(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023141737
(43)【公開日】2023-10-05
(54)【発明の名称】半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01L 25/07 20060101AFI20230928BHJP
H01L 21/60 20060101ALI20230928BHJP
H01L 23/50 20060101ALI20230928BHJP
【FI】
H01L25/04 C
H01L21/60 321E
H01L23/50 M
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2022048217
(22)【出願日】2022-03-24
(71)【出願人】
【識別番号】000003078
【氏名又は名称】株式会社東芝
(71)【出願人】
【識別番号】317011920
【氏名又は名称】東芝デバイス&ストレージ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110003708
【氏名又は名称】弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
(72)【発明者】
【氏名】田中 敦士
【テーマコード(参考)】
5F067
【Fターム(参考)】
5F067AA03
5F067CA03
5F067CA05
5F067DE01
(57)【要約】
【課題】歩留りを向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】一実施形態の半導体装置1は、第1フレーム10と、第1フレームの上に設けられる第1チップ11と、第1フレームと第1方向Xに離間する第2フレーム20と、第2フレームの上に設けられる第2チップ21と、第2チップの上方に設けられる第1接合端子24とを備える。第1フレーム10は、第2フレーム20側に延びる第1端子部T2を含む。第1接合端子24は、第1フレーム10側に延びる第2端子部T3を含む。第2端子部T3は、各々が第1フレーム10側に突出し、且つ互いに第2方向Yに離間する第1突出部24dと第2突出部24eとを含む。第1突出部24dの端部及び第2突出部24eの端部は、第1端子部T2の上にそれぞれ接合される。
【選択図】
図4
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1フレームと、
前記第1フレームの上に設けられる第1チップと、
前記第1フレームと第1方向に離間する第2フレームと、
前記第2フレームの上に設けられる第2チップと、
前記第2チップの上方に設けられ、前記第2チップと電気的に接続される第1接合端子と
を備え、
前記第1フレームは、前記第2フレーム側に延びる第1端子部を含み、
前記第1接合端子は、前記第1フレーム側に延びる第2端子部を含み、
前記第2端子部は、各々が前記第1フレーム側に突出し、且つ互いに前記第1方向と交差する第2方向に離間する第1突出部と第2突出部とを含み、
前記第1突出部の端部及び前記第2突出部の端部は、前記第1端子部の上にそれぞれ接合される、
半導体装置。
【請求項2】
前記第2端子部の、前記第1突出部と前記第2突出部とに挟まれ、且つ前記第1フレームに向かう第1面は、前記第1端子部の、前記第2フレームに向かう第2面よりも前記第2フレーム側に位置する、
請求項1記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第2端子部の前記第1面、前記第1端子部の前記第2面、前記第1突出部の、前記第2突出部に向かう第3面、及び前記第2突出部の、前記第1突出部に向かう第4面によって囲まれた領域を有する、請求項2記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第1端子部は、各々が前記第2フレーム側に突出し、且つ互いに前記第2方向に離間する第3突出部と第4突出部とを含み、
前記第1突出部の端部は、前記第3突出部の上に接合され、
前記第2突出部の端部は、前記第4突出部の上に接合され、
前記第1端子部の前記第2面は、前記第3突出部と前記第4突出部とに挟まれている、
請求項2記載の半導体装置。
【請求項5】
第1フレームと、
前記第1フレームの上に設けられる第1チップと、
前記第1フレームと第1方向に離間する第2フレームと、
前記第2フレームの上に設けられる第2チップと、
前記第2チップの上方に設けられ、前記第2チップと電気的に接続される第1接合端子と
を備え、
前記第1フレームは、前記第2フレーム側に延びる第1端子部を含み、
前記第1接合端子は、前記第1フレーム側に延びる第2端子部を含み、
前記第1端子部は、各々が前記第2フレーム側に突出し、且つ互いに前記第1方向と交差する第2方向に離間する第5突出部と第6突出部とを含み、
前記第2端子部の端部は、前記第5突出部及び前記第6突出部の上に接合される、
半導体装置。
【請求項6】
第1フレームと、
前記第1フレームの上に設けられる第1チップと、
前記第1チップの上方に設けられ、前記第1チップと電気的に接続される第1接合端子と、
前記第1フレームと第1方向に離間する電極端子と
を備え、
前記第1接合端子は、前記電極端子側に延びる第1端子部を含み、
前記第1端子部は、各々が前記電極端子側に突出し、且つ互いに前記第1方向と交差する第2方向に離間する第1突出部と第2突出部とを含み、
前記第1突出部の端部及び前記第2突出部の端部は、前記電極端子の上にそれぞれ接合される、
半導体装置。
【請求項7】
前記第1端子部の、前記第1突出部と前記第2突出部とに挟まれ、且つ前記電極端子に向かう第1面は、前記電極端子の、前記第1フレームに向かう第2面よりも前記第1フレーム側に位置する、
請求項6記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第1端子部の前記第1面、前記電極端子の前記第2面、前記第1突出部の、前記第2突出部に向かう第3面、及び前記第2突出部の、前記第1突出部に向かう第4面によって囲まれた領域を有する、請求項7記載の半導体装置。
【請求項9】
前記電極端子は、各々が前記第1フレーム側に突出し、且つ互いに前記第2方向に離間する第3突出部と第4突出部とを含み、
前記第1突出部の端部は、前記第3突出部の上に接合され、
前記第2突出部の端部は、前記第4突出部の上に接合され、
前記電極端子の前記第2面は、前記第3突出部と前記第4突出部とに挟まれている、
請求項7記載の半導体装置。
【請求項10】
第1フレームと、
前記第1フレームの上に設けられる第1チップと、
前記第1チップの上方に設けられ、前記第1チップと電気的に接続される第1接合端子と、
前記第1フレームと第1方向に離間する電極端子と
を備え、
前記第1接合端子は、前記電極端子側に延びる第1端子部を含み、
前記電極端子は、各々が前記第1フレーム側に突出し、且つ互いに前記第1方向と交差する第2方向に離間する第5突出部と第6突出部とを含み、
前記第1端子部の端部は、前記第5突出部及び前記第6突出部の上に接合される、
半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
