特開 2023-139604 基板処理方法および基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023139604

(43)【公開日】2023-10-04

(54)【発明の名称】基板処理方法および基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20230927BHJP

   H01L 21/027 20060101ALI20230927BHJP

   B05D 1/40 20060101ALI20230927BHJP

   B05D 7/00 20060101ALI20230927BHJP

   B05D 3/00 20060101ALI20230927BHJP

   B05D 3/10 20060101ALI20230927BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 648G

H01L21/304 647Z

H01L21/304 643A

H01L21/304 651B

H01L21/30 577

B05D1/40 A

B05D7/00 E

B05D3/00 D

B05D3/10 K

B05D3/10 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022045210

(22)【出願日】2022-03-22

(71)【出願人】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100088672

【弁理士】

【氏名又は名称】吉竹 英俊

(74)【代理人】

【識別番号】100088845

【弁理士】

【氏名又は名称】有田 貴弘

(72)【発明者】

【氏名】林 宗儒

【テーマコード（参考）】

4D075

5F146

5F157

【Ｆターム（参考）】

4D075AC06

4D075AC09

4D075AC64

4D075AC88

4D075AC91

4D075BB18Z

4D075BB20Z

4D075BB24Z

4D075BB76Z

4D075CA47

4D075CA48

4D075DA06

4D075DA08

4D075DB13

4D075DC21

4D075DC22

4D075EA45

4D075EB43

4D075EC01

4D075EC10

5F146MA01

5F146MA10

5F157AA09

5F157AA12

5F157AA16

5F157AA42

5F157AA43

5F157AA46

5F157AA64

5F157AA76

5F157AB02

5F157AB16

5F157AB33

5F157AB49

5F157AB51

5F157AB64

5F157AB90

5F157BB23

5F157BB24

5F157BB42

5F157BE23

5F157BE43

5F157BE46

5F157BF59

5F157BF83

5F157BH18

5F157BH19

5F157CE10

5F157CE25

5F157CE33

5F157DB02

5F157DB03

5F157DB18

5F157DB57

(57)【要約】

【課題】基板の周縁部上の除去困難な残渣または残膜をＳＰＭ処理によって適切に除去できる技術を提供する。
【解決手段】基板処理方法は、基板の主面にＳＯＧ膜を含む保護膜を形成する工程であって、該主面の周縁部が保護膜で覆われておらず、該主面のうち周縁部より内側領域が保護膜で覆われるように保護膜を形成する第１工程と、保護膜形成工程の後、硫酸と過酸化水素水との混合液を含む処理液により周縁部上の残渣または残膜を除去する第２工程と、残膜除去工程の後、保護膜を除去する第３工程と、を備える。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板の主面にＳＯＧ膜を含む保護膜を形成する工程であって、前記主面の周縁部が前記保護膜で覆われておらず、前記主面のうち前記周縁部より内側領域が前記保護膜で覆われるように前記保護膜を形成する第１工程と、
前記第１工程の後、硫酸と過酸化水素水との混合液を含む処理液により前記周縁部上の残渣または残膜を除去する第２工程と、
前記第２工程の後、前記保護膜を除去する第３工程と、を備える、基板処理方法。

【請求項2】

請求項１に記載の基板処理方法であって、
前記残膜または前記残膜は、硬化層を含むレジスト、アモルファスカーボンおよびＮｉＰｔ合金の少なくともいずれか一つを含む、基板処理方法。

【請求項3】

請求項１または請求項２に記載の基板処理方法であって、
前記第３工程において、フッ酸を含む薬液により前記保護膜を除去する、基板処理方法。

【請求項4】

請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
前記第１工程は、第１ノズルからフッ酸を含む薬液を前記基板に向けて吐出し、前記基板の前記主面の全面に形成されたＳＯＧ膜の周縁部を前記薬液により除去して、前記保護膜を前記主面の前記内側領域に形成する保護ベベル工程を含み、
前記第２工程において、前記第１ノズルの吐出口よりも大きな吐出口を有する第２ノズルから前記処理液を前記基板に向けて吐出し、前記処理液により前記残渣または前記残膜を除去する、基板処理方法。

【請求項5】

請求項４に記載の基板処理方法であって、
前記第１工程において、前記基板の前記主面と鉛直方向において向かい合う位置に設けられた前記第１ノズルから、斜め外方を向く吐出方向に沿って前記薬液を吐出させて、前記ＳＯＧ膜の前記周縁部を除去し、
前記第２工程において、前記第２ノズルが前記処理液を前記保護膜に向かって吐出し、前記保護膜に着液した前記処理液を、前記基板の回転により、前記保護膜から前記基板の前記周縁部に向かって流す、基板処理方法。

【請求項6】

請求項４または請求項５に記載の基板処理方法であって、
前記第１工程は、前記保護ベベル工程の前に実行され、前記基板の前記主面に塗布液を塗布し、前記塗布液を乾燥させて前記保護膜を形成する保護膜形成工程をさらに備える、基板処理方法。

【請求項7】

主面の周縁部がＳＯＧ膜を含む保護膜で覆われておらず、かつ、前記主面のうち前記周縁部より内側領域が前記保護膜で覆われた基板を水平姿勢で保持しつつ、前記基板を回転させる基板保持部と、
硫酸と過酸化水素水との混合液を含む処理液を前記基板に向けて吐出して、前記基板の前記主面の周縁部上の残渣または残膜を前記処理液により除去するノズルと
を備える、基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理方法および基板処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体デバイスは、基板の一方の主面に各種のパターンを形成することにより、製造される。各種のパターンは、基板の一方の主面のうち中央領域に形成され、その周縁領域には形成されない。

【0003】

この基板の周縁部には、パターン形成の際に各種物質の残渣が付着したり、前工程で残った不要な膜が残ったりする場合がある。こうした残渣や残膜を除去するために、基板の周縁部を洗浄するベベル処理が行われることがある。このようなベベル処理を行う基板処理装置としては、例えば、特許文献１に記載の基板処理装置が採用され得る。特許文献１では、基板処理装置は、基板保持部と、ノズルとを含む。基板保持部は基板を水平姿勢で保持しつつ、該基板の中心を通る鉛直な回転軸線まわりで該基板を回転させる。ノズルは回転中の基板の周縁部に向かって処理液を吐出し、該処理液を基板の周縁部に供給する。処理液が基板の周縁部に作用することにより、基板の周縁部を洗浄することができる。

【0004】

基板の周縁部に残存する残膜は、基板と強固に結合し、通常の洗浄液やエッチング液では容易に除去できないものがある。こうした除去困難な残膜の例としては、硬化層を有するレジスト残膜や、成膜工程等で基板に成膜されたアモルファスカーボン、ＮｉＰｔ合金などの残膜がある。こうした除去困難な残膜を除去する手段として、ＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水との混合液）を用いたエッチング処理がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１５－７００２３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

硫酸やＳＰＭは、粘度が高いため、硫酸やＳＰＭを用いて基板の周縁部のみにエッチング処理を行うことが難しい。また、硫酸と過酸化水素水の混合により生じる蒸気は基板の周縁部以外にも流れていくため、基板の中央部に形成されたパターンが汚染されるおそれがある。

【0007】

そこで、本開示は、基板の周縁部上の除去困難な残渣または残膜をＳＰＭ処理によって適切に除去できる技術を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

第１の態様は、基板処理方法であって、基板の主面にＳＯＧ膜を含む保護膜を形成する工程であって、前記主面の周縁部が前記保護膜で覆われておらず、前記主面のうち前記周縁部より内側領域が前記保護膜で覆われるように前記保護膜を形成する第１工程と、前記第１工程の後、硫酸と過酸化水素水との混合液を含む処理液により前記周縁部上の残渣または残膜を除去する第２工程と、前記第２工程の後、前記保護膜を除去する第３工程と、を備える。

【0009】

第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理方法であって、前記残渣または前記残膜は、硬化層を含むレジスト、アモルファスカーボンおよびＮｉＰｔ合金の少なくともいずれか一つを含む。

【0010】

第３の態様は、第１または第２の態様にかかる基板処理方法であって、前記第３工程において、フッ酸を含む薬液により前記保護膜を除去する。

【0011】

第４の態様は、第１から第３のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記第１工程は、第１ノズルからフッ酸を含む薬液を前記基板に向けて吐出し、前記基板の前記主面の全面に形成されたＳＯＧ膜の周縁部を前記薬液により除去して、前記保護膜を前記主面の前記内側領域に形成する保護ベベル工程を含み、前記第２工程において、前記第１ノズルの吐出口よりも大きな吐出口を有する第２ノズルから前記処理液を前記基板に向けて吐出し、前記処理液により前記残渣または前記残膜を除去する。

【0012】

第５の態様は、第４の態様にかかる基板処理方法であって、前記第１工程において、前記基板の前記主面と鉛直方向において向かい合う位置に設けられた前記第１ノズルから、斜め外方を向く吐出方向に沿って前記薬液を吐出させて、前記ＳＯＧ膜の前記周縁部を除去し、前記第２工程において、前記第２ノズルが前記処理液を前記保護膜に向かって吐出し、前記保護膜に着液した前記処理液を、前記基板の回転により、前記保護膜から前記基板の前記周縁部に向かって流す。

【0013】

第６の態様は、第４または第５の態様にかかる基板処理方法であって、前記第１工程は、前記保護ベベル工程の前に実行され、前記基板の前記主面に塗布液を塗布し、前記塗布液を乾燥させて前記保護膜を形成する保護膜形成工程をさらに備える。

【0014】

第７の態様は、基板処理装置であって、主面の周縁部がＳＯＧ膜を含む保護膜で覆われておらず、かつ、前記主面のうち前記周縁部より内側領域が前記保護膜で覆われた基板を水平姿勢で保持しつつ、前記基板を回転させる基板保持部と、硫酸と過酸化水素水との混合液を含む処理液を吐出して、前記基板の前記主面の前記周縁部上の残渣または残膜を処理液により除去するノズルとを備える。

【発明の効果】

【0015】

第１および第７の態様によれば、基板の主面の内側領域をＳＯＧ膜で覆いつつＳＰＭにより基板の周縁部上の残渣または残膜が除去される。ＳＯＧ膜はＳＰＭによってほとんど除去されないので、基板の内側領域を適切に保護しつつ、残渣または残膜を適切に除去することができる。

【0016】

第２の態様によれば、除去困難な残渣または残膜を除去することができる。

【0017】

第３の態様によれば、基板の周縁部に対するダメージを抑制しつつ、保護膜を除去することができる。

【0018】

第４の態様によれば、薬液の粘度が低いので、高い位置精度で保護周縁部を除去することができる。また、ＳＰＭの粘度は高いものの、第２ノズルの吐出口は大きいので、第２ノズルはＳＰＭをより適切に吐出することができる。

【0019】

第５の態様によれば、保護ベベル工程において、保護膜の端面を傾斜面とすることができる。このため、その後の第２工程において、処理液が保護膜の傾斜面から基板の周縁部に滑らかに流れる。よって、処理液が傾斜面と基板の周縁部との境界にも作用しやすく、基板の周縁部をより適切に処理することができる。

【0020】

第６の態様によれば、安価なウェット処理ユニットによって、保護膜を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す平面図である。

【図2】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す縦断面図である。

【図3】基板Ｗの構成の一例を概略的に示す図である。

【図4】制御部の内部構成の一例を概略的に示す機能ブロック図である。

【図5】基板処理装置が実行する基板処理方法の一例を示すフローチャートである。

【図6】各工程における基板Ｗの様子の一例を概略的に示す図である。

【図7】塗布ユニットの構成の一例を概略的に示す図である。

【図8】保護膜形成処理の具体的な一例を示すフローチャートである。

【図9】ベベルユニットの構成の一例を概略的に示す図である。

【図10】ベベルユニットの構成の一例を概略的に示す平面図である。

【図11】加熱部の構成の一例を概略的に示す平面図である。

【図12】保護ベベル処理の具体的な一例を示すフローチャートである。

【図13】洗浄ユニットの構成の一例を概略的に示す図である。

【図14】基板ベベル処理および保護膜除去処理の具体的な一例を示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0022】

以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化がなされるものである。また、図面に示される構成の大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。

【0023】

また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。

【0024】

また、以下に記載される説明において、「第１」または「第２」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序に限定されるものではない。

【0025】

相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現が用いられる場合、該表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「Ａ，ＢおよびＣの少なくともいずれか一つ」という表現が用いられる場合、該表現は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ，ＢおよびＣのうち任意の２つ、ならびに、Ａ，ＢおよびＣの全てを含む。

【0026】

＜基板処理装置１００の概要＞
図１は、基板処理装置１００の構成の一例を概略的に示す平面図であり、図２は、基板処理装置１００の構成の一例を概略的に示す縦断面図である。基板処理装置１００は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。基板Ｗは例えば半導体基板であり、ここでは円板形状を有している。基板Ｗの直径は特に制限されないものの、例えば、２００ｍｍから３００ｍｍ程度である。

