特開 2023-142470 配線部材及び半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023142470

(43)【公開日】2023-10-05

(54)【発明の名称】配線部材及び半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/60 20060101AFI20230928BHJP

   H01L 25/07 20060101ALI20230928BHJP

【ＦＩ】

H01L21/60 321E

H01L25/04 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022049406

(22)【出願日】2022-03-25

(71)【出願人】

【識別番号】000004640

【氏名又は名称】日本発條株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100110629

【弁理士】

【氏名又は名称】須藤 雄一

(74)【代理人】

【識別番号】100166615

【弁理士】

【氏名又は名称】須藤 大輔

(72)【発明者】

【氏名】石川 浩嗣

(72)【発明者】

【氏名】伊藤 敬一

(57)【要約】

【課題】基板への実装を容易にすることが可能な配線部材を提供する。
【解決手段】基板３上に設けられた回路パターン５及び半導体素子７に対して積層され、回路パターン５及び半導体素子７間を接続する配線部材１１であって、接続用の積層の方向の凸部１９及びこの凸部１９に対する凹部２１を有する折返し形状の複数の板片からなる第１金属層１３と、第１金属層１３上に積層され前記第１金属層の複数の板片を一体化する樹脂層１５と、樹脂層１５上に積層された第２金属層１７と、を備える。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板上に設けられた回路パターン及び半導体素子に対して積層され前記回路パターン及び前記半導体素子間を接続する配線部材であって、
前記積層の方向の前記接続用の凸部及び該凸部に対する凹部を有する折返し形状の複数の板片からなる第１金属層と、
前記第１金属層上に積層され、前記第１金属層の前記複数の板片を一体化する樹脂層と、
前記樹脂層上に積層された第２金属層と、を備えた、
配線部材。

【請求項2】

請求項１の配線部材であって、
前記樹脂層を貫通し前記第１金属層及び前記第２金属層を接続する接続部を備える、
配線部材。

【請求項3】

請求項２の配線部材であって、
前記樹脂層又は前記第２基板上に配置され前記第２金属層に接続された電子部品を備える、
配線部材。

【請求項4】

請求項３の配線部材であって、
前記電子部品は、前記半導体素子に対する抵抗器又は制御用素子である、
配線部材。

【請求項5】

請求項１～４の何れか一項の配線部材であって、
前記樹脂層又は前記第２金属層上に配置されると共に前記第２金属層に接続され前記積層の方向の上方に突出する端子部を備えた、
配線部材。

【請求項6】

請求項１～５の何れか一項の配線部材であって、
前記樹脂層及び前記第２金属層は、前記第１金属層に沿った折返し形状を有する、
配線部材。

【請求項7】

請求項１～６の何れか一項の配線部材を用いた半導体装置であって、
回路パターンを有する基板と、
前記基板上に配置された半導体素子と、を備え、
前記配線部材が、前記回路パターン及び前記半導体素子に対して積層され、前記回路パターン及び前記半導体素子に前記第１金属層の前記板片の前記凸部が接続される、
半導体装置。

【請求項8】

請求項７の半導体装置であって、
前記半導体素子は、電力用半導体素子である、
半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、パワーモジュール等の半導体装置に供される配線部材及びこれを用いた半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来の半導体装置としては、特許文献１の電力用半導体装置がある。この電力用半導体装置では、基板上に設けられた電力用半導体素子とこれに対向するように配設されたプリント基板とを、両者間に配置された波形の配線部材である主回路用ばねによって接続している。

【0003】

かかる技術では、主回路用ばねを用いることで、信頼性が高い電力用半導体装置を得ることができるとしているが、主回路用ばねの実装が困難であるという問題があった。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特許第６２５６３０９号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

解決しようとする問題点は、配線部材の実装が困難であった点である。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明は、基板上に設けられた回路パターン及び半導体素子に対して積層され前記回路パターン及び前記半導体素子間を接続する配線部材であって、前記積層の方向の前記接続用の凸部及び該凸部に対する凹部を有する折返し形状の複数の板片からなる第１金属層と、前記第１金属層上に積層され、前記第１金属層の前記複数の板片を一体化する樹脂層と、前記樹脂層上に積層された第２金属層と、を備えた配線部材を提供する。

