特開 2023-138350 半導体チップの転写方法および半導体チップの転写装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023138350

(43)【公開日】2023-10-02

(54)【発明の名称】半導体チップの転写方法および半導体チップの転写装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/52 20060101AFI20230922BHJP

【ＦＩ】

H01L21/52 C

H01L21/52 F

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023017567

(22)【出願日】2023-02-08

(31)【優先権主張番号】P 2022044041

(32)【優先日】2022-03-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000219314

【氏名又は名称】東レエンジニアリング株式会社

(72)【発明者】

【氏名】大久保 憲治

【テーマコード（参考）】

5F047

【Ｆターム（参考）】

5F047AA19

5F047BA21

5F047CA08

5F047FA07

5F047FA15

(57)【要約】

【課題】支持基板から被転写基板に半導体チップを転写する転写工程に要する時間の増大を抑制することが可能な半導体チップの転写方法を提供する。
【解決手段】この半導体チップ１の転写方法は、レーザ光Ｌを用いた半導体チップの転写方法であって、半導体チップが支持された支持基板１０における半導体チップの保持領域１１内に複数の転写領域１２を互いに重ならないように配置する転写領域配置工程と、転写領域内の半導体チップの中から被転写基板に転写する半導体チップを選択する計算を実行する計算工程と、転写領域内の半導体チップにレーザ光を照射することにより、転写領域内の半導体チップのみを被転写基板２０に転写する転写工程と、を備える。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

レーザ光を用いた半導体チップの転写方法であって、
前記半導体チップが支持された支持基板における前記半導体チップの保持領域内に複数の転写領域を互いに重ならないように配置する転写領域配置工程と、
前記転写領域内の半導体チップの中から被転写基板に転写する前記半導体チップを選択する計算を実行する計算工程と、
前記転写領域内の前記半導体チップにレーザ光を照射することにより、前記転写領域内の前記半導体チップのみを前記被転写基板に転写する転写工程と、
を備えた、半導体チップの転写方法。

【請求項2】

前記複数の転写領域は、同一形状である、請求項１に記載の半導体チップの転写方法。

【請求項3】

前記転写領域配置工程は、前記支持基板の前記保持領域内に複数の前記転写領域を互いに接しつつ重ならないように配置する、請求項１または２に記載の半導体チップの転写方法。

【請求項4】

前記転写領域は、前記保持領域の中心部に設けられた第１転写領域と、前記第１転写領域を囲むように設けられた複数の第２転写領域とを含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の半導体チップの転写方法。

【請求項5】

隣接する前記第２転写領域は互いに接して配置されるとともに、前記第１転写領域の外周は前記第２転写領域のいずれかの外周と接している、請求項４に記載の半導体チップの転写方法。

【請求項6】

前記保持領域の中心から最も離れた位置に設けられた前記転写領域における前記保持領域の中心から最も離れた外周が、前記保持領域の外周縁に内接するように配置されている、請求項１～５のいずれか１項に記載の半導体チップの転写方法。

【請求項7】

前記転写領域の形状は矩形であり、かつ、前記被転写基板の形状は矩形である、請求項１～６のいずれか１項に記載の半導体チップの転写方法。

【請求項8】

前記保持領域の形状は略円形であり、前記転写領域の形状は正六角形である、請求項１～６のいずれか１項に記載の半導体チップの転写方法。

【請求項9】

前記保持領域の形状は略円形であり、前記転写領域の形状は真円形である、請求項１～６のいずれか１項に記載の半導体チップの転写方法。

【請求項10】

半導体チップが支持された支持基板を保持する支持基板保持部と、
前記支持基板に支持された前記半導体チップが転写される被転写基板を保持する被転写基板保持部と、
前記支持基板にレーザ光を照射するレーザ光照射部と、
前記レーザ光照射部によるレーザ光の照射を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、
前記支持基板における前記半導体チップの保持領域内に複数の転写領域を互いに重ならないように配置し、
前記転写領域内の半導体チップの中から前記被転写基板に転写する前記半導体チップを選択する計算を実行し、
前記転写領域内の前記半導体チップに前記レーザ光照射部にレーザ光を照射させることにより、前記転写領域内の前記半導体チップのみを前記被転写基板に転写する制御を行うように構成されている、半導体チップの転写装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

この発明は、レーザ光を用いた半導体チップの転写方法および半導体チップの転写装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、レーザ光を用いた半導体チップの転写方法が知られている（たとえば、特許文献１参照）。

【0003】

上記特許文献１には、支持基板に半導体チップを保持させる半導体チップ保持工程と、支持基板から半導体チップを被転写基板に転写する転写工程とを備える、半導体チップの転写方法が開示されている。転写工程では、支持基板の半導体チップが支持された面と、被転写基板の半導体チップが転写される面とを対向するように配置する。そして、支持基板の半導体チップを支持した側と反対側から半導体チップに向けてレーザ光を照射する。これにより、半導体チップの支持基板による保持状態を解除して、半導体チップを被転写基板に転写する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】国際公開第２０２０／１６６３０１号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

上記特許文献１には開示されていないが、半導体チップが支持された支持基板から被転写基板への半導体チップの転写は、支持基板における半導体チップの保持領域が一定形状に分割されることにより形成された複数の転写領域毎に行われる。また、上記特許文献１には開示されていないが、支持基板の隣接する半導体チップの間隔は、支持基板から転写された被転写基板の隣接する半導体チップの間隔よりも小さい。そのため、支持基板の転写領域の隣接する半導体チップを、被転写基板にそのままの間隔で隣接するように転写することができない。そこで、支持基板の転写領域から半導体チップを被転写基板に転写する前に、転写領域内の半導体チップの中から転写する半導体チップを選択する計算を行い、計算により選択された半導体チップを被転写基板に転写する。ここで、支持基板の保持領域内の複数の転写領域は、上記一定形状と同一の形状を有する転写領域と、一部に保持領域の外部を含んで分割されることにより上記一定の形状と異なる形状を有する転写領域とを含む。これにより、複数の転写領域は異なる形状の転写領域が混在するため、複数の転写領域における半導体チップの位置および数は一様ではない。また、異なる形状の複数の転写領域から半導体チップが被転写基板に転写されることに起因して、被転写基板における半導体チップが転写される領域の形状が複雑化する。また、複数の転写領域のうち互いに重なる転写領域がある場合、半導体チップを選択する計算の際、重なる部分における半導体チップが既に転写されているか否かを判定する必要がある。これらの理由により、異なる形状を含む転写領域内の半導体チップの中から転写する半導体チップを選択する計算時間が長くなり、転写工程に要する時間が増加するという問題がある。

