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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023141737
(43)【公開日】2023-10-05
(54)【発明の名称】半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01L 25/07 20060101AFI20230928BHJP
H01L 21/60 20060101ALI20230928BHJP
H01L 23/50 20060101ALI20230928BHJP
【ＦＩ】
H01L25/04 C
H01L21/60 321E
H01L23/50 M
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022048217
(22)【出願日】2022-03-24
(71)【出願人】
【識別番号】000003078
【氏名又は名称】株式会社東芝
(71)【出願人】
【識別番号】317011920
【氏名又は名称】東芝デバイス＆ストレージ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110003708
【氏名又は名称】弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
(72)【発明者】
【氏名】田中 敦士
【テーマコード（参考）】
5F067
【Ｆターム（参考）】
5F067AA03
5F067CA03
5F067CA05
5F067DE01
(57)【要約】
【課題】歩留りを向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】一実施形態の半導体装置１は、第１フレーム１０と、第１フレームの上に設けられる第１チップ１１と、第１フレームと第１方向Ｘに離間する第２フレーム２０と、第２フレームの上に設けられる第２チップ２１と、第２チップの上方に設けられる第１接合端子２４とを備える。第１フレーム１０は、第２フレーム２０側に延びる第１端子部Ｔ２を含む。第１接合端子２４は、第１フレーム１０側に延びる第２端子部Ｔ３を含む。第２端子部Ｔ３は、各々が第１フレーム１０側に突出し、且つ互いに第２方向Ｙに離間する第１突出部２４ｄと第２突出部２４ｅとを含む。第１突出部２４ｄの端部及び第２突出部２４ｅの端部は、第１端子部Ｔ２の上にそれぞれ接合される。
【選択図】図４
【解決手段】一実施形態の半導体装置１は、第１フレーム１０と、第１フレームの上に設けられる第１チップ１１と、第１フレームと第１方向Ｘに離間する第２フレーム２０と、第２フレームの上に設けられる第２チップ２１と、第２チップの上方に設けられる第１接合端子２４とを備える。第１フレーム１０は、第２フレーム２０側に延びる第１端子部Ｔ２を含む。第１接合端子２４は、第１フレーム１０側に延びる第２端子部Ｔ３を含む。第２端子部Ｔ３は、各々が第１フレーム１０側に突出し、且つ互いに第２方向Ｙに離間する第１突出部２４ｄと第２突出部２４ｅとを含む。第１突出部２４ｄの端部及び第２突出部２４ｅの端部は、第１端子部Ｔ２の上にそれぞれ接合される。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１フレームと、
前記第１フレームの上に設けられる第１チップと、
前記第１フレームと第１方向に離間する第２フレームと、
前記第２フレームの上に設けられる第２チップと、
前記第２チップの上方に設けられ、前記第２チップと電気的に接続される第１接合端子と
を備え、
前記第１フレームは、前記第２フレーム側に延びる第１端子部を含み、
前記第１接合端子は、前記第１フレーム側に延びる第２端子部を含み、
前記第２端子部は、各々が前記第１フレーム側に突出し、且つ互いに前記第１方向と交差する第２方向に離間する第１突出部と第２突出部とを含み、
前記第１突出部の端部及び前記第２突出部の端部は、前記第１端子部の上にそれぞれ接合される、
半導体装置。
前記第１フレームの上に設けられる第１チップと、
前記第１フレームと第１方向に離間する第２フレームと、
前記第２フレームの上に設けられる第２チップと、
前記第２チップの上方に設けられ、前記第２チップと電気的に接続される第１接合端子と
を備え、
前記第１フレームは、前記第２フレーム側に延びる第１端子部を含み、
前記第１接合端子は、前記第１フレーム側に延びる第２端子部を含み、
前記第２端子部は、各々が前記第１フレーム側に突出し、且つ互いに前記第１方向と交差する第２方向に離間する第１突出部と第２突出部とを含み、
前記第１突出部の端部及び前記第２突出部の端部は、前記第１端子部の上にそれぞれ接合される、
半導体装置。
【請求項2】
前記第２端子部の、前記第１突出部と前記第２突出部とに挟まれ、且つ前記第１フレームに向かう第１面は、前記第１端子部の、前記第２フレームに向かう第２面よりも前記第２フレーム側に位置する、
請求項１記載の半導体装置。
請求項１記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第２端子部の前記第１面、前記第１端子部の前記第２面、前記第１突出部の、前記第２突出部に向かう第３面、及び前記第２突出部の、前記第１突出部に向かう第４面によって囲まれた領域を有する、請求項２記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第１端子部は、各々が前記第２フレーム側に突出し、且つ互いに前記第２方向に離間する第３突出部と第４突出部とを含み、
前記第１突出部の端部は、前記第３突出部の上に接合され、
前記第２突出部の端部は、前記第４突出部の上に接合され、
前記第１端子部の前記第２面は、前記第３突出部と前記第４突出部とに挟まれている、
請求項２記載の半導体装置。
前記第１突出部の端部は、前記第３突出部の上に接合され、
前記第２突出部の端部は、前記第４突出部の上に接合され、
前記第１端子部の前記第２面は、前記第３突出部と前記第４突出部とに挟まれている、
請求項２記載の半導体装置。
【請求項5】
第１フレームと、
前記第１フレームの上に設けられる第１チップと、
前記第１フレームと第１方向に離間する第２フレームと、
前記第２フレームの上に設けられる第２チップと、
前記第２チップの上方に設けられ、前記第２チップと電気的に接続される第１接合端子と
を備え、
前記第１フレームは、前記第２フレーム側に延びる第１端子部を含み、
前記第１接合端子は、前記第１フレーム側に延びる第２端子部を含み、
前記第１端子部は、各々が前記第２フレーム側に突出し、且つ互いに前記第１方向と交差する第２方向に離間する第５突出部と第６突出部とを含み、
前記第２端子部の端部は、前記第５突出部及び前記第６突出部の上に接合される、
半導体装置。
前記第１フレームの上に設けられる第１チップと、
前記第１フレームと第１方向に離間する第２フレームと、
前記第２フレームの上に設けられる第２チップと、
前記第２チップの上方に設けられ、前記第２チップと電気的に接続される第１接合端子と
を備え、
前記第１フレームは、前記第２フレーム側に延びる第１端子部を含み、
前記第１接合端子は、前記第１フレーム側に延びる第２端子部を含み、
前記第１端子部は、各々が前記第２フレーム側に突出し、且つ互いに前記第１方向と交差する第２方向に離間する第５突出部と第６突出部とを含み、
前記第２端子部の端部は、前記第５突出部及び前記第６突出部の上に接合される、
半導体装置。
【請求項6】
第１フレームと、
前記第１フレームの上に設けられる第１チップと、
前記第１チップの上方に設けられ、前記第１チップと電気的に接続される第１接合端子と、
前記第１フレームと第１方向に離間する電極端子と
を備え、
前記第１接合端子は、前記電極端子側に延びる第１端子部を含み、
前記第１端子部は、各々が前記電極端子側に突出し、且つ互いに前記第１方向と交差する第２方向に離間する第１突出部と第２突出部とを含み、
前記第１突出部の端部及び前記第２突出部の端部は、前記電極端子の上にそれぞれ接合される、
半導体装置。
前記第１フレームの上に設けられる第１チップと、
前記第１チップの上方に設けられ、前記第１チップと電気的に接続される第１接合端子と、
