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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023142161
(43)【公開日】2023-10-05
(54)【発明の名称】基板処理装置及び基板処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20230928BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 643A
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022048898
(22)【出願日】2022-03-24
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100168583
【弁理士】
【氏名又は名称】前井 宏之
(72)【発明者】
【氏名】林 宗儒
【テーマコード（参考）】
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F157AB02
5F157AB16
5F157AB33
5F157AB90
5F157AC01
5F157BH11
5F157DB02
5F157DB45
(57)【要約】
【課題】余分な撥液物質だけを基板から除去できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、基板保持部１３と、除去部材１５１とを備える。基板保持部１３は、処理液を弾くことの可能な撥液物質が少なくとも本体表面周縁部５０１及び端面部５１に付着した基板を保持しつつ回転させる。除去部材１５１は、基板Ｗの回転中において、基板Ｗの端面部５１における径方向ＲＤの側面部５１５に対して離隔しつつ、少なくとも基板Ｗの本体表面周縁部５０１に接触することで、撥液物質を除去することの可能な除去剤を、本体表面周縁部５０１に付着した撥液物質に接触させる。基板Ｗの本体表面周縁部５０１は、基板本体５０の表面Ａ１のうちの周縁領域を示す。基板Ｗの端面部５１は、基板本体５０よりも径方向ＲＤ外側の端面領域を示す。
【選択図】図７
【解決手段】基板処理装置１００は、基板保持部１３と、除去部材１５１とを備える。基板保持部１３は、処理液を弾くことの可能な撥液物質が少なくとも本体表面周縁部５０１及び端面部５１に付着した基板を保持しつつ回転させる。除去部材１５１は、基板Ｗの回転中において、基板Ｗの端面部５１における径方向ＲＤの側面部５１５に対して離隔しつつ、少なくとも基板Ｗの本体表面周縁部５０１に接触することで、撥液物質を除去することの可能な除去剤を、本体表面周縁部５０１に付着した撥液物質に接触させる。基板Ｗの本体表面周縁部５０１は、基板本体５０の表面Ａ１のうちの周縁領域を示す。基板Ｗの端面部５１は、基板本体５０よりも径方向ＲＤ外側の端面領域を示す。
【選択図】図７
【特許請求の範囲】
【請求項1】
処理液を弾くことの可能な撥液物質が少なくとも本体表面周縁部及び端面部に付着した基板を保持しつつ回転させる基板保持部と、
前記基板の回転中において、前記基板の前記端面部における径方向の側面部に対して離隔しつつ、少なくとも前記基板の前記本体表面周縁部に接触することで、前記撥液物質を除去することの可能な除去剤を、前記本体表面周縁部に付着した前記撥液物質に接触させる除去部材と
を備え、
前記基板の前記本体表面周縁部は、基板本体の表面のうちの周縁領域を示し、
前記基板の前記端面部は、前記基板本体よりも径方向外側の端面領域を示す、基板処理装置。
前記基板の回転中において、前記基板の前記端面部における径方向の側面部に対して離隔しつつ、少なくとも前記基板の前記本体表面周縁部に接触することで、前記撥液物質を除去することの可能な除去剤を、前記本体表面周縁部に付着した前記撥液物質に接触させる除去部材と
を備え、
前記基板の前記本体表面周縁部は、基板本体の表面のうちの周縁領域を示し、
前記基板の前記端面部は、前記基板本体よりも径方向外側の端面領域を示す、基板処理装置。
【請求項2】
前記除去部材は、
前記基板の回転中において、前記基板の前記側面部に対して離隔しつつ、少なくとも前記基板の前記本体表面周縁部に接触することで、前記本体表面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる第１接触部と、
前記基板の回転中において、前記基板の前記側面部に対して離隔しつつ、少なくとも前記基板の本体裏面周縁部に接触することで、前記本体裏面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる第２接触部と
を含み、
前記基板の前記本体裏面周縁部は、前記基板本体の裏面のうちの周縁領域を示す、請求項１に記載の基板処理装置。
前記基板の回転中において、前記基板の前記側面部に対して離隔しつつ、少なくとも前記基板の前記本体表面周縁部に接触することで、前記本体表面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる第１接触部と、
前記基板の回転中において、前記基板の前記側面部に対して離隔しつつ、少なくとも前記基板の本体裏面周縁部に接触することで、前記本体裏面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる第２接触部と
を含み、
前記基板の前記本体裏面周縁部は、前記基板本体の裏面のうちの周縁領域を示す、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記第１接触部は、
前記基板の回転中において、前記本体表面周縁部に接触することで、前記本体表面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる第１外側接触部と、
前記第１外側接触部の内側に配置され、前記基板の回転中において、前記基板の前記端面部における表面縁部に接触することで、前記表面縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる第１内側接触部と
を含み、
前記端面部の前記表面縁部は、前記基板の表面側において、前記端面部のうち、前記本体表面周縁部よりも径方向外側に位置する領域であって、前記側面部よりも径方向内側に位置する領域を示し、
前記第２接触部は、
前記基板の回転中において、前記基板の前記本体裏面周縁部に接触することで、前記本体裏面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる第２外側接触部と、
前記第２外側接触部の内側に配置され、前記基板の回転中において、前記基板の前記端面部における裏面縁部に接触することで、前記裏面縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる第２内側接触部と
を含み、
前記端面部の前記裏面縁部は、前記基板の裏面側において、前記端面部のうち、前記本体裏面周縁部よりも径方向外側に位置する領域であって、前記側面部よりも径方向内側に位置する領域を示す、請求項２に記載の基板処理装置。
前記基板の回転中において、前記本体表面周縁部に接触することで、前記本体表面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる第１外側接触部と、
前記第１外側接触部の内側に配置され、前記基板の回転中において、前記基板の前記端面部における表面縁部に接触することで、前記表面縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる第１内側接触部と
を含み、
前記端面部の前記表面縁部は、前記基板の表面側において、前記端面部のうち、前記本体表面周縁部よりも径方向外側に位置する領域であって、前記側面部よりも径方向内側に位置する領域を示し、
前記第２接触部は、
前記基板の回転中において、前記基板の前記本体裏面周縁部に接触することで、前記本体裏面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる第２外側接触部と、
前記第２外側接触部の内側に配置され、前記基板の回転中において、前記基板の前記端面部における裏面縁部に接触することで、前記裏面縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる第２内側接触部と
を含み、
前記端面部の前記裏面縁部は、前記基板の裏面側において、前記端面部のうち、前記本体裏面周縁部よりも径方向外側に位置する領域であって、前記側面部よりも径方向内側に位置する領域を示す、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記第１外側接触部は、前記本体表面周縁部に接触する平坦面を有し、
前記第１内側接触部は、前記表面縁部に接触する傾斜面を有し、
前記第２外側接触部は、前記本体裏面周縁部に接触する平坦面を有し、
前記第２内側接触部は、前記裏面縁部に接触する傾斜面を有する、請求項３に記載の基板処理装置。
前記第１内側接触部は、前記表面縁部に接触する傾斜面を有し、
前記第２外側接触部は、前記本体裏面周縁部に接触する平坦面を有し、
前記第２内側接触部は、前記裏面縁部に接触する傾斜面を有する、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記第１内側接触部と前記第２内側接触部との間隔は拡縮可能である、請求項３又は請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記第１接触部と前記第２接触部との間から、不活性ガスを吐出する不活性ガス吐出部を更に備える、請求項２から請求項５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記除去部材は、前記基板の前記側面部に対して離隔しつつ、自転しながら、少なくとも前記本体表面周縁部に接触する、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記除去部材の少なくとも一部は、前記基板の前記端面部に存在するノッチに進入し、前記ノッチの底点に接触する、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記除去部材を前記基板の径方向内側に向けて付勢する付勢機構を更に備える、請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記除去部材に対して前記除去剤を供給する除去剤供給部を更に備える、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項11】
撥液物質を除去することの可能な除去剤を前記撥液物質に接触させる除去部材を使用する基板処理方法であって、
前記撥液物質が少なくとも本体表面周縁部及び端面部に付着した基板を保持しつつ回転させる工程と、
前記基板の回転中において、前記基板の前記端面部における径方向の側面部に対して前記除去部材を離隔させつつ、少なくとも前記基板の前記本体表面周縁部に前記除去部材を接触させることで、前記本体表面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる工程と
を含み、
前記基板の前記本体表面周縁部は、基板本体の表面のうちの周縁領域を示し、
前記基板の前記端面部は、前記基板本体よりも径方向外側の端面領域を示す、基板処理方法。
前記撥液物質が少なくとも本体表面周縁部及び端面部に付着した基板を保持しつつ回転させる工程と、
前記基板の回転中において、前記基板の前記端面部における径方向の側面部に対して前記除去部材を離隔させつつ、少なくとも前記基板の前記本体表面周縁部に前記除去部材を接触させることで、前記本体表面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる工程と
を含み、
前記基板の前記本体表面周縁部は、基板本体の表面のうちの周縁領域を示し、
前記基板の前記端面部は、前記基板本体よりも径方向外側の端面領域を示す、基板処理方法。
【請求項12】
前記除去部材は、一定方向に間隔をあけて並んだ第１接触部と第２接触部とを含み、
前記除去剤を前記撥液物質に接触させる前記工程では、第１接触動作と第２接触動作とを実行し、
前記第１接触動作は、前記基板の回転中において、前記基板の前記側面部に対して前記第１接触部を離隔させつつ、少なくとも前記基板の前記本体表面周縁部に前記第１接触部を接触させることで、前記本体表面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる動作であり、
前記第２接触動作は、前記基板の回転中において、前記基板の前記側面部に対して前記第２接触部を離隔させつつ、少なくとも前記基板の本体裏面周縁部に前記第２接触部を接触させることで、前記本体裏面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる動作であり、
前記基板の前記本体裏面周縁部は、前記基板本体の裏面のうちの周縁領域を示す、請求項１１に記載の基板処理方法。
前記除去剤を前記撥液物質に接触させる前記工程では、第１接触動作と第２接触動作とを実行し、
前記第１接触動作は、前記基板の回転中において、前記基板の前記側面部に対して前記第１接触部を離隔させつつ、少なくとも前記基板の前記本体表面周縁部に前記第１接触部を接触させることで、前記本体表面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる動作であり、
前記第２接触動作は、前記基板の回転中において、前記基板の前記側面部に対して前記第２接触部を離隔させつつ、少なくとも前記基板の本体裏面周縁部に前記第２接触部を接触させることで、前記本体裏面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる動作であり、
前記基板の前記本体裏面周縁部は、前記基板本体の裏面のうちの周縁領域を示す、請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項13】
前記第１接触部は、第１外側接触部と、前記第１外側接触部の内側に配置される第１内側接触部とを含み、
前記除去剤を前記撥液物質に接触させる前記工程では、前記第１接触動作として、第１本体接触動作と第１端面接触動作とを実行し、
