(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023141833
(43)【公開日】2023-10-05
(54)【発明の名称】基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H05H 1/24 20060101AFI20230928BHJP
H01L 21/304 20060101ALI20230928BHJP
H01L 21/027 20060101ALI20230928BHJP
【ＦＩ】
H05H1/24
H01L21/304 643A
H01L21/304 645C
H01L21/30 572B
H01L21/30 572A
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022048358
(22)【出願日】2022-03-24
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(72)【発明者】
【氏名】竹市 弥生
(72)【発明者】
【氏名】堀越 章
(72)【発明者】
【氏名】上野 美佳
(72)【発明者】
【氏名】中西 健二
(72)【発明者】
【氏名】高辻 茂
【テーマコード（参考）】
2G084
5F146
5F157
【Ｆターム（参考）】
2G084AA03
2G084BB05
2G084CC03
2G084CC04
2G084CC08
2G084CC19
2G084CC34
2G084DD01
2G084DD13
2G084DD16
2G084FF07
5F146MA02
5F146MA03
5F146MA12
5F146MA17
5F157AA64
5F157AB02
5F157AB14
5F157AB33
5F157AB49
5F157AB51
5F157AB64
5F157AB90
5F157AC01
5F157AC25
5F157BB23
5F157BB44
5F157BB64
5F157BG32
5F157BG39
5F157BG72
5F157CF22
5F157CF46
5F157CF48
5F157CF72
5F157DB02
5F157DB18
(57)【要約】
【課題】基板の面内における処理の均一性を向上させる技術の提供。
【解決手段】基板処理装置１３２は、基板Ｗを保持する保持部１と、保持部１に保持された基板Ｗの面内における中央側の部分にプラズマを照射する第１プラズマ照射部３１と、保持部１に保持された基板Ｗの面内における外周側の部分にプラズマを照射する、第１プラズマ照射部３１とは別の第２プラズマ照射部３２と、第１プラズマ照射部３１に電力を供給する第１電力供給部３５と、第２プラズマ照射部３２に電力を供給する、第１電力供給部３５とは別の第２電力供給部３６と、を備える。
【選択図】図３
【解決手段】基板処理装置１３２は、基板Ｗを保持する保持部１と、保持部１に保持された基板Ｗの面内における中央側の部分にプラズマを照射する第１プラズマ照射部３１と、保持部１に保持された基板Ｗの面内における外周側の部分にプラズマを照射する、第１プラズマ照射部３１とは別の第２プラズマ照射部３２と、第１プラズマ照射部３１に電力を供給する第１電力供給部３５と、第２プラズマ照射部３２に電力を供給する、第１電力供給部３５とは別の第２電力供給部３６と、を備える。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持された基板の面内における中央側の部分にプラズマを照射する第１プラズマ照射部と、
前記保持部に保持された基板の面内における外周側の部分にプラズマを照射する、前記第１プラズマ照射部とは別の第２プラズマ照射部と、
前記第１プラズマ照射部に電力を供給する第１電力供給部と、
前記第２プラズマ照射部に電力を供給する、前記第１電力供給部とは別の第２電力供給部と、
を備える、基板処理装置。
前記保持部に保持された基板の面内における中央側の部分にプラズマを照射する第１プラズマ照射部と、
前記保持部に保持された基板の面内における外周側の部分にプラズマを照射する、前記第１プラズマ照射部とは別の第２プラズマ照射部と、
前記第１プラズマ照射部に電力を供給する第１電力供給部と、
前記第２プラズマ照射部に電力を供給する、前記第１電力供給部とは別の第２電力供給部と、
を備える、基板処理装置。
【請求項2】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記第２プラズマ照射部に供給される電力量が、前記第１プラズマ照射部に供給される電力量よりも、大きい、
基板処理装置。
前記第２プラズマ照射部に供給される電力量が、前記第１プラズマ照射部に供給される電力量よりも、大きい、
基板処理装置。
【請求項3】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記第１プラズマ照射部に供給される電力量が、前記第２プラズマ照射部に供給される電力量よりも、大きい、
基板処理装置。
前記第１プラズマ照射部に供給される電力量が、前記第２プラズマ照射部に供給される電力量よりも、大きい、
基板処理装置。
【請求項4】
請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記保持部に保持された基板の法線方向から見て、前記第２プラズマ照射部が、前記第１プラズマ照射部の周囲を取り囲んで設けられる、
基板処理装置。
前記保持部に保持された基板の法線方向から見て、前記第２プラズマ照射部が、前記第１プラズマ照射部の周囲を取り囲んで設けられる、
基板処理装置。
【請求項5】
請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記第１プラズマ照射部が、前記保持部に保持された基板の法線方向から見て、円形状であり、
前記第２プラズマ照射部が、前記保持部に保持された基板の法線方向から見て、円環状である、
基板処理装置。
前記第１プラズマ照射部が、前記保持部に保持された基板の法線方向から見て、円形状であり、
前記第２プラズマ照射部が、前記保持部に保持された基板の法線方向から見て、円環状である、
基板処理装置。
【請求項6】
請求項４または５に記載の基板処理装置であって、
前記第１プラズマ照射部および前記第２プラズマ照射部の各々が、
直線状の第１線状電極が、その延在方向と交差する配列方向に沿って複数個配列された構成を備える第１電極部と、
直線状の第２線状電極が、その延在方向と交差する配列方向に沿って複数個配列された構成を備える第２電極部と、
を備え、
前記延在方向および前記配列方向から規定される面の法線方向から見たときに、前記第１線状電極と前記第２線状電極とが、重ならないように交互に配置される、
基板処理装置。
前記第１プラズマ照射部および前記第２プラズマ照射部の各々が、
直線状の第１線状電極が、その延在方向と交差する配列方向に沿って複数個配列された構成を備える第１電極部と、
直線状の第２線状電極が、その延在方向と交差する配列方向に沿って複数個配列された構成を備える第２電極部と、
を備え、
前記延在方向および前記配列方向から規定される面の法線方向から見たときに、前記第１線状電極と前記第２線状電極とが、重ならないように交互に配置される、
基板処理装置。
【請求項7】
請求項４または５に記載の基板処理装置であって、
前記第１プラズマ照射部および前記第２プラズマ照射部の各々が、
渦巻状に延在する第１渦巻状電極を含む第１電極部と、
渦巻状に延在する第２渦巻状電極を含む第２電極部と、
を備え、
前記第１渦巻状電極と前記第２渦巻状電極とが互いに平行な面に配設されており、該面の法線方向から見たときに、前記第１渦巻状電極と前記第２渦巻状電極とが、同心に配置されつつ、互いに重ならないものとなっている、
基板処理装置。
前記第１プラズマ照射部および前記第２プラズマ照射部の各々が、
渦巻状に延在する第１渦巻状電極を含む第１電極部と、
渦巻状に延在する第２渦巻状電極を含む第２電極部と、
を備え、
前記第１渦巻状電極と前記第２渦巻状電極とが互いに平行な面に配設されており、該面の法線方向から見たときに、前記第１渦巻状電極と前記第２渦巻状電極とが、同心に配置されつつ、互いに重ならないものとなっている、
基板処理装置。
【請求項8】
請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記第１プラズマ照射部と前記第２プラズマ照射部とが、前記保持部に保持された基板の法線方向から見て該基板の中心に対して偏在する境界の一方側と他方側に設けられ、
前記保持部に保持された基板の法線方向から見て、前記境界に対して該基板の中心を含む側に、前記第１プラズマ照射部が配置される、
基板処理装置。
前記第１プラズマ照射部と前記第２プラズマ照射部とが、前記保持部に保持された基板の法線方向から見て該基板の中心に対して偏在する境界の一方側と他方側に設けられ、
前記保持部に保持された基板の法線方向から見て、前記境界に対して該基板の中心を含む側に、前記第１プラズマ照射部が配置される、
基板処理装置。
【請求項9】
請求項８に記載の基板処理装置であって、
前記境界が、前記保持部に保持された基板の法線方向から見て、該基板の中心を挟んでその両側に延在する互いに平行な一対の直線である、
基板処理装置。
前記境界が、前記保持部に保持された基板の法線方向から見て、該基板の中心を挟んでその両側に延在する互いに平行な一対の直線である、
基板処理装置。
【請求項10】
請求項８または９に記載の基板処理装置であって、
前記第１プラズマ照射部および前記第２プラズマ照射部の各々が、
直線状の第１線状電極が、その延在方向と交差する配列方向に沿って複数個配列された構成を備える第１電極部と、
直線状の第２線状電極が、その延在方向と交差する配列方向に沿って複数個配列された構成を備える第２電極部と、
を備え、
前記延在方向および前記配列方向から規定される面の法線方向から見たときに、前記第１線状電極と前記第２線状電極とが、重ならないように交互に配置され、
前記第１線状電極の延在方向および前記第２線状電極の延在方向が、前記境界の延在方向と平行である、
基板処理装置。
前記第１プラズマ照射部および前記第２プラズマ照射部の各々が、
直線状の第１線状電極が、その延在方向と交差する配列方向に沿って複数個配列された構成を備える第１電極部と、
直線状の第２線状電極が、その延在方向と交差する配列方向に沿って複数個配列された構成を備える第２電極部と、
を備え、
前記延在方向および前記配列方向から規定される面の法線方向から見たときに、前記第１線状電極と前記第２線状電極とが、重ならないように交互に配置され、
前記第１線状電極の延在方向および前記第２線状電極の延在方向が、前記境界の延在方向と平行である、
基板処理装置。
【請求項11】
請求項１から１０のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記第１プラズマ照射部および前記第２プラズマ照射部の各々が、
誘電体材料によって形成される板部材と、
前記板部材を挟んで設けられた一対の電極部と、
を備え、
前記第１プラズマ照射部および前記第２プラズマ照射部の各々が備える前記一対の電極部のうち、前記板部材の同じ側に配置される電極部は、同じ極性とされて、同じ位相の電圧が印加される、
基板処理装置。
前記第１プラズマ照射部および前記第２プラズマ照射部の各々が、
誘電体材料によって形成される板部材と、
前記板部材を挟んで設けられた一対の電極部と、
を備え、
前記第１プラズマ照射部および前記第２プラズマ照射部の各々が備える前記一対の電極部のうち、前記板部材の同じ側に配置される電極部は、同じ極性とされて、同じ位相の電圧が印加される、
基板処理装置。
【請求項12】
請求項１から１０のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記第１プラズマ照射部および前記第２プラズマ照射部の各々が、
誘電体材料によって形成される板部材と、
各々が、前記板部材に設けられた収容部に収容された、一対の電極部と、
を備える、基板処理装置。
前記第１プラズマ照射部および前記第２プラズマ照射部の各々が、
誘電体材料によって形成される板部材と、
各々が、前記板部材に設けられた収容部に収容された、一対の電極部と、
を備える、基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体装置の製造プロセスにおいては、基板に対して各種の処理が行われる。この処理に、プラズマが利用されることがある。例えば、特許文献１には、二次元的に広がるプラズマを発生させることができるプラズマ発生装置が開示されている。このプラズマ発生装置は、具体的には、一対の電極部が、誘電体により形成される平板状の隔離部材を挟んで配置された構成を備えている。一対の電極部の各々は、隔離部材の主面に沿って二次元的に配置された複数の線状導体を含んでおり、各電極部の各線状導体が、隔離部材の法線方向から見て互いに重ならないように配列されている。このような構成において、一対の電極部の間に電圧が印加されることによって、誘電体の主面（プラズマ発生面）に沿って二次元的に広がるプラズマが発生する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１９－６１７５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、基板の主面に処理を施すにあたって、その面内における処理の均一性を向上させるためには、基板の面内の各位置において同じ速度で処理が進行すること、すなわち、処理速度のばらつきが小さいことが重要である。しかしながら、実際は、様々な要因によって、基板の面内で処理速度にばらつきが生じてしまう。
【0005】
例えば、特許文献１に記載されているプラズマ発生装置を、基板の主面に近接させつつ対向配置するとともに、一対の電極部の間に電圧を印加して二次元的に広がるプラズマを発生させることで、基板の主面の全域に一括してプラズマを照射して、該主面の全域においてプラズマ処理を進行させる場合を想定する。
【0006】
このとき、電圧が印加されたプラズマ発生装置は相当な高温となる。このため、プラズマ発生装置が近接しつつ対向配置されている基板の面内が、プラズマ発生装置からの熱を受けて、昇温する。ところが、多くの場合、プラズマ発生装置は、その全体が均一な温度に昇温するわけではなく、例えば、チャンバのダウンフローなどに晒される外周側の部分の温度が、中央側の部分の温度に比べて低くなる。すると、基板の面内における外周側の部分（すなわち、プラズマ発生装置における相対的に低温な外周側の部分と、対向配置されている部分）が、該基板の面内における中央側の部分（すなわち、プラズマ発生装置における相対的に高温な中央側の部分と、対向配置されている部分）に比べて、低い温度にまでしか加熱されない。処理速度が温度に依存する場合、基板の面内に温度のばらつきが生じてしまうと、処理速度にばらつきが生じてしまう。その結果、基板の面内における処理の均一性が十分に担保されない虞がある。
【0007】
本願は、このような課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板の面内における処理の均一性を向上させる技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
第１の態様は、基板処理装置であって、基板を保持する保持部と、前記保持部に保持された基板の面内における中央側の部分にプラズマを照射する第１プラズマ照射部と、前記保持部に保持された基板の面内における外周側の部分にプラズマを照射する、前記第１プラズマ照射部とは別の第２プラズマ照射部と、前記第１プラズマ照射部に電力を供給する第１電力供給部と、前記第２プラズマ照射部に電力を供給する、前記第１電力供給部とは別の第２電力供給部と、を備える。
【0009】
第２の態様は、第１の態様に係る基板処理装置であって、前記第２プラズマ照射部に供給される電力量が、前記第１プラズマ照射部に供給される電力量よりも、大きい。
【0010】
第３の態様は、第１の態様に係る基板処理装置であって、前記第１プラズマ照射部に供給される電力量が、前記第２プラズマ照射部に供給される電力量よりも、大きい。
【0011】
第４の態様は、第１から第３のいずれかの態様に係る基板処理装置であって、前記保持部に保持された基板の法線方向から見て、前記第２プラズマ照射部が、前記第１プラズマ照射部の周囲を取り囲んで設けられる。
【0012】
第５の態様は、第４の態様に係る基板処理装置であって、前記第１プラズマ照射部が、前記保持部に保持された基板の法線方向から見て、円形状であり、前記第２プラズマ照射部が、前記保持部に保持された基板の法線方向から見て、円環状である。
【0013】
第６の態様は、第４または第５の態様に係る基板処理装置であって、前記第１プラズマ照射部および前記第２プラズマ照射部の各々が、直線状の第１線状電極が、その延在方向と交差する配列方向に沿って複数個配列された構成を備える第１電極部と、直線状の第２線状電極が、その延在方向と交差する配列方向に沿って複数個配列された構成を備える第２電極部と、を備え、前記延在方向および前記配列方向から規定される面の法線方向から見たときに、前記第１線状電極と前記第２線状電極とが、重ならないように交互に配置される。
【0014】
第７の態様は、第４または第５の態様に係る基板処理装置であって、前記第１プラズマ照射部および前記第２プラズマ照射部の各々が、渦巻状に延在する第１渦巻状電極を含む第１電極部と、渦巻状に延在する第２渦巻状電極を含む第２電極部と、を備え、前記第１渦巻状電極と前記第２渦巻状電極とが互いに平行な面に配設されており、該面の法線方向から見たときに、前記第１渦巻状電極と前記第２渦巻状電極とが、同心に配置されつつ、互いに重ならないものとなっている。
【0015】
第８の態様は、第１から第３のいずれかの態様に係る基板処理装置であって、前記第１プラズマ照射部と前記第２プラズマ照射部とが、前記保持部に保持された基板の法線方向から見て該基板の中心に対して偏在する境界の一方側と他方側に設けられ、前記保持部に保持された基板の法線方向から見て、前記境界に対して該基板の中心を含む側に、前記第１プラズマ照射部が配置される。
【0016】
第９の態様は、第８の態様に係る基板処理装置であって、前記境界が、前記保持部に保持された基板の法線方向から見て、該基板の中心を挟んでその両側に延在する互いに平行な一対の直線である。
【0017】
第１０の態様は、第８または第９の態様に係る基板処理装置であって、前記第１プラズマ照射部および前記第２プラズマ照射部の各々が、直線状の第１線状電極が、その延在方向と交差する配列方向に沿って複数個配列された構成を備える第１電極部と、直線状の第２線状電極が、その延在方向と交差する配列方向に沿って複数個配列された構成を備える第２電極部と、を備え、前記延在方向および前記配列方向から規定される面の法線方向から見たときに、前記第１線状電極と前記第２線状電極とが、重ならないように交互に配置され、前記第１線状電極の延在方向および前記第２線状電極の延在方向が、前記境界の延在方向と平行である。
【0018】
第１１の態様は、第１から第１０のいずれかの態様に係る基板処理装置であって、前記第１プラズマ照射部および前記第２プラズマ照射部の各々が、誘電体材料によって形成される板部材と、前記板部材を挟んで設けられた一対の電極部と、を備え、前記第１プラズマ照射部および前記第２プラズマ照射部の各々が備える前記一対の電極部のうち、前記板部材の同じ側に配置される電極部は、同じ極性とされて、同じ位相の電圧が印加される。
【0019】
第１２の態様は、第１から第１０のいずれかの態様に係る基板処理装置であって、前記第１プラズマ照射部および前記第２プラズマ照射部の各々が、誘電体材料によって形成される板部材と、各々が、前記板部材に設けられた収容部に収容された、一対の電極部と、を備える。
【発明の効果】
【0020】
第１の態様に係る基板処理装置は、基板の中央側の部分にプラズマを照射するプラズマ照射部と、基板の外周側の部分にプラズマを照射するプラズマ照射部とを別に備えるとともに、これらの各プラズマ照射部に電力を供給する電力供給部も別に備えているので、各プラズマ照射部に供給される電力量を独立して調整することができる。基板の面内における各部分の処理速度は、該部分にプラズマを照射するプラズマ照射部に供給される電力量に応じて変化するため、各プラズマ照射部に供給される電力量を独立して調整することによって、基板の面内における中央側の部分と外周側の部分の各処理速度を個別に調整することができる。したがって、基板の面内における中央側の部分と外周側の部分との間に処理速度の差を生じさせるような要因が存在している場合に、この差を、各プラズマ照射部に供給される電力量の差で補填することで、基板の面内における処理速度のばらつきを低減させることができる。これにより、基板の面内における処理の均一性を向上させることができる。
【0021】
第２の態様に係る基板処理装置によると、基板の面内における外周側の部分の処理速度が、中央側の部分の処理速度よりも小さく（遅く）なるような要因が存在している場合に、この差が、各プラズマ照射部に供給される電力量の差で補填されるので、基板の面内における処理速度のばらつきが低減される。したがって、基板の面内における処理の均一性が向上する。
【0022】
第３の態様に係る基板処理装置によると、基板の面内における中央側の部分の処理速度が、外周側の部分の処理速度よりも小さくなるような要因が存在している場合に、この差が、各プラズマ照射部に供給される電力量の差で補填されるので、基板の面内における処理速度のばらつきが低減される。したがって、基板の面内における処理の均一性が向上する。
【0023】
第４の態様に係る基板処理装置によると、各プラズマ照射部からプラズマを照射する際に、必ずしも基板をその中心の周りで回転しなくとも、基板の面内における中央側の部分は第１プラズマ照射部からプラズマの照射を受け、外周側の部分は第２プラズマ照射部からプラズマの照射を受ける。すなわち、各プラズマ照射部からプラズマを照射する際に、必ずしも基板をその中心の周りで回転させる必要がないので、プラズマを照射する際に基板を回転させることが好ましくないようなプロセス条件にも対応することができる。
【0024】
第５の態様に係る基板処理装置によると、基板の主面が円形である場合に、該主面の中央側の円形状の部分と、外周側の円環状の部分とに、それぞれ別のプラズマ照射部からプラズマを照射することができる。
【0025】
第６の態様に係る基板処理装置によると、各プラズマ照射部において、二次元的に広がるプラズマを発生させることができる。
【0026】
第７の態様に係る基板処理装置によると、各プラズマ照射部において、各渦巻状電極が配設された面に沿って二次元的に広がるプラズマを発生させることができる。また、渦巻状に延在する電極は、枝分かれのない形状（一筆書きでなぞれる形状）であるので、設計および製造が容易である。
【0027】
第８の態様に係る基板処理装置によると、第１プラズマ照射部と第２プラズマ照射部とが基板の中心に対して偏在する境界の一方側と他方側に設けられるので、一方のプラズマ照射部が他方のプラズマ照射部の周囲を取り囲むような構成に比べて、プラズマ照射部の形状の単純化が容易となる。
