(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023142433
(43)【公開日】2023-10-05
(54)【発明の名称】循環装置、循環装置の制御方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20230928BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 648G
H01L21/304 643A
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022049347
(22)【出願日】2022-03-25
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(72)【発明者】
【氏名】川口 竜彦
【テーマコード（参考）】
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F157AA03
5F157AB14
5F157AB33
5F157AB46
5F157AB47
5F157AB62
5F157AB72
5F157AB90
5F157AB94
5F157BB23
5F157BB24
5F157BB37
5F157BB42
5F157BB43
5F157BB66
5F157BC53
5F157BG13
5F157CD32
5F157CD33
5F157CE32
5F157CE36
5F157CF02
5F157CF04
5F157CF20
5F157CF22
5F157CF34
5F157CF42
5F157CF44
5F157CF60
5F157CF70
5F157CF74
5F157CF90
5F157CF99
5F157DB45
(57)【要約】
【課題】処理液の温度および流速を、それぞれ所望の値へ早期に到達させることが、課題である。
【解決手段】液体の温度を上昇させるときに、ポンプの速度が第１所定速度に到達するまでポンプが第１加速度で加速されたのち、ポンプの速度が第１所定速度よりも高い第２所定速度に到達するまで、ポンプが第１加速度よりも低い第２加速度で加速される。
【選択図】図１２
【解決手段】液体の温度を上昇させるときに、ポンプの速度が第１所定速度に到達するまでポンプが第１加速度で加速されたのち、ポンプの速度が第１所定速度よりも高い第２所定速度に到達するまで、ポンプが第１加速度よりも低い第２加速度で加速される。
【選択図】図１２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
外部経路に対して液体の供給および回収を行う循環装置を制御する方法であって、前記循環装置は：
前記液体を貯留の対象とする貯留槽；
前記貯留槽から前記液体が流入する第１流入端を有し、前記液体の前記供給に用いられる第１配管；
前記第１配管において設けられ、前記液体を加熱の対象とするヒータ；
前記第１配管において設けられ、前記第１流入端に接続される吸入口と、前記ヒータに接続される吐出口とを有し、前記液体を圧出の対象とするポンプ；および
前記貯留槽へ前記液体が流出される第２流出端を有し、前記液体の前記回収に用いられる第２配管
を備え、
前記方法は、
前記液体の温度を上昇させるときに、
前記ポンプの速度が第１所定速度に到達するまで前記ポンプを第１加速度で加速させたのち；
前記ポンプの速度が前記第１所定速度よりも高い第２所定速度に到達するまで、前記ポンプを前記第１加速度よりも低い第２加速度で加速させる、
循環装置の制御方法。
前記液体を貯留の対象とする貯留槽；
前記貯留槽から前記液体が流入する第１流入端を有し、前記液体の前記供給に用いられる第１配管；
前記第１配管において設けられ、前記液体を加熱の対象とするヒータ；
前記第１配管において設けられ、前記第１流入端に接続される吸入口と、前記ヒータに接続される吐出口とを有し、前記液体を圧出の対象とするポンプ；および
前記貯留槽へ前記液体が流出される第２流出端を有し、前記液体の前記回収に用いられる第２配管
を備え、
前記方法は、
前記液体の温度を上昇させるときに、
前記ポンプの速度が第１所定速度に到達するまで前記ポンプを第１加速度で加速させたのち；
前記ポンプの速度が前記第１所定速度よりも高い第２所定速度に到達するまで、前記ポンプを前記第１加速度よりも低い第２加速度で加速させる、
循環装置の制御方法。
【請求項2】
前記液体の温度が第１所定温度未満のときに、前記ポンプの速度が前記第１所定速度に到達するまで前記ポンプを前記第１加速度で加速させる第１工程と、
前記液体の温度が前記第１所定温度未満のときに、前記ポンプの速度が前記第１所定速度に到達すると、前記ポンプの速度を前記第１所定速度に維持する第２工程と、
前記液体の温度が前記第１所定温度以上であって、前記第１所定温度よりも高い第２所定温度以下のときに、前記ポンプの速度が前記第２所定速度に到達するまで、前記ポンプを前記第２加速度で加速させる第３工程と、
前記液体の温度が前記第１所定温度以上であって、前記第２所定温度以下のときに、前記ポンプの速度が前記第２所定速度に到達すると、前記ポンプを前記第２所定速度に維持する第４工程
を備え、
前記ポンプの速度と前記液体の温度との間には、
前記液体の温度が前記第１所定温度に到達する以前に前記ポンプが前記第１所定速度に到達し；
前記液体の温度が前記第２所定温度に到達する以前に前記ポンプが前記第２所定速度に到達する
関係がある、請求項１に記載の循環装置の制御方法。
前記液体の温度が前記第１所定温度未満のときに、前記ポンプの速度が前記第１所定速度に到達すると、前記ポンプの速度を前記第１所定速度に維持する第２工程と、
前記液体の温度が前記第１所定温度以上であって、前記第１所定温度よりも高い第２所定温度以下のときに、前記ポンプの速度が前記第２所定速度に到達するまで、前記ポンプを前記第２加速度で加速させる第３工程と、
前記液体の温度が前記第１所定温度以上であって、前記第２所定温度以下のときに、前記ポンプの速度が前記第２所定速度に到達すると、前記ポンプを前記第２所定速度に維持する第４工程
を備え、
前記ポンプの速度と前記液体の温度との間には、
前記液体の温度が前記第１所定温度に到達する以前に前記ポンプが前記第１所定速度に到達し；
前記液体の温度が前記第２所定温度に到達する以前に前記ポンプが前記第２所定速度に到達する
関係がある、請求項１に記載の循環装置の制御方法。
【請求項3】
前記液体は、前記液体の温度が前記第２所定温度に到達するまで、一定の昇温速度で加熱される、請求項２に記載の、循環装置の制御方法。
【請求項4】
前記循環装置は
前記第１配管において前記ヒータを介して前記ポンプに接続された開閉弁；および
前記ヒータと前記開閉弁との間で前記第１配管に接続される端と、前記貯留槽へ前記液体が流出される第３流出端とを有する第３配管
を更に備え、
前記第１工程および前記第２工程において、前記開閉弁を閉じ、
前記液体の温度が前記第２所定温度に到達した後、前記開閉弁を開く第５工程
を更に備える、請求項２または請求項３に記載の、循環装置の制御方法。
前記第１配管において前記ヒータを介して前記ポンプに接続された開閉弁；および
前記ヒータと前記開閉弁との間で前記第１配管に接続される端と、前記貯留槽へ前記液体が流出される第３流出端とを有する第３配管
を更に備え、
前記第１工程および前記第２工程において、前記開閉弁を閉じ、
前記液体の温度が前記第２所定温度に到達した後、前記開閉弁を開く第５工程
を更に備える、請求項２または請求項３に記載の、循環装置の制御方法。
【請求項5】
前記ポンプは磁気浮上遠心ポンプである、請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の、循環装置の制御方法。
【請求項6】
前記液体は硫酸もしくは硫酸の希釈液である、請求項１から請求項５のいずれか一つに記載の、循環装置の制御方法。
【請求項7】
外部経路に対して液体の供給および回収を行う循環装置であって：
前記液体を貯留の対象とする貯留槽；
前記貯留槽から前記液体が流入する第１流入端を有し、前記液体の前記供給に用いられる第１配管；
前記第１配管において設けられ、前記液体を加熱の対象とするヒータ；
前記第１配管において設けられ、前記第１流入端に接続される吸入口と、前記ヒータに接続される吐出口とを有し、前記液体を圧出の対象とするポンプ；
前記貯留槽へ前記液体が流出される第２流出端を有し、前記液体の前記回収に用いられる第２配管；および
制御部
を備え、
前記制御部は、
前記液体の温度を上昇させるときに、
前記ポンプの速度が第１所定速度に到達するまで前記ポンプを第１加速度で加速させたのち；
前記ポンプの速度が前記第１所定速度よりも高い第２所定速度に到達するまで、前記ポンプを前記第１加速度よりも低い第２加速度で加速させる、循環装置。
前記液体を貯留の対象とする貯留槽；
前記貯留槽から前記液体が流入する第１流入端を有し、前記液体の前記供給に用いられる第１配管；
前記第１配管において設けられ、前記液体を加熱の対象とするヒータ；
前記第１配管において設けられ、前記第１流入端に接続される吸入口と、前記ヒータに接続される吐出口とを有し、前記液体を圧出の対象とするポンプ；
前記貯留槽へ前記液体が流出される第２流出端を有し、前記液体の前記回収に用いられる第２配管；および
制御部
を備え、
前記制御部は、
前記液体の温度を上昇させるときに、
前記ポンプの速度が第１所定速度に到達するまで前記ポンプを第１加速度で加速させたのち；
前記ポンプの速度が前記第１所定速度よりも高い第２所定速度に到達するまで、前記ポンプを前記第１加速度よりも低い第２加速度で加速させる、循環装置。
【請求項8】
前記制御部は、
前記液体の温度が第１所定温度未満のときに、前記ポンプの速度が前記第１所定速度に到達するまで、前記ポンプを前記第１加速度で加速させ、
前記液体の温度が前記第１所定温度未満のときに、前記ポンプの速度が前記第１所定速度に到達すると、前記ポンプの速度を前記第１所定速度に維持し、
前記液体の温度が前記第１所定温度以上であって、前記第１所定温度よりも高い第２所定温度以下のときに、前記ポンプの速度が前記第２所定速度に到達するまで、前記ポンプを前記第２加速度で加速させ、
前記液体の温度が前記第１所定温度以上であって、前記第２所定温度以下のときに、前記ポンプの速度が前記第２所定速度に到達すると、前記ポンプの速度を前記第２所定速度に維持し、
前記ポンプの速度と前記液体の温度との間には、
前記液体の温度が前記第１所定温度に到達する以前に前記ポンプが前記第１所定速度に到達し；
前記液体の温度が前記第２所定温度に到達する以前に前記ポンプが前記第２所定速度に到達する
関係がある、請求項７に記載の循環装置。
前記液体の温度が第１所定温度未満のときに、前記ポンプの速度が前記第１所定速度に到達するまで、前記ポンプを前記第１加速度で加速させ、
前記液体の温度が前記第１所定温度未満のときに、前記ポンプの速度が前記第１所定速度に到達すると、前記ポンプの速度を前記第１所定速度に維持し、
前記液体の温度が前記第１所定温度以上であって、前記第１所定温度よりも高い第２所定温度以下のときに、前記ポンプの速度が前記第２所定速度に到達するまで、前記ポンプを前記第２加速度で加速させ、
前記液体の温度が前記第１所定温度以上であって、前記第２所定温度以下のときに、前記ポンプの速度が前記第２所定速度に到達すると、前記ポンプの速度を前記第２所定速度に維持し、
前記ポンプの速度と前記液体の温度との間には、
前記液体の温度が前記第１所定温度に到達する以前に前記ポンプが前記第１所定速度に到達し；
前記液体の温度が前記第２所定温度に到達する以前に前記ポンプが前記第２所定速度に到達する
関係がある、請求項７に記載の循環装置。
【請求項9】
前記制御部は、前記ヒータに、前記液体の温度が前記第２所定温度に到達するまで一定の昇温速度で前記液体を加熱させる、請求項８に記載の循環装置。
【請求項10】
前記第１配管において前記ヒータを介して前記ポンプに接続され、少なくとも開閉可能な開閉弁；および
前記ヒータと前記開閉弁との間で前記第１配管に接続される端と、前記貯留槽へ前記液体が流出される第３流出端とを有する第３配管
を更に備え、
前記制御部は、
前記液体の温度が前記第２所定温度に到達する以前において、前記開閉弁を閉じ、
前記液体の温度が前記第２所定温度に到達して以降から、前記開閉弁を開く、請求項８または請求項９のいずれか一つに記載の循環装置。
前記ヒータと前記開閉弁との間で前記第１配管に接続される端と、前記貯留槽へ前記液体が流出される第３流出端とを有する第３配管
を更に備え、
前記制御部は、
前記液体の温度が前記第２所定温度に到達する以前において、前記開閉弁を閉じ、
前記液体の温度が前記第２所定温度に到達して以降から、前記開閉弁を開く、請求項８または請求項９のいずれか一つに記載の循環装置。
【請求項11】
前記ポンプは磁気浮上遠心ポンプである、請求項７から請求項１０のいずれか一つに記載の循環装置。
【請求項12】
前記液体は硫酸もしくは硫酸の希釈液である、請求項７から請求項１１のいずれか一つに記載の循環装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は循環装置およびその制御方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体装置の製造工程では、半導体ウエハ等の基板の表面に対して、薬液を用いた処理が行われる。当該処理の例としては洗浄処理が挙げられ、当該薬液（以下、リンス液、有機溶剤も含めて「処理液」とも称される）の例として酸性の液体が挙げられる。
【0003】
例えば基板が１枚ずつ処理される枚葉式の基板処理装置においては、基板が略水平に保持されつつ回転し、回転する基板の表面に処理液が供給される。かかる処理はチャンバと通称される処理用の筐体において実行される。
【0004】
当該処理液は基板に供給された後、回収されて再利用される。具体的にはチャンバに対して処理液が供給され、処理に供された後の処理液は回収される。このような処理液の供給および回収はチャンバの外部に設けられる循環装置によって行われる。
【0005】