前記第１本体接触動作は、前記基板の回転中において、前記第１外側接触部を前記本体表面周縁部に接触させることで、前記本体表面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる動作であり、
前記第１端面接触動作は、前記基板の回転中において、前記第１内側接触部を前記基板の前記端面部における表面縁部に接触させることで、前記表面縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる動作であり、
前記端面部の前記表面縁部は、前記基板の表面側において、前記端面部のうち、前記本体表面周縁部よりも径方向外側に位置する領域であって、前記側面部よりも径方向内側に位置する領域を示し、
前記第２接触部は、第２外側接触部と、前記第２外側接触部の内側に配置される第２内側接触部とを含み、
前記除去剤を前記撥液物質に接触させる前記工程では、前記第２接触動作として、第２本体接触動作と第２端面接触動作とを実行し、
前記第２本体接触動作は、前記基板の回転中において、前記第２外側接触部を前記基板の前記本体裏面周縁部に接触させることで、前記本体裏面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる動作であり、
前記第２端面接触動作は、前記基板の回転中において、前記第２内側接触部を前記基板の前記端面部における裏面縁部に接触させることで、前記裏面縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる動作であり、
前記端面部の前記裏面縁部は、前記基板の裏面側において、前記端面部のうち、前記本体裏面周縁部よりも径方向外側に位置する領域であって、前記側面部よりも径方向内側に位置する領域を示す、請求項１２に記載の基板処理方法。
前記除去剤を前記撥液物質に接触させる前記工程では、前記第１接触動作として、第１本体接触動作と第１端面接触動作とを実行し、
前記第１本体接触動作は、前記基板の回転中において、前記第１外側接触部を前記本体表面周縁部に接触させることで、前記本体表面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる動作であり、
前記第１端面接触動作は、前記基板の回転中において、前記第１内側接触部を前記基板の前記端面部における表面縁部に接触させることで、前記表面縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる動作であり、
前記端面部の前記表面縁部は、前記基板の表面側において、前記端面部のうち、前記本体表面周縁部よりも径方向外側に位置する領域であって、前記側面部よりも径方向内側に位置する領域を示し、
前記第２接触部は、第２外側接触部と、前記第２外側接触部の内側に配置される第２内側接触部とを含み、
前記除去剤を前記撥液物質に接触させる前記工程では、前記第２接触動作として、第２本体接触動作と第２端面接触動作とを実行し、
前記第２本体接触動作は、前記基板の回転中において、前記第２外側接触部を前記基板の前記本体裏面周縁部に接触させることで、前記本体裏面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる動作であり、
前記第２端面接触動作は、前記基板の回転中において、前記第２内側接触部を前記基板の前記端面部における裏面縁部に接触させることで、前記裏面縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる動作であり、
前記端面部の前記裏面縁部は、前記基板の裏面側において、前記端面部のうち、前記本体裏面周縁部よりも径方向外側に位置する領域であって、前記側面部よりも径方向内側に位置する領域を示す、請求項１２に記載の基板処理方法。
【請求項14】
前記第１外側接触部は、前記本体表面周縁部に接触する平坦面を有し、
前記第１内側接触部は、前記表面縁部に接触する傾斜面を有し、
前記第２外側接触部は、前記本体裏面周縁部に接触する平坦面を有し、
前記第２内側接触部は、前記裏面縁部に接触する傾斜面を有する、請求項１３に記載の基板処理方法。
前記第１内側接触部は、前記表面縁部に接触する傾斜面を有し、
前記第２外側接触部は、前記本体裏面周縁部に接触する平坦面を有し、
前記第２内側接触部は、前記裏面縁部に接触する傾斜面を有する、請求項１３に記載の基板処理方法。
【請求項15】
前記第１内側接触部と前記第２内側接触部との間隔は拡縮可能である、請求項１３又は請求項１４に記載の基板処理方法。
【請求項16】
前記除去剤を前記撥液物質に接触させる前記工程では、前記第１接触部と前記第２接触部との間から、不活性ガスを吐出する、請求項１２から請求項１５のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項17】
前記除去剤を前記撥液物質に接触させる前記工程では、前記基板の前記側面部に対して前記除去部材を離隔させつつ、前記除去部材を自転させながら、少なくとも前記本体表面周縁部に前記除去部材を接触させる、請求項１１から請求項１６のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項18】
前記除去剤を前記撥液物質に接触させる前記工程では、前記除去部材の少なくとも一部は、前記基板の前記端面部に存在するノッチに進入し、前記ノッチの底点に接触する、請求項１１から請求項１７のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項19】
前記除去剤を前記撥液物質に接触させる前記工程では、前記除去部材を前記基板の径方向内側に向けて付勢する、請求項１８に記載の基板処理方法。
【請求項20】
前記除去部材に対して前記除去剤を供給する工程を更に含む、請求項１１から請求項１９のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１に記載された基板処理装置は、基板の周縁部に液状の被覆剤を塗布して、基板の周縁部に付着した塵を液状の被覆剤によって覆う。そして、基板周縁部に付着した塵を覆う被覆剤を硬化させることで、塵を硬化された被覆剤の内部に捕捉する。したがって、被覆剤を基板の周縁部から除去することで、基板の周縁部から塵を除去することができる。さらに、基板の周縁部に被覆剤を塗布した後に、基板表面にフォトレジストを塗布するため、基板の周縁部では、フォトレジストは被覆剤の上に塗布される。したがって、基板の周縁部から被覆剤を除去した際には、被覆剤の上に塗布されたフォトレジストも被覆剤とともに基板の周縁部から除去される。こうして、塵およびフォトレジストを基板の周縁部から同時に除去できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１３－７４１２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、特許文献１の基板処理装置では、除去機構は、被覆剤を窒素ガスで吹き飛ばして被覆剤とともにフォトレジストを除去する。従って、基板に付着した全ての被覆剤が除去される。一方、本願の発明者は、処理液を弾くことの可能な撥液物質について、余分な撥液物質だけを除去することについて鋭意研究を重ねた。
【0005】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、余分な撥液物質だけを基板から除去できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一局面によれば、基板処理装置は、基板保持部と、除去部材とを備える。基板保持部は、処理液を弾くことの可能な撥液物質が少なくとも本体表面周縁部及び端面部に付着した基板を保持しつつ回転させる。除去部材は、前記基板の回転中において、前記基板の前記端面部における径方向の側面部に対して離隔しつつ、少なくとも前記基板の前記本体表面周縁部に接触することで、前記撥液物質を除去することの可能な除去剤を、前記本体表面周縁部に付着した前記撥液物質に接触させる。前記基板の前記本体表面周縁部は、基板本体の表面のうちの周縁領域を示す。前記基板の前記端面部は、前記基板本体よりも径方向外側の端面領域を示す。
【0007】
本発明の一態様においては、前記除去部材は、第１接触部と、第２接触部とを含むことが好ましい。第１接触部は、前記基板の回転中において、前記基板の前記側面部に対して離隔しつつ、少なくとも前記基板の前記本体表面周縁部に接触することで、前記本体表面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させることが好ましい。第２接触部は、前記基板の回転中において、前記基板の前記側面部に対して離隔しつつ、少なくとも前記基板の本体裏面周縁部に接触することで、前記本体裏面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させることが好ましい。前記基板の前記本体裏面周縁部は、前記基板本体の裏面のうちの周縁領域を示すことが好ましい。
【0008】
本発明の一態様においては、前記第１接触部は、第１外側接触部と、第１内側接触部とを含むことが好ましい。第１外側接触部は、前記基板の回転中において、前記本体表面周縁部に接触することで、前記本体表面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させることが好ましい。第１内側接触部は、前記第１外側接触部の内側に配置され、前記基板の回転中において、前記基板の前記端面部における表面縁部に接触することで、前記表面縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させることが好ましい。前記端面部の前記表面縁部は、前記基板の表面側において、前記端面部のうち、前記本体表面周縁部よりも径方向外側に位置する領域であって、前記側面部よりも径方向内側に位置する領域を示すことが好ましい。前記第２接触部は、第２外側接触部と、第２内側接触部とを含むことが好ましい。第２外側接触部は、前記基板の回転中において、前記基板の前記本体裏面周縁部に接触することで、前記本体裏面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させることが好ましい。第２内側接触部は、前記第２外側接触部の内側に配置され、前記基板の回転中において、前記基板の前記端面部における裏面縁部に接触することで、前記裏面縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させることが好ましい。前記端面部の前記裏面縁部は、前記基板の裏面側において、前記端面部のうち、前記本体裏面周縁部よりも径方向外側に位置する領域であって、前記側面部よりも径方向内側に位置する領域を示すことが好ましい。
【0009】
本発明の一態様においては、前記第１外側接触部は、前記本体表面周縁部に接触する平坦面を有することが好ましい。前記第１内側接触部は、前記表面縁部に接触する傾斜面を有することが好ましい。前記第２外側接触部は、前記本体裏面周縁部に接触する平坦面を有することが好ましい。前記第２内側接触部は、前記裏面縁部に接触する傾斜面を有することが好ましい。
【0010】
本発明の一態様においては、前記第１内側接触部と前記第２内側接触部との間隔は拡縮可能であることが好ましい。
【0011】
本発明の一態様においては、基板処理装置は、不活性ガス吐出部を更に備えることが好ましい。不活性ガス吐出部は、前記第１接触部と前記第２接触部との間から、不活性ガスを吐出することが好ましい。
【0012】
本発明の一態様においては、前記除去部材は、前記基板の前記側面部に対して離隔しつつ、自転しながら、少なくとも前記本体表面周縁部に接触することが好ましい。
【0013】
本発明の一態様においては、前記除去部材の少なくとも一部は、前記基板の前記端面部に存在するノッチに進入し、前記ノッチの底点に接触することが好ましい。
【0014】
本発明の一態様においては、基板処理装置は、付勢機構を更に備えることが好ましい。付勢機構は、前記除去部材を前記基板の径方向内側に向けて付勢することが好ましい。
【0015】
本発明の一態様においては、基板処理装置は、除去剤供給部を更に備えることが好ましい。除去剤供給部は、前記除去部材に対して前記除去剤を供給することが好ましい。
【0016】
本発明の他の局面によれば、基板処理方法は、撥液物質を除去することの可能な除去剤を前記撥液物質に接触させる除去部材を使用する。基板処理方法は、前記撥液物質が少なくとも本体表面周縁部及び端面部に付着した基板を保持しつつ回転させる工程と、前記基板の回転中において、前記基板の前記端面部における径方向の側面部に対して前記除去部材を離隔させつつ、少なくとも前記基板の前記本体表面周縁部に前記除去部材を接触させることで、前記本体表面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる工程とを含む。前記基板の前記本体表面周縁部は、基板本体の表面のうちの周縁領域を示す。前記基板の前記端面部は、前記基板本体よりも径方向外側の端面領域を示す。
【0017】
本発明の一態様においては、前記除去部材は、一定方向に間隔をあけて並んだ第１接触部と第２接触部とを含むことが好ましい。前記除去剤を前記撥液物質に接触させる前記工程では、第１接触動作と第２接触動作とを実行することが好ましい。前記第１接触動作は、前記基板の回転中において、前記基板の前記側面部に対して前記第１接触部を離隔させつつ、少なくとも前記基板の前記本体表面周縁部に前記第１接触部を接触させることで、前記本体表面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる動作であることが好ましい。前記第２接触動作は、前記基板の回転中において、前記基板の前記側面部に対して前記第２接触部を離隔させつつ、少なくとも前記基板の本体裏面周縁部に前記第２接触部を接触させることで、前記本体裏面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる動作であることが好ましい。前記基板の前記本体裏面周縁部は、前記基板本体の裏面のうちの周縁領域を示すことが好ましい。
【0018】