リードフレームを用いた半導体装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開2002-76230号公報
【特許文献2】特開昭60-58647号公報
【特許文献3】特許第2795937号公報
【特許文献4】特開平8-17993号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
歩留りを向上できる半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態に係る半導体装置は、第1フレームと、第1フレームの上に設けられる第1チップと、第1フレームと第1方向に離間する第2フレームと、第2フレームの上に設けられる第2チップと、第2チップの上方に設けられ、第2チップと電気的に接続される第1接合端子とを備える。第1フレームは、第2フレーム側に延びる第1端子部を含む。第1接合端子は、第1フレーム側に延びる第2端子部を含む。第2端子部は、各々が第1フレーム側に突出し、且つ互いに第1方向と交差する第2方向に離間する第1突出部と第2突出部とを含む。第1突出部の端部及び第2突出部の端部は、第1端子部の上にそれぞれ接合される。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【
図1】
図1は、第1実施形態に係る半導体装置の構成の一例を示す平面図である。
【
図2】
図2は、第1実施形態に係る半導体装置の内部構成の一例を示す平面図である。
【
図3】
図3は、第1実施形態に係る半導体装置の内部構成の一部を示す拡大図である。
【
図4】
図4は、第1実施形態に係る半導体装置の内部構成の一部を示す斜視図である。
【
図5】
図5は、第1実施形態に係る半導体装置の断面構造の一例を示す断面図である。
【
図6】
図6は、第1実施形態に係る半導体装置の製造工程における樹脂の形成工程を説明する図である。
【
図7】
図7は、第1実施形態に係る半導体装置の製造工程における樹脂の形成時の樹脂の流れを説明する図である。
【
図8】
図8は、第1実施形態の第1変形例に係る半導体装置の内部構成の一部を示す斜視図である。
【
図9】
図9は、第1実施形態の第2変形例に係る半導体装置の内部構成の一部を示す斜視図である。
【
図10】
図10は、第2実施形態に係る半導体装置の構成の一例を示す平面図である。
【
図11】
図11は、第2実施形態に係る半導体装置の内部構成の一例を示す平面図である。
【
図12】
図12は、第2実施形態に係る半導体装置の内部構成の一部を示す拡大図である。
【
図13】
図13は、第2実施形態に係る半導体装置の内部構成の一部を示す斜視図である。
【
図14】
図14は、第2実施形態に係る半導体装置の断面構造の一例を示す断面図である。
【
図15】
図15は、第2実施形態の第1変形例に係る半導体装置の内部構成の一部を示す斜視図である。
【
図16】
図16は、第2実施形態の第2変形例に係る半導体装置の内部構成の一部を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下に実施形態が図面を参照して記述される。以下の記述において、略同一の機能及び構成を有する構成要素は同一符号を付され、繰り返しの説明は省略される場合がある。また、ある実施形態についての記述は全て、明示的にまたは自明的に排除されない限り、別の実施形態の記述としても当てはまる。
【0008】
1.第1実施形態
第1実施形態に係る半導体装置について説明する。以下では、リードフレームを用いた半導体装置を例に挙げて説明する。半導体装置は、例えば、トランジスタパッケージに用いられる。
【0009】
1.1 半導体装置の構成
本実施形態に係る半導体装置の構成について、
図1及び
図2を用いて説明する。
図1は、半導体装置の構成の一例を示す平面図である。なお、
図1の例では、樹脂は実線で示されている。樹脂によって覆われる内部の構成要素は、破線で示されている。樹脂の外側(樹脂によって覆われない部分)は、実線で示されている。
図2は、半導体装置の内部構成の一例を示す平面図である。なお、
図2の例では、樹脂は省略されている。
【0010】
図1に示すように、半導体装置1は、リードフレーム10、チップ11、電極12、電極12a、接合部材13、接合端子14、電極端子15、配線16、電極端子17、リードフレーム20、チップ21、電極22、電極22a、接合部材23、接合端子24、電極端子25、配線26、及び樹脂30を含む。なお、以下の説明において、X方向は、リードフレーム10の表面に略平行であり、例えば、リードフレーム10から、リードフレーム20に向かう方向(電極端子17から電極端子15に向かう方向)に対応する。Y方向は、リードフレーム10の表面に略平行であり、例えば、リードフレーム10から電極端子17に向かう方向に対応する。Z方向は、リードフレーム10の表面に略垂直であり、リードフレーム10からチップ11に向かう方向に対応する。
【0011】
樹脂30は、例えば、エポキシ樹脂である。樹脂30は、リードフレーム10の一部、チップ11、電極12、電極12a、接合部材13、接合端子14、電極端子15の一部、配線16、電極端子17の一部、リードフレーム20の一部、チップ21、電極22、電極22a、接合部材23、接合端子24、電極端子25の一部、及び配線26を覆っている。
【0012】
図2に示すように、リードフレーム10は、チップ11を支持及び固定するフレームである。リードフレーム10は、例えば、板状の形状を有する。リードフレーム10の電極端子17とは反対側の端部は、Y方向に延びている。リードフレーム10は、導電材料により構成され、例えば、金属材料であってもよい。リードフレーム10の詳細については後述する。
【0013】
チップ11は、例えば、IC(Integrated Circuit)チップである。チップ11は、リードフレーム10の上に設けられる。
【0014】
電極12は、例えば、ゲート電極である。電極12は、チップ11の上に設けられる。電極12は、導電材料により構成され、例えば、金属材料であってもよい。なお、電極12は、例えば、接合端子を有してもよい。
【0015】
電極12aは、例えば、ソース電極である。電極12aは、上面視で(
図2の紙面上側から見たときに)、例えば、略L字型の形状を有する。電極12aは、チップ11の上に設けられる。電極12aは、導電材料により構成され、例えば、金属材料であってもよい。
【0016】
接合部材13は、例えば、半田である。接合部材13は、上面視で、例えば、略L字型の形状を有する。接合部材13は、電極12aの上に設けられる。接合部材13は、電極12aと接合端子14とを電気的に接続する。
【0017】
接合端子14は、例えば、電極12aと電極端子17とを電気的に接続する端子である。接合端子14は、上面視で、例えば、略L字型の形状を有する。接合端子14は、接合部材13の上に設けられる。接合端子14は、接合部材13及び電極12aを介してチップ11と電気的に接続される。接合端子14は、導電材料により構成され、例えば、金属材料であってもよい。接合端子14の詳細については後述する。
【0018】
