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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023138879
(43)【公開日】2023-10-03
(54)【発明の名称】半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/683 20060101AFI20230926BHJP
H01L 21/02 20060101ALI20230926BHJP
H01L 21/304 20060101ALI20230926BHJP
【ＦＩ】
H01L21/68 N
H01L21/02 C
H01L21/304 631
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022044780
(22)【出願日】2022-03-21
(71)【出願人】
【識別番号】000003078
【氏名又は名称】株式会社東芝
(71)【出願人】
【識別番号】317011920
【氏名又は名称】東芝デバイス＆ストレージ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100119035
【弁理士】
【氏名又は名称】池上 徹真
(74)【代理人】
【識別番号】100141036
【弁理士】
【氏名又は名称】須藤 章
(74)【代理人】
【識別番号】100178984
【弁理士】
【氏名又は名称】高下 雅弘
(72)【発明者】
【氏名】古住 信介
【テーマコード（参考）】
5F057
5F131
【Ｆターム（参考）】
5F057AA05
5F057AA12
5F057AA21
5F057EC15
5F057FA16
5F131AA02
5F131BA51
5F131EC32
5F131EC34
5F131EC52
5F131EC62
5F131EC63
5F131EC66
5F131EC67
5F131EC68
5F131EC69
(57)【要約】
【課題】高性能の半導体装置を製造可能な、半導体製造装置を提供する。
【解決手段】第１基板面と、第１基板面に対向し第１基板面の上に設けられた第２基板面と、を有する基板であって、第２基板面に貼付された保護テープと、帯状の形状を有し、第１端部と、第２端部と、を有し、保護テープに、第２基板面の上にわたって貼付された剥離テープと、を有する基板に対し、剥離テープの第１端部の上から、第２基板面の中央又はその近傍の上に設けられた剥離テープの上に向かって、第２基板面に平行な第１移動を行いながら、第１端部から剥離テープの第１剥離を行う第１ローラーと、剥離テープの第２端部の上から、第２基板面の中央又はその近傍の上に設けられた剥離テープの上に向かって、第２基板面に平行で第１移動の逆方向の第２移動を行いながら、第２端部から剥離テープの第２剥離を行う第２ローラーと、を備える半導体製造装置である。
【選択図】図２
【解決手段】第１基板面と、第１基板面に対向し第１基板面の上に設けられた第２基板面と、を有する基板であって、第２基板面に貼付された保護テープと、帯状の形状を有し、第１端部と、第２端部と、を有し、保護テープに、第２基板面の上にわたって貼付された剥離テープと、を有する基板に対し、剥離テープの第１端部の上から、第２基板面の中央又はその近傍の上に設けられた剥離テープの上に向かって、第２基板面に平行な第１移動を行いながら、第１端部から剥離テープの第１剥離を行う第１ローラーと、剥離テープの第２端部の上から、第２基板面の中央又はその近傍の上に設けられた剥離テープの上に向かって、第２基板面に平行で第１移動の逆方向の第２移動を行いながら、第２端部から剥離テープの第２剥離を行う第２ローラーと、を備える半導体製造装置である。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１基板面と、前記第１基板面に対向し前記第１基板面の上に設けられた第２基板面と、を有する基板であって、
前記第２基板面に貼付された保護テープと、
帯状の形状を有し、第１端部と、第２端部と、を有し、前記保護テープに、前記第２基板面の上にわたって貼付された剥離テープと、を有する前記基板に対し、
前記剥離テープの前記第１端部の上から、前記第２基板面の中央又はその近傍の上に設けられた前記剥離テープの上に向かって、前記第２基板面に平行な第１移動を行いながら、前記第１端部から前記剥離テープの第１剥離を行う第１ローラーと、
前記剥離テープの前記第２端部の上から、前記第２基板面の中央又はその近傍の上に設けられた前記剥離テープの上に向かって、前記第２基板面に平行で前記第１移動の逆方向の第２移動を行いながら、前記第２端部から前記剥離テープの第２剥離を行う第２ローラーと、
を備える半導体製造装置。
前記第２基板面に貼付された保護テープと、
帯状の形状を有し、第１端部と、第２端部と、を有し、前記保護テープに、前記第２基板面の上にわたって貼付された剥離テープと、を有する前記基板に対し、
前記剥離テープの前記第１端部の上から、前記第２基板面の中央又はその近傍の上に設けられた前記剥離テープの上に向かって、前記第２基板面に平行な第１移動を行いながら、前記第１端部から前記剥離テープの第１剥離を行う第１ローラーと、
前記剥離テープの前記第２端部の上から、前記第２基板面の中央又はその近傍の上に設けられた前記剥離テープの上に向かって、前記第２基板面に平行で前記第１移動の逆方向の第２移動を行いながら、前記第２端部から前記剥離テープの第２剥離を行う第２ローラーと、
を備える半導体製造装置。
【請求項2】
前記第１剥離及び前記第２剥離により、前記保護テープは前記第２基板面から剥離される、
請求項１記載の半導体製造装置。
請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項3】