【0006】

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、支持基板から被転写基板に半導体チップを転写する転写工程に要する時間の増大を抑制することが可能な半導体チップの転写方法および半導体チップの転写装置を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記目的を達成するために、この発明の第１の局面による半導体チップの転写方法は、レーザ光を用いた半導体チップの転写方法であって、半導体チップが支持された支持基板における半導体チップの保持領域内に複数の転写領域を互いに重ならないように配置する転写領域配置工程と、転写領域内の半導体チップの中から被転写基板に転写する半導体チップを選択する計算を実行する計算工程と、転写領域内の半導体チップにレーザ光を照射することにより、転写領域内の半導体チップのみを被転写基板に転写する転写工程と、を備える。

【0008】

この第１の局面による半導体チップの転写方法は、上記のように、半導体チップが支持された支持基板における半導体チップの保持領域内に複数の転写領域を互いに重ならないよう配置する転写領域配置工程と、転写領域内の半導体チップの中から被転写基板に転写する半導体チップを選択する計算を実行する計算工程と、転写領域内の半導体チップにレーザ光を照射することにより転写領域内の半導体チップのみを被転写基板に転写する転写工程と、を備える。これにより、複数の転写領域のうち互いに重なる転写領域がないため、重なる部分における半導体チップの有無を判定する必要がない。これらの理由から、異なる形状を含む複数の転写領域における転写する半導体チップを選択する計算を実行する場合と比べて、被転写基板に転写する半導体チップを選択する計算時間の増加を抑制することができる。その結果、支持基板から被転写基板に半導体チップを転写する転写工程に要する時間の増大を抑制することができる。

【0009】

上記第１の局面による半導体チップの転写方法において、好ましくは、転写領域配置工程は、支持基板の保持領域内に複数の転写領域を互いに接しつつ重ならないように配置する。このように構成すれば、転写領域を互いに接さないように間隔を隔てて配置する場合と比べて、隣接する転写領域間の間隙を低減させて保持領域内に転写領域を効率良く配置することができる。これにより、転写可能な半導体チップの数を増加させることができる。そのため、転写する半導体チップを選択する計算時間の増加を抑制しながら、転写領域内の半導体チップのみを被転写基板に転写する転写工程において転写可能な半導体チップの数を増加させることができる。

【0010】

上記第１の局面による半導体チップの転写方法において、好ましくは、転写領域は、保持領域の中心部に設けられた第１転写領域と、第１転写領域を囲むように設けられた複数の第２転写領域とを含む。このように構成すれば、第２転写領域が保持領域の中心部に設けられた第１転写領域を囲むように設けられていることにより、保持領域内に転写領域をより効率良く配置することができる。これにより、転写可能な半導体チップの数をより増加させることができる。そのため、転写する半導体チップを選択する計算時間の増加を抑制しながら、転写可能な半導体チップの数をより増加させることができる。

【0011】

この場合、好ましくは、隣接する第２転写領域は互いに接して配置されるとともに、第１転写領域の外周は第２転写領域のいずれかの外周と接している。このように構成すれば、支持基板内に第１転写領域と第２転写領域との間の間隙を低減させて保持領域内において転写領域をさらに効率良く配置することができる。これにより、転写可能な半導体チップの数をさらに増加させることができる。そのため、転写する半導体チップを選択する計算時間の増加を抑制しながら、転写可能な半導体チップの数をさらに増加させることができる。

【0012】

上記第１の局面による半導体チップの転写方法において、好ましくは、保持領域の中心から最も離れた位置に設けられた転写領域における支持基板の中心から最も離れた外周が、保持領域の外周縁に内接するように配置されている。このように構成すれば、保持領域の中心から最も離れた位置に設けられた転写領域の保持領域の中心から最も離れた外周が保持領域の外周縁に内接するように配置されていない場合と比べて、保持領域の外周縁近傍に転写領域をより効率良く配置することができる。これにより、転写可能な半導体チップの数をさらに増加させることができる。そのため、転写する半導体チップを選択する計算時間の増加を抑制しながら、転写可能な半導体チップの数をより増加させることができる。

【0013】

上記第１の局面による半導体チップの転写方法において、好ましくは、転写領域の形状は矩形であり、かつ、被転写基板の形状は矩形である。このように構成すれば、矩形状の転写領域に支持された半導体チップを同じ矩形状の被転写基板に転写することができるため、転写領域における転写可能な半導体チップの被転写基板に対する使用効率の低下を抑制することができる。ここで、本明細書において、「被転写基板に対する使用効率」とは、転写工程前に転写領域に支持された半導体チップの数に対する、転写工程により上記転写領域から被転写基板に転写された半導体チップの数の割合である。

【0014】

上記第１の局面による半導体チップの転写方法において、好ましくは、保持領域の形状は略円形であり、転写領域の形状は正六角形である。このように構成すれば、隣接する転写領域の互いの一辺を対向するように配置することができるため、隣接する転写領域間の間隙をより低減させて保持領域内に転写領域をより効率良く配置することができる。そのため、保持領域内における半導体チップの使用効率の低下をより抑制することができる。ここで、本明細書において、「保持領域内における使用効率」とは、保持領域内の半導体チップの数に対する転写領域における半導体チップの数の割合である。

【0015】

上記第１の局面による半導体チップの転写方法において、好ましくは、保持領域の形状は略円形であり、転写領域の形状は真円形である。このように構成すれば、略円形状の保持領域内において隣接する複数の転写領域に囲まれた間隙を低減させて転写領域をより効率良く配置することができる。そのため、保持領域内における半導体チップの使用効率の低下を抑制することができる。

