特開 2023-141339 基板処理装置および基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023141339

(43)【公開日】2023-10-05

(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   B05C 5/02 20060101AFI20230928BHJP

   B05D 1/26 20060101ALI20230928BHJP

   B05C 11/00 20060101ALI20230928BHJP

   B05C 11/10 20060101ALI20230928BHJP

【ＦＩ】

B05C5/02

B05D1/26 Z

B05C11/00

B05C11/10

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022047601

(22)【出願日】2022-03-23

(71)【出願人】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100108523

【弁理士】

【氏名又は名称】中川 雅博

(74)【代理人】

【識別番号】100125704

【弁理士】

【氏名又は名称】坂根 剛

(74)【代理人】

【識別番号】100187931

【弁理士】

【氏名又は名称】澤村 英幸

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 優史

(72)【発明者】

【氏名】後藤 茂宏

【テーマコード（参考）】

4D075

4F041

4F042

【Ｆターム（参考）】

4D075AC02

4D075AC64

4D075AC79

4D075AC84

4D075AC86

4D075AC88

4D075CA47

4D075DA08

4D075DB13

4D075DB14

4D075DC22

4D075DC24

4F041AA02

4F041AA05

4F041AB01

4F041CA02

4F041CA16

4F042AA02

4F042AA06

4F042AB00

4F042BA08

4F042BA12

4F042ED03

(57)【要約】

【課題】 処理液の消費量を抑制しつつ基板処理面に供給される処理液の厚さを均一化することを可能にする。
【解決手段】 基板処理装置は、少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板を支持する基板支持部と、スリット状の吐出口を有する処理液ノズルと、吐出口が基板支持部に支持された基板の上面である基板処理面に平行な状態で処理液を吐出しつつ、吐出口が基板の第１の外方位置から基板の第１の端部、基板を通過して、基板の他方側の第２の外方位置へ到達するように処理液ノズルを移動可能に構成されるノズル移動部と、基板の第１の端部に近接可能な第１の近接部を有する第１の可動部材と、処理液ノズルが基板の第１の端部を通過する期間において第１の近接部が基板の第１の端部に近接するように第１の可動部材を移行させる第１の駆動部とを備える。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板を支持する基板支持部と、
処理液を吐出するスリット状の吐出口を有する処理液ノズルと、
前記吐出口が前記基板支持部に支持された基板の上面である基板処理面に平行な状態で処理液を吐出しつつ、前記基板処理面に垂直な第１方向視で、前記吐出口が前記基板の一方側の第１の外方位置から前記基板の第１の端部、前記基板の中心部および前記基板の前記第１の端部と反対の第２の端部を通過して、前記基板の他方側の第２の外方位置へ到達するように前記処理液ノズルを移動可能に構成されるノズル移動部と、
前記基板の前記第１の端部に近接可能な第１の近接部を有する第１の可動部材と、
前記処理液ノズルが前記基板の前記第１の端部を通過する期間において前記第１の近接部が前記基板の前記第１の端部に近接するように前記第１の可動部材を移行させる第１の駆動部とを備えた、基板処理装置。

【請求項2】

前記基板は、前記第１の端部を含む第１の外縁を有し、
前記第１の近接部は、前記第１の外縁に対応する形状を有する第１の内縁を含み、
前記第１の可動部材は、前記処理液ノズルの前記吐出口が前記基板の前記第１の端部を通過する期間において前記第１の内縁が前記基板の前記第１の外縁に近接する、請求項１記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記吐出口が前記第１の端部を通過している期間における前記第１の近接部と前記第１の端部との間の間隔は、前記処理液が毛細管現象により前記第１の近接部と前記第１の端部との間に流入しないように設定された、請求項１または２記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記第１の近接部と前記第１の端部との近接時における前記第１の近接部と前記第１の端部との間の間隔は、０よりも大きく０．５ｍｍ以下に設定された、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記第１の駆動部は、前記吐出口が前記第１の端部を通過した後に、前記第１の近接部が前記第１の端部から離間するように前記第１の可動部材を移動させる、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記基板処理面に平行でかつ前記処理液ノズルの移動方向に直交する方向における前記第１の可動部材の上面の長さは、前記基板の直径よりも小さい、請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記処理液ノズルは、前記吐出口を含む平坦な底面を有し、
前記処理液ノズルの移動方向において、前記第１の可動部材の上面は、前記処理液ノズルの前記底面の幅以上の幅を有する、請求項１～６のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記基板の前記第２の端部に近接可能な第２の近接部を有する第２の可動部材と、
前記処理液ノズルが前記基板の前記第２の端部を通過する期間において前記第２の近接部が前記基板の前記第１の端部に近接するように前記第２の可動部材を移行させる第２の駆動部とをさらに備える、請求項１～７のいずれか一項に記載される基板処理装置。

【請求項9】

前記基板は、前記第２の端部を含む第２の外縁を有し、
前記第２の近接部は、前記第２の外縁に対応する形状を有する第２の内縁を含み、
前記第２の可動部材は、前記処理液ノズルが前記基板の前記第２の端部を通過する期間において前記第２の内縁が前記基板の前記第２の外縁に近接する、請求項８記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記吐出口が前記第２の端部を通過している期間における前記第２の近接部と前記第２の端部との間の間隔は、前記処理液が毛細管現象により前記第２の近接部と前記第２の端部との間に流入しないように設定された、請求項８または９に記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記第２の駆動部は、前記吐出口が前記第２の端部を通過した後に、前記第２の近接部が前記第２の端部から離間するように前記第２の可動部材を移動させる、請求項８～１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項12】

前記第２の駆動部は、前記吐出口が前記第２の端部を通過した後に、前記第２の近接部が前記処理液ノズルの移動速度と等しい速度で前記処理液ノズルと同じ移動方向に前記第２の端部から離間するように前記第２の可動部材を移動させる、請求項８～１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項13】

少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板を基板支持部により支持するステップと、
処理液ノズルの処理液を吐出するスリット状の吐出口が支持された前記基板の上面である基板処理面に平行な状態で処理液を吐出しつつ、前記基板処理面に垂直な第１方向視で、前記吐出口が前記基板の一方側の第１の外方位置から前記基板の第１の端部、前記基板の中心部および前記基板の前記第１の端部と反対の第２の端部を通過して、前記基板に他方側の第２の外方位置へ到達するように前記処理液ノズルを移動させるステップと、
前記処理液ノズルが前記基板の前記第１の端部を通過する期間において第１の可動部材の前記基板の前記第１の端部に近接可能な第１の近接部が前記基板の前記第１の端部に近接するように前記第１の可動部材を移行させるステップとを含む、基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体基板、液晶表示装置もしくは有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられる。基板処理装置の一例として、特許文献１には、基板上にレジスト膜を形成する回転式の基板処理装置が記載されている。