第１基板面と、前記第１基板面に対向し前記第１基板面の上に設けられた第２基板面と、を有する基板であって、
前記第２基板面に貼付された保護テープと、
帯状の形状を有し、第１端部と、第２端部と、を有し、前記保護テープに、前記第２基板面の上にわたって貼付された剥離テープと、を有する前記基板に対し、
第１ローラーを、前記剥離テープの前記第１端部の上から、前記第２基板面の中央又はその近傍の上に設けられた前記剥離テープの上に向かって、前記第２基板面に平行な第１移動を行いながら、前記第１端部から前記剥離テープの第１剥離を行う工程と、
第２ローラーを、前記剥離テープの前記第２端部の上から、前記第２基板面の中央又はその近傍の上に設けられた前記剥離テープの上に向かって、前記第２基板面に平行で前記第１移動の逆方向の第２移動を行いながら、前記第２端部から前記剥離テープの第２剥離を行う工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
前記第２基板面に貼付された保護テープと、
帯状の形状を有し、第１端部と、第２端部と、を有し、前記保護テープに、前記第２基板面の上にわたって貼付された剥離テープと、を有する前記基板に対し、
第１ローラーを、前記剥離テープの前記第１端部の上から、前記第２基板面の中央又はその近傍の上に設けられた前記剥離テープの上に向かって、前記第２基板面に平行な第１移動を行いながら、前記第１端部から前記剥離テープの第１剥離を行う工程と、
第２ローラーを、前記剥離テープの前記第２端部の上から、前記第２基板面の中央又はその近傍の上に設けられた前記剥離テープの上に向かって、前記第２基板面に平行で前記第１移動の逆方向の第２移動を行いながら、前記第２端部から前記剥離テープの第２剥離を行う工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項4】
前記第１剥離を行う工程と、前記第２剥離を行う工程は、同時に行われる、
請求項３記載の半導体装置の製造方法。
請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項5】
前記第１剥離及び前記第２剥離により、前記保護テープは前記第２基板面から剥離される、
請求項３又は請求項４記載の半導体装置の製造方法。
請求項３又は請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項6】
前記保護テープの直径は、前記基板の直径より短い、
請求項３乃至請求項５いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
請求項３乃至請求項５いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項7】
第１基板面と、前記第１基板面に対向し前記第１基板面の上に設けられた第２基板面と、を有する基板であって、
前記第２基板面に貼付された保護テープと、
帯状の形状を有し、前記基板の第１基板端部における前記第２基板面の上の前記保護テープに貼付された剥離テープと、を有する前記基板に対し、
前記剥離テープを切断する切断機構と、
前記第１基板端部の上から、前記第２基板面の中央又はその近傍の上に向かって、前記第２基板面に平行な移動を行うことにより、前記剥離テープの剥離を行うローラーと、
前記基板を、前記第２基板面に平行な面内において回転させる回転機構と、
を備える半導体製造装置。
前記第２基板面に貼付された保護テープと、
帯状の形状を有し、前記基板の第１基板端部における前記第２基板面の上の前記保護テープに貼付された剥離テープと、を有する前記基板に対し、
前記剥離テープを切断する切断機構と、
前記第１基板端部の上から、前記第２基板面の中央又はその近傍の上に向かって、前記第２基板面に平行な移動を行うことにより、前記剥離テープの剥離を行うローラーと、
前記基板を、前記第２基板面に平行な面内において回転させる回転機構と、
を備える半導体製造装置。
【請求項8】
第１基板面と、前記第１基板面に対向し前記第１基板面の上に設けられた第２基板面と、を有する基板であって、
前記第２基板面に貼付された保護テープを有する前記基板に対し、
前記基板の第１基板端部における前記第２基板面の上の前記保護テープに、帯状の形状を有する第１剥離テープを貼付し、
前記第１基板端部の上から、前記第２基板面の中央又はその近傍の上に向かって、前記第２基板面に平行なローラーの第１移動を行いながら、前記第１剥離テープの第１剥離を行うことにより、前記保護テープを前記第２基板面から剥離し、
前記第１剥離テープを切断して、前記保護テープの上に第１剥離テープ残部を形成し、
前記基板を、前記第２基板面に平行な面内において回転し、
前記基板の第２基板端部における前記第２基板面の上の前記保護テープに、前記基板の直径より短い幅の帯状の形状を有する第２剥離テープを貼付し、
前記第２基板端部の上から、前記第２基板面の中央又はその近傍の上に向かって、前記第２基板面に平行な前記ローラーの第２移動を行いながら、前記第２剥離テープの第２剥離を行うことにより、前記保護テープを前記第２基板面から剥離する、
半導体装置の製造方法。
前記第２基板面に貼付された保護テープを有する前記基板に対し、
前記基板の第１基板端部における前記第２基板面の上の前記保護テープに、帯状の形状を有する第１剥離テープを貼付し、
前記第１基板端部の上から、前記第２基板面の中央又はその近傍の上に向かって、前記第２基板面に平行なローラーの第１移動を行いながら、前記第１剥離テープの第１剥離を行うことにより、前記保護テープを前記第２基板面から剥離し、
前記第１剥離テープを切断して、前記保護テープの上に第１剥離テープ残部を形成し、
前記基板を、前記第２基板面に平行な面内において回転し、
前記基板の第２基板端部における前記第２基板面の上の前記保護テープに、前記基板の直径より短い幅の帯状の形状を有する第２剥離テープを貼付し、
