(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023144424
(43)【公開日】2023-10-11
(54)【発明の名称】基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20231003BHJP
H01L 21/027 20060101ALI20231003BHJP
H05H 1/24 20060101ALI20231003BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 645C
H01L21/304 643A
H01L21/30 572
H05H1/24
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022051391
(22)【出願日】2022-03-28
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(72)【発明者】
【氏名】竹市 弥生
(72)【発明者】
【氏名】堀越 章
【テーマコード（参考）】
2G084
5F146
5F157
【Ｆターム（参考）】
2G084AA02
2G084AA03
2G084BB07
2G084BB11
2G084BB12
2G084CC19
2G084CC34
2G084DD12
2G084DD22
2G084DD25
2G084DD32
2G084DD66
2G084DD67
5F146MA02
5F146MA10
5F146MA12
5F157AB02
5F157AB13
5F157AB33
5F157AB49
5F157AB51
5F157AB64
5F157AB90
5F157BB22
5F157BB64
5F157BG32
5F157BG39
5F157BG63
5F157BG72
5F157BG75
5F157CF22
5F157CF46
5F157CF48
5F157DB02
(57)【要約】
【課題】プラズマ処理中に基板の上面における液膜を保持する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を水平に保持する基板保持部と、先端から処理液を吐出して、基板の上面の中心領域に処理液を供給する処理液ノズルと、基板保持部に保持された基板の上方の位置で、水平方向に配列された棒状の複数の第１の電極部材と、基板保持部に保持された基板の上方の位置で、平面視で複数の第１の電極部材と交互になる位置関係で水平方向に配列された棒状の複数の第２の電極部材と、複数の第１の電極部材と複数の第２の電極部材とに電気的に接続され、複数の第１の電極部材と複数の第２の電極部材とに電力を供給する交流電源とを備えるプラズマ発生装置と、を備え、複数の第１の電極部材のうちの少なくとも一つの電極部材は、処理液ノズルとの干渉を回避する迂回部を有する変形電極部材で構成される。
【選択図】図３
【解決手段】基板処理装置は、基板を水平に保持する基板保持部と、先端から処理液を吐出して、基板の上面の中心領域に処理液を供給する処理液ノズルと、基板保持部に保持された基板の上方の位置で、水平方向に配列された棒状の複数の第１の電極部材と、基板保持部に保持された基板の上方の位置で、平面視で複数の第１の電極部材と交互になる位置関係で水平方向に配列された棒状の複数の第２の電極部材と、複数の第１の電極部材と複数の第２の電極部材とに電気的に接続され、複数の第１の電極部材と複数の第２の電極部材とに電力を供給する交流電源とを備えるプラズマ発生装置と、を備え、複数の第１の電極部材のうちの少なくとも一つの電極部材は、処理液ノズルとの干渉を回避する迂回部を有する変形電極部材で構成される。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を水平に保持する基板保持部と、
先端から処理液を吐出して、前記基板の上面の中心領域に前記処理液を供給する処理液ノズルと、
前記基板保持部に保持された基板の上方の位置で、水平方向に配列された棒状の複数の第１の電極部材と、前記基板保持部に保持された基板の上方の位置で、平面視で前記複数の第１の電極部材と交互になる位置関係で水平方向に配列された棒状の複数の第２の電極部材と、前記複数の第１の電極部材と前記複数の第２の電極部材とに電気的に接続され、前記複数の第１の電極部材と前記複数の第２の電極部材とに電力を供給する交流電源とを備えるプラズマ発生装置と、を備え、
前記複数の第１の電極部材のうちの少なくとも一つの電極部材は、前記処理液ノズルとの干渉を回避する迂回部を有する変形電極部材で構成される、基板処理装置。
先端から処理液を吐出して、前記基板の上面の中心領域に前記処理液を供給する処理液ノズルと、
前記基板保持部に保持された基板の上方の位置で、水平方向に配列された棒状の複数の第１の電極部材と、前記基板保持部に保持された基板の上方の位置で、平面視で前記複数の第１の電極部材と交互になる位置関係で水平方向に配列された棒状の複数の第２の電極部材と、前記複数の第１の電極部材と前記複数の第２の電極部材とに電気的に接続され、前記複数の第１の電極部材と前記複数の第２の電極部材とに電力を供給する交流電源とを備えるプラズマ発生装置と、を備え、
前記複数の第１の電極部材のうちの少なくとも一つの電極部材は、前記処理液ノズルとの干渉を回避する迂回部を有する変形電極部材で構成される、基板処理装置。
【請求項2】
請求項１に記載の基板処理装置であり、
前記変形電極部材は、平面視で前記複数の第１の電極部材の内の前記基板の中心に最も近い電極部材であり、当該変形電極部材の前記迂回部が平面視で前記基板の中心から外れた位置に位置するように配置される、基板処理装置。
前記変形電極部材は、平面視で前記複数の第１の電極部材の内の前記基板の中心に最も近い電極部材であり、当該変形電極部材の前記迂回部が平面視で前記基板の中心から外れた位置に位置するように配置される、基板処理装置。
【請求項3】
請求項２に記載の基板処理装置であり、
前記変形電極部材は、両端部が直線状の棒状からなり、前記迂回部は、前記両端部の間の位置で上方に迂回した形状である、基板処理装置。
前記変形電極部材は、両端部が直線状の棒状からなり、前記迂回部は、前記両端部の間の位置で上方に迂回した形状である、基板処理装置。
【請求項4】
請求項１から３のうちのいずれかに記載の基板処理装置であり、
誘電体からなり、前記基板の上面を上方から覆う、第１の板状部材をさらに備え、
前記複数の第１の電極部材は、前記第１の板状部材の一方主面側に配列され、
前記複数の第２の電極部材は、前記第１の板状部材の他方主面側に配列され、
前記第１の板状部材には、前記処理液ノズルによる前記基板の上面への前記処理液の供給を許容する第１の貫通孔が形成される、基板処理装置。
誘電体からなり、前記基板の上面を上方から覆う、第１の板状部材をさらに備え、
前記複数の第１の電極部材は、前記第１の板状部材の一方主面側に配列され、
前記複数の第２の電極部材は、前記第１の板状部材の他方主面側に配列され、
前記第１の板状部材には、前記処理液ノズルによる前記基板の上面への前記処理液の供給を許容する第１の貫通孔が形成される、基板処理装置。
【請求項5】
請求項４に記載の基板処理装置であり、
誘電体からなり、前記第１の板状部材の一方主面側に位置して、前記変形電極部材の前記迂回部と前記処理液ノズルとを内部に収容する絶縁部材と、
誘電体からなり、前記複数の第１の電極部材の各々と前記複数の第２の電極部材の各々を取り囲む複数の誘電管と、をさらに備えた、
基板処理装置。
誘電体からなり、前記第１の板状部材の一方主面側に位置して、前記変形電極部材の前記迂回部と前記処理液ノズルとを内部に収容する絶縁部材と、
誘電体からなり、前記複数の第１の電極部材の各々と前記複数の第２の電極部材の各々を取り囲む複数の誘電管と、をさらに備えた、
基板処理装置。
【請求項6】
請求項５に記載の基板処理装置であり、
前記絶縁部材は前記迂回部と前記処理液ノズルを囲う、基板処理装置。
前記絶縁部材は前記迂回部と前記処理液ノズルを囲う、基板処理装置。
【請求項7】
請求項１から３のうちのいずれかに記載の基板処理装置であり、
誘電体からなり、前記基板の上面を上方から覆う第２の板状部材をさらに備え、
前記第２の板状部材は、前記複数の第１の電極部材の各々と前記複数の第２の電極部材の各々とを収容する複数の収容穴と、前記処理液ノズルによる前記基板の上面への前記処理液の供給を許容する第２の貫通孔とが形成された、基板処理装置。
誘電体からなり、前記基板の上面を上方から覆う第２の板状部材をさらに備え、
前記第２の板状部材は、前記複数の第１の電極部材の各々と前記複数の第２の電極部材の各々とを収容する複数の収容穴と、前記処理液ノズルによる前記基板の上面への前記処理液の供給を許容する第２の貫通孔とが形成された、基板処理装置。
【請求項8】
請求項７に記載の基板処理装置であり、
前記第２の板状部材は、前記迂回部の迂回する方向に沿って前記迂回部を囲う、基板処理装置。
