特開 2023-139980 半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023139980

(43)【公開日】2023-10-04

(54)【発明の名称】半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/60 20060101AFI20230927BHJP

   H01L 29/12 20060101ALI20230927BHJP

   H01L 29/78 20060101ALI20230927BHJP

   H01L 29/739 20060101ALI20230927BHJP

   H01L 23/48 20060101ALI20230927BHJP

【ＦＩ】

H01L21/60 321E

H01L29/78 652T

H01L29/78 652Q

H01L29/78 655F

H01L23/48 H

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022045800

(22)【出願日】2022-03-22

(71)【出願人】

【識別番号】000003078

【氏名又は名称】株式会社東芝

(71)【出願人】

【識別番号】317011920

【氏名又は名称】東芝デバイス＆ストレージ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100119035

【弁理士】

【氏名又は名称】池上 徹真

(74)【代理人】

【識別番号】100141036

【弁理士】

【氏名又は名称】須藤 章

(74)【代理人】

【識別番号】100178984

【弁理士】

【氏名又は名称】高下 雅弘

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 健之

(57)【要約】

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】第１上面を有する板と、板に接続された第１端子と、を有する第１コネクタであって、板の第１板部の板厚は、第１板部と第１端子の間の板の第２板部の板厚より薄い第１コネクタと、第１上面の上に設けられた半導体チップと、第１上面と半導体チップの間に設けられた第１接合材と、半導体チップの上に設けられた第２コネクタと、第３コネクタであって、板は第１端子と第３コネクタの間に設けられた第３コネクタと、第２コネクタと半導体チップの間に設けられた第２接合材と、第２コネクタと第３コネクタの間に設けられた第３接合材と、を備える半導体装置である。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１上面を有する板と、前記板に接続された第１端子と、を有する第１コネクタであって、前記板の第１板部の板厚は、前記第１板部と前記第１端子の間の前記板の第２板部の板厚より薄い前記第１コネクタと、
前記第１上面の上に設けられた半導体チップと、
前記第１上面と前記半導体チップの間に設けられた第１接合材と、
前記半導体チップの上に設けられた第２コネクタと、
第３コネクタであって、前記板は前記第１端子と前記第３コネクタの間に設けられた前記第３コネクタと、
前記第２コネクタと前記半導体チップの間に設けられた第２接合材と、
前記第２コネクタと前記第３コネクタの間に設けられた第３接合材と、
を備える半導体装置。

【請求項2】

前記半導体チップは、第２コネクタが設けられた側に凸となる形状を有する、
請求項１記載の半導体装置。

【請求項3】

前記第１上面は、前記第１上面の上に、前記第２板部から前記第１板部に向かって低くなっている傾斜部を有する、
請求項１又は請求項２記載の半導体装置。

【請求項4】

上方から見た場合の前記傾斜部の面積は、上方から見た場合の前記半導体チップの面積より大きい、
請求項３記載の半導体装置。

【請求項5】

前記第１上面と前記傾斜部の第２上面のなす角は、０．２度以上３度以下である、
請求項３又は請求項４記載の半導体装置。

【請求項6】

前記第２接合材はボイドを有する、
請求項１乃至請求項５いずれか一項記載の半導体装置。

【請求項7】

前記ボイドの直径は１ｍｍ以下である、
請求項６記載の半導体装置。

【請求項8】

前記半導体チップの第３上面は、第１辺と、前記第１辺に対向する第２辺と、を有し、
上方から見たときに、前記第１辺は、前記第２辺と前記第３コネクタの間に設けられ、
前記第１辺の近傍の前記第２接合材の膜厚は、前記第２辺の近傍の前記第２接合材の膜厚より薄い、
請求項１乃至請求項７いずれか一項記載の半導体装置。