前記第１フレームと第１方向に離間する電極端子と
を備え、
前記第１接合端子は、前記電極端子側に延びる第１端子部を含み、
前記第１端子部は、各々が前記電極端子側に突出し、且つ互いに前記第１方向と交差する第２方向に離間する第１突出部と第２突出部とを含み、
前記第１突出部の端部及び前記第２突出部の端部は、前記電極端子の上にそれぞれ接合される、
半導体装置。
【請求項7】
前記第１端子部の、前記第１突出部と前記第２突出部とに挟まれ、且つ前記電極端子に向かう第１面は、前記電極端子の、前記第１フレームに向かう第２面よりも前記第１フレーム側に位置する、
請求項６記載の半導体装置。
請求項６記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第１端子部の前記第１面、前記電極端子の前記第２面、前記第１突出部の、前記第２突出部に向かう第３面、及び前記第２突出部の、前記第１突出部に向かう第４面によって囲まれた領域を有する、請求項７記載の半導体装置。
【請求項9】
前記電極端子は、各々が前記第１フレーム側に突出し、且つ互いに前記第２方向に離間する第３突出部と第４突出部とを含み、
前記第１突出部の端部は、前記第３突出部の上に接合され、
前記第２突出部の端部は、前記第４突出部の上に接合され、
前記電極端子の前記第２面は、前記第３突出部と前記第４突出部とに挟まれている、
請求項７記載の半導体装置。
前記第１突出部の端部は、前記第３突出部の上に接合され、
前記第２突出部の端部は、前記第４突出部の上に接合され、
前記電極端子の前記第２面は、前記第３突出部と前記第４突出部とに挟まれている、
請求項７記載の半導体装置。
【請求項10】
第１フレームと、
前記第１フレームの上に設けられる第１チップと、
前記第１チップの上方に設けられ、前記第１チップと電気的に接続される第１接合端子と、
前記第１フレームと第１方向に離間する電極端子と
を備え、
前記第１接合端子は、前記電極端子側に延びる第１端子部を含み、
前記電極端子は、各々が前記第１フレーム側に突出し、且つ互いに前記第１方向と交差する第２方向に離間する第５突出部と第６突出部とを含み、
前記第１端子部の端部は、前記第５突出部及び前記第６突出部の上に接合される、
半導体装置。
前記第１フレームの上に設けられる第１チップと、
前記第１チップの上方に設けられ、前記第１チップと電気的に接続される第１接合端子と、
前記第１フレームと第１方向に離間する電極端子と
を備え、
前記第１接合端子は、前記電極端子側に延びる第１端子部を含み、
前記電極端子は、各々が前記第１フレーム側に突出し、且つ互いに前記第１方向と交差する第２方向に離間する第５突出部と第６突出部とを含み、
前記第１端子部の端部は、前記第５突出部及び前記第６突出部の上に接合される、
半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
リードフレームを用いた半導体装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００２－７６２３０号公報
【特許文献2】特開昭６０－５８６４７号公報
【特許文献3】特許第２７９５９３７号公報
【特許文献4】特開平８－１７９９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
歩留りを向上できる半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態に係る半導体装置は、第１フレームと、第１フレームの上に設けられる第１チップと、第１フレームと第１方向に離間する第２フレームと、第２フレームの上に設けられる第２チップと、第２チップの上方に設けられ、第２チップと電気的に接続される第１接合端子とを備える。第１フレームは、第２フレーム側に延びる第１端子部を含む。第１接合端子は、第１フレーム側に延びる第２端子部を含む。第２端子部は、各々が第１フレーム側に突出し、且つ互いに第１方向と交差する第２方向に離間する第１突出部と第２突出部とを含む。第１突出部の端部及び第２突出部の端部は、第１端子部の上にそれぞれ接合される。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下に実施形態が図面を参照して記述される。以下の記述において、略同一の機能及び構成を有する構成要素は同一符号を付され、繰り返しの説明は省略される場合がある。また、ある実施形態についての記述は全て、明示的にまたは自明的に排除されない限り、別の実施形態の記述としても当てはまる。
【0008】
１．第１実施形態
第１実施形態に係る半導体装置について説明する。以下では、リードフレームを用いた半導体装置を例に挙げて説明する。半導体装置は、例えば、トランジスタパッケージに用いられる。
第１実施形態に係る半導体装置について説明する。以下では、リードフレームを用いた半導体装置を例に挙げて説明する。半導体装置は、例えば、トランジスタパッケージに用いられる。
【0009】
１．１ 半導体装置の構成
本実施形態に係る半導体装置の構成について、図１及び図２を用いて説明する。図１は、半導体装置の構成の一例を示す平面図である。なお、図１の例では、樹脂は実線で示されている。樹脂によって覆われる内部の構成要素は、破線で示されている。樹脂の外側（樹脂によって覆われない部分）は、実線で示されている。図２は、半導体装置の内部構成の一例を示す平面図である。なお、図２の例では、樹脂は省略されている。
本実施形態に係る半導体装置の構成について、図１及び図２を用いて説明する。図１は、半導体装置の構成の一例を示す平面図である。なお、図１の例では、樹脂は実線で示されている。樹脂によって覆われる内部の構成要素は、破線で示されている。樹脂の外側（樹脂によって覆われない部分）は、実線で示されている。図２は、半導体装置の内部構成の一例を示す平面図である。なお、図２の例では、樹脂は省略されている。
【0010】
図１に示すように、半導体装置１は、リードフレーム１０、チップ１１、電極１２、電極１２ａ、接合部材１３、接合端子１４、電極端子１５、配線１６、電極端子１７、リードフレーム２０、チップ２１、電極２２、電極２２ａ、接合部材２３、接合端子２４、電極端子２５、配線２６、及び樹脂３０を含む。なお、以下の説明において、Ｘ方向は、リードフレーム１０の表面に略平行であり、例えば、リードフレーム１０から、リードフレーム２０に向かう方向（電極端子１７から電極端子１５に向かう方向）に対応する。Ｙ方向は、リードフレーム１０の表面に略平行であり、例えば、リードフレーム１０から電極端子１７に向かう方向に対応する。Ｚ方向は、リードフレーム１０の表面に略垂直であり、リードフレーム１０からチップ１１に向かう方向に対応する。
【0011】
樹脂３０は、例えば、エポキシ樹脂である。樹脂３０は、リードフレーム１０の一部、チップ１１、電極１２、電極１２ａ、接合部材１３、接合端子１４、電極端子１５の一部、配線１６、電極端子１７の一部、リードフレーム２０の一部、チップ２１、電極２２、電極２２ａ、接合部材２３、接合端子２４、電極端子２５の一部、及び配線２６を覆っている。
【0012】
図２に示すように、リードフレーム１０は、チップ１１を支持及び固定するフレームである。リードフレーム１０は、例えば、板状の形状を有する。リードフレーム１０の電極端子１７とは反対側の端部は、Ｙ方向に延びている。リードフレーム１０は、導電材料により構成され、例えば、金属材料であってもよい。リードフレーム１０の詳細については後述する。
【0013】
チップ１１は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）チップである。チップ１１は、リードフレーム１０の上に設けられる。
【0014】
電極１２は、例えば、ゲート電極である。電極１２は、チップ１１の上に設けられる。電極１２は、導電材料により構成され、例えば、金属材料であってもよい。なお、電極１２は、例えば、接合端子を有してもよい。
【0015】
電極１２ａは、例えば、ソース電極である。電極１２ａは、上面視で（図２の紙面上側から見たときに）、例えば、略Ｌ字型の形状を有する。電極１２ａは、チップ１１の上に設けられる。電極１２ａは、導電材料により構成され、例えば、金属材料であってもよい。
