの一方側に位置する部位である。突出部１２の形状は何ら限定されず、図示された例においては、厚さ方向ｚに見て第１方向ｘを長手方向とする略長矩形状である。突出部１２は、ダイパッド１１から第２方向ｙの一方側に延出しており、先端側が封止樹脂５から第２方向ｙの一方側に突出している。根元部１３は、ダイパッド１１から第２方向ｙの他方側に延出しており、第２方向ｙに沿った形状である。根元部１３は、ダイパッド１１の第１方向ｘにおける中央付近につながっている。中間屈曲部１４は、根元部１３の第２方向ｙ先端につながっており、第１方向ｘに見て厚さ方向ｚの一方側（図５における上側）に屈曲した形状部位である。パッド部１５は、ダイパッド１１に対して第２方向ｙの他方側に位置する。パッド部１５は、複数のワイヤ４のいずれかが接合される部位である。連結部１６は、中間屈曲部１４とパッド部１５とを連結する部位である。

【0020】

端子部１７は、パッド部１５に対して第２方向ｙの他方側（図３における下側）に位置する。端子部１７は、封止樹脂５から露出している。端子部１７は、たとえば半導体装置Ａ１０を図示しない回路基板に実装する際に、はんだなどの接合材によって接合される部位である。屈曲部１８は、連結部１６と端子部１７とをつないでおり、第１方向ｘに見て厚さ方向ｚの他方側（図５における下側）に屈曲した形状部位である。屈曲部１８は、封止樹脂５から露出している。

【0021】

庇部１９は、ダイパッド１１の周縁部から第１方向ｘまたは第２方向ｙに突出した形状部分を有する部位である。庇部１９は、たとえば、封止樹脂５の一部と係合することにより、封止樹脂５によるダイパッド１１の保持力を高めるために設けられている。なお、第１リード１の具体的な形状については、図示した例に限定されない。

【0022】

図３に示すように、複数の第２リード２Ａ～２Ｄは、厚さ方向ｚに見て、第１リード１から離隔して配置されている。複数の第２リード２Ａ～２Ｄは、厚さ方向ｚに見て、ダイパッド１１に対して第２方向ｙの他方側に位置する。また、複数の第２リード２Ａ～２Ｄは、第１方向ｘに間隔を隔てて配置されている。第２リード２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄは、第１方向ｘの他方側（図３における左側）から一方側（図３における右側）に向けてこの順に配置されている。また、第２リード２Ａ，２Ｂは、第１リード１のパッド部１５、連結部１６、端子部１７および屈曲部１８に対して第１方向ｘの他方側に位置し、第２リード２Ｃ，２Ｄは、これらパッド部１５、連結部１６、端子部１７および屈曲部１８に対して第１方向ｘの一方側に位置する。

【0023】

複数の第２リード２Ａ～２Ｄの各々は、パッド部２１、端子部２２および屈曲部２３を有する。各パッド部２１は、複数のワイヤ４のいずれかが接合される部位である。各端子部２２は、対応するパッド部２１に対して第２方向ｙの他方側（図３における下側）に位置する。端子部２２は、封止樹脂５から露出している。端子部２２は、たとえば半導体装置Ａ１０を図示しない回路基板に実装する際に、はんだなどの接合材によって接合される部位である。

【0024】

屈曲部２３は、パッド部２１とこれに対応する端子部２２とをつないでおり、第１方向ｘに見て厚さ方向ｚの他方側（図４における下側）に屈曲した形状部位である。屈曲部２３は、封止樹脂５から露出している。なお、複数の第２リード２Ａ～２Ｄの配置、配列数や具体的な形状については、図示した例に限定されない。

【0025】

半導体素子３は、半導体装置Ａ１０の電気的機能を発揮する要素である。半導体素子３の種類は特に限定されないが、たとえばＬＳＩ（Large Scale Integration）などの集積回路（ＩＣ）である。また、半導体素子３は、オペアンプなどの増幅用素子、ダイオードやトランジスタなどのディスクリート半導体素子であってもよい。

【0026】

半導体素子３は、厚さ方向ｚに見て矩形状である。半導体素子３は、ダイパッド１１（第１リード１）の第１面１１ａに支持されている。半導体素子３は、素子主面３０ａ、素子裏面３０ｂおよび複数の電極パッド３１を有する。

【0027】

素子主面３０ａは、厚さ方向ｚの一方側（図４～図６における上側）を向く面である。素子裏面３０ｂは、厚さ方向ｚにおいて素子主面４ａとは反対側の他方側（図４～図６における下側）を向く面である。素子主面３０ａは、厚さ方向ｚにおいてダイパッド１１の第１面１１ａと同じ側を向く。このため、素子裏面３０ｂは、第１面１１ａに対向している。

【0028】

図４～図６に示すように、半導体素子３の素子裏面３０ｂは、接合材３９により第１面１１ａ（ダイパッド１１、第１リード１）に接合されている。接合材３９は、第１面１１ａと素子裏面３０ｂ（半導体素子３）との間に介在しており、第１面１１ａ（ダイパッド１１）と素子裏面３０ｂ（半導体素子３）とを接合する。接合材３９は、一般的な絶縁性接合材または導電性接合材からなる。本実施形態においては、素子裏面３０ｂに導電層や電極パッドが配置されていないので、接合材３９として、絶縁性接合材または導電性接合材のいずれを用いてもよい。接合材３９として導電性接合材を用いる場合、接合材３９の構成材料は、たとえばＡｇ（銀）を含む。半導体装置Ａ１０では、接合材３９は焼成銀である。また、素子裏面３０ｂに導電層や電極パッドが配置されている場合、接合材３９として、たとえばはんだが用いられる。

