特開 2023-143122 基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023143122

(43)【公開日】2023-10-06

(54)【発明の名称】基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20230928BHJP

   B08B 3/08 20060101ALI20230928BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 648D

H01L21/304 651J

H01L21/304 648A

B08B3/08 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022050335

(22)【出願日】2022-03-25

(71)【出願人】

【識別番号】000134028

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮ ＳＰＥ テック

(74)【代理人】

【識別番号】100168583

【弁理士】

【氏名又は名称】前井 宏之

(72)【発明者】

【氏名】柴本 邦雄

(72)【発明者】

【氏名】松田 将平

【テーマコード（参考）】

3B201

5F157

【Ｆターム（参考）】

3B201AA03

3B201AA46

3B201AB03

3B201AB44

3B201BB02

3B201BB95

3B201BB96

3B201CB12

3B201CC12

5F157AB03

5F157AB13

5F157AB34

5F157BB02

5F157CB23

5F157DB02

5F157DB32

5F157DB37

(57)【要約】

【課題】基板と基板との間に液体が残ることを抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、貯留槽１１と、当接部４２とを備える。貯留槽１１は、処理液ＬＱを貯留する。当接部４２は、貯留槽１１中で第１基板Ｗ１及び第２基板Ｗ２と当接する。当接部４２は、第１基板Ｗ１の下端面を第１位置に配置するとともに、第２基板Ｗ２の下端面を第２位置に配置する。上下方向において第１位置と第２位置とは異なる。基板処理装置１００は、貯留槽１１中から処理液ＬＱを排出する排液部７０を更に備えることが好ましい。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

処理液を貯留する貯留槽と、
前記貯留槽中で第１基板及び第２基板と当接する当接部と、
を備え、
前記当接部は、前記第１基板の下端面を第１位置に配置するとともに、前記第２基板の下端面を第２位置に配置し、
上下方向において前記第１位置と前記第２位置とは異なる、基板処理装置。

【請求項2】

前記貯留槽中から前記処理液を排出する排液部を更に備える、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記当接部を前記上下方向に移動させる移動部を更に備え、
前記当接部は、前記第１基板及び前記第２基板を保持する、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記第１基板及び前記第２基板を保持する保持部と、
前記保持部を前記上下方向に移動させる移動部と
を更に備え、
前記当接部は、前記貯留槽中の下部に配置される、請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項5】

複数の前記第１基板と、複数の前記第２基板とを前記処理液で処理する基板処理装置であって、
水平方向において、前記第１基板と前記第２基板とは交互に配置される、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来から、複数の基板に対して一括で乾燥を行うバッチ式の基板乾燥装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。これら複数の基板はキャリアに収納された状態で、基板乾燥装置に搬送される。基板乾燥装置は乾燥チャンバ内にキャリア受け部を備えており、キャリア受け部は、複数の基板を収納したキャリアを受け取って支持する。

【0003】

乾燥チャンバの下部には、排気口が設けられている。また、乾燥チャンバ内には、上部吹き出し部、ヒータ及び側部吹き出し部が設けられている。上部吹き出し部は、キャリアよりも上側に設けられており、キャリアに向けて乾燥用空気を吹き出す。ヒータは上部吹き出し部とキャリアとの間に設けられており、通気性を有している。ヒータは自身を通過する乾燥用空気を加熱する。側部吹き出し部はキャリアよりも側方に設けられており、キャリアに向けて乾燥用空気を吹き出す。

【0004】

ヒータを通過した乾燥用空気、及び、側部吹き出し部から吹き出された乾燥用空気は、キャリア内の複数の基板の相互間を通過する。これにより、基板を乾燥させることができる。複数の基板の相互間を通過した乾燥用空気はキャリア受け部を通過し、その一部は排気口から排気され、残りの一部は再び乾燥チャンバの上部へと循環する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２００８－２４４２７６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

特許文献１に記載の基板乾燥装置では、複数の基板に対して処理液で処理を行う処理工程を行った後、複数の基板に対して乾燥工程を行う。このとき、基板と基板との間に処理液が残っていない状態で、処理工程から乾燥工程へ移行することが好ましい。

