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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023143451
(43)【公開日】2023-10-06
(54)【発明の名称】荷重センサ素子
(51)【国際特許分類】
G01L 1/26 20060101AFI20230928BHJP
G01L 1/22 20060101ALI20230928BHJP
【ＦＩ】
G01L1/26 D
G01L1/22 M
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022050836
(22)【出願日】2022-03-25
(71)【出願人】
【識別番号】000105350
【氏名又は名称】ＫＯＡ株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】000102692
【氏名又は名称】ＮＴＮ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002468
【氏名又は名称】弁理士法人後藤特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】唐澤 淳
(72)【発明者】
【氏名】青木 菜摘
(72)【発明者】
【氏名】津野 将弥
(72)【発明者】
【氏名】近藤 大地
【テーマコード（参考）】
2F049
【Ｆターム（参考）】
2F049AA12
2F049CA07
(57)【要約】
【課題】温度補償精度の向上を可能とすることを目的とする。
【解決手段】荷重センサ素子１０は、基板１２と、荷重を受ける受圧面１３を有し、基板１２の一方の面である表面１４の一部を被覆するように設けられる無機層１６とを備える。荷重センサ素子１０は、無機層１６が受ける荷重に応じて抵抗値が変化する抵抗体で構成された薄膜抵抗体２０を備える。薄膜抵抗体２０は、基板１２と無機層１６との間に挟まれる本体部３２と、無機層１６によって被覆されていない基板１２の露出部２８に載置される両端部である一端部３４及び他端部３６とを有する。荷重センサ素子１０は、薄膜抵抗体２０から独立するとともに基板１２の一方の面である表面１４の露出部２８に配置された第１の温度補償抵抗体２２を備える。荷重センサ素子１０は、基板１２の他方の面である裏面に配置され、第１の温度補償抵抗体２２と同じ挙動を示す第２の温度補償抵抗体を備える。
【選択図】図１
【解決手段】荷重センサ素子１０は、基板１２と、荷重を受ける受圧面１３を有し、基板１２の一方の面である表面１４の一部を被覆するように設けられる無機層１６とを備える。荷重センサ素子１０は、無機層１６が受ける荷重に応じて抵抗値が変化する抵抗体で構成された薄膜抵抗体２０を備える。薄膜抵抗体２０は、基板１２と無機層１６との間に挟まれる本体部３２と、無機層１６によって被覆されていない基板１２の露出部２８に載置される両端部である一端部３４及び他端部３６とを有する。荷重センサ素子１０は、薄膜抵抗体２０から独立するとともに基板１２の一方の面である表面１４の露出部２８に配置された第１の温度補償抵抗体２２を備える。荷重センサ素子１０は、基板１２の他方の面である裏面に配置され、第１の温度補償抵抗体２２と同じ挙動を示す第２の温度補償抵抗体を備える。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
面圧荷重を測定する荷重センサ素子であって、
基板と、
荷重を受ける受圧面を有し、前記基板の一方の面の一部を被覆するように設けられる無機層と、
前記無機層が受ける荷重に応じて抵抗値が変化する抵抗体であって、前記基板と前記無機層との間に挟まれる本体部と、前記無機層によって被覆されていない前記基板の露出部に配置される両端部と、を有する薄膜抵抗体と、
前記薄膜抵抗体から独立するとともに前記基板の一方の面の前記露出部に配置された第１の温度補償抵抗体と、
前記基板の他方の面に配置され、前記第１の温度補償抵抗体と同じ挙動を示す第２の温度補償抵抗体と、
を備える荷重センサ素子。
基板と、
荷重を受ける受圧面を有し、前記基板の一方の面の一部を被覆するように設けられる無機層と、
前記無機層が受ける荷重に応じて抵抗値が変化する抵抗体であって、前記基板と前記無機層との間に挟まれる本体部と、前記無機層によって被覆されていない前記基板の露出部に配置される両端部と、を有する薄膜抵抗体と、
前記薄膜抵抗体から独立するとともに前記基板の一方の面の前記露出部に配置された第１の温度補償抵抗体と、
前記基板の他方の面に配置され、前記第１の温度補償抵抗体と同じ挙動を示す第２の温度補償抵抗体と、
を備える荷重センサ素子。
【請求項2】
請求項１に記載の荷重センサ素子であって、
前記同じ挙動を示す構成は、前記第１の温度補償抵抗体及び前記第２の温度補償抵抗体の抵抗温度係数を同等とする第一構成と、前記第１の温度補償抵抗体及び前記第２の温度補償抵抗体における同じ変形に対する抵抗値の変化量の絶対値を同等とする第二構成との少なくとも一方を含む、
荷重センサ素子。
前記同じ挙動を示す構成は、前記第１の温度補償抵抗体及び前記第２の温度補償抵抗体の抵抗温度係数を同等とする第一構成と、前記第１の温度補償抵抗体及び前記第２の温度補償抵抗体における同じ変形に対する抵抗値の変化量の絶対値を同等とする第二構成との少なくとも一方を含む、
荷重センサ素子。
【請求項3】
請求項１又は請求項２に記載の荷重センサ素子であって、
前記第１の温度補償抵抗体及び前記第２の温度補償抵抗体は、同形状であるとともに、前記基板の厚み方向で重なる位置に配置されている、
荷重センサ素子。
前記第１の温度補償抵抗体及び前記第２の温度補償抵抗体は、同形状であるとともに、前記基板の厚み方向で重なる位置に配置されている、
荷重センサ素子。
【請求項4】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の荷重センサ素子であって、
前記基板は、前記無機層が当該基板の厚み方向で重なる受圧領域と前記第１の温度補償抵抗体との間、又は前記受圧領域と前記第２の温度補償抵抗体との間のうちの少なくとも一方に変形抑制部を有する、
荷重センサ素子。
前記基板は、前記無機層が当該基板の厚み方向で重なる受圧領域と前記第１の温度補償抵抗体との間、又は前記受圧領域と前記第２の温度補償抵抗体との間のうちの少なくとも一方に変形抑制部を有する、
荷重センサ素子。
【請求項5】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の荷重センサ素子であって、
前記薄膜抵抗体の一端部と電気的に接続され、前記基板の一方の側に設けられる第１の電極と、
前記薄膜抵抗体の他端部と電気的に接続され、前記基板の一方の側に設けられる第２の電極と、
前記第１の温度補償抵抗体の一端部と電気的に接続され、前記基板の一方の側に設けられた第３の電極と、
前記第１の温度補償抵抗体の他端部と電気的に接続され、前記基板の一方の側に設けられた第４の電極と、
前記第２の温度補償抵抗体の一端部と電気的に接続され、前記基板の一方の側に設けられた第５の電極と、
前記第２の温度補償抵抗体の他端部と電気的に接続され、前記基板の一方の側に設けられた第６の電極とを備え、
前記第１の温度補償抵抗体は、前記第３の電極が設けられた一端部から前記第４の電極が設けられた他端部までの領域が前記第３の電極及び前記第４の電極よりも前記薄膜抵抗体から離れた箇所に配置され、
前記第２の温度補償抵抗体は、前記第５の電極が設けられた一端部から前記第６の電極が設けられた他端部までの領域が前記第５の電極及び前記第６の電極よりも前記薄膜抵抗体から離れた箇所に配置される、
荷重センサ素子。
前記薄膜抵抗体の一端部と電気的に接続され、前記基板の一方の側に設けられる第１の電極と、
前記薄膜抵抗体の他端部と電気的に接続され、前記基板の一方の側に設けられる第２の電極と、