チャンバが複数設けられる場合、これらはそれぞれ処理ユニットに格納される。処理ユニットは略鉛直方向に積層され、タワーと通称される構成に含まれる。タワーは複数設けられる場合がある。
【0006】
循環装置からの処理液の供給、及び循環装置への処理液の回収は、タワーのそれぞれに対して行われる。そして複数のチャンバに対する処理液の供給および回収はタワー毎に行われる。
【0007】
循環装置は、タワーに対する処理液の供給および回収を行う循環処理（以下「外循環」と仮称される）の他、タワーを介さずに循環装置の内部において処理液を循環させる循環処理（以下「内循環」と仮称される）を行う。
【0008】
このようなタワーのそれぞれに対する外循環や、内循環については、例えば下記の特許文献１において言及がある。また処理液として硫酸が利用される場合については、例えば下記の特許文献２において言及がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
【特許文献1】特開２０２１－０５２０３８号公報
【特許文献2】特開２０２０－０８８２０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
外循環を行ってタワーへと処理液を供給する前に、内循環を行って処理液を所望の温度に上昇させ、所望の流速にすることは、処理液を利用した基板への処理に寄与する。
【0011】
内循環であっても外循環と同様に、処理液はポンプを用いて循環される。例えば当該ポンプは回転型のポンプであって、かかる循環が適切に実行される所定の回転速度でポンプが回転し、内循環が行われる。
【0012】
ポンプが所定の回転速度に到達していない状況（以下「低速」とも仮称される）から所定の回転速度に到達するまで、ポンプの回転は加速される。この加速が大きいと処理液にキャビテーションが発生しやすい。
【0013】
処理液の粘度が低いと、キャビテーションが発生する可能性は高い。キャビテーションが発生すると、処理において微粒子が発生、もしくは処理対象たる基板に微粒子が残留しやすく、いわゆるパーティクル特性が悪化する可能性が高まる。
【0014】
一般的に、液体の温度が高いほど液体の粘度は低い。よって処理液の温度が高いと、キャビテーションは発生しやすい。
【0015】
処理液を循環させるためにポンプの回転を加速するとき、当該加速に採用される加速度、つまりポンプの回転加速度は、処理液が所定の温度またはその近傍にあるときに適切な値にすることが考えられる。所定の温度またはその近傍にあるときの処理液においてキャビテーションが発生しにくい程度に回転加速度が抑制されていれば、それよりも低い温度の処理液においてもキャビテーションは発生しにくいと想定されるからである。
【0016】
しかし回転加速度が小さいほど、処理液の供給時において処理液に要求される流速に至る時間は長くなる。
【0017】
本開示は、上記課題に鑑みてなされ、処理液の温度および流速を、それぞれ所望の値へ早期に到達させる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0018】
本開示にかかる循環装置の制御方法の第１の態様は、外部経路に対して液体の供給および回収を行う循環装置を制御する方法である。前記循環装置は：前記液体を貯留の対象とする貯留槽；前記貯留槽から前記液体が流入する第１流入端を有し、前記液体の前記供給に用いられる第１配管；前記第１配管において設けられ、前記液体を加熱の対象とするヒータ；前記第１配管において設けられ、前記第１流入端に接続される吸入口と、前記ヒータに接続される吐出口とを有し、前記液体を圧出の対象とするポンプ；および、前記貯留槽へ前記液体が流出される第２流出端を有し、前記液体の前記回収に用いられる第２配管を備える。
【0019】
前記方法は、前記液体の温度を上昇させるときに、前記ポンプの速度が第１所定速度に到達するまで前記ポンプを第１加速度で加速させたのち；前記ポンプの速度が前記第１所定速度よりも高い第２所定速度に到達するまで、前記ポンプを前記第１加速度よりも低い第２加速度で加速させる。
【0020】
本開示にかかる循環装置の制御方法の第２の態様は、本開示にかかる循環装置の制御方法の第１の態様である。当該第２の態様は、前記液体の温度が第１所定温度未満のときに、前記ポンプの速度が前記第１所定速度に到達するまで前記ポンプを前記第１加速度で加速させる第１工程と、前記液体の温度が前記第１所定温度未満のときに、前記ポンプの速度が前記第１所定速度に到達すると、前記ポンプの速度を前記第１所定速度に維持する第２工程と、前記液体の温度が前記第１所定温度以上であって、前記第１所定温度よりも高い第２所定温度以下のときに、前記ポンプの速度が前記第２所定速度に到達するまで、前記ポンプを前記第２加速度で加速させる第３工程と、前記液体の温度が前記第１所定温度以上であって、前記第２所定温度以下のときに、前記ポンプの速度が前記第２所定速度に到達すると、前記ポンプを前記第２所定速度に維持する第４工程とを備える。
【0021】
前記ポンプの速度と前記液体の温度との間には、前記液体の温度が前記第１所定温度に到達する以前に前記ポンプが前記第１所定速度に到達し；前記液体の温度が前記第２所定温度に到達する以前に前記ポンプが前記第２所定速度に到達する関係がある。
【0022】
本開示にかかる循環装置の制御方法の第３の態様は、本開示にかかる循環装置の制御方法の第２の態様であって、前記液体は、前記液体の温度が前記第２所定温度に到達するまで、一定の昇温速度で加熱される。
【0023】
本開示にかかる循環装置の制御方法の第４の態様は、本開示にかかる循環装置の制御方法の第２の態様または第３の態様であって、前記循環装置は前記第１配管において前記ヒータを介して前記ポンプに接続された開閉弁；および前記ヒータと前記開閉弁との間で前記第１配管に接続される端と、前記貯留槽へ前記液体が流出される第３流出端とを有する第３配管を更に備える。当該第４の態様は、前記第１工程および前記第２工程において、前記開閉弁を閉じ、前記液体の温度が前記第２所定温度に到達した後、前記開閉弁を開く第５工程を更に備える。
【0024】
本開示にかかる循環装置の第１の態様は、外部経路に対して液体の供給および回収を行う。当該循環装置は：前記液体を貯留の対象とする貯留槽；前記貯留槽から前記液体が流入する第１流入端を有し、前記液体の前記供給に用いられる第１配管；前記第１配管において設けられ、前記液体を加熱の対象とするヒータ；前記第１配管において設けられ、前記第１流入端に接続される吸入口と、前記ヒータに接続される吐出口とを有し、前記液体を圧出の対象とするポンプ；前記貯留槽へ前記液体が流出される第２流出端を有し、前記液体の前記回収に用いられる第２配管；および制御部を備える。
【0025】
前記制御部は、前記液体の温度を上昇させるときに、前記ポンプの速度が第１所定速度に到達するまで前記ポンプを第１加速度で加速させたのち；前記ポンプの速度が前記第１所定速度よりも高い第２所定速度に到達するまで、前記ポンプを前記第１加速度よりも低い第２加速度で加速させる。
【0026】
本開示にかかる循環装置の第２の態様は、本開示にかかる循環装置の第１の態様である。当該第２の態様において前記制御部は、前記液体の温度が第１所定温度未満のときに、前記ポンプの速度が前記第１所定速度に到達するまで、前記ポンプを前記第１加速度で加速させ、前記液体の温度が前記第１所定温度未満のときに、前記ポンプの速度が前記第１所定速度に到達すると、前記ポンプの速度を前記第１所定速度に維持し、前記液体の温度が前記第１所定温度以上であって、前記第１所定温度よりも高い第２所定温度以下のときに、前記ポンプの速度が前記第２所定速度に到達するまで、前記ポンプを前記第２加速度で加速させ、前記液体の温度が前記第１所定温度以上であって、前記第２所定温度以下のときに、前記ポンプの速度が前記第２所定速度に到達すると、前記ポンプの速度を前記第２所定速度に維持する。
【0027】
前記ポンプの速度と前記液体の温度との間には、前記液体の温度が前記第１所定温度に到達する以前に前記ポンプが前記第１所定速度に到達し；前記液体の温度が前記第２所定温度に到達する以前に前記ポンプが前記第２所定速度に到達する関係がある。
【0028】
本開示にかかる循環装置の第３の態様は、本開示にかかる循環装置の第２の態様であって、前記制御部は、前記ヒータに、前記液体の温度が前記第２所定温度に到達するまで一定の昇温速度で前記液体を加熱させる。
【0029】
本開示にかかる循環装置の第４の態様は、本開示にかかる循環装置の第２の態様または第３の態様であって、前記第１配管において前記ヒータを介して前記ポンプに接続され、少なくとも開閉可能な開閉弁；および前記ヒータと前記開閉弁との間で前記第１配管に接続される端と、前記貯留槽へ前記液体が流出される第３流出端とを有する第３配管を更に備える。前記制御部は、前記液体の温度が前記第２所定温度に到達する以前において、前記開閉弁を閉じ、前記液体の温度が前記第２所定温度に到達して以降から、前記開閉弁を開く。
【0030】
例えば前記ポンプは磁気浮上遠心ポンプである。例えば前記液体は硫酸もしくは硫酸の希釈液である。
【発明の効果】
【0031】
本開示にかかる制御装置の制御方法の第１の態様、および本開示にかかる制御装置の第１の態様によれば、液体のキャビテーションの発生を抑制しつつ、液体の流速が所望の値へ早期に到達する。
【0032】
本開示にかかる制御装置の制御方法の第２の態様、および本開示にかかる制御装置の第２の態様によれば、ポンプの速度の上昇を待つべく液体の加熱を停止する必要がない。
【0033】
本開示にかかる制御装置の制御方法の第３の態様、および本開示にかかる制御装置の第３の態様は、液体の温度を所望の温度に早く到達させることに寄与する。
【0034】
本開示にかかる制御装置の制御方法の第４の態様、および本開示にかかる制御装置の第４の態様によれば、液体の流速および温度が所望の値に到達した後、外部経路に液体が供給される。
【図面の簡単な説明】
【0035】
【図1】基板処理装置を模式的に示す横断面図である。
【図2】基板処理装置を模式的に示す縦断面図である。
【図3】基板処理装置のIII－III線に沿った縦断面を模式的に示す縦断面図である。
【図4】処理ブロックの左部を左方向に沿って見た構成の一例を模式的に示す側面図である。
【図5】処理ブロックの右部を右方向に沿って見た構成の一例を模式的に示す側面図である。
【図6】処理ユニットの構成を模式的に示す横断面図である。
【図7】処理ユニットの構成を模式的に示す縦断面図である。
【図8】基板処理装置の各構成の動作を制御するための機能的な構成を示すブロック図である。
【図9】制御部の一構成例を示すブロック図である。
【図10】循環装置の構成を例示する配管図である。
【図11】循環装置の構成を例示する配管図である。
【図12】ポンプの回転速度の上昇およびヒータによる昇温を示すグラフである。
【図13】本開示にかかる制御を例示するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0036】
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の各実施形態が説明される。各実施形態に記載される構成要素はあくまでも例示であり、本開示の範囲が例示のみに限定される趣旨ではない。図面は、あくまでも模式的に示される。図面においては、容易に理解が可能となるように、必要に応じて各部の寸法および数が誇張または簡略化されて図示される場合がある。図面においては、同様な構成および機能を有する部分に対して同じ符号が付されており、重複した説明が適宜省略される。
【0037】
以下の説明では、各要素の位置関係を説明するために、右手系のＸＹＺ直交座標系が採用される。具体的には、Ｘ軸およびＹ軸が水平方向に延びており、Ｚ軸が鉛直方向（上下方向）に延びる場合が想定される。また、図面においては、矢印の先端が向く方が＋（プラス）方向として、その逆方向が－（マイナス）方向として、それぞれ示される。具体的には、鉛直方向上向きが＋Ｚ方向であり、鉛直方向下向きが－Ｚ方向である。
【0038】
本明細書では、相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「平行」「直交」「中心」）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差も含む状態を表すとともに、同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表す。２つ以上のものが等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表す。
【0039】
形状を示す表現（例えば「四角形状」または「円筒形状」等）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密に形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸または面取り等を有する形状も表す。
【0040】
１つの構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。
【0041】
「連結」という表現は、特に断らない限り、２つの要素が接する状態のほか、２つの要素が他の要素を挟んで離れる状態も含む表現である。
【0042】
ある方向に「移動させる」とは、特に断らない限りにおいて、この方向と平行に移動させる場合のみならず、この方向の成分を持つ方向に移動させることを含む場合がある。
【0043】
【0044】
基板処理装置７９０は、本開示にかかる循環装置との間で供給および回収が行われる処理液を用いて基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗを処理する。当該循環装置およびその制御方法については後に詳述される。循環装置と基板処理装置７９０とは纏まって、基板処理システムと把握されてもよい。
【0045】
基板Ｗには、例えば、略円盤状の薄い平板が適用される。図１では、後述されるキャリアＣに格納される基板Ｗの外縁、および後述される保持部７１１に保持される基板Ｗの外縁のいずれもが破線で示される。
【0046】