【0003】

回転式の基板処理装置では、回転する基板の遠心力を利用することにより、基板上にレジスト膜が形成される（以下、スピン塗布と呼ぶ。）。この場合、基板上に供給されるレジスト液が外方へ飛散するので、基板上に供給されるレジスト液のうち、実際に基板上に形成されるレジスト膜の量は、約３０％程度であることが知られている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１９－０４６８５０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

そこで、レジスト液等の処理液を効率的に使用するために、スリット状の吐出口を有する処理液ノズル（スリットノズル）を用いる方法が提案されている。この方法では、処理液ノズルのスリット状の吐出口から処理液が吐出されつつ処理液ノズルが基板上で基板の上面と平行に移動されることにより、基板上に処理液が供給される（以下、スリット塗布と呼ぶ。）。しかしながら、スリット塗布によれば、基板の上面（以下、処理面と呼ぶ。）に供給される処理液の厚みの一部が不均一になる場合がある。

【0006】

本発明の目的は、処理液の消費量を抑制しつつ基板処理面に供給される処理液の厚さを均一化することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

（１）基板処理装置は、少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板を支持する基板支持部と、処理液を吐出するスリット状の吐出口を有する処理液ノズルと、前記吐出口が前記基板支持部に支持された基板の上面である基板処理面に平行な状態で処理液を吐出しつつ、前記基板処理面に垂直な第１方向視で、前記吐出口が前記基板の一方側の第１の外方位置から前記基板の第１の端部、前記基板の中心部および前記基板の前記第１の端部と反対の第２の端部を通過して、前記基板に他方側の第２の外方位置へ到達するように前記処理液ノズルを移動可能に構成されるノズル移動部と、前記基板の前記第１の端部に近接可能な第１の近接部を有する第１の可動部材と、前記処理液ノズルが前記基板の前記第１の端部を通過する期間において前記第１の近接部が前記基板の前記第１の端部に近接するように前記第１の可動部材を移行させる第１の駆動部とを備える。

【0008】

この基板処理装置によれば、基板が基板支持部により支持された状態で、処理液ノズルが第１の外方位置から第２の外方位置にかけて移動する。また、処理液ノズルの吐出口が基板支持部により支持された基板の第１の端部を通過する期間において、第１の可動部材の第１の近接部が基板の第１の端部に近接する。それにより、処理液ノズルの移動に伴って、第１の可動部材および基板処理面の順に処理液が供給される。この場合、処理液の供給開始位置で処理液の盛り上がりが発生する。上記の構成では、処理液の供給開始位置が基板の第１の端部ではなく第１の可動部材の上面になる。また、基板が静止しているので、処理液が周囲に飛散しない。それにより、処理液の消費量を抑制しつつ基板処理面に供給される処理液の厚さをより均一化することが可能になる。

【0009】

（２）前記基板は、前記第１の端部を含む第１の外縁を有し、前記第１の近接部は、前記第１の外縁に対応する形状を有する第１の内縁を含み、前記第１の可動部材は、前記処理液ノズルの前記吐出口が前記基板の前記第１の端部を通過する期間において前記第１の内縁が前記基板の前記第１の外縁に近接してもよい。

【0010】

この場合、第１の可動部材の近接部を含む第１の内縁が基板の第１の端部を含む第１の外縁に近接するので、処理液の吐出量が多い場合に、基板処理面の第１の端部を含む第１の外縁に沿って処理液の盛り上がりが発生することが防止される。その結果、基板に供給される処理液の厚さをさらに均一化することが可能になる。

【0011】

（３）前記吐出口が前記第１の端部を通過している期間における前記第１の近接部と前記第１の端部との間の間隔は、前記処理液が毛細管現象により前記第１の近接部と前記第１の端部との間に流入しないように設定されてもよい。

【0012】

この場合、基板処理面に供給された処理液が第１の近接部と第１の端部との間に流入することが防止される。その結果、処理液の消費量を低減するとともに、基板処理面に供給される処理液の厚さをさらに均一化することが可能になる。

【0013】

（４）前記第１の近接部と前記第１の端部との近接時における前記第１の近接部と前記第１の端部との間の間隔は、０よりも大きく０．５ｍｍ以下に設定されてもよい。

【0014】

この場合、第１の近接部と第１の端部との間隔が０よりも大きく０．５ｍｍ以下に設定されているので、基板処理面に供給された処理液が毛細管現象により第１の近接部と第１の端部との間に流入することが防止される。それにより、処理液の消費量を低減するとともに、基板処理面に供給される処理液の厚さをさらに均一化することが可能になる。

【0015】

（５）前記第１の駆動部は、前記吐出口が前記第１の端部を通過した後に、前記第１の近接部が前記第１の端部から離間するように前記第１の可動部材を移動させてもよい。

【0016】

この場合、吐出口が第１の端部を通過した後に、第１の近接部が第１の端部から離間する。それにより、基板処理面に供給された処理液が毛細管現象により第１の近接部と第１の端部との間に流入することが十分に防止される。

【0017】

（６）前記基板処理面に平行でかつ前記処理液ノズルの移動方向に直交する方向における前記第１の可動部材の前記上面の長さは、前記基板の直径よりも小さくてもよい。

【0018】

この場合、第１の可動部材の上面に供給される処理液の量を低減することができる。したがって、処理液の消費量を低減することが可能になる。

【0019】

（７）前記処理液ノズルは、前記吐出口を含む平坦な底面を有し、前記処理液ノズルの移動方向において、前記第１の可動部材の上面は、前記処理液ノズルの前記底面の幅以上の幅を有してもよい。

【0020】

この場合、処理液ノズルの底面と第１の可動部材の上面に供給される処理液が第１の可動部材の上面から基板処理面上にはみ出すことが防止される。それにより、供給開始位置での処理液の盛り上がりの一部が基板処理面上に形成されることが防止される。