【0007】

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、基板と基板との間に処理液が残ることを抑制できる基板処理装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の一局面によれば、基板処理装置は、貯留槽と、当接部とを備える。前記貯留槽は、処理液を貯留する。前記当接部は、前記貯留槽中で第１基板及び第２基板と当接する。前記当接部は、前記第１基板の下端面を第１位置に配置するとともに、前記第２基板の下端面を第２位置に配置する。上下方向において前記第１位置と前記第２位置とは異なる。

【0009】

本発明の基板処理装置は、前記貯留槽中から前記処理液を排出する排液部を更に備えることが好ましい。

【0010】

本発明の基板処理装置は、前記当接部を前記上下方向に移動させる移動部を更に備え、前記当接部は、前記第１基板及び前記第２基板を保持することが好ましい。

【0011】

本発明の基板処理装置は、前記第１基板及び前記第２基板を保持する保持部と、前記保持部を前記上下方向に移動させる移動部とを更に備え、前記当接部は、前記貯留槽中の下部に配置されることが好ましい。

【0012】

本発明の基板処理装置は、複数の前記第１基板と、複数の前記第２基板とを前記処理液で処理する基板処理装置であって、水平方向において、前記第１基板と前記第２基板とは交互に配置されることが好ましい。

【発明の効果】

【0013】

本発明によれば、基板と基板との間に処理液が残ることを抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】本発明の実施形態１に係る基板処理装置を示す断面図である。

【図2】実施形態１に係る処理装置を示す断面図である。

【図3】実施形態１に係るキャリアを示す断面図である。

【図4】実施形態１に係るキャリアを示す拡大断面図である。

【図5】実施形態１に係る基板を示す拡大断面図である。

【図6】実施形態１に係る乾燥装置を示す断面図である。

【図7】実施形態１に係る基板処理方法を示すフローチャートである。

【図8】本発明の実施形態２に係る処理装置を示す断面図である。

【図9】実施形態２に係る処理装置を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、本発明の実施形態において、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸及びＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。

【0016】

＜実施形態１＞
図１を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００を説明する。図１は、基板処理装置１００を示す断面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、バッチ式である。従って、基板処理装置１００は、処理液ＬＱによって複数の基板Ｗを一括して処理工程を実行した後、処理気体ＡＱによって複数の基板Ｗを一括して乾燥工程を実行する。具体的には、基板処理装置１００は、複数のロットを一括して洗浄処理した後、複数のロットを一括して乾燥処理する。複数のロットの各々は複数の基板Ｗからなる。例えば、１ロットは５０枚の基板Ｗからなる。基板Ｗは、例えば、略円板状である。

【0017】

基板Ｗは、例えば、半導体ウェハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、又は、太陽電池用基板である。半導体ウェハは、例えば、三次元フラッシュメモリー（例えば三次元ＮＡＮＤフラッシュメモリー）を形成するためのパターンを有する。

【0018】

具体的には、基板処理装置１００は、処理装置１０と、乾燥装置２０と、キャリア４０と、制御装置６０とを備える。キャリア４０は、「保持部」の一例である。

【0019】

キャリア４０は、例えば、フッ素樹脂によって構成されており、複数の基板Ｗを保持する。詳細には、複数の基板Ｗは、第１方向ＤＡ（Ｙ方向）に沿って、所定間隔を空けて一列に配列される。換言すれば、第１方向ＤＡは、複数の基板Ｗの配列方向を示す。第１方向ＤＡは、水平方向に略平行である。また、複数の基板Ｗの各々は、第２方向ＤＢに略平行である。第２方向ＤＢは、第１方向ＤＡに略直交し、水平方向に略平行である。

【0020】

制御装置６０は、例えば、コンピューターである。詳細には、制御装置６０は、制御部６１と、記憶装置６２とを含む。

【0021】

記憶装置６２は、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。記憶装置６２は、例えば、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリーを含む。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリー、ソリッドステートドライブ、及び／又は、ハードディスクドライブを含む。

【0022】

制御部６１は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等のプロセッサーを含む。

【0023】

続けて図１及び図２を参照して、処理装置１０を説明する。図２は、実施形態１に係る処理装置１０を示す模式断面図である。具体的には、図１は、基板Ｗを貯留槽１１に投入した後の処理装置１０の断面図である。また、図２は、基板Ｗを貯留槽１１に投入する前の処理装置１０の断面図である。