【0007】

また、本発明は、配線部材を用いた半導体装置であって、回路パターンを有する基板と、前記基板上に配置された半導体素子と、を備え、前記配線部材が、前記回路パターン及び前記半導体素子に対して積層され、前記回路パターン及び前記半導体素子に前記第１金属層の前記板片の凸部が接続される、半導体装置を提供する。

【発明の効果】

【0008】

本発明では、基板上の回路パターン及び半導体素子に積層して配線部材を容易に実装することができながら、配線部材の第２金属層により放熱性を確保することもできる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は、本発明の実施例１に係る配線部材を適用した半導体装置の斜視図である。

【図2】図２は、図１の半導体装置の配線部材の一部を省略した斜視図である。

【図3】図３は、図１の半導体装置の平面図である。

【図4】図４は、図２の半導体装置の平面図である。

【図5】図５は、図３のＶ－Ｖ線に係る半導体装置の断面図である。

【図6】図６は、図５の半導体装置の一部を拡大して示す断面図である。

【図7】図７は、図５の配線部材の一部を拡大して示す断面図である。

【図8】図８は、実施例１の変形例に係る配線部材の一部を拡大して示す断面図である。

【図9】図９は、実施例２に係る配線部材の一部を拡大して示す断面図である。

【図10】図１０は、実施例２の変形例に係る配線部材の一部を拡大して示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

本発明は、配線部材の実装を容易にするという目的を、基板上の回路パターン及び半導体素子に対して積層されて、これら回路パターン及び半導体素子間を接続する配線部材によって実現した。

【0011】

配線部材１１は、第１金属層１３と、樹脂層１５と、第２金属層１７とを備える。第１金属層１３は、積層の方向の凸部１９及びこの凸部１９に対する凹部２１を有する折返し形状に形成された複数の板片１３ａからなる。樹脂層１５は、第１金属層１３上に積層され、複数の板片１３ａを一体化する。第２金属層１７は、樹脂層１５上に積層されている。

【0012】

配線部材１１は、樹脂層１５を貫通し、第１金属層１３及び第２金属層１７を接続する接続部３１を備えてもよい。

【0013】

この場合、配線部材１１は、樹脂層１５又は第２金属層１７上に配置され、第２金属層１７に接続された電子部品２３を備えてもよい。電子部品２３は、半導体素子７に対する抵抗器又は制御用素子としてもよい。

【0014】

また、配線部材１１は、樹脂層１５又は第２金属層１７上に配置されると共に第２金属層１７に接続され、積層の方向の上方に突出する端子部３７を備えてもよい。

【0015】

樹脂層１５及び第２金属層１７は、第１金属層１３に沿った折返し形状を有してもよい。

【0016】

かかる配線部材１１を用いた半導体装置１は、回路パターン５を有する基板３と、基板３上に配置された半導体素子７とを備える。配線部材１１は、回路パターン５及び半導体素子７に対して積層され、回路パターン５及び半導体素子７に第１金属層１３の複数の板片１３ａの凸部１９が接続される。

【0017】

半導体素子７は、電力用半導体素子であってもよい。

【実施例0018】

［半導体装置の構成］
図１は、本発明の実施例１に係る配線部材を適用した半導体装置の斜視図である。図２は、図１の半導体装置の配線部材の一部である樹脂層及び第２金属層を省略した斜視図である。図３は、図１の半導体装置の平面図である。図４は、図２の半導体装置の平面図である。図５は、図３のＶ－Ｖ線に係る断面図である。

【0019】

半導体装置１は、図１～図５のように、基板３と、回路パターン５と、半導体素子７と、外部端子９と、配線部材１１とを備え、パワーモジュールを構成する。なお、パワーモジュールである半導体装置１は、樹脂モールド品として構成されるが、モールド樹脂の図示は省略している。半導体装置１は、樹脂ケース内にシリコーンゲル等のゲルを充填し封止するものであってもよい。また、半導体装置１は、パワーモジュールに限られず、各種の半導体デバイスとすることが可能である。

【0020】

基板３は、本実施例において、セラミック基板であり、矩形板状に形成されている。なお、基板３の材質や形状は、特に限定されるものではなく、半導体装置１の回路構成に応じたものとすればよい。

