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特開2023-140145テンプレート、テンプレートの製造方法、および半導体装置の製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023140145
(43)【公開日】2023-10-04
(54)【発明の名称】テンプレート、テンプレートの製造方法、および半導体装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/027 20060101AFI20230927BHJP
B29C 59/02 20060101ALI20230927BHJP
【ＦＩ】
H01L21/30 502D
B29C59/02 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022046028
(22)【出願日】2022-03-22
(71)【出願人】
【識別番号】318010018
【氏名又は名称】キオクシア株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001092
【氏名又は名称】弁理士法人サクラ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】福原 和也
(72)【発明者】
【氏名】高畑 和宏
【テーマコード（参考）】
4F209
5F146
【Ｆターム（参考）】
4F209AA44
4F209AF01
4F209AG05
4F209AH33
4F209AH73
4F209PA02
4F209PB01
4F209PC05
4F209PN09
4F209PQ11
5F146AA32
(57)【要約】
【課題】高精度のアライメントが可能なアライメントマークを形成することができるテンプレートを提供する。
【解決手段】テンプレートは、第１の面と、第１の面に対して突出する第２の面を有し、第２の面に設けられた第１の凹部および第２の凹部を含む第１のパターンと、第１の面に対して突出する第３の面を有する第２のパターンと、を有する基材と、第１の凹部に設けられた光学層と、を具備する。テンプレートは、第２の凹部の底面は露出している。
【選択図】図４
【解決手段】テンプレートは、第１の面と、第１の面に対して突出する第２の面を有し、第２の面に設けられた第１の凹部および第２の凹部を含む第１のパターンと、第１の面に対して突出する第３の面を有する第２のパターンと、を有する基材と、第１の凹部に設けられた光学層と、を具備する。テンプレートは、第２の凹部の底面は露出している。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の面と、
前記第１の面に対して突出する第２の面を有し、前記第２の面に設けられた第１の凹部および第２の凹部を含む第１のパターンと、
前記第１の面に対して突出する第３の面を有する第２のパターンと、
を有する基材と、
前記第１の凹部に設けられた光学層と、
を具備し、
前記第２の凹部の底面は露出している、テンプレート。
前記第１の面に対して突出する第２の面を有し、前記第２の面に設けられた第１の凹部および第２の凹部を含む第１のパターンと、
前記第１の面に対して突出する第３の面を有する第２のパターンと、
を有する基材と、
前記第１の凹部に設けられた光学層と、
を具備し、
前記第２の凹部の底面は露出している、テンプレート。
【請求項2】
前記第１のパターンは、複数の前記第１の凹部と、複数の前記第２の凹部と、を含み、
前記複数の第２の凹部は、前記複数の前記第１の凹部の周りに設けられる、請求項１に記載のテンプレート。
前記複数の第２の凹部は、前記複数の前記第１の凹部の周りに設けられる、請求項１に記載のテンプレート。
【請求項3】
前記第１のパターンは、アライメントマークのパターンである、請求項１に記載のテンプレート。
【請求項4】
第１の面と、
前記第１の面に対して突出する第２の面を有し、前記第２の面に設けられた第１の凹部および第２の凹部を含む第１のパターンと、
前記第１の面に対して突出する第３の面を有する第２のパターンと、
を有する基材を準備する工程と、
前記第１の凹部および第２の凹部を覆う光学層を形成する工程と、
前記光学層を部分的に除去することにより、前記第２の凹部の底面を露出させるとともに前記第１の凹部に前記光学層を残存させる工程と、
を具備する、テンプレートの製造方法。
前記第１の面に対して突出する第２の面を有し、前記第２の面に設けられた第１の凹部および第２の凹部を含む第１のパターンと、
前記第１の面に対して突出する第３の面を有する第２のパターンと、
を有する基材を準備する工程と、
前記第１の凹部および第２の凹部を覆う光学層を形成する工程と、
前記光学層を部分的に除去することにより、前記第２の凹部の底面を露出させるとともに前記第１の凹部に前記光学層を残存させる工程と、
を具備する、テンプレートの製造方法。
【請求項5】
基板上の被加工膜にインプリント材料を塗布することにより形成された層に請求項１に記載のテンプレートを押しつけて前記層を成形し、成形された前記層を硬化させることにより、前記第２のパターンを前記層に転写する工程
を具備する、半導体装置の製造方法。
を具備する、半導体装置の製造方法。
【請求項6】
第１の面と、
前記第１の面に対して突出する第２の面を有し、前記第２の面に設けられた第１の凹部を含む第１のパターンと、
前記第１の面に対して突出する第３の面を有する第２のパターンと、
を有する基材と、
前記第１の凹部に設けられ、前記第１の面と略面一である露出面を有する光学層と、
を具備する、テンプレート。
前記第１の面に対して突出する第２の面を有し、前記第２の面に設けられた第１の凹部を含む第１のパターンと、
前記第１の面に対して突出する第３の面を有する第２のパターンと、
を有する基材と、
前記第１の凹部に設けられ、前記第１の面と略面一である露出面を有する光学層と、
を具備する、テンプレート。
【請求項7】
前記第１のパターンは、前記第２の面に設けられた第２の凹部をさらに含み、
前記第２の凹部の底面は露出している、請求項６に記載のテンプレート。
前記第２の凹部の底面は露出している、請求項６に記載のテンプレート。
【請求項8】
前記第１のパターンは、アライメントマークのパターンである、請求項６または請求項７に記載のテンプレート。
【請求項9】