【0028】
第９の態様に係る基板処理装置によると、第１プラズマ照射部と第２プラズマ照射部との境界が直線であるので、各プラズマ照射部の形状の単純化が特に容易である。
【0029】
第１０の態様に係る基板処理装置によると、第１プラズマ照射部および第２プラズマ照射部が備える各電極部の線状電極が、両プラズマ照射部の境界と平行に延在するので、両プラズマ照射部の離間距離を十分に小さなものとすることが可能となる。したがって、両プラズマ照射部の間にプラズマの隙間が形成されにくく、基板の面内における処理の均一性が損なわれにくい。
【0030】
第１１の態様に係る基板処理装置によると、第１プラズマ照射部および第２プラズマ照射部の各々が備える一対の電極部のうち、板部材の同じ側に隣り合って配置される電極部の間の電位差が十分に小さいものとなるため、該２個の電極部の間にアーキングが発生しにくくなる。したがって、該２個の電極部を近接させることが可能となる。すなわち、第１プラズマ照射部の各電極部と第２プラズマ照射部の各電極部とを近接させることが可能となる。これによって、両プラズマ照射部の間にプラズマの隙間が形成されにくくなり、基板の面内における処理の均一性が十分に担保される。
【0031】
第１２の態様に係る基板処理装置によると、第１プラズマ照射部および第２プラズマ照射部の各々が備える各電極部が、誘電体材料によって形成される板部材に設けられた収容部に収容される。この構成によると、例えば、板部材を挟んでその両側に電極部が配設される構成と比べて、各プラズマ照射部の外形状を単純化することができる。
【図面の簡単な説明】
【0032】
【図1】基板処理システムの構成を模式的に示す平面図である。
【図2】制御部の構成を示すブロック図である。
【図3】処理ユニットの構成を模式的に示す側面図である。
【図4】各プラズマリアクタと保持部に保持されている基板との位置関係を説明するための図である。
【図5】プラズマリアクタユニットの構成を模式的に示す側断面図および平面図である。
【図6】第１プラズマリアクタの構成を説明するための平面図である。
【図7】第２プラズマリアクタの構成を説明するための平面図である。
【図8】処理ユニットにおいて実行される処理の流れを示す図である。
【図9】保持工程を説明するための図である。
【図10】液膜形成工程を説明するための図である。
【図11】プラズマ処理を説明するための図である。
【図12】リンス工程を説明するための図である。
【図13】各プラズマリアクタと保持部に保持されている基板との位置関係を説明するための図である。
【図14】プラズマリアクタユニットの構成を模式的に示す側断面図および平面図である。
【図15】第１プラズマリアクタの構成を説明するための平面図である。
【図16】第２プラズマリアクタの構成を説明するための平面図である。
【図17】各プラズマリアクタに印加される電圧波形および流れる電流波形を模式的に示す図である。
【図18】各プラズマリアクタと保持部に保持されている基板との位置関係を説明するための図である。
【図19】プラズマリアクタユニットの構成を模式的に示す側断面図および平断面図である。
【図20】各プラズマリアクタの構成を説明するための図である。
【図21】変形例に係るプラズマリアクタユニットの構成を模式的に示す側断面図および平面図である。
【図22】変形例に係るプラズマリアクタユニットの構成を模式的に示す側断面図および平面図である。
【図23】第１実施形態の変形例に係るプラズマリアクタユニットの構成を模式的に示す側断面図および平面図である。
【図24】第２実施形態の変形例に係るプラズマリアクタユニットの構成を模式的に示す側断面図および平面図である。
【図25】線状電極の配列の仕方に係る変形例を説明するための側断面図である。
【図26】線状電極の配列の仕方に係る変形例を説明するための側断面図である。
【図27】線状電極の配列の仕方に係る変形例を説明するための側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0033】
以下、添付の図面を参照しながら、実施形態について説明する。なお、この実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本開示の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法または数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。
【0034】
相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば、「一方向に」、「一方向に沿って」、「平行」、「直交」、「中心」、「同心」、「同軸」、など）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。また、等しい状態であることを示す表現（例えば、「同一」、「等しい」、「均質」、など）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。また、形状を示す表現（例えば、「円形状」、「四角形状」、「円筒形状」、など）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲の形状を表すものとし、例えば凹凸または面取りなどを有していてもよい。また、構成要素を「備える」、「具える」、「具備する」、「含む」、「有する」、といった各表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。また、「Ａ、ＢおよびＣのうちの少なくとも一つ」という表現には、「Ａのみ」、「Ｂのみ」、「Ｃのみ」、「Ａ、ＢおよびＣのうち任意の２つ」、「Ａ、ＢおよびＣの全て」が含まれる。
【0035】
【0036】
基板処理システム１００は、処理対象である基板Ｗに対して所定の処理を行う処理システムであり、インターフェース部１１０、インデクサ部１２０、本体部１３０、および、制御部１４０を備える。基板処理システム１００において処理対象とされる基板Ｗは、例えば半導体基板である。また、処理対象とされる基板Ｗの形状は、例えば円板形状であり、そのサイズ（直径）は例えば約３００（mm）である。
【0037】
インターフェース部１１０は、複数枚の基板Ｗを収容する基板収容器であるキャリアＣを、基板処理システム１００に接続するためのインターフェースであり、具体的には例えば、キャリアＣが載置されるロードポート１１１が、複数個（図の例では３個）、水平方向に一列に並んで配列された構成を備える。キャリアＣは、基板Ｗを密閉空間に収納するタイプのもの（例えば、ＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッド、など）であってもよいし、基板Ｗを外気にさらすタイプのもの（例えば、ＯＣ（Open Cassette）、など）であってもよい。
【0038】
インデクサ部１２０は、インターフェース部１１０と本体部１３０との間に配置された部分であり、インデクサロボット１２１を備える。
【0039】
インデクサロボット１２１は、各ロードポート１１１に載置されたキャリアＣと主搬送ロボット１３１（後述する）との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットであり、基板Ｗを保持するハンド１２１ａ、ハンド１２１ａに接続されたアーム１２１ｂ、アーム１２１ｂを伸縮、旋回、および、昇降させるための駆動部、などを含んで構成される。インデクサロボット１２１は、各ロードポート１１１に載置されているキャリアＣにアクセスして、搬出動作（すなわち、キャリアＣに収容されている未処理の基板Ｗをハンド１２１ａで取り出す動作）、および、搬入動作（すなわち、ハンド１２１ａに保持されている処理済みの基板ＷをキャリアＣに搬入する動作）を行う。また、インデクサロボット１２１は、主搬送ロボット１３１との受渡位置Ｔにアクセスして、主搬送ロボット１３１との間で基板Ｗの受け渡しを行う。
【0040】
本体部１３０は、主搬送ロボット１３１、および、複数個（例えば１２個）の処理ユニット１３２を備える。ここでは例えば、鉛直方向に積層された複数個（例えば３個）の処理ユニット１３２が、１個のタワーを構成しており、該タワーが、主搬送ロボット１３１の周囲を取り囲むようにして、複数個（例えば４個）、設けられる。
【0041】
主搬送ロボット１３１は、インデクサロボット１２１と各処理ユニット１３２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットであり、基板Ｗを保持するハンド１３１ａ、ハンド１３１ａに接続されたアーム１３１ｂ、アーム１３１ｂを伸縮、旋回、および、昇降させるための駆動部、などを含んで構成される。主搬送ロボット１３１は、各処理ユニット１３２にアクセスして、搬入動作（すなわち、ハンド１３１ａに保持されている処理対象の基板Ｗを処理ユニット１３２に搬入する動作）、および、搬出動作（すなわち、処理ユニット１３２に収容されている処理済みの処理の基板Ｗをハンド１３１ａで取り出す動作）、を行う。また、主搬送ロボット１３１は、インデクサロボット１２１との受渡位置Ｔにアクセスして、インデクサロボット１２１との間で基板Ｗの受け渡しを行う。
【0042】
処理ユニット１３２は、基板Ｗに対して所定の処理を行う装置である。処理ユニット１３２の具体的な構成については、後に説明する。
【0043】
制御部１４０は、基板処理システム１００が備える各部の動作を制御する要素であり、例えば、電気回路を有する一般的なコンピュータによって構成される。制御部１４０は、具体的には例えば、図２に示されるように、データ処理を担う中央演算装置としてのＣＰＵ（Central Processor Unit）１４１、基本プログラムなどが格納されるＲＯＭ（Read Only Memory）１４２、ＣＰＵ１４１が所定の処理（データ処理）を行う際の作業領域として用いられるＲＡＭ（Random Access Memory）１４３、フラッシュメモリ、ハードディスク装置、などの不揮発性記憶装置によって構成される記憶装置１４４、これらを相互に接続するバスライン１４５、などを含んで構成される。記憶装置１４４には、制御部１４０が実行する処理を規定するプログラムＰが格納されており、ＣＰＵ１４１がこのプログラムＰを実行することにより、制御部１４０がプログラムＰによって規定された処理を実行することができる。もっとも、制御部１４０が実行する処理の一部または全部が、専用の論理回路などのハードウェアによって実行されてもよい。
【0044】
制御部１４０は、基板処理システム１００の全体の動作を統括して制御する主制御部と、複数のローカル制御部とが、通信可能に接続された構成とされてもよい。この場合に、複数の処理ユニット１３２の各々に、少なくとも１個のローカル制御部が対応付けられて、該ローカル制御部が、主制御部からの指示に基づいて、対応する処理ユニット１３２の動作を制御するものとしてもよい。また、このような構成が採用される場合、主制御部および各ローカル制御部の各々が、上記の各部１４１～１４５の一部あるいは全部を個別に備えるものとしてもよい。
【0045】
＜１－２．処理ユニット＞
次に、処理ユニット１３２の構成について、図３を参照しながら説明する。図３は、処理ユニット１３２の構成を模式的に示す側面図である。なお、上記のとおり、本体部１３０には複数個の処理ユニット１３２が設けられているが、これら複数個の処理ユニット１３２のうちの少なくとも１個が、以下に説明する構成を有していればよい。すなわち、複数の処理ユニット１３２の中には、以下に説明する構成とは異なる構成を有するものが含まれてもよい。
次に、処理ユニット１３２の構成について、図３を参照しながら説明する。図３は、処理ユニット１３２の構成を模式的に示す側面図である。なお、上記のとおり、本体部１３０には複数個の処理ユニット１３２が設けられているが、これら複数個の処理ユニット１３２のうちの少なくとも１個が、以下に説明する構成を有していればよい。すなわち、複数の処理ユニット１３２の中には、以下に説明する構成とは異なる構成を有するものが含まれてもよい。
【0046】
処理ユニット１３２は、例えば、基板Ｗに設けられているレジストを剥離（除去）する処理を行う処理装置であり、基板処理装置に相当する。処理ユニット１３２は、処理対象である基板Ｗを１枚ずつ処理する、いわゆる枚葉式の処理装置である。
【0047】
処理ユニット１３２は、保持部１、液供給部２、プラズマ発生部３、および、ガード部４を備える。また、処理ユニット１３２は、これら各部１～４が備える要素の少なくとも一部（例えば、ベース部１１、ノズル２１，２２、プラズマリアクタユニット３０、ガード４１、など）を収容するチャンバ５を備える。チャンバ５の内部空間には、ファンフィルタユニット５１などによって、清浄な空気のダウンフローが形成される。
【0048】
（保持部１）
保持部１は、処理対象となる基板Ｗを保持する要素であり、例えば、ベース部１１、複数のチャックピン１２、および、回転機構１３を備える。
保持部１は、処理対象となる基板Ｗを保持する要素であり、例えば、ベース部１１、複数のチャックピン１２、および、回転機構１３を備える。
【0049】
ベース部１１は、基板Ｗよりも僅かに大径である円板形状の部材であり、厚み方向を鉛直方向に沿わせるような姿勢で、配置される。複数のチャックピン１２は、ベース部１１の上面に設けられており、該上面の周縁に沿って間隔を設けつつ配列されている。各チャックピン１２は、制御部１４０からの指示に応じて、基板Ｗの周縁に接触するチャック位置と、基板Ｗの周縁から離間する解除位置との間で変位するように構成されており、各チャックピン１２がチャック位置に配置されることによって、基板Ｗが水平姿勢（基板Ｗの厚み方向が鉛直方向に沿うような姿勢）でベース部１１の上方に保持される。
【0050】
回転機構１３は、ベース部１１を回転させる機構である。回転機構１３は、具体的には例えば、上端においてベース部１１の下面と連結されたシャフト１３ａ、および、シャフト１３ａの下端に接続されたモータ１３ｂを含んで構成される。ここでは、例えば、ベース部１１上に保持される基板Ｗの主面と直交するとともに、該主面の中心を通るような軸が、回転軸Ｑとして規定されており、シャフト１３ａは、この回転軸Ｑと同軸に設けられる。そして、モータ１３ｂは、制御部１４０からの指示に応じて、制御部１４０から指示された回転数で、シャフト１３ａを回転軸Ｑの周りで回転させる。モータ１３ｂの駆動を受けてシャフト１３ａが回転されることによって、ベース部１１、ひいては、ベース部１１上に保持される基板Ｗが、この回転軸Ｑの周りで回転する。このように、回転機構１３を含んで構成される保持部１（すなわち、基板Ｗを保持しつつ回転させることができる保持部１）は、スピンチャックなどとも呼ばれる。また、スピンチャックにおけるベース部１１は、スピンベースなどとも呼ばれる。
【0051】
（液供給部２）
液供給部２は、保持部１に保持されている基板Ｗに液体を供給する要素であり、例えば、処理液ノズル２１、リンス液ノズル２２、および、ノズル移動機構２３を備える。
液供給部２は、保持部１に保持されている基板Ｗに液体を供給する要素であり、例えば、処理液ノズル２１、リンス液ノズル２２、および、ノズル移動機構２３を備える。
【0052】
処理液ノズル２１は、保持部１に保持されている基板Ｗに処理液を供給するノズルであり、例えば、一端面に吐出口２１０が形成されたストレート型のノズルである。処理液ノズル２１は、処理液供給管２１１を介して、所定の処理液（ここでは例えば、硫酸）を貯留する処理液供給源２１２に接続される。また、処理液供給管２１１には、バルブ２１３および流量調整部２１４が介挿される。バルブ２１３は、処理液供給管２１１を通じた処理液の供給と停止とを切り替える弁であり、制御部１４０によって制御される。流量調整部２１４は、例えばマスフローコントローラにより構成され、制御部１４０の制御下で、処理液供給管２１１を流れる処理液の流量を調整する。このような構成において、バルブ２１３が開かれると、流量調整部２１４によって調整される所定流量の処理液が、処理液供給源２１２から処理液供給管２１１を通じて処理液ノズル２１に供給されて、吐出口２１０から吐出される。
【0053】
処理液ノズル２１が後述するノズル処理位置に配置された状態で、吐出口２１０から処理液が吐出されることで、保持部１に保持されている基板Ｗに処理液が供給される（図１０）。つまり、処理液ノズル２１およびこれに接続された処理液供給管２１１などによって、保持部１に保持されている基板Ｗに処理液を供給する処理液供給部が構成される。
【0054】
リンス液ノズル２２は、保持部１に保持されている基板Ｗにリンス液を供給するノズルであり、例えば、一端面に吐出口２２０が形成されたストレート型のノズルである。リンス液ノズル２２は、リンス液供給管２２１を介して、所定のリンス液（例えば、脱イオン水（ＤＩＷ、Ｈ-ＤＩＷ）、純水、オゾン水、炭酸水、イソプロピルアルコール、など）を貯留するリンス液供給源２２２に接続される。また、リンス液供給管２２１には、バルブ２２３および流量調整部２２４が介挿される。バルブ２２３は、リンス液供給管２２１を通じたリンス液の供給と停止とを切り替える弁であり、制御部１４０によって制御される。流量調整部２２４は、例えばマスフローコントローラにより構成され、制御部１４０の制御下で、リンス液供給管２２１を流れるリンス液の流量を調整する。このような構成において、バルブ２２３が開かれると、流量調整部２２４によって調整される所定流量のリンス液が、リンス液供給源２２２からリンス液供給管２２１を通じてリンス液ノズル２２に供給されて、吐出口２２０から吐出される。
【0055】
リンス液ノズル２２が後述するノズル処理位置に配置された状態で、吐出口２２０からリンス液が吐出されることで、保持部１に保持されている基板Ｗにリンス液が供給される（図１２）。つまり、ここでは、リンス液ノズル２２およびこれに接続されたリンス液供給管２２１などによって、保持部１に保持されている基板Ｗにリンス液を供給するリンス液供給部が構成される。
【0056】
ノズル移動機構２３は、処理液ノズル２１およびリンス液ノズル２２を、ノズル処理位置とノズル待機位置との間で移動させる機構である。ここで、「ノズル処理位置」とは、ノズル２１，２２の吐出口２１０，２２０から吐出される液が、保持部１に保持されている基板Ｗの上側の主面（上面）に供給されるような位置であり、具体的には例えば、該主面の上方であって、該主面の中心と鉛直方向において対向するような位置である（図１０、図１２）。一方、「ノズル待機位置」とは、ノズル２１，２２が、他の部材（プラズマ処理位置にあるプラズマリアクタユニット３０、ベース部１１に対して基板Ｗの授受を行う主搬送ロボット１３１のハンド１３１ａ、など）と干渉しないような位置であり、具体的には例えば、上方から見て保持部１に保持されている基板Ｗの周縁よりも外側（径方向の外方）の位置である（例えば、図９）。
【0057】
ここでは、処理液ノズル２１およびリンス液ノズル２２が、連結部材などを介して連結されることでノズルユニットＵを構成している。そして、ノズル移動機構２３は、具体的には例えば、先端部においてノズルユニットＵと連結されて略水平に延在するアーム、アームの基端部を支持する支柱、および、支柱をその軸の周りで回転させるモータを含んで構成される。モータは、制御部１４０からの指示に応じて、制御部１４０から指示された回転角度で、支柱をその軸の周りで回転させる。モータの駆動を受けて支柱が回転されると、アームが旋回し、その先端に連結されているノズルユニットＵが円弧状の軌跡に沿って移動するところ、この軌跡上に各ノズル２１，２２のノズル処理位置とノズル待機位置が配置されるように、支柱の位置およびアームの長さが規定されている。つまり、ノズルユニットＵが該円弧状の軌跡に沿って移動されることによって、各ノズル２１，２２が、各々のノズル処理位置とノズル待機位置との間で移動する。
【0058】
（プラズマ発生部３）
プラズマ発生部３は、プラズマを発生させるとともに、発生させたプラズマを保持部１に保持されている基板Ｗに対して照射する要素である。プラズマ発生部３の構成については、後に具体的に説明する。
プラズマ発生部３は、プラズマを発生させるとともに、発生させたプラズマを保持部１に保持されている基板Ｗに対して照射する要素である。プラズマ発生部３の構成については、後に具体的に説明する。
【0059】
（ガード部４）
ガード部４は、保持部１に保持されている基板Ｗから飛散する処理液などを受け止める要素であり、例えば、１個以上（ここでは２個）のガード４１、および、ガード移動機構４２を備える。
ガード部４は、保持部１に保持されている基板Ｗから飛散する処理液などを受け止める要素であり、例えば、１個以上（ここでは２個）のガード４１、および、ガード移動機構４２を備える。
【0060】
ガード４１は、筒部分４１ａ、傾斜部分４１ｂ、および、延出部分４１ｃを含んで構成される。筒部分４１ａは、円筒状の部分であり、保持部１を取り囲むようにして設けられる。傾斜部分４１ｂは、筒部分４１ａの上端縁に連なって設けられており、鉛直上方に向かうにつれて内方に傾斜している。延出部分４１ｃは、平板リング状の部分であり、傾斜部分４１ｂの上端縁から略水平面内において内方に延出するように設けられる。複数個のガード４１が設けられる場合も、各ガード４１は基本的に同様の構成を備える。ただし、この場合は、各ガード４１のサイズが互いに異なるものとされて、複数のガード４１が、入れ子状に配置される。すなわち、筒部分４１ａが同心状に配置され、傾斜部分４１ｂおよび延出部分４１ｃが上下に重ねられるようにして、入れ子状に配置される。
【0061】
ガード移動機構４２は、ガード４１を、ガード処理位置とガード待機位置との間で移動（昇降）させる機構である。ただし、複数個のガード４１が設けられる場合、ガード移動機構４２は、各ガード４１を別個独立に移動させる。ここで、「ガード処理位置」とは、ガード４１が、保持部１に保持されている基板Ｗから飛散する処理液などを受け止める位置であり、具体的には例えば、延出部分４１ｃが、該基板Ｗよりも上方に配置されるような位置である（例えば、図１０）。一方、「ガード待機位置」とは、ガード４１が、他の部材（ベース部１１に対して基板Ｗの授受を行う主搬送ロボット１３１のハンド１３１ａ、など）と干渉しないような位置であり、具体的には例えば、延出部分４１ｃが、保持部１に保持されている基板Ｗよりも下方に配置されるような位置である（例えば、図９）。
【0062】
ガード移動機構４２は、昇降移動を実現させる各種の駆動機構により実現することができる。具体的には例えば、ガード移動機構４２は、ボールねじ機構、該ボールねじ機構に駆動力を与えるモータ、などを含んで構成されてもよいし、エアシリンダなどを含んで構成されてもよい。上記の通り、複数個のガード４１が設けられる場合、各ガード４１を別個独立に移動させるべく、複数のガード４１の各々にこれらの駆動機構が設けられる。
【0063】