基板処理装置７９０は、例えば、インデクサ部７９２と、処理ブロック７９３と、を備える。処理ブロック７９３は、インデクサ部７９２に連結される。
【0047】
インデクサ部７９２と処理ブロック７９３とは、水平方向に並ぶ。インデクサ部７９２は、例えば、処理ブロック７９３に基板Ｗを供給する。処理ブロック７９３は、例えば、基板Ｗに処理を行う。インデクサ部７９２は、例えば、処理ブロック７９３から基板Ｗを回収する。
【0048】
本明細書では、便宜上、インデクサ部７９２と処理ブロック７９３が並ぶ水平方向が、±Ｘ方向（前後方向ともいう）に採用される。±Ｘ方向（前後方向）のうち、処理ブロック７９３からインデクサ部７９２に向かう方向が－Ｘ方向（前方向とも前方ともいう）に採用され、インデクサ部７９２から処理ブロック７９３に向かう方向が＋Ｘ方向（後方向とも後方ともいう）にされる。
【0049】
±Ｘ方向（前後方向）と直交する水平方向が、±Ｙ方向（幅方向ともいう）に採用される。±Ｙ方向（幅方向）のうち、－Ｘ方向（前方向）を向いたときに右側に向かう方向が＋Ｙ方向（右方向とも右方ともいう）に採用され、－Ｘ方向（前方向）を向いたときに左側に向かう方向が－Ｙ方向（左方向とも左方ともいう）に採用される。
【0050】
水平方向に対して垂直な方向が、±Ｚ方向（上下方向ともいう）に採用される。±Ｚ方向（上下方向）のうち、重力方向が－Ｚ方向（下方向とも下方ともいう）に採用され、重力方向とは逆の方向が＋Ｚ方向（上方向とも上方ともいう）に採用される。前方、後方、右方および左方が特に区別されない場合には、これらはいずれも単に側方と称される。
【0051】
＜１－１．インデクサ部の構成＞
図１で示されるように、インデクサ部７９２は、複数（例えば、４つ）のキャリア載置部７２１と、搬送スペース７２２と、１つ以上（例えば１つ）の第１搬送機構（インデクサ機構ともいう）７２３と、を備える。
図１で示されるように、インデクサ部７９２は、複数（例えば、４つ）のキャリア載置部７２１と、搬送スペース７２２と、１つ以上（例えば１つ）の第１搬送機構（インデクサ機構ともいう）７２３と、を備える。
【0052】
複数のキャリア載置部７２１は幅方向（±Ｙ方向）に並ぶ。各キャリア載置部７２１には、１つのキャリアＣが載置される。キャリアＣは、複数枚の基板Ｗを収容する。キャリアＣには、例えば、ＦＯＵＰ（front opening unified pod）が適用される。
【0053】
搬送スペース７２２は、キャリア載置部７２１の後方（＋Ｘ方向）に位置する。搬送スペース７２２は、幅方向（±Ｙ方向）に延びる。第１搬送機構７２３は、搬送スペース７２２に位置する。
【0054】
第１搬送機構７２３は、キャリア載置部７２１の後方（＋Ｘ方向）に位置する。第１搬送機構７２３は、基板Ｗを搬送する。第１搬送機構７２３は、キャリア載置部７２１に載置されたキャリアＣにアクセスする。
【0055】
第１搬送機構７２３は、ハンド７２３１と、ハンド駆動部７２３２と、を備える。ハンド７２３１は、１枚の基板Ｗを水平姿勢で支持する。ハンド駆動部７２３２は、ハンド７２３１に連結されており、ハンド７２３１を移動させる。具体的には、ハンド駆動部７２３２は、ハンド７２３１を前後方向（±Ｘ方向）、幅方向（±Ｙ方向）および上下方向（±Ｚ方向）に移動させる。ハンド駆動部７２３２は、複数の電動モータを有する。
【0056】
【0057】
レール７２３２ａは、例えば、搬送スペース７２２の底部に固定される。レール７２３２ａは、幅方向（±Ｙ方向）に延びる。
【0058】
水平移動部７２３２ｂは、レール７２３２ａによって支持される。水平移動部７２３２ｂは、レール７２３２ａに対して幅方向（±Ｙ方向）に移動する。
【0059】
垂直移動部７２３２ｃは、水平移動部７２３２ｂによって支持される。垂直移動部７２３２ｃは、水平移動部７２３２ｂに対して上下方向に移動する。
【0060】
回転部７２３２ｄは、垂直移動部７２３２ｃによって支持される。回転部７２３２ｄは、垂直移動部７２３２ｃに対して回転する。回転部７２３２ｄは、回転軸線Ａ１を中心として回転する。回転軸線Ａ１は、上下方向に沿って延びる仮想線である。
【0061】
進退移動部７２３２ｅは、回転部７２３２ｄに対して移動する。進退移動部７２３２ｅは、回転部７２３２ｄの向きによって決まる水平方向に沿って往復移動する。進退移動部７２３２ｅは、ハンド７２３１に接続される。
【0062】
このようなハンド駆動部７２３２により、ハンド７２３１は、上下方向における平行移動と、任意の水平方向における平行移動と、回転軸線Ａ１を中心とした回転移動とが、実現される。
【0063】
＜１－２．処理ブロックの構成＞
図３は、図１の基板処理装置７９０のIII－III線に沿った縦断面を後方向（＋Ｘ方向）に向いて見た一例を模式的に示す縦断面図である。図４は、処理ブロック７９３の左方（－Ｙ方向）の部分（左部ともいう）を左方向（－Ｙ方向）に沿って見た構成の一例を模式的に示す側面図である。図５は、処理ブロック７９３の右方（＋Ｙ方向）の部分（右部ともいう）を右方向（＋Ｙ方向）に沿って見た構成の一例を模式的に示す側面図である。
図３は、図１の基板処理装置７９０のIII－III線に沿った縦断面を後方向（＋Ｘ方向）に向いて見た一例を模式的に示す縦断面図である。図４は、処理ブロック７９３の左方（－Ｙ方向）の部分（左部ともいう）を左方向（－Ｙ方向）に沿って見た構成の一例を模式的に示す側面図である。図５は、処理ブロック７９３の右方（＋Ｙ方向）の部分（右部ともいう）を右方向（＋Ｙ方向）に沿って見た構成の一例を模式的に示す側面図である。
【0064】
例えば、図１から図５で示されるように、処理ブロック７９３は、２つの搬送スペース７４Ａ，７４Ｂと、２つの第２搬送機構７５Ａ，７５Ｂと、複数個（ここでは、２４個）の処理ユニット７６と、２つの基板載置部７７Ａ，７７Ｂと、１つの隔壁７３ｗと、水平排気系７８０とを備える。
【0065】
搬送スペース７４Ａは、幅方向（±Ｙ方向）における処理ブロック７９３の中央部に位置する。搬送スペース７４Ａは、前後方向（±Ｘ方向）に延びる。搬送スペース７４Ａの前方の部分（前部ともいう）は、インデクサ部７９２の搬送スペース７２２と連結される。
【0066】
搬送スペース７４Ｂは、搬送スペース７４Ａと略同一の形状を有する。具体的には、搬送スペース７４Ｂは、幅方向（±Ｙ方向）における処理ブロック７９３の中央部に位置する。搬送スペース７４Ｂは、前後方向（±Ｘ方向）に延びる。搬送スペース７４Ｂの前方の部分（前部ともいう）は、インデクサ部７９２の搬送スペース７２２と連結される。
【0067】
搬送スペース７４Ｂは、搬送スペース７４Ａの下方に位置する。搬送スペース７４Ｂは、平面視において、搬送スペース７４Ａと重なるように位置する。搬送スペース７４Ａ，７４Ｂが互いに区別されない場合には、これらはいずれも単に搬送スペース７４と称される。
【0068】
隔壁７３ｗは、例えば水平な板形状を有する。隔壁７３ｗが、搬送スペース７４Ａの下方であり且つ搬送スペース７４Ｂの上方に位置する。隔壁７３ｗは、搬送スペース７４Ａと搬送スペース７４Ｂとを隔てる。
【0069】
基板載置部７７Ａは、搬送スペース７４Ａに位置する。基板載置部７７Ａは、搬送スペース７４Ａの前部に位置する。インデクサ部７９２の第１搬送機構７２３は、基板載置部７７Ａにもアクセスする。基板載置部７７Ａには、１枚または複数枚の基板Ｗが載置される。
【0070】
基板載置部７７Ｂは、搬送スペース７４Ｂに位置する。基板載置部７７Ｂは、基板載置部７７Ａの下方に位置する。基板載置部７７Ｂは、搬送スペース７４Ｂの前部に位置する。基板載置部７７Ｂは、平面視において、基板載置部７７Ａと重なるように位置する。基板載置部７７Ｂは、平面視において、基板載置部７７Ａと同じ位置に位置する。
【0071】
インデクサ部７９２の第１搬送機構７２３は、基板載置部７７Ｂにもアクセスする。基板載置部７７Ｂには、１枚または複数枚の基板Ｗが載置される。基板載置部７７Ａ，７７Ｂが互いに区別されない場合には、これらはいずれも単に基板載置部７７と称される。
【0072】
第２搬送機構７５Ａは、搬送スペース７４Ａに位置する。第２搬送機構７５Ａは、基板Ｗを搬送する。第２搬送機構７５Ａは、基板載置部７７Ａにアクセスする。
【0073】
第２搬送機構７５Ｂは、搬送スペース７４Ｂに位置する。第２搬送機構７５Ｂは、基板Ｗを搬送する。第２搬送機構７５Ｂは、第２搬送機構７５Ａと同一の構造を有する。第２搬送機構７５Ｂは、基板載置部７７Ｂにアクセスする。第２搬送機構７５Ａ，７５Ｂが互いに区別されない場合には、これらはいずれも単に第２搬送機構７５と称される。
【0074】
第２搬送機構７５の各々は、ハンド７５１とハンド駆動部７５２を備える。ハンド７５１は、１枚の基板Ｗを水平姿勢で支持する。ハンド駆動部７５２は、ハンド７５１に連結される。ハンド駆動部７５２は、ハンド７５１を前後方向（±Ｘ方向）、幅方向（±Ｙ方向）および上下方向に移動させる。ハンド駆動部７５２は、複数の電動モータを備える。
【0075】
具体的には、ハンド駆動部７５２は、例えば、２つの支柱７５２ａと、垂直移動部７５２ｂと、水平移動部７５２ｃと、回転部７５２ｄと、進退移動部７５２ｅとを備える。
【0076】
２つの支柱７５２ａは、例えば、搬送スペース７２２の側部に固定される。２つの支柱７５２ａは、前後方向（±Ｘ方向）に並ぶ。各支柱７５２ａは、上下方向に延びる。
【0077】
垂直移動部７５２ｂは、２つの支柱７５２ａによって支持される。垂直移動部７５２ｂは前後方向（±Ｘ方向）に延び、２つの支柱７５２ａの間に架設される。垂直移動部７５２ｂは、２つの支柱７５２ａに対して上下方向に移動する。
【0078】
水平移動部７５２ｃは、垂直移動部７５２ｂに支持される。水平移動部７５２ｃは、垂直移動部７５２ｂに対して前後方向（±Ｘ方向）に移動する。水平移動部７５２ｃは、２つの支柱７５２ａの間において前後方向（±Ｘ方向）に移動する。
【0079】
回転部７５２ｄは、水平移動部７５２ｃに支持される。回転部７５２ｄは、水平移動部７５２ｃに対して回転する。回転部７５２ｄは、回転軸線Ａ２を中心として回転する。回転軸線Ａ２は、上下方向に沿って延びる仮想線である。
【0080】
進退移動部７５２ｅは、回転部７５２ｄに対して移動する。進退移動部７５２ｅは、回転部７５２ｄの向きによって決まる水平方向に往復移動する。進退移動部７５２ｅは、ハンド７５１に接続される。
【0081】
このようなハンド駆動部７５２により、ハンド７５１は、上下方向における平行移動と、任意の水平方向における平行移動と、回転軸線Ａ２を中心とした回転移動とを実行する。
【0082】
２４個の処理ユニット７６のそれぞれは、第２搬送機構７５によって搬送された基板Ｗに対して所定の処理を行う。
【0083】
処理ブロック７９３は、６つの処理ユニット７６Ａ、６つの処理ユニット７６Ｂ、６つの処理ユニット７６Ｃ、および６つの処理ユニット７６Ｄを備える。処理ユニット７６Ａ，７６Ｂ，７６Ｃ，７６Ｄが互いに区別されない場合には、これらはいずれも単に処理ユニット７６と称される。
【0084】
６つの処理ユニット７６Ａは、上下方向に積層するように位置する。換言すれば、６つの処理ユニット７６Ａは、上下方向に１列に並ぶ。６つの処理ユニット７６Ｂは、上下方向に積層するように位置する。換言すれば、６つの処理ユニット７６Ｂは、上下方向に１列に並ぶ。６つの処理ユニット７６Ｃは、上下方向に積層するように位置する。換言すれば、６つの処理ユニット７６Ｃは、上下方向に１列に並ぶ。６つの処理ユニット７６Ｄは、上下方向に積層するように位置する。換言すれば、６つの処理ユニット７６Ｄは、上下方向に１列に並ぶ。
【0085】
６つの処理ユニット７６Ａ、６つの処理ユニット７６Ｂ、６つの処理ユニット７６Ｃ、および６つの処理ユニット７６Ｄのそれぞれは、上述のタワー（ここでは４つのタワー）に含まれる。
【0086】
６つの処理ユニット７６Ａにおける６つの処理室７６１は、上下方向において積層される。６つの処理ユニット７６Ｂにおける６つの処理室７６１は、上下方向において積層される。６つの処理ユニット７６Ｃにおける６つの処理室７６１は、上下方向において積層される。６つの処理ユニット７６Ｄにおける６つの処理室７６１は、上下方向において積層される。
【0087】
６つの処理ユニット７６Ａおよび６つの処理ユニット７６Ｂは、搬送スペース７４Ａ，７４Ｂの左方（－Ｙ方向）に位置する。６つの処理ユニット７６Ａと６つの処理ユニット７６Ｂとは、搬送スペース７４Ａ，７４Ｂに沿って、前後方向（±Ｘ方向）に並ぶ。６つの処理ユニット７６Ｂは、６つの処理ユニット７６Ａの後方（＋Ｘ方向）に位置する。
【0088】
６つの処理ユニット７６Ｃおよび６つの処理ユニット７６Ｄは、搬送スペース７４Ａ，７４Ｂの右方（＋Ｙ方向）に位置する。６つの処理ユニット７６Ｃと６つの処理ユニット７６Ｄとは、搬送スペース７４Ａ，７４Ｂに沿って、前後方向（±Ｘ方向）に並ぶ。６つの処理ユニット７６Ｄは、６つの処理ユニット７６Ｃの後方（＋Ｘ方向）に位置する。
【0089】
６つの処理ユニット７６Ａと６つの処理ユニット７６Ｃとは、搬送スペース７４Ａ，７４Ｂを挟んで対向する。６つの処理ユニット７６Ｂと６つの処理ユニット７６Ｄとは、搬送スペース７４Ａ，７４Ｂを挟んで対向する。
【0090】
第２搬送機構７５は、処理ユニット７６の保持部７１１にアクセスする。隔壁７３ｗの上方に位置する第２搬送機構７５Ａは、２４個の処理ユニット７６のうちの上側の１２個（４個×上３段）の処理ユニット７６に対して基板Ｗを搬送し、これらの上側の１２個の処理ユニット７６から基板Ｗを搬出する。隔壁７３ｗの下方に位置する第２搬送機構７５Ｂは、２４個の処理ユニット７６のうちの下側の１２個（４個×下３段）の処理ユニット７６に対して基板Ｗを搬送し、これらの下側の１２個の処理ユニット７６から基板Ｗを搬出する。
【0091】
＜１－３．処理ユニットの構成＞
図６は、処理ユニット７６の構成を、処理ユニット７６Ａを例にとって模式的に示す横断面図である。各処理室７６１は、搬送スペース７４に隣接する。
図６は、処理ユニット７６の構成を、処理ユニット７６Ａを例にとって模式的に示す横断面図である。各処理室７６１は、搬送スペース７４に隣接する。
【0092】
図７は、処理ユニット７６の概略的な構成を、処理ユニット７６Ｃを例にとって模式的に示す縦断面図である。
【0093】
