(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023141767
(43)【公開日】2023-10-05
(54)【発明の名称】異常検知装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/02 20060101AFI20230928BHJP
【ＦＩ】
H01L21/02 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022048251
(22)【出願日】2022-03-24
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(72)【発明者】
【氏名】上野 智宏
(57)【要約】
【課題】微少な処理異常の検知、および、微少な処理異常の検知による装置全体の故障の予兆ができる異常検知装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１６０で熱処理される半導体ウェハーＷの処理異常を検知する異常検知装置２である。異常検知装置２は、熱処理中の半導体ウェハーＷの温度を測定する下部放射温度計２０と、下部放射温度計２０により測定された温度と相関関係を有する複数の処理情報を取得する処理情報取得部９０（各センサー）と、半導体ウェハーＷの熱処理を複数のフェーズ（熱処理フェーズＦ１～７）に区切り、温度および処理情報に基づいて、複数のフェーズ（熱処理フェーズＦ１～７）のそれぞれ毎に作成された複数の学習モデルに基づいて半導体ウェハーＷの処理異常を検知する検知部３２ｃと、を備える。
【選択図】図８
【解決手段】熱処理装置１６０で熱処理される半導体ウェハーＷの処理異常を検知する異常検知装置２である。異常検知装置２は、熱処理中の半導体ウェハーＷの温度を測定する下部放射温度計２０と、下部放射温度計２０により測定された温度と相関関係を有する複数の処理情報を取得する処理情報取得部９０（各センサー）と、半導体ウェハーＷの熱処理を複数のフェーズ（熱処理フェーズＦ１～７）に区切り、温度および処理情報に基づいて、複数のフェーズ（熱処理フェーズＦ１～７）のそれぞれ毎に作成された複数の学習モデルに基づいて半導体ウェハーＷの処理異常を検知する検知部３２ｃと、を備える。
【選択図】図８
【特許請求の範囲】
【請求項1】
熱処理装置で熱処理される基板の処理異常を検知する異常検知装置であって、
熱処理中の前記基板の温度を測定する温度計と、
前記温度計により測定された温度と相関関係を有する複数の処理情報を取得する処理情報取得部と、
前記基板の熱処理を複数のフェーズに区切り、前記温度および前記処理情報に基づいて、前記複数のフェーズのそれぞれ毎に作成された複数の学習モデルに基づいて前記基板の処理異常を検知する検知部と、
を備える異常検知装置。
熱処理中の前記基板の温度を測定する温度計と、
前記温度計により測定された温度と相関関係を有する複数の処理情報を取得する処理情報取得部と、
前記基板の熱処理を複数のフェーズに区切り、前記温度および前記処理情報に基づいて、前記複数のフェーズのそれぞれ毎に作成された複数の学習モデルに基づいて前記基板の処理異常を検知する検知部と、
を備える異常検知装置。
【請求項2】
請求項１に記載の異常検知装置において、
前記熱処理装置は、前記基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内に収容された前記基板に光を照射して前記基板を予備加熱する予備加熱部と、前記基板に光を照射して前記基板を処理温度に到達させる主加熱部と、を備え、
前記複数の処理情報は、前記チャンバー内の石英部品の温度、前記チャンバーの壁面の温度、前記予備加熱部に供給される電力、前記予備加熱部からの光の強度、および、前記チャンバーの内部への処理ガスの供給量からなる群から選択された２以上のパラメータを含む、異常検知装置。
前記熱処理装置は、前記基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内に収容された前記基板に光を照射して前記基板を予備加熱する予備加熱部と、前記基板に光を照射して前記基板を処理温度に到達させる主加熱部と、を備え、
前記複数の処理情報は、前記チャンバー内の石英部品の温度、前記チャンバーの壁面の温度、前記予備加熱部に供給される電力、前記予備加熱部からの光の強度、および、前記チャンバーの内部への処理ガスの供給量からなる群から選択された２以上のパラメータを含む、異常検知装置。
【請求項3】
請求項２に記載の異常検知装置おいて、
前記複数のフェーズは、少なくとも、前記予備加熱部により昇温されるフェーズと、前記予備加熱部により前記温度が一定に維持されるフェーズと、前記予備加熱部および前記主加熱部による加熱の終了後に前記基板が降温するフェーズと、を含む、異常検知装置。
前記複数のフェーズは、少なくとも、前記予備加熱部により昇温されるフェーズと、前記予備加熱部により前記温度が一定に維持されるフェーズと、前記予備加熱部および前記主加熱部による加熱の終了後に前記基板が降温するフェーズと、を含む、異常検知装置。
【請求項4】
請求項１ないし請求項３のいずれか一つに記載の異常検知装置において、
前記検知部は前記学習モデルから求められる予想値と前記複数の処理情報に関する実測値とを前記複数のフェーズ毎に比較して処理異常を検知する異常検知装置。
前記検知部は前記学習モデルから求められる予想値と前記複数の処理情報に関する実測値とを前記複数のフェーズ毎に比較して処理異常を検知する異常検知装置。
【請求項5】
請求項４に記載の異常検知装置において、
前記検知部は、前記実測値が前記学習モデルから求められる前記予想値から所定の閾値を超えて乖離しているときに処理異常と判定する異常検知装置。
前記検知部は、前記実測値が前記学習モデルから求められる前記予想値から所定の閾値を超えて乖離しているときに処理異常と判定する異常検知装置。
【請求項6】
請求項５に記載の異常検知装置において、
前記検知部が処理異常を検知したときに警報を発する発報部をさらに備える、異常検知装置。
前記検知部が処理異常を検知したときに警報を発する発報部をさらに備える、異常検知装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、熱処理装置で熱処理される半導体ウェハー等の薄板状精密電子基板（以下、単に「基板」と称する）の処理異常を検知する異常検知装置に関する。
【背景技術】
【0002】
熱処理される基板の処理異常を検知する異常検知装置に関して、特許文献１が開示している。特許文献１には、半導体ウェハーの冷却期間中に半導体ウェハーの上面および／または下面の温度を測定することによって、半導体ウェハーの破損を検出する装置が記載されている。この装置は、推定された冷却モデルパラメータの値と半導体ウェハーの温度測定データから取得された値との差によって、半導体ウェハーの破損の検出を達成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特表２０１８－５３６２８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１に記載の装置のように、モデルパラメータの値と実測値との差を比較した上で、その差が閾値の範囲内か否かにより異常検知を行う装置では、変化の微少な処理異常の検知が困難であった。例えば、基板を加熱するための熱源のうちの一つのランプの出力の低下を検知することが困難であった。
【0005】
これに対し、ランプの出力に関しての基準値と実測値との比較での異常検知を行う装置の開発も試みられている。しかしながら、このような装置であっても、基板の温度の数度の変化や、ランプの出力の数％の変化とノイズとの差別化を図ることは困難である。
【0006】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、微少な処理異常の検知、および、微少な処理異常の検知による装置全体の故障の予兆が可能な異常検知装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、熱処理装置で熱処理される基板の処理異常を検知する異常検知装置であって、熱処理中の前記基板の温度を測定する温度計と、前記温度計により測定された温度と相関関係を有する複数の処理情報を取得する処理情報取得部と、前記基板の熱処理を複数のフェーズに区切り、前記温度および前記処理情報に基づいて、前記複数のフェーズのそれぞれ毎に作成された複数の学習モデルに基づいて前記基板の処理異常を検知する検知部と、を備えることを特徴とする。
【0008】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る異常検知装置において、前記熱処理装置は、前記基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内に収容された前記基板に光を照射して前記基板を予備加熱する予備加熱部と、前記基板に光を照射して前記基板を処理温度に到達させる主加熱部と、を備え、前記複数の処理情報は、前記チャンバー内の石英部品の温度、前記チャンバーの壁面の温度、前記予備加熱部に供給される電力、前記予備加熱部からの光の強度、および、前記チャンバーの内部への処理ガスの供給量からなる群から選択された２以上のパラメータを含むことを特徴とする。
【0009】
また、請求項３の発明は、請求項２に係る異常検知装置において、前記複数のフェーズは、少なくとも、前記予備加熱部により昇温されるフェーズと、前記予備加熱部により前記温度が一定に維持されるフェーズと、前記予備加熱部および前記主加熱部による加熱の終了後に前記基板が降温するフェーズと、を含むことを特徴とする。
【0010】
また、請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれか一つに係る異常検知装置において、前記検知部は前記学習モデルから求められる予想値と前記複数の処理情報に関する実測値とを前記複数のフェーズ毎に比較して処理異常を検知することを特徴とする。
【0011】
また、請求項５の発明は、請求項４に係る異常検知装置において、前記検知部は、前記実測値が前記学習モデルから求められる前記予想値から所定の閾値を超えて乖離しているときに処理異常と判定することを特徴とする。