【0027】

図３は、基板Ｗの構成の一例を概略的に示す図である。図３の例では、基板Ｗの断面図および平面図が示されている。基板Ｗの一方の主面には、例えば、各種の回路パターンが形成される。以下では、基板Ｗの一方の主面をデバイス面Ｗａとも呼ぶ。デバイス面Ｗａは平面視において円形状を有している。デバイス面Ｗａのうち周縁領域Ｗａ１には、回路パターンは形成されない。周縁領域Ｗａ１は、基板Ｗの周縁から所定幅を有する円環状の領域である。所定幅は、例えば、数ｍｍから数十ｍｍ程度である。デバイス面Ｗａのうち周縁領域Ｗａ１よりも内側の円形状の中央領域Ｗａ２には、回路パターンが形成される。

【0028】

ここでは、基板Ｗの他方の主面には回路パターンは形成されていないものとする。以下では、他方の主面を非デバイス面Ｗｂとも呼ぶ。また、非デバイス面Ｗｂの周縁領域と、基板Ｗの端面と、デバイス面Ｗａの周縁領域Ｗａ１とを有する部分を、基板Ｗの基板周縁部ＶＷ１とも呼ぶ。

【0029】

このような基板Ｗの基板周縁部ＶＷ１の表面には、異物が残留し得る。該異物は、例えば、回路パターンをデバイス面Ｗａに形成するための各種処理の際に生じた各種物質の残渣もしくは残膜である。より具体的な一例として、該残渣または該残膜は、硬化層を含むレジスト、アモルファスカーボンおよび合金（例えばニッケルと白金の合金）の少なくともいずれか一つを含む。このような異物は硫酸および過酸化水素水の混合液（ＳＰＭ）によって除去することができる。

【0030】

本実施の形態にかかる基板処理装置１００は、基板周縁部ＶＷ１に付着した異物を除去することができる。以下では、まず、基板処理装置１００の構成および動作を概説し、その後、詳述する。

【0031】

図１および図２の例では、基板処理装置１００は、インデクサ部１１０と、装置本体１２０と、制御部９０とを含んでいる。

【0032】

＜インデクサ部１１０＞
インデクサ部１１０は装置本体１２０と外部との間に設けられている。インデクサ部１１０は、装置本体１２０と外部との間で基板Ｗを搬出入するためのインターフェース部である。ここでは、複数の基板Ｗを収納した基板収容器（以下、キャリアと呼ぶ）Ｃが外部からインデクサ部１１０に搬入される。

【0033】

インデクサ部１１０は、複数のロードポート１１１と、インデクサロボット１１２とを含む。各ロードポート１１１は、外部から搬入されたキャリアＣを保持する。インデクサロボット１１２は、キャリアＣと装置本体１２０との間で基板Ｗを搬送する搬送ユニットである。インデクサロボット１１２はキャリアＣから未処理の基板Ｗを順次に取り出し、該基板Ｗを装置本体１２０に搬送するとともに、装置本体１２０によって処理された処理済みの基板Ｗを装置本体１２０から順次に受け取り、該基板ＷをキャリアＣに収納する。処理済みの基板Ｗを収納したキャリアＣはロードポート１１１から外部に搬出される。

【0034】

＜装置本体１２０＞
装置本体１２０は、基板Ｗを処理する部分であり、複数のドライ処理ユニット１０と、複数のウェット処理ユニット２０と、搬送ユニット３０とを含む。

【0035】

＜搬送ユニット３０＞
搬送ユニット３０はインデクサロボット１１２とドライ処理ユニット１０とウェット処理ユニット２０との相互間において基板Ｗを搬送する。図１の例では、搬送ユニット３０は、シャトル搬送ユニット３１と、センターロボット３２とを含んでいる。シャトル搬送ユニット３１は第１受渡位置と第２受渡位置との間で基板Ｗを水平方向に沿って搬送する。シャトル搬送ユニット３１は第１受渡位置においてインデクサロボット１１２と基板Ｗの受け渡しを行い、第２受渡位置においてセンターロボット３２と基板Ｗの受け渡しを行う。センターロボット３２は、シャトル搬送ユニット３１とドライ処理ユニット１０とウェット処理ユニット２０との相互間において基板Ｗを搬送する搬送ユニットである。

【0036】

＜ドライ処理ユニット１０の概要＞
ドライ処理ユニット１０は基板Ｗに対してドライ処理を行う。図１に示されるように、各ドライ処理ユニット１０は、熱処理ユニット１０Ａと、冷却ユニット１０Ｂと、室内搬送ユニット１０Ｃとを含んでいる。熱処理ユニット１０Ａは基板Ｗを加熱する。冷却ユニット１０Ｂは基板Ｗを冷却する。室内搬送ユニット１０Ｃは熱処理ユニット１０Ａと冷却ユニット１０Ｂとの間で基板Ｗを搬送する。

【0037】

＜ウェット処理ユニット２０の概要＞
ウェット処理ユニット２０は基板Ｗに対して種々の処理液を供給し、各処理液に応じたウェット処理を基板Ｗに対して行う。複数のウェット処理ユニット２０には、塗布ユニット２０Ａ、ベベルユニット２０Ｂおよび洗浄ユニット２０Ｃが含まれる。

【0038】

塗布ユニット２０Ａは、基板Ｗのデバイス面Ｗａの全面に塗膜Ｆ２を形成させる塗布処理を行う（図６（ａ）も参照）。具体的には、塗布ユニット２０Ａは基板Ｗのデバイス面Ｗａの全面に塗布液を塗布し、該塗布液をある程度乾燥させて塗膜Ｆ２を形成する。

【0039】

図６（ａ）の例では、塗布ユニット２０Ａは、基板保持部２１Ａと、塗布ノズル２２Ａとを含んでいる。基板保持部２１Ａは、デバイス面Ｗａを鉛直上方に向けた水平姿勢で基板Ｗを保持しつつ、該基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。ここでいう水平姿勢とは、基板Ｗの厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢である。回転軸線Ｑ１は、基板Ｗの中心を通り、かつ、鉛直方向に沿う軸線である。なお、基板保持部２１Ａはスピンチャックとも呼ばれ得る。

【0040】

塗布ノズル２２Ａは、基板保持部２１Ａによって保持された基板Ｗよりも鉛直上方に設けられている。塗布ノズル２２Ａは、塗膜Ｆ２の材料を含む塗布液を基板Ｗのデバイス面Ｗａの中央部に向かって所定量だけ吐出する。塗布液は、例えば、ＳＯＧ（Spin on Glass）である。そして、基板保持部２１Ａが基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。これにより、塗布液が基板Ｗのデバイス面Ｗａの全面に広がる。基板保持部２１Ａが基板Ｗを高速で回転させることにより、塗布液がある程度乾燥し、基板Ｗのデバイス面Ｗａの全面に塗膜Ｆ２が形成される。

【0041】

塗布処理後の基板Ｗはセンターロボット３２によってドライ処理ユニット１０に搬送され、ドライ処理ユニット１０の熱処理ユニット１０Ａによって熱処理を受ける。これにより、基板Ｗ上の塗膜Ｆ２が乾燥し、デバイス面Ｗａの全面に保護膜Ｆ１を形成することができる。保護膜Ｆ１は、例えば、ＳＯＧ膜（後述）である。熱処理ユニット１０Ａはベークユニットとも呼ばれ得る。該基板Ｗは室内搬送ユニット１０Ｃによって冷却ユニット１０Ｂに搬送され、冷却ユニット１０Ｂによって冷却される。これにより、基板Ｗの温度を速やかに低下させることができる。

【0042】

ベベルユニット２０Ｂは、保護膜Ｆ１の周縁部（以下、保護周縁部ＶＦ１と呼ぶ）を除去する保護ベベル処理を、基板Ｗに対して行う（図６（ｂ）も参照）。より具体的には、ベベルユニット２０Ｂは保護周縁部ＶＦ１に第１処理液を供給する。第１処理液は、保護膜Ｆ１を除去することができる薬液であり、以下では、膜除去液とも呼ぶ。膜除去液は、例えば、フッ酸である。この保護ベベル処理により、保護周縁部ＶＦ１を除去してその下層の周縁領域Ｗａ１を露出させることができる。つまり、保護ベベル処理により、基板Ｗのデバイス面Ｗａの中央領域Ｗａ２は保護膜Ｆ１によって覆われつつも、周縁領域Ｗａ１が露出する。

【0043】

図６（ｂ）の例では、ベベルユニット２０Ｂは、基板保持部２１Ｂと、ベベルノズル２２Ｂ（第１ノズルに相当）とを含んでいる。基板保持部２１Ｂは基板Ｗを水平姿勢で保持しつつ、回転軸線Ｑ１のまわりで基板Ｗを回転させる。この基板保持部２１Ｂもスピンチャックと呼ばれ得る。

【0044】

ベベルノズル２２Ｂは、基板保持部２１Ｂによって保持された基板Ｗよりも鉛直上方に設けられる。図６（ｂ）に示されるように、ベベルノズル２２Ｂは、基板Ｗの周縁側の部分と鉛直方向で対向する位置において、回転中の基板Ｗの保護周縁部ＶＦ１に向かって膜除去液を吐出する。膜除去液は保護膜Ｆ１の上面の着液位置Ｐ１で着液し、基板Ｗの遠心力を受けて径方向外側に向かって流れ、基板Ｗの周縁から飛散する。このとき、膜除去液は、着液位置Ｐ１を通る円を内周縁とする保護周縁部ＶＦ１に作用し、保護周縁部ＶＦ１を除去する。このため、保護周縁部ＶＦ１よりも下層のデバイス面Ｗａの周縁領域Ｗａ１が露出する。つまり、デバイス面Ｗａの中央領域Ｗａ２は保護膜Ｆ１によって覆われつつも、デバイス面Ｗａの周縁領域Ｗａ１が露出する。

【0045】

このベベルノズル２２Ｂの吐出口２２ｂの開口面積は小さい。そして、膜除去液の粘度は小さく、保護ベベル処理において、膜除去液の流量も小さく設定される。このため、ベベルノズル２２Ｂから吐出した膜除去液を、より高い精度で保護膜Ｆ１上の目標着液位置に着液させることができる。つまり、着液位置Ｐ１と目標着液位置との差を小さくすることができる。したがって、ベベルユニット２０Ｂは、より高い位置精度で保護周縁部ＶＦ１を除去することができる。

【0046】

洗浄ユニット２０Ｃは保護ベベル処理後の基板Ｗに対して、基板周縁部ＶＷ１を処理する基板ベベル処理を行う（図６（ｃ）も参照）。具体的には、洗浄ユニット２０Ｃは第２処理液を基板Ｗの基板周縁部ＶＷ１に供給する。第２処理液は、保護膜Ｆ１をほとんど除去できず、かつ、基板周縁部ＶＷ１を処理することができる薬液である。ここでは、第２処理液は基板周縁部ＶＷ１の異物Ｍ１を除去する。よって、以下では、第２処理液を異物除去液とも呼ぶ。異物除去液は、例えば、硫酸および過酸化水素水の混合液（ＳＰＭ）である。この基板ベベル処理は、基板周縁部ＶＷ１を実質的に洗浄していることから、洗浄処理とも呼ばれ得る。

【0047】

洗浄ユニット２０Ｃは基板ベベル処理後の基板Ｗに対して、保護膜Ｆ１を除去する保護膜除去処理も行う（図６（ｄ）も参照）。具体的には、洗浄ユニット２０Ｃは膜除去液を基板Ｗの保護膜Ｆ１に供給する。これにより、保護膜Ｆ１を除去することができる。

【0048】

図６（ｃ）および図６（ｄ）の例では、洗浄ユニット２０Ｃは、基板保持部２１Ｃと、洗浄ノズル２２Ｃ（第２ノズルに相当）とを含んでいる。基板保持部２１Ｃは、基板Ｗを水平姿勢で保持して、回転軸線Ｑ１のまわりで基板Ｗを回転させる。この基板保持部２１Ｃもスピンチャックと呼ばれ得る。

【0049】

洗浄ノズル２２Ｃは、基板保持部２１Ｃによって保持された基板Ｗよりも鉛直上方に設けられる。洗浄ノズル２２Ｃは、ベベルノズル２２Ｂの吐出口２２ｂよりも大きな吐出口２２ｃを有しており、異物除去液および膜除去液を含む各種の処理液を選択的に吐出することができる。例えば、洗浄ノズル２２Ｃは、基板Ｗの中央部と鉛直方向で対向する位置において、回転中の基板Ｗの保護膜Ｆ１に向かって異物除去液を吐出する。基板Ｗの保護膜Ｆ１の上面に着液した異物除去液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて、保護膜Ｆ１の上面を径方向外側に流れ、続けて、基板Ｗの基板周縁部ＶＷ１を流れる。これにより、基板周縁部ＶＷ１の異物Ｍ１を除去することができる。

【0050】

また、洗浄ノズル２２Ｃは、基板ベベル処理後において、回転中の基板Ｗの保護膜Ｆ１に向かって膜除去液を吐出する。基板Ｗの保護膜Ｆ１の上面に着液した膜除去液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて、保護膜Ｆ１の上面を径方向外側に流れる。これにより、保護膜Ｆ１を除去することができる。