図６および図７で示されるように、各処理ユニット７６は、処理室７６１（チャンバとも処理筐体ともいう）と、供給管スペース７６２と、排気管スペース７６３とを備える。例えば、複数の処理ユニット７６は、同じ構造を有する。
【0094】
＜１－４．処理室の構成＞
処理室７６１は、例えば、略箱形状を有する。処理室７６１は、例えば、平面視、正面視および側面視において、略矩形形状を有する。処理室７６１は、その内部に処理スペース７６１ｓを有する。処理ユニット７６は、処理スペース７６１ｓにおいて基板Ｗを処理する。図６では、保持部７１１に保持される基板Ｗの外縁が破線で示される。
処理室７６１は、例えば、略箱形状を有する。処理室７６１は、例えば、平面視、正面視および側面視において、略矩形形状を有する。処理室７６１は、その内部に処理スペース７６１ｓを有する。処理ユニット７６は、処理スペース７６１ｓにおいて基板Ｗを処理する。図６では、保持部７１１に保持される基板Ｗの外縁が破線で示される。
【0095】
処理室７６１は、搬送スペース７４側に基板搬送口７６１ｏを有する。基板搬送口７６１ｏは、処理室７６１の側壁に形成される。基板搬送口７６１ｏは、基板Ｗが通過可能なサイズを有する。第２搬送機構７５は、基板搬送口７６１ｏを介して、処理室７６１の外部（具体的には搬送スペース７４）と処理室７６１の内部（具体的には処理スペース７６１ｓ）との間で、基板Ｗを移動させる。各処理ユニット７６は、基板搬送口７６１ｏを開閉するシャッター（不図示）を有する。
【0096】
処理ユニット７６の各々は、例えば、保持部７１１と、流体供給部７１２とを備える。
【0097】
保持部７１１は、処理室７６１の内部に位置する。保持部７１１は、基板Ｗを保持する。より具体的には、保持部７１１は、１枚の基板Ｗを水平姿勢で保持する。保持部７１１は、例えば、鉛直方向に沿った仮想的な回転軸線Ａ３を中心として、この保持部７１１に保持された基板Ｗを回転させる部分（駆動部ともいう）を含む。
【0098】
保持部７１１には、スピンチャックが適用される。スピンチャックは、例えば、基板Ｗの中央部を通り且つ上下方向に沿って延びる回転軸線Ａ３を中心として基板Ｗを回転させる。
【0099】
具体的には、スピンチャックは、チャックピン（チャック部材）７１１ｐと、スピンベース７１１ｂと、スピンベース７１１ｂの下面中央に結合された回転軸７１１ｓと、回転軸７１１ｓに回転力を与える駆動部としての電動モータ７１１ｍとを含む。
【0100】
回転軸７１１ｓは、回転軸線Ａ３に沿って上下方向に延びる。例えば、回転軸７１１ｓは、中空軸である。
【0101】
回転軸７１１ｓの上端に、スピンベース７１１ｂが結合される。スピンベース７１１ｂは、水平方向に沿った円盤形状を有する。スピンベース７１１ｂは、平面視において、回転軸線Ａ３を中心とする円形であり、基板Ｗの直径よりも大きな直径を有する。スピンベース７１１ｂの上面の周縁部に、複数個（例えば、６個）のチャックピン７１１ｐが周方向に間隔を空けて位置する。
【0102】
複数のチャックピン７１１ｐは、基板Ｗの周端に接触して基板Ｗを把持する閉状態と、基板Ｗの周端から退避した開状態と、の間で開閉可能である。複数のチャックピン７１１ｐは、例えば、開状態において、基板Ｗの周縁部の下面に接触して、基板Ｗを下方から支持する。
【0103】
チャックピン７１１ｐは、例えば、スピンベース７１１ｂに内蔵されたリンク機構と、スピンベース７１１ｂ外に位置する駆動源とを含むユニットによって、開閉駆動を行う。駆動源は、例えば、ボールねじ機構と、このボールねじ機構に駆動力を与える電動モータと、を含む。
【0104】
処理ユニット７６の各々は、例えば、ヒータユニット７１９を備える。ヒータユニット７１９は、スピンベース７１１ｂの上方に位置する。ヒータユニット７１９の下面には、回転軸線Ａ３に沿って上下方向に延びる昇降軸７１９ｒが結合される。
【0105】
昇降軸７１９ｒは、スピンベース７１１ｂの中央部を上下方向に貫通する貫通孔と、回転軸７１１ｓの上下方向に貫通する中空部分と、に挿通される。
【0106】
昇降軸７１９ｒの下端は、回転軸７１１ｓの下端よりもさらに下方にまで延びる。昇降軸７１９ｒの下端には、昇降ユニット７１９ｍが結合される。昇降ユニット７１９ｍを作動させることにより、ヒータユニット７１９は、スピンベース７１１ｂの上面に近い下位置と、基板Ｗの下面を支持して基板Ｗをチャックピン７１１ｐから持ち上げる上位置と、の間で上下動する。
【0107】
昇降ユニット７１９ｍは、例えば、ボールねじ機構と、それに駆動力を与える電動モータとを含む。これにより、昇降ユニット７１９ｍは、下位置と上位置との間の任意の中間位置にヒータユニット７１９を配置することができる。
【0108】
例えば、ヒータユニット７１９の上面である加熱面７１９ｕを、基板Ｗの下面との間に所定の間隔を開けた離隔位置に配置した状態で、加熱面７１９ｕからの輻射熱によって基板Ｗを加熱することができる。例えば、ヒータユニット７１９で基板Ｗを持ち上げれば、加熱面７１９ｕを基板Ｗの下面に接触させた接触状態で、加熱面７１９ｕからの熱伝導により、基板Ｗがより大きな熱量で加熱される。
【0109】
ヒータユニット７１９は、円板状のホットプレートの形態を有する。ヒータユニット７１９は、プレート本体と、複数の支持ピンと、ヒータと、を含む。プレート本体の上面は、水平面に沿う平面である。プレート本体は、平面視において、基板Ｗと同様な円形形状と、基板Ｗの直径よりも僅かに小さい直径とを有する。
【0110】
プレート本体の外周端は、複数のチャックピン７１１ｐの内方に位置する。換言すれば、水平方向において、プレート本体が、複数のチャックピン７１１ｐによって囲まれる。これにより、ヒータユニット７１９が上下動するときに、ヒータユニット７１９は、チャックピン７１１ｐと干渉しない。
【0111】
複数の支持ピンのそれぞれは、例えば、プレート本体の上面から上方に僅かに突出するように位置する半球状のピンである。複数の支持ピンは、プレート本体の上面にほぼ均等に配置される。プレート本体の上面（加熱面７１９ｕ）には、複数の支持ピンが存在していなくてもよい。
【0112】
例えば、複数の基板Ｗが支持ピンに接触して支持されるとき、基板Ｗの下面とプレート本体の上面（加熱面７１９ｕ）とが微小間隔を開けて対向する。これにより、ヒータユニット７１９によって基板Ｗが効率的かつ均一に加熱され得る。
【0113】
ヒータには、例えば、プレート本体に内蔵される抵抗体が適用される。プレート本体の上面（加熱面７１９ｕ）は、例えば、ヒータへの通電により、有機溶剤の沸点よりも高温となるように加熱され得る。ヒータへの給電線は、昇降軸７１９ｒ内に通される。そして、給電線には、ヒータに電力を供給する通電ユニット７１９ｅが接続される。
【0114】
処理ユニット７６の各々は、例えば、処理室７６１の内部において、保持部７１１を取り囲む筒状のカップ７１７を備える。
【0115】
流体供給部７１２は、例えば、保持部７１１に保持された基板Ｗに、複数種類の流体を供給する。複数種類の流体は、例えば、薬液、リンス液および有機溶剤等の処理液を含む。薬液は、例えば、エッチング液および洗浄液を含む。薬液には、例えば、酸性液（酸系の液体）およびアルカリ液（アルカリ系の液体）が適用される。
【0116】
酸性液は、例えば、フッ酸（フッ化水素酸）、塩酸過酸化水素水混合液（ＳＣ２）、硫酸、硫酸過酸化水素水（ＳＰＭ）、フッ硝酸（フッ酸と硝酸との混合液）、および塩酸の少なくとも１つを含む。
【0117】
アルカリ液は、例えば、アンモニア過酸化水素水（ＳＣ１）、アンモニア水、フッ化アンモニウム溶液、および水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）の少なくとも１つを含む。
【0118】
リンス液は、例えば、基板Ｗ上の薬液を洗い流すための液体である。リンス液には、例えば、脱イオン水（ＤＩＷ）が適用される。
【0119】
有機溶剤は、例えば、基板Ｗ上のリンス液を排除するための液体である。有機溶剤には、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等が適用される。
【0120】
複数の流体は、例えば、不活性ガス等の気体を含む。不活性ガスには、例えば、窒素ガス等が適用される。
【0121】
流体供給部７１２は、例えば、それぞれが所定の流体を吐出する、第１移動ノズル７１ｎと、第２移動ノズル７２ｎと、第３移動ノズル７３ｎとを含む。
【0122】
第１移動ノズル７１ｎは、第１移動ユニット７１Ｍによって、水平方向に移動される。第１移動ノズル７１ｎは、水平方向への移動によって、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａの回転中心に対向する位置（以下「第１吐出位置」とも称される）と、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａに対向しない位置（以下「第１ホーム位置」とも称される）との間で移動され得る。
【0123】
第１吐出位置は、例えば、第１移動ノズル７１ｎから吐出される第１処理液が基板Ｗの上面の回転中心に着液する位置であってもよい。第１ホーム位置は、平面視において、保持部７１１の外方の位置である。より具体的には、第１ホーム位置は、平面視において、カップ７１７の外方の位置であってもよい。
【0124】
第１移動ノズル７１ｎは、第１移動ユニット７１Ｍによる上下方向への移動によって、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａに接近させてもよいし、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａから上方に退避させてもよい。
【0125】
第１移動ユニット７１Ｍは、例えば、上下方向に延びる第１回動軸７１ｓと、第１回動軸７１ｓに結合されて水平に延びる第１アーム７１ａと、第１アーム７１ａを駆動する第１アーム駆動機構７１ｍとを含む。
【0126】
第１アーム駆動機構７１ｍは、第１回動軸７１ｓを上下方向に沿って延びる仮想的な回動軸線Ａ４を中心として回動させることで第１アーム７１ａを揺動させる。第１移動ノズル７１ｎは、第１アーム７１ａのうちの回動軸線Ａ４から水平方向に離れた箇所に取り付けられる。
【0127】
第１アーム７１ａの揺動に応じて、図６における二点鎖線の矢印で示されるように、第１移動ノズル７１ｎが水平方向において円弧状の軌道に沿って移動する。第１アーム駆動機構７１ｍは、例えば、第１回動軸７１ｓを上下方向に沿って昇降させることで第１アーム７１ａを上下動させてもよい。
【0128】
第１移動ノズル７１ｎは、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａに第１の処理液（第１処理液ともいう）を供給する機能を有する。第１移動ノズル７１ｎには、第１処理液を供給する管として機能する第１処理液供給管Ｐ１が結合される。
【0129】
第１処理液供給管Ｐ１には、第１処理液供給管Ｐ１の流路を開閉するバルブとして機能する第１処理液開閉弁Ｖ１が介装される。第１処理液供給管Ｐ１には、後述される処理液分配部７０１または処理液分配部７０２から第１処理液が供給される。ここでは、第１処理液には、硫酸（ＨＳＯ）等の酸性液が適用される。第１移動ノズル７１ｎは、第１処理液を吐出するストレートノズルであってもよいし、第１処理液と不活性ガスとを混合して吐出する二流体ノズルであってもよい。
【0130】
第２移動ノズル７２ｎは、第２移動ユニット７２Ｍによって、水平方向に移動される。第２移動ノズル７２ｎは、水平方向への移動によって、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａの回転中心に対向する位置（以下「第２吐出位置」とも称される）と、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａに対向しない位置（以下「第２ホーム位置」とも称される）との間で移動され得る。
【0131】
第２吐出位置は、例えば、第２移動ノズル７２ｎから吐出される第２処理液が基板Ｗの上面の回転中心に着液する位置であってもよい。第２ホーム位置は、平面視において、保持部７１１の外方の位置である。より具体的には、第２ホーム位置は、平面視において、カップ７１７の外方の位置であってもよい。
【0132】
第２移動ノズル７２ｎは、第２移動ユニット７２Ｍによる上下方向への移動によって、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａに接近させてもよいし、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａから上方に退避させてもよい。
【0133】
第２移動ユニット７２Ｍは、例えば、上下方向に延びる第２回動軸７２ｓと、第２回動軸７２ｓに結合されて水平に延びる第２アーム７２ａと、第２アーム７２ａを駆動する第２アーム駆動機構７２ｍとを含む。
【0134】
第２アーム駆動機構７２ｍは、第２回動軸７２ｓを上下方向に沿って延びる仮想的な回動軸線Ａ５を中心として回動させることで第２アーム７２ａを揺動させる。第２移動ノズル７２ｎは、第２アーム７２ａのうちの回動軸線Ａ５から水平方向に離れた箇所に取り付けられる。
【0135】
第２アーム７２ａの揺動に応じて、図６における二点鎖線の矢印で示されるように、第２移動ノズル７２ｎが水平方向において円弧状の軌道に沿って移動する。第２アーム駆動機構７２ｍは、例えば、第２回動軸７２ｓを上下方向に沿って昇降させることで第２アーム７２ａを上下動させてもよい。
【0136】
第２移動ノズル７２ｎは、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａに第２の処理液（第２処理液ともいう）を供給する機能を有する。第２移動ノズル７２ｎには、第２処理液を供給する管として機能する第２処理液供給管Ｐ２が結合される。
【0137】