前記第１の温度補償抵抗体の一端部と電気的に接続され、前記基板の一方の側に設けられた第３の電極と、
前記第１の温度補償抵抗体の他端部と電気的に接続され、前記基板の一方の側に設けられた第４の電極と、
前記第２の温度補償抵抗体の一端部と電気的に接続され、前記基板の一方の側に設けられた第５の電極と、
前記第２の温度補償抵抗体の他端部と電気的に接続され、前記基板の一方の側に設けられた第６の電極とを備え、
前記第１の温度補償抵抗体は、前記第３の電極が設けられた一端部から前記第４の電極が設けられた他端部までの領域が前記第３の電極及び前記第４の電極よりも前記薄膜抵抗体から離れた箇所に配置され、
前記第２の温度補償抵抗体は、前記第５の電極が設けられた一端部から前記第６の電極が設けられた他端部までの領域が前記第５の電極及び前記第６の電極よりも前記薄膜抵抗体から離れた箇所に配置される、
荷重センサ素子。
【請求項6】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の荷重センサ素子であって、
前記第１の温度補償抵抗体又は前記第２の温度補償抵抗体のうちの少なくとも一方は、抵抗値を調整するための調整部を有する、
荷重センサ素子。
前記第１の温度補償抵抗体又は前記第２の温度補償抵抗体のうちの少なくとも一方は、抵抗値を調整するための調整部を有する、
荷重センサ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、荷重センサ素子に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、圧力センサが開示されている。
【0003】
この圧力センサは、樹脂製の上ケースおよび上ケースに組み込まれて圧力センサが構成される。圧力センサ素子は、その基板の円形の部分の周縁部を固定部分とし、この固定部分内側の円形の部分を受圧部とする。圧力センサ素子の受圧部に感歪抵抗体が設けられている。また、圧力センサは、圧力センサ素子の非歪部に調整用抵抗体が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開平０７－１６７７２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
このような圧力センサにあっては、下ケースの凹部と連通させて取り付けたパイプまたは素子の部分と対応させて上ケースに設けた凹部と連通させて取り付けたパイプがあり、これらのパイプの一方を通じて測定しようとする圧力が素子の円形の部分に印加される。すなわち、荷重を受けた際に圧力センサ素子が全体的に変形する。このため、調整用抵抗体を用いて温度補償をしようとしても、調整用抵抗体の出力が圧力センサ素子の変形による影響を受けてしまう。
【0006】
これにより、温度補正の精度の低下を招いていた。
【0007】
そこで、本発明は、温度補償精度の向上を可能とすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明のある態様の荷重センサ素子は、面圧荷重を測定する荷重センサ素子であって、基板と、荷重を受ける受圧面を有し、前記基板の一方の面の一部を被覆するように設けられる無機層とを備える。荷重センサ素子は、前記無機層が受ける荷重に応じて抵抗値が変化する抵抗体であって、前記基板と前記無機層との間に挟まれる本体部と、前記無機層によって被覆されていない前記基板の露出部に配置される両端部と、を有する薄膜抵抗体を備える。荷重センサ素子は、前記薄膜抵抗体から独立するとともに前記基板の一方の面の前記露出部に配置された第１の温度補償抵抗体と、前記基板の他方の面に配置され、前記第１の温度補償抵抗体と同じ挙動を示す第２の温度補償抵抗体とを備える。
【発明の効果】
【0009】
本態様によれば、基板の一方の面に設けられた第１の温度補償抵抗体と、基板の他方の面に設けられた第２の温度補償抵抗体とは、無機層が受ける荷重によって基板が変形した際に、互いに逆極性の抵抗値変化を生ずる。具体的に説明すると、一例として、第１の温度補償抵抗体の抵抗値が高くなると、第２の温度補償抵抗体の抵抗値が低くなる。
【0010】
このため、第１の温度補償抵抗体が示す抵抗値と、第２の温度補償抵抗体が示す抵抗値とを利用することで、基板の変形により生じた抵抗値の変化をキャンセルすることができる。これにより、環境温度に依存する抵抗値の変化成分を取得することが可能となる。
【0011】
したがって、面圧荷重を測定する荷重センサ素子において、基板の変形に起因した抵抗値の変化への影響を抑止することで、温度補償精度の向上が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、添付図面を参照しながら発明を実施するための形態について説明する。
【0014】
【0015】
図１は、第一実施形態に係る荷重センサ素子１０を基板１２の表面１４側から見た斜視図である。図２は、第一実施形態に係る荷重センサ素子１０を裏面２４側から見た斜視図である。図３は、第一実施形態に係る荷重センサ素子１０を示す図であり、各リードを外した荷重センサ素子１０を表面１４側から見た状態を示す平面図である。図４は、第一実施形態に係る荷重センサ素子１０を示す図であり、各リードを外した荷重センサ素子１０を裏面２４側から見た状態を示す平面図である。
【0016】
本実施形態に係る荷重センサ素子１０は、面圧荷重を測定するセンサ素子である。荷重センサ素子１０は、一例として、工作機械に設けられ、工作機械の加工軸方向の荷重を検出して予圧管理を行う際に用いられる。
【0017】
図１に示すように、荷重センサ素子１０は、セラミック材料又は表面に絶縁層を有する金属材料からなる基板１２と、基板１２の一方の面である表面１４の一部を被覆するように設けられて荷重を受ける受圧面１３を有する無機層１６とを備える。
【0018】
図１及び図２に示すように、荷重センサ素子１０は、基板１２の表面１４に設けられた薄膜抵抗体２０と第１の温度補償抵抗体２２とを備える。荷重センサ素子１０は、基板１２の他方の面である裏面２４に設けられた第２の温度補償抵抗体２６を備える。
【0019】
（無機層）
図１に示すように、無機層１６は、表面が受圧面１３を構成する。受圧面１３は、荷重によりその表面全体がほぼ均一に押圧される。無機層１６は、平面視において矩形状（正方形を含む）をなす。無機層１６は、無機材料で構成される。無機層１６は、例えば絶縁性を有するセラミック基板からなる。無機層１６の材料は、基板１２と同様にジルコニア（ＺｒＯ２）又はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）をセラミック材料の主成分として用いることが好ましい。
図１に示すように、無機層１６は、表面が受圧面１３を構成する。受圧面１３は、荷重によりその表面全体がほぼ均一に押圧される。無機層１６は、平面視において矩形状（正方形を含む）をなす。無機層１６は、無機材料で構成される。無機層１６は、例えば絶縁性を有するセラミック基板からなる。無機層１６の材料は、基板１２と同様にジルコニア（ＺｒＯ２）又はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）をセラミック材料の主成分として用いることが好ましい。
【0020】
無機層１６は、基板１２よりも面積が狭い。無機層１６は、基板１２の表面１４の一部を覆う。無機層１６は、基板１２に設けられた薄膜抵抗体２０の一部を覆い、薄膜抵抗体２０の両端部（一端部３４及び他端部３６）は覆わない。
【0021】
無機層１６は、樹脂材料からなる接着層（図示せず）によって基板１２に固定される。接着層は、一例として、エポキシ樹脂を主成分とする。
【0022】
（基板）