【0051】

＜制御部９０＞
制御部９０は基板処理装置１００を統括的に制御する。具体的には、制御部９０は、インデクサロボット１１２、ドライ処理ユニット１０、ウェット処理ユニット２０および搬送ユニット３０を制御する。

【0052】

図４は、制御部９０の内部構成の一例を概略的に示す機能ブロック図である。制御部９０は電子回路であって、例えばデータ処理部９１および記憶部９２を有している。図３の具体例では、データ処理部９１と記憶部９２とはバス９３を介して相互に接続されている。データ処理部９１は例えばＣＰＵ（Central Processor Unit）などの演算処理装置であってもよい。記憶部９２は非一時的な記憶部（例えばＲＯＭ（Read Only Memory）またはハードディスク）９２１および一時的な記憶部（例えばＲＡＭ（Random Access Memory））９２２を有していてもよい。非一時的な記憶部９２１には、例えば制御部９０が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。データ処理部９１がこのプログラムを実行することにより、制御部９０が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部９０が実行する処理の一部または全部が専用の論理回路などのハードウェアによって実行されてもよい。

【0053】

＜基板処理装置１００の動作の概要＞
図５は、基板処理装置１００が実行する基板処理方法の一例を示すフローチャートである。図６は、各工程における基板Ｗの様子の一例を概略的に示す図である。以下では、基板処理装置１００の動作の概要を説明し、その後、各処理ユニットの具体的な構成および具体的な動作の一例について述べる。

【0054】

まず、基板処理装置１００は、基板Ｗのデバイス面Ｗａの全面に保護膜Ｆ１を形成する保護膜形成処理を行う（ステップＳ１：保護膜形成工程）。図６（ａ）は、保護膜Ｆ１が形成されるときの基板Ｗの様子を示している。保護膜Ｆ１は、基板Ｗのデバイス面Ｗａのうち特に中央領域Ｗａ２を異物除去液から保護するための膜である。保護膜Ｆ１は、例えば、ＳＯＧ（Spin on Glass）膜である。ＳＯＧ膜は、シロキサンを含むガラス質の膜であり、例えば、シロキサンおよび有機基を含む。ＳＯＧ膜は、例えば、シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化シルセスキオキサンポリマー、または、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマーであってもよい。

【0055】

基板処理装置１００は塗布ユニット２０Ａによる塗布処理およびドライ処理ユニット１０による熱処理を基板Ｗに対して順次に行って、保護膜形成処理を行う。具体的には、まず、塗布ノズル２２Ａは塗膜Ｆ２の材料を含む塗布液（例えばＳＯＧ）を基板Ｗのデバイス面Ｗａの上面部に向かって所定量だけ吐出し、基板保持部２１Ａが基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。これにより、塗布液が基板Ｗのデバイス面Ｗａの全面に広がる。そして、基板保持部２１Ａが基板Ｗをより高速で回転させることにより、塗布液がある程度乾燥し、基板Ｗのデバイス面Ｗａの全面に塗膜Ｆ２が形成される。

【0056】

センターロボット３２は塗布ユニット２０Ａから塗布処理済みの基板Ｗを搬出し、ドライ処理ユニット１０の熱処理ユニット１０Ａに搬入する。熱処理ユニット１０Ａは基板Ｗを加熱してデバイス面Ｗａ上の塗膜Ｆ２を乾燥させることで、保護膜Ｆ１を形成する。加熱後の基板Ｗは室内搬送ユニット１０Ｃによって冷却ユニット１０Ｂに搬送され、冷却ユニット１０Ｂによって冷却される。冷却後の基板Ｗは熱処理ユニット１０Ａを経由してセンターロボット３２に渡される。センターロボット３２は、保護膜Ｆ１が形成された基板Ｗをベベルユニット２０Ｂに搬送する。

【0057】

ベベルユニット２０Ｂは保護ベベル処理を基板Ｗに対して行う（ステップＳ２：保護ベベル工程）。図６（ｂ）は、保護周縁部ＶＦ１を除去するときの基板Ｗの様子を示している。ベベルノズル２２Ｂは回転中の基板Ｗの保護周縁部ＶＦ１に向かって膜除去液を吐出する。膜除去液は保護膜Ｆ１の上面の着液位置Ｐ１で着液し、保護膜Ｆ１の上面を径方向外側に向かって流れ、基板Ｗの周縁から飛散する。このとき、膜除去液は保護周縁部ＶＦ１に作用し、保護周縁部ＶＦ１を除去する。

【0058】

このベベルノズル２２Ｂの吐出口２２ｂの開口面積は小さい。そして、膜除去液の粘度は小さく、保護ベベル処理において、膜除去液の流量も小さく設定される。このため、ベベルノズル２２Ｂから吐出した膜除去液を、より高い精度で保護膜Ｆ１上の目標着液位置に着液させることができる。

【0059】

ここで、着液位置Ｐ１が目標着液位置から大きくずれた場合について説明する。着液位置Ｐ１が目標着液位置から回転軸線Ｑ１側（つまり、径方向内側）にずれると、保護膜Ｆ１がより内側まで除去される。このため、基板Ｗの中央領域Ｗａ２のうちの外周領域が露出してしまう。したがって、保護膜Ｆ１は中央領域Ｗａ２の外周領域を保護できなくなる。また、着液位置Ｐ１が目標着液位置から径方向外側にずれると、除去される保護膜Ｆ１の幅が狭くなり、その結果、デバイス面Ｗａの周縁領域Ｗａ１のうち内周領域が露出しない。このため、基板Ｗの周縁領域Ｗａ１のうち内周領域に付着した除去対象の異物Ｍ１が保護膜Ｆ１によって覆われてしまう。

【0060】

これに対して、本実施の形態では、より高い位置精度で膜除去液を着液位置Ｐ１に着液させることができるので、デバイス面Ｗａの中央領域Ｗａ２を適切に保護膜Ｆ１で保護しつつ、周縁領域Ｗａ１を適切に露出させることができる。言い換えれば、周縁領域Ｗａ１に付着した異物Ｍ１を適切に露出させることができる。膜除去液の着液位置Ｐ１についての要求位置精度は、例えば、数百μｍ程度以下である。このため、ベベルノズル２２Ｂの吐出口２２ｂの開口面積をより小さくして、粘度の低い膜除去液をピンポイントで目標着液位置に着液させることが望ましい。

【0061】

保護膜Ｆ１としてＳＯＧ膜が採用されるので、膜除去液として、フッ素（Ｆ）を含む酸性薬液を採用するとよい。例えば膜除去液には、フッ酸（ＨＦ）を含む薬液、より具体的な一例としてフッ酸そのものを採用することができる。フッ酸の粘度は低いので、ベベルノズル２２Ｂからの吐出に適している。

【0062】

このフッ酸がＳＯＧ膜に作用すると、以下の化学反応によってＳＯＧ膜が除去される。

【0063】

・・・Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ・・・＋Ｈ^＋→・・・Ｓｉ－ＯＨ・・・ （１）
・・・Ｓｉ－ＯＨ＋ＨＦ→・・・ＳｉＦ_４＋２ＨＦ→Ｈ_２ＳｉＦ_６（ａｑ） （２）
つまり、ＳＯＧ膜に含まれるシロキサン（Ｓｉ_２Ｏ）が、フッ酸に含まれる水素（Ｈ）イオンと反応して、シラノール（ＳｉＯＨ）に変化し、このシラノールがフッ酸（ＨＦ）と反応して、液体のヘキサフルオロケイ酸（Ｈ_２ＳｉＦ_６）に変化する。このような化学変化によって、ＳＯＧ膜がフッ酸により除去される。

【0064】

保護周縁部ＶＦ１を除去した後に、ベベルユニット２０Ｂは、基板Ｗ上の膜除去液をリンス液で基板Ｗから流し去るリンス処理、および、基板Ｗを乾燥させる乾燥処理をこの順で行う。これらの処理については後に詳述する。

【0065】

次に、センターロボット３２は処理済みの基板Ｗをベベルユニット２０Ｂから搬出し、該基板Ｗを洗浄ユニット２０Ｃに搬入する。

【0066】

洗浄ユニット２０Ｃは基板ベベル処理を基板Ｗに対して行う（ステップＳ３：基板ベベル工程）。図６（ｃ）は、基板周縁部ＶＷ１上の異物Ｍ１を除去するときの基板Ｗの様子を示している。基板保持部２１Ｃは、主面の周縁部が保護膜Ｆ１で覆われておらず、かつ、該主面のうち内側領域が保護膜Ｆ１で覆われた基板Ｗを水平姿勢で保持しつつ、基板Ｗを回転させる。洗浄ノズル２２Ｃは異物除去液（ＳＰＭ）を基板Ｗに向けて吐出して、基板周縁部ＶＷ１上の残渣または残膜を異物除去液により除去する。具体的には、洗浄ノズル２２Ｃは回転中の基板Ｗの保護膜Ｆ１の上面に向かって異物除去液を吐出し、保護膜Ｆ１に着液した異物除去液を、基板Ｗの回転により、保護膜Ｆ１から基板周縁部ＶＷ１に向かって流す。これにより、保護膜Ｆ１を維持したまま、基板周縁部ＶＷ１に付着した異物Ｍ１が除去される。異物除去液は、例えば、フッ素を含まない酸性薬液である。異物除去液には、例えば、フッ素を含まず、硫酸を含む薬液を採用することができ、より具体的には、高温のＳＰＭ（硫酸および過酸化水素水の混合液）を採用できる。ＳＰＭの温度は、例えば、数百度程度である。

【0067】

異物除去液が、フッ素を含まない酸性薬液である場合、ＳＯＧ膜に対して式（１）で示された化学反応は生じるものの、式（２）で示された化学反応が生じないので、ＳＯＧ膜は除去されない。つまり、保護膜Ｆ１は除去されない。一方、酸性薬液により、異物Ｍ１を除去することができる。具体的には、高温のＳＰＭによって、レジストの残膜、アモルファスカーボンおよび合金（ニッケルと白金の合金）などの異物Ｍ１を除去することができる。

【0068】

また、ここでは、洗浄ノズル２２Ｃの吐出口２２ｃの開口面積はベベルノズル２２Ｂの吐出口２２ｂの開口面積よりも大きい。このため、粘度の高い硫酸を含む薬液（ＳＰＭ）でも洗浄ノズル２２Ｃの吐出口２２ｃから吐出させやすい。なお、上述の例では、洗浄ノズル２２Ｃは、基板Ｗの基板周縁部ＶＷ１よりも径方向内側の領域内の着液位置（具体的な位置として中央部）に向かって、膜除去液を吐出する。このため、洗浄ノズル２２Ｃは、ベベルノズル２２Ｂの名称と対比させて、中央ノズルと呼ぶこともできる。

【0069】

異物Ｍ１を除去した後に、洗浄ユニット２０Ｃは、基板Ｗ上の異物除去液をリンス液で流し去るリンス処理を行う。リンス処理については後に詳述する。

【0070】

次に、洗浄ユニット２０Ｃは保護膜除去処理を基板Ｗに対して行う（ステップＳ４：保護膜除去工程）。図６（ｄ）は、保護膜Ｆ１を除去するときの基板Ｗの様子を示している。洗浄ノズル２２Ｃは回転中の基板Ｗの中央部に向かって膜除去液（例えばフッ酸）を吐出する。膜除去液は保護膜Ｆ１の上面の中央部に着液し、基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて径方向外側に広がる。これにより、膜除去液が基板Ｗ上の保護膜Ｆ１の全面に作用し、保護膜Ｆ１を除去する。

【0071】

保護膜Ｆ１を除去した後に、洗浄ユニット２０Ｃは、基板Ｗ上の膜除去液をリンス液で押し流すリンス処理、および、基板Ｗを乾燥させる乾燥処理をこの順に行う。これらの処理については後に詳述する。

【0072】

以上のように、本基板処理方法によれば、保護ベベル処理（ステップＳ２）において、ベベルノズル２２Ｂの狭い吐出口２２ｂから粘度の低い膜除去液（例えばフッ酸）を吐出して保護膜Ｆ１の保護周縁部ＶＦ１を高い位置精度で除去する。このため、より高い位置精度で、基板周縁部ＶＷ１を露出させることができる。逆に言えば、保護膜Ｆ１はより高い位置精度で、基板Ｗの中央領域Ｗａ２を保護することができる。

【0073】

そして、その後の基板ベベル処理（ステップＳ３）において、基板Ｗの中央領域Ｗａ２を保護膜Ｆ１で保護しつつ、露出した基板周縁部ＶＷ１に、洗浄ノズル２２Ｃの吐出口２２ｃから異物除去液（ＳＰＭ）を供給する（ステップＳ４）。基板ベベル処理においては、保護膜Ｆ１が高い位置精度で中央領域Ｗａ２を保護しているので、異物除去液の着液位置が多少ばらついたとしても、異物除去液は中央領域Ｗａ２に作用できない。そして、異物除去液の着液位置が多少ばらついたとしても、異物除去液が保護膜Ｆ１の上面から基板周縁部ＶＷ１へ流れさえすれば、基板周縁部ＶＷ１の異物Ｍ１を適切に除去することができる。