【0024】

処理液ＬＱにより、複数の基板Ｗには、エッチング処理、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去及び洗浄のうちの少なくとも１つが行われる。例えば、基板処理装置１００は、シリコン基板からなる基板Ｗのパターン形成側の表面に対して、シリコン酸化膜（ＳｉＯ₂膜）及びシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）のエッチング処理を施す。このようなエッチング処理では、基板Ｗの表面からシリコン酸化膜及びシリコン窒化膜のうちのいずれかを除去する。

【0025】

処理液ＬＱは、例えば、薬液である。処理液ＬＱは、例えば、燐酸（Ｈ₃ＰＯ₄）、アンモニアと過酸化水素水と水とが混合された混合液、又は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドである。例えば、処理液ＬＱとして、略８９質量％の燐酸（Ｈ₃ＰＯ₄）と略１１質量％の水（脱イオン水）とが混合された略１５７℃の溶液（以下、「燐酸液」と記載する。）が用いられると、基板Ｗの表面からシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）が除去される。換言すれば、処理液ＬＱとして、不純物を含有せず、高温、高酸濃度の溶液が用いられ、処理液ＬＱは、シリコン（Ｓｉ⁴⁺）を溶解していく。なお、基板Ｗを処理できる限りにおいては、処理液ＬＱの種類は特に限定されない。また、処理液ＬＱの温度も特に限定されない。

【0026】

具体的には、処理装置１０は、貯留槽１１と、リフタ３０と、排液部５０と、給液部７０とを備える。リフタ３０は、「移動部」の一例である。

【0027】

貯留槽１１は、処理液ＬＱを貯留する。具体的には、貯留槽１１は、内槽１１ａ及び外槽１１ｂを含む二重槽構造を有している。内槽１１ａ及び外槽１１ｂはそれぞれ上向きに開いた上部開口を有する。内槽１１ａは、処理液ＬＱを貯留し、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。外槽１１ｂは、内槽１１ａの外周面に設けられる。

【0028】

リフタ３０は、キャリア４０を載置した状態で鉛直上方又は鉛直下方に移動する。リフタ３０が鉛直下方に移動することにより、リフタ３０に載置されているキャリア４０は、内槽１１ａに貯留されている処理液ＬＱに浸漬される。

【0029】

図２では、リフタ３０は、内槽１１ａの上方に位置する。リフタ３０は、キャリア４０を保持したまま鉛直下方に下降する。これにより、キャリア４０が貯留槽１１に投入される。

【0030】

図１に示すように、リフタ３０が貯留槽１１にまで下降すると、キャリア４０は、内槽１１ａ内の処理液ＬＱに浸漬する。換言すれば、リフタ３０は、内槽１１ａに貯留された処理液ＬＱに、所定間隔をあけて整列した複数の基板Ｗを浸漬する。

【0031】

リフタ３０は、本体板３１と、保持板３２とを含む。本体板３１は、鉛直方向に延びる板である。保持板３２は、本体板３１の一方の主面から水平方向（Ｙ方向）に延びる。

【0032】

リフタ３０は、昇降ユニット３３を更に含んでもよい。昇降ユニット３３は、リフタ３０に載置されているキャリア４０が貯留槽１１内に位置する処理位置（図１に示す位置）と、リフタ３０に載置されているキャリア４０が内槽１１ａの上方に位置する退避位置（図２に示す位置）との間で本体板３１を昇降させる。従って、昇降ユニット３３によって本体板３１が処理位置に移動させられることにより、キャリア４０に保持されている複数の基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬される。

【0033】

給液部７０は、給液配管７０ａと、バルブ７０ｂとを含む。そして、内槽１１ａの底壁には、給液配管７０ａが接続される。給液配管７０ａにはバルブ７０ｂが配置される。バルブ７０ｂが開くことにより、処理液ＬＱは給液配管７０ａを通って内槽１１ａ内に給液される。

【0034】

排液部５０は、排液配管５０ａと、バルブ５０ｂとを含む。そして、内槽１１ａの底壁及び外槽１１ｂの底壁には、排液配管５０ａが接続される。排液配管５０ａにはバルブ５０ｂが配置される。バルブ５０ｂが開くことにより、内槽１１ａ内に貯留された処理液ＬＱは排液配管５０ａを通って外部に排出される。排出された処理液ＬＱは排液処理装置（図示しない）へと送られる。

