特開 2023-143662 フィルタリング機能を有する導電性基板、キャリアボード配線構造及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023143662

(43)【公開日】2023-10-06

(54)【発明の名称】フィルタリング機能を有する導電性基板、キャリアボード配線構造及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20230928BHJP

   H05K 3/40 20060101ALI20230928BHJP

   H05K 3/42 20060101ALI20230928BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 N

H05K3/40 E

H05K3/40 K

H05K3/42 620B

H05K3/46 S

【審査請求】有

【請求項の数】17

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022184580

(22)【出願日】2022-11-18

(31)【優先権主張番号】202210307677.4

(32)【優先日】2022-03-25

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(71)【出願人】

【識別番号】521133551

【氏名又は名称】ズハイ アクセス セミコンダクター シーオー．，エルティーディー

【氏名又は名称原語表記】Ｚｈｕｈａｉ Ａｃｃｅｓｓ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｃｏ．， Ｌｔｄ

(74)【代理人】

【識別番号】100088904

【弁理士】

【氏名又は名称】庄司 隆

(74)【代理人】

【識別番号】100124453

【弁理士】

【氏名又は名称】資延 由利子

(74)【代理人】

【識別番号】100135208

【弁理士】

【氏名又は名称】大杉 卓也

(74)【代理人】

【識別番号】100183656

【弁理士】

【氏名又は名称】庄司 晃

(74)【代理人】

【識別番号】100224786

【弁理士】

【氏名又は名称】大島 卓之

(74)【代理人】

【識別番号】100225015

【弁理士】

【氏名又は名称】中島 彩夏

(72)【発明者】

【氏名】チェン ケンメイ

(72)【発明者】

【氏名】ク キオウェイ

(72)【発明者】

【氏名】フアン ガオ

(72)【発明者】

【氏名】フアン ベンキア

【テーマコード（参考）】

5E316

5E317

【Ｆターム（参考）】

5E316AA02

5E316AA04

5E316AA12

5E316AA15

5E316AA32

5E316AA33

5E316AA43

5E316BB04

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC32

5E316DD17

5E316DD23

5E316DD24

5E316DD33

5E316DD45

5E316DD48

5E316EE33

5E316FF07

5E316FF18

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG18

5E316GG19

5E316GG22

5E316GG23

5E316GG28

5E316HH22

5E316HH25

5E316HH33

5E317AA24

5E317BB02

5E317BB03

5E317BB12

5E317CC25

5E317CC32

5E317CC33

5E317CD15

5E317CD18

5E317CD32

5E317GG14

5E317GG16

(57)【要約】      （修正有）

【課題】フィルタリング機能を有する導電性基板、キャリアボード配線構造及び製造方法を提供する。
【解決手段】方法は、コア層２内に第１、第２ビアホールを形成し、第１ビアホールの内壁とコア層の表面に犠牲銅層を形成し、第２ビアホールの内壁に金属層を形成し、第１ビアホール内に金属ピラー１０１５を形成し、コア層の下表面に金属ピラーの下端を覆う下部絶縁層１０２１ｂを形成し、第２ビアホール内に下部絶縁ピラー１０２２ｂを形成し、第１ビアホールの内壁と金属ピラーの間に、軸方向に沿って金属ピラーを包む磁石１０１９を形成して第１導電性ピラーを取得するステップ、コア層の上表面に金属ピラーの頂端を覆う上部絶縁層を形成し、第２ビアホール内に上部絶縁ピラーを形成し、第２導電性ピラーを取得するステップ及び上部絶縁層、下部絶縁層及び残っている犠牲銅ピラー層を除去し、第１、第２導電性ピラーの端部を平坦に研磨するステップを含む。
【選択図】図３－２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

（ａ）コア層を用意し、前記コア層内に、それぞれ高さ方向に沿って前記コア層を貫通する少なくとも１つの第１ビアホール及び少なくとも１つの第２ビアホールを形成するステップと、
（ｂ）前記少なくとも１つの第１ビアホールの内壁及び前記コア層の表面に犠牲銅層をそれぞれ形成するとともに、前記少なくとも１つの第２ビアホールの内壁に金属層を形成するステップと、
（ｃ）前記少なくとも１つの第１ビアホール内に金属ピラーを形成するステップと、
（ｄ）前記コア層の下表面の犠牲銅層の一部をエッチングして前記金属ピラーの底端を露出させ、前記コア層の下表面に前記金属ピラーの底端を覆う下部絶縁層を形成するとともに、前記少なくとも１つの第２ビアホール内に下部絶縁ピラーを形成するステップと、
（ｅ）前記コア層の上表面の犠牲銅層の一部及び前記少なくとも１つの第１ビアホールの内壁の犠牲銅層をエッチングして、前記少なくとも１つの第１ビアホールの内壁と前記金属ピラーとの間に、軸方向に沿って前記金属ピラーを包む磁石を形成して、第１導電性ピラー層を取得するステップと、
（ｆ）引き続き前記コア層の上表面の犠牲銅層の一部をエッチングして、前記コア層の上表面に前記金属ピラーの頂端を覆う上部絶縁層を形成するとともに、前記少なくとも１つの第２ビアホール内に上部絶縁ピラーを形成し、前記上部絶縁ピラー及び前記下部絶縁ピラーが一緒に第２ビアホールを充填する絶縁ピラーを形成して、第２導電性ピラー層を取得するステップと、
（ｇ）前記上部絶縁層、前記下部絶縁層及び前記コア層の上表面と下表面に残っている犠牲銅ピラー層を除去するとともに、前記第１導電性ピラー層の端部及び示されている第２導電性ピラー層の端部がそれぞれ前記コア層とが同じ高さになるように、前記第１導電性ピラー層及び前記第２導電性ピラー層の端部をそれぞれ研磨して、フィルタリング機能を有する導電性基板を取得するステップと、を含む、
フィルタリング機能を有する導電性基板の製造方法。

