(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023142160
(43)【公開日】2023-10-05
(54)【発明の名称】基板処理装置及び基板処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20230928BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 643A
【審査請求】未請求
【請求項の数】14
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022048897
(22)【出願日】2022-03-24
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100168583
【弁理士】
【氏名又は名称】前井 宏之
(72)【発明者】
【氏名】林 宗儒
(72)【発明者】
【氏名】岩▲崎▼ 晃久
(72)【発明者】
【氏名】田中 孝佳
【テーマコード（参考）】
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F157AB02
5F157AB16
5F157AB33
5F157AB90
5F157AC01
5F157BH11
5F157DB02
5F157DB45
(57)【要約】
【課題】処理工程の増加を抑制しつつ、基板の端面部以外の部分に余分な撥液剤が塗布されることを抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、基板保持部１３と、塗布部材１５１とを備える。基板保持部１３は、基板Ｗを保持しつつ基板Ｗを回転させる。塗布部材１５１は、回転中の基板Ｗの径方向ＲＤ外側の端面部５１に接触することで、基板Ｗを処理する処理液を弾くことの可能な撥液物質を含む撥液剤を、基板Ｗの端面部５１に塗布する。
【選択図】図４
【解決手段】基板処理装置１００は、基板保持部１３と、塗布部材１５１とを備える。基板保持部１３は、基板Ｗを保持しつつ基板Ｗを回転させる。塗布部材１５１は、回転中の基板Ｗの径方向ＲＤ外側の端面部５１に接触することで、基板Ｗを処理する処理液を弾くことの可能な撥液物質を含む撥液剤を、基板Ｗの端面部５１に塗布する。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を保持しつつ前記基板を回転させる基板保持部と、
回転中の前記基板の径方向外側の端面部に接触することで、前記基板を処理する処理液を弾くことの可能な撥液物質を含む撥液剤を、前記基板の前記端面部に塗布する塗布部材と
を備える、基板処理装置。
回転中の前記基板の径方向外側の端面部に接触することで、前記基板を処理する処理液を弾くことの可能な撥液物質を含む撥液剤を、前記基板の前記端面部に塗布する塗布部材と
を備える、基板処理装置。
【請求項2】
前記塗布部材は、自転しながら、前記撥液剤を前記基板の前記端面部に塗布する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記基板の前記端面部は、表面縁部と、表面肩部と、側面部と、裏面肩部と、裏面縁部とを有し、
前記表面縁部は、前記基板の表面と裏面とのうちの前記表面側において、前記基板の本体よりも径方向外側に位置し、
前記表面肩部は、前記表面側において、前記表面縁部よりも径方向外側に位置し、
前記裏面縁部は、前記裏面側において、前記基板の前記本体よりも径方向外側に位置し、
前記裏面肩部は、前記裏面側において、前記裏面縁部よりも径方向外側に位置し、
前記側面部は、前記基板の径方向の最も外側に位置し、
前記塗布部材は、前記側面部に対して前記撥液剤を塗布する、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
前記表面縁部は、前記基板の表面と裏面とのうちの前記表面側において、前記基板の本体よりも径方向外側に位置し、
前記表面肩部は、前記表面側において、前記表面縁部よりも径方向外側に位置し、
前記裏面縁部は、前記裏面側において、前記基板の前記本体よりも径方向外側に位置し、
前記裏面肩部は、前記裏面側において、前記裏面縁部よりも径方向外側に位置し、
前記側面部は、前記基板の径方向の最も外側に位置し、
前記塗布部材は、前記側面部に対して前記撥液剤を塗布する、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記塗布部材は、前記表面肩部、前記側面部、及び、前記裏面肩部に対して、前記撥液剤を塗布する、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記塗布部材の少なくとも一部は、前記基板の前記端面部に存在するノッチに進入し、前記ノッチの底点に接触する、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記塗布部材を前記基板の径方向内側に向けて付勢する付勢機構を更に備える、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記塗布部材に対して前記撥液剤を供給する撥液剤供給部を更に備える、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項8】
基板を保持しつつ前記基板を回転させる工程と、
回転中の前記基板の径方向外側の端面部に塗布部材を接触させることで、前記基板を処理する処理液を弾くことの可能な撥液物質を含む撥液剤を、前記基板の前記端面部に塗布する工程と
を含む、基板処理方法。
回転中の前記基板の径方向外側の端面部に塗布部材を接触させることで、前記基板を処理する処理液を弾くことの可能な撥液物質を含む撥液剤を、前記基板の前記端面部に塗布する工程と
を含む、基板処理方法。
【請求項9】
前記撥液剤を塗布する前記工程では、前記塗布部材を自転させながら、前記撥液剤を前記基板の前記端面部に塗布する、請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項10】
前記基板の前記端面部は、表面縁部と、表面肩部と、側面部と、裏面肩部と、裏面縁部とを有し、
前記表面縁部は、前記基板の表面と裏面とのうちの前記表面側において、前記基板の本体よりも径方向外側に位置し、
前記表面肩部は、前記表面側において、前記表面縁部よりも径方向外側に位置し、
前記裏面縁部は、前記裏面側において、前記基板の前記本体よりも径方向外側に位置し、
前記裏面肩部は、前記裏面側において、前記裏面縁部よりも径方向外側に位置し、
前記側面部は、前記基板の径方向の最も外側に位置し、
前記撥液剤を塗布する前記工程では、前記側面部に対して前記撥液剤を塗布する、請求項８又は請求項９に記載の基板処理方法。
前記表面縁部は、前記基板の表面と裏面とのうちの前記表面側において、前記基板の本体よりも径方向外側に位置し、
前記表面肩部は、前記表面側において、前記表面縁部よりも径方向外側に位置し、
前記裏面縁部は、前記裏面側において、前記基板の前記本体よりも径方向外側に位置し、
