(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023143230
(43)【公開日】2023-10-06
(54)【発明の名称】パターン印刷方法および太陽電池の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 31/0224 20060101AFI20230928BHJP
H01L 31/0747 20120101ALI20230928BHJP
【ＦＩ】
H01L31/04 260
H01L31/06 455
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022050497
(22)【出願日】2022-03-25
(71)【出願人】
【識別番号】000000941
【氏名又は名称】株式会社カネカ
(74)【代理人】
【識別番号】100131705
【弁理士】
【氏名又は名称】新山 雄一
(74)【代理人】
【識別番号】100145713
【弁理士】
【氏名又は名称】加藤 竜太
(72)【発明者】
【氏名】古牧 周
(72)【発明者】
【氏名】吉河 訓太
(72)【発明者】
【氏名】河▲崎▼ 勇人
【テーマコード（参考）】
5F151
5F251
【Ｆターム（参考）】
5F151AA02
5F151AA05
5F151CB27
5F151DA07
5F151DA10
5F251AA02
5F251AA05
5F251CB27
5F251DA07
5F251DA10
(57)【要約】
【課題】所望パターンに対するマージンを低減したパターン印刷方法を提供する。
【解決手段】パターン印刷方法は、導電膜のパターンの印刷方法であって、スクリーン印刷法を用いて、所望パターンＰ２１，Ｐ３１に対してマージンを考慮したプレ設計パターンＰ２２，Ｐ３２に基づいて、印刷材料をパターン印刷し、導電膜のプレパターンＰ２９，Ｐ３９を形成するプレ印刷工程と、撮像装置を用いて、プレパターンを撮像する撮像工程と、撮像したプレパターンＰ２９，Ｐ３９の画像と、プレ設計パターンＰ２２，Ｐ３２と、所望パターンＰ２１，Ｐ３１とに基づいて、所望パターンＰ２１，Ｐ３１を得るための設計パターンであって、マージンを低減した設計パターンを作成する作成工程と、スクリーン印刷法を用いて、作成した設計パターンに基づいて、印刷材料をパターン印刷し、導電膜の本パターンを形成する本印刷工程とを備える。
【選択図】図４Ａ
【解決手段】パターン印刷方法は、導電膜のパターンの印刷方法であって、スクリーン印刷法を用いて、所望パターンＰ２１，Ｐ３１に対してマージンを考慮したプレ設計パターンＰ２２，Ｐ３２に基づいて、印刷材料をパターン印刷し、導電膜のプレパターンＰ２９，Ｐ３９を形成するプレ印刷工程と、撮像装置を用いて、プレパターンを撮像する撮像工程と、撮像したプレパターンＰ２９，Ｐ３９の画像と、プレ設計パターンＰ２２，Ｐ３２と、所望パターンＰ２１，Ｐ３１とに基づいて、所望パターンＰ２１，Ｐ３１を得るための設計パターンであって、マージンを低減した設計パターンを作成する作成工程と、スクリーン印刷法を用いて、作成した設計パターンに基づいて、印刷材料をパターン印刷し、導電膜の本パターンを形成する本印刷工程とを備える。
【選択図】図４Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
導電膜またはレジストのパターンの印刷方法であって、
スクリーン印刷法を用いて、所望パターンに対してマージンを考慮したプレ設計パターンに基づいて、印刷材料をパターン印刷し、前記導電膜または前記レジストのプレパターンを形成するプレ印刷工程と、
撮像装置を用いて、前記プレパターンを撮像する撮像工程と、
撮像した前記プレパターンの画像と、前記プレ設計パターンと、前記所望パターンとに基づいて、前記所望パターンを得るための設計パターンであって、前記マージンを低減した前記設計パターンを作成する作成工程と、
前記スクリーン印刷法を用いて、作成した前記設計パターンに基づいて、印刷材料をパターン印刷し、前記導電膜または前記レジストの本パターンを前記パターンとして形成する本印刷工程と、
を備える、パターン印刷方法。
スクリーン印刷法を用いて、所望パターンに対してマージンを考慮したプレ設計パターンに基づいて、印刷材料をパターン印刷し、前記導電膜または前記レジストのプレパターンを形成するプレ印刷工程と、
撮像装置を用いて、前記プレパターンを撮像する撮像工程と、
撮像した前記プレパターンの画像と、前記プレ設計パターンと、前記所望パターンとに基づいて、前記所望パターンを得るための設計パターンであって、前記マージンを低減した前記設計パターンを作成する作成工程と、
前記スクリーン印刷法を用いて、作成した前記設計パターンに基づいて、印刷材料をパターン印刷し、前記導電膜または前記レジストの本パターンを前記パターンとして形成する本印刷工程と、
を備える、パターン印刷方法。
【請求項2】
前記本印刷工程では、前記プレパターンの上に前記本パターンを印刷する、請求項１に記載のパターン印刷方法。
【請求項3】
前記本印刷工程では、前記プレパターンを除去した後、前記本パターンを印刷する、請求項１に記載のパターン印刷方法。
【請求項4】
半導体基板の裏面側に、パターン化された半導体層および電極層が形成された裏面電極型の太陽電池の製造方法であって、
請求項１～３のいずれか１項に記載のパターン印刷方法を用いて、前記半導体基板の裏面側の前記半導体層の上に、パターン化された前記電極層として、導電膜のパターンを形成する電極層形成工程を含む、
太陽電池の製造方法。
請求項１～３のいずれか１項に記載のパターン印刷方法を用いて、前記半導体基板の裏面側の前記半導体層の上に、パターン化された前記電極層として、導電膜のパターンを形成する電極層形成工程を含む、
太陽電池の製造方法。
【請求項5】
半導体基板の裏面側に、パターン化された半導体層および電極層が形成された裏面電極型の太陽電池の製造方法であって、
前記半導体基板の裏面側に、前記半導体層の材料膜または前記電極層の材料膜を形成する半導体層材料膜または電極層材料膜形成工程と、
請求項１～３のいずれか１項に記載のパターン印刷方法を用いて、前記半導体層の材料膜または前記電極層の材料膜の上に、レジストのパターンを形成するレジスト形成工程と、
前記レジストを用いたウエットエッチング法を用いて、前記半導体層の材料膜または前記電極層の材料膜の一部を除去することにより、パターン化された前記半導体層または前記電極層を形成する半導体層または電極層形成工程と、
を含む、太陽電池の製造方法。
前記半導体基板の裏面側に、前記半導体層の材料膜または前記電極層の材料膜を形成する半導体層材料膜または電極層材料膜形成工程と、
請求項１～３のいずれか１項に記載のパターン印刷方法を用いて、前記半導体層の材料膜または前記電極層の材料膜の上に、レジストのパターンを形成するレジスト形成工程と、
前記レジストを用いたウエットエッチング法を用いて、前記半導体層の材料膜または前記電極層の材料膜の一部を除去することにより、パターン化された前記半導体層または前記電極層を形成する半導体層または電極層形成工程と、