電極端子15は、例えば、ゲート端子である。電極端子15は、リードフレーム10とY方向に離間して設けられる。電極端子15のリードフレーム10とは反対側の端部は、Y方向に延びている。電極端子15は、導電材料により構成され、例えば、金属材料であってもよい。
【0019】
電極端子15は、基部15a、屈曲部15b、及び接合部15cを含む。電極端子15は、例えば、基部15aと屈曲部15bとの境界で上方に屈曲し、屈曲部15bと接合部15cとの境界でY方向に屈曲する。基部15aの表面と接合部15cの表面とは、略平行である。接合部15cの表面は、基部15aの表面よりも上方に位置する。換言すると、電極端子15は、Y方向に段差を有する。
【0020】
配線16は、例えば、ボンディングワイヤである。配線16の一端は、電極12に接合される。配線16の他端は、電極端子15の接合部15cに接合される。配線16は、電極12と電極端子15とを電気的に接続する。配線16は、導電材料により構成され、例えば、金属材料であってもよい。なお、電極12が接合端子を有する場合、配線16に替えて、電極12の接合端子を電極端子15と電気的に接続してもよい。
【0021】
電極端子17は、例えば、ソース端子である。電極端子17は、電極端子15とX方向に離間して設けられる。電極端子17は、リードフレーム10とY方向に離間して設けられる。電極端子17のリードフレーム10とは反対側の端部は、Y方向に延びている。電極端子17は、導電材料により構成され、例えば、金属材料であってもよい。
【0022】
電極端子17は、基部17a、屈曲部17b、及び接合部17cを含む。電極端子17は、例えば、基部17aと屈曲部17bとの境界で上方に屈曲し、屈曲部17bと接合部17cとの境界でY方向に屈曲する。基部17aの表面と接合部17cの表面とは、略平行である。接合部17cの表面は、基部17aの表面よりも上方に位置する。換言すると、電極端子17は、Y方向に段差を有する。
【0023】
リードフレーム20は、チップ21を支持及び固定するフレームである。リードフレーム20は、例えば、板状の形状を有する。リードフレーム20は、リードフレーム10とX方向に離間して設けられる。リードフレーム20の電極端子25とは反対側の端部は、Y方向に延びている。リードフレーム20は、導電材料により構成され、例えば、金属材料であってもよい。
【0024】
チップ21は、例えば、ICチップである。チップ21は、リードフレーム20の上に設けられる。
【0025】
電極22は、例えば、ゲート電極である。電極22は、チップ21の上に設けられる。電極22は、導電材料により構成され、例えば、金属材料であってもよい。なお、電極22は、例えば、接合端子を有してもよい。
【0026】
電極22aは、例えば、ソース電極である。電極22aは、上面視で、例えば、略L字型の形状を有する。電極22aは、チップ21の上に設けられる。電極22aは、導電材料により構成され、例えば、金属材料であってもよい。
【0027】
接合部材23は、例えば、半田である。接合部材23は、上面視で、例えば、略L字型の形状を有する。接合部材23は、電極22aの上に設けられる。接合部材23は、電極22aと接合端子24とを電気的に接続する。
【0028】
接合端子24は、例えば、電極22aとリードフレーム10とを電気的に接続する端子である。接合端子24は、上面視で、例えば、略L字型の形状を有する。接合端子24は、接合部材23の上に設けられる。接合端子24は、接合部材23及び電極22aを介してチップ21と電気的に接続される。接合端子24は、導電材料により構成され、例えば、金属材料であってもよい。接合端子24の詳細については後述する。
【0029】
電極端子25は、例えば、ゲート端子である。電極端子25は、電極端子15とX方向に離間して設けられる。電極端子25は、リードフレーム20とY方向に離間して設けられる。電極端子25のリードフレーム20とは反対側の端部は、Y方向に延びている。電極端子25は、導電材料により構成され、例えば、金属材料であってもよい。
【0030】
電極端子25は、基部25a、屈曲部25b、及び接合部25cを含む。電極端子25は、例えば、基部25aと屈曲部25bとの境界で上方に屈曲し、屈曲部25bと接合部25cとの境界でY方向に屈曲する。基部25aの表面と接合部25cの表面とは、略平行である。接合部25cの表面は、基部25aの表面よりも上方に位置する。換言すると、電極端子25は、Y方向に段差を有する。
【0031】
配線26は、例えば、ボンディングワイヤである。配線26の一端は、電極22に接合される。配線26の他端は、電極端子25の接合部25cに接合される。配線26は、電極22と電極端子25とを電気的に接続する。配線26は、導電材料により構成され、例えば、金属材料であってもよい。なお、電極22が接合端子を有する場合、配線26に替えて、電極22の接合端子を電極端子25と電気的に接続してもよい。
【0032】
接合端子14の詳細について、
図2を用いて説明する。
【0033】
図2に示すように、接合端子14は、基部14a及び端子部T1を含む。端子部T1は、接合端子14の電極端子17側の端部に設けられる。端子部T1は、上面視で、例えば、略矩形の形状を有する。端子部T1は、屈曲部14b、ブリッジ部14c、屈曲部14d、及び接合部14eを含む。
【0034】
接合端子14は、例えば、基部14aと屈曲部14bとの境界で上方に屈曲し、屈曲部14bとブリッジ部14cとの境界でY方向に屈曲する。接合端子14は、例えば、ブリッジ部14cと屈曲部14dとの境界で下方に屈曲し、屈曲部14dと接合部14eとの境界でY方向に屈曲する。基部14aの表面と、ブリッジ部14cの表面と、接合部14eの表面とは、略平行である。ブリッジ部14cの表面は、基部14aの表面、及び接合部14eの表面よりも上方に位置する。換言すると、接合端子14は、Y方向に段差を有する。
【0035】
図2に示すように、端子部T1は、電極端子17の上に設けられる。より詳細には、接合端子14の接合部14eは、電極端子17の接合部17cの上に接合される。これにより、端子部T1は、電極端子17と電気的に接続される。換言すると、接合端子14は、端子部T1を介して電極端子17と電気的に接続される。
【0036】
リードフレーム10の詳細について、
図3を用いて説明する。
図3は、半導体装置1の内部構成の一部を示す拡大図(
図2の領域R1の拡大図)である。なお、
図3の例では、チップ11及び21、電極22及び22a、並びに接合部材23は、省略されている。
【0037】
図3に示すように、リードフレーム10は、基部10a及び端子部T2を含む。端子部T2は、リードフレーム10の接合端子24側(リードフレーム20側)の端部に設けられる。端子部T2は、接合端子24側に延びる。端子部T2は、上面視で、例えば、略U字型の形状を有する。端子部T2は、屈曲部10b及び接合部10cを含む。
【0038】
リードフレーム10は、例えば、基部10aと屈曲部10bとの境界で上方に屈曲し、屈曲部10bと接合部10cとの境界でX方向に屈曲する。基部10aの表面と接合部10cの表面とは、略平行である。接合部10cの表面は、基部10aの表面よりも上方に位置する。換言すると、リードフレーム10は、X方向に段差を有する。
【0039】