前記裏面肩部は、前記裏面側において、前記裏面縁部よりも径方向外側に位置し、
前記側面部は、前記基板の径方向の最も外側に位置し、
前記撥液剤を塗布する前記工程では、前記側面部に対して前記撥液剤を塗布する、請求項８又は請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項11】
前記撥液剤を塗布する前記工程では、前記表面肩部、前記側面部、及び、前記裏面肩部に対して、前記撥液剤を塗布する、請求項１０に記載の基板処理方法。
【請求項12】
前記撥液剤を塗布する前記工程では、前記塗布部材の少なくとも一部は、前記基板の前記端面部に存在するノッチに進入し、前記ノッチの底点に接触する、請求項８から請求項１１のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項13】
前記撥液剤を塗布する前記工程では、前記塗布部材を前記基板の径方向内側に向けて付勢する、請求項１２に記載の基板処理方法。
【請求項14】
前記塗布部材に対して前記撥液剤を供給する工程を更に含む、請求項８から請求項１３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１に記載された基板処理装置は、周縁部用処理ヘッドを備える。周縁部用処理ヘッドは、スピンチャックに保持される基板の表面周縁部に対する処理を行う。周縁部用処理ヘッドは、吸引管を備える。吸引管は、表面周縁部上の余分な処理液を吸引する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１５－７００２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、特許文献１の基板処理装置では、吸引管による吸引工程が必須となる。従って、処理工程が増加する。一方、本願の発明者は、処理液を弾くことの可能な撥液剤を、基板の径方向の端面部に塗布する処理に着目した。
【0005】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、処理工程の増加を抑制しつつ、基板の端面部以外の部分に余分な撥液剤が塗布されることを抑制できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一局面によれば、基板処理装置は、基板保持部と、塗布部材とを備える。基板保持部は、基板を保持しつつ前記基板を回転させる。塗布部材は、回転中の前記基板の径方向外側の端面部に接触することで、前記基板を処理する処理液を弾くことの可能な撥液物質を含む撥液剤を、前記基板の前記端面部に塗布する。
【0007】
本発明の一態様においては、前記塗布部材は、自転しながら、前記撥液剤を前記基板の前記端面部に塗布することが好ましい。
【0008】
本発明の一態様においては、前記基板の前記端面部は、表面縁部と、表面肩部と、側面部と、裏面肩部と、裏面縁部とを有することが好ましい。前記表面縁部は、前記基板の表面と裏面とのうちの前記表面側において、前記基板の本体よりも径方向外側に位置することが好ましい。前記表面肩部は、前記表面側において、前記表面縁部よりも径方向外側に位置することが好ましい。前記裏面縁部は、前記裏面側において、前記基板の前記本体よりも径方向外側に位置することが好ましい。前記裏面肩部は、前記裏面側において、前記裏面縁部よりも径方向外側に位置することが好ましい。前記側面部は、前記基板の径方向の最も外側に位置することが好ましい。前記塗布部材は、前記側面部に対して前記撥液剤を塗布することが好ましい。
【0009】
本発明の一態様においては、前記塗布部材は、前記表面肩部、前記側面部、及び、前記裏面肩部に対して、前記撥液剤を塗布することが好ましい。
【0010】
本発明の一態様においては、前記塗布部材の少なくとも一部は、前記基板の前記端面部に存在するノッチに進入し、前記ノッチの底点に接触することが好ましい。
【0011】
本発明の一態様においては、基板処理装置は、付勢機構を更に備えることが好ましい。付勢機構は、前記塗布部材を前記基板の径方向内側に向けて付勢することが好ましい。
【0012】
本発明の一態様においては、基板処理装置は、撥液剤供給部を更に備えることが好ましい。撥液剤供給部は、前記塗布部材に対して前記撥液剤を供給することが好ましい。
【0013】
本発明の他の局面によれば、基板処理方法は、基板を保持しつつ前記基板を回転させる工程と、回転中の前記基板の径方向外側の端面部に塗布部材を接触させることで、前記基板を処理する処理液を弾くことの可能な撥液物質を含む撥液剤を、前記基板の前記端面部に塗布する工程とを含む。
【0014】
本発明の一態様においては、前記撥液剤を塗布する前記工程では、前記塗布部材を自転させながら、前記撥液剤を前記基板の前記端面部に塗布することが好ましい。
【0015】
本発明の一態様においては、前記基板の前記端面部は、表面縁部と、表面肩部と、側面部と、裏面肩部と、裏面縁部とを有することが好ましい。前記表面縁部は、前記基板の表面と裏面とのうちの前記表面側において、前記基板の本体よりも径方向外側に位置することが好ましい。前記表面肩部は、前記表面側において、前記表面縁部よりも径方向外側に位置することが好ましい。前記裏面縁部は、前記裏面側において、前記基板の前記本体よりも径方向外側に位置することが好ましい。前記裏面肩部は、前記裏面側において、前記裏面縁部よりも径方向外側に位置することが好ましい。前記側面部は、前記基板の径方向の最も外側に位置することが好ましい。前記撥液剤を塗布する前記工程では、前記側面部に対して前記撥液剤を塗布することが好ましい。
【0016】
本発明の一態様においては、前記撥液剤を塗布する前記工程では、前記表面肩部、前記側面部、及び、前記裏面肩部に対して、前記撥液剤を塗布することが好ましい。
【0017】
本発明の一態様においては、前記撥液剤を塗布する前記工程では、前記塗布部材の少なくとも一部は、前記基板の前記端面部に存在するノッチに進入し、前記ノッチの底点に接触することが好ましい。
【0018】
本発明の一態様においては、前記撥液剤を塗布する前記工程では、前記塗布部材を前記基板の径方向内側に向けて付勢することが好ましい。
【0019】
本発明の一態様においては、基板処理方法は、前記塗布部材に対して前記撥液剤を供給する工程を更に含むことが好ましい。
【発明の効果】
【0020】
本発明によれば、処理工程の増加を抑制しつつ、基板の端面部以外の部分に余分な撥液剤が塗布されることを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0021】
【図1】本発明の実施形態に係る基板処理装置の内部を示す平面図である。
【図2】本実施形態に係る撥液剤塗布ユニットの内部を示す平面図である。
【図3】本実施形態に係る撥液剤塗布ユニットの内部を示す側面図である。
【図4】本実施形態に係る撥液剤塗布方法を示す図である。
【図5】（ａ）は、本実施形態に係る基板及びブラシを示す断面図である。（ｂ）は、本実施形態に係る基板の側面部に撥液剤が塗布された状態を示す断面図である。（ｃ）は、本実施形態に係る基板の表面肩部、側面部、及び、裏面肩部に撥液剤が塗布された状態を示す断面図である。