【0029】

図３に示すように、半導体素子３は、第１部３Ａおよび第２部３Ｂを含む。第１部３Ａは、半導体装置Ａ１０において電気的に機能する部位である。第２部３Ｂは、第１部３Ａに隣接している。第２部３Ｂは、半導体装置Ａ１０において電気的に機能しない部位である。第１部３Ａは、厚さ方向ｚに見て矩形状である。第２部３Ｂは、厚さ方向ｚに見て矩形状をなす少なくとも１つの矩形部位からなる。本実施形態においては、第２部３Ｂは、１つの矩形部位からなり、第１部３Ａに対して第１方向ｘの一方側に隣接して配置されている。本実施形態では、第１部３Ａ（第２部３Ｂ）は、第１方向ｘに沿う辺を短辺とし、第２方向ｙに沿う辺を長辺とする長方形である。第１部３Ａ（第２部３Ｂ）の矩形形状はこれに限定されない。第１部３Ａ（第２部３Ｂ）は、第１方向ｘに沿う辺を長辺とし、第２方向ｙに沿う辺を短辺とする長方形であってもよい。また、第１部３Ａ（第２部３Ｂ）は、第１方向ｘに沿う辺の長さと第２方向ｙに沿う辺の長さが等しい正方形であってもよい。

【0030】

複数の電極パッド３１は、図３に示すように、素子主面３０ａに配置されている。複数の電極パッド３１は、少なくとも１つの第１電極パッド３２および少なくとも１つの第２電極パッド３３を含む。第１電極パッド３２は、第１部３Ａに配置された電極パッドである。本実施形態では、複数の第１電極パッド３２が第１部３Ａに配置されている。第２電極パッド３３は、第２部３Ｂに配置された電極パッドである。本実施形態では、複数の第２電極パッド３３が第２部３Ｂに配置されている。第２部３Ｂにおける複数の第２電極パッド３３の配置は、第１部３Ａにおける複数の第１電極パッド３２の配置と同一である。なお、複数の第１電極パッド３２および複数の第２電極パッド３３の配置は、本実施形態において図示した例に限定されない。

【0031】

第１部３Ａおよび第２部３Ｂは、それぞれ回路パターンが作り込まれ、且つ表面に同様の配置の複数の電極パッド３１（複数の第１電極パッド３２と複数の第２電極パッド３３）が設けられている。第１部３Ａおよび第２部３Ｂは、通常は各々が半導体素子１チップとして構成される部位である。本実施形態においては、半導体素子３の製造の際、半導体ウエハを切断して個片化する工程において、第１方向ｘに隣接する２チップ分を１つの個片として切断する。

【0032】

図７において、第１部３Ａには右上がりのハッチングを付しており、第２部３Ｂには右下がりのハッチングを付している。厚さ方向ｚに見たときの第２部３Ｂの面積（第２面積Ｓ２）は、厚さ方向ｚに見たときに第１部３Ａの面積（第１面積Ｓ１）と同一である。第２面積Ｓ２が第１面積Ｓ１と「同一」とは、第２面積Ｓ２が第１面積Ｓ１と略同一であることを含み、製造上のばらつきの範囲を含むものとする。なお、本実施形態では、半導体素子３の製造の際、上述のように隣接する２チップ分を１つの個片として切断したが、隣接する３チップ分以上を１つの個片として切断してもよい。３チップ分以上を１つの個片として切断した場合には、第２部３Ｂの第２面積Ｓ２は、第１部３Ａの第１面積Ｓ１よりも大である。また、このように１チップ分を区画単位として複数チップ分を切断して半導体素子３を得る場合には、第２部３Ｂの第２面積Ｓ２は、第１部３Ａの第１面積Ｓ１の整数倍である。

【0033】

複数のワイヤ４は、半導体素子３の第１部３Ａと第２リード２Ａ～２Ｄ等とを導通させるためのものである。ワイヤ４の構成材料は何ら限定されず、たとえばＡｕ、Ａｌ等の金属やこれらの合金が挙げられる。

【0034】

本実施形態においては、図３に示すように、複数のワイヤ４は、２つの第１ワイヤ４１、２つの第２ワイヤ４２、第３ワイヤ４３、第４ワイヤ４４および２つの第５ワイヤ４５を含む。各第１ワイヤ４１は、第１電極パッド３２と、第１リード１のパッド部１５とに接続されている。第１ワイヤ４１は、第１端部４１１および第２端部４１２を有する。第１端部４１１は、第１電極パッド３２に接続されている。第２端部４１２は、パッド部１５に接続されている。各第２ワイヤ４２は、第１電極パッド３２と、第２リード２Ａのパッド部２１とに接続されている。第２ワイヤ４２は、第１端部４２１および第２端部４２２を有する。第１端部４２１は、第１電極パッド３２に接続されている。第２端部４２２は、第２リード２Ａのパッド部２１に接続されている。第３ワイヤ４３は、第１電極パッド３２と、第２リード２Ｂのパッド部２１とに接続されている。第３ワイヤ４３は、第１端部４３１および第２端部４３２を有する。第１端部４３１は、第１電極パッド３２に接続されている。第２端部４３２は、第２リード２Ｂのパッド部２１に接続されている。第４ワイヤ４４は、第１電極パッド３２と、第２リード２Ｃのパッド部２１とに接続されている。第４ワイヤ４４は、第１端部４４１および第２端部４４２を有する。第１端部４４１は、第１電極パッド３２に接続されている。第２端部４４２は、第２リード２Ｃのパッド部２１に接続されている。各第５ワイヤ４５は、第１電極パッド３２と、第２リード２Ｄのパッド部２１とに接続されている。第５ワイヤ４５は、第１端部４５１および第２端部４５２を有する。第１端部４５１は、第１電極パッド３２に接続されている。第２端部４５２は、第２リード２Ｄのパッド部２１に接続されている。