端子部T2は、接合端子24側(リードフレーム20側)に突出した突出部10d及び10eを含む。換言すると、端子部T2の接合端子24側の端部は、2つに分かれている。突出部10dと突出部10eとは、互いにY方向に離間している。なお、端子部T2は、3個以上の突出部を含んでもよい。この場合、これらの突出部は、互いにY方向に離間する。
【0040】
接合端子24の詳細について、
図3を用いて説明する。
【0041】
図3に示すように、接合端子24は、基部24a及び端子部T3を含む。端子部T3は、接合端子24のリードフレーム10側の端部に設けられる。端子部T3は、リードフレーム10側に延びる。端子部T3は、上面視で、例えば、略Y字型の形状を有する。端子部T3は、屈曲部24b、ブリッジ部24c、屈曲部24f及び24g、並びに接合部24h及び24iを含む。
【0042】
接合端子24は、例えば、基部24aと屈曲部24bとの境界で上方に屈曲し、屈曲部24bとブリッジ部24cとの境界でX方向に屈曲する。接合端子24は、例えば、ブリッジ部24cと屈曲部24fとの境界で下方に屈曲し、屈曲部24fと接合部24hとの境界でX方向に屈曲する。接合端子24は、例えば、ブリッジ部24cと屈曲部24gとの境界で下方に屈曲し、屈曲部24gと接合部24iとの境界でX方向に屈曲する。基部24aの表面と、ブリッジ部24cの表面と、接合部24hの表面と、接合部24iの表面とは、略平行である。ブリッジ部24cの表面は、基部24aの表面、接合部24hの表面、及び接合部24iの表面よりも上方に位置する。換言すると、接合端子24は、X方向に段差を有する。
【0043】
端子部T3は、リードフレーム10側に突出した突出部24d及び24eを含む。換言すると、端子部T3のリードフレーム10側の端部は、2つに分かれている。突出部24dと突出部24eとは、互いにY方向に離間している。突出部24dは、ブリッジ部24cの一部、屈曲部24f、及び接合部24hを含む。突出部24eは、ブリッジ部24cの一部、屈曲部24g、及び接合部24iを含む。なお、端子部T3は、3個以上の突出部を含んでもよい。この場合、これらの突出部は、互いにY方向に離間する。
【0044】
図3に示すように、端子部T3の端部は、端子部T2の上に設けられる。より詳細には、端子部T3の接合部24hは、端子部T2の接合部10cの上に接合される。端子部T3の接合部24iは、端子部T2の接合部10cの上に接合される。換言すると、端子部T3の突出部24dの端部は、端子部T2の突出部10dの上に接合される。端子部T3の突出部24eの端部は、端子部T2の突出部10eの上に接合される。すなわち、端子部T3と端子部T2とは、2つの接合面で接合される。以下、接合面、接合面に接する端子部T2の端部、及び接合面に接する端子部T3の端部を合わせて「接合部分」と表記する。これにより、端子部T3は、端子部T2と電気的に接続される。換言すると、接合端子24は、端子部T3及びT2を介してリードフレーム10と電気的に接続される。
【0045】
なお、
図2に示されるリードフレーム10、電極端子15及び17、リードフレーム20、並びに電極端子25は、例えば、図示せぬリードフレームの一部であり、製造工程において、図示せぬリードフレームが切断及び除去されることにより残った部分である。
【0046】
図4は、半導体装置1の内部構成の一部を示す斜視図(
図2の領域R1の斜視図)である。なお、
図4の例では、電極22は省略されている。
【0047】
図4に示すように、突出部10dの上に、突出部24dの端部が設けられている。突出部24dの端部は、突出部10dの上面に形成された接合部材27により突出部10dと接合される。接合部材27は、例えば、半田である。接合部材27は、端子部T2と端子部T3とを電気的に接続する。突出部10eの上に、突出部24eの端部が設けられている。突出部24eの端部は、突出部10eの上面に形成された接合部材27により突出部10eと接合される。
【0048】
端子部T3の端面(端子部T3の、突出部24dと突出部24eとに挟まれ、且つリードフレーム10に向かう面(以下、「面P2」とも表記する))は、端子部T2の端面(端子部T2の、突出部10dと突出部10eとに挟まれ、且つリードフレーム20に向かう面(以下、「面P1」とも表記する))よりも、リードフレーム20側に位置している。
【0049】
上記構造により、端子部T2、接合部材27、端子部T3、接合部材23、電極22a、チップ21、並びにリードフレーム20で囲まれた空間(以下、「空間S1」とも表記する)の上方は、端子部T2及びT3によって塞がれていない。突出部24dの、突出部24eに向かう面を「面P3」、突出部24eの、突出部24dに向かう面を「面P4」とすると、半導体装置1は、面P1、面P2、面P3、及び面P4によって囲まれた領域を有する。換言すると、端子部T2と端子部T3とにより(突出部10d、突出部10e、突出部24d、及び突出部24eにより)、開口(以下、「開口OP1」とも表記する)が形成されている。すなわち、半導体装置1は、端子部T2と端子部T3とにより形成される開口OP1を有している。面P1、面P2、面P3、及び面P4によって囲まれた領域が、開口OP1に相当する。また、空間S1のY方向の両端は、塞がれていない。
【0050】
半導体装置1の断面構造について、
図5を用いて説明する。
図5は、半導体装置1の構造の一例を示す断面図(
図1のI-I線に沿った断面図)である。
【0051】
図5に示すように、リードフレーム10は、屈曲部10bによって、接合部10cの表面が基部10aの表面よりも上方に位置するように屈曲されている。リードフレーム10の上に、チップ11が設けられている。チップ11の上に、電極12aが設けられている。電極12aの上に、接合部材13が設けられている。接合部材13の上に、接合端子14が設けられている。
【0052】
リードフレーム20の上に、チップ21が設けられている。チップ21の上に、電極22aが設けられている。電極22aの上に、接合部材23が設けられている。接合部材23の上に、接合端子24が設けられている。接合端子24は、屈曲部24b及び24fによって、ブリッジ部24cの表面が基部10aの表面、及び接合部24hの表面よりも上方に位置するように屈曲されている。
【0053】
接合部10cの上に、接合部24hが設けられている。接合部24hは、接合部材27により接合部10cと接合される。
【0054】
リードフレーム10、チップ11、電極12a、接合部材13、接合端子14、リードフレーム20、チップ21、電極22a、接合部材23、及び接合端子24は、樹脂30で覆われている。空間S1には、樹脂30が埋め込まれている。
【0055】
1.2 半導体装置の製造方法
半導体装置1の製造方法について説明する。本実施形態では、1つのリードフレームに複数の半導体装置1が形成される。樹脂30の形成前には、1つのリードフレームに、
図2に示す半導体装置1の内部の構成要素(以下、「構成要素群」とも表記する)がマトリクス状に配列される。これらの複数の構成要素群を樹脂30で封止する。以下では、樹脂30の形成工程について、
図6を用いて説明する。
図6は、樹脂30の形成工程を説明する図である。
図6の例では、リードフレーム40に設けられたX方向に1列に並ぶ複数の構成要素群に対して、金型50を用いて樹脂30を形成する方式(トランスファー方式)が示されている。
【0056】
図6に示すように、金型50の注入口から樹脂30が注入される。樹脂30は、X方向(
