(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023141317
(43)【公開日】2023-10-05
(54)【発明の名称】半導体装置とその製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 23/12 20060101AFI20230928BHJP
H01L 25/07 20060101ALI20230928BHJP
【ＦＩ】
H01L23/12 501P
H01L25/08 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022047566
(22)【出願日】2022-03-23
(71)【出願人】
【識別番号】318010018
【氏名又は名称】キオクシア株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100119035
【弁理士】
【氏名又は名称】池上 徹真
(74)【代理人】
【識別番号】100141036
【弁理士】
【氏名又は名称】須藤 章
(74)【代理人】
【識別番号】100178984
【弁理士】
【氏名又は名称】高下 雅弘
(72)【発明者】
【氏名】本間 荘一
(72)【発明者】
【氏名】宮崎 力
(57)【要約】
【課題】本発明の実施形態は、信頼性の高い半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】
実施形態の半導体装置は、第１半導体素子と、第１半導体素子を封止する第１絶縁樹脂と、パッドを有する配線基板と、第１半導体素子から配線基板に向かって延在し、第１頭部と第１柱部を有し、第１柱部が第１半導体素子と接続し、第１頭部が第１絶縁樹脂の表面に露出している第１配線と、第１配線の第１頭部とパッドを電気的に接続する第１導電性接合剤とを有し、第１頭部の第１絶縁樹脂側を向く面を第１面とし、第１絶縁樹脂の配線基板側の面を第２面とするとき、配線基板の第１絶縁樹脂側の面から第１面までの距離を第１距離とし、配線基板の第１絶縁樹脂側の面から第２面までの距離を第２距離とし、第１距離は、第２距離よりも短い。
【選択図】 図１
【解決手段】
実施形態の半導体装置は、第１半導体素子と、第１半導体素子を封止する第１絶縁樹脂と、パッドを有する配線基板と、第１半導体素子から配線基板に向かって延在し、第１頭部と第１柱部を有し、第１柱部が第１半導体素子と接続し、第１頭部が第１絶縁樹脂の表面に露出している第１配線と、第１配線の第１頭部とパッドを電気的に接続する第１導電性接合剤とを有し、第１頭部の第１絶縁樹脂側を向く面を第１面とし、第１絶縁樹脂の配線基板側の面を第２面とするとき、配線基板の第１絶縁樹脂側の面から第１面までの距離を第１距離とし、配線基板の第１絶縁樹脂側の面から第２面までの距離を第２距離とし、第１距離は、第２距離よりも短い。
【選択図】 図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１半導体素子と、
第１半導体素子を封止する第１絶縁樹脂と、
パッドを有する配線基板と、
前記第１半導体素子から前記配線基板に向かって延在し、第１頭部と第１柱部を有し、前記第１柱部が前記第１半導体素子と接続し、前記第１頭部が前記第１絶縁樹脂の表面に露出している第１配線と、
前記第１配線の前記第１頭部と前記パッドを電気的に接続する第１導電性接合剤とを有し、
前記第１頭部の前記第１絶縁樹脂側を向く面を第１面とし、
前記第１絶縁樹脂の前記配線基板側の面を第２面とするとき、
前記配線基板の前記第１絶縁樹脂側の面から前記第１面までの距離を第１距離とし、
前記配線基板の前記第１絶縁樹脂側の面から前記第２面までの距離を第２距離とし、
前記第１距離は、前記第２距離よりも短い半導体装置。
第１半導体素子を封止する第１絶縁樹脂と、
パッドを有する配線基板と、
前記第１半導体素子から前記配線基板に向かって延在し、第１頭部と第１柱部を有し、前記第１柱部が前記第１半導体素子と接続し、前記第１頭部が前記第１絶縁樹脂の表面に露出している第１配線と、
前記第１配線の前記第１頭部と前記パッドを電気的に接続する第１導電性接合剤とを有し、
前記第１頭部の前記第１絶縁樹脂側を向く面を第１面とし、
前記第１絶縁樹脂の前記配線基板側の面を第２面とするとき、
前記配線基板の前記第１絶縁樹脂側の面から前記第１面までの距離を第１距離とし、
前記配線基板の前記第１絶縁樹脂側の面から前記第２面までの距離を第２距離とし、
前記第１距離は、前記第２距離よりも短い半導体装置。
【請求項2】
前記第１絶縁樹脂と前記配線基板の間に第２絶縁樹脂をさらに有し、
前記第２絶縁樹脂の第１絶縁樹脂側の面は、前記第２面と接し、
前記第２絶縁樹脂の前記配線基板側の面は、前記第１面よりも前記配線基板側に位置している請求項１に記載の半導体装置。
前記第２絶縁樹脂の第１絶縁樹脂側の面は、前記第２面と接し、
前記第２絶縁樹脂の前記配線基板側の面は、前記第１面よりも前記配線基板側に位置している請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第１距離と前記第２距離の差は、５０［ｎｍ］以上５０００［ｎｍ］以下である請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項4】
第１半導体素子の面に対して垂直方向に延在する柱状の配線を形成する工程と、
前記柱状の配線が形成された前記第１半導体素子を第１絶縁樹脂で封止する工程と、
前記柱状の配線の先端を露出させる工程と、
前記露出した柱状の配線の先端に無電解めっきして第１頭部を形成する工程と、
前記第１頭部が形成された側の前記第１絶縁樹脂を薄くする工程と、
第１導電性接合剤が形成されている配線基板の前記第１導電性接合剤と前記第１頭部が露出した部材の前記第１頭部を電気的に接続する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
前記柱状の配線が形成された前記第１半導体素子を第１絶縁樹脂で封止する工程と、
前記柱状の配線の先端を露出させる工程と、
前記露出した柱状の配線の先端に無電解めっきして第１頭部を形成する工程と、
前記第１頭部が形成された側の前記第１絶縁樹脂を薄くする工程と、
第１導電性接合剤が形成されている配線基板の前記第１導電性接合剤と前記第１頭部が露出した部材の前記第１頭部を電気的に接続する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項5】
第１絶縁樹脂４を薄くする厚さは、５０［ｎｍ］以上５０００［ｎｍ］以下である請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、半導体装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来のＮＡＮＤフラッシュメモリチップを積層するなどしたパッケージにおいて、積層したＮＡＮＤフラッシュメモリチップ同士はボンディングで接続されている。この構造の他にもＮＡＮＤフラッシュメモリチップから配線基板に向かって垂直な配線を形成して、ＮＡＮＤフラッシュメモリチップをフリップチップ化して、垂直な配線の先端部分と配線基板をハンダで接合した形態も検討されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１６－１６２９８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の実施形態は、信頼性の高い半導体装置とその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態の半導体装置は、第１半導体素子と、第１半導体素子を封止する第１絶縁樹脂と、パッドを有する配線基板と、第１半導体素子から配線基板に向かって延在し、第１頭部と第１柱部を有し、第１柱部が第１半導体素子と接続し、第１頭部が第１絶縁樹脂の表面に露出している第１配線と、第１配線の第１頭部とパッドを電気的に接続する第１導電性接合剤とを有し、第１頭部の第１絶縁樹脂側を向く面を第１面とし、第１絶縁樹脂の配線基板側の面を第２面とするとき、配線基板の第１絶縁樹脂側の面から第１面までの距離を第１距離とし、配線基板の第１絶縁樹脂側の面から第２面までの距離を第２距離とし、第１距離は、第２距離よりも短い。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【図1】実施形態に係る半導体装置の模式断面図。
【図2】実施形態に係る半導体装置の部分模式図。
【図3】実施形態に係る半導体装置の部分模式図。
【図4】実施形態に係る半導体装置の部分模式図。
【図5】実施形態に係る半導体装置の製造方法のフローチャート。
【図6】実施形態に係る半導体装置の工程模式断面図。
【図7】実施形態に係る半導体装置の工程模式断面図。
【図8】実施形態に係る半導体装置の工程模式断面図。
【図9】実施形態に係る半導体装置の工程模式断面図。
【図10】実施形態に係る半導体装置の工程模式断面図。
【図11】実施形態に係る半導体装置の工程模式断面図。
【図12】実施形態に係る半導体装置の工程模式断面図。
【図13】実施形態に係る半導体装置の模式断面図。
【図14】実施形態に係る半導体装置の部分模式図。
【図15】実施形態に係る半導体装置の部分模式図。
【図16】実施形態に係る半導体装置の製造方法のフローチャート。
【図17】実施形態に係る半導体装置の工程模式断面図。
【図18】実施形態に係る半導体装置の工程模式断面図。
【図19】実施形態に係る半導体装置の工程模式断面図。
【図20】実施形態に係る半導体装置の製造方法のフローチャート。
【図21】実施形態に係る半導体装置の工程模式断面図。
【図22】実施形態に係る半導体装置の工程模式断面図。
【図23】実施形態に係る半導体装置の工程模式断面図。
【図24】実施形態に係る半導体装置の工程模式断面図。
【図25】実施形態に係る半導体装置の模式断面図。
【図26】実施形態に係る半導体装置の模式断面図。
【図27】実施形態に係る半導体装置の模式断面図。
【図28】実施形態に係る半導体装置の模式断面図。
【図29】実施形態に係る半導体装置の模式断面図。
【図30】実施形態に係る半導体装置の模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。
【0008】
本明細書では、いくつかの要素に複数の表現の例を付している。なおこれら表現の例はあくまで例示であり、上記要素が他の表現で表現されることを否定するものではない。また、複数の表現が付されていない要素についても、別の表現で表現されてもよい。
【0009】
また、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係や各層の厚みの比率などは現実のものと異なることがある。また、図面相互間において互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれることもある。また、図面において、一部の符号を省略している。
【0010】
実施形態において表している物性値は、大気圧下で２５℃の値である。また、直径の値は、外接円直径の値である。
【0011】
本明細書において、工程には独立した工程だけではなく、他の工程や他の処理と組み合わせも含まれる。本明書中の数値条件において、複数の数値範囲が記載されている場合、その数値範囲の上限値又は下限値は、他の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。本明細書中の数値条件の上限値と下限値が記載されている場合、上限値と下限値を組み合わせた数値範囲の条件に置き換えることもできる。
【0012】
（第１実施形態）
第１実施形態は、半導体装置とその製造方法に関する。図１に半導体装置１００の模式断面図を示す。実施形態の半導体装置１００は、より具体的には、ＮＡＮＤフラッシュメモリチップ等を搭載した半導体パッケージである。なお、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は、互いに交差し、互いに直交することが好ましい。