【0035】

続けて図３及び図４を参照して、キャリア４０を説明する。図３は、実施形態１に係るキャリア４０を示す断面図である。図４は、実施形態１に係るキャリア４０を示す拡大断面図である。図３及び図４に示すように、キャリア４０は、キャリア本体４１と、第１保持棒４２と、第２保持棒４３と、一対の支持脚４４とを備える。第１保持棒４２は、「当接部」の一例である。

【0036】

キャリア本体４１は、複数の基板Ｗを収容する部材である。キャリア本体４１は上側に開口しており、複数の基板Ｗは上側からキャリア本体４１に挿入される。キャリア本体４１は下側にも開口している。

【0037】

一対の支持脚４４の各々は、キャリア本体４１の下端から下側に延在している。一対の支持脚４４は、第２方向ＤＢ（Ｘ方向）において間隔を空けて設けられている。また、一対の支持脚４４の各々は、第１方向ＤＡ（Ｙ方向）に沿って延在しており、第１方向ＤＡにおける長さはキャリア本体４１の長さに略等しい。以下では、一方の支持脚４４及び他方の支持脚４４を区別する場合には、一方の支持脚４４を支持脚４４ａと呼び、他方の支持脚４４を支持脚４４ｂと呼ぶ。支持脚４４ａが、支持脚４４ｂより第２方向ＤＢに位置する。

【0038】

第１保持棒４２は、第１方向ＤＡ（Ｙ方向）に延びる。図３の例では、２つの第１保持棒４２が第１方向ＤＡ（Ｙ方向）に沿って延在しており、第１方向ＤＡにおける長さはキャリア本体４１の長さに略等しい。また、２つの第１保持棒４２は、第２方向ＤＢ（Ｘ方向）において間隔を空けて設けられている。第１保持棒４２の上面には、複数の凹部４２１が配置されている。複数の凹部４２１は、所定間隔を空けて一列に配列される。複数の凹部４２１の形状は、第２方向ＤＢ（Ｘ方向）から視たときに、Ｖ字形状である。

【0039】

第２保持棒４３は、第１保持棒４２より上方に位置する。第２保持棒４３は、第１方向ＤＡ（Ｙ方向）に延びる。図３の例では、２つの第２保持棒４３が第１方向ＤＡ（Ｙ方向）に沿って延在しており、第１方向ＤＡにおける長さはキャリア本体４１の長さに略等しい。また、２つの第２保持棒４３は、第２方向ＤＢ（Ｘ方向）において間隔を空けて設けられている。第２保持棒４３の側面には、複数の凹部４３１が配置されている。複数の凹部４３１は、所定間隔を空けて一列に配列される。複数の凹部４３１の形状は、上下方向から視たときに、Ｖ字形状である。

【0040】

キャリア４０によれば、複数の基板Ｗは、所定間隔をあけて整列した状態で、各基板Ｗの下縁が２つの第１保持棒４２の複数の凹部４２１に挿入され、各基板Ｗの側縁が２つの第２保持棒４３の複数の凹部４３１に挿入されて、起立姿勢（鉛直姿勢）で保持される。その結果、複数の基板Ｗは、第１方向ＤＡ（Ｙ方向）に沿って、所定間隔を空けて一列に配列される。

【0041】

また、複数の基板Ｗは、複数の第１基板Ｗ１と、複数の第２基板Ｗ２とを含む。第１方向ＤＡ（Ｙ方向）において、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とは交互に配置される。

【0042】

第１保持棒４２の複数の凹部４２１は、第１基板Ｗ１の下端面を第１位置に配置するとともに、第２基板Ｗ２の下端面を第２位置に配置する。上下方向において第１位置と第２位置とは異なる。複数の凹部４２１は、複数の第１凹部４２１ａと、複数の第２凹部４２１ｂとを含む。第１凹部４２１ａの深さと、の第２凹部４２１ｂの深さとは異なる。

【0043】

具体的には、上下方向において第１位置は、第２位置より高い。第１凹部４２１ａの深さは、第２凹部４２１ｂの深さより浅い。

【0044】

続けて図５を参照して、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２との間に存在する処理液ＬＱの動きを説明する。図５は、実施形態１に係る基板Ｗの下端面を示す拡大断面図である。図５に示すように、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２との間に処理液ＬＱが存在する。