第２処理液供給管Ｐ２には、第２処理液供給管Ｐ２の流路を開閉するバルブとして機能する第２処理液開閉弁Ｖ２が介装される。第２処理液供給管Ｐ２には、後述される処理液分配部７０１または処理液分配部７０２から第２処理液が供給される。ここでは、第２処理液には、アンモニア過酸化水素水（ＳＣ１）等のアルカリ液が適用される。第２移動ノズル７２ｎは、第２処理液を吐出するストレートノズルであってもよいし、第２処理液と不活性ガスとを混合して吐出する二流体ノズルであってもよい。
【0138】
第３移動ノズル７３ｎは、第３移動ユニット７３Ｍによって、水平方向に移動される。第３移動ノズル７３ｎは、水平方向への移動によって、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａの回転中心に対向する位置（以下「第３吐出位置」とも称される）と、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａに対向しない位置（以下「第３ホーム位置」とも称される）との間で移動され得る。
【0139】
第３吐出位置は、例えば、第３移動ノズル７３ｎから吐出される第３処理液が基板Ｗの上面の回転中心に着液する位置であってもよい。第３ホーム位置は、平面視において、保持部７１１の外方の位置である。より具体的には、第３ホーム位置は、平面視において、カップ７１７の外方の位置であってもよい。
【0140】
第３移動ノズル７３ｎは、第３移動ユニット７３Ｍによる上下方向への移動によって、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａに接近させてもよいし、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａから上方に退避させてもよい。
【0141】
第３移動ユニット７３Ｍは、例えば、上下方向に延びる第３回動軸７３ｓと、第３回動軸７３ｓに結合されて水平に延びる第３アーム７３ａと、第３アーム７３ａを駆動する第３アーム駆動機構７３ｍとを含む。
【0142】
第３アーム駆動機構７３ｍは、第３回動軸７３ｓを上下方向に沿って延びる仮想的な回動軸線Ａ６を中心として回動させることで第３アーム７３ａを揺動させる。第３移動ノズル７３ｎは、第３アーム７３ａのうちの回動軸線Ａ６から水平方向に離れた箇所に取り付けられる。
【0143】
第３アーム７３ａの揺動に応じて、図６における二点鎖線の矢印で示されるように、第３移動ノズル７３ｎが水平方向において円弧状の軌道に沿って移動する。第３アーム駆動機構７３ｍは、第３回動軸７３ｓを上下方向に沿って昇降させることで第３アーム７３ａを上下動させてもよい。
【0144】
第３移動ノズル７３ｎは、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａに第３の処理液（第３処理液ともいう）を供給する機能を有する。第３移動ノズル７３ｎには、第３処理液を供給する管として機能する第３処理液供給管Ｐ３が結合される。
【0145】
第３処理液供給管Ｐ３には、第３処理液供給管Ｐ３の流路を開閉するバルブとして機能する第３処理液開閉弁Ｖ３が介装される。第３処理液供給管Ｐ３には、後述される処理液分配部７０１または処理液分配部７０２から第３処理液が供給される。ここでは、第３処理液には、脱イオン水（ＤＩＷ）等のリンス液が適用される。第３移動ノズル７３ｎは、第３処理液を吐出するストレートノズルであってもよいし、第３処理液と不活性ガスとを混合して吐出する二流体ノズルであってもよい。
【0146】
処理ユニット７６は、例えば、給気部７１８としてのファンフィルタユニット（ＦＦＵ）を備える。ＦＦＵは、基板処理装置７９０が設置されるクリーンルーム内の空気をさらに清浄化して処理室７６１内に供給することができる。
【0147】
ＦＦＵは、例えば、処理室７６１の天井壁に取り付けられる。ＦＦＵは、クリーンルーム内の空気を取り込んで処理室７６１内に送り出すためのファンおよびフィルタ（例えば、ＨＥＰＡフィルタ）等を備えており、処理室７６１内に清浄空気のダウンフローを形成することができる。ＦＦＵから供給された清浄空気を処理室７６１内により均一に分散させるために、多数の吹出し孔を穿設したパンチングプレートが天井壁の直下に配置されてもよい。
【0148】
例えば、処理室７６１の側壁の一部であって処理室７６１の床壁の近傍には、基板処理装置７９０の外部（工場の排気設備等）に連通するように接続される排気口７６２ｏが設けられる。例えば、ＦＦＵから供給されて処理室７６１内を流下した清浄空気のうち、カップ７１７等の近傍を通過した空気は、排気口７６２ｏを介して基板処理装置７９０の外に排出される。例えば、処理室７６１内の上部に窒素ガス等の不活性ガスを導入する構成が加えられてもよい。
【0149】
＜１－５．供給管スペースの構成＞
図４および図５で示されるように、４つの供給管スペース７６２が、上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ａから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ａにわたって、１つの供給管スペース７６２Ａが上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｂから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｂにわたって、１つの供給管スペース７６２Ｂが上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｃから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｃにわたって、１つの供給管スペース７６２Ｃが上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｄから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｄにわたって、１つの供給管スペース７６２Ｄが上下方向に延びる。供給管スペース７６２Ａ～６２Ｄはこれらが互いに区別されない場合には、これらはいずれも単に供給管スペース７６２と称される。
図４および図５で示されるように、４つの供給管スペース７６２が、上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ａから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ａにわたって、１つの供給管スペース７６２Ａが上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｂから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｂにわたって、１つの供給管スペース７６２Ｂが上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｃから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｃにわたって、１つの供給管スペース７６２Ｃが上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｄから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｄにわたって、１つの供給管スペース７６２Ｄが上下方向に延びる。供給管スペース７６２Ａ～６２Ｄはこれらが互いに区別されない場合には、これらはいずれも単に供給管スペース７６２と称される。
【0150】
供給管スペース７６２は、処理室７６１に流体を供給するための配管が配置される領域である。供給管スペース７６２には、例えば、第１処理液供給管Ｐ１、第２処理液供給管Ｐ２、第３処理液供給管Ｐ３、第１処理液開閉弁Ｖ１、第２処理液開閉弁Ｖ２、第３処理液開閉弁Ｖ３が配される。第１処理液供給管Ｐ１、第２処理液供給管Ｐ２、第３処理液供給管Ｐ３は、供給管スペース７６２から処理室７６１内に引き出されて、第１移動ノズル７１ｎ、第２移動ノズル７２ｎ、第３移動ノズル７３ｎに接続される。
【0151】
＜１－６．排気管スペースの構成＞
図４および図５で示されるように、４つの排気管スペース７６３が、上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ａから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ａにわたって、１つの排気管スペース７６３Ａが上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｂから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｂにわたって、１つの排気管スペース７６３Ｂが上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｃから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｃにわたって、１つの排気管スペース７６３Ｃが上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｄから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｄにわたって、１つの排気管スペース７６３Ｄが上下方向に延びる。排気管スペース７６３Ａ～６３Ｄが互いに区別されない場合には、これらはいずれも単に排気管スペース７６３と称される。
図４および図５で示されるように、４つの排気管スペース７６３が、上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ａから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ａにわたって、１つの排気管スペース７６３Ａが上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｂから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｂにわたって、１つの排気管スペース７６３Ｂが上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｃから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｃにわたって、１つの排気管スペース７６３Ｃが上下方向に延びる。例えば、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｄから最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｄにわたって、１つの排気管スペース７６３Ｄが上下方向に延びる。排気管スペース７６３Ａ～６３Ｄが互いに区別されない場合には、これらはいずれも単に排気管スペース７６３と称される。
【0152】
各排気管スペース７６３は、処理室７６１から気体を排出するための配管が配置される領域である。図４から図７に示されるように、各排気管スペース７６３には、例えば、排気路切り替え機構７７０、第１垂直排気管７７１、第２垂直排気管７７２、第３垂直排気管７７３が配される。
【0153】
例えば、排気管スペース７６３Ａには、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ａの処理室７６１から最上段（６段目）の処理ユニット７６Ａの処理室７６１のそれぞれに対して、排気路切り替え機構７７０が配される。例えば、排気管スペース７６３Ｂには、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｂの処理室７６１から最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｂの処理室７６１のそれぞれに対して、排気路切り替え機構７７０が配される。例えば、排気管スペース７６３Ｃには、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｃの処理室７６１から最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｃの処理室７６１のそれぞれに対して、排気路切り替え機構７７０が配される。例えば、排気管スペース７６３Ｄには、最下段（１段目）の処理ユニット７６Ｄの処理室７６１から最上段（６段目）の処理ユニット７６Ｄの処理室７６１のそれぞれに対して、排気路切り替え機構７７０が配される。
【0154】
第１垂直排気管７７１、第２垂直排気管７７２、第３垂直排気管７７３の組は、例えば四つ存在する。第１垂直排気管７７１、第２垂直排気管７７２、第３垂直排気管７７３は、例えば、処理室７６１から排気路切り替え機構７７０を介して排出されてくる気体を、基板処理装置７９０の外部に排出するための配管である。
【0155】
排気管スペース７６３の各々において、例えば、第１垂直排気管７７１、第２垂直排気管７７２、第３垂直排気管７７３のそれぞれは、最下段（１段目）の処理室７６１の側方から最上段（６段目）の処理室７６１の側方に至るまで延びる。排気管スペース７６３の各々において、例えば、第１垂直排気管７７１、第２垂直排気管７７２、第３垂直排気管７７３は、幅方向（±Ｙ方向）に並ぶ。排気管スペース７６３の各々において、第１垂直排気管７７１、第２垂直排気管７７２、第３垂直排気管７７３は、上下方向に積層された６段の処理ユニット７６の処理室７６１のそれぞれから排気路切り替え機構７７０を介して流入する気体を排出する機能を有する。
【0156】
第１垂直排気管７７１が処理ユニット７６Ａ～７６Ｄ同士の間で区別される場合には、第１垂直排気管７７１Ａ～７７１Ｄと称される。第２垂直排気管７７２が処理ユニット７６Ａ～７６Ｄ同士の間で区別される場合には、第２垂直排気管７７２Ａ～７７２Ｄと称される。第３垂直排気管７７３が処理ユニット７６Ａ～７６Ｄ同士の間で区別される場合には、第３垂直排気管７７３Ａ～７７３Ｄと称される。
【0157】