ガード４１の下方側には、ガード４１の内周面で受け止められた処理液などを排液する排液部４３が設けられる。排液部４３は、具体的には例えば、ガード４１の下方に設けられるカップ４３１、カップ４３１に接続された排液管４３２、などを含んでおり、ガード処理位置に配置されているガード４１の内周面で受け止められて該内周面に沿って流下した処理液が、カップ４３１で受け止められて、排液管４３２から排液されるように構成されている。なお、図示は省略されているが、複数個のガード４１が設けられる場合、各ガード４１の下方に、個別のカップが設けられる。
【0064】
また、ガード４１の外方側には、ガード４１の内周面に沿って流れるガスやミストなどを排気する排気部４４が設けられる。排気部４４は、具体的には例えば、ガード４１を外側から囲むように設けられる周壁部４４１、周壁部４４１に接続された排気管４４２、などを含んでおり、ガード処理位置に配置されているガード４１の内周面で受け止められて該内周面に沿って流下したガスやミストなどが、周壁部４４１で受け止められて、排気管４４２から排気されるように構成されている。
【0065】
＜１－３．プラズマ発生部３＞
＜i．全体構成＞
次に、プラズマ発生部３の構成について、図３に加えて図４を参照しながら、具体的に説明する。図４は、各プラズマリアクタ３１，３２と保持部１に保持されている基板Ｗとの位置関係を説明するための図である。なお、図をわかりやすくするために、図４などにおいては、リアクタ保持部３３が透明状態で示されている。
＜i．全体構成＞
次に、プラズマ発生部３の構成について、図３に加えて図４を参照しながら、具体的に説明する。図４は、各プラズマリアクタ３１，３２と保持部１に保持されている基板Ｗとの位置関係を説明するための図である。なお、図をわかりやすくするために、図４などにおいては、リアクタ保持部３３が透明状態で示されている。
【0066】
プラズマ発生部３は、プラズマを発生させるとともに、発生させたプラズマを保持部１に保持されている基板Ｗに対して照射するプラズマ照射部であるプラズマリアクタを、複数個（この実施形態では２個）、備える（第１プラズマリアクタ３１、および、第２プラズマリアクタ３２）。各プラズマリアクタ３１，３２は、大気圧下でプラズマを発生させることができるものである。ただし、ここでいう「大気圧」とは、例えば、標準気圧の８０（％）以上、かつ、標準気圧の１２０（％）以下である。
【0067】
第１プラズマリアクタ３１は、保持部１に保持された基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１にプラズマを照射する。第１プラズマリアクタ３１は、具体的には例えば、平面視にて円形状の扁平な平型形状であり、直径が、処理対象となる基板Ｗの直径よりも小さな寸法とされる。
【0068】
一方、第２プラズマリアクタ３２は、保持部１に保持された基板Ｗの面内における外周側の部分Ａ２にプラズマを照射する。第２プラズマリアクタ３２は、具体的には例えば、平面視にて円環状の扁平な平型形状であり、内直径が、第１プラズマリアクタ３１の直径よりも僅かに大きな寸法とされ、外直径が、処理対象となる基板Ｗの直径と同程度の（あるいは、これよりも僅かに大きな）寸法とされる。
【0069】
第１プラズマリアクタ３１および第２プラズマリアクタ３２は、第１プラズマリアクタ３１の周囲を第２プラズマリアクタ３２が取り囲むとともに、各プラズマリアクタ３１，３２が略同じ面内に配置されるような位置関係で、リアクタ保持部３３によって一体的に保持される。
【0070】
リアクタ保持部３３は、具体的には例えば、絶縁材料（例えば、フッ素系樹脂、など）によって形成された部材であり、一対の外リング部材３３１，３３１と、一対の内リング部材３３２，３３２とが、連結部３３３を介して連結された構成を備える。一対の外リング部材３３１，３３１は、第２プラズマリアクタ３２の外周部分（具体的には、後述する第１電極部３２ａの第１集合電極３２２ａ）を厚み方向の両側から挟持する。また、一対の内リング部材３３２，３３２は、第１プラズマリアクタ３１の外周部分（具体的には、後述する各電極部３１ａ，３１ｂの各集合電極３１２ａ，３１２ｂ）、および、第２プラズマリアクタ３２の内周部分（具体的には、後述する第２電極部３２ｂの第２集合電極３２２ｂ）を厚み方向の両側から挟持する。もっとも、リアクタ保持部３３の構成はこれに限られるものではなく、第１プラズマリアクタ３１および第２プラズマリアクタ３２を所定の位置関係で一体的に保持できるものであればどのようなものであってもよい。
【0071】
リアクタ保持部３３によって一体的に保持された２個のプラズマリアクタ３１，３２（以下、これを「プラズマリアクタユニット３０」ともいう）は、厚み方向を鉛直方向に沿わせるような姿勢で、保持部１に保持されている基板Ｗの上方において、該基板Ｗと対向して配置される。このような状態において、第１プラズマリアクタ３１は、該基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１と対向配置され、第２プラズマリアクタ３２は、該基板Ｗの面内における外周側の部分Ａ２と対向配置されることになる。
【0072】
プラズマリアクタユニット３０には、これを、プラズマ処理位置とプラズマ待機位置との間で移動（昇降）させる機構であるプラズマリアクタ移動機構３４が設けられる。ここで、「プラズマ処理位置」とは、各プラズマリアクタ３１，３２が、保持部１に保持されている基板Ｗに対してプラズマを照射する位置であり、少なくともプラズマ処理に必要な量の活性種を基板Ｗに作用させることができる程度に、各プラズマリアクタ３１，３２と該基板Ｗとの離間距離が十分に小さい位置（例えば、該離間距離が数ミリメートル程度となる位置）である（図１１）。一方、「待機位置」とは、各プラズマリアクタ３１，３２が、保持部１に保持されている基板Ｗに対してプラズマを照射しない位置であり、少なくとも、各プラズマリアクタ３１，３２で発生されるプラズマが該基板Ｗに作用しない程度に、両者の離間距離が十分に大きくなる位置である（例えば、図９）。
【0073】
プラズマリアクタ移動機構３４は、具体的には例えば、先端部においてプラズマリアクタユニット３０（具体的には例えば、リアクタ保持部３３）と連結されて略水平に延在する昇降板、および、モータを含んで構成される。モータと昇降板の間には、モータの回転動作を昇降板の昇降動作に変換するカムが設けられる。したがって、モータが、制御部１４０からの指示に応じて、制御部１４０から指示された回転角度だけ回転すると、昇降板（ひいては、これと接続されたリアクタ保持部３３に保持されている各プラズマリアクタ３１，３２）が、該回転角度に応じた距離だけ、上昇（あるいは下降）する。もっとも、プラズマリアクタ移動機構３４の構成はこれに限られるものではなく、昇降移動を実現する各種の駆動機構により実現することができる。例えば、プラズマリアクタ移動機構３４は、ボールねじ機構、および、これに駆動力を与えるモータを含んで構成されてもよいし、エアシリンダを含んで構成されてもよい。
【0074】
＜ii．プラズマリアクタ３１，３２の構成＞
次に、各プラズマリアクタ３１，３２の構成について、図５～図７を参照しながらさらに具体的に説明する。図５は、プラズマリアクタユニット３０の構成を模式的に示す側断面図および平面図である。また、図６は、第１プラズマリアクタ３１の構成を説明するための平面図であり、図７は、第２プラズマリアクタ３２の構成を説明するための平面図である。以下の説明では、各プラズマリアクタ３１，３２の厚み方向を「Ｚ方向」とする。また、Ｚ方向と直交する面内において、後述する線状電極３１１ａ，３１１ｂ，３２１ａ，３２１ｂの延在方向を「Ｘ方向」とし、Ｚ方向およびＸ方向と直交する方向を「Ｙ方向」とする。
次に、各プラズマリアクタ３１，３２の構成について、図５～図７を参照しながらさらに具体的に説明する。図５は、プラズマリアクタユニット３０の構成を模式的に示す側断面図および平面図である。また、図６は、第１プラズマリアクタ３１の構成を説明するための平面図であり、図７は、第２プラズマリアクタ３２の構成を説明するための平面図である。以下の説明では、各プラズマリアクタ３１，３２の厚み方向を「Ｚ方向」とする。また、Ｚ方向と直交する面内において、後述する線状電極３１１ａ，３１１ｂ，３２１ａ，３２１ｂの延在方向を「Ｘ方向」とし、Ｚ方向およびＸ方向と直交する方向を「Ｙ方向」とする。
【0075】
（第１プラズマリアクタ３１）
第１プラズマリアクタ３１は、一対の電極部３１ａ，３１ｂ、および、仕切り板３１ｃを備えており、一対の電極部３１ａ，３１ｂが、仕切り板３１ｃを間に挟んで設けられている。仕切り板３１ｃは、具体的には例えば、誘電体材料（例えば、石英、セラミックス、など）によって形成された、平面視にて円形状の平板な部材（板部材）であり、一対の電極部３１ａ，３１ｂは、仕切り板３１ｃを厚み方向から挟むようにして設けられる。以下において、仕切り板３１ｃの厚み方向の一方側である＋Ｚ側に設けられる電極部３１ａを「第１電極部３１ａ」と呼び、他方側である－Ｚ側に設けられる電極部３１ｂを「第２電極部３１ｂ」と呼ぶ。
第１プラズマリアクタ３１は、一対の電極部３１ａ，３１ｂ、および、仕切り板３１ｃを備えており、一対の電極部３１ａ，３１ｂが、仕切り板３１ｃを間に挟んで設けられている。仕切り板３１ｃは、具体的には例えば、誘電体材料（例えば、石英、セラミックス、など）によって形成された、平面視にて円形状の平板な部材（板部材）であり、一対の電極部３１ａ，３１ｂは、仕切り板３１ｃを厚み方向から挟むようにして設けられる。以下において、仕切り板３１ｃの厚み方向の一方側である＋Ｚ側に設けられる電極部３１ａを「第１電極部３１ａ」と呼び、他方側である－Ｚ側に設けられる電極部３１ｂを「第２電極部３１ｂ」と呼ぶ。
【0076】
第１電極部３１ａは、適宜の導電性材料（例えばタングステン）によって形成された複数の線状電極（第１線状電極）３１１ａが、適宜の導電性材料（例えばアルミニウム）によって形成された集合電極（第１集合電極）３１２ａを介して接続された構成を備えており、全体として櫛形状を呈している。
【0077】
具体的には例えば、各第１線状電極３１１ａは、直線状（棒状）の電極であり、長尺方向をＸ方向に沿わせるような姿勢で配置される。また、複数の第１線状電極３１１ａは、各第１線状電極３１１ａの延在方向（Ｘ方向）と交差する配列方向（図の例では、Ｘ方向と直交する方向であるＹ方向）に沿って、間隔を設けつつ配列される。各第１線状電極３１１ａは、好ましくは、誘電体材料（例えば、石英、セラミックス、など）によって形成された管状の部材である誘電管３１０ａ内に収容される。一方、第１集合電極３１２ａは、平面視にて円弧状に延在する長尺平板状の電極である。第１集合電極３１２ａは、膨らみ方向を各第１線状電極３１１ａの延在方向の一方側（図の例では、－Ｘ側）に向けるような姿勢で配置されており、その内周側に、各第１線状電極３１１ａの－Ｘ側の端部が接続される。
【0078】
第２電極部３１ｂは、第１電極部３１ａと同様、適宜の導電性材料（例えばタングステン）によって形成された複数の線状電極（第２線状電極）３１１ｂが、適宜の導電性材料（例えばアルミニウム）によって形成された集合電極（第２集合電極）３１２ｂを介して接続された構成を備えており、全体として櫛形状を呈している。
【0079】
具体的には例えば、各第２線状電極３１１ｂは、直線状の電極であり、長尺方向をＸ方向に沿わせるような姿勢で配置される。また、複数の第２線状電極３１１ｂは、各第２線状電極３１１ｂの延在方向（Ｘ方向）と交差する配列方向（図の例では、Ｘ方向と直交する方向であるＹ方向）に沿って、間隔を設けつつ配列される。各第２線状電極３１１ｂは、好ましくは、誘電体材料（例えば、石英、セラミックス、など）によって形成された管状の部材である誘電管３１０ｂ内に収容される。一方、第２集合電極３１２ｂは、平面視にて円弧状に延在する長尺平板状の電極である。第２集合電極３１２ｂは、膨らみ方向を、第１集合電極３１２ａの膨らみ方向の逆側（図の例では、＋Ｘ側）に向けるような姿勢で配置されており、その内周側に、各第２線状電極３１１ｂの＋Ｘ側の端部が接続される。
【0080】
第１電極部３１ａは、Ｚ方向から見て、第１集合電極３１２ａが、仕切り板３１ｃの周縁の外側にこれと近接しつつ延在するような位置に配置されて、仕切り板３１ｃの＋Ｚ側に設けられる。一方、第２電極部３１ｂは、Ｚ方向から見て、第２集合電極３１２ｂが、仕切り板３１ｃの周縁の外側にこれと近接しつつ延在するような位置に配置されて、仕切り板３１ｃの－Ｚ側に設けられる。このとき、Ｚ方向から見て、隣り合う第１線状電極３１１ａの間に、第２線状電極３１１ｂが配置される。すなわち、Ｚ方向から見て、仕切り板３１ｃの主面内に、第１線状電極３１１ａと第２線状電極３１１ｂとが、互いに重なることなく、Ｙ方向に沿って交互に配置される。なお、このような状態において、各電極部３１ａ，３１ｂの複数の線状電極３１１ａ，３１１ｂによって、仕切り板３１ｃの主面の略全域がカバーされるように、各線状電極３１１ａ，３１１ｂの長さがその配列位置に応じて規定されることが好ましい。
【0081】
（第２プラズマリアクタ３２）
第２プラズマリアクタ３２は、第１プラズマリアクタ３１と同様、一対の電極部３２ａ，３２ｂ、および、仕切り板３２ｃを備えており、一対の電極部３２ａ，３２ｂが、仕切り板３２ｃを間に挟んで設けられている。仕切り板３２ｃは、具体的には例えば、誘電体材料（例えば、石英、セラミックス、など）によって形成された、平面視にて円環状の平板な部材（板部材）であり、一対の電極部３２ａ，３２ｂは、仕切り板３２ｃを厚み方向から挟むようにして設けられる。以下において、仕切り板３２ｃの厚み方向の一方側である＋Ｚ側に設けられる電極部３２ａを「第１電極部３２ａ」と呼び、他方側である－Ｚ側に設けられる電極部３２ｂを「第２電極部３２ｂ」と呼ぶ。
第２プラズマリアクタ３２は、第１プラズマリアクタ３１と同様、一対の電極部３２ａ，３２ｂ、および、仕切り板３２ｃを備えており、一対の電極部３２ａ，３２ｂが、仕切り板３２ｃを間に挟んで設けられている。仕切り板３２ｃは、具体的には例えば、誘電体材料（例えば、石英、セラミックス、など）によって形成された、平面視にて円環状の平板な部材（板部材）であり、一対の電極部３２ａ，３２ｂは、仕切り板３２ｃを厚み方向から挟むようにして設けられる。以下において、仕切り板３２ｃの厚み方向の一方側である＋Ｚ側に設けられる電極部３２ａを「第１電極部３２ａ」と呼び、他方側である－Ｚ側に設けられる電極部３２ｂを「第２電極部３２ｂ」と呼ぶ。
【0082】
第１電極部３２ａは、適宜の導電性材料（例えばタングステン）によって形成された複数の線状電極（第１線状電極）３２１ａが、適宜の導電性材料（例えばアルミニウム）によって形成された集合電極（第１集合電極）３２２ａを介して接続された構成を備えており、全体として櫛形状を呈している。
【0083】
具体的には例えば、各第１線状電極３２１ａは、直線状の電極であり、長尺方向をＸ方向に沿わせるような姿勢で配置される。また、複数の第１線状電極３２１ａは、各第１線状電極３２１ａの延在方向（Ｘ方向）と交差する配列方向（図の例では、Ｘ方向と直交する方向であるＹ方向を弦方向とする円弧の延在方向）に沿って、間隔を設けつつ配列される。各第１線状電極３２１ａは、好ましくは、誘電体材料（例えば、石英、セラミックス、など）によって形成された管状の部材である誘電管３２０ａ内に収容される。一方、第１集合電極３２２ａは、平面視にて略円環状（周方向の一部が分断された円環状）に延在する長尺平板状の電極である。複数の第１線状電極３２１ａは、二列に分けて配列されており、一方の列の各第１線状電極３２１ａは、－Ｘ側の端部において、第１集合電極３２２ａにおける－Ｘ側に膨らんだ部分の内周側に接続され、他方の列の各第１線状電極３２１ａは、＋Ｘ側の端部において、第１集合電極３２２ａにおける＋Ｘ側に膨らんだ部分の内周側に接続される。
【0084】
第２電極部３２ｂは、第１電極部３２ａと同様、適宜の導電性材料（例えばタングステン）によって形成された複数の線状電極（第１線状電極）３２１ｂが、適宜の導電性材料（例えばアルミニウム）によって形成された集合電極（第１集合電極）３２２ｂを介して接続された構成を備えており、全体として櫛形状を呈している。
【0085】
具体的には例えば、各第２線状電極３２１ｂは、直線状の電極であり、長尺方向をＸ方向に沿わせるような姿勢で配置される。また、複数の第２線状電極３２１ｂは、その延在方向（Ｘ方向）と交差する配列方向（図の例では、Ｘ方向と直交する方向であるＹ方向を弦方向とする円弧の延在方向）に沿って、間隔を設けつつ配列される。各第２線状電極３２１ｂは、好ましくは、誘電体材料（例えば、石英、セラミックス、など）によって形成された管状の部材である誘電管３２０ｂ内に収容される。一方、第２集合電極３２２ｂは、平面視にて略円環状（周方向の一部が分断された円環状）に延在する長尺平板状の電極である。複数の第２線状電極３２１ｂは、二列に分けて配列されており、一方の列の各第２線状電極３２１ｂは、＋Ｘ側の端部において、第２集合電極３２２ｂにおける－Ｘ側に膨らんだ部分の外周側に接続され、他方の列の各第２線状電極３２１ｂは、－Ｘ側の端部において、第２集合電極３２２ｂにおける＋Ｘ側に膨らんだ部分の外周側に接続される。
【0086】
第１電極部３２ａは、Ｚ方向から見て、第１集合電極３２２ａが、仕切り板３２ｃの外周縁の外側にこれと近接しつつ延在するような位置に配置されて、仕切り板３２ｃの＋Ｚ側に設けられる。一方、第２電極部３２ｂは、Ｚ方向から見て、第２集合電極３２２ｂが、仕切り板３２ｃの内周縁の内側にこれと近接しつつ延在するような位置に配置されて、仕切り板３２ｃの－Ｚ側に設けられる。このとき、Ｚ方向から見て、隣り合う第１線状電極３２１ａの間に、第２線状電極３２１ｂが配置される。すなわち、Ｚ方向から見て、仕切り板３２ｃの主面内に、第１線状電極３２１ａと第２線状電極３２１ｂとが、互いに重なることなく、Ｙ方向に沿って交互に配置される。なお、このような状態において、各電極部３２ａ，３２ｂの複数の線状電極３２１ａ，３２１ｂによって、仕切り板３２ｃの主面の略全域がカバーされるように、各線状電極３２１ａ，３２１ｂの長さがその配列位置に応じて規定されることが好ましい。
【0087】
【0088】
第１プラズマリアクタ３１には、これにプラズマを発生させるための電力（プラズマ用電力）を供給する電力供給部である電源（第１電源）３５が接続される。第１電源３５は、具体的には、一対の出力端３５ａ，３５ｂを備えており、一方の出力端（第１出力端）３５ａから延びる配線（第１配線）３５０ａが、仕切り板３１ｃの＋Ｚ側に配置されている第１電極部３１ａ（具体的には、第１集合電極３１２ａ）に、電気的に接続されるとともに、他方の出力端（第２出力端）３５ｂから延びる配線（第２配線）３５０ｂが、仕切り板３１ｃの－Ｚ側に配置されている第２電極部３１ｂ（具体的には、第２集合電極３１２ｂ）に、電気的に接続される。ここでは、第１出力端３５ａが＋側（陽極側）とされ、第２出力端３５ｂが－側（陰極側）とされる。つまり、第２電極部３１ｂに対する第１電極部３１ａの電位を正方向とする。
【0089】
第１電源３５は、制御部１４０によって制御されており、制御部１４０からの指示に応じて、第１プラズマリアクタ３１に所定の電力（プラズマ用電力）を供給する。具体的には、第１電源３５は、制御部１４０からの指示に応じて、各配線３５０ａ，３５０ｂを介して、第１電極部３１ａと第２電極部３１ｂとの間に、所定の電圧（プラズマ用電圧）を印加する。すると、第１線状電極３１１ａと第２線状電極３１１ｂとの間に電界が生じ、第１線状電極３１１ａおよび第２線状電極３１１ｂの間に放電が発生する。両線状電極３１１ａ，３１１ｂの間には誘電体である仕切り板３１ｃが存在しているので、この放電は、いわゆる誘電体バリア放電となる。放電が発生することによって、周囲のガスがプラズマ化する。すなわち、プラズマが発生（点灯）する。つまり、第１電源３５は、周囲のガスがプラズマ化する程度の電圧を、プラズマ用電圧として両電極部３１ａ，３１ｂの間に印加する。
【0090】
第１電源３５は、具体的には例えば、インバータ回路等のスイッチング電源回路を含んで構成されて高周波電源としての機能を備えるものであってもよく、プラズマ用電圧として、例えば、高周波電圧を両電極部３１ａ，３１ｂの間に印加してもよい。また、第１電源３５は、例えば、交流電源であってもよい。さらに、第１電源３５は、例えば、パルス発生器を含んで構成されてパルス電源としての機能を備えるものであってもよく、パルス発生器が所定の周期で発生させるパルス信号のオン期間において、両電極部３１ａ，３１ｂの間に高周波電圧を印加してもよい（例えば、図１７に模式的に例示される電圧波形を参照）。この場合、主として、パルス信号のオン期間において、プラズマが点灯することになる。一例として、プラズマ用電圧の電圧値（高周波電圧の振幅値）は、十数（kV）程度以上である。また、プラズマ用電圧がパルス波によって規定される各周期のオン期間に印加される場合、該パルス波の周波数は、数十（kHz）程度である。
【0091】
同様に、第２プラズマリアクタ３２にも、これにプラズマを発生させるための電力（プラズマ用電力）を供給する電力供給部である電源（第２電源）３６が接続される。第２電源３６は、具体的には、一対の出力端３６ａ，３６ｂを備えており、一方の出力端（第１出力端）３６ａから延びる配線（第１配線）３６０ａが、仕切り板３２ｃの＋Ｚ側に配置されている第１電極部３２ａ（具体的には、第１集合電極３２２ａ）に、電気的に接続されるとともに、他方の出力端（第２出力端）３６ｂから延びる配線（第２配線）３６０ｂが、仕切り板３２ｃの－Ｚ側に配置されている第２電極部３２ｂ（具体的には、第２集合電極３２２ｂ）に、電気的に接続される。ここでは、第１出力端３６ａが＋側とされ、第２出力端３６ｂが－側とされる。つまり、第２電極部３２ｂに対する第１電極部３２ａの電位を正方向とする。
【0092】
第２電源３６は、第１電源３５と同様、制御部１４０によって制御されており、制御部１４０からの指示に応じて、第２プラズマリアクタ３２に所定の電力（プラズマ用電力）を供給する。具体的には、第２電源３６は、制御部１４０からの指示に応じて、各配線３６０ａ，３６０ｂを介して、第１電極部３２ａと第２電極部３２ｂとの間に、所定の電圧（プラズマ用電圧）を印加する。すると、第１線状電極３２１ａと第２線状電極３２１ｂとの間に電界が生じ、第１線状電極３２１ａおよび第２線状電極３２１ｂの間に放電が発生する。両線状電極３２１ａ，３２１ｂの間には誘電体である仕切り板３２ｃが存在しているので、この放電は、いわゆる誘電体バリア放電となる。放電が発生することによって、周囲のガスがプラズマ化する。つまり、第２電源３６は、周囲のガスがプラズマ化する程度の電圧を、プラズマ用電圧として両電極部３２ａ，３２ｂの間に印加する。
【0093】