前記第２の板状部材は、前記迂回部の迂回する方向に沿って前記迂回部を囲う、基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願明細書に開示される技術は、基板処理技術に関するものである。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置などのｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ（ＦＰＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、セラミック基板、電界放出ディスプレイ（ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｉｓｐｌａｙ、すなわち、ＦＥＤ）用基板、または、太陽電池用基板などが含まれる。
【背景技術】
【0002】
従来から、基板の上面に形成されたレジストを除去する技術が提案されている。たとえば、特許文献１には、基板の上面に硫酸および過酸化水素水の混合液を供給して、当該混合液中で生成されるカロ酸を用いて、基板の上面に形成されたレジストを除去する技術が開示されている。
【0003】
一方で、上記の技術よりも環境負荷が小さい代替技術として、特許文献２には、大気圧プラズマで活性種を発生させ、その活性種を基板の上面を覆う液膜に溶け込ませることで生じるカロ酸によってレジスト膜を剥離する技術が開示されている。当該技術によれば、過酸化水素水を用いずにレジストを除去することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０２０－８８２０８号公報
【特許文献2】特開２０２０－４５６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
上記のように、活性種を液膜に溶け込ませてカロ酸を生じさせる場合、基板の上面における液膜の膜厚が薄いほど、その表面で生じるカロ酸が基板に到達しやすくなる。そのため、レジスト剥離の効果が高くなる。
【0006】
一方で、基板の上面における液膜の膜厚が薄いと、プラズマ処理中の昇温によって液膜を形成する硫酸などが蒸発しやすくなる。液膜が蒸発してしまうと、レジスト剥離の効果が得られず、また、蒸発後に残留するレジスト残渣が基板に付着して除去が困難になる場合がある。
【0007】
本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を鑑みてなされたものであり、プラズマ処理中に基板の上面における液膜を保持するための技術である。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本願明細書に開示される技術の第１の態様である基板処理装置は、基板を水平に保持する基板保持部と、先端から処理液を吐出して、前記基板の上面の中心領域に前記処理液を供給する処理液ノズルと、前記基板保持部に保持された基板の上方の位置で、水平方向に配列された棒状の複数の第１の電極部材と、前記基板保持部に保持された基板の上方の位置で、平面視で前記複数の第１の電極部材と交互になる位置関係で水平方向に配列された棒状の複数の第２の電極部材と、前記複数の第１の電極部材と前記複数の第２の電極部材とに電気的に接続され、前記複数の第１の電極部材と前記複数の第２の電極部材とに電力を供給する交流電源とを備えるプラズマ発生装置と、を備え、前記複数の第１の電極部材のうちの少なくとも一つの電極部材は、前記処理液ノズルとの干渉を回避する迂回部を有する変形電極部材で構成される。
【0009】
第１の態様の基板処理装置によれば、基板へのプラズマ処理中に処理液ノズルから基板に処理液を吐出することができる。このため、基板の上面において液膜を効果的に保持することができる。
【0010】
本願明細書に開示される技術の第２の態様である基板処理装置は、第１の態様である基板処理装置に関連し、前記変形電極部材は、平面視で前記複数の第１の電極部材の内の前記基板の中心に最も近い電極部材であり、当該変形電極部材の前記迂回部が平面視で前記基板の中心から外れた位置に位置するように配置される。
【0011】
第２の態様の基板処理装置によれば、プラズマ発生装置が処理位置に位置する時に、プラズマの発生が抑制される領域が、基板の中心位置とは重ならない。また、基板の上面に対するプラズマ処理の均一性を高めることができる。
【0012】
本願明細書に開示される技術の第３の態様である基板処理装置は、第２の態様である基板処理装置に関連し、前記変形電極部材は、両端部が直線状の棒状からなり、前記迂回部は、前記両端部の間の位置で上方に迂回した形状である。
【0013】
第３の態様の基板処理装置によれば、プラズマ処理中に処理液ノズルから基板に処理液を吐出することを一層良好に行うことができる。
【0014】
本願明細書に開示される技術の第４の態様である基板処理装置は、第１から３のうちのいずれか１つの態様である基板処理装置に関連し、誘電体からなり、前記基板の上面を上方から覆う、第１の板状部材をさらに備え、前記複数の第１の電極部材は、前記第１の板状部材の一方主面側に配列され、前記複数の第２の電極部材は、前記第１の板状部材の他方主面側に配列され、前記第１の板状部材には、前記処理液ノズルによる前記基板の上面への前記処理液の供給を許容する第１の貫通孔が形成される。
【0015】
本願明細書に開示される技術の第５の態様である基板処理装置は、第４の態様である基板処理装置に関連し、誘電体からなり、前記第１の板状部材の一方主面側に位置して、前記変形電極部材の前記迂回部と前記処理液ノズルとを内部に収容する絶縁部材と、誘電体からなり、前記複数の第１の電極部材の各々と前記複数の第２の電極部材の各々を取り囲む複数の誘電管と、をさらに備える。
【0016】
本願明細書に開示される技術の第６の態様である基板処理装置は、第５の態様である基板処理装置に関連し、前記絶縁部材は前記迂回部と前記処理液ノズルを囲う。
【0017】
第６の態様の基板処理装置によれば、アーキングの発生を一層防止できる。
【0018】
本願明細書に開示される技術の第７の態様である基板処理装置は、第１から３のうちのいずれか１つの態様である基板処理装置に関連し、誘電体からなり、前記基板の上面を上方から覆う第２の板状部材をさらに備え、前記第２の板状部材は、前記複数の第１の電極部材の各々と前記複数の第２の電極部材の各々とを収容する複数の収容穴と、前記処理液ノズルによる前記基板の上面への前記処理液の供給を許容する第２の貫通孔とが形成される。
【0019】
本願明細書に開示される技術の第８の態様である基板処理装置は、第７の態様である基板処理装置に関連し、前記第２の板状部材は、前記迂回部の迂回する方向に沿って前記迂回部を囲う。
【発明の効果】
【0020】
本願明細書に開示される技術の少なくとも第１の態様によれば、プラズマ処理中に処理液ノズルから基板に処理液を吐出することができるため、基板の上面において液膜を効果的に保持することができる。
【0021】
また、本願明細書に開示される技術に関連する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。
【図面の簡単な説明】
【0022】
【図1】本実施の形態に関する基板処理システムの構成の例を概略的に示す平面図である。
【図3】本実施の形態における基板処理装置の構成の例を概略的に示す側面図である。
【図4】プラズマ発生部の構成の例を示す平面図である。
【図5】プラズマ発生部の構成の例を示す断面図である。
【図6】基板処理装置の動作の例を示すフローチャートである。
【図7】実施の形態に関する基板処理装置の動作を説明するための図である。
【図8】本実施の形態における基板処理装置の構成の例を概略的に示す側面図である。
【図9】プラズマ発生部の構成の例を示す平面図である。
【図10】プラズマ発生部の構成の例を示す断面図である。
【図11】実施の形態に関する基板処理装置の動作を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【0023】
以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の実施の形態では、技術の説明のために詳細な特徴なども示されるが、それらは例示であり、実施の形態が実施可能となるためにそれらすべてが必ずしも必須の特徴ではない。
【0024】
なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化などが図面においてなされるものである。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、断面図ではない平面図などの図面においても、実施の形態の内容を理解することを容易にするために、ハッチングが付される場合がある。
【0025】
また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。
【0026】
また、本願明細書に記載される説明において、ある構成要素を「備える」、「含む」または「有する」などと記載される場合、特に断らない限りは、他の構成要素の存在を除外する排他的な表現ではない。