【図6】本実施形態に係る基板の一部を示す平面図である。
【図7】本実施形態に係る基板を示す平面図である。
【図8】本実施形態に係るブラシがノッチに接触している状態を示す平面図である。
【図9】本実施形態に係るブラシ及びノッチを示す平面図である。
【図10】本実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0022】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、図中、理解を容易にするために、Ｘ軸、Ｙ軸、及び、Ｚ軸を適宜図示している。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸及びＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。なお、「平面視」は、鉛直上方から対象を見ることを示す。また、「平面図」は、鉛直上方から対象を見たときの図面を示す。
【0023】
図１～図１０を参照して、本発明の実施形態に係る基板処理装置１００を説明する。まず、図１を参照して、基板処理装置１００を説明する。図１は、基板処理装置１００の内部を示す平面図である。図１に示す基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。基板Ｗには、例えば、複数の構造物を含むパターンが形成されている。
【0024】
基板Ｗは、例えば、半導体ウェハ（例えば、シリコンウェハ）、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、又は、太陽電池用基板である。以下、一例として、基板Ｗは、シリコンウェハである。
【0025】
図１に示すように、基板処理装置１００は、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、複数の処理ユニット１と、制御装置２と、複数の流体ボックス３と、薬液キャビネット４と、撥液剤塗布ユニット５とを備える。
【0026】
ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと処理ユニット１との間、インデクサーロボットＩＲと撥液剤塗布ユニット５との間、又は、処理ユニット１と撥液剤塗布ユニット５との間で基板Ｗを搬送する。撥液剤塗布ユニット５は、基板Ｗに撥液剤を塗布する。撥液剤塗布ユニット５の詳細は後述する。
【0027】
処理ユニット１の各々は、処理液によって基板Ｗを処理する。処理ユニット１の各々は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型の装置である。具体的には、処理ユニット１は表面用ノズル７及び裏面用ノズル８を含む。表面用ノズル７は、基板Ｗの表面（上面）と裏面（下面）とのうち、基板Ｗの表面に処理液を供給して、基板Ｗの表面を処理する。裏面用ノズル８は、基板Ｗの裏面に処理液を供給して、基板Ｗの裏面を処理する。
【0028】
処理液は、薬液又はリンス液である。薬液は基板Ｗを処理するための液体である。薬液は、例えば、希フッ酸（ＤＨＦ）、フッ酸（ＨＦ）、バファードフッ酸（ＢＨＦ）、フッ化アンモニウム、ＨＦＥＧ（フッ酸とエチレングリコールとの混合液）、燐酸（Ｈ3ＰＯ4）、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（例えば、クエン酸、シュウ酸）、有機アルカリ（例えば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）、アンモニア過酸化水素水混合液（ＳＣ１）、塩酸過酸化水素水混合液（ＳＣ２）、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、界面活性剤、又は、腐食防止剤である。
【0029】
リンス液は、薬液、薬液による処理後副産物、及び／又は、異物を、基板Ｗから洗い流すための液体である。リンス液は、例えば、脱イオン水（ＤＩＷ：Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、または、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水である。
【0030】
所定数の処理ユニット１（図１の例では３つの処理ユニット１）が鉛直方向に積層されて１つのタワーＴＷを構成している。ただし、図１の例では、複数のタワーＴＷ（図１の例では４つのタワーＴＷ）のうち、１つのタワーＴＷは、１つの処理ユニット１に代えて１つの撥液剤塗布ユニット５を含む。複数のタワーＴＷは、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置される。なお、撥液剤塗布ユニット５の配置は、特に限定されず、例えば、撥液剤塗布ユニット５は、基板処理装置１００における専用スペースに配置されていてもよいし、基板処理装置１００の外部に配置されていてもよい。また、基板処理装置１００は、複数の撥液剤塗布ユニット５を備えていてもよい。
【0031】
複数の流体ボックス３の各々は流体機器を収容する。複数の流体ボックス３は、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応している。薬液キャビネット４は薬液を収容する。薬液キャビネット４内の薬液は、いずれかの流体ボックス３を介して、流体ボックス３に対応するタワーＴＷに含まれる全ての処理ユニット１に供給される。
【0032】
制御装置２は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、処理ユニット１、流体ボックス３、薬液キャビネット４、及び、撥液剤塗布ユニット５を制御する。制御装置２は、例えば、コンピューターである。
【0033】
制御装置２は、制御部２１と、記憶部２２とを含む。制御部２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等のプロセッサーを含む。記憶部２２は、記憶装置を含み、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。具体的には、記憶部２２は、半導体メモリー等の主記憶装置と、半導体メモリー、ソリッドステートドライブ、及び／又は、ハードディスクドライブ等の補助記憶装置とを含む。記憶部２２は、リムーバブルメディアを含んでいてもよい。記憶部２２は、非一時的コンピューター読取可能記憶媒体の一例に相当する。
【0034】
次に、図２を参照して、撥液剤塗布ユニット５を説明する。図２は、撥液剤塗布ユニット５の内部を示す平面図である。図２に示すように、撥液剤塗布ユニット５は、チャンバー１１と、スピンチャック１３と、撥液剤塗布機構１５と、撥液剤供給部１７と、液受け部１９とを備える。撥液剤供給部１７は、撥液剤ノズル１７１と、バルブ１７２と、配管１７３とを含む。制御部２１は、スピンチャック１３、撥液剤塗布機構１５、及び、撥液剤供給部１７を制御する。
【0035】