前記第２基板端部の上から、前記第２基板面の中央又はその近傍の上に向かって、前記第２基板面に平行な前記ローラーの第２移動を行いながら、前記第２剥離テープの第２剥離を行うことにより、前記保護テープを前記第２基板面から剥離する、
半導体装置の製造方法。
【請求項9】
前記保護テープの直径は、前記基板の直径より短い、
請求項８記載の半導体装置の製造方法。
請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などの半導体装置は、電力変換等の用途に用いられる。
【0003】
かかる半導体装置の製造においては、ウェハ（基板）の基板面に、バックグラインドテープ（ＢＧテープ）等の保護テープを貼付することが行われている。この保護テープを剥離する際には、剥離テープが用いられる。具体的には、保護テープの上に剥離テープを貼付し、剥離テープを剥離することにより、剥離テープと共に保護テープを基板面から剥離する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２００９－０４４００８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明が解決しようとする課題は、高性能の半導体装置を製造可能な、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
実施形態の半導体製造装置は、第１基板面と、第１基板面に対向し第１基板面の上に設けられた第２基板面と、を有する基板であって、第２基板面に貼付された保護テープと、帯状の形状を有し、第１端部と、第２端部と、を有し、保護テープに、第２基板面の上にわたって貼付された剥離テープと、を有する基板に対し、剥離テープの第１端部の上から、第２基板面の中央又はその近傍の上に設けられた剥離テープの上に向かって、第２基板面に平行な第１移動を行いながら、第１端部から剥離テープの第１剥離を行う第１ローラーと、剥離テープの第２端部の上から、第２基板面の中央又はその近傍の上に設けられた剥離テープの上に向かって、第２基板面に平行で第１移動の逆方向の第２移動を行いながら、第２端部から剥離テープの第２剥離を行う第２ローラーと、を備える。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】第１実施形態の基板、保護テープ及び粘着テープを示す模式図である。
【図2】第１実施形態の半導体製造装置の模式図である。
【図3】第１実施形態の他の態様の半導体製造装置の要部の模式図である。
【図4】第１実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図5】第１実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図6】第１実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図7】第１実施形態の比較形態の半導体製造装置において、剥離テープを用いて保護テープを剥離する際に、第１粘着層に加わる応力を説明するための模式断面図である。
【図8】第１実施形態の比較形態の半導体製造装置を用いて、保護テープを剥離する際に、第２基板面の上に残留する第１粘着層を模式的に示す図である。
【図9】第２実施形態の半導体製造装置の模式図である。
【図10】第２実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図11】第２実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図12】第２実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図13】第２実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明では、同一の部材等には同一の符号を付し、一度説明した部材等については適宜その説明を省略する。
【0009】
本明細書中、部品等の位置関係を示すために、図面の上方向を「上」、図面の下方向を「下」と記述する。本明細書中、「上」、「下」の概念は、必ずしも重力の向きとの関係を示す用語ではない。
【0010】
（第１実施形態）
本実施形態の半導体製造装置は、第１基板面と、第１基板面に対向し第１基板面の上に設けられた第２基板面と、を有する基板であって、第２基板面に貼付された保護テープと、帯状の形状を有し、第１端部と、第２端部と、を有し、保護テープに、第２基板面の上にわたって貼付された剥離テープと、を有する基板に対し、剥離テープの第１端部の上から、第２基板面の中央又はその近傍の上に設けられた剥離テープの上に向かって、第２基板面に平行な第１移動を行いながら、第１端部から剥離テープの第１剥離を行う第１ローラーと、剥離テープの第２端部の上から、第２基板面の中央又はその近傍の上に設けられた剥離テープの上に向かって、第２基板面に平行で第１移動の逆方向の第２移動を行いながら、第２端部から剥離テープの第２剥離を行う第２ローラーと、を備える。
本実施形態の半導体製造装置は、第１基板面と、第１基板面に対向し第１基板面の上に設けられた第２基板面と、を有する基板であって、第２基板面に貼付された保護テープと、帯状の形状を有し、第１端部と、第２端部と、を有し、保護テープに、第２基板面の上にわたって貼付された剥離テープと、を有する基板に対し、剥離テープの第１端部の上から、第２基板面の中央又はその近傍の上に設けられた剥離テープの上に向かって、第２基板面に平行な第１移動を行いながら、第１端部から剥離テープの第１剥離を行う第１ローラーと、剥離テープの第２端部の上から、第２基板面の中央又はその近傍の上に設けられた剥離テープの上に向かって、第２基板面に平行で第１移動の逆方向の第２移動を行いながら、第２端部から剥離テープの第２剥離を行う第２ローラーと、を備える。
【0011】