【0074】

よって、たとえ、異物除去液の粘度が高い場合であっても、高い位置精度で基板周縁部ＶＷ１の異物Ｍ１を除去することができる。また、洗浄ノズル２２Ｃの吐出口２２ｃの開口面積がベベルノズル２２Ｂの吐出口２２ｂの開口面積よりも大きいので、粘度が高い異物除去液をより低い圧力で吐出することができ、異物除去液の基板Ｗへの供給が容易である。

【0075】

以上のように、本実施の形態では、基板ベベル処理（ステップＳ３）において、基板Ｗのデバイス面Ｗａの内側領域を保護膜Ｆ１（ＳＯＧ膜）で覆いつつ、基板周縁部ＶＷ１上の、硬化層を含むレジスト残膜、アモルファスカーボンまたはＮｉＰｔ合金に例示される除去困難な異物Ｍ１を、ＳＰＭによって除去することができる。このＳＯＧ膜はＳＰＭによってほとんど除去されないので、デバイス面Ｗａの内側領域をＳＰＭから適切に保護しつつ、異物Ｍ１を適切に除去することができる。

【0076】

しかも、上述の例では、保護膜除去処理（ステップＳ４）において、フッ酸を含む薬液により、ＳＯＧ膜である保護膜Ｆ１を除去している。フッ酸は基板Ｗへあまりダメージを与えないので、保護膜Ｆ１の除去に適している。言い換えれば、基板周縁部ＶＷ１へのダメージを抑制しつつ、適切に保護膜Ｆ１を除去することができる。

【0077】

しかも、上述の具体例では、保護膜形成処理（ステップＳ１）において、保護膜Ｆ１をウェット処理によって形成している。このため、安価な塗布ユニット２０Ａおよび熱処理ユニット１０Ａを用いて、保護膜Ｆ１を形成することができる。

【0078】

また、上述の例では、保護膜除去処理（ステップＳ４）において、保護膜Ｆ１をウェット処理によって除去している。このため、安価な洗浄ユニット２０Ｃを用いて、保護膜Ｆ１を除去することができる。

【0079】

＜ベベルノズル２２Ｂの吐出方向＞
図６（ｂ）の例では、ベベルノズル２２Ｂは斜め外方の吐出方向に沿って膜除去液を吐出している。吐出方向は、例えば、ベベルノズル２２Ｂの内部流路ＦＰの形状によって決定される。図６（ｂ）の例では、ベベルノズル２２Ｂの内部流路ＦＰは、鉛直流路ＦＰ１と、傾斜流路ＦＰ２とを有している。鉛直流路ＦＰ１は、傾斜流路ＦＰ２よりも上流側の流路であり、鉛直方向に沿って延在している。傾斜流路ＦＰ２の上流端は鉛直流路ＦＰ１の下流端に接続されており、鉛直下方に向かうにつれて回転軸線Ｑ１から遠ざかるように傾斜している。つまり、傾斜流路ＦＰ２は斜め外方に沿って延在している。吐出口２２ｂは傾斜流路ＦＰ２の下流端である。このため、ベベルノズル２２Ｂの内部流路ＦＰを流れた膜除去液は吐出口２２ｂから斜め外方に沿って流出する。

【0080】

膜除去液は斜め外方に沿って吐出されるので、保護ベベル処理（ステップＳ２）における保護膜Ｆ１上の着液位置Ｐ１は、保護膜Ｆ１の保護周縁部ＶＦ１が除去されるにしたがって、径方向外側となる。つまり、保護周縁部ＶＦ１が薄くなるにしたがって、膜除去液はより径方向外側の着液位置Ｐ１で保護周縁部ＶＦ１上に着液する。このため、保護膜Ｆ１の端面ＦＳ１はその上面から下面に向かうにつれて径方向外側に向かうように傾斜する。

【0081】

この場合、続く基板ベベル処理（ステップＳ３）において、洗浄ユニット２０Ｃは、異物除去液が保護膜Ｆ１の上面に着液するように、洗浄ノズル２２Ｃから異物除去液を吐出させるとよい（図６（ｃ）参照）。これによれば、異物除去液は保護膜Ｆ１の上面から端面ＦＳ１（傾斜面）を経由して基板Ｗのデバイス面Ｗａの周縁領域Ｗａ１を流れる。よって、異物除去液は端面ＦＳ１から滑らかに周縁領域Ｗａ１を流れることができ、端面ＦＳ１と周縁領域Ｗａ１との境界にも適切に作用することができる。したがって、異物除去液は該境界においても異物Ｍ１を適切に除去することができる。

【0082】

＜バックサイドベベル＞
ところで、保護膜形成処理（ステップＳ１）において、保護膜Ｆ１と同じ成分の物質が基板Ｗの非デバイス面Ｗｂの周縁領域に付着する可能性もある。例えば、塗布液が基板Ｗのデバイス面Ｗａから端面を経由して非デバイス面Ｗｂに回り込み、その一部が乾燥すると、非デバイス面Ｗｂに保護膜Ｆ１と同じ成分の物質が付着する。

【0083】

そこで、図６（ｂ）に示されるように、ベベルユニット２０Ｂは、裏面用のベベルノズル２６Ｂを含んでいてもよい。ベベルノズル２６Ｂは、基板保持部２１Ｂによって保持された基板Ｗよりも鉛直下方に設けられており、鉛直方向において基板Ｗの非デバイス面Ｗｂと対向する。ベベルノズル２６Ｂは、基板Ｗの非デバイス面Ｗｂの周縁領域に向かって、膜除去液を吐出する。

【0084】

この場合、保護ベベル処理（ステップＳ２）において、ベベルノズル２２Ｂおよびベベルノズル２６Ｂの両方から回転中の基板Ｗに向かって膜除去液を吐出する。ベベルノズル２２Ｂから吐出された膜除去液は、基板Ｗの保護膜Ｆ１の上面に着液する。この膜除去液は基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて径方向外側に流れて、基板Ｗの端面から外側に飛散する。このベベルノズル２２Ｂからの膜除去液は保護膜Ｆ１の保護周縁部ＶＦ１を除去することができる。

【0085】

一方で、ベベルノズル２６Ｂから吐出された処理液は基板Ｗの非デバイス面Ｗｂに着液する。この膜除去液は基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて非デバイス面Ｗｂを径方向外側に流れ、基板Ｗの端面から外側に飛散する。このベベルノズル２６Ｂからの膜除去液は非デバイス面Ｗｂに付着した保護膜Ｆ１と同じ物質を除去することができる。

【0086】

＜基板処理装置１００の具体例＞
以下では、基板処理装置１００の各処理ユニットの具体的な構成の一例および具体的な動作の一例について詳述する。

【0087】

＜塗布ユニット２０Ａ＞
図７は、塗布ユニット２０Ａの構成の一例を概略的に示す図である。塗布ユニット２０Ａは、基板保持部２１Ａと、塗布ノズル２２Ａと、ガード２３Ａとを含んでいる。

【0088】

基板保持部２１Ａは基板Ｗを水平姿勢で保持し、基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。図７の例では、基板保持部２１Ａは、円板状のステージ２１１Ａと、回転機構２１２Ａとを含んでいる。

【0089】

ステージ２１１Ａは、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で配置されている。ステージ２１１Ａの上面には、基板Ｗが載置される。ステージ２１１Ａの直径は基板Ｗの直径よりも小さいので、ステージ２１１Ａは基板Ｗの中央部分のみと鉛直方向において対向する。ステージ２１１Ａの上面には不図示の複数の吸引口が形成される。ステージ２１１Ａの内部には、吸引口に連通する不図示の吸引流路が形成されており、該吸引流路の上流端は吸引機構（不図示）に接続される。吸引機構は例えばポンプを含んでおり、吸引流路内のガスを吸引する。これにより、基板Ｗの非デバイス面Ｗｂがステージ２１１Ａの複数の吸引口に吸引され、基板Ｗがステージ２１１Ａによって吸着保持される。

【0090】

回転機構２１２Ａはステージ２１１Ａを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。図７の例では、回転機構２１２Ａは、シャフト２１３Ａと、モータ２１４Ａとを含んでいる。シャフト２１３Ａの上端はステージ２１１Ａの下面に連結され、回転軸線Ｑ１に沿って延在している。シャフト２１３Ａは例えば中空シャフトであり、シャフト２１３Ａの内部には吸引流路の一部が設けられる。モータ２１４Ａはシャフト２１３Ａを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。これにより、シャフト２１３Ａに連結されたステージ２１１Ａ、および、ステージ２１１Ａによって吸着保持された基板Ｗが、回転軸線Ｑ１のまわりで一体に回転する。

【0091】

＜塗布ノズル２２Ａ＞
塗布ノズル２２Ａは、基板保持部２１Ａによって保持された基板Ｗよりも鉛直上方に設けられている。塗布ノズル２２Ａは供給管２２１Ａの下流端に接続され、供給管２２１Ａの上流端は塗布液供給源２２３Ａに接続されている。このため、塗布液供給源２２３Ａからの塗布液は供給管２２１Ａを通じて塗布ノズル２２Ａに供給され、塗布ノズル２２Ａの吐出口２２ａから吐出される。供給管２２１Ａにはバルブ２２２Ａが設けられている。バルブ２２２Ａの開閉により、塗布ノズル２２Ａからの塗布液の吐出および吐出停止が切り替えられる。

【0092】

図７の例では、塗布ノズル２２Ａは、ノズル移動機構２５Ａによって、塗布位置と塗布待機位置との間で移動可能に設けられている。塗布位置は、塗布ノズル２２Ａが塗布液を基板Ｗに向かって吐出するときの位置であり、例えば、基板Ｗの中央部と鉛直方向において対向する位置である。図７の例では、塗布位置で停止する塗布ノズル２２Ａが示されている。塗布待機位置は、塗布ノズル２２Ａが塗布液を基板Ｗに向かって吐出しないときの位置であり、例えば、基板Ｗの端面よりも径方向外側の位置である。塗布ノズル２２Ａが塗布待機位置で停止した状態では、基板Ｗの搬出入時において、塗布ノズル２２Ａとセンターロボット３２との物理的な衝突を回避することができる。ノズル移動機構２５Ａは、例えば、ベベルユニット２０Ｂに含まれる後述のノズル移動機構２２２Ｂと同様のアーム旋回機構を有する。

【0093】

ガード２３Ａは、基板保持部２１Ａによって保持された基板Ｗの端面から飛散した塗布液を受け止める部材である。ガード２３Ａは、基板保持部２１Ａを取り囲む形状を有している。図７の例では、ガード２３Ａは、径方向内側に開口するドーナツ状の形状を有しており、基板Ｗの端面から飛散した塗布液はガード２３Ａの内側空間に流入する。ガード２３Ａの下部には、不図示の液回収機構および排気機構が設けられている。液回収機構は、ガード２３Ａ内の塗布液を回収する。

【0094】

ガード２３Ａは、ガード昇降機構２６Ａによって、ガード処理位置とガード待機位置との間で昇降可能に設けられている。ガード処理位置は、ガード２３Ａの上端周縁が、基板保持部２１Ａによって保持された基板Ｗの上面よりも鉛直上方となる位置である。ガード２３Ａはガード処理位置に位置する状態で、基板Ｗから飛散した塗布液を受け止めることができる。ガード待機位置は、ガード２３Ａの上端周縁がステージ２１１Ａよりも鉛直下方となる位置である。ガード２３Ａがガード待機位置で停止した状態では、基板Ｗの搬出入時において、ガード２３Ａとセンターロボット３２との物理的な衝突を回避することができる。ガード昇降機構２６Ａは、例えば、駆動源としてのモータと、モータの回転を鉛直方向の移動に変換する駆動機構としてのボールねじ機構とを含む。あるいは、ガード昇降機構２６Ａはエアシリンダを含んでいてもよい。

【0095】

＜熱処理ユニット１０Ａ＞
図１を参照して、熱処理ユニット１０Ａは、加熱部の一例であるホットプレート１１Ａと、３つ以上のリフトピン１２Ａとを含んでいる。ホットプレート１１Ａは、金属などの板状プレートと、該板状プレートに内蔵された電熱線などの発熱体とを含む。リフトピン１２Ａはホットプレート１１Ａを鉛直方向に沿って貫通し、リフト上位置とリフト下位置との間で昇降可能に設けられている。リフト上位置は、リフトピン１２Ａの先端がホットプレート１１Ａの上面（つまり、板状プレートの上面）よりも鉛直上方となる位置である。リフト下位置は、リフトピン１２Ａの先端がホットプレート１１Ａの上面よりも鉛直下方となる位置である。リフトピン１２Ａを昇降させるピン昇降機構（不図示）は、例えば、モータおよびボールねじ機構を含んでいてもよく、あるいは、エアシリンダを含んでいてもよい。

【0096】

複数のリフトピン１２Ａがリフト上位置に位置する状態で、センターロボット３２から基板Ｗがリフトピン１２Ａの先端に載置される。ここでは、基板Ｗのデバイス面Ｗａが鉛直上方を向く姿勢で複数のリフトピン１２Ａの先端に載置される。複数のリフトピン１２Ａがリフト下位置に下降することで、基板Ｗがホットプレート１１Ａの上に載置される。ホットプレート１１Ａは基板Ｗを加熱する。これにより、基板Ｗのデバイス面Ｗａ上の塗膜Ｆ２が乾燥し、デバイス面Ｗａ上に保護膜Ｆ１が形成される。