基材の第１の領域の一部と、前記基材の第２の領域の一部と、を覆う第１のマスクを形成する第１の工程と、
前記第１のマスクを用いて前記第１の領域の他の一部と前記第２の領域の他の一部とを加工することにより、第１の面と、前記第１の領域に設けられた第１の凹部を形成する工程と、
前記第１のマスクを残したまま前記第１の面を覆う第２のマスクを形成する工程と、
前記第１のマスクおよび前記第２のマスクを用いて前記第１の凹部を前記第１の面よりも窪むように加工する工程と、
前記第１の面と略面一である露出面を有する光学層を前記第１の凹部に形成する工程と、
を具備する、テンプレートの製造方法。
前記第１のマスクを用いて前記第１の領域の他の一部と前記第２の領域の他の一部とを加工することにより、第１の面と、前記第１の領域に設けられた第１の凹部を形成する工程と、
前記第１のマスクを残したまま前記第１の面を覆う第２のマスクを形成する工程と、
前記第１のマスクおよび前記第２のマスクを用いて前記第１の凹部を前記第１の面よりも窪むように加工する工程と、
前記第１の面と略面一である露出面を有する光学層を前記第１の凹部に形成する工程と、
を具備する、テンプレートの製造方法。
【請求項10】
基板上の被加工膜にインプリント材料を塗布することにより形成された層に請求項６に記載のテンプレートを押しつけて前記層を成形し、成形された前記層を硬化させることにより、前記第２のパターンを前記層に転写する工程
を具備する、半導体装置の製造方法。
を具備する、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、テンプレート、テンプレートの製造方法、および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体装置の製造方法において、ナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）を用いて微細なパターンを形成する技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００７－１０３９１５号公報
【特許文献2】特開２０１３－１６８６０４号公報
【特許文献3】特開２０２１－１５０６２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
実施形態の発明が解決しようとする課題は、高精度のアライメントが可能なアライメントマークを形成することができるテンプレートを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態のテンプレートは、第１の面と、第１の面に対して突出する第２の面を有し、第２の面に設けられた第１の凹部および第２の凹部を含む第１のパターンと、第１の面に対して突出する第３の面を有する第２のパターンと、を有する基材と、第１の凹部に設けられた光学層と、を具備する。テンプレートは、第２の凹部の底面は露出している。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【図1】テンプレートの構造例を説明するための斜視模式図である。
【図2】テンプレートの構造例を説明するための断面模式図である。
【図3】面ＭＳのレイアウト例を説明するための上面模式図である。
【図4】第１の実施形態のテンプレートの例を説明するための断面模式図である。
【図5】アライメントマークパターンＡＭの形状例を示す上面模式図である。
【図6】アライメントマークパターンＡＭの形状例を示す上面模式図である。
【図7】アライメントマークパターンＡＭの形状例を示す上面模式図である。
【図8】第１の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図9】第１の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図10】第１の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図11】第１の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図12】第１の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図13】第１の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図14】第１の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図15】第１の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図16】第１の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図17】第１の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図18】第１の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図19】第１の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図20】第１の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図21】第１の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図22】周辺領域の光学層２１の形成例を示す断面模式図である。
【図23】周辺領域の光学層２１の形成例を示す断面模式図である。
【図24】第２の実施形態のテンプレートの例を説明するための断面模式図である。
【図25】第２の実施形態のテンプレートの他の例を説明するための断面模式図である。
【図27】アライメントマークパターンＡＭの形状例を示す上面模式図である。