【0016】

この発明の第２の局面による半導体チップの転写装置は、半導体チップが支持された支持基板を保持する支持基板保持部と、支持基板に支持された半導体チップが転写される被転写基板を保持する被転写基板保持部と、支持基板にレーザ光を照射するレーザ光照射部と、レーザ光照射部によるレーザ光の照射を制御する制御部とを備え、制御部は、支持基板における半導体チップの保持領域内に複数の転写領域を互いに重ならないように配置し、転写領域内の半導体チップの中から被転写基板に転写する半導体チップを選択する計算を実行し、転写領域内の半導体チップにレーザ光照射部にレーザ光を照射させることにより、転写領域内の半導体チップのみを被転写基板に転写する制御を行うように構成されている。

【0017】

この発明の第２の局面による半導体チップの転写装置は、上記のように、制御部は、支持基板における半導体チップの保持領域内に複数の転写領域を互いに重ならないよう配置し、転写領域内の半導体チップの中から被転写基板に転写する半導体チップを選択する計算を実行し、転写領域内の半導体チップにレーザ光を照射することにより転写領域内の半導体チップのみを被転写基板に転写する制御を行うように構成されている。これにより、複数の転写領域のうち互いに重なる転写領域がないため、重なる部分における半導体チップの有無を判定する必要がない。これらの理由から、異なる形状を含む複数の転写領域における転写する半導体チップを選択する計算を実行する場合と比べて、被転写基板に転写する半導体チップを選択する計算時間の増加を抑制することができる。その結果、支持基板から被転写基板に半導体チップを転写する転写工程に要する時間の増大を抑制することが可能な半導体チップの転写装置を提供することができる。

【発明の効果】

【0018】

本発明によれば、上記のように、支持基板から被転写基板に半導体チップを転写する転写工程に要する時間の増大を抑制することが可能な半導体チップの転写方法および半導体チップの転写装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1】第１実施形態による半導体チップの転写方法を説明するための図である。

【図2】第１実施形態による半導体チップが支持された支持基板を示した模式図である。

【図3】第１実施形態による転写領域を示した模式図である。

【図4】第１実施形態による転写装置の全体構成を示した模式図である。

【図5】制御部の機能ブロックを説明するための図である。

【図6】第１実施形態による転写方法の処理を説明するためのフローチャートである。

【図7】比較例による転写領域を示した模式図である。

【図8】第２実施形態による転写領域を示した模式図である。

【図9】第３実施形態による転写領域を示した模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0020】

以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて説明する。

【0021】

［第１実施形態］
図１～図６を参照して、第１実施形態による半導体チップ１の転写方法について説明する。

【0022】

（半導体チップ１の転写方法の概要）
図１に示すように、半導体チップ１の転写方法は、支持基板１０の転写領域１２（図３参照）に支持された半導体チップ１に対して支持基板１０を介してレーザ光Ｌを照射することにより、半導体チップ１を被転写基板２０に転写する半導体チップ１の転写方法である。たとえば、半導体チップ１の転写方法は、レーザリフトオフ法などの公知の剥離技術を用いて、支持基板１０から半導体チップ１を剥離して被転写基板２０に半導体チップ１を転写することにより、ＥＬ表示装置などの表示装置のディスプレイパネルを製造するための半導体チップ１の転写方法である。

【0023】

半導体チップ１として、マイクロ発光ダイオード（ＬＥＤ）と呼ばれる５０ｕｍ×５０ｕｍ以下の半導体チップ１が用いられる。なお、半導体チップ１は、マイクロＬＥＤに限定されず、種々の半導体素子を用いることができる。

【0024】

支持基板１０は、たとえば、ＳｉＯ２（二酸化ケイ素）基板やサファイヤ基板のようにレーザ光Ｌを透過する材料により形成されている。支持基板１０は、支持基板１０上に形成された剥離層２を介して複数の半導体チップ１を支持している。図示はしていないが、支持基板１０上の隣接する半導体チップ１の間隔は、支持基板１０から転写された被転写基板２０上の隣接する半導体チップ１の間隔よりも小さい。図２に示すように、複数の半導体チップ１は、支持基板１０上において剥離層２（図１参照）を介して所定の間隔でマトリクス状に配列されている。支持基板１０は、円形状を有している。支持基板１０は、半導体チップ１が保持された半導体チップ１の保持領域１１を有する。

【0025】

本明細書において、保持領域１１とは、支持基板１０の中心Ｃを中心として、支持基板１０において最外周に配置された少なくとも複数の半導体チップ１の外周を繋いだ最小の輪郭１１ａにより囲まれているとともに、最小の輪郭１１ａにより囲まれている部分が、複数の半導体チップ１のすべてを含み、かつ、略円形となるように繋がれている部分を示す。図３に示すように、支持基板１０の保持領域１１内には、複数の同一形状の転写領域１２が互いに接しつつ重ならないように配置されている。図３において、転写領域１２は、ハッチングにより図示された領域である。なお、図面の簡略化のため、半導体チップ１の図示は省略している。

【0026】

図１に示すように、剥離層２は、レーザ光照射部５０からレーザ光Ｌが照射されることにより分解してガス成分を発生する材料により形成されている。剥離層２は、たとえば、ポリイミドやシリコンが用いられる。

【0027】

被転写基板２０は、たとえば、支持基板１０上のマイクロＬＥＤが被転写基板２０に多数転写されることによりマイクロＬＥＤディスプレイパネルを製造するための基板である。被転写基板２０には、転写された半導体チップ１を接着するための接着層２１が形成されている。被転写基板２０には、転写された半導体チップ１に対して接続可能な配線が形成されていても良い。被転写基板２０は、矩形状（不図示）を有している。なお、被転写基板２０は、たとえば、支持基板１０から転写された半導体チップ１を一時的に保持する半導体チップ保持基板であっても良い。

【0028】

半導体チップ１の転写方法の処理（図６参照）は、後述するように、支持基板１０における半導体チップ１の保持領域１１内に複数の同一形状の転写領域１２を互いに重ならないように配置する転写領域配置工程と、転写領域１２内の半導体チップ１の中から被転写基板２０に転写する半導体チップ１を選択する計算を実行する計算工程と、転写領域１２内の半導体チップ１にレーザ光を照射することにより、転写領域１２内の半導体チップ１のみを被転写基板２０に転写する転写工程と、を備える。すなわち、転写工程では、転写領域１２と転写領域１２以外の領域とを含む保持領域１１全体のうちの転写領域１２の半導体チップのみを被転写基板２０に転写する。