【0027】
また、本願明細書に記載される説明において、「第１の」または「第２の」などの序数が使われる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上使われるものであり、実施の形態の内容はこれらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。
【0028】
また、本願明細書に記載される説明において、「…軸正方向」または「…軸負方向」などの表現は、図示される…軸の矢印に沿う方向を正方向とし、図示される…軸の矢印とは反対側の方向を負方向とするものである。
【0029】
また、本願明細書に記載される説明における、相対的または絶対的な位置関係を示す表現、たとえば、「一方向に」、「一方向に沿って」、「平行」、「直交」、「中心」、「同心」または「同軸」などは、特に断らない限りは、その位置関係を厳密に示す場合と、公差または同程度の機能が得られる範囲において角度または距離が変位している場合とを含むものとする。
【0030】
また、本願明細書に記載される説明において、等しい状態であることを示す表現、たとえば、「同一」、「等しい」、「均一」または「均質」などは、特に断らない限りは、厳密に等しい状態であることを示す場合と、公差または同程度の機能が得られる範囲において差が生じている場合とを含むものとする。
【0031】
また、本願明細書に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置または方向を意味する用語が使われる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上使われるものであり、実施の形態が実際に実施される際の位置または方向とは関係しないものである。
【0032】
また、本願明細書に記載される説明において、「…の上面」または「…の下面」などと記載される場合、対象となる構成要素の上面自体または下面自体に加えて、対象となる構成要素の上面または下面に他の構成要素が形成された状態も含むものとする。すなわち、たとえば、「Ａの上面に設けられるＢ」と記載される場合、ＡとＢとの間に別の構成要素「Ｃ」が介在することを妨げるものではない。
【0033】
＜第１の実施の形態＞
以下、本実施の形態に関する基板処理装置について説明する。
以下、本実施の形態に関する基板処理装置について説明する。
【0034】
＜基板処理システムの構成について＞
図１は、本実施の形態に関する基板処理システム１の構成の例を概略的に示す平面図である。基板処理システム１は、ロードポート４００と、インデクサロボット４０２と、センターロボット４０６と、制御部９０と、少なくとも１つの基板処理装置１００（図１においては４つの基板処理装置）とを備える。
図１は、本実施の形態に関する基板処理システム１の構成の例を概略的に示す平面図である。基板処理システム１は、ロードポート４００と、インデクサロボット４０２と、センターロボット４０６と、制御部９０と、少なくとも１つの基板処理装置１００（図１においては４つの基板処理装置）とを備える。
【0035】
それぞれの基板処理装置１００は、基板Ｗ（ウエハ）を処理するためのものである。基板処理装置は、基板処理に用いることができる枚葉式の装置であり、具体的には、基板Ｗに付着している有機物を除去する処理、または、基板Ｗにおける金属エッチングなどを行う装置である。基板Ｗに付着している有機物は、たとえば、使用済のレジスト膜である。当該レジスト膜は、たとえば、イオン注入工程用の注入マスクとして用いられたものである。
【0036】
なお、基板処理装置１００は、チャンバ８０を有することができる。その場合、チャンバ８０内の雰囲気を制御部９０によって制御することで、基板処理装置１００は、所望の雰囲気中における処理を行うことができる。
【0037】
制御部９０は、基板処理システム１におけるそれぞれの構成の動作を制御することができる。キャリアＣは、基板Ｗを収容する収容器である。また、ロードポート４００は、複数のキャリアＣを保持する収容器保持機構である。インデクサロボット４０２は、ロードポート４００と基板載置部４０４との間で基板Ｗを搬送することができる。センターロボット４０６は、基板載置部４０４および基板処理装置１００間で基板Ｗを搬送することができる。
【0038】
インデクサロボット４０２、基板載置部４０４およびセンターロボット４０６は、それぞれの基板処理装置１００とロードポート４００との間で基板Ｗを搬送する。
【0039】
未処理の基板ＷはキャリアＣからインデクサロボット４０２によって取り出される。そして、未処理の基板Ｗは、基板載置部４０４を介してセンターロボット４０６に受け渡される。
【0040】
センターロボット４０６は、当該未処理の基板Ｗを基板処理装置１００に搬入する。そして、基板処理装置１００は基板Ｗに対して処理を行う。
【0041】
基板処理装置１００において処理済みの基板Ｗは、センターロボット４０６によって基板処理装置１００から取り出される。そして、処理済みの基板Ｗは、必要に応じて他の基板処理装置１００を経由した後、基板載置部４０４を介してインデクサロボット４０２に受け渡される。インデクサロボット４０２は、処理済みの基板ＷをキャリアＣに搬入する。以上によって、基板Ｗに対する処理が行われる。
【0042】
図２は、図１に示された制御部９０の構成の例を概念的に示す図である。制御部９０は、電気回路を有する一般的なコンピュータによって構成されていてよい。具体的には、制御部９０は、中央演算処理装置（ｃｅｎｔｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ、すなわち、ＣＰＵ）９１、リードオンリーメモリー（ｒｅａｄ ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ、すなわち、ＲＯＭ）９２、ランダムアクセスメモリー（ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ、すなわち、ＲＡＭ）９３、記憶装置９４、入力部９６、表示部９７および通信部９８と、これらを相互に接続するバスライン９５とを備える。
【0043】
ＲＯＭ９２は基本プログラムを格納している。ＲＡＭ９３は、ＣＰＵ９１が所定の処理を行う際の作業領域として用いられる。記憶装置９４は、フラッシュメモリまたはハードディスク装置などの不揮発性記憶装置によって構成されている。入力部９６は、各種スイッチまたはタッチパネルなどによって構成されており、オペレータから処理レシピなどの入力設定指示を受ける。表示部９７は、たとえば、液晶表示装置およびランプなどによって構成されており、ＣＰＵ９１の制御の下、各種の情報を表示する。通信部９８は、ｌｏｃａｌ ａｒｅａ ｎｅｔｗｏｒｋ（ＬＡＮ）などを介してのデータ通信機能を有する。
【0044】
記憶装置９４には、図１の基板処理システム１におけるそれぞれの構成の制御についての複数のモードがあらかじめ設定されている。ＣＰＵ９１が処理プログラム９４Ｐを実行することによって、上記の複数のモードのうちの１つのモードが選択され、当該モードでそれぞれの構成が制御される。なお、処理プログラム９４Ｐは、記録媒体に記憶されていてもよい。この記録媒体を用いれば、制御部９０に処理プログラム９４Ｐをインストールすることができる。また、制御部９０が実行する機能の一部または全部は、必ずしもソフトウェアによって実現される必要はなく、専用の論理回路などのハードウェアによって実現されてもよい。
【0045】
【0046】
なお、図３に示される構成は、図１におけるチャンバ８０に囲まれていてよい。また、チャンバ８０内の圧力は、およそ大気圧（たとえば、０．５気圧以上、かつ、２気圧以下）である。言い換えれば、後述するプラズマ処理は、大気圧で行われる大気圧プラズマ処理である。
【0047】
基板処理装置１００は、１枚の基板Ｗを略水平姿勢で保持しつつ、基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ｚ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック１０と、基板Ｗの回転軸線Ｚ１まわりにスピンチャック１０を取り囲む筒状の処理カップ１２と、プラズマ発生機構５５とを備える。
【0048】
プラズマ発生機構５５は、基板Ｗの上方に基板Ｗ全体を覆うように配置され、かつ、大気圧下でプラズマを生じさせる大気圧プラズマ源としてのプラズマ発生部３０と、プラズマ発生部３０に交流電圧を印加する交流電源４０と、基板Ｗに処理液を吐出する処理液ノズル２０と、処理液ノズル２０に処理液を供給する処理液供給源２９と、処理液供給源２９から処理液ノズル２０への処理液の供給および供給停止を切り替えるバルブ２５と、プラズマ発生部３０および処理液ノズル２０を支持する支持部６０と、支持部６０を待機位置と処理位置との間で移動させるプラズマ移動機構７０とを備える。支持部６０が待機位置と処理位置との間で移動すると、プラズマ発生部３０および処理液ノズル２０もまた、待機位置と処理位置との間で移動する。