基板１２は、平面視において矩形状をなし、基板１２は、長方形の板状に形成されている。基板１２は、例えば絶縁性を有するセラミック材料からなる。基板１２の圧縮強度を向上させる観点から、ジルコニア（ＺｒＯ２）又はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）をセラミック材料の主成分として用いることが好ましい。なお、基板１２は、表面１４に絶縁層を有する金属材料で構成してもよい。
基板１２は、平面視において矩形状をなし、基板１２は、長方形の板状に形成されている。基板１２は、例えば絶縁性を有するセラミック材料からなる。基板１２の圧縮強度を向上させる観点から、ジルコニア（ＺｒＯ２）又はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）をセラミック材料の主成分として用いることが好ましい。なお、基板１２は、表面１４に絶縁層を有する金属材料で構成してもよい。
【0023】
図３に示すように、基板１２の表面１４は、無機層１６で被覆される被覆部２７と、無機層１６で被覆されていない露出部２８とを有する。被覆部２７は、無機層１６から荷重が加えられる受圧領域３０を構成する。
【0024】
（薄膜抵抗体）
薄膜抵抗体２０は、無機層１６が受ける荷重に応じて抵抗値が変化する抵抗体である。薄膜抵抗体２０は、基板１２と無機層１６との間に挟まれる本体部３２と、無機層１６によって被覆されていない基板１２の露出部２８に配置される一端部３４及び他端部３６とを有する。
薄膜抵抗体２０は、無機層１６が受ける荷重に応じて抵抗値が変化する抵抗体である。薄膜抵抗体２０は、基板１２と無機層１６との間に挟まれる本体部３２と、無機層１６によって被覆されていない基板１２の露出部２８に配置される一端部３４及び他端部３６とを有する。
【0025】
この薄膜抵抗体２０は、例えばニクロム（ＮｉＣｒ）系材料又はクロム（Ｃｒ）系材料からなる。これにより、抵抗温度係数（ＴＣＲ：Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）が小さくなるので、荷重センサ素子１０は、５０℃以上の高温環境でも荷重を精度よく検出することができる。
【0026】
また、薄膜抵抗体２０は、蒸着、スパッタリング等の真空処理により基板１２の表面１４に形成される抵抗層である。スパッタリングによる形成方法では、特性や膜厚が均一な膜が得られ易い。このため、蒸着、スパッタリング等の真空処理により均一の抵抗層が形成されるので、荷重センサ素子１０は、荷重を精度よく検出することができる。
【0027】
薄膜抵抗体２０は、基板１２の一側縁４０に沿って直線状に延在する第一薄膜延在部４２を有する。第一薄膜延在部４２は、基板１２の一方側４４から他方側４６へ延在する。薄膜抵抗体２０は、基板１２の他側縁４８に沿って直線状に延在する第二薄膜延在部５０を有する。第二薄膜延在部５０は、基板１２の一方側４４から他方側４６へ延在する。
【0028】
薄膜抵抗体２０は、第一薄膜延在部４２及び第二薄膜延在部５０を連設する薄膜連設部５２を有する。薄膜連設部５２は、基板１２の他方側４６に配置されるとともに、基板１２の他端縁５４に沿って直線状に延在する。
【0029】
第一薄膜延在部４２と第二薄膜延在部５０と薄膜連設部５２とは、略同じ幅寸法に設定されている。
【0030】
第一薄膜延在部４２の一方側４４には、基板１２の一端縁５６へ向かうに従って幅寸法が広がる第一拡幅部５８が連設されている。第一拡幅部５８には、矩形状の第一矩形部６０が連設されている。
【0031】
第二薄膜延在部５０の一方側４４には、基板１２の一端縁５６へ向かうに従って幅寸法が広がる第二拡幅部６２が連設されている。第二拡幅部６２には、矩形状の第二矩形部６４が連設されている。これにより、薄膜抵抗体２０は、Ｕ字型形状に形成されている。
【0032】
この薄膜抵抗体２０は、薄膜連設部５２と、第一薄膜延在部４２の一部と、第二薄膜延在部５０の一部とが、無機層１６で被覆された本体部３２を構成する。
【0033】
なお、本実施形態では、本体部３２をＵ字型形状に形成する場合について説明したが、本実施形態は、この形状に限定されるものではない。例えば、本体部３２は、折り返しを繰り返す蛇行形状としてもよい。
【0034】
薄膜抵抗体２０は、第一薄膜延在部４２の一部と、第一拡幅部５８と、第一矩形部６０とが、無機層１６によって被覆されていない一端部３４を構成する。また、薄膜抵抗体２０は、第二薄膜延在部５０の一部と、第二拡幅部６２と、第二矩形部６４とが、無機層１６によって被覆されていない他端部３６を構成する。
【0035】
薄膜抵抗体２０の第一矩形部６０には、矩形状の第１の電極７０が設けられている。第１の電極７０は、第一矩形部６０に電気的に接続されているとともに、基板１２の一方側４４に配置される。
【0036】
また、薄膜抵抗体２０の第二矩形部６４には、矩形状の第２の電極７２が設けられている。第２の電極７２は、第二矩形部６４に電気的に接続されるとともに、基板１２の一方側４４に配置される。第１の電極７０及び第２の電極７２は、それぞれ薄膜抵抗体２０の第一矩形部６０と薄膜抵抗体２０の第二矩形部６４の上にスパッタや蒸着等の方法により積層する。第１の電極７０及び第２の電極７２は、それぞれ薄膜抵抗体２０の第一矩形部６０と薄膜抵抗体２０の第二矩形部６４よりも小さな寸法になるように形成する。
【0037】
（第１の温度補償抵抗体）
第１の温度補償抵抗体２２は、薄膜抵抗体２０から独立するとともに、基板１２の一方の面である表面１４の露出部２８に配置される。第１の温度補償抵抗体２２は、薄膜抵抗体２０の一端部３４と他端部３６との間に配置される。第１の温度補償抵抗体２２は、薄膜抵抗体２０が為すＵ字型の内側に配置される。
第１の温度補償抵抗体２２は、薄膜抵抗体２０から独立するとともに、基板１２の一方の面である表面１４の露出部２８に配置される。第１の温度補償抵抗体２２は、薄膜抵抗体２０の一端部３４と他端部３６との間に配置される。第１の温度補償抵抗体２２は、薄膜抵抗体２０が為すＵ字型の内側に配置される。
【0038】
第１の温度補償抵抗体２２は、薄膜抵抗体２０と同じ材料で形成される。また、第１の温度補償抵抗体２２は、薄膜抵抗体２０と同じ方法によって基板１２に形成される。
【0039】
第１の温度補償抵抗体２２は、基板１２の露出部２８内において一方側４４から他方側４６へ直線状に延在する第一表補償延在部８０と第二表補償延在部８２とを有する。第一表補償延在部８０と第二表補償延在部８２とは、互いに離間して配置される。
【0040】
第一表補償延在部８０は、第二表補償延在部８２よりも薄膜抵抗体２０の一端部３４に近い位置に配置される。第二表補償延在部８２は、第一表補償延在部８０よりも薄膜抵抗体２０の他端部３６に近い位置に配置される。
【0041】
第１の温度補償抵抗体２２は、第一表補償延在部８０の他方側４６と第二表補償延在部８２の他方側４６とを連設する表補償連設部８４を有する。表補償連設部８４は、被覆部２７と露出部２８との境界線９０に沿って直線状に延在する。これにより、第１の温度補償抵抗体２２は、Ｕ字型形状に形成されている。
【0042】
第一表補償延在部８０の一方側４４の端部には、矩形状の第三矩形部９２が連設されている。第二表補償延在部８２の一方側４４の端部には、矩形状の第四矩形部９４が連設されている。
【0043】
第１の温度補償抵抗体２２の第三矩形部９２には、矩形状の第３の電極９６が設けられている。第３の電極９６は、第三矩形部９２に電気的に接続されているとともに、基板１２の一方側４４に配置される。
【0044】
また、第１の温度補償抵抗体２２の第四矩形部９４には、矩形状の第４の電極９８が設けられている。第４の電極９８は、第四矩形部９４に電気的に接続されるとともに、基板１２の一方側４４に配置される。
【0045】
第一表補償延在部８０と第二表補償延在部８２と表補償連設部８４とは、略同じ幅寸法に設定されている。
【0046】