【請求項9】

前記半導体チップの第３上面は、第１辺と、前記第１辺に対向する第２辺と、を有し、
上方から見たときに、前記第１辺は、前記第２辺と前記第３コネクタの間に設けられ、
前記第１辺の近傍の前記第２接合材の膜厚は、前記第２辺の近傍の前記第２接合材の膜厚より厚い、
請求項１乃至請求項７いずれか一項記載の半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などの半導体チップを有する半導体装置は、電力変換等の用途に用いられる。例えば、上述の半導体装置が縦型のＭＯＳＦＥＴである場合、半導体チップの上面に設けられたソース電極は、例えばＭＯＳＦＥＴの上に設けられたコネクタと接続されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２１－０３４６１５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明が解決しようとする課題は、信頼性の高い半導体装置を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0005】

実施形態の半導体装置は、第１上面を有する板と、板に接続された第１端子と、を有する第１コネクタであって、板の第１板部の板厚は、第１板部と第１端子の間の板の第２板部の板厚より薄い第１コネクタと、第１上面の上に設けられた半導体チップと、第１上面と半導体チップの間に設けられた第１接合材と、半導体チップの上に設けられた第２コネクタと、第３コネクタであって、板は第１端子と第３コネクタの間に設けられた第３コネクタと、第２コネクタと半導体チップの間に設けられた第２接合材と、第２コネクタと第３コネクタの間に設けられた第３接合材と、を備える。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】実施形態の半導体装置の模式上面図である。

【図2】実施形態の半導体装置の模式断面図である。

【図3】実施形態の半導体装置の要部の模式断面図である。

【図4】実施形態の第１比較形態となる半導体装置の模式断面図である。

【図5】実施形態の第２比較形態となる半導体装置の模式断面図である。

【図6】実施形態の第３比較形態となる半導体装置の模式断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明では、同一の部材等には同一の符号を付し、一度説明した部材等については適宜その説明を省略する。

【0008】

本明細書中、部品等の位置関係を示すために、図面の上方向を「上」、図面の下方向を「下」と記述する。本明細書中、「上」、「下」の概念は、必ずしも重力の向きとの関係を示す用語ではない。

【0009】

（実施形態）
実施形態の半導体装置は、第１上面を有する板と、板に接続された第１端子と、を有する第１コネクタであって、板の第１板部の板厚は、第１板部と第１端子の間の板の第２板部の板厚より薄い第１コネクタと、第１上面の上に設けられた半導体チップと、第１上面と半導体チップの間に設けられた第１接合材と、半導体チップの上に設けられた第２コネクタと、第３コネクタであって、板は第１端子と第３コネクタの間に設けられた第３コネクタと、第２コネクタと半導体チップの間に設けられた第２接合材と、第２コネクタと第３コネクタの間に設けられた第３接合材と、を備える。

【0010】

図１は、実施形態の半導体装置１００の模式上面図である。図２は、実施形態の半導体装置１００の模式断面図である。図２は、図１におけるＡ－Ａ’断面の模式図である。

【0011】

図１及び図２を用いて、実施形態の半導体装置１００の説明をする。

【0012】

ドレインコネクタ（ダイパッド、第１コネクタの一例）２は、半導体チップ１０が配置される、Ｃｕ（銅）等の導電性材料を含む部材である。ドレインコネクタ２は、第１板（板の一例）３と、ドレイン端子（第１端子の一例）６と、を有する。第１板３は、底面１と、第１上面４と、を有する。ドレイン端子６は、第１板３に接続されている。ドレイン端子６は、半導体チップ１０と、図示しない外部回路との接続に用いられる。

【0013】

ここで、Ｘ方向と、Ｘ方向に対して垂直に交差するＹ方向と、Ｘ方向及びＹ方向に垂直に交差するＺ方向を定義する。底面１及び第１上面４は、ＸＹ面に平行に配置されている。ドレイン端子６は、第１板３のＹ方向の側に設けられている。

【0014】

第１板３は、第１板部３ａと、第２板部３ｂと、を有する。第２板部３ｂは、第１板部３ａとドレイン端子６の間に設けられている。第１板３の第１板部３ａの膜厚ｔ_１は、第１板３の第２板部３ｂの膜厚ｔ_２より薄い。