【0012】
また、請求項６の発明は、請求項５に係る異常検知装置において、前記検知部が処理異常を検知したときに警報を発する発報部をさらに備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【0013】
請求項１、請求項２、請求項４、および請求項５に記載の発明によれば、複数のフェーズのそれぞれ毎に作成された複数の学習モデルに基づいて基板の処理異常を検知することから、微少な処理異常の検知、および、微少な処理異常の検知による装置全体の故障の予兆ができる。
【0014】
請求項３に記載の発明によれば、予備加熱部による特徴あるフェーズに区切るので、特徴あるフェーズ毎に学習モデルの作成することができる。
【0015】
請求項６に記載の発明によれば、処理異常を検知したときに警報を発する発報部を備えることから、装置の操作者による処理異常の検知がスムーズに行われる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】第１実施形態に関する熱処理装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図2】保持部の全体外観を示す斜視図である。
【図3】サセプタの平面図である。
【図4】サセプタの断面図である。
【図5】移載機構の平面図である。
【図6】移載機構の側面図である。
【図7】ハロゲン加熱部における複数のハロゲンランプの配置を示す平面図である。
【図8】異常検知装置を含む熱処理装置の電気的な構成を概略的に示す機能ブロック図である。
【図9】第１実施形態における学習モデルの作成のときに利用されるフェーズを表す表である。
【図10】異常検知装置による学習モデル作成の処理手順を示すフローチャートである。
【図11】異常検知装置による処理異常の検知手順を示すフローチャートである。
【図12】第２実施形態における学習モデルの作成のときに利用されるフェーズを表す表である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、添付される図面を参照しながら実施形態について説明する。以下の実施形態では、技術の説明のために詳細な特徴なども示されるが、それらは例示であり、実施形態が実施可能となるためにそれらすべてが必ずしも必須の特徴ではない。
【0018】
なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化が図面においてなされるものである。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、断面図ではない平面図などの図面においても、実施形態の内容を理解することを容易にするために、ハッチングが付される場合がある。
【0019】
また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。
【0020】
また、以下に記載される説明において、ある構成要素を「備える」、「含む」または「有する」などと記載される場合、特に断らない限りは、他の構成要素の存在を除外する排他的な表現ではない。
【0021】
また、以下に記載される説明において、「第１の」または「第２の」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。
【0022】
また、以下に記載される説明における、相対的または絶対的な位置関係を示す表現、たとえば、「一方向に」、「一方向に沿って」、「平行」、「直交」、「中心」、「同心」または「同軸」などは、特に断らない限りは、その位置関係を厳密に示す場合、および、公差または同程度の機能が得られる範囲において角度または距離が変位している場合を含むものとする。
【0023】
また、以下に記載される説明において、等しい状態であることを示す表現、たとえば、「同一」、「等しい」、「均一」または「均質」などは、特に断らない限りは、厳密に等しい状態であることを示す場合、および、公差または同程度の機能が得られる範囲において差が生じている場合を含むものとする。
【0024】
また、以下に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置または方向を意味する用語が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、実際に実施される際の位置または方向とは関係しないものである。
【0025】
また、以下に記載される説明において、「…の上面」または「…の下面」などと記載される場合、対象となる構成要素の上面自体または下面自体に加えて、対象となる構成要素の上面または下面に他の構成要素が形成された状態も含むものとする。すなわち、たとえば、「甲の上面に設けられる乙」と記載される場合、甲と乙との間に別の構成要素「丙」が介在することを妨げるものではない。
【0026】
＜第１実施形態＞
以下、第１実施形態に関する熱処理装置の異常検知装置について説明する。
以下、第１実施形態に関する熱処理装置の異常検知装置について説明する。
【0027】
＜熱処理装置１６０の構成＞
図１は、第１実施形態に関する熱処理装置１６０の構成を概略的に示す断面図である。
図１は、第１実施形態に関する熱処理装置１６０の構成を概略的に示す断面図である。
【0028】
図１に例が示されるように、本実施形態の熱処理装置１６０は、基板としての円板形状の半導体ウェハーＷに対して光照射を行うことによって、その半導体ウェハーＷを加熱する装置である。
【0029】
処理対象となる半導体ウェハーＷのサイズは特に限定されるものではないが、たとえばφ３００ｍｍまたはφ４５０ｍｍである（本実施形態ではφ３００ｍｍ）。
【0030】
熱処理装置１６０は、半導体ウェハーＷを収容するチャンバー１６１と、主加熱部としての複数のフラッシュランプＦＬを内蔵するフラッシュ加熱部５と、予備加熱部としての複数のハロゲンランプＨＬを内蔵するハロゲン加熱部４と、を備える。チャンバー１６１の上側にフラッシュ加熱部５が設けられるとともに、下側にハロゲン加熱部４が設けられている。さらに、熱処理装置１６０は、ハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー１６１に設けられた各動作機構を制御して半導体ウェハーＷの熱処理を実行させる制御部３と、を備える。なお、本実施形態においては、制御部３に熱処理装置１６０の異常を検知する異常検知装置２が含まれる。なお、本実施形態では、ハロゲン加熱部４は、複数のハロゲンランプＨＬを備えているが、ハロゲンランプＨＬの代わりにアークランプまたは発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、すなわち、ＬＥＤ）が備えられていてもよい。上述の構成により、半導体ウェハーＷは、チャンバーに収容された状態で加熱される。
【0031】
複数のフラッシュランプＦＬは、フラッシュ光を照射することによって半導体ウェハーＷを加熱する。また、複数のハロゲンランプＨＬは、半導体ウェハーＷを連続加熱する。
【0032】
また、熱処理装置１６０は、チャンバー１６１の内部に、半導体ウェハーＷを水平姿勢に保持する保持部７と、保持部７と装置外部との間で半導体ウェハーＷの受け渡しを行う移載機構１０とを備える。
【0033】
チャンバー１６１は、チャンバー筐体（チャンバー側部６１）の上面に石英製の上側チャンバー窓６３が装着されて閉塞されている。
【0034】
チャンバー１６１の天井部を構成する上側チャンバー窓６３は、石英によって形成された円板形状部材であり、フラッシュ加熱部５から出射された光をチャンバー１６１内に透過する石英窓として機能する。
【0035】
また、チャンバー１６１の床部を構成する下側チャンバー窓６４も、石英によって形成された円板形状部材であり、ハロゲン加熱部４からの光をチャンバー１６１内に透過する石英窓として機能する。
【0036】
また、チャンバー側部６１の内側の壁面の上部には反射リング６８が装着され、下部には反射リング６９が装着されている。反射リング６８および反射リング６９は、ともに円環状に形成されている。
【0037】
上側の反射リング６８は、チャンバー側部６１の上側から嵌め込むことによって装着される。一方、下側の反射リング６９は、チャンバー側部６１の下側から嵌め込んで図示省略のビスで留めることによって装着される。すなわち、反射リング６８および反射リング６９は、ともに着脱自在にチャンバー側部６１に装着されるものである。
【0038】
チャンバー１６１の内側空間、すなわち、上側チャンバー窓６３、チャンバー筐体（チャンバー側部６１）、反射リング６８によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。
【0039】
チャンバー側部６１に反射リング６８および反射リング６９が装着されることによって、チャンバー１６１の内壁面に凹部６２が形成される。すなわち、チャンバー側部６１の内壁面のうち反射リング６８および反射リング６９が装着されていない中央部分と、反射リング６８の下端面と、反射リング６９の上端面とで囲まれた凹部６２が形成される。
【0040】
凹部６２は、チャンバー１６１の内壁面に水平方向に沿って円環状に形成され、半導体ウェハーＷを保持する保持部７を囲繞する。チャンバー側部６１および反射リング６８および反射リング６９は、強度と耐熱性に優れた金属材料（たとえば、ステンレススチール）で形成されている。
【0041】
また、チャンバー筐体（チャンバー側部６１）には、チャンバー１６１に対して半導体ウェハーＷの搬入および搬出を行うための搬送開口部（炉口）６６が形設されている。搬送開口部６６は、ゲートバルブ１６２によって開閉可能とされている。搬送開口部６６は、凹部６２の外周面に連通接続されている。
【0042】
このため、ゲートバルブ１６２が搬送開口部６６を開放しているときには、搬送開口部６６から凹部６２を通過して熱処理空間６５への半導体ウェハーＷの搬入および熱処理空間６５からの半導体ウェハーＷの搬出を行うことができる。また、ゲートバルブ１６２が搬送開口部６６を閉鎖するとチャンバー１６１内の熱処理空間６５が密閉空間とされる。
【0043】