【0049】
ここで、待機位置とは、プラズマ発生部３０が、スピンチャック１０に保持されている基板Ｗに対してプラズマ処理をしない位置である。待機位置とは、例えば、プラズマ発生部３０で発生されるプラズマが基板Ｗに作用しない程度に、プラズマ発生部３０と基板Ｗとの距離が十分に大きくなる位置である（例えば、図３）。一方、処理位置とは、プラズマ発生部３０が、スピンチャック１０に保持されている基板Ｗに対してプラズマ処理をする位置である。処理位置とは、例えば、プラズマ処理に必要な量の活性種を基板Ｗに作用させることができる程度に、プラズマ発生部３０と基板Ｗとの距離が十分に小さい位置である（例えば、図７）。
【0050】
ここで、処理液には、基板処理装置１００における基板処理の用途に応じてさまざまな液を用いることができる。たとえば、エッチング液として、塩酸、フッ酸、リン酸、硝酸、硫酸、硫酸塩、ペルオキソ硫酸、ペルオキソ硫酸塩、過酸化水素水、水酸化テトラメチルアンモニウムまたはアンモニアと過酸化水素水との混合液（ＳＣ１）などを含む液を用いることができる。また、洗浄液として、アンモニアと過酸化水素水との混合液（ＳＣ１）、または、塩酸と過酸化水素水との混合水溶液（ＳＣ２）などを含む液を用いることができる。また、洗浄液およびリンス液として脱イオン水（ＤＩＷ）を用いることができる。
【0051】
本実施の形態においては、主に、基板Ｗの上面に形成されたレジスト膜を除去するための処理が説明される。この場合には、処理液としては、硫酸、硫酸塩、ペルオキソ硫酸およびペルオキソ硫酸塩のうちの少なくとも１つを含む液、または、過酸化水素を含む液などが想定される。
【0052】
処理液ノズル２０は、複数種の処理液が想定される場合には、それぞれの処理液に対応して複数設けられていてもよい。処理液ノズル２０は、基板Ｗの上面に処理液の液膜が形成されるように、基板Ｗに処理液を供給する。処理液ノズル２０は、後述する板状部材３０Ａの貫通孔３３０と絶縁部材３０Ｉの貫通孔３５０に挿通されることにより、プラズマ発生部３０を貫通するように設けられる。
【0053】
スピンチャック１０は、略水平姿勢の基板Ｗの下面を真空吸着する円板状のスピンベース１０Ａと、スピンベース１０Ａの中央部から下方に延びる回転軸１０Ｃと、回転軸１０Ｃを回転させることによって、スピンベース１０Ａに吸着されている基板Ｗを回転させるスピンモータ１０Ｄとを備える。なお、スピンチャック１０の代わりに、スピンベースの上面外周部から上方に突出する複数のチャックピンを備え、当該チャックピンによって基板Ｗの周縁部を挟持する挟持式のチャックが用いられてもよい。
【0054】
＜プラズマ発生部３０について＞
プラズマ発生部３０は、石英などの誘電体からなる板状部材３０Ａと、板状部材３０Ａの上面側において櫛形状に配置される複数の電極棒３０Ｂと、板状部材３０Ａの下面側において櫛形状に配置される複数の電極棒３０Ｃと、樹脂（たとえば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ））またはセラミックスなどからなり、かつ、複数の電極棒３０Ｂおよび複数の電極棒３０Ｃを一端において保持する保持部３０Ｄと、石英などの誘電体からなり、かつ、それぞれの電極棒３０Ｂを取り囲む誘電管３０Ｅと、石英などの誘電体からなり、かつ、それぞれの電極棒３０Ｃを取り囲む誘電管３０Ｆと、複数の電極棒３０Ｂに共通して接続される、アルミニウムなどからなる集合電極３０Ｇと、複数の電極棒３０Ｃに共通して接続される、アルミニウムなどからなる集合電極３０Ｈと、石英などの誘電体からなる絶縁部材３０Ｉを備える。集合電極３０Ｇと集合電極３０Ｈとは、たとえば、合わせて平面視で円形状となるように配置され、当該円内に、複数の電極棒３０Ｂおよび複数の電極棒３０Ｃが収容される。
プラズマ発生部３０は、石英などの誘電体からなる板状部材３０Ａと、板状部材３０Ａの上面側において櫛形状に配置される複数の電極棒３０Ｂと、板状部材３０Ａの下面側において櫛形状に配置される複数の電極棒３０Ｃと、樹脂（たとえば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ））またはセラミックスなどからなり、かつ、複数の電極棒３０Ｂおよび複数の電極棒３０Ｃを一端において保持する保持部３０Ｄと、石英などの誘電体からなり、かつ、それぞれの電極棒３０Ｂを取り囲む誘電管３０Ｅと、石英などの誘電体からなり、かつ、それぞれの電極棒３０Ｃを取り囲む誘電管３０Ｆと、複数の電極棒３０Ｂに共通して接続される、アルミニウムなどからなる集合電極３０Ｇと、複数の電極棒３０Ｃに共通して接続される、アルミニウムなどからなる集合電極３０Ｈと、石英などの誘電体からなる絶縁部材３０Ｉを備える。集合電極３０Ｇと集合電極３０Ｈとは、たとえば、合わせて平面視で円形状となるように配置され、当該円内に、複数の電極棒３０Ｂおよび複数の電極棒３０Ｃが収容される。
【0055】
板状部材３０Ａは、平面視で基板Ｗよりも大径の円形状に構成され、プラズマ発生部３０が処理位置に位置する時に、基板Ｗの上面を上方から覆う。板状部材３０Ａには、平面視で基板Ｗの中心Ｗ１からＹ方向に、電極棒３０Ｂと電極棒３０Ｃの間の距離（１ピッチ分の距離）だけずれた位置に、その中心が位置するように貫通孔３３０が形成される。貫通孔３３０は、絶縁部材３０Ｉが貫通可能に形成される。貫通孔３３０は、後述する電極棒３０ＢＨの迂回部３０２Ｃと、平面視で重なる位置に形成される。貫通孔３３０は、処理液ノズルによる基板Ｗの上面への処理液１０１の供給を許容する。
【0056】
複数の電極棒３０Ｂは、少なくとも一つの電極棒が他の電極棒とは形状が異なる電極棒３０ＢＨから構成される。複数の電極棒３０Ｂは、例えば、タングステンなどから形成される。複数の電極棒３０Ｂは、例えば、棒形状である。複数の電極棒３０Ｂは、例えば、その一端から他端まで真っ直ぐに延びる直線状の棒状からなる。
【0057】
電極棒３０ＢＨは、例えば、タングステンなどから形成される。電極棒３０ＢＨは、例えば、直線状の棒状の電極棒の中央部が上方に向かう凸形に曲がった形状である。電極棒３０ＢＨは、集合電極３０Ｇとの接点が設けられる側の端部を含む直線状の棒状の第１棒状部３０２Ａと、第１棒状部３０２Ａとは反対側の端部を含む直線状の棒状の第２棒状部３０２Ｂと、第１棒状部３０２Ａと第２棒状部３０２Ｂとの間の位置で上方に向かう凸形に曲がった形状の迂回部３０２Ｃとを有する。迂回部３０２Ｃは、第１棒状部３０２Ａと第２棒状部３０２Ｂとの間で、上方に迂回した形状である。
【0058】
複数の電極棒３０Ｃは、例えば、タングステンなどから形成される。複数の電極棒３０Ｃは、例えば、棒形状である。複数の電極棒３０Ｃは、例えば、その一端から他端までまっすぐに延びる直線状の棒状からなる。
【0059】
複数の電極棒３０Ｂと複数の電極棒３０Ｃとは、平面視で重ならないように互い違いに配置される。すなわち、平面視で見れば、複数の電極棒３０Ｂと複数の電極棒３０Ｃとは、交互に配列される。
【0060】
複数の電極棒３０Ｂは、プラズマ発生部３０が処理位置に位置する時に、複数の電極棒３０Ｂのうち平面視で基板Ｗの中心位置Ｗ１に最も近接する少なくとも一つの電極棒が、電極棒３０ＢＨで構成される。また、電極棒３０ＢＨの迂回部３０２Ｃは、プラズマ発生部３０が処理位置に位置する時に、平面視で基板Ｗの中心位置Ｗ１とは重ならない。電極棒３０ＢＨは、プラズマ発生部３０が処理位置に位置する時に、平面視で複数の電極棒３０Ｂの内の基板Ｗの中心位置Ｗ１に最も近い電極棒であり、電極棒３０ＢＨの迂回部３０２Ｃが平面視で基板Ｗの中心位置Ｗ１から外れた位置に位置するように配置される。
【0061】
複数の誘電管３０Ｅの各々は、複数の電極棒３０Ｂの各々を取り囲む（図４参照）。
【0062】
それぞれの電極棒３０Ｂを取り囲む誘電管３０Ｅは、電極棒３０Ｂが保持部３０Ｄに保持される端部の側とは反対側の端部において保持部３０Ｄに保持される。
【0063】
また、図３に示すように、複数の誘電管３０Ｅのうちの電極棒３０ＢＨを取り囲む誘電菅は、電極棒３０ＢＨの第１棒状部３０２Ａを取り囲む誘電管３１２と、電極棒３０ＢＨの第２棒状部３０２Ｂを取り囲む誘電管３１３とから構成される、電極棒３０ＢＨの第１棒状部３０２Ａを取り囲む誘電管３１２は、電極棒３０ＢＨが保持部３０Ｄに保持される端部の側とは反対側の端部において、後述する絶縁部材３０Ｉに保持される。
【0064】
電極棒３０ＢＨの第２棒状部３０２Ｂを取り囲む誘電管３１３は、一端が後述する絶縁部材３０Ｉに保持され、他端が保持部３０Ｄに保持される。
【0065】
それぞれの電極棒３０Ｃを取り囲む誘電管３０Ｆは、電極棒３０Ｃが保持部３０Ｄに保持される端部の側とは反対側の端部において保持部３０Ｄに保持される。
【0066】
これによって、電極棒３０Ｂは、一端が保持部３０Ｄによって直接保持され、他端が誘電管３０Ｅを介して保持部３０Ｄによって保持される。
【0067】
電極棒３０ＢＨの第１棒状部３０２Ａは、一端が保持部３０Ｄによって直接保持され、他端が誘電管３１２を介して絶縁部材３０Ｉによって保持される。