【0015】

例えば、第１上面４は、第１上面４の上に、傾斜部３０を有している。傾斜部３０は、第２板部３ｂから、第１板部３ａに向かって、低くなるように設けられている。傾斜部３０は、第２上面３２を有している。

【0016】

第２上面３２と第１上面４のなす角θは、０．２度以上３度以下であることが好ましい。なお、実施形態の図においては、傾斜部３０を見やすく図示するため、θを３度より大きくして図示している。

【0017】

半導体チップ１０は、ドレインコネクタ２の第１上面４の上又はドレインコネクタ２の傾斜部３０の上に設けられている。半導体チップ１０は、例えば、Ｓｉ（シリコン）、ＳｉＣ（炭化珪素）、ＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）、又はＧａＮ（窒化ガリウム）等の半導体基板に、縦型のＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等が設けられたものである。

【0018】

図２に示すように、実施形態の半導体チップ１０は、凸部１１ｄを有する。実施形態の半導体チップ１０は、上に凸の形状を有している。半導体装置１００においては、上に凸になるように凸部１１ｄが配置されている。言い換えると、凸部１１ｄは第２金属膜（ソース電極）１８側に凸の形状を有する。つまり、半導体チップ１０は第２コネクタ５０が設けられた側に凸の形状を有する。なお、上に凸の形状を有しない半導体チップ１０であっても、実施形態の半導体装置１００に好ましく用いることができる。

【0019】

半導体チップ１０は、第３上面１１ａを有する。第３上面１１ａは、第１辺１１ｂと、第１辺１１ｂに対向する第２辺１１ｃと、を有する。上方から見たときに、第１辺１１ｂは、第２辺１１ｃと第３コネクタ５４の間に設けられている。

【0020】

第１接合材７０は、第１上面４と半導体チップ１０の間に設けられている。第１上面４が傾斜部３０を有する場合、第１接合材７０は、傾斜部３０と半導体チップ１０の間に設けられている。第１接合材７０は、第１上面４又は傾斜部３０と半導体チップ１０を接合している。例えば半導体チップ１０にＭＯＳＦＥＴが設けられている場合、第１接合材７０は、第１上面４又は傾斜部３０と、図示しない半導体チップ１０のドレイン電極を接合している。

【0021】

上方から見た場合の傾斜部３０の面積は、上方から見た場合の半導体チップ１０の面積より大きいことが好ましい。

【0022】

なお、傾斜部３０は、第１上面４の上の全面に設けられていてもかまわないし、第１上面４の上の一部に設けられていてもかまわない。

【0023】

第１接合材７０は、第１接合材７０の中に、ボイド（気泡）７２を有していても良い。図２には、ボイド７２ａ及びボイド７２ｂが示されている。

【0024】

第１金属膜１６は、半導体チップ１０の上に設けられている。第１金属膜１６は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）を含む。

【0025】

絶縁膜１２は、第１金属膜１６の上に設けられている。例えば、絶縁膜１２は、半導体チップ１０の端部の上及び第１金属膜１６の端部の上に設けられている。絶縁膜１２は、例えばポリイミド等の絶縁材料を含む。

【0026】

第２金属膜１８は、第１金属膜１６の上に設けられている。第２金属膜１８は、第１金属膜１６の上において、絶縁膜１２に囲まれている。第２金属膜１８は、例えば、Ｎｉ及びＡｕを含む。

【0027】

例えば、半導体チップ１０にＭＯＳＦＥＴが設けられている場合、第１金属膜１６及び第２金属膜１８は、ＭＯＳＦＥＴのソース電極に相当する。

【0028】

第３コネクタ（第１ポスト部の一例）５４は、第２板５８と、ソース端子（第２端子の一例）５６と、を有する。第３コネクタ５４は、Ｃｕ等の導電性材料を含む。第３コネクタ５４は、半導体チップ１０と、図示しない外部回路との接続に用いられる。ここで、第１板３は、ドレイン端子６とソース端子５６の間に設けられている。また、第２板５８は、例えば、ソース端子５６と第１板３の間に設けられている。