図6の紙面左側から
図6の紙面右側に向かう方向)に、金型50の注入口から金型50の末端まで流れる。これにより、金型50の注入口と金型50の末端との間において、リードフレーム40に設けられた複数の構成要素群が樹脂30によって封止される。
【0057】
樹脂30の形成後、リードフレーム40が切断及び除去され、複数の半導体装置1が形成される。
【0058】
樹脂30の形成時の樹脂30の流れについて、
図7を用いて説明する。
図7は、樹脂30の流れを説明する図である。
図7の例では、
図2に示す半導体装置1の構成要素群に対して注入された樹脂30が空間S1に向かう流れが矢印で示されている。
【0059】
図7に示すように、樹脂30は、X方向(リードフレーム10側)から注入される。樹脂30は、突出部24dを外側に迂回して進み、空間S1に流れ込む。樹脂30は、突出部24eを外側に迂回して進み、空間S1に流れ込む。樹脂30は、端子部T2と端子部T3とにより形成される開口OP1を通って下方に進み、空間S1に流れ込む。
【0060】
1.3 本実施形態に係る効果
本実施形態に係る構成であれば、半導体装置の歩留りを向上できる。以下、本効果について説明する。
【0061】
接合端子24の端子部T3の端部が、リードフレーム10の端子部T2の上面に形成された接合部材27により端子部T2と接合される構成では、端子部T2の上面に形成される接合部材27の面積(端子部T2及びT3と接する接合部材27の面積)が大きいほど、接合部材27の残留応力が大きくなる。このため、端子部T2の上面に形成される接合部材27の面積に応じて、接合部材27の残留応力により、端子部T2と端子部T3との接合部分のひずみが大きくなる可能性がある。また、接合部分における端子部T2と端子部T3との剥がれが発生する可能性がある。
【0062】
これに対し、本実施形態では、端子部T2は、接合端子24側に突出した突出部10d及び10eを含む。突出部10dと突出部10eとは、互いにY方向に離間している。端子部T3は、リードフレーム10側に突出した突出部24d及び24eを含む。突出部24dと突出部24eとは、互いにY方向に離間している。
【0063】
端子部T3の突出部24dの端部は、端子部T2の突出部10dの上面に形成された接合部材27により突出部10dと接合される。このため、突出部10dの上面に形成される接合部材27の面積は、端子部T3が突出部を有しない場合に端子部T2の上面に形成される接合部材27の面積と比べて小さくなる。これにより、突出部10dの上面に形成された接合部材27の残留応力が、端子部T3が突出部を有しない場合に端子部T2の上面に形成された接合部材27の残留応力と比べて小さくなる。
【0064】
端子部T3の突出部24eの端部は、端子部T2の突出部10eの上面に形成された接合部材27により突出部10eと接合される。このため、突出部10eの上面に形成される接合部材27の面積は、端子部T3が突出部を有しない場合に端子部T2の上面に形成される接合部材27の面積と比べて小さくなる。これにより、突出部10eの上面に形成された接合部材27の残留応力が、端子部T3が突出部を有しない場合に端子部T2の上面に形成された接合部材27の残留応力と比べて小さくなる。
【0065】
よって、端子部T2と端子部T3との接合部分のひずみを抑制できるとともに、接合部分における端子部T2と端子部T3との剥がれの発生を抑制できる。
【0066】
樹脂30が注入される方向に沿って端子部T2及びT3が延びており、端子部T3の端部が端子部T2の上に接合される構成では、樹脂30は、端子部T3を外側に迂回して進み、空間S1に流れ込む。しかしながら、樹脂30が注入される方向に沿って延びる端子部T2及びT3によって樹脂30の流れが阻害され、空間S1内のボイドや空間S1への樹脂30の未充填が発生する可能性がある。
【0067】
これに対し、本実施形態では、端子部T2の突出部10dの上に、端子部T3の突出部24dの端部が設けられている。端子部T2の突出部10eの上に、端子部T3の突出部24eの端部が設けられている。端子部T3の、突出部24dと突出部24eとに挟まれ、且つリードフレーム10に向かう面P2は、端子部T2の、突出部10dと突出部10eとに挟まれ、且つリードフレーム20に向かう面P1よりも、リードフレーム20側に位置している。換言すると、半導体装置1は、端子部T2と端子部T3とにより形成される開口OP1を有している。このため、樹脂30の形成工程において、樹脂30は、突出部24d及び24eを外側に迂回して進み、空間S1に流れ込むだけでなく、開口OP1を通って下方に進み、空間S1に流れ込む。よって、樹脂30の充填性を向上できる。これにより、例えば、硬化時間が比較的短い樹脂を樹脂30として利用することができる。
【0068】
端子部T2を覆う樹脂30の面積(端子部T2と接する樹脂30の面積)が大きいほど、熱による端子部T2の延びと樹脂30の延びとの差が大きくなる。このため、端子部T2を覆う樹脂30の面積に応じて、熱により、端子部T2と樹脂30との剥がれが発生する可能性がある。端子部T3についても同様に、端子部T3を覆う樹脂30の面積(端子部T3と接する樹脂30の面積)に応じて、熱により、端子部T3と樹脂30との剥がれが発生する可能性がある。
【0069】
これに対し、本実施形態では、半導体装置1は、端子部T2と端子部T3とにより形成される開口OP1を有している。このため、端子部T2を覆う樹脂30の面積は、開口が形成されない場合に端子部T2を覆う樹脂30の面積と比べて小さくなる。これにより、熱による端子部T2の延びと樹脂30の延びとの差は、開口が形成されない場合の熱による端子部T2の延びと樹脂30の延びとの差と比べて小さくなる。端子部T3を覆う樹脂30の面積は、開口が形成されない場合に端子部T3を覆う樹脂30の面積と比べて小さくなる。これにより、熱による端子部T3の延びと樹脂30の延びとの差は、開口が形成されない場合の熱による端子部T3の延びと樹脂30の延びとの差と比べて小さくなる。よって、端子部T2と樹脂30との剥がれ、及び端子部T3と樹脂30との剥がれを抑制できる。
【0070】
1.4 第1変形例
第1実施形態の第1変形例に係る半導体装置について説明する。第1実施形態の第1変形例に係る半導体装置1では、リードフレーム10の端子部T2の形状が第1実施形態と異なる。以下の説明では、第1実施形態と同様の構成については説明を省略し、第1実施形態と異なる構成について主に説明する。
【0071】
1.4.1 半導体装置の構成
本変形例に係る半導体装置1の構成について、
図8を用いて説明する。
図8は、半導体装置1の内部構成の一部を示す斜視図(第1実施形態の
図4に対応する図)である。なお、
図8の例では、電極22は省略されている。
【0072】
図8に示すように、端子部T2は、上面視で、例えば、略矩形の形状を有する。端子部T2の接合端子24側の端部は、2つ以上に分かれていない。
【0073】
突出部24dの端部は、端子部T2の上に接合される。より詳細には、突出部24dの端部は、端子部T2の上面に形成された接合部材27により端子部T2と接合される。突出部24eの端部は、端子部T2の上に接合される。より詳細には、突出部24eの端部は、端子部T2の上面に形成された接合部材27により端子部T2と接合される。すなわち、端子部T3と端子部T2とは、2つの接合面で接合される。