【0021】

（８）前記基板は、前記中心部に関して前記第１の端部と反対側の第２の端部を有し、基板処理装置は、前記基板の前記第２の端部に近接可能な第２の近接部を有する第２の可動部材と、前記処理液ノズルが前記基板の前記第２の端部を通過する期間において前記第２の近接部が前記基板の前記第１の端部に近接するように前記第２の可動部材を移行させる第２の駆動部とをさらに備えてもよい。

【0022】

この場合、処理液ノズルの吐出口が基板支持部により支持された基板の第２の端部を通過する期間において、第２の可動部材の第２の近接部が基板の第２の端部に近接する。それにより、処理液ノズルの移動に伴って、基板処理面および第２の可動部材の順に処理液が供給される。この場合、処理液の供給終了位置で処理液の盛り上がりが発生することがある。上記の構成では、処理液の供給終了位置が第２の可動部材の上面になる。それにより、基板処理面に供給される処理液の厚さを均一化することが可能になる。

【0023】

（９）前記基板は、前記第２の端部を含む第２の外縁を有し、前記第２の近接部は、前記第２の外縁に対応する形状を有する第２の内縁を含み、前記第２の可動部材は、前記処理液ノズルが前記基板の前記第２の端部を通過する期間において前記第２の内縁が前記基板の前記第２の外縁に近接してもよい。

【0024】

この場合、第２の可動部材の近接部を含む第２の内縁が基板の第２の端部を含む第２の外縁に近接するので、処理液の吐出量が多い場合に、基板処理面の第２の端部を含む第２の外縁に沿って処理液の盛り上がりが発生することが防止される。その結果、基板に供給される処理液の厚さをさらに均一化することが可能になる。

【0025】

（１０）前記吐出口が前記第２の端部を通過している期間における前記第２の近接部と前記第２の端部との間の間隔は、前記処理液が毛細管現象により前記第２の近接部と前記第２の端部との間に流入しないように設定されてもよい。

【0026】

この場合、基板処理面に供給された処理液が第２の近接部と第２の端部との間に流入することが防止される。その結果、処理液の消費量を低減するとともに、基板処理面に供給される処理液の厚さをさらに均一化することが可能になる。

【0027】

（１１）前記第２の駆動部は、前記吐出口が前記第２の端部を通過した後に、前記第２の近接部が前記第２の端部から離間するように前記第２の可動部材を移動させてもよい。

【0028】

この場合、前記吐出口が前記第２の端部を通過した後に、第２の近接部が第２の端部から離間する。それにより、基板処理面に供給された処理液が毛細管現象により第２の端部と第２の近接部との間に流入することが十分に防止される。

【0029】

（１２）前記第２の駆動部は、前記吐出口が前記第２の端部を通過した後に、前記第２の近接部が前記処理液ノズルの移動速度と等しい速度で前記処理液ノズルと同じ移動方向に前記第２の端部から離間するように前記第２の可動部材を移動させてもよい。

【0030】

第２の可動部材が基板の第２の端部から離間する際に、処理液ノズルの移動速度と第２の可動部材の移動速度とが異なる場合、または第２の可動部材の移動方向と処理液ノズルの移動方向とが異なる場合には、処理液ノズルの吐出口と第２の可動部材の上面との間に存在する処理液にせん断力が作用する。それにより、処理液が処理液ノズルの外面に這い上がる。それにより、処理液ノズルの外面が汚染する。これに対して、上記の構成によれば、第２の可動部材および処理液ノズルは、同一方向に同一速度で基板から移動するので、処理液ノズルの吐出口と第２の可動部材の上面に存在する処理液にせん断力が作用しない。それにより、処理液の這い上がりによる処理液ノズルの外面の汚染が防止される。

【0031】

（１３）基板処理方法は、少なくとも一部が円形状の外周部を有する基板を基板支持部により支持するステップと、処理液ノズルの処理液を吐出するスリット状の吐出口が支持された前記基板の上面である基板処理面に平行な状態で処理液を吐出しつつ、前記基板処理面に垂直な第１方向視で、前記吐出口が前記基板の一方側の第１の外方位置から前記基板の第１の端部、前記基板の中心部および前記基板の前記第１の端部と反対の第２の端部を通過して、前記基板に他方側の第２の外方位置へ到達するように前記処理液ノズルを移動させるステップと、前記処理液ノズルが前記基板の前記第１の端部を通過する期間において第１の可動部材の前記基板の前記第１の端部に近接可能な第１の近接部が前記基板の前記第１の端部に近接するように前記第１の可動部材を移行させるステップとを含む。

【0032】

この基板処理方法によれば、処理液の供給開始位置が基板の第１の端部ではなく第１の可動部材の上面になる。また、基板が静止しているので、処理液が周囲に飛散しない。それにより、処理液の消費量を抑制しつつ基板処理面に供給される処理液の厚さをより均一化することが可能になる。

【発明の効果】

【0033】

本発明によれば、処理液の消費量を抑制しつつ基板処理面に供給される処理液の厚さを均一化することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【0034】

【図1】基板処理装置の模式的な外観斜視図である。

【図2】基板処理装置の動作例を説明するための模式図である。

【図3】基板処理装置の動作例を説明するための模式図である。

【図4】基板処理装置の動作例を説明するための模式図である。

【図5】基板処理装置の動作例を説明するための模式図である。

【図6】基板処理装置の動作例を説明するための模式図である。

【図7】基板処理装置の動作例を説明するための模式図である。

【図8】基板処理装置の動作例を説明するための模式図である。

【図9】基板処理装置の動作例を説明するための模式図である。

【図10】基板処理装置の動作例を説明するための模式図である。

【図11】ダミー塗布板が基板から離間するタイミングを説明するための断面図である。

【図12】ダミー塗布板の幅の決定方法の一例を説明するための模式的平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0035】

以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について図面を参照しつつ説明する。以下の説明において、基板とは、液晶表示装置または有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等に用いられるＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、半導体基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。また、以下に説明する基板は、平面視でノッチの形成部分を除いて円形状を有する。

【0036】

（１）基板処理装置１００の構成
図１は、基板処理装置１００の模式的な外観斜視図である。本実施の形態に係る基板処理装置１００は、基板Ｗ上に処理液としてレジスト液等の塗布液を供給する。

【0037】

図１に示すように、基板処理装置１００は、制御部１１０、一対のステージ支持体１２０、ステージ装置１３０、一対のノズル支持体１４０およびノズル装置１５０を含む。図１および後述する所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。以下の説明では、Ｘ方向に関して、矢印が向かう方向を＋Ｘ方向と呼び、矢印と逆の方向を－Ｘ方向と呼ぶ。