第１組（１組目）の第１垂直排気管７７１Ａ、第２垂直排気管７７２Ａ、第３垂直排気管７７３Ａは、６段の処理ユニット７６Ａのそれぞれに対して排気を行うように構成される。第２組（２組目）の第１垂直排気管７７１Ｂ、第２垂直排気管７７２Ｂ、第３垂直排気管７７３Ｂは、６段の処理ユニット７６Ｂのそれぞれに対して排気を行うように構成される。第３組（３組目）の第１垂直排気管７７１Ｃ、第２垂直排気管７７２Ｃ、第３垂直排気管７７３Ｃは、６段の処理ユニット７６Ｃのそれぞれに対して排気を行うように構成される。第４組（４組目）の第１垂直排気管７７１Ｄ、第２垂直排気管７７２Ｄ、第３垂直排気管７７３Ｄは、６段の処理ユニット７６Ｄのそれぞれに対して排気を行うように構成される。
【0158】
排気路切り替え機構７７０は、処理室７６１から基板処理装置７９０の外部への気体の排気路を、第１垂直排気管７７１、第２垂直排気管７７２および第３垂直排気管７７３の何れか１つの垂直排気管を介した排気路に切り替えるための機構である。
【0159】
排気路切り替え機構７７０は、処理室７６１の各々の側方に配置される。排気路切り替え機構７７０は、例えば、処理室７６１の気体を排出するために排気口７６２ｏを介して処理室７６１と連通する。また、排気路切り替え機構７７０は、例えば、上下方向に延びる第１垂直排気管７７１、第２垂直排気管７７２、第３垂直排気管７７３と連通する。
【0160】
図６で示されるように、排気路切り替え機構７７０は、例えば、第１開閉部７１ｄと第２開閉部７２ｄとを有する。第１開閉部７１ｄおよび第２開閉部７２ｄは、例えば扉状の構造を有し、片開き戸のように動作する。
【0161】
第１開閉部７１ｄおよび第２開閉部７２ｄは、モータ等の駆動によって回動軸を中心として回動する。排気路切り替え機構７７０は、例えば、第１開閉部７１ｄおよび第２開閉部７２ｄの開閉によって、処理スペース７６１ｓから第１垂直排気管７７１内に気体を流入させる状態（第１状態ともいう）、処理スペース７６１ｓから第２垂直排気管７７２内に気体を流入させる状態（第２状態ともいう）、処理スペース７６１ｓから第３垂直排気管７７３に気体を流入させる状態（第３状態ともいう）の何れか１つの状態に設定される。
【0162】
例えば第１移動ノズル７１ｎから第１薬液が吐出される期間において、排気路切り替え機構７７０は第１状態に設定される。例えば第２移動ノズル７２ｎから第２薬液が吐出される期間において、排気路切り替え機構７７０は第２状態に設定される。例えば第３移動ノズル７３ｎから第３薬液が吐出される期間において、排気路切り替え機構７７０は第３状態に設定される。
【0163】
＜１－７．水平排気系の構成＞
図３から図５で示されるように、水平排気系７８０は、第１水平排気管７８１Ａ、第２水平排気管７８２Ａ、第３水平排気管７８３Ａ、第１水平排気管７８１Ｂ、第２水平排気管７８２Ｂ、第３水平排気管７８３Ｂを備える。
図３から図５で示されるように、水平排気系７８０は、第１水平排気管７８１Ａ、第２水平排気管７８２Ａ、第３水平排気管７８３Ａ、第１水平排気管７８１Ｂ、第２水平排気管７８２Ｂ、第３水平排気管７８３Ｂを備える。
【0164】
例えば、図３、図４で示されるように、第１水平排気管７８１Ａ、第２水平排気管７８２Ａ、第３水平排気管７８３Ａは、最上段（６段目）の２つの処理ユニット７６Ａ，７６Ｂの上方において、前後方向（±Ｘ方向）に延びるように位置する。第１水平排気管７８１Ａ、第２水平排気管７８２Ａ、第３水平排気管７８３Ａは、例えば、幅方向（±Ｙ方向）に並ぶ。
【0165】
例えば、第１水平排気管７８１Ａには、処理ユニット７６Ａ用の第１垂直排気管７７１Ａおよび処理ユニット７６Ｂ用の第１垂直排気管７７１Ｂのそれぞれが連通するように接続される。第１水平排気管７８１Ａは、第１垂直排気管７７１Ａ，７７１Ｂから気体を排出する。
【0166】
例えば、第２水平排気管７８２Ａには、処理ユニット７６Ａ用の第２垂直排気管７７２Ａおよび処理ユニット７６Ｂ用の第２垂直排気管７７２Ｂのそれぞれが連通するように接続される。第２水平排気管７８２Ａは、第２垂直排気管７７２Ａ，７７２Ｂから気体を排出する。
【0167】
例えば、第３水平排気管７８３Ａには、処理ユニット７６Ａ用の第３垂直排気管７７３Ａおよび処理ユニット７６Ｂ用の第３垂直排気管７７３Ｂのそれぞれが連通するように接続される。第３水平排気管７８３Ａは、第３垂直排気管７７３Ａ，７７３Ｂから気体を排出する。
【0168】
例えば、図３、図５で示されるように、第１水平排気管７８１Ｂ、第２水平排気管７８２Ｂ、第３水平排気管７８３Ｂは、最上段（６段目）の２つの処理ユニット７６Ｃ，７６Ｄの上方において、前後方向（±Ｘ方向）に延びるように位置する。第１水平排気管７８１Ｂ、第２水平排気管７８２Ｂ、第３水平排気管７８３Ｂは、例えば、幅方向（±Ｙ方向）に並ぶ。
【0169】
例えば、第１水平排気管７８１Ｂには、処理ユニット７６Ｃ用の第１垂直排気管７７１Ｃおよび処理ユニット７６Ｄ用の第１垂直排気管７７１Ｄのそれぞれが連通するように接続される。第１水平排気管７８１Ｂは、第１垂直排気管７７１Ｃ，７７１Ｄから気体を排出する。
【0170】
例えば、第２水平排気管７８２Ｂには、処理ユニット７６Ｃ用の第２垂直排気管７７２Ｃおよび処理ユニット７６Ｄ用の第２垂直排気管７７２Ｄのそれぞれが連通するように接続される。第２水平排気管７８２Ｂは、第２垂直排気管７７２Ｃ，７７２Ｄから気体を排出する。
【0171】
例えば、第３水平排気管７８３Ｂには、処理ユニット７６Ｃ用の第３垂直排気管７７３Ｃおよび処理ユニット７６Ｄ用の第３垂直排気管７７３Ｄのそれぞれが連通するように接続される。第３水平排気管７８３Ｂは、第３垂直排気管７７３Ｃ，７７３Ｄから気体を排出する。
【0172】
第１水平排気管７８１Ａ、第２水平排気管７８２Ａ、第３水平排気管７８３Ａは、第１水平排気管７８１Ｂ、第２水平排気管７８２Ｂ、第３水平排気管７８３Ｂよりも長い。
【0173】
第１水平排気管７８１Ａ、第２水平排気管７８２Ａ、第３水平排気管７８３Ａ、第１水平排気管７８１Ｂ、第２水平排気管７８２Ｂ、第３水平排気管７８３Ｂのそれぞれの内部を、気体が後方（＋Ｘ方向）に向けて流れる。
【0174】
基板処理装置７９０は、例えば、４つの排気管スペース７６３および水平排気系７８０等を含む排気部７６８を有し、この排気部７６８によって、処理室７６１から基板処理装置７９０の外部（工場の排気設備等）に気体を排出することができる。
【0175】
基板処理装置７９０の後方（＋Ｘ方向）には処理液格納部７０５が設けられる。処理液格納部７０５は処理液分配部７０１，７０２および処理液供給源７０３，７０４を格納する。例えば処理液供給源７０３は薬液を貯留し、処理液供給源７０４はリンス液を貯留する。
【0176】
処理液分配部７０１，７０２はいずれも処理液を、具体的には処理液供給源７０３から薬液を、処理液供給源７０４からリンス液を、それぞれ得る。処理液分配部７０１は処理液を処理ユニット７６Ｃ，７６Ｄへ分配する。処理液分配部７０２は処理液を処理ユニット７６Ａ，７６Ｂへ分配する。
【0177】
処理液分配部７０１から処理ユニット７６Ｃ，７６Ｄへ処理液を供給する配管は、それぞれ供給管スペース７６２Ｃ，７６２Ｄにおいて設けられる。処理液分配部７０２から処理ユニット７６Ａ，７６Ｂへ処理液を供給する配管は、それぞれ供給管スペース７６２Ａ，７６２Ｂにおいて設けられる。
【0178】
＜１－８．基板処理装置の制御系＞
例えば、図１で示されるように、基板処理装置７９０は、制御部７９を備える。制御部７９は、例えば、基板処理装置７９０の各構成の動作を制御するための部分である。
例えば、図１で示されるように、基板処理装置７９０は、制御部７９を備える。制御部７９は、例えば、基板処理装置７９０の各構成の動作を制御するための部分である。
【0179】
図８は、基板処理装置７９０の各構成の動作を制御するための機能的な構成を示すブロック図である。制御部７９は、第１搬送機構７２３、第２搬送機構７５、複数の処理ユニット７６および水平排気系７８０と、通信可能に接続される。
【0180】
より具体的には、制御部７９は、例えば、複数の処理ユニット７６および水平排気系７８０のうちの制御の対象となる各要素と通信可能に接続される。これにより、制御部７９は、例えば、第１搬送機構７２３、第２搬送機構７５、複数の処理ユニット７６および水平排気系７８０の動作を制御することができる。
【0181】
図９は、制御部７９の一構成例を示すブロック図である。制御部７９は、例えば、一般的なコンピュータ等で実現される。制御部７９は、例えば、バスライン７９Ｂｕを介して接続された、通信部７９１、入力部７９７、出力部７９８、記憶部７９４、処理部７９５およびドライブ７９６を有する。
【0182】
通信部７９１は、例えば、第１搬送機構７２３、第２搬送機構７５、複数の処理ユニット７６および水平排気系７８０のそれぞれとの間における通信回線を介した信号の送受信を行う。通信部７９１は、例えば、基板処理装置７９０を管理するための管理用サーバからの信号を受信してもよい。
【0183】
入力部７９７は、例えば、オペレータの動作等に応じた信号を入力する。入力部７９７は、例えば、操作に応じた信号を入力可能なマウスおよびキーボード等の操作部、音声に応じた信号を入力可能なマイクおよび動きに応じた信号を入力可能な各種センサ等を含む。
【0184】
出力部７９８は、例えば、各種情報をオペレータが認識可能な態様で出力する。出力部７９８は、例えば、各種情報を可視的に出力する表示部および各種情報を可聴的に出力するスピーカ等を含む。表示部は、例えば、入力部７９７の少なくとも一部と一体化されたタッチパネルの形態を有していてもよい。
【0185】
記憶部７９４は、例えば、プログラムＰｇ１および各種の情報を記憶する。記憶部７９４は、例えば、ハードディスクまたはフラッシュメモリ等の不揮発性の記憶媒体で構成される。記憶部７９４には、例えば、１つの記憶媒体を有する構成、２つ以上の記憶媒体を一体的に有する構成、および２つ以上の記憶媒体を２つ以上の部分に分けて有する構成の何れが適用されてもよい。記憶媒体は、例えば、第１搬送機構７２３、第２搬送機構７５、複数の処理ユニット７６および水平排気系７８０の動作条件に関する情報を記憶する。処理ユニット７６の動作条件に関する情報は、例えば、基板Ｗを処理するための処理レシピ（プロセスレシピ）を含む。
【0186】
処理部７９５は、例えば、プロセッサとして働く演算処理部７９５ａおよび演算処理の作業領域としてのメモリ７９５ｂ等を含む。演算処理部７９５ａには、例えば、中央演算装置（ＣＰＵ）等の電子回路が適用され、メモリ７９５ｂには、例えば、ＲＡＭ（Random Access Memory）等が適用される。処理部７９５は、例えば、記憶部７９４に記憶されたプログラムＰｇ１を読み込んで実行することで、制御部７９の機能を実現する。このため、制御部７９では、例えば、プログラムＰｇ１に記述された手順に従って処理部７９５が演算処理を行うことで、基板処理装置７９０の各部の動作を制御する各種の機能部が実現される。すなわち、基板処理装置７９０に含まれる制御部７９によってプログラムＰｇ１が実行されることで、基板処理装置７９０の機能および動作が実現され得る。制御部７９で実現される一部あるいは全部の機能部は、例えば、専用の論理回路等でハードウエア的に実現されてもよい。
【0187】
ドライブ７９６は、例えば、可搬性の記憶媒体Ｓｍ１の脱着が可能な部分である。ドライブ７９６は、例えば、記憶媒体Ｓｍ１が装着される状態で、この記憶媒体Ｓｍ１と処理部７９５との間におけるデータの授受を行わせる。ドライブ７９６は、プログラムＰｇ１が記憶された記憶媒体Ｓｍ１がドライブ７９６に装着された状態で、記憶媒体Ｓｍ１から記憶部７９４内にプログラムＰｇ１を読み込ませて記憶させる。
【0188】
基板処理装置７９０の全体における動作の一例が説明される。基板処理装置７９０では、例えば、制御部７９が、基板Ｗの搬送手順および処理条件等を記述したレシピにしたがって、基板処理装置７９０が備える各部を制御することで、以下に説明する一連の動作が実行される。
【0189】
未処理の基板Ｗを収容したキャリアＣがキャリア載置部７２１上に載置されると、第１搬送機構７２３が、このキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出す。第１搬送機構７２３は、基板載置部７７に未処理の基板Ｗを搬送する。第２搬送機構７５は、基板載置部７７からレシピ等で指定された処理ユニット７６に未処理の基板Ｗを搬送する。第１搬送機構７２３と第２搬送機構７５との間における基板Ｗの受け渡しは、例えば、基板載置部７７を介することなく、ハンド７２３１とハンド７５１との間で直接に行われてもよい。
【0190】
基板Ｗが搬入された処理ユニット７６は、基板Ｗに対して、定められた一連の基板処理を実行する。この一連の基板処理では、例えば、保持部７１１に保持された基板Ｗの上面Ｗａに対して、薬液の供給と、リンス液の供給とがこの記載の順に行われる。
【0191】
リンス液を用いた処理の後、有機溶剤の供給が行われてもよい。有機溶剤を用いた処理の後には、例えば、基板Ｗの上面Ｗａ上から有機溶剤を除去して基板Ｗの上面Ｗａ上を乾燥させる処理（乾燥処理とも称される）が行われる。乾燥処理では、例えば、保持部７１１に保持された基板Ｗが、駆動部としての電動モータ７１１ｍによって回転軸線Ａ３を中心として回転される。
【0192】
処理ユニット７６において基板Ｗに対する一連の基板処理が終了すると、第２搬送機構７５は、処理済みの基板Ｗを処理ユニット７６から取り出す。第２搬送機構７５は、処理済みの基板Ｗを基板載置部７７に搬送する。第１搬送機構７２３は、基板載置部７７からキャリア載置部７２１上のキャリアＣに基板Ｗを搬送する。
【0193】
基板処理装置７９０では、第１搬送機構７２３および第２搬送機構７５がレシピにしたがって上述した搬送動作を反復して行うとともに、各処理ユニット７６が処理レシピにしたがって基板Ｗに対する一連の基板処理を実行する。これによって、基板Ｗに対する一連の基板処理が次々と行われる。
【0194】
＜２．循環装置の説明＞
図１０、図１１は循環装置１００の構成を例示する配管図である。処理液分配部７０１，７０２のいずれにも、循環装置１００が採用され得る。図１０には循環装置１００の外部から循環装置１００に接続される外部経路７１，７２も付記される。循環装置１００は、外部経路７１，７２に対して処理液の供給および回収を行う。外部経路７１，７２はそれぞれ異なるタワーにおける処理液の経路であるということができる。