【0029】

半導体チップ１が支持された支持基板１０から被転写基板２０への半導体チップ１の転写は、支持基板１０の保持領域１１内の一定形状の同一形状を有する転写領域毎（図３参照）に行われる。一の転写領域１２に支持された半導体チップ１が被転写基板２０に転写された後、支持基板１０と被転写基板２０とを相対移動させ、一の転写領域１２と異なる他の転写領域１２に支持された半導体チップ１が被転写基板２０に転写される。なお、転写領域１２以外の領域に支持された半導体チップ１は被転写基板２０へ転写されない。

【0030】

（半導体チップ１の転写装置１００）
図４に示すように、半導体チップ１の転写装置１００は、支持基板保持部３０と、被転写基板保持部４０と、レーザ光照射部５０と、制御部６１と、記憶部６７とを備える。転写装置１００は、第１実施形態の半導体チップ１の転写方法を実行するように構成されている。なお、図面において、転写装置１００の左右方向をＸ方向としている。また、転写装置１００の上下方向をＺ方向としている。また、転写装置１００のＸ方向およびＺ方向と直交する方向をＹ方向としている。

【0031】

支持基板保持部３０は、半導体チップ１が支持された支持基板１０を保持する。支持基板保持部３０は、半導体チップ１を支持した支持基板１０を、半導体チップ１を支持した面を下向きにして保持する。支持基板保持部３０は開口部３１を有する。支持基板保持部３０に保持された支持基板１０は、開口部３１を介してレーザ光照射部５０から出射されたレーザ光Ｌが照射される。支持基板保持部３０は、第１移動機構３２により、少なくともＸ軸方向およびＹ軸方向に関して被転写基板保持部４０に対して相対移動可能なように構成されている。

【0032】

被転写基板保持部４０は、支持基板１０に支持された半導体チップ１が転写される被転写基板２０を保持する。被転写基板保持部４０は、上面４１において被転写基板２０を保持する。被転写基板保持部４０は、第２移動機構４２により、少なくともＸ軸方向およびＹ軸方向に関して支持基板保持部３０に対して相対移動可能なように構成されている。なお、移動機構は、第１移動機構３２および第２移動機構４２のいずれか一方のみが設けられていても良い。第１移動機構３２による支持基板保持部３０の移動および第２移動機構４２による被転写基板保持部４０の移動の一方または両方が行われることにより、支持基板１０内に配置された転写領域１２の被転写基板２０に対する相対位置、および、転写領域１２に支持された半導体チップ１の被転写基板２０に対する相対位置を調節することができる。

【0033】

レーザ光照射部５０は、支持基板１０にレーザ光Ｌを照射するように構成されている。レーザ光照射部５０は、レーザ光源５１と、ガルバノミラー５２と、ｆθレンズ５３とを含む。レーザ光源５１は、レーザ光Ｌを出射する光源である。ガルバノミラー５２は、交差する二軸に回転可能であり、レーザ光Ｌを任意の角度で反射する。ｆθレンズ５３はガルバノミラー５２からのレーザ光Ｌを支持基板１０の転写領域１２上に集光する。したがって、支持基板１０内に配置された転写領域１２の大きさは、ガルバノミラー５２の走査範囲内に納まる。

【0034】

レーザ光照射部５０は、ガルバノミラー５２およびｆθレンズ５３を介して、支持基板保持部３０に保持された支持基板１０の半導体チップ１を支持した面と反対側の面にレーザ光Ｌを照射する。レーザ光Ｌは、ガルバノミラー５２およびｆθレンズ５３により、転写領域１２に支持されている半導体チップ１に対して選択的に照射される。レーザ光Ｌが支持基板１０を介して剥離層２（図１参照）に照射されることにより、レーザリフトオフにより支持基板１０から半導体チップ１が剥離され、支持基板１０から被転写基板２０へ半導体チップ１が転写される。

【0035】

制御部６１は、制御装置６０に設けられている。制御装置６０は、たとえばＰＣ（パーソナルコンピュータ）により構成される。制御装置６０は、制御部６１と、記憶部６７とを備える。

【0036】

制御部６１は、たとえば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）などのプロセッサにより構成され、記憶部６７に記憶されたプログラムを実行することにより各種制御を行う。制御部６１は、支持基板１０の保持領域１１内に複数の同一形状の転写領域１２を互いに接しつつ重ならないように配置する制御を行う。ここで、「転写領域１２を配置する」とは、転写領域１２を定義または設定することを示す。また、制御部６１は、転写領域１２内の半導体チップ１の中から被転写基板２０に転写する半導体チップ１を選択する計算を実行する。また、制御部６１は、転写領域１２内の半導体チップ１にレーザ光照射部５０にレーザ光Ｌを照射させることにより、転写領域１２内の半導体チップ１のみを被転写基板２０に転写する制御を行う。

【0037】

（制御部６１の各機能ブロック）
図５に示すように、制御部６１は、転写領域配置部６２と、選択計算部６３と、光源制御部６４と、光学制御部６５と、移動機構制御部６６と、を含む。

【0038】

図３に示すように、転写領域配置部６２は、半導体チップ１が保持された保持領域１１内に複数の転写領域１２を配置する。複数の転写領域１２は、同一形状の転写領域１２を互いに接しつつ重ならないように配置する。転写領域配置部６２による転写領域１２の配置により、保持領域１１内には、複数の同一形状の転写領域１２と、転写領域１２以外の複数の領域１５とが含まれる。転写領域１２以外の複数の領域１５は、一定の同一形状の転写領域１２の形状と異なる形状を有する。転写領域１２以外の複数の領域１５は、計算工程（図６参照）において、領域内の半導体チップ１の中から被転写基板２０に転写する半導体チップ１を選択する計算が実行されない領域である。また、転写領域１２以外の複数の領域１５は、転写工程（図６参照）において、半導体チップ１の被転写基板２０への転写が行われない領域である。

【0039】

転写領域配置部６２は、半導体チップ１の転写工程の開始前に、予め記憶部６７（図３参照）に記憶されている、または、入力部６９により入力された、今回実行される半導体チップ１の転写工程において設定される転写領域１２の形状および配置を参照し、半導体チップ１が支持された支持基板１０における保持領域１１内に転写領域１２を配置する。第１実施形態において、転写領域１２の形状は矩形である。転写領域配置部６２により支持基板１０内に配置された複数の転写領域１２の形状および配置は、記憶部６７に記憶される。