第１の温度補償抵抗体２２の第一表補償延在部８０から第二表補償延在部８２までの領域における幅寸法は、薄膜抵抗体２０の第一薄膜延在部４２から第二薄膜延在部５０までの領域における幅寸法よりも狭く設定されている。これにより、第１の温度補償抵抗体２２と薄膜抵抗体２０とが、略同じ抵抗値になるように設定されている。
【0047】
（第２の温度補償抵抗体）
第２の温度補償抵抗体２６は、基板１２の他方の面である裏面２４に配置されている。第２の温度補償抵抗体２６は、第１の温度補償抵抗体２２と同じ挙動を示す。
第２の温度補償抵抗体２６は、基板１２の他方の面である裏面２４に配置されている。第２の温度補償抵抗体２６は、第１の温度補償抵抗体２２と同じ挙動を示す。
【0048】
同じ挙動を示す構成は、第１の温度補償抵抗体２２及び第２の温度補償抵抗体２６の抵抗温度係数を同等とする第一構成と、第１の温度補償抵抗体２２及び第２の温度補償抵抗体２６における同じ変形に対する抵抗値の変化量の絶対値を同等とする第二構成との少なくとも一方を含む。
【0049】
本実施形態では、第１の温度補償抵抗体２２と第２の温度補償抵抗体２６との抵抗温度係数を同等とし、かつ同じ荷重によって変形した場合の第１の温度補償抵抗体２２の抵抗値変化と第２の温度補償抵抗体２６の抵抗値変化との絶対値を同等（正負は反対）として同じ挙動を示すように構成する。
【0050】
なお、抵抗温度係数とは、温度の変化とともに抵抗値が変化するときの変化の割合をいう。
【0051】
ここで、同じ荷重によって変形する第１の温度補償抵抗体２２の抵抗値の変化と第２の温度補償抵抗体２６の抵抗値の変化とは、抵抗値の増減方向（極性）が異なる。両温度補償抵抗体２２、２６の抵抗値の増減方向（極性）が異なる理由について説明する。
【0052】
荷重によって受圧面１３が押圧されると、無機層１６及び荷重センサ素子１０を取り付けた搭載先（例えば台座）によって挟まれた基板１２は、荷重方向に曲がるような変形が生ずる。このような変形を生じた場合、基板１２の一方の面では引張方向の変形が生じ、その反対の面では圧縮方向の変形が生ずる。
【0053】
このとき、一方の面とその反対の面における変形量は略同じである。このため、基板１２の表面１４に形成された、同じ挙動を示す第１の温度補償抵抗体２２と、基板１２の裏面２４に形成された第２の温度補償抵抗体２６とでは、抵抗値の変化が絶対値として略同じで、かつ抵抗値の増減方向（極性）が異なることとなる。
【0054】
また、抵抗温度係数を同等にすることによるメリットについて説明する。
【0055】
各温度補償抵抗体２２、２６は、抵抗温度係数が略同じである。そのため、各温度補償抵抗体２２、２６を、ブリッジ回路の一辺に（並列または直列に）配置することによって、基板１２の変形による各温度補償抵抗体２２、２６の抵抗値変化量を相殺することができる。これにより、温度変化による抵抗値変化量を、複雑な回路処理等を行うことなく、容易に取得することができる。
【0056】
抵抗温度係数が略同じとは、第１の温度補償抵抗体２２の抵抗温度係数と第２の温度補償抵抗体２６の抵抗温度係数との差が、予め定められた第一範囲内であることを示す。
【0057】
第一範囲は、一例として、１００ｐｐｍ／Ｋである。
【0058】
抵抗値変化が同等とは、各温度補償抵抗体２２、２６に所定の同一荷重を加えた後において、すなわち受圧領域３０に荷重が印加されることに伴う基板１２の表面１４と裏面２４の変形後において、第１の温度補償抵抗体２２で生ずる抵抗値の変化と第２の温度補償抵抗体２６で生ずる抵抗値の変化との差が予め定められた第二範囲内であることを示す。
所定の同一荷重とは、一例として、１０ｋＮが挙げられる。また、第二範囲は、一例として、１００ｐｐｍである。
所定の同一荷重とは、一例として、１０ｋＮが挙げられる。また、第二範囲は、一例として、１００ｐｐｍである。
【0059】
このように、第１の温度補償抵抗体２２を基板１２の表面１４に設け、第１の温度補償抵抗体２２と同じ挙動を示す第２の温度補償抵抗体２６を裏面２４に設けることで、基板１２が変形した場合の抵抗値変化を逆極性とすることができる。
【0060】
第２の温度補償抵抗体２６は、薄膜抵抗体２０及び第１の温度補償抵抗体２２と同じ材料で形成される。また、第２の温度補償抵抗体２６は、薄膜抵抗体２０及び第１の温度補償抵抗体２２と同じ方法によって基板１２に形成される。
【0061】
第２の温度補償抵抗体２６は、第１の温度補償抵抗体２２が配置された位置の裏側に配置されている。また、第２の温度補償抵抗体２６は、第１の温度補償抵抗体２２と略同形状に形成されている。
【0062】
これにより、第２の温度補償抵抗体２６は、基板１２の厚み方向１００（図１及び図２参照）において、第１の温度補償抵抗体２２と重なる位置に配置されている。また、第２の温度補償抵抗体２６は、第１の温度補償抵抗体２２と略同じ抵抗値となるように設定されている。
【0063】
ここで、第２の温度補償抵抗体２６が第１の温度補償抵抗体２２と重なるとは、第２の温度補償抵抗体２６を基板１２の厚み方向１００で第１の温度補償抵抗体２２に重ねた状態において、外縁部の一部に、重ならない領域が生ずることを排除するものではない。
【0064】
重ならない領域は、一例として、第１の温度補償抵抗体２２の総面積の５０％以内、望ましくは２５％以内とする。重ならない領域は少ない方が基板１２の表面１４及び裏面２４が同じ状態になるため、第１の温度補償抵抗体２２と第２の温度補償抵抗体２６との挙動を同じにすることができるが、製造上の形成位置のバラツキは許容される。
【0065】
第２の温度補償抵抗体２６は、露出部２８の裏側の領域に配置されている。
【0066】
第２の温度補償抵抗体２６は、基板１２の厚み方向１００において、第１の温度補償抵抗体２２の第一表補償延在部８０と重なる位置に配置された第一裏補償延在部１１０と、第二表補償延在部８２と重なる位置に配置された第二裏補償延在部１１２とを有する。
【0067】
また、第２の温度補償抵抗体２６は、基板１２の厚み方向１００において、第１の温度補償抵抗体２２の表補償連設部８４と重なる位置に配置された裏補償連設部１１４と、第三矩形部９２と重なる位置に配置された第五矩形部１１６とを有する。
【0068】
さらに、第２の温度補償抵抗体２６は、基板１２の厚み方向１００において、第１の温度補償抵抗体２２の第四矩形部９４と重なる位置に配置された第六矩形部１１８を有する。
【0069】
第２の温度補償抵抗体２６の第五矩形部１１６には、矩形状の第５の電極１２０が設けられている。第５の電極１２０は、第五矩形部１１６に電気的に接続されているとともに、基板１２の一方側４４に配置される。
【0070】
また、第２の温度補償抵抗体２６の第六矩形部１１８には、矩形状の第６の電極１２２が設けられている。第６の電極１２２は、第六矩形部１１８に電気的に接続されるとともに、基板１２の一方側４４に配置される。
【0071】
これにより、各抵抗体２０、２２，２６は、端部に電気的に接続された各電極７０、７２、９６、９８、１２０、１２２を有する。
【0072】
そして、各電極７０、７２、９６、９８、１２０、１２２は、例えば銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）等の材料からなる。
【0073】
第一裏補償延在部１１０と第二裏補償延在部１１２と裏補償連設部１１４とは、略同じ幅寸法に設定されている。
【0074】
第２の温度補償抵抗体２６の第一裏補償延在部１１０から第二裏補償延在部１１２までの領域における幅寸法は、薄膜抵抗体２０の第一薄膜延在部４２から第二薄膜延在部５０までの領域における幅寸法よりも狭く設定されている。これにより、第２の温度補償抵抗体２６と薄膜抵抗体２０とが、略同じ抵抗値になるように設定されている。
【0075】
図１に示すように、基板１２の表面１４に設けられた第１の電極７０には、第一リード線１３０が接続される。第２の電極７２には、第二リード線１３２が接続される。第３の電極９６には、第三リード線１３４が接続される。第４の電極９８には、第四リード線１３６が接続される。