第１実施形態は、半導体装置とその製造方法に関する。図１に半導体装置１００の模式断面図を示す。実施形態の半導体装置１００は、より具体的には、ＮＡＮＤフラッシュメモリチップ等を搭載した半導体パッケージである。なお、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は、互いに交差し、互いに直交することが好ましい。
【0013】
半導体装置１００は、記憶装置の一例である。半導体装置１００は、第１半導体素子１Ａ、第２半導体素子９、第３半導体素子１Ｂ、第４半導体素子１Ｃ、第１パッド２Ａ、第３パッド１０、第５パッド２Ｂ、第７パッド２Ｃ、第１配線３Ａ、第２配線１１、第３配線３Ｂ、第４配線３Ｃ、第１絶縁樹脂４、第１導電性接合剤５Ａ、第２導電性接合剤１２、第３導電性接合剤５Ｂ、第４導電性接合剤５Ｃ、配線基板６、第２パッド７Ａ、第４パッド１３、第６パッド７Ｂ、第８パッド７Ｃ、半田ボール８及び第２絶縁樹脂１４を有する。第１導電性接合剤５Ａ、第２導電性接合剤１２、第３導電性接合剤５Ｂ及び第４導電性接合剤５Ｃは、例えばスズ合金を用いた半田である。
【0014】
第１半導体素子１Ａは、例えば、半導体メモリチップである。第１半導体素子１Ａは、第１絶縁樹脂４に覆われている。第１半導体素子１Ａは、第１配線３Ａを介して配線基板６と電気的に接続している。
【0015】
第１半導体素子１Ａは、第１パッド２Ａを有する。第１半導体素子１Ａは、具体的には、複数の第１パッド２Ａを有する。第１パッド２Ａは、信号用パッド及び電源用パッドを含む。第１パッド２Ａは、第１半導体素子１Ａの配線基板６側を向く面に設けられている。
【0016】
第１配線３Ａを介して第１パッド２Ａと配線基板６の第２パッド７Ａは電気的に接続している。第１配線３Ａは、第１柱部３Ａａと第１頭部３Ａｂを有する。第１柱部３Ａａと第１頭部３Ａｂは、電気的かつ直接的に接続している。
【0017】
第１配線３Ａは、第１半導体素子１Ａから配線基板６に向かって延在している。第１配線３Ａは、Ｃｕ又はＰｄで被覆されたＣｕの線状の導体部分とメッキ部分を有する。導体部分とメッキ部分の境界は、第１柱部３Ａａと第１頭部３Ａｂの境界から第１半導体素子１Ａ側に０［μｍ］以上５［μｍ］以下の間、０．１［μｍ］以上５［μｍ］以下の間、又は、１［μｍ］以上５［μｍ］以下の間に位置している。または、導体部分とメッキ部分の境界は、第１柱部３Ａａと第１頭部３Ａｂの境界と同じ場所に位置している。Ｃｕ又はＰｄで被覆されたＣｕの線状の導体部分は、第１柱部３Ａａに含まれる。メッキ部分は、第１頭部３Ａｂ、又は、第１頭部３Ａｂと第１柱部３Ａａの第１頭部３Ａｂ側の一部に含まれる。
第１配線３Ａと第２パッド７Ａの間には、第１導電性接合剤５Ａが設けられている。第１導電性接合剤５Ａを介して第１配線３Ａと第２パッド７Ａが電気的に接続している。第１導電性接合剤５Ａの第１半導体素子１Ａ側の面と第１頭部３Ａｂの配線基板６側の面は、電気的かつ直接的に接している。第１導電性接合剤５Ａの第２パッド７Ａ側の面と第２パッド７Ａの第１半導体素子１Ａ側の面は電気的かつ直接的に接している。
第１配線３Ａと第２パッド７Ａの間には、第１導電性接合剤５Ａが設けられている。第１導電性接合剤５Ａを介して第１配線３Ａと第２パッド７Ａが電気的に接続している。第１導電性接合剤５Ａの第１半導体素子１Ａ側の面と第１頭部３Ａｂの配線基板６側の面は、電気的かつ直接的に接している。第１導電性接合剤５Ａの第２パッド７Ａ側の面と第２パッド７Ａの第１半導体素子１Ａ側の面は電気的かつ直接的に接している。
【0018】
第１半導体素子１Ａが複数の第１パッド２Ａを有する場合、半導体装置１００には複数の第１配線３Ａが含まれる。複数の第１配線３Ａが含まれる場合、複数の第２パッド７Ａが含まれ、複数の第１配線３Ａによって第１半導体素子１Ａと配線基板６が電気的に接続している。
【0019】
第１半導体素子１Ａは、配線基板６を介して第２半導体素子９、第３半導体素子１Ｂ及び第４半導体素子１Ｃと電気的に接続している。
【0020】
半導体メモリチップは、データの読み書きをする半導体チップである。不揮発性メモリチップとしては、ＮＡＮＤメモリチップ、相変化メモリチップ、抵抗変化メモリチップ、強誘電体メモリチップ、磁気メモリチップ等を用いることができる。揮発性メモリチップとしては、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）等を用いることができる。
【0021】
第２半導体素子９は、第１半導体素子１Ａとは異なる半導体素子である。第２半導体素子９は、例えば、ロジックICチップである。第１実施形態において、第２半導体素子９は、第１絶縁樹脂４に覆われている。半導体装置１００が記憶装置であるとき、例えば、第１半導体素子１Ａは、半導体メモリチップであり、第２半導体素子９はコントローラチップである。コントローラチップは、半導体メモリチップの読み書き及び消去などを制御する半導体チップである。
【0022】
第２半導体素子９は、第３パッド１０を有する。第２半導体素子９は、第２配線１１を介して配線基板６と電気的に接続している。第２半導体素子９は、第３パッド１０を有する。第３パッド１０は、第４配線３Ｃを介して配線基板６の第４パッド１３と電気的に接続している。
【0023】
第２半導体素子９は、第３パッド１０を有する。第２半導体素子９は、具体的には、複数の第３パッド１０を有する。第３パッド１０は、信号用パッド及び電源用パッドを含む。第３パッド１０は、第２半導体素子９の配線基板６側を向く面に設けられている。
【0024】
第３パッド１０は、第２配線１１を介して配線基板６の第４パッド１３と電気的に接続している。第２配線１１は、第２柱部１１ａと第２頭部１１ｂを有する。第２柱部１１ａと第２頭部１１ｂは、電気的かつ直接的に接続している。
【0025】
第２配線１１は、第２半導体素子９から配線基板６に向かって延在している。第２配線１１は、Ｃｕ又はＰｄで被覆されたＣｕの線状の導体部分とメッキ部分を有する。導体部分とメッキ部分の境界は、第２柱部１１ａと第２頭部１１ｂの境界から第２半導体素子９側に０［μｍ］以上５［μｍ］以下の間、０．１［μｍ］以上５［μｍ］以下の間、又は、１［μｍ］以上５［μｍ］以下の間に位置している。または、導体部分とメッキ部分の境界は、第２柱部１１ａと第２頭部１１ｂの境界と同じ場所に位置している。Ｃｕ又はＰｄで被覆されたＣｕの線状の導体部分は、第２柱部１１ａに含まれる。メッキ部分は、第２頭部１１ｂ、又は、第２頭部１１ｂと第２柱部１１ａの第２頭部１１ｂ側の一部に含まれる。
【0026】
第２配線１１と第４パッド１３の間には、第２導電性接合剤１２が設けられている。第２導電性接合剤１２を介して第２配線１１と第４パッド１３が電気的に接続している。第２導電性接合剤１２の第２半導体素子９側の面と第２頭部１１ｂの配線基板６側の面は、電気的かつ直接的に接している。第２導電性接合剤１２の第４パッド１３側の面と第４パッド１３の第２半導体素子９側の面は電気的かつ直接的に接している。
【0027】
第２半導体素子９が複数の第３パッド１０を有する場合、半導体装置１００には複数の第２配線１１が含まれる。複数の第２配線１１が含まれる場合、複数の第４パッド１３が含まれ、複数の第２配線１１によって第２半導体素子９と配線基板６が電気的に接続している。
【0028】
第２半導体素子９は、配線基板６を介して第１半導体素子１Ａ、第３半導体素子１Ｂ及び第４半導体素子１Ｃと電気的に接続している。
【0029】
第３半導体素子１Ｂは、例えば、半導体メモリチップである。第３半導体素子１Ｂは、第１絶縁樹脂４に覆われている。第１半導体素子１Ａと第３半導体素子１Ｂの間には接着層が設けられていて、接着層によって、第１半導体素子１Ａと第３半導体素子１Ｂが接着していることが好ましい。第３半導体素子１Ｂは、第３配線３Ｂを介して配線基板６と電気的に接続している。
【0030】
第３半導体素子１Ｂは、第５パッド２Ｂを有する。第３半導体素子１Ｂは、具体的には、複数の第５パッド２Ｂを有する。第５パッド２Ｂは、信号用パッド及び電源用パッドを含む。第５パッド２Ｂは、第３半導体素子１Ｂの配線基板６側を向く面に設けられている。
【0031】
第５パッド２Ｂは、第３配線３Ｂを介して配線基板６の第６パッド７Ｂと電気的に接続している。第３配線３Ｂは、第３柱部３Ｂａと第３頭部３Ｂｂを有する。第３柱部３Ｂａと第３頭部３Ｂｂは、電気的かつ直接的に接続している。
【0032】
第３配線３Ｂは、第３半導体素子１Ｂから配線基板６に向かって延在している。第３配線３Ｂは、Ｃｕ又はＰｄで被覆されたＣｕの線状の導体部分とメッキ部分を有する。導体部分とメッキ部分の境界は、第３柱部３Ｂａと第３頭部３Ｂｂの境界から第３半導体素子１Ｂ側に０［μｍ］以上５［μｍ］以下の間、０．１［μｍ］以上５［μｍ］以下の間、又は、１［μｍ］以上５［μｍ］以下の間に位置している。または、導体部分とメッキ部分の境界は、第３柱部３Ｂａと第３頭部３Ｂｂの境界と同じ場所に位置している。Ｃｕ又はＰｄで被覆されたＣｕの線状の導体部分は、第３柱部３Ｂａに含まれる。メッキ部分は、第３頭部３Ｂｂ、又は、第３頭部３Ｂｂと第３柱部３Ｂａの第３頭部３Ｂｂ側の一部に含まれる。
【0033】
第３配線３Ｂと第６パッド７Ｂの間には、第３導電性接合剤５Ｂが設けられている。第３導電性接合剤５Ｂを介して第３配線３Ｂと第６パッド７Ｂが電気的に接続している。第３導電性接合剤５Ｂの第３半導体素子１Ｂ側の面と第３頭部３Ｂｂの配線基板６側の面は、電気的かつ直接的に接している。第３導電性接合剤５Ｂの第６パッド７Ｂ側の面と第６パッド７Ｂの第３半導体素子１Ｂ側の面は電気的かつ直接的に接している。
【0034】
第３半導体素子１Ｂが複数の第５パッド２Ｂを有する場合、半導体装置１００には複数の第３配線３Ｂが含まれる。複数の第３配線３Ｂが含まれる場合、複数の第６パッド７Ｂが含まれ、複数の第３配線３Ｂによって第３半導体素子１Ｂと配線基板６が電気的に接続している。
【0035】
第３半導体素子１Ｂは、配線基板６を介して第１半導体素子１Ａ、第２半導体素子９及び第４半導体素子１Ｃと電気的に接続している。
【0036】
第４半導体素子１Ｃは、例えば、半導体メモリチップである。第４半導体素子１Ｃは、第１絶縁樹脂４に覆われている。第３半導体素子１Ｂと第４半導体素子１Ｃの間には接着層が設けられていて、接着層によって、第３半導体素子１Ｂと第４半導体素子１Ｃが接着していることが好ましい。第４半導体素子１Ｃは、第４配線３Ｃを介して配線基板６と電気的に接続している。
【0037】
第４半導体素子１Ｃは、第７パッド２Ｃを有する。第４半導体素子１Ｃは、具体的には、複数の第７パッド２Ｃを有する。第７パッド２Ｃは、信号用パッド及び電源用パッドを含む。第７パッド２Ｃは、第４半導体素子１Ｃの配線基板６側を向く面に設けられている。
【0038】
第７パッド２Ｃは、第４配線３Ｃを介して配線基板６の第８パッド７Ｃと電気的に接続している。第４配線３Ｃは、第４柱部３Ｃａと第４頭部３Ｃｂを有する。第４柱部３Ｃａと第４頭部３Ｃｂは、電気的かつ直接的に接続している。
【0039】
第４配線３Ｃは、第４半導体素子１Ｃから配線基板６に向かって延在している。第４配線３Ｃは、Ｃｕ又はＰｄで被覆されたＣｕの線状の導体部分とメッキ部分を有する。導体部分とメッキ部分の境界は、第４柱部３Ｃａと第４頭部３Ｃｂの境界から第４半導体素子１Ｃ側に０［μｍ］以上５［μｍ］以下の間、０．１［μｍ］以上５［μｍ］以下の間、又は、１［μｍ］以上５［μｍ］以下の間に位置している。または、導体部分とメッキ部分の境界は、第４柱部３Ｃａと第４頭部３Ｃｂの境界と同じ場所に位置している。Ｃｕ又はＰｄで被覆されたＣｕの線状の導体部分は、第４柱部３Ｃａに含まれる。メッキ部分は、第４頭部３Ｃｂ、又は、第４頭部３Ｃｂと第４柱部３Ｃａの第４頭部３Ｃｂ側の一部に含まれる。
【0040】
第４配線３Ｃと第８パッド７Ｃの間には、第４導電性接合剤５Ｃが設けられている。第４導電性接合剤５Ｃを介して第４配線３Ｃと第８パッド７Ｃが電気的に接続している。第４導電性接合剤５Ｃの第４半導体素子１Ｃ側の面と第４頭部３Ｃｂの配線基板６側の面は、電気的かつ直接的に接している。第４導電性接合剤５Ｃの第８パッド７Ｃ側の面と第８パッド７Ｃの第４半導体素子１Ｃ側の面は電気的かつ直接的に接している。