を含む、太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、パターン印刷方法および太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体基板の裏面側に、パターン化された半導体層および電極層が形成された裏面電極型（バックコンタクト型、裏面接合型ともいう。）の太陽電池が知られている。特許文献１および２には、パターン化された電極層を、スクリーン印刷法により形成する技術が記載されている。スクリーン印刷法とは、印刷版（乳剤）のパターン開孔部に充填された印刷材料を、スキージの移動により被印刷物に転写する方法である。印刷版（乳剤）のパターン開孔部には、格子状のワイヤによって網目（メッシュ）が形成される。
【0003】
また、半導体層または電極層のパターニング方法として、パターン化されたレジストを用いるウエットエッチング法もある。パターン化されたレジストも、スクリーン印刷法により形成されることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１４－５７０３１号公報
【特許文献2】国際公開第２０１１／１４９０６７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
スクリーン印刷では、印刷版（乳剤）の製造誤差、印刷材料のダレ、その他の様々な要因によって、実際の印刷パターンが設計パターン（例えば、印刷版（乳剤）の開孔パターンに相当）からずれることがある。この点に関し、一般には、これらの様々な要因によるずれの最大値の総和を考慮して、所望パターンに対して比較的に大きなマージンを考慮して、比較的に小さな設計パターンを作成する必要があった。その結果、実際の印刷パターンが所望パターンに対して小さく（例えば、線幅が細く）、太陽電池の特性低下が生じてしまうことがあった。
【0006】
本発明は、所望パターンに対するマージンを低減したパターン印刷方法および太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明に係るパターン印刷方法は、導電膜またはレジストのパターンの印刷方法であって、スクリーン印刷法を用いて、所望パターンに対してマージンを考慮したプレ設計パターンに基づいて、印刷材料をパターン印刷し、前記導電膜または前記レジストのプレパターンを形成するプレ印刷工程と、撮像装置を用いて、前記プレパターンを撮像する撮像工程と、撮像した前記プレパターンの画像と、前記プレ設計パターンと、前記所望パターンとに基づいて、前記所望パターンを得るための設計パターンであって、前記マージンを低減した前記設計パターンを作成する作成工程と、前記スクリーン印刷法を用いて、作成した前記設計パターンに基づいて、印刷材料をパターン印刷し、前記導電膜または前記レジストの本パターンを前記パターンとして形成する本印刷工程と、を備える。
【0008】
本発明に係る太陽電池の製造方法は、半導体基板の裏面側に、パターン化された半導体層および電極層が形成された裏面電極型の太陽電池の製造方法であって、上記のパターン印刷方法を用いて、前記半導体基板の裏面側の前記半導体層の上に、パターン化された前記電極層として、導電膜のパターンを形成する電極層形成工程を含む。
【0009】
本発明に係る別の太陽電池の製造方法は、半導体基板の裏面側に、パターン化された半導体層および電極層が形成された裏面電極型の太陽電池の製造方法であって、前記半導体基板の裏面側に、前記半導体層の材料膜または前記電極層の材料膜を形成する半導体層材料膜または電極層材料膜形成工程と、請求項１～３のいずれか１項に記載のパターン印刷方法を用いて、前記半導体層の材料膜または前記電極層の材料膜の上に、レジストのパターンを形成するレジスト形成工程と、前記レジストを用いたウエットエッチング法を用いて、前記半導体層の材料膜または前記電極層の材料膜の一部を除去することにより、パターン化された前記半導体層または前記電極層を形成する半導体層または電極層形成工程と、を含む。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、パターン印刷において、所望パターンに対するマージンを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】本実施形態に係る太陽電池を裏面側からみた図である。
【図3A】本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第１半導体層材料膜形成工程を示す図である。
【図3B】本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるレジスト形成工程を示す図である。
【図3C】本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第１半導体層形成工程を示す図である。
【図3D】本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるレジスト除去形成工程を示す図である。
【図3E】本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第２半導体層材料膜形成工程を示す図である。
【図3F】本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるレジスト形成工程を示す図である。
【図3G】本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第２半導体層形成工程を示す図である。
【図3H】本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるレジスト除去形成工程を示す図である。
【図3I】本実施形態に係る太陽電池の製造方法における透明電極層材料膜形成工程を示す図である。
【図3J】本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるレジスト形成工程を示す図である。
【図3K】本実施形態に係る太陽電池の製造方法における透明電極層形成工程を示す図である。
【図3L】本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるレジスト除去形成工程を示す図である。
【図3M】本実施形態に係る太陽電池の製造方法における金属電極層形成工程を示す図である。
【図4A】本実施形態に係る導電膜のパターン印刷方法におけるプレ印刷工程および撮像工程であって、上述した金属電極層形成工程における金属電極層のパターン印刷方法を示す図である。
【図4B】本実施形態に係る導電膜のパターン印刷方法における作成工程および本印刷工程であって、上述した金属電極層形成工程における金属電極層のパターン印刷方法を示す図である。
【図5A】本実施形態に係るレジストのパターン印刷方法におけるプレ印刷工程および撮像工程であって、上述した第１半導体層形成工程のレジスト形成工程におけるレジストのパターン印刷方法を示す図である。
【図5B】本実施形態に係るレジストのパターン印刷方法における作成工程および本印刷工程であって、上述した第１半導体層形成工程のレジスト形成工程におけるレジストのパターン印刷方法を示す図である。
【図6A】本実施形態に係るレジストのパターン印刷方法におけるプレ印刷工程および撮像工程であって、上述した第２半導体層形成工程のレジスト形成工程におけるレジストのパターン印刷方法を示す図である。
【図6B】本実施形態に係るレジストのパターン印刷方法における作成工程および本印刷工程であって、上述した第２半導体層形成工程のレジスト形成工程におけるレジストのパターン印刷方法を示す図である。