【0016】
接合部材１３は、例えば、半田である。接合部材１３は、上面視で、例えば、略Ｌ字型の形状を有する。接合部材１３は、電極１２ａの上に設けられる。接合部材１３は、電極１２ａと接合端子１４とを電気的に接続する。
【0017】
接合端子１４は、例えば、電極１２ａと電極端子１７とを電気的に接続する端子である。接合端子１４は、上面視で、例えば、略Ｌ字型の形状を有する。接合端子１４は、接合部材１３の上に設けられる。接合端子１４は、接合部材１３及び電極１２ａを介してチップ１１と電気的に接続される。接合端子１４は、導電材料により構成され、例えば、金属材料であってもよい。接合端子１４の詳細については後述する。
【0018】
電極端子１５は、例えば、ゲート端子である。電極端子１５は、リードフレーム１０とＹ方向に離間して設けられる。電極端子１５のリードフレーム１０とは反対側の端部は、Ｙ方向に延びている。電極端子１５は、導電材料により構成され、例えば、金属材料であってもよい。
【0019】
電極端子１５は、基部１５ａ、屈曲部１５ｂ、及び接合部１５ｃを含む。電極端子１５は、例えば、基部１５ａと屈曲部１５ｂとの境界で上方に屈曲し、屈曲部１５ｂと接合部１５ｃとの境界でＹ方向に屈曲する。基部１５ａの表面と接合部１５ｃの表面とは、略平行である。接合部１５ｃの表面は、基部１５ａの表面よりも上方に位置する。換言すると、電極端子１５は、Ｙ方向に段差を有する。
【0020】
配線１６は、例えば、ボンディングワイヤである。配線１６の一端は、電極１２に接合される。配線１６の他端は、電極端子１５の接合部１５ｃに接合される。配線１６は、電極１２と電極端子１５とを電気的に接続する。配線１６は、導電材料により構成され、例えば、金属材料であってもよい。なお、電極１２が接合端子を有する場合、配線１６に替えて、電極１２の接合端子を電極端子１５と電気的に接続してもよい。
【0021】
電極端子１７は、例えば、ソース端子である。電極端子１７は、電極端子１５とＸ方向に離間して設けられる。電極端子１７は、リードフレーム１０とＹ方向に離間して設けられる。電極端子１７のリードフレーム１０とは反対側の端部は、Ｙ方向に延びている。電極端子１７は、導電材料により構成され、例えば、金属材料であってもよい。
【0022】
電極端子１７は、基部１７ａ、屈曲部１７ｂ、及び接合部１７ｃを含む。電極端子１７は、例えば、基部１７ａと屈曲部１７ｂとの境界で上方に屈曲し、屈曲部１７ｂと接合部１７ｃとの境界でＹ方向に屈曲する。基部１７ａの表面と接合部１７ｃの表面とは、略平行である。接合部１７ｃの表面は、基部１７ａの表面よりも上方に位置する。換言すると、電極端子１７は、Ｙ方向に段差を有する。
【0023】
リードフレーム２０は、チップ２１を支持及び固定するフレームである。リードフレーム２０は、例えば、板状の形状を有する。リードフレーム２０は、リードフレーム１０とＸ方向に離間して設けられる。リードフレーム２０の電極端子２５とは反対側の端部は、Ｙ方向に延びている。リードフレーム２０は、導電材料により構成され、例えば、金属材料であってもよい。
【0024】
チップ２１は、例えば、ＩＣチップである。チップ２１は、リードフレーム２０の上に設けられる。
【0025】
電極２２は、例えば、ゲート電極である。電極２２は、チップ２１の上に設けられる。電極２２は、導電材料により構成され、例えば、金属材料であってもよい。なお、電極２２は、例えば、接合端子を有してもよい。
【0026】
電極２２ａは、例えば、ソース電極である。電極２２ａは、上面視で、例えば、略Ｌ字型の形状を有する。電極２２ａは、チップ２１の上に設けられる。電極２２ａは、導電材料により構成され、例えば、金属材料であってもよい。
【0027】
接合部材２３は、例えば、半田である。接合部材２３は、上面視で、例えば、略Ｌ字型の形状を有する。接合部材２３は、電極２２ａの上に設けられる。接合部材２３は、電極２２ａと接合端子２４とを電気的に接続する。
【0028】
接合端子２４は、例えば、電極２２ａとリードフレーム１０とを電気的に接続する端子である。接合端子２４は、上面視で、例えば、略Ｌ字型の形状を有する。接合端子２４は、接合部材２３の上に設けられる。接合端子２４は、接合部材２３及び電極２２ａを介してチップ２１と電気的に接続される。接合端子２４は、導電材料により構成され、例えば、金属材料であってもよい。接合端子２４の詳細については後述する。
【0029】
電極端子２５は、例えば、ゲート端子である。電極端子２５は、電極端子１５とＸ方向に離間して設けられる。電極端子２５は、リードフレーム２０とＹ方向に離間して設けられる。電極端子２５のリードフレーム２０とは反対側の端部は、Ｙ方向に延びている。電極端子２５は、導電材料により構成され、例えば、金属材料であってもよい。
【0030】
電極端子２５は、基部２５ａ、屈曲部２５ｂ、及び接合部２５ｃを含む。電極端子２５は、例えば、基部２５ａと屈曲部２５ｂとの境界で上方に屈曲し、屈曲部２５ｂと接合部２５ｃとの境界でＹ方向に屈曲する。基部２５ａの表面と接合部２５ｃの表面とは、略平行である。接合部２５ｃの表面は、基部２５ａの表面よりも上方に位置する。換言すると、電極端子２５は、Ｙ方向に段差を有する。
【0031】
配線２６は、例えば、ボンディングワイヤである。配線２６の一端は、電極２２に接合される。配線２６の他端は、電極端子２５の接合部２５ｃに接合される。配線２６は、電極２２と電極端子２５とを電気的に接続する。配線２６は、導電材料により構成され、例えば、金属材料であってもよい。なお、電極２２が接合端子を有する場合、配線２６に替えて、電極２２の接合端子を電極端子２５と電気的に接続してもよい。
【0032】
接合端子１４の詳細について、図２を用いて説明する。
【0033】
図２に示すように、接合端子１４は、基部１４ａ及び端子部Ｔ１を含む。端子部Ｔ１は、接合端子１４の電極端子１７側の端部に設けられる。端子部Ｔ１は、上面視で、例えば、略矩形の形状を有する。端子部Ｔ１は、屈曲部１４ｂ、ブリッジ部１４ｃ、屈曲部１４ｄ、及び接合部１４ｅを含む。
【0034】
接合端子１４は、例えば、基部１４ａと屈曲部１４ｂとの境界で上方に屈曲し、屈曲部１４ｂとブリッジ部１４ｃとの境界でＹ方向に屈曲する。接合端子１４は、例えば、ブリッジ部１４ｃと屈曲部１４ｄとの境界で下方に屈曲し、屈曲部１４ｄと接合部１４ｅとの境界でＹ方向に屈曲する。基部１４ａの表面と、ブリッジ部１４ｃの表面と、接合部１４ｅの表面とは、略平行である。ブリッジ部１４ｃの表面は、基部１４ａの表面、及び接合部１４ｅの表面よりも上方に位置する。換言すると、接合端子１４は、Ｙ方向に段差を有する。
【0035】
図２に示すように、端子部Ｔ１は、電極端子１７の上に設けられる。より詳細には、接合端子１４の接合部１４ｅは、電極端子１７の接合部１７ｃの上に接合される。これにより、端子部Ｔ１は、電極端子１７と電気的に接続される。換言すると、接合端子１４は、端子部Ｔ１を介して電極端子１７と電気的に接続される。
【0036】
リードフレーム１０の詳細について、図３を用いて説明する。図３は、半導体装置１の内部構成の一部を示す拡大図（図２の領域Ｒ１の拡大図）である。なお、図３の例では、チップ１１及び２１、電極２２及び２２ａ、並びに接合部材２３は、省略されている。
【0037】
図３に示すように、リードフレーム１０は、基部１０ａ及び端子部Ｔ２を含む。端子部Ｔ２は、リードフレーム１０の接合端子２４側（リードフレーム２０側）の端部に設けられる。端子部Ｔ２は、接合端子２４側に延びる。端子部Ｔ２は、上面視で、例えば、略Ｕ字型の形状を有する。端子部Ｔ２は、屈曲部１０ｂ及び接合部１０ｃを含む。
【0038】
リードフレーム１０は、例えば、基部１０ａと屈曲部１０ｂとの境界で上方に屈曲し、屈曲部１０ｂと接合部１０ｃとの境界でＸ方向に屈曲する。基部１０ａの表面と接合部１０ｃの表面とは、略平行である。接合部１０ｃの表面は、基部１０ａの表面よりも上方に位置する。換言すると、リードフレーム１０は、Ｘ方向に段差を有する。
【0039】
端子部Ｔ２は、接合端子２４側（リードフレーム２０側）に突出した突出部１０ｄ及び１０ｅを含む。換言すると、端子部Ｔ２の接合端子２４側の端部は、２つに分かれている。突出部１０ｄと突出部１０ｅとは、互いにＹ方向に離間している。なお、端子部Ｔ２は、３個以上の突出部を含んでもよい。この場合、これらの突出部は、互いにＹ方向に離間する。