【図28】第２の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図29】第２の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図30】第２の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図31】第２の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図32】第２の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図33】第２の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図34】第２の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図35】第２の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図36】第２の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図を説明するための上面模式図である。
【図37】第２の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図38】第２の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図39】第２の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図40】第２の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図41】第２の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図42】第２の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図43】第２の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図44】第２の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図45】第２の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図46】光学層２１の形状の違いによるインプリント材料層の形状の違いを説明するための模式図である。
【図47】光学層２１の形状の違いによるインプリント材料層の形状の違いを説明するための模式図である。
【図48】第３の実施形態のテンプレートの例を説明するための断面模式図である。
【図49】第３の実施形態のテンプレートの例を説明するための断面模式図である。
【図50】第３の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図51】第３の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図52】第３の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図53】第３の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図54】ＮＩＬを用いた半導体装置の製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図55】ＮＩＬを用いた半導体装置の製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図56】ＮＩＬを用いた半導体装置の製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【図57】ＮＩＬを用いた半導体装置の製造方法の例を説明するための断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下、実施形態について、図面を参照して説明する。図面に記載された各構成要素の厚さと平面寸法との関係、各構成要素の厚さの比率等は現物と異なる場合がある。また、実施形態において、実質的に同一の構成要素には同一の符号を付し適宜説明を省略する。
【0008】
＜第１の実施形態＞
（テンプレートの構造例）
図１は、テンプレートの構造例を説明するための斜視模式図である。図２は、テンプレートの構造例を説明するための断面模式図である。図１および図２は、Ｘ軸と、Ｘ軸に直交するＹ軸と、Ｘ軸およびＹ軸のそれぞれに直交するＺ軸と、を示す。図２は、図１に示す線分Ａ１－Ａ２における断面の一部を示す。
（テンプレートの構造例）
図１は、テンプレートの構造例を説明するための斜視模式図である。図２は、テンプレートの構造例を説明するための断面模式図である。図１および図２は、Ｘ軸と、Ｘ軸に直交するＹ軸と、Ｘ軸およびＹ軸のそれぞれに直交するＺ軸と、を示す。図２は、図１に示す線分Ａ１－Ａ２における断面の一部を示す。
【0009】
テンプレートは、図１および図２に示すように、メサと呼ばれる面ＭＳと、凹部ＣＯと、を含む基材１を具備する。図３は、面ＭＳのレイアウト例を説明するための上面模式図であり、基材１のＸ－Ｙ平面の一部を示す。面ＭＳは、アライメントマークパターンＡＭとデバイスパターンＤＰとを含む。アライメントマークパターンＡＭは、ＮＩＬを用いたパターン形成方法に用いられるアライメントマークを形成するためのパターンである。デバイスパターンＤＰは、ＮＩＬを用いたパターン形成方法により転写されるデバイスパターンを形成するためのパターンである。アライメントマークパターンＡＭおよびデバイスパターンＤＰの数、位置、および形状は、特に限定されない。
【0010】
図４は、第１の実施形態のテンプレートの例を説明するための断面模式図であり、テンプレートのＸ－Ｚ断面の一部を示す。第１の実施形態のテンプレートの例は、図４に示すように、基材１と、光学層２１と、を具備する。
【0011】
基材１は、光学検出器からの光に対して第１の光学定数を有する第１の材料を含有する。第１の材料は、例えば石英を含む。基材１は、光学検出器からの光を透過することが好ましい。
【0012】
基材１は、面１ａと、アライメントマークパターンＡＭと、デバイスパターンＤＰと、を有する。図４は、便宜のため、アライメントマークパターンＡＭ、デバイスパターンＤＰを互いに隣り合うように模式的に図示しているが、実際のテンプレートでは、上記レイアウトに限定されない。
【0013】
ＮＩＬを用いたパターン形成方法では、対象物の上に設けられた紫外性硬化樹脂等のインプリント材料層の上に型（テンプレート）を押しつけ、光を照射してインプリント材料を含む層を硬化させて、デバイスパターンＤＰをインプリント材料層に転写する。対象物は、例えばシリコンウエハ等の半導体基板の上方に形成された絶縁層である。