【0038】

一対のステージ支持体１２０の各々は、直方体形状を有し、Ｘ方向に沿って延びるように、図示しない筐体の底面上に設けられている。一対のステージ支持体１２０は、Ｙ方向において互いに対向するように配置されている。各ステージ支持体１２０の上面には、Ｘ方向に沿って延びるガイドレール１２１が設けられている。

【0039】

ステージ装置１３０は、Ｙ方向において一対のステージ支持体１２０の間に位置し、一対のステージ支持体１２０により支持されている。ステージ装置１３０は、プレート部材１３１、プレート調整部１３２、複数（本例では、３本）の支持ピン１３３、ピン昇降駆動部１３４、吸引駆動部１３５、ダミー塗布板１３６，１３７およびダミー塗布板駆動部１３８，１３９を含む。

【0040】

プレート部材１３１は、矩形の平板形状を有する石材により形成され、ステージ装置１３０の上面部分を構成する。プレート部材１３１の一部には、処理対象となる基板Ｗが載置される。基板Ｗが載置されるプレート部材１３１の部分（以下、基板載置部分と呼ぶ。）には、当該プレート部材１３１をＺ方向に貫通するように、図示しない複数の吸気孔および複数のピン挿入孔が形成されている。

【0041】

プレート調整部１３２、複数の支持ピン１３３、ピン昇降駆動部１３４、吸引駆動部１３５およびダミー塗布板駆動部１３８，１３９は、プレート部材１３１の下部に設けられている。プレート調整部１３２は、プレート部材１３１の基板載置部分の温度を調整する。

【0042】

複数の支持ピン１３３は、上下方向に移動可能かつ複数のピン挿入孔にそれぞれ挿入可能にピン昇降駆動部１３４により支持されている。ピン昇降駆動部１３４は、制御部１１０の制御に基づいて、複数の支持ピン１３３を上下方向に移動させる。それにより、複数の支持ピン１３３の上端部は、プレート部材１３１よりも上方のピン上昇位置と、プレート部材１３１よりも下方のピン下降位置との間を移動する。

【0043】

これにより、基板Ｗの搬入時には、複数の支持ピン１３３の上端部がピン上昇位置にある状態で、図示しない搬送装置により保持された未処理の基板Ｗが複数の支持ピン１３３上に渡される。また、基板Ｗの搬出時には、複数の支持ピン１３３の上端部がピン上昇位置にある状態で、複数の支持ピン１３３上に支持された処理済の基板Ｗが図示しない搬送装置により受け取られる。さらに、基板処理装置１００における基板Ｗの処理時には、複数の支持ピン１３３の上端部がピン下降位置にある状態で、プレート部材１３１の基板載置部分に載置された基板Ｗに後述するノズル装置１５０により処理液が供給される。

【0044】

プレート部材１３１に形成された複数の吸気孔（図示せず）は、吸引駆動部１３５および図示しないエジェクタ等の吸気系を通して工場の排気設備等に接続されている。吸引駆動部１３５は、後述する制御部１１０の制御に基づいて、複数の吸気孔と吸気系とを接続する吸気経路を連通状態と遮断状態との間で切り替える。このような構成により、プレート部材１３１の基板載置部分に基板Ｗが載置された状態で、吸引駆動部１３５は、吸気経路を連通状態とすることにより当該基板Ｗを基板載置部分に吸着保持させることができる。また、基板載置部分に基板Ｗが吸着保持された状態で、吸引駆動部１３５は、吸気経路を遮断状態とすることにより当該基板Ｗをプレート部材１３１から解放させることができる。

【0045】

プレート部材１３１の上面には、ダミー塗布板１３６，１３７が設けられる。ダミー塗布板１３６，１３７は、Ｘ方向において、プレート部材１３１の基板載置部分の両側に配置される。ダミー塗布板１３６、基板載置部分およびダミー塗布板１３７はＸ方向において並ぶ。ダミー塗布板１３６，１３７の下面とプレート部材１３１の上面との間には間隔が形成されている。

【0046】

ここで、プレート部材１３１上に基板Ｗが載置されたときに基板Ｗの中心を通るＸ方向の直線が基板Ｗの外周部と交差する部分を第１の端部ｅ１および第２の端部ｅ２と呼ぶ。また、第１の端部ｅ１を含む基板Ｗの外周部の一部を第１の外縁ＯＥ１と呼び、第２の端部ｅ２を含む基板Ｗの外周部の一部を第２の外縁ＯＥ２と呼ぶ。第１の外縁ＯＥ１と第２の外縁ＯＥ２とは、基板Ｗの中心部に関して互いに反対側に位置する。

【0047】

ダミー塗布板１３６は、基板Ｗの第１の外縁ＯＥ１に対応する円弧状の第１の内縁ＩＥ１を有する。第１の内縁ＩＥ１は、＋Ｘ方向において、基板Ｗの第１の外縁ＯＥ１に対向する。第１の内縁ＩＥ１は、＋Ｘ方向において、基板Ｗの第１の端部ｅ１に対向する第１の近接部ｃ１を含む。ダミー塗布板１３７は、基板Ｗの第２の外縁ＯＥ２に対応する円弧状の第２の内縁ＩＥ２を有する。第２の内縁ＩＥ２は、－Ｘ方向において、基板Ｗの第２の外縁ＯＥ２に対向する。第２の内縁ＩＥ２は、－Ｘ方向において、基板Ｗの第２の端部ｅ２に対向する第２の近接部ｃ２を含む。

【0048】

ダミー塗布板１３６，１３７の下方において、プレート部材１３１には、Ｘ方向に延びるスリット状開口１３ａ，１３ｂがそれぞれ形成されている。ダミー塗布板駆動部１３８，１３９は、プレート部材１３１の下方に設けられている。ダミー塗布板１３６，１３７は、スリット状開口１３ａ，１３ｂをそれぞれ貫通する接続部材１３ｃ，１３ｄによりダミー塗布板駆動部１３８，１３９にそれぞれ接続される。