【0076】
図２に示すように、基板１２の裏面２４に設けられた第５の電極１２０には、第五リード線１３８が接続される。第６の電極１２２には、第六リード線１４０が接続される。
【0077】
各リード線１３０、１３２、１３４、１３６、１３８、１４０は、はんだ１４２によって対応する各電極７０、７２、９６、９８、１２０、１２２に電気的に接続されている。
【0078】
なお、各リード線１３０、１３２、１３４、１３６、１３８、１４０は、例えば銅（Ｃｕ）系合金、鉄（Ｆｅ）系合金等の材料からなる。各リード線１３０、１３２、１３４、１３６、１３８、１４０としては、例えば被覆を有さない導線（スズ（Ｓｎ）等をめっきしたもの）、導線が被覆で覆われた被覆線、又は導線が絶縁層で被覆されたエナメル線などで構成される。また、平板状のリードフレームからなる端子を用いても良い。
【0079】
（作用及び効果）
次に、第一実施形態による作用効果について説明する。
次に、第一実施形態による作用効果について説明する。
【0080】
本実施形態の荷重センサ素子１０は、面圧荷重を測定する荷重センサ素子１０である。荷重センサ素子１０は、基板１２と、荷重を受ける受圧面１３を有し、基板１２の一方の面である表面１４の一部を被覆するように設けられる無機層１６とを備える。荷重センサ素子１０は、無機層１６が受ける荷重に応じて抵抗値が変化する抵抗体で構成された薄膜抵抗体２０を備える。薄膜抵抗体２０は、基板１２と無機層１６との間に挟まれる本体部３２と、無機層１６によって被覆されていない基板１２の露出部２８に配置される両端部である一端部３４及び他端部３６とを有する。荷重センサ素子１０は、薄膜抵抗体２０から独立するとともに基板１２の一方の面である表面１４の露出部２８に配置された第１の温度補償抵抗体２２を備える。荷重センサ素子１０は、基板１２の他方の面である裏面２４に配置され、第１の温度補償抵抗体２２と同じ挙動を示す第２の温度補償抵抗体２６を備える。
【0081】
同じ挙動を示す構成とは、第１の温度補償抵抗体２２及び第２の温度補償抵抗体２６の抵抗温度係数を同等とする第一構成と、第１の温度補償抵抗体２２及び第２の温度補償抵抗体２６における同じ変形に対する抵抗値の変化量の絶対値を同等とする第二構成との少なくとも一方を含む。
【0082】
この構成において、基板１２の表面１４に設けられた第１の温度補償抵抗体２２と、基板１２の裏面２４に設けられた第２の温度補償抵抗体２６とは、無機層１６が受ける荷重によって基板１２が変形した際に、互いに逆極性の抵抗値変化を生ずる。
【0083】
具体的に説明すると、無機層１６が受ける荷重によって基板１２が変形した際に、一例として、第１の温度補償抵抗体２２の抵抗値が大きくなると、第２の温度補償抵抗体２６の抵抗値が小さくなる。
【0084】
このため、第１の温度補償抵抗体２２が示す抵抗値と、第２の温度補償抵抗体２６が示す抵抗値とを用いることで、基板１２の変形により生じた抵抗値の変化をキャンセルすることができる。これにより、環境温度に依存する抵抗値の変化成分を取得することが可能となる。
【0085】
したがって、面圧荷重を測定する荷重センサ素子１０において、基板１２の変形に起因した影響を抑止することで、温度補償精度の向上が可能となる。
【0086】
なお、第１の温度補償抵抗体２２と第２の温度補償抵抗体２６とを用いて基板１２の変形により生じた抵抗値の変化をキャンセルする方法としては、例えば第１の温度補償抵抗体２２及び第２の温度補償抵抗体２６を直列又は並列接続する方法が挙げられる。
【0087】
本実施形態の荷重センサ素子１０において、第１の温度補償抵抗体２２及び第２の温度補償抵抗体２６は、略同形状であるとともに、基板１２の厚み方向で重なる位置に配置されている。
【0088】
この構成において、無機層１６が受ける荷重によって基板１２が変形した際の第１の温度補償抵抗体２２が示す抵抗値と、第２の温度補償抵抗体２６が示す抵抗値とを、より近い値にすることができる。
【0089】
（第二実施形態）
第二実施形態に係る荷重センサ素子２００について、図５及び図６を用いて説明する。なお、本実施形態において、第一実施形態と同一又は同等部分に関しては、第一実施形態と同符号を付して説明を割愛し、第一実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
第二実施形態に係る荷重センサ素子２００について、図５及び図６を用いて説明する。なお、本実施形態において、第一実施形態と同一又は同等部分に関しては、第一実施形態と同符号を付して説明を割愛し、第一実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【0090】
【0091】
第二実施形態に係る荷重センサ素子２００は、第一実施形態と比較して、基板１２に穴２０２を有する点が異なる。また、第二実施形態に係る荷重センサ素子２００は、第一実施形態と比較して、第１の温度補償抵抗体２０４の配置及び第２の温度補償抵抗体２０６の配置が異なる。
【0092】
（第１の温度補償抵抗体）
第１の温度補償抵抗体２０４は、基板１２の露出部２８内において一方側４４から他方側４６へ直線状に延在する第一表補償延在部８０と第二表補償延在部８２とを有する。
第１の温度補償抵抗体２０４は、基板１２の露出部２８内において一方側４４から他方側４６へ直線状に延在する第一表補償延在部８０と第二表補償延在部８２とを有する。
【0093】
第１の温度補償抵抗体２０４は、第一表補償延在部８０の一方側４４と第二表補償延在部８２の一方側４４とを連設する表補償連設部８４を有する。第１の温度補償抵抗体２０４の表補償連設部８４は、基板１２の一端縁５６に沿って直線状に延在する。
【0094】
第一表補償延在部８０の他方側４６の端部には、矩形状の第三矩形部９２が連設されている。第二表補償延在部８２の他方側４６の端部には、矩形状の第四矩形部９４が連設されている。
【0095】
第１の温度補償抵抗体２０４の第三矩形部９２には、第３の電極９６が設けられている。第１の温度補償抵抗体２０４の第四矩形部９４には、第４の電極９８が設けられている。
【0096】
第１の温度補償抵抗体２０４の第一表補償延在部８０の一方側４４と第二表補償延在部８２の一方側４４とは、表補償連設部８４で連設される。表補償連設部８４は、基板１２の一端縁５６に沿って直線状に延在する。これにより、表補償連設部８４は、穴２０２よりも一方側４４に配置されている。
【0097】
これにより、第１の温度補償抵抗体２０４は、第３の電極９６が設けられた一端部から第４の電極９８が設けられた他端部までの領域が第３の電極９６及び第４の電極９８よりも薄膜抵抗体２０から離れた箇所に配置される。また、第１の温度補償抵抗体２０４は、第３の電極９６が設けられた一端部から第４の電極９８が設けられた他端部までの領域が穴２０２を避けるようにして設けられている。
【0098】
（第２の温度補償抵抗体）
図６に示すように、第２の温度補償抵抗体２０６は、基板１２の厚み方向１００において、第１の温度補償抵抗体２０４の第一表補償延在部８０と重なる位置に配置された第一裏補償延在部１１０を有する。第２の温度補償抵抗体２０６は、第二表補償延在部８２と重なる位置に配置された第二裏補償延在部１１２を有する。
図６に示すように、第２の温度補償抵抗体２０６は、基板１２の厚み方向１００において、第１の温度補償抵抗体２０４の第一表補償延在部８０と重なる位置に配置された第一裏補償延在部１１０を有する。第２の温度補償抵抗体２０６は、第二表補償延在部８２と重なる位置に配置された第二裏補償延在部１１２を有する。
【0099】
また、第２の温度補償抵抗体２０６は、基板１２の厚み方向１００において、第１の温度補償抵抗体２０４の表補償連設部８４と重なる位置に配置された裏補償連設部１１４を有する。
【0100】
さらに、第２の温度補償抵抗体２０６は、基板１２の厚み方向１００において、第１の温度補償抵抗体２０４の第三矩形部９２と重なる位置に配置された第五矩形部１１６と、第四矩形部９４と重なる位置に配置された第六矩形部１１８とを有する。