【0045】

第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２との間に存在する処理液ＬＱは、下方に向かって移動する。処理液ＬＱは、第１基板Ｗ１の下端面と、第２基板Ｗ２の下端面との間に到達する。上下方向において第１位置と第２位置とは異なる。その結果、処理液ＬＱには、上下方向と交差する方向に表面張力が働く。よって、処理液ＬＱに働く重力が、表面張力に阻害されることを抑制できる。その結果、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２との間に処理液ＬＱが残ることを抑制できる。

【0046】

また、処理装置１０は、排液部５０を備える。バルブ５０ｂが開くことにより、内槽１１ａ内に貯留されている処理液ＬＱの液面が、下方に向かって移動する。処理液ＬＱの液面は、第１基板Ｗ１の下端面と、第２基板Ｗ２の下端面との間に到達する。その結果、処理液ＬＱには、上下方向と交差する方向に表面張力が働く。よって、処理液ＬＱに働く重力が、表面張力に阻害されることを抑制できる。

【0047】

キャリア４０の第１保持棒４２の複数の凹部４２１は、第１基板Ｗ１の下端面を第１位置に配置するとともに、第２基板Ｗ２の下端面を第２位置に配置する。リフタ３０は、キャリア４０を載置した状態で鉛直上方又は鉛直下方に移動する。その結果、キャリア４０を上方に配置できる。よって、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とをキャリア４０に容易に配置できる。

【0048】

第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とは交互に配置される。その結果、複数の基板Ｗ２間に処理液ＬＱが残ることを抑制できる。

【0049】

続けて図６を参照して、実施形態１に係る乾燥装置２０を説明する。図６は、乾燥装置２０を示す断面図である。図６に示すように、乾燥装置２０は、筐体１１０と、載置部１２０と、気体供給部１３０と、気体排気部１４０とを備える。

【0050】

筐体１１０は、チャンバとも呼ばれ、筐体１１０の内部に処理空間を形成する。図６の例では、筐体１１０は、筐体本体１１１と、開閉部材１１２とを含んでいる。筐体本体１１１は、例えば上側に開口する箱型の部材であり、開閉部材１１２は、筐体本体１１１の開口を閉じるように設けられている。図６の例では、開閉部材１１２は、略板状の形状を有しており、開閉部材１１２の一端がヒンジ部１１３を介して筐体本体１１１に連結されている。開閉部材１１２はヒンジ部１１３を中心として開くことができる。開閉部材１１２が開くことによって、筐体本体１１１は開口する。

【0051】

外部の搬送装置は、未乾燥の複数の基板Ｗを収納したキャリア４０を、筐体本体１１１の開口を介して筐体１１０の内部へと搬入する。乾燥装置２０は開閉部材１１２を閉じ、開閉部材１１２を閉じた状態で複数の基板Ｗに対して乾燥工程を行う。乾燥工程が終了すると、乾燥装置２０は、開閉部材１１２を再び開く。搬送装置は、筐体本体１１１の開口を介して、筐体１１０の内部から外部へとキャリア４０を搬出する。これにより、乾燥済みの基板Ｗ及びキャリア４０が乾燥装置２０から搬出される。

【0052】

載置部１２０は、筐体１１０の内部に設けられており、キャリア４０を載置する。

【0053】

気体供給部１３０は、載置部１２０よりも上側に設けられた給気口１３１ａを有し、給気口１３１ａから載置部１２０に向けて処理気体ＡＱを供給する。処理気体ＡＱとしては、例えば窒素又はアルゴン等の不活性ガスを採用することができる。不活性ガスとは、基板Ｗ１との反応性が低いガスをいう。処理気体ＡＱの温度は高く、例えば、給気口１３１ａにおける処理気体ＡＱの温度は９０℃以上である。

【0054】

図６の例では、気体供給部１３０は、ノズル１３１と、給気管１３２と、給気バルブ１３３と、加熱部１３４と、気体供給源１３５とを含んでいる。ノズル１３１は筐体１１０の内部において、載置部１２０よりも上側に設けられている。図６の例では、３個のノズル１３１が設けられている。言い換えれば、３個のノズル１３１は略同じ高さ位置に設けられる。

【0055】

各ノズル１３１は、給気口１３１ａを有している。各ノズル１３１は、例えば複数の給気口１３１ａを有するバーノズルであってもよい。図６の例では、ノズル１３１は、略円筒形状を有するバーノズルである。例えばノズル１３１は第１方向ＤＡに沿って延在しており、複数の給気口１３１ａは、第１方向ＤＡに沿って並んで配置される。各給気口１３１ａの開口軸は、基板Ｗに向けて下方向に沿うように設定される。各ノズル１３１は給気口１３１ａから基板Ｗに向けて下方向に処理気体ＡＱを吐出する。