【0035】

上述のように、複数の第１電極パッド３２には、複数のワイヤ４が個別に接続されている。複数のワイヤ４（第１ワイヤ４１～第５ワイヤ４５）の各々は、第１端部４１１（４２１，４３１，４４１，４５１）を有し、当該第１端部４１１等が対応する第１電極パッド３２に接続されている。また、複数のワイヤ４は、第２リード２Ａ～２Ｄ等にも個別に接続されている。これにより、第１部３Ａにおいては、複数のワイヤ４を介して内部の回路パターンに電流を流すことが可能である。これにより、第１部３Ａは、電気的に機能し得る。一方、第２部３Ｂに配置された複数の第２電極パッド３３には、複数のワイヤ４のいずれも接続されていない。これにより、第２部３Ｂは、電気的に機能しない。上記のワイヤ４は、本開示の導通部材の一例である。

【0036】

封止樹脂５は、第１リード１および第２リード２Ａ～２Ｄの一部ずつ、半導体素子３、および複数のワイヤ４を覆っている。封止樹脂５は、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなる。

【0037】

図１、図２、図４～図６に示すように、封止樹脂５は、樹脂主面５１、樹脂裏面５２、および樹脂側面５３１～５３４を有する。樹脂主面５１および樹脂裏面５２は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向き、かつ、互いに離れている。樹脂主面５１は、素子主面３０ａと同じ方向を向き、樹脂裏面５２は、素子裏面３０ｂと同じ方向を向く。樹脂側面５３１～５３４の各々は、樹脂主面５１および樹脂裏面５２につながるとともに、厚さ方向ｚにおいて樹脂主面５１と樹脂裏面５２とに挟まれている。樹脂側面５３１は、第１方向ｘの一方側を向いている。樹脂側面５３２は、第１方向ｘの他方側を向いている。樹脂側面５３３は、第２方向ｙの一方側を向いている。樹脂側面５３４は、第２方向ｙの他方側を向いている。本実施形態においては、樹脂裏面５２からダイパッド１１のパッド裏面１１ｂが露出している。また、樹脂側面５３３から突出部１２の一部が突出している。樹脂側面５３４から第１リード１の端子部１７および屈曲部１８、複数の第２リード２Ａ～２Ｄの各々の端子部２２および屈曲部２３が突出している。図示した例では、樹脂側面５３１～５３４は、各々、厚さ方向ｚに対して若干傾斜している。なお、図１、図２、図４～図６に示す封止樹脂５の形状は一例である。封止樹脂５の形状は、例示された形状に限定されない。

【0038】

次に、本実施形態の半導体装置Ａ１０の作用について説明する。

【0039】

半導体装置Ａ１０は、第１リード１、半導体素子３および封止樹脂５を備える。半導体素子３は、ダイパッド１１（第１リード１）の第１面１１ａに支持されるとともに、封止樹脂５で覆われている。半導体素子３は、第１部３Ａおよび第２部３Ｂを含む。第１部３Ａは、半導体装置Ａ１０において電気的に機能する部位である。第２部３Ｂは、半導体装置Ａ１０において電気的に機能しない部位であり、第１部３Ａに隣接している。厚さ方向ｚに見たときの第２部３Ｂの面積（第２面積）は、厚さ方向ｚに見たときに第１部３Ａの面積（第１面積）以上である。このような構成によれば、半導体素子３の第１部３Ａにおいてのみ発熱し、第２部３Ｂにおいては発熱しない。このため、第１部３Ａで発生した熱を、この第１部３Ａに隣接する第２部３Ｂに速やかに逃がすことができる。したがって、本実施形態によれば、第１部３Ａの過度な温度上昇を抑制し、半導体装置Ａ１０の放熱性を向上させることができる。

【0040】

第２部３Ｂは、第１部３Ａに対して第１方向ｘの一方側に隣接して配置されている。第１部３Ａは、厚さ方向ｚに見て矩形状である。第２部３Ｂは、厚さ方向ｚに見て矩形状をなす少なくとも１つの矩形部位からなる。第２部３Ｂの第２面積は、第１部３Ａの第１面積の整数倍である。このような構成によれば、半導体素子３の製造時に半導体ウエハを個片化する際に、複数チップ分を切断することで半導体素子３を得ることができる。このような構成によれば、簡便な手段により半導体装置Ａ１０の放熱性を向上させることが可能である。

【0041】

半導体素子３は、素子主面３０ａに配置された複数の電極パッド３１を有する。複数の電極パッド３１は、複数の第１電極パッド３２および複数の第２電極パッド３３を含む。複数の第１電極パッド３２は、第１部３Ａに配置されており、複数のワイヤ４のいずれかが個別に接続されている。複数のワイヤ４（第１ワイヤ４１～第５ワイヤ４５）の各々は、第１端部４１１（４２１，４３１，４４１，４５１）を有し、当該第１端部４１１等が対応する第１電極パッド３２に接続されている。複数のワイヤ４は、第２リード２Ａ～２Ｄ等にも個別に接続されている。これにより、第１部３Ａにおいては、複数のワイヤ４を介して内部の回路パターンに電流を流すことが可能であり、電気的に機能する。一方、第２部３Ｂに配置された複数の第２電極パッド３３には、複数のワイヤ４のいずれも接続されておらず、第２部３Ｂは電気的に機能しない。このような構成によれば、半導体素子３の製造の際、従来と同様に半導体ウエハにおいて１チップ分毎の区画単位それぞれに回路パターンおよび電極パッドを設ければよい。その後、複数チップ分がつながった状態の個片として切断することにより、第１リード１に搭載するための半導体素子３が得られる。したがって、製造工程に変更を加えることなく、半導体装置Ａ１０を得ることができる。