【0068】
電極棒３０ＢＨの第２棒状部３０２Ｂは、一端が誘電管３１３を介して絶縁部材３０Ｉによって保持され、他端が誘電管３１３を介して保持部３０Ｄによって保持される。
【0069】
電極棒３０Ｃは、一端が保持部３０Ｄによって直接保持され、他端が誘電管３０Ｆを介して保持部３０Ｄによって保持される。
【0070】
絶縁部材３０Ｉは、支持部６０によって支持される。絶縁部材３０Ｉは、板状部材３０Ａの上面側に配置される。図５の断面図に示すように、絶縁部材３０Ｉは、板状部材３０Ａの貫通孔３３０に挿入固定され、絶縁部材３０Ｉの下端面が板状部材３０Ａの下面よりも下方に位置する状態で、板状部材３０Ａよりも上方に突き出す形で設けられる。また、絶縁部材３０Ｉは、誘電管３１２の一端を保持する。絶縁部材３０Ｉは、誘電管３１３の一端を保持する。
【0071】
絶縁部材３０Ｉには、電極棒３０ＢＨの迂回部３０２Ｃを収容する収容空間３４０が形成される。また、絶縁部材３０Ｉには、絶縁部材３０Ｉの側面に図示しない２つの開口が形成されており、かかる開口を通じて電極棒３０ＢＨの第２棒状部３０２Ｂの一端と、電極棒３０ＢＨの第１棒状部３０２Ａの一端とが収容空間３４０に配置される。さらに、絶縁部材３０Ｉには、その上面から下面に向けて、－Ｙ方向の下方に向かって傾斜する貫通孔３５０が形成されている。かかる貫通孔３５０に処理液ノズル２０が挿通される。プラズマ発生部３０が処理位置に位置する時に、処理液ノズル２０は、絶縁部材３０Ｉの貫通孔３５０に挿通、収容された状態で、基板Ｗの中心位置Ｗ１に向けて処理液を供給できるように位置決めされる。収容空間３４０と貫通孔３５０とは、平面視で一部が重なるように形成される。
【0072】
収容空間３４０は、誘電管３１２の一端側から空間が上方に延びる収容空間３４０Ｃ１と、空間が水平方向に延びる収容空間３４０Ｃ２と、誘電管３１３の一端側に向かって空間が下方に延びる収容空間３４０Ｃ３とを有する。収容空間３４０Ｃ１と収容空間３４０Ｃ２と収容空間３４０Ｃ３は、迂回部３０２Ｃを囲う。収容空間３４０は、迂回部３０２Ｃを囲う。収容空間３４０は、迂回部３０２Ｃが迂回する方向に沿って迂回部３０２Ｃを囲う。
【0073】
電極棒３０ＢＨの迂回部３０２Ｃは、絶縁部材３０Ｉの収容空間３４０に収容される。処理液ノズル２０は、貫通孔３５０に収容される。電極棒３０ＢＨの迂回部３０２Ｃと処理液ノズル２０は、絶縁部材３０Ｉの内部に収容される。また、絶縁部材３０Ｉは、電極棒３０ＢＨの迂回部３０２Ｃと処理液ノズル２０を囲う。迂回部３０２Ｃと処理液ノズル２０とは、平面視で一部が重なる。処理液ノズル２０は、処理位置に位置する時に、吐出口が基板Ｗの中心位置Ｗ１を向く。電極棒３０ＢＨの迂回部３０２Ｃと、処理液ノズル２０とは、干渉しない。電極棒３０ＢＨの迂回部３０２Ｃと処理液ノズル２０との干渉は回避される。
【0074】
交流電源４０によって、集合電極３０Ｇおよび集合電極３０Ｈとの間に交流電圧が印加されると、集合電極３０Ｇに接続される各電極棒３０Ｂと集合電極３０Ｈに接続される各電極棒３０Ｃとの間に交流電圧が印加される。その結果、電極棒３０Ｂと電極棒３０Ｃとの間で誘電体バリア放電が生じる。そして、当該放電の放電経路の周囲で気体のプラズマ化が生じて、電極棒３０Ｂと電極棒３０Ｃとを隔てる板状部材３０Ａの表面に沿って２次元的に広がるプラズマ空間が形成される。
【0075】
ここで、上記のプラズマ空間が形成される際に、プラズマ発生部３０の下方の空間（すなわち、基板Ｗの上方の空間）に、たとえば、Ｏ２（酸素）、ＣＯ２、空気、不活性ガスまたはそれらの組み合わせである気体が供給されてもよい。不活性ガスは、たとえば、Ｎ２または希ガスである。希ガスは、たとえば、ＨｅまたはＡｒなどである。
【0076】
なお、電極棒３０ＢＨの迂回部３０２Ｃと電極棒３０Ｃとの間の距離は、電極棒３０ＢＨの第１棒状部３０２Ａと電極棒３０Ｃとの間の距離よりも大きい。電極棒３０ＢＨの迂回部３０２Ｃと電極棒３０Ｃとの間の距離は、電極棒３０ＢＨの第２棒状部３０２Ｂと電極棒３０Ｃとの間の距離よりも大きい。電極棒３０ＢＨの迂回部３０２Ｃと電極棒３０Ｃとの間の距離は、電極棒３０Ｂと電極棒３０Ｃとの間の距離よりも大きい。一方、電極棒３０ＢＨの第１棒状部３０２Ａと電極棒３０Ｃとの間の距離と、電極棒３０ＢＨの第２棒状部３０２Ｂと電極棒３０Ｃとの間の距離と、電極棒３０Ｂと電極棒３０Ｃとの間の距離とは、同じである。このため、電極棒３０ＢＨの迂回部３０２Ｃと電極棒３０Ｃとの間では、誘電体バリア放電の発生が抑制される。電極棒３０ＢＨの迂回部３０２Ｃと電極棒３０Ｃとの間では、プラズマの発生が抑制される。
【0077】
＜基板処理装置の動作について＞
次に、基板処理装置の動作について説明する。本実施の形態に関する基板処理装置による基板の処理方法は、基板処理装置１００へ搬送された基板Ｗに対し薬液処理を行う工程と、薬液処理が行われた基板Ｗに対し洗浄処理を行う工程と、洗浄処理が行われた基板Ｗに対し乾燥処理を行う工程と、乾燥処理が行われた基板Ｗを基板処理装置１００から搬出する工程とを備える。
次に、基板処理装置の動作について説明する。本実施の形態に関する基板処理装置による基板の処理方法は、基板処理装置１００へ搬送された基板Ｗに対し薬液処理を行う工程と、薬液処理が行われた基板Ｗに対し洗浄処理を行う工程と、洗浄処理が行われた基板Ｗに対し乾燥処理を行う工程と、乾燥処理が行われた基板Ｗを基板処理装置１００から搬出する工程とを備える。
【0078】
以下では、基板処理装置の動作に含まれる、薬液処理中または薬液処理後に基板Ｗに付着している有機物（たとえば、使用済みのレジスト膜）を除去する工程（すなわち、上記の工程のうちの、薬液処理を行う工程、または、洗浄処理を行う工程に属する工程）について、図６および図７を参照しつつ説明する。ここで、図６は、基板処理装置の動作の例を示すフローチャートである。また、図７は、本実施の形態に関する基板処理装置の動作を説明するための図である。
【0079】
まず、スピンチャック１０が基板Ｗを保持する（図６におけるステップＳＴ０１）。そして、スピンチャック１０の駆動によって、基板Ｗが回転する。
【0080】
次に、プラズマ移動機構が、支持部６０を待機位置から処理位置に移動させる。これにより、プラズマ発生部３０および処理液ノズル２０を、待機位置から処理位置に移動させる（図６におけるステップＳＴ０２）。
【0081】
そして、図７に例が示されるように、処理液供給源２９から処理液ノズル２０へ処理液１０１が供給され、基板Ｗが回転している状態で、処理液ノズル２０から基板Ｗの上面へ処理液１０１が吐出される（図６におけるステップＳＴ０３）。なお、本実施の形態においては、基板Ｗが回転している状態で処理液１０１が吐出される場合が示されるが、基板Ｗは回転していなくともよい。
【0082】
処理液ノズル２０から処理液１０１が吐出されることによって、図７に例が示されるように、基板Ｗの上面に処理液１０１の液膜１０１Ａが形成される（図６におけるステップＳＴ０４）。ここで、液膜１０１Ａの膜厚は、たとえば、０．１ｍｍ以上、かつ、２．０ｍｍ以下であり、好ましくは０．２ｍｍ程度である。
【0083】
処理液ノズル２０から処理液１０１が吐出されている状態で、集合電極３０Ｇおよび集合電極３０Ｈとの間に交流電源４０からの所定の交流電圧が印加されることによって、迂回部３０２Ｃの直下の位置を除いて、プラズマ発生部３０における板状部材３０Ａの表面にプラズマが生じる（図６におけるステップＳＴ０５）。具体的には、迂回部３０２Ｃの直下を除く板状部材３０Ａの表面に沿って２次元的に広がる、プラズマ空間が形成される。当該プラズマ空間におけるプラズマの作用によって、当該空間近傍の気体に活性種が生じる。活性種には、電荷を有するイオン、または、電気的に中性であるラジカルなどが含まれる。たとえば、気体がＯ２を含むものである場合は、プラズマ発生部３０におけるプラズマの作用によって、活性種の一種である酸素ラジカルが生じる。
【0084】
そして、図７に例が示されるように、プラズマ発生部３０におけるプラズマ１０２の作用で生じた活性種が、液膜１０１Ａへと供給される（図６におけるステップＳＴ０６）。このステップＳＴ０６がプラズマ処理の例である。
【0085】
活性種が液膜１０１Ａへと供給されることによって、液膜１０１Ａ中で活性種が処理液１０１を活性化する。具体的な一例として、活性種は基板Ｗの上面の硫酸の液膜１０１Ａに作用する。これによって、処理液１０１の処理性能が高まる。具体的には、活性種と硫酸との反応によって、処理性能（ここでは酸化力）の高いカロ酸が生成される。カロ酸はペルオキソ一硫酸とも呼ばれる。当該カロ酸が基板Ｗのレジストに作用することで、レジストを酸化除去することができる。
【0086】
また、活性種が酸素ラジカルを含む場合、酸素ラジカルの酸化力によって基板Ｗ上のレジスト膜の除去が促進される。
【0087】
なお、プラズマ処理中に液膜１０１Ａを形成している処理液１０１をリフレッシュ（具体的には、一旦排液して新たに液膜１０１Ａを形成してもよいし、処理液１０１の吐出量を増やして処理液１０１を押し流してもよい）してもよい。そのようにすれば、リフレッシュしない場合に比べてレジスト膜の除去能力を高く維持することができる。そのため、基板処理の時間を短縮することができる。