【0029】

第４コネクタ（第２ポスト部の一例）６４は、第３板６８と、ゲート端子６６と、を有する。第４コネクタ６４は、Ｃｕ等の導電性材料を含む。第４コネクタ６４は、半導体チップ１０と、図示しない外部回路との接続に用いられる。

【0030】

第２コネクタ５０は、第１端部５１ａと、第２端部５１ｂと、を有する。第２コネクタ５０は、例えば、Ｃｕ等の導電性材料を含む。なお、第２コネクタ５０の表面に、例えばＳｎを含む材料によりめっきが施されていてもかまわない。第１端部５１ａは、第１金属膜１６の上に設けられている。第２端部５１ｂは、第２板５８の上に設けられている。

【0031】

第２接合材２０は、第２金属膜１８の上に設けられている。第２接合材２０は、第２金属膜１８と第１端部５１ａの間に設けられている。第２接合材２０は、第１端部５１ａと第２金属膜１８を接合している。

【0032】

第２接合材２０は、第２接合材２０の中に、ボイド（気泡）２２を有していても良い。図２には、ボイド２２ａ及びボイド２２ｂが示されている。

【0033】

ボイド２２の直径は、１ｍｍ以下であることが好ましい。なお、ボイド２２の直径は、５００μｍ以下であることが、さらに好ましい。

【0034】

第３接合材５９は、第２板５８と第２端部５１ｂの間に設けられている。第３接合材５９は、第２板５８と第２端部５１を接合している。

【0035】

第５コネクタ６０は、第３端部６１ａと、第４端部６１ｂと、を有する。第５コネクタ６０は、例えば、Ｃｕ等の導電性材料を含む。なお、第５コネクタ６０の表面に、例えばＳｎを含む材料によりめっきが施されていてもかまわない。第３端部６１ａは、半導体チップ１０の上に設けられた第４接合材８０を介して、半導体チップ１０と電気的に接続されている。第４接合材８０の下には、例えば、図示しない半導体チップ１０のゲート電極が設けられている。

【0036】

第５接合材６９は、第３板６８と第４端部６１ｂの間に設けられている。第５接合材６９は、第３板６８と第４端部６１ｂを接合している。

【0037】

半導体チップ１０が凸部１１ｄを有する場合、第１接合材７０については、半導体チップ１０の中央付近の第１接合材７０の膜厚が厚い。一方、半導体チップ１０の端部付近の第１接合材７０の膜厚は薄い。

【0038】

半導体チップ１０が凸部１１ｄを有する場合、第２接合材２０については、半導体チップ１０の中央付近の第２接合材２０の膜厚が薄い。一方、半導体チップ１０の端部付近の第２接合材２０の膜厚は厚い。

【0039】

第１接合材７０、第２接合材２０、第３接合材５９、第４接合材８０及び第５接合材６９としては、例えば、Ｐｂ（鉛）及びＳｎ（スズ）を含むはんだ、Ｐｂ、Ａｇ（銀）及びＳｎ（スズ）を含むはんだ、Ｓｎ及びＳｂ（アンチモン）を含むはんだ、Ａｕ（金）及びＳｎを含むはんだ、Ａｕ及びＳｉを含むはんだ、又はＡｕ及びＧｅ（ゲルマニウム）を含むはんだ等を好ましく用いることができる。

【0040】

図３は、実施形態の半導体装置の要部の模式断面図である。

【0041】

図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、第１辺１１ｂと底面１の距離Ｌ_１は、第２辺１１ｃと底面１の距離Ｌ_２より短い。図３（ａ）においては、第１辺１１ｂの近傍の第２接合材２０の膜厚ｔ_３が、第２辺１１ｃの近傍の第２接合材２０の膜厚ｔ_４より薄い場合が示されている。図３（ｂ）においては、第１辺１１ｂの近傍の第２接合材２０の膜厚ｔ_３が、第２辺１１ｃの近傍の第２接合材２０の膜厚ｔ_４より厚い場合が示されている。いずれの場合であっても、実施形態の半導体装置１００として好ましく用いることができる。