【0042】

＜第１実施形態の第１変形例＞
図８および図９は、第１実施形態の第１変形例に係る半導体装置を示している。図８は、本変形例に係る半導体装置Ａ１１の平面図（封止樹脂を透過）である。図９は、図８のＩＸ－ＩＸ線に沿う拡大断面図である。なお、図８以降の図面において、上記実施形態の半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付しており、適宜説明を省略する。上記実施形態の半導体装置Ａ１０を示した図７において第１部３Ａおよび第２部３Ｂに付したハッチングについては、図８以降の平面図においても同様のハッチングを付している。また、各変形例等における各部の構成は、技術的な矛盾を生じない範囲において相互に適宜組み合わせ可能である。

【0043】

本変形例の半導体装置Ａ１１においては、半導体素子３の構成が上記実施形態の半導体装置Ａ１０と異なっている。本変形例では、第２部３Ｂは、第１部３Ａに対して、第１方向ｘの一方側および他方側それぞれに隣接して配置されている。第２部３Ｂは、第１方向ｘにおいて第１部３Ａを挟む２箇所に設けられている。第２部３Ｂのうち、第１部３Ａに対して第１方向ｘの一方側（図８における右側）に位置する部位は、厚さ方向ｚにおいて矩形状である。当該部位の厚さ方向ｚ視における面積は、第１部３Ａの面積（第１面積）と同一である。また、第２部３Ｂのうち、第１部３Ａに対して第１方向ｘの他方側（図８における左側）に位置する部位は、厚さ方向ｚにおいて矩形状である。当該部位の厚さ方向ｚ視における面積は、第１部３Ａの面積（第１面積）と同一である。本変形例においては、第２部３Ｂ全体の面積（第２面積）は、第１部３Ａの面積（第１面積）の２倍である。また、第２部３Ｂについて、第１方向ｘにおいて第１部３Ａを挟む両側の部位には、複数ずつの第２電極パッド３３が配置されている。本変形例で示した半導体素子３は、当該半導体素子３の製造の際、半導体ウエハを切断して個片化する工程において、第１方向ｘに隣接する３チップ分を１つの個片として切断することで得ることができる。

【0044】

本変形例の半導体装置Ａ１１において、半導体素子３は、第１部３Ａおよび第２部３Ｂを含む。第１部３Ａは、半導体装置Ａ１１において電気的に機能する部位である。第２部３Ｂは、半導体装置Ａ１１において電気的に機能しない部位であり、第１部３Ａに隣接している。厚さ方向ｚに見たときの第２部３Ｂの面積（第２面積）は、厚さ方向ｚに見たときに第１部３Ａの面積（第１面積）以上である。このような構成によれば、半導体素子３の第１部３Ａにおいてのみ発熱し、第２部３Ｂにおいては発熱しない。このため、第１部３Ａで発生した熱を、この第１部３Ａに隣接する第２部３Ｂに速やかに逃がすことができる。したがって、本変形例によれば、第１部３Ａの過度な温度上昇を抑制し、半導体装置Ａ１１の放熱性を向上させることができる。

【0045】

第２部３Ｂは、第１部３Ａに対して第１方向ｘの一方側および他方側それぞれに隣接して配置されており、第１方向ｘにおいて第１部３Ａを挟む２箇所に設けられている。このような構成によれば、第１部３Ａで発生した熱を、第１方向ｘにおいて第１部３Ａを挟むように隣接する２箇所の第２部３Ｂに分散させて逃がすことが可能となる。本変形例によれば、半導体装置Ａ１１の放熱性をより向上させることが可能である。その他にも、上記実施形態の半導体装置Ａ１０と同様の構成の範囲において、上記実施形態と同様の作用効果を奏する。

【0046】

＜第１実施形態の第２変形例＞
図１０および図１１は、第１実施形態の第２変形例に係る半導体装置を示している。図１０は、本変形例に係る半導体装置Ａ１２の平面図（封止樹脂を透過）である。図１１は、図１０のＸＩ－ＸＩ線に沿う拡大断面図である。本変形例の半導体装置Ａ１２においては、半導体素子３の構成が上記実施形態の半導体装置Ａ１０と異なっている。

【0047】

本変形例の半導体装置Ａ１２においては、第２部３Ｂは、第１部３Ａに対して、第１方向ｘの一方側および他方側それぞれに隣接して配置されている。第２部３Ｂは、第１方向ｘにおいて第１部３Ａを挟む２箇所に設けられている。第２部３Ｂのうち、第１部３Ａに対して第１方向ｘの一方側（図１０における右側）に位置する部位は、厚さ方向ｚにおいて矩形状である。当該部位の厚さ方向ｚ視における面積は、第１部３Ａの面積（第１面積）の１／２である。また、第２部３Ｂのうち、第１部３Ａに対して第１方向ｘの他方側（図１０における左側）に位置する部位は、厚さ方向ｚにおいて矩形状である。当該部位の厚さ方向ｚ視における面積は、第１部３Ａの面積（第１面積）の１／２である。本変形例においては、第２部３Ｂ全体の面積（第２面積）は、第１部３Ａの面積（第１面積）と同一である。また、第２部３Ｂについて、第１方向ｘにおいて第１部３Ａを挟む両側の部位には、複数ずつの第２電極パッド３３が配置されている。本変形例で示した半導体素子３は、当該半導体素子３の製造の際、半導体ウエハを切断して個片化する工程において、第１部３Ａとなる１チップ分と、これを挟んで第１方向ｘの両側に隣接する１／２チップ分ずつとを１つの個片として切断することで得ることができる。すなわち、本変形例に係る半導体素子３の製造において、半導体ウエハに対する切断位置は、第１方向ｘにおける１チップ分の長さの中央位置である。