【0097】

＜冷却ユニット１０Ｂ＞
冷却ユニット１０Ｂは、冷却部の一例である冷却プレート１１Ｂと、３つ以上のリフトピン１２Ｂとを含んでいる。冷却プレート１１Ｂは、金属などの板状プレートと、該板状プレートに内蔵されたペルチェ素子などの冷却源とを含む。リフトピン１２Ｂは冷却プレート１１Ｂを鉛直方向に沿って貫通し、リフト上位置とリフト下位置との間で昇降可能に設けられている。リフト上位置は、リフトピン１２Ｂの先端が冷却プレート１１Ｂの上面よりも鉛直上方となる位置である。リフト下位置は、リフトピン１２Ｂの先端が冷却プレート１１Ｂの上面よりも鉛直下方となる位置である。リフトピン１２Ｂを昇降させるピン昇降機構は、リフトピン１２Ａを昇降させるピン昇降機構と同様である。

【0098】

複数のリフトピン１２Ｂがリフト上位置に位置する状態で、センターロボット３２から基板Ｗがリフトピン１２Ｂの先端に載置される。複数のリフトピン１２Ｂがリフト下位置に下降することで基板Ｗが冷却プレート１１Ｂの上に載置される。冷却プレート１１Ｂは基板Ｗを冷却する。これにより、基板Ｗの温度を速やかに低下させることができる。

【0099】

＜保護膜形成処理＞
次に、塗布ユニット２０Ａおよびドライ処理ユニット１０による保護膜形成処理の具体的な一例について述べる。図８は、保護膜形成処理の具体的な一例を示すフローチャートである。まず、センターロボット３２が基板Ｗを塗布ユニット２０Ａに搬入する（ステップＳ１１）。基板保持部２１Ａは、搬入された基板Ｗを保持する。

【0100】

次に、塗布ユニット２０Ａが基板Ｗのデバイス面Ｗａに塗布液を供給して、塗膜Ｆ２を形成する（ステップＳ１２）。具体的には、まず、ノズル移動機構２５Ａが塗布ノズル２２Ａを塗布位置に移動させ、ガード昇降機構２６Ａがガード２３Ａをガード処理位置に上昇させる。次に、塗布ユニット２０Ａ（具体的には制御部９０）は、バルブ２２２Ａを開いて、塗布ノズル２２Ａから所定量の塗布液を基板Ｗのデバイス面Ｗａに吐出させる。塗布液は例えばＳＯＧである。なお、塗布液の供給時には、基板保持部２１Ａは基板Ｗを回転させてもよく、あるいは、基板Ｗを静止させていても良い。次に、基板保持部２１Ａは基板Ｗを回転させて、塗布液を基板Ｗのデバイス面Ｗａの全面に広げる。

【0101】

次に、基板保持部２１Ａは基板Ｗの回転を継続して、基板Ｗ上の塗布液を乾燥させて塗膜Ｆ２を形成する（ステップＳ１３）。塗膜Ｆ２が形成されると、基板保持部２１Ａは基板Ｗの回転を停止させ、基板Ｗの保持を解除する。また、ノズル移動機構２５は塗布ノズル２２Ａを塗布待機位置に移動させ、ガード昇降機構２６Ａはガード２３Ａをガード待機位置に下降させる。

【0102】

次に、センターロボット３２は基板Ｗを塗布ユニット２０Ａから搬出し、ドライ処理ユニット１０に搬入する（ステップＳ１４）。具体的には、熱処理ユニット１０Ａのリフトピン１２Ａは、リフト上位置に上昇した状態で、センターロボット３２から基板Ｗを受け取り、リフト下位置に下降する。これにより、ホットプレート１１Ａの上に基板Ｗが載置される。

【0103】

次に、ホットプレート１１Ａは基板Ｗを加熱する（ステップＳ１５）。これにより、基板Ｗの塗膜Ｆ２が加熱されて保護膜Ｆ１が形成される。保護膜Ｆ１は、例えば、ＳＯＧ膜である。

【0104】

次に、室内搬送ユニット１０Ｃが基板Ｗを熱処理ユニット１０Ａから冷却ユニット１０Ｂに搬送する。具体的には、まず、リフトピン１２Ａが上昇して基板Ｗを持ち上げ、室内搬送ユニット１０Ｃが基板Ｗを取り出す。室内搬送ユニット１０Ｃは、該基板Ｗを、リフト上位置に位置する冷却ユニット１０Ｂのリフトピン１２Ｂの先端に載置する。リフトピン１２Ｂは基板Ｗを載置したままリフト下位置まで下降して、冷却プレート１１Ｂの上に基板Ｗを載置する。

【0105】

次に、冷却ユニット１０Ｂが基板Ｗを冷却する（ステップＳ１６）。これにより、基板Ｗの温度を速やかに低下させることができる。次に、室内搬送ユニット１０Ｃが基板Ｗを冷却ユニット１０Ｂから熱処理ユニット１０Ａに搬送し、センターロボット３２が基板Ｗをドライ処理ユニット１０から搬出する（ステップＳ１７）。センターロボット３２は該基板Ｗをベベルユニット２０Ｂに搬入する。

【0106】

＜ベベルユニット２０Ｂ＞
図９は、ベベルユニット２０Ｂの構成の一例を概略的に示す図であり、図１０は、ベベルユニット２０Ｂの構成の一例を概略的に示す平面図である。図９および図１０の例では、ベベルユニット２０Ｂは、基板保持部２１Ｂと、ベベルノズル２２Ｂと、ガード２３Ｂとを含んでいる。

【0107】

＜基板保持部２１Ｂ＞
基板保持部２１Ｂは基板Ｗを水平姿勢で保持しつつ、基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。基板保持部２１Ｂの具体的な構成の一例は基板保持部２１Ａと同様であるので、繰り返しの説明を避ける。

【0108】

＜ベベルノズル２２Ｂ＞
図９および図１０の例では、複数のベベルノズル２２Ｂが設けられている。図示の例では、複数のベベルノズル２２Ｂは保持部材２２１Ｂによって一体に保持されている。複数のベベルノズル２２Ｂは水平方向に並んで配置されており、保持部材２２１Ｂを鉛直方向に貫通した状態で、保持部材２２１Ｂによって保持される。

【0109】

図示の例では、複数のベベルノズル２２Ｂは、ノズル移動機構２２２Ｂによって、ベベル処理位置とベベル待機位置との間で移動可能に設けられている。ベベル処理位置は、ベベルノズル２２Ｂが基板Ｗに向かって流体を吐出する位置であり、基板Ｗと鉛直方向において対向する位置である。ベベル待機位置は、ベベルノズル２２Ｂが基板Ｗに向かって流体を吐出しない位置であり、例えば、基板Ｗの端面よりも径方向外側の位置である。図１０の例では、ベベル処理位置で位置するベベルノズル２２Ｂが実線で示され、ベベル待機位置で位置するベベルノズル２２Ｂが二点鎖線で示されている。ベベルノズル２２Ｂがベベル待機位置で停止した状態では、基板Ｗの搬出入時において、ベベルノズル２２Ｂとセンターロボット３２との物理的な衝突を回避することができる。

【0110】

図示の例では、ノズル移動機構２２２Ｂは保持部材２２１Ｂを移動させることにより、複数のベベルノズル２２Ｂを一体で移動させる。図示の例では、ノズル移動機構２２２Ｂはアーム旋回機構を有しており、具体的には、アーム２２３Ｂと、支持柱２２４Ｂと、駆動部２２５Ｂとを含んでいる。アーム２２３Ｂは、水平方向に沿って延在する棒状形状を有しており、その先端が保持部材２２１Ｂに連結され、その基端が支持柱２２４Ｂに連結されている。支持柱２２４Ｂは鉛直方向に沿って延在する棒状形状を有しており、自身の中心軸線のまわりで回転可能に設けられている。駆動部２２５Ｂは例えばモータを含み、支持柱２２４Ｂを中心軸線のまわりで回転させる。これにより、支持柱２２４Ｂに連結されたアーム２２３Ｂが旋回し、アーム２２３Ｂに連結された複数のベベルノズル２２Ｂが円弧状の移動経路を一体で移動する。支持柱２２４Ｂは、ベベルノズル２２Ｂの移動経路上にベベル処理位置および待機位置が位置するように、設置される。

【0111】

複数のベベルノズル２２Ｂがベベル処理位置で停止する状態では、複数のベベルノズル２２Ｂは、基板Ｗの周縁に沿った周方向に並んで配列される（図１０参照）。図１０の例では、複数のベベルノズル２２Ｂとして、４つのベベルノズル２２Ｂａ～２２Ｂｄが設けられている。４つのベベルノズル２２Ｂａ～２２Ｂｄは、基板Ｗの回転方向において、この順で設けられている。つまり、ベベルノズル２２Ｂａが最も上流側に位置し、ベベルノズル２２Ｂｄが最も下流側に位置する。なお、ここでいう上流側とは、少なくとも半周以内の位置をいう。つまり、ベベルノズル２２Ｂａは少なくともベベルノズル２２Ｂｄから半周以内の上流側に位置しており、好ましくは、４分の１周以内の上流側に位置しているとよい。つまり、ベベルノズル２２Ｂａおよびベベルノズル２２Ｂｄが回転軸線Ｑ１に対してなす角度は、例えば、９０度以下であるとよい。

【0112】

ここでは、ベベルノズル２２Ｂａは不活性ガスを吐出し、ベベルノズル２２Ｂｂは膜除去液（具体的には、フッ素を含む酸性薬液）を吐出し、ベベルノズル２２Ｂｃはリンス液を吐出し、ベベルノズル２２Ｂｄはアルカリ性薬液を吐出するものとする。

【0113】

ベベルノズル２２Ｂｂは供給管２２１Ｂｂの下流端に接続され、供給管２２１Ｂｂの上流端は膜除去液供給源２２３Ｂｂに接続されている。供給管２２１Ｂｂにはバルブ２２２Ｂｂが設けられており、バルブ２２２Ｂｂの開閉により、ベベルノズル２２Ｂｂからの膜除去液の吐出および吐出停止が切り替えられる。膜除去液は例えばフッ酸である。膜除去液は、保護膜Ｆ１を除去することができる。

【0114】

ベベルノズル２２Ｂｃは供給管２２１Ｂｃの下流端に接続され、供給管２２１Ｂｃの上流端はリンス液供給源２２３Ｂｃに接続されている。供給管２２１Ｂｃにはバルブ２２２Ｂｃが設けられており、バルブ２２２Ｂｃの開閉により、ベベルノズル２２Ｂｃからのリンス液の吐出および吐出停止が切り替えられる。リンス液としては、純水、温水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）、各種の有機溶剤（例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール））、機能水（二酸化炭素水など）、などが用いられてもよい。リンス液は、基板Ｗ上の薬液（例えば、膜除去液およびアルカリ性薬液）を押し流して基板Ｗから除去する。

【0115】

ベベルノズル２２Ｂｄは供給管２２１Ｂｄの下流端に接続され、供給管２２１Ｂｄの上流端はアルカリ性薬液供給源２２３Ｂｄに接続されている。供給管２２１Ｂｄにはバルブ２２２Ｂｄが設けられており、バルブ２２２Ｂｄの開閉により、ベベルノズル２２Ｂｄからのアルカリ性薬液の吐出および吐出停止が切り替えられる。なお、本実施の形態では、アルカリ性薬液は用いられないものとする。

【0116】

ベベルノズル２２Ｂａは供給管２２１Ｂａの下流端に接続され、供給管２２１Ｂａの上流端はガス供給源２２３Ｂａに接続されている。供給管２２１Ｂａにはバルブ２２２Ｂａが設けられており、バルブ２２２Ｂａの開閉により、ベベルノズル２２Ｂａからの不活性ガスの吐出および吐出停止が切り替えられる。不活性ガスは、例えば、アルゴンガスなどの希ガスおよび窒素ガスの少なくともいずれか一方を含む。ベベルノズル２２Ｂａからの不活性ガスは、後に述べるように、基板Ｗの周縁部上の薬液（例えば膜除去液）を径方向外側に吹き飛ばす。

【0117】

＜ガード２３Ｂ＞
ガード２３Ｂは、基板保持部２１Ｂを囲む筒状の形状を有しており、基板Ｗの端面から飛散した処理液を受け止める。図９の例では、ガード２３Ｂは、底部材２３１Ｂ、内ガード２３２Ｂ、および、外ガード２３３Ｂを含んでいる。

【0118】

内ガード２３２Ｂおよび外ガード２３３Ｂは、基板保持部２１Ｂを取り囲む筒状の形状を有しており、外ガード２３３Ｂは内ガード２３２Ｂよりも径方向外側に設けられる。

【0119】

内ガード２３２Ｂの上側部分（以下、上側傾斜部と呼ぶ）は、鉛直上方に向かうにつれて回転軸線Ｑ１に向かう斜め上方に沿って延在する。内ガード２３２Ｂの下側部分は、上側傾斜部の下端のうち内側部分から鉛直下方に沿って延在する筒状の内周壁部と、上側傾斜部の下端の外側部分から鉛直下方に沿って延在する筒状の外周壁部とを含む。