本発明の一態様においては、前記第１接触部は、第１外側接触部と、前記第１外側接触部の内側に配置される第１内側接触部とを含むことが好ましい。前記除去剤を前記撥液物質に接触させる前記工程では、前記第１接触動作として、第１本体接触動作と第１端面接触動作とを実行することが好ましい。前記第１本体接触動作は、前記基板の回転中において、前記第１外側接触部を前記本体表面周縁部に接触させることで、前記本体表面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる動作であることが好ましい。前記第１端面接触動作は、前記基板の回転中において、前記第１内側接触部を前記基板の前記端面部における表面縁部に接触させることで、前記表面縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる動作であることが好ましい。前記端面部の前記表面縁部は、前記基板の表面側において、前記端面部のうち、前記本体表面周縁部よりも径方向外側に位置する領域であって、前記側面部よりも径方向内側に位置する領域を示すことが好ましい。前記第２接触部は、第２外側接触部と、前記第２外側接触部の内側に配置される第２内側接触部とを含むことが好ましい。前記除去剤を前記撥液物質に接触させる前記工程では、前記第２接触動作として、第２本体接触動作と第２端面接触動作とを実行することが好ましい。前記第２本体接触動作は、前記基板の回転中において、前記第２外側接触部を前記基板の前記本体裏面周縁部に接触させることで、前記本体裏面周縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる動作であることが好ましい。前記第２端面接触動作は、前記基板の回転中において、前記第２内側接触部を前記基板の前記端面部における裏面縁部に接触させることで、前記裏面縁部に付着した前記撥液物質に前記除去剤を接触させる動作であることが好ましい。前記端面部の前記裏面縁部は、前記基板の裏面側において、前記端面部のうち、前記本体裏面周縁部よりも径方向外側に位置する領域であって、前記側面部よりも径方向内側に位置する領域を示すことが好ましい。
【0019】
本発明の一態様においては、前記第１外側接触部は、前記本体表面周縁部に接触する平坦面を有することが好ましい。前記第１内側接触部は、前記表面縁部に接触する傾斜面を有することが好ましい。前記第２外側接触部は、前記本体裏面周縁部に接触する平坦面を有することが好ましい。前記第２内側接触部は、前記裏面縁部に接触する傾斜面を有することが好ましい。
【0020】
本発明の一態様においては、前記第１内側接触部と前記第２内側接触部との間隔は拡縮可能であることが好ましい。
【0021】
本発明の一態様においては、前記除去剤を前記撥液物質に接触させる前記工程では、前記第１接触部と前記第２接触部との間から、不活性ガスを吐出することが好ましい。
【0022】
本発明の一態様においては、前記除去剤を前記撥液物質に接触させる前記工程では、前記基板の前記側面部に対して前記除去部材を離隔させつつ、前記除去部材を自転させながら、少なくとも前記本体表面周縁部に前記除去部材を接触させることが好ましい。
【0023】
本発明の一態様においては、前記除去剤を前記撥液物質に接触させる前記工程では、前記除去部材の少なくとも一部は、前記基板の前記端面部に存在するノッチに進入し、前記ノッチの底点に接触することが好ましい。
【0024】
本発明の一態様においては、前記除去剤を前記撥液物質に接触させる前記工程では、前記除去部材を前記基板の径方向内側に向けて付勢することが好ましい。
【0025】
本発明の一態様においては、基板処理方法は、前記除去部材に対して前記除去剤を供給する工程を更に含むことが好ましい。
【発明の効果】
【0026】
本発明によれば、余分な撥液物質だけを基板から除去できる。
【図面の簡単な説明】
【0027】
【図1】本発明の実施形態に係る基板処理装置の内部を示す平面図である。
【図2】本実施形態に係る撥液剤処理ユニットの内部を示す平面図である。
【図3】本実施形態に係る撥液剤処理ユニットの内部を示す側面図である。
【図4】本実施形態に係る基板を示す断面図である。
【図5】本実施形態に係る基板の一部を示す平面図である。
【図6】本実施形態に係る撥液物質除去方法の前段を示す図である。
【図7】本実施形態に係る撥液物質除去方法の後段を示す図である。
【図8】本実施形態に係るブラシを示す側面図である。
【図9】本実施形態に係るブラシによる撥液物質の除去処理の一例を示す図である。
【図10】本実施形態の変形例に係るブラシによる撥液物質の除去処理の一例を示す図である。
【図11】本実施形態の別の変形例に係るブラシによる撥液物質の除去処理の一例を示す図である。
【図12】本実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。
【図13】本実施形態に係る基板を示す平面図である。
【図14】本実施形態に係るブラシがノッチに接触している状態を示す平面図である。
【図15】本実施形態に係るブラシ及びノッチを示す平面図である。
【図16】本実施形態の第１変形例に係るブラシを示す断面図である。
【図17】第１変形例に係るブラシによる撥液物質の除去処理の第１工程を示す図である。
【図18】第１変形例に係るブラシによる撥液物質の除去処理の第２工程を示す図である。
【図19】本実施形態の第２変形例に係るブラシによる撥液物質の除去処理の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0028】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、図中、理解を容易にするために、Ｘ軸、Ｙ軸、及び、Ｚ軸を適宜図示している。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸及びＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。なお、「平面視」は、鉛直上方から対象を見ることを示す。また、「平面図」は、鉛直上方から対象を見たときの図面を示す。
【0029】
図１～図１２を参照して、本発明の実施形態に係る基板処理装置１００を説明する。まず、図１を参照して、基板処理装置１００を説明する。図１は、基板処理装置１００の内部を示す平面図である。図１に示す基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。基板Ｗには、例えば、複数の構造物を含むパターンが形成されている。
【0030】
基板Ｗは、例えば、半導体ウェハ（例えば、シリコンウェハ）、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、又は、太陽電池用基板である。以下、一例として、基板Ｗは、シリコンウェハである。
【0031】
図１に示すように、基板処理装置１００は、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、複数の処理ユニット１と、制御装置２と、複数の流体ボックス３と、薬液キャビネット４と、撥液剤処理ユニット５とを備える。
【0032】
ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと処理ユニット１との間、インデクサーロボットＩＲと撥液剤処理ユニット５との間、又は、処理ユニット１と撥液剤処理ユニット５との間で基板Ｗを搬送する。撥液剤処理ユニット５は、基板Ｗに撥液剤を塗布する。撥液剤は、処理液を弾くことの可能な撥液物質を含む液体である。そして、撥液剤処理ユニット５は、基板Ｗに付着した撥液物質のうち、余分な撥液物質を基板Ｗから除去する。撥液剤処理ユニット５の詳細は後述する。
【0033】
処理ユニット１の各々は、処理液によって基板Ｗを処理する。処理ユニット１の各々は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型の装置である。具体的には、処理ユニット１は表面用ノズル７及び裏面用ノズル８を含む。表面用ノズル７は、基板Ｗの表面（上面）と裏面（下面）とのうち、基板Ｗの表面に処理液を供給して、基板Ｗの表面を処理する。裏面用ノズル８は、基板Ｗの裏面に処理液を供給して、基板Ｗの裏面を処理する。
【0034】
処理液は、薬液又はリンス液である。薬液は基板Ｗを処理するための液体である。薬液は、例えば、希フッ酸（ＤＨＦ）、フッ酸（ＨＦ）、バファードフッ酸（ＢＨＦ）、フッ化アンモニウム、ＨＦＥＧ（フッ酸とエチレングリコールとの混合液）、燐酸（Ｈ3ＰＯ4）、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（例えば、クエン酸、シュウ酸）、有機アルカリ（例えば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）、アンモニア過酸化水素水混合液（ＳＣ１）、塩酸過酸化水素水混合液（ＳＣ２）、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、界面活性剤、又は、腐食防止剤である。
【0035】
リンス液は、薬液、薬液による処理後副産物、及び／又は、異物を、基板Ｗから洗い流すための液体である。リンス液は、例えば、脱イオン水（ＤＩＷ：Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、または、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水である。
【0036】
所定数の処理ユニット１（図１の例では３つの処理ユニット１）が鉛直方向に積層されて１つのタワーＴＷを構成している。ただし、図１の例では、複数のタワーＴＷ（図１の例では４つのタワーＴＷ）のうち、１つのタワーＴＷは、１つの処理ユニット１に代えて１つの撥液剤処理ユニット５を含む。複数のタワーＴＷは、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置される。なお、撥液剤処理ユニット５の配置は、特に限定されず、例えば、撥液剤処理ユニット５は、基板処理装置１００における専用スペースに配置されていてもよいし、基板処理装置１００の外部に配置されていてもよい。また、基板処理装置１００は、複数の撥液剤処理ユニット５を備えていてもよい。
【0037】
複数の流体ボックス３の各々は流体機器を収容する。複数の流体ボックス３は、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応している。薬液キャビネット４は薬液を収容する。薬液キャビネット４内の薬液は、いずれかの流体ボックス３を介して、流体ボックス３に対応するタワーＴＷに含まれる全ての処理ユニット１に供給される。
【0038】
制御装置２は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、処理ユニット１、流体ボックス３、薬液キャビネット４、及び、撥液剤処理ユニット５を制御する。制御装置２は、例えば、コンピューターである。
【0039】
制御装置２は、制御部２１と、記憶部２２とを含む。制御部２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等のプロセッサーを含む。記憶部２２は、記憶装置を含み、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。具体的には、記憶部２２は、半導体メモリー等の主記憶装置と、半導体メモリー、ソリッドステートドライブ、及び／又は、ハードディスクドライブ等の補助記憶装置とを含む。記憶部２２は、リムーバブルメディアを含んでいてもよい。記憶部２２は、非一時的コンピューター読取可能記憶媒体の一例に相当する。
【0040】
次に、図２を参照して、撥液剤処理ユニット５を説明する。図２は、撥液剤処理ユニット５の内部を示す平面図である。図２に示すように、撥液剤処理ユニット５は、チャンバー１１と、スピンチャック１３と、撥液物質除去機構１５と、除去剤供給部１７と、液受け部１９と、撥液剤塗布部３１と、リンス液供給部３３とを備える。撥液物質除去機構１５は、ブラシ１５１と、揺動アーム１５２とを含む。除去剤供給部１７は、除去剤ノズル１７１と、バルブ１７２と、配管１７３とを含む。撥液剤塗布部３１は、撥液剤ノズル３１１と、アーム３１２とを含む。リンス液供給部３３は、リンス液ノズル３３１を含む。制御部２１は、スピンチャック１３、撥液物質除去機構１５、除去剤供給部１７、撥液剤塗布部３１、及び、リンス液供給部３３を制御する。
【0041】
チャンバー１１は略箱形状を有する。チャンバー１１は、スピンチャック１３、撥液物質除去機構１５、除去剤ノズル１７１、液受け部１９、撥液剤塗布部３１、撥液剤ノズル３１１、及び、リンス液ノズル３３１を収容する。
【0042】
スピンチャック１３は、基板Ｗを保持しつつ基板Ｗを回転させる。具体的には、スピンチャック１３は、基板Ｗを略水平に保持しつつ、基板Ｗを回転軸線ＡＸ１の周りに回転させる。スピンチャック１３は、本発明の「基板保持部」の一例に相当する。
【0043】
撥液剤塗布部３１は、塗布位置Ｐ３において、基板Ｗの径方向ＲＤ外側の端面部５１に撥液剤を塗布する。端面部５１は、基板Ｗのうち回転軸線ＡＸ１の周りの略円環状の部分である。具体的には、撥液剤塗布部３１は、塗布位置Ｐ３において、基板Ｗの径方向ＲＤ外側の端面部５１に対して、撥液剤ノズル３１１によって撥液剤を吐出する。本実施形態では、径方向ＲＤは水平方向に略平行である。また、径方向ＲＤは、回転軸線ＡＸ１に直交する。径方向ＲＤは、回転軸線ＡＸ１に対する径方向と捉えることもできる。なお、回転軸線ＡＸ１の周りの円周方向を周方向ＣＤと記載する場合がある。周方向ＣＤは、基板Ｗの周方向と捉えることもできる。
【0044】
塗布位置Ｐ３は、基板Ｗの端面部５１の上方の位置を示す。一方、待機位置Ｐ４は、塗布位置Ｐ３よりも径方向ＲＤ外側の位置を示す。つまり、待機位置Ｐ４は、基板Ｗから径方向ＲＤに離隔した位置を示す。
【0045】
撥液剤は撥液物質を含む液体である。具体的には、撥液剤は、撥液物質を含む溶液である。撥液物質は、基板Ｗを処理する処理液を弾くことの可能な物質である。つまり、撥液物質は、基板Ｗよりも処理液を弾く性質を有する物質である。撥液物質は、撥液性を有する。撥液性とは、液体を弾く性質のことである。例えば、接触角が９０度以上の物質は、撥液物質である。
【0046】
撥液剤は、溶媒と、溶質としての撥液物質との混合物である。溶媒は、例えば、水である。水は、例えば、リンス液と同じ液体である。撥液物質は、例えば、高分子化合物である。撥液物質は、好ましくは、非フッ素系撥液物質である。一例ではあるが、撥液物質として、日華化学製のネオシード（登録商標）を使用できる。なお、撥液剤は、ワックスであってもよい。