【0048】

本変形例の半導体装置Ａ１２において、半導体素子３は、第１部３Ａおよび第２部３Ｂを含む。第１部３Ａは、半導体装置Ａ１１において電気的に機能する部位である。第２部３Ｂは、半導体装置Ａ１２において電気的に機能しない部位であり、第１部３Ａに隣接している。厚さ方向ｚに見たときの第２部３Ｂの面積（第２面積）は、厚さ方向ｚに見たときに第１部３Ａの面積（第１面積）以上である。このような構成によれば、半導体素子３の第１部３Ａにおいてのみ発熱し、第２部３Ｂにおいては発熱しない。このため、第１部３Ａで発生した熱を、この第１部３Ａに隣接する第２部３Ｂに速やかに逃がすことができる。したがって、本変形例によれば、第１部３Ａの過度な温度上昇を抑制し、半導体装置Ａ１２の放熱性を向上させることができる。

【0049】

第２部３Ｂは、第１部３Ａに対して第１方向ｘの一方側および他方側それぞれに隣接して配置されており、第１方向ｘにおいて第１部３Ａを挟む２箇所に設けられている。このような構成によれば、第１部３Ａで発生した熱を、第１方向ｘにおいて第１部３Ａを挟むように隣接する２箇所の第２部３Ｂに分散させて逃がすことが可能となる。本変形例によれば、半導体装置Ａ１２の放熱性をより向上させることが可能である。その他にも、上記実施形態の半導体装置Ａ１０と同様の構成の範囲において、上記実施形態と同様の作用効果を奏する。

【0050】

＜第１実施形態の第３変形例＞
図１２は、第１実施形態の第３変形例に係る半導体装置を示している。図１２は、本変形例に係る半導体装置Ａ１３の平面図（封止樹脂を透過）である。本変形例の半導体装置Ａ１３においては、半導体素子３の構成が上記実施形態の半導体装置Ａ１０と異なっている。

【0051】

本変形例の半導体装置Ａ１３においては、第２部３Ｂは、第１部３Ａに対して、第２方向ｙの一方側に隣接して配置されている。第２部３Ｂは、厚さ方向ｚに見て矩形状である。厚さ方向ｚに見たとの第２部３Ｂの面積（第２面積）は、厚さ方向ｚに見たときの第１部３Ａの面積（第１面積）と同一である。第２部３Ｂにおける複数の第２電極パッド３３の配置は、第１部３Ａにおける複数の第１電極パッド３２の配置と同一である。本変形例で示した半導体素子３は、当該半導体素子３の製造の際、半導体ウエハを切断して個片化する工程において、第２方向ｙに隣接する２チップ分を１つの個片として切断することで得ることができる。

【0052】

本変形例の半導体装置Ａ１３において、半導体素子３は、第１部３Ａおよび第２部３Ｂを含む。第１部３Ａは、半導体装置Ａ１３において電気的に機能する部位である。第２部３Ｂは、半導体装置Ａ１３において電気的に機能しない部位であり、第１部３Ａに隣接している。厚さ方向ｚに見たときの第２部３Ｂの面積（第２面積）は、厚さ方向ｚに見たときに第１部３Ａの面積（第１面積）以上である。このような構成によれば、半導体素子３の第１部３Ａにおいてのみ発熱し、第２部３Ｂにおいては発熱しない。このため、第１部３Ａで発生した熱を、この第１部３Ａに隣接する第２部３Ｂに速やかに逃がすことができる。したがって、本変形例によれば、第１部３Ａの過度な温度上昇を抑制し、半導体装置Ａ１３の放熱性を向上させることができる。

【0053】

半導体装置Ａ１３においては、第２部３Ｂは、第１部３Ａに対して第２方向ｙの一方側に隣接して配置されている。一方、上記実施形態の半導体装置Ａ１０においては、第２部３Ｂは、第１部３Ａに対して第１方向ｘの一方側に隣接して配置されている。第１部３Ａにおいて発熱部位が特定できる場合、第２部３Ｂは、発熱部位に近接する側に配置すればよい。したがって、第２部３Ｂは、第１部３Ａの発熱部位に応じて、第１部３Ａに対して第１方向ｘまたは第２方向ｙのいずれかを選択して配置すればよい。その他にも、上記実施形態の半導体装置Ａ１０と同様の構成の範囲において、上記実施形態と同様の作用効果を奏する。

【0054】

＜第１実施形態の第４変形例＞
図１３は、第１実施形態の第４変形例に係る半導体装置を示している。図１３は、本変形例に係る半導体装置Ａ１４の平面図（封止樹脂を透過）である。本変形例の半導体装置Ａ１４においては、半導体素子３の構成が上記実施形態の半導体装置Ａ１０と異なっている。