また、チャンバー側部６１の外壁面の貫通孔６１ａ，６１ｂが設けられている各部位には上部放射温度計２５と下部放射温度計２０がそれぞれ取り付けられている。貫通孔６１ａは、後述するサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの上面から放射された赤外光を上部放射温度計２５に導くための円筒状の孔である。また、貫通孔６１ｂは、後述するサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの下面から放射された赤外光を下部放射温度計２０に導くための円筒状の孔である。貫通孔６１ａ，６１ｂは、その貫通方向の軸がサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの主面と交わるように、水平方向に対して傾斜して設けられている。貫通孔６１ａの熱処理空間６５に臨む側の端部には、上部放射温度計２５が測定可能な波長領域の赤外光を透過させるフッ化カルシウム材料からなる透明窓２６が装着されている。また、貫通孔６１ｂの熱処理空間６５に臨む側の端部には、下部放射温度計２０が測定可能な波長領域の赤外光を透過させるフッ化バリウム材料からなる透明窓２１が装着されている。
【0044】
上部放射温度計２５は、サセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの斜め上方に設置され、その半導体ウェハーＷの上面から放射された赤外光を受光して上面の温度を測定する。上部放射温度計２５に備えられる赤外線センサー２９は、フラッシュ光が照射された瞬間の半導体ウェハーＷの上面の急激な温度変化に対応できるように、ＩｎＳｂ（インジウムアンチモン）の光学素子を備えている。
【0045】
一方、下部放射温度計２０は、サセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの斜め下方に設置され、その半導体ウェハーＷの下面から放射された赤外光を受光して下面の温度を測定する。下部放射温度計２０には赤外線センサー２４が備えられ、半導体ウェハーＷの下面の温度が測定される。また、チャンバー１６１には、温度センサー９１，９２，９３，９４，９５が設置される。各温度センサー９１，９２，９３，９４，９５において、温度センサー９１はサセプタ７４を、温度センサー９２は上側チャンバー窓６３を、温度センサー９３は下側チャンバー窓６４を、温度センサー９４はチャンバー内の雰囲気を、温度センサー９５はチャンバー１６１の壁面を、測定する。
【0046】
また、チャンバー１６１の内壁上部には熱処理空間６５に処理ガスを供給するガス供給孔８１が形設されている。ガス供給孔８１は、凹部６２よりも上側位置に形設されており、反射リング６８に設けられていても良い。ガス供給孔８１はチャンバー１６１の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８２を介してガス供給管８３に連通接続されている。
【0047】
ガス供給管８３は処理ガス供給源８５に接続されている。また、ガス供給管８３の経路途中にはバルブ８４が介挿されている。バルブ８４が開放されると、処理ガス供給源８５から緩衝空間８２に処理ガスが送給される。なお、バルブ８４の下流側には流量計９８が接続されており、流量計９８によりバルブ８４を通過する処理ガスの流量が測定される。
【0048】
緩衝空間８２に流入した処理ガスは、ガス供給孔８１よりも流体抵抗の小さい緩衝空間８２内を拡がるように流れてガス供給孔８１から熱処理空間６５内へと供給される。処理ガスとしては、窒素（Ｎ２）等の不活性ガス、または、水素（Ｈ２）、アンモニア（ＮＨ３）等の反応性ガスを用いることができる（本実施形態では窒素）。
【0049】
一方、チャンバー１６１の内壁下部には熱処理空間６５内の気体を排気するガス排気孔８６が形設されている。ガス排気孔８６は、凹部６２よりも下側位置に形設されており、反射リング６９に設けられていても良い。ガス排気孔８６はチャンバー１６１の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８７を介してガス排気管８８に連通接続されている。ガス排気管８８は排気機構１９０に接続されている。また、ガス排気管８８の経路途中にはバルブ８９が介挿されている。バルブ８９が開放されると、熱処理空間６５の気体がガス排気孔８６から緩衝空間８７を経てガス排気管８８へと排出される。
【0050】
なお、ガス供給孔８１およびガス排気孔８６は、チャンバー１６１の周方向に沿って複数設けられていても良いし、スリット状のものであっても良い。また、処理ガス供給源８５および排気機構１９０は、熱処理装置１６０に設けられた機構であっても良いし、熱処理装置１６０が設置される工場のユーティリティであっても良い。
【0051】
また、搬送開口部６６の先端にも熱処理空間６５内の気体を排出するガス排気管１９１が接続されている。ガス排気管１９１はバルブ１９２を介して排気機構１９０に接続されている。バルブ１９２を開放することによって、搬送開口部６６を介してチャンバー１６１内の気体が排気される。
【0052】
図２は、保持部７の全体外観を示す斜視図である。保持部７は、基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４を備えて構成される。基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４はいずれも石英で形成されている。すなわち、保持部７の全体が石英で形成されている。
【0053】
基台リング７１は、円環形状から一部が欠落した円弧形状の石英部材である。この欠落部分は、後述する移載機構１０の移載アーム１１と基台リング７１との干渉を防ぐために設けられている。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されることによって、チャンバー１６１の壁面に支持されることとなる（図３を参照）。基台リング７１の上面に、その円環形状の周方向に沿って複数の連結部７２（本実施形態では４個）が立設される。連結部７２も石英の部材であり、溶接によって基台リング７１に固着される。
【0054】
【0055】
サセプタ７４は、保持プレート７５、ガイドリング７６および複数の支持ピン７７を備える。保持プレート７５は、石英で形成された略円形の平板状部材である。保持プレート７５の直径は、半導体ウェハーＷの直径よりも大きい。すなわち、保持プレート７５は、半導体ウェハーＷよりも大きな平面サイズを有する。
【0056】
保持プレート７５の上面周縁部には、ガイドリング７６が設置されている。ガイドリング７６は、半導体ウェハーＷの直径よりも大きな内径を有する円環形状の部材である。たとえば、半導体ウェハーＷの直径がφ３００ｍｍの場合、ガイドリング７６の内径はφ３２０ｍｍである。
【0057】
ガイドリング７６の内周は、保持プレート７５から上方に向けて広くなるようなテーパ面とされている。ガイドリング７６は、保持プレート７５と同様の石英で形成される。
【0058】
ガイドリング７６は、保持プレート７５の上面に溶着するようにしてもよいし、別途加工したピンなどによって保持プレート７５に固定するようにしてもよい。或いは、保持プレート７５とガイドリング７６とを一体の部材として加工するようにしてもよい。
【0059】
保持プレート７５の上面のうちガイドリング７６よりも内側の領域が半導体ウェハーＷを保持する平面状の保持面７５ａとされる。保持プレート７５の保持面７５ａには、複数の支持ピン７７が設けられている。本実施形態においては、保持面７５ａの外周円（ガイドリング７６の内周円）と同心円の周上に沿って３０°毎に合計１２個の支持ピン７７が環状に立設されている。
【0060】
１２個の支持ピン７７を配置した円の径（対向する支持ピン７７間の距離）は半導体ウェハーＷの径よりも小さく、半導体ウェハーＷの径がφ３００ｍｍであればφ２１０ｍｍ～φ２８０ｍｍである。支持ピン７７は、３本以上設けられる。それぞれの支持ピン７７は石英で形成されている。
【0061】
複数の支持ピン７７は、保持プレート７５の上面に溶接によって設けるようにしてもよいし、保持プレート７５と一体に加工するようにしてもよい。
【0062】
図２に戻り、基台リング７１に立設された４個の連結部７２とサセプタ７４の保持プレート７５の周縁部とが溶接によって固着される。すなわち、サセプタ７４と基台リング７１とは連結部７２によって固定的に連結されている。このような保持部７の基台リング７１がチャンバー１６１の壁面に支持されることによって、保持部７がチャンバー１６１に装着される。保持部７がチャンバー１６１に装着された状態においては、サセプタ７４の保持プレート７５は水平姿勢（法線が鉛直方向と一致する姿勢）となる。すなわち、保持プレート７５の保持面７５ａは水平面となる。
【0063】
チャンバー１６１に搬入された半導体ウェハーＷは、チャンバー１６１に装着された保持部７のサセプタ７４の上側に水平姿勢で載置されて保持される。このとき、半導体ウェハーＷは保持プレート７５上に立設された１２個の支持ピン７７によって支持されて、下側からサセプタ７４に支持される。より厳密には、１２個の支持ピン７７の上端部が半導体ウェハーＷの下面（裏面）に接触して当該半導体ウェハーＷを支持する。
【0064】
１２個の支持ピン７７の高さ（支持ピン７７の上端から保持プレート７５の保持面７５ａまでの距離）は均一であるため、１２個の支持ピン７７によって半導体ウェハーＷを水平姿勢に支持することができる。
【0065】
また、半導体ウェハーＷは複数の支持ピン７７によって保持プレート７５の保持面７５ａから所定の間隔を隔てて支持されることとなる。支持ピン７７の高さよりもガイドリング７６の厚さの方が大きい。従って、複数の支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの水平方向の位置ずれはガイドリング７６によって防止される。
【0066】
また、図２および図３に示されるように、サセプタ７４の保持プレート７５には、上下に貫通して開口部７８が形成されている。開口部７８は、下部放射温度計２０が半導体ウェハーＷの下面（裏面）から放射される放射光（赤外光）を受光するために設けられている。すなわち、下部放射温度計２０が開口部７８およびチャンバー筐体（チャンバー側部６１）の透明窓２１（貫通孔６１ｂに装着される）を介して半導体ウェハーＷの下面（裏面）から放射された光を受光して当該半導体ウェハーＷの温度を測定する。