【0021】

この基板３上（上面）には、回路パターン５が形成されている。なお、基板３の下面には、金属層又は放熱板を接合してもよい。上下とは、半導体装置１の厚み方向での上下をいう。

【0022】

回路パターン５は、銅やアルミニウム等の金属材料からなる薄板である。回路パターン５は、半導体素子７の回路構成に応じた適宜の厚み、パターンで配策されている。

【0023】

本実施例の回路パターン５は、複数の分離部５ａ、５ｂ、５ｃ及び５ｄによって構成されている。分離部５ａ～５ｄは、相互間が隙間によって不連続なものとなっており、電気的に分離している。この回路パターン５上には、半導体素子７及び外部端子９が適宜取り付けられている。

【0024】

半導体素子７は、薄板状の電力用半導体素子であり、分離部５ｂ及び５ｃ上に配置されている。半導体素子７は、分離部５ｂ及び５ｃに対してはんだ等の適宜の手段によって取り付けられている。これにより、半導体素子７は、基板３上に設けられる。

【0025】

外部端子９は、半導体装置１を外部装置に接続するための端子である。この外部端子９は、半導体装置１の回路構成に応じて適宜設けることが可能である。本実施例において、外部端子９は、クランク状に折り曲げられた金属板片であり、分離部５ａ、５ｃ、及び５ｄにそれぞれ取り付けられている。外部端子９の取付けは、はんだ等によって行えばよい。

【0026】

図６は、図５の半導体装置１の一部を拡大して示す断面図である。図７は、図５の配線部材１１の一部を拡大して示す断面図である。

【0027】

配線部材１１は、図１～図７のように、基板３上に設けられた回路パターン５及び半導体素子７に対して積層され、回路パターン５及び半導体素子７間を電気的及び物理的に接続する。なお、配線部材１１の積層の方向（積層方向）は、本実施例において半導体装置１の厚み方向である。

【0028】

この配線部材１１は、全ての半導体素子７及び回路パターン５に対して積層され、それら回路パターン５及び半導体素子７間を一括して接続する。ただし、配線部材１１は、各半導体素子７及び回路パターン５間を個別に接続するものであってもよい。この場合、複数の配線部材が用いられる。

【0029】

配線部材１１は、第１金属層１３と、樹脂層１５と、第２金属層１７とを備えている。

【0030】

第１金属層１３は、積層方向の接続用の凸部１９及びこの凸部１９に対する凹部２１を有する折返し形状に形成されている。半導体装置１の使用時においては、熱による膨張収縮を第１金属層１３の折返し形状によって吸収でき、耐久性を向上できる。

【0031】

折返し形状は、板材の湾曲又は折り曲げによって折り返された形状であればよく、少なくとも回路パターン５及び半導体素子７に接続可能な二つの凸部１９及び凸部１９間の凹部２１を含むようにする。なお、凸部１９及び凹部２１は、回路パターン５及び半導体素子７に対する凸形状及び凹形状を有する。

【0032】

本実施例の折返し形状は、折り曲げによって折り返された角波形状である。折返し形状としては、各種の波形又は波形の一部とすることが可能である。波形の一部としては、少なくとも二つの凸部１９及び凹部２１を有する範囲において、波形の一波長に満たない形状とすることも可能である。つまり、折返し形状は、必ずしも波形である必要はない。

【0033】

本実施例の第１金属層１３は、複数の板片１３ａからなる。複数の板片１３ａは、樹脂層１５によって一体化され、半導体素子７に対応して配置される。これにより、第１金属層１３は、各半導体素子７に対する回路を構成する。

【0034】

各板片１３ａは、厚みが０．１ｍｍ以上の矩形状の金属板を折返し形状にしたものであり、凸部１９及び凹部２１を有する。ここでの板片１３ａの厚みは、半導体素子７が電力用半導体素子である場合のものである。なお、複数の板片１３ａは、一部又は全部が異なる厚みを有してもよい。また、第１金属層１３の板片１３ａには、一般的な板状の板片だけでなく、箔状の極薄い板片も含まれる。第２金属層１７も同様である。