【図7A】本実施形態に係るレジストのパターン印刷方法におけるプレ印刷工程および撮像工程であって、上述した透明電極層形成工程のレジスト形成工程におけるレジストのパターン印刷方法を示す図である。
【図7B】本実施形態に係るレジストのパターン印刷方法における作成工程および本印刷工程であって、上述した透明電極層形成工程のレジスト形成工程におけるレジストのパターン印刷方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、添付の図面を参照して本発明の実施形態の一例について説明する。なお、各図面において同一または相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。また、便宜上、ハッチングや部材符号等を省略する場合もあるが、かかる場合、他の図面を参照するものとする。
【0013】
図１は、本実施形態に係る太陽電池を裏面側からみた図である。図１に示す太陽電池１は、裏面電極型（バックコンタクト型、裏面接合型ともいう。）の太陽電池である。太陽電池１は、２つの主面を備える半導体基板１１を備え、半導体基板１１の主面において第１領域７と第２領域８とを有する。
【0014】
第１領域７は、いわゆる櫛型の形状をなし、櫛歯に相当する複数のフィンガー部７ｆと、櫛歯の支持部に相当するバスバー部７ｂとを有する。バスバー部７ｂは、半導体基板１１の一方の辺部に沿って第１方向（Ｘ方向）に延在し、フィンガー部７ｆは、バスバー部７ｂから、第１方向に交差する第２方向（Ｙ方向）に延在する。
【0015】
同様に、第２領域８は、いわゆる櫛型の形状であり、櫛歯に相当する複数のフィンガー部８ｆと、櫛歯の支持部に相当するバスバー部８ｂとを有する。バスバー部８ｂは、半導体基板１１の一方の辺部に対向する他方の辺部に沿って第１方向（Ｘ方向）に延在し、フィンガー部８ｆは、バスバー部８ｂから、第２方向（Ｙ方向）に延在する。
【0016】
フィンガー部７ｆとフィンガー部８ｆとは、第２方向（Ｙ方向）に延在する帯状をなしており、第１方向（Ｘ方向）に交互に設けられている。なお、第１領域７および第２領域８は、ストライプ状に形成されてもよい。
【0017】
図２は、図１の太陽電池におけるII-II線断面図である。図２に示すように、太陽電池１は、半導体基板１１の主面のうちの受光する側の主面（一方主面）である受光面側に積層された光学調整層１５を備える。また、太陽電池１は、半導体基板１１の主面のうちの受光面の反対側の主面（他方主面）である裏面側の一部（主に、第１領域７）に順に積層された第１導電型半導体層２５および第１電極層２７を備える。また、太陽電池１は、半導体基板１１の裏面側の他の一部（主に、第２領域８）に順に積層された第２導電型半導体層３５および第２電極層３７を備える。
【0018】
半導体基板１１は、単結晶シリコンまたは多結晶シリコン等の結晶シリコン材料で形成される。半導体基板１１は、例えば結晶シリコン材料にｎ型ドーパントがドープされたｎ型の半導体基板である。なお、半導体基板１１は、例えば結晶シリコン材料にｐ型ドーパントがドープされたｐ型の半導体基板であってもよい。ｎ型ドーパントとしては、例えばリン（Ｐ）が挙げられる。ｐ型ドーパントとしては、例えばホウ素（Ｂ）が挙げられる。半導体基板１１は、受光面側からの入射光を吸収して光キャリア（電子および正孔）を生成する光電変換基板として機能する。
【0019】
光学調整層１５は、半導体基板１１の受光面側に形成されている。光学調整層１５は、入射光の反射を防止する反射防止層として機能するとともに、半導体基板１１の受光面側を保護する保護層として機能する。光学調整層１５は、例えば酸化珪素（ＳｉＯ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、または酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）のようなそれらの複合物等の絶縁体材料で形成される。
【0020】
第１導電型半導体層２５は、半導体基板１１の裏面側の第１領域７に形成されている。第１導電型半導体層２５は、例えばアモルファスシリコン材料で形成される。第１導電型半導体層２５は、例えばアモルファスシリコン材料にｐ型ドーパント（例えば、上述したホウ素（Ｂ））がドープされたｐ型の半導体層である。
【0021】
第２導電型半導体層３５は、半導体基板１１の裏面側の第２領域８に形成されている。第２導電型半導体層３５は、例えばアモルファスシリコン材料で形成される。第２導電型半導体層３５は、例えばアモルファスシリコン材料にｎ型ドーパント（例えば、上述したリン（Ｐ））がドープされたｎ型の半導体層である。
なお、第１導電型半導体層２５がｎ型の半導体層であり、第２導電型半導体層３５がｐ型の半導体層であってもよい。
なお、第１導電型半導体層２５がｎ型の半導体層であり、第２導電型半導体層３５がｐ型の半導体層であってもよい。
【0022】
第１導電型半導体層２５と、第２導電型半導体層３５とは、第２方向（Ｙ方向）に延在する帯状をなしており、第１方向（Ｘ方向）に交互に並んでいる。第２導電型半導体層３５の一部は、隣接する第１導電型半導体層２５の一部の上に重なっていてもよい（図示省略）。
【0023】
半導体基板１１と光学調整層１５との間には、パッシベーション層が形成されていてもよい。また、半導体基板１１と第１導電型半導体層２５との間、および、半導体基板１１と第２導電型半導体層３５との間には、パッシベーション層が形成されていてもよい。パッシベーション層は、例えば真性（ｉ型）アモルファスシリコン材料で形成される。パッシベーション層は、半導体基板１１で生成されたキャリアの再結合を抑制し、キャリアの回収効率を高める。
【0024】
第１電極層２７は、第１導電型半導体層２５に対応して、具体的には半導体基板１１の裏面側の第１領域７における第１導電型半導体層２５の上に形成されている。第２電極層３７は、第２導電型半導体層３５に対応して、具体的には半導体基板１１の裏面側の第２領域８における第２導電型半導体層３５の上に形成されている。第１電極層２７は、第１導電型半導体層２５上に順に積層された第１透明電極層２８と第１金属電極層２９とを有する。第２電極層３７は、第２導電型半導体層３５上に順に積層された第２透明電極層３８と第２金属電極層３９とを有する。
【0025】
第１透明電極層２８および第２透明電極層３８は、透明な導電性材料で形成される。透明導電性材料としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウムおよび酸化スズの複合酸化物）等が挙げられる。
【0026】
第１金属電極層２９および第２金属電極層３９は、銀等の金属粉末を含有する導電性ペースト材料で形成される。
【0027】
第１電極層２７および第２電極層３７、すなわち第１透明電極層２８，第２透明電極層３８，第１金属電極層２９および第２金属電極層３９は、第２方向（Ｙ方向）に延在する帯状をなしており、第１方向（Ｘ方向）に交互に並んでいる。第１透明電極層２８と第２透明電極層３８とは互いに分離されており、第１金属電極層２９と第２金属電極層３９とも互いに分離されている。
【0028】
（太陽電池の製造方法）