【0047】
撥液物質は、例えば、撥水物質である。撥水物質は、水を弾くことの可能な物質である。つまり、撥水物質は、基板Ｗよりも水を弾く性質を有する物質である。撥水物質は、撥水性を有する。撥水性とは、水を弾く性質のことである。例えば、接触角が９０度以上の物質は、撥水物質である。この場合の水は、例えば、リンス液と同じ液体である。撥液物質として、撥水物質を使用する場合、処理液が水溶液である場合に有効である。なお、撥液物質が撥水物質である場合は、撥液剤は撥水剤である。
【0048】
撥液物質は、例えば、シリコン系撥液物質であってもよしい、アクリル系撥液物質であってもよい。シリコン系撥液物質は、シリコン自体、および、シリコンを含む化合物に撥液性を付与する。シリコン系撥液物質は、例えば、シランカップリング剤である。シランカップリング剤は、例えば、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）、ＴＭＳ（テトラメチルシラン）、フッ素化アルキルクロロシラン、アルキルジシラザン、および非クロロ系疎水化剤の少なくとも一つを含む。非クロロ系疎水化剤は、例えば、ジメチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリルジエチルアミン、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノトリメチルシラン、Ｎ－（トリメチルシリル）ジメチルアミンおよびオルガノシラン化合物の少なくとも一つを含む。
【0049】
なお、撥液物質は、例えば、メタル系撥液物質であってもよい。メタル系撥液物質は、金属自体、および、金属を含む化合物に対して撥液性を付与する。メタル系撥液物質は、例えば、疎水基を有するアミン、および有機シリコン化合物の少なくとも一つを含む。
【0050】
撥液物質除去機構１５は、基板Ｗに吐出された撥液剤が乾燥された後、除去位置Ｐ１において、基板Ｗに付着した撥液物質の除去処理を、除去剤が含浸されたブラシ１５１を使用して実行する。除去処理とは、基板Ｗに付着した撥液物質を基板Ｗから分離する処理のことである。この場合、「分離」は、例えば、基板Ｗのうち撥液物質の付着した部分を除去剤によって研磨することで、撥液物質を基板Ｗから分離することを示す。ただし、「分離」は、例えば、基板Ｗに付着した撥液物質を除去剤によって溶解することで、撥液物質を基板Ｗから分離することであってもよい。
【0051】
除去位置Ｐ１は、基板Ｗの端面部５１に対して径方向ＲＤに面する位置を示す。一方、待機位置Ｐ２は、除去位置Ｐ１よりも径方向ＲＤ外側の位置を示す。つまり、待機位置Ｐ２は、基板Ｗから径方向ＲＤに離隔した位置を示す。待機位置Ｐ２の下方には、液受け部１９が配置される。液受け部１９は、例えば、ポットである。
【0052】
除去剤は、撥液物質を除去するための液体である。換言すれば、除去剤は、撥液物質を基板Ｗから分離するための液体である。除去剤は、例えば、研磨剤を含む液体である。研磨剤は、例えば、酸化セリウムである。除去剤として、例えば、プロスタッフ社製の「キイロビン（登録商標）」を使用できる。なお、撥液物質を基板Ｗから除去（分離）できる限りにおいては、除去剤に含まれる研磨剤の種類は特に限定されない。また、除去剤は、撥液物質を基板Ｗから除去（分離）できる限りにおいては、例えば、撥液物質を溶解させる成分を含む液体であってもよい。
【0053】
リンス液供給部３３は、基板Ｗに付着した撥液物質に対する除去処理が実行された後に、リンス液によって基板Ｗを洗浄する。つまり、リンス液供給部３３は、除去処理が実行された後に、基板Ｗから分離された撥液物質をリンス液によって洗い流す。具体的には、リンス液供給部３３は、除去処理が実行された後に、基板Ｗの径方向ＲＤ外側部分（端面部５１を含む）に対して、リンス液ノズル３３１によってリンス液を吐出する。
【0054】
除去剤供給部１７は、待機位置Ｐ２において、撥液物質除去機構１５のブラシ１５１に対して除去剤を供給する。従って、本実施形態によれば、除去剤をブラシ１５１に効果的に含浸させることができる。ブラシ１５１は、本発明の「除去部材」の一例に相当する。
【0055】
ブラシ１５１は、例えば、略円柱形状を有する。ブラシ１５１は、例えば、弾性を有する。ブラシ１５１は、例えば、多孔質物質を含む。この場合、例えば、ブラシ１５１は、スポンジ状であってもよい。ブラシ１５１は、撥液性を有することが好ましい。撥液剤が基板Ｗに転移し易くなるからである。ブラシ１５１の素材は、例えば、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、又は、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン－パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）である。なお、例えば、ブラシ１５１は、複数の部材を組み合わせて構成されてもよいし、複数の毛を含んでいてもよい。
【0056】
具体的には、除去剤供給部１７の除去剤ノズル１７１が、待機位置Ｐ２に位置するブラシ１５１に対して除去剤を吐出する。その結果、除去剤がブラシ１５１に含浸する。
【0057】
更に具体的には、除去剤ノズル１７１には、配管１７３が接続される。配管１７３は、除去剤を除去剤ノズル１７１に供給する。配管１７３には、バルブ１７２が配置される。バルブ１７２は、配管１７３の流路を閉塞又は開放する。制御部２１は、バルブ１７２が配管１７３の流路を開放するように、バルブ１７２を制御する。その結果、バルブ１７２が配管１７３の流路を開放するため、除去剤ノズル１７１は除去剤をブラシ１５１に向けて吐出する。ブラシ１５１に含浸されなかった除去剤は、液受け部１９に落下し、液受け部１９に溜る。
【0058】
次に、図３を参照して撥液剤処理ユニット５を詳細に説明する。図３は、撥液剤処理ユニット５の内部を示す側面図である。図３に示すように、撥液剤処理ユニット５において、スピンチャック１３は、真空吸着式チャックである。具体的には、スピンチャック１３は、スピン軸１３１と、スピンベース１３２と、スピンモータ１３３とを含む。スピン軸１３１は、略鉛直方向に沿って延びる。スピンベース１３２は、略円板形状を有し、スピン軸１３１の上端に取り付けられる。そして、スピンベース１３２は、略水平な姿勢で基板Ｗを保持する。図３の例では、スピンベース１３２は、基板Ｗを略水平な姿勢で基板Ｗの裏面を吸着して保持する。スピンモータ１３３は、スピン軸１３１と同軸に結合された回転軸を有する。そして、スピンモータ１３３は、基板Ｗがスピンベース１３２に保持された状態で、スピン軸１３１の回転軸線ＡＸ１の周りに基板Ｗを回転させる。
【0059】
撥液剤処理ユニット５は、加熱部２０を更に備える。加熱部２０は、制御部２１による制御の下、基板Ｗの裏面側から、基板Ｗの径方向ＲＤ外側部分を加熱する。加熱部２０は、スピンチャック１３よりも径方向ＲＤ外側に配置される。加熱部２０は、基板Ｗよりも下方に配置される。具体的には、加熱部２０は、基板Ｗの径方向ＲＤ外側部分の下方に配置される。図３の例では、加熱部２０は、回転軸線ＡＸ１の周りに延びる略円環形状を有する。加熱部２０は、例えば、ヒーターである。なお、回転軸線ＡＸ１に沿った方向を軸方向ＡＤと記載する場合がある。軸方向ＡＤは、基板Ｗに直交し、鉛直方向に略平行である。
【0060】
撥液物質除去機構１５は、制御部２１による制御の下、ブラシ１５１を水平方向に沿って揺動させたり、ブラシ１５１を昇降させたりする。撥液物質除去機構１５は、ブラシ１５１を除去位置Ｐ１（図２）と待機位置Ｐ２（図２）との間で移動させる。ブラシ１５１の詳細は後述する。
【0061】
具体的には、撥液物質除去機構１５は、揺動アーム１５２と、揺動機構１５３と、昇降機構１５４と、アーム基軸１５５とを含む。揺動アーム１５２の水平方向一方側の先端には、ブラシ１５１が取り付けられる。そして、揺動アーム１５２は、ブラシ１５１を略水平方向に沿って揺動させたり、ブラシ１５１を昇降させたりする。
【0062】
更に具体的には、揺動機構１５３は、制御部２１による制御の下、揺動アーム１５２を揺動軸線ＡＸ３の周りに略水平方向に沿って揺動させる。詳細には、アーム基軸１５５の上端部が、揺動アーム１５２の水平方向他方側に結合される。揺動機構１５３の駆動力は、アーム基軸１５５に入力される。揺動機構１５３の駆動力をアーム基軸１５５に入力することで、アーム基軸１５５を往復回転させて、揺動アーム１５２を、アーム基軸１５５を支点に揺動させる。揺動機構１５３は、例えば、モーターを含む。
【0063】
また、昇降機構１５４は、制御部２１による制御の下、揺動アーム１５２を昇降させる。詳細には、アーム基軸１５５に、昇降機構１５４が結合されている。昇降機構１５４は、アーム基軸１５５を上下動させて、アーム基軸１５５と一体的に揺動アーム１５２を上下動させる。昇降機構１５４は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与えるモーターとを含む。
【0064】
具体的には、揺動アーム１５２は、アーム本体１５６と、支持軸１５７と、自転機構１５８とを含む。アーム本体１５６は、中空であり、略水平方向に延びる。アーム本体１５６は、揺動機構１５３によって略水平方向に沿って揺動する。アーム本体１５６は、昇降機構１５４によって昇降する。支持軸１５７は、アーム本体１５６の水平方向一方側に位置し、略水平方向に突出する。自転機構１５８は、支持軸１５７に支持される。自転機構１５８の下端部には、ブラシ１５１が取り付けられる。
【0065】
自転機構１５８は、制御部２１による制御の下、回転軸線ＡＸ２の周りにブラシ１５１を回転させる。つまり、自転機構１５８は、ブラシ１５１を自転させる。具体的には、自転機構１５８は、ブラシモーター１６０と、軸部１６１と、第１固定部Ｃ１と、第２固定部Ｃ２とを含む。
【0066】
ブラシモーター１６０の出力軸は、軸部１６１に固定される。軸部１６１は、鉛直下方に向けて延びている。つまり、軸部１６１は、軸方向ＡＤに沿って下方に延びている。軸部１６１の下部には、第１固定部Ｃ１及び第２固定部Ｃ２が取り付けられる。第１固定部Ｃ１及び第２固定部Ｃ２は、ブラシ１５１を軸部１６１に固定する。ブラシモーター１６０は、軸部１６１を回転させることで、第１固定部Ｃ１及び第２固定部Ｃ２と共にブラシ１５１を回転軸線ＡＸ２の周りに回転させる。本実施形態では、回転軸線ＡＸ２は回転軸線ＡＸ１と略平行である。従って、回転軸線ＡＸ１に対する軸方向ＡＤは、回転軸線ＡＸ２に略平行である。よって、軸方向ＡＤは、回転軸線ＡＸ２に対する軸方向と捉えることもできる。
【0067】
また、揺動アーム１５２は付勢機構１５９を更に含む。付勢機構１５９は、制御部２１による制御の下、支持軸１５７及び自転機構１５８を介して、ブラシ１５１を基板Ｗの径方向ＲＤ内側に向けて付勢する。具体的には、付勢機構１５９は、基板Ｗの端面部５１に対するブラシ１５１の径方向ＲＤの押し圧を予め設定された押し圧に保持する。押し圧は、径方向ＲＤにおいて端面部５１にブラシ１５１を押し付けるときの圧力である。例えば、付勢機構１５９は、エアシリンダーによって支持軸１５７を径方向ＲＤに沿って駆動することで、ブラシ１５１を基板Ｗの径方向ＲＤ内側に向けて付勢する。
【0068】
撥液剤塗布部３１は、撥液剤ノズル３１１及びアーム３１２に加えて、回動軸３１３と、ノズル移動機構３１４と、バルブ３１５と、配管３１６とを更に含む。撥液剤ノズル３１１には、配管３１６が接続される。配管３１６は、撥液剤を撥液剤ノズル３１１に供給する。配管３１６には、バルブ３１５が配置される。バルブ３１５は、配管３１６の流路を閉塞又は開放する。制御部２１は、バルブ３１５が配管３１６の流路を開放するように、バルブ３１５を制御する。その結果、バルブ３１５が配管３１６の流路を開放するため、撥液剤ノズル３１１は、撥液剤を基板Ｗの端面部５１に向けて吐出する。
【0069】
【0070】
具体的には、アーム３１２は略水平方向に沿って延びる。アーム３１２の先端部には撥液剤ノズル３１１が取り付けられる。アーム３１２は回動軸３１３に結合される。回動軸３１３は、略鉛直方向に沿って延びる。ノズル移動機構３１４は、回動軸３１３を略鉛直方向に沿った回動軸線のまわりに回動させて、アーム３１２を略水平面に沿って回動させる。その結果、撥液剤ノズル３１１が略水平面に沿って移動する。例えば、ノズル移動機構３１４は、回動軸３１３を回動軸線のまわりに回動させるアーム揺動モーターを含む。アーム揺動モーターは、例えば、サーボモータである。また、ノズル移動機構３１４は、回動軸３１３を略鉛直方向に沿って昇降させて、アーム３１２を昇降させる。その結果、撥液剤ノズル３１１が略鉛直方向に沿って移動する。例えば、ノズル移動機構３１４は、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与えるアーム昇降モーターとを含む。アーム昇降モーターは、例えば、サーボモータである。
【0071】
リンス液供給部３３は、リンス液ノズル３３１に加えて、バルブ３３２と、配管３３３とを更に含む。リンス液ノズル３３１には、配管３３３が接続される。配管３３３は、リンス液をリンス液ノズル３３１に供給する。配管３３３には、バルブ３３２が配置される。バルブ３３２は、配管３３３の流路を閉塞又は開放する。制御部２１は、バルブ３３２が配管３３３の流路を開放するように、バルブ３３２を制御する。その結果、バルブ３３２が配管３３３の流路を開放するため、リンス液ノズル３３１は、リンス液を、基板Ｗの径方向ＲＤ外側部分（端面部５１を含む）に向けて吐出する。
【0072】
次に、図４及び図５を参照して、基板Ｗの詳細を説明する。図４は、基板Ｗを示す断面図である。図４では、基板Ｗの径方向ＲＤ外側部分の断面を拡大して示している。図５は、基板Ｗの一部を示す平面図である。図５では、基板Ｗの径方向ＲＤ外側部分の表面Ａ１を拡大して示している。
【0073】
図４及び図５に示すように、基板Ｗは、本体５０（以下、「基板本体５０」と記載）と、端面部５１とを有する。基板本体５０は、基板Ｗのうち端面部５１を除く部分を示す。換言すれば、基板本体５０は、基板Ｗのうち端面部５１よりも径方向ＲＤ内側部分を示す。更に換言すれば、基板本体５０は、基板Ｗのうち径方向ＲＤに沿った略平坦な部分を示す。基板本体５０には、パターンが形成されている。例えば、基板Ｗの表面Ａ１側において、基板本体５０にパターンが形成されている。なお、例えば、基板Ｗの裏面Ａ２側において、基板本体５０にパターンが形成されていてもよい。基板本体５０は、略円板形状を有する。なお、図５では、理解の容易のために、基板本体５０と端面部５１との境界を破線で示している。