【請求項2】

ステップ（ｄ）は、
（ｄ１）前記コア層の上表面と下表面に第１フォトレジスト層及び第２フォトレジスト層をそれぞれ施し、前記第２フォトレジスト層を露光・現像して第２特徴パターンを形成するステップと、
（ｄ２）前記第２特徴パターンにおいて、露出している前記コア層の下表面の犠牲銅層の一部をエッチングして、前記金属ピラーの底端を露出させるステップと、
（ｄ３）前記第１フォトレジスト層及び前記第２フォトレジスト層を除去するステップと、
（ｄ４）前記コア層の下表面に絶縁材料を積層して、前記金属ピラーの底端を覆う下部絶縁層を形成するとともに、前記少なくとも１つの第２ビアホール内に下部絶縁ピラーを形成するステップと、を含む、
請求項１に記載の製造方法。

【請求項3】

ステップ（ｅ）は、
（ｅ１）前記コア層の上表面に第３フォトレジスト層を施し、前記第３フォトレジスト層を露光・現像して、前記少なくとも１つの第１ビアホールの頂端を露出する第３特徴パターンを形成するステップと、
（ｅ２）前記第３特徴パターンにおいて、前記少なくとも１つの第１ビアホールの内壁の犠牲銅層をエッチングするステップと、
（ｅ３）前記第３フォトレジスト層を除去するステップと、
（ｅ４）前記少なくとも１つの第１ビアホールの内壁と前記金属ピラーとの間に、軸方向に沿って前記金属ピラーを包む磁石を形成するステップと、
（ｅ５）前記磁石及び前記金属ピラーを平坦に研磨して、第１導電性ピラー層を取得するステップと、を含む、
請求項１に記載の製造方法。

【請求項4】

ステップ（ｅ４）は、シルク印刷の方法により、前記少なくとも１つの第１ビアホールの内壁と前記金属ピラーとの間に、軸方向に沿って前記金属ピラーを包む磁石を形成するステップを含む、
請求項３に記載の製造方法。

【請求項5】

ステップ（ｆ）は、
（ｆ１）前記コア層の上表面と下表面に第４フォトレジスト層をそれぞれ施し、前記第４フォトレジスト層を露光・現像して第４特徴パターンを形成するステップと、
（ｆ２）前記第４特徴パターンにおいて、露出している前記コア層の上表面の犠牲銅層の一部をエッチングするステップと、
（ｆ３）前記第４フォトレジスト層を除去するステップと、
（ｆ４）前記コア層の上表面に絶縁材料を積層して、前記金属ピラーの頂端を覆う上部絶縁層を形成するとともに、前記少なくとも１つの第２ビアホール内に上部絶縁ピラーを形成し、前記上部絶縁ピラー及び前記下部絶縁ピラーは一緒に第２ビアホールを充填する絶縁ピラーを形成し、金属層及び絶縁ピラーは一緒に第２導電性ピラー層を形成するステップと、を含む、
請求項１に記載の製造方法。

【請求項6】

（ａ）請求項１～請求項５のいずれか１項に記載フィルタリング機能を有する導電性基板の製造方法を用いて、フィルタリング機能を有する導電性基板を製造するステップと、
（ｂ）前記導電性基板の上表面と下表面に第１回路層及び第２回路層をそれぞれ形成し、前記第１回路層と前記第２回路層とは、前記第１導電性ピラー層又は前記第２導電性ピラー層を介して導電的に接続されるステップと、を含む、
キャリアボード配線構造の製造方法。

【請求項7】

（ｃ）ステップ（ｂ）に続いて、前記第１回路層及び前記第２回路層に第１ビルドアップ層及び第２ビルドアップ層をそれぞれ形成し、前記第１ビルドアップ層及び前記第２ビルドアップ層内に第１銅ピラー層及び第２銅ピラー層をそれぞれ形成し、かつ、前記第１ビルドアップ層及び前記第２ビルドアップ層の表面に第３回路層及び第４回路層をそれぞれ形成し、前記第１回路層と前記第３回路層とは前記第１銅ピラー層を介して導電的に接続され、前記第２回路層と前記第４回路層とは前記第２銅ピラー層を介して導電的に接続されるステップと、
（ｊ）前記第３回路層及び前記第４回路層に第３ビルドアップ層及び第４ビルドアップ層をそれぞれ形成し、前記第３ビルドアップ層及び前記第４ビルドアップ層内に第３銅ピラー層及び第４銅ピラー層をそれぞれ形成し、かつ、前記第３ビルドアップ層及び前記第４ビルドアップ層の表面に第５回路層及び第６回路層をそれぞれ形成し、前記第３回路層と前記第５回路層とは前記第３銅ピラー層を介して導電的に接続され、前記第４回路層と前記第６回路層とは前記第４銅ピラー層を介して導電的に接続されるステップと、をさらに含む、
請求項６に記載の製造方法。

【請求項8】

請求項１～請求項５のいずれか１項に記載のフィルタリング機能を有する導電性基板の製造方法を用いて製造する、
フィルタリング機能を有する導電性基板。

【請求項9】

コア層と、それぞれ高さ方向に沿って前記コア層を貫通する第１導電性ピラー層及び第２導電性ピラー層とを含み、前記第１導電性ピラー層内の導電性ピラーは、金属ピラーと、軸方向に沿って前記金属ピラーを包む磁石とを含み、前記第２導電性ピラー層内の導電性ピラーは、絶縁ピラーと、軸方向に沿って前記絶縁ピラーを包む金属層とを含み、ここで、前記第１導電性ピラー層はフィルタリング機能を有する、
請求項８に記載のフィルタリング機能を有する導電性基板。

【請求項10】

前記第１導電性ピラー層の端部は、前記コア層と同じ高さであるか、又は前記コア層よりも高く、前記第２導電性ピラー層の端部は、前記コア層と同じ高さであるか、又は前記コア層よりも高い、
請求項９に記載のフィルタリング機能を有する導電性基板。

【請求項11】

前記絶縁ピラーは、バージン樹脂又はガラス繊維含有樹脂から選択される、
請求項９に記載のフィルタリング機能を有する導電性基板。

【請求項12】

前記コア層は、ポリイミド、エポキシ樹脂、ビスマレイミド／トリアジン樹脂、ポリフェニレンエーテル、ポリアクリレート、プリプレグ、フィルム状有機樹脂、又はそれらの組み合わせを含む、
請求項９に記載のフィルタリング機能を有する導電性基板。