【0074】
端子部T3の端面(端子部T3の、突出部24dと突出部24eとに挟まれ、且つリードフレーム10に向かう面P2)は、端子部T2の端面(端子部T2の、リードフレーム20に向かう面(以下、「面P5」とも表記する))よりも、リードフレーム20側に位置している。
【0075】
上記構造により、空間S1の上方は、端子部T2及びT3によって塞がれていない。半導体装置1は、面P2、面P3、面P4、及び面P5によって囲まれた領域を有する。換言すると、端子部T2と端子部T3とにより(端子部T2、突出部24d、及び突出部24eにより)、開口OP1が形成されている。すなわち、半導体装置1は、端子部T2と端子部T3とにより形成される開口OP1を有している。面P2、面P3、面P4、及び面P5によって囲まれた領域が、開口OP1に相当する。また、空間S1のY方向の両端は、塞がれていない。
【0076】
1.4.2 本変形例に係る効果
本変形例によれば、第1実施形態と同様の効果を奏する。
【0077】
1.5 第2変形例
第1実施形態の第2変形例に係る半導体装置について説明する。第1実施形態の第2変形例に係る半導体装置1では、接合端子24の端子部T3の形状が第1実施形態と異なる。以下の説明では、第1実施形態と同様の構成については説明を省略し、第1実施形態と異なる構成について主に説明する。
【0078】
1.5.1 半導体装置の構成
本変形例に係る半導体装置1の構成について、
図9を用いて説明する。
図9は、半導体装置1の内部構成の一部を示す斜視図(第1実施形態の
図4に対応する図)である。なお、
図9の例では、電極22は省略されている。
【0079】
図9に示すように、端子部T3は、上面視で、例えば、略矩形の形状を有する。端子部T3は、屈曲部24b、ブリッジ部24c、屈曲部24j、及び接合部24kを含む。
【0080】
接合端子24は、例えば、基部24aと屈曲部24bとの境界で上方に屈曲し、屈曲部24bとブリッジ部24cとの境界でX方向に屈曲する。接合端子24は、例えば、ブリッジ部24cと屈曲部24jとの境界で下方に屈曲し、屈曲部24jと接合部24kとの境界でX方向に屈曲する。基部24aの表面と、ブリッジ部24cの表面と、接合部24kの表面とは、略平行である。ブリッジ部24cの表面は、基部24aの表面、及び接合部24kの表面よりも上方に位置する。換言すると、接合端子24は、X方向に段差を有する。
【0081】
端子部T3のリードフレーム10側の端部は、2つ以上に分かれていない。
【0082】
端子部T3の端部は、突出部10dの上に接合される。より詳細には、端子部T3の端部は、突出部10dの上面に形成された接合部材27により突出部10dと接合される。端子部T3の端部は、突出部10eの上に接合される。より詳細には、端子部T3の端部は、突出部10eの上面に形成された接合部材27により突出部10eと接合される。すなわち、端子部T3と端子部T2とは、2つの接合面で接合される。
【0083】
端子部T3の端面(端子部T3の、リードフレーム10に向かう面(以下、「面P6」とも表記する))は、端子部T2の端面(端子部T2の、突出部10dと突出部10eとに挟まれ、且つリードフレーム20に向かう面P1)よりも、リードフレーム20側に位置している。
【0084】
上記構造により、空間S1の上方は、端子部T2及びT3によって塞がれていない。突出部10dの、突出部10eに向かう面を「面P7」、突出部10eの、突出部10dに向かう面を「面P8」とすると、半導体装置1は、面P1、面P6、面P7、及び面P8によって囲まれた領域を有する。換言すると、端子部T2と端子部T3とにより(突出部10d、突出部10e、及び端子部T3により)、開口OP1が形成されている。すなわち、半導体装置1は、端子部T2と端子部T3とにより形成される開口OP1を有している。面P1、面P6、面P7、及び面P8によって囲まれた領域が、開口OP1に相当する。また、空間S1のY方向の両端は、塞がれていない。
【0085】
1.5.2 本変形例に係る効果
本変形例によれば、第1実施形態と同様の効果を奏する。
【0086】
2.第2実施形態
第2実施形態に係る半導体装置について説明する。第2実施形態に係る半導体装置1では、内部の構成が第1実施形態と異なる。以下の説明では、第1実施形態と同様の構成については説明を省略し、第1実施形態と異なる構成について主に説明する。
【0087】
2.1 半導体装置の構成
本実施形態に係る半導体装置1の構成について、
図10及び
図11を用いて説明する。
図10は、半導体装置1の構成の一例を示す平面図である。なお、
図10の例では、樹脂は実線で示されている。樹脂によって覆われる内部の構成要素は、破線で示されている。樹脂の外側は、実線で示されている。
図11は、半導体装置1の内部構成の一例を示す平面図である。なお、
図11の例では、樹脂は省略されている。
【0088】
図10に示すように、半導体装置1は、リードフレーム10、チップ11、電極12、電極12a、接合部材13、接合端子14、電極端子15、配線16、電極端子17、及び樹脂30を含む。
【0089】
樹脂30は、リードフレーム10の一部、チップ11、電極12、電極12a、接合部材13、接合端子14、電極端子15の一部、配線16、電極端子17の一部を覆っている。
【0090】
図11に示すように、リードフレーム10は、例えば、板状の形状を有する。リードフレーム10の電極端子17とは反対側の端部は、Y方向に延びている。
【0091】
チップ11は、リードフレーム10の上に設けられる。
【0092】
電極12aは、上面視で(
図11の紙面上側から見たときに)、例えば、略L字型の形状を有する。電極12aは、チップ11の上に設けられる。
【0093】
接合部材13は、上面視で、例えば、略L字型の形状を有する。接合部材13は、電極12aの上に設けられる。接合部材13は、電極12aと接合端子14とを電気的に接続する。
【0094】
接合端子14は、上面視で、例えば、略L字型の形状を有する。接合端子14は、接合部材13の上に設けられる。接合端子14の詳細については後述する。
【0095】
電極端子17は、電極端子15とX方向に離間して設けられる。電極端子17は、リードフレーム10とY方向に離間して設けられる。電極端子17のリードフレーム10とは反対側の端部は、Y方向に延びている。電極端子17の詳細については後述する。
【0096】
接合端子14の詳細について、
図12を用いて説明する。
図12は、半導体装置1の内部構成の一部を示す拡大図(
図11の領域R2の拡大図)である。なお、
図12の例では、チップ11、電極12及び12a、並びに接合部材13は、省略されている。
【0097】
図12に示すように、接合端子14は、基部14a及び端子部T1を含む。端子部T1は、接合端子14の電極端子17側の端部に設けられる。端子部T1は、電極端子17側に延びる。端子部T1は、上面視で、例えば、略Y字型の形状を有する。端子部T1は、屈曲部14b、ブリッジ部14c、屈曲部14f及び14g、並びに接合部14h及び14iを含む。
【0098】