【0056】

ノズル１３１は、給気管１３２を介して気体供給源１３５に接続されている。気体供給源１３５は、処理気体ＡＱとして、不活性ガスを給気管１３２に供給する。加熱部１３４は、給気管１３２の途中に設けられており、給気管１３２の内部を流れる処理気体ＡＱを加熱する。加熱部１３４の出口において処理気体ＡＱの温度は例えば２００℃程度である。処理気体ＡＱの温度は給気管１３２を流れるに従って低下し、ノズル１３１の給気口１３１ａにおいて例えば１００℃程度となる。

【0057】

給気バルブ１３３は給気管１３２の途中に設けられており、給気管１３２の内部の流路の開閉を切り替える。給気バルブ１３３が給気管１３２の流路を開くことにより、気体供給源１３５からの気体が給気管１３２の内部の流路を流れてノズル１３１の給気口１３１ａから吐出される。給気バルブ１３３は処理気体ＡＱの流量を調整可能であってもよい。処理気体ＡＱの流量は例えば２００Ｌ／分程度に設定される。

【0058】

各ノズル１３１の給気口１３１ａから吐出された高温の処理気体ＡＱは基板Ｗへ向かって流れる。キャリア４０の内部空間は上側にも下側にも開口しているので、処理気体ＡＱはキャリア４０の上側から複数の基板Ｗの相互間を経由してキャリア４０の下側へと通過する。

【0059】

気体排気部１４０は、載置部１２０よりも下側に設けられた排気口（不図示）を有し、筐体１１０内の処理気体ＡＱを排気口から外部へと排気する。気体排気部１４０は、排気主管１４６と、吸引部１４８を有している。排気主管１４６の内部の流路には、筐体１１０内の排気口から流入した処理気体ＡＱが流れる。吸引部１４８は排気主管１４６の途中に設けられており、筐体１１０内の処理気体ＡＱを吸引して外部へと排気する。吸引部１４８は例えば吸引ポンプを含んでいる。気体排気部１４０は排液管１４７も含んでいる。

【0060】

乾燥装置２０によれば、高温の処理気体ＡＱは、基板Ｗ及びキャリア４０に付着した処理液ＬＱを蒸発させ、或いは、吹き飛ばすことができる。これにより、基板Ｗ１及びキャリア４０を乾燥することができる。

【0061】

次に、図７を参照して、実施形態１に係る基板処理方法を説明する。図７は、実施形態１に係る基板処理方法を示すフローチャートである。図７に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１～工程Ｓ７を含む。基板処理方法は、基板処理装置１００によって実行される。

【0062】

まず、工程Ｓ１において、制御装置６０は給液部７０を制御することにより、内槽１１ａに処理液ＬＱを貯留する。

【0063】

次に、工程Ｓ２において、制御装置６０はリフタ３０を制御することにより、処理液ＬＱにキャリア４０を浸漬する。

【0064】

次に、工程Ｓ３において、制御装置６０は排液部５０を制御することにより、内槽１１ａから処理液ＬＱを排出する。

【0065】

次に、工程Ｓ４において、制御装置６０はリフタ３０を制御することにより、キャリア４０を処理装置１０から乾燥装置２０へ移す。

【0066】

次に、工程Ｓ５において、制御装置６０は気体供給部１３０及び気体排気部１４０を制御することにより、キャリア４０のフランジに対して処理気体ＡＱを噴射する。

【0067】

次に、工程Ｓ６において、制御装置６０は気体供給部１３０及び気体排気部１４０を制御することにより、複数の基板Ｗに対して処理気体ＡＱを噴射する。

【0068】

次に、工程Ｓ７において、制御装置６０は、キャリア４０を乾燥装置２０から引き上げる。

【0069】

＜実施形態２＞
図８及び図９を参照して、本発明の実施形態２に係る処理装置２１０を説明する。図８及び図９は、本発明の実施形態２に係る処理装置２１０を示す断面図である。図８は、基板Ｗを貯留槽１１に投入した後の処理装置２１０の断面図である。また、図９は、基板Ｗを貯留槽１１に投入している際の処理装置２１０の断面図である。実施形態２に係る処理装置２１０が、内槽１１ａの底壁に当接部３４２を備える点で、実施形態２は実施形態１と主に異なる。以下、実施形態２が実施形態１と異なる点を主に説明する。