【請求項13】

前記金属ピラーは、エッチング耐性があり、かつ、低電気抵抗率、高い熱伝導特性を有する混合金属を含む、
請求項９に記載のフィルタリング機能を有する導電性基板。

【請求項14】

請求項８～請求項１２のいずれか１項に記載のフィルタリング機能を有する導電性基板を含む、
キャリアボード配線構造。

【請求項15】

前記導電性基板の第１側に位置する第１回路層と、前記導電性基板の第２側に位置する第２回路層とをさらに含み、前記第１回路層と前記第２回路層とは前記第１導電性ピラー層又は前記第２導電性ピラー層を介して導電的に接続される、
請求項１４に記載のキャリアボード配線構造。

【請求項16】

さらに、前記第１回路層上の第１ビルドアップ層と、前記第１ビルドアップ層内の第１銅ピラー層と、前記第１ビルドアップ層の表面上の第３回路層と、前記第３回路層上の第３ビルドアップ層と、前記第３ビルドアップ層内の第３銅ピラー層と、前記第３ビルドアップ層上の第５回路層とをさらに含み、前記第１回路層と前記第３回路層とは前記第１銅ピラー層を介して導電的に接続され、前記第３回路層と前記第５回路層とは前記第３銅ピラー層を介して導電的に接続される、
請求項１５に記載のキャリアボード配線構造。

【請求項17】

さらに、前記第２回路層上の第２ビルドアップ層と、前記第２ビルドアップ層内の第２銅ピラー層と、前記第２ビルドアップ層の表面上の第４回路層と、前記第４回路層上の第４ビルドアップ層と、前記第４ビルドアップ層内の第４銅ピラー層と、前記第４ビルドアップ層上の第６回路層とをさらに含み、前記第２回路層と前記第４回路層とは前記第２銅ピラー層を介して導電的に接続され、前記第４回路層と前記第６回路層とは前記第４銅ピラー層を介して導電的に接続される、
請求項１５に記載のキャリアボード配線構造。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体パッケージの分野に関し、具体的には、フィルタリング機能を有する導電性基板、キャリアボード配線構造及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

電子技術の急速な発展に伴い、各種の電子製品は、サイズがますます小さくなり、動作周波数もますます高くなり、帯電感知素子もサイズがますます小型化し、集積度がますます高まっている。埋め込み方法が広く適用されているが、従来の磁石付き配線の製造方法は、プロセスが複雑で、生産周期が長く、品質と歩留まりが低く、生産コストが高い。磁石の形成プロセスが複雑であるため、磁石付き配線の密度が低く、高集積化、小型化、高密度配線の要件を満たすことができない。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

本発明の実施形態は、フィルタリング機能を有する導電性基板、キャリアボード配線構造及びその製造方法の提供に関する。

【課題を解決するための手段】

【0004】

本発明の第１態様は、フィルタリング機能を有する導電性基板の製造方法に関し、
（ａ）コア層を用意し、前記コア層内に、それぞれ高さ方向に沿って前記コア層を貫通する少なくとも１つの第１ビアホール及び少なくとも１つの第２ビアホールを形成するステップと、
（ｂ）前記少なくとも１つの第１ビアホールの内壁及び前記コア層の表面に犠牲銅層をそれぞれ形成するとともに、前記少なくとも１つの第２ビアホールの内壁に金属層を形成するステップと、
（ｃ）前記少なくとも１つの第１ビアホール内に金属ピラーを形成するステップと、
（ｄ）前記コア層の下表面の犠牲銅層の一部をエッチングして前記金属ピラーの底端を露出させ、前記コア層の下表面に前記金属ピラーの底端を覆う下部絶縁層を形成するとともに、前記少なくとも１つの第２ビアホール内に下部絶縁ピラーを形成するステップと、
（ｅ）前記コア層の上表面の犠牲銅層の一部及び前記少なくとも１つの第１ビアホールの内壁の犠牲銅層をエッチングして、前記少なくとも１つの第１ビアホールの内壁と前記金属ピラーとの間に、軸方向に沿って前記金属ピラーを包む磁石を形成して、第１導電性ピラー層を取得するステップと、
（ｆ）引き続き前記コア層の上表面の犠牲銅層の一部をエッチングして、前記コア層の上表面に前記金属ピラーの頂端を覆う上部絶縁層を形成するとともに、前記少なくとも１つの第２ビアホール内に上部絶縁ピラーを形成し、前記上部絶縁ピラー及び前記下部絶縁ピラーが一緒に第２ビアホールを充填する絶縁ピラーを形成して、第２導電性ピラー層を取得するステップと、
（ｇ）前記上部絶縁層、前記下部絶縁層及び前記コア層の上表面と下表面に残っている犠牲銅ピラー層を除去するとともに、前記第１導電性ピラー層の端部及び示されている第２導電性ピラー層の端部がそれぞれ前記コア層とが同じ高さになるように、前記第１導電性ピラー層及び前記第２導電性ピラー層の端部をそれぞれ研磨して、フィルタリング機能を有する導電性基板を取得するステップと、を含む。

【0005】

一部の実施形態において、ステップ（ｄ）は、
（ｄ１）前記コア層の上表面と下表面に第１フォトレジスト層及び第２フォトレジスト層をそれぞれ施し、前記第２フォトレジスト層を露光・現像して第２特徴パターンを形成するステップと、
（ｄ２）前記第２特徴パターンにおいて、露出している前記コア層の下表面の犠牲銅層の一部をエッチングして、前記金属ピラーの底端を露出させるステップと、
（ｄ３）前記第１フォトレジスト層及び前記第２フォトレジスト層を除去するステップと、
（ｄ４）前記コア層の下表面に絶縁材料を積層して、前記金属ピラーの底端を覆う下部絶縁層を形成するとともに、前記少なくとも１つの第２ビアホール内に下部絶縁ピラーを形成するステップと、を含む。

【0006】

一部の実施形態において、ステップ（ｅ）は、
（ｅ１）前記コア層の上表面に第３フォトレジスト層を施し、前記第３フォトレジスト層を露光・現像して、前記少なくとも１つの第１ビアホールの頂端を露出する第３特徴パターンを形成するステップと、
（ｅ２）前記第３特徴パターンにおいて、前記少なくとも１つの第１ビアホールの内壁の犠牲銅層をエッチングするステップと、
（ｅ３）前記第３フォトレジスト層を除去するステップと、
（ｅ４）前記少なくとも１つの第１ビアホールの内壁と前記金属ピラーとの間に、軸方向に沿って前記金属ピラーを包む磁石を形成するステップと、
（ｅ５）前記磁石及び前記金属ピラーを平坦に研磨して、第１導電性ピラー層を取得するステップと、を含む。