接合端子14は、例えば、基部14aと屈曲部14bとの境界で上方に屈曲し、屈曲部14bとブリッジ部14cとの境界でY方向に屈曲する。接合端子14は、例えば、ブリッジ部14cと屈曲部14fとの境界で下方に屈曲し、屈曲部14fと接合部14hとの境界でY方向に屈曲する。接合端子14は、例えば、ブリッジ部14cと屈曲部14gとの境界で下方に屈曲し、屈曲部14gと接合部14iとの境界でY方向に屈曲する。基部14aの表面と、ブリッジ部14cの表面と、接合部14hの表面と、接合部14iの表面とは、略平行である。ブリッジ部14cの表面は、基部14aの表面、接合部14hの表面、及び接合部14iの表面よりも上方に位置する。換言すると、接合端子14は、Y方向に段差を有する。
【0099】
端子部T1は、電極端子17側に突出した突出部14d2及び14e2を含む。換言すると、端子部T1の電極端子17側の端部は、2つに分かれている。突出部14d2と突出部14e2とは、互いにX方向に離間している。突出部14d2は、ブリッジ部14cの一部、屈曲部14f、及び接合部14hを含む。突出部14e2は、ブリッジ部14cの一部、屈曲部14g、及び接合部14iを含む。なお、端子部T1は、3個以上の突出部を含んでもよい。この場合、これらの突出部は、互いにX方向に離間する。
【0100】
電極端子17の詳細について、
図12を用いて説明する。
【0101】
図12に示すように、電極端子17は、上面視で、例えば、略U字型の形状を有する。電極端子17は、基部17a、屈曲部17b、及び接合部17cを含む。
【0102】
電極端子17は、例えば、基部17aと屈曲部17bとの境界で上方に屈曲し、屈曲部17bと接合部17cとの境界でY方向に屈曲する。基部17aの表面と、接合部17cの表面とは、略平行である。接合部17cの表面は、基部17aの表面よりも上方に位置する。換言すると、電極端子17は、Y方向に段差を有する。
【0103】
電極端子17は、接合端子14側(リードフレーム10側)に突出した突出部17d及び17eを含む。換言すると、電極端子17の接合端子14側の端部は、2つに分かれている。突出部17dと突出部17eとは、互いにX方向に離間している。なお、電極端子17は、3個以上の突出部を含んでもよい。この場合、これらの突出部は、互いにX方向に離間する。
【0104】
図12に示すように、端子部T1の端部は、電極端子17の上に設けられる。より詳細には、端子部T1の接合部14hは、電極端子17の接合部17cの上に接合される。端子部T1の接合部14iは、電極端子17の接合部17cの上に接合される。換言すると、端子部T1の突出部14d2の端部は、電極端子17の突出部17dの上に接合される。端子部T1の突出部14e2の端部は、電極端子17の突出部17eの上に接合される。すなわち、端子部T1と電極端子17とは、2つの接合面で接合される。以下、接合面、接合面に接する端子部T1の端部、及び接合面に接する電極端子17の端部を合わせて「接合部分」と表記する。これにより、端子部T1は、電極端子17と電気的に接続される。換言すると、接合端子14は、端子部T1を介して電極端子17と電気的に接続される。
【0105】
なお、
図11に示されるリードフレーム10、並びに電極端子15及び17は、例えば、図示せぬリードフレームの一部であり、製造工程において、図示せぬリードフレームが切断及び除去されることにより残った部分である。
【0106】
図13は、半導体装置1の内部構成の一部を示す斜視図(
図11の領域R2の斜視図)である。なお、
図13の例では、電極12は省略されている。
【0107】
図13に示すように、突出部17dの上に、突出部14d2の端部が設けられている。突出部14d2の端部は、突出部17dの上面に形成された接合部材18により突出部17dと接合される。接合部材18は、例えば、半田である。接合部材18は、端子部T1と電極端子17とを電気的に接続する。突出部17eの上に、突出部14e2の端部が設けられている。突出部14e2の端部は、突出部17eの上面に形成された接合部材18により突出部17eと接合される。
【0108】
端子部T1の端面(端子部T1の、突出部14d2と突出部14e2とに挟まれ、且つ電極端子17に向かう面(以下、「面P9」とも表記する))は、電極端子17の端面(電極端子17の、突出部17dと突出部17eとに挟まれ、且つリードフレーム10に向かう面(以下、「面P10」とも表記する))よりも、リードフレーム10側に位置している。
【0109】
上記構造により、電極端子17、接合部材18、端子部T1、接合部材13、電極12a、チップ11、並びにリードフレーム10で囲まれた空間(以下、「空間S2」とも表記する)の上方は、端子部T1及び電極端子17によって塞がれていない。突出部14d2の、突出部14e2に向かう面を「面P11」、突出部14e2の、突出部14d2に向かう面を「面P12」とすると、半導体装置1は、面P9、面P10、面P11、及び面P12によって囲まれた領域を有する。換言すると、端子部T1と電極端子17とにより(突出部14d2、突出部14e2、突出部17d、及び突出部17eにより)、開口(以下、「開口OP2」とも表記する)が形成されている。すなわち、半導体装置1は、端子部T1と電極端子17とにより形成される開口OP2を有している。面P9、面P10、面P11、及び面P12によって囲まれた領域が、開口OP2に相当する。また、空間S2のX方向の両端は、塞がれていない。
【0110】
半導体装置1の断面構造について、
図14を用いて説明する。
図14は、半導体装置1の構造の一例を示す断面図(
図10のII-II線に沿った断面図)である。
【0111】
図14に示すように、電極端子17は、屈曲部17bによって、接合部17cの表面が基部17aの表面よりも上方に位置するように屈曲されている。
【0112】
リードフレーム10の上に、チップ11が設けられている。チップ11の上に、電極12aが設けられている。電極12aの上に、接合部材13が設けられている。接合部材13の上に、接合端子14が設けられている。接合端子14は、屈曲部14b及び14gによって、ブリッジ部14cの表面が基部14aの表面、及び接合部14iの表面よりも上方に位置するように屈曲されている。
【0113】
接合部17cの上に、接合部14iが設けられている。接合部14iは、接合部材18により接合部17cと接合される。
【0114】
リードフレーム10、チップ11、電極12a、接合部材13、接合端子14、及び電極端子17は、樹脂30で覆われている。空間S2には、樹脂30が埋め込まれている。
【0115】
2.2 本実施形態に係る効果
本実施形態では、端子部T1は、第1実施形態の端子部T3と同様の構成を有する。電極端子17は、第1実施形態の端子部T2と同様の構成を有する。端子部T1と電極端子17とは、第1実施形態の端子部T2と端子部T3との接合と同様に接合される。よって、第1実施形態と同様に、端子部T1と電極端子17との接合部分のひずみを抑制できるとともに、接合部分における端子部T1と電極端子17との剥がれの発生を抑制できる。
【0116】
また、本実施形態では、半導体装置1は、端子部T1と電極端子17とにより形成される開口OP2を有している。このため、樹脂30の形成工程において、樹脂30がX方向から注入されると、樹脂30は、空間S2に直接流れ込むだけでなく、開口OP2を通って下方に進み、空間S2に流れ込む。よって、第1実施形態と同様に、樹脂30の充填性を向上できる。
【0117】