第２電源３６は、第１電源３５と同様、具体的には例えば、インバータ回路等のスイッチング電源回路を含んで構成されて高周波電源としての機能を備えるものであってもよく、プラズマ用電圧として、例えば、高周波電圧を両電極部３２ａ，３２ｂの間に印加してもよい。また、第２電源３６は、例えば、交流電源であってもよい。さらに、第２電源３６は、例えば、パルス発生器を含んで構成されてパルス電源としての機能を備えるものであってもよく、パルス発生器が所定の周期で発生させるパルス信号のオン期間において、両電極部３２ａ，３２ｂの間に高周波電圧を印加してもよい（図１７参照）。一例として、プラズマ用電圧の電圧値（高周波電圧の振幅値）は、十数（kV）程度以上である。また、プラズマ用電圧がパルス波によって規定される各周期のオン期間に印加される場合、該パルス波の周波数は、数十（kHz）程度である。
【0094】
上記のとおり、第１プラズマリアクタ３１は、保持部１に保持された基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１と対向配置され、第２プラズマリアクタ３２は、該基板Ｗの面内における外周側の部分Ａ２と対向配置される（図４）。したがって、各プラズマリアクタ３１，３２に各電源３５，３６からプラズマ用電力が供給されるとともに、各プラズマリアクタ３１，３２がプラズマ処理位置に配置されると、基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１は、第１プラズマリアクタ３１からプラズマの照射を受け、外周側の部分Ａ２は、第２プラズマリアクタ３２からプラズマの照射を受ける。これによって、基板Ｗに対するプラズマ処理が進行する。例えばこの実施形態に係る処理ユニット１３２では、処理液（ここでは例えば、硫酸）の液膜が形成された基板Ｗに対してプラズマが照射されることで、該基板Ｗに設けられているレジストが剥離される。すなわち、プラズマ処理によってレジストの剥離が行われる。
【0095】
ここで、第１プラズマリアクタ３１に供給される電力量が大きいほど、第１プラズマリアクタ３１で発生されるプラズマの出力値が大きくなる。したがって、基板Ｗの面内における、第１プラズマリアクタ３１からプラズマの照射を受ける部分Ａ１の処理速度が大きく（速く）なる。同様に、第２プラズマリアクタ３２に供給される電力量が大きいほど、第２プラズマリアクタ３２で発生されるプラズマの出力値が大きくなる。したがって、基板Ｗの面内における、第２プラズマリアクタ３２からプラズマの照射を受ける部分Ａ２の処理速度が大きくなる。ただし、ここでいう「プラズマ出力値」とは、プラズマの生成能力を示す値であり、例えば、生成されるプラズマの量（例えば、電子密度）、生成されるプラズマの発光強度、などが、プラズマ出力値を示す指標として用いられる。また、ここでいう「処理速度」とは、プラズマ処理の処理速度である。この実施形態のように、プラズマ処理によってレジストの剥離を行う場合、処理速度はレジストの剥離速度である。
【0096】
また、プラズマ処理によってレジストの剥離を行う場合、レジストの剥離は温度によって促進される。つまり、処理速度は、温度が高いほど、大きくなる。ここで、第１プラズマリアクタ３１に供給される電力量が大きいほど、第１プラズマリアクタ３１での発熱量が大きくなるため、基板Ｗの面内における第１プラズマリアクタ３１と対向配置される部分Ａ１の温度が高くなり、処理速度が大きくなる。同様に、第２プラズマリアクタ３２に供給される電力量が大きいほど、第２プラズマリアクタ３２での発熱量が大きくなるため、基板Ｗの面内における第２プラズマリアクタ３２と対向配置される部分Ａ２の温度が高くなり、処理速度が大きくなる。
【0097】
このように、基板Ｗの面内における各部分Ａ１，Ａ２の処理速度は、各プラズマリアクタ３１，３２に供給される電力量に応じて変化する。具体的には、電力量が大きいほど、処理速度が大きくなる。
【0098】
上記のとおり、ここでは、各プラズマリアクタ３１，３２に電力を供給する電源３５，３６が別個に設けられているので、各プラズマリアクタ３１，３２に供給する電力量を独立して調整することができる。これによって、基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１と外周側の部分Ａ２の各処理速度を個別に調整することができる。したがって、基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１と外周側の部分Ａ２との間に、処理速度の差を生じさせるような要因が存在している場合に、この差を、各プラズマリアクタ３１，３２に供給される電力量の差で補填することで、基板Ｗの面内における処理速度のばらつきを低減することができる。ひいては、基板Ｗの面内における処理の均一性を向上させることができる。
【0099】
例えば、基板Ｗの面内における外周側の部分Ａ２の処理速度が、中央側の部分Ａ１の処理速度よりも小さくなるような要因が潜在的に存在している場合がある。すなわち、保持部１に保持された基板Ｗの外周側の部分Ａ２は、チャンバ５のダウンフローなどに晒されるため、外周側の部分Ａ２の放熱量が、中央側の部分Ａ１の放熱量に比べて大きくなる。このため、外周側の部分Ａ２が中央側の部分Ａ１に比べて低温となる（ひいては、処理速度が小さくなる）傾向が生じ得る。また、プラズマリアクタユニット３０も、チャンバ５のダウンフローなどに晒されるため、外周側の部分の放熱量が、中央側の部分の放熱量に比べて大きくなる。このため、プラズマリアクタユニット３０の外周側の部分の温度が相対的に低下しやすく、基板Ｗの面内におけるプラズマリアクタユニット３０の外周側の部分と対向配置される部分Ａ２が、プラズマリアクタユニット３０の中央側の部分と対向配置される部分Ａ１に比べて、低い温度にまでしか加熱されない（ひいては、処理速度が小さくなる）、という傾向も生じ得る。
【0100】
このように、基板Ｗの面内における外周側の部分Ａ２の処理速度が、中央側の部分Ａ１の処理速度よりも小さくなるような要因が潜在的に存在している場合、このような要因を考慮して、制御部１４０は、第２電源３６から第２プラズマリアクタ３２に供給される電力量が、第１電源３５から第１プラズマリアクタ３１に供給される電力量よりも、大きいものとなるように、各電源３５，３６を制御する。このような制御がなされることで、基板Ｗの面内における外周側の部分Ａ２の処理速度が、中央側の部分Ａ１に比べて相対的に大きく促進されることとなる。つまり、上記の要因などに由来して生じ得る、外周側の部分Ａ２と中央側の部分Ａ１との間の処理速度の差が、各プラズマリアクタ３１，３２に供給される電力量の差で補填される。これによって、基板Ｗの面内における処理速度のばらつきが低減され、処理の均一性が向上する。
【0101】
各プラズマリアクタ３１，３２に供給される電力量を調整する具体的な態様は、どのようなものであってもよい。例えば、電圧の周波数、電圧の振幅、電圧の印加の切り替えに用いられるパルス信号の周波数、該パルス信号におけるオン期間の割合（オンデューティ比）、などのうちの少なくとも１個を調整することで、電力量を調整することができる。いうまでもなく、電圧の周波数、電圧の振幅、パルス信号の周波数、あるいは、オンデューティ比が、大きな値に設定されるほど、電力量は大きくなる。
【0102】
＜１－４．処理の流れ＞
次に、処理ユニット１３２で行われる処理の流れについて、図３および図８～図１２を参照しながら説明する。図８は、該処理の流れを示す図である。図９～図１２の各々は、各処理工程を説明するための図であり、該処理工程における各部の状態が模式的に示されている。
次に、処理ユニット１３２で行われる処理の流れについて、図３および図８～図１２を参照しながら説明する。図８は、該処理の流れを示す図である。図９～図１２の各々は、各処理工程を説明するための図であり、該処理工程における各部の状態が模式的に示されている。
【0103】
以下の説明において、処理対象とされる基板Ｗは、例えば、少なくとも一方の主面にマスクとしてのレジストが設けられて、エッチングやイオン注入が行われた後の基板Ｗであり、処理ユニット１３２において、不要となったレジストを剥離（除去）するための一連の処理が行われる。以下に説明する一連の処理は、制御部１４０が、処理ユニット１３２が備える各部を制御することによって、行われる。また、以下に説明する一連の処理は、通常は、反復して行われる。すなわち、１枚の基板Ｗに対する一連の処理が終了すると、続いて別の新たな基板Ｗに対して該一連の処理が行われる。
【0104】
ステップＳ１：保持工程
まず、処理対象となる基板Ｗを、保持部１に保持させる。すなわち、主搬送ロボット１３１が、処理対象となる基板Ｗを保持したハンド１３１ａをチャンバ５内に差し入れて、基板Ｗを処理ユニット１３２に搬入すると、保持部１が、搬入された基板Ｗを、レジストが設けられている主面が上側を向くような水平姿勢で、保持する（図９）。この工程が行われる間、ハンド１３１ａと干渉しないように、ノズル２１，２２、プラズマリアクタユニット３０、および、ガード４１は、各々の待機位置に配置されている。
まず、処理対象となる基板Ｗを、保持部１に保持させる。すなわち、主搬送ロボット１３１が、処理対象となる基板Ｗを保持したハンド１３１ａをチャンバ５内に差し入れて、基板Ｗを処理ユニット１３２に搬入すると、保持部１が、搬入された基板Ｗを、レジストが設けられている主面が上側を向くような水平姿勢で、保持する（図９）。この工程が行われる間、ハンド１３１ａと干渉しないように、ノズル２１，２２、プラズマリアクタユニット３０、および、ガード４１は、各々の待機位置に配置されている。
【0105】
ステップＳ２：液膜形成工程
続いて、ノズル移動機構２３が、処理液ノズル２１を、ノズル待機位置からノズル処理位置に移動させる。処理液ノズル２１がノズル処理位置に配置されると、処理液供給管２１１に設けられているバルブ２１３が開かれる。すると、処理液供給源２１２に貯留されている所定の処理液（ここでは、硫酸）が、流量調整部２１４によって調整される所定の流量で、処理液供給管２１１を通じて処理液ノズル２１に供給されて、吐出口２１０から吐出される。すなわち、保持部１に保持されている基板Ｗの上側の主面に向けて処理液が吐出され、基板Ｗに処理液が供給され、基板Ｗの上面に処理液の液膜Ｆが形成される（図１０）。
続いて、ノズル移動機構２３が、処理液ノズル２１を、ノズル待機位置からノズル処理位置に移動させる。処理液ノズル２１がノズル処理位置に配置されると、処理液供給管２１１に設けられているバルブ２１３が開かれる。すると、処理液供給源２１２に貯留されている所定の処理液（ここでは、硫酸）が、流量調整部２１４によって調整される所定の流量で、処理液供給管２１１を通じて処理液ノズル２１に供給されて、吐出口２１０から吐出される。すなわち、保持部１に保持されている基板Ｗの上側の主面に向けて処理液が吐出され、基板Ｗに処理液が供給され、基板Ｗの上面に処理液の液膜Ｆが形成される（図１０）。
【0106】
少なくとも基板Ｗに対する処理液の吐出が行われる間、回転機構１３が、保持部１（ひいてはここに保持されている基板Ｗ）を、所定の回転数で、回転させることが好ましい。これにより、基板Ｗの上側の主面における所定の位置（例えば、該主面の中心）に着液した処理液は、遠心力によって基板Ｗの周縁に向けて速やかに広がり、該主面の略全体を覆う処理液の液膜Ｆが速やかに形成される。
【0107】
また、少なくとも保持部１が回転される間、ガード移動機構４２が、ガード４１（ここでは２個のガード４１の両方）を、ガード処理位置に配置している。したがって、基板Ｗの周縁から飛散した処理液などは、ガード（内側にあるガード）４１の内周面で受け止められて、該内周面に沿って流下し、さらにカップ４３１で受け止められて、排液管４３２から排液される。排液された処理液などは、回収されて再利用されてもよい。
【0108】
処理液の吐出が開始されてから所定時間が経過すると、バルブ２１３が閉鎖されて、吐出口２１０からの処理液の吐出が停止される。また、回転機構１３が、保持部１（ひいてはここに保持されている基板Ｗ）の回転数を、十分に低い回転数まで低下させる、あるいは、回転を停止させる。液膜Ｆが形成された基板Ｗが、所定時間の間、十分に低い回転数で回転される（あるいは、回転が停止した状態が維持される）ことで、液膜Ｆが基板Ｗ上に安定して保持される（いわゆる、パドル処理）。
【0109】
ステップＳ３：電力供給開始工程
続いて、第１プラズマリアクタ３１に対して第１電源３５から所定の電力の供給が開始されるとともに、第２プラズマリアクタ３２に対して第２電源３６から所定の電力の供給が開始される。
続いて、第１プラズマリアクタ３１に対して第１電源３５から所定の電力の供給が開始されるとともに、第２プラズマリアクタ３２に対して第２電源３６から所定の電力の供給が開始される。
【0110】
第１プラズマリアクタ３１に電力が供給されて、第１電極部３１ａと第２電極部３１ｂの間に電圧が印加されることによって、第１プラズマリアクタ３１の周囲のガス（ここでは、空気）がプラズマ化し、プラズマが発生する。同様に、第２プラズマリアクタ３２に所定の電力が供給されて、第１電極部３２ａと第２電極部３２ｂの間に電圧が印加されることによって、第２プラズマリアクタ３２の周囲のガス（ここでは、空気）がプラズマ化し、プラズマが発生する。各プラズマリアクタ３１，３２の周囲に発生するプラズマには、種々の活性種（プラズマの周囲のガスが空気である場合、例えば、酸素ラジカル、ヒドロキシルラジカル、オゾンガス、などの活性種）が含まれるが、活性種の種類や量は、各プラズマリアクタ３１，３２に供給される電力量、各プラズマリアクタ３１，３２の周囲に存在するガスの種類、などによって変化する。
【0111】
ステップＳ４：下降工程
続いて、プラズマリアクタ移動機構３４が、プラズマリアクタユニット３０を、待機位置からプラズマ処理位置に移動（下降）させる。各プラズマリアクタ３１，３２の周囲に発生しているプラズマ中の活性種は、比較的短時間で失活してしまうため、各プラズマリアクタ３１，３２に近い位置では十分な量の活性種が存在していても、各プラズマリアクタ３１，３２から離れた位置ではほとんどの活性種が失活している。そこで、この工程において、プラズマリアクタユニット３０がプラズマ処理位置まで下降されることによって、各プラズマリアクタ３１，３２が、基板Ｗに十分に近い位置（すなわち、少なくともプラズマ処理に必要な量の活性種を基板Ｗに作用させることができる程度に各プラズマリアクタ３１，３２と基板Ｗとの離間距離とが十分に小さくなるような位置）に、配置される。
続いて、プラズマリアクタ移動機構３４が、プラズマリアクタユニット３０を、待機位置からプラズマ処理位置に移動（下降）させる。各プラズマリアクタ３１，３２の周囲に発生しているプラズマ中の活性種は、比較的短時間で失活してしまうため、各プラズマリアクタ３１，３２に近い位置では十分な量の活性種が存在していても、各プラズマリアクタ３１，３２から離れた位置ではほとんどの活性種が失活している。そこで、この工程において、プラズマリアクタユニット３０がプラズマ処理位置まで下降されることによって、各プラズマリアクタ３１，３２が、基板Ｗに十分に近い位置（すなわち、少なくともプラズマ処理に必要な量の活性種を基板Ｗに作用させることができる程度に各プラズマリアクタ３１，３２と基板Ｗとの離間距離とが十分に小さくなるような位置）に、配置される。
【0112】
なお、電力供給開始工程（ステップＳ３）と下降工程（ステップＳ４）は、どちらが先に行われてもよいし、並行して行われてもよい。すなわち、各プラズマリアクタ３１，３２に対する電力供給の開始は、各プラズマリアクタ３１，３２が下降される前、下降途中、下降後、のいずれのタイミングで行われてもよい。下記のとおり、電力供給開始工程と下降工程の両方が行われることにより、基板Ｗに対するプラズマ処理が開始される。
【0113】
電力供給開始工程と下降工程の両方が行われると、電力が供給されている（すなわち、電圧が印加されている）プラズマリアクタ３１，３２が、プラズマ処理位置に配置された状態となる（図１１）。このような状態において、保持部１に保持されている基板Ｗに対して、その主面と対向配置されているプラズマリアクタ３１，３２からプラズマが照射され、該基板Ｗに対するプラズマ処理が進行する。具体的には、第１プラズマリアクタ３１から基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１にプラズマが照射されることで、該部分Ａ１におけるプラズマ処理が進行し、第２プラズマリアクタ３２から基板Ｗの面内における外周側の部分Ａ２にプラズマが照射されることで、該部分Ａ２におけるプラズマ処理が進行する。
【0114】
ここでは、プラズマ処理によってレジストの剥離が行われる。具体的には、各プラズマリアクタ３１，３２の周囲に発生しているプラズマが、基板Ｗの主面に形成されている処理液（ここでは、硫酸）の液膜Ｆに作用することで、処理液の処理性能が高められる。具体的には、プラズマ中の活性種が硫酸と反応して、処理性能（ここでは、酸化力）の高いカロ酸（ペルオキソ一硫酸：Ｈ２ＳＯ５）が生成される。生成されたカロ酸、および、プラズマ中の活性種が、基板Ｗの主面に設けられているレジストに作用することで、レジストが酸化されて、剥離（除去）される。
【0115】
上記のとおり、例えば、基板Ｗの面内における外周側の部分Ａ２の処理速度が、中央側の部分Ａ１の処理速度よりも小さくなるような要因が潜在的に存在している場合、このような要因を考慮して、第２プラズマリアクタ３２に供給される電力量が、第１プラズマリアクタ３１に供給される電力量よりも大きいものとされる。これによって、基板Ｗの面内における外周側の部分Ａ２の処理速度が、中央側の部分Ａ１に比べて相対的に大きく促進されて、基板Ｗの面内における処理速度のばらつきが低減される。したがって、基板Ｗの面内の全体において、均一に、処理（ここでは、レジストの剥離）が進行する。
【0116】
ステップＳ５：電力供給停止工程
所定の処理時間だけプラズマ処理が進行されると、第１プラズマリアクタ３１に対する第１電源３５からの電力の供給が停止されるとともに、第２プラズマリアクタ３２に対する第２電源３６からの電力の供給が停止される。これにより、プラズマの発生が停止する（すなわち、プラズマが消灯する）。
所定の処理時間だけプラズマ処理が進行されると、第１プラズマリアクタ３１に対する第１電源３５からの電力の供給が停止されるとともに、第２プラズマリアクタ３２に対する第２電源３６からの電力の供給が停止される。これにより、プラズマの発生が停止する（すなわち、プラズマが消灯する）。
【0117】
ステップＳ６：上昇工程
また、所定の処理時間だけプラズマ処理が進行されると、それ以後の適宜のタイミングで、プラズマリアクタ移動機構３４が、プラズマリアクタユニット３０を、プラズマ処理位置から待機位置に移動（上昇）させる。
また、所定の処理時間だけプラズマ処理が進行されると、それ以後の適宜のタイミングで、プラズマリアクタ移動機構３４が、プラズマリアクタユニット３０を、プラズマ処理位置から待機位置に移動（上昇）させる。
【0118】
なお、電力供給停止工程（ステップＳ５）と上昇工程（ステップＳ６）は、どちらが先に行われてもよいし、並行して行われてもよい。すなわち、各プラズマリアクタ３１，３２に対する電力供給の停止は、各プラズマリアクタ３１，３２が上昇される前、上昇途中、上昇後、のいずれのタイミングで行われてもよい。上記のとおり、基板Ｗに対するプラズマ処理は、電力が供給されているプラズマリアクタ３１，３２がプラズマ処理位置に配置されている状態において進行するものであり、例えば、電力供給停止工程と上昇工程の少なくとも一方が行われることにより、基板Ｗに対するプラズマ処理が終了する。
【0119】
ステップＳ７：リンス工程
プラズマリアクタユニット３０が待機位置に配置されると、続いて、ノズル移動機構２３が、リンス液ノズル２２を、ノズル待機位置からノズル処理位置に移動させる。リンス液ノズル２２がノズル処理位置に配置されると、リンス液供給管２２１に設けられているバルブ２２３が開かれる。すると、リンス液供給源２２２に貯留されている所定のリンス液が、流量調整部２２４によって調整される所定の流量で、リンス液供給管２２１を通じてリンス液ノズル２２に供給されて、吐出口２２０から吐出される。すなわち、保持部１に保持されている基板Ｗの上側の主面に向けてリンス液が吐出され、基板Ｗにリンス液が供給される（図１２）。
プラズマリアクタユニット３０が待機位置に配置されると、続いて、ノズル移動機構２３が、リンス液ノズル２２を、ノズル待機位置からノズル処理位置に移動させる。リンス液ノズル２２がノズル処理位置に配置されると、リンス液供給管２２１に設けられているバルブ２２３が開かれる。すると、リンス液供給源２２２に貯留されている所定のリンス液が、流量調整部２２４によって調整される所定の流量で、リンス液供給管２２１を通じてリンス液ノズル２２に供給されて、吐出口２２０から吐出される。すなわち、保持部１に保持されている基板Ｗの上側の主面に向けてリンス液が吐出され、基板Ｗにリンス液が供給される（図１２）。
【0120】
少なくとも基板Ｗに対するリンス液の吐出が行われる間、回転機構１３が、保持部１（ひいてはここに保持されている基板Ｗ）を、所定の回転数で、回転させる。したがって、基板Ｗの上側の主面における所定の位置（例えば、該主面の中心）に着液したリンス液は、遠心力によって基板Ｗの周縁に向けて速やかに広がり、該主面の略全体を覆っていた処理液の液膜Ｆが、リンス液で置換されていく。すなわち、処理液の液膜Ｆが洗い流されていく。
【0121】
リンス液の吐出が開始されてから所定時間が経過すると、バルブ２２３が閉鎖されて、吐出口２２０からのリンス液の吐出が停止される。その一方で、回転機構１３が、保持部１の回転数を、十分に高い回転数にまで上昇させる。これにより、保持部１に保持されている基板Ｗが、高速で回転されて、基板Ｗが乾燥される（いわゆる、スピンドライ）。
【0122】
ここでは、少なくとも保持部１が回転される間、ガード移動機構４２が、例えば、外側のガード４１をガード処理位置に配置し、内側のガード４１をガード待機位置に配置している。したがって、基板Ｗの周縁から飛散した処理液やリンス液などは、外側にあるガード４１の内周面で受け止められて、該内周面に沿って流下し、該ガード４１と対応して設けられたカップ（図示省略）で受け止められて、これに接続された排液管（図示省略）から排液される。
【0123】
保持部１が、所定時間の間、十分に高い回転数で回転されると、回転機構１３が保持部１の回転を停止する。そして、ノズル２１，２２、プラズマリアクタユニット３０、および、ガード４１が、各々の待機位置に配置された上で、主搬送ロボット１３１が、保持部１に保持されている基板Ｗを搬出する。
【0124】
＜１－５．効果＞
上記の実施形態に係る処理ユニット（基板処理装置）１３２は、基板Ｗを保持する保持部１と、保持部１に保持された基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１にプラズマを照射する第１プラズマリアクタ（第１プラズマ照射部）３１と、保持部１に保持された基板Ｗの面内における外周側の部分Ａ２にプラズマを照射する、第１プラズマリアクタ３１とは別の第２プラズマリアクタ（第２プラズマ照射部）３２と、第１プラズマリアクタ３１に電力を供給する第１電源（第１電力供給部）３５と、第２プラズマリアクタ３２に電力を供給する、第１電源３５とは別の第２電源（第２電力供給部）３６と、を備える。