【0070】

図８及び図９に示すように、キャリア２４０は、２つの第１保持棒２４２を備える。第１保持棒２４２は、第１方向ＤＡ（Ｙ方向）に延びる。また、２つの第１保持棒２４２は、第２方向ＤＢ（Ｘ方向）において間隔を空けて設けられている。２つの第１保持棒２４２の上面には、複数の凹部２４２１が配置されている。複数の凹部２４２１は、所定間隔を空けて一列に配列される。複数の凹部２４２１の形状は、第２方向ＤＢ（Ｘ方向）から視たときに、Ｖ字形状である。複数の凹部２４２１の形状は、同一形状である。その結果、第１保持棒２４２の複数の凹部２４２１は、複数の基板Ｗの下端面を所定位置に配置する。

【0071】

当接部３４２は、内槽１１ａの底壁に配置される。当接部３４２は、第１方向ＤＡ（Ｙ方向）に延びる。図８及び図９の例では、２つの当接部３４２が第１方向ＤＡ（Ｙ方向）に沿って延在しており、第１方向ＤＡにおける長さはキャリア本体４１の長さに略等しい。また、２つの当接部３４２は、第２方向ＤＢ（Ｘ方向）において間隔を空けて設けられている。当接部３４２の上面には、複数の凸部３４２１が配置されている。複数の凸部３４２１は、所定間隔を空けて一列に配列される。

【0072】

昇降ユニット３３は、リフタ３０に載置されているキャリア２４０が貯留槽１１内に位置する処理位置（図８に示す位置）と、リフタ３０に載置されているキャリア２４０が内槽１１ａの上方に位置する退避位置（図９に示す位置）との間でリフタ３０を昇降させる。

【0073】

従って、昇降ユニット３３によってリフタ３０が処理位置に移動させられることにより、キャリア２４０に保持されている複数の第１基板Ｗ１は、複数の凸部３４２１と当接する。一方、キャリア２４０に保持されている複数の第２基板Ｗ２は、複数の凸部３４２１と当接しない。その結果、当接部３４２は、第１基板Ｗ１の下端面を第１位置に配置するとともに、第２基板Ｗ２の下端面を第２位置に配置する。

【0074】

以上、図８及び図９を参照して説明したように、実施形態２によれば、上下方向において第１位置と第２位置とは異なる。その結果、処理液ＬＱには、上下方向と交差する方向に表面張力が働く。よって、処理液ＬＱに働く重力が、表面張力に阻害されることを抑制できる。その結果、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２との間に処理液ＬＱが残ることを抑制できる。

【0075】

以上、図面を参照して本発明の実施形態及び実施例について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態及び実施例に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。

【0076】

また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。

【0077】

（１）実施形態１では、内槽１１ａ内に貯留された処理液ＬＱを排出するときに、一対の支持脚４４の高さを同一にしたが、本発明はこれに限定されない。支持脚４４ａの高さと支持脚４４ｂの高さとが異なった状態で、処理液ＬＱを排出してもよい。換言すれば、キャリア４０を第２方向ＤＢに対して傾けてもよい。

【0078】

（２）実施形態１では、第１保持棒４２の複数の凹部４２１は、第１基板Ｗ１の下端面を第１位置に配置するとともに、第２基板Ｗ２の下端面を第２位置に配置したが、本発明はこれに限定されない。第１保持棒の複数の凹部は、第１基板の下端面を第１位置に配置し、第２基板の下端面を第２位置に配置し、第３基板の下端面を第３位置に配置してもよい。換言すれば、基板Ｗの下端面が段々と高くなってもよい。

【0079】

（３）実施形態２では、当接部３４２は、内槽１１ａの底壁に配置されたが、本発明はこれに限定されない。当接部は、リフタに配置されてもよい。

【産業上の利用可能性】

【0080】

本発明は、基板処理装置に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。

【符号の説明】

【0081】

１１ 貯留槽
４２ 第１保持棒（当接部）
７０ 排液部
１００ 基板処理装置
ＬＱ 処理液
Ｗ 基板
Ｗ１ 第１基板
Ｗ２ 第２基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】