次に、図３Ａ～図３Ｍを参照して、本実施形態に係る太陽電池の製造方法について説明する。図３Ａは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第１半導体層材料膜形成工程を示す図であり、図３Ｂは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるレジスト形成工程を示す図であり、図３Ｃは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第１半導体層形成工程を示す図であり、図３Ｄは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるレジスト除去形成工程を示す図である。図３Ｅは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第２半導体層材料膜形成工程を示す図であり、図３Ｆは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるレジスト形成工程を示す図であり、図３Ｇは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第２半導体層形成工程を示す図であり、図３Ｈは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるレジスト除去形成工程を示す図である。図３Ｉは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における透明電極層材料膜形成工程を示す図であり、図３Ｊは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるレジスト形成工程を示す図であり、図３Ｋは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における透明電極層形成工程を示す図であり、図３Ｌは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるレジスト除去形成工程を示す図である。図３Ｍは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における金属電極層形成工程を示す図である。図３Ａ～図３Ｍでは、半導体基板１１の裏面側を示し、半導体基板１１の表面側を省略する。
次に、図３Ａ～図３Ｍを参照して、本実施形態に係る太陽電池の製造方法について説明する。図３Ａは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第１半導体層材料膜形成工程を示す図であり、図３Ｂは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるレジスト形成工程を示す図であり、図３Ｃは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第１半導体層形成工程を示す図であり、図３Ｄは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるレジスト除去形成工程を示す図である。図３Ｅは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第２半導体層材料膜形成工程を示す図であり、図３Ｆは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるレジスト形成工程を示す図であり、図３Ｇは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第２半導体層形成工程を示す図であり、図３Ｈは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるレジスト除去形成工程を示す図である。図３Ｉは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における透明電極層材料膜形成工程を示す図であり、図３Ｊは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるレジスト形成工程を示す図であり、図３Ｋは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における透明電極層形成工程を示す図であり、図３Ｌは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法におけるレジスト除去形成工程を示す図である。図３Ｍは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における金属電極層形成工程を示す図である。図３Ａ～図３Ｍでは、半導体基板１１の裏面側を示し、半導体基板１１の表面側を省略する。
【0029】
まず、図３Ａに示すように、例えばＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、半導体基板１１の裏面側の全面に、第１導電型半導体層材料膜２５Ｚを積層（製膜）する（第１半導体層材料膜形成工程）。
【0030】
次に、図３Ｂ～図３Ｄに示すように、半導体基板１１の裏面側において、第２領域８における第１導電型半導体層材料膜２５Ｚを除去することにより、第１領域７に、パターン化された第１導電型半導体層２５を形成する。
【0031】
具体的には、図３Ｂに示すように、半導体基板１１の裏面側において、第１領域７における第１導電型半導体層材料膜２５Ｚ上に、スクリーン印刷法を用いて、パターン化されたレジスト９０を形成する（レジスト形成工程）。レジストの材料としては、例えば感光性または非感光性の有機レジスト材料、ガラス、アルミナ、シリカ、タルクなどを含む無機レジスト材料等が挙げられる。第１半導体層形成工程のレジスト形成工程におけるレジスト９０のパターン印刷方法の詳細は後述する。
【0032】
その後、図３Ｃに示すように、レジスト９０を利用したウエットエッチング法を用いて、第２領域８における第１導電型半導体層材料膜２５Ｚ（すなわち、第１導電型半導体層材料膜２５Ｚの一部）を除去することにより、第１領域７に、パターン化された第１導電型半導体層２５を形成する（第１半導体層形成工程）。ｐ型半導体膜に対するエッチング溶液としては、例えばオゾンをフッ酸に溶解させた混合液、またはフッ酸と硝酸との混合液等の酸性溶液が挙げられ、ｎ型半導体膜に対するエッチング溶液としては、例えば水酸化カリウム水溶液等のアルカリ性溶液が挙げられる。
その後、図３Ｄに示すように、レジスト９０を剥離する。レジスト９０の剥離溶液としては、例えばアセトンのような有機溶剤または、水酸化カリウム水溶液のようなアルカリ性溶液が挙げられる。
その後、図３Ｄに示すように、レジスト９０を剥離する。レジスト９０の剥離溶液としては、例えばアセトンのような有機溶剤または、水酸化カリウム水溶液のようなアルカリ性溶液が挙げられる。
【0033】
或いは、上述した材料膜製膜と、レジストおよびウエットエッチングによるパターニングとに代えて、ＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、半導体基板１１の裏面側に第１導電型半導体層を積層する際に、マスクを用いて、第１導電型半導体層２５の製膜およびパターニングを同時に行ってもよい。
【0034】
次に、図３Ｅに示すように、例えばＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、半導体基板１１の裏面側の全面に、第２導電型半導体層材料膜３５Ｚを積層（製膜）する（第２半導体層材料膜形成工程）。
【0035】