【0049】

ダミー塗布板駆動部１３８は、例えばモータ等のアクチュエータを含み、制御部１１０の制御に基づいて、ダミー塗布板１３６を第１の離間位置と第１の近接位置との間で＋Ｘ方向および－Ｘ方向に移動させる。第１の離間位置は、基板Ｗの第１の外縁ＯＥ１とダミー塗布板１３６の第１の内縁ＩＥ１とが離間した位置である。第１の近接位置は、基板Ｗの第１の外縁ＯＥ１とダミー塗布板１３６の第１の内縁ＩＥ１とが近接した位置である。

【0050】

ダミー塗布板駆動部１３９は、例えばモータ等のアクチュエータを含み、制御部１１０の制御に基づいて、ダミー塗布板１３７を第２の離間位置と第２の近接位置との間で＋Ｘ方向および－Ｘ方向に移動させる。第２の離間位置は、基板Ｗの第２の外縁ＯＥ２とダミー塗布板１３７の第２の内縁ＩＥ２とが離間した位置である。第２の近接位置は、基板Ｗの第２の外縁ＯＥ２とダミー塗布板１３７の第２の内縁ＩＥ２とが近接した位置である。

【0051】

以下、基板Ｗの上面を基板処理面Ｗｐと呼ぶ。ダミー塗布板１３６，１３７がそれぞれ第１および第２の近接位置にあるときには、ダミー塗布板１３６，１３７の上面と基板処理面Ｗｐとが面一になるように、ダミー塗布板駆動部１３８，１３９がダミー塗布板１３６，１３７を移動させる。なお、ダミー塗布板１３６，１３７の上面および基板処理面Ｗｐが面一になる状態は、後述する効果が得られる範囲内でダミー塗布板１３６，１３７の上面の高さと基板処理面Ｗｐの高さとが僅かに異なる場合も含む。

【0052】

一対のステージ支持体１２０の上面には、一対のノズル支持体１４０がそれぞれガイドレール１２１に沿ってＸ方向に移動可能に設けられている。一対のノズル支持体１４０は、Ｙ方向において対向するように配置されている。

【0053】

ノズル装置１５０は、Ｙ方向において一対のノズル支持体１４０の間で一対のノズル支持体１４０により支持されている。一対のノズル支持体１４０のうち少なくとも一方には、Ｘ方向駆動部１４１、Ｚ方向駆動部１４２および液供給部１４３が内蔵されている。

【0054】

ノズル装置１５０は、Ｙ方向に延びるノズルブロック１５１を含む。ノズルブロック１５１は、上面、前面、後面、前傾斜面、後傾斜面、底面および両側面を有する。ノズルブロック１５１の底面は、平坦に形成され、基板処理面Ｗｐに平行に配置される。底面の前端は前傾斜面の下端につながり、前傾斜面の上端は前面につながる。底面の後端は後傾斜面の下端につながり、後傾斜面の上端は後面につながる。前面の上端と後面の上端とは上面につながる。上面、前面、後面、前傾斜面、後傾斜面および底面の両端は、それぞれ両側面につながる。ノズルブロック１５１の底面には、Ｙ方向に延びるスリット状の吐出口１５１ａが形成されている。スリット状の吐出口１５１ａのＹ方向における長さは、基板Ｗの直径以上である。

【0055】

また、ノズルブロック１５１は、ノズル支持体１４０に設けられた液供給部１４３を介して図示しない処理液供給系に接続されている。ノズルブロック１５１の内部には、吐出口１５１ａにつながる処理液流路（図示せず）が形成されている。ノズル支持体１４０の液供給部１４３は、例えばポンプおよびバルブを含み、制御部１１０の制御に基づいて、処理液供給系から供給される処理液をさらにノズルブロック１５１に供給する。それにより、ノズルブロック１５１においては、液供給部１４３から供給された処理液が、処理液流路（図示せず）を通して吐出口１５１ａから吐出される。また、液供給部１４３は、制御部１１０の制御に基づいて、ノズルブロック１５１の吐出口１５１ａからの処理液の吐出を停止する。

【0056】

Ｘ方向駆動部１４１は、例えばモータ等のアクチュエータを含み、制御部１１０の制御に基づいて、一対のノズル支持体１４０を一対のステージ支持体１２０のガイドレール１２１に沿って＋Ｘ方向および－Ｘ方向に移動させる。Ｚ方向駆動部１４２は、例えばモータ等のアクチュエータを含み、制御部１１０の制御に基づいて、一対のノズル支持体１４０によって支持されるノズル装置１５０をＺ方向およびその逆方向（上下方向）に移動させる。これにより、基板処理装置１００においては、図１に白抜きの矢印ＡＸ，ＡＺで示すように、ステージ装置１３０のプレート部材１３１上に載置された基板Ｗ上で、ノズル装置１５０を±Ｘ方向および上下（±Ｚ方向）に移動させることが可能である。

【0057】

処理液の塗布処理時には、プレート部材１３１上に基板Ｗが吸着保持された状態で、ノズル装置１５０が基板Ｗの上方の空間を＋Ｘ方向に移動する。このとき、ノズル装置１５０の底面が基板処理面Ｗｐに近接している。ノズル装置１５０のＺ方向の位置（高さ）は、例えばノズルブロック１５１内の処理液が毛細管現象により吐出口１５１ａからノズルブロック１５１の底面と基板処理面Ｗｐとの間の隙間に引き出されるように設定される。このように、ノズル装置１５０の吐出口１５１ａから毛細管現象を利用して基板Ｗ上に処理液を供給する方法は、キャピラリ塗布と呼ばれる。

【0058】

キャピラリ塗布において、基板Ｗ上に処理液による液膜を形成する場合、基板Ｗ上での処理液の供給開始位置および供給終了位置が基板Ｗに供給される処理液の厚みに対する特異点となる。本実施の形態では、基板Ｗの第１の端部ｅ１が基板Ｗでの処理液の供給開始位置であり、基板Ｗの第２の端部ｅ２が基板Ｗでの処理液の供給終了位置である。

【0059】

また、基板Ｗへの処理液の供給開始位置および供給終了位置においては、処理液の表面張力および密度差が他の位置と異なる。そのため、基板Ｗでの処理液の供給開始位置および供給終了位置においては、処理液の盛り上がりが発生することがある。それにより、処理液の供給開始位置および供給終了位置では、供給された処理液が他の位置に比べて大きい厚みを有するという膜厚異常が発生することがある。本実施の形態の基板処理装置１００は、キャピラリ塗布時に、ダミー塗布板１３６，１３７を用いることにより上述した膜厚異常の発生を回避することが可能になる。