【0101】
第２の温度補償抵抗体２０６の第五矩形部１１６には、第５の電極１２０が設けられている。第２の温度補償抵抗体２０６の第六矩形部１１８には、第６の電極１２２が設けられている。
【0102】
第２の温度補償抵抗体２０６の第一裏補償延在部１１０の一方側４４と、第二裏補償延在部１１２の一方側４４とは、裏補償連設部１１４で連設される。第２の温度補償抵抗体２０６の裏補償連設部１１４は、基板１２の一端縁５６に沿って直線状に延在する。これにより、裏補償連設部１１４は、穴２０２よりも一方側４４に配置されている。
【0103】
また、第２の温度補償抵抗体２０６は、第５の電極１２０が設けられた一端部から第６の電極１２２が設けられた他端部までの領域が、第５の電極１２０及び第６の電極１２２よりも薄膜抵抗体２０の本体部３２（図３参照）から離れた箇所に配置される。さらに、第２の温度補償抵抗体２０６は、第５の電極１２０が設けられた一端部から第６の電極１２２が設けられた他端部までの領域が、穴２０２を避けるようにして設けられている。
【0104】
そして、各電極７０、７２、９６、９８、１２０、１２２に接続された各リード線１３０、１３２、１３４、１３６、１３８、１４０は、導線が被覆で覆われた被覆線、又は導線が絶縁層で被覆されたエナメル線などが用いられる。
【0105】
（穴）
この荷重センサ素子２００の基板１２は、無機層１６が基板１２の厚み方向１００で重なる受圧領域３０と第１の温度補償抵抗体２０４との間、及び受圧領域３０と第２の温度補償抵抗体２０６との間に変形抑制部である穴２０２を有する。
この荷重センサ素子２００の基板１２は、無機層１６が基板１２の厚み方向１００で重なる受圧領域３０と第１の温度補償抵抗体２０４との間、及び受圧領域３０と第２の温度補償抵抗体２０６との間に変形抑制部である穴２０２を有する。
【0106】
ここで、変形抑制は、貫通穴であっても、底を有する有底穴であってもよい。また、変形抑制は、貫通する溝であっても、底を有する溝であってもよい。
【0107】
変形抑制は、無機層１６からの荷重によって基板１２が変形した際に、受圧領域３０に生じた変形が第１の温度補償抵抗体２０４及び第２の温度補償抵抗体２０６が設けられた基板１２の領域の変形を抑制するものであればよい。
【0108】
具体的に説明すると、穴２０２は、第１の温度補償抵抗体２０４の第三矩形部９２及び第四矩形部９４と受圧領域３０との間に形成されている。
【0109】
この穴２０２は、被覆部２７（図３参照）と露出部２８との境界線９０に沿って延在する。穴２０２は、例えば、基板１２を成形する金型又は基板１２を加工するレーザーで形成することができる。
【0110】
穴２０２は、基板１２を貫通するスリットで構成されている。これにより、穴２０２は、基板１２の裏面２４において、第２の温度補償抵抗体２０６の第五矩形部１１６及び第六矩形部１１８と受圧領域３０との間に開口する。
【0111】
なお、本実施形態では、変形抑制部である穴２０２を、基板１２を貫通するスリットで構成した場合について説明するが、本実施形態は、これに限定されるものではない。例えば、変形抑制部である穴２０２は、溝で構成してもよい。
【0112】
穴２０２を溝で構成する場合、溝を基板１２の表面１４又は裏面２４のうちいずれか一方に形成してもよいし、溝を基板１２の表面１４及び裏面２４に形成してもよい。基板１２の表面１４の第１の温度補償抵抗体２０４及び裏面２４の第２の温度補償抵抗体２０６の挙動を略同一の状態とするため、溝を基板１２の表面及び裏面２４の両面に形成することが望ましい。溝を基板１２の表面１４及び裏面２４に形成する場合、両面の状態を略同じとするため、両溝を基板１２の厚み方向１００で重なる位置に形成するとともに、両溝を略同じ深さ及び略同じ長さ寸法で形成することが望ましい。
【0113】
（作用及び効果）
次に、第二実施形態による作用効果について説明する。
次に、第二実施形態による作用効果について説明する。
【0114】
本実施形態の荷重センサ素子２００においても、第一実施形態と同一又は同等部分については、第一実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【0115】
本実施形態の荷重センサ素子２００において、基板１２は、無機層１６が基板１２の厚み方向１００で重なる受圧領域３０と第１の温度補償抵抗体２０４との間、又は受圧領域３０と第２の温度補償抵抗体２０６との間のうちの少なくとも一方に変形抑制部である穴２０２を有する。
【0116】
この構成において、無機層１６が受ける荷重によって基板１２が変形した際に、受圧領域３０に生じた変形が第１の温度補償抵抗体２０４及び第２の温度補償抵抗体２０６に伝達されるのを穴２０２によって抑制することができる。
【0117】
これにより、無機層１６が受けた荷重が第１の温度補償抵抗体２０４及び第２の温度補償抵抗体２０６に与える影響を低減することができる。したがって、各温度補償抵抗体２０４、２０６を用いた温度補償精度の向上が可能となる。特に、穴２０２が貫通するスリットである場合には、第１の温度補償抵抗体２０４及び第２の温度補償抵抗体２０６が形成された基板１２の露出部２８と受圧領域３０との間の一部に空間が設けられることになるため、荷重の影響はより低減される。
【0118】
また、穴２０２が貫通するスリットである場合には、基板１２の表面１４の穴２０２の位置と裏面１５の穴２０２の位置とが同じ位置になるので、位置合わせが不要となり、製造が容易である。
【0119】
また、本実施形態の荷重センサ素子２００において、荷重センサ素子１０は、薄膜抵抗体２０の一端部３４と電気的に接続され、基板１２の一方の側である一方側４４に設けられる第１の電極７０を備える。荷重センサ素子１０は、薄膜抵抗体２０の他端部３６と電気的に接続され、基板の一方の側である一方側４４に設けられる第２の電極７２を備える。荷重センサ素子１０は、第１の温度補償抵抗体２２の一端部と電気的に接続され、基板１２の一方の側である一方側４４に設けられた第３の電極９６を備える。荷重センサ素子１０は、第１の温度補償抵抗体２２の他端部と電気的に接続され、基板１２の一方の側である一方側４４に設けられた第４の電極９８を備える。荷重センサ素子１０は、第２の温度補償抵抗体２６の一端部と電気的に接続され、基板１２の一方の側である一方側４４に設けられた第５の電極１２０を備える。荷重センサ素子１０は、第２の温度補償抵抗体２６の他端部と電気的に接続され、基板１２の一方の側である一方側４４に設けられた第６の電極１２２を備える。
【0120】
第１の温度補償抵抗体２０４は、第３の電極９６が設けられた一端部から第４の電極９８が設けられた他端部までの領域が第３の電極９６及び第４の電極９８よりも薄膜抵抗体２０から離れた箇所に配置される。第２の温度補償抵抗体２０６は、第５の電極１２０が設けられた一端部から第６の電極１２２が設けられた他端部までの領域が第５の電極１２０及び第６の電極１２２よりも薄膜抵抗体２０から離れた箇所に配置される。
【0121】
この構成において、無機層１６が受けた荷重が第１の温度補償抵抗体２０４及び第２の温度補償抵抗体２０６に与える影響を低減することができる。これにより、各温度補償抵抗体２０４、２０６を用いた温度補償精度のさらなる向上が可能となる。
【0122】
（第三実施形態）
第三実施形態に係る荷重センサ素子３００について、図７及び図８を用いて説明する。なお、本実施形態において、第一実施形態と同一又は同等部分に関しては、第一実施形態と同符号を付して説明を割愛し、第一実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
第三実施形態に係る荷重センサ素子３００について、図７及び図８を用いて説明する。なお、本実施形態において、第一実施形態と同一又は同等部分に関しては、第一実施形態と同符号を付して説明を割愛し、第一実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【0123】