【0041】
第４半導体素子１Ｃが複数の第７パッド２Ｃを有する場合、半導体装置１００には複数の第４配線３Ｃが含まれる。複数の第４配線３Ｃが含まれる場合、複数の第８パッド７Ｃが含まれ、複数の第４配線３Ｃによって第４半導体素子１Ｃと配線基板６が電気的に接続している。
【0042】
第１半導体素子１Ａ、第３半導体素子１Ｂ及び第４半導体素子１Ｃなどの半導体装置１００に含まれる半導体メモリチップは、個体差を除き同一回路であり同一構造の半導体チップであることが好ましい。また、本実施形態においては、半導体メモリチップとして不揮発性メモリチップ、揮発性メモリチップを用いることができる。半導体メモリチップをＸ方向にずらしながら積層させる段数は図１のように３段とするだけでなく１段のみとすることや２段にすることや、４段以上とすることもできる。
【0043】
第４半導体素子１Ｃは、配線基板６を介して第１半導体素子１Ａ、第２半導体素子９及び第３半導体素子１Ｂと電気的に接続している。
【0044】
第１絶縁樹脂４によって封止されている半導体素子（第１実施形態においては、第１半導体素子１Ａ、第２半導体素子９、第３半導体素子１Ｂ、第４半導体素子１Ｃ）間を直接接続する配線は含まれない。
【0045】
第１絶縁樹脂４によって封止されている半導体素子（第１実施形態においては、第１半導体素子１Ａ、第２半導体素子９、第３半導体素子１Ｂ、第４半導体素子１Ｃ）間を接続するための再配線層等は第１絶縁樹脂４内には存在していない場合がある。つまり、本実施形態においては、第１絶縁樹脂４によって封止されている半導体素子と接続している全ての配線は、配線基板６とは接続しているが、第１絶縁樹脂４内において接続していない。上記構成とは別に、第１絶縁樹脂４によって封止されている半導体素子（第１実施形態においては、第１半導体素子１Ａ、第２半導体素子９、第３半導体素子１Ｂ、第４半導体素子１Ｃ）間を接続するボンディングワイヤを含む構成も実施形態に含まれる。
【0046】
第１パッド２Ａ、第３パッド１０、第５パッド２Ｂ、第７パッド２Ｃ、第２パッド７Ａ、第４パッド１３、第６パッド７Ｂ及び第８パッド７Ｃは、例えば電極パッドである。電極パッドは、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ－Ｐ及びＮｉ－Ｂ等の膜又はＣｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ－Ｐ、Ｎｉ－Ｂからなる群より選ばれる２種以上を含む膜を含む低抵抗金属膜である。電極パッドは、より具体的には、Ａｌ、Ａｌ－Ｃｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ又はＣｕであることがより好ましい。
【0047】
第１絶縁樹脂４は、絶縁性で樹脂を含む。第１絶縁樹脂４は、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリベンゾオキサゾール系樹脂、シリコーン系樹脂及びベンゾシクロブテン系樹脂からなる群より選ばれる１種以上を含む。エポキシ系樹脂の例としては特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡＤ型、ビスフェノールＳ型等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型等のノボラック型エポキシ樹脂、レゾルシノール型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタントリグリシジルエーテル等の芳香族エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ポリエーテル変性エポキシ樹脂、ベンゾフェノン型エポキシ樹脂、アニリン型エポキシ樹脂、ＮＢＲ変性エポキシ樹脂、ＣＴＢＮ変性エポキシ樹脂、及び、これらの水添化物等が挙げられる。なかでも、Ｓｉとの密着性が良い点から、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂が好ましい。また、速硬化性が得られやすいことから、ベンゾフェノン型エポキシ樹脂も好ましい。これらのエポキシ樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。また第１絶縁樹脂４の中にシリカやアルミナなどの絶縁性フィラーが含まれていてもよい。
【0048】
第１導電性接合剤５Ａ、第２導電性接合剤１２、第３導電性接合剤５Ｂ及び第４導電性接合剤５Ｃは、例えばハンダなどの接合部材である。第１導電性接合剤５Ａ、第２導電性接合剤１２、第３導電性接合剤５Ｂ及び第４導電性接合剤５Ｃは、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｂ、Ｉｎ及びＧｅからなる群より選ばれる１種の単体、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｂ、Ｉｎ及びＧｅからなる群より選ばれる１種の単体を２種以上含む複合膜、又は、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｂ、Ｉｎ及びＧｅからなる群より選ばれる２種以上を含む合金のいずれかであることが好ましい。
【0049】
配線基板６は、多層の配線基板である。配線基板６に第１半導体素子１Ａなどが第１絶縁樹脂４で封止された部材が設けられている。配線基板６の第１絶縁樹脂４で封止された部材が設けられている面と反対側の面側に半導体装置１００の外部と接続するための半田ボール８などの半球状の電極が設けられている。
【0050】
第１絶縁樹脂４と配線基板６の間には第２絶縁樹脂１４が設けられていることが好ましい。第２絶縁樹脂１４は、絶縁性で樹脂を含む。第２絶縁樹脂１４は、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリベンゾオキサゾール系樹脂、シリコーン系樹脂及びベンゾシクロブテン系樹脂からなる群より選ばれる１種以上を含む。エポキシ系樹脂の例としては特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡＤ型、ビスフェノールＳ型等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型等のノボラック型エポキシ樹脂、レゾルシノール型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタントリグリシジルエーテル等の芳香族エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ポリエーテル変性エポキシ樹脂、ベンゾフェノン型エポキシ樹脂、アニリン型エポキシ樹脂、ＮＢＲ変性エポキシ樹脂、ＣＴＢＮ変性エポキシ樹脂、及び、これらの水添化物等が挙げられる。なかでも、Ｓｉとの密着性が良い点から、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂が好ましい。また、速硬化性が得られやすいことから、ベンゾフェノン型エポキシ樹脂も好ましい。これらのエポキシ樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。また第２絶縁樹脂１４の中にシリカやアルミナなどの絶縁性フィラーが含まれていてもよい。また硬化後に第２絶縁樹脂１４となる樹脂には、アルコール類及び／又は有機酸が含まれてもよい。硬化後に第２絶縁樹脂１４となる樹脂は、アンダーフィル剤としてフリップチップの実装に用いられる硬化性の絶縁性樹脂である。硬化後に第２絶縁樹脂１４となる樹脂に含まれるアルコール類及び／又は有機酸は、第１配線３Ａの表面の酸化膜を除去するフラックス機能を有することが好ましい。硬化後に第２絶縁樹脂１４となる樹脂に含まれるアルコール類としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ポリビニルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、カルビトール、セロソルブアルコールなどから選択される少なくとも1種があげられる。またアルキルエーテル系の材料でもよい。例えば、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテルなどがあげられる。アルカン、アミン化合物などを用いることもできる。例えばホルムアミド、ジメチルホルムアミドなどがあげられる。これらは単独でもよいし、複数を混合してもよい。硬化後に第２絶縁樹脂１４となる樹脂に含まれる有機酸としては、ギ酸、酢酸、安息香酸、アビエチン酸、パラストリン酸、デヒドロアビエチン酸、イソピマール酸、ネオアビエチン酸、ピマール酸、ロジンなどがあげられる。アルコール類及び／又は有機酸は、単独でもよいし、複数を混合してもよい。酸化膜を除去する機能を有する樹脂を塗布する方法はディスペンス法、印刷法、ジェット法、スクリュー法など種々の方法で塗布する。
【0051】
第２絶縁樹脂１４の熱膨張係数は、第１絶縁樹脂４及び配線基板６よりも大きいことが好ましい。第２絶縁樹脂１４の熱膨張係数＞配線基板６の熱膨張係数＞第１絶縁樹脂４の熱膨張係数の関係を満たすことがより好ましい。第２絶縁樹脂１４の熱膨張係数が、配線基板６の熱膨張係数よりも小さいと第１半導体素子１Ａなどを封止した部材を配線基板６に実装した時に配線基板６の伸びに第２絶縁樹脂１４の延びが追随できず、第２絶縁樹脂１４が剥がれてしまう可能性がある。そこで、第２絶縁樹脂１４の熱膨張係数は、２０［ｐｐｍ/℃］以上６０［ｐｐｍ/℃］の範囲が好ましく、２０［ｐｐｍ／℃］以上４０［ｐｐｍｍ／℃］がより好ましい。第２絶縁樹脂１４の熱膨張係数が２０［ｐｐｍ／℃］よりも小さいと配線基板６の熱膨張係数に近づき、配線基板６の伸びに追随できず、第２絶縁樹脂１４が剥がれ易くなる場合がある。第２絶縁樹脂１４の熱膨張係数が６０［ｐｐｍ／℃］よりも大きいと第３の樹脂が伸びすぎて、第２絶縁樹脂１４が剥がれ易くなる場合がある。第２絶縁樹脂１４の熱膨張係数は、配線基板６の熱膨張係数よりも１０％以上高いことが好ましい。配線基板６の熱膨張係数は、第１絶縁樹脂４の熱膨張係数よりも１０％以上高いことが好ましい。
【0052】
第２絶縁樹脂１４の弾性率は、第１絶縁樹脂４の弾性率及び配線基板６の弾性率よりも小さいことが好ましい。第１絶縁樹脂４の弾性率＞配線基板６の弾性率＞第２絶縁樹脂１４の弾性率の関係を満たすことがより好ましい。そこで、第２絶縁樹脂１４の弾性率は、０．１［ＧＰａ］以上２０［ＧＰａ］以下が好ましく、１［ＧＰａ］以上１５［ＧＰａ］以下がより好ましい。第２絶縁樹脂１４の弾性率が０．１「ＧＰａ」未満では、第２絶縁樹脂１４による第１半導体素子１Ａを封止した部材の固定が困難である。第２絶縁樹脂１４の弾性率が２０［ＧＰａ］を超えると第２絶縁樹脂１４と配線基板６の反りにより、第２絶縁樹脂１４が配線基板６のソルダーレジストから剥離し易い場合がある。第１絶縁樹脂４の弾性率は、配線基板６の弾性率よりも１０％以上高いことが好ましい。配線基板６の弾性率は、第２絶縁樹脂１４の弾性率よりも１０％以上高いことが好ましい。
【0053】
次に、図２に示す半導体装置１００の部分模式図を参照して第１半導体素子１Ａなどが第１絶縁樹脂４で封止された部材と配線基板６の接続部分について説明する。以下、第１配線３Ａの接続部分について説明する。第２配線１１、第３配線３Ｂ及び第４配線３Ｃの接続部分は、第１配線３Ａの接続部分と同様である。第２配線１１、第３配線３Ｂ及び第４配線３Ｃの接続部分に関して、第１配線３Ａの接続部分と共通する内容についてはその説明を省略する。
【0054】
図２は第１配線３Ａの配線基板６との接続部分を示した模式図である。図２には、第１配線３Ａ、第１絶縁樹脂４、第１導電性接合剤５Ａ、第２パッド７Ａ、配線基板６及び第２絶縁樹脂１４を示している。図２中において、第１配線３Ａの一点長鎖線が線状の導体部分とメッキ部分の境界である。図１中及び図２中において、第１配線３Ａの一点長鎖線より上方が例えば線状の導体部分であり、一点長鎖線より下方がメッキ部分である。