図１０、図１１は循環装置１００の構成を例示する配管図である。処理液分配部７０１，７０２のいずれにも、循環装置１００が採用され得る。図１０には循環装置１００の外部から循環装置１００に接続される外部経路７１，７２も付記される。循環装置１００は、外部経路７１，７２に対して処理液の供給および回収を行う。外部経路７１，７２はそれぞれ異なるタワーにおける処理液の経路であるということができる。
【0195】
循環装置１００が処理液分配部７０１として採用される場合、例えば外部経路７１は６個の処理ユニット７６Ｃにおいて処理液が流れる配管であり、外部経路７２は６個の処理ユニット７６Ｄにおいて処理液が流れる配管である。
【0196】
例えば外部経路７１と６個の処理ユニット７６Ｃとは、配管７１ｂを介して処理液の供給および回収が行われる。例えば外部経路７２と６個の処理ユニット７６Ｄとは、配管７２ｂを介して処理液の供給および回収が行われる。配管７１ｂは供給管スペース７６２Ｃに設けられ、配管７２ｂは供給管スペース７６２Ｄに設けられる。
【0197】
循環装置１００が処理液分配部７０２として採用される場合、例えば外部経路７１は６個の処理ユニット７６Ａにおいて処理液が流れる配管であり、外部経路７２は６個の処理ユニット７６Ｂにおいて処理液が流れる配管である。
【0198】
例えば外部経路７１と６個の処理ユニット７６Ａとは、配管７１ｂを介して処理液の供給および回収が行われる。例えば外部経路７２と６個の処理ユニット７６Ｂとは、配管７２ｂを介して処理液の供給および回収が行われる。配管７１ｂは供給管スペース７６２Ａに設けられ、配管７２ｂは供給管スペース７６２Ｂに設けられる。
【0199】
循環装置１００は、貯留槽Ｔを備える。貯留槽Ｔは液体Ｑを貯留の対象とする。液体Ｑは上述の処理液であり、例えば硫酸あるいはその希釈液（希硫酸）である。
【0200】
循環装置１００は配管１を備える。配管１は流入端１０１を有し、外部経路７１，７２への液体Ｑの供給に用いられる。流入端１０１には貯留槽Ｔから液体Ｑが流入する。
【0201】
循環装置１００は配管２を備える。配管２は流出端２０２を有し、外部経路７１，７２を介した液体Ｑの回収に用いられる。流出端２０２から貯留槽Ｔへ液体Ｑが流出する。
【0202】
循環装置１００は弁１３を備える。弁１３は、配管１に設けられ、液体Ｑの外部経路７１，７２への供給を制御する。弁１３には例えば開閉弁が採用される。
【0203】
配管１，２および弁１３を経由して、貯留槽Ｔから液体Ｑが流出し、貯留槽Ｔへと液体Ｑが流入する循環は、「外循環」と称される。
【0204】
循環装置１００はポンプ１２を備える。ポンプ１２は配管１において設けられる。ポンプ１２は吸入口１２ａと吐出口１２ｂとを有する。吸入口１２ａは流入端１０１に接続される。ポンプ１２は液体Ｑを、吸入口１２ａから吐出口１２ｂへ向けての圧出の対象とする。ポンプ１２は例えば回転型であり、例えば磁気浮上遠心ポンプがポンプ１２に採用される。磁気浮上遠心ポンプには、例えばレビトロニクス社のベアリングレスポンプが採用される。
【0205】
循環装置１００はヒータ１１を備える。ヒータ１１は、配管１において吐出口１２ｂに接続して設けられる。ヒータ１１は、液体Ｑを加熱の対象とする。
【0206】
循環装置１００は配管６を備える。配管６は循環装置１００の外部から貯留槽Ｔへ貯留される液体Ｑの経路である。例えば循環装置１００が処理液分配部７０１として採用される場合、処理液供給源７０３に配管６が接続される。例えば循環装置１００が処理液分配部７０２として採用される場合、処理液供給源７０４に配管６が接続される。
【0207】
循環装置１００は配管６に設けられる弁６１を備える。弁６１は貯留槽Ｔへの液体Ｑの流出を制御する。弁６１には例えば開閉弁が採用される。
【0208】
循環装置１００は配管３を備える。配管３は、ヒータ１１に対してポンプ１２とは反対側において配管１に接続される。配管３は流出端３０２を有する。流出端３０２から貯留槽Ｔへ液体Ｑが流出する。例えば配管３は端３０１を有し、端３０１が配管１に接続される。端３０１はヒータ１１と、弁１３との間に位置する。
【0209】
循環装置１００は弁３１，３２を備える。弁３１は、配管３に設けられ、流出端３０２から貯留槽Ｔへの液体Ｑの流出を制御する。弁３１には例えば開閉弁が採用される。弁３２は弁３１に対して流出端３０２と反対側に設けられる。弁３２はリリーフ弁である。
【0210】
配管１，３および弁３１，３２を経由して、貯留槽Ｔから液体Ｑが流出し、貯留槽Ｔへと液体Ｑが流入する循環は、「内循環」と称される。
【0211】
循環装置１００はフィルタ１６を備える。フィルタ１６は、配管１において例えばヒータ１１と、端３０１との間に設けられる。フィルタ１６は液体Ｑの不純物を除去する機能を有する。
【0212】
循環装置１００は流量計１５を備える。流量計１５は、例えば吐出口１２ｂとヒータ１１との間に設けられる。流量計１５は配管１における液体Ｑの流量を測定する。
【0213】
循環装置１００は温度計１７を備える。温度計１７は、例えばヒータ１１とフィルタ１６との間に設けられる。温度計１７は配管１にある液体Ｑの温度を測定する。
【0214】
外部経路７１には、配管１と配管７１ｂとの間に弁７１ｃが設けられる。外部経路７２には、配管１と配管７２ｂとの間に弁７２ｃが設けられる。弁７１ｃ，７２ｃには例えば開閉弁が採用される。
【0215】
外部経路７１には、配管２と配管７１ｂとの間に弁７１ｅが設けられる。外部経路７２には、配管２と配管７２ｂとの間に弁７２ｅが設けられる。弁７１ｅ，７２ｅはリリーフ弁である。
【0216】
制御部５は弁１３，３１，７１ｃ，７２ｃに対して、それぞれの開閉を制御する信号Ｓｖを出力する。
【0217】
制御部５はヒータ１１およびポンプ１２の動作を制御する。例えば制御部５は、制御信号Ｓｈをヒータ１１に出力し、ヒータ１１による液体Ｑの加熱を制御する。例えば制御部５は、制御信号Ｓｐをポンプ１２に出力し、ポンプ１２による液体Ｑの流速を制御する。
【0218】
制御部５は流量計１５から、配管１を流れる液体Ｑの流量を示すデータＦｄを入力する。制御部５は温度計１７から、配管１にある液体Ｑの温度（以下、単に「液温」とも称される）を示すデータＴｄを入力する。
【0219】
制御部５が例えばデータＦｄに基づいて制御信号Ｓｐを用いてポンプ１２の駆動（例えば回転速度および回転加速度）を制御することや、制御部５がデータＴｄに基づいて制御信号Ｓｈを用いてヒータ１１による液体Ｑの加熱（例えば液温の昇温速度）を制御することは、周知の技術を用いて実現される。よってかかるポンプ１２やヒータ１１の制御を実現する技術についての詳細は割愛される。
【0220】
制御部５は例えば制御部７９の一部または全部によって実現され得る。制御部５を循環装置１００の一部として把握することもできる。
【0221】
以下では弁の開閉の動作、液温（具体的には液体Ｑへの加熱）、ポンプ１２の動作（具体的には回転加速度の制御）の三者の関連について説明される。以下の説明において、弁を示す記号を構成する一対の三角形には、弁が開いた状態にあるときに黒三角が、弁が閉じた状態にあるときに白三角が、それぞれ採用される。
【0222】
但し、リリーフ弁が採用される弁７１ｅ，７２ｅ，３２において図示される白三角は、液体Ｑのリリーフを行っていない意味での閉状態を示す。よって以下の説明において、弁７１ｅは外部経路７１における液体Ｑの流れを阻害せず、弁７２ｅは外部経路７２における液体Ｑの流れを阻害せず、弁３２は配管３における液体Ｑの流れを阻害しない。
【0223】
以下の説明では貯留槽Ｔへの液体Ｑの貯留についての説明は割愛される。このことから、弁６１が閉状態にある状況が説明される。
【0224】
＜２－１．外部経路へ処理液を供給する前の準備＞
外部経路７１，７２へと処理液（ここでは液体Ｑ）を供給する前に、内循環を行って処理液を所定の温度に上昇させておくことは、処理に利用される際の処理液の温度管理に寄与する。図１０は内循環の状況を示す。具体的には弁１３，７１ｃ，７２ｃが閉じられ、弁３１が開く。
外部経路７１，７２へと処理液（ここでは液体Ｑ）を供給する前に、内循環を行って処理液を所定の温度に上昇させておくことは、処理に利用される際の処理液の温度管理に寄与する。図１０は内循環の状況を示す。具体的には弁１３，７１ｃ，７２ｃが閉じられ、弁３１が開く。
【0225】
内循環において液体Ｑは、貯留槽Ｔからポンプ１２、流量計１５、ヒータ１１、フィルタ１６、端３０１、弁３２，３１、流出端３０２をこの順に経由して、貯留槽Ｔへ戻る。
【0226】
＜２－２．外部経路への処理液の供給＞
弁１３，７１ｃ，７２ｃが開いて、外部経路７１，７２へ処理液（ここでは液体Ｑ）が供給され、外循環が実行される（図１１参照）。
弁１３，７１ｃ，７２ｃが開いて、外部経路７１，７２へ処理液（ここでは液体Ｑ）が供給され、外循環が実行される（図１１参照）。
【0227】
外部経路７１，７２へ処理液が供給される場合、外循環のみならず、内循環も併用される。外循環が行われているときの内循環は、外部経路７１，７２に流れる処理液の流量の変動が、循環装置１００における処理液の圧力に与える変動を、緩和する。
【0228】
＜２－３．内循環時におけるポンプの回転速度の上昇およびヒータによる昇温＞
図１２はポンプ１２の回転速度の上昇およびヒータ１１による液体Ｑの昇温を示すグラフである。横軸には時間が、縦軸には、液体Ｑの液温ＣＴと、ポンプ１２の回転速度Ｒとが採用される。液体Ｑの流速は。回転速度Ｒとの間に正の相関関係があり、例えば回転速度Ｒの上昇に対して単調に上昇する。
図１２はポンプ１２の回転速度の上昇およびヒータ１１による液体Ｑの昇温を示すグラフである。横軸には時間が、縦軸には、液体Ｑの液温ＣＴと、ポンプ１２の回転速度Ｒとが採用される。液体Ｑの流速は。回転速度Ｒとの間に正の相関関係があり、例えば回転速度Ｒの上昇に対して単調に上昇する。
【0229】
折れ線Ｇａ，Ｇｂは液温ＣＴの経時変化を示す。折れ線Ｇｃ，Ｇｄは回転速度Ｒの経時変化を示す。実線の折れ線Ｇａ，Ｇｃはこの実施形態で提案される技術が採用される一例（実施例）を示す。破線の折れ線Ｇｂ，Ｇｄはこの実施例と比較される技術が採用される一例（比較例）を示す。折れ線Ｇａ，Ｇｂが重なる部分は実線で示される。
【0230】
実施例と比較例との比較のため、いずれも、時刻ｔ０において液体Ｑの加熱が開始されて液温ＣＴが上昇し始め、時刻ｔ０においてポンプ１２の駆動が開始されてポンプ１２の回転速度Ｒが上昇し始める場合が想定される。
【0231】
＜２－４．液温の温度範囲と回転速度の速度範囲との関係＞
図１２において、温度Ｃ９から温度Ｃ１までの温度範囲Ｓ１と、温度Ｃ１から温度Ｃ２までの温度範囲Ｓ２とが示される。温度Ｃ０は、例えば室温であり、温度範囲Ｓ１内にある。温度Ｃ９は例えば０℃である。温度Ｃ２は外部経路７１，７２へ供給される処理液に要望される所定温度であり、例えば１００℃である。温度Ｃ１は例えば４０℃である。
図１２において、温度Ｃ９から温度Ｃ１までの温度範囲Ｓ１と、温度Ｃ１から温度Ｃ２までの温度範囲Ｓ２とが示される。温度Ｃ０は、例えば室温であり、温度範囲Ｓ１内にある。温度Ｃ９は例えば０℃である。温度Ｃ２は外部経路７１，７２へ供給される処理液に要望される所定温度であり、例えば１００℃である。温度Ｃ１は例えば４０℃である。
【0232】
温度範囲Ｓ２における回転加速度の上限α２は、キャビテーションを抑制する観点から、温度範囲Ｓ１におけるポンプの回転加速度αの上限α１よりも低く設定される。例えば上限α１は１００ｒｐｍ／ｓであり、上限α２は５０ｒｐｍ／ｓである。
【0233】
液体Ｑの粘度の観点から、温度範囲Ｓ２における回転速度Ｒには下限Ｒ１と上限Ｒ２とが設定される。例えば下限Ｒ１は３０００ｒｐｍであり、上限Ｒ２は６０００ｒｐｍである。時刻ｔ０におけるポンプ１２の回転速度Ｒは低速の値Ｒ０をとる。値Ｒ０は例えば零である。
【0234】
上限Ｒ２は粘度の観点の他、内循環における液体Ｑの流速に要求される観点にも基づいて設定される。例えば温度範囲Ｓ２の下限となる温度Ｃ１において採用される回転速度Ｒが循環装置１００における圧力を過剰にしない範囲において、液体Ｑに要求される流速を得られる値に上限Ｒ２が設定される。
【0235】
＜２－５．比較例＞
比較例においては、折れ線Ｇｂで示されるように、時刻ｔ０から時刻ｔ２の間に、液体Ｑが加熱されて液温ＣＴが温度Ｃ０から温度Ｃ１まで上昇する。比較例においては、折れ線Ｇｄで示されるように、時刻ｔ０から時刻ｔ３の間に、回転速度Ｒは値Ｒ０から下限Ｒ１まで上昇する。
比較例においては、折れ線Ｇｂで示されるように、時刻ｔ０から時刻ｔ２の間に、液体Ｑが加熱されて液温ＣＴが温度Ｃ０から温度Ｃ１まで上昇する。比較例においては、折れ線Ｇｄで示されるように、時刻ｔ０から時刻ｔ３の間に、回転速度Ｒは値Ｒ０から下限Ｒ１まで上昇する。
【0236】
比較例では、液温が高く粘度が低い状況においてキャビテーションの発生を避けるために採用される小さい回転加速度が、液温ＣＴが低く粘度が高い状況においても採用される。例えば回転加速度αには、液温ＣＴによらず上限α２が採用される。
【0237】
時刻ｔ２において液温ＣＴは温度範囲Ｓ１から温度範囲Ｓ２へと遷移する。回転加速度αが小さいため、時刻ｔ２においては回転速度Ｒはまだ下限Ｒ１に到達していない。よって時刻ｔ２から時刻ｔ３までは液温ＣＴを維持すべく昇温速度βが低下し、理想的には昇温速度βが零である。
【0238】
時刻ｔ３において回転速度Ｒが下限Ｒ１に到達すると、再び液体Ｑが昇温され、液温ＣＴは時刻ｔ７において温度Ｃ２に到達する。時刻ｔ７以降は液温ＣＴの昇温速度βが低下し、理想的には昇温速度βが零である。
【0239】
回転速度Ｒは時刻ｔ３以降においても上昇を続け、時刻ｔ５において上限Ｒ２に到達する。時刻ｔ５以降は回転速度Ｒを上限Ｒ２に維持すべく回転加速度αを低下させ、理想的には回転加速度αが零である。
【0240】
このように比較例では、温度範囲Ｓ２における上限α２を、温度範囲Ｓ１における回転加速度αにも採用したため、回転速度Ｒが下限Ｒ１に到達するまでに必要な時間が長い。時刻ｔ２から時刻ｔ３の間は昇温に寄与していない。これを反映して液温ＣＴが温度Ｃ２に到達する迄に必要な時間が長くなる。