チャンバー１１は略箱形状を有する。チャンバー１１は、スピンチャック１３、撥液剤塗布機構１５、撥液剤ノズル１７１、及び、液受け部１９を収容する。スピンチャック１３は、本発明の「基板保持部」の一例に相当する。
【0036】
スピンチャック１３は、基板Ｗを保持しつつ基板Ｗを回転させる。具体的には、スピンチャック１３は、基板Ｗを略水平に保持しつつ、基板Ｗを回転軸線ＡＸ１の周りに回転させる。撥液剤塗布機構１５は、基板Ｗの径方向ＲＤ外側の端面部５１に撥液剤を塗布する。端面部５１は、基板Ｗのうち回転軸線ＡＸ１の周りの略円環状の部分である。本実施形態では、径方向ＲＤは水平方向に略平行である。また、径方向ＲＤは、回転軸線ＡＸ１に直交する。径方向ＲＤは、回転軸線ＡＸ１に対する径方向と捉えることもできる。なお、回転軸線ＡＸ１の周りの円周方向を周方向ＣＤと記載する場合がある。周方向ＣＤは、基板Ｗの周方向と捉えることもできる。
【0037】
撥液剤は撥液物質を含む液体である。具体的には、撥液剤は、撥液物質を含む溶液である。撥液物質は、基板Ｗを処理する処理液を弾くことの可能な物質である。つまり、撥液物質は、基板Ｗよりも処理液を弾く性質を有する物質である。撥液物質は、撥液性を有する。撥液性とは、液体を弾く性質のことである。例えば、接触角が９０度以上の物質は、撥液物質である。
【0038】
撥液剤は、溶媒と、溶質としての撥液物質との混合物である。溶媒は、例えば、水である。水は、例えば、リンス液と同じ液体である。撥液物質は、例えば、高分子化合物である。撥液物質は、好ましくは、非フッ素系撥液物質である。一例ではあるが、撥液物質として、日華化学製のネオシード（登録商標）を使用できる。なお、撥液剤は、ワックスであってもよい。
【0039】
撥液物質は、例えば、撥水物質である。撥水物質は、水を弾くことの可能な物質である。つまり、撥水物質は、基板Ｗよりも水を弾く性質を有する物質である。撥水物質は、撥水性を有する。撥水性とは、水を弾く性質のことである。例えば、接触角が９０度以上の物質は、撥水物質である。この場合の水は、例えば、リンス液と同じ液体である。撥液物質として、撥水物質を使用する場合、処理液が水溶液である場合に有効である。なお、撥液物質が撥水物質である場合は、撥液剤は撥水剤である。
【0040】
撥液物質は、例えば、シリコン系撥液物質であってもよしい、アクリル系撥液物質であってもよい。シリコン系撥液物質は、シリコン自体、および、シリコンを含む化合物に撥液性を付与する。シリコン系撥液物質は、例えば、シランカップリング剤である。シランカップリング剤は、例えば、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）、ＴＭＳ（テトラメチルシラン）、フッ素化アルキルクロロシラン、アルキルジシラザン、および非クロロ系疎水化剤の少なくとも一つを含む。非クロロ系疎水化剤は、例えば、ジメチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリルジエチルアミン、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノトリメチルシラン、Ｎ－（トリメチルシリル）ジメチルアミンおよびオルガノシラン化合物の少なくとも一つを含む。
【0041】
なお、撥液物質は、例えば、メタル系撥液物質であってもよい。メタル系撥液物質は、金属自体、および、金属を含む化合物に対して撥液性を付与する。メタル系撥液物質は、例えば、疎水基を有するアミン、および有機シリコン化合物の少なくとも一つを含む。
【0042】
具体的には、撥液剤塗布機構１５は、ブラシ１５１を含む。ブラシ１５１は、本発明の「塗布部材」の一例に相当する。
【0043】
塗布位置Ｐ１において、ブラシ１５１は、基板Ｗの回転中に基板Ｗの径方向ＲＤ外側の端面部５１に接触することで、基板Ｗを処理する処理液を弾くことの可能な撥液物質を含む撥液剤を、基板Ｗの端面部５１に塗布する。従って、ノズル等によって撥液剤を基板Ｗに吐出する場合と比較して、基板Ｗの端面部５１以外の部分に余分な撥液剤が塗布されることを抑制できる。加えて、余分な撥液剤を吸引する吸引工程が不要である。よって、本実施形態によれば、処理工程の増加を抑制しつつ、基板Ｗの端面部５１以外の部分に余分な撥液剤が塗布されることを抑制できる。基板Ｗの端面部５１以外の部分は、例えば、基板Ｗにおいてパターンが形成されている部分である。なお、例えば、ノズル等によって撥液剤を塗布する場合には、ノズル等は基板Ｗに対して離隔しているため、ノズル等から撥液剤を吐出する際に、撥液剤が基板Ｗの端面部５１以外の部分に飛び散る可能性がある。
【0044】
塗布位置Ｐ１は、ブラシ１５１が基板Ｗの端面部５１に接触する位置を示す。一方、待機位置Ｐ２は、塗布位置Ｐ１よりも径方向ＲＤ外側の位置を示す。つまり、待機位置Ｐ２は、ブラシ１５１が基板Ｗから径方向ＲＤに離隔した位置を示す。待機位置Ｐ２の下方には、液受け部１９が配置される。液受け部１９は、例えば、ポットである。
【0045】
待機位置Ｐ２において、撥液剤供給部１７は、ブラシ１５１に対して撥液剤を供給する。従って、本実施形態によれば、撥液剤をブラシ１５１に効果的に染み込ませることができる。
【0046】
ブラシ１５１は、例えば、略円柱形状を有する。ブラシ１５１は、例えば、弾性を有する。ブラシ１５１は、例えば、多孔質物質を含む。この場合、例えば、ブラシ１５１は、スポンジ状であってもよい。ブラシ１５１は、撥液性を有することが好ましい。撥液剤が基板Ｗに転移し易くなるからである。ブラシ１５１の素材は、例えば、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、又は、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン－パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）である。なお、例えば、ブラシ１５１は、複数の部材を組み合わせて構成されてもよいし、複数の毛を含んでいてもよい。
【0047】
具体的には、撥液剤供給部１７において、撥液剤ノズル１７１が、待機位置Ｐ２に位置するブラシ１５１に対して撥液剤を吐出する。その結果、撥液剤がブラシ１５１に染み込む。
【0048】
更に具体的には、撥液剤ノズル１７１には、配管１７３が接続される。配管１７３は、撥液剤を撥液剤ノズル１７１に供給する。配管１７３には、バルブ１７２が配置される。バルブ１７２は、配管１７３の流路を閉塞又は開放する。制御部２１は、バルブ１７２が配管１７３の流路を開放するように、バルブ１７２を制御する。その結果、バルブ１７２が配管１７３の流路を開放するため、撥液剤ノズル１７１は撥液剤をブラシ１５１に向けて吐出する。ブラシ１５１に染み込まなかった撥液剤は、液受け部１９に落下し、液受け部１９に溜る。
【0049】