【0060】

（２）基板処理装置１００の動作例
図１の制御部１１０は、ピン昇降駆動部１３４、吸引駆動部１３５、ダミー塗布板駆動部１３８，１３９、Ｘ方向駆動部１４１、Ｚ方向駆動部１４２および液供給部１４３の動作を制御する。制御部１１０は、ＣＰＵ、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）および記憶装置を含む。ＲＡＭは、ＣＰＵの作業領域として用いられる。ＣＰＵが記憶装置に記憶された処理プログラムをＲＡＭ上で実行することにより基板処理装置１００の各部の動作が制御される。

【0061】

図２～図１０は、基板処理装置１００の動作例を説明するための模式図である。図２～図１０の下部には、基板処理装置１００の平面図が示される。図２～図１０の上部には、下部に示す基板処理装置１００のＡ－Ａ線断面図が示される。

【0062】

図２～図１０の上部には、ノズルブロック１５１の底面１５２、前傾斜面１５３および後傾斜面１５４が示される。底面１５２は、Ｘ方向における幅ａを有する。ダミー塗布板１３６の第１の近接部ｃ１を通るＸ方向の幅ｂ１は、ノズルブロック１５１の幅ａ以上に設定される。同様に、ダミー塗布板１３７の第２の近接部ｃ２を通るＸ方向の幅ｂ２は、ノズルブロック１５１の幅ａ以上に設定される。本例では、ダミー塗布板１３６，１３７の幅ｂ１，ｂ２は、ノズルブロック１５１の幅ａに等しい。これにより、ダミー塗布板１３６，１３７の面積が小さくなる。

【0063】

まず、図２に示すように、処理液の供給が開始される前には、ノズル装置１５０のノズルブロック１５１は基板Ｗの第１の外方位置で待機している。第１の外方位置は、ダミー塗布板１３６よりも－Ｘ方向にずれた位置である。

【0064】

次に、ダミー塗布板１３６，１３７がそれぞれ第１および第２の離間位置から第１および第２の近接位置に＋Ｘ方向および－Ｘ方向に移動する。それにより、ダミー塗布板１３６，１３７の第１および第２の内縁ＩＥ１，ＩＥ２が基板Ｗの第１および第２の外縁ＯＥ１，ＯＥ２にそれぞれ近接する。

【0065】

本例においては、図３に示すように、第１および第２の近接位置で、ダミー塗布板１３６，１３７の第１および第２の内縁ＩＥ１，ＩＥ２と基板Ｗの第１および第２の外縁ＯＥ１，ＯＥ２との間に間隔ｔが設定される。間隔ｔは、基板処理面Ｗｐに供給された処理液が毛細管現象により第１および第２の内縁ＩＥ１，ＩＥ２と基板Ｗの第１および第２の外縁ＯＥ１，ＯＥ２との間に流入しないように設定されることが好ましい。例えば、間隔ｔは、０ｍｍより大きく０．５ｍｍ以下に設定され、本例では０．３ｍｍに設定される。なお、間隔ｔは、上記の範囲内の値に限定されず、基板Ｗのサイズ等に応じて適切な値に設定される。

【0066】

この状態で、ノズル装置１５０のノズルブロック１５１が＋Ｘ方向に移動する。ノズルブロック１５１がダミー塗布板１３６の直前の位置に達したときに、ノズル装置１５０は吐出口１５１ａから処理液を吐出する。この状態で、吐出口１５１ａがダミー塗布板１３６上に達すると、吐出口１５１ａから吐出される処理液がダミー塗布板１３６の上面に供給される。この場合、ダミー塗布板１３６の上面が処理液の供給開始位置である。

【0067】

図４に示すように、ノズルブロック１５１の底面１５２が基板Ｗの第１の端部ｅ１を通過する期間において、ダミー塗布板１３６が第１の近接位置に保持される。それにより、第１の近接部ｃ１と第１の端部ｅ１との間の間隔ｔが保たれる。ダミー塗布板１３６の上面上に供給された処理液には、盛り上がりが発生する。

【0068】

次に、図５に示すように、ノズルブロック１５１の底面１５２が基板処理面Ｗｐ上に移動する。それにより、基板処理面Ｗｐ上に処理液が供給される。ダミー塗布板１３６の上面上、間隔ｔ上および基板処理面Ｗｐ上でノズルブロック１５１の底面１５２が距離Ｄ移動した時点で、ダミー塗布板１３６が基板Ｗから離間するように－Ｘ方向に移動する。それにより、図６に示すように、ダミー塗布板１３６は第１の離間位置に戻る。また、ノズルブロック１５１は、吐出口１５１ａから処理液を吐出しながら基板処理面Ｗｐ上を＋Ｘ方向に移動する。

【0069】

次に、図７に示すように、ノズルブロック１５１の底面１５２が基板Ｗの第２の端部ｅ２を通過する期間において、ダミー塗布板１３７が第２の近接位置に保持される。それにより、第１の近接部ｃ１と第１の端部ｅ１との間の間隔ｔが保たれる。その後、図８に示すように、ノズルブロック１５１の底面１５２がダミー塗布板１３７の上面上に移動する。それにより、ダミー塗布板１３７上に処理液が供給される。ノズルブロック１５１の底面１５２の全体がダミー塗布板１３７上に移動した時点で、ダミー塗布板１３７が基板Ｗから離間するように＋Ｘ方向に移動する。また、ノズル装置１５０は、吐出口１５１ａからの処理液の吐出を停止する。

【0070】

このとき、図９に示すように、ダミー塗布板１３７は、ノズルブロック１５１の移動速度と同じ速度で移動する。最後に、図１０に示すように、ノズルブロック１５１はダミー塗布板１３７から離間するように第２の待機位置に戻る。

【0071】

図１１は、ダミー塗布板１３６が基板Ｗから離間するタイミングを説明するための断面図である。図１１に示すように、基板処理装置１００において処理される基板Ｗの外周部には、ベベル部ＷＢが形成されている。この場合、図５における距離Ｄは次式により決定される。