上記の実施形態に係る処理ユニット（基板処理装置）１３２は、基板Ｗを保持する保持部１と、保持部１に保持された基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１にプラズマを照射する第１プラズマリアクタ（第１プラズマ照射部）３１と、保持部１に保持された基板Ｗの面内における外周側の部分Ａ２にプラズマを照射する、第１プラズマリアクタ３１とは別の第２プラズマリアクタ（第２プラズマ照射部）３２と、第１プラズマリアクタ３１に電力を供給する第１電源（第１電力供給部）３５と、第２プラズマリアクタ３２に電力を供給する、第１電源３５とは別の第２電源（第２電力供給部）３６と、を備える。
【0125】
この構成によると、各プラズマリアクタ３１，３２に供給される電力量を独立して調整することができる。基板Ｗの面内における各部分Ａ１，Ａ２の処理速度は、該部分Ａ１，Ａ２にプラズマを照射するプラズマリアクタ３１，３２に供給される電力量に応じて変化する（具体的には、電力量が大きいほど処理速度が大きくなる）ため、各プラズマリアクタ３１，３２に供給される電力量を独立して調整することによって、基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１と外周側の部分Ａ２の各処理速度を個別に調整することができる。したがって、基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１と外周側の部分Ａ２との間に処理速度の差を生じさせるような要因が存在している場合に、この差を、各プラズマリアクタ３１，３２に供給される電力量の差で補填することで、基板Ｗの面内における処理速度のばらつきを低減させることができる。これにより、基板Ｗの面内における処理の均一性を向上させることができる。
【0126】
例えば、第２プラズマリアクタ３２に供給（投入）される電力量が、第１プラズマリアクタ３１に供給される電力量よりも、大きいものとされれば、基板Ｗの面内における外周側の部分Ａ２の処理速度が、中央側の部分Ａ１の処理速度よりも小さくなるような要因が存在している場合に、この差が、各プラズマリアクタ３１，３２に供給される電力量の差で補填されるので、基板Ｗの面内における処理速度のばらつきが低減される。したがって、基板Ｗの面内における処理の均一性が向上する。
【0127】
なお、基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１（すなわち、第１プラズマリアクタ３１からプラズマの照射を受ける部分）と、外周側の部分Ａ２（すなわち、第２プラズマリアクタ３２からプラズマの照射を受ける部分）との境界は、任意に規定することができる。例えば、実験、シミュレーションなどによって、基板Ｗの面内における処理速度の分布を特定し、ここから、基板Ｗの面内を相対的に処理速度が大きい領域と相対的に処理速度が小さい領域とに区画するような境界を規定して、これを両部分Ａ１，Ａ２の境界として採用してもよい。また、処理速度が温度に依存する場合、例えば、基板Ｗの面内における温度の分布を特定し、ここから、基板Ｗの面内を相対的に温度が高い領域と相対的に温度が低い領域とに区画するような境界を規定して、これを両部分Ａ１，Ａ２の境界として採用してもよい。
【0128】
両部分Ａ１，Ａ２の境界が規定されれば、その境界の位置に応じて、各プラズマリアクタ３１，３２の寸法（具体的には例えば、第１プラズマリアクタ３１の直径、および、第２プラズマリアクタ３２の内直径）を規定すればよい。一例として、直径が３００（mm）の基板Ｗの外周縁から３０(mm)だけ内側の位置に、両部分Ａ１，Ａ２の境界が規定された場合、例えば、第１プラズマリアクタ３１の直径を、約２４０（mm）とし、第２プラズマリアクタ３２の外直径および内直径を、それぞれ、約３００（mm）および約２４０（mm）とすればよい（すなわち、幅が３０（mm））。いうまでもなく、両部分Ａ１，Ａ２の境界は、仮想的なものであり、実際は、第１プラズマリアクタ３１からプラズマの照射を受ける部分Ａ１と、第２プラズマリアクタ３２からプラズマの照射を受ける部分Ａ２とは、規定された境界の近傍において互いに重複する領域であってよい。
【0129】
例えば、平面視にて基板Ｗと略同一のサイズの１個のプラズマリアクタを用いて、基板Ｗの面内の全域にプラズマを照射するような構成において、プラズマリアクタの外周側の部分の温度が中央側の部分に比べて低下しやすいために、基板Ｗの面内における外周側の部分Ａ２の温度が中央側の部分Ａ１に比べて低くなる（ひいては、処理速度が小さくなる）という問題を回避するべく、プラズマリアクタのサイズを基板Ｗよりも十分に大きなものとして、相対的に温度が低い外周側の部分が、基板Ｗの外側に配置されるようにすることが一案として考えられる。ところが、この方策によると、プラズマリアクタのサイズが大きくなる分、これにプラズマを発生させるために供給するべき電力量が大きくなり、容量（電源容量）が大きな電源が必要になってくる。大容量の電源は、サイズも大きくコストもかかるため、装置への搭載が難しくなる。上記の実施形態に係る処理ユニット１３２では、このような問題が生じることがない。すなわち、プラズマリアクタのサイズを大きくする必要がないので、サイズを大きくした分だけ必要な電源容量が増加する、といった事態が生じることがない。
【0130】
また、上記の実施形態に係る処理ユニット１３２は、保持部１に保持された基板Ｗの法線方向から見て、第２プラズマリアクタ３２が、第１プラズマリアクタ３１の周囲を取り囲んで設けられる。この構成によると、各プラズマリアクタ３１，３２からプラズマを照射する際に、必ずしも基板Ｗをその中心の周りで回転しなくとも、基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１は第１プラズマリアクタ３１からプラズマの照射を受け、外周側の部分Ａ２は第２プラズマリアクタ３２からプラズマの照射を受ける。すなわち、各プラズマリアクタ３１，３２からプラズマを照射する際に、必ずしも基板Ｗをその中心の周りで回転させる必要がないので、プラズマを照射する際に基板Ｗを回転させることが好ましくないようなプロセス条件にも対応することができる。
【0131】
また、上記の実施形態に係る処理ユニット１３２は、第１プラズマリアクタ３１が、保持部１に保持された基板Ｗの法線方向から見て、円形状であり、第２プラズマリアクタ３２が、保持部１に保持された基板Ｗの法線方向から見て、円環状である。この構成によると、基板Ｗの主面が円形である場合に、該主面の中央側の円形状の部分Ａ１と、外周側の円環状の部分Ａ２とに、それぞれ別のプラズマリアクタ３１，３２からプラズマを照射することができる。
【0132】
また、上記の実施形態に係る処理ユニット１３２は、第１プラズマリアクタ３１および第２プラズマリアクタ３２の各々が、直線状の第１線状電極３１１ａ（３２１ａ）が、その延在方向と交差する配列方向に沿って複数個配列された構成を備える第１電極部３１ａ（３２ａ）と、直線状の第２線状電極３１１ｂ（３２１ｂ）が、その延在方向と交差する配列方向に沿って複数個配列された構成を備える第２電極部３１ｂ（３２ｂ）と、を備え、該延在方向および該記配列方向から規定される面の法線方向から見たときに、第１線状電極３１１ａ（３２１ａ）と第２線状電極３１１ｂ（３２１ｂ）とが、重ならないように交互に配置される。この構成によると、各プラズマリアクタ３１，３２において、二次元的に広がるプラズマを発生させることができる。
【0133】
＜２．第２実施形態＞
＜２－１．プラズマ発生部６＞
＜i．全体構成＞
第２実施形態に係るプラズマ発生部６の構成について、図１３を参照しながら説明する。図１３は、各プラズマリアクタ６１，６２と保持部１に保持されている基板Ｗとの位置関係を説明するための図である。図をわかりやすくするために、図１３などにおいては、リアクタ保持部６３が透明状態で示されている。
＜２－１．プラズマ発生部６＞
＜i．全体構成＞
第２実施形態に係るプラズマ発生部６の構成について、図１３を参照しながら説明する。図１３は、各プラズマリアクタ６１，６２と保持部１に保持されている基板Ｗとの位置関係を説明するための図である。図をわかりやすくするために、図１３などにおいては、リアクタ保持部６３が透明状態で示されている。
【0134】
プラズマ発生部６は、例えば、第１実施形態において説明した処理ユニット１３２に設けられる。以下においては、第１実施形態と相違しない要素については、同じ符号を付して示すとともに、その説明を省略する。
【0135】
プラズマ発生部６は、第１実施形態に係るプラズマ発生部３と同様、プラズマを発生させるとともに、発生させたプラズマを保持部１に保持されている基板Ｗに対して照射するプラズマ照射部であるプラズマリアクタを、複数個（この実施形態では２個）、備える（第１プラズマリアクタ６１、および、第２プラズマリアクタ６２）。各プラズマリアクタ６１，６２は、大気圧下でプラズマを発生させることができるものである。
【0136】
第１プラズマリアクタ６１は、保持部１に保持された基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１と外周側の部分Ａ２とにプラズマを照射する。第１プラズマリアクタ６１は、具体的には例えば、扁平な平型形状であり、平面視にて、対向する一対の円弧部分と、対向する一対の弦部分とを含む形状である。
【0137】
一方、第２プラズマリアクタ６２は、保持部１に保持された基板Ｗの面内における外周側の部分Ａ２にプラズマを照射する。第２プラズマリアクタ６２は、具体的には例えば、扁平な平型形状であり、平面視にて、円弧部分と弦部分で囲まれる形状部分６２０を、２個含むものである。
【0138】
第１プラズマリアクタ６１および第２プラズマリアクタ６２は、各々の弦部分が突き合わされるとともに、各プラズマリアクタ６１，６２が略同じ面内に配置されるような位置関係で、リアクタ保持部６３によって一体的に保持される。ただし、第１プラズマリアクタ６１および第２プラズマリアクタ６２は、各々の弦部分を突き合わせるようにして配置されたときに、平面視にて、円形状（具体的には例えば、処理対象となる基板Ｗの直径と同程度の（あるいは、これよりも僅かに大きな）直径を有する円形状）を呈するように、各部の寸法が規定されている。
【0139】
リアクタ保持部６３は、具体的には例えば、絶縁材料（例えば、フッ素系樹脂、など）によって形成された部材であり、一対の外リング部材６３１，６３１を備える。一対の外リング部材６３１，６３１は、第１プラズマリアクタ６１および第２プラズマリアクタ６２の各円弧部分（具体的には、後述する各集合電極６１２ａ，６１２ｂおよび各集合電極６２２ａ，６２２ｂ）を厚み方向の両側から挟持する。もっとも、リアクタ保持部６３の構成はこれに限られるものではなく、第１プラズマリアクタ６１および第２プラズマリアクタ６２を所定の位置関係で一体的に保持できるものであればどのようなものであってもよい。
【0140】
リアクタ保持部６３によって一体的に保持された２個のプラズマリアクタ６１，６２（以下、これを「プラズマリアクタユニット６０」ともいう）は、厚み方向を鉛直方向に沿わせるような姿勢で、保持部１に保持されている基板Ｗの上方において、該基板Ｗと対向して配置される。このような状態において、両プラズマリアクタ６１，６２の境界は、有端状であり、保持部１に保持されている基板Ｗの法線方向から見て、該基板Ｗの中心に対して偏在する位置に配置される。より具体的には、両プラズマリアクタ６１，６２の境界は、保持部１に保持されている基板Ｗの法線方向から見て、該基板Ｗの中心を挟んでその両側に延在する互いに平行な一対の直線であり、この境界に対して基板Ｗの中心を含む側に、第１プラズマリアクタ６１が配置され、他方側に、第２プラズマリアクタ６２の各形状部分６２０が配置される。したがって、第１プラズマリアクタ６１は、保持部１に保持されている基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１と外周側の部分Ａ２の一部分とに対向配置され、第２プラズマリアクタ６２は、外周側の部分Ａ２の一部分に対向配置されることになる。
【0141】
プラズマリアクタユニット６０には、これを、プラズマ処理位置とプラズマ待機位置との間で移動させる機構であるプラズマリアクタ移動機構が設けられる。プラズマリアクタ移動機構の構成は、第１実施形態に係るプラズマリアクタ移動機構３４と同様である。
【0142】
＜ii．プラズマリアクタ６１，６２の構成＞
次に、各プラズマリアクタ６１，６２の構成について、図１４～図１６を参照しながらさらに具体的に説明する。図１４は、プラズマリアクタユニット６０の構成を模式的に示す側断面図および平面図である。また、図１５は、第１プラズマリアクタ６１の構成を説明するための平面図であり、図１６は、第２プラズマリアクタ６２の構成を説明するための平面図である。第１実施形態と同様、以下の説明でも、各プラズマリアクタ６１，６２の厚み方向を「Ｚ方向」とする。また、Ｚ方向と直交する面内において、後述する線状電極６１１ａ，６１１ｂ，６２１ａ，６２１ｂの延在方向を「Ｘ方向」とし、Ｚ方向およびＸ方向と直交する方向を「Ｙ方向」とする。
次に、各プラズマリアクタ６１，６２の構成について、図１４～図１６を参照しながらさらに具体的に説明する。図１４は、プラズマリアクタユニット６０の構成を模式的に示す側断面図および平面図である。また、図１５は、第１プラズマリアクタ６１の構成を説明するための平面図であり、図１６は、第２プラズマリアクタ６２の構成を説明するための平面図である。第１実施形態と同様、以下の説明でも、各プラズマリアクタ６１，６２の厚み方向を「Ｚ方向」とする。また、Ｚ方向と直交する面内において、後述する線状電極６１１ａ，６１１ｂ，６２１ａ，６２１ｂの延在方向を「Ｘ方向」とし、Ｚ方向およびＸ方向と直交する方向を「Ｙ方向」とする。
【0143】
（第１プラズマリアクタ６１）
第１プラズマリアクタ６１は、一対の電極部６１ａ，６１ｂ、および、仕切り板６１ｃを備えており、一対の電極部６１ａ，６１ｂが、仕切り板６１ｃを間に挟んで設けられている。仕切り板６１ｃは、具体的には例えば、誘電体材料（例えば、石英、セラミックス、など）によって形成された、平板な部材（板部材）であり、平面視にて、対向する一対の円弧部分と、対向する一対の弦部分とを含む形状である。一対の電極部６１ａ，６１ｂは、仕切り板６１ｃを厚み方向から挟むようにして設けられる。以下において、仕切り板６１ｃの厚み方向の一方側である＋Ｚ側に設けられる電極部６１ａを「第１電極部６１ａ」と呼び、他方側である－Ｚ側に設けられる電極部６１ｂを「第２電極部６１ｂ」と呼ぶ。
第１プラズマリアクタ６１は、一対の電極部６１ａ，６１ｂ、および、仕切り板６１ｃを備えており、一対の電極部６１ａ，６１ｂが、仕切り板６１ｃを間に挟んで設けられている。仕切り板６１ｃは、具体的には例えば、誘電体材料（例えば、石英、セラミックス、など）によって形成された、平板な部材（板部材）であり、平面視にて、対向する一対の円弧部分と、対向する一対の弦部分とを含む形状である。一対の電極部６１ａ，６１ｂは、仕切り板６１ｃを厚み方向から挟むようにして設けられる。以下において、仕切り板６１ｃの厚み方向の一方側である＋Ｚ側に設けられる電極部６１ａを「第１電極部６１ａ」と呼び、他方側である－Ｚ側に設けられる電極部６１ｂを「第２電極部６１ｂ」と呼ぶ。
【0144】
第１電極部６１ａは、適宜の導電性材料（例えばタングステン）によって形成された複数の線状電極（第１線状電極）６１１ａが、適宜の導電性材料（例えばアルミニウム）によって形成された集合電極（第１集合電極）６１２ａを介して接続された構成を備えており、全体として櫛形状を呈している。
【0145】
具体的には例えば、各第１線状電極６１１ａは、直線状の電極であり、長尺方向をＸ方向に沿わせるような姿勢で配置される。また、複数の第１線状電極６１１ａは、各第１線状電極６１１ａの延在方向（Ｘ方向）と交差する配列方向（図の例では、Ｘ方向と直交する方向であるＹ方向）に沿って、間隔を設けつつ配列される。各第１線状電極６１１ａは、好ましくは、誘電体材料（例えば、石英、セラミックス、など）によって形成された管状の部材である誘電管６１０ａ内に収容される。一方、第１集合電極６１２ａは、平面視にて円弧状に延在する長尺平板状の電極である。第１集合電極６１２ａは、膨らみ方向を各第１線状電極６１１ａの延在方向の一方側（図の例では、－Ｘ側）に向けるような姿勢で配置されており、その内周側に、各第１線状電極６１１ａの－Ｘ側の端部が接続される。
【0146】
第２電極部６１ｂは、第１電極部６１ａと同様、適宜の導電性材料（例えばタングステン）によって形成された複数の線状電極（第２線状電極）６１１ｂが、適宜の導電性材料（例えばアルミニウム）によって形成された集合電極（第２集合電極）６１２ｂを介して接続された構成を備えており、全体として櫛形状を呈している。
【0147】
具体的には例えば、各第２線状電極６１１ｂは、直線状の電極であり、長尺方向をＸ方向に沿わせるような姿勢で配置される。また、複数の第２線状電極６１１ｂは、各第２線状電極６１１ｂの延在方向（Ｘ方向）と交差する配列方向（図の例では、Ｘ方向と直交する方向であるＹ方向）に沿って、間隔を設けつつ配列される。各第２線状電極６１１ｂは、好ましくは、誘電体材料（例えば、石英、セラミックス、など）によって形成された管状の部材である誘電管６１０ｂ内に収容される。一方、第２集合電極６１２ｂは、平面視にて円弧状に延在する長尺平板状の電極である。第２集合電極６１２ｂは、膨らみ方向を、第１集合電極６１２ａの膨らみ方向の逆側（図の例では、＋Ｘ側）に向けるような姿勢で配置されており、その内周側に、各第２線状電極６１１ｂの＋Ｘ側の端部が接続される。
【0148】
第１電極部６１ａは、Ｚ方向から見て、第１集合電極６１２ａが、仕切り板６１ｃの円弧部分の外側にこれと近接しつつ延在するような位置に配置されて、仕切り板６１ｃの＋Ｚ側に設けられる。一方、第２電極部６１ｂは、Ｚ方向から見て、第２集合電極６１２ｂが、仕切り板６１ｃの円弧部分の外側にこれと近接しつつ延在するような位置に配置されて、仕切り板６１ｃの－Ｚ側に設けられる。このとき、Ｚ方向から見て、各線状電極６１１ａ，６１１ｂは、第２プラズマリアクタ６２との境界を構成する仕切り板６１ｃの弦部分と、平行に延在する。すなわち、各線状電極６１１ａ，６１１ｂの延在方向は、両プラズマリアクタ６１，６２の境界の延在方向と平行とされる。また、このとき、Ｚ方向から見て、隣り合う第１線状電極６１１ａの間に、第２線状電極６１１ｂが配置される。すなわち、Ｚ方向から見て、仕切り板６１ｃの主面内に、第１線状電極６１１ａと第２線状電極６１１ｂとが、互いに重なることなく、Ｙ方向に沿って交互に配置される。なお、このような状態において、各電極部６１ａ，６１ｂの複数の線状電極６１１ａ，６１１ｂによって、仕切り板６１ｃの主面の略全域がカバーされるように、各線状電極６１１ａ，６１１ｂの長さがその配列位置に応じて規定されることが好ましい。
【0149】
（第２プラズマリアクタ６２）
第２プラズマリアクタ６２も、第１プラズマリアクタ６１と同様、一対の電極部６２ａ，６２ｂ、および、仕切り板６２ｃを備えており、一対の電極部６２ａ，６２ｂが、仕切り板６２ｃを間に挟んで設けられている。仕切り板６２ｃは、具体的には例えば、誘電体材料（例えば、石英、セラミックス、など）によって形成された、平板な部材（板部材）であり、平面視にて、円弧部分と弦部分で囲まれる形状部分６２０ｃを、２個含むものである。一対の電極部６２ａ，６２ｂは、仕切り板６２ｃの各形状部分６２０ｃを厚み方向から挟むようにして設けられる。以下において、仕切り板６２ｃの厚み方向の一方側である＋Ｚ側に設けられる電極部６２ａを「第１電極部６２ａ」と呼び、他方側である－Ｚ側に設けられる電極部６２ｂを「第２電極部６２ｂ」と呼ぶ。
第２プラズマリアクタ６２も、第１プラズマリアクタ６１と同様、一対の電極部６２ａ，６２ｂ、および、仕切り板６２ｃを備えており、一対の電極部６２ａ，６２ｂが、仕切り板６２ｃを間に挟んで設けられている。仕切り板６２ｃは、具体的には例えば、誘電体材料（例えば、石英、セラミックス、など）によって形成された、平板な部材（板部材）であり、平面視にて、円弧部分と弦部分で囲まれる形状部分６２０ｃを、２個含むものである。一対の電極部６２ａ，６２ｂは、仕切り板６２ｃの各形状部分６２０ｃを厚み方向から挟むようにして設けられる。以下において、仕切り板６２ｃの厚み方向の一方側である＋Ｚ側に設けられる電極部６２ａを「第１電極部６２ａ」と呼び、他方側である－Ｚ側に設けられる電極部６２ｂを「第２電極部６２ｂ」と呼ぶ。
【0150】
第１電極部６２ａは、適宜の導電性材料（例えばタングステン）によって形成された複数の線状電極（第１線状電極）６２１ａが、適宜の導電性材料（例えばアルミニウム）によって形成された集合電極（第１集合電極）６２２ａを介して接続された構成を備えており、全体として櫛形状を呈している。
【0151】
具体的には例えば、各第１線状電極６２１ａは、直線状の電極であり、長尺方向をＸ方向に沿わせるような姿勢で配置される。また、複数の第１線状電極６２１ａは、各第１線状電極６２１ａの延在方向（Ｘ方向）と交差する配列方向（図の例では、Ｘ方向と直交する方向であるＹ方向）に沿って、間隔を設けつつ配列される。各第１線状電極６２１ａは、好ましくは、誘電体材料（例えば、石英、セラミックス、など）によって形成された管状の部材である誘電管６２０ａ内に収容される。一方、第１集合電極６２２ａは、平面視にて円弧状に延在する長尺平板状の電極である。第１集合電極６２２ａは、膨らみ方向を各第１線状電極６２１ａの延在方向の一方側（図の例では、－Ｘ側）に向けるような姿勢で配置されており、その内周側に、各第１線状電極６２１ａの－Ｘ側の端部が接続される。
【0152】
ただし、第１集合電極６２２ａの延在長さは、第１プラズマリアクタ６１の第１電極部６１ａが備える第１集合電極６１２ａの延在長さよりも長いものとされており、第１集合電極６２２ａの延在方向の中央部分における、第１プラズマリアクタ６１の第１集合電極６１２ａの延在長さに相当する領域は、第１線状電極６２１ａが配設されない間隙領域とされる。
【0153】
第２電極部６２ｂは、第１電極部６２ａと同様、適宜の導電性材料（例えばタングステン）によって形成された複数の線状電極（第２線状電極）６２１ｂが、適宜の導電性材料（例えばアルミニウム）によって形成された集合電極（第２集合電極）６２２ｂを介して接続された構成を備えており、全体として櫛形状を呈している。
【0154】
具体的には例えば、各第２線状電極６２１ｂは、直線状の電極であり、長尺方向をＸ方向に沿わせるような姿勢で配置される。また、複数の第２線状電極６２１ｂは、各第２線状電極６２１ｂの延在方向（Ｘ方向）と交差する配列方向（図の例では、Ｘ方向と直交する方向であるＹ方向）に沿って、間隔を設けつつ配列される。各第２線状電極６２１ｂは、好ましくは、誘電体材料（例えば、石英、セラミックス、など）によって形成された管状の部材である誘電管６２０ｂ内に収容される。一方、第２集合電極６２２ｂは、平面視にて円弧状に延在する長尺平板状の電極である。第２集合電極６２２ｂは、膨らみ方向を、第１集合電極６２２ａの膨らみ方向の逆側（図の例では、＋Ｘ側）に向けるような姿勢で配置されており、その内周側に、各第２線状電極６２１ｂの＋Ｘ側の端部が接続される。