【0074】
具体的には、基板本体５０は、本体表面周縁部５０１及び本体裏面周縁部５０２を含む。本体表面周縁部５０１は、基板本体５０の表面Ａ１のうちの周縁領域を示す。本体裏面周縁部５０２は、基板本体５０の裏面Ａ２のうちの周縁領域を示す。本体表面周縁部５０１及び本体裏面周縁部５０２の各々は、回転軸線ＡＸ１（図２）の周りの略円環状の領域である。本体表面周縁部５０１及び本体裏面周縁部５０２の各々の径方向ＲＤの幅は、例えば、１ｍｍ以上４ｍｍ以下である。
【0075】
端面部５１は、基板Ｗのうち基板本体５０よりも径方向ＲＤ外側の部分を示す。換言すれば、端面部５１は、基板Ｗのうち基板本体５０よりも径方向ＲＤ外側の端面領域を示す。更に換言すれば、端面部５１は、基板Ｗのうち本体表面周縁部５０１及び本体裏面周縁部５０２よりも径方向ＲＤ外側の端面領域を示す。端面部５１は、表面縁部５１１と、表面肩部５１２と、側面部５１５と、裏面肩部５１４と、裏面縁部５１３とを有する。
【0076】
表面縁部５１１は、基板Ｗの表面Ａ１と裏面Ａ２とのうちの表面Ａ１側において、端面部５１のうち、基板本体５０よりも径方向ＲＤ外側に位置する領域であって、側面部５１５よりも径方向ＲＤ内側に位置する領域である。
【0077】
表面縁部５１１は、回転軸線ＡＸ１（図２）の周りの略円環状の領域である。表面縁部５１１は、平面視において、基板本体５０（具体的には本体表面周縁部５０１）を周方向ＣＤに囲む。表面縁部５１１は、断面視において、本体表面周縁部５０１から表面肩部５１２に向かって基板本体５０の表面Ａ１に対して傾斜する傾斜面を含む。表面縁部５１１は、本体表面周縁部５０１に対して傾斜角度θ１を有する。表面縁部５１１は、本体表面周縁部５０１と表面肩部５１２とを接続する。
【0078】
表面肩部５１２は、表面Ａ１側において、端面部５１のうち、表面縁部５１１よりも径方向ＲＤ外側に位置する領域であって、側面部５１５よりも径方向ＲＤ内側に位置する領域である。
【0079】
表面肩部５１２は、回転軸線ＡＸ１（図２）の周りの略円環状の領域である。表面肩部５１２は、平面視において、表面縁部５１１を周方向ＣＤに囲む。表面肩部５１２は、断面視において、表面縁部５１１から側面部５１５に向かって湾曲している湾曲面を含む。表面肩部５１２は、表面縁部５１１と側面部５１５とを接続する。
【0080】
裏面縁部５１３は、裏面Ａ２側において、端面部５１のうち、基板本体５０よりも径方向ＲＤ外側に位置する領域であって、側面部５１５よりも径方向ＲＤ内側に位置する領域である。
【0081】
裏面縁部５１３は、回転軸線ＡＸ１（図２）の周りの略円環状の領域である。裏面縁部５１３は、平面視において、基板本体５０（具体的には本体裏面周縁部５０２）を周方向ＣＤに囲む。裏面縁部５１３は、断面視において、本体裏面周縁部５０２から裏面肩部５１４に向かって基板本体５０の裏面Ａ２に対して傾斜する傾斜面を含む。裏面縁部５１３は、本体裏面周縁部５０２に対して傾斜角度θ２を有する。例えば、傾斜角度θ２は傾斜角度θ１と略同一である。裏面縁部５１３は、本体裏面周縁部５０２と裏面肩部５１４とを接続する。
【0082】
裏面肩部５１４は、裏面Ａ２側において、端面部５１のうち、裏面縁部５１３よりも径方向ＲＤ外側に位置する領域であって、側面部５１５よりも径方向ＲＤ内側に位置する領域である。
【0083】
裏面肩部５１４は、回転軸線ＡＸ１（図２）の周りの略円環状の領域である。裏面縁部５１３は、平面視において、裏面縁部５１３を周方向ＣＤに囲む。裏面肩部５１４は、断面視において、裏面縁部５１３から側面部５１５に向かって湾曲している湾曲面を含む。裏面肩部５１４は、裏面縁部５１３と側面部５１５とを接続する。
【0084】
側面部５１５は、基板Ｗの径方向ＲＤの最も外側に位置する。側面部５１５は、回転軸線ＡＸ１（図２）の周りの略円環状の領域である。側面部５１５は、平面視において、表面肩部５１２及び裏面肩部５１４を周方向ＣＤに囲む。側面部５１５は、断面視において、表面肩部５１２から裏面肩部５１４に向かって延びる平坦面を含む。側面部５１５は、回転軸線ＡＸ１の周りに略円筒形状を有する。側面部５１５は、表面肩部５１２と裏面肩部５１４とを接続する。
【0085】
ここで、図４に示すように、例えば、基板Ｗの軸方向ＡＤの厚みｄは７６５μｍである。また、例えば、表面肩部５１２の曲率半径は２７０μｍ、側面部５１５の軸方向ＡＤの長さＬ０は２２８μｍ、裏面肩部５１４の曲率半径は２３８μｍである。また、例えば、長さＬ１は３１４μｍ、長さＬ２は３２３μｍである。長さＬ１は、表面縁部５１１の径方向ＲＤ内側端部から、表面肩部５１２の径方向ＲＤ外側端部（側面部５１５）までの径方向ＲＤに沿った距離を示す。長さＬ２は、裏面縁部５１３の径方向ＲＤ内側端部から、裏面肩部５１４の径方向ＲＤ外側端部（側面部５１５）までの径方向ＲＤに沿った距離を示す。また、例えば、表面縁部５１１の傾斜角度θ１は２２．３度、裏面縁部５１３の傾斜角度θ２は２３．３度である。
【0086】
【0087】
次に、図６及び図７を参照して、本実施形態に係る撥液物質除去方法を説明する。撥液物質除去方法は、本実施形態に係る基板処理方法の一部を構成する。図６及び図７は、本実施形態に係る撥液物質除去方法を示す図である。図６及び図７では、図面を見易くするために、ブラシ１５１については側面を示し、基板Ｗについては断面を示している。
【0088】
【0089】
まず、図６に示すように、工程Ｓ１００において、待機位置Ｐ２にて、除去剤ノズル１７１は、自転中のブラシ１５１に向けて除去剤８７を吐出する。その結果、ブラシ１５１に除去剤８７が含浸する。特に、工程Ｓ１００では、自転機構１５８（図３）がブラシ１５１を自転させているので、除去剤８７がブラシ１５１に均等に染み込む。図６では、除去剤ノズル１７１は、回転軸線ＡＸ２に交差する方向に除去剤８７を吐出している。具体的には、除去剤ノズル１７１は、回転軸線ＡＸ２に略直交する方向に除去剤８７を吐出している。また、揺動アーム１５２（図３）は、ブラシ１５１を軸方向ＡＤに沿って移動（昇降）させる。従って、除去剤ノズル１７１が固定されている場合でも、ブラシ１５１の全体に除去剤８７を吐出できる。その結果、ブラシ１５１の全体に除去剤を効果的に含浸できる。なお、ノズル移動機構３１４と同様の機構によって、除去剤ノズル１７１を移動（昇降）できるようにしてもよい。
【0090】
次に、工程Ｓ２００において、塗布位置Ｐ３にて、撥液剤ノズル３１１は、回転中の基板Ｗの端面部５１に撥液剤８１を吐出することで、基板Ｗの端面部５１に撥液剤８１を塗布する。この場合、基板Ｗに向けて撥液剤８１を吐出するため、撥液剤８１は、端面部５１だけでなく、本体表面周縁部５０１にも付着する。また、撥液剤８１は、本体裏面周縁部５０２に回り込む場合もある。
【0091】
次に、工程Ｓ３００において、加熱部２０は、基板Ｗの下方から、回転中の基板Ｗの径方向ＲＤ外側部分を加熱することで、工程Ｓ２００で塗布された撥液剤８１を乾燥させる。その結果、撥液剤８１から溶媒が蒸発し、撥液物質８２が基板Ｗの端面部５１、本体表面周縁部５０１、及び、本体裏面周縁部５０２に付着する。つまり、撥液剤８１が乾燥して、撥液剤８１中の撥液物質８２が、基板Ｗの端面部５１、本体表面周縁部５０１、及び、本体裏面周縁部５０２に付着する。
【0092】
次に、図７に示すように、工程Ｓ４００において、除去位置Ｐ１にて、ブラシ１５１は、回転中の基板Ｗの側面部５１５、表面肩部５１２、及び、裏面肩部５１４に対して離隔しつつ、回転中の基板Ｗの本体表面周縁部５０１、表面縁部５１１、裏面縁部５１３、及び、本体裏面周縁部５０２に接触することで、本体表面周縁部５０１、表面縁部５１１、裏面縁部５１３、及び、本体裏面周縁部５０２に付着した撥液物質８２（工程Ｓ３００）に除去剤８７を接触させる。その結果、側面部５１５、表面肩部５１２、及び、裏面肩部５１４に撥液物質８２を残しつつ、本体表面周縁部５０１、表面縁部５１１、裏面縁部５１３、及び、本体裏面周縁部５０２に付着した撥液物質８２が、除去剤８７によって除去される。つまり、側面部５１５、表面肩部５１２、及び、裏面肩部５１４に撥液物質８２を残しつつ、本体表面周縁部５０１、表面縁部５１１、裏面縁部５１３、及び、本体裏面周縁部５０２に付着した撥液物質８２が、本体表面周縁部５０１、表面縁部５１１、裏面縁部５１３、及び、本体裏面周縁部５０２から分離される。その結果、本実施形態によれば、余分な撥液物質８２だけを基板Ｗから除去（分離）できる。
【0093】
好ましくは、工程Ｓ４００では、自転機構１５８（図３）がブラシ１５１を自転させる。この場合、ブラシ１５１は、回転中の基板Ｗの側面部５１５、表面肩部５１２、及び、裏面肩部５１４に対して離隔しつつ、自転しながら、回転中の基板Ｗの本体表面周縁部５０１、表面縁部５１１、裏面縁部５１３、及び、本体裏面周縁部５０２に接触する。その結果、本実施形態によれば、より効果的に余分な撥液物質８２を基板Ｗから除去（分離）できる。
【0094】
図７の例では、基板Ｗとブラシ１５１との接触位置において、基板Ｗの回転方向とブラシ１５１の自転方向とは逆である。従って、余分な撥液物質８２をより確実に基板Ｗから除去（分離）できる。なお、基板Ｗとブラシ１５１との接触位置において、基板Ｗの回転方向とブラシ１５１の自転方向とが同じであってもよい。
【0095】
次に、工程Ｓ５００において、リンス液ノズル３３１は、回転中の基板Ｗにリンス液８６を吐出することで、基板Ｗから分離された余分な撥液物質８２を基板Ｗから洗い流す。その後、基板Ｗの回転によって、基板Ｗに付着したリンス液が乾燥される。
【0096】
例えば、リンス液ノズル３３１は、本体表面周縁部５０１及び端面部５１にリンス液８６を吐出する。なお、リンス液ノズル３３１は、基板Ｗの表面Ａ１全体にリンス液８６を吐出してもよい。また、基板Ｗの表面Ａ１からだけでなく、基板Ｗの裏面Ａ２からリンス液を吐出してもよい。
【0097】
例えば、工程Ｓ５００の後、側面部５１５、表面肩部５１２、及び、裏面肩部５１４に撥液物質８２が付着した基板Ｗは、処理ユニット１（図１）に搬入される。そして、裏面用ノズル８（図１）が、基板Ｗの裏面Ａ２に処理液を吐出する。この場合、基板Ｗの側面部５１５、表面肩部５１２、及び、裏面肩部５１４に付着した撥液物質８２が処理液を弾くので、処理液が基板Ｗの裏面Ａ２から表面Ａ１に回り込むことを抑制できる。その結果、基板Ｗの表面Ａ１に形成されたパターンが裏面Ａ２に吐出された処理液の影響を受けることを抑制できる。
【0098】
ここで、基板Ｗの側面部５１５、表面肩部５１２、及び、裏面肩部５１４に付着した撥液物質８２は高分子化合物である。従って、撥液物質８２を除去する作業は不要である。なぜなら、撥液物質８２は、側面部５１５、表面肩部５１２、及び、裏面肩部５１４に存在するに過ぎないからである。
【0099】
以上、図７を参照して、除去剤を撥液物質に接触させる工程の一例として工程Ｓ４００を説明した。ただし、次のような変形も可能である。
【0100】
すなわち、スピンチャック１３（図３）は、撥液物質が少なくとも本体表面周縁部５０１及び端面部５１に付着した基板Ｗを保持しつつ回転させる。そして、ブラシ１５１は、基板Ｗの回転中において、基板Ｗの端面部５１における径方向ＲＤの側面部５１５に対して離隔しつつ、少なくとも基板Ｗの本体表面周縁部５０１に接触することで、撥液物質を除去することの可能な除去剤を、本体表面周縁部５０１に付着した撥液物質に接触させる。その結果、側面部５１５に撥液物質８２を残しつつ、少なくとも、本体表面周縁部５０１に付着した撥液物質８２が、除去剤８７によって除去される。つまり、側面部５１５に撥液物質８２を残しつつ、少なくとも、本体表面周縁部５０１に付着した撥液物質８２が、本体表面周縁部５０１から分離される。その結果、本実施形態によれば、余分な撥液物質８２だけを基板Ｗから除去（分離）できる。
【0101】
好ましくは、ブラシ１５１は、基板Ｗの側面部５１５に対して離隔しつつ、自転しながら、少なくとも本体表面周縁部５０１に接触する。この場合、少なくとも本体表面周縁部５０１から、より効果的に撥液物質８２を除去（分離）できる。
【0102】
また、本体裏面周縁部５０２に撥液物質が付着している場合もある。この場合、スピンチャック１３は、撥液物質が、本体表面周縁部５０１、本体裏面周縁部５０２、及び端面部５１に付着した基板Ｗを保持しつつ回転させる。そして、ブラシ１５１は、基板Ｗの回転中において、基板Ｗの側面部５１５に対して離隔しつつ、少なくとも基板Ｗの本体表面周縁部５０１及び本体裏面周縁部５０２に接触することで、除去剤を、本体表面周縁部５０１及び本体裏面周縁部５０２に付着した撥液物質に接触させる。その結果、側面部５１５に撥液物質８２を残しつつ、少なくとも、本体表面周縁部５０１及び本体裏面周縁部５０２に付着した撥液物質８２が、除去剤８７によって除去される。つまり、余分な撥液物質８２だけを基板Ｗから除去（分離）できる。
【0103】
好ましくは、ブラシ１５１は、基板Ｗの側面部５１５に対して離隔しつつ、自転しながら、少なくとも本体表面周縁部５０１及び本体裏面周縁部５０２に接触する。この場合、少なくとも本体表面周縁部５０１及び本体裏面周縁部５０２から、より効果的に撥液物質８２を除去（分離）できる。
【0104】
次に、図８を参照して、ブラシ１５１の詳細を説明する。図８は、ブラシ１５１を示す側面図である。図８に示すように、ブラシ１５１は、第１接触部Ｂ１と、第２接触部Ｂ２とを含む。第１接触部Ｂ１と第２接触部Ｂ２とは、一定方向に間隔をあけて並んでいる。図８の例では、第１接触部Ｂ１と第２接触部Ｂ２とは、軸方向ＡＤに間隔をあけて並んでいる。
【0105】
第１接触部Ｂ１は、第１外側接触部Ｂ１１と、第１内側接触部Ｂ１２とを含む。第１外側接触部Ｂ１１は、略円柱形状又は略円板形状を有する。第１外側接触部Ｂ１１は、第１嵌合部５５を有する。第１嵌合部５５は、略円柱状又は略円板状の空間を含む。第１外側接触部Ｂ１１は、平坦面Ｂ１４を含む。平坦面Ｂ１４は、回転軸線ＡＸ２の周りに略円環形状を有する。平坦面Ｂ１４は、第１外側接触部Ｂ１１の下端面である。
【0106】
第１固定部Ｃ１は、第１外側接触部Ｂ１１の上面に固定される。また、第１固定部Ｃ１は、軸部１６１に固定される。
【0107】