【0067】
さらに、サセプタ７４の保持プレート７５には、後述する移載機構１０のリフトピン１２が半導体ウェハーＷの受け渡しのために貫通する４個の貫通孔７９が穿設されている。
【0068】
【0069】
それぞれの移載アーム１１には２本のリフトピン１２が立設されている。移載アーム１１およびリフトピン１２は石英で形成されている。各移載アーム１１は水平移動機構１３によって回動可能とされている。水平移動機構１３は、一対の移載アーム１１を保持部７に対して半導体ウェハーＷの移載を行う移載動作位置（図５の実線位置）と保持部７に保持された半導体ウェハーＷと平面視で重ならない退避位置（図５の二点鎖線位置）との間で水平移動させる。
【0070】
水平移動機構１３としては、個別のモータによって各移載アーム１１をそれぞれ回動させるものであってもよいし、リンク機構を用いて１個のモータによって一対の移載アーム１１を連動させて回動させるものであってもよい。
【0071】
また、一対の移載アーム１１は、昇降機構１４によって水平移動機構１３とともに昇降移動される。昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置において上昇させると、合計４本のリフトピン１２がサセプタ７４に穿設された貫通孔７９（図２および図３参照）を通過し、リフトピン１２の上端がサセプタ７４の上面から突き出る。一方、昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置において下降させてリフトピン１２を貫通孔７９から抜き取り、水平移動機構１３が一対の移載アーム１１を開くように移動させると各移載アーム１１が退避位置に移動する。
【0072】
一対の移載アーム１１の退避位置は、保持部７の基台リング７１の直上である。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されているため、移載アーム１１の退避位置は凹部６２の内側となる。なお、移載機構１０の駆動部（水平移動機構１３および昇降機構１４）が設けられている部位の近傍にも図示省略の排気機構が設けられており、移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気がチャンバー１６１の外部に排出されるように構成されている。
【0073】
図１に戻り、チャンバー１６１の上方に設けられたフラッシュ加熱部５は、筐体５１の内側に、複数本（本実施形態では３０本）のキセノンフラッシュランプＦＬからなる光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ５２とを備えて構成される。
【0074】
また、フラッシュ加熱部５の筐体５１の底部にはランプ光放射窓５３が装着されている。フラッシュ加熱部５の床部を構成するランプ光放射窓５３は、石英によって形成された板状の石英窓である。フラッシュ加熱部５がチャンバー１６１の上方に設置されることにより、ランプ光放射窓５３が上側チャンバー窓６３と相対向することとなる。フラッシュランプＦＬはチャンバー１６１の上方からランプ光放射窓５３および上側チャンバー窓６３を介して熱処理空間６５にフラッシュ光を照射する。ランプ光放射窓５３には光量センサー９６が取り付けられており、光量センサー９６によりフラッシュランプＦＬから照射される光の量が検出される。
【0075】
複数のフラッシュランプＦＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面（表面）に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプＦＬの配列によって形成される平面も水平面である。
【0076】
フラッシュランプＦＬは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された棒状のガラス管（放電管）と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極とを備える。
【0077】
キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。
【0078】
このようなフラッシュランプＦＬにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、ハロゲンランプＨＬの如き連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。すなわち、フラッシュランプＦＬは、１秒未満の極めて短い時間で瞬間的に発光するパルス発光ランプである。フラッシュランプＦＬの発光時間は、フラッシュランプＦＬに電力供給を行うランプ電源のコイル定数によって調整することができる。
【0079】
また、リフレクタ５２は、複数のフラッシュランプＦＬの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ５２の基本的な機能は、複数のフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を熱処理空間６５の側に反射するというものである。リフレクタ５２はアルミニウム合金板で形成されており、その上面（フラッシュランプＦＬに臨む側の面）はブラスト処理により粗面化加工が施されている。
【0080】
チャンバー１６１の下方に設けられたハロゲン加熱部４は、筐体４１の内側に複数本（本実施形態では４０本）のハロゲンランプＨＬを内蔵している。ハロゲン加熱部４は、複数のハロゲンランプＨＬによってチャンバー１６１の下方から下側チャンバー窓６４を介して熱処理空間６５への光照射を行って半導体ウェハーＷを加熱する。筐体４１の上部には光量センサー９７が取り付けられており、光量センサー９７によりハロゲンランプＨＬから照射される光の量が検出される。
【0081】
図７は、ハロゲン加熱部４における複数のハロゲンランプＨＬの配置を示す平面図である。４０本のハロゲンランプＨＬは上下２段に分けて配置されている。保持部７に近い上段に２０本のハロゲンランプＨＬが配設されるとともに、上段よりも保持部７から遠い下段にも２０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。
【0082】
各ハロゲンランプＨＬは、長尺の円筒形状を有する棒状ランプである。上段、下段ともに２０本のハロゲンランプＨＬは、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面（表面）に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように配列されている。よって、上段、下段ともにハロゲンランプＨＬの配列によって形成される平面は水平面である。
【0083】
また、図７に示されるように、上段、下段ともに保持部７に保持される半導体ウェハーＷの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域におけるハロゲンランプＨＬの配設密度が高くなっている。すなわち、上下段ともに、ランプ配列の中央部よりも周縁部の方がハロゲンランプＨＬの配設ピッチが短い。このため、ハロゲン加熱部４からの光照射による加熱時に温度低下が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部により多い光量の照射を行うことができる。
【0084】
また、図１に示すように、複数のハロゲンランプＨＬのそれぞれには電力供給部４９から電圧が印加されることによって、当該ハロゲンランプＨＬが発光する。電力供給部４９は、制御部３の制御に従って、複数のハロゲンランプＨＬのそれぞれに供給する電力を個別に調整する。すなわち、電力供給部４９は、ハロゲン加熱部４に配置された複数のハロゲンランプＨＬのそれぞれの発光強度を個別に調整することができる。
【0085】
また、上段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群と下段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群とが格子状に交差するように配列されている。すなわち、上段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向と下段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向とが互いに直交するように合計４０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。
【0086】
ハロゲンランプＨＬは、ガラス管内部に配設されたフィラメントに通電することでフィラメントを白熱化させて発光させるフィラメント方式の光源である。ガラス管の内部には、窒素やアルゴン等の不活性ガスにハロゲン元素（ヨウ素、臭素等）を微量導入した気体が封入されている。ハロゲン元素を導入することによって、フィラメントの折損を抑制しつつフィラメントの温度を高温に設定することが可能となる。
【0087】
したがって、ハロゲンランプＨＬは、通常の白熱電球に比べて寿命が長くかつ強い光を連続的に照射できるという特性を有する。すなわち、ハロゲンランプＨＬは少なくとも１秒以上連続して発光する連続点灯ランプである。また、ハロゲンランプＨＬは棒状ランプであるため長寿命であり、ハロゲンランプＨＬを水平方向に沿わせて配置することにより上方の半導体ウェハーＷへの放射効率が優れたものとなる。また、ハロゲン加熱部４の筐体４１内にも、２段のハロゲンランプＨＬの下側にリフレクタ４３が設けられている（図３）。リフレクタ４３は、複数のハロゲンランプＨＬから出射された光を熱処理空間６５の側に反射する。
【0088】
また、熱処理装置１６０は、半導体ウェハーＷの熱処理時にハロゲンランプＨＬおよびフラッシュランプＦＬから発生する熱エネルギーによるハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー１６１の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造を備えている。例えば、チャンバー１６１の壁体には水冷管（図示省略）が設けられている。また、ハロゲン加熱部４およびフラッシュ加熱部５は、内部に気体流を形成して排熱する空冷構造とされている。また、上側チャンバー窓６３とランプ光放射窓５３との間隙にも空気が供給され、フラッシュ加熱部５および上側チャンバー窓６３を冷却する。