【0155】
ただし、第２集合電極６２２ｂの延在長さは、第１プラズマリアクタ６１の第２電極部６１ｂが備える第２集合電極６１２ｂの延在長さよりも長いものとされており、第２集合電極６２２ｂの延在方向の中央部分における、第１プラズマリアクタ６１の第２集合電極６１２ｂの延在長さに相当する領域は、第２線状電極６２１ｂが配設されない間隙領域とされる。
【0156】
仕切り板６２ｃの２個の形状部分６２０ｃは、これらの間に、第１プラズマリアクタ６１が配置されるための隙間を設けつつ、弦部分を対向させて配置される。そして、第１電極部６２ａは、Ｚ方向から見て、第１集合電極６２２ａが、仕切り板６２ｃの両形状部分６２０ｃの円弧部分の外側にこれと近接しつつ延在するような位置に配置されて、仕切り板６２ｃの＋Ｚ側に設けられる。一方、第２電極部６２ｂは、Ｚ方向から見て、第２集合電極６２２ｂが、仕切り板６２ｃの両形状部分６２０ｃの円弧部分の外側にこれと近接しつつ延在するような位置に配置されて、仕切り板６２ｃの－Ｚ側に設けられる。このとき、Ｚ方向から見て、各線状電極６２１ａ，６２１ｂは、第１プラズマリアクタ６１との境界を構成する各形状部分６２０ｃの弦部分と、平行に延在する。すなわち、各線状電極６２１ａ，６２１ｂの延在方向は、両プラズマリアクタ６１，６２の境界の延在方向と平行とされる。また、このとき、Ｚ方向から見て、隣り合う第１線状電極６２１ａの間に、第２線状電極６２１ｂが配置される。すなわち、Ｚ方向から見て、仕切り板６２ｃの各形状部分６２０ｃの主面内に、第１線状電極６２１ａと第２線状電極６２１ｂとが、互いに重なることなく、Ｙ方向に沿って交互に配置される。ただし、Ｚ方向から見て、仕切り板６２ｃの各形状部分６２０ｃの間に設けられている隙間の部分は、線状電極６２１ａ，６２１ｂが配設されない間隙領域と重なる。つまり、各形状部分６２０ｃの隙間の部分には、線状電極６２１ａ，６２１ｂは配設されない。なお、このような状態において、各電極部６２ａ，６２ｂの複数の線状電極６２１ａ，６２１ｂによって、仕切り板６２ｃの各形状部分６２０ｃの主面の略全域がカバーされるように、各線状電極６２１ａ，６２１ｂの長さがその配列位置に応じて規定されることが好ましい。
【0157】
【0158】
第１プラズマリアクタ６１には、これにプラズマを発生させるための電力（プラズマ用電力）を供給する電力供給部である電源（第１電源）６５が接続される。第１電源６５は、具体的には、一対の出力端６５ａ，６５ｂを備えており、一方の出力端（第１出力端）６５ａから延びる配線（第１配線）６５０ａが、仕切り板６１ｃの＋Ｚ側に配置されている第１電極部６１ａ（具体的には、第１集合電極６１２ａ）に、電気的に接続されるとともに、他方の出力端（第２出力端）６５ｂから延びる配線（第２配線）６５０ｂが、仕切り板６１ｃの－Ｚ側に配置されている第２電極部６１ｂ（具体的には、第２集合電極６１２ｂ）に、電気的に接続される。ここでは、第１出力端６５ａが＋側とされ、第２出力端６５ｂが－側とされる。つまり、第２電極部６１ｂに対する第１電極部６１ａの電位を正方向とする。
【0159】
第１電源６５は、制御部１４０によって制御されており、制御部１４０からの指示に応じて、第１プラズマリアクタ６１に所定の電力（プラズマ用電力）を供給する。具体的には、第１電源６５は、制御部１４０からの指示に応じて、各配線６５０ａ，６５０ｂを介して、第１電極部６１ａと第２電極部６１ｂとの間に、所定の電圧（プラズマ用電圧）を印加する。すると、第１線状電極６１１ａと第２線状電極６１１ｂとの間に電界が生じ、第１線状電極６１１ａおよび第２線状電極６１１ｂの間に放電が発生する。両線状電極６１１ａ，６１１ｂの間には誘電体である仕切り板６１ｃが存在しているので、この放電は、いわゆる誘電体バリア放電となる。放電が発生することによって、周囲のガスがプラズマ化する。つまり、第１電源６５は、周囲のガスがプラズマ化する程度の電圧を、プラズマ用電圧として両電極部６１ａ，６１ｂの間に印加する。
【0160】
同様に、第２プラズマリアクタ６２にも、これにプラズマを発生させるための電力（プラズマ用電力）を供給する電力供給部である電源（第２電源）６６が接続される。第２電源６６は、具体的には、一対の出力端６６ａ，６６ｂを備えており、一方の出力端（第１出力端）６６ａから延びる配線（第１配線）６６０ａが、仕切り板６２ｃの＋Ｚ側に配置されている第１電極部６２ａ（具体的には、第１集合電極６２２ａ）に、電気的に接続されるとともに、他方の出力端（第２出力端）６６ｂから延びる配線（第２配線）６６０ｂが、仕切り板６２ｃの－Ｚ側に配置されている第２電極部６２ｂ（具体的には、第２集合電極６２２ｂ）に、電気的に接続される。ここでは、第１出力端６６ａが＋側とされ、第２出力端６６ｂが－側とされる。つまり、第２電極部６２ｂに対する第１電極部６２ａの電位を正方向とする。
【0161】
第２電源６６は、第１電源６５と同様、制御部１４０によって制御されており、制御部１４０からの指示に応じて、第２プラズマリアクタ６２に所定の電力（プラズマ用電力）を供給する。具体的には、第２電源６６は、制御部１４０からの指示に応じて、各配線６６０ａ，６６０ｂを介して、第１電極部６２ａと第２電極部６２ｂとの間に、所定の電圧（プラズマ用電圧）を印加する。すると、第１線状電極６２１ａと第２線状電極６２１ｂとの間に電界が生じ、第１線状電極６２１ａおよび第２線状電極６２１ｂの間に放電が発生する。両線状電極６２１ａ，６２１ｂの間には誘電体である仕切り板６２ｃが存在しているので、この放電は、いわゆる誘電体バリア放電となる。放電が発生することによって、周囲のガスがプラズマ化する。つまり、第２電源６６は、周囲のガスがプラズマ化する程度の電圧を、プラズマ用電圧として両電極部６２ａ，６２ｂの間に印加する。
【0162】
第１電源６５および第２電源６６は、第１実施形態に係る各電源３５，３６と同様、具体的には例えば、インバータ回路等のスイッチング電源回路を含んで構成されて高周波電源としての機能を備えるものであってもよく、プラズマ用電圧として、例えば、高周波電圧を両電極部６１ａ，６１ｂの間（あるいは、両電極部６２ａ，６２ｂの間）に印加してもよい。また、第１電源６５および第２電源６６は、例えば、交流電源であってもよい。さらに、第１電源６５および第２電源６６は、例えば、パルス発生器を含んで構成されてパルス電源としての機能を備えるものであってもよく、パルス発生器が所定の周期で発生させるパルス信号のオン期間において、両電極部６１ａ，６１ｂの間（あるいは、両電極部６２ａ，６２ｂの間）に高周波電圧を印加してもよい。一例として、プラズマ用電圧の電圧値（高周波電圧の振幅値）は、十数（kV）程度以上である。また、プラズマ用電圧がパルス波によって規定される各周期のオン期間に印加される場合、該パルス波の周波数は、数十（kHz）程度である。
【0163】
上記のとおり、第１プラズマリアクタ６１は、保持部１に保持された基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１と外周側の部分Ａ２の一部分とに対向配置され、第２プラズマリアクタ６２は、外周側の部分Ａ２の一部分に対向配置される（図１３）。後に明らかになるように、この実施形態では、基板Ｗが、その中心の周りで回転されつつ、各プラズマリアクタ６１，６２からのプラズマの照射を受ける。したがって、各プラズマリアクタ６１，６２に各電源６５，６６からプラズマ用電力が供給されるとともに、各プラズマリアクタ６１，６２がプラズマ処理位置に配置され、さらに、基板Ｗがその中心の周りで回転されると、基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１は、第１プラズマリアクタ６１からプラズマの照射を受け、外周側の部分Ａ２内の各位置は、第１プラズマリアクタ６１と第２プラズマリアクタ６２とから交互にプラズマの照射を受ける。これによって、基板Ｗに対するプラズマ処理が進行する。上記のとおり、処理ユニット１３２では、プラズマ処理によってレジストの剥離が行われる。
【0164】
第１実施形態において説明したとおり、基板Ｗの面内における各部分Ａ１，Ａ２の処理速度は、各プラズマリアクタ６１，６２に供給される電力量に応じて変化する。具体的には、電力量が大きいほど、処理速度が大きくなる。この実施形態でも、第１実施形態と同様、各プラズマリアクタ６１，６２に電力を供給する電源６５，６６が別個に設けられているので、各プラズマリアクタ６１，６２に供給する電力量を独立して調整することができる。これによって、基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１と外周側の部分Ａ２の各処理速度を個別に調整することができる。したがって、基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１と外周側の部分Ａ２との間に、処理速度の差を生じさせるような要因が存在している場合に、この差を、各プラズマリアクタ６１，６２に供給される電力量の差で補填することで、基板Ｗの面内における処理速度のばらつきを低減することができる。ひいては、基板Ｗの面内における処理の均一性を向上させることができる。
【0165】
例えば、基板Ｗの面内における外周側の部分Ａ２の処理速度が、中央側の部分Ａ１の処理速度よりも小さくなるような要因が潜在的に存在している場合、制御部１４０が、第２プラズマリアクタ６２に供給される電力量が、第１プラズマリアクタ６１に供給される電力量よりも、大きいものとなるように、各電源６５，６６を制御する。このような制御がなされることで、基板Ｗの面内における外周側の部分Ａ２の処理速度が、中央側の部分Ａ１に比べて相対的に大きく促進されることとなり、外周側の部分Ａ２と中央側の部分Ａ１との間の処理速度の差が、各プラズマリアクタ６１，６２に供給される電力量の差で補填される。これによって、基板Ｗの面内における処理速度のばらつきが低減され、処理の均一性が向上する。
【0166】
なお、ここでも、各プラズマリアクタ６１，６２に供給される電力量を調整する具体的な態様は、どのようなものであってもよい。例えば、電圧の周波数、電圧の振幅、電圧の印加の切り替えに用いられるパルス信号の周波数、該パルス信号におけるオン期間の割合（オンデューティ比）、などのうちの少なくとも１個を調整することで、電力量を調整することができる。
【0167】
＜iv．電極の位置と電圧の関係＞
上記のとおり、第１プラズマリアクタ６１の第１電極部６１ａと第２プラズマリアクタ６２の第１電極部６２ａとは、いずれも、仕切り板６１ｃ，６２ｃの＋Ｚ側に配置される。また、第１プラズマリアクタ６１の第２電極部６１ｂと第２プラズマリアクタ６２の第２電極部６２ｂとは、いずれも、仕切り板６１ｃ，６２ｃの－Ｚ側に配置される。ここで、仕切り板６１ｃ，６２ｃの同じ側に配置される２個の電極部は、同じ極性とされて、同じ位相の電圧が印加される。すなわち、制御部１４０は、仕切り板６１ｃ，６２ｃの同じ側に配置される２個の電極部に、同じ極性であって、同じ位相の電圧が印加されるように、第１電源６５および第２電源６６を同期させる。
上記のとおり、第１プラズマリアクタ６１の第１電極部６１ａと第２プラズマリアクタ６２の第１電極部６２ａとは、いずれも、仕切り板６１ｃ，６２ｃの＋Ｚ側に配置される。また、第１プラズマリアクタ６１の第２電極部６１ｂと第２プラズマリアクタ６２の第２電極部６２ｂとは、いずれも、仕切り板６１ｃ，６２ｃの－Ｚ側に配置される。ここで、仕切り板６１ｃ，６２ｃの同じ側に配置される２個の電極部は、同じ極性とされて、同じ位相の電圧が印加される。すなわち、制御部１４０は、仕切り板６１ｃ，６２ｃの同じ側に配置される２個の電極部に、同じ極性であって、同じ位相の電圧が印加されるように、第１電源６５および第２電源６６を同期させる。
【0168】
図１７には、第１電源６５から第１プラズマリアクタ６１の一対の電極部６１ａ，６１ｂの間に印加される電圧波形Ｋ１、および、第２電源６６から第２プラズマリアクタ６２の一対の電極部６２ａ，６２ｂの間に印加される電圧波形Ｋ２の一例が、模式的に示されている。図には、該電圧波形Ｋ１，Ｋ２の電圧が印加された場合に流れる電流の波形Ｋ１０，Ｋ２０の一例も併せて模式的に示されている。ここに示される例では、パルス信号のオン期間において高周波電圧が印加されているところ、その印加にあたって、第１プラズマリアクタ６１の一対の電極部６１ａ，６１ｂの間に印加される電圧（電圧波形Ｋ１）と、第２プラズマリアクタ６２の一対の電極部６２ａ，６２ｂの間に印加される電圧（電圧波形Ｋ２）の位相が同期されている。したがって、各プラズマリアクタ６１，６２の＋側の電極（すなわち、仕切り板６１ｃ，６２ｃの＋Ｚ側に配置される第１電極部６１ａと第１電極部６２ａ）に、同じ極性であって、同じ位相の電圧が印加される。また、各プラズマリアクタ６１，６２の－側の電極（すなわち、仕切り板６１ｃ，６２ｃの－Ｚ側に配置される第２電極部６１ｂと第２電極部６２ｂ）に、同じ極性であって、同じ位相の電圧が印加される。
【0169】
仕切り板６１ｃ，６２ｃの同じ側に配置される２個の電極部（例えば、第１プラズマリアクタ６１の第１電極部６１ａと第２プラズマリアクタ６２の第１電極部６２ａ）に、同じ極性であって、同じ位相の電圧が印加されると、該２個の電極部の間の電位差が十分に小さいものとなるため、該２個の電極部の間にアーキングが発生しにくくなる。したがって、該２個の電極部を近接させることが可能となる。すなわち、第１プラズマリアクタ６１の各電極部６１ａ，６１ｂと第２プラズマリアクタ６２の各電極部６２ａ，６２ｂとを近接させることが可能となる。これによって、第１プラズマリアクタ６１と第２プラズマリアクタ６２との間にプラズマの隙間が形成されにくくなり、基板Ｗの面内における処理の均一性が十分に担保される。
【0170】
【0171】
すなわち、この実施形態においても、電力供給開始工程（ステップＳ３）と下降工程（ステップＳ４）の両方が行われることにより、電力が供給されているプラズマリアクタ６１，６２が、プラズマ処理位置に配置された状態となり、このような状態において、保持部１に保持されている基板Ｗに対するプラズマ処理（レジストの剥離）が進行する。ただし、この実施形態では、基板Ｗに対してプラズマ処理が行われる間、回転機構１３が、保持部１（ひいてはここに保持されている基板Ｗ）を、所定の回転数で、回転させる。これにより、基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１に対して、第１プラズマリアクタ６１からプラズマが照射され、基板Ｗの面内における外周側の部分Ａ２内の各位置に対して、第１プラズマリアクタ６１と第２プラズマリアクタ６２から交互にプラズマが照射されて、各部分Ａ１，Ａ２においてプラズマ処理が進行する。
【0172】
この実施形態においても、例えば、基板Ｗの面内における外周側の部分Ａ２の処理速度が、中央側の部分Ａ１の処理速度よりも小さくなるような要因が潜在的に存在している場合、このような要因を考慮して、第２プラズマリアクタ６２に供給される電力量が、第１プラズマリアクタ６１に供給される電力量よりも大きいものとされる。これによって、基板Ｗの面内における外周側の部分Ａ２の処理速度が、中央側の部分Ａ１に比べて相対的に大きく促進されて、基板Ｗの面内における処理速度のばらつきが低減される。したがって、基板Ｗの面内の全体において、均一に、処理（レジストの剥離）が進行する。
【0173】
＜２－３．効果＞
上記の実施形態に係るプラズマ発生部６は、第１プラズマリアクタ６１と第２プラズマリアクタ６２とが、保持部１に保持された基板Ｗの法線方向から見て該基板Ｗの中心に対して偏在する境界の一方側と他方側に設けられ、保持部１に保持された基板Ｗの法線方向から見て、該境界に対して該基板Ｗの中心を含む側に、第１プラズマリアクタ６１が配置される。この構成によると、第１プラズマリアクタ６１と第２プラズマリアクタ６２とが基板Ｗの中心に対して偏在する境界の一方側と他方側に設けられるので、一方のプラズマリアクタが他方のプラズマリアクタの周囲を取り囲むような構成に比べて、プラズマリアクタ６１，６２の形状の単純化が容易となる。
上記の実施形態に係るプラズマ発生部６は、第１プラズマリアクタ６１と第２プラズマリアクタ６２とが、保持部１に保持された基板Ｗの法線方向から見て該基板Ｗの中心に対して偏在する境界の一方側と他方側に設けられ、保持部１に保持された基板Ｗの法線方向から見て、該境界に対して該基板Ｗの中心を含む側に、第１プラズマリアクタ６１が配置される。この構成によると、第１プラズマリアクタ６１と第２プラズマリアクタ６２とが基板Ｗの中心に対して偏在する境界の一方側と他方側に設けられるので、一方のプラズマリアクタが他方のプラズマリアクタの周囲を取り囲むような構成に比べて、プラズマリアクタ６１，６２の形状の単純化が容易となる。
【0174】
特に、上記の実施形態に係るプラズマ発生部６は、第１プラズマリアクタ６１と第２プラズマリアクタ６２との境界が、保持部１に保持された基板Ｗの法線方向から見て、該基板の中心を挟んでその両側に延在する互いに平行な一対の直線である。この構成によると、第１プラズマリアクタ６１と第２プラズマリアクタ６２との境界が直線であるので、各プラズマリアクタ６１，６２の形状の単純化が特に容易である。
【0175】
なお、第１実施形態と同様、上記の実施形態でも、基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１（すなわち、第１プラズマリアクタ６１からプラズマの照射を受ける部分）と、外周側の部分Ａ２（すなわち、第１プラズマリアクタ６１と第２プラズマリアクタ６２から交互にプラズマの照射を受ける部分）との境界は任意に規定することが可能であり、規定された境界の位置に応じて、各プラズマリアクタ６１，６２の寸法が規定されればよい。一例として、直径が３００（mm）の基板Ｗの外周縁から３０(mm)だけ内側の位置に、両部分Ａ１，Ａ２の境界が規定された場合、例えば、第１プラズマリアクタ６１における一対の円弧部分の対向方向に沿う長さを、約３００（mm）とし、一対の弦部分の対向方向に沿う長さを、約２４０（mm）とするとともに、第２プラズマリアクタ６２の各形状部分６２０における円弧部分の中心と弦部分の中心とを結ぶ直線の長さを、約３０（mm）とすればよい。
【0176】
また、上記の実施形態に係るプラズマ発生部６は、第１プラズマリアクタ６１および第２プラズマリアクタ６２の各々が、直線状の第１線状電極６１１ａ（６２１ａ）が、その延在方向と交差する配列方向に沿って複数個配列された構成を備える第１電極部６１ａ（６２ａ）と、直線状の第２線状電極６１１ｂ（６２１ｂ）が、その延在方向と交差する配列方向に沿って複数個配列された構成を備える第２電極部６１ｂ（６２ｂ）と、を備え、該延在方向および該配列方向から規定される面の法線方向から見たときに、第１線状電極６１１ａ（６２１ａ）と第２線状電極６１１ｂ（６２１ｂ）とが、重ならないように交互に配置され、第１線状電極６１１ａ（６２１ａ）の延在方向および第２線状電極６１１ｂ（６２１ｂ）の延在方向が、両プラズマリアクタ６１，６２の境界の延在方向と平行である。この構成によると、両プラズマリアクタ６１，６２の離間距離を十分に小さなものとすることが可能となる。したがって、両プラズマリアクタ６１，６２の間にプラズマの隙間が形成されにくく、基板Ｗの面内における処理の均一性が損なわれにくい。
【0177】
また、上記の実施形態に係るプラズマ発生部６は、第１プラズマリアクタ６１および第２プラズマリアクタ６２の各々が、誘電体材料によって形成される仕切り板（板部材）６１ｃ，６２ｃと、仕切り板６１ｃ，６２ｃを挟んで設けられた一対の電極部６１ａ，６１ｂ（６２ａ，６２ｂ）と、を備え、第１プラズマリアクタ６１および第２プラズマリアクタ６２の各々が備える一対の電極部６１ａ，６１ｂ（６２ａ，６２ｂ）のうち、仕切り板６１ｃ，６２ｃの同じ側に配置される電極部（例えば、第１プラズマリアクタ６１の第１電極部６１ａと第２プラズマリアクタ６２の第１電極部６２ａ）は、同じ極性とされて、同じ位相の電圧が印加される。この構成によると、第１プラズマリアクタ６１および第２プラズマリアクタ６２の各々が備える一対の電極部６１ａ，６１ｂ（６２ａ，６２ｂ）のうち、仕切り板６１ｃ，６２ｃの同じ側に隣り合って配置される電極部の間の電位差が十分に小さいものとなるため、該２個の電極部の間にアーキングが発生しにくくなる。したがって、該２個の電極部を近接させることが可能となる。すなわち、第１プラズマリアクタ６１の各電極部６１ａ，６１ｂと第２プラズマリアクタ６２の各電極部６２ａ，６２ｂとを近接させることが可能となる。これによって、両プラズマリアクタ６１，６２との間にプラズマの隙間が形成されにくくなり、基板Ｗの面内における処理の均一性が十分に担保される。
【0178】
＜３．第３実施形態＞
＜３－１．プラズマ発生部７＞
＜i．全体構成＞
第３実施形態に係るプラズマ発生部７の構成について、図１８～図２０を参照しながら説明する。図１８は、各プラズマリアクタ７１，７２と保持部１に保持されている基板Ｗとの位置関係を説明するための図である。図１９は、プラズマリアクタユニット７０の構成を模式的に示す側断面図および平断面図である。また、図２０は、各プラズマリアクタ７１，７２の構成を説明するための図である。
＜３－１．プラズマ発生部７＞
＜i．全体構成＞
第３実施形態に係るプラズマ発生部７の構成について、図１８～図２０を参照しながら説明する。図１８は、各プラズマリアクタ７１，７２と保持部１に保持されている基板Ｗとの位置関係を説明するための図である。図１９は、プラズマリアクタユニット７０の構成を模式的に示す側断面図および平断面図である。また、図２０は、各プラズマリアクタ７１，７２の構成を説明するための図である。
【0179】
プラズマ発生部７は、例えば、第１実施形態において説明した処理ユニット１３２に設けられる。以下においては、第１実施形態と相違しない要素については、同じ符号を付して示すとともに、その説明を省略する。
【0180】
プラズマ発生部７は、第１実施形態に係るプラズマ発生部３と同様、プラズマを発生させるとともに、発生させたプラズマを保持部１に保持されている基板Ｗに対して照射するプラズマ照射部であるプラズマリアクタを、複数個（この実施形態では２個）、備える（第１プラズマリアクタ７１、および、第２プラズマリアクタ７２）。各プラズマリアクタ７１，７２は、大気圧下でプラズマを発生させることができるものである。
【0181】
第１プラズマリアクタ７１は、保持部１に保持された基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１にプラズマを照射するプラズマ照射部であり、一対の電極部（第１電極部７１ａ、および、第２電極部７１ｂ）を備える。
【0182】
第１電極部７１ａは、渦巻状に延在する渦巻状電極（第１渦巻状電極）７１０ａを備える。同様に、第２電極部７１ｂも、渦巻状に延在する渦巻状電極（第２渦巻状電極）７１０ｂを備える。各渦巻状電極７１０ａ，７１０ｂは、具体的には例えば、適宜の導電性材料（例えばタングステン）によって形成された細長い長尺の線状電極が、平面視にて略円形状の領域内に渦巻状に屈曲されたものであり、外直径が、処理対象となる基板Ｗの直径よりも小さな寸法とされる。