【0120】

外ガード２３３Ｂの上側部分（以下、上側傾斜部と呼ぶ）は、鉛直上方に向かうにつれて回転軸線Ｑ１に向かう斜め上方に沿って延在する。外ガード２３３Ｂの上側傾斜部は内ガード２３２Ｂの上側傾斜部よりも鉛直上方に位置し、内ガード２３２Ｂの上側傾斜部と鉛直方向において対向している。外ガード２３３Ｂの下側部分は、外ガード２３３Ｂの上側傾斜部の下端から鉛直下方に沿って延在しており、内ガード２３２Ｂの外周壁部よりも径方向外側に位置している。

【0121】

内ガード２３２Ｂおよび外ガード２３３Ｂは後述のガード昇降機構２３４Ｂによって、後述のガード処理位置とガード待機位置との間で昇降可能に設けられる。ガード昇降機構２３４Ｂは、内ガード２３２Ｂと外ガード２３３Ｂとが互いにぶつからないように、内ガード２３２Ｂおよび外ガード２３３Ｂを昇降させる。ガード昇降機構２３４Ｂの具体的な構成の一例はガード昇降機構２６Ａと同様である。

【0122】

ガード処理位置は、内ガード２３２Ｂおよび外ガード２３３Ｂの各々の上端周縁が、基板保持部２１Ｂによって保持された基板Ｗの上面よりも鉛直上方となる位置である。図９の例では、ガード処理位置に位置する内ガード２３２Ｂおよび外ガード２３３Ｂが示されている。ガード待機位置は、内ガード２３２Ｂおよび外ガード２３３Ｂの各々の上端周縁が、例えば、基板保持部２１Ｂのベース２１１Ｂの上面よりも鉛直下方となる位置である。内ガード２３２Ｂおよび外ガード２３３Ｂの両方がガード待機位置で停止した状態では、基板Ｗの搬出入時において、内ガード２３２Ｂおよび外ガード２３３Ｂと、センターロボット３２との物理的な衝突を避けることができる。

【0123】

内ガード２３２Ｂおよび外ガード２３３Ｂの両方がガード処理位置で停止している状態では、基板Ｗの周縁から飛散した処理液は内ガード２３２Ｂの内周面で受け止められる。そして、処理液は、内ガード２３２Ｂの内周面に沿って流下する。該処理液は後述のように底部材２３１Ｂによって受け止められる。外ガード２３３Ｂのみがガード処理位置で停止している状態では、処理液は外ガード２３３Ｂの内周面で受け止められる。そして、処理液は、内ガード２３２Ｂの外周壁部の下部と外ガード２３３Ｂの下部との隙間から排出される。

【0124】

底部材２３１Ｂは、内ガード２３２Ｂおよび外ガード２３３Ｂよりも鉛直下方に設けられる。底部材２３１Ｂは、内ガード２３２Ｂの内周面を鉛直下方に流下する処理液を受け止める部材である。底部材２３１Ｂは、内周壁部と、内周壁部よりも外側に設けられた外周壁部と、内周壁部の下端と外周壁部の下端とを連結する円環底部とを含む。図９の例では、底部材２３１Ｂの外周壁部は、内ガード２３２Ｂの内周壁部と外周壁部との間に収容される。

【0125】

底部材２３１Ｂの円環底部には、不図示の排液溝が形成される。この排液溝は、工場の排液ラインと接続される。また、この排液溝には、溝内を強制的に排気して、底部材２３１Ｂの内側壁部と外周壁部との間の空間を負圧状態とする排気液機構が接続される。

【0126】

＜表面保護部２４Ｂ＞
ところで、ベベルノズル２２Ｂから吐出された処理液は、基板Ｗの上面の目標着液位置の近傍の着液位置Ｐ１で着液し、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、主として径方向外側に向かって流れる。しかしながら、処理液の一部は基板Ｗの上面において径方向内側に膨らんで流れる可能性もある。保護ベベル処理（ステップＳ２）において、膜除去液の一部が保護膜Ｆ１の上面を基板Ｗの中心側に移動すると、中心側の保護膜Ｆ１も除去されてしまい、基板Ｗのデバイス面Ｗａの中央領域Ｗａ２の一部が露出し得る。この場合、保護膜Ｆ１は適切にデバイス面Ｗａの中央領域Ｗａ２を保護できない。

【0127】

そこで、図９および図１０の例では、基板Ｗへの中心側への処理液の移動を抑制するために、ベベルユニット２０Ｂに表面保護部２４Ｂが設けられている。表面保護部２４Ｂは、基板Ｗの保護膜Ｆ１の中央部に向かってガスを吐出する。該ガスは基板Ｗの中央部に衝突し、基板Ｗの中央部から径方向外側に向かって全方位的に流れる。このように、ガスが基板Ｗの中心部から径方向外側に向かって流れることにより、ガスは基板Ｗ上の処理液を径方向外側に押圧する。このため、基板Ｗ上での処理液の径方向内側への移動を抑制することができる。該ガスとしては、例えば、不活性ガスを採用することができる。不活性ガスは、例えば、アルゴンガスなどの希ガスおよび窒素ガスの少なくともいずれか一方を含む。

【0128】

図９の例では、表面保護部２４Ｂは、基板保持部２１Ｂによって保持された基板Ｗよりも鉛直上方に設けられており、ガスノズル２４１Ｂ、円柱部材２４２Ｂおよび遮断板２４３Ｂを有するヘッド２４４Ｂと、ガスノズル移動機構２７Ｂとを含んでいる。円柱部材２４２Ｂは、その中心軸線が鉛直方向に沿う姿勢で設けられている。遮断板２４３Ｂは、円柱部材２４２Ｂの下面に取り付けられる。遮断板２４３Ｂは円板形状を有しており、その下面は水平面に沿う。遮断板２４３Ｂの直径は円柱部材２４２Ｂの直径よりも大きい。ガスノズル２４１Ｂは円柱部材２４２Ｂおよび遮断板２４３Ｂを鉛直方向に貫通しており、ガスノズル２４１Ｂの下端は遮断板２４３Ｂの下面において開口している。当該開口は、ガスノズル２４１Ｂの吐出口である。

【0129】

ガスノズル２４１Ｂの上側の開口は供給管２４５Ｂの下流端に接続され、供給管２４５Ｂの上流端はガス供給源２４８Ｂに接続されている。ガス供給源２４８Ｂからの不活性ガスは供給管２４５Ｂを通じてガスノズル２４１Ｂに供給され、ガスノズル２４１Ｂから吐出される。供給管２４５Ｂには、ガス供給源２４８Ｂ側から順に流量調整器２４７Ｂおよびバルブ２４６Ｂが設けられている。流量調整器２４７Ｂは供給管２４５Ｂを流れるガスの流量を調整する。バルブ２４６Ｂの開閉により、ガスノズル２４１Ｂからのガスの吐出および吐出停止が切り替えられる。

【0130】

ガスノズル移動機構２７Ｂはヘッド２４４Ｂをガス処理位置とガス待機位置との間で移動させる。ガス処理位置は、ガスノズル２４１Ｂがガスを吐出するときの位置であり、例えば、ガスノズル２４１Ｂが基板Ｗの中心部と鉛直方向において対向する位置である。ガス待機位置は、ガスノズル２４１Ｂがガスを吐出しないときの位置であり、例えば、基板Ｗの端面よりも径方向外側の位置である。ヘッド２４４Ｂがガス待機位置で停止した状態では、基板Ｗの搬出入時において、ヘッド２４４Ｂとセンターロボット３２との物理的な衝突を避けることができる。ガスノズル移動機構２７Ｂは、例えば、ノズル移動機構２２２Ｂと同様のアーム旋回機構を有する。

【0131】

＜加熱部２５Ｂ＞
膜除去液による処理速度は温度に依存する場合がある。例えば、フッ素を含む酸性薬液である膜除去液に対しては、処理速度を高めるために、基板Ｗの温度をある程度上昇させることが望ましい。そこで、図９の例では、ベベルユニット２０Ｂに加熱部２５Ｂが設けられている。加熱部２５Ｂは、基板保持部２１Ｂによって保持された基板Ｗの基板周縁部ＶＷ１と対向する位置に設けられており、基板周縁部ＶＷ１を加熱する。これにより、膜除去液による処理速度を向上させることができる。加熱部２５Ｂは輻射熱により基板Ｗを加熱してもよく、あるいは、高温流体（例えば高温ガス）を基板Ｗに供給して基板Ｗを加熱してもよい。ここでは、加熱部２５Ｂは輻射熱および高温ガスの両方で基板Ｗを加熱する。

【0132】

図１１は、加熱部２５Ｂの構成の一例を概略的に示す平面図である。図１１の例では、加熱部２５Ｂは、ヒーター２５１Ｂと、ヒーター２５１Ｂの内部を流路の一部とするガス供給部２５５Ｂとを含む。

【0133】

ヒーター２５１Ｂは、円環状の板状形状を有している。図９も参照して、ヒーター２５１Ｂは、基板Ｗの下面（つまり、非デバイス面Ｗｂ）のうち基板保持部２１Ｂの上面が当接していない部分と非接触で対向するように、基板保持部２１Ｂのまわりに環状に配設されている。ヒーター２５１Ｂの対向面（上面）は、例えば、基板Ｗの非デバイス面Ｗｂと平行である。ヒーター２５１Ｂの対向面は基板Ｗの非デバイス面Ｗｂと、例えば、２ｍｍ～５ｍｍ程度の距離を隔てて対向している。

【0134】

ヒーター２５１Ｂは、例えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）またはセラミックス製の本体部２５２Ｂに、発熱体（例えば、ニクロム線などの抵抗発熱体）２５３Ｂが内蔵された抵抗式のヒーターである。本体部２５２Ｂは円環状の板状形状を有しており、本体部２５２Ｂの上面がヒーター２５１Ｂの上面（対向面）に相当し、本体部２５２Ｂの下面がヒーター２５１Ｂの下面に相当する。発熱体２５３Ｂは、平面視において、円環状かつ帯状の配列領域内に設けられる。発熱体２５３Ｂが発熱することにより、本体部２５２Ｂが加熱されて昇温する。高温の本体部２５２Ｂは輻射熱により基板Ｗの基板周縁部ＶＷ１を加熱することができる。

【0135】

図１１の例では、本体部２５２Ｂの内部には加熱用流路２５４Ｂが形成されている。加熱用流路２５４Ｂは、発熱体２５３Ｂよりも鉛直下方において水平面内で配策された水平流路を含んでいる。水平流路の一部は、平面視において、発熱体２５３Ｂよりも径方向内側および径方向外側の各々の領域にも配策される。加熱用流路２５４Ｂは、さらに、水平流路から鉛直下方に延在して本体部２５２Ｂの下面において開口する上流流路と、水平流路のうち発熱体２５３Ｂよりも径方向内側および径方向外側の各々から鉛直上方に分岐して延在し、本体部２５２Ｂの上面において複数の吐出口２５Ｂａとして開口する複数の下流流路とを有する。

【0136】

図９も参照して、加熱用流路２５４Ｂの上流口は供給管２５６Ｂの下流端に接続され、供給管２５６Ｂの上流端はガス供給源２５９Ｂに接続されている。ガス供給源２５９Ｂからのガス（例えば不活性ガス）は供給管２５６Ｂおよび加熱用流路２５４Ｂを通じて吐出口２５Ｂａから吐出され、基板Ｗの非デバイス面Ｗｂの周縁領域に向かって流れる。ガスが本体部２５２Ｂの内部の加熱用流路２５４Ｂを流れることにより、ガスは本体部２５２Ｂから熱を受け取って加熱される。その高温ガスが吐出口２５Ｂａから基板Ｗの非デバイス面Ｗｂに向かって流れ、高温ガスが基板Ｗを加熱する。供給管２５６Ｂには、バルブ２５７Ｂおよび流量調整器２５８Ｂが設けられている。バルブ２５７Ｂの開閉により、加熱用流路２５４Ｂの吐出口２５Ｂａからの高温ガスの吐出および吐出停止が切り替えられる。流量調整器２５８Ｂはガスの流量を調整する。

【0137】

＜バックサイドベベル＞
図９および図１１の例では、ベベルユニット２０Ｂには、裏面用のベベルノズル２６Ｂも設けられている。ベベルノズル２６Ｂは、基板Ｗの非デバイス面Ｗｂの周縁領域に向かって処理液を吐出する。ベベルノズル２６Ｂは、基板保持部２１Ｂによって保持された基板Ｗの非デバイス面Ｗｂよりも鉛直下方において、基板Ｗの非デバイス面Ｗｂの周縁領域と鉛直方向において対向する位置に設けられている。このようなベベルノズル２６Ｂは、基板保持部２１Ｂよりも径方向外側に位置している。