【0089】
次に、熱処理装置１６０における処理動作について説明する。以下に説明する半導体ウェハーＷの処理手順は、制御部３が熱処理装置１６０の各動作機構を制御することにより進行する。
【0090】
まず、半導体ウェハーＷの処理に先立って給気のためのバルブ８４が開放されるとともに、排気用のバルブ８９が開放されてチャンバー１６１内に対する給排気が開始される。バルブ８４が開放されると、ガス供給孔８１から熱処理空間６５に窒素ガスが供給される。また、バルブ８９が開放されると、ガス排気孔８６からチャンバー１６１内の気体が排気される。これにより、チャンバー１６１内の熱処理空間６５の上部から供給された窒素ガスが下方へと流れ、熱処理空間６５の下部から排気される。
【0091】
また、バルブ１９２が開放されることによって、搬送開口部６６からもチャンバー１６１内の気体が排気される。さらに、図示省略の排気機構によって移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気も排気される。なお、熱処理装置１６０における半導体ウェハーＷの熱処理時には窒素ガスが熱処理空間６５に継続的に供給されており、その供給量は処理工程に応じて適宜変更される。
【0092】
続いて、ゲートバルブ１６２が開いて搬送開口部６６が開放され、装置外部の搬送ロボットにより搬送開口部６６を介して処理対象となる半導体ウェハーＷがチャンバー１６１内の熱処理空間６５に搬入される。このときには、半導体ウェハーＷの搬入にともなって装置外部の雰囲気を巻き込むおそれがあるが、チャンバー１６１には窒素ガスが供給され続けているため、搬送開口部６６から窒素ガスが流出して、そのような外部雰囲気の巻き込みを最小限に抑制することができる。
【0093】
搬送ロボットによって搬入された半導体ウェハーＷは保持部７の直上位置まで進出して停止する。そして、移載機構１０の一対の移載アーム１１が退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２が貫通孔７９を通ってサセプタ７４の保持プレート７５の上面から突き出て半導体ウェハーＷを受け取る。このとき、リフトピン１２は支持ピン７７の上端よりも上方にまで上昇する。
【0094】
半導体ウェハーＷがリフトピン１２に載置された後、搬送ロボットが熱処理空間６５から退出し、ゲートバルブ１６２によって搬送開口部６６が閉鎖される。そして、一対の移載アーム１１が下降することにより、半導体ウェハーＷは移載機構１０から保持部７のサセプタ７４に受け渡されて水平姿勢にて下方より保持される。半導体ウェハーＷは、保持プレート７５上に立設された複数の支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。また、半導体ウェハーＷは、被処理面である表面を上面として保持部７に保持される。複数の支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの裏面（表面とは反対側の主面）と保持プレート７５の保持面７５ａとの間には所定の間隔が形成される。サセプタ７４の下方にまで下降した一対の移載アーム１１は水平移動機構１３によって退避位置、すなわち凹部６２の内側に退避する。
【0095】
半導体ウェハーＷが石英にて形成された保持部７のサセプタ７４によって水平姿勢にて下方より保持された後、ハロゲン加熱部４の４０本のハロゲンランプＨＬが一斉に点灯して予備加熱（アシスト加熱）が開始される。ハロゲンランプＨＬから出射されたハロゲン光は、石英にて形成された下側チャンバー窓６４およびサセプタ７４を透過して半導体ウェハーＷの下面に照射される。ハロゲンランプＨＬからの光照射を受けることによって半導体ウェハーＷが予備加熱されて温度が上昇する。なお、移載機構１０の移載アーム１１は凹部６２の内側に退避しているため、ハロゲンランプＨＬによる加熱の障害となることは無い。
【0096】
ハロゲンランプＨＬからの光照射によって昇温する半導体ウェハーＷの温度は下部放射温度計２０によって測定される。測定された半導体ウェハーＷの温度は制御部３に伝達される。制御部３は、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって昇温する半導体ウェハーＷの温度が所定の予備加熱温度Ｔ１（図９参照）に到達したか否かを監視しつつ、ハロゲンランプＨＬの出力を制御する。すなわち、制御部３は、下部放射温度計２０による測定値に基づいて、半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１となるようにハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御する。
【0097】
半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した後、制御部３は半導体ウェハーＷをその予備加熱温度Ｔ１に暫時維持する。具体的には、下部放射温度計２０によって測定される半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した時点にて制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を調整し、半導体ウェハーＷの温度をほぼ予備加熱温度Ｔ１に維持している。
【0098】
このようなハロゲンランプＨＬによる予備加熱を行うことによって、半導体ウェハーＷの全体を予備加熱温度Ｔ１に均一に昇温している。ハロゲンランプＨＬによる予備加熱の段階においては、より放熱が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部の温度が中央部よりも低下する傾向にあるが、ハロゲン加熱部４におけるハロゲンランプＨＬの配設密度は、半導体ウェハーＷの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域の方が高くなっている。このため、放熱が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部に照射される光量が多くなり、予備加熱段階における半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一なものとすることができる。
【0099】
半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達して所定時間が経過した時点でフラッシュ加熱部５のフラッシュランプＦＬがサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの表面にフラッシュ光照射を行う。このとき、フラッシュランプＦＬから放射されるフラッシュ光の一部は直接にチャンバー１６１内へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ５２により反射されてからチャンバー１６１内へと向かい、これらのフラッシュ光の照射により半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱が行われる。
【0100】
フラッシュ加熱は、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光（閃光）照射により行われるため、半導体ウェハーＷの表面温度を短時間で上昇することができる。すなわち、フラッシュランプＦＬから照射されるフラッシュ光は、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が０．１ミリセカンド以上１００ミリセカンド以下程度の極めて短く強い閃光である。そして、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射によりフラッシュ加熱される半導体ウェハーＷの表面温度は、瞬間的に１０００℃以上の処理温度まで上昇した後、急速に下降する。
【0101】
フラッシュ加熱処理が終了した後、所定時間経過後にハロゲンランプＨＬが消灯する。これにより、半導体ウェハーＷが予備加熱温度Ｔ１から急速に降温する。降温中の半導体ウェハーＷの温度は下部放射温度計２０によって測定され、その測定結果は制御部３に伝達される。制御部３は、下部放射温度計２０の測定結果より半導体ウェハーＷの温度が所定温度まで降温したか否かを監視する。そして、半導体ウェハーＷの温度が所定以下にまで降温した後、移載機構１０の一対の移載アーム１１が再び退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２がサセプタ７４の上面から突き出て熱処理後の半導体ウェハーＷをサセプタ７４から受け取る。続いて、ゲートバルブ１６２により閉鎖されていた搬送開口部６６が開放され、リフトピン１２上に載置された半導体ウェハーＷが装置外部の搬送ロボットによりチャンバー１６１から搬出され、半導体ウェハーＷの加熱処理が完了する。
【0102】
＜異常検知装置２の構成＞
図８は、異常検知装置２を含む熱処理装置１６０の電気的な構成を概略的に示す機能ブロック図である。熱処理装置１６０は、制御部３と、入力部１５と、表示部１６とを含んでいる。制御部３は、ＣＰＵ等の演算処理装置を含む。また、制御部３は異常検知装置２を含む。制御部３は、例えばフラッシュ加熱部５やハロゲン加熱部４を制御する。入力部１５は、キーボード、ポインティングデバイスおよびタッチパネル等の入力機器を含む。さらに、入力部１５は、ホストコンピュータとの通信のための通信モジュールを含む。表示部１６は、例えば液晶表示ディスプレイを含み、制御部３の制御下で各種情報を表示する。