【0007】

一部の実施形態において、ステップ（ｅ４）は、シルク印刷の方法により、前記少なくとも１つの第１ビアホールの内壁と前記金属ピラーとの間に、軸方向に沿って前記金属ピラーを包む磁石を形成するステップを含む。

【0008】

一部の実施形態において、ステップ（ｆ）は、
（ｆ１）前記コア層の上表面と下表面に第４フォトレジスト層をそれぞれ施し、前記第４フォトレジスト層を露光・現像して第４特徴パターンを形成するステップと、
（ｆ２）前記第４特徴パターンにおいて、露出している前記コア層の上表面の犠牲銅層の一部をエッチングするステップと、
（ｆ３）前記第４フォトレジスト層を除去するステップと、
（ｆ４）前記コア層の上表面に絶縁材料を積層して、前記金属ピラーの頂端を覆う上部絶縁層を形成するとともに、前記少なくとも１つの第２ビアホール内に上部絶縁ピラーを形成し、前記上部絶縁ピラー及び前記下部絶縁ピラーは一緒に第２ビアホールを充填する絶縁ピラーを形成して、第２導電性ピラー層を取得するステップと、を含む。

【0009】

本発明の第２態様は、キャリアボード配線構造の製造方法に関し、
（ａ）本発明の第１態様に記載のフィルタリング機能を有する導電性基板の製造方法を用いて、フィルタリング機能を有する導電性基板を製造するステップと、
（ｂ）前記導電性基板の上表面と下表面に第１回路層及び第２回路層をそれぞれ形成し、前記第１回路層と前記第２回路層とは、前記第１導電性ピラー層又は前記第２導電性ピラー層を介して導電的に接続されるステップと、を含む。

【0010】

一部の実施形態において、さらに、
（ｃ）ステップ（ｂ）に続いて、前記第１回路層及び前記第２回路層に第１ビルドアップ層及び第２ビルドアップ層をそれぞれ形成し、前記第１ビルドアップ層及び前記第２ビルドアップ層内に第１銅ピラー層及び第２銅ピラー層をそれぞれ形成し、かつ、前記第１ビルドアップ層及び前記第２ビルドアップ層の表面に第３回路層及び第４回路層をそれぞれ形成し、前記第１回路層と前記第３回路層とは前記第１銅ピラー層を介して導電的に接続され、前記第２回路層と前記第４回路層とは前記第２銅ピラー層を介して導電的に接続されるステップと、
（ｊ）前記第３回路層及び前記第４回路層に第３ビルドアップ層及び第４ビルドアップ層をそれぞれ形成し、前記第３ビルドアップ層及び前記第４ビルドアップ層内に第３銅ピラー層及び第４銅ピラー層をそれぞれ形成し、かつ、前記第３ビルドアップ層及び前記第４ビルドアップ層の表面に第５回路層及び第６回路層をそれぞれ形成し、前記第３回路層と前記第５回路層とは前記第３銅ピラー層を介して導電的に接続され、前記第４回路層と前記第６回路層とは前記第４銅ピラー層を介して導電的に接続されるステップと、を含む。

【0011】

本発明の第３態様は、フィルタリング機能を有する導電性基板に関し、本発明の第１態様に記載のフィルタリング機能を有する導電性基板の製造方法を用いて製造する。

【0012】

一部の実施形態において、コア層と、それぞれ高さ方向に沿って前記コア層を貫通する第１導電性ピラー層及び第２導電性ピラー層とを含み、前記第１導電性ピラー層内の導電性ピラーは、金属ピラーと、軸方向に沿って前記金属ピラーを包む磁石とを含み、前記第２導電性ピラー層内の導電性ピラーは、絶縁ピラーと、軸方向に沿って前記絶縁ピラーを包む金属層とを含み、ここで、前記第１導電性ピラー層はフィルタリング機能を有する。

【0013】

一部の実施形態において、前記第１導電性ピラー層の端部は、前記コア層と同じ高さであるか、又は前記コア層よりも高く、前記第２導電性ピラー層の端部は、前記コア層と同じ高さであるか、又は前記コア層よりも高い。

【0014】

一部の実施形態において、前記絶縁ピラーは、バージン樹脂又はガラス繊維含有樹脂から選択される。

【0015】

一部の実施形態において、前記コア層は、ポリイミド、エポキシ樹脂、ビスマレイミド／トリアジン樹脂、ポリフェニレンエーテル、ポリアクリレート、プリプレグ、フィルム状有機樹脂、又はそれらの組み合わせを含む。

【0016】

一部の実施形態において、前記金属ピラーは、エッチング耐性があり、かつ、低電気抵抗率、高い熱伝導特性を有する混合金属を含む。

【0017】

本発明の第４態様は、本発明の第１態様に記載のフィルタリング機能を有する導電性基板を含むキャリアボード配線構造を提供する。

【0018】

一部の実施形態において、前記導電性基板の第１側に位置する第１回路層と、前記導電性基板の第２側に位置する第２回路層とをさらに含み、前記第１回路層と前記第２回路層とは前記第１導電性ピラー層又は前記第２導電性ピラー層を介して導電的に接続される。

【0019】

一部の実施形態において、前記第１回路層上の第１ビルドアップ層と、前記第１ビルドアップ層内の第１銅ピラー層と、前記第１ビルドアップ層の表面上の第３回路層と、前記第３回路層上の第３ビルドアップ層と、前記第３ビルドアップ層内の第３銅ピラー層と、前記第３ビルドアップ層上の第５回路層とをさらに含み、前記第１回路層と前記第３回路層とは前記第１銅ピラー層を介して導電的に接続され、前記第３回路層と前記第５回路層とは前記第３銅ピラー層を介して導電的に接続される。

【0020】

一部の実施形態において、前記第２回路層上の第２ビルドアップ層と、前記第２ビルドアップ層内の第２銅ピラー層と、前記第２ビルドアップ層の表面上の第４回路層と、前記第４回路層上の第４ビルドアップ層と、前記第４ビルドアップ層内の第４銅ピラー層と、前記第４ビルドアップ層上の第６回路層とをさらに含み、前記第２回路層と前記第４回路層とは前記第２銅ピラー層を介して導電的に接続され、前記第４回路層と前記第６回路層とは前記第４銅ピラー層を介して導電的に接続される。