【0055】

本変形例の半導体装置Ａ１４においては、第２部３Ｂは、第１部３Ａに対して、第１方向ｘの一方側および第２方向ｙの一方側に隣接して配置されている。より具体的には、第２部３Ｂは、３つの矩形部位からなり、第１部３Ａの第１方向ｘの一方側から第２方向ｙの一方側までを囲うように配置されている。第２部３Ｂを構成する３つの矩形部位の各々の厚さ方向ｚ視における面積は、第１部３Ａの面積（第１面積）と同一である。本変形例においては、第２部３Ｂ全体の面積（第２面積）は、第１部３Ａの面積（第１面積）の３倍である。第２部３Ｂを構成する３つの矩形部位の各々には、複数の第２電極パッド３３が配置されている。本変形例で示した半導体素子３は、当該半導体素子３の製造の際、半導体ウエハを切断して個片化する工程において、第１方向ｘに隣接する２チップ分および第２方向ｙに隣接する２チップ分の合計４チップ分を１つの個片として切断することで得ることができる。

【0056】

本変形例の半導体装置Ａ１４において、半導体素子３は、第１部３Ａおよび第２部３Ｂを含む。第１部３Ａは、半導体装置Ａ１４において電気的に機能する部位である。第２部３Ｂは、半導体装置Ａ１４において電気的に機能しない部位であり、第１部３Ａに隣接している。厚さ方向ｚに見たときの第２部３Ｂの面積（第２面積）は、厚さ方向ｚに見たときに第１部３Ａの面積（第１面積）以上である。このような構成によれば、半導体素子３の第１部３Ａにおいてのみ発熱し、第２部３Ｂにおいては発熱しない。このため、第１部３Ａで発生した熱を、この第１部３Ａに隣接する第２部３Ｂに速やかに逃がすことができる。したがって、本変形例によれば、第１部３Ａの過度な温度上昇を抑制し、半導体装置Ａ１４の放熱性を向上させることができる。

【0057】

第２部３Ｂは、第１部３Ａに対して第１方向ｘの一方側および第２方向ｙの一方側に隣接して配置されており、第１部３Ａの第１方向ｘの一方側から第２方向ｙの一方側までを囲うように配置されている。このような構成によれば、第１部３Ａで発生した熱を、第１方向ｘおよぶ第２方向ｙに分散させて効率よく逃がすことが可能となる。本変形例によれば、半導体装置Ａ１４の放熱性をより向上させることが可能である。その他にも、上記実施形態の半導体装置Ａ１０と同様の構成の範囲において、上記実施形態と同様の作用効果を奏する。

【0058】

＜第２実施形態＞
図１４は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示している。図１４は、本実施形態に係る半導体装置Ａ２０の平面図（封止樹脂を透過）である。本実施形態の半導体装置Ａ２０においては、半導体素子３における第２部３Ｂの構成が上記実施形態の半導体装置Ａ１０と異なっている。

【0059】

半導体装置Ａ２０においては、半導体素子３の第２部３Ｂには、第２電極パッド３３（電極パッド３１）が配置されていない。本実施形態では、複数の電極パッド３１は、第１部３Ａにのみ配置されている。そして、複数の電極パッド３１のすべてが、第１部３Ａに配置された複数の第１電極パッド３２である。本実施形態の半導体素子３は、当該半導体素子３の製造の際、半導体ウエハにおいて、第１部３Ａとなるべき部位に回路パターンと複数の電極パッド３１を形成し、第２部３Ｂとなるべき部位には回路パターンや電極を形成しない。そして、半導体ウエハを切断して個片化する工程において、第１方向ｘに隣接する２チップ分（第１部３Ａとなるべき部位および第２部３Ｂとなるべき部位）を１つの個片として切断することで得ることができる。

【0060】

本変形例の半導体装置Ａ２０において、半導体素子３は、第１部３Ａおよび第２部３Ｂを含む。第１部３Ａは、半導体装置Ａ１１において電気的に機能する部位である。第２部３Ｂは、半導体装置Ａ２０において電気的に機能しない部位であり、第１部３Ａに隣接している。厚さ方向ｚに見たときの第２部３Ｂの面積（第２面積）は、厚さ方向ｚに見たときに第１部３Ａの面積（第１面積）以上である。このような構成によれば、半導体素子３の第１部３Ａにおいてのみ発熱し、第２部３Ｂにおいては発熱しない。このため、第１部３Ａで発生した熱を、この第１部３Ａに隣接する第２部３Ｂに速やかに逃がすことができる。したがって、本変形例によれば、第１部３Ａの過度な温度上昇を抑制し、半導体装置Ａ２０の放熱性を向上させることができる。その他にも、上記実施形態の半導体装置Ａ１０と同様の構成の範囲において、上記実施形態と同様の作用効果を奏する。

【0061】

＜第２実施形態の第１変形例＞
図１５は、第２実施形態の第１変形例に係る半導体装置を示している。図１５は、本変形例に係る半導体装置Ａ２１の平面図（封止樹脂を透過）である。本変形例のパッド部２１においては、半導体素子３の構成が上記実施形態の半導体装置Ａ２０と異なっている。

【0062】

本変形例の半導体装置Ａ２１においては、第２部３Ｂは、第１部３Ａに対して、第１方向ｘの一方側および他方側それぞれに隣接して配置されている。第２部３Ｂは、第１方向ｘにおいて第１部３Ａを挟む２箇所に設けられている。第２部３Ｂのうち、第１部３Ａに対して第１方向ｘの一方側（図１５における右側）に位置する部位は、厚さ方向ｚにおいて矩形状である。当該部位の厚さ方向ｚ視における面積は、第１部３Ａの面積（第１面積）と同一である。また、第２部３Ｂのうち、第１部３Ａに対して第１方向ｘの他方側（図１５における左側）に位置する部位は、厚さ方向ｚにおいて矩形状である。当該部位の厚さ方向ｚ視における面積は、第１部３Ａの面積（第１面積）と同一である。本変形例においては、第２部３Ｂ全体の面積（第２面積）は、第１部３Ａの面積（第１面積）の２倍である。また、第２部３Ｂには、第２電極パッド３３（電極パッド３１）が配置されていない。本変形例で示した半導体素子３は、当該半導体素子３の製造の際、半導体ウエハを切断して個片化する工程において、第１方向ｘに隣接する３チップ分（第１部３Ａとなるべき部位、および当該部位を第１方向ｘの両側から挟む第２部３Ｂとなるべき部位）を１つの個片として切断することで得ることができる。