【0183】
第１渦巻状電極７１０ａと第２渦巻状電極７１０ｂは、互いに平行な面（この実施形態では、同じ面）において、互いに同心に配置される。ただし、各渦巻状電極７１０ａ，７１０ｂは、渦巻のピッチが互いに略同じものとされ、かつ、半ピッチ分だけ互いにずれた径で周回する形状とされている。したがって、各渦巻状電極７１０ａ，７１０ｂを、これらが配置されている面の法線方向から見たときに、両渦巻状電極７１０ａ，７１０ｂは、互いに重なり合うことなく、互いの隙間に配置される（すなわち、渦巻の径方向に沿って交互に配置される）。
【0184】
第２プラズマリアクタ７２は、保持部１に保持された基板Ｗの面内における外周側の部分Ａ２にプラズマを照射するプラズマ照射部であり、一対の電極部（第１電極部７２ａ、および、第２電極部７２ｂ）を備える。
【0185】
第１電極部７２ａは、渦巻状に延在する渦巻状電極（第１渦巻状電極）７２０ａを備える。同様に、第２電極部７２ｂも、渦巻状に延在する渦巻状電極（第２渦巻状電極）７２０ｂを備える。各渦巻状電極７２０ａ，７２０ｂは、具体的には例えば、適宜の導電性材料（例えばタングステン）によって形成された細長い長尺の線状電極が、平面視にて略円環状の領域内に渦巻状に屈曲されたものであり、内直径が、第１プラズマリアクタ７１の各渦巻状電極７１０ａ，７１０ｂの外直径よりも僅かに大きな寸法とされ、外直径が、処理対象となる基板Ｗの直径と同程度の（あるいは、基板Ｗの直径よりも僅かに大きな、あるいは、基板Ｗの直径よりも僅かに小さな）寸法とされる。
【0186】
第１渦巻状電極７２０ａと第２渦巻状電極７２０ｂは、互いに平行な面（この実施形態では、同じ面）において、互いに同心に配置される。ただし、各渦巻状電極７２０ａ，７２０ｂは、渦巻のピッチが互いに略同じものとされ、かつ、半ピッチ分だけ互いにずれた径で周回する形状とされている。したがって、各渦巻状電極７２０ａ，７２０ｂを、これらが配置されている面の法線方向から見たときに、両渦巻状電極７２０ａ，７２０ｂは、互いに重なり合うことなく、互いの隙間に配置される（すなわち、渦巻の径方向に沿って交互に配置される）。
【0187】
第１プラズマリアクタ７１が備える各電極部７１ａ，７１ｂ、および、第２プラズマリアクタ７２が備える各電極部７２ａ，７２ｂは、収容板７０ｃに設けられた各収容部７０１ｃ～７０４ｃに収容される。収容板７０ｃは、具体的には例えば、誘電体材料（例えば、石英、セラミックス、など）によって形成された、平面視にて円形状の平板な部材（板部材）である。
【0188】
第１収容部７０１ｃおよび第２収容部７０２ｃは、収容板７０ｃの中央側の部分に設けられている。第１収容部７０１ｃは、具体的には、平面視にて、第１プラズマリアクタ７１の第１電極部７１ａ（具体的には、第１渦巻状電極７１０ａ）と重なるような渦巻状の空間であり、ここに、第１渦巻状電極７１０ａが収容される。一方、第２収容部７０２ｃは、平面視にて、第１プラズマリアクタ７１の第２電極部７１ｂ（具体的には、第２渦巻状電極７１０ｂ）と重なるような渦巻状の空間であり、ここに、第２渦巻状電極７１０ｂが収容される。第１収容部７０１ｃと第２収容部７０２ｃは、互いに同心に設けられている。したがって、各収容部７０１ｃ，７０２ｃに収容されることで、第１渦巻状電極７１０ａおよび第２渦巻状電極７１０ｂが、互いに同心に配置される。
【0189】
また、第３収容部７０３ｃおよび第４収容部７０４ｃは、収容板７０ｃの外周側の部分に設けられている。第３収容部７０３ｃは、具体的には、平面視にて、第２プラズマリアクタ７２の第１電極部７２ａ（具体的には、第１渦巻状電極７２０ａ）と重なるような渦巻状の空間であり、ここに、第１渦巻状電極７２０ａが収容される。一方、第４収容部７０４ｃは、平面視にて、第２プラズマリアクタ７２の第２電極部７２ｂ（具体的には、第２渦巻状電極７２０ｂ）と重なるような渦巻状の空間であり、ここに、第２渦巻状電極７２０ｂが収容される。第３収容部７０３ｃと第４収容部７０４ｃは、互いに同心に設けられている。したがって、各収容部７０３ｃ，７０４ｃに収容されることで、第１渦巻状電極７２０ａおよび第２渦巻状電極７２０ｂが、互いに同心に配置される。
【0190】
このように、第１プラズマリアクタ７１は、一対の電極部７１ａ，７１ｂの各々が、収容板７０ｃの中央側の部分に設けられた各収容部７０１ｃ，７０２ｃに収容された構成を備えている。つまり、収容板７０ｃの中央側の部分と、ここに設けられた各収容部７０１ｃ，７０２ｃに収容された電極部７１ａ，７１ｂとが、第１プラズマリアクタ７１としての役割を担っている。また、第２プラズマリアクタ７２は、一対の電極部７２ａ，７２ｂの各々が、収容板７０ｃの外周側の部分に設けられた各収容部７０３ｃ，７０４ｃに収容された構成を備えている。つまり、収容板７０ｃの外周側の部分と、ここに設けられた各収容部７０３ｃ，７０４ｃに収容された電極部７２ａ，７２ｂとが、第２プラズマリアクタ７２としての役割を担っている。ここでは、２個のプラズマリアクタ７１，７２の間で収容板７０ｃが共用されることで、第１プラズマリアクタ７１の周囲を第２プラズマリアクタ７２が取り囲むような位置関係で、両プラズマリアクタ７１，７２が一体的に形成されている。
【0191】
一体的に形成された２個のプラズマリアクタ７１，７２（以下、これを「プラズマリアクタユニット７０」ともいう）は、厚み方向を鉛直方向に沿わせるような姿勢で、保持部１に保持されている基板Ｗの上方において、該基板Ｗと対向して配置される。このような状態において、第１プラズマリアクタ７１は、該基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１と対向配置され、第２プラズマリアクタ７２は、該基板Ｗの面内における外周側の部分Ａ２と対向配置されることになる。
【0192】
プラズマリアクタユニット７０には、これを、プラズマ処理位置とプラズマ待機位置との間で移動させる機構であるプラズマリアクタ移動機構が設けられる。プラズマリアクタ移動機構の構成は、第１実施形態に係るプラズマリアクタ移動機構３４と同様である。
【0193】
【0194】
第１プラズマリアクタ７１には、これにプラズマを発生させるための電力（プラズマ用電力）を供給する電力供給部である電源（第１電源）７５が接続される。第１電源７５は、具体的には、一対の出力端７５ａ，７５ｂを備えており、一方の出力端（第１出力端）７５ａから延びる配線（第１配線）７５０ａが、第１電極部７１ａに電気的に接続されるとともに、他方の出力端（第２出力端）７５ｂから延びる配線（第２配線）７５０ｂが、第２電極部７１ｂに電気的に接続される。ここでは、第１出力端７５ａが＋側とされ、第２出力端７５ｂが－側とされる。つまり、第２電極部７１ｂに対する第１電極部７１ａの電位を正方向とする。
【0195】
第１電源７５は、制御部１４０によって制御されており、制御部１４０からの指示に応じて、第１プラズマリアクタ７１に所定の電力（プラズマ用電力）を供給する。具体的には、第１電源７５は、制御部１４０からの指示に応じて、各配線７５０ａ，７５０ｂを介して、第１電極部７１ａと第２電極部７１ｂとの間に、所定の電圧（プラズマ用電圧）を印加する。すると、両電極部７１ａ，７１ｂの間に電界が生じ、両電極部７１ａ，７１ｂの間に放電が発生する。両電極部７１ａ，７１ｂの間には誘電体である収容板７０ｃの一部分（例えば、第１収容部７０１ｃと第２収容部７０２ｃを隔てる隔壁部分）が存在しているので、この放電は、いわゆる誘電体バリア放電となる。放電が発生することによって、周囲のガスがプラズマ化する。つまり、第１電源７５は、周囲のガスがプラズマ化する程度の電圧を、プラズマ用電圧として両電極部７１ａ，７１ｂの間に印加する。
【0196】
同様に、第２プラズマリアクタ７２にも、これにプラズマを発生させるための電力（プラズマ用電力）を供給する電力供給部である電源（第２電源）７６が接続される。第２電源７６は、具体的には、一対の出力端７６ａ，７６ｂを備えており、一方の出力端（第１出力端）７６ａから延びる配線（第１配線）７６０ａが、第１電極部７２ａに電気的に接続されるとともに、他方の出力端（第２出力端）７６ｂから延びる配線（第２配線）７６０ｂが、第２電極部７２ｂに電気的に接続される。ここでは、第１出力端７６ａが＋側とされ、第２出力端７６ｂが－側とされる。つまり、第２電極部７２ｂに対する第１電極部７２ａの電位を正方向とする。
【0197】
第２電源７６は、第１電源７５と同様、制御部１４０によって制御されており、制御部１４０からの指示に応じて、第２プラズマリアクタ７２に所定の電力（プラズマ用電力）を供給する。具体的には、第２電源７６は、制御部１４０からの指示に応じて、各配線７６０ａ，７６０ｂを介して、第１電極部７２ａと第２電極部７２ｂとの間に、所定の電圧（プラズマ用電圧）を印加する。すると、両電極部７２ａ，７２ｂの間に電界が生じ、両電極部７２ａ，７２ｂの間に放電が発生する。両電極部７２ａ，７２ｂの間には誘電体である収容板７０ｃの一部分（例えば、第３収容部７０３ｃと第４収容部７０４ｃを隔てる隔壁部分）が存在しているので、この放電は、いわゆる誘電体バリア放電となる。放電が発生することによって、周囲のガスがプラズマ化する。つまり、第２電源７６は、周囲のガスがプラズマ化する程度の電圧を、プラズマ用電圧として両電極部７２ａ，７２ｂの間に印加する。
【0198】
第１電源７５および第２電源７６は、第１実施形態に係る各電源３５，３６と同様、具体的には例えば、インバータ回路等のスイッチング電源回路を含んで構成されて高周波電源としての機能を備えるものであってもよく、プラズマ用電圧として、例えば、高周波電圧を両電極部７１ａ，７１ｂの間（あるいは、両電極部７２ａ，７２ｂの間）に印加してもよい。また、第１電源７５および第２電源７６は、例えば、交流電源であってもよい。さらに、第１電源７５および第２電源７６は、例えば、パルス発生器を含んで構成されてパルス電源としての機能を備えるものであってもよく、パルス発生器が所定の周期で発生させるパルス信号のオン期間において、両電極部７１ａ，７１ｂの間（あるいは、両電極部７２ａ，７２ｂの間）に高周波電圧を印加してもよい。一例として、プラズマ用電圧の電圧値（高周波電圧の振幅値）は、十数（kV）程度以上である。また、プラズマ用電圧がパルス波によって規定される各周期のオン期間に印加される場合、該パルス波の周波数は、数十（kHz）程度である。
【0199】
上記のとおり、第１プラズマリアクタ７１は、保持部１に保持された基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１と対向配置され、第２プラズマリアクタ７２は、該基板Ｗの面内における外周側の部分Ａ２と対向配置される（図１８）。したがって、各プラズマリアクタ７１，７２に各電源７５，７６からプラズマ用電力が供給されるとともに、各プラズマリアクタ７１，７２がプラズマ処理位置に配置されると、基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１は、第１プラズマリアクタ７１からプラズマの照射を受け、外周側の部分Ａ２は、第２プラズマリアクタ７２からプラズマの照射を受ける。これによって、基板Ｗに対するプラズマ処理が進行する。上記のとおり、処理ユニット１３２では、プラズマ処理によってレジストの剥離が行われる。
【0200】
第１実施形態において説明したとおり、基板Ｗの面内における各部分Ａ１，Ａ２の処理速度は、各プラズマリアクタ７１，７２に供給される電力量に応じて変化する。具体的には、電力量が大きいほど、処理速度が大きくなる。この実施形態でも、第１実施形態と同様、各プラズマリアクタ７１，７２に電力を供給する電源７５，７６が別個に設けられているので、各プラズマリアクタ７１，７２に供給する電力量を独立して調整することができる。これによって、基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１と外周側の部分Ａ２の各処理速度を個別に調整することができる。したがって、基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１と外周側の部分Ａ２との間に、処理速度の差を生じさせるような要因が存在している場合に、この差を、各プラズマリアクタ７１，７２に供給される電力量の差で補填することで、基板Ｗの面内における処理速度のばらつきを低減することができる。ひいては、基板Ｗの面内における処理の均一性を向上させることができる。
【0201】
例えば、基板Ｗの面内における外周側の部分Ａ２の処理速度が、中央側の部分Ａ１の処理速度よりも小さくなるような要因が潜在的に存在している場合、制御部１４０が、第２プラズマリアクタ７２に供給される電力量が、第１プラズマリアクタ７１に供給される電力量よりも、大きいものとなるように、各電源７５，７６を制御する。このような制御がなされることで、基板Ｗの面内における外周側の部分Ａ２の処理速度が、中央側の部分Ａ１に比べて相対的に大きく促進されることとなり、外周側の部分Ａ２と中央側の部分Ａ１との間の処理速度の差が、各プラズマリアクタ７１，７２に供給される電力量の差で補填される。これによって、基板Ｗの面内における処理速度のばらつきが低減され、処理の均一性が向上する。
【0202】
なお、ここでも、各プラズマリアクタ７１，７２に供給される電力量を調整する具体的な態様は、どのようなものであってもよい。例えば、電圧の周波数、電圧の振幅、電圧の印加の切り替えに用いられるパルス信号の周波数、該パルス信号におけるオン期間の割合（オンデューティ比）、などのうちの少なくとも１個を調整することで、電力量を調整することができる。
【0203】
【0204】
＜３－３．効果＞
上記の実施形態に係るプラズマ発生部７は、第１プラズマリアクタ７１および第２プラズマリアクタ７２の各々が、渦巻状に延在する第１渦巻状電極７１０ａ（７２０ａ）を含む第１電極部７１ａ（７２ａ）と、渦巻状に延在する第２渦巻状電極７１０ｂ（７２０ｂ）を含む第２電極部７１ｂ（７２ｂ）と、を備え、第１渦巻状電極７１０ａ（７２０ａ）と第２渦巻状電極７１０ｂ（７２０ｂ）とが互いに平行な面に配設されており、該面の法線方向から見たときに、第１渦巻状電極７１０ａ（７２０ａ）と第２渦巻状電極７１０ｂ（７２０ｂ）とが、同心に配置されつつ、互いに重ならないものとなっている。この構成によると、各プラズマリアクタ７１，７２において、各渦巻状電極７１０ａ，７１０ｂ（７２０ａ，７２０ｂ）が配設された面に沿って二次元的に広がるプラズマを発生させることができる。また、各渦巻状電極７１０ａ，７１０ｂ（７２０ａ，７２０ｂ）は、枝分かれのない形状（一筆書きでなぞれる形状）であるので、設計および製造が容易である。
上記の実施形態に係るプラズマ発生部７は、第１プラズマリアクタ７１および第２プラズマリアクタ７２の各々が、渦巻状に延在する第１渦巻状電極７１０ａ（７２０ａ）を含む第１電極部７１ａ（７２ａ）と、渦巻状に延在する第２渦巻状電極７１０ｂ（７２０ｂ）を含む第２電極部７１ｂ（７２ｂ）と、を備え、第１渦巻状電極７１０ａ（７２０ａ）と第２渦巻状電極７１０ｂ（７２０ｂ）とが互いに平行な面に配設されており、該面の法線方向から見たときに、第１渦巻状電極７１０ａ（７２０ａ）と第２渦巻状電極７１０ｂ（７２０ｂ）とが、同心に配置されつつ、互いに重ならないものとなっている。この構成によると、各プラズマリアクタ７１，７２において、各渦巻状電極７１０ａ，７１０ｂ（７２０ａ，７２０ｂ）が配設された面に沿って二次元的に広がるプラズマを発生させることができる。また、各渦巻状電極７１０ａ，７１０ｂ（７２０ａ，７２０ｂ）は、枝分かれのない形状（一筆書きでなぞれる形状）であるので、設計および製造が容易である。
【0205】
また、上記の実施形態に係るプラズマ発生部７は、第１プラズマリアクタ７１および第２プラズマリアクタ７２の各々が、誘電体材料によって形成される収容板（板部材）７０ｃと、各々が、収容板７０ｃに設けられた収容部７０１ｃ，７０２ｃ（７０３ｃ，７０４ｃ）に収容された、一対の電極部７１ａ，７１ｂ（７２ａ，７２ｂ）と、を備える。この構成によると、例えば、板部材を挟んでその両側に電極部が配設される構成と比べて、各プラズマリアクタ７１，７２の外形状を単純化することができる。例えば、処理対象である基板Ｗ上の処理液が気化するなどして収容板７０ｃの主面に付着したとしても、付着物を難なく除去することができる。
【0206】
＜４．変形例＞
＜４－１．第１変形例＞
第１実施形態に係るプラズマ発生部３が備える各プラズマリアクタ３１，３２は、一対の電極部３１ａ，３１ｂ（３２ａ，３２ｂ）が、仕切り板３１ｃ（３２ｃ）を間に挟んで設けられるものとしたが、各プラズマリアクタ３１，３２の構成はこれに限られるものではない。
＜４－１．第１変形例＞
第１実施形態に係るプラズマ発生部３が備える各プラズマリアクタ３１，３２は、一対の電極部３１ａ，３１ｂ（３２ａ，３２ｂ）が、仕切り板３１ｃ（３２ｃ）を間に挟んで設けられるものとしたが、各プラズマリアクタ３１，３２の構成はこれに限られるものではない。
【0207】
例えば、図２１に示されるように、第１プラズマリアクタ３１’は、第１電極部３１ａ（具体的には、第１線状電極３１１ａ）が、収容板３１ｄに設けられた第１収容部３０１ｄに収容されるとともに、第２電極部３１ｂ（具体的には、第２線状電極３１１ｂ）が、該収容板３１ｄに設けられた第２収容部３０２ｄに収容されるものとしてもよい。
【0208】
この場合、収容板３１ｄは、具体的には例えば、誘電体材料（例えば、石英、セラミックス、など）によって形成された、平面視にて円形状の平板な部材（板部材）である。
【0209】
第１収容部３０１ｄは、具体的には例えば、収容板３１ｄの側面に開口する直線状の長尺な穴部分を、複数個備える。複数の穴部分の各々は、平面視にて、第１電極部３１ａが備える複数の第１線状電極３１１ａのいずれかと重なる位置に設けられており、各穴部分に、１個の第１線状電極３１１ａが収容される。一方、第２収容部３０２ｄも、具体的には例えば、収容板３１ｄの側面に開口する直線状の長尺な穴部分を、複数個備える。複数の穴部分の各々は、平面視にて、第２電極部３１ｂが備える複数の第２線状電極３１１ｂのいずれかと重なる位置に設けられており、各穴部分に、１個の第２線状電極３１１ｂが収容される。
【0210】
同じく、図２１に示されるように、第２プラズマリアクタ３２’は、第１電極部３２ａ（具体的には、第１線状電極３２１ａ）が、収容板３２ｄに設けられた第３収容部３０３ｄに収容されるとともに、第２電極部３２ｂ（具体的には、第２線状電極３２１ｂ）が、該収容板３２ｄに設けられた第４収容部３０４ｄに収容されるものとしてもよい。
【0211】
この場合、収容板３２ｄは、具体的には例えば、誘電体材料（例えば、石英、セラミックス、など）によって形成された、平面視にて円環状の平板な部材（板部材）である。
【0212】
第３収容部３０３ｄは、具体的には例えば、収容板３２ｄの側面に開口する直線状の長尺な穴部分を、複数個備える。複数の穴部分の各々は、平面視にて、第１電極部３２ａが備える複数の第１線状電極３２１ａのいずれかと重なる位置に設けられており、各穴部分に、１個の第１線状電極３２１ａが収容される。一方、第４収容部３０４ｄも、具体的には例えば、収容板３２ｄの側面に開口する直線状の長尺な穴部分を、複数個備える。複数の穴部分の各々は、平面視にて、第２電極部３２ｂが備える複数の第２線状電極３２１ｂのいずれかと重なる位置に設けられており、各穴部分に、１個の第２線状電極３２１ｂが収容される。
【0213】
＜４－２．第２変形例＞
第２実施形態に係るプラズマ発生部６が備える各プラズマリアクタ６１，６２は、一対の電極部６１ａ，６１ｂ（６２ａ，６２ｂ）が、仕切り板６１ｃ（６２ｃ）を間に挟んで設けられるものとしたが、各プラズマリアクタ６１，６２の構成はこれに限られるものではない。
第２実施形態に係るプラズマ発生部６が備える各プラズマリアクタ６１，６２は、一対の電極部６１ａ，６１ｂ（６２ａ，６２ｂ）が、仕切り板６１ｃ（６２ｃ）を間に挟んで設けられるものとしたが、各プラズマリアクタ６１，６２の構成はこれに限られるものではない。
【0214】
例えば、図２２に示されるように、第１プラズマリアクタ６１’は、第１電極部６１ａ（具体的には、第１線状電極６１１ａ）が、収容板６０ｄに設けられた第１収容部６０１ｄに収容されるとともに、第２電極部６１ｂ（具体的には、第２線状電極６１１ｂ）が、該収容板６０ｄに設けられた第２収容部６０２ｄに収容されるものとしてもよい。さらに、第２プラズマリアクタ６２’は、第１電極部６２ａ（具体的には、第１線状電極６２１ａ）が、該収容板６０ｄに設けられた第３収容部６０３ｄに収容されるとともに、第２電極部６２ｂ（具体的には、第２線状電極６２１ｂ）が、該収容板６０ｄに設けられた第４収容部６０４ｄに収容されるものとしてもよい。
【0215】
この場合、収容板６０ｄは、具体的には例えば、誘電体材料（例えば、石英、セラミックス、など）によって形成された、平面視にて円形状の平板な部材（板部材）である。
【0216】
各収容部６０１ｄ～６０４ｄは、具体的には例えば、収容板６０ｄの側面に開口する直線状の長尺な穴部分を、複数個備える。第１収容部６０１ｄが備える複数の穴部分の各々は、平面視にて、第１プラズマリアクタ６１’の第１電極部６１ａが備える複数の第１線状電極６１１ａのいずれかと重なる位置に設けられており、各穴部分に、１個の第１線状電極６１１ａが収容される。また、第２収容部６０２ｄが備える複数の穴部分の各々は、平面視にて、第１プラズマリアクタ６１’の第２電極部６１ｂが備える複数の第２線状電極６１１ｂのいずれかと重なる位置に設けられており、各穴部分に、１個の第２線状電極６１１ｂが収容される。また、第３収容部６０３ｄが備える複数の穴部分の各々は、平面視にて、第２プラズマリアクタ６２’の第１電極部６２ａが備える複数の第１線状電極６２１ａのいずれかと重なる位置に設けられており、各穴部分に、１個の第１線状電極６２１ａが収容される。また、第４収容部６０４ｄが備える複数の穴部分の各々は、平面視にて、第２プラズマリアクタ６２’の第２電極部６２ｂが備える複数の第２線状電極６２１ｂのいずれかと重なる位置に設けられており、各穴部分に、１個の第２線状電極６２１ｂが収容される。
【0217】
＜４－３．第３変形例＞
第１実施形態に係るプラズマ発生部３が備える各プラズマリアクタ３１，３２は、一対の電極部３１ａ，３１ｂ（３２ａ，３２ｂ）が、個別の仕切り板３１ｃ（３２ｃ）を間に挟んで設けられるものとしたが、仕切り板の構成はこれに限られるものではない。
第１実施形態に係るプラズマ発生部３が備える各プラズマリアクタ３１，３２は、一対の電極部３１ａ，３１ｂ（３２ａ，３２ｂ）が、個別の仕切り板３１ｃ（３２ｃ）を間に挟んで設けられるものとしたが、仕切り板の構成はこれに限られるものではない。
【0218】