【0088】
また、上記の除去処理の後、通常は、基板Ｗのリンス工程（洗浄工程）および乾燥工程が行われる。たとえば、リンス工程は、基板Ｗへ純水（ＤＩＷ）を吐出することによって行われ、乾燥工程は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）による乾燥が行われるが、基板Ｗを高速回転させる振り切り乾燥または基板上面へ窒素ガスを吐出するＮ２ブローなどが行われてもよい。
【0089】
＜第１の実施の形態の効果＞
以上のように、本実施の形態によれば、処理液ノズル２０は、絶縁部材３０Ｉの貫通孔３５０に収容され、処理液ノズル２０が処理位置に位置する時に、処理液ノズル２０の吐出口が基板Ｗの中心位置Ｗ１を向くように設けられる。よって、プラズマ発生部３０を待機位置に退避させずに処理液ノズル２０から処理液１０１を基板Ｗの上面に吐出することができる。プラズマ発生部３０を待機位置に退避させずに処理液ノズル２０から処理液１０１を基板Ｗの中心位置Ｗ１に吐出することができる。すなわち、プラズマ処理を行っている間であっても、基板Ｗの上面に液膜１０１Ａを形成し続けることができる。また、プラズマ発生部３０を待機位置に退避させずに処理液ノズル２０から処理液１０１を基板Ｗの上面に吐出することができるため、スループットを向上させることができる。
以上のように、本実施の形態によれば、処理液ノズル２０は、絶縁部材３０Ｉの貫通孔３５０に収容され、処理液ノズル２０が処理位置に位置する時に、処理液ノズル２０の吐出口が基板Ｗの中心位置Ｗ１を向くように設けられる。よって、プラズマ発生部３０を待機位置に退避させずに処理液ノズル２０から処理液１０１を基板Ｗの上面に吐出することができる。プラズマ発生部３０を待機位置に退避させずに処理液ノズル２０から処理液１０１を基板Ｗの中心位置Ｗ１に吐出することができる。すなわち、プラズマ処理を行っている間であっても、基板Ｗの上面に液膜１０１Ａを形成し続けることができる。また、プラズマ発生部３０を待機位置に退避させずに処理液ノズル２０から処理液１０１を基板Ｗの上面に吐出することができるため、スループットを向上させることができる。
【0090】
また、プラズマ処理中の昇温によって液膜１０１Ａが蒸発してしまうことを抑制することができる。さらには、プラズマ処理中の温度に応じて処理液ノズル２０から吐出される処理液１０１の流量を調整すれば、プラズマ処理中に保持される液膜１０１Ａの膜厚を薄くすることができるため、レジスト剥離の効果を高めることができる。
【0091】
また、本実施の形態によれば、電極棒３０ＢＨの迂回部３０２Ｃと電極棒３０Ｃとの間では、プラズマの発生が抑制される。一方、電極棒３０２の第１棒状部３０２Ａと電極棒３０Ｃとの間、および電極棒３０ＢＨの第２棒状部３０２Ｂと電極棒３０Ｃとの間では、プラズマの発生は抑制されない。処理液ノズル２０をプラズマ発生部３０に近接させて設ける場合には、処理液ノズル２０とプラズマ発生部３０との間でアーキングが発生しないように、処理液ノズル２０周囲のプラズマの発生を抑制する必要がある。このため、処理液ノズル２０を設ける位置に近接する電極棒を除去することも考えられる。このようにすると、処理液ノズル２０周囲のプラズマの発生を抑制することができるが、プラズマの発生が抑制される領域が大きくなってしまう。しかしながら、本実施の形態では、プラズマの発生が抑制される領域を、迂回部３０２Ｃと電極棒３０Ｃとの間の領域のみに留めることができる。
【0092】
また、プラズマ発生部３０が処理位置に位置するときに、迂回部３０２Ｃは平面視で基板Ｗの中心位置Ｗ１とは重ならない。このため、回転している基板Ｗに対してプラズマ処理を行う場合には、基板Ｗの上面の全面にプラズマ処理を行うことができる。このため、基板Ｗの上面のうち、プラズマ処理が行われない領域は生じない。また、基板Ｗの上面に対するプラズマ処理の均一性を高めることができる。
【0093】
また、本実施の形態によれば、処理液ノズル２０の吐出口が基板Ｗの中心位置Ｗ１に向けられているので処理液１０１を基板Ｗの中心位置Ｗ１に吐出することができる。このため、基板Ｗの上面において液膜１０１Ａを均一に形成することができる。
【0094】
なお、迂回部２３０が平面視で基板Ｗの中心位置Ｗ１に配置されていてもよい。その場合には、処理液ノズル２０はＺ軸負方向に沿って基板Ｗに対して垂直（公差、または、同程度の機能が得られる範囲で変位している場合を含む）に延びて設けられる。すなわち、処理液ノズル２０は、基板Ｗと平行に配置される電極棒３０Ｂと電極棒３０Ｃとを含む平面に対して、垂直に横切るように設けられる。そうすることで、基板Ｗの中心位置Ｗ１に処理液１０１を吐出することができる。そして、電極棒２３０Ｂは、処理液ノズル２０を迂回するために、Ｚ軸正方向に曲がりつつも、Ｙ軸正方向またはＹ軸負方向に傾斜して設けられる。
【0095】
＜第２の実施の形態＞
本実施の形態に関する基板処理装置について説明する。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成要素と同様の構成要素については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。
本実施の形態に関する基板処理装置について説明する。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成要素と同様の構成要素については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。
【0096】
【0097】
なお、図８に示される構成は、図１におけるチャンバ８０に囲まれていてよい。また、チャンバ８０内の圧力は、およそ大気圧（たとえば、０．５気圧以上、かつ、２気圧以下）である。言い換えれば、後述するプラズマ処理は、大気圧で行われる大気圧プラズマ処理である。
【0098】
基板処理装置１００Ａは、スピンチャック１０と、処理カップ１２と、プラズマ発生機構５５Ａとを備える。プラズマ発生機構５５Ａは、基板Ｗの上方に基板Ｗ全体を覆うように配置され、かつ、大気圧下でプラズマを生じさせる大気圧プラズマ源としてのプラズマ発生部１３０と、プラズマ発生部１３０に交流電圧を印加する交流電源４０と、処理液ノズル２０と、処理液供給源２９と、バルブ２５と、プラズマ発生部１３０および処理液ノズル２０を支持する支持部６０と、支持部６０を待機位置と処理位置との間で移動させるプラズマ移動機構７０とを備える。支持部６０が待機位置と処理位置との間で移動すると、プラズマ発生部１３０および処理液ノズル２０もまた、待機位置と処理位置との間で移動する。
【0099】
＜プラズマ発生部１３０について＞
プラズマ発生部１３０は、石英などの誘電体からなる板状部材３２Ａと、板状部材３２Ａ内に収容されて櫛形状に配置される複数の電極棒３０Ｊと、板状部材３２Ａ内に収容されて櫛形状に配置される複数の電極棒３０Ｋと、樹脂（たとえば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ））またはセラミックスなどからなり、かつ、複数の電極棒３０Ｊおよび複数の電極棒３０Ｋをそれぞれ一端において保持する保持部３０Ｌと、複数の電極棒３０Ｊに共通して接続される、アルミニウムなどからなる集合電極３０Ｍと、複数の電極棒３０Ｋに共通して接続される、アルミニウムなどからなる集合電極３０Ｎとを備える。集合電極３０Ｍと集合電極３０Ｎとは、たとえば、合わせて平面視で円形状となるように配置され、当該円内に、複数の電極棒３０Ｊおよび複数の電極棒３０Ｋが収容される。
プラズマ発生部１３０は、石英などの誘電体からなる板状部材３２Ａと、板状部材３２Ａ内に収容されて櫛形状に配置される複数の電極棒３０Ｊと、板状部材３２Ａ内に収容されて櫛形状に配置される複数の電極棒３０Ｋと、樹脂（たとえば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ））またはセラミックスなどからなり、かつ、複数の電極棒３０Ｊおよび複数の電極棒３０Ｋをそれぞれ一端において保持する保持部３０Ｌと、複数の電極棒３０Ｊに共通して接続される、アルミニウムなどからなる集合電極３０Ｍと、複数の電極棒３０Ｋに共通して接続される、アルミニウムなどからなる集合電極３０Ｎとを備える。集合電極３０Ｍと集合電極３０Ｎとは、たとえば、合わせて平面視で円形状となるように配置され、当該円内に、複数の電極棒３０Ｊおよび複数の電極棒３０Ｋが収容される。
【0100】
複数の電極棒３０Ｊは、少なくとも一つの電極棒が他の電極棒とは形状が異なる電極棒３０ＪＨから構成される。複数の電極棒３０Ｊは、例えば、タングステンなどから形成される。複数の電極棒３０Ｊは、例えば、棒形状である。複数の電極棒３０Ｊは、例えば、その一端から他端まで真っ直ぐに延びる直線状の棒状である。
【0101】