第１内側接触部Ｂ１２は、第１外側接触部Ｂ１１の内側に配置される。第１内側接触部Ｂ１２は、第１非接触部４１と、第１傾斜接触部４３とを有する。第１非接触部４１は、略円柱形状又は略円板形状を有する。第１非接触部４１は、第１嵌合部５５に嵌合して、第１外側接触部Ｂ１１の内部に固定される。第１傾斜接触部４３は、略逆円錐台形状を有する。第１傾斜接触部４３は、第１外側接触部Ｂ１１から第２接触部Ｂ２に向かって突出している。第１傾斜接触部４３は傾斜面Ｂ１３を有する。傾斜面Ｂ１３は、平坦面Ｂ１４に対して傾斜している。傾斜面Ｂ１３は、平坦面Ｂ１４に対して傾斜角度θ１を有する。傾斜面Ｂ１３の傾斜角度θ１は、表面縁部５１１の傾斜角度θ１（図４）と略同じである。傾斜面Ｂ１３は、略逆切頭円錐面である。
【0108】
第２接触部Ｂ２は、第２外側接触部Ｂ２１と、第２内側接触部Ｂ２２とを含む。第２外側接触部Ｂ２１は、略円柱形状又は略円板形状を有する。第２外側接触部Ｂ２１は、第２嵌合部５６を有する。第２嵌合部５６は、略円柱状又は略円板状の空間を含む。第２外側接触部Ｂ２１は、平坦面Ｂ２４を含む。平坦面Ｂ２４は、回転軸線ＡＸ２の周りに略円環形状を有する。平坦面Ｂ２４は、第２外側接触部Ｂ２１の上端面である。
【0109】
第２固定部Ｃ２は、第２外側接触部Ｂ２１の下面に固定される。また、第２固定部Ｃ２は、軸部１６１に固定される。
【0110】
第２内側接触部Ｂ２２は、第２外側接触部Ｂ２１の内側に配置される。第２内側接触部Ｂ２２は、第２非接触部４２と、第２傾斜接触部４４とを有する。第２非接触部４２は、略円柱形状又は略円板形状を有する。第２非接触部４２は、第２嵌合部５６に嵌合して、第２外側接触部Ｂ２１の内部に固定される。第２傾斜接触部４４は、略円錐台形状を有する。第２傾斜接触部４４は、第２外側接触部Ｂ２１から第１接触部Ｂ１に向かって突出している。第２傾斜接触部４４は傾斜面Ｂ２３を有する。傾斜面Ｂ２３は、平坦面Ｂ２４に対して傾斜している。傾斜面Ｂ２３は、平坦面Ｂ２４に対して傾斜角度θ２を有する。傾斜面Ｂ２３の傾斜角度θ２は、表面縁部５１１の傾斜角度θ２（図４）と略同じである。傾斜面Ｂ２３は、略切頭円錐面である。
【0111】
第１外側接触部Ｂ１１の平坦面Ｂ１４と第２外側接触部Ｂ２１の平坦面Ｂ２４とは、軸方向ＡＤに間隔をあけて対向している。また、第１内側接触部Ｂ１２の傾斜面Ｂ１３と第２内側接触部Ｂ２２の傾斜面Ｂ２３とは、軸方向ＡＤに間隔をあけて対向している。本実施形態では、第１接触部Ｂ１と第２接触部Ｂ２とは、仮想平面ＰＬに対して対称である。仮想平面ＰＬは、回転軸線ＡＸ２に直交する仮想平面であり、対向軸部１６１ａの軸方向ＡＤの中点を通る。また、本実施形態では、傾斜角度θ１と傾斜角度θ２とは略同じである。
【0112】
なお、第１外側接触部Ｂ１１と第１内側接触部Ｂ１２とは、一体的に構成されていてもよい。第２外側接触部Ｂ２１と第２内側接触部Ｂ２２とは、一体的に構成されていてもよい。
【0113】
また、撥液剤処理ユニット５（図３）は、不活性ガス供給部３５を更に備える。不活性ガス供給部３５は、第１接触部Ｂ１と第２接触部Ｂ２との間から、不活性ガスを供給する。不活性ガスは、例えば、窒素又はアルゴンである。具体的には、不活性ガス供給部３５は、不活性ガス吐出部３５３と、配管３５２と、バルブ３５１とを備える。不活性ガス吐出部３５３は、第１接触部Ｂ１と第２接触部Ｂ２との間から、軸部１６１の外方に向かって不活性ガスを吐出する。不活性ガス吐出部３５３は、例えば、ノズルである。
【0114】
具体的には、不活性ガス吐出部３５３には、配管３５２が接続される。配管３５２は、不活性ガスを不活性ガス吐出部３５３に供給する。配管３５２には、バルブ３５１が配置される。バルブ３５１は、配管３５２の流路を閉塞又は開放する。制御部２１は、バルブ３５１が配管３５２の流路を開放するように、バルブ３５１を制御する。その結果、バルブ３５１が配管３５２の流路を開放するため、不活性ガス吐出部３５３は、不活性ガスを吐出する。
【0115】
更に具体的には、不活性ガス吐出部３５３は、対向軸部１６１ａに配置される。対向軸部１６１ａは、軸部１６１のうち、第１接触部Ｂ１と第２接触部Ｂ２との間に位置する部分である。軸部１６１は、例えば、第１接触部Ｂ１及び第２接触部Ｂ２を軸方向ＡＤに貫通している。
【0116】
次に、図９を参照して、ブラシ１５１による撥液物質８２の除去処理の一例を説明する。図９は、ブラシ１５１による撥液物質の除去処理の一例を示す図である。図９では、図面を分かり易くするために、ブラシ１５１については側面を示し、基板Ｗについては断面を示している。また、図面を簡略にするために、断面を示す斜線を省略している。
【0117】
図９に示すように、第１接触部Ｂ１は、基板Ｗの回転中において、基板Ｗの側面部５１５に対して離隔しつつ、少なくとも基板Ｗの本体表面周縁部５０１に接触することで、本体表面周縁部５０１に付着した撥液物質に除去剤を接触させる。つまり、第１接触部Ｂ１に含浸された除去剤が本体表面周縁部５０１及び撥液物質に転移される。従って、側面部５１５に撥液物質８２を残しつつ、除去剤によって本体表面周縁部５０１から撥液物質を除去（分離）できる。
【0118】
一方、第２接触部Ｂ２は、基板Ｗの回転中において、基板Ｗの側面部５１５に対して離隔しつつ、少なくとも基板Ｗの本体裏面周縁部５０２に接触することで、本体裏面周縁部５０２に付着した撥液物質に除去剤を接触させる。つまり、第２接触部Ｂ２に含浸された除去剤が本体裏面周縁部５０２及び撥液物質に転移される。従って、側面部５１５に撥液物質８２を残しつつ、除去剤によって本体裏面周縁部５０２から撥液物質を除去（分離）できる。
【0119】
具体的には、第１外側接触部Ｂ１１は、基板Ｗの回転中において、本体表面周縁部５０１に接触することで、本体表面周縁部５０１に付着した撥液物質に除去剤を接触させる。つまり、第１外側接触部Ｂ１１に含浸された除去剤が本体表面周縁部５０１及び撥液物質に転移される。従って、除去剤によって本体表面周縁部５０１から撥液物質を効果的に除去（分離）できる。
【0120】
また、第１内側接触部Ｂ１２は、基板Ｗの回転中において、基板Ｗの端面部５１における表面縁部５１１に接触することで、表面縁部５１１に付着した撥液物質に除去剤を接触させる。つまり、第１内側接触部Ｂ１２に含浸された除去剤が表面縁部５１１及び撥液物質に転移される。従って、除去剤によって表面縁部５１１から撥液物質を効果的に除去（分離）できる。
【0121】
一方、第２外側接触部Ｂ２１は、基板Ｗの回転中において、基板Ｗの本体裏面周縁部５０２に接触することで、本体裏面周縁部５０２に付着した撥液物質に除去剤を接触させる。つまり、第２外側接触部Ｂ２１に含浸された除去剤が本体裏面周縁部５０２及び撥液物質に転移される。従って、除去剤によって本体裏面周縁部５０２から撥液物質を効果的に除去（分離）できる。
【0122】
また、第２内側接触部Ｂ２２は、基板Ｗの回転中において、基板Ｗの端面部５１における裏面縁部５１３に接触することで、裏面縁部５１３に付着した撥液物質に除去剤を接触させる。つまり、第２内側接触部Ｂ２２に含浸された除去剤が裏面縁部５１３及び撥液物質に転移される。従って、除去剤によって裏面縁部５１３から撥液物質を効果的に除去（分離）できる。
【0123】
更に具体的には、第１外側接触部Ｂ１１の平坦面Ｂ１４は、本体表面周縁部５０１に接触する。従って、第１外側接触部Ｂ１１に含浸されている除去液が、平坦面Ｂ１４を介して、本体表面周縁部５０１に付着した撥液物質に接触する。そして、本体表面周縁部５０１に付着した撥液物質は、例えば、除去液及び平坦面Ｂ１４によって研磨されて、本体表面周縁部５０１から分離する。このように、本体表面周縁部５０１からより効果的に撥液物質を除去できる。
【0124】
また、第１内側接触部Ｂ１２の傾斜面Ｂ１３は、表面縁部５１１に接触する。従って、第１内側接触部Ｂ１２に含浸されている除去液が、傾斜面Ｂ１３を介して、表面縁部５１１に付着した撥液物質に接触する。そして、表面縁部５１１に付着した撥液物質は、例えば、除去液及び傾斜面Ｂ１３によって研磨されて、表面縁部５１１から分離する。このように、表面縁部５１１からより効果的に撥液物質を除去できる。傾斜面Ｂ１３は、表面縁部５１１に沿って傾斜している。
【0125】
一方、第２外側接触部Ｂ２１の平坦面Ｂ２４は、本体裏面周縁部５０２に接触する。従って第２外側接触部Ｂ２１に含浸されている除去液が、平坦面Ｂ２４を介して、本体裏面周縁部５０２に付着した撥液物質に接触する。そして、本体裏面周縁部５０２に付着した撥液物質は、例えば、除去液及び平坦面Ｂ２４によって研磨されて、本体裏面周縁部５０２から分離する。このように、本体裏面周縁部５０２からより効果的に撥液物質を除去できる。
【0126】
また、第２内側接触部Ｂ２２の傾斜面Ｂ２３は、裏面縁部５１３に接触する。従って、第２内側接触部Ｂ２２に含浸されている除去液が、傾斜面Ｂ２３を介して、裏面縁部５１３に付着した撥液物質に接触する。そして、裏面縁部５１３に付着した撥液物質は、例えば、除去液及び傾斜面Ｂ２３によって研磨されて、裏面縁部５１３から分離する。このように、裏面縁部５１３からより効果的に撥液物質を除去できる。傾斜面Ｂ２３は、裏面縁部５１３に沿って傾斜している。
【0127】
以上、図９を参照して説明した除去処理を実行した結果、基板Ｗの本体表面周縁部５０１と表面縁部５１１と裏面縁部５１３と本体裏面周縁部５０２とから撥液物質を除去しつつも、基板Ｗの端面部５１の表面肩部５１２と側面部５１５と裏面肩部５１４とに撥液物質８２を残すことができる。
【0128】
また、対向軸部１６１ａは、基板Ｗの端面部５１に付着した撥液物質８２に対して、径方向ＲＤａに間隔をあけて対向する。径方向ＲＤａは、回転軸線ＡＸ２に対する径方向を示し、回転軸線ＡＸ２に直交する。不活性ガス吐出部３５３は、対向軸部１６１ａから径方向ＲＤａ外側に向けて不活性ガスを吐出する。その結果、撥液物質８２が不活性ガスに曝され、撥液物質８２の酸化を防止できる。
【0129】
なお、第１内側接触部Ｂ１２（具体的には傾斜面Ｂ１３）は、基板Ｗの回転中において、基板Ｗの端面部５１における表面縁部５１１及び表面肩部５１２に接触することで、表面縁部５１１及び表面肩部５１２に付着した撥液物質に除去剤を接触させてもよい。この場合、除去剤によって表面縁部５１１及び表面肩部５１２から撥液物質を効果的に除去（分離）できる。一方、第２内側接触部Ｂ２２（具体的には傾斜面Ｂ２３）は、基板Ｗの回転中において、基板Ｗの端面部５１における裏面縁部５１３及び裏面肩部５１４に接触することで、裏面縁部５１３及び裏面肩部５１４に付着した撥液物質に除去剤を接触させてもよい。この場合、除去剤によって裏面縁部５１３及び裏面肩部５１４から撥液物質を効果的に除去（分離）できる。
【0130】
この場合、例えば、制御部２１は付勢機構１５９（図３）による付勢力（押し圧）を調整し、ブラシ１５１の第１内側接触部Ｂ１２及び第２内側接触部Ｂ２２を弾性変形させることで、ブラシ１５１の第１内側接触部Ｂ１２を、表面縁部５１１及び表面肩部５１２に接触させるとともに、ブラシ１５１の第２内側接触部Ｂ２２を、裏面縁部５１３及び裏面肩部５１４に接触させる。
【0131】
次に、図１０を参照して、変形例に係るブラシ１５１Ａによる撥液物質８２の除去処理の一例を説明する。図１０は、ブラシ１５１Ａによる撥液物質の除去処理の一例を示す図である。図１０では、図面を分かり易くするために、ブラシ１５１Ａについては側面を示し、基板Ｗについては断面を示している。また、図面を簡略にするために、断面を示す斜線を省略している。
【0132】
図１０に示すように、第１接触部Ｂ１は第１内側接触部Ｂ１２ａを含む。第１内側接触部Ｂ１２ａの傾斜面Ｂ１３は、表面縁部５１１の上側領域ａ１に接触し、表面縁部５１１の下側領域ｂ１には接触しない。従って、上側領域ａ１に付着した撥液物質だけが除去され、下側領域ｂ１に付着した撥液物質は残る。
【0133】
一方、第２接触部Ｂ２は第２内側接触部Ｂ２２ａを含む。第２内側接触部Ｂ２２ａの傾斜面Ｂ１３は、裏面縁部５１３の下側領域ａ２に接触し、裏面縁部５１３の上側領域ｂ２には接触しない。従って、下側領域ａ２に付着した撥液物質だけが除去され、上側領域ｂ２に付着した撥液物質は残る。
【0134】
以上、図１０を参照して説明した除去処理を実行した結果、基板Ｗの本体表面周縁部５０１と表面縁部５１１の上側領域ａ１と裏面縁部５１３の下側領域ａ２と本体裏面周縁部５０２とから撥液物質を除去しつつも、基板Ｗの端面部５１の表面縁部５１１の下側領域ｂ１と表面肩部５１２と側面部５１５と裏面肩部５１４と裏面縁部５１３の上側領域ｂ２とに撥液物質８２を残すことができる。
【0135】
なお、第１外側接触部Ｂ１１と第１内側接触部Ｂ１２ａとは、一体的に構成されていてもよい。第２外側接触部Ｂ２１と第２内側接触部Ｂ２２ａとは、一体的に構成されていてもよい。
【0136】
次に、図１１を参照して、別の変形例に係るブラシ１５１Ｂによる撥液物質８２の除去処理の一例を説明する。図１１は、ブラシ１５１Ｂによる撥液物質の除去処理の一例を示す図である。図１１では、図面を分かり易くするために、ブラシ１５１Ｂについては側面を示し、基板Ｗについては断面を示している。また、図面を簡略にするために、断面を示す斜線を省略している。
【0137】
図１１に示すように、第１接触部Ｂ１は、第１外側接触部Ｂ１１を有し、第１内側接触部Ｂ１２（図９）を有していない。つまり、第１接触部Ｂ１の構成は第１外側接触部Ｂ１１の構成と同じである。この場合、第１接触部Ｂ１は第１嵌合部５５（図９）を有していなくてもよい。そして、第１接触部Ｂ１の平坦面Ｂ１４が、基板Ｗの端面部５１に対して離隔しつつ、本体表面周縁部５０１に接触する。従って、本体表面周縁部５０１に付着した撥液物質だけが除去される。
【0138】
一方、第２接触部Ｂ２は、第２外側接触部Ｂ２１を有し、第２内側接触部Ｂ２２（図９）を有していない。つまり、第２接触部Ｂ２の構成は第２外側接触部Ｂ２１の構成と同じである。この場合、第２接触部Ｂ２は第２嵌合部５６（図９）を有していなくてもよい。そして、第１接触部Ｂ１の平坦面Ｂ２４が、基板Ｗの端面部５１に対して離隔しつつ、本体裏面周縁部５０２に接触する。従って、本体裏面周縁部５０２に付着した撥液物質だけが除去される。
【0139】
以上、図１１を参照して説明した除去処理を実行した結果、基板Ｗの本体表面周縁部５０１と本体裏面周縁部５０２とから撥液物質を除去しつつも、基板Ｗの端面部５１の全体に撥液物質８２を残すことができる。
【0140】
次に、図１～図３及び図１２を参照して、本実施形態に係る基板処理方法を説明する。基板処理方法は、撥液物質を除去することの可能な除去剤を撥液物質に接触させるブラシ１５１を使用する。基板処理方法は撥液物質除去方法を含んでいる。図１２は、本実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。図１２に示すように、基板処理方法は工程Ｓ１～工程Ｓ１３を含む。工程Ｓ１～工程Ｓ１３は基板処理装置１００によって実行される。