【0124】
第三実施形態に係る荷重センサ素子３００は、第一実施形態と比較して、第１の温度補償抵抗体３０２の配置及び第２の温度補償抵抗体３０４の配置が異なる。また、第三実施形態に係る荷重センサ素子３００は、第一実施形態と比較して、薄膜抵抗体３０６の形状が異なる。
【0125】
（薄膜抵抗体）
薄膜抵抗体３０６は、基板１２の一側縁４０に沿って延在する第一薄膜延在部４２と、基板１２の他側縁４８に沿って延在する第二薄膜延在部５０と、第一薄膜延在部４２及び第二薄膜延在部５０を連設する薄膜連設部５２とを有する。
薄膜抵抗体３０６は、基板１２の一側縁４０に沿って延在する第一薄膜延在部４２と、基板１２の他側縁４８に沿って延在する第二薄膜延在部５０と、第一薄膜延在部４２及び第二薄膜延在部５０を連設する薄膜連設部５２とを有する。
【0126】
第一薄膜延在部４２の一方側４４の端部には、基板１２の他側縁４８へ向けて延出する第一延長部３１０が連設されている。第一延長部３１０の端部には、基板１２の一端縁５６へ向かうに従って幅寸法が広がる一縁側拡幅部３１２が連設されている。一縁側拡幅部３１２には、矩形状の第一矩形部３１４が連設されている。第一矩形部３１４には、第１の電極７０が設けられている。
【0127】
第二薄膜延在部５０の一方側４４の端部には、基板１２の一側縁４０へ向けて延出する第二延長部３２０が連設されている。第二延長部３２０の端部には、基板１２の一端縁５６へ向かうに従って幅寸法が広がる他縁側拡幅部３２２が連設されている。他縁側拡幅部３２２には、矩形状の第二矩形部３２４が連設されている。第二矩形部３２４には、第２の電極７２が設けられている。
【0128】
この薄膜抵抗体３０６は、薄膜連設部５２と、第一薄膜延在部４２と、第一延長部３１０と、一縁側拡幅部３１２の一部と、第二薄膜延在部５０と、第二延長部３２０と、他縁側拡幅部３２２の一部とが無機層１６で被覆された本体部３２を構成する。
【0129】
一縁側拡幅部３１２の一部と第一矩形部３１４とは、無機層１６で被覆されない一端部を構成する。また、他縁側拡幅部３２２の一部と第二矩形部３２４とは、無機層１６で被覆されない他端部を構成する。
【0130】
（第１の温度補償抵抗体）
第１の温度補償抵抗体３０２は、基板１２の露出部２８内において一方側４４から他方側４６へ直線状に延在する第一表補償延在部３３０と第二表補償延在部３３２とを有する。
第１の温度補償抵抗体３０２は、基板１２の露出部２８内において一方側４４から他方側４６へ直線状に延在する第一表補償延在部３３０と第二表補償延在部３３２とを有する。
【0131】
第１の温度補償抵抗体３０２は、第一表補償延在部３３０の一方側４４と第二表補償延在部３３２の一方側４４とが表補償連設部３３４で連設される。第１の温度補償抵抗体３０２の表補償連設部３３４は、基板１２の一端縁５６に沿って直線状に延在する。
【0132】
第一表補償延在部３３０の他方側４６の端部には、矩形状の第三矩形部３４０が連設されている。第三矩形部３４０は、第一矩形部３１４と基板１２の一側縁４０との間に設けられている。第三矩形部３４０には、第３の電極９６が設けられている。
【0133】
第二表補償延在部３３２の他方側４６の端部には、矩形状の第四矩形部３４２が連設されている。第四矩形部３４２は、第二矩形部３２４と基板１２の他側縁４８との間に設けられている。第四矩形部３４２には、第４の電極９８が設けられている。
【0134】
これにより、第１の温度補償抵抗体３０２は、第３の電極９６が設けられた一端部から第４の電極９８が設けられた他端部までの領域が第３の電極９６及び第４の電極９８よりも薄膜抵抗体３０６から離れた箇所に配置される。
【0135】
（第２の温度補償抵抗体）
図８に示すように、第２の温度補償抵抗体３０４は、基板１２の厚み方向１００において、第１の温度補償抵抗体３０２の第一表補償延在部３３０と重なる位置に配置された第一裏補償延在部３５０を有する。第２の温度補償抵抗体３０４は、第二表補償延在部３３２と重なる位置に配置された第二裏補償延在部３５２を有する。
図８に示すように、第２の温度補償抵抗体３０４は、基板１２の厚み方向１００において、第１の温度補償抵抗体３０２の第一表補償延在部３３０と重なる位置に配置された第一裏補償延在部３５０を有する。第２の温度補償抵抗体３０４は、第二表補償延在部３３２と重なる位置に配置された第二裏補償延在部３５２を有する。
【0136】
また、第２の温度補償抵抗体３０４は、基板１２の厚み方向１００において、第１の温度補償抵抗体３０２の表補償連設部３３４と重なる位置に配置された裏補償連設部３５４と、第三矩形部３４０と重なる位置に配置された第五矩形部３５６とを有する。
【0137】
さらに、第２の温度補償抵抗体３０４は、基板１２の厚み方向１００において、第１の温度補償抵抗体３０２の第四矩形部３４２と重なる位置に配置された第六矩形部３５８を有する。
【0138】
第２の温度補償抵抗体３０４の第五矩形部３５６には、第５の電極１２０が設けられている。第２の温度補償抵抗体３０４の第六矩形部３５８には、第６の電極１２２が設けられている。
【0139】
これにより、第２の温度補償抵抗体３０４は、第５の電極１２０が設けられた一端部から第６の電極１２２が設けられた他端部までの領域が第５の電極１２０及び第６の電極１２２よりも薄膜抵抗体３０６から離れた箇所に配置される。
【0140】
そして、各電極７０、７２、９６、９８、１２０、１２２に接続された各リード線１３０、１３２、１３４、１３６、１３８、１４０は、導線が被覆で覆われた被覆線、又は導線が絶縁層で被覆されたエナメル線などが用いられる。
【0141】
（作用及び効果）
次に、第三実施形態による作用効果について説明する。
次に、第三実施形態による作用効果について説明する。
【0142】
本実施形態の荷重センサ素子３００においても、第一実施形態と同一又は同等部分については、第一実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【0143】
また、本実施形態の荷重センサ素子３００において、第１の温度補償抵抗体３０２は、第３の電極９６が設けられた一端部から第４の電極９８が設けられた他端部までの領域が第３の電極９６及び第４の電極９８よりも薄膜抵抗体３０６から離れた箇所に配置される。第２の温度補償抵抗体３０４は、第５の電極１２０が設けられた一端部から第６の電極１２２が設けられた他端部までの領域が第５の電極１２０及び第６の電極１２２よりも薄膜抵抗体３０６から離れた箇所に配置される。
【0144】
この構成にあっても、第二実施形態と同様に、無機層１６が受けた荷重が第１の温度補償抵抗体３０２及び第２の温度補償抵抗体３０４に与える影響を低減することができる。これは、第１の温度補償抵抗体３０２及び第２の温度補償抵抗体３０４と、受圧領域３０との距離が離れることによる。これにより、各温度補償抵抗体３０２、３０４を用いた温度補償精度のさらなる向上が可能となる。
【0145】
また、本実施形態の荷重センサ素子３００においては、第二実施形態の荷重センサ素子２００と比較して、第１の温度補償抵抗体３０２の表補償連設部３３４と、第２の温度補償抵抗体３０４の裏補償連設部３５４とを長くすることができる。
【0146】
これにより高い抵抗値を実現するにあたり、第二実施形態の第１の温度補償抵抗体２２及び第２の温度補償抵抗体２６と比較して、第１の温度補償抵抗体３０２及び第２の温度補償抵抗体３０４の幅寸法を広くすることができる。また、第１の温度補償抵抗体３０２及び第２の温度補償抵抗体３０４の幅寸法を、第二実施形態の第１の温度補償抵抗体２２及び第２の温度補償抵抗体２６と同寸法にした場合には、各温度補償抵抗体２２、２６よりも、抵抗値を高くすることができる。
【0147】