【0021】

上記から分かるように、本発明にて提供されるフィルタリング機能を有する導電性基板、キャリアボード配線構造及びその製造方法は、磁石内部配線を行う時に絶縁層を追加する必要がなく、金属ピラーの周囲に磁気空洞を直接形成して、磁石付き配線の密度を高め、高集積化、小型化、微細化の発展傾向に対応する。電気抵抗率が低く、熱伝導が高い混合金属材料を使用して磁石内の金属ピラーを使用して、導電性ピラーの抵抗値を低下させ、磁石内の熱を迅速に導出することができ、磁石埋め込み製品の信頼性を向上させる。フィルタリング機能を有する導電性基板の製造方法により磁性基板の製造工程が短縮し、生産プロセスを簡素化し、生産歩留まりを向上させ、生産コストを低減する。

【図面の簡単な説明】

【0022】

よりよく本発明を理解させるとともに、本発明の実施形態を示すために、以下では、単に例として図面を参照する。

【0023】

具体的に図面を参照する際に、特定の図示は、例示的なものであり、本発明の好ましい実施形態を例示的に検討することを目的とするだけで、本発明の原理及び概念に関する説明に最も有用で、最も容易に理解できる図示として考えられる理由に基づいて示されたことを強調しなければならない。この点に関して、本発明に対する基本的な理解に必要である以上に本発明の構造の詳細を図示する試みはなされていない。当業者は、図面を参照する説明により、どのように本発明の幾つかの形態を実際に具現化できるかを認識することを可能である。

【0024】

【図1】本発明の一実施例のフィルタリング機能を有する導電性基板１００の断面の模式図である。

【図2】本発明の一実施例のキャリアボード配線構造２００の断面の模式図である。

【図3-1】図３（ａ）本発明の実施形態のキャリアボード配線構造２００の製造方法の各ステップにおける中間構造の断面を示す模式図である。図３（ｂ）本発明の実施形態のキャリアボード配線構造２００の製造方法の各ステップにおける中間構造の断面を示す模式図である。図３（ｃ）本発明の実施形態のキャリアボード配線構造２００の製造方法の各ステップにおける中間構造の断面を示す模式図である。図３（ｄ）本発明の実施形態のキャリアボード配線構造２００の製造方法の各ステップにおける中間構造の断面を示す模式図である。

【図3-2】図３（ｅ）本発明の実施形態のキャリアボード配線構造２００の製造方法の各ステップにおける中間構造の断面を示す模式図である。図３（ｆ）本発明の実施形態のキャリアボード配線構造２００の製造方法の各ステップにおける中間構造の断面を示す模式図である。図３（ｇ）本発明の実施形態のキャリアボード配線構造２００の製造方法の各ステップにおける中間構造の断面を示す模式図である。図３（ｈ）本発明の実施形態のキャリアボード配線構造２００の製造方法の各ステップにおける中間構造の断面を示す模式図である。

【図3-3】図３（ｉ）本発明の実施形態のキャリアボード配線構造２００の製造方法の各ステップにおける中間構造の断面を示す模式図である。図３（ｊ）本発明の実施形態のキャリアボード配線構造２００の製造方法の各ステップにおける中間構造の断面を示す模式図である。図３（ｋ）本発明の実施形態のキャリアボード配線構造２００の製造方法の各ステップにおける中間構造の断面を示す模式図である。図３（ｌ）本発明の実施形態のキャリアボード配線構造２００の製造方法の各ステップにおける中間構造の断面を示す模式図である。図３（ｍ）本発明の実施形態のキャリアボード配線構造２００の製造方法の各ステップにおける中間構造の断面を示す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0025】

電子技術の急速な発展に伴い、各種の電子製品は、サイズがますます小さくなり、動作周波数もますます高くなり、帯電感知素子もサイズがますます小型化し、集積度がますます高まっている。

【0026】

従来技術では、埋め込み方法を用いて磁石付き配線の製造を実現し、例えば、必要に応じて、機械的ドリル加工、機械的ルータ加工及びレーザ切断の方法を使用して基板に穴を開け、詰め込みの方法を使用して基板の開口部に磁性材料を充填し、硬化した後、機械的研磨の方法を使用して、表面に突出した又は付着した余分なキャリアを除去し、必要な磁石を形成し、機械的ドリル又はレーザなどの加工方法を使用して磁石に第１貫通孔を形成し、詰め込みの方法を使用して第１貫通孔内に絶縁材料を充填し、同様の方法を使用して処理、研磨して、表面に突出した又は表面に付着した余分な絶縁体を除去し、引き続き、第２貫通孔を製造し、第２貫通孔に対して電気めっきを行って、磁石の内部導体を形成してから、第２貫通孔に絶縁体を充填して製造する。

【0027】

しかし、従来技術では、基板に磁石付き配線を完了する過程が複雑である。磁石を充填して基板の開口を製造し、磁石内に貫通孔を製造して絶縁層を充填し、絶縁体内に導体を製造し、再度絶縁体を充填し、貫通孔を複数回形成し、位置合わせ精度が高く、密集配線が実現できず、プロセスが複雑で、生産周期が長く、生産コストが高い。そして、磁石付き配線基板の製造において、複数回研磨するから、基板の膨張、収縮、変形が増加して、基板の品質と歩留まりに直接影響を与え、生産能力の負担が増加し、生産コストが高い。

【0028】

当該問題を解決するために、本発明は、フィルタリング機能を有する導電性基板の製造方法を提供し、コア層を用意し、コア層内に少なくとも１つの第１ビアホール及び少なくとも１つの第２ビアホールを形成するステップと、第１ビアホールの内壁及びコア層の表面に犠牲銅層を形成するとともに、第２ビアホールの内壁に金属層を形成するステップと、第１ビアホール内に金属ピラーを形成するステップと、コア層の下表面に金属ピラーの底端を覆う下部絶縁層を形成するとともに、第２ビアホール内に下部絶縁ピラーを形成するステップと、第１ビアホールの内壁と金属ピラーとの間に、軸方向に沿って金属ピラーを包む磁石を形成して、第１導電性ピラーを取得するステップと、コア層の上表面に、金属ピラーの頂端を覆う上部絶縁層を形成するとともに、第２ビアホール内に上部絶縁ピラーを形成し、上部絶縁ピラー及び下部絶縁ピラーが一緒に第２ビアホールを充填する絶縁ピラーを形成して、第２導電性ピラーを取得するステップと、上部絶縁層、下部絶縁層及び残っている犠牲銅ピラー層を除去するとともに、第１導電性ピラー及び第２導電性ピラーの端部をそれぞれ平坦に研磨して、取得するステップと、を含む。