【0055】
第１配線３Ａの第１柱部３Ａａの直径は１０［μｍ］以上５０［μｍ］以下が好ましく、１５［μｍ］以上３０［μｍ］以下が好ましい。第１柱部３Ａａの直径が細すぎると強度が弱く第１絶縁樹脂４で封止する際に第１柱部３Ａａが変形する可能性がある。また、第１柱部３Ａａの直径が太すぎると半導体素子上のパッドに形成する第１配線の接続部分がパッドからはみ出す問題がある。そこで、直径が上記範囲の第１柱部３Ａａが好ましい。
【0056】
第１配線３Ａの第１頭部３Ａｂの直径は、１５［μｍ］以上１００［μｍ］以下が好ましく、２０［μｍ］以上８０［μｍ］以下が好ましい。第１柱部３Ａａの直径が細いため第１柱部３Ａａを直接的に配線基板６側の第２パッド７Ａと接合するのが困難である。第１配線３Ａの第１柱部３Ａａを５０［μｍ］以上にすることができれば第１導電性接合剤５Ａを介して第１柱部３Ａａの先端部分と第２パッド７Ａを直接接続することができる。しかし、第１パッド２Ａのピッチの関係で第１柱部３Ａａの直径を太くすることが困難である。そこで、第１頭部３Ａｂを第１配線３Ａの先端側に設けることで第１配線３Ａの先端側の直径を太くして良好な接合を形成することができる。また、第１柱部３Ａａの直径が太すぎると、配線基板と接続した場合、となりの導電性接合剤とショートする問題が発生する。そこで、直径が上記範囲の第１柱部３Ａａが好ましい。
【0057】
第１頭部３Ａｂの第１絶縁樹脂４側を向く面を第１面ａとし、第１絶縁樹脂４の配線基板６側の面を第２面ｂとする。このとき、配線基板６の第１絶縁樹脂４側の面から第１面ａまでの距離を第１距離ｃとする。そして、配線基板６の第１絶縁樹脂４側の面から第２面ｂまでの距離を第２距離ｄとする。第１距離ｃは、第２距離ｄよりも短い。
【0058】
第１距離ｃと第２距離ｄの差は、５０［ｎｍ］以上５０００［ｎｍ］以下が好ましく、１００［ｎｍ］以上１０００［ｎｍ］以下がより好ましい。第１距離ｃと第２距離ｄの差が少ないと第１面ａと第２面ｂの間に第１導電性接合剤５Ａ又は第２絶縁樹脂１４が侵入しにくく、第１面ａと良好な結合を形成しにくい。第１距離ｃと第２距離ｄの差（ｄ－ｃ）が大きすぎると加工が困難になり経済的及び歩留まりの観点から好ましくない。
【0059】
第１距離ｃと第２距離ｄが同じであると第１面ａが第２面ｂと接した状態（実質的に接している）になる。第１配線３Ａのメッキ部分である第１頭部３Ａｂは、第１絶縁樹脂４が形成された後に形成される。すると、メッキ部分は第１絶縁樹脂４と結合しないことから第１面ａと第２面ｂは接着していない。第１面ａと第２面ｂが接着していない場合、第１絶縁樹脂４で封止された部材と配線基板６が離間する方向に応力がかかった場合に線状の導体部分とメッキ部分が破断し易い。例えば、第１絶縁樹脂４で封止された部材を配線基板６に接続する時、第１絶縁樹脂４で封止された部材の反りで第１柱部３Ａａと第１頭部３Ａｂの境界又は線状の導体部分とメッキ部分の境界で破断する可能性がある。
【0060】
配線基板６の第１絶縁樹脂４側の面から第１面ａまでの距離である第１距離ｃは、以下のように定義する。第１頭部３Ａｂの第１面ａは、平坦ではない場合がある。平坦である場合と平坦ではない場合の両方で同じ基準で第１距離ｃを定める。そこで、図２のような断面において、距離ｆ１を［第１柱部３Ａａの半径］＋［５［μｍ］］とし、第１頭部３Ａｂの中心ｅからＸ方向（図２の断面における第１配線３Ａから第３配線３ｂに向かう方向）に距離ｆの位置を点ｇとし、第１距離ｃは、Ｚ方向（第１配線３Ａの延在方向）における点ｇから配線基板６までの距離である。また、第１絶縁樹脂４の第２面ｂにおいて、第１絶縁樹脂４と第１配線３Ａの境界からＸ方向（図２の断面における第１配線３Ａから第３配線３ｂに向かう方向（図１のＸの矢印方向））に距離ｈ（５０［μｍ］）の位置を点ｉとし、第２距離ｄは、Ｚ方向（第１配線３Ａの延在方向）における点ｉから配線基板６までの距離である。
【0061】
メッキを形成せずに頭部が設けられていない細い線状の導体部分は、直接的に第１導電性接合剤５Ａと良好な接合が形成されず線状の導体部分と第１導電性接合剤５Ａの接続部分の信頼性が低い。そこで、第１距離ｃを第２距離ｄよりも短くすることで、第１頭部３Ａｂの第１面ａが第１導電性接合剤５Ａ又は第２絶縁樹脂１４と接続し、配線の信頼性を向上させることができる。
【0062】
図２の模式図に示す半導体装置１００において、第１頭部３Ａｂの第１面ａは、第１導電性接合剤５Ａと接している。第１頭部３Ａｂの第１面ａが第１導電性接合剤５Ａと接していることで第１頭部３Ａｂの第１面ａと第１導電性接合剤５Ａは接合している。第１頭部３Ａｂの第１面ａの表面と第１導電性接合剤５Ａが水素結合や共有結合や金属拡散によって接合していることで、第１頭部３Ａｂの第１面ａと第１導電性接合剤５Ａとが接する（直接的に接する）。
【0063】
図３は第１配線３Ａの配線基板６との接続部分を示した模式図である。図３の模式図は、図２の模式図の変形例であり、第１頭部３Ａｂの第１面ａが第２絶縁樹脂１４と（直接的に）接していることが図２の部分模式図と異なる。第１導電性接合剤５Ａは、第１面ａと配線基板６の第１絶縁樹脂４側の面との間に存在する。図３の模式図に示す形態において、第１頭部３Ａｂの第１面ａが第２絶縁樹脂１４と接していることで第１頭部３Ａｂの第１面ａと第２絶縁樹脂１４は接合している。第１頭部３Ａｂの第１面ａの表面と第２絶縁樹脂１４が水素結合や共有結合によって接合していることで、第１頭部３Ａｂの第１面ａと第２絶縁樹脂１４とが接する（直接的に接する）。
【0064】
図４は第１配線３Ａの配線基板６との接続部分を示した模式図である。図４の模式図は、図２の模式図の変形例であり、第２面ｂが第１導電性接合剤５Ａと（直接的に）接していることが図２の部分模式図と異なる。第１導電性接合剤５Ａは、第２面ｂと配線基板６の第１絶縁樹脂４側の面との間に存在する。図４の模式図に示す形態において、第１頭部３Ａｂの第１面ａが第１導電性接合剤５Ａと接していることで第１頭部３Ａｂの第１面ａと第１導電性接合剤５Ａは接合している。第１頭部３Ａｂの第１面ａの表面と第１導電性接合剤５Ａが水素結合や共有結合や金属拡散によって接合していることで、第１頭部３Ａｂの第１面ａと第１導電性接合剤５Ａとが接する（直接的に接する）。
【0065】
第１配線３Ａのメッキ部分はメッキ、より具体的には、無電解めっきによって線状の導体部分の先端に形成されている。従って、メッキ部分が形成される時の下地の金属である線状の導体部分とメッキ部分は結合する。しかし、非金属である樹脂部分にはメッキされないため、下地の樹脂部分、例えば第１絶縁樹脂４の表面にはメッキされず、樹脂部分とメッキ部分は接合（結合）していない。すると、第１頭部３Ａｂの第１面ａ側が下地の樹脂部分と接着していないため、第１絶縁樹脂４で封止された部材と配線基板６が離間する方向の応力が印加されたときに、第１配線３Ａが破断しやすい。実施形態の構成であれば、第１頭部３Ａｂの第１頭部３Ａｂ側が第１導電性接合剤５Ａ又は第２絶縁樹脂１４と接して接合していて、破断しにくい。
【0066】
【0067】
半導体装置１００の製造方法は、第１半導体素子１Ａの面に対して垂直方向に延在する柱状の配線２１を形成する工程（Ｓ０１）と、柱状の配線２１が形成された第１半導体素子１Ａを第１絶縁樹脂４で封止する工程（Ｓ０２）と、柱状の配線２１の先端を露出させる工程（Ｓ０３）と、露出した柱状の配線２１の先端に無電解めっきして第１頭部３Ａｂを形成する工程（Ｓ０４）と、第１頭部３Ａｂが形成された側の第１絶縁樹脂４を薄くする工程（Ｓ０５）と、第１導電性接合剤５Ａが形成されている配線基板６の第１導電性接合剤５Ａと第１頭部３Ａｂが露出した部材の第１頭部３Ａｂを電気的に接続する工程（Ｓ０６）とを有する。
【0068】
まず、図６と図７の工程模式断面図を参照して第１半導体素子１Ａの面に対して垂直方向に延在する柱状の配線２１を第１半導体素子１Ａの第１パッド２Ａに形成する工程（Ｓ０１）について説明する。図６の工程模式断面図には、支持基板２０上に第１半導体素子１Ａ、第３半導体素子１Ｂ、第４半導体素子１Ｃ及び第２半導体素子９が順に積層した部材が示されている。支持基板２０と第１半導体素子１Ａ間、第１半導体素子１Ａと第３半導体素子１Ｂ間、第３半導体素子１Ｂと第４半導体素子１Ｃ間及び第４半導体素子１Ｃと第２半導体素子９間には図示しない中間層があり、中間層によって接着されていることが好ましい。図１の半導体装置１００においては、中間層を示していないが、第１半導体素子１Ａと第３半導体素子１Ｂ間、第３半導体素子１Ｂと第４半導体素子１Ｃ間及び第４半導体素子１Ｃと第２半導体素子９には中間層が設けられていることが好ましい。第１パッド２Ａ側とは反対側の面、つまり、第１絶縁樹脂４で封止された部材の表面に中間層が存在してもよい。中間層は、例えば、ダイアタッチフィルムの接着層である。
【0069】
図７の工程模式断面図において、図６の工程模式断面図の部材の第１パッド２Ａ、第３パッド１０、第５パッド２Ｂ及び第７パッド２Ｃからそれぞれ柱状の配線２１が形成されている。第１半導体素子１Ａの第１パッド２Ａに設けられている柱状の配線２１は、第１半導体素子１Ａの面に対して垂直方向に延在している。第２半導体素子９の第３パッド１０に設けられている柱状の配線２１は、第２半導体素子９の面に対して垂直方向に延在している。第３半導体素子１Ｂの第５パッド２Ｂに設けられている柱状の配線２１は、第３半導体素子１Ｂの面に対して垂直方向に延在している。第４半導体素子１Ｃの第７パッド２Ｃに設けられている柱状の配線２１は、第４半導体素子１Ｃの面に対して垂直方向に延在している。柱状の配線２１が延在する方向は、第１半導体素子１Ａ、第３半導体素子１Ｂ、第４半導体素子１Ｃ及び第２半導体素子９の積層方向でもある。
【0070】
柱状の配線２１の長さは、図７の工程模式断面図に示すように、支持基板２０からの距離が同程度になるようにすることが好ましい。複数の柱状の配線２１の先端から支持基板２０までの距離のばらつきは小さい方が好ましく、複数の柱状の配線２１の先端から支持基板２０までの距離の最大値と最小値の差は、５［μｍ］以上５０［μｍ］以下であることが好ましく、０［μｍ］以上５［μｍ］未満であればより好ましい。
【0071】
柱状の配線２１は、例えば、第１パッド２Ａにキャピラリの先端を押し当てて、第１パッド２Ａとワイヤを接合し、形成したい柱状の配線２１の高さに相当する長さのワイヤを繰り出して、平面やパッド部分にキャピラリを押しつける。押しつけられた部分のワイヤが細くなり、ワイヤを繰り出さずにキャピラリを引き上げてワイヤを切断して柱状の配線２１を形成する。第２半導体素子９、第３半導体素子１Ｂ及び第４半導体素子１Ｃの柱状の配線２１も同様に形成する。
【0072】
次に、図８の工程模式断面図を参照して、柱状の配線２１が形成された第１半導体素子１Ａを第１絶縁樹脂４で封止する工程（Ｓ０２）について説明する。図８の工程模式断面図に示すように、図７の工程模式断面図に部材の第１半導体素子１Ａを第１絶縁樹脂４で封止する。図８の工程模式断面図に示すように第１半導体素子１Ａに他の半導体素子（第１実施形態の構成であれば、第２半導体素子９、第３半導体素子１Ｂ及び第４半導体素子１Ｃ）が積層している場合、第１半導体素子１Ａを含む積層体を第１絶縁樹脂４で封止する。柱状の配線２１の先端部分も覆われるように第１絶縁樹脂４で封止する。第１絶縁樹脂４で封止した後に支持基板２０を除去することが好ましい。支持基板２０の除去は任意であり、他の工程で行なってもよいし、支持基板２０を除去せず半導体装置１００に支持基板２０が含まれていてもよい。第１絶縁樹脂４は、加熱又はＵＶによって硬化される。
【0073】
次に、図９の工程模式断面図を参照して、柱状の配線２１の先端を露出させる工程（Ｓ０３）について説明する。図９の工程模式断面図に示すように柱状の配線２１の先端が露出するように図８の部材の第１絶縁樹脂４を薄くする。例えば、第１絶縁樹脂４の表面を機械的研磨法や化学的研磨法やＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等で研磨することで柱状の配線２１の先端を露出させる。研磨する際に柱状の配線２１の先端位置を揃えることができる。第１実施形態においては、第１半導体素子１Ａと接続していて、先端が露出された柱状の配線２１が第１配線３Ａの線状の導体部分であり、第１柱部３Ａａである。