例えば、図２３に示されるように、第１実施形態において、第１プラズマリアクタ３１と第２プラズマリアクタ３２との間で、仕切り板が共用されてもよい。図２３は、第１実施形態の変形例に係るプラズマリアクタユニット８００の構成を模式的に示す側断面図および平面図である。以下においても、第１実施形態と相違しない要素については、同じ符号を付して示すとともに、その説明を省略する。
【0219】
第１プラズマリアクタ８０１と第２プラズマリアクタ８０２には、共用の仕切り板８０ｃが設けられる。仕切り板８０ｃは、例えば、平面視にて、処理対象となる基板Ｗの直径と同程度の（あるいは、これよりも僅かに大きな）直径を有する円形状の平板部材である。仕切り板８０ｃは、例えば、誘電体材料（例えば、石英、セラミックス、など）によって形成される。
【0220】
第１プラズマリアクタ８０１は、第１実施形態に係る第１プラズマリアクタ３１と同様、一対の電極部（第１電極部３１ａ、および、第２電極部３１ｂ）を備える。一対の電極部３１ａ，３１ｂは、仕切り板８０ｃの中央側の中央領域８１ｃを厚み方向から挟むようにして設けられる。
【0221】
第２プラズマリアクタ８０２は、第１実施形態に係る第２プラズマリアクタ３２と同様、一対の電極部（第１電極部３２ａ、および、第２電極部３２ｂ）を備える。一対の電極部３２ａ，３２ｂは、仕切り板８０ｃの外周領域８２ｃを厚み方向から挟むようにして設けられる。ここで、外周領域８２ｃは、第１プラズマリアクタ８０１の第１電極部３１ａと第２電極部３１ｂにより厚み方向から挟まれる仕切り板８０ｃの中央領域８１ｃを、平面視で全周にわたって取り囲む領域である。
【0222】
第１プラズマリアクタ８０１と第２プラズマリアクタ８０２に、共用の仕切り板８０ｃが設けられることで、第１プラズマリアクタ８０１と第２プラズマリアクタ８０２との間でアーキングが一層発生しにくくなる。具体的には、第１プラズマリアクタ８０１の第１電極部３１ａと第２プラズマリアクタ８０２の第２電極部３２ｂとの間でアーキングが一層発生しにくくなる。また、第１プラズマリアクタ８０１の第２電極部３１ｂと第２プラズマリアクタ８０２の第１電極部３２ａとの間でアーキングが一層発生しにくくなる。さらに、別々の電源３５，３６により電力を供給される第１プラズマリアクタ８０１と第２プラズマリアクタ８０２との間でアーキングが発生することに起因する電源３５，３６の故障を、一層防ぐことができる。
【0223】
＜４－４．第４変形例＞
第２実施形態に係るプラズマ発生部６が備える各プラズマリアクタ６１，６２は、一対の電極部６１ａ，６１ｂ（６２ａ，６２ｂ）が、個別の仕切り板６１ｃ（６２ｃ）を間に挟んで設けられるものとしたが、仕切り板の構成はこれに限られるものではない。
第２実施形態に係るプラズマ発生部６が備える各プラズマリアクタ６１，６２は、一対の電極部６１ａ，６１ｂ（６２ａ，６２ｂ）が、個別の仕切り板６１ｃ（６２ｃ）を間に挟んで設けられるものとしたが、仕切り板の構成はこれに限られるものではない。
【0224】
例えば、図２４に示されるように、第２実施形態において、第１プラズマリアクタ６１と第２プラズマリアクタ６２との間で、仕切り板が共用されてもよい。図２４は、第２実施形態の変形例に係るプラズマリアクタユニット９００の構成を模式的に示す側断面図および平面図である。以下においても、第２実施形態と相違しない要素については、同じ符号を付して示すとともに、その説明を省略する。
【0225】
第１プラズマリアクタ９０１と第２プラズマリアクタ９０２には、共用の仕切り板９０ｃが設けられる。仕切り板９０ｃは、例えば、平面視にて、処理対象となる基板Ｗの直径と同程度の（あるいは、これよりも僅かに大きな）直径を有する円形状の平板部材である。仕切り板９０ｃは、例えば、誘電体材料（例えば、石英、セラミックス、など）によって形成される。
【0226】
第１プラズマリアクタ９０１は、第２実施形態に係る第１プラズマリアクタ６１と同様、一対の電極部（第１電極部６１ａ、および、第２電極部６１ｂ）を備える。一対の電極部６１ａ，６１ｂは、仕切り板９０ｃの中心を含む内側の内側領域９１ｃを厚み方向から挟むようにして設けられる。
【0227】
第２プラズマリアクタ９０２は、第２実施形態に係る第２プラズマリアクタ６２と同様、一対の電極部（第１電極部６２ａ、および、第２電極部６２ｂ）を備える。一対の電極部６２ａ，６２ｂは、仕切り板９０ｃの２つの外側領域９２ｃを厚み方向から挟むようにして設けられる。ここで、２つの外側領域９２ｃは、第１プラズマリアクタ９０１の第１電極部６１ａと第２電極部６１ｂにより厚み方向から挟まれる仕切り板９０ｃの内側領域９１ｃを、平面視で挟む領域である。
【0228】
第１プラズマリアクタ９０１と第２プラズマリアクタ９０２に、共用の仕切り板９０ｃが設けられることで、第１プラズマリアクタ９０１と第２プラズマリアクタ９０２との間でアーキングが一層発生しにくくなる。具体的には、第１プラズマリアクタ９０１の第１電極部６１ａと第２プラズマリアクタ９０２の第２電極部６２ｂとの間でアーキングが一層発生しにくくなる。また、第１プラズマリアクタ９０１の第２電極部６１ｂと第２プラズマリアクタ９０２の第１電極部６２ａとの間でアーキングが一層発生しにくくなる。さらに、別々の電源６５，６６により電力を供給される第１プラズマリアクタ９０１と第２プラズマリアクタ９０２との間でアーキングが発生することに起因する電源６５，６６の故障を、一層防ぐことができる。
【0229】
＜４－５．他の変形例＞
上記の各実施形態に係るプラズマ発生部３，６，７が備える各プラズマリアクタ３１，３２，８０１，８０２，６１，６２，９０１，９０２，７１，７２の構成は、上記に例示したものに限られるものではない。
上記の各実施形態に係るプラズマ発生部３，６，７が備える各プラズマリアクタ３１，３２，８０１，８０２，６１，６２，９０１，９０２，７１，７２の構成は、上記に例示したものに限られるものではない。
【0230】
例えば、第２実施形態において、第１プラズマリアクタ６１の第１線状電極６１１ａと第２線状電極６１１ｂ、第２プラズマリアクタ６２の第１線状電極６２１ａと第２線状電極６２１ｂの配列の仕方は、適宜変更されてもよい。以下に、図２５～図２７を参照して、第１線状電極６１１ａ、第２線状電極６１１ｂ、第１線状電極６２１ａ、および第２線状電極６２１ｂの配列の仕方が変更される例を説明する。なお、図２５～図２７においては、第１プラズマリアクタ６１と第２プラズマリアクタ６２との間で、仕切り板が共用される場合が示されているが、本変形例はこれに限られない。
【0231】
例えば、図２５に示すように、第１プラズマリアクタ６１の第１線状電極６１１ａと、第２プラズマリアクタ６２の第２線状電極６２１ｂとの距離を、十分に大きくしてもよい。具体的には、平面視で、第１プラズマリアクタ６１の第１線状電極６１１ａと、第２プラズマリアクタ６２の第２線状電極６２１ｂとの距離ｋ１が、第１プラズマリアクタ６１の第１線状電極６１１ａと、第１プラズマリアクタ６１の第２線状電極６１１ｂとの距離ｋ２よりも大きくなるように配列されてもよい。これにより、第１プラズマリアクタ６１と第２プラズマリアクタ６２との間で、アーキングが発生することを、一層防止することができる。
【0232】
また、図２６に示すように、第１プラズマリアクタ６１の第１線状電極６１１ａと、第２プラズマリアクタ６２の第２線状電極６２１ｂとの距離を十分に大きくすることに加え、第１プラズマリアクタ６１の第１線状電極６１１ａと、第２プラズマリアクタ６２の第１線状電極６２１ａとの距離を小さくしてもよい。具体的には、平面視で、第１プラズマリアクタ６１の第１線状電極６１１ａと、第２プラズマリアクタ６２の第２線状電極６２１ｂとの距離ｋ１が、第１プラズマリアクタ６１の第１線状電極６１１ａと、第１プラズマリアクタ６１の第２線状電極６１１ｂとの距離ｋ２よりも大きくなるように配列し、かつ、第１プラズマリアクタ６１の第１線状電極６１１ａと、第２プラズマリアクタ６２の第２線状電極６２１ｂとの間に、第２プラズマリアクタ６２の第１線状電極６２１ａが設けられるように配列されてもよい。これにより、第１プラズマリアクタ６１と第２プラズマリアクタ６２との間で、アーキングが発生することを、一層防止することができる。さらに、第１プラズマリアクタ６１と第２プラズマリアクタ６２との間にプラズマの隙間が形成されにくくなり、基板Ｗの面内における処理の均一性が十分に担保される。
【0233】
第２実施形態においては、第１プラズマリアクタ６１の第１線状電極６１１ａと第２プラズマリアクタ６２の第１線状電極６２１ａには、同じ位相の電圧が印加されて、同じ極性とされていた。また、第１プラズマリアクタ６１の第２線状電極６１１ｂと、第２プラズマリアクタ６２の第２線状電極６２１ｂには、同じ位相の電圧が印加されて、同じ極性とされていた。つまり、第１プラズマリアクタ６１および第２プラズマリアクタ６２の各々が備える一対の電極部６１ａ，６１ｂ（６２ａ，６２ｂ）のうち、仕切り板６１ｃ，６２ｃの同じ側に配置される電極部は、同じ極性とされて、同じ位相の電圧が印加されていた。本変形例においては、図２７に示すように、第１プラズマリアクタ６１の第１線状電極６１１ａと、第２プラズマリアクタ６２の第１線状電極６２１ａには、逆の位相の電圧が印加されて、反対の極性とされてもよい。また、第１プラズマリアクタ６１の第２線状電極６１１ｂと、第２プラズマリアクタ６２の第２線状電極６２１ｂには、逆の位相の電圧が印加されて、反対の極性とされてもよい。つまり、第１プラズマリアクタ６１および第２プラズマリアクタ６２の各々が備える一対の電極部６１ａ，６１ｂ（６２ａ，６２ｂ）のうち、仕切り板９０ｃに対して互いに逆の側に配置される電極部が、同じ極性とされて、同じ位相の電圧が印加されてもよい。それに加えて、平面視で、第１プラズマリアクタ６１の第１線状電極６１１ａと、第２プラズマリアクタ６２の第１線状電極６２１ａとの距離ｋ３が、隣り合う第１線状電極６１１ａ間の距離ｋ４よりも大きくなるように配列されてもよい。これにより、第１プラズマリアクタ６１と第２プラズマリアクタ６２との間で、アーキングが発生することを、一層防止することができる。
【0234】
また例えば、第３実施形態において、第１プラズマリアクタ７１と第２プラズマリアクタ７２との間で、収容板７０ｃが共用されずに、個別に設けられてもよい。この場合、第１プラズマリアクタ７１の収容板は、第１収容部７０１ｃおよび第２収容部７０２ｃが設けられた、平面視にて円形状の平板部材により実現することができる。また、第２プラズマリアクタ７２の収容板は、第３収容部７０３ｃおよび第４収容部７０４ｃが設けられた、平面視にて円環状の平板部材により実現することができる。
【0235】
また例えば、第２実施形態では、第１プラズマリアクタ６１と第２プラズマリアクタ６２の境界は、保持部１に保持されている基板Ｗの法線方向から見て、該基板Ｗの中心を挟んでその両側に延在する互いに平行な一対の直線であるとしたが、両プラズマリアクタ６１，６２の境界はこれに限るものではない。例えば、両プラズマリアクタ６１，６２の境界は、保持部１に保持されている基板Ｗの法線方向から見て、該基板Ｗの中心を通らない１個の直線（弦）であってもよい。いうまでもなく、この場合、境界に対して基板Ｗの中心を含む側に、第１プラズマリアクタ６１が配置され、他方側に、第２プラズマリアクタ６２が配置される。
【0236】
また例えば、第３実施形態において、各プラズマリアクタ７１，７２は、一対の電極部７１ａ，７１ｂ（７２ａ，７２ｂ）の各々が、収容板７０ｃに設けられた各収容部７０１ｃ～７０４ｃに収容されるものとしたが、例えば、各プラズマリアクタ７１，７２は、一対の電極部７１ａ，７１ｂ（７２ａ，７２ｂ）が、誘電体材料によって形成される平板な部材（板部材）である仕切り板を間に挟んで設けられるものであってもよい。
【0237】
また、第１実施形態に係る各プラズマリアクタ３１，３２が備える各電極部３１ａ，３１ｂの形状（具体的には例えば、線状電極３１１ａ，３１１ｂの本数、線状電極３１１ａ，３１１ｂの長さ、線状電極３１１ａ，３１１ｂの配列態様、集合電極３１２ａ，３１２ｂの形状、など）は、上記に例示したものに限られるものではなく、適宜に変更することができる。他の実施形態および各変形例に係る各プラズマリアクタ８０１，８０２，６１，６２，９０１，９０２，７１，７２においても同様である。
【0238】
また、第３実施形態に係る各プラズマリアクタ７１，７２において、収容部７０１ｃ～７０４ｃに電極部７１ａ，７１ｂ，７２ａ，７２ｂが収容された状態で、各電極部７１ａ，７１ｂ，７２ａ，７２ｂと収容板７０ｃにおける基板Ｗと対向配置される側の主面との間の離間距離が、各電極部７１ａ，７１ｂ，７２ａ，７２ｂと収容板７０ｃにおける逆側の主面との間の離間距離よりも小さくなるようにされることが好ましい。このような構成によると、収容板７０ｃにおける基板Ｗと対向配置される側の主面の近傍におけるプラズマの発生が促進されるとともに、逆側の主面の近傍におけるプラズマの発生が抑制される。したがって、基板Ｗの処理に寄与するプラズマを効率的に発生させることができる。また、必要なプラズマ発生量を十分に確保しつつ、収容板７０ｃの厚みを大きくすることができるので、収容板７０ｃの強度および剛性を向上させることができる。第１変形例および第２変形例に係る各プラズマリアクタ３１’，３２’，６１’，６２’においても同様である。
【0239】
また、各実施形態に係るプラズマ発生部３，６，７は、３個以上のプラズマリアクタを含んで構成されてもよい。具体的には例えば、平面視にて円形状の第１プラズマリアクタと、第１プラズマリアクタの周囲を取り囲むように設けられた平面視にて円環状の第２プラズマリアクタと、第２プラズマリアクタの周囲を取り囲むように設けられた平面視にて円環状の第３プラズマリアクタと、を含んで構成されてもよい。この場合も、各プラズマリアクタに電力を供給する電源を個別に設けるとともに、基板Ｗの面内において処理速度のばらつきが生じないように、各電源から各プラズマリアクタに供給する電力量を調整することが好ましい。
【0240】
上記の各実施形態に係る各プラズマリアクタ３１，３２，８０１，８０２，６１，６２，９０１，９０２，７１，７２に電力を供給する態様は、上記に例示したものに限られるものではない。
【0241】
例えば、第１実施形態では、基板Ｗの面内における外周側の部分Ａ２にプラズマを照射する第２プラズマリアクタ３２に供給される電力量が、中央側の部分Ａ１にプラズマを照射する第１プラズマリアクタ３１に供給される電力量よりも大きなものとされていたが、この大小関係が逆であってもよい。すなわち、第１プラズマリアクタ３１に供給される電力量が、第２プラズマリアクタ３２に供給される電力量よりも大きなものとされてもよい。他の実施形態および各変形例に係る各プラズマリアクタ８０１，８０２，６１，６２，９０１，９０２，７１，７２においても同様である。
【0242】
この変形例は、基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１の処理速度が、外周側の部分Ａ２の処理速度よりも小さくなるような要因が潜在的に存在している場合に、有効である。一例として、基板Ｗを保持する保持部１が、ベース部１１の上面に設けた吸引機構で基板Ｗの裏面の例えば中心付近を吸着（真空吸着）することによって、基板Ｗを水平姿勢で保持するものである場合、保持部１に保持された基板Ｗの中央側の部分Ａ１が、外周側の部分Ａ２に比べて低温となる（ひいては、処理速度が小さくなる）傾向が生じ得る。このような場合、制御部１４０が、第１プラズマリアクタ３１に供給される電力量が、第２プラズマリアクタ３２に供給される電力量よりも、大きいものとなるように、各電源３５，３６を制御すればよい。このような制御がなされることで、基板Ｗの面内における中央側の部分Ａ１の処理速度が、外周側の部分Ａ２に比べて相対的に大きく促進されることとなり、中央側の部分Ａ１と外周側の部分Ａ２との間の処理速度の差が、各プラズマリアクタ３１，３２に供給される電力量の差で補填される。これによって、基板Ｗの面内における処理速度のばらつきが低減され、処理の均一性が向上する。
【0243】
また例えば、第２実施形態においては、制御部１４０は、仕切り板６１ｃ，６２ｃの同じ側に配置される２個の電極部（例えば、第１プラズマリアクタ６１の第１電極部６１ａと第２プラズマリアクタ６２の第１電極部６２ａ）に、同じ極性であって、同じ位相の電圧が印加されるように、第１電源６５および第２電源６６を同期させるものとしたが、このような制御態様は、他の実施形態および変形例に適用されてもよい。例えば、第１実施形態において、制御部１４０は、仕切り板３１ｃ，３２ｃの同じ側に配置される２個の電極部（例えば、第１プラズマリアクタ３１の第１電極部３１ａと第２プラズマリアクタ３２の第１電極部３２ａ）に、同じ極性であって、同じ位相の電圧が印加されるように、第１電源３５および第２電源３６を同期させるものとしてもよい。もっとも、いずれの実施形態およびいずれの変形例においても、このような制御は必須ではない。
【0244】
処理ユニット１３２の構成やここで行われる処理の流れも、上記の実施形態において例示したものに限られるものではない。
【0245】
例えば、第２実施形態だけでなく、他の実施形態および変形例においても、プラズマ処理が行われる間、回転機構１３が、保持部１（ひいてはここに保持されている基板Ｗ）を、基板Ｗの主面と直交する回転軸Ｑの周りで回転させるものとしてもよい。
【0246】
また、上記の各実施形態においては、各プラズマリアクタ３１，３２，８０１，８０２，６１，６２，９０１，９０２，７１，７２は、大気圧下でプラズマを発生させるものとしていたが、低圧状態でプラズマを発生させてもよい。すなわち、チャンバ５の内部空間を減圧するためのポンプを設けて、該ポンプでチャンバ５の内部空間を所定の圧力まで減圧した状態で、各プラズマリアクタ３１，３２，８０１，８０２，６１，６２，９０１，９０２，７１，７２に電圧を印加して、プラズマを発生させてもよい。
【0247】
また、上記の各実施形態において、保持部１は、基板Ｗの周縁をチャックピン１２で把持することによって基板Ｗを水平姿勢で保持するものであったが、基板Ｗを保持する方式はこれに限られるものではなく、どのようなものであってもよい。例えば、保持部１は、ベース部１１の上面に設けた吸引機構で基板Ｗの裏面を吸着することによって、基板Ｗを水平姿勢で保持するものであってもよい。
【0248】
また、上記の各実施形態において、プラズマリアクタユニット３０，８００，６０，９００，７０を移動させるプラズマリアクタ移動機構３４は必須ではなく、プラズマリアクタユニット３０，８００，６０，９００，７０は固定的に設けられてもよい。この場合、例えば、ベース部１１を昇降させる機構を設け、これがベース部１１を昇降させることによって、ベース部１１上に保持されている基板Ｗとプラズマリアクタユニット３０，８００，６０，９００，７０との離間距離を変更すればよい。このような構成においては、ベース部１１を昇降させる機構が、プラズマリアクタユニット３０，８００，６０，９００，７０をプラズマ処理位置と待機位置との間で移動させる移動機構となる。
【0249】
また、上記の各実施形態においては、処理ユニット１３２では、基板Ｗに形成されたレジストを除去する処理が行われるものとしたが、処理ユニット１３２で行われる処理はこれに限られるものではない。例えば、処理ユニット１３２では、基板Ｗ上に存在している有機物（例えば、有機物のパーティクル、有機物の層、有機物の膜）などを除去する処理が行われてもよい。
【0250】
また、上記の各実施形態では、処理液として硫酸が用いられるものとしたが、処理液はこれに限られるものではない。例えば、硫酸、硫酸塩、ペルオキソ硫酸、および、ペルオキソ硫酸塩のうちの少なくとも１つを含む薬液が、処理液として用いられてもよい。また、過酸化水素を含む薬液が処理液として用いられてもよく、例えば硫酸と過酸化水素水との混合液が処理液として用いられてもよい。さらに、プラズマ処理の目的、除去対象物の種類、などによっては、ＳＣ１（過酸化水素水とアンモニアとの混合液）、ＳＣ２（過酸化水素水と塩酸との混合液）などの薬液（いわゆる、洗浄用薬液）が、処理液として用いられてもよいし、フッ酸、塩酸、リン酸などの薬液（いわゆる、エッチング用薬液）が、処理液として用いられてもよい。
【0251】
基板処理システム１００の構成やここで行われる処理の流れは、上記の実施形態において例示したものに限られるものではない。
【0252】
例えば、基板処理システム１００に設けられる処理ユニット１３２の数は、１２個でなくともよい。また例えば、基板処理システム１００に設けられるロードポート１１１の数は、３個でなくともよい。
【0253】
また、プログラムＰは、記録媒体に記憶されていてもよく、この記録媒体を用いて、制御部１４０にプログラムＰをインストールするものとしてもよい。
【0254】
また、基板処理システム１００において処理対象とされる基板Ｗは、必ずしも半導体基板でなくともよい。例えば、処理対象とされる基板Ｗは、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、などであってもよい。また、処理対象とされる基板Ｗの形状およびサイズも、上記に例示したものに限られるものではない。例えば、処理対象とされる基板Ｗの形状は、平面視にて矩形の板形状であってもよい。
【0255】
以上のように、基板処理装置および基板処理方法は詳細に説明されたが、上記の説明は、全ての局面において例示であって、基板処理装置および基板処理方法がこれ限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記の各実施形態、および、上記の各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。
【符号の説明】
【0256】
１ 保持部
２ 液供給部
３，６，７ プラズマ発生部
３１，６１，７１ 第１プラズマ照射部（第１プラズマリアクタ）
３１ａ，６１ａ，７１ａ 第１電極部
３１ｂ，６１ｂ，７１ｂ 第２電極部
３１ｃ，６１ｃ 仕切り板
３２，６２，７２ 第２プラズマ照射部（第２プラズマリアクタ）
３２ａ，６２ａ，７２ａ 第１電極部
３２ｂ，６２ｂ，７２ｂ 第２電極部
３２ｃ，６２ｃ 仕切り板
７０ｃ 収容板
３３，６３ 保持部
３４ プラズマリアクタ移動機構
３５，６５，７５ 第１電力供給部（第１電源）
３６，６６，７６ 第２電力供給部（第２電源）
４ ガード部
５ チャンバ
１３２ 基板処理装置（処理ユニット）
１００ 基板処理システム
２ 液供給部
３，６，７ プラズマ発生部
３１，６１，７１ 第１プラズマ照射部（第１プラズマリアクタ）
３１ａ，６１ａ，７１ａ 第１電極部
３１ｂ，６１ｂ，７１ｂ 第２電極部
３１ｃ，６１ｃ 仕切り板
３２，６２，７２ 第２プラズマ照射部（第２プラズマリアクタ）
３２ａ，６２ａ，７２ａ 第１電極部
３２ｂ，６２ｂ，７２ｂ 第２電極部
３２ｃ，６２ｃ 仕切り板
７０ｃ 収容板
３３，６３ 保持部
３４ プラズマリアクタ移動機構
３５，６５，７５ 第１電力供給部（第１電源）
３６，６６，７６ 第２電力供給部（第２電源）
４ ガード部
５ チャンバ
１３２ 基板処理装置（処理ユニット）
１００ 基板処理システム
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】