図８は、異常検知装置２を含む熱処理装置１６０の電気的な構成を概略的に示す機能ブロック図である。熱処理装置１６０は、制御部３と、入力部１５と、表示部１６とを含んでいる。制御部３は、ＣＰＵ等の演算処理装置を含む。また、制御部３は異常検知装置２を含む。制御部３は、例えばフラッシュ加熱部５やハロゲン加熱部４を制御する。入力部１５は、キーボード、ポインティングデバイスおよびタッチパネル等の入力機器を含む。さらに、入力部１５は、ホストコンピュータとの通信のための通信モジュールを含む。表示部１６は、例えば液晶表示ディスプレイを含み、制御部３の制御下で各種情報を表示する。
【0103】
制御部３のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって熱処理装置１６０における処理が進行する。例えば、制御部３は、ハロゲン加熱部４やフラッシュ加熱部５を制御して半導体ウェハーＷを設定された温度に熱処理する。また、制御部３は、記憶部３１と、演算部３２と、発報部３３とを含む。記憶部３１は、固体メモリデバイスおよびハードディスクドライブ等の記憶装置を含む。演算部３２は、後に詳細に説明する、関係情報分析部３２ａと、学習モデル作成部３２ｂと、検知部３２ｃと、を備える。学習モデル作成部３２ｂと、検知部３２ｃと、発報部３３とは、異常検知装置２に含まれる。関係情報分析部３２ａ、学習モデル作成部３２ｂ、検知部３２ｃ、および発報部３３は、制御部３のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって実現される機能処理部である。関係情報分析部３２ａ、学習モデル作成部３２ｂ、検知部３２ｃ、および発報部３３の処理内容についてはさらに後述する。
【0104】
再び図１に戻り、上部放射温度計２５は、半導体ウェハーＷの上面（表面）の温度を測定する赤外線センサー２９を備える。赤外線センサー２９は、受光に応答して生じた検出信号を制御部３に送り、制御部３において半導体ウェハーＷの上面の温度を算出する。同様に、下部放射温度計２０は、半導体ウェハーＷの下面（裏面）の温度を測定する赤外線センサー２４を備える。赤外線センサー２４は、受光に応答して生じた検出信号を制御部３に送り、制御部３において半導体ウェハーＷの下面の温度を算出する。
【0105】
熱処理装置１６０の制御部３は、半導体ウェハーＷの温度の他、半導体ウェハーＷの温度と相関関係を有する複数の処理情報を取得する。この処理情報の例としては、チャンバー１６１内の石英部品の温度（例えば、サセプタ７４の温度、上側チャンバー窓６３の温度、下側チャンバー窓６４の温度）、チャンバー１６１の壁面の温度、ハロゲン加熱部４（または各ハロゲンランプＨＬ）に供給される電力量、ハロゲン加熱部４（または各ハロゲンランプＨＬ）から照射される光量、チャンバー１６１の内部への処理ガスの供給量、およびフラッシュ加熱部５（または各フラッシュランプＦＬ）から照射される光量である。
【0106】
これらの処理情報は、処理情報取得部９０としての各センサーＳ１～Ｓ９により取得される。例えば、サセプタ７４の温度は温度センサー９１（図１）（図８におけるセンサーＳ１）、上側チャンバー窓６３の温度は温度センサー９２（図１）（図８におけるセンサーＳ２）、下側チャンバー窓６４の温度は温度センサー９３（図１）（図８におけるセンサーＳ３）、チャンバー１６１内の雰囲気の温度は温度センサー９４（図１）（図８におけるセンサーＳ４）、チャンバー１６１の壁面の温度は温度センサー９５（図１）（図８におけるセンサーＳ５）により取得される。また、ハロゲン加熱部４（または各ハロゲンランプＨＬ）に供給される電力量は電力供給部４９に接続される電流計４９ａ（図１）（図８におけるセンサーＳ６）、ハロゲン加熱部４（または各ハロゲンランプＨＬ）から照射される光量は光量センサー９７（図１）（図８におけるセンサーＳ７）により、チャンバー１６１の内部への処理ガスの供給量はガス供給管８３に接続される流量計９８（図１）（図８におけるセンサーＳ８）により、フラッシュ加熱部５（または各フラッシュランプＦＬ）から照射される光量は光量センサー９６（図１）（図８におけるセンサーＳ９）により、それぞれ取得される。この情報も学習モデルの作成のための処理情報として利用可能である。なお、処理情報取得部９０としての各センサーＳ１～Ｓ９により得られる処理情報は、上記から選択された２以上のパラメータが含まれることが好ましい。また、処理情報として、半導体ウェハーＷの温度との相関関係を有するものであれば他の情報が採用されてもよく、上記のセンサーＳ１～Ｓ９による処理情報が除外されてもよい。
【0107】
半導体ウェハーＷの温度と相関関係を有する処理情報であるか否かは、半導体ウェハーＷの温度と処理情報との関係性を分析する関係情報分析部３２ａにより行われる。関係情報分析部３２ａは、各センサーから取得される情報が半導体ウェハーＷの温度との相関関係の有無や高低を判断する。関係情報分析部３２ａにおいて、半導体ウェハーＷの温度と相関関係が高いと判断された情報は、学習モデル作成部３２ｂにおいて処理情報として採用される。一方で、半導体ウェハーＷの温度との相関関係が無いか小さいと判断された処理情報は、学習モデル作成部３２ｂにおける処理情報から除外されてもよい。
【0108】
本実施形態において、学習モデル作成部３２ｂは、半導体ウェハーＷの温度と、処理情報取得部９０（各センサー）により得られる実測値（各センサーの出力値）との間の関係を表す学習モデルを作成する。学習モデルを作成するときには、まず、半導体ウェハーＷの温度と上記の２以上の各センサーから得られる実測値とに基づいて、半導体ウェハーＷの温度と各実測値との関係を示す学習データが取得される。そして、取得された学習データを用いて、各実測値の重み付け係数等が最適化される。このようにして、学習モデルが作成される。
【0109】
図９は、本実施形態における学習モデルの作成のときに利用されるフェーズを表す表である。なお、図９において横軸は時間を示し、一方の縦軸（左側（表中の実線が示すデータ））は温度を示し、他方の縦軸（右側（表中の点線が示すデータ））は熱処理フェーズを示す。
【0110】
本実施形態において、学習モデルが作成されるときには、学習モデル作成部３２ｂは、半導体ウェハーＷの熱処理を複数のフェーズに区切って学習モデルの作成を行う。複数のフェーズは、少なくとも、ハロゲン加熱部４により半導体ウェハーＷの温度が昇温されるフェーズと、ハロゲン加熱部４により半導体ウェハーＷの温度が一定に維持されるフェーズと、ハロゲン加熱部４およびフラッシュ加熱部５による加熱の終了後に半導体ウェハーＷの温度が降温するフェーズと、を含むことが好ましい。これらの熱処理フェーズは、半導体ウェハーＷの品質管理において特徴的なフェーズと考えられるためである。なお、図９においては、半導体ウェハーＷの下面の温度が示されており、本実施形態においては半導体ウェハーＷの下面の温度との相関関係を有する処理情報が関係情報分析部３２ａにより採用される。
【0111】
本実施形態においては、図９において点線で示す各熱処理フェーズに区切られる。本実施形態においては、ハロゲン加熱部４からの光の強度の異なりによって区切られる。本実施形態における熱処理フェーズは７区間に区切られる。詳細には、図９において、ｔ０～ｔ１の区間（熱処理フェーズＦ１）、ｔ１～ｔ２の区間（熱処理フェーズＦ２）、ｔ２～ｔ３の区間（熱処理フェーズＦ３）、ｔ３～ｔ４の区間（熱処理フェーズＦ４）、ｔ４～ｔ５の区間（熱処理フェーズＦ５）、ｔ５～ｔ６の区間（熱処理フェーズＦ６）、ｔ６～ｔ７の区間（熱処理フェーズＦ７）それぞれに区切られる。これらの各熱処理フェーズでは、設定されるハロゲン加熱部４からの光の強度が異なる。すなわち、電力供給部４９からハロゲン加熱部４に供給される電力量（電流計４９ａの指示値）が異なる。学習モデル作成部３２ｂは、上記のような複数のフェーズのそれぞれ毎に学習モデルを作成する。なお、上記のようなフェーズの区分けは、熱処理のレシピ毎に異なる。
【0112】
検知部３２ｃは、学習モデル作成部３２ｂが作成した複数の学習モデルに基づいて半導体ウェハーＷの処理異常を検知する。より具体的には、検知部３２ｃは、処理情報取得部９０（各センサー）により得られる実測値と学習モデルを用いて算出した予想値との差分に基づいて、半導体ウェハーＷの処理異常を検知する。検知部３２ｃは学習モデルから求められる予想値と複数の処理情報に関する実測値とを複数のフェーズ毎に比較して処理異常を検知する。検知部３２ｃは、処理情報取得部９０（各センサー）により得られる実測値と学習モデルを用いて算出した予想値との差分に基づいて、半導体ウェハーＷの処理異常を検知する。このとき、処理情報取得部９０（各センサー）により得られる実測値と学習モデルを用いて算出した予想値と差分の大きさを異常度として演算する。異常度は、半導体ウェハーＷの温度と処理情報との相関関係の大きさと関係する。相関関係が大きい場合には、差分が小さくても異常度が高いと判断され、相関関係が小さい場合には、差分が大きくても異常度が低いと判断される。
【0113】
以上のとおり、検知部３２ｃでは、半導体ウェハーＷの温度と処理情報取得部９０（各センサー）により得られる実測値との関係性の変化が検出される。これにより、熱処理装置１６０の故障の予兆が検知される。また、検知部３２ｃは、前記実測値が学習モデルから求められる予想値から所定の閾値を超えて乖離しているときに処理異常と判定する。
【0114】
発報部３３は、検知部３２ｃが上記のような処理異常を検知したときに警報を発する。発報部３３は表示部１６に故障または故障の予兆がある旨のアラームを表示させる。
【0115】
＜異常検知装置２の学習モデル作成フロー＞
以下、異常検知装置２における熱処理装置１６０の学習モデル作成および処理異常検知のフローについて説明する。
以下、異常検知装置２における熱処理装置１６０の学習モデル作成および処理異常検知のフローについて説明する。
【0116】
【0117】
図１０に示されるように、異常検知装置２により学習モデルが作成されるには、まず、教師データとなる半導体ウェハーＷの温度が測定される（ステップＳＴ１）。温度の測定は、複数の半導体ウェハーＷにおいて行われる。次に、温度の測定と同様に、熱処理装置１６０に設置される各センサー（処理情報取得部９０）により教師データとなる各処理情報が取得される（ステップＳＴ２）。各処理情報の取得もまた、複数の半導体ウェハーＷの処理において行われる。
【0118】