次に、図３を参照して撥液剤塗布ユニット５を詳細に説明する。図３は、撥液剤塗布ユニット５の内部を示す側面図である。図３に示すように、撥液剤塗布ユニット５において、スピンチャック１３は、真空吸着式チャックである。具体的には、スピンチャック１３は、スピン軸１３１と、スピンベース１３２と、スピンモータ１３３とを含む。スピン軸１３１は、略鉛直方向に沿って延びる。スピンベース１３２は、略円板形状を有し、スピン軸１３１の上端に取り付けられる。そして、スピンベース１３２は、略水平な姿勢で基板Ｗを保持する。図３の例では、スピンベース１３２は、基板Ｗを略水平な姿勢で基板Ｗの裏面を吸着して保持する。スピンモータ１３３は、スピン軸１３１と同軸に結合された回転軸を有する。そして、スピンモータ１３３は、基板Ｗがスピンベース１３２に保持された状態で、スピン軸１３１の回転軸線ＡＸ１の周りに基板Ｗを回転させる。
【0050】
撥液剤塗布ユニット５は、加熱部２０を更に備える。加熱部２０は、制御部２１による制御の下、基板Ｗの裏面側から、基板Ｗの径方向ＲＤ外側部分を加熱する。加熱部２０は、スピンチャック１３よりも径方向ＲＤ外側に配置される。加熱部２０は、基板Ｗよりも下方に配置される。具体的には、加熱部２０は、基板Ｗの径方向ＲＤ外側部分の下方に配置される。図３の例では、加熱部２０は、回転軸線ＡＸ１の周りに延びる略円環形状を有する。加熱部２０は、例えば、ヒーターである。なお、回転軸線ＡＸ１に沿った方向を軸方向ＡＤと記載する場合がある。軸方向ＡＤは、基板Ｗに直交し、鉛直方向に略平行である。
【0051】
撥液剤塗布機構１５は、制御部２１による制御の下、ブラシ１５１を水平方向に沿って揺動させたり、ブラシ１５１を昇降させたりする。撥液剤塗布機構１５は、ブラシ１５１を塗布位置Ｐ１（図２）と待機位置Ｐ２（図２）との間で移動させる。
【0052】
具体的には、撥液剤塗布機構１５は、揺動アーム１５２と、揺動機構１５３と、昇降機構１５４と、アーム基軸１５５とを含む。揺動アーム１５２の水平方向一方側の先端には、ブラシ１５１が取り付けられる。そして、揺動アーム１５２は、ブラシ１５１を略水平方向に沿って揺動させたり、ブラシ１５１を昇降させたりする。
【0053】
更に具体的には、揺動機構１５３は、制御部２１による制御の下、揺動アーム１５２を揺動軸線ＡＸ３の周りに略水平方向に沿って揺動させる。詳細には、アーム基軸１５５の上端部が、揺動アーム１５２の水平方向他方側に結合される。揺動機構１５３の駆動力は、アーム基軸１５５に入力される。揺動機構１５３の駆動力をアーム基軸１５５に入力することで、アーム基軸１５５を往復回転させて、揺動アーム１５２を、アーム基軸１５５を支点に揺動させる。揺動機構１５３は、例えば、モーターを含む。
【0054】
また、昇降機構１５４は、制御部２１による制御の下、揺動アーム１５２を昇降させる。詳細には、アーム基軸１５５に、昇降機構１５４が結合されている。昇降機構１５４は、アーム基軸１５５を上下動させて、アーム基軸１５５と一体的に揺動アーム１５２を上下動させる。昇降機構１５４は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与えるモーターとを含む。
【0055】
具体的には、揺動アーム１５２は、アーム本体１５６と、支持軸１５７と、自転機構１５８とを含む。アーム本体１５６は、中空であり、略水平方向に延びる。アーム本体１５６は、揺動機構１５３によって略水平方向に沿って揺動する。アーム本体１５６は、昇降機構１５４によって昇降する。支持軸１５７は、アーム本体１５６の水平方向一方側に位置し、略水平方向に突出する。自転機構１５８は、支持軸１５７に支持される。自転機構１５８の下端部には、ブラシ１５１が取り付けられる。
【0056】
自転機構１５８は、制御部２１による制御の下、回転軸線ＡＸ２の周りにブラシ１５１を回転させる。つまり、自転機構１５８は、ブラシ１５１を自転させる。具体的には、自転機構１５８は、ブラシモーター１６０と、ブラシホルダー１６２とを含む。ブラシモーター１６０の出力軸１６１は、鉛直下方に向けて延びている。つまり、出力軸１６１は、軸方向ＡＤに沿って下方に延びている。出力軸１６１の下端部には、ブラシホルダー１６２が取り付けられる。ブラシホルダー１６２は、ブラシ１５１を保持する。ブラシモーター１６０は、出力軸１６１を回転させることで、ブラシホルダー１６２と共にブラシ１５１を回転軸線ＡＸ２の周りに回転させる。本実施形態では、回転軸線ＡＸ２は回転軸線ＡＸ１と略平行である。従って、軸方向ＡＤは、回転軸線ＡＸ２に略平行である。
【0057】
また、揺動アーム１５２は付勢機構１５９を更に含む。付勢機構１５９は、制御部２１による制御の下、支持軸１５７及び自転機構１５８を介して、ブラシ１５１を基板Ｗの径方向ＲＤ内側に向けて付勢する。具体的には、付勢機構１５９は、基板Ｗの端面部５１に対するブラシ１５１の径方向ＲＤの押し圧を予め設定された押し圧に保持する。押し圧は、径方向ＲＤにおいて端面部５１にブラシ１５１を押し付けるときの圧力である。例えば、付勢機構１５９は、エアシリンダーによって支持軸１５７を径方向ＲＤに沿って駆動することで、ブラシ１５１を基板Ｗの径方向ＲＤ内側に向けて付勢する。
【0058】
【0059】
図４に示すように、撥液剤塗布方法は、工程Ｓ１０、工程Ｓ２０、及び、工程Ｓ３０を含む。
【0060】
まず、工程Ｓ１０において、待機位置Ｐ２にて、撥液剤ノズル１７１は、自転中のブラシ１５１に向けて撥液剤８１を吐出する。その結果、ブラシ１５１に撥液剤８１が染み込む。特に、工程Ｓ１０では、自転機構１５８（図３）がブラシ１５１を自転させているので、撥液剤８１がブラシ１５１に均等に染み込む。図４では、撥液剤ノズル１７１は、回転軸線ＡＸ２に交差する方向に撥液剤８１を吐出している。具体的には、撥液剤ノズル１７１は、回転軸線ＡＸ２に略直交する方向に撥液剤８１を吐出している。
【0061】
次に、工程Ｓ２０において、塗布位置Ｐ１にて、ブラシ１５１は、回転中の基板Ｗの端面部５１に接触することで、基板Ｗの端面部５１に撥液剤８１を塗布する。好ましくは、工程Ｓ２０では、自転機構１５８（図３）がブラシ１５１を自転させる。この場合、ブラシ１５１は、自転しながら、撥液剤８１を基板Ｗの端面部５１に塗布する。その結果、本実施形態によれば、撥液剤８１をより確実に基板Ｗの端面部５１に塗布できる。
【0062】
図４の例では、基板Ｗの端面部５１とブラシ１５１との接触位置において、基板Ｗの回転方向とブラシ１５１の自転方向とは逆である。従って、撥液剤８１をより確実に基板Ｗの端面部５１に塗布できる。なお、基板Ｗの端面部５１とブラシ１５１との接触位置において、基板Ｗの回転方向とブラシ１５１の自転方向とが同じであってもよい。
【0063】
次に、工程Ｓ３０において、加熱部２０は、基板Ｗの下方から、基板Ｗの径方向ＲＤ外側部分を加熱することで、端面部５１に塗布された撥液剤８１（工程Ｓ２０）を乾燥させる。その結果、撥液剤８１から溶媒が蒸発し、撥液物質８２が基板Ｗの端面部５１に付着する。つまり、加熱部２０は、撥液剤８１を乾燥させて、撥液剤８１中の撥液物質８２を基板Ｗの端面部５１に付着させる。
【0064】
例えば、端面部５１に撥液物質８２が付着した基板Ｗは、処理ユニット１（図１）に搬入される。そして、裏面用ノズル８（図１）が、基板Ｗの裏面Ａ２に処理液を吐出する。この場合、基板Ｗの端面部５１に付着した撥液物質８２が処理液を弾くので、処理液が基板Ｗの裏面Ａ２から表面Ａ１に回り込むことを抑制できる。その結果、基板Ｗの表面Ａ１に形成されたパターンが裏面Ａ２に吐出された処理液の影響を受けることを抑制できる。