各抵抗体の抵抗値を高くすることによって、各抵抗体が構成する回路の低消費電力化が可能となる。また、製造可能な抵抗値の範囲を広げることで、抵抗値の異なる製品を幅広く揃えることができ、回路設計の自由度の向上に寄与することができる。
【0148】
また、第１の温度補償抵抗体３０２及び第２の温度補償抵抗体３０４は、受圧領域３０から離れた位置に配置される。このため、受圧領域３０で生じた変形が第１の温度補償抵抗体３０２及び第２の温度補償抵抗体３０４に与える影響を抑制することが可能となる。
【0149】
（第四実施形態）
第四実施形態に係る荷重センサ素子４００について、図９及び図１０を用いて説明する。なお、本実施形態において、第三実施形態と同一又は同等部分に関しては、第三実施形態と同符号を付して説明を割愛し、第三実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
第四実施形態に係る荷重センサ素子４００について、図９及び図１０を用いて説明する。なお、本実施形態において、第三実施形態と同一又は同等部分に関しては、第三実施形態と同符号を付して説明を割愛し、第三実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【0150】
図９は、第四実施形態に係る荷重センサ素子４００を示す図であり、各リードを外した荷重センサ素子４００を表面１４側から見た状態を示す平面図である。図１０は、第四実施形態に係る荷重センサ素子４００を示す図であり、各リードを外した荷重センサ素子４００を裏面２４側から見た状態を示す平面図である。
【0151】
第四実施形態に係る荷重センサ素子４００は、第三実施形態と比較して、薄膜抵抗体３０６、第１の温度補償抵抗体３０２、及び第２の温度補償抵抗体３０４が抵抗値を調整するための調整部を有する点が異なる。
【0152】
（薄膜抵抗体）
図９に示すように、薄膜抵抗体３０６は、第一延長部３１０と第一矩形部３１４とが直線状の第一連結部４１０で連結されている。薄膜抵抗体３０６は、第二延長部３２０と第二矩形部３２４とが直線状の第二連結部４１２で連結されている。
図９に示すように、薄膜抵抗体３０６は、第一延長部３１０と第一矩形部３１４とが直線状の第一連結部４１０で連結されている。薄膜抵抗体３０６は、第二延長部３２０と第二矩形部３２４とが直線状の第二連結部４１２で連結されている。
【0153】
第一延長部３１０には、基板１２の他端縁５４側に突出した矩形状の第一調整部４１４が一体形成されている。第二延長部３２０には、基板１２の他端縁５４側に突出した矩形状の第二調整部４１６が一体形成されている。
【0154】
（第１の温度補償抵抗体）
第１の温度補償抵抗体３０２において、表補償連設部３３４には、基板１２の他端縁５４側に突出した矩形状の第三調整部４２０と第四調整部４２２とが一体形成されている。表補償連設部３３４において、第三調整部４２０は、第四調整部４２２よりも第三矩形部３４０に近い位置に配置されている。
第１の温度補償抵抗体３０２において、表補償連設部３３４には、基板１２の他端縁５４側に突出した矩形状の第三調整部４２０と第四調整部４２２とが一体形成されている。表補償連設部３３４において、第三調整部４２０は、第四調整部４２２よりも第三矩形部３４０に近い位置に配置されている。
【0155】
（第２の温度補償抵抗体）
図１０に示すように、第２の温度補償抵抗体３０４において、裏補償連設部３５４には、基板１２の他端縁５４側に突出した矩形状の第五調整部４３０と第六調整部４３２とが一体形成されている。裏補償連設部３５４において、第五調整部４３０は、第六調整部４３２よりも第五矩形部３５６に近い位置に配置されている。
図１０に示すように、第２の温度補償抵抗体３０４において、裏補償連設部３５４には、基板１２の他端縁５４側に突出した矩形状の第五調整部４３０と第六調整部４３２とが一体形成されている。裏補償連設部３５４において、第五調整部４３０は、第六調整部４３２よりも第五矩形部３５６に近い位置に配置されている。
【0156】
なお、本実施形態では、第１の温度補償抵抗体３０２の表補償連設部３３４と、第２の温度補償抵抗体３０４の裏補償連設部３５４とに、各調整部４２０、４２２、４３０、４３２を設けた場合について説明したが、本実施形態は、これに限定されるものではない。例えば、第１の温度補償抵抗体３０２又は第２の温度補償抵抗体３０４のうちの少なくとも一方に抵抗値を調整するための調整部を設けてもよい。
【0157】
（作用及び効果）
次に、第四実施形態による作用効果について説明する。
次に、第四実施形態による作用効果について説明する。
【0158】
本実施形態の荷重センサ素子４００においても、第三実施形態と同一又は同等部分については、第三実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【0159】
また、本実施形態の荷重センサ素子４００において、第１の温度補償抵抗体３０２又は第２の温度補償抵抗体３０４のうちの少なくとも一方は、抵抗値を調整するための調整部４２０、４２２、４３０、４３２を有する。
【0160】
この構成において、各温度補償抵抗体３０２、３０４のいずれかの調整部４２０、４２２、４３０、４３２をレーザー等によりトリミングすることよって第１の温度補償抵抗体３０２又は第２の温度補償抵抗体３０４の抵抗値を調整可能である。これにより、第１の温度補償抵抗体３０２と第２の温度補償抵抗体３０４との抵抗値が略同じ値に近づくように調整することが可能となる。
【0161】
このため、第１の温度補償抵抗体３０２の抵抗値と第２の温度補償抵抗体３０４の抵抗値とが大きく異なる場合と比較して、各温度補償抵抗体３０２、３０４を用いた温度補償を容易に行うことが可能となる。
【0162】
また、本実施形態では、薄膜抵抗体３０６と第１の温度補償抵抗体３０２と第２の温度補償抵抗体３０４とに各調整部４１４、４１６、４２０、４２２、４３０、４３２が設けられている。
【0163】
このため、各調整部４１４、４１６、４２０、４２２、４３０、４３２をトリミングすることによって各抵抗体３０６、３０２、３０４の抵抗値を目的とする抵抗値に近づけることが可能となる。したがって、基板１２の表面１４の状態等によって基板１２に形成された各抵抗体３０６、３０２、３０４の抵抗値が目的とする抵抗値から大幅にずれた場合であっても、各抵抗体３０６、３０２、３０４の抵抗値を目的とする抵抗値に近づけることが可能となる。
【0164】
以上、本実施形態について説明したが、上記実施形態は、本発明の適用例の一部を示したに過ぎず、本発明の技術的範囲を上記実施形態の具体的構成に限定する趣旨ではない。
【符号の説明】
【0165】
１０、２００、３００、４００ 荷重センサ素子
１２ 基板
１３ 受圧面
１４ 表面
１６ 無機層
２０、３０６ 薄膜抵抗体
２２、２０４、３０２ 第１の温度補償抵抗体
２４ 裏面
２６、２０６、３０４ 第２の温度補償抵抗体
２７ 被覆部
２８ 露出部
３０ 受圧領域
３２ 本体部
３４ 一端部
３６ 他端部
４４ 一方側
７０ 第１の電極
７２ 第２の電極
９６ 第３の電極
９８ 第４の電極
１００ 厚み方向
１２０ 第５の電極
１２２ 第６の電極
２０２ 穴
４２０ 第三調整部
４２２ 第四調整部
４３０ 第五調整部
４３２ 第六調整部
１２ 基板
１３ 受圧面
１４ 表面
１６ 無機層
２０、３０６ 薄膜抵抗体
２２、２０４、３０２ 第１の温度補償抵抗体
２４ 裏面
２６、２０６、３０４ 第２の温度補償抵抗体
２７ 被覆部
２８ 露出部
３０ 受圧領域
３２ 本体部
３４ 一端部
３６ 他端部
４４ 一方側
７０ 第１の電極
７２ 第２の電極
９６ 第３の電極
９８ 第４の電極
１００ 厚み方向
１２０ 第５の電極
１２２ 第６の電極
２０２ 穴
４２０ 第三調整部
４２２ 第四調整部
４３０ 第五調整部
４３２ 第六調整部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】