【0029】

本発明では、磁石内部配線を行う時に絶縁層を追加する必要がなく、導電性ピラーの周囲に磁気空洞を直接形成して、磁石付き配線の密度を高め、高集積化、小型化、微細化の発展傾向に対応する。電気抵抗率が低く、熱伝導が高い混合金属材料を使用して磁石内の導電性ピラーを製造することにより、導電性ピラーの抵抗値を低下させ、磁石内の熱を迅速に導出することができ、磁石埋め込み製品の信頼性を向上させる。フィルタリング機能を有する導電性基板の製造方法により磁性基板の製造工程が短縮し、生産プロセスを簡素化し、生産歩留まりを向上させ、生産コストを低減する。

【0030】

図１を参照すると、フィルタリング機能を有する導電性基板１００の断面を示す模式図である。導電性基板１００は、コア層１０１を含み、通常、コア層１０１は、ポリイミド、エポキシ樹脂、ビスマレイミド／トリアジン樹脂、ポリフェニレンエーテル、ポリアクリレート、プリプレグ、フィルム状有機樹脂、又はそれらの組み合わせを含み得る。

【0031】

コア層１０１内に、それぞれ高さ方向に沿ってコア層を貫通する第１導電性ピラー層及び第２導電性ピラー層が設けられ、第１導電性ピラー層内の導電性ピラーは金属ピラー１０１５及び軸方向に沿って金属ピラー１０１５を包む磁石１０１９を含み、第１導電性ピラーはフィルタリング機能を有する。

【0032】

金属ピラー１０１５は、エッチング耐性があり、かつ、低電気抵抗率、高い熱伝導特性を有する混合金属、例えば銀の混合物又は金の混合物を含んでもよく、具体的には限定しない。

【0033】

通常、第１導電性ピラー層は、複数の導電性ピラーを含んでもよく、その断面サイズは同じであっても、異なってもよく、その断面形状は同じであっても、異なってもよい。好ましくは、第１導電性ピラー層断面の形状はいずれも円形であり、上下サイズが均一であり、フィルタリングにより優れ、磁石内の熱を導出することで、磁石埋め込み製品の信頼性を向上させる。

【0034】

第１導電性ピラー層の端部は、コア層１０１と同じ高さであっても、コア層１０１よりも高くてもよく、第１導電性ピラー層の端部がコア層１０１と同じ高さであることが好ましい。

【0035】

第２導電性ピラー層内の導電性ピラーは、絶縁ピラー１０２２及び軸方向に沿って絶縁ピラー１０２２を包む金属層１０１４を含み、ここで、絶縁ピラーは、バージン樹脂から選択されてもよいし、ガラス繊維を含む樹脂から選択されてもよい。

【0036】

通常、第２導電性ピラー層も、複数の導電性ピラーを含むことができ、その断面サイズは同じであっても、異なってもよく、その断面形状は同じであっても、異なってもよい。好ましくは、第２導電性ピラー層断面の形状はいずれも円形であり、上下のサイズが均一であり、安定した信号伝送により優れる。

【0037】

第２導電性ピラー層の端部は、コア層と同じ高さであってもよいし、コア層よりも高くてもよく、第２導電性ピラー層の端部がコア層と同じ高さであることが好ましい。

【0038】

図２を参照すると、キャリアボード配線構造２００の断面を示す模式図である。キャリアボード配線構造２００は、図１に示すフィルタリング機能を有する導電性基板１００を含み、さらに、導電性基板１００の第１側に位置する第１回路層２０１１と、導電性基板１００の第２側に位置する第２回路層３０１１とを含み、第１回路層２０１１と第２回路層３０１１とが、第１導電性ピラー層又は第２導電性ピラー層を介して導電的に接続される。

【0039】

第１回路層２０１１上に第１ビルドアップ層２０１が設けられ、第１ビルドアップ層２０１内に第１銅ピラー層２０１２が設けられ、第１ビルドアップ層２０１の表面上に第３回路層４０１１が設けられ、第１回路層２０１１と第３回路層４０１１とは第１銅ピラー層２０１２を介して導電的に接続される。

【0040】

第３回路層４０１１上に第３ビルドアップ層４０１が設けられ、第３ビルドアップ層４０１内に第３銅ピラー層４０１２が設けられ、第３ビルドアップ層４０１の表面上に第５回路層４０１３が設けられ、第３回路層４０１１と第５回路層４０１３とは第３銅ピラー層４０１２を介して導電的に接続される。

【0041】

第２回路層３０１１上に第２ビルドアップ層３０１が設けられ、第２ビルドアップ層３０１内に第２銅ピラー層３０１２が設けられ、第２ビルドアップ層３０１の表面上に第４回路層５０１１が設けられ、第２回路層３０１１と第４回路層５０１１とは第２銅ピラー層３０１２を介して導電的に接続される。

【0042】

第４回路層５０１１上に第４ビルドアップ層５０１が設けられ、第４ビルドアップ層５０１内に第４銅ピラー層５０１２が設けられ、第４ビルドアップ層５０１の表面上に第６回路層５０１３が設けられ、第４回路層５０１１と第６回路層５０１３とは第４銅ピラー層５０１２を介して導電的に接続される。

【0043】

第５回路層４０１３の外側に第１ソルダーレジスト層６０１が設けられ、第１ソルダーレジスト層６０１内に第１ソルダーレジスト窓６０１１が設けられ、第６回路層５０１３の外側に第２ソルダーレジスト層７０１が設けられ、第２ソルダーレジスト層７０１内に第２ソルダーレジスト窓７０１１が設けられている。