次に、図３Ｆ～図３Ｈに示すように、半導体基板１１の裏面側において、第１領域７における第２導電型半導体層材料膜３５Ｚを除去することにより、第２領域８に、パターン化された第２導電型半導体層３５を形成する。
【0036】
具体的には、図３Ｆに示すように、半導体基板１１の裏面側において、第２領域７８における第２導電型半導体層材料膜３５Ｚ上に、スクリーン印刷法を用いて、パターン化されたレジスト９０を形成する（レジスト形成工程）。第２半導体層形成工程のレジスト形成工程におけるレジスト９０のパターン印刷方法の詳細は後述する。
【0037】
その後、図３Ｇに示すように、レジスト９０を利用したウエットエッチング法を用いて、第１領域７における第２導電型半導体層材料膜３５Ｚ（すなわち、第２導電型半導体層材料膜３５Ｚの一部）を除去することにより、第２領域８に、パターン化された第２導電型半導体層３５を形成する（第２半導体層形成工程）。
その後、図３Ｈに示すように、レジスト９０を剥離する。
その後、図３Ｈに示すように、レジスト９０を剥離する。
【0038】
或いは、上述した材料膜製膜と、レジストおよびウエットエッチングによるパターニングとに代えて、ＣＶＤ法またはＰＶＤ法を用いて、半導体基板１１の裏面側に第２導電型半導体層を積層する際に、マスクを用いて、第２導電型半導体層３５の製膜およびパターニングを同時に行ってもよい。
【0039】
なお、上述した第１半導体層材料膜形成工程または第２半導体層材料膜形成工程において、半導体基板１１の受光面側の全面に、光学調整層１５を形成してもよい（図示省略）。
【0040】
次に、図３Ｉに示すように、第１導電型半導体層２５および第２導電型半導体層３５上にこれらに跨って透明電極層材料膜２８Ｚを形成する（透明電極層材料膜形成工程）。透明電極層材料膜２８Ｚの形成方法としては、例えばＣＶＤ法またはＰＶＤ法等が用いられる。
【0041】
次に、図３Ｊ～図３Ｌに示すように、半導体基板１１の裏面側において、第１領域７と第２領域８との境界における透明電極層材料膜２８Ｚを除去することにより、第１領域７にパターン化された第１透明電極層２８を形成し、第２領域８にパターン化された第２透明電極層３８を形成する。
【0042】
具体的には、図３Ｊに示すように、半導体基板１１の裏面側において、第１領域７における透明電極層材料膜２８Ｚ上、および第２領域８における透明電極層材料膜２８Ｚ上に、スクリーン印刷法を用いて、パターン化されたレジスト９０を形成する（レジスト形成工程）。透明電極層形成工程のレジスト形成工程におけるレジスト９０のパターン印刷方法の詳細は後述する。
【0043】
その後、図３Ｋに示すように、レジスト９０を利用したウエットエッチング法を用いて、第１領域７と第２領域８との境界における透明電極層材料膜２８Ｚ（すなわち、透明電極層材料膜２８Ｚの一部）を除去することにより、第１領域７にパターン化された第１透明電極層２８を形成し、第２領域８にパターン化された第２透明電極層３８を形成する（透明電極層形成工程）。透明電極層材料膜に対するエッチング溶液としては、塩酸（ＨＣｌ）等の酸性溶液が挙げられる。
その後、図３Ｌに示すように、レジスト９０を剥離する。
その後、図３Ｌに示すように、レジスト９０を剥離する。
【0044】
次に、図３Ｍに示すように、半導体基板１１の裏面側において、第１導電型半導体層２５および第１透明電極層２８上に、スクリーン印刷法を用いて、パターン化された第１金属電極層２９を形成する（金属電極層形成工程）。また、半導体基板１１の裏面側において、第２導電型半導体層３５および第２透明電極層３８上に、スクリーン印刷法を用いて、パターン化された第２金属電極層３９を形成する（金属電極層形成工程）。金属電極層の印刷材料は、絶縁性の樹脂材料中に、粒子状（例えば、球状）の金属材料を含む導電性ペーストである。印刷材料は、粘度または塗工性の調整のために、溶媒等を含んでもよい。金属材料としては、銀、銅、アルミニウム等が挙げられる。これらの中でも、銀粒子を含む銀ペーストが好ましい。金属電極層形成工程における金属電極層２９，３９のパターン印刷方法の詳細は後述する。
以上の工程により、本実施形態の裏面電極型の太陽電池１が完成する。
以上の工程により、本実施形態の裏面電極型の太陽電池１が完成する。
【0045】
（導電膜のパターン印刷方法）
次に、本実施形態に係る導電膜のパターン印刷方法であって、上述した金属電極層形成工程における金属電極層２９，３９のパターン印刷方法について、図４Ａおよび図４Ｂを参照して説明する。
次に、本実施形態に係る導電膜のパターン印刷方法であって、上述した金属電極層形成工程における金属電極層２９，３９のパターン印刷方法について、図４Ａおよび図４Ｂを参照して説明する。
【0046】
上述したように、金属電極層形成工程では、半導体基板１１の裏面側の第１導電型半導体層２５および第１透明電極層２８上に、スクリーン印刷法を用いて印刷材料（例えばＡｇペースト）をパターン印刷し、第１金属電極層２９を形成する。また、金属電極層形成工程では、半導体基板１１の裏面側の第２導電型半導体層３５および第２透明電極層３８上に、スクリーン印刷法を用いて印刷材料（例えばＡｇペースト）をパターン印刷し、第２金属電極層３９を形成する。
【0047】
ここで、スクリーン印刷では、印刷版（乳剤）の製造誤差、印刷材料のダレ、その他の様々な要因によって、実際の印刷パターンが設計パターンからずれることがある。この点に関し、一般には、これらの様々な要因によるずれの最大値の総和を考慮して、所望パターンに対して比較的に大きなマージンを考慮して、比較的に小さな設計パターンを作成する必要があった。その結果、実際の印刷パターンが所望パターンに対して小さく（例えば、線幅が細く）、太陽電池の特性低下が生じてしまうことがあった。
【0048】
この点に関し、本実施形態では、所望パターンに対するマージンを低減したパターン印刷方法を提供する。
まず、図４Ａに示すように、スクリーン印刷法を用いて、プレ設計パターンＰ２２，Ｐ３２に基づいて印刷材料（金属ペースト、例えばＡｇペースト）をパターン印刷し、導電膜のプレパターンを形成する（プレ印刷工程）。
まず、図４Ａに示すように、スクリーン印刷法を用いて、プレ設計パターンＰ２２，Ｐ３２に基づいて印刷材料（金属ペースト、例えばＡｇペースト）をパターン印刷し、導電膜のプレパターンを形成する（プレ印刷工程）。
【0049】
具体的には、金属電極層形成工程では、半導体基板１１の裏面側の第１導電型半導体層２５および第１透明電極層２８上に、スクリーン印刷法を用いて、プレ設計パターンＰ２２（細破線）に基づいて印刷材料（例えばＡｇペースト）をパターン印刷し、導電膜のプレパターンＰ２９（太実線）を形成する。また、金属電極層形成工程では、半導体基板１１の裏面側の第２導電型半導体層３５および第２透明電極層３８上に、スクリーン印刷法を用いて、プレ設計パターンＰ３２（細破線）に基づいて印刷材料（例えばＡｇペースト）をパターン印刷し、導電膜のプレパターンＰ３９（太実線）を形成する。なお、図４Ａには、第１導電型半導体層２５と第２導電型半導体層３５との境界が細実線で示されている。
【0050】
プレ設計パターンＰ２２（細破線）は、上述したように、印刷版（乳剤）の製造誤差、印刷材料のダレ、その他の様々な要因によるずれであって、プレ設計パターンＰ２２に対する実際の印刷パターンのずれの最大値の総和を考慮したマージンであって、所望パターンＰ２１（細一点鎖線）に対して比較的に大きなマージンを考慮した設計パターンである。また、プレ設計パターンＰ３２（細破線）は、上述したように、印刷版（乳剤）の製造誤差、印刷材料のダレ、その他の様々な要因によるずれであって、プレ設計パターンＰ３２に対する実際の印刷パターンのずれの最大値の総和を考慮したマージンであって、所望パターンＰ３１（細一点鎖線）に対して比較的に大きなマージンを考慮した設計パターンである。