電極棒３０ＪＨは、例えば、タングステンなどから形成される。電極棒３０ＪＨは、例えば、直線状の棒状の電極棒の中央部が上方に向けて凸形に曲がった形状である。電極棒３０ＪＨは、集合電極３０Ｍとの接点が設けられる側の端部を含む直線状の棒状の第１棒状部５０２Ａと、第１棒状部５０２Ａとは反対側の端部を含む直線状の棒状の第２棒状部５０２Ｂと、第１棒状部５０２Ａと第２棒状部５０２Ｂとの間の位置で上方に向けて凸形に曲がった形状の迂回部５０２Ｃとを有する。迂回部５０２Ｃは、第１棒状部５０２Ａと第２棒状部５０２Ｂとの間で、上方に迂回した形状である。
【0102】
複数の電極棒３０Ｋは、例えば、タングステンなどから形成される。複数の電極棒３０Ｋは、例えば、棒形状である。複数の電極棒３０Ｋは、例えば、その一端から他端まで真っ直ぐに延びる直線状の棒状である。
【0103】
複数の電極棒３０Ｊと複数の電極棒３０Ｋとは、平面視で重ならないように互い違いに配置される。すなわち、平面視で見れば、電極棒３０Ｊと電極棒３０Ｋとは、交互に配列される。
【0104】
一方で、図８に示される側面視においては、複数の電極棒３０Ｊと複数の電極棒３０Ｋとは、互いに重なって配置される。なお、図８に示される側面視において、複数の電極棒３０Ｊと複数の電極棒３０Ｋとは、互いに重なっていなくてもよく、たとえば、図８のＺ軸方向にずれて配置されていてもよい。
【0105】
複数の電極棒３０Ｊは、プラズマ発生部１３０が処理位置に位置する時に、複数の電極棒３０Ｊのうち平面視で基板Ｗの中心位置Ｗ１に最も近接する少なくとも一つの電極棒が、電極棒３０ＪＨで構成される。また、電極棒３０ＪＨは、プラズマ発生部１３０が処理位置に位置する時に、平面視で基板Ｗの中心位置Ｗ１とは重ならない。電極棒３０ＪＨは、プラズマ発生部１３０が処理位置に位置する時に、平面視で複数の電極棒３０Ｊの内の基板Ｗの中心位置Ｗ１に最も近い電極棒であり、電極棒３０ＪＨの迂回部５０２Ｃが平面視で基板Ｗの中心位置Ｗ１から外れた位置に位置するように配置される。
【0106】
板状部材３２Ａは、平面視で基板Ｗよりも大径の円形状に構成され、プラズマ発生部１３０が処理位置に位置する時に、基板Ｗの上面を上方から覆う。板状部材３２Ａは、上面および下面が凹凸のない平面形状である。そのため、プラズマ処理の際などに生じる板状部材３２Ａの下面の付着物の洗浄が容易となる。
【0107】
板状部材３２Ａには板形状の側面からＸ軸方向に延びる収容穴３２Ｂが複数形成されている。収容穴３２Ｂは、そのうちの少なくとも一つの収容穴が他の収容穴とは形状が異なる収容穴３２ＢＨから構成される。収容穴３２ＢＨは、電極棒３０ＪＨを収容する。収容穴３２Ｂは、Ｘ軸正方向およびＸ軸負方向の板状部材３２Ａの端部（側面）から内部へ交互に延びて形成されているため、電極棒３０ＪはＸ軸正方向側の端部から、電極棒３０ＫはＸ軸負方向側の端部からそれぞれ挿入される。このようにして、それぞれの電極棒３０Ｊおよび電極棒３０Ｋは、誘電体である板状部材３２Ａに周囲を囲まれて配置される。また、収容穴３２Ｂは、板状部材３２Ａの下面に近い位置に形成されている。
【0108】
収容穴３２ＢＨは、電極棒３０ＪＨの第１棒状部５０２Ａの周囲を囲む収容部５１２Ａと、電極棒３０ＪＨの第２棒状部５０２Ｂの周囲を囲む収容部５１２Ｂと、電極棒３０ＪＨの迂回部５０２Ｃの周囲を囲む収容部５１２Ｃとを有する。収容穴３２ＢＨは、Ｘ軸正方向側の板状部材３２Ａの端部（側面）から内部へ延びて形成されている。電極棒３０ＪＨは、誘電体である板状部材３２Ａに周囲を囲まれて配置される。また、収容穴３２ＢＨの収容部５１２Ａ及び収容部５１２Ｂは、板状部材３２Ａの下面に近い位置に形成されている。
【0109】
収容部５１２Ｃは、収容部５１２Ａ側から穴が上方に延びる収容部５１２Ｃ１と、穴が水平方向に延びる収容部５１２Ｃ２と、収容部５１２Ｂ側に向かって穴が下方に延びる収容部５１２Ｃ３とを有する。収容部５１２Ｃ１と収容部５１２Ｃ２と収容部５１２Ｃ３は、迂回部５０２Ｃを囲う。収容部５１２Ｃは、迂回部５０２Ｃを囲う。収容部５１２Ｃは、迂回部５０２Ｃが迂回する方向に沿って迂回部５０２Ｃを囲う。
【0110】
板状部材３２Ａには、平面視で基板Ｗの中心Ｗ１からＹ方向に、電極棒３０Ｊと電極棒３０Ｋの間の距離の１１ピッチ半程度の距離だけずれた位置から負のＹ方向に下向きに傾斜した貫通孔５５０が板状部材３２Ａの上面から下面にかけて形成される。貫通孔５５０は、処理液ノズル２０が収容可能に形成される。貫通孔５５０は、処理液ノズル２０による基板Ｗの上面への処理液１０１の供給を許容する。プラズマ発生部１３０が処理位置に位置する時に、板状部材３２Ａの貫通孔５５０に収容された処理液ノズル２０は、基板Ｗの中心に向けて処理液を供給可能に位置決めされている。収容穴３２ＢＨの収容部５１２Ｃと貫通孔５５０とは、側面視で重なるように形成される。収容穴３２ＢＨの収容部５１２Ｃと貫通孔５５０とは、平面視で重なるように形成される。
【0111】
電極棒３０ＪＨは、板状部材３２Ａの収容穴３２ＢＨに収容される。電極棒３０ＪＨの迂回部５０２Ｃは、収容穴３２ＢＨの収容部５１２Ｃに周囲を囲まれて配置される。処理液ノズル２０は、貫通孔５５０に収容される。処理液ノズル２０は板状部材３２Ａに囲まれる。これにより、迂回部５０２Ｃと処理液ノズル２０とは、側面視で重なる。迂回部５０２Ｃと処理液ノズル２０とは、平面視で重なる。処理液ノズル２０は、処理位置に位置する時に、吐出口が基板Ｗの中心位置Ｗ１を向く。
【0112】
交流電源４０によって、集合電極３０Ｍおよび集合電極３０Ｎとの間に交流電圧が印加されると、集合電極３０Ｍに接続される各電極棒３０Ｊと集合電極３０Ｎに接続される各電極棒３０Ｋとの間に交流電圧が印加される。その結果、電極棒３０Ｊと電極棒３０Ｋとの間で誘電体バリア放電が生じる。そして、当該放電の放電経路の周囲で気体のプラズマ化が生じて、電極棒３０Ｊと電極棒３０Ｋとを隔てる板状部材３２Ａの表面（収容穴３２Ｂの内部を含む）に沿って２次元的に広がるプラズマ空間が形成される。ここで、収容穴３２Ｂが板状部材３２Ａの下面に近い位置に形成されているため、プラズマ１０２は主に板状部材３２Ａの下面に形成される。
【0113】
ここで、上記のプラズマ空間が形成される際に、プラズマ発生部１３０の下方の空間（すなわち、基板Ｗの上方の空間）に、たとえば、Ｏ２（酸素）、Ｏ２、空気、不活性ガスまたはそれらの組み合わせである気体が供給されてもよい。不活性ガスは、たとえば、Ｎ２または希ガスである。希ガスは、たとえば、ＨｅまたはＡｒなどである。
【0114】
プラズマ１０２の作用によって、当該空間近傍の気体に活性種が生じる。活性種には、電荷を有するイオン、または、電気的に中性であるラジカルなどが含まれる。たとえば、気体がＯ２を含むものである場合は、プラズマ発生部１３０におけるプラズマの作用によって、活性種の一種である酸素ラジカルが生じる。
【0115】
なお、電極棒３０ＪＨの迂回部５０２Ｃと電極棒３０Ｋとの間の距離は、電極棒３０ＪＨの第１棒状部５０２Ａと電極棒３０Ｋとの間の距離よりも大きい。電極棒３０ＪＨの迂回部５０２Ｃと電極棒３０Ｋとの間の距離は、電極棒３０ＪＨの第２棒状部５０２Ｂと電極棒３０Ｋとの間の距離よりも大きい。電極棒３０ＪＨの迂回部５０２Ｃと電極棒３０Ｋとの間の距離は、電極棒３０Ｊと電極棒３０Ｋとの間の距離よりも大きい。一方、電極棒３０ＪＨの第１棒状部５０２Ａと電極棒３０Ｋとの間の距離と、電極棒３０ＪＨの第２棒状部５０２Ｂと電極棒３０Ｋとの間の距離と、電極棒３０Ｊと電極棒３０Ｋとの間の距離とは、同じである。このため、電極棒３０ＪＨの迂回部５０２Ｃと電極棒３０Ｋとの間では、誘電体バリア放電の発生が抑制される。電極棒３０ＪＨの迂回部５０２Ｃと電極棒３０Ｋとの間では、プラズマの発生が抑制される。
【0116】
＜基板処理装置の動作について＞
次に、基板処理装置の動作について説明する。以下では、第１の実施の形態と異なる部分について説明する。ここで、図６は、基板処理装置の動作の例を示すフローチャートである。また、図１１は、本実施の形態に関する基板処理装置の動作を説明するための図である。
次に、基板処理装置の動作について説明する。以下では、第１の実施の形態と異なる部分について説明する。ここで、図６は、基板処理装置の動作の例を示すフローチャートである。また、図１１は、本実施の形態に関する基板処理装置の動作を説明するための図である。
【0117】
図６におけるステップＳＴ０１からステップＳＴ０４までは、第１の実施の形態と同様である。
【0118】
そして、処理液ノズル２０から処理液１０１が吐出されている状態で、集合電極３０Ｍおよび集合電極３０Ｎとの間に交流電源４０からの所定の交流電圧が印加されることによって、迂回部５０２Ｃの直下の位置を除いて、プラズマ発生部１３０における板状部材３２Ａの主に下面にプラズマが生じる（図６におけるステップＳＴ０５）。具体的には、迂回部５０２Ｃの直下を除く板状部材３２Ａの下面に沿って２次元的に広がる、プラズマ空間が形成される。
【0119】
そして、図１１に例が示されるように、プラズマ発生部１３０におけるプラズマ１０２の作用で生じた活性種が、液膜１０１Ａへと供給される（図６におけるステップＳＴ０６）。このステップＳＴ０６がプラズマ処理の例である。