【0074】
次に、図１０の工程模式断面図を参照して、露出した柱状の配線２１の先端に無電解めっきして第１頭部３Ａｂを形成する工程（Ｓ０４）について説明する。図１０の工程模式断面図に示すように図９の工程模式断面図に示す部材の柱状の先端の露出した部分にメッキを行なって第１頭部３Ａｂを形成する。第１半導体素子１Ａの柱状の配線２１にメッキをするため、電解メッキでは電極を取り出すことができないため困難である。そのため無電解めっきをする。また、無電解めっきで第１頭部３Ａｂを形成するため、第１面ａは第１絶縁樹脂４とは接していない。第１頭部３Ａｂの形状は半球形を図示しているが、形状はこれに限定されず、メッキ部分の先端が柱状の配線２１よりも太く（例えば第１頭部３Ａｂの外接円直径が第１柱部３Ａａの外接円直径よりも１０％以上太い）なっていればよい。
【0075】
次に、図１１の模式断面図を参照して、第１頭部３Ａｂが形成された側の第１絶縁樹脂４を薄くする工程（Ｓ０５）について説明する。図１１の工程模式断面図に示すように図１０の工程模式断面図の部材の第１頭部３Ａｂが形成された側の第１絶縁樹脂４の表面を薄くする。すると、第１柱部３Ａａの第１頭部３Ａｂ側の一部が露出する。すると、第１頭部３Ａｂの第１面ａ側に空間ができる。別工程でこの空間に第１頭部３Ａｂと接合する部材を侵入させて第１頭部３Ａｂの第１面ａ側が第１絶縁樹脂４ではない別の部材（具体的には、第１導電性接合剤５Ａ又は第２絶縁樹脂１４）と接合する。本工程においては、ドライエッチング又はウエットエッチングによって、図１０の工程模式断面図の部材の第１頭部３Ａｂが形成された側の第１絶縁樹脂４の表面を薄くすることが好ましい。ドライエッチングとしては、プラズマエッチングを利用し、Ｏ２ガス、フッ素系ガス（ＣＦ４など）、Ｏ２とフッ素ガスの混合ガスなどを使用することが好ましい。
【0076】
第１頭部３Ａｂが形成された側の第１絶縁樹脂４を薄くする方法としてはエッチングが好ましい。研磨を行なうと第１頭部３Ａｂも削られてしまうし、第１柱部３Ａａの側面が露出しない。第１絶縁樹脂４を薄くする厚さｄは、第１頭部３Ａｂの第１面ａ側に別の部材が入り込むために十分な空間ができる厚さである。第１絶縁樹脂４を薄くする厚さｄは５０［ｎｍ］以上５０００［ｎｍ］以下であることが好ましく、１００［ｎｍ］以上１０００［ｎｍ］以下であることがより好ましい。
【0077】
次に、図１２の工程模式断面図を参照して第１導電性接合剤５Ａが形成されている配線基板６の第１導電性接合剤５Ａと第１頭部３Ａｂが露出した部材の第１頭部３Ａｂを電気的に接続する工程（Ｓ０６）について説明する。図１２の工程模式断面図に示すように、図１１の第１頭部３Ａｂが露出していて第１絶縁樹脂４が薄くされた部材と配線基板６を接合させる。配線基板６の第２パッド７Ａには、第１導電性接合剤５Ａが形成されていて、第１導電性接合剤５Ａは、第１頭部３Ａｂと接合される。
【0078】
第１頭部３Ａｂの第１面ａと第１絶縁樹脂４の間には第２絶縁樹脂１４又は／及び第１導電性接合剤５Ａが設けられている。図１２の工程模式断面図においては、第２絶縁樹脂１４は、第１導電性接合剤５Ａの外側の表面に接している。本工程において、好ましくは酸化膜を除去するフラックス機能を有する絶縁性樹脂を配線基板６の第２パッド７Ａ及び第１導電性接合剤５Ａが設けられている側の面に塗布してから第１絶縁樹脂４が薄くされた部材と接合することができる。酸化膜を除去するフラックス機能を有する絶縁性樹脂は、硬化されて第２絶縁樹脂１４になる。
【0079】
本工程では、フリップチップボンダで第１半導体素子１Ａなどが第１絶縁樹脂４で封止された部材を加熱して、第１導電性接合剤５Ａと第１配線３Ａとを接続してもよいし、フリップチップボンダで仮圧着後、リフロー炉に入れて第１導電性接合剤５Ａと第１配線３Ａを接続してもよい。半導体素子や基板にフラックスを塗布して接続してもよい。
【0080】
第１配線３Ａの第１頭部３Ａｂと第１絶縁樹脂４の間にギャップを設けられるように加工することで、第１頭部３Ａｂと第１絶縁樹脂４の間に第１導電性接合剤５Ａ又は第２絶縁樹脂１４が入り込み、第１導電性接合剤５Ａ又は第２絶縁樹脂１４が第１頭部３Ａｂの第１面ａと接合することができ、破断しにくい信頼性の高い配線構造を得ることができる。
【0081】
（第２実施形態）
第２実施形態は、半導体装置とその製造方法に関する。図１３に第２実施形態の半導体装置１０１の模式断面図を示す。実施形態の半導体装置１０１は、より具体的には、ＮＡＮＤフラッシュメモリチップ等を搭載した半導体パッケージである。第１実施形態と第２実施形態において共通する内容についてはその説明を省略する。
第２実施形態は、半導体装置とその製造方法に関する。図１３に第２実施形態の半導体装置１０１の模式断面図を示す。実施形態の半導体装置１０１は、より具体的には、ＮＡＮＤフラッシュメモリチップ等を搭載した半導体パッケージである。第１実施形態と第２実施形態において共通する内容についてはその説明を省略する。
【0082】
半導体装置１０１の第２絶縁樹脂１４が第１絶縁樹脂４の底面から側面の一部に設けられている。
【0083】
半導体装置１０１における第１配線３Ａの線状の導体部分とメッキ部分の境界である一点長鎖線は、半導体装置１００の位置よりも第１半導体素子１Ａ側に位置している。柱状のメッキ部分と第１絶縁樹脂４は接合していないが、メッキ厚さを厚くすることができる。
【0084】
【0085】
図１４は第１配線３Ａの配線基板６との接続部分を示した模式図である。図１４には、第１配線３Ａ、第１絶縁樹脂４、第１導電性接合剤５Ａ、第２パッド７Ａ、配線基板６及び第２絶縁樹脂１４を示している。図１４の部分模式図は、第１頭部３Ａｂの第１面ａが第２絶縁樹脂１４と（直接的に）接していることが図２の部分模式図と異なる。第１導電性接合剤５Ａは、第１頭部３Ａｂの第１面ａと第１絶縁樹脂４の第２面ｂの間には存在していない。第１導電性接合剤５Ａと第１配線３Ａの接している形態が第１実施形態の半導体装置１００と第２実施形態の半導体装置１０１で異なる。図１４の部分模式図の半導体装置１０１においても、第１距離ｃは、第２距離ｄよりも短い。
【0086】
図１４の部分模式図に示す形態においては、第１頭部３Ａｂの第１面ａが第２絶縁樹脂１４と接合しているため、第１配線３Ａが第１柱部３Ａａと第１頭部３Ａｂの境界付近で破断しにくく、信頼性が高い。
【0087】
図１５は第１配線３Ａの配線基板６との接続部分を示した模式図である。図１５は図１４の形態の変形例である。図１５には、第１配線３Ａ、第１絶縁樹脂４、第２絶縁樹脂１４、第１導電性接合剤５Ａ、第２パッド７Ａ及び配線基板６を示している。図１５の部分模式図は、第１頭部３Ａｂの第１面ａ及び第１絶縁樹脂４の第２面ｂが第１導電性接合剤５Ａと（直接的に）接していることが図２及び図１５の部分模式図と異なる。図１４の部分模式図の半導体装置１０１においても、第１距離ｃは、第２距離ｄよりも短い。
【0088】
図１５の部分模式図に示す形態においては、第１頭部３Ａｂの第１面ａが第１導電性接合剤５Ａと接合しているため、第１配線３Ａが第１柱部３Ａａと第１頭部３Ａｂの境界付近で破断しにくく、信頼性が高い。
【0089】
【0090】
半導体装置１０１の製造方法は、第１半導体素子１Ａの面に対して垂直方向に延在する柱状の配線２１を形成する工程（Ｓ０１）と、柱状の配線２１が形成された第１半導体素子１Ａを第１絶縁樹脂４で封止する工程（Ｓ０２）と、柱状の配線２１の先端を露出させる工程（Ｓ０３）と、柱状の配線２１の先端をエッチングする工程（Ｓ０７）と、露出した柱状の配線２１の先端に無電解めっきして第１頭部３Ａｂを形成する工程（Ｓ０４）と、第１頭部３Ａｂが形成された側の第１絶縁樹脂４を薄くする工程（Ｓ０５）と、第１導電性接合剤５Ａが形成されている配線基板６の第１導電性接合剤５Ａと第１頭部３Ａｂが露出した部材の第１頭部３Ａｂを電気的に接続する工程（Ｓ０６）とを有する。
【0091】
第１導電性接合剤５Ａが形成されている配線基板６の第１導電性接合剤５Ａと第１頭部３Ａｂが露出した部材の第１頭部３Ａｂを電気的に接続する工程（Ｓ０６）と柱状の配線２１の先端をエッチングする工程（Ｓ０７）以外の工程は、第１実施形態の半導体装置１００の製造方法の工程と同様である。
【0092】
柱状の配線２１の先端をエッチングする工程（Ｓ０７）は、柱状の配線２１の先端を露出させる工程（Ｓ０３）と露出した柱状の配線２１の先端に無電解めっきして第１頭部３Ａｂを形成する工程（Ｓ０４）の間に行なわれる。エッチングされた柱状の配線２１の先端に第１頭部３Ａｂが形成される。図１７の工程模式断面図に示すように柱状の配線２１の先端は、ドライエッチング又はウエットエッチングで一部除去される。除去された部分２２にも無電解めっきが形成されるため、第１実施形態よりも第２実施形態の方がメッキ部分の厚さが厚くなる。柱状の配線２１の先端をエッチングする工程（Ｓ０７）の実施の有無及びエッチング深さによってメッキ部分の厚さを制御することができる。
【0093】
第２実施形態の第１導電性接合剤５Ａが形成されている配線基板６の第１導電性接合剤５Ａと第１頭部３Ａｂが露出した部材の第１頭部３Ａｂを電気的に接続する工程（Ｓ０６）において、硬化後に第２絶縁樹脂１４となる樹脂が塗布された配線基板６を用いる。
【0094】
硬化後に第２絶縁樹脂１４となる樹脂には、アルコール類及び／又は有機酸が含まれてもよい。硬化後に第２絶縁樹脂１４となる樹脂は、アンダーフィル剤としてフリップチップの実装に用いられる硬化性の絶縁性樹脂である。硬化後に第２絶縁樹脂１４となる樹脂に含まれるアルコール類及び／又は有機酸は、第１配線３Ａの表面の酸化膜を除去するフラックス機能を有することが好ましい。
【0095】
第２絶縁樹脂１４は、絶縁性で樹脂を含む。第２絶縁樹脂１４は、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリベンゾオキサゾール系樹脂、シリコーン系樹脂及びベンゾシクロブテン系樹脂からなる群より選ばれる１種以上を含む。エポキシ系樹脂の例としては特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡＤ型、ビスフェノールＳ型等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型等のノボラック型エポキシ樹脂、レゾルシノール型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタントリグリシジルエーテル等の芳香族エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ポリエーテル変性エポキシ樹脂、ベンゾフェノン型エポキシ樹脂、アニリン型エポキシ樹脂、ＮＢＲ変性エポキシ樹脂、ＣＴＢＮ変性エポキシ樹脂、及び、これらの水添化物等が挙げられる。なかでも、Ｓｉとの密着性が良い点から、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂が好ましい。また、速硬化性が得られやすいことから、ベンゾフェノン型エポキシ樹脂も好ましい。これらのエポキシ樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。また第２絶縁樹脂１４の中にシリカやアルミナなどの絶縁性フィラーが含まれていてもよい。また硬化後に第２絶縁樹脂１４となる樹脂には、アルコール類及び／又は有機酸が含まれてもよい。硬化後に第２絶縁樹脂１４となる樹脂は、アンダーフィル剤としてフリップチップの実装に用いられる硬化性の絶縁性樹脂である。硬化後に第２絶縁樹脂１４となる樹脂に含まれるアルコール類及び／又は有機酸は、第１配線３Ａの表面の酸化膜を除去するフラックス機能を有することが好ましい。
【0096】