【0040】
接合端子２４の詳細について、図３を用いて説明する。
【0041】
図３に示すように、接合端子２４は、基部２４ａ及び端子部Ｔ３を含む。端子部Ｔ３は、接合端子２４のリードフレーム１０側の端部に設けられる。端子部Ｔ３は、リードフレーム１０側に延びる。端子部Ｔ３は、上面視で、例えば、略Ｙ字型の形状を有する。端子部Ｔ３は、屈曲部２４ｂ、ブリッジ部２４ｃ、屈曲部２４ｆ及び２４ｇ、並びに接合部２４ｈ及び２４ｉを含む。
【0042】
接合端子２４は、例えば、基部２４ａと屈曲部２４ｂとの境界で上方に屈曲し、屈曲部２４ｂとブリッジ部２４ｃとの境界でＸ方向に屈曲する。接合端子２４は、例えば、ブリッジ部２４ｃと屈曲部２４ｆとの境界で下方に屈曲し、屈曲部２４ｆと接合部２４ｈとの境界でＸ方向に屈曲する。接合端子２４は、例えば、ブリッジ部２４ｃと屈曲部２４ｇとの境界で下方に屈曲し、屈曲部２４ｇと接合部２４ｉとの境界でＸ方向に屈曲する。基部２４ａの表面と、ブリッジ部２４ｃの表面と、接合部２４ｈの表面と、接合部２４ｉの表面とは、略平行である。ブリッジ部２４ｃの表面は、基部２４ａの表面、接合部２４ｈの表面、及び接合部２４ｉの表面よりも上方に位置する。換言すると、接合端子２４は、Ｘ方向に段差を有する。
【0043】
端子部Ｔ３は、リードフレーム１０側に突出した突出部２４ｄ及び２４ｅを含む。換言すると、端子部Ｔ３のリードフレーム１０側の端部は、２つに分かれている。突出部２４ｄと突出部２４ｅとは、互いにＹ方向に離間している。突出部２４ｄは、ブリッジ部２４ｃの一部、屈曲部２４ｆ、及び接合部２４ｈを含む。突出部２４ｅは、ブリッジ部２４ｃの一部、屈曲部２４ｇ、及び接合部２４ｉを含む。なお、端子部Ｔ３は、３個以上の突出部を含んでもよい。この場合、これらの突出部は、互いにＹ方向に離間する。
【0044】
図３に示すように、端子部Ｔ３の端部は、端子部Ｔ２の上に設けられる。より詳細には、端子部Ｔ３の接合部２４ｈは、端子部Ｔ２の接合部１０ｃの上に接合される。端子部Ｔ３の接合部２４ｉは、端子部Ｔ２の接合部１０ｃの上に接合される。換言すると、端子部Ｔ３の突出部２４ｄの端部は、端子部Ｔ２の突出部１０ｄの上に接合される。端子部Ｔ３の突出部２４ｅの端部は、端子部Ｔ２の突出部１０ｅの上に接合される。すなわち、端子部Ｔ３と端子部Ｔ２とは、２つの接合面で接合される。以下、接合面、接合面に接する端子部Ｔ２の端部、及び接合面に接する端子部Ｔ３の端部を合わせて「接合部分」と表記する。これにより、端子部Ｔ３は、端子部Ｔ２と電気的に接続される。換言すると、接合端子２４は、端子部Ｔ３及びＴ２を介してリードフレーム１０と電気的に接続される。
【0045】
なお、図２に示されるリードフレーム１０、電極端子１５及び１７、リードフレーム２０、並びに電極端子２５は、例えば、図示せぬリードフレームの一部であり、製造工程において、図示せぬリードフレームが切断及び除去されることにより残った部分である。
【0046】
【0047】
図４に示すように、突出部１０ｄの上に、突出部２４ｄの端部が設けられている。突出部２４ｄの端部は、突出部１０ｄの上面に形成された接合部材２７により突出部１０ｄと接合される。接合部材２７は、例えば、半田である。接合部材２７は、端子部Ｔ２と端子部Ｔ３とを電気的に接続する。突出部１０ｅの上に、突出部２４ｅの端部が設けられている。突出部２４ｅの端部は、突出部１０ｅの上面に形成された接合部材２７により突出部１０ｅと接合される。
【0048】
端子部Ｔ３の端面（端子部Ｔ３の、突出部２４ｄと突出部２４ｅとに挟まれ、且つリードフレーム１０に向かう面（以下、「面Ｐ２」とも表記する））は、端子部Ｔ２の端面（端子部Ｔ２の、突出部１０ｄと突出部１０ｅとに挟まれ、且つリードフレーム２０に向かう面（以下、「面Ｐ１」とも表記する））よりも、リードフレーム２０側に位置している。
【0049】
上記構造により、端子部Ｔ２、接合部材２７、端子部Ｔ３、接合部材２３、電極２２ａ、チップ２１、並びにリードフレーム２０で囲まれた空間（以下、「空間Ｓ１」とも表記する）の上方は、端子部Ｔ２及びＴ３によって塞がれていない。突出部２４ｄの、突出部２４ｅに向かう面を「面Ｐ３」、突出部２４ｅの、突出部２４ｄに向かう面を「面Ｐ４」とすると、半導体装置１は、面Ｐ１、面Ｐ２、面Ｐ３、及び面Ｐ４によって囲まれた領域を有する。換言すると、端子部Ｔ２と端子部Ｔ３とにより（突出部１０ｄ、突出部１０ｅ、突出部２４ｄ、及び突出部２４ｅにより）、開口（以下、「開口ＯＰ１」とも表記する）が形成されている。すなわち、半導体装置１は、端子部Ｔ２と端子部Ｔ３とにより形成される開口ＯＰ１を有している。面Ｐ１、面Ｐ２、面Ｐ３、及び面Ｐ４によって囲まれた領域が、開口ＯＰ１に相当する。また、空間Ｓ１のＹ方向の両端は、塞がれていない。
【0050】
【0051】
図５に示すように、リードフレーム１０は、屈曲部１０ｂによって、接合部１０ｃの表面が基部１０ａの表面よりも上方に位置するように屈曲されている。リードフレーム１０の上に、チップ１１が設けられている。チップ１１の上に、電極１２ａが設けられている。電極１２ａの上に、接合部材１３が設けられている。接合部材１３の上に、接合端子１４が設けられている。
【0052】
リードフレーム２０の上に、チップ２１が設けられている。チップ２１の上に、電極２２ａが設けられている。電極２２ａの上に、接合部材２３が設けられている。接合部材２３の上に、接合端子２４が設けられている。接合端子２４は、屈曲部２４ｂ及び２４ｆによって、ブリッジ部２４ｃの表面が基部１０ａの表面、及び接合部２４ｈの表面よりも上方に位置するように屈曲されている。
【0053】
接合部１０ｃの上に、接合部２４ｈが設けられている。接合部２４ｈは、接合部材２７により接合部１０ｃと接合される。
【0054】
リードフレーム１０、チップ１１、電極１２ａ、接合部材１３、接合端子１４、リードフレーム２０、チップ２１、電極２２ａ、接合部材２３、及び接合端子２４は、樹脂３０で覆われている。空間Ｓ１には、樹脂３０が埋め込まれている。
【0055】
１．２ 半導体装置の製造方法
半導体装置１の製造方法について説明する。本実施形態では、１つのリードフレームに複数の半導体装置１が形成される。樹脂３０の形成前には、１つのリードフレームに、図２に示す半導体装置１の内部の構成要素（以下、「構成要素群」とも表記する）がマトリクス状に配列される。これらの複数の構成要素群を樹脂３０で封止する。以下では、樹脂３０の形成工程について、図６を用いて説明する。図６は、樹脂３０の形成工程を説明する図である。図６の例では、リードフレーム４０に設けられたＸ方向に１列に並ぶ複数の構成要素群に対して、金型５０を用いて樹脂３０を形成する方式（トランスファー方式）が示されている。
半導体装置１の製造方法について説明する。本実施形態では、１つのリードフレームに複数の半導体装置１が形成される。樹脂３０の形成前には、１つのリードフレームに、図２に示す半導体装置１の内部の構成要素（以下、「構成要素群」とも表記する）がマトリクス状に配列される。これらの複数の構成要素群を樹脂３０で封止する。以下では、樹脂３０の形成工程について、図６を用いて説明する。図６は、樹脂３０の形成工程を説明する図である。図６の例では、リードフレーム４０に設けられたＸ方向に１列に並ぶ複数の構成要素群に対して、金型５０を用いて樹脂３０を形成する方式（トランスファー方式）が示されている。
【0056】
図６に示すように、金型５０の注入口から樹脂３０が注入される。樹脂３０は、Ｘ方向（図６の紙面左側から図６の紙面右側に向かう方向）に、金型５０の注入口から金型５０の末端まで流れる。これにより、金型５０の注入口と金型５０の末端との間において、リードフレーム４０に設けられた複数の構成要素群が樹脂３０によって封止される。
【0057】
樹脂３０の形成後、リードフレーム４０が切断及び除去され、複数の半導体装置１が形成される。
【0058】
樹脂３０の形成時の樹脂３０の流れについて、図７を用いて説明する。図７は、樹脂３０の流れを説明する図である。図７の例では、図２に示す半導体装置１の構成要素群に対して注入された樹脂３０が空間Ｓ１に向かう流れが矢印で示されている。