【0241】
＜２－６．実施例＞
実施例においては、温度範囲Ｓ１において回転加速度αに上限α１が採用される。折れ線Ｇｃで示されるように、回転速度Ｒは時刻ｔ０から時刻ｔ１の間に値Ｒ０から下限Ｒ１まで上昇する。
実施例においては、温度範囲Ｓ１において回転加速度αに上限α１が採用される。折れ線Ｇｃで示されるように、回転速度Ｒは時刻ｔ０から時刻ｔ１の間に値Ｒ０から下限Ｒ１まで上昇する。
【0242】
実施例においては、折れ線Ｇａで示されるように液体Ｑが加熱されて液温ＣＴが時刻ｔ０から時刻ｔ２の間に温度Ｃ０から温度Ｃ１まで上昇する。
【0243】
時刻ｔ２において液温は温度範囲Ｓ１から温度範囲Ｓ２へと遷移する。回転加速度αが大きいため、折れ線Ｇｃで示されるように時刻ｔ１において回転速度Ｒは下限Ｒ１に到達している。時刻ｔ１は時刻ｔ２よりも早い（ｔ１＜ｔ２）。
【0244】
時刻ｔ１から時刻ｔ２の間に、回転速度Ｒを下限Ｒ１に維持すべく、回転加速度αが低下し、理想的には回転加速度αが零となる。これにより循環装置１００における過剰な圧力の発生（これは温度が高く液体Ｑの粘度が低い状況において液体Ｑの流速が高まることに起因する）が、抑制される。
【0245】
時刻ｔ２において液温ＣＴが温度Ｃ１に到達すると、キャビテーションの発生を避けるため、回転加速度αに上限α２が採用される。時刻ｔ４において回転速度Ｒが上限Ｒ２に到達する。時刻ｔ４以降は、回転速度Ｒを上限Ｒ２に維持すべく、回転加速度αが低下し、理想的には回転加速度αが零である。
【0246】
時刻ｔ０から時刻ｔ６まで液温ＣＴは上昇し続け、時刻ｔ６において温度Ｃ２に到達する。時刻ｔ６以降は液温ＣＴの昇温速度βが低下し、理想的には昇温速度βが零である。
【0247】
時刻ｔ１が時刻ｔ２よりも早いことを反映して、時刻ｔ４は時刻ｔ５よりも早く、時刻ｔ６は時刻ｔ７よりも早い。
【0248】
実施例では比較例のように時刻ｔ２から時刻ｔ３の間において液温ＣＴを維持する必要が無い。液温ＣＴが温度Ｃ２に到達するまで、昇温速度βには一定値β１が採用され得る。液温ＣＴが温度Ｃ２に到達するまでに、昇温速度βが一旦低下する（比較例では昇温速度βが理想的には零となる）場合と比較して、昇温速度βに一定値β１が採用されることは、液温ＣＴを所望の温度に早く到達させることに寄与する。
【0249】
このように実施例は比較例よりも早く、ポンプ１２の回転速度Ｒによる液体Ｑの流速と、ヒータ１１の加熱による液温ＣＴとを、所望の値にする。上述の例では流速の所望の値は回転速度Ｒの上限Ｒ２に対応し、液温ＣＴの所望の値は温度Ｃ２である。
【0250】
＜２－７．本開示にかかる制御についての段階的な説明＞
ポンプの回転加速度αと昇温速度βとについての本開示にかかる制御は、実施例を参照して以下のように説明される。
ポンプの回転加速度αと昇温速度βとについての本開示にかかる制御は、実施例を参照して以下のように説明される。
【0251】
［説明Ｊ１］液体Ｑの温度（液温ＣＴに相当）を上昇させるときに、
ポンプ１２の速度（回転速度Ｒに相当）が第１所定速度（下限Ｒ１に相当）に到達するまで（到達する時点が時刻ｔ１に相当）ポンプ１２を第１加速度（上限α１に相当）で加速させたのち；
ポンプ１２の速度が第１所定速度よりも高い第２所定速度（上限Ｒ２に相当）に到達するまで（到達する時点が時刻ｔ４に相当）、ポンプ１２を第１加速度よりも低い第２加速度（上限α２に相当）で加速させる。
ポンプ１２の速度（回転速度Ｒに相当）が第１所定速度（下限Ｒ１に相当）に到達するまで（到達する時点が時刻ｔ１に相当）ポンプ１２を第１加速度（上限α１に相当）で加速させたのち；
ポンプ１２の速度が第１所定速度よりも高い第２所定速度（上限Ｒ２に相当）に到達するまで（到達する時点が時刻ｔ４に相当）、ポンプ１２を第１加速度よりも低い第２加速度（上限α２に相当）で加速させる。
【0252】
このように、回転加速度αに複数段階の回転加速度（例えば上限α１，α２（＜α１））が採用されることにより、液体Ｑのキャビテーションの発生を抑制しつつ、液体Ｑの流速および液温が所望の値へ早期に到達する。
【0253】
より詳細には、当該制御は実施例に即して以下のように説明される。
【0254】
［説明Ｊ２］
第１工程：液体Ｑの温度が第１所定温度（温度Ｃ１に相当）未満のときに、ポンプ１２の速度が第１所定速度に到達するまで（到達する時点が時刻ｔ１に相当）ポンプ１２を第１加速度で加速させ、
第２工程：液体Ｑの温度が第１所定温度未満のときに、ポンプ１２の速度が第１所定速度に到達すると、ポンプ１２の速度を第１所定速度に維持し、
第３工程：液体Ｑの温度が第１所定温度以上であって、第１所定温度よりも高い第２所定温度（温度Ｃ２に相当）以下のときに（温度範囲Ｓ２に相当）、ポンプ１２の速度が第２所定速度に到達するまで（到達する時点が時刻ｔ４に相当）、ポンプ１２を第２加速度で加速させ、
第４工程：液体Ｑの温度が第１所定温度以上であって、第２所定温度以下のときに、ポンプ１２の速度が第２所定速度に到達すると、ポンプ１２を第２所定速度に維持する。
第１工程：液体Ｑの温度が第１所定温度（温度Ｃ１に相当）未満のときに、ポンプ１２の速度が第１所定速度に到達するまで（到達する時点が時刻ｔ１に相当）ポンプ１２を第１加速度で加速させ、
第２工程：液体Ｑの温度が第１所定温度未満のときに、ポンプ１２の速度が第１所定速度に到達すると、ポンプ１２の速度を第１所定速度に維持し、
第３工程：液体Ｑの温度が第１所定温度以上であって、第１所定温度よりも高い第２所定温度（温度Ｃ２に相当）以下のときに（温度範囲Ｓ２に相当）、ポンプ１２の速度が第２所定速度に到達するまで（到達する時点が時刻ｔ４に相当）、ポンプ１２を第２加速度で加速させ、
第４工程：液体Ｑの温度が第１所定温度以上であって、第２所定温度以下のときに、ポンプ１２の速度が第２所定速度に到達すると、ポンプ１２を第２所定速度に維持する。
【0255】
上述のとおり、ｔ１＜ｔ２を考慮すると、当該制御は更に以下のように説明される。
【0256】
［説明Ｊ３］
液体Ｑの温度が第１所定温度に到達する以前（到達する時点が時刻ｔ２に相当）にポンプ１２が記第１所定速度に到達（到達する時点が時刻ｔ１に相当）し；
液体Ｑの温度が第２所定温度に到達する以前（到達する時点が時刻ｔ６に相当）にポンプ１２が第２所定速度に到達する（到達する時点が時刻ｔ４に相当）。
液体Ｑの温度が第１所定温度に到達する以前（到達する時点が時刻ｔ２に相当）にポンプ１２が記第１所定速度に到達（到達する時点が時刻ｔ１に相当）し；
液体Ｑの温度が第２所定温度に到達する以前（到達する時点が時刻ｔ６に相当）にポンプ１２が第２所定速度に到達する（到達する時点が時刻ｔ４に相当）。
【0257】
従ってポンプ１２の回転速度Ｒの上昇を待つべく、液体Ｑの加熱を停止させる必要がない。
【0258】
上述の動作が内循環で採用されることを考慮すると、当該制御は以下のようにも説明される。
【0259】
［説明Ｊ４］
第１工程から第４工程において開閉弁（弁１３に相当）が閉じ、
第５工程：液体Ｑの温度が第２所定温度に到達した後（時刻ｔ６以降に相当）、開閉弁が開く。
第１工程から第４工程において開閉弁（弁１３に相当）が閉じ、
第５工程：液体Ｑの温度が第２所定温度に到達した後（時刻ｔ６以降に相当）、開閉弁が開く。
【0260】
このようにして液体Ｑの流速、液温ＣＴが所望の値に到達した後、弁１３を介して（より詳細には開いた弁７１ｃ，７２ｃを介して）外部経路７１，７２に液体Ｑが供給される。
【0261】
＜２－８．本開示にかかる制御についてのフローチャート＞
図１３は本開示にかかる制御を例示するフローチャートである。当該制御はポンプ１２の回転加速度αと昇温速度βとを制御対象とするので、当該フローチャートは「加速度／昇温変更処理」と付記して示される。当該フローチャートは、時間を空けて、例えば回転加速度αと昇温速度βの制御に要求される時間を空けて、繰り返し実行される。
図１３は本開示にかかる制御を例示するフローチャートである。当該制御はポンプ１２の回転加速度αと昇温速度βとを制御対象とするので、当該フローチャートは「加速度／昇温変更処理」と付記して示される。当該フローチャートは、時間を空けて、例えば回転加速度αと昇温速度βの制御に要求される時間を空けて、繰り返し実行される。
【0262】
ステップＤ１，Ｄ２は、液温ＣＴについての判断を行う。ステップＤ３，Ｄ４は、回転速度Ｒについての判断を行う。ステップＳＡ０，ＳＡ１，ＳＡ２は回転加速度αの設定を行う。ステップＢ０，Ｂ１は昇温速度βの設定を行う。
【0263】
ステップＤ２，Ｄ３，Ｄ４，ＳＡ０，ＳＡ１，ＳＡ２，Ｂ０，Ｂ１の実行に先立ち、ステップＤ１において液温ＣＴが温度Ｃ１を超えるか否かが判断される。当該判断の結果が肯定的であれば液温ＣＴは温度範囲Ｓ２にあると判断され、ステップＤ２が実行される。ステップＤ２以降の処理については後述される。
【0264】
ステップＤ１における判断の結果が否定的であれば液温ＣＴは温度範囲Ｓ１にあると判断され（図１２の時刻ｔ２以前に相当）、ステップＤ４が実行される。
【0265】
ステップＤ４は回転速度Ｒが下限Ｒ１未満であるか否かが判断される。ステップＤ４における判断の結果が肯定的であれば回転速度Ｒは下限Ｒ１に到達していないと判断され（図１２の時刻ｔ１以前に相当）、ステップＳＡ１が実行される。ステップＳＡ１においては回転加速度αが上限α１に設定される（図１２の折れ線Ｇｃ参照）。ステップＳＡ１の実行にはステップＢ１の実行が伴われる（図１２の折れ線Ｇａ参照）。ステップＢ１においては昇温速度βが正の値、例えば一定値β１に設定される。ステップＳＡ１，Ｂ１が実行された後、当該フローチャートは一旦終了し、上述の時間を空けて再開される。
【0266】
ステップＤ１，Ｄ４のいずれの判断結果も否定的である場合には、液温ＣＴが温度範囲Ｓ１にありながら回転速度Ｒが下限Ｒ１に到達しているとき（図１２の時刻ｔ１から時刻ｔ２の間に相当）である。この場合、回転速度Ｒは下限Ｒ１を維持すべく（図１２の折れ線Ｇｃ参照）、回転加速度αが値α０（＜α２）に設定される（ステップＳＡ０）。典型的にはα０＝０であるが、液体Ｑに対してポンプ１２以外が液体Ｑへ与える影響を除外すべく、値α０は小さな正値をとってもよい。
【0267】
ステップＳＡ０の実行にはステップＢ１の実行が伴われる（図１２の折れ線Ｇａ参照）。ステップＳＡ０，Ｂ１が実行された後、当該フローチャートは一旦終了し、上述の時間を空けて再開される。
【0268】
ステップＤ２においては、液温ＣＴが温度Ｃ２より低いか否かが判断される。ステップＤ２における判断が否定的である場合は、液温ＣＴが温度Ｃ２に到達している場合なので（図１２の時刻ｔ６以降に相当）、この場合には昇温速度βが値β０（＜β１）に設定される（ステップＢ０）。典型的にはβ０＝０であるが、液体Ｑに対してヒータ１１以外が液体Ｑへ与える影響を除外すべく、値β０は小さな正値をとってもよい。ステップＢ０が実行された後、当該フローチャートは一旦終了し、上述の時間を空けて再開される。
【0269】
ステップＤ２における判断の結果が肯定的であった場合、ステップＤ３が実行される。ステップＤ３においては回転速度Ｒが上限Ｒ２未満であるか否かが判断される。当該判断が肯定的である場合（時刻ｔ２から時刻ｔ４の間に相当）には、回転加速度αが値α２（＜α１）に設定される（ステップＳＡ２）。
【0270】
ステップＳＡ２の実行にはステップＢ１の実行が伴われる（図１２の折れ線Ｇａ参照）。ステップＳＡ２，Ｂ１が実行された後、当該フローチャートは一旦終了し、上述の時間を空けて再開される。
【0271】
ステップＤ３における判断の結果が否定的である場合（時刻ｔ４から時刻ｔ６の間に相当）には、回転加速度αが値α０に設定される（ステップＳＡ０）。
【0272】
ステップＳＡ０の実行にはステップＢ１の実行が伴われる（図１２の折れ線Ｇａ参照）。ステップＳＡ０，Ｂ１が実行された後、当該フローチャートは一旦終了し、上述の時間を空けて再開される。
【0273】
ステップＤ１，Ｄ４，ＳＡ１は［説明Ｊ２］の第１工程に対応し、ステップＤ１，Ｄ４，ＳＡ０は［説明Ｊ２］の第２工程に対応し、ステップＤ１，Ｄ２，Ｄ３，ＳＡ２は［説明Ｊ２］の第３工程に対応し、ステップＤ１，Ｄ２，Ｄ３，ＳＡ０は［説明Ｊ２］の第４工程に対応する、と考えることができる。
【0274】
＜３．変形＞
上記実施形態において、例えば、ポンプ１２に回転型以外の形式が採用されてもよい。この場合には、上述された回転速度Ｒ、回転加速度αは、それぞれポンプ１２の速度、加速度、と読み替えられることにより、上述の説明が妥当する。
上記実施形態において、例えば、ポンプ１２に回転型以外の形式が採用されてもよい。この場合には、上述された回転速度Ｒ、回転加速度αは、それぞれポンプ１２の速度、加速度、と読み替えられることにより、上述の説明が妥当する。
【0275】
上記各実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能である。
【符号の説明】
【0276】
１ 配管（第１配管）
２ 配管（第２配管）
３ 配管（第３配管）
５ 制御部
１１ ヒータ
１２ ポンプ
１２ａ 吸入口
１２ｂ 吐出口
１３ 弁（開閉弁）
７１，７２ 外部経路
１００ 循環装置
１０１ 流入端（第１流入端）
２０２ 流出端（第２流出端）
３０１ 端
３０２ 流出端（第３流出端）
Ｃ１ 温度（第１所定温度）
Ｃ２ 温度（第２所定温度）
ＣＴ 液温（液体の温度）
Ｑ 液体
Ｒ１ 下限（第１所定速度）
Ｒ２ 上限（第２所定速度）
Ｔ 貯留槽
α１ 上限（第１加速度）
α２ 上限（第２加速度）
β１ 一定値
２ 配管（第２配管）
３ 配管（第３配管）
５ 制御部
１１ ヒータ
１２ ポンプ
１２ａ 吸入口
１２ｂ 吐出口
１３ 弁（開閉弁）
７１，７２ 外部経路
１００ 循環装置
１０１ 流入端（第１流入端）
２０２ 流出端（第２流出端）
３０１ 端
３０２ 流出端（第３流出端）
Ｃ１ 温度（第１所定温度）
Ｃ２ 温度（第２所定温度）
ＣＴ 液温（液体の温度）
Ｑ 液体
Ｒ１ 下限（第１所定速度）
Ｒ２ 上限（第２所定速度）
Ｔ 貯留槽
α１ 上限（第１加速度）
α２ 上限（第２加速度）
β１ 一定値
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】