【0040】

転写領域１２は、保持領域１１の中心部に設けられた第１転写領域１２ａと、第１転写領域１２ａを囲むように設けられた複数の第２転写領域１２ｂとを含む。隣接する第２転写領域１２ｂは互いに接して配置されるとともに、第１転写領域１２ａの外周は第２転写領域１２ｂのいずれかの外周と接している。また、保持領域１１の中心から最も離れた位置に設けられた第２転写領域１２ｂにおける保持領域１１の中心から最も離れた外周が、保持領域１１の外周縁に内接するように配置されている。

【0041】

すなわち、第１実施形態の転写領域１２は、略円形状の保持領域１１の中心部に設けられた矩形状の第１転写領域１２ａと、第１転写領域１２ａを囲むように設けられた４つの矩形状の第２転写領域１２ｂとを含む。隣接する第２転写領域１２ｂは、第１転写領域１２ａと接する角において互いに接して配置されている。第１転写領域１２ａの四辺の各々は、いずれかの第２転写領域１２ｂの一辺と接している。第２転写領域１２ｂの保持領域１１の中心から最も離れた２つの角は、保持領域１１の外周縁に内接するように配置されている。

【0042】

図５に示すように、選択計算部６３は、転写領域１２内の半導体チップ１の中から被転写基板２０に転写する半導体チップ１を選択する計算を実行する。上述したように、支持基板１０上の隣接する半導体チップ１の間隔は、支持基板１０から転写された被転写基板２０上の隣接する半導体チップ１の間隔よりも小さい。そのため、支持基板１０上の隣接する半導体チップ１を、被転写基板２０上にそのままの間隔で隣接するように転写することができない。そこで、半導体チップ１の転写工程の前に、転写領域配置部６２により配置された転写領域１２内の半導体チップ１の中から転写する半導体チップ１を選択する計算を行い、計算により選択された半導体チップ１を被転写基板２０に転写する。転写する半導体チップ１を選択する具体的な計算方法は、公知の手法を用いて実行される。選択計算部６３は、半導体チップ１の転写工程の前に、すべての転写領域１２に対して被転写基板２０に転写する半導体チップ１を選択する計算を実行する。選択計算部６３の計算により選択された転写領域１２内の半導体チップ１は、記憶部６７に記憶される。

【0043】

光源制御部６４は、半導体チップ１の転写時に、レーザ光照射部５０（図４参照）からレーザ光Ｌを照射させる制御および照射を停止させる制御を行う。

【0044】

光学制御部６５は、選択計算部６３の計算により選択された転写領域１２内の半導体チップ１に対してレーザ光Ｌを照射するため、ガルバノミラー５２（図４参照）を調整する制御を行う。

【0045】

移動機構制御部６６は、第１移動機構３２（図４参照）による支持基板保持部３０（図４参照）の移動および第２移動機構４２（図４参照）による被転写基板保持部４０（図４参照）の移動の一方または両方を行わせる制御を行う。移動機構制御部６６は、被転写基板２０の被転写面上の所定の位置と支持基板１０の所定の転写領域１２の位置とが対向するように位置合わせを行うように構成されている。

【0046】

記憶部６７は、揮発性記憶装置および不揮発性記憶装置を含んで構成される。記憶部６７は、プログラムや、転写装置１００の転写に関する各種情報などを記憶している。

【0047】

制御装置６０には、表示部６８および入力部６９が接続されている。表示部６８は、たとえば液晶表示装置である。表示部６８は、エレクトロルミネッセンス表示装置、プロジェクタ、ヘッドマウントディスプレイであってもよい。入力部６９は、たとえばマウスである。入力部６９は、キーボードやタッチパネルであってもよい。

【0048】

（半導体チップ１の転写方法の処理の流れ）
図６を参照して、第１実施形態による、半導体チップ１の転写方法の処理の流れについて説明する。なお、以下に説明する半導体チップ１の転写方法の処理は、制御部６１により実行される。なお、処理ステップの順番は、互いに矛盾しない限りにおいて、前後を入れ替えたり同時に実行させたりすることができる。

【0049】

ステップＳ１において、転写領域配置部６２は、予め記憶部６７に記憶された、または、入力部６９により入力された、今回実行される半導体チップ１の転写工程において設定される転写領域１２の形状および配置を参照し、支持基板１０における保持領域１１内に転写領域１２を配置する。転写領域配置部６２は、保持領域１１内に複数の同一形状の転写領域１２を互いに接しつつ重ならないように配置する。その後、処理はステップＳ２に進む。

【0050】

ステップＳ２において、選択計算部６３は、転写領域配置部６２により配置された転写領域１２内の半導体チップ１の中から被転写基板２０に転写する半導体チップ１を選択する計算を実行する。選択計算部６３は、転写領域１２毎に転写する半導体チップ１を選択する計算を実行する。選択計算部６３は、転写領域１２以外の複数の領域に対しては、被転写基板２０に転写する半導体チップ１を選択する計算を実行しない。その後、処理はステップＳ３に進む。

【0051】

ステップＳ３において、移動機構制御部６６は、第１移動機構３２を介して半導体チップ１を支持した支持基板１０を保持した支持基板保持部３０の移動、および、第２移動機構４２を介して被転写基板２０を保持した被転写基板保持部４０を移動、の一方または両方を行わせる。移動機構制御部６６は、第１移動機構３２および第２移動機構４２の少なくとも一方を介して、被転写基板２０の被転写面上の半導体チップ１が転写される所定の位置と、支持基板１０の半導体チップ１が転写される複数の転写領域１２のうちの１つの転写領域１２の位置とが対向するように、位置合わせを行う。その後、処理はステップＳ４に進む。

【0052】

ステップＳ４において、光学制御部６５は、ガルバノミラー５２を調整するとともに、光源制御部６４は、レーザ光照射部５０からレーザ光Ｌを照射させる。支持基板１０の半導体チップ１を支持した面と反対側の面から半導体チップ１にレーザ光Ｌが照射されることにより、１つの転写領域１２内の半導体チップ１のみが被転写基板２０に転写される。転写領域１２以外の領域は、レーザ光が照射されず、半導体チップ１は被転写基板２０へ転写されない。その後、処理はステップＳ５に進む。