硬化後に第２絶縁樹脂１４となる樹脂に含まれるアルコール類としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ポリビニルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、カルビトール、セロソルブアルコールなどから選択される少なくとも1種があげられる。またアルキルエーテル系の材料でもよい。例えば、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテルなどがあげられる。アルカン、アミン化合物などを用いることもできる。例えばホルムアミド、ジメチルホルムアミドなどがあげられる。これらは単独でもよいし、複数を混合してもよい。硬化後に第２絶縁樹脂１４となる樹脂に含まれる有機酸としては、ギ酸、酢酸、安息香酸、アビエチン酸、パラストリン酸、デヒドロアビエチン酸、イソピマール酸、ネオアビエチン酸、ピマール酸、ロジンなどがあげられる。アルコール類及び／又は有機酸は、単独でもよいし、複数を混合してもよい。酸化膜を除去する機能を有する樹脂を塗布する方法はディスペンス法、印刷法、ジェット法、スクリュー法など種々の方法で塗布する。
【0097】
第１配線３Ａの第１頭部３Ａｂと第１絶縁樹脂４の間にギャップを設けられるように加工することで、第１頭部３Ａｂと第１絶縁樹脂４の間に第１導電性接合剤５Ａ又は／及び第２絶縁樹脂１４が入り込み、第１導電性接合剤５Ａ又は第２絶縁樹脂１４が第１頭部３Ａｂの第１面ａと接合することができ、破断しにくい信頼性の高い配線構造を得ることができる。
【0098】
第２実施形態の第２絶縁樹脂１４は、第１絶縁樹脂４、第１配線３Ａ、第１導電性接合剤５Ａ及び配線基板６と良好な接合を形成する。良好な接合が形成される面積が多く、第１配線３Ａの第１頭部３Ａｂ及びその近傍が他の部材と安定して接合しているため、配線の信頼性が高い。
【0099】
（第３実施形態）
第３実施形態は、半導体装置とその製造方法に関する。図１８に第３実施形態の半導体装置１０２の模式断面図を示す。第３実施形態の半導体装置１０２は、より具体的には、ＮＡＮＤフラッシュメモリチップ等を搭載した半導体パッケージである。第１実施形態、第２実施形態と第３実施形態において共通する内容についてはその説明を省略する。
第３実施形態は、半導体装置とその製造方法に関する。図１８に第３実施形態の半導体装置１０２の模式断面図を示す。第３実施形態の半導体装置１０２は、より具体的には、ＮＡＮＤフラッシュメモリチップ等を搭載した半導体パッケージである。第１実施形態、第２実施形態と第３実施形態において共通する内容についてはその説明を省略する。
【0100】
半導体装置１０２の第２絶縁樹脂１４と配線基板６の間にはギャップがあり、第１頭部３Ａｂの先端側が平坦面である。第２絶縁樹脂１４と第１配線３Ａの配線基板６側の面は、面一である。
【0101】
半導体装置１０２における第１配線３Ａの線状の導体部分とメッキ部分の境界である一点長鎖線は、第２絶縁樹脂１４中に位置している。柱状のメッキ部分と第１絶縁樹脂４は接合していないが、第２絶縁樹脂１４とは接合している。
【0102】
次に、図１９に示す半導体装置１０２の部分模式図を参照して第１半導体素子１Ａなどが第１絶縁樹脂４で封止された部材と配線基板６の接続部分について説明する。
【0103】
図１９は第１配線３Ａの配線基板６との接続部分を示した模式図である。図１９には、第１配線３Ａ、第１絶縁樹脂４、第１導電性接合剤５Ａ、第２パッド７Ａ、配線基板６及び第２絶縁樹脂１４を示している。図１９の部分模式図は、第１頭部３Ａｂの先端の平坦面が第１導電性接合剤５Ａと接合していて、第１頭部３Ａｂの第１面ａは第２絶縁樹脂１４と接合していることが図２の部分模式図と異なる。第１導電性接合剤５Ａは、第１頭部３Ａｂの第１面ａと第１絶縁樹脂４の第２面ｂの間には存在していない。第１導電性接合剤５Ａと第１配線３Ａの接している形態が第１実施形態の半導体装置１００と第３実施形態の半導体装置１０２で異なる。図１９の部分模式図の半導体装置１０２においても、第１距離ｃは、第２距離ｄよりも短い。
【0104】
図１９の部分模式図に示す形態においては、第１頭部３Ａｂの第１面ａが第２絶縁樹脂１４と接合しているため、第１配線３Ａが第１柱部３Ａａと第１頭部３Ａｂの境界付近で破断しにくく、信頼性が高い。
【0105】
図１９の部分模式図に示す形態においては、第１絶縁樹脂４の厚さが第１柱部３ａの周辺部分で厚くなっていることを示している。第１絶縁樹脂４をエッチングして一部除去する過程で、第１柱部３Ａａの側面に接している部分の第１絶縁樹脂４が一部除去されず残存する場合がある。第１絶縁樹脂４は、図１９の部分模式図に示すように第１半導体素子１Ａ側から第１頭部３Ａｂ側にテーパー状（中心に第１柱部３Ａａが存在する中空の円錐台形状）の部分を含んでもよい。図２の点ｉは、第１絶縁樹脂４が第１柱部３Ａａの周りにテーパー状に厚くなっている部分から外れているか、テーパー状に厚くなっている部分であったとしても厚くなっている部分の厚さがわずかであるため、第２距離ｄの算出において、第１絶縁樹脂４が第１柱部３Ａａの周りにテーパー状に厚くなっている部分の有無の違いは無視できる程度である。
【0106】
【0107】
半導体装置１０２の製造方法は、第１半導体素子１Ａの面に対して垂直方向に延在する柱状の配線２１を形成する工程（Ｓ０１）と、柱状の配線２１が形成された第１半導体素子１Ａを第１絶縁樹脂４で封止する工程（Ｓ０２）と、柱状の配線２１の先端を露出させる工程（Ｓ０３）と、柱状の配線２１の先端をエッチングする工程（Ｓ０７）と、露出した柱状の配線２１の先端に無電解めっきして第１頭部３Ａｂを形成する工程（Ｓ０４）と、第１頭部３Ａｂが形成された側の第１絶縁樹脂４を薄くする工程（Ｓ０５）と、第１絶縁樹脂４が薄くされた面に第２絶縁樹脂１４を形成する工程（Ｓ０８）と、第２絶縁樹脂１４を薄くして第１頭部３Ａｂを露出させる工程（Ｓ０９）と、第１導電性接合剤５Ａが形成されている配線基板６の第１導電性接合剤５Ａと第１頭部３Ａｂが露出した部材の第１頭部３Ａｂを電気的に接続する工程（Ｓ０６）とを有する。
【0108】
第１絶縁樹脂４が薄くされた面に第２絶縁樹脂１４を形成する工程（Ｓ０８）と、第２絶縁樹脂１４を薄くして第１頭部３Ａｂを露出させる工程（Ｓ０９）と、第１導電性接合剤５Ａが形成されている配線基板６の第１導電性接合剤５Ａと第１頭部３Ａｂが露出した部材の第１頭部３Ａｂを電気的に接続する工程（Ｓ０６）以外の工程は、第１実施形態の半導体装置１００の製造方法の工程又は第２実施形態の半導体装置１０１の製造方法の工程と同様である。
【0109】
第１絶縁樹脂４が薄くされた面に第２絶縁樹脂１４を形成する工程（Ｓ０８）は、第１頭部３Ａｂが形成された側の第１絶縁樹脂４を薄くする工程（Ｓ０５）の後に行なわれる。第１頭部３Ａｂが形成された側の第１絶縁樹脂４を薄くする工程（Ｓ０５）において、メッキ部分と線状の導体部分の境界が第２絶縁樹脂１４中に存在するようにする。そこで、図２１と図２２の工程模式断面図に示すようにメッキ部分と線状の導体部分の境界が露出するまで第１絶縁樹脂４をエッチングして第１絶縁樹脂４を薄くする。そして、図２３の工程模式断面図に示すように第１絶縁樹脂４が薄くされた部材の第１絶縁樹脂４が薄くされた面に第２絶縁樹脂１４を形成する。第３実施形態の第２絶縁樹脂１４は、再配線などで用いられる有機絶縁樹脂が好ましい。第２絶縁樹脂１４は第１配線３Ａを完全に覆う様に形成される。第１絶縁樹脂４のエッチング深さを調節（メッキ部分と線状の導体部分の境界の位置の調整も含む）することで、メッキ部分と線状の導体部分の境界が第１絶縁樹脂４中に存在する形態の半導体装置１０２（図示省略）を製造することもできるし、メッキ部分と線状の導体部分の境界が第２絶縁樹脂１４中に存在する形態の半導体装置１０２を製造することもできる。
【0110】
第２絶縁樹脂１４を薄くして第１頭部３Ａｂを露出させる工程（Ｓ０９）は、第１絶縁樹脂４が薄くされた面に第２絶縁樹脂１４を形成する工程（Ｓ０８）と第１導電性接合剤５Ａが形成されている配線基板６の第１導電性接合剤５Ａと第１頭部３Ａｂが露出した部材の第１頭部３Ａｂを電気的に接続する工程（Ｓ０６）の間に行なわれる。図２４の工程模式断面図に示すように、図２３の工程模式断面図の第２絶縁樹脂１４が形成された部材の第２絶縁樹脂１４を薄くする。機械的研磨法や化学的研磨法やＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等で第１頭部３Ａｂの先端も削られるように第２絶縁樹脂１４を薄くする。このように第２絶縁樹脂１４を薄くすることで、図２５の工程模式断面図に示した第２絶縁樹脂１４と第１配線３Ａの配線基板６側の面が面一の部材が得られる。図２５の工程模式断面図に示した部材を第１導電性接合剤５Ａが形成された部材と接合することができる。
【0111】
第１配線３Ａの第１頭部３Ａｂと第１絶縁樹脂４の間にギャップを設けられるように加工することで、第１頭部３Ａｂと第１絶縁樹脂４の間に第２絶縁樹脂１４が入り込み、第２絶縁樹脂１４が第１頭部３Ａｂの第１面ａと接合することができ、破断しにくい信頼性の高い配線構造を得ることができる。
【0112】
第３実施形態の第２絶縁樹脂１４は、第１絶縁樹脂４及び第１配線３Ａと良好な接合を形成する。良好な接合が形成される面積が多く、第１配線３Ａの第１頭部３Ａｂ及びその近傍が他の部材と安定して接合しているため、配線の信頼性が高い。
【0113】
（第４実施形態）
第４実施形態は、半導体装置に関する。図２６に第４実施形態の半導体装置１０３の模式断面図を示す。第４実施形態の半導体装置１０３は、より具体的には、ＮＡＮＤフラッシュメモリチップ等を搭載した半導体パッケージである。第１実施形態、第２実施形態、第３実施形態と第４実施形態において共通する内容についてはその説明を省略する。
第４実施形態は、半導体装置に関する。図２６に第４実施形態の半導体装置１０３の模式断面図を示す。第４実施形態の半導体装置１０３は、より具体的には、ＮＡＮＤフラッシュメモリチップ等を搭載した半導体パッケージである。第１実施形態、第２実施形態、第３実施形態と第４実施形態において共通する内容についてはその説明を省略する。
【0114】
図２６に示す半導体装置１０３は、第１実施形態の半導体装置１００と第２実施形態の半導体装置１０１の変形例である。半導体装置１０３は、第１実施形態の半導体装置１００の第２絶縁樹脂１４に第２実施形態の第２絶縁樹脂１４を用いている。半導体装置１０３は、第１絶縁樹脂４及び第２絶縁樹脂１４を覆う第３絶縁樹脂２３を有する。
【0115】
第３絶縁樹脂２３は、絶縁性の樹脂である。第３絶縁樹脂２３は、第１半導体素子１Ａが第１絶縁樹脂４で封止された部材、第２絶縁樹脂１４及び配線基板６と接している。
【0116】
第３絶縁樹脂２３は、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリベンゾオキサゾール系樹脂、シリコーン系樹脂及びベンゾシクロブテン系樹脂からなる群より選ばれる１種以上を含む。エポキシ系樹脂の例としては特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡＤ型、ビスフェノールＳ型等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型等のノボラック型エポキシ樹脂、レゾルシノール型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタントリグリシジルエーテル等の芳香族エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ポリエーテル変性エポキシ樹脂、ベンゾフェノン型エポキシ樹脂、アニリン型エポキシ樹脂、ＮＢＲ変性エポキシ樹脂、ＣＴＢＮ変性エポキシ樹脂、及び、これらの水添化物等が挙げられる。なかでも、Ｓｉとの密着性が良い点から、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂が好ましい。また、速硬化性が得られやすいことから、ベンゾフェノン型エポキシ樹脂も好ましい。これらのエポキシ樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。また第３絶縁樹脂２３の中にシリカやアルミナなどの絶縁性フィラーが含まれていてもよい。