【0014】
アライメントマークパターンＡＭは、少なくとも一つの凸部１１と、少なくとも一つの凹部１２ａと、凹部１２ａの周りに設けられた少なくとも一つの凹部１２ｂと、を有する。図４は、一例として、複数の凸部１１と、凸部１１の上面１１１に設けられた複数の凹部１２ａと、凸部１１の上面１１１に設けられた複数の凹部１２ｂと、を含むアライメントマークパターンＡＭを図示する。
【0015】
デバイスパターンＤＰは、少なくとも一つの凸部１３ａと、少なくとも一つの凹部１４と、を有する。図４は、一例として、複数の凸部１３ａと、凸部１３ａの上面１３０に設けられた複数の凹部１４と、を含むラインアンドスペースパターンを有するデバイスパターンＤＰを図示する。
【0016】
凸部１１および凹部１２ａは、例えばＸ軸方向において交互に設けられる。図４は、凸部１１の上面１１１よりも凸部１３ａの上面１３０が面１ａに対して高い例を示すが、これに限定されず、凸部１１の上面１１１および凸部１３ａの上面１３０は同じ高さを有していてもよい。
【0017】
凹部１２ｂは、基材１の上面からみて凹部１２ａの周りに設けられる。凸部１１および凹部１２ｂは、例えばＸ軸方向において交互に設けられる。
【0018】
図４は、凹部１２ａの上面１１１に対する深さが、凹部１２ｂの上面１１１に対する深さと同じである例を示すが、これに限定されず、凹部１２ａの上面１１１に対する深さは、凹部１２ｂの上面１１１に対する深さと異なっていてもよい。
【0019】
図４は、凹部１２ａの上面１１１に対する深さは、凹部１４の上面１３０に対する深さよりも浅い例を示すが、これに限定されず、凹部１２ａの上面１１１に対する深さは、凹部１４の上面１３０に対する深さと同じまたは当該深さよりも深くてもよい。
【0020】
光学層２１は、光学検出器からの光に対して上記第１の光学定数と異なる第２の光学定数を有する第２の材料を含有する。第２の材料は、例えばクロムが挙げられる。これに限定されず、第２の材料は、例えばチタン、タンタル、タングステン、クロム、銅、炭化珪素、およびフッ化珪素からなる群より選ばれる少なくとも一つの材料を含む。光学層２１は、例えば光学検出器からの光を反射する遮光層を形成することが好ましい。光学層２１を設けることにより、凹部１２ａとその他の領域の間でコントラストを形成できるため、光学検出器を用いてアライメントマークパターンＡＭを容易に検出できる。これにより、テンプレートと対象物とのアライメントの精度を高めることができる。
【0021】
光学層２１は、凹部１２ａに設けられるが、凹部１２ｂには設けられない。すなわち、凹部１２ａの底面１２１は、光学層２１に接しているのに対し、凹部１２ｂの底面１２２は、光学層２１に接しておらず、露出面を形成する。光学層２１の厚さは、凹部１２ａの深さよりも小さくてもよい。光学層２１は、複数の凹部１２ａの底面１２１の一部のみ接していてもよい。
【0022】
図５、図６、および図７は、アライメントマークパターンＡＭの形状例を示す上面模式図であり、凸部１１と、光学層２１が形成された凹部１２ａと、光学層２１が形成されていない凹部１２ｂと、を示す。図５に示すアライメントマークパターンＡＭは、ストライプ状に配置された、凸部１１と、凹部１２ａと、凹部１２ａを挟むように設けられた複数の凹部１２ｂと、を有する。図６に示すアライメントマークパターンＡＭは、格子状に配置された、凸部１１と、複数の凹部１２ａと、複数の凹部１２ａの周りに設けられたドット状の複数の凹部１２ｂと、を有する。図７に示すアライメントマークパターンＡＭは、アレイ状に配置された、複数の凸部１１と、複数の凹部１２ａと、複数の凹部１２ａの周りに設けられた複数の凹部１２ｂと、を有する。基材１の上面において、凹部１２ｂの面積は、光学層２１を形成する際のマスクのアライメント精度に応じて適宜設定される。
【0023】
（テンプレートの製造方法例）
図８ないし図２１は、第１の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図であり、基材１のＸ－Ｚ断面の一部を示す。テンプレートの製造方法例は、基材１のアライメントマークパターンＡＭが形成される領域Ｒ１と基材１のデバイスパターンＤＰが形成される領域Ｒ２とを模式的に図示して説明する。図８ないし図２１に示す領域Ｒ１および領域Ｒ２のそれぞれは、面１ａに面する。
図８ないし図２１は、第１の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図であり、基材１のＸ－Ｚ断面の一部を示す。テンプレートの製造方法例は、基材１のアライメントマークパターンＡＭが形成される領域Ｒ１と基材１のデバイスパターンＤＰが形成される領域Ｒ２とを模式的に図示して説明する。図８ないし図２１に示す領域Ｒ１および領域Ｒ２のそれぞれは、面１ａに面する。
【0024】
【0025】
ハードマスク層３１は、基材１を加工するためのハードマスクとしての機能を有する。ハードマスク層３１は、例えばクロムを含有する。ハードマスク層３１は、例えばスパッタリングや原子層堆積法（ＡＬＤ）を用いて形成可能である。
【0026】
レジストマスク層３２は、ハードマスク層３１を加工するためのレジストマスクとしての機能を有する。レジストマスク層３２は、領域Ｒ１に設けられた凸部３２ａと、領域Ｒ２に設けられた凸部３２ｂと、を有する。凸部３２ａおよび凸部３２ｂは、後にハードマスク層３１を残す部分に設けられる。凸部３２ｂは、凸部３２ａよりも面１ａに対する高さが高い。レジストマスク層３２は、例えばＮＩＬを用いたパターン形成方法を用いて形成される。
【0027】
次に、レジストマスク層３２の一部を厚さ方向に除去してハードマスク層３１の一部を露出させ、図１０に示すように、ハードマスク層３１の露出部を除去する。レジストマスク層３２は、凸部３２ａおよび凸部３２ｂのそれぞれが部分的に残存するように加工される。レジストマスク層３２は、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により部分的に除去可能である。ハードマスク層３１は、例えばドライエッチングにより部分的に除去可能である。ハードマスク層３１を加工するドライエッチングは、例えば塩素（Ｃｌ２）ガスと酸素（Ｏ２）ガスの混合ガスを用いた誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）－反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）である。