本実施形態の半導体装置の製造方法は、第１基板面と、第１基板面に対向し第１基板面の上に設けられた第２基板面と、を有する基板であって、第２基板面に貼付された保護テープと、帯状の形状を有し、第１端部と、第２端部と、を有し、保護テープに、第２基板面の上にわたって貼付された剥離テープと、を有する基板に対し、第１ローラーを、剥離テープの第１端部の上から、第２基板面の中央又はその近傍の上に設けられた剥離テープの上に向かって、第２基板面に平行な第１移動を行いながら、第１端部から剥離テープの第１剥離を行う工程と、第２ローラーを、剥離テープの第２端部の上から、第２基板面の中央又はその近傍の上に設けられた剥離テープの上に向かって、第２基板面に平行で第１移動の逆方向の第２移動を行いながら、第２端部から剥離テープの第２剥離を行う工程と、を備える。
【0012】
図１は、本実施形態の基板２、保護テープ１０及び剥離テープ２０を示す模式図である。図１（ａ）は、本実施形態の基板２、保護テープ１０及び剥離テープ２０の模式上面図である。図１（ｂ）は、本実施形態の基板２、保護テープ１０及び剥離テープ２０の一部の模式断面図である。
【0013】
基板２は、半導体材料を含む。ここで半導体材料は、例えばＳｉ（シリコン）、ＳｉＣ（炭化珪素）、ＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）、又はＧａＮ（窒化ガリウム）等であるが、これに限定されるものではない。基板２は、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の半導体デバイスが形成された基板である。本実施形態の半導体製造装置は、基板２をダイシング等により個片化し、上記の半導体デバイスを有する半導体装置（半導体チップ）を製造する工程において用いられる。
【0014】
基板２は、直径ｄ１を有する。基板２は、第１基板面２ａと、第１基板面２ａに対向し第１基板面２ａの上に設けられた第２基板面２ｂと、を有する。図１（ａ）においては、第２基板面２ｂの中央Ｏがあわせて図示されている。
【0015】
ここで、Ｘ方向と、Ｘ方向に対して垂直に交差するＹ方向と、Ｘ方向及びＹ方向に垂直に交差するＺ方向を定義する。第１基板面２ａ及び第２基板面２ｂは、ＸＹ面に対して平行に設けられているものとする。
【0016】
保護テープ１０は、第２基板面２ｂの上に設けられている。保護テープ１０は、第１粘着層１２を有する。そして、第１粘着層１２により、保護テープ１０は第２基板面２ｂに貼付されている。基板２にＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等の半導体デバイスが形成されている場合、オン抵抗低減のために、第１基板面２ａの研削により基板２の膜厚を薄くして、オン抵抗を低減させることが行われている。保護テープ１０は、この際に、第２基板面２ｂに形成されたＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等の回路パターンを保護するために用いられる。保護テープ１０は、例えば、バックグラインドテープである。また、保護テープ１０は、後工程流品時の基板２の保護のために用いられる。本実施形態の半導体製造装置及び半導体装置の製造方法は、かかる保護テープ１０の剥離のために用いられる。
【0017】
なお、保護テープ１０は、研削された基板面に貼付されることもある。例えば、第１基板面２ａにＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴの回路パターンが形成され、第２基板面２ｂが研削されて膜厚が薄くされた基板２を考える。かかる場合に、第２基板面２ｂに保護テープ１０が貼付されることもある。本実施形態の半導体製造装置及び半導体装置の製造方法は、研削された第２基板面２ｂに貼付された保護テープ１０の剥離のためにも、好ましく用いられる。
【0018】
また、保護テープ１０は、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴの回路パターンを有さず、かつ、研削されない基板面に貼付されることもある。例えば、第１基板面２ａにＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴの回路パターンが形成され、第２基板面２ｂが研削されていない基板２を考える。かかる場合に、第２基板面２ｂに保護テープ１０が貼付されることもある。本実施形態の半導体製造装置及び半導体装置の製造方法は、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴの回路パターンを有さず、かつ、研削されていない第２基板面２ｂに貼付された保護テープ１０の剥離のためにも、好ましく用いられる。
【0019】
以下、第１基板面２ａが研削され、第２基板面２ｂにＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等の回路パターンが形成されているものとして、説明を行う。
【0020】
本実施形態の半導体製造装置及び半導体装置の製造方法は、保護テープ１０の直径ｄ２が、基板２の直径ｄ１より短い場合に、特に好ましく用いられる。
【0021】
剥離テープ２０は、保護テープ１０の上に設けられている。剥離テープ２０は、例えば、基板２の直径ｄ１よりも短く、保護テープ１０の直径ｄ２よりも短い幅ｄ３の、帯状の形状を有する。なお、剥離テープの幅ｄ３は、基板２の直径ｄ１より長くても良い。剥離テープ２０は、第２基板面２ｂを横切るように、第２基板面２ｂにわたって、設けられている。剥離テープ２０は、第２粘着層２２を有する。そして、第２粘着層２２により、剥離テープ２０は、保護テープ１０に貼付されている。剥離テープ２０は、第１端部２０ａと、第２端部２０ｂと、を有する。なお、剥離テープ２０は、第１端部２０ａ及び第２端部２０ｂから、さらに延長された部分をそれぞれ有していてもかまわない。剥離テープ２０は、第２基板面２ｂから保護テープ１０を剥離するために用いられる。