【0042】

実施形態の半導体装置１００の製造方法について記載する。まず、リフロー板の上に、ドレインコネクタ２、第３コネクタ５４、第４コネクタ６４を配置する。次に、ドレインコネクタ２の上に、第１接合材７０となるクリームはんだを塗布する。次に、第１接合材７０となるクリームはんだの上に、半導体チップ１０を載置する。次に、半導体チップ１０の上に、第２接合材２０となるクリームはんだを塗布する。次に、第３コネクタ５４の第２板５８の上に、第３接合材５９となるクリームはんだを載置する。次に、半導体チップ１０のゲート電極の上に、第４接合材８０となるクリームはんだを載置する。次に、第４コネクタ６４の第３板６８の上に、第５接合材６９となるクリームはんだを載置する。次に、第２コネクタ５０の第１端部５１ａを、第２接合材２０となるクリームはんだの上に載置する。次に、第２コネクタ５０の第２端部５１ｂを、第３接合材５９となるクリームはんだの上に載置する。次に、第５コネクタ６０の第３端部６１ａを、第４接合材８０となるクリームはんだの上に載置する。次に、第５コネクタ６０の第４端部６１ｂを、第５接合材６９となるクリームはんだの上に載置する。次に、真空リフロー加熱処理によりクリームはんだを加熱し、溶融する。次に、溶融したクリームはんだを冷却によって固化する。これにより、第１接合材７０、第２接合材２０、第３接合材５９、第４接合材８０及び第５接合材６９を形成する。これにより、実施形態の半導体装置１００を得る。なお、実施形態の半導体装置１００の製造方法は、上記のものに限定されるものではない。

【0043】

次に、実施形態の半導体装置の作用効果を記載する。

【0044】

図４は、実施形態の第１比較形態となる半導体装置１０００の模式断面図である。半導体チップ１０は、凸部１１ｄを有していない。また、半導体装置１０００には、傾斜部３０は設けられていない。

【0045】

図５は、実施形態の第２比較形態となる半導体装置１１００の模式断面図である。半導体チップ１０は、凸部１１ｄを有している。また、半導体装置１１００には、傾斜部３０は設けられていない。

【0046】

半導体チップの膜厚を薄くすることが求められている。例えば、半導体チップに縦型のＭＯＳＦＥＴが設けられている場合、ＭＯＳＦＥＴのオン抵抗を小さくするために、半導体チップの膜厚が薄いことが好ましい。しかし、この場合、半導体チップの底面に設けられたドレイン電極、及び半導体チップの上面に設けられたソース電極の膜厚が、相対的に厚くなる。そのため、ドレイン電極及びソース電極の応力の影響を、半導体チップが受けやすくなる。特に、半導体チップが上に凸に反ることが、頻繁に発生する。そのため、かかる半導体チップに対してどのようにコネクタを接続するかが問題となっていた。

【0047】

また、半導体装置の製造の際には、真空リフロー加熱処理によりクリームはんだを溶融し、固化させる。ここで、クリームはんだが溶融した際に、クリームはんだの内部に気泡（ボイド）が入ることがある。かかるボイドが入った部分は、周囲の接合材の部分と比較して、熱抵抗が大きくなってしまう。そのため、ボイドをうまく除去するかが問題となっていた。

【0048】

第３コネクタ５４が配置されているため、真空リフローにおいて半導体チップ１０と第３コネクタ５４との間の真空引きのコンダクタンスが小さくなり、第３コネクタ５４に近い側の第２接合材２０のボイド２２ａが抜けにくい。特に、半導体チップ１０が凸部１１ｄを有する場合には、第３コネクタ５４に近い側における、半導体チップ１０と第２コネクタ５０の間の隙間が狭くなり、さらにボイドが抜けにくい。

【0049】

また、半導体チップ１０が凸部１１ｄを有する場合には、半導体チップ１０が凸部１１ｄを有しない場合と比較して、第１接合材７０の膜厚及び第２接合材２０の膜厚が不均一になる。このように、接合材の膜厚が不均一である場合、半導体装置１００の加熱及び冷却により、半導体装置１００に加わる熱サイクルのために、接合材に、特にクラックが入りやすくなるという問題があった。