例えば、このプレ設計パターンＰ２２，Ｐ３２に基づいて、印刷版（乳剤）が作成される。
例えば、このプレ設計パターンＰ２２，Ｐ３２に基づいて、印刷版（乳剤）が作成される。
【0051】
図４Ａに示すように、所望パターンに対して比較的に大きなマージンを考慮した設計パターンでは、実際の印刷プレパターンＰ２９が所望パターンＰ２１に対して小さく（例えば、線幅が細く）なってしまうことがあり、また、実際の印刷プレパターンＰ３９が所望パターンＰ３１に対して小さく（例えば、線幅が細く）なってしまうことがある。
【0052】
次に、カメラ等の撮像装置を用いて、印刷した導電膜のプレパターンＰ２９，Ｐ３９を撮像する（撮像工程）。
次に、図４Ｂに示すように、撮像した導電膜のプレパターンＰ２９，Ｐ３９の画像と、プレ設計パターンＰ２２，Ｐ３２と、所望パターンＰ２１，Ｐ３１とに基づいて、所望パターンＰ２１，Ｐ３１を得るための設計パターンＰ２３，Ｐ３３であって、所望パターンＰ２１，Ｐ３１に対するマージンを低減した設計パターンＰ２３，Ｐ３３（細破線）を作成する（作成工程）。設計パターンＰ２３，Ｐ３３の作成では、ＣＡＤ等が用いられる。
この設計パターンＰ２３，Ｐ３３に基づいて、印刷版（乳剤）が作成される。なお、印刷版（乳剤）の作成中、別ロットの製造が行われてもよい。
次に、図４Ｂに示すように、撮像した導電膜のプレパターンＰ２９，Ｐ３９の画像と、プレ設計パターンＰ２２，Ｐ３２と、所望パターンＰ２１，Ｐ３１とに基づいて、所望パターンＰ２１，Ｐ３１を得るための設計パターンＰ２３，Ｐ３３であって、所望パターンＰ２１，Ｐ３１に対するマージンを低減した設計パターンＰ２３，Ｐ３３（細破線）を作成する（作成工程）。設計パターンＰ２３，Ｐ３３の作成では、ＣＡＤ等が用いられる。
この設計パターンＰ２３，Ｐ３３に基づいて、印刷版（乳剤）が作成される。なお、印刷版（乳剤）の作成中、別ロットの製造が行われてもよい。
【0053】
次に、図４Ｂに示すように、スクリーン印刷法を用いて、設計パターンＰ２３，Ｐ３３に基づいて印刷材料（例えばＡｇペースト）をパターン印刷し、導電膜の本パターンを形成する（本印刷工程）。
【0054】
具体的には、金属電極層形成工程では、半導体基板１１の裏面側の第１導電型半導体層２５および第１透明電極層２８上に、スクリーン印刷法を用いて、設計パターンＰ２３（細破線）に基づいて印刷材料（例えばＡｇペースト）をパターン印刷し、第１金属電極層２９の本パターン（太実線）を形成する。また、金属電極層形成工程では、半導体基板１１の裏面側の第２導電型半導体層３５および第２透明電極層３８上に、スクリーン印刷法を用いて、設計パターンＰ３３（細破線）に基づいて印刷材料（例えばＡｇペースト）をパターン印刷し、第２金属電極層３９の本パターン（太実線）を形成する。
【0055】
このとき、プレパターンＰ２９，Ｐ３９の上に本パターンを印刷してもよいし、プレパターンＰ２９，Ｐ３９を除去した後に本パターンを印刷してもよい。
【0056】
以上説明したように、本実施形態のパターン印刷方法によれば、パターン印刷において、所望パターンに対するマージンを低減することができる。その結果、第１金属電極層２９の実際の印刷パターンが所望パターンＰ２１に対して小さく（例えば、線幅が細く）なることを低減でき、また、第２金属電極層３９の実際の印刷パターンが所望パターンＰ３１に対して小さく（例えば、線幅が細く）なることを低減でき、太陽電池の特性低下を抑制することができる。
【0057】
（レジストのパターン印刷方法）
次に、本実施形態に係るレジストのパターン印刷方法であって、上述した第１半導体層形成工程のレジスト形成工程におけるレジストのパターン印刷方法について、図５Ａおよび図５Ｂを参照して説明する。
次に、本実施形態に係るレジストのパターン印刷方法であって、上述した第１半導体層形成工程のレジスト形成工程におけるレジストのパターン印刷方法について、図５Ａおよび図５Ｂを参照して説明する。
【0058】
上述したように、第１半導体層形成工程のレジスト形成工程では、半導体基板１１の裏面側の第１領域７における第１導電型半導体層材料膜２５Ｚ上に、スクリーン印刷法を用いて、印刷材料（例えば有機ペースト）をパターン印刷し、レジスト９０を形成する。
【0059】
ここで、スクリーン印刷では、印刷版（乳剤）の製造誤差、印刷材料のダレ、その他の様々な要因によって、実際の印刷パターンが設計パターンからずれることがある。この点に関し、一般には、これらの様々な要因によるずれの最大値の総和を考慮して、所望パターンに対して比較的に大きなマージンを考慮して、比較的に小さな設計パターンを作成する必要があった。その結果、実際の印刷パターンが所望パターンに対して小さく（例えば、線幅が細く）、太陽電池の特性低下が生じてしまうことがあった。
【0060】
この点に関し、本実施形態では、所望パターンに対するマージンを低減したパターン印刷方法を提供する。
まず、図５Ａに示すように、スクリーン印刷法を用いて、プレ設計パターンＰ２２に基づいて印刷材料（例えば有機ペースト）をパターン印刷し、レジストのプレパターンを形成する（プレ印刷工程）。
まず、図５Ａに示すように、スクリーン印刷法を用いて、プレ設計パターンＰ２２に基づいて印刷材料（例えば有機ペースト）をパターン印刷し、レジストのプレパターンを形成する（プレ印刷工程）。
【0061】
具体的には、第１半導体層形成工程のレジスト形成工程では、半導体基板１１の裏面側の第１領域７における第１導電型半導体層材料膜２５Ｚ上に、スクリーン印刷法を用いて、プレ設計パターンＰ２２（細破線）に基づいて印刷材料（例えば有機ペースト）をパターン印刷し、レジストのプレパターンＰ９０（太実線）を形成する。なお、図５Ａでは、第１領域７と第２領域８との境界が所望パターンＰ２１（細一点鎖線）の外形線である。
【0062】
プレ設計パターンＰ２２（細破線）は、上述したように、印刷版（乳剤）の製造誤差、印刷材料のダレ、その他の様々な要因によるずれであって、プレ設計パターンＰ２２に対する実際の印刷パターンのずれの最大値の総和を考慮したマージンであって、所望パターンＰ２１（細一点鎖線）に対して比較的に大きなマージンを考慮した設計パターンである。
例えば、このプレ設計パターンＰ２２に基づいて、印刷版（乳剤）が作成される。
例えば、このプレ設計パターンＰ２２に基づいて、印刷版（乳剤）が作成される。
【0063】
図５Ａに示すように、所望パターンに対して比較的に大きなマージンを考慮した設計パターンでは、実際の印刷プレパターンＰ９０が所望パターンＰ２１に対して小さく（例えば、線幅が細く）なってしまうことがある。
【0064】
次に、カメラ等の撮像装置を用いて、印刷したレジストのプレパターンＰ９０を撮像する（撮像工程）。
次に、図５Ｂに示すように、撮像したレジストのプレパターンＰ９０の画像と、プレ設計パターンＰ２２と、所望パターンＰ２１とに基づいて、所望パターンＰ２１を得るための設計パターンＰ２３であって、所望パターンＰ２１に対するマージンを低減した設計パターンＰ２３（細破線）を作成する（作成工程）。設計パターンＰ２３の作成には、ＣＡＤ等が用いられる。
この設計パターンＰ２３に基づいて、印刷版（乳剤）が作成される。なお、印刷版（乳剤）の作成中、別ロットの製造が行われてもよい。