【0022】
なお、保護テープ１０は、例えば、第２粘着層２２と粘着する図示しない粘着層を、さらに有していてもかまわない。
【0023】
基板２のノッチ２ｃは、例えば図１（ａ）の図面下側に設けられている。しかし、ノッチ２ｃは、例えば図１（ａ）の図面上側、図面左側、又は図面右側に設けられていてもかまわない。また、ノッチ２ｃは、設けられていなくてもかまわない。さらに、ノッチ２ｃの代わりに、オリエンテーションフラットが設けられていてもかまわない。
【0024】
図２は、本実施形態の半導体製造装置１００の模式図である。
【0025】
なお、第１粘着層１２及び第２粘着層２２の図示は、省略している。
【0026】
ここでは、裏面研削により薄膜化された基板２の第２基板面２ｂに貼付された保護テープ１０を、剥離テープ２０を用いて剥離する場合について説明する。基板２の第１基板面２ａには、基板２が薄膜化された場合においても基板２の強度を維持するための凸部２ｄが設けられている。なお、薄膜化されておらず凸部２ｄを有しない基板２に対しても、本実施形態の半導体製造装置１００は好ましく適用可能である。
【0027】
ステージ４は、基板２が載置されるステージである。ステージ４は、例えば、基板２を図示しない真空吸着機構等により保持したまま、Ｙ方向に移動可能である。
【0028】
ここで、Ｚ方向は、例えば、鉛直方向の反対方向である。ステージ４は、第１基板面２ａ及び第２基板面２ｂを水平に保持している。
【0029】
第１剥離ローラー４０（第１ローラーの一例）は、基板２の上方に設けられている。第１剥離ローラー４０は、第１端部２０ａから剥離テープ２０を剥離させる際に、剥離テープ２０を折り返して剥離させるためのローラーである。第１剥離ローラー４０は、ＹＺ面内において回転可能である。第１剥離ローラー４０は、例えば、第１剥離ローラー４０に接続されたシリンダー４４により、上下方向に移動可能となっている。また、例えば、シリンダー４４は、レール４６内に設けられたスライダー４２を用いて、基板２の上をＹ方向に移動可能である。これにより、第１剥離ローラー４０は、基板２の上をＹ方向に移動可能である。なお、第１剥離ローラー４０を上下方向及びＹ方向に移動可能とする手段は、上記のものに限定されない。
【0030】
第１貼付ローラー３６は、基板２の上方に設けられている。第１貼付ローラー３６は、保護テープ１０の上に剥離テープ２０を押し当てて貼付するためのものである。なお、第１貼付ローラー３６は、例えば、第１貼付ローラー３６に接続されたシリンダー３９、及びシリンダー３９に接続されたスライダー３８により、上下方向及びＹ方向に移動可能である。
【0031】
第１ヒーター３２は、基板２の上方に設けられている。第１ヒーター３２は、保護テープ１０の上に貼付された剥離テープ２０の第１端部２０ａを加熱することにより、剥離テープ２０を保護テープ１０に対してより強固に貼付するために設けられている。また、第１ヒーター３２は、保護テープ１０の上に貼付された剥離テープ２０の第１端部２０ａを加熱することにより、第１粘着層１２の粘着力を低下させるために設けられている。なお、第１ヒーター３２は、例えば、第１ヒーター３２に接続されたシリンダー３５、及びシリンダー３５に接続されたスライダー３４により、上下方向及びＹ方向に移動可能である。
【0032】
第２剥離ローラー６０（第２ローラーの一例）は、基板２の上方に設けられている。第２剥離ローラー６０は、第２端部２０ｂから剥離テープ２０を剥離させる際に、剥離テープ２０を折り返して剥離させるためのローラーである。第２剥離ローラー６０は、ＹＺ面内において回転可能である。第２剥離ローラー６０は、例えば、第２剥離ローラー６０に接続されたシリンダー６４により、上下方向に移動可能となっている。また、例えば、シリンダー６４は、レール４６内に設けられたスライダー６２を用いて、基板２の上をＹ方向に移動可能である。これにより、第２剥離ローラー６０は、基板２の上をＹ方向に移動可能である。なお、第２剥離ローラー６０を上下方向及びＹ方向に移動可能とする手段は、上記のものに限定されない。
【0033】
第２貼付ローラー５６は、基板２の上方に設けられている。第２貼付ローラー５６は、保護テープ１０の上に剥離テープ２０を押し当てて貼付するためのものである。なお、第２貼付ローラー５６は、例えば、第２貼付ローラー５６に接続されたシリンダー５９、及びシリンダー５９に接続されたスライダー５８により、上下方向及びＹ方向に移動可能である。
【0034】
第２ヒーター５２は、基板２の上方に設けられている。第２ヒーター５２は、保護テープ１０の上に貼付された剥離テープ２０の第２端部２０ｂを加熱することにより、剥離テープ２０を保護テープ１０に対してより強固に貼付するために設けられている。また、第２ヒーター５２は、保護テープ１０の上に貼付された剥離テープ２０の第２端部２０ｂを加熱することにより、第１粘着層１２の粘着力を低下させるために設けられている。なお、第２ヒーター５２は、例えば、第２ヒーター５２に接続されたシリンダー５５、及びシリンダー５５に接続されたスライダー５４により、上下方向及びＹ方向に移動可能である。
【0035】
なお、第１剥離ローラー４０及び第２剥離ローラー６０により剥離された剥離テープ２０及び保護テープ１０は、例えば、図示しない巻き取りローラー等を用いて巻き取られる。
【0036】
図３は、本実施形態の他の態様の半導体製造装置の要部の模式図である。第１剥離ローラー４０によって剥離された剥離テープ２０は、折り返しローラー４７によって上方向に折り返されていてもかまわない。なお、例えば、かかる折り返しローラー４７は、折り返しローラー４７に接続されたシリンダー４８及びシリンダー４８に接続されたスライダー４９により、上下方向及びＹ方向に移動可能となっている。また、第２剥離ローラー６０によって剥離された剥離テープ２０も、同様に、図示しない折り返しローラーによって上方向に折り返されていてもかまわない。