【0138】

図１１の例では、ヒーター２５１Ｂには凹部２５Ｂｂが形成されている。凹部２５Ｂｂは径方向内側に凹み、かつ、鉛直方向に沿ってヒーター２５１Ｂを貫通している。ベベルノズル２６Ｂは凹部２５Ｂｂに設けられている。

【0139】

図９および図１１の例では、２つのベベルノズル２６Ｂが設けられている。一方のベベルノズル２６Ｂは供給管２６１Ｂの下流端に接続され、供給管２６１Ｂの上流端は膜除去液供給源２６３Ｂに接続されている。膜除去液供給源２６３Ｂからの膜除去液は供給管２６１Ｂを通じてベベルノズル２６Ｂに供給され、ベベルノズル２６Ｂの吐出口から基板Ｗの非デバイス面Ｗｂの周縁領域に向かって吐出される。供給管２６１Ｂにはバルブ２６２Ｂが設けられている。バルブ２６２Ｂの開閉により、ベベルノズル２６Ｂからの膜除去液の吐出および吐出停止が切り替えられる。

【0140】

他方のベベルノズル２６Ｂは供給管２６５Ｂの下流端に接続され、供給管２６５Ｂの上流端はリンス液供給源２６８Ｂに接続されている。リンス液供給源２６８Ｂからのリンス液は供給管２６５Ｂを通じてベベルノズル２６Ｂに供給され、ベベルノズル２６Ｂの吐出口から基板Ｗの非デバイス面Ｗｂの周縁領域に向かって吐出される。供給管２６５Ｂにはバルブ２６６Ｂが設けられている。バルブ２６６Ｂの開閉により、ベベルノズル２６Ｂからのリンス液の吐出および吐出停止が切り替えられる。

【0141】

＜保護ベベル処理＞
図１２は、保護ベベル処理の具体的な一例を示すフローチャートである。まず、センターロボット３２が基板Ｗをベベルユニット２０Ｂに搬入する（ステップＳ２１）。基板保持部２１Ｂは、搬入された基板Ｗを保持する。

【0142】

次に、基板保持部２１Ｂが基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる（ステップＳ２２）。また、ノズル移動機構２２２Ｂがベベルノズル２２Ｂをベベル処理位置に移動させ、ベベルユニット２０Ｂ（より具体的には制御部９０）がバルブ２５７Ｂおよびバルブ２２２Ｂａを開いてガスノズル２４１Ｂおよびベベルノズル２２Ｂａからガスを吐出させる（ステップＳ２３）。また、加熱部２５Ｂが基板Ｗの周縁部を加熱する（ステップＳ２４）。具体的には、ベベルユニット２０Ｂが発熱体への通電を開始し、バルブ２５７Ｂを開く。また、ガード昇降機構２３４Ｂは、内ガード２３２Ｂおよび外ガード２３３Ｂのうち膜除去液に対応したガードをガード処理位置に上昇させる。

【0143】

次に、ベベルユニット２０Ｂはバルブ２２２Ｂｂおよびバルブ２６２Ｂを開いて、ベベルノズル２２Ｂｂおよびベベルノズル２６Ｂから膜除去液を吐出させる（ステップＳ２５）。ベベルノズル２２Ｂｂから吐出された膜除去液は着液位置Ｐ１で保護膜Ｆ１の上面に着液し、保護膜Ｆ１の上面を径方向外側に流れ、その一部は基板Ｗの周縁から飛散する（図６（ｂ）も参照）。このとき、膜除去液が保護膜Ｆ１の保護周縁部ＶＦ１に作用し、保護周縁部ＶＦ１を除去することができる。

【0144】

保護膜Ｆ１上の膜除去液の残りの一部は保護周縁部ＶＦ１上に残留し、基板Ｗの回転と共に回転軸線Ｑ１のまわりを周回する。ここでは、ベベルノズル２２Ｂｂよりも上流側に設けられたベベルノズル２２Ｂａからガスが吐出されている。該ガスは、保護周縁部ＶＦ１上に残留してほぼ１周した膜除去液を、径方向外側に向かって吹き飛ばす。つまり、着液位置Ｐ１に着液して回転軸線Ｑ１のまわりをほぼ１周した古い膜除去液は、ベベルノズル２２Ｂａからのガスによって吹き飛ばされる。したがって、着液位置Ｐ１には古い膜除去液はほとんど到達しない。このため、新しい膜除去液が着液位置Ｐ１において古い膜除去液と衝突することを抑制できる。したがって、着液位置Ｐ１において膜除去液が過剰となって径方向内側に膨らむことを抑制することができる。なお、ベベルノズル２２Ｂａからのガスが基板Ｗの上面に衝突する位置は、ベベルノズル２２Ｂｂからの膜除去液の着液位置Ｐ１よりも径方向内側である。これにより、ガスが膜除去液よりも径方向内側から径方向外側に流れて、膜除去液をより確実に径方向外側に吹き飛ばすことができる。

【0145】

ベベルノズル２６Ｂから吐出された膜除去液は基板Ｗの非デバイス面Ｗｂ上の着液位置に着液し、非デバイス面Ｗｂを径方向外側に流れ、基板Ｗの周縁から飛散する（図６（ｂ）も参照）。このとき、膜除去液は、非デバイス面Ｗｂに付着した保護膜Ｆ１と同じ物質を除去することができる。

【0146】

なお、図９および図１１では省略しているものの、ベベルノズル２２Ｂａと同様に、ガスを吐出するベベルノズル２６Ｂが設けられてもよい。ガス用のベベルノズル２６Ｂは、膜除去液用のベベルノズル２６Ｂよりも基板Ｗの回転方向の上流側に設けられており、ガスを吐出する。該ガスは、非デバイス面Ｗｂに残留して周回した古い膜除去液を径方向外側に吹き飛ばす。このため、非デバイス面Ｗｂの着液位置において膜除去液が過剰となることを抑制できる。もし非デバイス面Ｗｂの着液位置において膜除去液が過剰になると、該膜除去液が基板Ｗの端面を回り込んで保護膜Ｆ１の上面に到達し、保護膜Ｆ１上の膜除去液を基板Ｗの中心側へと押し流し得るところ、そのような押し出しを抑制することができる。

【0147】

また、ここでは、加熱部２５Ｂが基板Ｗの基板周縁部ＶＷ１を加熱しているので、その上層の保護周縁部ＶＦ１の温度も上昇させることができる。このため、保護周縁部ＶＦ１上の膜除去液の温度低下を抑制することができ、より高い処理速度で膜除去液が保護周縁部ＶＦ１を除去することができる。このため、高い処理速度で保護周縁部ＶＦ１を除去することができる。なお、ベベルノズル２２Ｂｃからのリンス液の着液位置は、ベベルノズル２２Ｂｂからの膜除去液の着液位置Ｐ１よりも径方向内側である。これにより、リンス液が膜除去液を適切に押し流すことができる。ベベルノズル２６Ｂについても同様である。

【0148】

保護周縁部ＶＦ１が十分に除去されると、ベベルユニット２０Ｂはバルブ２２２Ｂｂおよびバルブ２６２Ｂを閉じて、膜除去液の供給を停止する。より具体的には、膜除去液の供給からの経過時間が第１所定時間以上となったときに、ベベルユニット２０Ｂはバルブ２２２Ｂｂおよびバルブ２６２Ｂを閉じる。経過時間は制御部９０内の公知のタイマー回路によって測定される。

【0149】

次に、ガード昇降機構２３４Ｂが必要に応じてガード２３Ｂの昇降状態を変更する。つまり、リンス液用のガードが膜除去液用のガードと相違するときには、ガード昇降機構２３４Ｂはリンス液に対応したガードをガード処理位置に上昇させる。

【0150】

次に、ベベルユニット２０Ｂはバルブ２２２Ｂｃおよびバルブ２６６Ｂを開いて、ベベルノズル２２Ｂｃおよびベベルノズル２６Ｂからリンス液を吐出させる（ステップＳ２６）。基板Ｗの表面に着液したリンス液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて、径方向外側に流れ、基板Ｗの端面から外側に飛散する。これにより、基板Ｗの表面の膜除去液をリンス液で径方向外側に押し流すことができる。つまり、基板Ｗの表面上の膜除去液をリンス液に置換することができる。

【0151】

膜除去液が十分にリンス液に置換されると、ベベルユニット２０Ｂはバルブ２２２Ｂｃおよびバルブ２６６Ｂを閉じて、リンス液の供給を停止する。より具体的には、リンス液の供給からの経過時間が第２所定時間以上となったときに、ベベルユニット２０Ｂはバルブ２２２Ｂｃおよびバルブ２６６Ｂを閉じる。

【0152】

次に、基板Ｗを乾燥させる（ステップＳ２７）。具体的な一例として、基板保持部２１Ｂは基板Ｗの回転速度を高めて、基板Ｗを高速で回転させる（いわゆるスピンドライ）。

【0153】

次に、ベベルユニット２０Ｂがバルブ２２２Ｂａおよびバルブ２５７Ｂを閉じ、ノズル移動機構２２２Ｂが複数のベベルノズル２２Ｂをベベル待機位置に移動させ、加熱部２５Ｂが加熱動作を停止し、基板保持部２１Ｂが基板Ｗの回転を停止させ、基板Ｗの保持を解除する。次に、センターロボット３２が基板Ｗをベベルユニット２０Ｂから搬出する（ステップＳ２８）。センターロボット３２は該基板Ｗを洗浄ユニット２０Ｃに搬入する。

【0154】

＜洗浄ユニット２０Ｃ＞
図１３は、洗浄ユニット２０Ｃの構成の一例を概略的に示す図である。洗浄ユニット２０Ｃは、基板保持部２１Ｃと、洗浄ノズル２２Ｃと、ガード２３Ｃとを含んでいる。

【0155】

基板保持部２１Ｃは基板Ｗを水平姿勢で保持し、基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。図１３の例では、基板保持部２１Ｃは、スピンベース２１１Ｃと、複数（３個以上）のチャックピン２１２Ｃと、回転機構２１３Ｃとを含む。スピンベース２１１Ｃは円板形状を有し、その厚み方向が鉛直方向に沿う水平姿勢で設けられている。円板形状のスピンベース２１１Ｃの外径は、基板保持部２１に保持される円形の基板Ｗの径よりも若干大きい（図１３を参照）。よって、スピンベース２１１Ｃは、保持すべき基板Ｗの下面（つまり、非デバイス面Ｗｂ）の全面と鉛直方向において対向する上面を有している。

【0156】

図１３の例では、スピンベース２１１Ｃの上面の周縁部には複数のチャックピン２１２Ｃが立設されている。複数のチャックピン２１２Ｃは、円形の基板Ｗの周縁に対応する円周上に沿って等間隔に配置される。各チャックピン２１２Ｃは、基板Ｗの周縁に当接する保持位置と、基板Ｗの周縁から離れた開放位置との間で駆動可能に設けられている。複数のチャックピン２１２Ｃは、スピンベース２１１Ｃ内に収容された図示省略のリンク機構によって連動して駆動される。基板保持部２１Ｃは、複数のチャックピン２１２Ｃをそれぞれの保持位置で停止させることにより、基板Ｗをスピンベース２１１Ｃの上方で上面に近接した水平姿勢にて保持することができるとともに、複数のチャックピン２１２Ｃをそれぞれの開放位置で停止させることにより、基板Ｗの保持を解除することができる。

【0157】

回転機構２１３Ｃは、スピンベース２１１Ｃを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。これにより、複数のチャックピン２１２Ｃに保持された基板Ｗも回転軸線Ｑ１のまわりで回転する。回転機構２１３Ｃの構成の一例は回転機構２１２Ａと同様である。

【0158】

なお、基板保持部２１Ｃは必ずしもチャックピン２１２Ｃを含んでいる必要はなく、例えば、基板保持部２１Ａ，２１Ｂと同様に、基板Ｗを吸着保持してもよい。

【0159】

洗浄ノズル２２Ｃは基板Ｗに向かって処理液を吐出して、基板Ｗに処理液を供給する。洗浄ノズル２２Ｃは供給管２２１Ｃの下流端に接続され、供給管２２１Ｃの上流端は処理液供給源２２３Ｃに接続される。処理液供給源２２３Ｃからの処理液は供給管２２１Ｃを通じて洗浄ノズル２２Ｃに供給され、洗浄ノズル２２Ｃの吐出口２２ｃから吐出される。供給管２２１Ｃにはバルブ２２２Ｃが設けられている。バルブ２２２Ｃの開閉は、洗浄ノズル２２Ｃからの処理液の吐出および吐出停止を切り替える。

【0160】

洗浄ユニット２０Ｃは、複数種の処理液が供給されるように構成される。より具体的には、洗浄ユニット２０Ｃは、異物除去液および膜除去液を選択的に供給可能である。例えば、異物除去液および膜除去液をそれぞれ吐出する２つの洗浄ノズル２２Ｃが設けられてもよい。