【0059】
図７に示すように、樹脂３０は、Ｘ方向（リードフレーム１０側）から注入される。樹脂３０は、突出部２４ｄを外側に迂回して進み、空間Ｓ１に流れ込む。樹脂３０は、突出部２４ｅを外側に迂回して進み、空間Ｓ１に流れ込む。樹脂３０は、端子部Ｔ２と端子部Ｔ３とにより形成される開口ＯＰ１を通って下方に進み、空間Ｓ１に流れ込む。
【0060】
１．３ 本実施形態に係る効果
本実施形態に係る構成であれば、半導体装置の歩留りを向上できる。以下、本効果について説明する。
本実施形態に係る構成であれば、半導体装置の歩留りを向上できる。以下、本効果について説明する。
【0061】
接合端子２４の端子部Ｔ３の端部が、リードフレーム１０の端子部Ｔ２の上面に形成された接合部材２７により端子部Ｔ２と接合される構成では、端子部Ｔ２の上面に形成される接合部材２７の面積（端子部Ｔ２及びＴ３と接する接合部材２７の面積）が大きいほど、接合部材２７の残留応力が大きくなる。このため、端子部Ｔ２の上面に形成される接合部材２７の面積に応じて、接合部材２７の残留応力により、端子部Ｔ２と端子部Ｔ３との接合部分のひずみが大きくなる可能性がある。また、接合部分における端子部Ｔ２と端子部Ｔ３との剥がれが発生する可能性がある。
【0062】
これに対し、本実施形態では、端子部Ｔ２は、接合端子２４側に突出した突出部１０ｄ及び１０ｅを含む。突出部１０ｄと突出部１０ｅとは、互いにＹ方向に離間している。端子部Ｔ３は、リードフレーム１０側に突出した突出部２４ｄ及び２４ｅを含む。突出部２４ｄと突出部２４ｅとは、互いにＹ方向に離間している。
【0063】
端子部Ｔ３の突出部２４ｄの端部は、端子部Ｔ２の突出部１０ｄの上面に形成された接合部材２７により突出部１０ｄと接合される。このため、突出部１０ｄの上面に形成される接合部材２７の面積は、端子部Ｔ３が突出部を有しない場合に端子部Ｔ２の上面に形成される接合部材２７の面積と比べて小さくなる。これにより、突出部１０ｄの上面に形成された接合部材２７の残留応力が、端子部Ｔ３が突出部を有しない場合に端子部Ｔ２の上面に形成された接合部材２７の残留応力と比べて小さくなる。
【0064】
端子部Ｔ３の突出部２４ｅの端部は、端子部Ｔ２の突出部１０ｅの上面に形成された接合部材２７により突出部１０ｅと接合される。このため、突出部１０ｅの上面に形成される接合部材２７の面積は、端子部Ｔ３が突出部を有しない場合に端子部Ｔ２の上面に形成される接合部材２７の面積と比べて小さくなる。これにより、突出部１０ｅの上面に形成された接合部材２７の残留応力が、端子部Ｔ３が突出部を有しない場合に端子部Ｔ２の上面に形成された接合部材２７の残留応力と比べて小さくなる。
【0065】
よって、端子部Ｔ２と端子部Ｔ３との接合部分のひずみを抑制できるとともに、接合部分における端子部Ｔ２と端子部Ｔ３との剥がれの発生を抑制できる。
【0066】
樹脂３０が注入される方向に沿って端子部Ｔ２及びＴ３が延びており、端子部Ｔ３の端部が端子部Ｔ２の上に接合される構成では、樹脂３０は、端子部Ｔ３を外側に迂回して進み、空間Ｓ１に流れ込む。しかしながら、樹脂３０が注入される方向に沿って延びる端子部Ｔ２及びＴ３によって樹脂３０の流れが阻害され、空間Ｓ１内のボイドや空間Ｓ１への樹脂３０の未充填が発生する可能性がある。
【0067】
これに対し、本実施形態では、端子部Ｔ２の突出部１０ｄの上に、端子部Ｔ３の突出部２４ｄの端部が設けられている。端子部Ｔ２の突出部１０ｅの上に、端子部Ｔ３の突出部２４ｅの端部が設けられている。端子部Ｔ３の、突出部２４ｄと突出部２４ｅとに挟まれ、且つリードフレーム１０に向かう面Ｐ２は、端子部Ｔ２の、突出部１０ｄと突出部１０ｅとに挟まれ、且つリードフレーム２０に向かう面Ｐ１よりも、リードフレーム２０側に位置している。換言すると、半導体装置１は、端子部Ｔ２と端子部Ｔ３とにより形成される開口ＯＰ１を有している。このため、樹脂３０の形成工程において、樹脂３０は、突出部２４ｄ及び２４ｅを外側に迂回して進み、空間Ｓ１に流れ込むだけでなく、開口ＯＰ１を通って下方に進み、空間Ｓ１に流れ込む。よって、樹脂３０の充填性を向上できる。これにより、例えば、硬化時間が比較的短い樹脂を樹脂３０として利用することができる。
【0068】
端子部Ｔ２を覆う樹脂３０の面積（端子部Ｔ２と接する樹脂３０の面積）が大きいほど、熱による端子部Ｔ２の延びと樹脂３０の延びとの差が大きくなる。このため、端子部Ｔ２を覆う樹脂３０の面積に応じて、熱により、端子部Ｔ２と樹脂３０との剥がれが発生する可能性がある。端子部Ｔ３についても同様に、端子部Ｔ３を覆う樹脂３０の面積（端子部Ｔ３と接する樹脂３０の面積）に応じて、熱により、端子部Ｔ３と樹脂３０との剥がれが発生する可能性がある。
【0069】
これに対し、本実施形態では、半導体装置１は、端子部Ｔ２と端子部Ｔ３とにより形成される開口ＯＰ１を有している。このため、端子部Ｔ２を覆う樹脂３０の面積は、開口が形成されない場合に端子部Ｔ２を覆う樹脂３０の面積と比べて小さくなる。これにより、熱による端子部Ｔ２の延びと樹脂３０の延びとの差は、開口が形成されない場合の熱による端子部Ｔ２の延びと樹脂３０の延びとの差と比べて小さくなる。端子部Ｔ３を覆う樹脂３０の面積は、開口が形成されない場合に端子部Ｔ３を覆う樹脂３０の面積と比べて小さくなる。これにより、熱による端子部Ｔ３の延びと樹脂３０の延びとの差は、開口が形成されない場合の熱による端子部Ｔ３の延びと樹脂３０の延びとの差と比べて小さくなる。よって、端子部Ｔ２と樹脂３０との剥がれ、及び端子部Ｔ３と樹脂３０との剥がれを抑制できる。
【0070】
１．４ 第１変形例
第１実施形態の第１変形例に係る半導体装置について説明する。第１実施形態の第１変形例に係る半導体装置１では、リードフレーム１０の端子部Ｔ２の形状が第１実施形態と異なる。以下の説明では、第１実施形態と同様の構成については説明を省略し、第１実施形態と異なる構成について主に説明する。
第１実施形態の第１変形例に係る半導体装置について説明する。第１実施形態の第１変形例に係る半導体装置１では、リードフレーム１０の端子部Ｔ２の形状が第１実施形態と異なる。以下の説明では、第１実施形態と同様の構成については説明を省略し、第１実施形態と異なる構成について主に説明する。
【0071】
１．４．１ 半導体装置の構成
本変形例に係る半導体装置１の構成について、図８を用いて説明する。図８は、半導体装置１の内部構成の一部を示す斜視図（第１実施形態の図４に対応する図）である。なお、図８の例では、電極２２は省略されている。
本変形例に係る半導体装置１の構成について、図８を用いて説明する。図８は、半導体装置１の内部構成の一部を示す斜視図（第１実施形態の図４に対応する図）である。なお、図８の例では、電極２２は省略されている。
【0072】
図８に示すように、端子部Ｔ２は、上面視で、例えば、略矩形の形状を有する。端子部Ｔ２の接合端子２４側の端部は、２つ以上に分かれていない。
【0073】
突出部２４ｄの端部は、端子部Ｔ２の上に接合される。より詳細には、突出部２４ｄの端部は、端子部Ｔ２の上面に形成された接合部材２７により端子部Ｔ２と接合される。突出部２４ｅの端部は、端子部Ｔ２の上に接合される。より詳細には、突出部２４ｅの端部は、端子部Ｔ２の上面に形成された接合部材２７により端子部Ｔ２と接合される。すなわち、端子部Ｔ３と端子部Ｔ２とは、２つの接合面で接合される。
【0074】
端子部Ｔ３の端面（端子部Ｔ３の、突出部２４ｄと突出部２４ｅとに挟まれ、且つリードフレーム１０に向かう面Ｐ２）は、端子部Ｔ２の端面（端子部Ｔ２の、リードフレーム２０に向かう面（以下、「面Ｐ５」とも表記する））よりも、リードフレーム２０側に位置している。
【0075】
上記構造により、空間Ｓ１の上方は、端子部Ｔ２及びＴ３によって塞がれていない。半導体装置１は、面Ｐ２、面Ｐ３、面Ｐ４、及び面Ｐ５によって囲まれた領域を有する。換言すると、端子部Ｔ２と端子部Ｔ３とにより（端子部Ｔ２、突出部２４ｄ、及び突出部２４ｅにより）、開口ＯＰ１が形成されている。すなわち、半導体装置１は、端子部Ｔ２と端子部Ｔ３とにより形成される開口ＯＰ１を有している。面Ｐ２、面Ｐ３、面Ｐ４、及び面Ｐ５によって囲まれた領域が、開口ＯＰ１に相当する。また、空間Ｓ１のＹ方向の両端は、塞がれていない。
【0076】