【0117】
第４実施形態の半導体装置１０３においても、第１配線３Ａの第１頭部３Ａｂと第１絶縁樹脂４の間にギャップを設けられるように加工することで、第１頭部３Ａｂと第１絶縁樹脂４の間に第１導電性接合剤５Ａ又は第２絶縁樹脂１４が入り込み、第１導電性接合剤５Ａが第１頭部３Ａｂの第１面ａと接合することができ、破断しにくい信頼性の高い配線構造を得ることができる。
【0118】
第４実施形態の第１導電性接合剤５Ａは、第１絶縁樹脂４、第２絶縁樹脂１４及び第１配線３Ａと良好な接合を形成する。良好な接合が形成される面積が多く、第１配線３Ａの第１頭部３Ａｂ及びその近傍が他の部材と安定して接合しているため、配線の信頼性が高い。
【0119】
（第５実施形態）
第５実施形態は、半導体装置に関する。図２７に第５実施形態の半導体装置１０４の模式断面図を示す。第５実施形態の半導体装置１０４は、より具体的には、ＮＡＮＤフラッシュメモリチップ等を搭載した半導体パッケージである。第１実施形態、第２実施形態、第３実施形態、第４実施形態と第５実施形態において共通する内容についてはその説明を省略する。
第５実施形態は、半導体装置に関する。図２７に第５実施形態の半導体装置１０４の模式断面図を示す。第５実施形態の半導体装置１０４は、より具体的には、ＮＡＮＤフラッシュメモリチップ等を搭載した半導体パッケージである。第１実施形態、第２実施形態、第３実施形態、第４実施形態と第５実施形態において共通する内容についてはその説明を省略する。
【0120】
図２７に示す半導体装置１０４は、第２実施形態の半導体装置１０１と第４実施形態の半導体装置１０３の変形例である。半導体装置１０４は、第２半導体素子９が第１絶縁樹脂４で封止されておらず、第２半導体素子９が第２配線１１を介さずに第２導電性接合剤１２と接続している。図示はしていないが、第２半導体素子９と配線基板６の間に第２絶縁樹脂１４とは別の樹脂を塗布されていてもよい。
【0121】
実施形態の配線構造を採用した場合において、配線の信頼性を向上させつつ、例えばコントローラチップとして用いられる第２半導体素子９のレイアウトは自由に設計が可能である。
【0122】
（第６実施形態）
第６実施形態は、半導体装置に関する。図２８に第６実施形態の半導体装置１０５の模式断面図を示す。第６実施形態の半導体装置１０５は、より具体的には、ＮＡＮＤフラッシュメモリチップ等を搭載した半導体パッケージである。第１実施形態、第２実施形態、第３実施形態、第４実施形態、第５実施形態と第６実施形態において共通する内容についてはその説明を省略する。
第６実施形態は、半導体装置に関する。図２８に第６実施形態の半導体装置１０５の模式断面図を示す。第６実施形態の半導体装置１０５は、より具体的には、ＮＡＮＤフラッシュメモリチップ等を搭載した半導体パッケージである。第１実施形態、第２実施形態、第３実施形態、第４実施形態、第５実施形態と第６実施形態において共通する内容についてはその説明を省略する。
【0123】
図２８に示す半導体装置１０５は、第５実施形態の半導体装置１０４の変形例である。半導体装置１０５は、第２半導体素子９の形状に合わせて第１絶縁樹脂４に凹形状が設けられている。凹んだ部分に第２半導体素子９が位置することで半導体装置１０５高さを低くすることや、第２絶縁樹脂１４の厚さを薄くすることができる。また、半導体装置１０５の第３絶縁樹脂２３と第１半導体素子１Ａの間に支持基板２０を設けることもできる。第１実施形態等では支持基板２０を除去していたが、支持基板２０を残したままパッケージすることもできる。図示はしていないが、第２半導体素子９と配線基板６の間に第２絶縁樹脂１４とは別の樹脂を塗布されていてもよい。
【0124】
実施形態の配線構造を採用した場合において、配線の信頼性を向上させつつ、例えばコントローラチップとして用いられる第２半導体素子９のレイアウトは自由に設計が可能である。
【0125】
（第７実施形態）
第７実施形態は、半導体装置に関する。図２９に第７実施形態の半導体装置１０６の模式断面図を示す。第７実施形態の半導体装置１０６は、より具体的には、ＮＡＮＤフラッシュメモリチップ等を搭載した半導体パッケージである。第１実施形態、第２実施形態、第３実施形態、第４実施形態、第５実施形態、第６実施形態と第７実施形態において共通する内容についてはその説明を省略する。
第７実施形態は、半導体装置に関する。図２９に第７実施形態の半導体装置１０６の模式断面図を示す。第７実施形態の半導体装置１０６は、より具体的には、ＮＡＮＤフラッシュメモリチップ等を搭載した半導体パッケージである。第１実施形態、第２実施形態、第３実施形態、第４実施形態、第５実施形態、第６実施形態と第７実施形態において共通する内容についてはその説明を省略する。
【0126】
図２９に示す半導体装置１０６は、第２実施形態の半導体装置１０１、第３実施形態の半導体装置１０２と第４実施形態の半導体装置１０３の変形例である。半導体装置１０６は、第２絶縁樹脂１４と配線基板６の間に第４絶縁樹脂２４が設けられていて、第２半導体素子９が図２９のＹ方向にずれた位置に設けられている。
【0127】
第２絶縁樹脂１４と第１配線３Ａの配線基板６側の面が面一で、配線基板６と面一な第２絶縁樹脂１４と第１配線３Ａの間に第４絶縁樹脂２４が設けられている。第４絶縁樹脂２４は、第２実施形態の第２絶縁樹脂１４で示した材料の中から選ばれることが好ましい。
【0128】
第４絶縁樹脂２４の熱膨張係数は、第１絶縁樹脂４及び配線基板６よりも大きいことが好ましい。第４絶縁樹脂２４の熱膨張係数＞配線基板６の熱膨張係数＞第１絶縁樹脂４の熱膨張係数の関係を満たすことがより好ましい。第４絶縁樹脂２４の熱膨張係数が、配線基板６の熱膨張係数よりも小さいと第１半導体素子１Ａなどを封止した部材を配線基板６に実装した時に配線基板６の伸びに第４絶縁樹脂２４の延びが追随できず、第４絶縁樹脂２４が剥がれてしまう可能性がある。そこで、第４絶縁樹脂２４の熱膨張係数は、２０［ｐｐｍ/℃］以上６０［ｐｐｍ/℃］の範囲が好ましく、２０［ｐｐｍ／℃］以上４０［ｐｐｍｍ／℃］がより好ましい。第４絶縁樹脂２４の熱膨張係数が２０［ｐｐｍ／℃］よりも小さいと配線基板６の熱膨張係数に近づき、配線基板６の伸びに追随できず、第４絶縁樹脂２４が剥がれ易くなる場合がある。第４絶縁樹脂２４の熱膨張係数が６０［ｐｐｍ／℃］よりも大きいと第３の樹脂が伸びすぎて、第４絶縁樹脂２４が剥がれ易くなる場合がある。第４絶縁樹脂２４の熱膨張係数は、配線基板６の熱膨張係数よりも１０％以上高いことが好ましい。配線基板６の熱膨張係数は、第１絶縁樹脂４の熱膨張係数よりも１０％以上高いことが好ましい。
【0129】
第４絶縁樹脂２４の弾性率は、第１絶縁樹脂４の弾性率及び配線基板６の弾性率よりも小さいことが好ましい。第１絶縁樹脂４の弾性率＞配線基板６の弾性率＞第４絶縁樹脂２４の弾性率の関係を満たすことがより好ましい。そこで、第４絶縁樹脂２４の弾性率は、０．１［ＧＰａ］以上１０［ＧＰａ］以下が好ましく、１［ＧＰａ］以上５［ＧＰａ］以下がより好ましい。第４絶縁樹脂２４の弾性率が０．１「ＧＰａ」未満では、第４絶縁樹脂２４による第１半導体素子１Ａを封止した部材の固定が困難である。第４絶縁樹脂２４の弾性率が１０［ＧＰａ］を超える第４絶縁樹脂２４と配線基板６の反りにより、第４絶縁樹脂２４が配線基板６のソルダーレジストから剥離し易い場合がある。第１絶縁樹脂４の弾性率は、配線基板６の弾性率よりも１０％以上高いことが好ましい。配線基板６の弾性率は、第４絶縁樹脂２４の弾性率よりも１０％以上高いことが好ましい。
【0130】
第１実施形態等では、第１半導体素子１Ａと第２半導体素子９がＺ方向に重なる形態であったが、第１半導体素子１Ａと第２半導体素子９がＺ方向に重ならない形態を採用することもできる。
【0131】
実施形態の配線構造を採用した場合において、配線の信頼性を向上させつつ、例えばコントローラチップとして用いられる第２半導体素子９のレイアウトは自由に設計が可能である。
【0132】
実施形態の構造を有する複数の半導体装置を製造し、配線基板６上に搭載して、温度サイクル試験に供して、その信頼性を調べた。なお温度サイクル試験は－５５［℃］（３０［ｍｉｎ］）～２５［℃］（５［ｍｉｎ］）～１２５［℃］（３０［ｍｉｎ］）を１サイクルとして行った。その結果３０００サイクル後でも接続箇所には破断の発生は全く認められなかった。
（第８実施形態）
第８実施形態は、半導体装置に関する。図３０に第８実施形態の半導体装置１０７の模式断面図を示す。第７実施形態の半導体装置１０７は、より具体的には、ＮＡＮＤフラッシュメモリチップ等を搭載した半導体パッケージである。第１実施形態、第２実施形態、第３実施形態、第４実施形態、第５実施形態、第６実施形態、第７実施形態と第８実施形態において共通する内容についてはその説明を省略する。
（第８実施形態）
第８実施形態は、半導体装置に関する。図３０に第８実施形態の半導体装置１０７の模式断面図を示す。第７実施形態の半導体装置１０７は、より具体的には、ＮＡＮＤフラッシュメモリチップ等を搭載した半導体パッケージである。第１実施形態、第２実施形態、第３実施形態、第４実施形態、第５実施形態、第６実施形態、第７実施形態と第８実施形態において共通する内容についてはその説明を省略する。
【0133】
図３０に示す半導体装置１０７は、第１実施形態の半導体装置１０１の変形例である。第１実施形態では、第１半導体素子１Ａ、第３半導体素子１Ｂ、第４半導体素子１Ｃ及び第２半導体素子９同士は、第１絶縁樹脂４の内部で接続してはいなかった。これに代えて、図３０に示すように第１パッド２Ａと第５パッド２Ｂとを第１ワイヤボンディング３１で接続し、第５パッド２Ｂと第７パッド２Ｃとを第２ワイヤボンディング３２で接続し、第７パッド２Ｃと第３パッド１０とを第３ワイヤボンディングで接続してもよい。半導体装置１０７に含まれる半導体素子の数が異なれば接続するボンディングワイヤは図３０に示す形態から変更される。例えば、半導体装置１０７に含まれる半導体素子は、第１半導体素子１Ａと第２半導体素子９である場合、第１ワイヤボンディング３１が第１半導体素子１Ａと第２半導体素子９を接続する。
【0134】
第１ワイヤボンディング３１は、第１配線３Ａと直接的に接していてもよいし、第１配線３Ａとは直接的に接しておらずに第１パッド２Ａから２つの物理的に離間した配線に延伸（第１配線３Ａ及び第１ワイヤボンディング３１）が別方向（第１配線３Ａは配線基板６に向かう方向に直進、第１ワイヤボンディング３１は第３半導体素子１Ｂに向かう方向円弧を描く）していてもよい。
【0135】
第２ワイヤボンディング３２は、第３配線３Ｂと直接的に接していてもよいし、第３配線３Ｂとは直接的に接しておらずに第５パッド２Ｂから２つの物理的に離間した配線（第３配線３Ｂ及び第２ワイヤボンディング３２）が別方向に延伸（第３配線３Ｂは配線基板６に向かう方向に直進、第２ワイヤボンディング３２は第３半導体素子１Ｃに向かう方向円弧を描く）していてもよい。
【0136】
第３ワイヤボンディング３３は、第４配線３Ｃと直接的に接していてもよいし、第４配線３Ｃとは直接的に接しておらずに第７パッド２Ｃから２つの物理的に離間した配線（第４配線３Ｃ及び第３ワイヤボンディング３３）が別方向に延伸（第４配線３Ｃは配線基板６に向かう方向に直進、第３ワイヤボンディング３３は第２半導体素子９に向かう方向円弧を描く）していてもよい。
【0137】
第１ワイヤボンディング３１、第２ワイヤボンディング３２及び第３ワイヤボンディング３３は、例えば、Ａｕ、Ａｕ合金、Ａｇ合金、Ｃｕ及びＣｕ合金からなる群から選ばれるワイヤである。第１ワイヤボンディング３１、第２ワイヤボンディング３２及び第３ワイヤボンディング３３は、Ｐｄなどで被覆されていてもよい。第１ワイヤボンディング３１、第２ワイヤボンディング３２及び第３ワイヤボンディング３３の直径は、典型的には、１０［μｍ］以上５０［μｍ］以下である。
【0138】
積層された半導体素子同士をすべてワイヤボンディングでさらに接続してもよいし、一部の半導体素子同士のみをワイヤボンディングでさらに接続してもよい。
【0139】
以下、実施形態の技術案を付記する。
［技術案１］
第１半導体素子と、
第１半導体素子を封止する第１絶縁樹脂と、
パッドを有する配線基板と、