【0063】

本変形例の半導体装置Ａ２１において、半導体素子３は、第１部３Ａおよび第２部３Ｂを含む。第１部３Ａは、半導体装置Ａ２１において電気的に機能する部位である。第２部３Ｂは、半導体装置Ａ２１において電気的に機能しない部位であり、第１部３Ａに隣接している。厚さ方向ｚに見たときの第２部３Ｂの面積（第２面積）は、厚さ方向ｚに見たときに第１部３Ａの面積（第１面積）以上である。このような構成によれば、半導体素子３の第１部３Ａにおいてのみ発熱し、第２部３Ｂにおいては発熱しない。このため、第１部３Ａで発生した熱を、この第１部３Ａに隣接する第２部３Ｂに速やかに逃がすことができる。したがって、本変形例によれば、第１部３Ａの過度な温度上昇を抑制し、半導体装置Ａ２１の放熱性を向上させることができる。

【0064】

第２部３Ｂは、第１部３Ａに対して第１方向ｘの一方側および他方側それぞれに隣接して配置されており、第１方向ｘにおいて第１部３Ａを挟む２箇所に設けられている。このような構成によれば、第１部３Ａで発生した熱を、第１方向ｘにおいて第１部３Ａを挟むように隣接する２箇所の第２部３Ｂに分散させて逃がすことが可能となる。本変形例によれば、半導体装置Ａ２１の放熱性をより向上させることが可能である。その他にも、上記実施形態の半導体装置Ａ１０と同様の構成の範囲において、上記実施形態と同様の作用効果を奏する。

【0065】

＜第２実施形態の第２変形例＞
図１６は、第２実施形態の第２変形例に係る半導体装置を示している。図１６は、本変形例に係る半導体装置Ａ２２の平面図（封止樹脂を透過）である。本変形例のパッド部２１においては、半導体素子３の構成が上記実施形態の半導体装置Ａ２０と異なっている。

【0066】

本変形例の半導体装置Ａ２２においては、第２部３Ｂは、第１部３Ａに対して、第１方向ｘの一方側および他方側それぞれに隣接して配置されている。第２部３Ｂは、第１方向ｘにおいて第１部３Ａを挟む２箇所に設けられている。第２部３Ｂのうち、第１部３Ａに対して第１方向ｘの一方側（図１６における右側）に位置する部位は、厚さ方向ｚにおいて矩形状である。当該部位の厚さ方向ｚ視における面積は、第１部３Ａの面積（第１面積）の１／２である。また、第２部３Ｂのうち、第１部３Ａに対して第１方向ｘの他方側（図１６における左側）に位置する部位は、厚さ方向ｚにおいて矩形状である。当該部位の厚さ方向ｚ視における面積は、第１部３Ａの面積（第１面積）の１／２である。本変形例においては、第２部３Ｂ全体の面積（第２面積）は、第１部３Ａの面積（第１面積）と同一である。また、第２部３Ｂには、第２電極パッド３３（電極パッド３１）が配置されていない。本変形例で示した半導体素子３は、当該半導体素子３の製造の際、半導体ウエハを切断して個片化する工程において、第１部３Ａとなるべき１チップ分と、これを挟んで第１方向ｘの両側に隣接する、第２部３Ｂとなるべき１／２チップ分ずつと、を１つの個片として切断することで得ることができる。すなわち、本変形例に係る半導体素子３の製造において、半導体ウエハに対する切断位置は、第１方向ｘにおける１チップ分の長さの中央位置である。

【0067】

本変形例の半導体装置Ａ２２において、半導体素子３は、第１部３Ａおよび第２部３Ｂを含む。第１部３Ａは、半導体装置Ａ２２において電気的に機能する部位である。第２部３Ｂは、半導体装置Ａ２２において電気的に機能しない部位であり、第１部３Ａに隣接している。厚さ方向ｚに見たときの第２部３Ｂの面積（第２面積）は、厚さ方向ｚに見たときに第１部３Ａの面積（第１面積）以上である。このような構成によれば、半導体素子３の第１部３Ａにおいてのみ発熱し、第２部３Ｂにおいては発熱しない。このため、第１部３Ａで発生した熱を、この第１部３Ａに隣接する第２部３Ｂに速やかに逃がすことができる。したがって、本変形例によれば、第１部３Ａの過度な温度上昇を抑制し、半導体装置Ａ２２の放熱性を向上させることができる。

【0068】

第２部３Ｂは、第１部３Ａに対して第１方向ｘの一方側および他方側それぞれに隣接して配置されており、第１方向ｘにおいて第１部３Ａを挟む２箇所に設けられている。このような構成によれば、第１部３Ａで発生した熱を、第１方向ｘにおいて第１部３Ａを挟むように隣接する２箇所の第２部３Ｂに分散させて逃がすことが可能となる。本変形例によれば、半導体装置Ａ２２の放熱性をより向上させることが可能である。その他にも、上記実施形態の半導体装置Ａ１０と同様の構成の範囲において、上記実施形態と同様の作用効果を奏する。