【0141】
まず、図２、図３、及び、図１０に示すように、工程Ｓ１において、除去剤供給部１７は、待機位置Ｐ２に位置するブラシ１５１を自転させながらブラシ１５１に対して除去剤を供給する。具体的には、制御部２１は、ブラシ１５１が自転するように、自転機構１５８を制御する。その結果、自転機構１５８はブラシ１５１を自転させる。更に、制御部２１は、除去剤をブラシ１５１に供給するように、除去剤供給部１７を制御する。その結果、除去剤供給部１７は、ブラシ１５１に除去剤を供給する。なお、ブラシ１５１の自転と除去剤の供給とは同時に実行されてもよいし、自転が先で除去剤の供給が後でもよいし、自転が後で除去剤の供給が先でもよい。なお、ブラシ１５１への除去剤の供給が完了すると、自転機構１５８はブラシ１５１の自転を停止する。
【0142】
次に、図１及び図１０に示すように、工程Ｓ２において、制御部２１は、基板Ｗを撥液剤処理ユニット５に搬入するように、センターロボットＣＲを制御する。その結果、センターロボットＣＲは、基板Ｗを撥液剤処理ユニット５に搬入し、基板Ｗをスピンチャック１３に保持させる。
【0143】
【0144】
次に、工程Ｓ４において、撥液剤塗布部３１は、塗布位置Ｐ３において、回転中の基板Ｗの端面部５１に向けて撥液剤を吐出する。具体的には、制御部２１は、撥液剤ノズル３１１が回転中の基板Ｗの端面部５１に撥液剤を吐出するように、バルブ３１５を制御する。その結果、バルブ３１５が配管３１６の流路を開放するため、撥液剤ノズル３１１は、基板Ｗの端面部５１に撥液剤を吐出する。よって、基板Ｗの端面部５１に撥液剤が塗布される。ただし、撥液剤ノズル３１１によって撥液剤の塗布が実行されるため、基板Ｗの本体表面周縁部５０１及び本体裏面周縁部５０２にも、撥液剤が塗布される。撥液剤の塗布が完了すると、撥液剤ノズル３１１は撥液剤の吐出を停止する。
【0145】
次に、工程Ｓ５において、スピンチャック１３は、撥液物質が少なくとも本体表面周縁部５０１及び端面部５１に付着した基板Ｗを保持しつつ回転させる。典型的には、スピンチャック１３は、撥液物質が本体表面周縁部５０１と本体裏面周縁部５０２と端面部５１とに付着した基板Ｗを保持しつつ回転させる。基板Ｗの回転は工程Ｓ３から継続している。そして、加熱部２０は、基板Ｗの下方から、基板Ｗの径方向ＲＤ外側部分を加熱する。具体的には、制御部２１は、基板Ｗを加熱するように、加熱部２０を制御する。その結果、加熱部２０は、基板Ｗを加熱し、基板Ｗに塗布された撥液剤を熱によって乾燥する。よって、基板Ｗの端面部５１、本体表面周縁部５０１、及び、本体裏面周縁部５０２に、撥液剤に含まれた撥液物質が付着する。
【0146】
次に、工程Ｓ６において、ブラシ１５１は、自転しながら、回転中の基板Ｗに接触して、基板Ｗから余分な撥液物質を除去（分離）する。
【0147】
具体的には、制御部２１は、ブラシ１５１が自転するように、自転機構１５８を制御する。その結果、自転機構１５８は、ブラシ１５１を自転させる。そして、制御部２１は、ブラシ１５１が待機位置Ｐ２から除去位置Ｐ１に移動するように、揺動アーム１５２を制御する。従って、揺動アーム１５２はブラシ１５１を待機位置Ｐ２から除去位置Ｐ１に移動させる。その結果、ブラシ１５１は、必要な撥液物質を基板Ｗに残しつつ、基板Ｗから余分な撥液物質だけを除去する。余分な撥液物質の除去が完了すると、揺動アーム１５２はブラシ１５１を除去位置Ｐ１から待機位置Ｐ２に移動させるとともに、自転機構１５８はブラシ１５１の自転を停止する。
【0148】
詳細には、工程Ｓ６では、基板Ｗの回転中において、基板Ｗの端面部５１における径方向ＲＤの側面部５１５に対してブラシ１５１を離隔させつつ、少なくとも基板Ｗの本体表面周縁部５０１にブラシ１５１を接触させることで、本体表面周縁部５０１に付着した撥液物質に除去剤を接触させる。
【0149】
より詳細には、工程Ｓ６では、ブラシ１５１は、第１接触動作と第２接触動作とを実行する。第１接触動作は、基板Ｗの回転中において、基板Ｗの側面部５１５に対して第１接触部Ｂ１を離隔させつつ、少なくとも基板Ｗの本体表面周縁部５０１に第１接触部Ｂ１を接触させることで、本体表面周縁部５０１に付着した撥液物質にブラシ１５１を接触させる動作である。第２接触動作は、基板Ｗの回転中において、基板Ｗの側面部５１５に対して第２接触部Ｂ２を離隔させつつ、少なくとも基板Ｗの本体裏面周縁部５０２に第２接触部Ｂ２を接触させることで、本体裏面周縁部５０２に付着した撥液物質８２に除去剤を接触させる動作である。
【0150】
より詳細には、工程Ｓ６では、第１接触動作として、第１本体接触動作と第１端面接触動作とを実行する。
【0151】
第１本体接触動作は、基板Ｗの回転中において、第１外側接触部Ｂ１１を本体表面周縁部５０１に接触させることで、本体表面周縁部５０１に付着した撥液物質に除去剤を接触させる動作である。
【0152】
第１端面接触動作は、基板Ｗの回転中において、第１内側接触部Ｂ１２を基板Ｗの端面部５１における表面縁部５１１に接触させることで、表面縁部５１１に付着した撥液物質に除去剤を接触させる動作である。なお、第１端面接触動作は、基板Ｗの回転中において、第１内側接触部Ｂ１２を基板Ｗの表面縁部５１１及び表面肩部５１２に接触させることで、表面縁部５１１及び表面肩部５１２に付着した撥液物質に除去剤を接触させる動作であってもよい。
【0153】
また、工程Ｓ６では、第２接触動作として、第２本体接触動作と第２端面接触動作とを実行する。
【0154】
第２本体接触動作は、基板Ｗの回転中において、第２外側接触部Ｂ２１を基板Ｗの本体裏面周縁部５０２に接触させることで、本体裏面周縁部５０２に付着した撥液物質に除去剤を接触させる動作である。
【0155】
第２端面接触動作は、基板Ｗの回転中において、第２内側接触部Ｂ２２を基板Ｗの端面部５１における裏面縁部５１３に接触させることで、裏面縁部５１３に付着した撥液物質に除去剤を接触させる動作である。なお、第２端面接触動作は、基板Ｗの回転中において、第２内側接触部Ｂ２２を基板Ｗの裏面縁部５１３及び裏面肩部５１４に接触させることで、裏面縁部５１３及び裏面肩部５１４に付着した撥液物質に除去剤を接触させる動作であってもよい。
【0156】
また、好ましくは、工程Ｓ６では、基板Ｗの側面部５１５に対してブラシ１５１を離隔させつつ、ブラシ１５１を自転させながら、少なくとも本体表面周縁部５０１にブラシ１５１を接触させる。更に好ましくは、工程Ｓ６では、基板Ｗの側面部５１５に対してブラシ１５１を離隔させつつ、ブラシ１５１を自転させながら、少なくとも本体表面周縁部５０１及び本体裏面周縁部５０２にブラシ１５１を接触させる。更に好ましくは、工程Ｓ６では、基板Ｗの側面部５１５と表面肩部５１２と裏面肩部５１４とに対してブラシ１５１を離隔させつつ、ブラシ１５１を自転させながら、本体表面周縁部５０１と表面縁部５１１と裏面縁部５１３と本体裏面周縁部５０２とにブラシ１５１を接触させる。更に好ましくは、工程Ｓ６では、基板Ｗの側面部５１５に対してブラシ１５１を離隔させつつ、ブラシ１５１を自転させながら、本体表面周縁部５０１と表面縁部５１１と表面肩部５１２と裏面肩部５１４と裏面縁部５１３と本体裏面周縁部５０２とにブラシ１５１を接触させる。
【0157】
また、好ましくは、工程Ｓ６では、ブラシ１５１の第１接触部Ｂ１と第２接触部Ｂ２との間から、撥液物質８２に向けて不活性ガスを吐出する。
【0158】
次に、工程Ｓ７において、リンス液供給部３３は、基板Ｗにリンス液を供給することで、工程Ｓ６で基板Ｗから除去（分離）された余分な撥液物質を基板Ｗから洗い流す。具体的には、制御部２１は、リンス液ノズル３３１が回転中の基板Ｗにリンス液を吐出するように、バルブ３３２を制御する。その結果、バルブ３３２が配管３３３の流路を開放するため、リンス液ノズル３３１は、基板Ｗにリンス液を吐出する。
【0159】
次に、工程Ｓ８において、スピンチャック１３は、基板Ｗを回転させることで、基板Ｗを乾燥する。基板Ｗの回転は工程Ｓ３から継続している。
【0160】
次に、工程Ｓ９において、制御部２１は、基板Ｗの回転を停止するように、スピンチャック１３を制御する。その結果、スピンチャック１３は、基板Ｗの回転を停止する。
【0161】
次に、工程Ｓ１０において、制御部２１は、基板Ｗを撥液剤処理ユニット５から搬出するように、センターロボットＣＲを制御する。その結果、センターロボットＣＲは、基板Ｗを撥液剤処理ユニット５から搬出する。
【0162】
次に、工程Ｓ１１において、制御部２１は、撥液物質が側面部５１５に付着した基板Ｗ、又は、撥液物質が側面部５１５と表面肩部５１２と裏面肩部５１４とに付着した基板Ｗを、処理ユニット１に搬入するように、センターロボットＣＲを制御する。その結果、センターロボットＣＲは、基板Ｗを処理ユニット１に搬入する。
【0163】
次に、工程Ｓ１２において、制御部２１は、処理液によって基板Ｗを処理するように、処理ユニット１を制御する。その結果、処理ユニット１は、処理液によって基板Ｗを処理する。一例として、処理ユニット１の裏面用ノズル８（図１）は、処理液を基板Ｗの裏面Ａ２に吐出することで、基板Ｗの裏面Ａ２を処理する。他の例として、処理ユニット１の表面用ノズル７（図１）は、処理液を基板Ｗの表面Ａ１に吐出することで、基板Ｗの表面Ａ１を処理する。
【0164】
次に、工程Ｓ１３において、制御部２１は、基板Ｗを処理ユニット１から搬出するように、センターロボットＣＲを制御する。その結果、センターロボットＣＲは、基板Ｗを処理ユニット１から搬出する。そして、処理は終了する。
【0165】
以上、図１２を参照して説明したように、本実施形態に係る基板処理方法によれば、基板Ｗの側面部５１５に対してブラシ１５１を離隔させつつ、余分な撥液物質を除去する（工程Ｓ６）。従って、基板Ｗの側面部５１５に撥液物質を残しつつ、余分な撥液物質を除去できる。
【0166】
また、本実施形態によれば、工程Ｓ１２において、例えば、基板Ｗの裏面Ａ２に処理液が吐出された場合であっても、処理液が基板Ｗの表面Ａ１に回り込むことを抑制できる。なぜなら、工程Ｓ６では、余分な撥液物質だけが除去されるだけであり、基板Ｗの側面部５１５には撥液物質が付着しているからである。
【0167】
次に、図１３を参照して、基板Ｗに形成されるノッチ５２を説明する。図１３は、基板Ｗを示す平面図である。図１３に示すように、基板Ｗは、ノッチ５２を有する場合がある。ノッチ５２は、平面視において、基板Ｗの端面部５１から径方向ＲＤ内側に窪む凹部である。ノッチ５２の周方向ＣＤの幅は、例えば、径方向ＲＤ内側ほど小さくなる。
【0168】
次に、図９及び図１４を参照して、ノッチ５２とブラシ１５１との関係を説明する。図１４は、ブラシ１５１がノッチ５２に接触している状態を示す平面図である。図１４では、ブラシ１５１において、第１傾斜接触部４３の最大部分ＭＸ１が示されている。また、第１外側接触部Ｂ１１が二点鎖線で示される。
【0169】
図１４に示すように、ブラシ１５１の少なくとも一部は、基板Ｗの端面部５１に存在するノッチ５２に進入し、ノッチ５２の底点ＢＭに接触する。従って、本実施形態によれば、端面部５１、本体表面周縁部５０１、及び、本体裏面周縁部５０２の場合と同様に、ノッチ５２のうちの撥液物質必要部分に撥液物質を残存させつつも、ノッチ５２のうちの撥液物質不必要部分及びノッチ５２近傍から、撥液物質を除去できる。撥液物質必要部分は、少なくとも、ノッチ５２のうち側面部５１５に対応する部分を含む。撥液物質必要部分は、ノッチ５２において、表面肩部５１２に対応する部分、裏面肩部５１４に対応する部分、表面縁部５１１に対応する部分、及び、裏面縁部５１３に対応する部分のうちの１以上を含んでいてもよい。撥液物質不必要部分は、ノッチ５２のうち、撥液物質必要部分以外の部分である。
【0170】
図１４の例では、平面視において、ブラシ１５１の第１傾斜接触部４３の全体及び第２傾斜接触部４４（図９）の全体がノッチ５２に進入している。ただし、ブラシ１５１の第１傾斜接触部４３及び第２傾斜接触部４４がノッチ５２の底点ＢＭに接触する限りは、平面視において、第１傾斜接触部４３の一部及び第２傾斜接触部４４の一部がノッチ５２に進入していてもよい。
【0171】
また、図１４の例では、ブラシ１５１の直径２Ｒは、ノッチ５２の周方向ＣＤの最大幅Ｌよりも小さい。「Ｒ」は、平面視におけるブラシ１５１の半径を示す。図９に示すように、本実施形態では、ブラシ１５１の半径Ｒは、ブラシ１５１の第１傾斜接触部４３の最大部分ＭＸ１の半径Ｒｍｘを示す。同様に、ブラシ１５１の直径２Ｒは、ブラシ１５１の第１傾斜接触部４３の最大部分ＭＸ１の直径２Ｒｍｘを示す。また、図１４の例では、ブラシ１５１の直径２Ｒは、ノッチ５２の径方向ＲＤの深さＤよりも小さい。従って、平面視において、ブラシ１５１の第１傾斜接触部４３の全体及び第２傾斜接触部４４全体が、ノッチ５２の内部に収まる。基板Ｗは、回転方向Ｄ１に回転するため、ブラシ１５１は、ノッチ５２に対して相対的に移動する。従って、平面視において、ノッチ５２の全体にわたって、撥液物質必要部分に撥液物質を残存させつつも、第１傾斜接触部４３及び第２傾斜接触部４４によって撥液物質不必要部分から撥液物質を除去できる。同様に、平面視において、ノッチ５２近傍の全体にわたって、第１外側接触部Ｂ１１及び第２外側接触部Ｂ２１（図９）によって撥液物質を除去できる。
【0172】
特に、本実施形態では、付勢機構１５９（図３）は、ブラシ１５１を基板Ｗの径方向ＲＤ内側に向けて付勢する。従って、基板Ｗの回転によってブラシ１５１がノッチ５２に位置した場合に、ブラシ１５１の第１傾斜接触部４３及び第２傾斜接触部４４は速やかにノッチ５２に進入する。その結果、より確実に、ノッチ５２の撥液物質不必要部分から撥液物質を除去できる。
【0173】
次に、図９、図１３及び図１５を参照して、ブラシ１５１の半径Ｒの決定方法の一例を説明する。図１３に示すように、ノッチ５２の幅Ｌは、式（１）によって示される。式（１）において、「Ｒｗ」は、基板Ｗの半径を示す。「θ」は、ノッチ５２に対する中心角を示す。中心角θの単位は、「度」である。
【0174】
Ｌ＝２π×Ｒｗ×（θ／３６０） …（１）
【0175】
図１５は、ブラシ１５１及びノッチ５２を示す平面図である。図１５では、ブラシ１５１において、第１傾斜接触部４３の最大部分ＭＸ１が示されている。また、第１外側接触部Ｂ１１が二点鎖線で示される。図１５に示すように、ノッチ５２の底点ＢＭを原点０として、ｘ座標及びｙ座標を定義する。そして、ノッチ５２を放物線ｙで近似する。従って、ノッチ５２は、式（２）によって示される。式（２）の係数ａは、式（３）によって示される。
【0176】
ｙ＝ａ×ｘ2 …（２）
ａ＝ｙ／ｘ2＝Ｂｙ／Ａｘ2 …（３）