【0053】

ステップＳ５において、転写領域配置部６２は、配置した複数の転写領域１２のすべてにおいて半導体チップ１の被転写基板２０へ転写が終了したか否かを判定する。転写領域配置部６２は、配置した複数の転写領域１２のすべてにおいて半導体チップ１の被転写基板２０への転写が終了したと判定した場合（ステップＳ５においてＹｅｓ）、処理は終了し、配置した複数の転写領域１２のすべてにおいて半導体チップ１の被転写基板２０への転写が終了していないと判定した場合（ステップＳ５においてＮｏ）は、処理はステップＳ３に進む。なおステップＳ５の判定は、転写領域配置部６２ではなく、制御部６１の他の機能部により実行されても良い。

【0054】

次に、図７を参照して、比較例による半導体チップの転写方法について説明する。転写領域１２は複数の同一形状の領域が互いに重ならないように配置されている例を示した上記第１実施形態とは異なり、比較例による転写領域９２は複数の異なる形状の領域が重なるものと重ならないものを含んで配置されている。なお、比較例による支持基板９０は、第１実施形態の支持基板１０と同様のものである。

【0055】

比較例による支持基板９０の保持領域９１内には、複数の異なる形状の転写領域９２が配置されている。複数の転写領域９２は、互いに重なるものと、互いに重ならないものを含んでいる。複数の転写領域９２は異なる形状の転写領域９２が混在するため、複数の転写領域９２における半導体チップ（不図示）の位置および数は一様ではない。また、異なる形状の複数の転写領域９２から半導体チップが被転写基板（不図示）に転写されることに起因して、被転写基板における半導体チップが転写される領域の形状が複雑化する。また、複数の転写領域９２のうち互いに重なる転写領域９２については、重なる部分における半導体チップが既に転写されているか否かを判定する必要がある。そのため、第１実施形態による転写領域１２と比べて、比較例による転写領域９２では、異なる形状を含む転写領域９２内の半導体チップの中から被転写基板に転写する半導体チップを選択する計算時間が長くなり、転写工程に要する時間が増加する。

【0056】

（第１実施形態の効果）
次に、第１実施形態の効果について説明する。

【0057】

第１実施形態の半導体チップ１の転写方法では、上記のように、半導体チップ１が支持された支持基板１０における半導体チップ１の保持領域１１内に複数の同一形状の転写領域１２を互いに重ならないよう配置する転写領域配置工程と、転写領域１２内の半導体チップ１の中から被転写基板２０に転写する半導体チップ１を選択する計算を実行する計算工程と、転写領域１２内の半導体チップ１にレーザ光Ｌを照射することにより転写領域１２内の半導体チップ１のみを被転写基板２０に転写する転写工程と、を備える。これにより、複数の同一形状の転写領域１２における半導体チップ１の位置および数は一様となる。また、異なる形状の複数の転写領域１２から半導体チップが被転写基板２０に転写されることに起因する被転写基板２０における半導体チップ１の転写される領域の形状が複雑化することを抑制することができる。また、複数の転写領域１２のうち互いに重なる転写領域１２がないため、重なる部分における半導体チップ１の有無を判定する必要がない。これらの理由から、異なる形状を含む複数の転写領域１２における転写する半導体チップ１を選択する計算を実行する場合と比べて、被転写基板２０に転写する半導体チップ１を選択する計算時間の増加を抑制することができる。その結果、支持基板１０から被転写基板２０に半導体チップ１を転写する転写工程に要する時間の増大を抑制することができる。

【0058】

なお、第１実施形態の半導体チップ１の転写方法では、支持基板１０の転写領域１２以外の領域に支持された半導体チップ１は被転写基板２０に転写されない。これにより、支持基板１０には、転写されない一定数の半導体チップ１が存在することになる。そのため、半導体チップ１の転写における歩留まりが悪いとも考えられる。しかしながら、第１実施形態の半導体チップ１の転写方法では、半導体チップ１の歩留まりの低下と引き換えに、被転写基板２０に転写する半導体チップ１を選択する計算速度を速くすることができる。そのため、第１実施形態の半導体チップ１の転写方法によれば、異なる形状を含む複数の転写領域１２における転写する半導体チップ１を選択する計算を実行する場合と比べて、被転写基板２０に転写する半導体チップ１を選択する計算時間の増加を抑制することができる。

【0059】

また、第１実施形態では、上記のように、転写領域配置工程は、支持基板１０の保持領域１１内に複数の同一形状の転写領域１２を互いに接しつつ重ならないように配置する。これにより、同一形状の転写領域１２を互いに接さないように間隔を隔てて配置する場合と比べて、隣接する転写領域１２の間の間隙を低減させて保持領域１１内に転写領域１２を効率良く配置することができるため、転写可能な半導体チップ１の数を増加させることができる。そのため、転写する半導体チップ１を選択する計算時間の増加を抑制しながら、転写領域１２内の半導体チップ１のみを被転写基板２０に転写する転写工程において転写可能な半導体チップ１の数を増加させることができる。

【0060】

また、第１実施形態では、上記のように、転写領域１２は、保持領域１１の中心部に設けられた第１転写領域１２ａと、第１転写領域１２ａを囲むように設けられた複数の第２転写領域１２ｂとを含む。これにより、保持領域１１内に転写領域１２をより効率良く配置することができるため、転写可能な半導体チップ１の数をより増加させることができる。そのため、転写する半導体チップ１を選択する計算時間の増加を抑制しながら、転写可能な半導体チップ１の数をより増加させることができる。

【0061】

また、第１実施形態では、上記のように、隣接する第２転写領域１２ｂは互いに接して配置されるとともに、第１転写領域１２ａの外周は第２転写領域１２ｂのいずれかの外周と接している。これにより、支持基板１０内に第１転写領域１２ａと第２転写領域１２ｂとの間の間隙を低減させて保持領域１１内において転写領域１２をさらに効率良く配置することができるため、転写可能な半導体チップ１の数をさらに増加させることができる。そのため、転写する半導体チップ１を選択する計算時間の増加を抑制しながら、転写可能な半導体チップ１の数をさらに増加させることができる。