更に、本実施形態では、第1実施形態と同様に、端子部T1と樹脂30との剥がれ、及び電極端子17と樹脂30との剥がれを抑制できる。
【0118】
以上から、本実施形態に係る構成であれば、第1実施形態と同様に、半導体装置の歩留りを向上できる。
【0119】
2.3 第1変形例
第2実施形態の第1変形例に係る半導体装置について説明する。第2実施形態の第1変形例に係る半導体装置1では、電極端子17の形状が第2実施形態と異なる。以下の説明では、第2実施形態と同様の構成については説明を省略し、第2実施形態と異なる構成について主に説明する。
【0120】
2.3.1 半導体装置の構成
本変形例に係る半導体装置1の構成について、
図15を用いて説明する。
図15は、半導体装置1の内部構成の一部を示す斜視図(第2実施形態の
図13に対応する図)である。なお、
図15の例では、電極12は省略されている。
【0121】
図15に示すように、電極端子17は、上面視で、例えば、略矩形の形状を有する。電極端子17の接合端子14側の端部は、2つ以上に分かれていない。
【0122】
突出部14d2の端部は、電極端子17の上に接合される。より詳細には、突出部14d2の端部は、電極端子17の上面に形成された接合部材18により電極端子17と接合される。突出部14e2の端部は、電極端子17の上に接合される。より詳細には、突出部14e2の端部は、電極端子17の上面に形成された接合部材18により電極端子17と接合される。すなわち、端子部T1と電極端子17とは、2つの接合面で接合される。
【0123】
端子部T1の端面(端子部T1の、突出部14d2と突出部14e2とに挟まれ、且つ電極端子17に向かう面P9)は、電極端子17の端面(電極端子17の、リードフレーム10に向かう面(以下、「面P13」とも表記する))よりも、リードフレーム10側に位置している。
【0124】
上記構造により、空間S2の上方は、端子部T1及び電極端子17によって塞がれていない。半導体装置1は、面P9、面P11、面P12、及び面P13によって囲まれた領域を有する。換言すると、端子部T1と電極端子17とにより(突出部14d2、突出部14e2、及び電極端子17により)、開口OP2が形成されている。すなわち、半導体装置1は、端子部T1と電極端子17とにより形成される開口OP2を有している。面P9、面P11、面P12、及び面P13によって囲まれた領域が、開口OP2に相当する。また、空間S2のX方向の両端は、塞がれていない。
【0125】
2.3.2 本変形例に係る効果
本変形例によれば、第2実施形態と同様の効果を奏する。
【0126】
2.4 第2変形例
第2実施形態の第2変形例に係る半導体装置について説明する。第2実施形態の第2変形例に係る半導体装置1では、接合端子14の端子部T1の形状が第2実施形態と異なる。以下の説明では、第2実施形態と同様の構成については説明を省略し、第2実施形態と異なる構成について主に説明する。
【0127】
2.4.1 半導体装置の構成
本変形例に係る半導体装置1の構成について、
図16を用いて説明する。
図16は、半導体装置1の内部構成の一部を示す斜視図(第2実施形態の
図13に対応する図)である。なお、
図16の例では、電極12は省略されている。
【0128】
図16に示すように、端子部T1は、上面視で、例えば、略矩形の形状を有する。端子部T1は、屈曲部14b、ブリッジ部14c、屈曲部14j、及び接合部14kを含む。
【0129】
接合端子14は、例えば、基部14aと屈曲部14bとの境界で上方に屈曲し、屈曲部14bとブリッジ部14cとの境界でY方向に屈曲する。接合端子14は、例えば、ブリッジ部14cと屈曲部14jとの境界で下方に屈曲し、屈曲部14jと接合部14kとの境界でY方向に屈曲する。基部14aの表面と、ブリッジ部14cの表面と、接合部14kの表面とは、略平行である。ブリッジ部14cの表面は、基部14aの表面、及び接合部14kの表面よりも上方に位置する。換言すると、接合端子14は、Y方向に段差を有する。
【0130】
端子部T1の電極端子17側の端部は、2つ以上に分かれていない。
【0131】
端子部T1の端部は、突出部17dの上に接合される。より詳細には、端子部T1の端部は、突出部17dの上面に形成された接合部材18により突出部17dと接合される。端子部T1の端部は、突出部17eの上に接合される。より詳細には、端子部T1の端部は、突出部17eの上面に形成された接合部材18により突出部17eと接合される。すなわち、端子部T1と電極端子17とは、2つの接合面で接合される。
【0132】
端子部T1の端面(端子部T1の、電極端子17に向かう面(以下、「面P14」とも表記する))は、電極端子17の端面(電極端子17の、突出部17dと突出部17eとに挟まれ、且つリードフレーム10に向かう面P10)よりも、リードフレーム10側に位置している。
【0133】
上記構造により、空間S2の上方は、端子部T1及び電極端子17によって塞がれていない。突出部17dの、突出部17eに向かう面を「面P15」、突出部17eの、突出部17dに向かう面を「面P16」とすると、半導体装置1は、面P10、面P14、面P15、及び面P16によって囲まれた領域を有する。換言すると、端子部T1と電極端子17とにより(端子部T1、突出部17d、及び突出部17eにより)、開口OP2が形成されている。すなわち、半導体装置1は、端子部T1と電極端子17とにより形成される開口OP2を有している。面P10、面P14、面P15、及び面P16によって囲まれた領域が、開口OP2に相当する。また、空間S2のX方向の両端は、塞がれていない。
【0134】
2.4.2 本変形例に係る効果
本変形例によれば、第2実施形態と同様の効果を奏する。
【0135】
3.変形例等
上記のように、実施形態に係る半導体装置(1)は、第1フレーム(10)と、第1フレームの上に設けられる第1チップ(11)と、第1フレームと第1方向(X)に離間する第2フレーム(20)と、第2フレームの上に設けられる第2チップ(21)と、第2チップの上方に設けられ、第2チップと電気的に接続される第1接合端子(24)とを備える。第1フレーム(10)は、第2フレーム(20)側に延びる第1端子部(T2)を含む。第1接合端子(24)は、第1フレーム(10)側に延びる第2端子部(T3)を含む。第2端子部(T3)は、各々が第1フレーム(10)側に突出し、且つ互いに第1方向(X)と交差する第2方向(Y)に離間する第1突出部(24d)と第2突出部(24e)とを含む。第1突出部(24d)の端部及び第2突出部(24e)の端部は、第1端子部(T2)の上にそれぞれ接合される。
【0136】
なお、実施形態は上記説明した形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【0137】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【0138】
1…半導体装置、10…リードフレーム、11…チップ、12…電極、12a…電極、13…接合部材、14…接合端子、15…電極端子、16…配線、17…電極端子、18…接合部材、20…リードフレーム、21…チップ、22…電極、22a…電極、23…接合部材、24…接合端子、25…電極端子、26…配線、27…接合部材、30…樹脂、40…リードフレーム、50…金型、T1、T2、T3…端子部