【0072】

Ｄ＝２ａ＋ｔ＋ｒ …（１）

【0073】

上式（１）において、ｒは平面視でのベベル部のＷＢの幅である。ノズルブロック１５１の底面１５２の前端がダミー塗布板１３６の後端に到達した時点からノズルブロック１５１が距離Ｄ移動した時点で、ノズルブロック１５１の底面１５２の底面１５２の後端が基板Ｗの外周部のベベル部ＷＢを除く位置に達する。このとき、ノズルブロック１５１の底面１５２の全体が基板処理面Ｗｐ上に位置する。この時点でダミー塗布板１３６が基板Ｗから－Ｘ方向に離間することにより、毛細管現象により基板Ｗとダミー塗布板１３６との間に処理液が流入することが防止される。これにより、処理液の消費量を低減することが可能になる。
なお、基板Ｗの外周部にベベル部ＷＢが形成されていない場合、距離Ｄは、次式により決定されてもよい。

【0074】

Ｄ＝２ａ＋ｔ …（２）

【0075】

この場合にも、処理液の消費量を低減することが可能になる。

【0076】

図１２は、ダミー塗布板１３６，１３７の幅の決定方法の一例を説明するための模式的平面図である。ここでは、ダミー塗布板１３６のＹ方向における上面の幅Ｈの決定方法について説明する。図１２には、ダミー塗布板１３６に処理液の供給開始位置からノズルブロック１５１の底面１５２が移動した距離が長さＤに到達した時点の平面図が示される。

【0077】

処理液の消費量を低減するためには、ダミー塗布板１３６の面積は小さいことが望ましい。例えば、ダミー塗布板１３６のＹ方向の寸法は小さいことが望ましい。しかしながら、基板Ｗの第１の端部ｅ１を含む第１の外縁ＯＥ１に沿った領域において処理液の厚みをより均一にするためには、ダミー塗布板１３６のＹ方向の寸法が小さすぎないことが好ましい。そこで、本実施の形態では、ダミー塗布板１３６のＹ方向の寸法は、次のように決定される。
図１２において、基板Ｗの半径（ベベル部ＷＢを除く。）をＲとした場合、ダミー塗布板１３６のＹ方向における幅Ｈは、次式（３）のように決定することができる。

【0078】

Ｈ／２＝｛Ｒ^２－（Ｒ－ａ）^２）｝^１／２ …（３）

【0079】

上式（２）からＹ方向のダミー塗布板１３６の幅Ｈは、次式のようになる。

【0080】

Ｈ＝２｛Ｒ^２－（Ｒ－ａ）^２｝^１／２ …（４）

【0081】

上式（４）において、右辺を整理すると、幅Ｈは、次式（５）で決定することができる。

【0082】

Ｈ＝２（２ａＲ－ａ^２）^１／２ …（５）

【0083】

ダミー塗布板１３７の幅Ｈも同様にして上式（５）により決定することができる。この方法によれば、基板Ｗのサイズに応じてダミー塗布板１３６，１３７の寸法を容易に決定することができる。なお、ダミー塗布板１３６，１３７の幅Ｈは、上式（５）で決定されるよりも大きくてもよい。その場合、基板Ｗの第１および第２の外縁ＯＥ１，ＯＥ２に沿った長い領域で処理液の均一性を向上させることができる。一方、ダミー塗布板１３６，１３７の幅Ｈは、上式（５）で決定されるよりも小さくてもよい。その場合、ダミー塗布板１３６，１３７上に供給される処理液の量を低減することができる。

【0084】

（３）実施の形態の効果
上記実施の形態の基板処理装置１００においては、プレート部材１３１により基板Ｗが支持された状態で、ノズルブロック１５１が＋Ｘ方向に移動する。また、ノズルブロック１５１の吐出口１５１ａが基板の第１の端部ｅ１を通過する期間において、ダミー塗布板１３６の第１の近接部ｃ１が基板Ｗの第１の端部ｅ１に近接するとともに、ダミー塗布板１３６の上面および基板Ｗの基板処理面Ｗｐの順に処理液が供給される。上記の構成では、処理液の供給開始位置が基板Ｗの第１の端部ｅ１ではなくダミー塗布板１３６の上面になるので、図５に示すように、ダミー塗布板１３６の上面の処理液の供給開始位置で処理液の盛り上がりが発生する。また、基板Ｗが静止しているので、処理液が周囲に飛散しない。それにより、処理液の消費量を抑制しつつ基板Ｗの基板処理面Ｗｐに供給される処理液の厚さをより均一化することが可能になる。

【0085】

また、上記実施の形態においては、ノズルブロック１５１の吐出口１５１ａが基板Ｗの第２の端部ｅ２を通過する期間において、ダミー塗布板１３７の第２の近接部ｃ２が基板Ｗの第２の端部ｅ２に近接するとともに、ノズルブロック１５１の移動に伴って、基板Ｗの基板処理面Ｗｐおよびダミー塗布板１３７の上面の順に処理液が供給される。処理液の供給終了位置がダミー塗布板１３７の上面になるので、図１０に示すように、ダミー塗布板１３７上に、処理液の盛り上がりが発生する。それにより、基板Ｗの基板処理面Ｗｐに供給される処理液の厚さを均一化することが可能になる。

【0086】

また、上記実施の形態においては、ダミー塗布板１３６の第１の内縁ＩＥ１が基板Ｗの第１の端部ｅ１を含む第１の外縁ＯＥ１に近接し、ダミー塗布板１３７の第２の内縁ＩＥ２が基板Ｗの第２の端部ｅ２を含む第２の外縁ＯＥ２に近接する。この場合、基板処理面Ｗｐの第１の端部ｅ１を含む第１の外縁ＯＥ１に沿って処理液の盛り上がりを発生することが防止される。また、基板処理面Ｗｐの第２の端部ｅ２を含む第２の外縁ＯＥ２に沿って処理液の盛り上がりを発生することが防止される。

【0087】

また、上記実施の形態においては、第１の近接部ｃ１と第１の端部ｅ１との近接時における第１の近接部ｃ１と第１の端部ｅ１との間の間隔ｔおよび第２の近接部ｃ２と第２の端部ｅ２との近接時における第２の近接部ｃ２と第２の端部ｅ２との間の間隔ｔは、０より大きく０．５ｍｍ以下の値に設定される。それにより、基板処理面Ｗｐに供給された処理液が毛細管現象により第１の近接部ｃ１と第１の端部ｅ１との間に流入することが防止される。それにより、処理液の消費量を低減するとともに、基板処理面Ｗｐに供給される処理液の厚さをさらに均一化することが可能になる。