【0028】
次に、図１１に示すように、ハードマスク層３１およびレジストマスク層３２をマスクとして用いたエッチングにより基材１の一部を厚さ方向に除去することにより、領域Ｒ１に、凸部１１と、凹部１２ａと、凹部１２ｂと、を形成するとともに、領域Ｒ２に、凸部１３ａと、凹部１４と、を形成する。基材１は、例えばドライエッチング等の異方性エッチングにより面１ａから例えば基材１の厚さ方向に部分的に除去されることにより加工される。基材１を加工するドライエッチングは、例えばトリフルオロメタン（ＣＨＦ３）ガスを用いた誘導結合プラズマ－反応性イオンエッチングである。
【0029】
次に、図１２に示すように、レジストマスク層３２の一部を厚さ方向に除去してハードマスク層３１の一部を露出させる。レジストマスク層３２は、凸部３２ａが除去されるとともに凸部３２ｂが部分的に残存するように加工される。
【0030】
次に、図１３に示すように、レジストマスク層３２をマスクとして用いたエッチングによりハードマスク層３１の露出部を除去する。
【0031】
次に、図１４に示すようにレジストマスク層３２を除去し、その後、図１５に示すように、ハードマスク層３１をマスクとして用いたエッチングにより基材１を部分的に除去する。これにより、凸部１３ａが保護されたまま、凸部１１、凹部１２ａ、凹部１２ｂ、および凹部１４は、基材１の厚さ方向に加工される。
【0032】
次に、図１６に示すように、ハードマスク層３１を除去し、その後、図１７に示すように、面１ａ、凸部１１、凹部１２ａ、凹部１２ｂ、凸部１３ａ、および凹部１４を覆う光学層２１を形成する。光学層２１は、例えば反応性スパッタリングにより光学層２１に適用可能な材料を面１ａに堆積させることにより形成される。
【0033】
次に、図１８に示すように、光学層２１の上にレジストマスク層３３を形成する。レジストマスク層３３は、光学層２１を加工するためのレジストマスクとしての機能を有する。レジストマスク層３３は、凹部１２ａの上に設けられた凸部３３ａを有する。凸部３３ａは、後に光学層２１を残す部分に設けられる。レジストマスク層３３は、例えばＮＩＬを用いたパターン形成方法を用いて形成される。
【0034】
次に、図１９に示すように、レジストマスク層３３の一部を厚さ方向に除去して凹部１２ａにおいてレジストマスク層３３を残存させつつ光学層２１の一部を露出させる。レジストマスク層３３は、例えば反応性イオンエッチングにより部分的に除去可能である。
【0035】
次に、図２０に示すように、レジストマスク層３３をマスクとして用いたエッチングにより光学層２１の露出部を除去して凹部１２ｂ、凸部１３ａ、および凹部１４を露出させる。
【0036】
次に、図２１に示すようにレジストマスク層３３を除去する。以上が第１の実施形態のテンプレートの製造方法例の説明である。
【0037】
上記のように光学層２１を形成する場合、基材１に対する凸部３３ａのアライメント精度が低く、光学層２１を残存させる部分の形成位置がずれると、アライメントマークパターンＡＭの端部に凹部１２ａに形成される光学層２１よりも面積が大きい光学パターンが形成されてしまう場合がある。この場合、光学検出器からの光を用いてアライメントマークパターンＡＭを検出する際に、アライメントマークパターンＡＭの端部に広がる上記パターン部分が明るく光るノイズ光の原因となり、アライメント精度が悪化する原因となる。
【0038】
図２２および図２３は、アライメントマークパターンＡＭの端部の光学層２１の形成例を示す断面模式図である。仮に、図２２の比較例に示すように凹部１２ｂを形成しない場合、光学層２１のパターンの位置が例えばＸ軸において矢印Ａの方向にずれると、図２２に示すようにアライメントマークパターンＡＭの端部に凹部１２ａに形成される光学層２１よりも面積が大きい光学パターン部分２１ａが形成されやすい。
【0039】
これに対し、第１の実施形態のテンプレートおよびその製造方法では、光学層２１が形成されない凹部１２ｂを形成する。この場合、図２３に示すように、仮に凹部１２ａに形成される光学層２１のパターンの位置がずれても、ずれた光学パターンの部分は凹部１２ｂに形成されるため、アライメントマークパターンＡＭの端部に光学層２１よりも面積が大きい光学パターン部分２１ａが形成されることを抑制できる。これにより、高精度のアライメントが可能なアライメントマークを形成することができる。
【0040】
本実施形態は、他の実施形態と適宜組み合わせることができる。
【0041】
＜第２の実施形態＞
（テンプレートの構造例）
第２の実施形態のテンプレートは、第１の実施形態のテンプレートと同様に、面ＭＳと、凹部ＣＯと、を含む基材１を具備し、面ＭＳは、アライメントマークパターンＡＭとデバイスパターンＤＰとを含む。なお、第１の実施形態と同様の部分については、第２の実施形態の説明を適宜援用できる。
（テンプレートの構造例）
第２の実施形態のテンプレートは、第１の実施形態のテンプレートと同様に、面ＭＳと、凹部ＣＯと、を含む基材１を具備し、面ＭＳは、アライメントマークパターンＡＭとデバイスパターンＤＰとを含む。なお、第１の実施形態と同様の部分については、第２の実施形態の説明を適宜援用できる。
【0042】
図２４は、第２の実施形態のテンプレートの例を説明するための断面模式図であり、テンプレートのＸ－Ｚ断面の一部を示す。第２の実施形態のテンプレートの例は、第１の実施形態と同様に、基材１と、光学層２１と、を具備する。
【0043】
アライメントマークパターンＡＭは、少なくとも一つの凸部１１と、少なくとも一つの凹部１２ｃと、を有する。図２４は、一例として、複数の凸部１１と、複数の凹部１２ｃと、を含むアライメントマークパターンＡＭを図示する。
【0044】
【0045】
デバイスパターンＤＰは、凸部１３ｂを有する。凸部１３ｂは、凸状領域１３１と、凸状領域１３１よりも突出する凸状領域１３２と、を有する。図２４は、一例として、デュアルダマシン構造を対象物に形成するための一つの凸部１３ｂを含むデバイスパターンＤＰを図示する。図２４において、凸部１１の面１ａに対する高さは、凸部１３ｂの凸状領域１３２の面１ａに対する高さと同じである。
【0046】
凹部１２ｃの底面１２３は、面１ａよりも深い位置に設けられる。
【0047】