【0035】

本実施例において、板片１３ａは、回路パターン５及び複数の半導体素子７に当接する複数の凸部１９を有している。なお、板片１３ａの大きさ、折返し形状、板厚、凸部１９の数等は、半導体装置１の回路構成に応じて適宜設定可能である。

【0036】

各板片１３ａの凸部１９は、回路パターン５及び半導体素子７に当接してはんだ等によって電気的及び物理的に接続される。本実施例の凸部１９は、板片１３ａの折返し形状に応じて平坦に形成され、回路パターン５及び半導体素子７に対して面で結合される。

【0037】

なお、凸部１９は、回路パターン５及び半導体素子７に当接可能であればよいので、回路パターン５及び半導体素子７に向けて突出する形状であればよい。このため、凸部１９は、鋭角状又は円弧状の頂部であってもよく、平坦である必要はない。

【0038】

各板片１３ａは、折返し形状によって柔軟性を有する。この柔軟性は、回路パターン５及び半導体素子７に対して凸部１９を当接させることができるように、誤差等を吸収できる範囲のものであればよい。

【0039】

複数の板片１３ａの半導体素子７に対応した配置は、各板片１３ａがその凸部１９を半導体素子７及び回路パターン５に当接させるように配置されることをいう。このため、第１金属層１３の複数の板片１３ａの凸部１９を、一括して回路パターン５及び半導体素子７に対して当接させることができる。

【0040】

本実施例の板片１３ａの配置は、各板片１３ａの長手方向が基板３の長手方向に沿っており、２つの板片１３ａが長手方向に隣接すると共に３つ板片１３ａが幅方向に並列になっている。各板片１３ａは、他の板片１３ａに対して接触しないように分離されている。

【0041】

樹脂層１５は、第１金属層１３上に積層された樹脂からなる板状の層である。この樹脂層１５は、第１金属層１３全体を覆う形状となっており、第１金属層１３の複数の板片１３ａを一体化している。

【0042】

本実施例の樹脂層１５は、第１金属層１３に沿った折返し形状を有する。具体的には、樹脂層１５は、平面視において第１金属層１３と同一かやや大きく形成された矩形板状であり、全体として第１金属層１３に沿った折返し形状を有する。樹脂層１５の板厚は、本実施例において、第１金属層１３の板厚よりも薄く、第２金属層１７の板厚よりも厚い。

【0043】

なお、樹脂層１５の板厚や平面形状等は、半導体装置１の回路構成に応じて適宜設定可能である。例えば、樹脂層１５は、第１金属層１３を部分的に覆う形状であってもよい。この場合、樹脂層１５は、複数の板片１３ａの相互間に設けられた複数の樹脂片を有する構成としてもよい。

【0044】

樹脂層１５上には、第２金属層１７が積層されている。これにより、第２金属層１７は、第１金属層１３上に樹脂層１５を介して配置され、樹脂層１５及びその下の第１金属層１３に沿った折返し形状を有する。

【0045】

本実施例の第２金属層１７は、複数セットの板片１７ａ及び１７ｂによって構成されている。板片１７ａ及び１７ｂのセットは、それぞれ第１金属層１３の板片１３ａ上に樹脂層１５を介して積層方向で重なるように配置されている。

【0046】

ただし、板片１７ａ及び１７ｂは、積層方向で第１金属層１３の板片１３ａに重ならないように配置されてもよい。また、板片１７ａ及び１７ｂの一方のみが第１金属層１３の板片１３ａに重なってもよい。また、一部セットの板片１７ａ及び１７ｂの一方又は双方が第１金属層１３の板片１３ａに重なってもよい。

【0047】

板片１７ａ及び１７ｂは、第１金属層１３の板片１３ａよりも板厚が０．１ｍｍ程度の金属板からなり、幅方向においても板片１３ａよりも細く形成されている。なお、第２金属層１７は、第１金属層１３と同一か、第１金属層１３よりも薄く形成されるのが好ましい。これら板片１７ａ及び１７ｂは、板片１３ａに沿って長手方向に延びると共に幅方向に間隔をあけて配置されている。