ステップＳＴ１およびステップＳＴ２において、取得された教師データとしての温度データと各処理情報とは、図９に示される熱処理フェーズ毎に区切られて、記憶部３１に記憶される（ステップＳＴ３）。次に、学習モデル作成部３２ｂは、温度および各処理情報に基づいて、上記各熱処理フェーズＦ１～７のそれぞれ毎に学習モデルを作成する。熱処理フェーズ毎に区切られた温度データの学習モデルが作成されるとともに、熱処理フェーズ毎に区切られた各処理情報の学習モデルが作成される（ステップＳＴ４）。
【0119】
本実施形態における異常検知装置２は、上記のとおり、熱処理フェーズ毎に区切られた学習モデルが作成されて、熱処理フェーズ毎に予想値と実測値とを比較可能である。なお、半導体ウェハーＷの熱処理においては、特徴の異なる各熱処理フェーズで、異なる半導体ウェハーＷの温度と他の処理情報との関係性が構築されると考えられる。このような条件の中で、熱処理フェーズ毎に異なる関係性が把握されると、熱処理におけるわずかな変化が検知され得る。このため、本実施形態における異常検知装置２によれば、従来技術では困難であった変化の微少な処理異常の検知が可能となる。例えば、基板を加熱するための熱源のうちの一つのランプの出力の低下を検知することが可能である。また、基板の温度の数度の変化や、ランプの出力の数％の変化とノイズとの差別化を図ることも可能である。以上から、本実施形態における異常検知装置２によれば、半導体ウェハーＷの全体的な熱処理で学習モデルが作成される場合よりも、微少な処理異常の検知、および、微少な処理異常の検知による装置全体の故障の予兆ができる。
【0120】
次に、異常検知装置２による処理異常が検知されるには、まず、処理される半導体ウェハーＷの温度が測定される（ステップＳＴ１１）。次に、各センサー（処理情報取得部９０）により各処理情報が取得される（ステップＳＴ１２）。
【0121】
ステップＳＴ１１およびステップＳＴ１２において、取得された半導体ウェハーＷの温度データと各処理情報とは、図９に示される熱処理フェーズ毎（熱処理フェーズＦ１～７）に区切られて、記憶部３１に記憶される（ステップＳＴ１３）。記憶部３１記憶された温度データと各処理情報とは、実際に計測された実測値として以下の処理で利用される。
【0122】
次に、半導体ウェハーＷの温度や各処理情報についての学習モデルの予想値が演算部３２で演算される（ステップＳＴ１４）。このように演算された予想値と上記のステップＳＴ１３において記憶された実測値とが比較される（ステップＳＴ１５）。つまり、異常検知装置２は、学習モデルから求められる予想値と、複数の処理情報に関する実測値とを、複数の処理情報毎に、複数の熱処理フェーズ毎（熱処理フェーズＦ１～７）に比較する。
【0123】
ステップＳＴ１５において比較された予想値と実測値との差分が、予め設定された閾値以上かどうかが判断される（ステップＳＴ１６）。閾値は処理情報毎に設定され、さらにフェーズ毎に設定されている。この閾値は、学習モデルの作成のときに算出されてもよい。ステップＳＴ１６において予想値と実測値との差分が閾値未満と判断された場合、処理異常なしと判断される（ステップＳＴ１７）。処理異常なしと判断された場合には、次の半導体ウェハーＷの処理が行われる。
【0124】
一方で、ステップＳＴ１６において予想値と実測値との差分が閾値以上と判断された場合、処理異常ありと判断される（ステップＳＴ１８）。処理異常ありとの判断は、いずれかの処理情報において、いずれかの熱処理フェーズにおいて閾値以上である場合に、行われる。いずれかの処理情報において、いずれかの熱処理フェーズにおいて、閾値以上である場合には、温度と当該処理情報との相関関係が破壊されたものと判断される。そして、相関関係の破壊の大きさも同時に評価される。ここで、破壊の大きさは、関係情報分析部３２ａにおいて演算された学習モデルにおける有効相関数と実測値における相関数との比率により評価される。したがって、学習モデルによる有効相関数の値が低い場合（相関関係が低いとされる処理情報の場合）には、実測値における相関数に変化が起こっていても異常と判断されない場合がある。
【0125】
ステップＳＴ１８において処理異常ありと判断された場合には、異常検知装置２の発報部３３によりアラームが発報される（ステップＳＴ１９）。破壊の大きさが大きいほど強いアラームが発報されてもよい。また、複数の処理情報において、複数の熱処理フェーズにおいて、連続して処理異常と判断された場合にも、強いアラームが発報されてもよい。アラームの発報は、例えば、発報部３３が表示部１６に故障または故障の予兆がある旨の表示をする。このような発報に伴い、半導体ウェハーＷの処理を停止してもよい。
【0126】
異常検知装置２は、上記のようにして、学習モデルから求められる予想値と複数の処理情報に関する実測値とを複数のフェーズ毎に比較して処理異常を検知する。
【0127】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態の熱処理装置２６０の構成および半導体ウェハーＷの処理手順は第１実施形態と同様である。第２実施形態においては、図８に示すとおり、第１実施形態と同様の電気的な構成を有している。制御部２０３は、記憶部３１と、演算部２３２と、発報部３３とを含む。演算部２３２は、関係情報分析部３２ａと、学習モデル作成部２３２ｂと、検知部３２ｃと、を備える。学習モデル作成部２３２ｂと、検知部３２ｃと、発報部３３とは、異常検知装置２０２に含まれる。
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態の熱処理装置２６０の構成および半導体ウェハーＷの処理手順は第１実施形態と同様である。第２実施形態においては、図８に示すとおり、第１実施形態と同様の電気的な構成を有している。制御部２０３は、記憶部３１と、演算部２３２と、発報部３３とを含む。演算部２３２は、関係情報分析部３２ａと、学習モデル作成部２３２ｂと、検知部３２ｃと、を備える。学習モデル作成部２３２ｂと、検知部３２ｃと、発報部３３とは、異常検知装置２０２に含まれる。
【0128】
【0129】
第２実施形態において、学習モデルが作成されるときには、学習モデル作成部２３２ｂは、半導体ウェハーＷの熱処理を複数のフェーズに区切って学習モデルの作成を行う。第２実施形態においては、図１２においてｔ１１～ｔ１７で示す時間に区切られた各熱処理フェーズに区切られる。
【0130】
第１実施形態における熱処理フェーズは、ハロゲン加熱部４からの光の強度毎に区切られるが、第２実施形態における熱処理フェーズは、半導体ウェハーＷの下面の温度の範囲毎に区切られる。第２実施形態においては、ハロゲン加熱部４からの光の強度の異なりによって区切られる。第２実施形態における熱処理フェーズは５区間に区切られる。詳細には、図１２において、ｔ１０～ｔ１１の区間（熱処理フェーズＦ１１）、ｔ１１～ｔ１２の区間（熱処理フェーズＦ１２）、ｔ１２～ｔ１３の区間（熱処理フェーズＦ１３）、ｔ１３～ｔ１４の区間（熱処理フェーズＦ１４）それぞれに区切られる。これらの各熱処理フェーズでは、下部放射温度計２０により測定される温度の範囲が異なる。例えば、熱処理フェーズＦ１１はハロゲン加熱部４による加熱開始から半導体ウェハーＷの温度が上昇し始めるまでの区間、熱処理フェーズＦ１２はハロゲン加熱部４により半導体ウェハーＷが予備加熱温度Ｔ１まで上昇する区間（ハロゲン加熱部４により昇温される区間）、熱処理フェーズＦ１３はハロゲン加熱部４による加熱により半導体ウェハーＷが予備加熱温度Ｔ１で一定に維持される区間、熱処理フェーズＦ１４はフラッシュ加熱部５の加熱の終了後にハロゲン加熱部４の出力低下により半導体ウェハーＷの温度が降温する区間（ハロゲン加熱部４およびフラッシュ加熱部５による加熱の終了後に半導体ウェハーＷが降温する区間）である。
【0131】
第２実施形態において、取得された半導体ウェハーＷの温度データと各処理情報とは、図１２に示される熱処理フェーズ毎（熱処理フェーズＦ１１～１４）に区切られて、記憶部３１に記憶される。そして、第２実施形態における異常検知装置２０２は、学習モデルから求められる予想値と、複数の処理情報に関する実測値とを、複数の処理情報毎に、複数の熱処理フェーズ毎（熱処理フェーズＦ１１～１４）に比較する。
【0132】
＜以上に記載された実施形態によって生じる効果について＞
次に、以上に記載された実施形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。
次に、以上に記載された実施形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。
【0133】
また、当該置き換えは、複数の実施形態に跨ってなされてもよい。すなわち、異なる実施形態において例が示されたそれぞれの構成が組み合わされて、同様の効果が生じる場合であってもよい。
【0134】
以上に記載された実施形態の異常検知装置２（２０２）によれば、熱処理装置１６０で熱処理される半導体ウェハーＷの処理異常を検知する異常検知装置２（２０２）である。異常検知装置２（２０２）は、熱処理中の半導体ウェハーＷの温度を測定する下部放射温度計２０と、下部放射温度計２０により測定された温度と相関関係を有する複数の処理情報を取得する処理情報取得部９０（各センサー）と、半導体ウェハーＷの熱処理を複数のフェーズ（熱処理フェーズＦ１～７、または、熱処理フェーズＦ１１～１４）に区切り、温度および処理情報に基づいて、複数のフェーズ（熱処理フェーズＦ１～７、または、熱処理フェーズＦ１１～１４）のそれぞれ毎に作成された複数の学習モデルに基づいて半導体ウェハーＷの処理異常を検知する検知部３２ｃと、を備える。
【0135】
このような構成によれば、複数のフェーズ（熱処理フェーズＦ１～７、または、熱処理フェーズＦ１１～１４）のそれぞれ毎に作成された複数の学習モデルに基づいて基板の処理異常を検知することができる。このことから、複数のフェーズに区切らずに作成された学習モデルにより異常を検知される場合よりも、微少な処理異常の検知、および、微少な処理異常の検知による熱処理装置１６０（２６０）全体の故障の予兆ができる。
【0136】
また、熱処理装置１６０（２６０）は、半導体ウェハーＷを収容するチャンバー１６１と、チャンバー１６１内に収容された半導体ウェハーＷに光を照射して半導体ウェハーＷを予備加熱するハロゲン加熱部４と、半導体ウェハーＷに光を照射して半導体ウェハーＷを処理温度に到達させるフラッシュ加熱部５と、を備える。また、複数の処理情報は、チャンバー１６１内の石英部品の温度（例えば、サセプタ７４の温度、上側チャンバー窓６３、下側チャンバー窓６４）、チャンバーの壁面の温度、ハロゲン加熱部４に供給される電力、ハロゲン加熱部４からの光の強度、および、チャンバー１６１の内部への処理ガスの供給量からなる群から選択された２以上のパラメータを含む。