【0062】

また、第１実施形態では、上記のように、保持領域１１の中心から最も離れた位置に設けられた転写領域１２における支持基板１０の中心から最も離れた外周が、保持領域１１の外周縁に内接するように配置されている。これにより、保持領域１１の中心から最も離れた位置に設けられた転写領域１２の保持領域１１の中心から最も離れた外周が保持領域１１の外周縁に内接するように配置されていない場合と比べて、保持領域１１の外周縁近傍に転写領域１２をより効率良く配置することができるため、転写可能な半導体チップ１の数をさらに増加させることができる。そのため、転写する半導体チップ１を選択する計算時間の増加を抑制しながら、転写可能な半導体チップ１の数をより増加させることができる。

【0063】

また、第１実施形態では、上記のように、転写領域１２の形状は矩形であり、かつ、被転写基板２０の形状は矩形である。これにより、矩形状の転写領域１２に支持された半導体チップ１を同じ矩形状の被転写基板２０に転写することができるため、転写領域１２における転写可能な半導体チップ１の被転写基板２０に対する使用効率の低下を抑制することができる。

【0064】

また、第１実施形態の半導体チップ１の転写装置１００は、上記のように、制御部６１は、支持基板１０における半導体チップ１の保持領域１１内に複数の同一形状の転写領域１２を互いに重ならないように配置し、転写領域１２内の半導体チップ１の中から被転写基板２０に転写する半導体チップ１を選択する計算を実行し、転写領域１２内の半導体チップ１にレーザ光照射部５０にレーザ光Ｌを照射させることにより、転写領域１２内の半導体チップ１のみを被転写基板２０に転写する制御を行うように構成されている。これにより、複数の同一形状の転写領域１２における半導体チップ１の位置および数は一様となる。また、異なる形状の複数の転写領域１２から半導体チップが被転写基板２０に転写されることに起因する被転写基板２０における半導体チップ１の転写される領域の形状が複雑化することを抑制することができる。また、複数の転写領域１２のうち互いに重なる転写領域１２がないため、重なる部分における半導体チップ１の有無を判定する必要がない。これらの理由から、異なる形状を含む複数の転写領域１２における転写する半導体チップ１を選択する計算を実行する場合と比べて、被転写基板２０に転写する半導体チップ１を選択する計算時間の増加を抑制することができる。その結果、支持基板１０から被転写基板２０に半導体チップ１を転写する転写工程に要する時間の増大を抑制することが可能な半導体チップ１の転写装置１００を提供することができる。

【0065】

［第２実施形態］
次に、図８を参照して、第２実施形態による半導体チップ１の転写方法について説明する。第２実施形態では、転写領域１２の形状は矩形である例を示した上記第１実施形態とは異なり、転写領域１３の形状は正六角形である例について説明する。第２実施形態において第１実施形態と共通する点については、説明を省略する。なお、図８において、転写領域１３は、ハッチングにより図示された領域である。また、図面の簡略化のため、半導体チップ１の図示は省略している。

【0066】

第２実施形態においても、転写領域１３は、保持領域１１の中心部に設けられた第１転写領域１３ａと、第１転写領域１３ａを囲むように設けられた複数の第２転写領域１３ｂとを含む。隣接する第２転写領域１３ｂは互いに接して配置されるとともに、第１転写領域１３ａの外周は第２転写領域１３ｂのいずれかの外周と接している。また、保持領域１１の中心から最も離れた位置に設けられた第２転写領域１３ｂにおける保持領域１１の中心から最も離れた外周が、保持領域１１の外周縁に内接するように配置されている。

【0067】

第２実施形態の転写領域１２は、略円形状の保持領域１１の中心部に設けられた六角形状の第１転写領域１３ａと、第１転写領域１３ａを囲むように設けられた６つの六角形状の第２転写領域１３ｂとを含む。第１転写領域１３ａの六辺の各々は、いずれかの第２転写領域１３ｂの一辺と重なるように接している。第２転写領域１３ｂの第１転写領域１３ａと重なるように接する一辺と接続する辺は、隣接する第２転写領域１３ｂの辺と重なるように接している。第２転写領域１３ｂの保持領域１１の中心から最も離れた２つの角は、保持領域１１の外周縁に内接するように配置されている。

【0068】

第１実施形態における隣接する第２転写領域１２ｂは、第１転写領域１２ａと接する角において互いに接して配置されている。これに対して、第２実施形態における隣接する第２転写領域１３ｂは、互いの一辺を接して配置されている。そのため、第２実施形態による半導体チップ１の転写方法は、第１実施形態による半導体チップ１の転写方法と比べて、隣接する転写領域１３の間の間隙を低減させて保持領域１１内に転写領域１３をより効率良く配置することができる。そのため、保持領域１１内における半導体チップ１の使用効率の低下を抑制することができる。また、第１実施形態と同様、異なる形状を含む複数の転写領域における転写する半導体チップを選択する計算を実行する場合と比べて、被転写基板に転写する半導体チップを選択する計算時間の増加を抑制することができる。一方、第２実施形態による半導体チップ１の転写方法は、第１実施形態による半導体チップ１の転写方法と比べて、六角形状の転写領域１３における転写可能な半導体チップ１の矩形状の被転写基板２０に対する使用効率は劣ることになる。

【0069】

（第２実施形態の効果）
次に、第２実施形態の効果について説明する。

【0070】

第２実施形態の半導体チップ１の転写方法では、上記のように、保持領域１１の形状は略円形であり、転写領域１３の形状は正六角形である。これにより、隣接する転写領域１３の互いの一辺を対向するように配置することができるため、隣接する転写領域１３の間の間隙をより低減させて保持領域１１内に転写領域１３をより効率良く配置することができる。そのため、保持領域１１内における半導体チップ１の使用効率の低下をより抑制することができる。

【0071】

なお、第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。

【0072】

［第３実施形態］
次に、図９を参照して、第３実施形態による半導体チップ１の転写方法について説明する。第３実施形態では、転写領域１２の形状は矩形である例を示した上記第１実施形態とは異なり、転写領域１４の形状は真円形である例について説明する。第３実施形態において第１実施形態と共通する点については、説明を省略する。なお、図９において、転写領域１４は、ハッチングにより図示された領域である。また、図面の簡略化のため、半導体チップ１の図示は省略している。