アライメントマークパターンＡＭは、図２５に示すように、複数の凹部１２ｃの間に少なくとも一つの凸部１１２を有していてもよい。図２５は、第２の実施形態のテンプレートの他の例を説明するための断面模式図であり、テンプレートのＸ－Ｚ断面の一部を示す。
【0048】
凸部１１２は、アライメントマークを形成する光透過領域である。凸部１１２のＸ軸方向の幅は、凸部１１のＸ軸方向の幅よりも広いことが好ましい。
【0049】
光学層２１は、凹部１２ｃに設けられる。凹部１２ｃの底面１２３は、光学層２１に接する。光学層２１の厚さは、凹部１２ａの深さよりも小さくてもよい。
【0050】
光学層２１の上面２１１は、図２６に示すように、面１ａと略面一であることが好ましい。図２６は、図２４の一部の拡大図である。本明細書において、上面２１１および面１ａが略面一であるとは、例えば、上面２１１と面１ａとの高低差が±５ｎｍ以内であることを示す。
【0051】
光学層２１は、第１の実施形態と同様に、光学検出器からの光に対して上記第１の光学定数と異なる第２の光学定数を有する第２の材料を含有する。
【0052】
図２７は、アライメントマークパターンＡＭの形状例を示す上面模式図である。図２７に示すアライメントマークパターンＡＭは、アライメントマークパターン領域ＡＲ１と、アライメントマークパターン領域ＡＲ２と、を有する。アライメントマークパターン領域ＡＲ１およびアライメントマークパターン領域ＡＲ２のそれぞれは、複数の凹部１２ｃに囲まれた凸部１１２を有する。アライメントマークパターン領域ＡＲ１およびアライメントマークパターン領域ＡＲ２では、凹部１２ｃの延在方向が異なり、アライメントマークパターン領域ＡＲ１の凹部１２ｃは、例えばＸ軸方向に延在し、アライメントマークパターン領域ＡＲ２の凹部１２ｃは、例えばＹ軸方向に延在する。
【0053】
（テンプレートの製造方法例）
図２８ないし図４５は、第２の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図であり、基材１のＸ－Ｚ断面の一部を示す。テンプレートの製造方法例は、基材１のアライメントマークパターンＡＭが形成される領域Ｒ１と基材１のデバイスパターンＤＰが形成される領域Ｒ２とを模式的に図示して説明する。図２８ないし図４５に示す領域Ｒ１および領域Ｒ２のそれぞれは、面１ａに面する。
図２８ないし図４５は、第２の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図であり、基材１のＸ－Ｚ断面の一部を示す。テンプレートの製造方法例は、基材１のアライメントマークパターンＡＭが形成される領域Ｒ１と基材１のデバイスパターンＤＰが形成される領域Ｒ２とを模式的に図示して説明する。図２８ないし図４５に示す領域Ｒ１および領域Ｒ２のそれぞれは、面１ａに面する。
【0054】
【0055】
ハードマスク層３４は、基材１を加工するためのハードマスクとしての機能を有する。ハードマスク層３４は、例えばクロムを含有する。ハードマスク層３４は、例えばスパッタリングやＡＬＤを用いて形成可能である。
【0056】
レジストマスク層３５は、ハードマスク層３４を加工するためのレジストマスクとしての機能を有する。レジストマスク層３５は、領域Ｒ１に設けられた凸部３５ａと、領域Ｒ１に設けられた凹部３５ｂと、領域Ｒ２に設けられた凸部３５ｃと、領域Ｒ２に設けられた凸部３５ｄと、を有する。凸部３５ａ、凸部３５ｃ、および凸部３５ｄは、後にハードマスク層３４を残す部分に設けられる。図２９は、凸部３５ｄが凸部３５ｃよりも面１ａに対する高さが高い例を示す。レジストマスク層３５は、例えばＮＩＬを用いたパターン形成方法を用いて形成される。
【0057】
次に、レジストマスク層３５の一部を厚さ方向に除去してハードマスク層３４の一部を露出させ、図３０に示すように、ハードマスク層３４の露出部を除去する。レジストマスク層３５は、凸部３５ａ、凸部３５ｃ、および凸部３５ｄが部分的に残存するように加工される。レジストマスク層３５は、例えば反応性イオンエッチングにより部分的に除去可能である。ハードマスク層３４は、例えばドライエッチングにより部分的に除去可能である。ハードマスク層３４を加工するドライエッチングは、例えば塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いた誘導結合プラズマ－反応性イオンエッチングである。
【0058】
次に、図３１に示すように、ハードマスク層３４およびレジストマスク層３５をマスクとして用いたエッチングにより基材１を部分的に除去することにより、領域Ｒ１に、凸部１１と、凹部１２ｃと、を形成するとともに、領域Ｒ２に凸状領域１３２を形成する。基材１は、例えばドライエッチング等の異方性エッチングにより面１ａから例えば基材１の厚さ方向に部分的に除去されることにより加工される。基材１を加工するドライエッチングは、例えばトリフルオロメタンガスを用いた誘導結合プラズマ－反応性イオンエッチングである。
【0059】
次に、図３２に示すように、レジストマスク層３５の一部を厚さ方向に除去して凸部３５ｃを除去するとともにハードマスク層３４の一部を露出させる。レジストマスク層３５は、凸部３５ｃが除去されるとともに、凸部３５ａおよび凸部３５ｄが部分的に残存するように加工される。
【0060】
次に、図３３に示すように、レジストマスク層３５をマスクとして用いたエッチングによりハードマスク層３４の露出部を除去する。
【0061】
次に、図３４に示すように、レジストマスク層３５を除去し、その後、図３５に示すように、凸部１１、凹部１２ｃ、および凸状領域１３２を覆うレジストマスク層３６を形成する。レジストマスク層３６は、基材１を加工するためのレジストマスクとしての機能を有する。レジストマスク層３６は、凸部１１、および凹部１２ｃのそれぞれと重なる位置に凹部３６ａを有する。レジストマスク層３６は、例えばＮＩＬを用いたパターン形成方法を用いて形成される。
【0062】
次に、図３６に示すように、レジストマスク層３６の一部を厚さ方向に除去して凹部１２ｃと、凸部１１に重なるハードマスク層３４の一部と、を露出させる。レジストマスク層３６は、例えば反応性イオンエッチングにより部分的に除去可能である。
【0063】
次に、図３７に示すように、ハードマスク層３４およびレジストマスク層３６をマスクとして用いたエッチングにより基材１を厚さ方向に部分的に除去する。これにより、凸部１１および凸状領域１３２が保護されたまま、凹部１２ｃは、基材１の厚さ方向に沿って面１ａよりも深い位置まで加工される。