次に、図５Ｂに示すように、撮像したレジストのプレパターンＰ９０の画像と、プレ設計パターンＰ２２と、所望パターンＰ２１とに基づいて、所望パターンＰ２１を得るための設計パターンＰ２３であって、所望パターンＰ２１に対するマージンを低減した設計パターンＰ２３（細破線）を作成する（作成工程）。設計パターンＰ２３の作成には、ＣＡＤ等が用いられる。
この設計パターンＰ２３に基づいて、印刷版（乳剤）が作成される。なお、印刷版（乳剤）の作成中、別ロットの製造が行われてもよい。
【0065】
次に、図５Ｂに示すように、スクリーン印刷法を用いて、設計パターンＰ２３に基づいて印刷材料（例えば有機ペースト）をパターン印刷し、レジストの本パターンを形成する（本印刷工程）。
【0066】
具体的には、第１半導体層形成工程のレジスト形成工程では、半導体基板１１の裏面側の第１領域７における第１導電型半導体層材料膜２５Ｚ上に、スクリーン印刷法を用いて、設計パターンＰ２３（細破線）に基づいて印刷材料（有機ペースト）をパターン印刷し、レジスト９０の本パターン（太実線）を形成する。
【0067】
このとき、プレパターンＰ９０の上に本パターンを印刷してもよいし、プレパターンＰ９０を除去した後に本パターンを印刷してもよい。
【0068】
以上説明したように、本実施形態のパターン印刷方法によれば、パターン印刷において、所望パターンに対するマージンを低減することができる。その結果、レジスト９０の実際の印刷パターンが所望パターンＰ２１に対して小さく（例えば、線幅が細く）なることを低減でき、太陽電池の特性低下を抑制することができる。
【0069】
（レジストのパターン印刷方法）
次に、本実施形態に係るレジストのパターン印刷方法であって、上述した第２半導体層形成工程におけるレジストのパターン印刷方法について、図６Ａおよび図６Ｂを参照して説明する。
次に、本実施形態に係るレジストのパターン印刷方法であって、上述した第２半導体層形成工程におけるレジストのパターン印刷方法について、図６Ａおよび図６Ｂを参照して説明する。
【0070】
上述したように、第２半導体層形成工程のレジスト形成工程では、半導体基板１１の裏面側の第２領域８における第２導電型半導体層材料膜３５Ｚ上に、スクリーン印刷法を用いて、印刷材料（例えば有機ペースト）をパターン印刷し、レジスト９０を形成する。
【0071】
ここで、スクリーン印刷では、印刷版（乳剤）の製造誤差、印刷材料のダレ、その他の様々な要因によって、実際の印刷パターンが設計パターンからずれることがある。この点に関し、一般には、これらの様々な要因によるずれの最大値の総和を考慮して、所望パターンに対して比較的に大きなマージンを考慮して、比較的に小さな設計パターンを作成する必要があった。その結果、実際の印刷パターンが所望パターンに対して小さく（例えば、線幅が細く）、太陽電池の特性低下が生じてしまうことがあった。
【0072】
この点に関し、本実施形態では、所望パターンに対するマージンを低減したパターン印刷方法を提供する。
まず、図６Ａに示すように、スクリーン印刷法を用いて、プレ設計パターンＰ２２に基づいて印刷材料（例えば有機ペースト）をパターン印刷し、レジストのプレパターンを形成する（プレ印刷工程）。
まず、図６Ａに示すように、スクリーン印刷法を用いて、プレ設計パターンＰ２２に基づいて印刷材料（例えば有機ペースト）をパターン印刷し、レジストのプレパターンを形成する（プレ印刷工程）。
【0073】
具体的には、第２半導体層形成工程のレジスト形成工程では、半導体基板１１の裏面側の第２領域８における第２導電型半導体層材料膜３５Ｚ上に、スクリーン印刷法を用いて、プレ設計パターンＰ２２（細破線）に基づいて印刷材料（例えば有機ペースト）をパターン印刷し、レジストのプレパターンＰ９０（太実線）を形成する。なお、図６Ａでは、第１領域７と第２領域８との境界が所望パターンＰ２１（細一点鎖線）の外形線である。
【0074】
プレ設計パターンＰ２２（細破線）は、上述したように、印刷版（乳剤）の製造誤差、印刷材料のダレ、その他の様々な要因によるずれであって、プレ設計パターンＰ２２に対する実際の印刷パターンのずれの最大値の総和を考慮したマージンであって、所望パターンＰ２１（細一点鎖線）に対して比較的に大きなマージンを考慮した設計パターンである。
例えば、このプレ設計パターンＰ２２に基づいて、印刷版（乳剤）が作成される。
例えば、このプレ設計パターンＰ２２に基づいて、印刷版（乳剤）が作成される。
【0075】
図６Ａに示すように、所望パターンに対して比較的に大きなマージンを考慮した設計パターンでは、実際の印刷プレパターンＰ９０が所望パターンＰ２１に対して小さく（例えば、線幅が細く）なってしまうことがある。
【0076】
次に、カメラ等の撮像装置を用いて、印刷したレジストのプレパターンＰ９０を撮像する（撮像工程）。
次に、図６Ｂに示すように、撮像したレジストのプレパターンＰ９０の画像と、プレ設計パターンＰ２２と、所望パターンＰ２１とに基づいて、所望パターンＰ２１を得るための設計パターンＰ２３であって、所望パターンＰ２１に対するマージンを低減した設計パターンＰ２３（細破線）を作成する（作成工程）。設計パターンＰ２３の作成には、ＣＡＤ等が用いられる。
この設計パターンＰ２３に基づいて、印刷版（乳剤）が作成される。なお、印刷版（乳剤）の作成中、別ロットの製造が行われてもよい。
次に、図６Ｂに示すように、撮像したレジストのプレパターンＰ９０の画像と、プレ設計パターンＰ２２と、所望パターンＰ２１とに基づいて、所望パターンＰ２１を得るための設計パターンＰ２３であって、所望パターンＰ２１に対するマージンを低減した設計パターンＰ２３（細破線）を作成する（作成工程）。設計パターンＰ２３の作成には、ＣＡＤ等が用いられる。
この設計パターンＰ２３に基づいて、印刷版（乳剤）が作成される。なお、印刷版（乳剤）の作成中、別ロットの製造が行われてもよい。
【0077】
次に、図６Ｂに示すように、スクリーン印刷法を用いて、設計パターンＰ２３に基づいて印刷材料（例えば有機ペースト）をパターン印刷し、レジストの本パターンを形成する（本印刷工程）。
【0078】
具体的には、第２半導体層形成工程のレジスト形成工程では、半導体基板１１の裏面側の第２領域８における第２導電型半導体層材料膜３５Ｚ上に、スクリーン印刷法を用いて、設計パターンＰ２３（細破線）に基づいて印刷材料（有機ペースト）をパターン印刷し、レジスト９０の本パターン（太実線）を形成する。
【0079】
このとき、プレパターンＰ９０の上に本パターンを印刷してもよいし、プレパターンＰ９０を除去した後に本パターンを印刷してもよい。
【0080】
以上説明したように、本実施形態のパターン印刷方法によれば、パターン印刷において、所望パターンに対するマージンを低減することができる。その結果、レジスト９０の実際の印刷パターンが所望パターンＰ２１に対して小さく（例えば、線幅が細く）なることを低減でき、太陽電池の特性低下を抑制することができる。
【0081】
（レジストのパターン印刷方法）
次に、本実施形態に係るレジストのパターン印刷方法であって、上述した透明電極層形成工程のレジスト形成工程におけるレジストのパターン印刷方法について、図７Ａおよび図７Ｂを参照して説明する。
次に、本実施形態に係るレジストのパターン印刷方法であって、上述した透明電極層形成工程のレジスト形成工程におけるレジストのパターン印刷方法について、図７Ａおよび図７Ｂを参照して説明する。
【0082】