【0037】
図４乃至図６は、本実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための模式図である。なお、図４乃至図６において、第１ヒーター３２、スライダー３４、シリンダー３５、第１貼付ローラー３６、シリンダー３９、スライダー３８、第２ヒーター５２、スライダー５４、シリンダー５５、第２貼付ローラー５６、スライダー５８及びシリンダー５９の図示は、省略する。
【0038】
まず、第１貼付ローラー３６を用いて、剥離テープ２０の第１端部２０ａを、保護テープ１０の上に押し当てて貼付する。また、第２貼付ローラー５６を用いて、剥離テープ２０の第２端部２０ｂを、保護テープ１０の上に押し当てて貼付する。同様にして、剥離テープ２０を、第２基板面２ｂにわたって、保護テープ１０の上に貼付する。
【0039】
次に、第１ヒーター３２を用いて、剥離テープ２０の第１端部２０ａを加熱する。また、第２ヒーター５２を用いて、剥離テープ２０の第２端部２０ｂを加熱する。同様にして、剥離テープ２０を、第２基板面２ｂにわたって加熱する。
【0040】
次に、第１剥離ローラー４０を、スライダー４２を用いて、第１端部２０ａの上から、第２基板面２ｂの中央Ｏ又はその近傍の上に設けられた剥離テープ２０の上に向かって、第２基板面２ｂに平行なＹ方向の移動（第１移動の一例）をさせる。これにより、第１端部２０ａから剥離テープ２０の第１剥離を行う。ここで、第１剥離ローラー４０による剥離テープ２０の折り返しの形状は、できるだけ一定になっていることが好ましい。言い換えると、第１剥離ローラー４０による剥離テープ２０の折り返しの形状ができるだけ一定になるように、第１剥離ローラー４０のＹ方向の移動が行われる。
【0041】
また、第２剥離ローラー６０を、スライダー６２を用いて、第２端部２０ｂの上から、第２基板面２ｂの中央Ｏ又はその近傍の上に設けられた剥離テープ２０の上に向かって、第２基板面２ｂに平行なＹ方向の移動（第２移動の一例）をさせる。これにより、第２端部２０ｂから剥離テープ２０の第２剥離を行う。ここで、第２剥離ローラー６０による剥離テープ２０の折り返しの形状は、できるだけ一定になっていることが好ましい。言い換えると、第２剥離ローラー６０による剥離テープ２０の折り返しの形状ができるだけ一定になるように、第２剥離ローラー６０の－Ｙ方向の移動が行われる（図４、図５）。
【0042】
このようにして、保護テープ１０が、剥離される（図６）。
【0043】
ここで、第１剥離を行う工程と、第２剥離を行う工程は、同時に行われることが好ましい。また、第１移動の第１距離と、第２移動の第２距離は、等しいことが好ましい。
【0044】
また、第１剥離ローラー４０と剥離テープ２０の間の滑り等がなければ、第１移動の第１距離は、剥離テープ２０の第１剥離の第１剥離量と等しい。また、第２剥離ローラー６０と剥離テープ２０の間の滑り等がなければ、第２移動の第２距離は、剥離テープ２０の第２剥離の第２剥離量と等しい。
【0045】
次に、本実施形態の半導体製造装置及び半導体装置の製造方法の作用効果を記載する。
【0046】
保護テープ１０を基板２に貼付する場合、基板２の直径ｄ１より大きな直径を有する保護テープ１０を貼付する場合と、基板２の直径ｄ１より小さな直径を有する保護テープ１０を貼付する場合の２通りが考えられる。ここで、基板２の直径ｄ１より大きな直径を有する保護テープ１０を貼付する場合には、保護テープ１０が貼付された基板２を基板カセット等に挿入する場合に、基板２からはみ出した保護テープ１０の第１粘着層１２が基板カセット内に付着して、基板カセットが汚染されるという問題があった。また、後工程で基板２を流す際に、基板２からはみ出した保護テープ１０の第１粘着層１２が、他の半導体製造装置に付着して、他の半導体製造装置が汚染されるという問題があった。そのため、上記の観点からは、基板２の直径ｄ１より小さな直径を有する保護テープ１０を貼付することが好ましい。
【0047】
図７は、本実施形態の比較形態の半導体製造装置において、剥離テープ２０を用いて保護テープ１０を剥離する際に、第１粘着層１２に加わる応力を説明するための模式断面図である。比較形態の半導体製造装置においては、剥離テープ２０を用いて、一方向に、保護テープ１０の剥離を行う。図７では、Ｙ方向に保護テープ１０の剥離を行うものとして、説明を行う。図７（ａ）に示した剥離開始点付近においては、第１粘着層１２には強い曲げ応力が加わらないため、第１粘着層１２は脆性破壊されないと考えられる。しかし、図７（ｂ）に示した剥離終点付近では、第１粘着層１２に強い曲げ応力が加わり、第１粘着層１２が脆性破壊されると考えられる。残留した第１粘着層１２は、後工程において用いられる他の半導体製造装置を汚染したり、基板２に形成される半導体装置の特性に悪い影響を及ぼすおそれがあった。
【0048】
図８は、本実施形態の比較形態の半導体製造装置を用いて保護テープ１０を剥離する際に、第２基板面２ｂの上に残留する第１粘着層１２を模式的に示す図である。上記のように、保護テープ１０の剥離終点付近で、第１粘着層１２が残留する。ここで、保護テープ１０の剥離方向に平行な方向における、第１粘着層１２が残留する部分の長さｄ４は、基板２の直径ｄ１の３０％程度である。
【0049】
また、第１粘着層１２の残留の量は、基板２の直径ｄ１より小さな直径を有する保護テープ１０を貼付した場合に、特に多くなっていた。
【0050】
かかる残留した第１粘着層１２を除去するために、例えば、有機溶剤を用いて、基板２の洗浄を行うことが考えられる。しかし、製造工程が増加し、半導体装置が高コスト化するという問題があった。
【0051】
そこで、本実施形態の半導体製造装置は、第１端部の上から第２基板面の中央の上に向かって、第２基板面に平行な第１移動を行いながら、第１端部から剥離テープの第１剥離を行う第１ローラーと、第２端部の上から中央の上に向かって、第２基板面に平行で第１移動の逆方向の第２移動を行いながら、第２端部から剥離テープの第２剥離を行う第２ローラーと、を備える。