【0161】

図１３の例では、洗浄ノズル２２Ｃはノズル移動機構２５Ｃによって洗浄処理位置と洗浄待機位置との間で移動可能に設けられている。洗浄処理位置は、洗浄ノズル２２Ｃが基板Ｗに向かって処理液を吐出する位置であり、例えば、基板Ｗの中央部と鉛直方向において対向する位置である。洗浄待機位置は、洗浄ノズル２２Ｃが処理液を基板Ｗに向かって吐出しないときの位置であり、例えば、基板Ｗの端面よりも径方向外側の位置である。洗浄ノズル２２Ｃが処理待機位置で停止する状態では、基板Ｗの搬出入時において、洗浄ノズル２２Ｃとセンターロボット３２との物理的な衝突を回避することができる。ノズル移動機構２５Ｃは、例えば、ノズル移動機構２２２Ｂと同様のアーム旋回機構を有する。

【0162】

図１３の例では、洗浄ユニット２０Ｃには固定ノズル２４Ｃも設けられている。固定ノズル２４Ｃは、基板保持部２１Ｃによって保持された基板Ｗよりも鉛直上方かつ基板Ｗの端面よりも径方向外側に設けられている。固定ノズル２４Ｃは供給管２４１Ｃの下流端に接続され、供給管２４１Ｃの上流端はリンス液供給源２４３Ｃに接続されている。リンス液供給源２４３Ｃからのリンス液は供給管２４１Ｃを通じて固定ノズル２４Ｃに供給され、固定ノズル２４Ｃの吐出口から基板Ｗの上面（つまり、デバイス面Ｗａ）に向かって吐出される。供給管２４１Ｃにはバルブ２４２Ｃが設けられている。バルブ２４２Ｃの開閉により、固定ノズル２４Ｃからのリンス液の吐出および吐出停止が切り替えられる。

【0163】

ガード２３Ｃは、基板Ｗの端面から飛散する処理液を受け止めるための部材である。ガード２３Ｃは、基板保持部２１Ｃを囲む筒状形状を有しており、例えば、互いに独立して昇降可能な複数のガードを含む。図１３の例では、複数のガード２３Ｃとして内ガード２３１Ｃ、中ガード２３２Ｃおよび外ガード２３３Ｃが示されている。各ガード２３１Ｃ～２３３Ｃは、基板保持部２１Ｃの周囲を取り囲み、回転軸線Ｑ１に対してほぼ回転対称となる形状を有する。

【0164】

ガード２３Ｃの機能はガード２３Ｂと同様であり、内ガード２３１Ｃ、中ガード２３２Ｃおよび外ガード２３３Ｃは、互いに異なる種類の処理液を受け止めるための部材である。図１３に例示されたガード２３Ｃの具体的な形状はガード２３Ｂと相違するものの、ガード２３Ｃの形状自体は本実施の形態の本質ではないので、ここでは、詳細な説明を省略する。

【0165】

ガード２３１Ｃ～２３３Ｃはガード昇降機構２６Ｃによって昇降可能である。ガード昇降機構２６Ｃはガード２３１Ｃ～２３３Ｃが互いに衝突しないように、それぞれのガード処理位置とガード待機位置との間でガード２３１Ｃ～２３３Ｃを昇降させる。図１３の例では、ガード待機位置に位置しているガード２３１Ｃ～２３３Ｃが実線で示され、ガード処理位置に位置しているガード２３１Ｃ～２３３Ｃの一部が二点鎖線で示されている。ガード昇降機構２６Ｃの構成の一例はガード昇降機構２３４Ｂと同様である。

【0166】

＜基板ベベル処理および保護膜除去処理＞
図１４は、基板ベベル処理（ステップＳ３）および保護膜除去処理（ステップＳ４）の具体的な一例を示すフローチャートである。まず、センターロボット３２が基板Ｗを洗浄ユニット２０Ｃに搬入する（ステップＳ３１）。基板保持部２１Ｃは、搬入された基板Ｗを保持する。

【0167】

次に、基板保持部２１Ｃは基板Ｗを回転させる（ステップＳ３２）。また、ガード昇降機構２６Ｃは、ガード２３１Ｃ～２３３Ｃのうち異物除去液に対応したガードをガード処理位置に上昇させる。

【0168】

次に、洗浄ユニット２０Ｃは基板Ｗの基板周縁部ＶＷ１に異物除去液を供給する（ステップＳ３３）。具体的には、ノズル移動機構２５Ｃが洗浄ノズル２２Ｃを洗浄処理位置に移動させ、洗浄ユニット２０Ｃ（より具体的には、制御部９０）が異物除去液に対応したバルブ２２２Ｃを開いて、洗浄ノズル２２Ｃの吐出口２２ｃから異物除去液を吐出させる。異物除去液は、例えば、高温のＳＰＭである。異物除去液は保護膜Ｆ１の上面に着液し、基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて保護膜Ｆ１の上面を径方向外側に流れ、続けて、基板Ｗの周縁領域Ｗａ１を流れる（図６（ｃ）も参照）。これにより、異物除去液は基板Ｗの周縁領域Ｗａ１の異物Ｍ１に作用し、異物Ｍ１を除去することができる。なお、異物除去液は基板Ｗの端面を回り込んで、基板Ｗの非デバイス面Ｗｂの周縁領域にも到達し得る。この場合、異物除去液は、基板Ｗの端面および非デバイス面Ｗｂの周縁領域の異物Ｍ１を除去することもできる。

【0169】

異物Ｍ１が十分に除去されると、洗浄ユニット２０Ｃは、異物除去液に対応したバルブ２２２Ｃを閉じる。より具体的には、異物除去液の供給からの経過時間が第３所定時間以上となったときに、洗浄ユニット２０Ｃは、異物除去液に対応したバルブ２２２Ｃを閉じる。

【0170】

次に、ガード昇降機構２６Ｃが必要に応じて、ガード２３Ｃの昇降状態を変更する。つまり、リンス液用のガードが異物除去液用のガードと異なる場合には、ガード昇降機構２６Ｃがリンス液に対応したガードをガード処理位置に上昇させる。

【0171】

次に、洗浄ユニット２０Ｃは基板Ｗにリンス液を供給する（ステップＳ３４）。具体的な一例として、洗浄ユニット２０Ｃはバルブ２４２Ｃを開いて固定ノズル２４Ｃの吐出口からリンス液を吐出させる。リンス液は保護膜Ｆ１の上面の中央部に着液し、保護膜Ｆ１の上面を径方向外側に流れる。リンス液は、続けて基板Ｗの周縁領域Ｗａ１を流れて、基板Ｗの端面から飛散する。これにより、基板Ｗ上の異物除去液がリンス液によって押し流される。つまり、基板Ｗ上の異物除去液がリンス液に置換される。

【0172】

異物除去液が十分にリンス液に置換されると、洗浄ユニット２０Ｃはバルブ２４２Ｃを閉じる。より具体的には、リンス液の供給からの経過時間が第４所定時間以上となったときに、洗浄ユニット２０Ｃはバルブ２４２Ｃを閉じる。

【0173】

次に、ガード昇降機構２６Ｃが必要に応じて、ガード２３Ｃの昇降状態を変更する。つまり、膜除去液用のガードがリンス液用のガードと異なる場合には、ガード昇降機構２６Ｃは、膜除去液に対応したガードをガード処理位置に上昇させる。

【0174】

次に、洗浄ユニット２０Ｃは基板Ｗに膜除去液を供給する（ステップＳ４１）。具体的には、洗浄ユニット２０Ｃは、膜除去液に対応したバルブ２２２Ｃを開いて、洗浄ノズル２２Ｃの吐出口２２ｃから膜除去液を吐出させる。膜除去液は、例えば、フッ酸である。膜除去液は保護膜Ｆ１の上面の中央部に着液し、保護膜Ｆ１の上面を径方向外側に流れ、続けて基板Ｗの周縁領域Ｗａ１を流れて、基板Ｗの端面から外側に飛散する（図６（ｄ）も参照）。このとき、膜除去液は基板Ｗ上の保護膜Ｆ１に作用して保護膜Ｆ１を除去する。

【0175】

保護膜Ｆ１が十分に除去されると、洗浄ユニット２０Ｃは、膜除去液に対応したバルブ２２２Ｃを閉じる。より具体的には、膜除去液の供給からの経過時間が第５所定時間以上となったときに、洗浄ユニット２０Ｃは、膜除去液に対応したバルブ２２２Ｃを閉じる。

【0176】

次に、ガード昇降機構２６Ｃが必要に応じて、ガード２３Ｃの昇降状態を変更する。つまり、リンス液用のガードが膜除去液用のガードと異なる場合には、ガード昇降機構２６Ｃは、リンス液に対応したガードをガード処理位置に上昇させる。

【0177】

次に、洗浄ユニット２０Ｃは基板Ｗにリンス液を供給する（ステップＳ４２）。具体的な一例として、洗浄ユニット２０Ｃはバルブ２４２Ｃを開いて固定ノズル２４Ｃの吐出口からリンス液を吐出させる。リンス液は基板Ｗのデバイス面Ｗａの中央部に着液し、デバイス面Ｗａを径方向外側に流れて、基板Ｗの端面から外側に飛散する。これにより、基板Ｗ上の膜除去液がリンス液によって押し流される。つまり、基板Ｗ上の膜除去液がリンス液に置換される。

【0178】

膜除去液が十分にリンス液に置換されると、洗浄ユニット２０Ｃはバルブ２４２Ｃを閉じる。より具体的には、リンス液の供給からの経過時間が第６所定時間以上となったときに、洗浄ユニット２０Ｃはバルブ２４２Ｃを閉じる。また、ノズル移動機構２５Ｃが洗浄ノズル２２Ｃを洗浄待機位置へ移動させる。

【0179】

次に、洗浄ユニット２０Ｃは基板Ｗを乾燥させる（ステップＳ４３）。具体的な一例として、基板保持部２１Ｃが基板Ｗの回転速度を高めて、基板Ｗを高速で回転させる（いわゆるスピンドライ）。基板Ｗが十分に乾燥すると、基板保持部２１Ｃは基板Ｗの回転を停止させる。

【0180】

次に、基板保持部２１Ｃが基板Ｗの保持を解除し、センターロボット３２が基板Ｗを洗浄ユニット２０Ｃから搬出する（ステップＳ４４）。

【0181】

以上の動作により、基板処理装置１００は基板Ｗの基板周縁部ＶＷ１を処理することができる。

【0182】

＜変形例＞
上述の例では、基板ベベル処理（ステップＳ３）において、洗浄ノズル２２Ｃは基板Ｗの中央部に向かって異物除去液を吐出し、異物除去液を基板Ｗ上の保護膜Ｆ１の中央部に着液させている。しかしながら、必ずしもこれに限らない。異物除去液が基板Ｗの周縁領域Ｗａ１に供給される限りにおいて、異物除去液の着液位置は適宜に変更してもよい。例えば、洗浄ノズル２２Ｃは、保護膜Ｆ１の中心と保護膜Ｆ１の周縁との間の着液位置に向かって異物除去液を吐出してもよい。

【0183】

また、上述の例では、保護膜形成処理では、ウェット処理により保護膜Ｆ１を形成し、保護膜除去処理では、ウェット処理により保護膜Ｆ１を除去している。このため、安価なウェット処理ユニット２０を用いることができる。しかしながら、例えば、コスト低減が要求されていなければ、保護膜Ｆ１の形成および除去の少なくともいずれか一方をドライ処理によって行ってもよい。

【0184】

また、上述の例では、基板処理装置１００に塗布ユニット２０Ａ、熱処理ユニット１０Ａ、ベベルユニット２０Ｂおよび洗浄ユニット２０Ｃが設けられているものの、これらが異なる処理装置に分散して設けられてもよい。例えば、塗布ユニット２０Ａおよび熱処理ユニット１０Ａがコータ・デベロッパ（第１処理装置）に設けられ、ベベルユニット２０Ｂおよび洗浄ユニット２０Ｃがコータ・デベロッパとは別の第２処理装置に設けられてもよい。この場合、第１処理装置および第２処理装置の各々はロードポート１１１を含み、第１処理装置と第２処理装置との間において、複数の基板Ｗを収納したキャリアＣを搬送する搬送装置が設けられる。

【0185】

ここで、課題を解決するための手段の欄の用語と、発明を実施するための形態の欄の用語との対応を説明する。基板の主面にＳＯＧ膜を含む保護膜を形成する工程であって、該主面の周縁部が保護膜で覆われておらず、該主面のうち周縁部より内側領域が保護膜で覆われるように保護膜を形成する第１工程は、例えば、ステップＳ２、あるいは、ステップＳ１およびステップＳ２の一組に相当する。硫酸と過酸化水素水との混合液を含む処理液により該周縁部上の残渣または残膜を除去する第２工程は、ステップＳ３に相当する。保護膜を除去する第３工程は、ステップＳ４に相当する。

【0186】

以上のように、基板処理装置１００および基板処理方法は詳細に説明されたが、上記の説明は、全ての局面において、例示であって、これらがそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態および各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。

【符号の説明】

【0187】

１００ 基板処理装置
２１Ｂ，２１Ｃ 基板保持部
２２ｂ，２２ｃ 吐出口
２２Ｂ 第１ノズル（ベベルノズル）
２２Ｃ 第２ノズル（洗浄ノズル）
Ｗ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】