上述したように、透明電極層形成工程のレジスト形成工程では、半導体基板１１の裏面側の第１領域７における透明電極層材料膜２８Ｚ上、および第２領域８における透明電極層材料膜２８Ｚ上に、スクリーン印刷法を用いて、印刷材料（例えば有機ペースト）をパターン印刷し、レジスト９０を形成する。
【0083】
ここで、スクリーン印刷では、印刷版（乳剤）の製造誤差、印刷材料のダレ、その他の様々な要因によって、実際の印刷パターンが設計パターンからずれることがある。この点に関し、一般には、これらの様々な要因によるずれの最大値の総和を考慮して、所望パターンに対して比較的に大きなマージンを考慮して、比較的に小さな設計パターンを作成する必要があった。その結果、実際の印刷パターンが所望パターンに対して小さく（例えば、線幅が細く）、太陽電池の特性低下が生じてしまうことがあった。
【0084】
この点に関し、本実施形態では、所望パターンに対するマージンを低減したパターン印刷方法を提供する。
まず、図７Ａに示すように、スクリーン印刷法を用いて、プレ設計パターンＰ２２，Ｐ３２に基づいて印刷材料（例えば有機ペースト）をパターン印刷し、レジストのプレパターンを形成する（プレ印刷工程）。
まず、図７Ａに示すように、スクリーン印刷法を用いて、プレ設計パターンＰ２２，Ｐ３２に基づいて印刷材料（例えば有機ペースト）をパターン印刷し、レジストのプレパターンを形成する（プレ印刷工程）。
【0085】
具体的には、透明電極層形成工程のレジスト形成工程では、半導体基板１１の裏面側の第１領域７における透明電極層材料膜２８Ｚ上、および第２領域８における透明電極層材料膜２８Ｚ上に、スクリーン印刷法を用いて、プレ設計パターンＰ２２（細破線）に基づいて印刷材料（例えば有機ペースト）をパターン印刷し、レジストのプレパターンＰ９０（太実線）を形成する。なお、図７Ａには、第１領域７と第２領域８との境界が細実線で示されている。
【0086】
プレ設計パターンＰ２２（細破線）は、上述したように、印刷版（乳剤）の製造誤差、印刷材料のダレ、その他の様々な要因によるずれであって、プレ設計パターンＰ２２に対する実際の印刷パターンのずれの最大値の総和を考慮したマージンであって、所望パターンＰ２１（細一点鎖線）に対して比較的に大きなマージンを考慮した設計パターンである。また、プレ設計パターンＰ３２（細破線）は、上述したように、印刷版（乳剤）の製造誤差、印刷材料のダレ、その他の様々な要因によるずれであって、プレ設計パターンＰ３２に対する実際の印刷パターンのずれの最大値の総和を考慮したマージンであって、所望パターンＰ３１（細一点鎖線）に対して比較的に大きなマージンを考慮した設計パターンである。
例えば、このプレ設計パターンＰ２２，Ｐ２３に基づいて、印刷版（乳剤）が作成される。
例えば、このプレ設計パターンＰ２２，Ｐ２３に基づいて、印刷版（乳剤）が作成される。
【0087】
図７Ａに示すように、所望パターンに対して比較的に大きなマージンを考慮した設計パターンでは、実際の印刷プレパターンＰ９０が所望パターンＰ２１，Ｐ３１に対して小さく（例えば、線幅が細く）なってしまうことがある。
【0088】
次に、カメラ等の撮像装置を用いて、印刷したレジストのプレパターンＰ９０を撮像する（撮像工程）。
次に、図７Ｂに示すように、撮像したレジストのプレパターンＰ９０の画像と、プレ設計パターンＰ２２，Ｐ３２と、所望パターンＰ２１，Ｐ３１とに基づいて、所望パターンＰ２１，Ｐ３１を得るための設計パターンＰ２３，Ｐ３３であって、所望パターンＰ２１，Ｐ３１に対するマージンを低減した設計パターンＰ２３，Ｐ３３（細破線）を作成する（作成工程）。設計パターンＰ２３，Ｐ３３の作成には、ＣＡＤ等が用いられる。
この設計パターンＰ２３，Ｐ３３に基づいて、印刷版（乳剤）が作成される。なお、印刷版（乳剤）の作成中、別ロットの製造が行われてもよい。
次に、図７Ｂに示すように、撮像したレジストのプレパターンＰ９０の画像と、プレ設計パターンＰ２２，Ｐ３２と、所望パターンＰ２１，Ｐ３１とに基づいて、所望パターンＰ２１，Ｐ３１を得るための設計パターンＰ２３，Ｐ３３であって、所望パターンＰ２１，Ｐ３１に対するマージンを低減した設計パターンＰ２３，Ｐ３３（細破線）を作成する（作成工程）。設計パターンＰ２３，Ｐ３３の作成には、ＣＡＤ等が用いられる。
この設計パターンＰ２３，Ｐ３３に基づいて、印刷版（乳剤）が作成される。なお、印刷版（乳剤）の作成中、別ロットの製造が行われてもよい。
【0089】
次に、図７Ｂに示すように、スクリーン印刷法を用いて、設計パターンＰ２３，Ｐ３３に基づいて印刷材料（例えば有機ペースト）をパターン印刷し、レジストの本パターンを形成する（本印刷工程）。
【0090】
具体的には、透明電極層形成工程のレジスト形成工程では、半導体基板１１の裏面側の第１領域７における透明電極層材料膜２８Ｚ上に、スクリーン印刷法を用いて、設計パターンＰ２３，Ｐ３３（細破線）に基づいて印刷材料（有機ペースト）をパターン印刷し、レジスト９０の本パターン（太実線）を形成する。
【0091】
このとき、プレパターンＰ９０の上に本パターンを印刷してもよいし、プレパターンＰ９０を除去した後に本パターンを印刷してもよい。
【0092】
以上説明したように、本実施形態のパターン印刷方法によれば、パターン印刷において、所望パターンに対するマージンを低減することができる。その結果、レジスト９０の実際の印刷パターンが所望パターンＰ２１，Ｐ３１に対して小さく（例えば、線幅が細く）なることを低減でき、太陽電池の特性低下を抑制することができる。
【0093】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されることなく、種々の変更および変形が可能である。
【符号の説明】
【0094】
１ 太陽電池
７ 第１領域
７ｂ，８ｂ バスバー部
７ｆ，８ｆ フィンガー部
８ 第２領域
１１ 半導体基板
１５ 光学調整層
２５ 第１導電型半導体層
２５Ｚ 第１導電型半導体層材料膜
２７ 第１電極層
２８ 第１透明電極層（電極層）
２８Ｚ 透明電極層材料膜
２９ 第１金属電極層（電極層）
３５ 第２導電型半導体層
３５Ｚ 第２導電型半導体層材料膜
３７ 第２電極層
３８ 第２透明電極層（電極層）
３９ 第２金属電極層（電極層）
９０ レジスト
Ｐ２１，Ｐ３１ 所望パターン
Ｐ２２，Ｐ３２ プレ設計パターン
Ｐ２３，Ｐ３３ 設計パターン
Ｐ２９，Ｐ３９，Ｐ９０ プレパターン
７ 第１領域
７ｂ，８ｂ バスバー部
７ｆ，８ｆ フィンガー部
８ 第２領域
１１ 半導体基板
１５ 光学調整層
２５ 第１導電型半導体層
２５Ｚ 第１導電型半導体層材料膜
２７ 第１電極層
２８ 第１透明電極層（電極層）
２８Ｚ 透明電極層材料膜
２９ 第１金属電極層（電極層）
３５ 第２導電型半導体層
３５Ｚ 第２導電型半導体層材料膜
３７ 第２電極層
３８ 第２透明電極層（電極層）
３９ 第２金属電極層（電極層）
９０ レジスト
Ｐ２１，Ｐ３１ 所望パターン
Ｐ２２，Ｐ３２ プレ設計パターン
Ｐ２３，Ｐ３３ 設計パターン
Ｐ２９，Ｐ３９，Ｐ９０ プレパターン
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図3E】
【図3F】
【図3G】
【図3H】
【図3I】
【図3J】
【図3K】
【図3L】
【図3M】
【図4A】
【図4B】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図7A】
【図7B】