【0052】
第１剥離ローラー４０で第１移動を行いながら第１剥離を行い、第２剥離ローラー６０で第１移動の逆方向の第２移動を行いながら第２剥離を行うことにより、第１剥離ローラー４０及び第２剥離ローラー６０による剥離テープ２０の折り返しの形状を、できるだけ一定にすることが可能である。そのため、保護テープ１０の剥離が終了する部分及びその近傍で、第１粘着層１２に強い応力が加わらないようにすることが可能となる。これにより、第１粘着層１２の第２基板面２ｂに対する残留が抑制されるため、形成される半導体装置の特性に及ぼす悪い影響が抑制される。そのため、高性能の半導体装置の提供が可能となる。
【0053】
第１剥離を行う工程と、第２剥離を行う工程は、同時に行われることが好ましい。また、第１移動の第１距離と、第２移動の第２距離は、等しいことが好ましい。基板２はステージ４に対し真空吸着等により固定されている。ここで、第１剥離を行う工程と第２剥離を行う工程が同時に行われる場合には、第１剥離により基板２に加わる力と第２剥離により基板２に加わる力が互いに打ち消しあう。そのため、基板２がステージ４からずれることが発生しにくい。しかし、第１剥離と第２剥離が同時に行われない場合には、第１剥離により基板２に加わる力と第２剥離により基板２に加わる力が互いに打ち消しあわないため、基板２がステージ４からずれやすくなる。第１移動の第１距離と第２移動の第２距離が等しくない場合にも、基板２がステージ４からずれやすくなる。
【0054】
本実施形態の半導体製造装置によれば、高性能の半導体装置の製造が可能な半導体製造装置の提供が可能となる。本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、高性能の半導体装置の製造が可能な製造方法の提供が可能となる。
【0055】
（第２実施形態）
本実施形態の半導体製造装置は、第１基板面と、第１基板面に対向し第１基板面の上に設けられた第２基板面と、を有する基板であって、第２基板面に貼付された保護テープと、帯状の形状を有し、基板の第１基板端部における第２基板面の上の保護テープに貼付された剥離テープと、を有する基板に対し、剥離テープを切断する切断機構と、第１基板端部の上から、第２基板面の中央又はその近傍の上に向かって、第２基板面に平行な移動を行うことにより、剥離テープの剥離を行うローラーと、基板を、第２基板面に平行な面内において回転させる回転機構と、を備える。
本実施形態の半導体製造装置は、第１基板面と、第１基板面に対向し第１基板面の上に設けられた第２基板面と、を有する基板であって、第２基板面に貼付された保護テープと、帯状の形状を有し、基板の第１基板端部における第２基板面の上の保護テープに貼付された剥離テープと、を有する基板に対し、剥離テープを切断する切断機構と、第１基板端部の上から、第２基板面の中央又はその近傍の上に向かって、第２基板面に平行な移動を行うことにより、剥離テープの剥離を行うローラーと、基板を、第２基板面に平行な面内において回転させる回転機構と、を備える。
【0056】
本実施形態の半導体装置の製造方法は、第１基板面と、第１基板面に対向し第１基板面の上に設けられた第２基板面と、を有する基板であって、第２基板面に貼付された保護テープを有する基板に対し、基板の第１基板端部における第２基板面の上の保護テープに、帯状の形状を有する第１剥離テープを貼付し、第１基板端部の上から、第２基板面の中央又はその近傍の上に向かって、第２基板面に平行なローラーの第１移動を行いながら、第１剥離テープの第１剥離を行うことにより、保護テープを第２基板面から剥離し、第１剥離テープを切断して、保護テープの上に第１剥離テープ残部を形成し、基板を、第２基板面に平行な面内において回転し、基板の第２基板端部における第２基板面の上の保護テープに、基板の直径より短い幅の帯状の形状を有する第２剥離テープを貼付し、第２基板端部の上から、第２基板面の中央又はその近傍の上に向かって、第２基板面に平行なローラーの第２移動を行いながら、第２剥離テープの第２剥離を行うことにより、保護テープを第２基板面から剥離する。
【0057】
ここで、第１実施形態と重複する内容の記載は省略する。
【0058】
図９は、本実施形態の半導体製造装置１１０の模式図である。
【0059】
ステージ４は、ＸＹ面に平行な面内において、回転させるための回転機構６を有する。回転機構６は、例えば、モータである。これにより、基板２は、第２基板面２ｂに平行な面内において、回転可能である。
【0060】
切断機構７４は、剥離テープ２０を切断するために設けられている。切断機構７４は、例えば、テープカッターである。なお、切断機構７４は、例えば、切断機構７４に接続されたシリンダー７３、及びシリンダー７３に接続されたスライダー７２により、上下方向及びＹ方向に移動可能である。
【0061】
なお、半導体製造装置１１０においては、例えば、第２ヒーター５２、スライダー５４、シリンダー５５、第２貼付ローラー５６、スライダー５８、シリンダー５９、第２剥離ローラー６０、スライダー６２及びシリンダー６４は、設けられていなくてもよい。
【0062】
図１０乃至図１２は、本実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための模式図である。なお、第１ヒーター３２、スライダー３４、シリンダー３５、第１貼付ローラー３６、スライダー３８、シリンダー３９の図示は、省略する。
【0063】
まず、第１貼付ローラー３６を用いて、第１剥離テープ２０ｃを、第１基板端部２ｅの第２基板面２ｂの上の保護テープ１０の上に押し当てて、貼付する。次に、第１ヒーター３２を用いて、第１剥離テープ２０ｃを加熱する。
【0064】
次に、第１剥離ローラー４０を、スライダー４２を用いて、第１基板端部２ｅの上から、第２基板面２ｂの中央Ｏ又はその近傍の上に向かって、第２基板面２ｂに平行なＹ方向の第１移動をさせる。これにより、第１剥離テープ２０ｃの第１剥離を行う（図１０）。