【0120】
＜第２の実施の形態の効果＞
以上のように、本実施の形態においても第１の実施の形態と同様に、処理液ノズル２０は、板状部材３２Ａの貫通孔５５０に挿入され、処理液ノズル２０が処理位置に位置する時に、処理液ノズル２０の吐出口が基板Ｗの中心位置Ｗ１を向くように設けられる。よって、プラズマ発生部１３０を待機位置に退避させずに処理液ノズル２０から処理液１０１を基板Ｗの上面に吐出することができる。プラズマ発生部１３０を待機位置に退避させずに処理液ノズル２０から処理液１０１を基板Ｗの中心位置Ｗ１に吐出することができる。すなわち、プラズマ処理を行っている間であっても、基板Ｗの上面に液膜１０１Ａを形成し続けることができる。また、プラズマ発生部１３０を待機位置に退避させずに処理液ノズル２０から処理液１０１を基板Ｗの上面に吐出することができるため、スループットを向上させることができる。
以上のように、本実施の形態においても第１の実施の形態と同様に、処理液ノズル２０は、板状部材３２Ａの貫通孔５５０に挿入され、処理液ノズル２０が処理位置に位置する時に、処理液ノズル２０の吐出口が基板Ｗの中心位置Ｗ１を向くように設けられる。よって、プラズマ発生部１３０を待機位置に退避させずに処理液ノズル２０から処理液１０１を基板Ｗの上面に吐出することができる。プラズマ発生部１３０を待機位置に退避させずに処理液ノズル２０から処理液１０１を基板Ｗの中心位置Ｗ１に吐出することができる。すなわち、プラズマ処理を行っている間であっても、基板Ｗの上面に液膜１０１Ａを形成し続けることができる。また、プラズマ発生部１３０を待機位置に退避させずに処理液ノズル２０から処理液１０１を基板Ｗの上面に吐出することができるため、スループットを向上させることができる。
【0121】
また、プラズマ処理中の昇温によって液膜１０１Ａが蒸発してしまうことを抑制することができる。さらには、プラズマ処理中の温度に応じて処理液ノズル２０から吐出される処理液１０１の流量を調整すれば、プラズマ処理中に保持される液膜１０１Ａの膜厚を薄くすることができるため、レジスト剥離の効果を高めることができる。
【0122】
また、本実施の形態によれば、電極棒３０ＪＨの迂回部５０２Ｃと電極棒３０Ｋとの間では、プラズマの発生が抑制される。一方、電極棒３０ＪＨの第１棒状部５０２Ａと電極棒３０Ｋとの間、および電極棒３０ＪＨの第２棒状部５０２Ｂと電極棒３０Ｋとの間では、プラズマの発生は抑制されない。処理液ノズル２０をプラズマ発生部１３０に近接させて設ける場合には、処理液ノズル２０とプラズマ発生部１３０との間でアーキングが発生しないように、処理液ノズル２０周囲のプラズマの発生を抑制する必要がある。このため、処理液ノズル２０を設ける位置に近接する電極棒を除去することも考えられる。このようにすると、処理液ノズル２０周囲のプラズマの発生を抑制することができるが、プラズマの発生が抑制される領域が大きくなってしまう。しかしながら、本実施の形態では、プラズマの発生が抑制される領域を、迂回部５０２Ｃと電極棒３０Ｋとの間の領域のみに留めることができる。
【0123】
また、プラズマ発生部１３０が処理位置に位置するときに、迂回部５０２Ｃは平面視で基板Ｗの中心位置Ｗ１とは重ならない。このため、回転している基板Ｗに対してプラズマ処理を行う場合には、基板Ｗの上面の全面にプラズマ処理を行うことができる。このため、基板Ｗの上面のうち、プラズマ処理が行われない領域は生じない。また、基板Ｗの上面に対するプラズマ処理の均一性を高めることができる。
【0124】
また、本実施の形態によれば、処理液ノズル２０の吐出口が基板Ｗの中心位置Ｗ１に向けられているので処理液１０１を基板Ｗの中心位置Ｗ１に吐出することができる。このため、基板Ｗの上面において液膜１０１Ａを均一に形成することができる。
【0125】
また、本実施の形態によれば、板状部材３２Ａは、上面および下面が凹凸のない平面形状である。そのため、プラズマ処理の際などに生じる板状部材３２Ａの下面の付着物の洗浄が容易となる。
【0126】
＜以上に記載された実施の形態の変形例について＞
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、限定的なものではないものとする。
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、限定的なものではないものとする。
【0127】
したがって、例が示されていない無数の変形例と均等物とが、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの実施の形態における少なくとも１つの構成要素を抽出し、他の実施の形態における構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。
【0128】
また、以上に記載された実施の形態において、特に指定されずに材料名などが記載された場合は、矛盾が生じない限り、当該材料に他の添加物が含まれた、たとえば、合金などが含まれるものとする。
【0129】
また、以上に記載された実施の形態において、迂回部３０２Ｃまたは迂回部５０２Ｃは、平面視で基板Ｗの中心位置Ｗ１と重なるように配置されてもよい。この場合には、貫通孔３５０または貫通孔５５０は、鉛直方向と平行な方向に貫通するように形成されてもよい。また、処理液ノズル２０は、貫通孔３５０または貫通孔５５０に挿入され、処理液ノズル２０の長手方向が鉛直方向と平行になるように設けられてもよい。これにより、基板Ｗの中心位置Ｗ１に向けて処理液１０１を吐出することができる。なお、この場合には、迂回部３０２Ｃと貫通孔３５０は平面視で重ならない。また、迂回部５０２Ｃと貫通孔５５０は平面視で重ならない。
【0130】
＜請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係＞
以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、基板保持部と、処理液ノズルと、第１の電極部材および第２の電極部材と、交流電源と、を備える。ここで、第１の電極部材のうちの少なくとも一つの電極部材は、迂回部を有する変形電極部材で構成される。基板保持部はスピンチャック１０に対応するものである。処理液ノズルは、処理液ノズル２０に対応するものである。第１の電極部材は、たとえば、電極棒３０Ｂまたは電極棒３０Ｊなどのうちの少なくとも１つに対応するものである。また、第２の電極部材は、たとえば、電極棒３０Ｃまたは電極棒３０Ｋなどのうちの少なくとも１つに対応するものである。また、交流電源は交流電源４０に対応するものである。また、変形電極部材は電極棒３０ＢＨまたは電極棒３０ＪＨのうちの少なくとも１つに対応するものである。また、迂回部は迂回部３０２Ｃまたは迂回部５０２Ｃのうちの少なくとも１つに対応するものである。
以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、基板保持部と、処理液ノズルと、第１の電極部材および第２の電極部材と、交流電源と、を備える。ここで、第１の電極部材のうちの少なくとも一つの電極部材は、迂回部を有する変形電極部材で構成される。基板保持部はスピンチャック１０に対応するものである。処理液ノズルは、処理液ノズル２０に対応するものである。第１の電極部材は、たとえば、電極棒３０Ｂまたは電極棒３０Ｊなどのうちの少なくとも１つに対応するものである。また、第２の電極部材は、たとえば、電極棒３０Ｃまたは電極棒３０Ｋなどのうちの少なくとも１つに対応するものである。また、交流電源は交流電源４０に対応するものである。また、変形電極部材は電極棒３０ＢＨまたは電極棒３０ＪＨのうちの少なくとも１つに対応するものである。また、迂回部は迂回部３０２Ｃまたは迂回部５０２Ｃのうちの少なくとも１つに対応するものである。
【0131】
基板処理装置は、第１の板状部材をさらに備える。ここで、第１の板状部材には、第１の貫通孔が形成される。第１の板状部材は、例えば、板状部材３０Ａに対応するものである。第１の板状部材に形成される第１の貫通孔は、例えば、貫通孔３３０に対応するものである。
【0132】
基板処理装置は、絶縁部材と、誘電管とをさらに備える。絶縁部材は、例えば、絶縁部材３０Ｉに対応するものである。誘電管は、例えば、誘電管３０Ｅ、誘電管３０Ｆ、誘電管３１２、または誘電管３１３などのうちの少なくとも１つに対応するものである。
【0133】
基板処理装置は、第２の板状部材をさらに備える。ここで、第２の板状部材には、収容穴と第２の貫通孔とが形成される。収容穴は、例えば、収容穴３２Ｂまたは収容穴３２ＢＨなどの少なくとも１つに対応するものである。第２の貫通孔は、例えば、貫通孔５５０に対応するものである。
【符号の説明】
【0134】
２０ 処理液ノズル
１００ 基板処理装置
１００Ａ 基板処理装置
１０１ 処理液
１０２ プラズマ
Ｗ 基板
１００ 基板処理装置
１００Ａ 基板処理装置
１０１ 処理液
１０２ プラズマ
Ｗ 基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】