【0044】

図３（ａ）～３（ｍ）を参照すると、本発明の実施形態のキャリアボード配線構造２００の製造方法の各ステップにおける中間構造の断面を示す模式図である。

【0045】

前記製造方法は、下記のステップを含む。ステップ（ａ）、コア層１０１を用意し、コア層１０１内に、それぞれ高さ方向に沿ってコア層１０１を貫通する少なくとも１つの第１ビアホール１０１１及び少なくとも１つの第２ビアホール１０１２を形成し、図３（ａ）に示すとおりである。

【0046】

通常、コア層１０１は、両面銅張コアボードであってもよいし、両面銅フリーコアボードであってもよい。

【0047】

コア層１０１は、ポリイミド、エポキシ樹脂、ビスマレイミド／トリアジン樹脂、ポリフェニレンエーテル、ポリアクリレート、プリプレグ、フィルム状有機樹脂、又はそれらの組み合わせを含み得る。

【0048】

本実施形態に言及されたコア層は、両面銅張コアボードであってもよいし、両面銅フリーコアボードであってもよく、必要に応じて選択すればよい。両面銅フリーコアボードのみで後続のプロセスを示したが、当該方法が両面銅フリーコアボードのみに適用されると限定するものではない。

【0049】

次に、ステップ（ｂ）、第１ビアホール１０１１の内壁及びコア層１０１の表面に、それぞれ犠牲銅層１０１３を形成し、第２ビアホールの１０１２の内壁に金属層１０１４を形成し、図３（ｂ）に示すとおりである。

【0050】

通常、無電解めっき又はスパッタリングの方法を用いて、第１ビアホール１０１１の内壁、コア層１０１の表面及び第２ビアホール１０１２の内壁のそれぞれに、金属シード層を形成し、その後、それぞれ所望の銅厚さまで電気めっきを行って、犠牲銅層１０１３及び金属層１０１４を取得することができる。

【0051】

その後、ステップ（ｃ）、第１ビアホール１０１１内に金属ピラー１０１５を形成し、図３（ｃ）に示すとおりである。

【0052】

通常、エッチング耐性があり、かつ、低電気抵抗率、高い熱伝導特性を有する混合金属材料を選択して、金属ピラー１０１５を製造ことができ、混合金属材料は、銀の混合物又は金の混合物であってもよく、具体的には限定しない。

【0053】

本実施形態において、電気抵抗率が低く、熱伝導が高い混合金属材料を使用して磁石内の金属ピラーを製造することにより、金属ピラーの抵抗値を低下させ、磁石内の熱を迅速に導出でき、磁石埋め込み製品の信頼性を向上させる。

【0054】

本実施形態において、まず、シルク印刷の方法を使用して、第１ビアホール１０１１内に金属ピラー１０１５を形成し、その後硬化させ、最後に、金属ピラー１０１５の端部がコア層１０１と同じ高さになるように、ボードを機械的に研磨する。

【0055】

次に、ステップ（ｄ）、コア層１０１の上表面と下表面に、第１フォトレジスト層１０１６及び第２フォトレジスト層１０１７をそれぞれ施し、第２フォトレジスト層１０１７を露光・現像して第２特徴パターンを形成し、第２特徴パターンにおいて露出しているコア層１０１の下表面の犠牲銅層の一部をエッチングして、金属ピラー１０１５の底端を露出させ、図３（ｄ）に示すとおりである。

【0056】

通常、フィルムを貼るか又は塗布する方法により、フォトレジスト層を施すことができる。

【0057】

その後、ステップ（ｅ）、第１フォトレジスト層１０１６及び第２フォトレジスト層１０１７を除去し、コア層１０１の下表面に絶縁材料を積層して、金属ピラー１０１５の底端を覆う下部絶縁層１０２１ｂを形成するとともに、第２ビアホール１０１２内に下部絶縁ピラー１０２２ｂを形成し、図３（ｅ）に示すとおりである。

【0058】

通常、絶縁材料は、バージン樹脂から選択されてもよいし、ガラス繊維を含む樹脂から選択されてもよく、必要に応じて選択する。

【0059】

選択可能に、塗布又は圧着の方法により、絶縁材料を積層することができる。

【0060】

次に、ステップ（ｆ）、コア層１０１の上表面に第３フォトレジスト層１０１８を施し、第３フォトレジスト層１０１８を露光・現像して、第１ビアホール１０１１の頂端を露出する第３特徴パターンを形成し、第３特徴パターンにおいて、第１ビアホール１０１１の内壁の犠牲銅層をエッチングし、図３（ｆ）に示すとおりである。

【0061】

その後、ステップ（ｇ）、第３フォトレジスト層１０１８を除去し、第１ビアホール１０１１の内壁と金属ピラー１０１５との間に、軸方向に沿って金属ピラー１０１５を包む磁石１０１９を形成し、図３（ｇ）に示すとおりである。

【0062】

通常、シルク印刷の方法により、磁石１０１９を形成できる。

【0063】

本実施形態において、磁石内部配線に絶縁層を追加する必要がなく、金属ピラーの周囲に磁気空洞を直接形成して、磁石付き配線の密度を高め、高集積化、小型化、微細化の発展傾向に対応する。

【0064】

次に、ステップ（ｈ）、磁石１０１９及び金属ピラー１０１５を平坦に研磨して、第１導電性ピラー層を取得し、図３（ｈ）に示すとおりである。通常、第１導電性ピラー層の頂端は、犠牲銅層１０１３と同じ高さになり得る。

【0065】

その後、ステップ（ｉ）、コア層１０１の上表面と下表面に第４フォトレジスト層をそれぞれ施し、前記第４フォトレジスト層を露光・現像して第４特徴パターンを形成し、第４特徴パターンにおいて、露出しているコア層１０１の上表面の犠牲銅層の一部をエッチングして、第４フォトレジスト層を除去し、コア層１０１の上表面に絶縁材料を積層して、金属ピラー１０１５の頂端を覆う上部絶縁層１０２１ａを形成するとともに、第２ビアホール１０１２内に上部絶縁ピラーを形成し、上部絶縁ピラー及び下部絶縁ピラー１０２２ｂは一緒に第２ビアホール１０１２を充填する絶縁ピラー１０２２を形成し、金属層１０１４及び絶縁ピラー１０２２は一緒に第２導電性ピラー層を形成し、図３（ｉ）に示すとおりである。