【0088】

さらに、上記実施の形態においては、図５において、ノズルブロック１５１の底面１５２が基板Ｗの第１の端部ｅ１を通過した後に、ダミー塗布板１３６が基板Ｗから離間するように－Ｘ方向に移動する。この場合、基板処理面Ｗｐに供給された処理液が毛細管現象により第１の近接部ｃ１と第１の端部ｅ１との間に流入することが十分に防止される。具体的には、ノズルブロック１５１の底面１５２の前端の中心がダミー塗布板１３６の後端に到達した時点からノズルブロック１５１が距離Ｄ移動した時点でダミー塗布板１３６が基板Ｗから離間するように－Ｘ方向に移動する。上述したように、距離Ｄは、容易に算出可能であるので、制御部１１０は、より正確にダミー塗布板１３６の離間動作を制御することが可能になる。

【0089】

また、上記実施の形態においては、図８において、ノズルブロック１５１の底面１５２が基板Ｗの第２の端部ｅ２を通過した後に、ダミー塗布板１３７の第２の近接部ｃ２が基板Ｗの第２の端部ｅ２から離間する。それにより、基板処理面Ｗｐに供給された処理液が毛細管現象により基板Ｗの第２の端部ｅ２とダミー塗布板１３７の第２の近接部ｃ２との間に流入することが十分に防止される。

【0090】

また、ダミー塗布板１３７の離間時の移動速度とノズルブロック１５１の移動速度とが異なる場合、またはダミー塗布板１３７の第２の近接部ｃ２の移動方向とノズルブロック１５１の移動方向とが異なる場合には、ノズルブロック１５１の底面１５２とダミー塗布板１３７の上面との間に存在する処理液にせん断力が作用する。それにより、処理液がノズルブロック１５１の前傾斜面および後傾斜面に這い上がることにより、ノズルブロック１５１が汚染する。これに対し、上記実施の形態においては、図９において、ノズルブロック１５１の底面１５２が基板Ｗの第２の端部ｅ２を通過した後に、ダミー塗布板１３７がノズルブロック１５１の移動速度と等しい速度でかつ同じ方向に基板Ｗの第２の端部ｅ２から離間する。この場合、ノズルブロック１５１の底面１５２とダミー塗布板１３７の上面に存在する処理液にせん断力が作用しない。それにより、処理液の這い上がりによるノズルブロック１５１の前傾斜面および後傾斜面の汚染が防止される。

【0091】

（４）他の実施の形態
（４－１）上記実施の形態においては、ダミー塗布板１３６が基板Ｗの第１の外縁ＯＥ１に対応する第１の内縁ＩＥ１を含む形状を有するが、ダミー塗布板１３６は、少なくとも第１の近接部ｃ１が基板Ｗの第１の端部ｅ１に近接可能な他の形状を有してもよい。また、ダミー塗布板１３７が基板Ｗの第２の外縁ＯＥ２に対応する第２の内縁ＩＥ２を含む形状を有するが、ダミー塗布板１３７は、少なくとも第２の近接部ｃ２が基板Ｗの第２の端部ｅ２に近接可能な他の形状を有してもよい。

【0092】

（４－２）上記実施の形態において、ノズルブロック１５１が基板Ｗの第１の端部ｅ１および第２の端部ｅ２をそれぞれ通過した後にダミー塗布板１３６，１３７が基板Ｗから離間されるが、本発明はこれに限定されない。ダミー塗布板１３６，１３７と基板Ｗとの間に毛細管現象により処理液が流入しない場合には、ダミー塗布板１３６，１３７は、ノズルブロック１５１が基板Ｗの第１の端部ｅ１および第２の端部ｅ２をそれぞれ通過した後に基板Ｗから離間されなくてもよい。

【0093】

（４－３）上記実施の形態においては、ダミー塗布板１３６，１３７の幅ｂ１，ｂ２は、ノズルブロック１５１の幅ａに等しいが本発明はこれに限定されない。ダミー塗布板１３６，１３７の幅ｂ１，ｂ２は、ノズルブロック１５１の幅ａより大きく設定されてもよい。この場合、ノズルブロック１５１の底面１５２とダミー塗布板１３７の上面に供給される処理液が基板Ｗの基板処理面Ｗｐにはみ出すことが十分に防止される。それにより、供給開始位置での処理液の盛り上がりの一部が基板処理面Ｗｐ上に形成されることが防止される。

【0094】

（４－４）上記実施の形態において、図５および図８において、ダミー塗布板１３６，１３７が基板Ｗからそれぞれ－Ｘ方向および＋Ｘ方向に離間するが、本発明はこれに限定されない。例えば、ダミー塗布板１３６，１３７は、基板Ｗから上方向または下方向に離間してもよい。

【0095】

（５）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明する。上記実施の形態では、プレート部材１３１が基板支持部の例であり、ノズルブロック１５１が処理液ノズルの例であり、Ｘ方向駆動部１４１およびＺ方向駆動部１４２がノズル移動部の例であり、ダミー塗布板１３６が第１の可動部材の例であり、ダミー塗布板駆動部１３８が第１の駆動部の例であり、ダミー塗布板１３７が第２の可動部材の例であり、ダミー塗布板駆動部１３９が第２の駆動部の例である。

【符号の説明】

【0096】

１…基板処理装置，１３ａ，１３ｂ…スリット状開口，１３ｃ，１３ｄ…接続部材，１００…基板処理装置，１１０…制御部，１２０…ステージ支持体，１２１…ガイドレール，１３０…ステージ装置，１３１…プレート部材，１３２…プレート調整部，１３３…支持ピン，１３４…ピン昇降駆動部，１３５…吸引駆動部，１３６，１３７…ダミー塗布板，１３８，１３９…ダミー塗布板駆動部，１４０…ノズル支持体，１４１…Ｘ方向駆動部，１４２…Ｚ方向駆動部，１４３…液供給部，１５０…ノズル装置，１５１…ノズルブロック，１５１ａ…吐出口，１５２…底面，１５３…前傾斜面，１５４…後傾斜面，Ｄ…距離，ＩＥ１…第１の内縁，ＩＥ２…第２の内縁，ＯＥ１…第１の外縁，ＯＥ２…第２の外縁，Ｗ…基板，ＷＢ…ベベル部，Ｗｐ…基板処理面，ｃ１…第１の近接部，ｃ２…第２の近接部，ｅ１…第１の端部，ｅ２…第２の端部，ｔ…間隔

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】