１．４．２ 本変形例に係る効果
本変形例によれば、第１実施形態と同様の効果を奏する。
本変形例によれば、第１実施形態と同様の効果を奏する。
【0077】
１．５ 第２変形例
第１実施形態の第２変形例に係る半導体装置について説明する。第１実施形態の第２変形例に係る半導体装置１では、接合端子２４の端子部Ｔ３の形状が第１実施形態と異なる。以下の説明では、第１実施形態と同様の構成については説明を省略し、第１実施形態と異なる構成について主に説明する。
第１実施形態の第２変形例に係る半導体装置について説明する。第１実施形態の第２変形例に係る半導体装置１では、接合端子２４の端子部Ｔ３の形状が第１実施形態と異なる。以下の説明では、第１実施形態と同様の構成については説明を省略し、第１実施形態と異なる構成について主に説明する。
【0078】
１．５．１ 半導体装置の構成
本変形例に係る半導体装置１の構成について、図９を用いて説明する。図９は、半導体装置１の内部構成の一部を示す斜視図（第１実施形態の図４に対応する図）である。なお、図９の例では、電極２２は省略されている。
本変形例に係る半導体装置１の構成について、図９を用いて説明する。図９は、半導体装置１の内部構成の一部を示す斜視図（第１実施形態の図４に対応する図）である。なお、図９の例では、電極２２は省略されている。
【0079】
図９に示すように、端子部Ｔ３は、上面視で、例えば、略矩形の形状を有する。端子部Ｔ３は、屈曲部２４ｂ、ブリッジ部２４ｃ、屈曲部２４ｊ、及び接合部２４ｋを含む。
【0080】
接合端子２４は、例えば、基部２４ａと屈曲部２４ｂとの境界で上方に屈曲し、屈曲部２４ｂとブリッジ部２４ｃとの境界でＸ方向に屈曲する。接合端子２４は、例えば、ブリッジ部２４ｃと屈曲部２４ｊとの境界で下方に屈曲し、屈曲部２４ｊと接合部２４ｋとの境界でＸ方向に屈曲する。基部２４ａの表面と、ブリッジ部２４ｃの表面と、接合部２４ｋの表面とは、略平行である。ブリッジ部２４ｃの表面は、基部２４ａの表面、及び接合部２４ｋの表面よりも上方に位置する。換言すると、接合端子２４は、Ｘ方向に段差を有する。
【0081】
端子部Ｔ３のリードフレーム１０側の端部は、２つ以上に分かれていない。
【0082】
端子部Ｔ３の端部は、突出部１０ｄの上に接合される。より詳細には、端子部Ｔ３の端部は、突出部１０ｄの上面に形成された接合部材２７により突出部１０ｄと接合される。端子部Ｔ３の端部は、突出部１０ｅの上に接合される。より詳細には、端子部Ｔ３の端部は、突出部１０ｅの上面に形成された接合部材２７により突出部１０ｅと接合される。すなわち、端子部Ｔ３と端子部Ｔ２とは、２つの接合面で接合される。
【0083】
端子部Ｔ３の端面（端子部Ｔ３の、リードフレーム１０に向かう面（以下、「面Ｐ６」とも表記する））は、端子部Ｔ２の端面（端子部Ｔ２の、突出部１０ｄと突出部１０ｅとに挟まれ、且つリードフレーム２０に向かう面Ｐ１）よりも、リードフレーム２０側に位置している。
【0084】
上記構造により、空間Ｓ１の上方は、端子部Ｔ２及びＴ３によって塞がれていない。突出部１０ｄの、突出部１０ｅに向かう面を「面Ｐ７」、突出部１０ｅの、突出部１０ｄに向かう面を「面Ｐ８」とすると、半導体装置１は、面Ｐ１、面Ｐ６、面Ｐ７、及び面Ｐ８によって囲まれた領域を有する。換言すると、端子部Ｔ２と端子部Ｔ３とにより（突出部１０ｄ、突出部１０ｅ、及び端子部Ｔ３により）、開口ＯＰ１が形成されている。すなわち、半導体装置１は、端子部Ｔ２と端子部Ｔ３とにより形成される開口ＯＰ１を有している。面Ｐ１、面Ｐ６、面Ｐ７、及び面Ｐ８によって囲まれた領域が、開口ＯＰ１に相当する。また、空間Ｓ１のＹ方向の両端は、塞がれていない。
【0085】
１．５．２ 本変形例に係る効果
本変形例によれば、第１実施形態と同様の効果を奏する。
本変形例によれば、第１実施形態と同様の効果を奏する。
【0086】
２．第２実施形態
第２実施形態に係る半導体装置について説明する。第２実施形態に係る半導体装置１では、内部の構成が第１実施形態と異なる。以下の説明では、第１実施形態と同様の構成については説明を省略し、第１実施形態と異なる構成について主に説明する。
第２実施形態に係る半導体装置について説明する。第２実施形態に係る半導体装置１では、内部の構成が第１実施形態と異なる。以下の説明では、第１実施形態と同様の構成については説明を省略し、第１実施形態と異なる構成について主に説明する。
【0087】
２．１ 半導体装置の構成
本実施形態に係る半導体装置１の構成について、図１０及び図１１を用いて説明する。図１０は、半導体装置１の構成の一例を示す平面図である。なお、図１０の例では、樹脂は実線で示されている。樹脂によって覆われる内部の構成要素は、破線で示されている。樹脂の外側は、実線で示されている。図１１は、半導体装置１の内部構成の一例を示す平面図である。なお、図１１の例では、樹脂は省略されている。
本実施形態に係る半導体装置１の構成について、図１０及び図１１を用いて説明する。図１０は、半導体装置１の構成の一例を示す平面図である。なお、図１０の例では、樹脂は実線で示されている。樹脂によって覆われる内部の構成要素は、破線で示されている。樹脂の外側は、実線で示されている。図１１は、半導体装置１の内部構成の一例を示す平面図である。なお、図１１の例では、樹脂は省略されている。
【0088】
図１０に示すように、半導体装置１は、リードフレーム１０、チップ１１、電極１２、電極１２ａ、接合部材１３、接合端子１４、電極端子１５、配線１６、電極端子１７、及び樹脂３０を含む。
【0089】
樹脂３０は、リードフレーム１０の一部、チップ１１、電極１２、電極１２ａ、接合部材１３、接合端子１４、電極端子１５の一部、配線１６、電極端子１７の一部を覆っている。
【0090】
図１１に示すように、リードフレーム１０は、例えば、板状の形状を有する。リードフレーム１０の電極端子１７とは反対側の端部は、Ｙ方向に延びている。
【0091】
チップ１１は、リードフレーム１０の上に設けられる。
【0092】
電極１２ａは、上面視で（図１１の紙面上側から見たときに）、例えば、略Ｌ字型の形状を有する。電極１２ａは、チップ１１の上に設けられる。
【0093】
接合部材１３は、上面視で、例えば、略Ｌ字型の形状を有する。接合部材１３は、電極１２ａの上に設けられる。接合部材１３は、電極１２ａと接合端子１４とを電気的に接続する。
【0094】
接合端子１４は、上面視で、例えば、略Ｌ字型の形状を有する。接合端子１４は、接合部材１３の上に設けられる。接合端子１４の詳細については後述する。
【0095】
電極端子１７は、電極端子１５とＸ方向に離間して設けられる。電極端子１７は、リードフレーム１０とＹ方向に離間して設けられる。電極端子１７のリードフレーム１０とは反対側の端部は、Ｙ方向に延びている。電極端子１７の詳細については後述する。
【0096】
接合端子１４の詳細について、図１２を用いて説明する。図１２は、半導体装置１の内部構成の一部を示す拡大図（図１１の領域Ｒ２の拡大図）である。なお、図１２の例では、チップ１１、電極１２及び１２ａ、並びに接合部材１３は、省略されている。
【0097】
図１２に示すように、接合端子１４は、基部１４ａ及び端子部Ｔ１を含む。端子部Ｔ１は、接合端子１４の電極端子１７側の端部に設けられる。端子部Ｔ１は、電極端子１７側に延びる。端子部Ｔ１は、上面視で、例えば、略Ｙ字型の形状を有する。端子部Ｔ１は、屈曲部１４ｂ、ブリッジ部１４ｃ、屈曲部１４ｆ及び１４ｇ、並びに接合部１４ｈ及び１４ｉを含む。
【0098】
接合端子１４は、例えば、基部１４ａと屈曲部１４ｂとの境界で上方に屈曲し、屈曲部１４ｂとブリッジ部１４ｃとの境界でＹ方向に屈曲する。接合端子１４は、例えば、ブリッジ部１４ｃと屈曲部１４ｆとの境界で下方に屈曲し、屈曲部１４ｆと接合部１４ｈとの境界でＹ方向に屈曲する。接合端子１４は、例えば、ブリッジ部１４ｃと屈曲部１４ｇとの境界で下方に屈曲し、屈曲部１４ｇと接合部１４ｉとの境界でＹ方向に屈曲する。基部１４ａの表面と、ブリッジ部１４ｃの表面と、接合部１４ｈの表面と、接合部１４ｉの表面とは、略平行である。ブリッジ部１４ｃの表面は、基部１４ａの表面、接合部１４ｈの表面、及び接合部１４ｉの表面よりも上方に位置する。換言すると、接合端子１４は、Ｙ方向に段差を有する。