【0064】
次に、図３８に示すように、レジストマスク層３６を除去し、その後、図３９に示すように、ハードマスク層３４をマスクとして用いたエッチングにより基材１を厚さ方向に部分的に除去する。これにより、凸部１１および凸状領域１３２の一部が保護されたまま、凹部１２ｃが基材１の厚さ方向に沿って加工されるとともに、凸状領域１３２の他の一部が加工されて凸状領域１３１が形成される。
【0065】
次に、図４０に示すように、ハードマスク層３４を除去し、その後、図４１に示すように、面１ａを覆う光学層２１を形成する。光学層２１は、例えば反応性スパッタリングにより光学層２１に適用可能な材料を面１ａに堆積させることにより形成される。光学層２１は、凸部１１、凹部１２ｃ、凸状領域１３１、および凸状領域１３２のそれぞれの上にも形成される。
【0066】
次に、図４２に示すように、光学層２１の上にレジストマスク層３７を形成する。レジストマスク層３７は、光学層２１を加工するためのレジストマスクとしての機能を有する。レジストマスク層３７は、凹部１２ａの上に設けられた凸部３７ａを有する。凸部３７ａは、後に光学層２１を残す部分に設けられる。レジストマスク層３７は、例えばＮＩＬを用いたパターン形成方法を用いて形成される。
【0067】
次に、図４３に示すように、レジストマスク層３７の一部を厚さ方向に除去して凹部１２ｃにおいてレジストマスク層３７を残存させつつ光学層２１の一部を露出させる。
【0068】
次に、図４４に示すように、レジストマスク層３７をマスクとして用いたエッチングにより光学層２１の露出部を除去して凸部１１、凸状領域１３１、および凸状領域１３２を露出させる。
【0069】
次に、図４５に示すようにレジストマスク層３７を除去する。以上が第２の実施形態のテンプレートの製造方法例の説明である。
【0070】
第２の実施形態のテンプレートは、光学層２１の上面２１１と面１ａとを略面一に形成することにより、アライメントマークパターンＡＭを含むテンプレートを用いたＮＩＬによりインプリント材料層にパターンを転写し、転写パターンを用いてアライメントマークを形成する際に設計ルールを違反することなく、高精度のアライメントが可能なアライメントマークを形成できる。
【0071】
図４６および図４７は、光学層２１の形状の違いによるインプリント材料層の形状の違いを説明するための模式図である。光学層２１の上面２１１が面１ａよりも高すぎる場合、図４６に示すように、凹部１２ｃに対向して形成されるインプリント材料層である層１０２の凸部１０２ａの高さが低くなる。この場合、凸部１０２ａを含む転写パターンを用いて形成されるアライメントマークを所望の形状に形成することが困難となり、設計ルールに違反する場合がある。また、光学層２１の上面２１１が面１ａよりも低すぎる場合、図４７に示すように、凹部１２ｃに対向して形成される層１０２の凸部１０２ａの高さが低くなり、空隙Ｓを形成する場合がある。この場合、空隙Ｓが光学層２１とも層１０２とも異なる光学特性を持つため、アライメント時の精度が劣化するおそれがある。
【0072】
本実施形態は、他の実施形態と適宜組み合わせることができる。
【0073】
＜第３の実施形態＞
（テンプレートの構造例）
第３の実施形態のテンプレートは、第２の実施形態のテンプレートと同様に、面ＭＳと、凹部ＣＯと、を含む基材１を具備し、面ＭＳは、アライメントマークパターンＡＭとデバイスパターンＤＰとを含む。なお、第１の実施形態および第２の実施形態と同様の部分については、第２の実施形態の説明を適宜援用できる。
（テンプレートの構造例）
第３の実施形態のテンプレートは、第２の実施形態のテンプレートと同様に、面ＭＳと、凹部ＣＯと、を含む基材１を具備し、面ＭＳは、アライメントマークパターンＡＭとデバイスパターンＤＰとを含む。なお、第１の実施形態および第２の実施形態と同様の部分については、第２の実施形態の説明を適宜援用できる。
【0074】
図４８は、第３の実施形態のテンプレートの例を説明するための断面模式図であり、テンプレートのＸ－Ｚ断面の一部を示す。第３の実施形態のテンプレートの例は、第２の実施形態と同様に、基材１と、光学層２１と、を具備する。
【0075】
アライメントマークパターンＡＭは、第２の実施形態と同様に、少なくとも一つの凸部１１と、少なくとも一つの凹部１２ｃと、を有するとともに、少なくとも一つの凹部１２ｄをさらに有する。
【0076】
凸部１１および凹部１２ｄは、例えばＸ軸方向に交互に形成される。凹部１２ｄの上面レイアウトとしては、例えば図５、図６、および図７に示す凹部１２ｂのレイアウトを適用できる。凹部１２ｄの底面１２４は、面１ａよりも深い位置に設けられる。
【0077】
デバイスパターンＤＰは、第２の実施形態と同様に、凸部１３ｂを有する。
【0078】
アライメントマークパターンＡＭは、第２の実施形態と同様に、複数の凹部１２ｃの間に図２５に示す凸部１１２を有していてもよい。
【0079】
光学層２１は、凹部１２ｃに設けられるが、凹部１２ｄには設けられない。すなわち、凹部１２ｃの底面１２１は、光学層２１に接しているのに対し、凹部１２ｄの底面１２４は、光学層２１に接しておらず、露出面を形成する。光学層２１の厚さは、凹部１２ｃの深さよりも小さくてもよい。光学層２１は、複数の凹部１２ｃの底面１２３の一部のみ接していてもよい。
【0080】
【0081】
光学層２１は、第３の実施形態と同様に、光学検出器からの光に対して上記第１の光学定数と異なる第２の光学定数を有する第２の材料を含有する。
【0082】
第３の実施形態のアライメントマークパターンは、第２の実施形態と同様に、図２７に示す形状例を有していてもよい。
【0083】
（テンプレートの製造方法例）
図５０ないし図５３は、第３の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図であり、基材１のＸ－Ｚ断面の一部を示す。テンプレートの製造方法例は、基材１のアライメントマークパターンＡＭが形成される領域Ｒ１と基材１のデバイスパターンＤＰが形成される領域Ｒ２とを模式的に図示して説明する。図５０ないし図５３に示す領域Ｒ１および領域Ｒ２のそれぞれは、面１ａに面する。
図５０ないし図５３は、第３の実施形態のテンプレートの製造方法の例を説明するための断面模式図であり、基材１のＸ－Ｚ断面の一部を示す。テンプレートの製造方法例は、基材１のアライメントマークパターンＡＭが形成される領域Ｒ１と基材１のデバイスパターンＤＰが形成される領域Ｒ２とを模式的に図示して説明する。図５０ないし図５３に示す領域Ｒ１および領域Ｒ２のそれぞれは、面１ａに面する。