【0137】
このような構成によれば、複数の処理情報のうちに、半導体ウェハーＷの温度との相関関係の大きいと考えられる２以上のパラメータを含むため、処理異常の検知の精度が向上する。
【0138】
また、複数のフェーズ（熱処理フェーズ）は、少なくとも、ハロゲン加熱部４により昇温されるフェーズ（第２実施形態における熱処理フェーズＦ１２）と、ハロゲン加熱部４により温度が一定に維持されるフェーズ（第２実施形態における熱処理フェーズＦ１３）と、ハロゲン加熱部４およびフラッシュ加熱部５による加熱の終了後に半導体ウェハーＷが降温するフェーズ（第２実施形態における熱処理フェーズＦ１４）と、を含む。
【0139】
このような構成によれば、半導体ウェハーＷの品質管理において特徴的なフェーズと考えられる熱処理フェーズ毎に学習モデルが作成されるため、処理異常の検知の精度が向上する。
【0140】
また、検知部３２ｃは学習モデルから求められる予想値と複数の処理情報（例えば、チャンバー１６１内の石英部品の温度、チャンバーの壁面の温度、ハロゲン加熱部４に供給される電力、ハロゲン加熱部４からの光の強度、および、チャンバー１６１の内部への処理ガスの供給量）に関する実測値とを複数のフェーズ（熱処理フェーズＦ１～７、または、熱処理フェーズＦ１１～１４）毎に比較して処理異常を検知する。
【0141】
このような構成によれば、半導体ウェハーＷの温度と処理情報との相関関係の大きさによって、異常度の大小が判断される。このため、処理異常の検知の精度が向上する。
【0142】
また、検知部３２ｃは、実測値が学習モデルから求められる予想値から所定の閾値を超えて乖離しているときに処理異常と判定する。
【0143】
また、検知部３２ｃが処理異常を検知したときにアラーム（警報）を発する発報部３３をさらに備える。
【0144】
このような構成によれば、熱処理装置１６０（２６０）の操作者による処理異常の検知がスムーズに行われる。
【0145】
＜以上に記載された実施形態の変形例について＞
以上に記載された実施形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、本願明細書に記載されたものに限られることはないものとする。
以上に記載された実施形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、本願明細書に記載されたものに限られることはないものとする。
【0146】
したがって、例が示されていない無数の変形例、および、均等物が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの実施形態における少なくとも１つの構成要素を抽出し、他の実施形態における構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。
【0147】
上述の実施形態において、演算部３２（２３２）は、関係情報分析部３２ａと、学習モデル作成部３２ｂ（２３２ｂ）とを備える構成としているが、これに限定されない。演算部３２（２３２）は、関係情報分析部３２ａを備えず、代わりに、予め分析された（または設定された）半導体ウェハーＷの温度と処理情報との関係性が記憶部３１に記憶されていてもよい。また、演算部３２（２３２）は、学習モデル作成部３２ｂを備えず、代わりに、予め作成された学習モデルが記憶部３１に記憶されていても良い。そして、この記憶された学習モデルに基づいて、演算部３２（２３２）が予想値を演算する構成としても良い。
【0148】
同様に、上述の実施形態において、異常検知装置２（２０２）は、学習モデル作成部３２ｂ（２３２ｂ）を備える構成としているが、これに限定されない。異常検知装置２（２０２）は、学習モデル作成部３２ｂ（２３２ｂ）を備えず、代わりに、予め作成された学習モデルが記憶部３１に記憶されていても良い。そして、この記憶された学習モデルに基づいて、異常検知装置２（２０２）が半導体ウェハーＷの処理異常を検知する構成としても良い。
【0149】
また、上述の実施形態において、演算部３２（２３２）（異常検知装置２（２０２））が検知部３２ｃを備える構成としているが、これに限定されない。演算部３２（２３２）（異常検知装置２（２０２））が検知部３２ｃを備えず、熱処理装置１６０（２６０）とリモートアクセス可能なクラウドに検知部３２ｃの機能が備えられる構成としても良い。この場合には、処理情報取得部９０（各センサー）により得られる実測値および下部放射温度計２０（または／および上部放射温度計２５）による測定値がクラウドに送信され、クラウドで演算された上で処理異常の結果を制御部３（２０３）が受信する構成としても良い。なお、この場合、処理情報取得部９０（各センサー）により得られる実測値および下部放射温度計２０（または／および上部放射温度計２５）による測定値がクラウドに記憶される構成としても良い。また、制御部３（２０３）の全体的な機能がクラウドに備えられる構成としても良い。さらに、クラウドに限らず、有線または無線にて熱処理装置１６０とアクセス（送受信）可能な検知部３２ｃの機能が備えられる構成でもよい。
【0150】
また、上述の実施形態においては、下部放射温度計２０により測定された半導体ウェハーＷの温度との相関関係を有する複数の処理情報が学習モデルの作成のために採用されているが、このような処理情報に限定されない。上部放射温度計２５により測定された半導体ウェハーＷの上面の温度との相関関係を有する複数の処理情報が学習モデルの作成のために採用されてもよい。この場合は、半導体ウェハーＷの上面の温度と処理情報に基づいて学習モデルが作成される。このため、他の期間と比較して、熱処理装置１６０（２６０）の状態が安定しており、ノイズの影響も小さいと考えられる期間（例えばソ－ク時）においても、半導体ウェハーＷの処理異常の検知が行われ得る。
【0151】
また、下部放射温度計２０および上部放射温度計２５により測定された半導体ウェハーＷの下面および上面それぞれの温度との相関関係を有する複数の処理情報が学習モデルの作成のために採用されてもよい。
【0152】
また、以上に記載された実施形態において、特に指定されずに材料名などが記載された場合は、矛盾が生じない限り、当該材料に他の添加物が含まれた、たとえば、合金などが含まれるものとする。
【符号の説明】
【0153】
２，２０２ 異常検知装置
３，２０３ 制御部
４ ハロゲン加熱部
５ フラッシュ加熱部
６ チャンバー
７ 保持部
１０ 移載機構
１１ 移載アーム
１２ リフトピン
１３ 水平移動機構
１４ 昇降機構
１５ 入力部
１６ 表示部
２０ 下部放射温度計
２１，２６ 透明窓
２４，２９ 赤外線センサー
２５ 上部放射温度計
３１ 記憶部
３２，２３２ 演算部
３２ａ 関係情報分析部
３２ｂ，２３２ｂ 学習モデル作成部
３２ｃ 検知部
３３ 発報部
４１，５１ 筐体
４３，５２ リフレクタ
４９ 電力供給部
４９ａ 電流計
５３ ランプ光放射窓
６１ チャンバー側部
６１ａ，６１ｂ 貫通孔
６２ 凹部
６３ 上側チャンバー窓
６４ 下側チャンバー窓
６５ 熱処理空間
６６ 搬送開口部
６８，６９ 反射リング
７１ 基台リング
７２ 連結部
７４ サセプタ
７５ 保持プレート
７５ａ 保持面
７６ ガイドリング
７７ 支持ピン
７８ 開口部
７９ 貫通孔
８１ ガス供給孔
８２，８７ 緩衝空間
８３ ガス供給管
８４，８９，１９２ バルブ
８５ 処理ガス供給源
８６ ガス排気孔
８８，１９１ ガス排気管
９０ 処理情報取得部
９１、９２，９３，９４，９５ 温度センサー
９６，９７ 光量センサー
９８ 流量計
１６０，２６０ 熱処理装置
１６１ チャンバー
１６２ ゲートバルブ
１９０ 排気機構
Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４，Ｆ５，Ｆ６，Ｆ７，Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３，Ｆ１４ 熱処理フェーズ
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７，Ｓ８，Ｓ９ センサー
Ｔ１ 予備加熱温度
Ｗ 半導体ウェハー
３，２０３ 制御部
４ ハロゲン加熱部
５ フラッシュ加熱部
６ チャンバー
７ 保持部
１０ 移載機構
１１ 移載アーム
１２ リフトピン
１３ 水平移動機構
１４ 昇降機構
１５ 入力部
１６ 表示部
２０ 下部放射温度計
２１，２６ 透明窓
２４，２９ 赤外線センサー
２５ 上部放射温度計
３１ 記憶部
３２，２３２ 演算部
３２ａ 関係情報分析部
３２ｂ，２３２ｂ 学習モデル作成部
３２ｃ 検知部
３３ 発報部
４１，５１ 筐体
４３，５２ リフレクタ
４９ 電力供給部
４９ａ 電流計
５３ ランプ光放射窓
６１ チャンバー側部
６１ａ，６１ｂ 貫通孔
６２ 凹部
６３ 上側チャンバー窓
６４ 下側チャンバー窓
６５ 熱処理空間
６６ 搬送開口部
６８，６９ 反射リング
７１ 基台リング
７２ 連結部
７４ サセプタ
７５ 保持プレート
７５ａ 保持面
７６ ガイドリング
７７ 支持ピン
７８ 開口部
７９ 貫通孔
８１ ガス供給孔
８２，８７ 緩衝空間
８３ ガス供給管
８４，８９，１９２ バルブ
８５ 処理ガス供給源
８６ ガス排気孔
８８，１９１ ガス排気管
９０ 処理情報取得部
９１、９２，９３，９４，９５ 温度センサー
９６，９７ 光量センサー
９８ 流量計
１６０，２６０ 熱処理装置
１６１ チャンバー
１６２ ゲートバルブ
１９０ 排気機構
Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４，Ｆ５，Ｆ６，Ｆ７，Ｆ１１，Ｆ１２，Ｆ１３，Ｆ１４ 熱処理フェーズ
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７，Ｓ８，Ｓ９ センサー
Ｔ１ 予備加熱温度
Ｗ 半導体ウェハー
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】