前記第１半導体素子から前記配線基板に向かって延在し、第１頭部と第１柱部を有し、前記第１柱部が前記第１半導体素子と接続し、前記第１頭部が前記第１絶縁樹脂の表面に露出している第１配線と、
前記第１配線の前記第１頭部と前記パッドを電気的に接続する第１導電性接合剤とを有し、
前記第１頭部の前記第１絶縁樹脂側を向く面を第１面とし、
前記第１絶縁樹脂の前記配線基板側の面を第２面とするとき、
前記配線基板の前記第１絶縁樹脂側の面から前記第１面までの距離を第１距離とし、
前記配線基板の前記第１絶縁樹脂側の面から前記第２面までの距離を第２距離とし、
前記第１距離は、前記第２距離よりも短い半導体装置。
［技術案２］
前記第１絶縁樹脂と前記配線基板の間に第２絶縁樹脂をさらに有し、
前記第２絶縁樹脂の第１絶縁樹脂側の面は、前記第２面と接し、
前記第２絶縁樹脂の前記配線基板側の面は、前記第１面よりも前記配線基板側に位置している技術案１に記載の半導体装置。
［技術案３］
前記第１距離と前記第２距離の差は、５０［ｎｍ］以上５０００［ｎｍ］以下である技術案１又は２に記載の半導体装置。
［技術案４］
前記第１面は、前記第１導電性接合剤と接している技術案１ないし３のいずれか１案に記載の半導体装置。
［技術案５］
前記第１面は、前記第２絶縁樹脂と接している技術案２に記載の半導体装置。
［技術案６］
前記第１配線の直径は、１０［μｍ］以上５０［μｍ］以下である技術案１ないし５のいずれか１案に記載の半導体装置。
［技術案７］
前記第１距離と前記第２距離の差は、５０［ｎｍ］以上５０００［ｎｍ］以下である技術案１ないし６のいずれか１案に記載の半導体装置。
［技術案８］
前記第１配線の直径は、１５［μｍ］以上３０［μｍ］以下である技術案１ないし７のいずれか１案に記載の半導体装置。
［技術案９］
前記第１頭部の直径は、１５［μｍ］以上１００［μｍ］以下である技術案１ないし７のいずれか１案に記載の半導体装置。
［技術案１０］
第２半導体素子をさらに含み、
前記第２半導体素子は、前記第１絶縁樹脂で封止されている技術案１ないし９のいずれか１案に記載の半導体装置。
［技術案１１］
前記第１半導体素子と個体差を除き同一回路を有する第３半導体素子を有し、
前記第３半導体素子は、第１半導体素子と積層している技術案１ないし１０のいずれか１案に記載の半導体装置。
［技術案１２］
前記第１配線は、Ｃｕ又はＰｄで被覆されたＣｕの線状の導体部分を含む技術案１ないし１１のいずれか１案に記載の半導体装置。
［技術案１３］
第１半導体素子の面に対して垂直方向に延在する柱状の配線を形成する工程と、
前記柱状の配線が形成された前記第１半導体素子を第１絶縁樹脂で封止する工程と、
前記柱状の配線の先端を露出させる工程と、
前記露出した柱状の配線の先端に無電解めっきして第１頭部を形成する工程と、
前記第１頭部が形成された側の前記第１絶縁樹脂を薄くする工程と、
第１導電性接合剤が形成されている配線基板の前記第１導電性接合剤と前記第１頭部が露出した部材の前記第１頭部を電気的に接続する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
［技術案１４］
前記柱状の配線の先端を露出させる工程と前記露出した柱状の配線の先端に無電解めっきして前記第１頭部を形成する工程の間に前記柱状の配線の先端をエッチングする工程をさらに有する半導体装置の製造方法。
［技術案１５］
前記第１頭部が形成された側の前記第１絶縁樹脂を薄くする工程と前記第１導電性接合剤が形成されている前記配線基板の前記第１導電性接合剤と前記第１頭部が露出した部材の前記第１頭部を電気的に接続する工程の間に、前記第１絶縁樹脂が薄くされた面に第２絶縁樹脂を形成する工程と、前記第２絶縁樹脂を薄くして前記第１頭部を露出させる工程と、をさらに有する半導体装置の製造方法。
［技術案１６］
第１絶縁樹脂４を薄くする厚さは、５０［ｎｍ］以上５０００［ｎｍ］以下である技術案１３ないし１５のいずれか１案に記載の半導体装置の製造方法。
［技術案１７］
第１絶縁樹脂４を薄くする厚さは、１００［ｎｍ］以上１０００［ｎｍ］以下である技術案１３ないし１６のいずれか１案に記載の半導体装置の製造方法。
［技術案１８］
前記第１配線の直径は、１０［μｍ］以上５０［μｍ］以下である技術案１３ないし１７のいずれか１案に記載の半導体装置の製造方法。
［技術案１９］
前記第１配線の直径は、１５［μｍ］以上３０［μｍ］以下である技術案１３ないし１８のいずれか１案に記載の半導体装置の製造方法。
［技術案２０］
前記第１頭部の直径は、１５［μｍ］以上１００［μｍ］以下である技術案１３ないし１９のいずれか１案に記載の半導体装置の製造方法。
［技術案１］
第１半導体素子と、
第１半導体素子を封止する第１絶縁樹脂と、
パッドを有する配線基板と、
前記第１半導体素子から前記配線基板に向かって延在し、第１頭部と第１柱部を有し、前記第１柱部が前記第１半導体素子と接続し、前記第１頭部が前記第１絶縁樹脂の表面に露出している第１配線と、
前記第１配線の前記第１頭部と前記パッドを電気的に接続する第１導電性接合剤とを有し、
前記第１頭部の前記第１絶縁樹脂側を向く面を第１面とし、
前記第１絶縁樹脂の前記配線基板側の面を第２面とするとき、
前記配線基板の前記第１絶縁樹脂側の面から前記第１面までの距離を第１距離とし、
前記配線基板の前記第１絶縁樹脂側の面から前記第２面までの距離を第２距離とし、
前記第１距離は、前記第２距離よりも短い半導体装置。
［技術案２］
前記第１絶縁樹脂と前記配線基板の間に第２絶縁樹脂をさらに有し、
前記第２絶縁樹脂の第１絶縁樹脂側の面は、前記第２面と接し、
前記第２絶縁樹脂の前記配線基板側の面は、前記第１面よりも前記配線基板側に位置している技術案１に記載の半導体装置。
［技術案３］
前記第１距離と前記第２距離の差は、５０［ｎｍ］以上５０００［ｎｍ］以下である技術案１又は２に記載の半導体装置。
［技術案４］
前記第１面は、前記第１導電性接合剤と接している技術案１ないし３のいずれか１案に記載の半導体装置。
［技術案５］
前記第１面は、前記第２絶縁樹脂と接している技術案２に記載の半導体装置。
［技術案６］
前記第１配線の直径は、１０［μｍ］以上５０［μｍ］以下である技術案１ないし５のいずれか１案に記載の半導体装置。
［技術案７］
前記第１距離と前記第２距離の差は、５０［ｎｍ］以上５０００［ｎｍ］以下である技術案１ないし６のいずれか１案に記載の半導体装置。
［技術案８］
前記第１配線の直径は、１５［μｍ］以上３０［μｍ］以下である技術案１ないし７のいずれか１案に記載の半導体装置。
［技術案９］
前記第１頭部の直径は、１５［μｍ］以上１００［μｍ］以下である技術案１ないし７のいずれか１案に記載の半導体装置。
［技術案１０］
第２半導体素子をさらに含み、
前記第２半導体素子は、前記第１絶縁樹脂で封止されている技術案１ないし９のいずれか１案に記載の半導体装置。
［技術案１１］
前記第１半導体素子と個体差を除き同一回路を有する第３半導体素子を有し、
前記第３半導体素子は、第１半導体素子と積層している技術案１ないし１０のいずれか１案に記載の半導体装置。
［技術案１２］
前記第１配線は、Ｃｕ又はＰｄで被覆されたＣｕの線状の導体部分を含む技術案１ないし１１のいずれか１案に記載の半導体装置。
［技術案１３］
第１半導体素子の面に対して垂直方向に延在する柱状の配線を形成する工程と、
前記柱状の配線が形成された前記第１半導体素子を第１絶縁樹脂で封止する工程と、
前記柱状の配線の先端を露出させる工程と、
前記露出した柱状の配線の先端に無電解めっきして第１頭部を形成する工程と、
前記第１頭部が形成された側の前記第１絶縁樹脂を薄くする工程と、
第１導電性接合剤が形成されている配線基板の前記第１導電性接合剤と前記第１頭部が露出した部材の前記第１頭部を電気的に接続する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
［技術案１４］
前記柱状の配線の先端を露出させる工程と前記露出した柱状の配線の先端に無電解めっきして前記第１頭部を形成する工程の間に前記柱状の配線の先端をエッチングする工程をさらに有する半導体装置の製造方法。
［技術案１５］
前記第１頭部が形成された側の前記第１絶縁樹脂を薄くする工程と前記第１導電性接合剤が形成されている前記配線基板の前記第１導電性接合剤と前記第１頭部が露出した部材の前記第１頭部を電気的に接続する工程の間に、前記第１絶縁樹脂が薄くされた面に第２絶縁樹脂を形成する工程と、前記第２絶縁樹脂を薄くして前記第１頭部を露出させる工程と、をさらに有する半導体装置の製造方法。
［技術案１６］
第１絶縁樹脂４を薄くする厚さは、５０［ｎｍ］以上５０００［ｎｍ］以下である技術案１３ないし１５のいずれか１案に記載の半導体装置の製造方法。
［技術案１７］
第１絶縁樹脂４を薄くする厚さは、１００［ｎｍ］以上１０００［ｎｍ］以下である技術案１３ないし１６のいずれか１案に記載の半導体装置の製造方法。
［技術案１８］
前記第１配線の直径は、１０［μｍ］以上５０［μｍ］以下である技術案１３ないし１７のいずれか１案に記載の半導体装置の製造方法。
［技術案１９］
前記第１配線の直径は、１５［μｍ］以上３０［μｍ］以下である技術案１３ないし１８のいずれか１案に記載の半導体装置の製造方法。
［技術案２０］
前記第１頭部の直径は、１５［μｍ］以上１００［μｍ］以下である技術案１３ないし１９のいずれか１案に記載の半導体装置の製造方法。
【0140】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【0141】
１Ａ ：第１半導体素子
１Ｂ ：第３半導体素子
１Ｃ ：第４半導体素子
２Ａ ：第１パッド
２Ｂ ：第５パッド
２Ｃ ：第７パッド
３Ａ ：第１配線
３Ａａ ：第１柱部
３Ａｂ ：第１頭部
３Ｂ ：第３配線
３Ｂａ ：第３柱部
３Ｂｂ ：第３頭部
３Ｃ ：第４配線
３Ｃａ ：第４柱部
３Ｃｂ ：第４頭部
３ｂ ：第３配線
４ ：第１絶縁樹脂
５Ａ ：第１導電性接合剤
５Ｂ ：第３導電性接合剤
５Ｃ ：第４導電性接合剤
６ ：配線基板
７Ａ ：第２パッド
７Ｂ ：第６パッド
７Ｃ ：第８パッド
８ ：半田ボール
９ ：第２半導体素子
１０ ：第３パッド
１１ ：第２配線
１１ａ ：第２柱部
１１ｂ ：第２頭部
１２ ：第２導電性接合剤
１３ ：第４パッド
１４ ：第２絶縁樹脂
２０ ：支持基板
２１ ：配線
２２ ：除去された部分
２３ ：第３絶縁樹脂
２４ ：第４絶縁樹脂
３１ ：第１ワイヤボンディング
３２ ：第２ワイヤボンディング
３３ ：第３ワイヤボンディング
１００ ：半導体装置
１０１ ：半導体装置
１０２ ：半導体装置
１０３ ：半導体装置
１０４ ：半導体装置
１０５ ：半導体装置
１０６ ：半導体装置
１０７ ：半導体装置
ａ ：第１面
ｂ ：第２面
ｃ ：第１距離
ｄ ：第２距離（厚さ）
１Ｂ ：第３半導体素子
１Ｃ ：第４半導体素子
２Ａ ：第１パッド
２Ｂ ：第５パッド
２Ｃ ：第７パッド
３Ａ ：第１配線
３Ａａ ：第１柱部
３Ａｂ ：第１頭部
３Ｂ ：第３配線
３Ｂａ ：第３柱部
３Ｂｂ ：第３頭部
３Ｃ ：第４配線
３Ｃａ ：第４柱部
３Ｃｂ ：第４頭部
３ｂ ：第３配線
４ ：第１絶縁樹脂
５Ａ ：第１導電性接合剤
５Ｂ ：第３導電性接合剤
５Ｃ ：第４導電性接合剤
６ ：配線基板
７Ａ ：第２パッド
７Ｂ ：第６パッド
７Ｃ ：第８パッド
８ ：半田ボール
９ ：第２半導体素子
１０ ：第３パッド
１１ ：第２配線
１１ａ ：第２柱部
１１ｂ ：第２頭部
１２ ：第２導電性接合剤
１３ ：第４パッド
１４ ：第２絶縁樹脂
２０ ：支持基板
２１ ：配線
２２ ：除去された部分
２３ ：第３絶縁樹脂
２４ ：第４絶縁樹脂
３１ ：第１ワイヤボンディング
３２ ：第２ワイヤボンディング
３３ ：第３ワイヤボンディング
１００ ：半導体装置
１０１ ：半導体装置
１０２ ：半導体装置
１０３ ：半導体装置
１０４ ：半導体装置
１０５ ：半導体装置
１０６ ：半導体装置
１０７ ：半導体装置
ａ ：第１面
ｂ ：第２面
ｃ ：第１距離
ｄ ：第２距離（厚さ）
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