【0099】
端子部Ｔ１は、電極端子１７側に突出した突出部１４ｄ２及び１４ｅ２を含む。換言すると、端子部Ｔ１の電極端子１７側の端部は、２つに分かれている。突出部１４ｄ２と突出部１４ｅ２とは、互いにＸ方向に離間している。突出部１４ｄ２は、ブリッジ部１４ｃの一部、屈曲部１４ｆ、及び接合部１４ｈを含む。突出部１４ｅ２は、ブリッジ部１４ｃの一部、屈曲部１４ｇ、及び接合部１４ｉを含む。なお、端子部Ｔ１は、３個以上の突出部を含んでもよい。この場合、これらの突出部は、互いにＸ方向に離間する。
【0100】
電極端子１７の詳細について、図１２を用いて説明する。
【0101】
図１２に示すように、電極端子１７は、上面視で、例えば、略Ｕ字型の形状を有する。電極端子１７は、基部１７ａ、屈曲部１７ｂ、及び接合部１７ｃを含む。
【0102】
電極端子１７は、例えば、基部１７ａと屈曲部１７ｂとの境界で上方に屈曲し、屈曲部１７ｂと接合部１７ｃとの境界でＹ方向に屈曲する。基部１７ａの表面と、接合部１７ｃの表面とは、略平行である。接合部１７ｃの表面は、基部１７ａの表面よりも上方に位置する。換言すると、電極端子１７は、Ｙ方向に段差を有する。
【0103】
電極端子１７は、接合端子１４側（リードフレーム１０側）に突出した突出部１７ｄ及び１７ｅを含む。換言すると、電極端子１７の接合端子１４側の端部は、２つに分かれている。突出部１７ｄと突出部１７ｅとは、互いにＸ方向に離間している。なお、電極端子１７は、３個以上の突出部を含んでもよい。この場合、これらの突出部は、互いにＸ方向に離間する。
【0104】
図１２に示すように、端子部Ｔ１の端部は、電極端子１７の上に設けられる。より詳細には、端子部Ｔ１の接合部１４ｈは、電極端子１７の接合部１７ｃの上に接合される。端子部Ｔ１の接合部１４ｉは、電極端子１７の接合部１７ｃの上に接合される。換言すると、端子部Ｔ１の突出部１４ｄ２の端部は、電極端子１７の突出部１７ｄの上に接合される。端子部Ｔ１の突出部１４ｅ２の端部は、電極端子１７の突出部１７ｅの上に接合される。すなわち、端子部Ｔ１と電極端子１７とは、２つの接合面で接合される。以下、接合面、接合面に接する端子部Ｔ１の端部、及び接合面に接する電極端子１７の端部を合わせて「接合部分」と表記する。これにより、端子部Ｔ１は、電極端子１７と電気的に接続される。換言すると、接合端子１４は、端子部Ｔ１を介して電極端子１７と電気的に接続される。
【0105】
なお、図１１に示されるリードフレーム１０、並びに電極端子１５及び１７は、例えば、図示せぬリードフレームの一部であり、製造工程において、図示せぬリードフレームが切断及び除去されることにより残った部分である。
【0106】
【0107】
図１３に示すように、突出部１７ｄの上に、突出部１４ｄ２の端部が設けられている。突出部１４ｄ２の端部は、突出部１７ｄの上面に形成された接合部材１８により突出部１７ｄと接合される。接合部材１８は、例えば、半田である。接合部材１８は、端子部Ｔ１と電極端子１７とを電気的に接続する。突出部１７ｅの上に、突出部１４ｅ２の端部が設けられている。突出部１４ｅ２の端部は、突出部１７ｅの上面に形成された接合部材１８により突出部１７ｅと接合される。
【0108】
端子部Ｔ１の端面（端子部Ｔ１の、突出部１４ｄ２と突出部１４ｅ２とに挟まれ、且つ電極端子１７に向かう面（以下、「面Ｐ９」とも表記する））は、電極端子１７の端面（電極端子１７の、突出部１７ｄと突出部１７ｅとに挟まれ、且つリードフレーム１０に向かう面（以下、「面Ｐ１０」とも表記する））よりも、リードフレーム１０側に位置している。
【0109】
上記構造により、電極端子１７、接合部材１８、端子部Ｔ１、接合部材１３、電極１２ａ、チップ１１、並びにリードフレーム１０で囲まれた空間（以下、「空間Ｓ２」とも表記する）の上方は、端子部Ｔ１及び電極端子１７によって塞がれていない。突出部１４ｄ２の、突出部１４ｅ２に向かう面を「面Ｐ１１」、突出部１４ｅ２の、突出部１４ｄ２に向かう面を「面Ｐ１２」とすると、半導体装置１は、面Ｐ９、面Ｐ１０、面Ｐ１１、及び面Ｐ１２によって囲まれた領域を有する。換言すると、端子部Ｔ１と電極端子１７とにより（突出部１４ｄ２、突出部１４ｅ２、突出部１７ｄ、及び突出部１７ｅにより）、開口（以下、「開口ＯＰ２」とも表記する）が形成されている。すなわち、半導体装置１は、端子部Ｔ１と電極端子１７とにより形成される開口ＯＰ２を有している。面Ｐ９、面Ｐ１０、面Ｐ１１、及び面Ｐ１２によって囲まれた領域が、開口ＯＰ２に相当する。また、空間Ｓ２のＸ方向の両端は、塞がれていない。
【0110】
【0111】
図１４に示すように、電極端子１７は、屈曲部１７ｂによって、接合部１７ｃの表面が基部１７ａの表面よりも上方に位置するように屈曲されている。
【0112】
リードフレーム１０の上に、チップ１１が設けられている。チップ１１の上に、電極１２ａが設けられている。電極１２ａの上に、接合部材１３が設けられている。接合部材１３の上に、接合端子１４が設けられている。接合端子１４は、屈曲部１４ｂ及び１４ｇによって、ブリッジ部１４ｃの表面が基部１４ａの表面、及び接合部１４ｉの表面よりも上方に位置するように屈曲されている。
【0113】
接合部１７ｃの上に、接合部１４ｉが設けられている。接合部１４ｉは、接合部材１８により接合部１７ｃと接合される。
【0114】
リードフレーム１０、チップ１１、電極１２ａ、接合部材１３、接合端子１４、及び電極端子１７は、樹脂３０で覆われている。空間Ｓ２には、樹脂３０が埋め込まれている。
【0115】
２．２ 本実施形態に係る効果
本実施形態では、端子部Ｔ１は、第１実施形態の端子部Ｔ３と同様の構成を有する。電極端子１７は、第１実施形態の端子部Ｔ２と同様の構成を有する。端子部Ｔ１と電極端子１７とは、第１実施形態の端子部Ｔ２と端子部Ｔ３との接合と同様に接合される。よって、第１実施形態と同様に、端子部Ｔ１と電極端子１７との接合部分のひずみを抑制できるとともに、接合部分における端子部Ｔ１と電極端子１７との剥がれの発生を抑制できる。
本実施形態では、端子部Ｔ１は、第１実施形態の端子部Ｔ３と同様の構成を有する。電極端子１７は、第１実施形態の端子部Ｔ２と同様の構成を有する。端子部Ｔ１と電極端子１７とは、第１実施形態の端子部Ｔ２と端子部Ｔ３との接合と同様に接合される。よって、第１実施形態と同様に、端子部Ｔ１と電極端子１７との接合部分のひずみを抑制できるとともに、接合部分における端子部Ｔ１と電極端子１７との剥がれの発生を抑制できる。
【0116】
また、本実施形態では、半導体装置１は、端子部Ｔ１と電極端子１７とにより形成される開口ＯＰ２を有している。このため、樹脂３０の形成工程において、樹脂３０がＸ方向から注入されると、樹脂３０は、空間Ｓ２に直接流れ込むだけでなく、開口ＯＰ２を通って下方に進み、空間Ｓ２に流れ込む。よって、第１実施形態と同様に、樹脂３０の充填性を向上できる。
【0117】
更に、本実施形態では、第１実施形態と同様に、端子部Ｔ１と樹脂３０との剥がれ、及び電極端子１７と樹脂３０との剥がれを抑制できる。
【0118】
以上から、本実施形態に係る構成であれば、第１実施形態と同様に、半導体装置の歩留りを向上できる。
【0119】
２．３ 第１変形例
第２実施形態の第１変形例に係る半導体装置について説明する。第２実施形態の第１変形例に係る半導体装置１では、電極端子１７の形状が第２実施形態と異なる。以下の説明では、第２実施形態と同様の構成については説明を省略し、第２実施形態と異なる構成について主に説明する。
第２実施形態の第１変形例に係る半導体装置について説明する。第２実施形態の第１変形例に係る半導体装置１では、電極端子１７の形状が第２実施形態と異なる。以下の説明では、第２実施形態と同様の構成については説明を省略し、第２実施形態と異なる構成について主に説明する。
【0120】
２．３．１ 半導体装置の構成
本変形例に係る半導体装置１の構成について、図１５を用いて説明する。図１５は、半導体装置１の内部構成の一部を示す斜視図（第２実施形態の図１３に対応する図）である。なお、図１５の例では、電極１２は省略されている。
本変形例に係る半導体装置１の構成について、図１５を用いて説明する。図１５は、半導体装置１の内部構成の一部を示す斜視図（第２実施形態の図１３に対応する図）である。なお、図１５の例では、電極１２は省略されている。