【0069】

本開示に係る半導体装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

【0070】

上記実施形態において、半導体素子３の製造の際、半導体ウエハを個片化する工程において、２チップ分、３チップ分または４チップ分を１つの個片として切断する場合について説明したが、これに限定されない。半導体ウエハを個片化する工程において、より多くの複数チップ分（たとえば６チップ分や９チップ分）を１つの個片として切断してもよい。より多くの複数チップ分を含む半導体素子３においては、第１部３Ａを囲うように第２部３Ｂを配置することで、放熱性をより向上させることが期待できる。

【0071】

第１リード１の具体的な形状について、上記実施形態に限定されず、種々変更可能である。複数の第２リード（２Ａ～２Ｄ）の具体的な形状や配置も上記実施形態に限定されない。また、第２リードの数についても、上記実施形態より少なくてもよく（たとえば３つ以下）、あるいは上記実施形態より多くてもよい（たとえば５つ以上）。

【0072】

本開示は、以下の付記に関する構成を含む。

【0073】

〔付記１〕
厚さ方向の一方側を向く第１面を有する第１リードと、
前記第１面に支持された半導体素子と、
前記第１リードの少なくとも一部、および前記半導体素子を覆う封止樹脂と、を備え、
前記半導体素子は、電気的に機能する第１部と、前記第１部に隣接し、且つ電気的に機能しない第２部と、を含み、
前記厚さ方向に見たときの前記第２部の面積である第２面積は、前記厚さ方向に見たときの前記第１部の面積である第１面積以上である、半導体装置。
〔付記２〕
前記第２部は、前記第１部に対して、前記厚さ方向に直交する第１方向、ならびに前記厚さ方向および前記第１方向の双方に直交する第２方向のうち少なくともいずれかに隣接して配置される、付記１に記載の半導体装置。
〔付記３〕
前記第２部は、前記第１部に対して、前記第１方向の一方側に隣接して配置される、付記２に記載の半導体装置。
〔付記４〕
前記第２部は、前記第１部に対して、前記第１方向の一方側および他方側それぞれに隣接して配置される、付記２に記載の半導体装置。
〔付記５〕
前記第２面積は、前記第１面積と同一であり、
前記第２部において、前記第１部に対して前記第１方向の両側に配置された部位の各々の前記厚さ方向視における面積は、前記第１面積の１／２である、付記４に記載の半導体装置。
〔付記６〕
前記第１部は、前記厚さ方向に見て矩形状であり、
前記第２部は、前記厚さ方向に見て矩形状をなす少なくとも１つの矩形部位からなる、付記１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記７〕
前記第２面積は、前記第１面積の整数倍である、付記１ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記８〕
前記第１面と前記半導体素子との間に介在し、且つ前記第１面と前記半導体素子とを接合する接合材をさらに備える、付記１ないし７のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記９〕
前記接合材は、導電性を有する、付記８に記載の半導体装置。
〔付記１０〕
前記接合材の構成材料は、銀を含む、付記９に記載の半導体装置。
〔付記１１〕
前記半導体素子は、前記厚さ方向の一方側を向く素子主面と、前記素子主面に配置された複数の電極パッドと、を有し、
前記複数の電極パッドは、前記第１部に配置された少なくとも１つの第１電極パッドを含み、
各々が第１端部および第２端部を有する少なくとも１つの導通部材をさらに備え、
前記少なくとも１つの導通部材は、前記少なくとも１つの第１電極パッドに対応して当該第１電極パッドに前記第１端部が接続されている、付記１ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１２〕
前記厚さ方向に見て前記第１リードから離隔して配置された少なくとも１つの第２リードをさらに備え、
前記少なくとも１つの導通部材は、前記第２端部が前記少なくとも１つの第２リードに接続されたものを含む、付記１１に記載の半導体装置。
〔付記１３〕
前記複数の電極パッドは、前記第２部に配置された少なくとも１つの第２電極パッドを含み、
前記少なくとも１つの第２電極パッドには、前記少なくとも１つの導通部材のいずれも接続されていない、付記１１または１２に記載の半導体装置。
〔付記１４〕
前記複数の電極パッドのすべてが、前記第１部に配置された前記少なくとも１つの第１電極パッドである、付記１１または１２に記載の半導体装置。

【符号の説明】

【0074】

Ａ１０，Ａ１１，Ａ１２，Ａ１３，Ａ１４，Ａ２０，Ａ２１，Ａ２２：半導体装置
１ ：第１リード
１１ ：ダイパッド
１１ａ ：第１面
１１ｂ ：パッド裏面
１２ ：突出部
１３ ：根元部
１４ ：中間屈曲部
１５ ：パッド部
１６ ：連結部
１７ ：端子部
１８ ：屈曲部
１９ ：庇部
２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ：第２リード
２１ ：パッド部
２２ ：端子部
２３ ：屈曲部
３ ：半導体素子
３Ａ ：第１部
３Ｂ ：第２部
３０ａ ：素子主面
３０ｂ ：素子裏面
３１ ：電極パッド
３２ ：第１電極パッド
３３ ：第２電極パッド
３９ ：接合材
４ ：ワイヤ（導通部材）
４１ ：第１ワイヤ
４２ ：第２ワイヤ
４３ ：第３ワイヤ
４４ ：第４ワイヤ
４５ ：第５ワイヤ
４１１，４２１，４３１，４４１，４５１：第１端部
４１２，４２２，４３２，４４２，４５２：第２端部
５ ：封止樹脂
５１ ：樹脂主面
５２ ：樹脂裏面
５３１，５３２，５３３，５３４：樹脂側面
Ｓ１ ：第１面積
Ｓ２ ：第２面積
ｘ ：第１方向
ｙ ：第２方向
ｚ ：厚さ方向

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】