ａ＝ｙ／ｘ2＝Ｂｙ／Ａｘ2 …（３）
【0177】
放物線ｙの各点ｘにおける曲率半径Ｒｃは、式（４）によって示される。「ｙ１」は、式（２）の１回微分を示し、式（５）によって示される。「ｙ２」は、式（２）の２回微分を示し、式（６）によって示される。
【0178】
Ｒｃ＝（１＋ｙ１2）3/2／ｙ２ …（４）
ｙ１＝ｄｙ／ｄｘ …（５）
ｙ２＝ｄｙ／ｄｘ …（６）
ｙ１＝ｄｙ／ｄｘ …（５）
ｙ２＝ｄｙ／ｄｘ …（６）
【0179】
放物線ｙの原点０における曲率半径Ｒ０、つまり、ノッチ５２の底点ＢＭにおける曲率半径Ｒ０は、式（７）によって示される。つまり、式（７）において、ｘ＝０である。
【0180】
Ｒ０＝（１＋（２ａ）2×ｘ2）3/2／２ａ＝１／２ａ …（７）
【0181】
本実施形態では、原点０における曲率半径Ｒ０をブラシ１５１の半径Ｒに設定する。従って、ブラシ１５１の第１傾斜接触部４３及び第２傾斜接触部４４をノッチ５２に確実に進入させることができる。その結果、ノッチ５２の撥液物質不必要部分から、撥液物質を確実に除去できる。
【0182】
ここで、一例として、ブラシ１５１の半径Ｒの最大値Ｒｍａｘ及び最小値Ｒｍｉｎを算出する。
【0183】
まず、最大値Ｒｍａｘを算出する。この場合、基板Ｗの半径Ｒｗ＝１５０ｍｍ、中心角θ＝２とすると、式（１）によって、ノッチ５２の幅Ｌ＝５．２４ｍｍ、である。また、Ａｘ＝２．６２ｍｍ、Ｂｙ＝１．２０ｍｍとすると、式（３）によって、係数ａ＝０．１７５、である。係数ａを式（７）に代入すると、曲率半径Ｒ０の最大値は、２．８６ｍｍ、となる。よって、ブラシ１５１の半径Ｒの最大値Ｒｍａｘを２．８６ｍｍに設定する。
【0184】
次に、最小値Ｒｍｉｎを算出する。この場合、基板Ｗの半径Ｒｗ＝１５０ｍｍ、中心角θ＝１．５とすると、式（１）によって、ノッチ５２の幅Ｌ＝３．９３ｍｍ、である。また、Ａｘ＝１．９６ｍｍ、Ｂｙ＝１．２０ｍｍとすると、式（３）によって、係数ａ＝０．３１、である。係数ａを式（７）に代入すると、曲率半径Ｒ０の最小値は、１．６１ｍｍ、となる。よって、ブラシ１５１の半径Ｒの最小値Ｒｍｉｎを１．６１ｍｍに設定する。
【0185】
すなわち、例えば、ノッチ５２の幅Ｌが３．９３ｍｍ以上５．２４ｍｍ以下である場合、ブラシ１５１の半径Ｒを１．６１ｍｍ以上２．８６ｍｍ以下に設定する。
【0186】
（第１変形例）
図１６～図１８を参照して、本実施形態の第１変形例に係るブラシ１５１Ｃを説明する。第１変形例に係るブラシ１５１Ｃの第１内側接触部Ｂ１２ｃ及び第２内側接触部Ｂ２２ｃが可動する点で、第１変形例は図８を参照して説明した実施形態と主に異なる。以下、第１変形例が実施形態と異なる点を主に説明する。
図１６～図１８を参照して、本実施形態の第１変形例に係るブラシ１５１Ｃを説明する。第１変形例に係るブラシ１５１Ｃの第１内側接触部Ｂ１２ｃ及び第２内側接触部Ｂ２２ｃが可動する点で、第１変形例は図８を参照して説明した実施形態と主に異なる。以下、第１変形例が実施形態と異なる点を主に説明する。
【0187】
【0188】
第１内側接触部Ｂ１２ｃは、スライダー１８１及び本体１８５を含む。本体１８５はスライダー１８１の外周面に取り付けられる。スライダー１８１は略円筒形状を有する。スライダー１８１は軸部１６１に挿入されている。スライダー１８１は、軸部１６１において軸方向ＡＤに沿って移動可能である。従って、第１内側接触部Ｂ１２ｃは、軸部１６１において軸方向ＡＤに沿って移動可能である。また、スライダー１８１は、軸部１６１とともに、回転軸線ＡＸ２の周りに回転する。この場合、スライダー１８１の係合部と軸部１６１の係合部とが係合している。スライダー１８１の係合部は、例えば、軸方向ＡＤに延びる凸部であり、軸部１６１の係合部は、例えば、軸方向ＡＤに延びる凹部である。
【0189】
内部空間ＳＰ１は、間隙ＧＰ１及び間隙ＧＰ２を含む。間隙ＧＰ１は、第１内側接触部Ｂ１２ｃの上面７１と第１外側接触部Ｂ１１ｃの内部上面７２との間の空間を示す。間隙ＧＰ２は、第１内側接触部Ｂ１２ｃの外周面７５と第１外側接触部Ｂ１１ｃの内周面７４との間の空間を示す。
【0190】
一方、第２外側接触部Ｂ２１ｃは、内部空間ＳＰ２を有する。内部空間ＳＰ２は、第２内側接触部Ｂ２２ｃを収容可能である。
【0191】
第２内側接触部Ｂ２２ｃは、スライダー１８２及び本体１８６を含む。本体１８６はスライダー１８２の外周面に取り付けられる。スライダー１８２は略円筒形状を有する。スライダー１８２は軸部１６１に挿入されている。スライダー１８２は、軸部１６１において軸方向ＡＤに沿って移動可能である。従って、第２内側接触部Ｂ２２ｃは、軸部１６１において軸方向ＡＤに沿って移動可能である。また、スライダー１８２は、軸部１６１とともに、回転軸線ＡＸ２の周りに回転する。スライダー１８２の構成はスライダー１８１の構成と同様である。
【0192】
内部空間ＳＰ２は、間隙ＧＰ３及び間隙ＧＰ４を含む。間隙ＧＰ３は、第２内側接触部Ｂ２２ｃの上面９１と第２外側接触部Ｂ２１ｃの内部上面９２との間の空間を示す。間隙ＧＰ４は、第２内側接触部Ｂ２２ｃの外周面９５と第２外側接触部Ｂ２１ｃの内周面９４との間の空間を示す。
【0193】
なお、第１例として、間隙ＧＰ１に、第１内側接触部Ｂ１２ｃを下方に付勢する付勢部材を配置し、間隙ＧＰ３に、第２内側接触部Ｂ２２ｃを上方に付勢する付勢部材を配置してもよい。付勢部材は、例えば、バネなどの弾性部材である。又は、第２例として、間隙ＧＰ１及び間隙ＧＰ３にそれぞれスペーサーを配置して、第１内側接触部Ｂ１２ｃ及び第２内側接触部Ｂ２２ｃの位置を固定してもよい。第１例及び第２例では、対向軸部１６１ａにおいて、第１内側接触部Ｂ１２ｃの下方と、第２内側接触部Ｂ２２ｃの上方とに、ストッパーを配置する。
【0194】
次に、図１７及び図１８を参照して、第１変形例に係るブラシ１５１Ｃによる撥液物質の除去処理を説明する。図１７は、ブラシ１５１Ｃによる撥液物質の除去処理の第１工程Ｓ１０００を示す図である。図１８は、ブラシ１５１Ｃによる撥液物質の除去処理の第２工程Ｓ２０００を示す図である。
【0195】
図１７及び図１８に示すように、第１工程Ｓ１０００及び第２工程Ｓ２０００では、スライダー１８１が下方に移動して、第１内側接触部Ｂ１２ｃ（具体的には第１傾斜接触部４３）が、第１外側接触部Ｂ１１ｃから下方に突出している。また、スライダー１８２が上方に移動して、第２内側接触部Ｂ２２ｃ（具体的には第２傾斜接触部４４）が、第２外側接触部Ｂ２１ｃから上方に突出している。
【0196】
まず、図１７に示すように、第１工程Ｓ１０００において、第１外側接触部Ｂ１１ｃの平坦面Ｂ１４が本体表面周縁部５０１の領域Ｍ２に接触し、第１内側接触部Ｂ１２ｃの傾斜面Ｂ１３が表面縁部５１１に接触する。その結果、領域Ｍ２及び表面縁部５１１に付着した撥液物質が除去液によって除去（分離）される。また、第１工程Ｓ１０００においては、第２外側接触部Ｂ２１ｃの平坦面Ｂ２４が本体裏面周縁部５０２の領域Ｎ２に接触し、第２内側接触部Ｂ２２ｃの傾斜面Ｂ２３が裏面縁部５１３に接触する。その結果、領域Ｎ２及び表面肩部５１２に付着した撥液物質が除去液によって除去（分離）される。
【0197】
ただし、第１工程Ｓ１０００の完了時では、本体表面周縁部５０１の領域Ｍ１及び本体裏面周縁部５０２の領域Ｎ１には、撥液物質８５が残存している。
【0198】
そこで、第１工程Ｓ１０００の完了後に、揺動アーム１５２（図３）は、方向ＤＡにブラシ１５１Ｃを移動させる。方向ＤＡは、径方向ＲＤ外側を向く方向を示す。具体的には、揺動アーム１５２は、領域Ｍ１及び領域Ｎ１に相当する距離だけ、方向ＤＡにブラシ１５１Ｃを移動させる。
【0199】
なお、領域Ｍ１は、本体表面周縁部５０１の径方向ＲＤ内側部分を示し、領域Ｍ２は、本体表面周縁部５０１の径方向ＲＤ外側部分を示す。領域Ｎ１は、本体裏面周縁部５０２の径方向ＲＤ内側部分を示し、領域Ｎ２は、本体裏面周縁部５０２の径方向ＲＤ外側部分を示す。
【0200】
次に、図１８に示すように、第２工程Ｓ２０００において、第１外側接触部Ｂ１１ｃの平坦面Ｂ１４が本体表面周縁部５０１の領域Ｍ１に接触し、第１内側接触部Ｂ１２ｃの傾斜面Ｂ１３が表面縁部５１１から離隔する。その結果、領域Ｍ１に付着した撥液物質が除去液によって除去（分離）される。また、第２工程Ｓ２０００においては、第２外側接触部Ｂ２１ｃの平坦面Ｂ２４が本体裏面周縁部５０２の領域Ｎ１に接触し、第２内側接触部Ｂ２２ｃの傾斜面Ｂ２３が裏面縁部５１３から離隔する。その結果、領域Ｎ１に付着した撥液物質が除去液によって除去（分離）される。
【0201】
以上の結果、第１変形例では、基板Ｗの側面部５１５、表面肩部５１２、及び、裏面肩部５１４に、撥液物質８２が残存する。なお、第２工程Ｓ２０００の後に、第１工程Ｓ１０００が実行されてよい。
【0202】
また、第１変形例では、ブラシ１５１Ｃは、スライダー１８１、１８２を有している。従って、第１内側接触部Ｂ１２ｃと第２内側接触部Ｂ２２ｃとの軸方向ＡＤの間隔は拡縮可能である。その結果、基板Ｗの端面部５１の形状に合わせて、第１内側接触部Ｂ１２ｃ（傾斜面Ｂ１３）及び第２内側接触部Ｂ２２ｃ（傾斜面Ｂ２３）の軸方向ＡＤの位置を設定できる。
【0203】
（第２変形例）
図１９を参照して、本実施形態の第２変形例に係るブラシ１５１Ｄを説明する。第２変形例に係るブラシ１５１Ｄの第１内側接触部Ｂ１２が表面縁部５１１及び表面肩部５１２の形状に沿っている点で、第２変形例は図８を参照して説明した実施形態と主に異なる。以下、第２変形例が実施形態と異なる点を主に説明する。
図１９を参照して、本実施形態の第２変形例に係るブラシ１５１Ｄを説明する。第２変形例に係るブラシ１５１Ｄの第１内側接触部Ｂ１２が表面縁部５１１及び表面肩部５１２の形状に沿っている点で、第２変形例は図８を参照して説明した実施形態と主に異なる。以下、第２変形例が実施形態と異なる点を主に説明する。
【0204】
図１９は、第２変形例に係るブラシ１５１Ｄによる撥液物質の除去処理の一例を示す図である。図９１では、図面を分かり易くするために、ブラシ１５１Ｄについては側面を示し、基板Ｗについては断面を示している。また、図面を簡略にするために、断面を示す斜線を省略している。
【0205】
図１９に示すように、第１傾斜接触部４３ｄは、第１接触面Ｂ１５と、第２接触面Ｂ１６とを有する。第１接触面Ｂ１５は、表面縁部５１１に沿った形状を有している。従って、第１接触面Ｂ１５が表面縁部５１１に接触することで、表面縁部５１１に付着した撥液物質が除去液によって除去（分離）される。第２接触面Ｂ１６は、表面肩部５１２に沿った形状を有している。従って、第２接触面Ｂ１６が表面肩部５１２に接触することで、表面肩部５１２に付着した撥液物質が除去液によって除去（分離）される。
【0206】
また、第２傾斜接触部４４ｄは、第１接触面Ｂ２５と、第２接触面Ｂ２６とを有する。第１接触面Ｂ２５は、裏面縁部５１３に沿った形状を有している。従って、第１接触面Ｂ２５が裏面縁部５１３に接触することで、裏面縁部５１３に付着した撥液物質が除去液によって除去（分離）される。第２接触面Ｂ２６は、裏面肩部５１４に沿った形状を有している。従って、第２接触面Ｂ２６が裏面肩部５１４に接触することで、裏面肩部５１４に付着した撥液物質が除去液によって除去（分離）される。
【0207】
以上の結果、第２変形例では、基板Ｗの側面部５１５だけに、撥液物質８２が残存する。
【0208】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、または、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
【0209】
また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【0210】
（１）図３を参照して説明した実施形態（変形例を含む）では、ブラシ１５１は自転機構１５８によって自転した。ただし、ブラシ１５１は、基板Ｗに従動して自転してもよい。なお、ブラシ１５１は自転しなくてもよい。
【0211】
（２）図１２を参照して説明した実施形態では、基板Ｗから余分な撥液物質を除去した後、処理ユニット１が処理液によって基板Ｗを処理した。ただし、基板Ｗから余分な撥液物質を除去した後、撥液剤処理ユニット５が、処理液によって基板Ｗを処理してもよい。この場合、撥液剤処理ユニット５が、処理液を基板Ｗに吐出するノズルを備える。例えば、撥液剤処理ユニット５が、表面用ノズル７及び／又は裏面用ノズル８を備えていてもよい。
【0212】
（３）図８～図１１及び図１６～図１９を参照して説明したブラシ１５１、１５１Ａ～１５１Ｄは、平坦面Ｂ１４、Ｂ２４及び傾斜面Ｂ１３、Ｂ２３、又は、平坦面Ｂ１４、Ｂ２４、第１接触面Ｂ１５、Ｂ２５、及び、第２接触面Ｂ１６、Ｂ２６を有していたが、余分な撥液物質を除去できる限りは、ブラシ１５１、１５１Ａ～１５１Ｄの形状は特に限定されない。
【0213】
また、第１接触部Ｂ１及び第２接触部Ｂ２が別個のブラシを構成していてもよい。この場合、例えば、ブラシごとに軸部及び自転機構が設けられる。更に、第１外側接触部Ｂ１１、第１内側接触部Ｂ１２、第２外側接触部Ｂ２１、及び、第２内側接触部Ｂ２２が、それぞれ別個のブラシを構成していてもよい。この場合、例えば、ブラシごとに軸部及び自転機構が設けられる。
【0214】
（４）図３を参照して説明したスピンチャック１３は、真空吸着式であったが、例えば、挟持式又はベルヌーイ式であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【0215】
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に好適に用いられる。
【符号の説明】
【0216】
１３ スピンチャック（基板保持部）
１００ 基板処理装置
１５１、１５１Ａ～１５１Ｄ ブラシ（除去部材）
１５８ 自転機構
１５９ 付勢機構
３５３ 不活性ガス吐出部
Ｂ１ 第１接触部
Ｂ１１ 第１外側接触部
Ｂ１２、Ｂ１２ａ、Ｂ１２ｃ、Ｂ１２ｄ 第１内側接触部
Ｂ２ 第２接触部
Ｂ２１ 第２外側接触部
Ｂ２２、Ｂ２２ａ、Ｂ２２ｃ、Ｂ２２ｄ 第２内側接触部
Ｗ 基板
１００ 基板処理装置
１５１、１５１Ａ～１５１Ｄ ブラシ（除去部材）
１５８ 自転機構
１５９ 付勢機構
３５３ 不活性ガス吐出部
Ｂ１ 第１接触部
Ｂ１１ 第１外側接触部
Ｂ１２、Ｂ１２ａ、Ｂ１２ｃ、Ｂ１２ｄ 第１内側接触部
Ｂ２ 第２接触部
Ｂ２１ 第２外側接触部
Ｂ２２、Ｂ２２ａ、Ｂ２２ｃ、Ｂ２２ｄ 第２内側接触部
Ｗ 基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】