【0048】

一方の板片１７ａ上には、電子部品２３が配置されている。本実施例において、電子部品２３の位置は、第１金属層１３の板片１３ａの凹部２１上となっている。電子部品２３は、半導体素子７に対するチップ抵抗器や制御系素子等とすることが可能である。なお、電子部品２３は、複数設け、それぞれチップ抵抗器や半導体素子等としてもよい。

【0049】

本実施例の電子部品２３は、板片１７ａに電気的及び物理的に接続されている。従って、抵抗器や制御系素子である電子部品２３は、第２金属層１７上に配置されると共に第２金属層１７に接続された構成となっている。これにより、基板３に直に実装されるべき電子部品２３を配線部材１１上に実装し、基板３の平面視における小型化を図ることができる。

【0050】

なお、電子部品２３は、樹脂層１５上に配置し、板片１７ａに接続することも可能である。また、電子部品２３は、配線部材１１上ではなく、基板３上に配置してもよい。電子部品２３は、省略することも可能である。

【0051】

板片１７ａ及び１７ｂの一端部は、平面視で円形に膨出している。これら一端部には、他の電子部品、配線部材、半導体装置等を接続することが可能である。なお、板片１７ａ及び１７ｂの一端部の平面形状は任意であり、相互に同一又は異なる平面形状としてもよい。

【0052】

板片１７ａ及び１７ｂの他端部は、板片１７ａ及び１７ｂ間の間隔を狭くする方向に屈曲している。これら他端部には、下方に位置する第１金属層１３の板片１３ａが接続部３１により電気的及び物理的に接続されている。

【0053】

従って、第２金属層１７は、第１金属層１３と共に回路を構成する。また、第２金属層１７は、放熱板としても機能し、第１金属層１５と接続されることによって放熱性が向上している。

【0054】

なお、第２金属層１７の構成は、半導体装置１の回路構成に応じて適宜変更することが可能である。例えば、第２金属層１７は、板片１７ａ及び１７ｂの一方のみ備えてもよい。また、各セットの帯片の数は増加させてもよい。また、第２金属層１７は、板片１７ａ及び１７ｂに代えて、第１金属層１３の板片１３ａと同様の板片を備えてもよい。第２金属層１７は、単一の板材又は板片によって構成してもよい。また、第２金属層１７は、第１金属層１３に接続しなくてもよい。

【0055】

接続部３１は、樹脂層１５を貫通し、第１金属層１３及び第２金属層１７を接続する。本実施例の接続部３１は、スルーホールであり、樹脂層１５に設けられた貫通孔３３内に銅めっき等によって形成された筒状体として設けられる。ただし、接続部３１は、スルーホールに限らず、貫通孔３３内に導体を配置したものであればよい。

【0056】

かかる接続部３１は、第１金属層１３から第２金属層１７へ熱を伝達可能とすると共に第１金属層１３及び第２金属層１７を接続した回路を形成する。この回路形成により、第１金属層１３及び第２金属層１７間でインターリーブ回路を構成すれば、インダクタンスの低減も可能である。この場合、樹脂層１５は、できるだけ薄い方がよい。

【0057】

なお、接続部３１は、熱の伝達のみを考慮した場合、熱伝導率が樹脂層よりも高い材質であればよく、導体である必要はない。接続部３１は、回路構成等に応じて省略することも可能である。

【0058】

かかる配線部材１１は、第３金属板や第４金属板を備え、金属板が３層以上積層された構成としてもよい。この場合、各金属板間には、絶縁層を介在させ、適宜接続部を設ける。また、配線部材１１は、複数積層して用いてもよい。

【0059】

［配線部材の実装］
本実施例の半導体装置１は、回路パターン５を有する基板３上に複数の半導体素子７を取り付けた状態で配線部材１１を実装する。

【0060】

実装される配線部材１１は、第１金属層１３及び第２金属層１７をそれぞれプレスやエッチングにより配線形状に形成した後、樹脂層１５によって接合して形成すればよい。これに代えて、第１金属層、樹脂層、及び第２金属層を積層したフラットな半製品に対して、プレスやエッチングを行うことで配線部材１１を形成してもよい。接続部３１は、事前に樹脂層１５に形成しておけばよい。本実施例の配線部材１１には、電子部品２３も適宜取り付けられる。