【0050】

そこで、半導体装置１００においては、第１板３の第１板部３ａの板厚が、第１板部３ａとドレイン端子６の間の第１板３の第２板部３ｂの板厚より薄いドレインコネクタ２を用いている。これにより、半導体チップ１０と第２コネクタ５０の間の隙間をより均等にすることができる。そのため、真空リフローを行う際に、第２接合材２０の内部に形成されるボイドが抜けやすくなる。

【0051】

また、第１板部３ａの熱容量が第２板部３ｂの熱容量より小さくなるため、第１板部３ａ側の接合材２０が第２板部３ｂ側の接合材２０よりも先に溶融する。これにより、第２接合材２０の第１板部３ａ側、すなわち第３コネクタ５４に近い側にボイドが形成されにくくなる。

【0052】

また、第２接合材２０の膜厚のばらつきを小さくし、第２接合材２０の膜厚をより均一にすることができる。そのため、第２接合材２０にクラックが入りにくくなる。

【0053】

傾斜部３０は、金型を使用して容易に精度良く形成可能である。また、傾斜部３０は、第１接合材７０を介して、安定して半導体チップ１０を保持することが可能である。そのため、傾斜部３０は実施形態の半導体装置１００に好ましく用いられる。

【0054】

上方から見た場合の傾斜部３０の面積は、上方から見た場合の半導体チップ１０の面積より大きいことが好ましい。これは、傾斜部３０の面積がより大きい方が、より安定して半導体チップ１０を保持することが可能であるためである。

【0055】

第２上面３２と第１上面４のなす角θは、０．２度以上３度以下であることが好ましい。θが０．２度未満である場合には、半導体チップ１０と第２コネクタ５０の間の隙間が十分に均等にならないため、第２接合材２０の内部に形成されるボイド２２が抜けづらくなってしまう。一方、θが３度より大きい場合には、ドレイン端子６に近い側の第２接合材２０の膜厚がかえって薄くなりすぎて、ボイド２２を抜くのが困難になる。

【0056】

ボイド２２の直径は、半導体装置１００の熱抵抗をできるだけ小さくするために、１ｍｍ以下であることが好ましい。

【0057】

図６は、実施形態の第３比較形態となる半導体装置１２００の模式断面図である。第２端部５１ｂに、コネクタ延長部５５を接続することにより、第２接合材２０の膜厚をより均一にすることが考えられる。しかし、ＸＹ面に平行な面内におけるコネクタ延長部５５の断面積は小さい。そのため、実施形態の半導体装置１００のように、第１板３の第１板部３ａの板厚が、第１板部３ａとドレイン端子６の間の第１板３の第２板部３ｂの板厚より薄いドレインコネクタ２を用いる方が、より大きな断面積を確保できる。また、半導体チップ１０との接触を向上させることが出来る。そのため、半導体装置の熱抵抗を小さくすることが出来る。

【0058】

実施形態の半導体装置によれば、信頼性の高い半導体装置の提供が可能となる。

【0059】

本発明のいくつかの実施形態及び実施例を説明したが、これらの実施形態及び実施例は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことが出来る。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0060】

１ ：底面
２ ：ドレインコネクタ（第１コネクタ）
３ ：第１板（板）
３ａ ：第１板部
３ｂ ：第２板部
４ ：第１上面
６ ：ドレイン端子（第１端子）
１０ ：半導体チップ
１１ａ ：第３上面
１１ｂ ：第１辺
１１ｃ ：第２辺
１１ｄ ：凸部
２０ ：第２接合材
２２ ：ボイド
３０ ：傾斜部
３２ ：第２上面
５０ ：第２コネクタ
５４ ：第３コネクタ
５６ ：ソース端子（第２端子）
５８ ：第２板
５９ ：第３接合材
７０ ：第１接合材
１００ ：半導体装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】