【0065】
ここで、基板Ｗの端面部５１に付着した撥液物質８２は高分子化合物である。従って、撥液物質８２を除去する作業は不要である。なぜなら、撥液物質８２は、端面部５１に存在するに過ぎないからである。
【0066】
次に、図５及び図６を参照して、基板Ｗの詳細を説明する。図５（ａ）は、基板Ｗ及びブラシ１５１を示す断面図である。図５（ｂ）は、基板Ｗの側面部５１５に撥液剤８１が塗布された状態を示す断面図である。図５（ｃ）は、基板Ｗの表面肩部５１２、側面部５１５、及び、裏面肩部５１４に撥液剤８１が塗布された状態を示す断面図である。図５（ａ）～図５（ｃ）では、基板Ｗの径方向ＲＤ外側部分の断面を拡大して示している。図６は、基板Ｗの一部を示す平面図である。図６では、基板Ｗの径方向ＲＤ外側部分の表面Ａ１を拡大して示している。
【0067】
図５（ａ）及び図６に示すように、基板Ｗは、本体５０（以下、「基板本体５０」と記載）と、端面部５１とを有する。基板本体５０は、基板Ｗのうち端面部５１を除く部分を示す。換言すれば、基板本体５０は、基板Ｗのうち端面部５１よりも径方向ＲＤ内側部分を示す。更に換言すれば、基板本体５０は、基板Ｗのうち径方向ＲＤに沿った略平坦な部分を示す。基板本体５０には、パターンが形成されている。例えば、基板Ｗの表面Ａ１側において、基板本体５０にパターンが形成されている。なお、例えば、基板Ｗの裏面Ａ２側において、基板本体５０にパターンが形成されていてもよい。基板本体５０は、略円板形状を有する。なお、図６では、理解の容易のために、基板本体５０と端面部５１との境界を破線で示している。
【0068】
具体的には、基板本体５０は、本体表面周縁部５０１及び本体裏面周縁部５０２を含む。本体表面周縁部５０１は、基板本体５０の表面Ａ１のうちの周縁領域を示す。本体裏面周縁部５０２は、基板本体５０の裏面Ａ２のうちの周縁領域を示す。本体表面周縁部５０１及び本体裏面周縁部５０２の各々は、回転軸線ＡＸ１（図２）の周りの略円環状の領域である。本体表面周縁部５０１及び本体裏面周縁部５０２の各々の径方向ＲＤの幅は、例えば、１ｍｍ以上４ｍｍ以下である。
【0069】
端面部５１は、基板Ｗのうち基板本体５０よりも径方向ＲＤ外側の部分を示す。換言すれば、端面部５１は、基板Ｗのうち基板本体５０よりも径方向ＲＤ外側の端面領域を示す。更に換言すれば、端面部５１は、基板Ｗのうち本体表面周縁部５０１及び本体裏面周縁部５０２よりも径方向ＲＤ外側の端面領域を示す。端面部５１は、表面縁部５１１と、表面肩部５１２と、側面部５１５と、裏面肩部５１４と、裏面縁部５１３とを有する。
【0070】
表面縁部５１１は、基板Ｗの表面Ａ１と裏面Ａ２とのうちの表面Ａ１側において、基板本体５０よりも径方向ＲＤ外側に位置する。表面縁部５１１は、回転軸線ＡＸ１（図２）の周りの略円環状の領域である。表面縁部５１１は、平面視において、基板本体５０（具体的には本体表面周縁部５０１）を周方向ＣＤに囲む。表面縁部５１１は、断面視において、本体表面周縁部５０１から表面肩部５１２に向かって基板本体５０の表面Ａ１に対して傾斜する傾斜面を含む。表面縁部５１１は、本体表面周縁部５０１と表面肩部５１２とを接続する。
【0071】
表面肩部５１２は、表面Ａ１側において、表面縁部５１１よりも径方向ＲＤ外側に位置する。表面肩部５１２は、回転軸線ＡＸ１（図２）の周りの略円環状の領域である。表面肩部５１２は、平面視において、表面縁部５１１を周方向ＣＤに囲む。表面肩部５１２は、断面視において、表面縁部５１１から側面部５１５に向かって湾曲している湾曲面を含む。表面肩部５１２は、表面縁部５１１と側面部５１５とを接続する。
【0072】
裏面縁部５１３は、裏面Ａ２側において、基板本体５０よりも径方向ＲＤ外側に位置する。裏面縁部５１３は、回転軸線ＡＸ１（図２）の周りの略円環状の領域である。裏面縁部５１３は、平面視において、基板本体５０（具体的には本体裏面周縁部５０２）を周方向ＣＤに囲む。裏面縁部５１３は、断面視において、本体裏面周縁部５０２から裏面肩部５１４に向かって基板本体５０の裏面Ａ２に対して傾斜する傾斜面を含む。裏面縁部５１３は、本体裏面周縁部５０２と裏面肩部５１４とを接続する。
【0073】
裏面肩部５１４は、裏面Ａ２側において、裏面縁部５１３よりも径方向ＲＤ外側に位置する。裏面肩部５１４は、回転軸線ＡＸ１（図２）の周りの略円環状の領域である。裏面縁部５１３は、平面視において、裏面縁部５１３を周方向ＣＤに囲む。裏面肩部５１４は、断面視において、裏面縁部５１３から側面部５１５に向かって湾曲している湾曲面を含む。裏面肩部５１４は、裏面縁部５１３と側面部５１５とを接続する。
【0074】
側面部５１５は、基板Ｗの径方向ＲＤの最も外側に位置する。側面部５１５は、回転軸線ＡＸ１（図２）の周りの略円環状の領域である。側面部５１５は、平面視において、表面肩部５１２及び裏面肩部５１４を周方向ＣＤに囲む。側面部５１５は、断面視において、表面肩部５１２から裏面肩部５１４に向かって延びる平坦面を含む。側面部５１５は、回転軸線ＡＸ１の周りに略円筒形状を有する。側面部５１５は、表面肩部５１２と裏面肩部５１４とを接続する。
【0075】
本実施形態では、好ましくは、図５（ｂ）に示すように、ブラシ１５１は、側面部５１５だけに接触して、側面部５１５に対して撥液剤８１を塗布する。従って、ブラシ１５１による撥液剤８１の塗布中に、撥液剤８１が本体表面周縁部５０１及び本体裏面周縁部５０２に進入することを確実に抑制できる。その結果、基板本体５０に余分な撥液剤８１が塗布されることをより効果的に抑制できる。また、本体表面周縁部５０１及び本体裏面周縁部５０２に撥液剤８１が進入しないので、本体表面周縁部５０１及び本体裏面周縁部５０２にもパターンを形成することができる。
【0076】
また、図５（ｃ）に示すように、ブラシ１５１は、表面肩部５１２、側面部５１５、及び、裏面肩部５１４に接触して、表面肩部５１２、側面部５１５、及び、裏面肩部５１４に対して、撥液剤８１を塗布してもよい。この場合でも、表面縁部５１１及び裏面縁部５１３があるため、ブラシ１５１による撥液剤８１の塗布中に、撥液剤８１が本体表面周縁部５０１及び本体裏面周縁部５０２に進入することを抑制できる。その結果、基板本体５０に余分な撥液剤８１が塗布されることを抑制できるとともに、本体表面周縁部５０１及び本体裏面周縁部５０２にもパターンを形成することができる。
【0077】
例えば、制御部２１は付勢機構１５９による付勢力（押し圧）を調整し、ブラシ１５１を弾性変形させることで、ブラシ１５１を、表面肩部５１２、側面部５１５、及び、裏面肩部５１４に接触させる。
【0078】
なお、本体表面周縁部５０１及び本体裏面周縁部５０２に撥液剤が進入しない限りにおいて、ブラシ１５１は、基板Ｗの表面縁部５１１、表面肩部５１２、側面部５１５、裏面肩部５１４、及び、裏面縁部５１３に接触して、表面縁部５１１、表面肩部５１２、側面部５１５、裏面肩部５１４、及び、裏面縁部５１３に撥液剤を塗布してもよい。
【0079】