【0084】
まず、凹部１２ｃと同一工程により凹部１２ｄを形成することを除いては、第２の実施形態と同様に、図２８から図４１までの工程を経て、凸部１１と、凹部１２ｃと、凸部１３ｂと、光学層２１と、を形成する。凹部１２ｄの形成方法については、凹部１２ｃの形成方法の説明を適宜援用できる。
【0085】
次に、図５０に示すように、光学層２１の上にレジストマスク層３７を形成する。レジストマスク層３７は、光学層２１を加工するためのレジストマスクとしての機能を有する。レジストマスク層３７は、凹部１２ｃの上に設けられた凸部３７ａを有する。凸部３７ａは、後に光学層２１を残す部分に設けられる。図５０において凸部３７ａは、Ｚ軸方向において凹部１２ｄに重なっていない。レジストマスク層３７は、例えばＮＩＬを用いたパターン形成方法を用いて形成される。
【0086】
次に、図５１に示すように、レジストマスク層３７の一部を厚さ方向に除去して凹部１２ｃにおいてレジストマスク層３７を残存させつつ光学層２１の一部を露出させる。
【0087】
次に、図５２に示すように、レジストマスク層３７をマスクとして用いたエッチングにより光学層２１の露出部を除去して凸部１１、凸状領域１３１、および凸状領域１３２を露出させる。
【0088】
次に、図５３に示すようにレジストマスク層３７を除去する。以上が第３の実施形態のテンプレートの製造方法例の説明である。
【0089】
第３の実施形態のテンプレートおよびその製造方法では、凹部１２ｄに光学層２１を形成しない。この場合、仮に光学層２１の位置がずれても、アライメントマークパターンＡＭの端部への光学層２１のはみ出しを抑制できる。これにより、第１の実施形態と同様に高精度のアライメントが可能なアライメントマークを形成することができる。
【0090】
さらに、第３の実施形態のテンプレートおよびその製造方法では、第２の実施形態と同様に、光学層２１の上面２１１と面１ａとを略面一に形成することにより、アライメントマークパターンＡＭを含むテンプレートを用いたＮＩＬによりインプリント材料層にパターンを転写し、転写パターンを用いてアライメントマークを形成する際に設計ルールを違反することなく、高精度のアライメントが可能なアライメントマークを形成できる。
【0091】
本実施形態は、他の実施形態と適宜組み合わせることができる。
【0092】
【0093】
図５４に示すように、対象物１００の加工面の位置と、加工面に対向して配置された、テンプレート１０１のパターン形成面の位置と、を合わせる。上記位置は、例えばテンプレート１０１のアライメントマークパターンＡＭの位置と、対象物１００に設けられたアライメントマークパターンの位置と、を相対的に調整することにより合わせられる。
【0094】
対象物１００は、例えば半導体基板上に複数の膜を積層することにより形成された積層体である。対象物１００の構成は、特に限定されない。
【0095】
テンプレート１０１は、第１ないし第３の実施形態のいずれか一つの製造方法により製造されるテンプレートである。図５４は、一例として第２の実施形態のテンプレートの製造方法により製造されたテンプレート１０１を図示する。
【0096】
層１０２は、上記アライメントの前または後に、上記加工面にインプリント材料を塗布することにより形成される。インプリント材料は、例えば光硬化性樹脂を含む。インプリント材料は、例えば滴下またはスピンコートにより塗布される。
【0097】
次に、図５５に示すように、テンプレート１０１を層１０２に押しつけて層１０２を成形し、成形された層１０２を硬化させることにより、デバイスパターンＤＰおよびアライメントマークパターンＡＭを層１０２に転写する。なお、層１０２の硬化前に、テンプレート１０１を層１０２に押しつけた状態で、対象物１００とテンプレート１０１との精密なアライメントを行う。デバイスパターンＤＰが例えば凸状領域１３１と凸状領域１３２とを有する場合、硬化された層１０２は、図５５に示すように、デュアルダマシン構造を形成するためのパターンを有する。
【0098】
層１０２が光硬化性樹脂を含む場合は、層１０２は、テンプレート１０１を介して光を照射することにより硬化する。テンプレート１０１は、層１０２の硬化後に層１０２から分離される。
【0099】
次に、図５６に示すように、層１０２を用いて対象物１００の一部を加工することにより、例えば開口部１００ａを形成する。対象物１００は、例えばドライエッチングにより対象物１００を構成する積層を部分的に除去することにより加工される。加工後の対象物１００の形状は、デバイスパターンＤＰの形状に応じて決まる。
【0100】
次に、図５７に示すように、対象物１００上に膜（被加工膜）を成膜し、膜を加工することにより開口部１００ａに層１５１を形成する。層１５１は、例えば金属材料を含有する導電層である。層１５１は、例えば埋め込み配線としての機能を有する。
【0101】
以上のように、本実施形態の半導体装置の製造方法の例は、第１ないし第３の実施形態のいずれかの製造方法により製造されたテンプレートを用いて対象物の上の塗布層を成形してデバイスパターンＤＰを転写する。よって、例えば不要な金属層を形成せずに半導体装置を製造できるため、半導体装置の性能の低下を抑制できる。
【0102】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【0103】
１…基材、１ａ…表面、１１…凸部、１２ａ…凹部、１２ｂ…凹部、１２ｃ…凹部、１２ｄ…凹部、１３…凸部、１３ａ…凸部、１３ｂ…凸部、１４…凹部、２１…光学層、３１…ハードマスク層、３２…レジストマスク層、３２ａ…凸部、３２ｂ…凸部、３３…レジストマスク層、３３ａ…凸部、３４…ハードマスク層、３５…レジストマスク層、３５ａ…凸部、３５ｂ…凹部、３５ｃ…凸部、３５ｄ…凸部、３６…レジストマスク層、３６ａ…凹部、３７…レジストマスク層、３７ａ…凸部、１００…対象物、１００ａ…開口部、１００ｂ…開口部、１０１…テンプレート、１０２…層、１０２ａ…凸部、１１１…上面、１１２…凸部、１２１…底面、１２２…底面、１２３…底面、１２４…底面、１３０…上面、１３１…凸状領域、１３２…凸状領域、１４０…底面、１５０…層、１５１…層、２１１…上面。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】