【0073】

第３実施形態においても、転写領域１４は、保持領域１１の中心部に設けられた第１転写領域１４ａと、第１転写領域１４ａを囲むように設けられた複数の第２転写領域１４ｂとを含む。隣接する第２転写領域１４ｂは互いに接して配置されるとともに、第１転写領域１４ａの外周は第２転写領域１４ｂのいずれかの外周と接している。また、保持領域１１の中心から最も離れた位置に設けられた第２転写領域１４ｂにおける保持領域１１の中心から最も離れた外周が、保持領域１１の外周縁に内接するように配置されている。

【0074】

第３実施形態の転写領域１４は、略円形状の保持領域１１の中心部に設けられた真円形状の第１転写領域１４ａと、第１転写領域１４ａを囲むように設けられた６つの真円形状の第２転写領域１４ｂとを含む。隣接する第２転写領域１４ｂは、互いの円周上において接して配置されている。第１転写領域１４ａは、第１転写領域１４ａの円周上において、いずれかの第２転写領域１４ｂの円周と接している。第２転写領域１４ｂの保持領域１１の中心から最も離れた円周状の点において、保持領域１１の外周縁に内接するように配置されている。

【0075】

第１実施形態における隣接する第２転写領域１２ｂは、第１転写領域１２ａと接する角において互いに接して配置されている。これに対して、第３実施形態における隣接する第２転写領域１４ｂは、互いの円周上において接して配置されている。そのため、第３実施形態による半導体チップ１の転写方法は、第１実施形態による半導体チップ１の転写方法と比べて、隣接する転写領域１４の間の間隙を低減させて保持領域１１内に転写領域１４をより効率良く配置することができる。そのため、保持領域１１内における半導体チップ１の使用効率の低下を抑制することができる。また、第１実施形態と同様、異なる形状を含む複数の転写領域における転写する半導体チップを選択する計算を実行する場合と比べて、被転写基板に転写する半導体チップを選択する計算時間の増加を抑制することができる。一方、第３実施形態による半導体チップ１の転写方法は、第１実施形態による半導体チップ１の転写方法と比べて、真円形状の転写領域１４における転写可能な半導体チップ１の矩形状の被転写基板２０に対する使用効率は劣ることになる。

【0076】

（第３実施形態の効果）
次に、第３実施形態の効果について説明する。

【0077】

上記第３実施形態の半導体チップ１の転写方法では、上記のように、保持領域１１の形状は略円形であり、転写領域１４の形状は真円形である。これにより、略円形状の保持領域１１内において隣接する複数の転写領域１４に囲まれた間隙を低減させてに転写領域１４をより効率良く配置することができる。そのため、保持領域１１内における半導体チップ１の使用効率の低下を抑制することができる。

【0078】

なお、第３実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。

【0079】

［変形例］
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更（変形例）が含まれる。

【0080】

たとえば、上記第１実施形態では、転写領域配置工程において、支持基板１０の保持領域１１内に複数の同一形状の転写領域１２が互いに接しつつ重ならないように配置される例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、転写領域配置工程において、支持基板１０の保持領域１１内に複数の同一形状の転写領域１２が、互いに接さず、かつ、重ならないように配置されていても良い。

【0081】

また、上記第１実施形態では、転写領域１２は、保持領域１１の中心部に設けられた第１転写領域１２ａと、第１転写領域１２ａを囲むように設けられた複数の第２転写領域１２ｂとを含む例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、第１転写領域１２ａは保持領域１１の中心部に設けられていなくても良いし、第２転写領域１２ｂは、第１転写領域１２ａを囲むように設けられていなくても良い。また、たとえば、保持領域１１の中心部に設けられた第１転写領域１２ａと、第１転写領域１２ａを囲むように設けられた複数の第２転写領域１２ｂと、第２転写領域１２ｂを囲むように設けられた複数の第３転写領域とを含んでいても良い。

【0082】

また、上記第１実施形態では、隣接する第２転写領域１２ｂは互いに接して配置されるとともに、第１転写領域１２ａの外周は第２転写領域１２ｂのいずれかの外周と接している例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、隣接する第２転写領域１２ｂは互いに接して配置されていなくても良いし、第１転写領域１２ａの外周は第２転写領域１２ｂのいずれかの外周と接していなくても良い。

【0083】

また、上記第１実施形態では、保持領域１１の中心から最も離れた位置に設けられた転写領域１２における保持領域１１の中心から最も離れた外周が、保持領域１１の外周縁に内接するように配置されている例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、保持領域１１の中心から最も離れた位置に設けられた転写領域１２における保持領域１１の中心から最も離れた外周は、保持領域１１の外周縁に内接していなくても良い。

【0084】

また、上記第１～第３実施形態では、支持基板１０の形状は円形であり、保持領域１１の形状は略円形であり、被転写基板２０の形状は矩形である例を示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、支持基板１０、保持領域１１および被転写基板２０の形状は、いずれも、円形であっても良いし、多角形であっても良い。

【0085】

また、上記第１～第３実施形態では、レーザ光照射部５０は、レーザ光源５１と、ガルバノミラー５２と、ｆθレンズ５３とを含む例を示したが、本発明はこれに限られない。
たとえば、ガルバノミラー５２の代わりにポリゴンミラーを用いても良いし、ガルバノミラー５２とｆθレンズ５３の代わりにマスクを用いても良い。

【0086】

また、上記第１～第３実施形態では、複数の転写領域の形状は互いに同一形状である。これにより、複数の転写領域における半導体チップの位置および数は一様となる。また、異なる形状の複数の転写領域から半導体チップが被転写基板に転写されることに起因する被転写基板における半導体チップの転写される領域の形状が複雑化することを抑制することができる。その一方、複数の転写領域の形状は必ずしも同一形状でなくとも構わない。

【符号の説明】

【0087】

１ 半導体チップ
１０ 支持基板
１１ 保持領域
１２、１３、１４ 転写領域
１２ａ、１３ａ、１４ａ 第１転写領域
１２ｂ、１３ｂ、１４ｂ 第２転写領域
２０ 被転写基板
３０ 支持基板保持部
４０ 被転写基板保持部
５０ レーザ光照射部
６１ 制御部
１００ 転写装置
Ｌ レーザ光

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】