【0066】

次に、ステップ（ｊ）、上部絶縁層１０２１ａ、下部絶縁層１０２１ｂ及びコア層１０１の上表面と下表面に残っている犠牲銅ピラー層を除去するとともに、第１導電性ピラー層及び第２導電性ピラー層の端部をそれぞれ平坦に研磨し、第１導電性ピラー層の端部及び第２導電性ピラー層の端部は、それぞれコア層１０１と同じ高さになり、フィルタリング機能を有する導電性基板１００を取得し、図３（ｊ）に示すとおりである。

【0067】

通常、ボードを機械的に研磨することにより、上部絶縁層１０２１ａ、下部絶縁層１０２１ｂ及びコア層１０１の上表面と下表面に残っている犠牲銅ピラー層を除去することができる。

【0068】

本実施形態において、導電性基板を製造すると、磁性基板の製造工程を短縮し、生産プロセスを簡素化し、生産歩留まりを向上させ、生産コストを低減する。

【0069】

その後、ステップ（ｋ）、導電性基板１００の上表面と下表面に第１回路層２０１１及び第２回路層３０１１をそれぞれ形成し、第１回路層２０１１と第２回路層３０１１とが第１導電性ピラー層又は第２導電性ピラー層を介して導電的に接続されて、フィルタリング機能を有する基板配線構造を取得し、図３（ｋ）に示すとおりである。

【0070】

通常、
導電性基板１００の上表面と下表面に、第１金属シード層及び第２金属シード層をそれぞれ形成するステップと、
第１金属シード層及び第２金属シード層に、第５フォトレジスト層及び第６フォトレジスト層をそれぞれ施し、露光・現像して第５特徴パターン及び第６特徴パターンを形成するステップと、
第５特徴パターン及び第６特徴パターンにおいて、それぞれ電気めっきして第１回路層２０１１及び第２回路層３０１１を形成するステップと、
第５フォトレジスト層及び第６フォトレジスト層を除去するとともに、露出している第１金属シード層及び第２金属シード層をエッチングするステップとにより製造できる。

【0071】

次に、ステップ（ｌ）、第１回路層２０１１及び第２回路層３０１１に第１ビルドアップ層２０１及び第２ビルドアップ層３０１をそれぞれ形成し、第１ビルドアップ層２０１内及び第２ビルドアップ層３０１内に第１銅ピラー層２０１２及び第２銅ピラー層３０１２をそれぞれ形成し、かつ、第１ビルドアップ層２０１及び第２ビルドアップ層３０１の表面に第３回路層４０１１及び第４回路層５０１１をそれぞれ形成し、第１回路層２０１１と第３回路層４０１１とは第１銅ピラー層２０１２を介して導電的に接続され、第２回路層３０１１と第４回路層５０１１とは第２銅ピラー層３０１２を介して導電的に接続され、図３（ｌ）に示すとおりである。

【0072】

通常、ビルドアップ層内にレーザで穴を開ける→ビルドアップ層の表面及び穴の側壁及び下部にシード層を製造する→シード層にフォトレジスト層を施す→露光・現像して特徴パターンを形成する→特徴パターンにおいて電気めっきして回路層及び銅ピラー層を形成する→フォトレジスト層を除去するとともに、露出しているシード層をエッチングするプロセスにより、ビルドアップ層、ビルドアップ層内に位置する銅ピラー層、及びビルドアップ層の表面に位置する回路層を製造できる。

【0073】

最後に、ステップ（ｍ）、第３回路層４０１１及び第４回路層５０１１に第３ビルドアップ層４０１及び第４ビルドアップ層５０１をそれぞれ形成し、第３ビルドアップ層４０１内及び第４ビルドアップ層５０１に第３銅ピラー層４０１２及び第４銅ピラー層５０１２をそれぞれ形成し、かつ、第３ビルドアップ層４０１及び第４ビルドアップ層５０１の表面に第５回路層４０１３及び第６回路層５０１３をそれぞれ形成し、第３回路層４０１１と第５回路層４０１３とは第３銅ピラー層４０１２を介して導電的に接続され、第４回路層５０１１と第６回路層５０１３とは第４銅ピラー層５０１２を介して導電的に接続され、第３ビルドアップ層４０１の外側に第１ソルダーレジスト層６０１を形成するとともに、第１ソルダーレジスト層６０１内に第１ソルダーレジスト窓６０１１を形成し、第４ビルドアップ層５０１の外側に第２ソルダーレジスト層７０１を形成するとともに、第２ソルダーレジスト層７０１内に第２ソルダーレジスト窓７０１１を形成して、キャリアボード配線構造２００を取得し、図３（ｍ）に示すとおりである。

【0074】

当業者は、本発明は本明細書において具体的に図示及び説明された内容に限定されないことを認識するであろう。そして、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によって限定され、以上で説明した各技術的特徴の組み合わせ及びサブ組み合わせ、並びにそれらの変形と改良を含み、当業者は、上記の説明を読んだ後、このような組み合わせ、変形及び改良を想到することができるだろう。

【0075】

特許請求の範囲において、用語「含む」及びその変形、例えば「備える」、「含有」等は、列挙された要素を含み、ただし他の要素を排除しないことを意味する。

【符号の説明】

【0076】

１００：導電性基板
１０１：コア層
１０１１：第１ビアホール
１０１２：第２ビアホール
１０１３：犠牲銅層
１０１４：金属層
１０１４：金属層
１０１５：金属ピラー
１０１６：第１フォトレジスト層
１０１７：第２フォトレジスト層
１０１８：第３フォトレジスト層
１０１９：磁石
１０２１ａ：上部絶縁層
１０２１ｂ：下部絶縁層
１０２２：絶縁ピラー
１０２２ｂ：下部絶縁ピラー
２００：キャリアボード配線構造
２０１：第１ビルドアップ層
２０１１：第１回路層
２０１２：第１銅ピラー層
３０１：第２ビルドアップ層
３０１１：第２回路層
３０１２：第２銅ピラー層
４０１：第３ビルドアップ層
４０１１：第３回路層
４０１２：第３銅ピラー層
４０１３：第５回路層
５０１：第４ビルドアップ層
５０１１：第４回路層
５０１２：第４銅ピラー層
５０１３：第６回路層
６０１：第１ソルダーレジスト層
６０１１：第１ソルダーレジスト窓
７０１：第２ソルダーレジスト層
７０１１：第２ソルダーレジスト窓

【図1】

【図2】

【図3-1】

【図3-2】

【図3-3】