【0121】
図１５に示すように、電極端子１７は、上面視で、例えば、略矩形の形状を有する。電極端子１７の接合端子１４側の端部は、２つ以上に分かれていない。
【0122】
突出部１４ｄ２の端部は、電極端子１７の上に接合される。より詳細には、突出部１４ｄ２の端部は、電極端子１７の上面に形成された接合部材１８により電極端子１７と接合される。突出部１４ｅ２の端部は、電極端子１７の上に接合される。より詳細には、突出部１４ｅ２の端部は、電極端子１７の上面に形成された接合部材１８により電極端子１７と接合される。すなわち、端子部Ｔ１と電極端子１７とは、２つの接合面で接合される。
【0123】
端子部Ｔ１の端面（端子部Ｔ１の、突出部１４ｄ２と突出部１４ｅ２とに挟まれ、且つ電極端子１７に向かう面Ｐ９）は、電極端子１７の端面（電極端子１７の、リードフレーム１０に向かう面（以下、「面Ｐ１３」とも表記する））よりも、リードフレーム１０側に位置している。
【0124】
上記構造により、空間Ｓ２の上方は、端子部Ｔ１及び電極端子１７によって塞がれていない。半導体装置１は、面Ｐ９、面Ｐ１１、面Ｐ１２、及び面Ｐ１３によって囲まれた領域を有する。換言すると、端子部Ｔ１と電極端子１７とにより（突出部１４ｄ２、突出部１４ｅ２、及び電極端子１７により）、開口ＯＰ２が形成されている。すなわち、半導体装置１は、端子部Ｔ１と電極端子１７とにより形成される開口ＯＰ２を有している。面Ｐ９、面Ｐ１１、面Ｐ１２、及び面Ｐ１３によって囲まれた領域が、開口ＯＰ２に相当する。また、空間Ｓ２のＸ方向の両端は、塞がれていない。
【0125】
２．３．２ 本変形例に係る効果
本変形例によれば、第２実施形態と同様の効果を奏する。
本変形例によれば、第２実施形態と同様の効果を奏する。
【0126】
２．４ 第２変形例
第２実施形態の第２変形例に係る半導体装置について説明する。第２実施形態の第２変形例に係る半導体装置１では、接合端子１４の端子部Ｔ１の形状が第２実施形態と異なる。以下の説明では、第２実施形態と同様の構成については説明を省略し、第２実施形態と異なる構成について主に説明する。
第２実施形態の第２変形例に係る半導体装置について説明する。第２実施形態の第２変形例に係る半導体装置１では、接合端子１４の端子部Ｔ１の形状が第２実施形態と異なる。以下の説明では、第２実施形態と同様の構成については説明を省略し、第２実施形態と異なる構成について主に説明する。
【0127】
２．４．１ 半導体装置の構成
本変形例に係る半導体装置１の構成について、図１６を用いて説明する。図１６は、半導体装置１の内部構成の一部を示す斜視図（第２実施形態の図１３に対応する図）である。なお、図１６の例では、電極１２は省略されている。
本変形例に係る半導体装置１の構成について、図１６を用いて説明する。図１６は、半導体装置１の内部構成の一部を示す斜視図（第２実施形態の図１３に対応する図）である。なお、図１６の例では、電極１２は省略されている。
【0128】
図１６に示すように、端子部Ｔ１は、上面視で、例えば、略矩形の形状を有する。端子部Ｔ１は、屈曲部１４ｂ、ブリッジ部１４ｃ、屈曲部１４ｊ、及び接合部１４ｋを含む。
【0129】
接合端子１４は、例えば、基部１４ａと屈曲部１４ｂとの境界で上方に屈曲し、屈曲部１４ｂとブリッジ部１４ｃとの境界でＹ方向に屈曲する。接合端子１４は、例えば、ブリッジ部１４ｃと屈曲部１４ｊとの境界で下方に屈曲し、屈曲部１４ｊと接合部１４ｋとの境界でＹ方向に屈曲する。基部１４ａの表面と、ブリッジ部１４ｃの表面と、接合部１４ｋの表面とは、略平行である。ブリッジ部１４ｃの表面は、基部１４ａの表面、及び接合部１４ｋの表面よりも上方に位置する。換言すると、接合端子１４は、Ｙ方向に段差を有する。
【0130】
端子部Ｔ１の電極端子１７側の端部は、２つ以上に分かれていない。
【0131】
端子部Ｔ１の端部は、突出部１７ｄの上に接合される。より詳細には、端子部Ｔ１の端部は、突出部１７ｄの上面に形成された接合部材１８により突出部１７ｄと接合される。端子部Ｔ１の端部は、突出部１７ｅの上に接合される。より詳細には、端子部Ｔ１の端部は、突出部１７ｅの上面に形成された接合部材１８により突出部１７ｅと接合される。すなわち、端子部Ｔ１と電極端子１７とは、２つの接合面で接合される。
【0132】
端子部Ｔ１の端面（端子部Ｔ１の、電極端子１７に向かう面（以下、「面Ｐ１４」とも表記する））は、電極端子１７の端面（電極端子１７の、突出部１７ｄと突出部１７ｅとに挟まれ、且つリードフレーム１０に向かう面Ｐ１０）よりも、リードフレーム１０側に位置している。
【0133】
上記構造により、空間Ｓ２の上方は、端子部Ｔ１及び電極端子１７によって塞がれていない。突出部１７ｄの、突出部１７ｅに向かう面を「面Ｐ１５」、突出部１７ｅの、突出部１７ｄに向かう面を「面Ｐ１６」とすると、半導体装置１は、面Ｐ１０、面Ｐ１４、面Ｐ１５、及び面Ｐ１６によって囲まれた領域を有する。換言すると、端子部Ｔ１と電極端子１７とにより（端子部Ｔ１、突出部１７ｄ、及び突出部１７ｅにより）、開口ＯＰ２が形成されている。すなわち、半導体装置１は、端子部Ｔ１と電極端子１７とにより形成される開口ＯＰ２を有している。面Ｐ１０、面Ｐ１４、面Ｐ１５、及び面Ｐ１６によって囲まれた領域が、開口ＯＰ２に相当する。また、空間Ｓ２のＸ方向の両端は、塞がれていない。
【0134】
２．４．２ 本変形例に係る効果
本変形例によれば、第２実施形態と同様の効果を奏する。
本変形例によれば、第２実施形態と同様の効果を奏する。
【0135】
３．変形例等
上記のように、実施形態に係る半導体装置(1)は、第１フレーム(10)と、第１フレームの上に設けられる第１チップ(11)と、第１フレームと第１方向(X)に離間する第２フレーム(20)と、第２フレームの上に設けられる第２チップ(21)と、第２チップの上方に設けられ、第２チップと電気的に接続される第１接合端子(24)とを備える。第１フレーム(10)は、第２フレーム(20)側に延びる第１端子部(T2)を含む。第１接合端子(24)は、第１フレーム(10)側に延びる第２端子部(T3)を含む。第２端子部(T3)は、各々が第１フレーム(10)側に突出し、且つ互いに第１方向(X)と交差する第２方向(Y)に離間する第１突出部(24d)と第２突出部(24e)とを含む。第１突出部(24d)の端部及び第２突出部(24e)の端部は、第１端子部(T2)の上にそれぞれ接合される。
上記のように、実施形態に係る半導体装置(1)は、第１フレーム(10)と、第１フレームの上に設けられる第１チップ(11)と、第１フレームと第１方向(X)に離間する第２フレーム(20)と、第２フレームの上に設けられる第２チップ(21)と、第２チップの上方に設けられ、第２チップと電気的に接続される第１接合端子(24)とを備える。第１フレーム(10)は、第２フレーム(20)側に延びる第１端子部(T2)を含む。第１接合端子(24)は、第１フレーム(10)側に延びる第２端子部(T3)を含む。第２端子部(T3)は、各々が第１フレーム(10)側に突出し、且つ互いに第１方向(X)と交差する第２方向(Y)に離間する第１突出部(24d)と第２突出部(24e)とを含む。第１突出部(24d)の端部及び第２突出部(24e)の端部は、第１端子部(T2)の上にそれぞれ接合される。
【0136】
なお、実施形態は上記説明した形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【0137】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【0138】
１…半導体装置、１０…リードフレーム、１１…チップ、１２…電極、１２ａ…電極、１３…接合部材、１４…接合端子、１５…電極端子、１６…配線、１７…電極端子、１８…接合部材、２０…リードフレーム、２１…チップ、２２…電極、２２ａ…電極、２３…接合部材、２４…接合端子、２５…電極端子、２６…配線、２７…接合部材、３０…樹脂、４０…リードフレーム、５０…金型、Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３…端子部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