【0065】
上記の第１剥離により、第１基板端部２ｅの上の保護テープ１０は、基板２から剥離される。次に、切断機構７４を用いて、第１剥離テープ２０ｃの一部を切断する。これにより、第１基板端部２ｅの上の保護テープ１０の上に、第１剥離テープ２０ｃの一部から、第１剥離テープ残部２１ａを形成する（図１１）。
【0066】
次に、ステージ４の回転機構６を用いて、例えば、基板２を、水平面内（第１基板面２ａ及び第２基板面２ｂに平行な面内）において、１８０度回転させる。
【0067】
次に、第１貼付ローラー３６を用いて、第２剥離テープ２０ｄを、第２基板端部２ｆの第２基板面２ｂの上の保護テープ１０の上に押し当てて、貼付する。次に、第１ヒーター３２を用いて、第２剥離テープ２０ｄを加熱する。
【0068】
次に、第１剥離ローラー４０を、スライダー４２を用いて、第２基板端部２ｆの上から、第２基板面２ｂの中央Ｏ又はその近傍の上に向かって、第２基板面２ｂに平行なＹ方向の第２移動をさせる。これにより、第２剥離テープ２０ｄの第２剥離を行う。これにより、保護テープ１０全体を、基板２から剥離する（図１２）。
【0069】
【0070】
図１０乃至図１２においては、基板２を、水平面内（第１基板面２ａ及び第２基板面２ｂに平行な面内）において、１８０度回転させた場合を例にして説明した。この場合、第１基板端部２ｅと第２基板端部２ｆは、第２基板面２ｂの中央Ｏを挟んで互いに対向して設けられている。そのため、第１剥離テープ２０ｃと第２剥離テープ２０ｄは、第２基板面２ｂの中央Ｏを挟んで互いに対向して設けられている。
【0071】
しかし、例えば、基板端部２ｇのように、第１基板端部２ｅから基板２を９０度回転させた箇所に設けられている箇所の近傍に、剥離テープ２０ｅを貼付してもかまわない。
【0072】
ただし、第１剥離テープ２０ｃと第２剥離テープ２０ｄが、第２基板面２ｂの中央Ｏを挟んで互いに対向して設けられている方が好ましい。例えば、基板端部２ｅに剥離テープ２０ｃを貼付して保護テープ１０の一部を剥離した後に、基板端部２ｇに剥離テープ２０ｅを貼付して保護テープ１０の一部を剥離することを考える。この場合、例えば基板端部２ｇから第２基板面２ｂの中央Ｏを挟んで対向して設けられた基板端部２ｈの近傍に、第１粘着層１２が残留すると考えられる。これを抑制するためには、基板端部２ｈの近傍に、剥離テープ２０を貼付して保護テープ１０を剥離することになると考えられる。言い換えると、剥離テープ２０ｃ、剥離テープ２０ｅ、及び基板端部２ｈ近傍の剥離テープ２０、の３枚の剥離テープ２０を用いて、保護テープ１０を剥離することになると考えられる。しかしこのようにすると、剥離テープ２０を貼付する箇所が増加してしまい、保護テープ１０の剥離のための工程数が増加してしまう。
【0073】
これに対して、第１剥離テープ２０ｃと第２剥離テープ２０ｄが、第２基板面２ｂの中央Ｏを挟んで互いに対向して設けられている場合には、第１粘着層１２の残留を抑制しながら、保護テープ１０全体を剥離することが出来る。
【0074】
第１剥離及び第２剥離により、第２基板面２ｂから、保護テープ１０を基板２の直径ｄ１の３０％以上剥離することが好ましい。一方向に保護テープ１０の剥離を行った場合、保護テープ１０の剥離方向に平行な方向において、剥離終点付近の第１粘着層１２が残留する部分の長さｄ４は、基板２の直径ｄ１の３０％程度である。この点は、図８において図示している。
【0075】
そこで、第１剥離においても、第２剥離においても、保護テープ１０を基板２の直径ｄ１の３０％以上剥離しておくようにする。これは、剥離開始点付近で、保護テープ１０を基板２の直径ｄ１の３０％以上剥離しておくようにするものである。
【0076】
これにより、その後に行われる剥離では、剥離終点付近の基板２の直径ｄ１の３０％程度の距離で、すでに保護テープ１０が剥離されているために、第１粘着層１２に強い応力が加わらないようにすることができる。よって、第１粘着層１２の残留を抑制することが出来る。
【0077】
本実施形態の半導体製造装置によれば、高性能の半導体装置の製造が可能な半導体製造装置の提供が可能となる。本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、高性能の半導体装置の製造が可能な製造方法の提供が可能となる。
【0078】
本発明のいくつかの実施形態及び実施例を説明したが、これらの実施形態及び実施例は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことが出来る。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【0079】
２ ：基板
２ａ ：第１基板面
２ｂ ：第２基板面
２ｅ ：第１基板端部
２ｆ ：第２基板端部
６ ：回転機構
１０ ：保護テープ
２０ ：剥離テープ
２０ａ ：第１端部
２０ｂ ：第２端部
２０ｃ ：第１剥離テープ
２０ｄ ：第２剥離テープ
２１ａ ：第１剥離テープ残部
４０ ：第１剥離ローラー（第１ローラー、ローラー）
６０ ：第２剥離ローラー（第２ローラー）
７４ ：切断機構
１００ ：半導体製造装置
１１０ ：半導体製造装置
Ｏ ：中央
２ａ ：第１基板面
２ｂ ：第２基板面
２ｅ ：第１基板端部
２ｆ ：第２基板端部
６ ：回転機構
１０ ：保護テープ
２０ ：剥離テープ
２０ａ ：第１端部
２０ｂ ：第２端部
２０ｃ ：第１剥離テープ
２０ｄ ：第２剥離テープ
２１ａ ：第１剥離テープ残部
４０ ：第１剥離ローラー（第１ローラー、ローラー）
６０ ：第２剥離ローラー（第２ローラー）
７４ ：切断機構
１００ ：半導体製造装置
１１０ ：半導体製造装置
Ｏ ：中央
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】