ここで、図５（ａ）に示すように、例えば、ブラシ１５１の軸方向ＡＤの長さＬｂは、基板Ｗの軸方向ＡＤの厚みｄよりも長い。例えば、基板Ｗの厚みｄは７６５μｍであり、ブラシ１５１の長さＬｂは８００μｍである。また、例えば、表面肩部５１２の曲率半径は２７０μｍ、側面部５１５の軸方向ＡＤの長さＬ０は２２８μｍ、裏面肩部５１４の曲率半径は２３８μｍである。また、例えば、長さＬ１は３１４μｍ、長さＬ２は３２３μｍである。長さＬ１は、表面縁部５１１の径方向ＲＤ内側端部から、表面肩部５１２の径方向ＲＤ外側端部（側面部５１５）までの径方向ＲＤに沿った距離を示す。長さＬ２は、裏面縁部５１３の径方向ＲＤ内側端部から、裏面肩部５１４の径方向ＲＤ外側端部（側面部５１５）までの径方向ＲＤに沿った距離を示す。また、表面縁部５１１は、本体表面周縁部５０１に対して傾斜角度θ１を有する。裏面縁部５１３は、本体裏面周縁部５０２に対して傾斜角度θ２を有する。例えば、傾斜角度θ１は２２．３度、傾斜角度θ２は２３．３度である。
【0080】
次に、図７を参照して、基板Ｗに形成されるノッチ５２を説明する。図７は、基板Ｗを示す平面図である。図７に示すように、基板Ｗは、ノッチ５２を有する場合がある。ノッチ５２は、平面視において、基板Ｗの端面部５１から径方向ＲＤ内側に窪む凹部である。ノッチ５２の周方向ＣＤの幅は、例えば、径方向ＲＤ内側ほど小さくなる。
【0081】
次に、図８を参照して、ノッチ５２への撥液剤の塗布を説明する。図８は、ブラシ１５１がノッチ５２に接触している状態を示す平面図である。図８に示すように、ブラシ１５１の少なくとも一部は、基板Ｗの端面部５１に存在するノッチ５２に進入し、ノッチ５２の底点ＢＭに接触する。従って、本実施形態によれば、端面部５１の場合と同様に、基板本体５０（具体的には、本体表面周縁部５０１及び本体裏面周縁部５０２）への撥液剤の進入を回避しつつ、ノッチ５２に撥液剤を塗布できる。
【0082】
図８の例では、平面視において、ブラシ１５１の全体がノッチ５２に進入している。ただし、ブラシ１５１がノッチ５２の底点ＢＭに接触する限りは、平面視において、ブラシ１５１の一部がノッチ５２に進入していてもよい。
【0083】
また、図８の例では、ブラシ１５１の直径２Ｒは、ノッチ５２の周方向ＣＤの最大幅Ｌよりも小さい。「Ｒ」は、平面視におけるブラシ１５１の半径を示す。本実施形態では、断面視において、ブラシ１５１は略円形である。この場合の断面視は、回転軸線ＡＸ２（図３）に垂直な仮想平面によってブラシ１５１を切断して見ることを示す。また、本実施形態において、ブラシ１５１の半径Ｒ及び直径２Ｒは、それぞれ、断面視におけるブラシ１５１の半径及び直径を示す。加えて、図８の例では、ブラシ１５１の直径２Ｒは、ノッチ５２の径方向ＲＤの深さＤよりも小さい。従って、平面視において、ブラシ１５１の全体が、ノッチ５２の内部に収まる。基板Ｗは、回転方向Ｄ１に回転するため、ブラシ１５１は、ノッチ５２に対して相対的に移動する。従って、ノッチ５２の全体に、撥液剤を塗布できる。
【0084】
特に、本実施形態では、付勢機構１５９（図３）は、ブラシ１５１を基板Ｗの径方向ＲＤ内側に向けて付勢する。従って、基板Ｗの回転によってブラシ１５１がノッチ５２に位置した場合に、ブラシ１５１は速やかにノッチ５２に進入する。その結果、より確実に、ノッチ５２に撥液剤を塗布できる。
【0085】
次に、図７及び図９を参照して、ブラシ１５１の半径Ｒの決定方法の一例を説明する。図７に示すように、ノッチ５２の幅Ｌは、式（１）によって示される。式（１）において、「Ｒｗ」は、基板Ｗの半径を示す。「θ」は、ノッチ５２に対する中心角を示す。中心角θの単位は、「度」である。
【0086】
Ｌ＝２π×Ｒｗ×（θ／３６０） …（１）
【0087】
図９は、ブラシ１５１及びノッチ５２を示す平面図である。図９に示すように、ノッチ５２の底点ＢＭを原点０として、ｘ座標及びｙ座標を定義する。そして、ノッチ５２を放物線ｙで近似する。従って、ノッチ５２は、式（２）によって示される。式（２）の係数ａは、式（３）によって示される。
【0088】
ｙ＝ａ×ｘ2 …（２）
ａ＝ｙ／ｘ2＝Ｂｙ／Ａｘ2 …（３）
ａ＝ｙ／ｘ2＝Ｂｙ／Ａｘ2 …（３）
【0089】
放物線ｙの各点ｘにおける曲率半径Ｒｃは、式（４）によって示される。「ｙ１」は、式（２）の１回微分を示し、式（５）によって示される。「ｙ２」は、式（２）の２回微分を示し、式（６）によって示される。
【0090】
Ｒｃ＝（１＋ｙ１2）3/2／ｙ２ …（４）
ｙ１＝ｄｙ／ｄｘ …（５）
ｙ２＝ｄｙ／ｄｘ …（６）
ｙ１＝ｄｙ／ｄｘ …（５）
ｙ２＝ｄｙ／ｄｘ …（６）
【0091】
放物線ｙの原点０における曲率半径Ｒ０、つまり、ノッチ５２の底点ＢＭにおける曲率半径Ｒ０は、式（７）によって示される。つまり、式（７）において、ｘ＝０である。
【0092】
Ｒ０＝（１＋（２ａ）2×ｘ2）3/2／２ａ＝１／２ａ …（７）
【0093】
本実施形態では、原点０における曲率半径Ｒ０をブラシ１５１の半径Ｒに設定する。その結果、ブラシ１５１をノッチ５２に確実に進入させることができ、ノッチ５２に確実に撥液剤を塗布できる。
【0094】
ここで、一例として、ブラシ１５１の半径Ｒの最大値Ｒｍｘ及び最小値Ｒｍｎを算出する。
【0095】
まず、最大値Ｒｍｘを算出する。この場合、基板Ｗの半径Ｒｗ＝１５０ｍｍ、中心角θ＝２とすると、式（１）によって、ノッチ５２の幅Ｌ＝５．２４ｍｍ、である。また、Ａｘ＝２．６２ｍｍ、Ｂｙ＝１．２０ｍｍとすると、式（３）によって、係数ａ＝０．１７５、である。係数ａを式（７）に代入すると、曲率半径Ｒ０の最大値は、２．８６ｍｍ、となる。よって、ブラシ１５１の半径Ｒの最大値Ｒｍｘを２．８６ｍｍに設定する。
【0096】
次に、最小値Ｒｍｎを算出する。この場合、基板Ｗの半径Ｒｗ＝１５０ｍｍ、中心角θ＝１．５とすると、式（１）によって、ノッチ５２の幅Ｌ＝３．９３ｍｍ、である。また、Ａｘ＝１．９６ｍｍ、Ｂｙ＝１．２０ｍｍとすると、式（３）によって、係数ａ＝０．３１、である。係数ａを式（７）に代入すると、曲率半径Ｒ０の最小値は、１．６１ｍｍ、となる。よって、ブラシ１５１の半径Ｒの最小値Ｒｍｎを１．６１ｍｍに設定する。
【0097】
すなわち、例えば、ノッチ５２の幅Ｌが３．９３ｍｍ以上５．２４ｍｍ以下である場合、ブラシ１５１の半径Ｒを１．６１ｍｍ以上２．８６ｍｍ以下に設定する。
【0098】
次に、図１～図３及び図１０を参照して、本実施形態に係る基板処理方法を説明する。基板処理方法は撥液剤塗布方法を含んでいる。図１０は、本実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。図１０に示すように、基板処理方法は工程Ｓ１～工程Ｓ１０を含む。工程Ｓ１～工程Ｓ１０は基板処理装置１００によって実行される。
【0099】
まず、工程Ｓ１において、撥液剤供給部１７（図２）は、待機位置Ｐ２（図２）に位置するブラシ１５１を自転させながらブラシ１５１に対して撥液剤を供給する。具体的には、制御部２１は、ブラシ１５１が自転するように、自転機構１５８（図３）を制御する。その結果、自転機構１５８はブラシ１５１を自転させる。更に、制御部２１は、撥液剤をブラシ１５１に供給するように、撥液剤供給部１７を制御する。その結果、撥液剤供給部１７は、ブラシ１５１に撥液剤を供給する。なお、ブラシ１５１の自転と撥液剤の供給とは同時に実行されてもよいし、自転が先で撥液剤の供給が後でもよいし、自転が後で撥液剤の供給が先でもよい。なお、ブラシ１５１への撥液剤の供給が完了すると、自転機構１５８はブラシ１５１の自転を停止する。