【0061】

配線部材１１の実装は、配線部材１１を複数の半導体素子７及び回路パターン５に被せるようにして基板３上に積層し、複数の半導体素子７に対して配線部材１１の第１金属層１３の凸部１９を一括して接合する。

【0062】

これにより、配線部材１１の実装を容易に行うことができると共に高い実装精度が実現できる。

【0063】

すなわち、配線部材１１を基板３上に被せ、基板３や外枠に対してねじ等で取り付ける。このとき、配線部材１１は、第１金属層１３の板片１３ａの凸部１９が半導体素子７及び回路パターン５に位置決められつつ弾接する。これにより、第１金属層１３の板片１３ａの凸部１９を半導体素子７及び回路パターン５に対して誤差等を吸収しつつ確実に接合できる。

【0064】

また、第１金属層１３及び第２金属層１７が配線部材１１の骨格としても機能する。第１金属層１３が０．５ｍｍ以上とする場合は、大電流に対応できながら骨格として確実に機能する。このため、配線部材１１の不用意な撓みを抑制し、作業性を向上できる。

【0065】

なお、第１金属層１５と第２金属層１７は、板厚を調整し、配線部材１１の骨格としての機能を調整することも可能である。

【0066】

こうして、半導体素子７及び回路パターン５に配線部材１１の凸部１９を当接により接合させた後は、凸部１９と半導体素子７に固定する。この固定は、例えば、はんだペーストによって行えばよい。

【0067】

この場合、はんだペーストを事前に半導体素子７及び回路パターン５又は凸部１９に塗布して半導体素子７及び回路パターン５と凸部１９との接合が行われる。この状態で、配線部材１１を積層した基板３をリフロー炉により加熱し、半導体素子７と凸部１９との間を固定できる。なお、リフローはんだや導電性接着剤等によっても半導体素子７と凸部１９との間を固定可能である。

【0068】

こうして固定された後は、樹脂モールディングによって封止して半導体装置１が完成する。これに代えて、樹脂ケース内にシリコーンゲル等のゲルを充填して封止することで半導体装置１を完成させてもよい。

【0069】

このように、本実施例では、事前に回路構成した配線部材１１を基板３上に被せ、配線部材１１の第１金属層１３の凸部１９を複数の半導体素子７及び回路パターン５に対して接合することで、高い精度で容易且つ確実に配線部材１１を基板３に実装することができる。

【0070】

［変形例］
図８は、実施例１の変形例に係る配線部材１１の一部を拡大して示す断面図である。

【0071】

図８の変形例は、樹脂層１５及び第２金属層１７を折返し形状ではない構成としたものである。すなわち、樹脂層１５は、第１金属層１３に面した一側面１５が第１金属層１３に沿った形状の面からなり、第１金属層１３に対する反対側の他側面がフラットな面からなる。第２金属層１７は、樹脂層１５の他側面上に配置され、他側面に沿ってフラットに形成されている。

【実施例0072】

図９は、実施例２に係る配線部材の一部を拡大して示す断面図である。なお、実施例２は、基本構成が実施例１と同様であり、対応する構成に同符号を付して重複した説明を省略する。

【0073】

本実施例の配線部材１１では、第２金属層１７が端子部３７を有する。その他は、実施例１と同一である。

【0074】

端子部３７は、第２金属層１７に一体に設けられ、第２金属層１７から上方に突出している。従って、端子部３７は、第２金属層１７上に配置されると共に第２金属層１７に接続された構成となっている。

【0075】

なお、端子部３７は、第２金属層１７とは別体で形成し、溶接やはんだ等によって第２金属層１７に取り付けてもよい。また、端子部３７は、樹脂層１５から立設した状態で、第２金属層１７に溶接やはんだ等によって接続してもよい。

【0076】

図１０は、実施例２の変形例に係る配線部材１１の一部を拡大して示す断面図である。

【0077】

図１０の変形例では、図８の変形例の変形例において、第２金属層１７が端子部３７を有したものである。

【0078】

かかる実施例２及び変形例では、端子部３７を放熱用のフィンとして用い、又は放熱機構に接続することができ、放熱性を向上することができる。また、端子部３７は、他の回路との接続用としても用いることができる。