【0100】
次に、工程Ｓ２において、制御部２１は、基板Ｗを撥液剤塗布ユニット５に搬入するように、センターロボットＣＲ（図１）を制御する。その結果、センターロボットＣＲは、基板Ｗを撥液剤塗布ユニット５に搬入し、基板Ｗをスピンチャック１３（図３）に保持させる。
【0101】
次に、工程Ｓ３において、制御部２１は、基板Ｗを回転するように、スピンチャック１３を制御する。その結果、スピンチャック１３は、基板Ｗを回転させる。
【0102】
次に、工程Ｓ４において、ブラシ１５１は、自転しながら、回転中の基板Ｗの端面部５１に接触して、基板Ｗの端面部５１に撥液剤を塗布する。
【0103】
具体的には、制御部２１は、ブラシ１５１が自転するように、自転機構１５８を制御する。その結果、自転機構１５８は、ブラシ１５１を自転させる。そして、制御部２１は、ブラシ１５１が待機位置Ｐ２から塗布位置Ｐ１（図２）に移動するように、揺動アーム１５２（図３）を制御する。その結果、揺動アーム１５２はブラシ１５１を待機位置Ｐ２から塗布位置Ｐ１に移動させる。つまり、制御部２１は、自転中のブラシ１５１が基板Ｗの端面部５１に接触するように、揺動アーム１５２を制御する。その結果、揺動アーム１５２は、自転中のブラシ１５１を基板Ｗの端面部５１に接触させる。よって、基板Ｗの端面部５１に撥液剤が塗布される。撥液剤の塗布が完了すると、揺動アーム１５２はブラシ１５１を待機位置Ｐ２に移動させるとともに、自転機構１５８はブラシ１５１の自転を停止する。
【0104】
次に、工程Ｓ５において、制御部２１は、基板Ｗの付着した撥液剤を加熱するように、加熱部２０（図３）を制御する。その結果、加熱部２０は、撥液剤を加熱して、撥液剤を乾燥させる。その結果、撥液剤に含まれる撥液物質が基板Ｗの端面部５１に付着する。
【0105】
次に、工程Ｓ６において、制御部２１は、基板Ｗの回転を停止するように、スピンチャック１３を制御する。その結果、スピンチャック１３は、基板Ｗの回転を停止する。
【0106】
次に、工程Ｓ７において、制御部２１は、基板Ｗを撥液剤塗布ユニット５から搬出するように、センターロボットＣＲを制御する。その結果、センターロボットＣＲは、基板Ｗを撥液剤塗布ユニット５から搬出する。
【0107】
次に、工程Ｓ８において、制御部２１は、撥液物質が端面部５１に付着した基板Ｗを処理ユニット１（図１）に搬入するように、センターロボットＣＲを制御する。その結果、センターロボットＣＲは、基板Ｗを処理ユニット１に搬入する。
【0108】
次に、工程Ｓ９において、制御部２１は、処理液によって基板Ｗを処理するように、処理ユニット１を制御する。その結果、処理ユニット１は、処理液によって基板Ｗを処理する。一例として、処理ユニット１の裏面用ノズル８（図１）は、処理液を基板Ｗの裏面Ａ２に吐出することで、基板Ｗの裏面Ａ２を処理する。他の例として、処理ユニット１の表面用ノズル７（図１）は、処理液を基板Ｗの表面Ａ１に吐出することで、基板Ｗの表面Ａ１を処理する。
【0109】
次に、工程Ｓ１０において、制御部２１は、基板Ｗを処理ユニット１から搬出するように、センターロボットＣＲを制御する。その結果、センターロボットＣＲは、基板Ｗを処理ユニット１から搬出する。そして、処理は終了する。
【0110】
以上、図１０を参照して説明したように、本実施形態に係る基板処理方法によれば、基板Ｗの端面部５１にブラシ１５１を接触させることで、基板Ｗの端面部５１に撥液剤を塗布する（工程Ｓ４）。従って、撥液剤が飛び散ることを抑制できるため、余分な撥液剤の吸引工程が不要である。よって、処理工程の増加を抑制しつつ、基板Ｗの端面部５１以外の部分に余分な撥液剤が塗布されることを抑制できる。
【0111】
また、本実施形態によれば、工程Ｓ９において、例えば、基板Ｗの裏面Ａ２に処理液が吐出された場合であっても、処理液が基板Ｗの表面Ａ１に回り込むことを抑制できる。なぜなら、工程Ｓ４で基板Ｗの端面部５１に撥液剤を塗布し、工程Ｓ５で基板Ｗの端面部５１の撥液剤を乾燥させることで、基板Ｗの端面部５１には撥液物質が付着しているからである。
【0112】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、または、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
【0113】
また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【0114】
（１）図４及び図１０を参照して説明した実施形態では、ブラシ１５１は自転機構１５８によって自転した。ただし、ブラシ１５１は、基板Ｗに従動して自転してもよい。なお、基板Ｗの端面部５１に撥液剤を塗布できる限りにおいて、ブラシ１５１は自転しなくてもよい。
【0115】
（２）図１０を参照して説明した実施形態では、基板Ｗに撥液剤を塗布した後、処理ユニット１が処理液によって基板Ｗを処理した。ただし、基板Ｗに撥液剤を塗布した後、撥液剤塗布ユニット５が、処理液によって基板Ｗを処理してもよい。この場合、撥液剤塗布ユニット５が、処理液を基板Ｗに吐出するノズルを備える。例えば、撥液剤塗布ユニット５が、表面用ノズル７及び／又は裏面用ノズル８を備えていてもよい。
【0116】
（３）図３を参照して説明したブラシ１５１は、略円柱形状を有していたが、ブラシ１５１の形状は特に限定されない。ブラシ１５１のうち基板Ｗの端面部５１に接触する部分が、少なくとも、例えば、略円板形状又は略円柱形状であればよい。この場合、曲率半径Ｒ０が設定されるブラシ１５１の半径Ｒは、ブラシ１５１のうち基板Ｗの端面部５１に接触する部分の半径を示す。例えば、ブラシ１５１は、略逆円錐台形状部分と、略円板状部分と、略円錐台形状部分とが、軸方向ＡＤに並んだ一体形状を有していてもよい。
【0117】
（４）図３を参照して説明したスピンチャック１３は、真空吸着式であったが、例えば、挟持式又はベルヌーイ式であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【0118】
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に好適に用いられる。
【符号の説明】
【0119】
１３ スピンチャック（基板保持部）
１７ 撥液剤供給部
１００ 基板処理装置
１５１ ブラシ（塗布部材）
１５８ 自転機構
１５９ 付勢機構
５１１ 表面縁部
５１２ 表面肩部
５１３ 裏面縁部
５１４ 裏面肩部
５１５ 側面部
Ｗ 基板
１７ 撥液剤供給部
１００ 基板処理装置
１５１ ブラシ（塗布部材）
１５８ 自転機構
１５９ 付勢機構
５１１ 表面縁部
５１２ 表面肩部
５１３ 裏面縁部
５１４ 裏面肩部
５１５ 側面部
Ｗ 基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】