(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023144994
(43)【公開日】2023-10-11
(54)【発明の名称】画像形成装置、及び画像形成装置用ユニット
(51)【国際特許分類】
G03G 5/147 20060101AFI20231003BHJP
G03G 21/00 20060101ALI20231003BHJP
【ＦＩ】
G03G5/147 501
G03G21/00 312
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022052248
(22)【出願日】2022-03-28
(71)【出願人】
【識別番号】000005496
【氏名又は名称】富士フイルムビジネスイノベーション株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001519
【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】福間 道範
【テーマコード（参考）】
2H068
2H134
【Ｆターム（参考）】
2H068AA02
2H068AA08
2H068CA33
2H068CA60
2H068FA03
2H068FA19
2H068FC01
2H134GA01
2H134GB02
2H134HD00
2H134KH11
2H134KH15
(57)【要約】
【課題】電子写真感光体における、電気特性及び無機保護層の耐摩耗性に優れる画像形成装置の提供。
【解決手段】導電性基体、感光層、並びに、金属元素Ｍ、酸素Ｏ及び水素Ｈを含む無機保護層をこの順に有し、前記無機保護層の表面を構成する層における、前記酸素Ｏと前記金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．３以上１．５以下である電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面を帯電する接触方式の帯電部材と前記接触方式の帯電部材に交流電圧を印加する交流電圧印加部とを有する帯電装置と、帯電した前記電子写真感光体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成装置と、静電荷像現像剤を供給して、前記電子写真感光体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像装置と、前記電子写真感光体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、を備える画像形成装置。
【選択図】図１
【解決手段】導電性基体、感光層、並びに、金属元素Ｍ、酸素Ｏ及び水素Ｈを含む無機保護層をこの順に有し、前記無機保護層の表面を構成する層における、前記酸素Ｏと前記金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．３以上１．５以下である電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面を帯電する接触方式の帯電部材と前記接触方式の帯電部材に交流電圧を印加する交流電圧印加部とを有する帯電装置と、帯電した前記電子写真感光体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成装置と、静電荷像現像剤を供給して、前記電子写真感光体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像装置と、前記電子写真感光体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、を備える画像形成装置。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
導電性基体と、感光層と、金属元素Ｍ、酸素Ｏ及び水素Ｈを含む無機保護層と、をこの順に有し、前記無機保護層の表面を構成する層における、前記酸素Ｏと前記金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．３以上１．５以下である電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する接触方式の帯電部材と前記接触方式の帯電部材に交流電圧を印加する交流電圧印加部とを有する帯電装置と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成装置と、
静電荷像現像剤を供給して、前記電子写真感光体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像装置と、
前記電子写真感光体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、
を備える画像形成装置。
前記電子写真感光体の表面を帯電する接触方式の帯電部材と前記接触方式の帯電部材に交流電圧を印加する交流電圧印加部とを有する帯電装置と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成装置と、
静電荷像現像剤を供給して、前記電子写真感光体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像装置と、
前記電子写真感光体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、
を備える画像形成装置。
【請求項2】
前記無機保護層の表面を構成する層における、前記酸素Ｏと前記金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．４以上１．５以下である請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項3】
前記無機保護層は、前記酸素Ｏと前記金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．３以上１．５未満である、前記無機保護層の表面を構成する層の単層体である請求項１又は請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項4】
前記無機保護層の表面を構成する層の単層体の膜厚が、０．５μｍ以上１．０μｍ以下である請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項5】
前記交流電圧印加部により前記接触方式の帯電部材に印加する交流電圧における、ピーク間電圧Ｖｐｐが３５０Ｖ以下４０００Ｖ以下であり、周波数が１００Ｈｚ以上である請求項１～請求項４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項6】
前記ピーク間電圧Ｖｐｐが８００Ｖ以上１５００Ｖ以下であり、前記周波数が２５００Ｈｚ以上である請求項５に記載の画像形成装置。
【請求項7】
前記帯電部材は、前記接触方式の帯電部材よりも前記電子写真感光体の回転方向上流側に設けられ、前記電子写真感光体の表面を帯電する非接触方式の帯電部材と、前記非接触方式の帯電部材に直流電圧を印加する直流電圧印加部とを有する請求項１～請求項４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項8】
前記交流電圧印加部により前記接触方式の帯電部材に印加する交流電圧における、ピーク間電圧Ｖｐｐが１０００Ｖ以上４０００Ｖ以下であり、周波数が２５００Ｈｚ以上であり、
前記直流電圧印加部により前記非接触方式の帯電部材に印加する直流電圧における、電圧Ｖが６００Ｖ以上１０００Ｖ以下である、請求項７に記載の画像形成装置。
前記直流電圧印加部により前記非接触方式の帯電部材に印加する直流電圧における、電圧Ｖが６００Ｖ以上１０００Ｖ以下である、請求項７に記載の画像形成装置。
【請求項9】
前記無機保護層の光透過率が、９０％以上である請求項１～請求項８のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項10】
導電性基体と、感光層と、金属元素Ｍ、酸素Ｏ及び水素Ｈを含む無機保護層と、をこの順に有し、前記無機保護層の表面を構成する層における、前記酸素Ｏと前記金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．３以上１．５以下である電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する接触方式の帯電部材と前記接触方式の帯電部材に交流電圧を印加する交流電圧印加部とを有する帯電装置と、
を備える画像形成装置用ユニット。
前記電子写真感光体の表面を帯電する接触方式の帯電部材と前記接触方式の帯電部材に交流電圧を印加する交流電圧印加部とを有する帯電装置と、
を備える画像形成装置用ユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、画像形成装置、及び画像形成装置用ユニットに関する。
【背景技術】
【0002】
電子写真法による画像の形成は、例えば、感光体表面を帯電させた後、この感光体表面に画像情報に応じて静電荷像を形成し、次いでこの静電荷像を、トナーを含む現像剤で現像してトナー画像を形成し、このトナー画像を記録媒体表面に転写及び定着することにより行われる。
【0003】
ここで、特許文献１には、「電子写真感光体、トナー供給体、及び帯電付与部材を有する電子写真装置、もしくは電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジにおいて、該電子写真感光体の外面に保護層を２層有し、該保護層が金属又は金属酸化物粒子、およびバインダー樹脂をそれぞれ含有し、感光層側の保護層１に含まれる金属又は金属酸化物粒子の比率と保護層１の上に積層される保護層２に含まれるその比率の関係が下記式（１）を満たすことを特徴とする電子写真感光体。」が開示されている。
Ｐ１＞Ｐ２ 式（１）
Ｐ１ 保護層１に含まれる金属又は金属酸化物粒子の重量％
Ｐ２ 保護層２に含まれる金属又は金属酸化物粒子の重量％
Ｐ１＞Ｐ２ 式（１）
Ｐ１ 保護層１に含まれる金属又は金属酸化物粒子の重量％
Ｐ２ 保護層２に含まれる金属又は金属酸化物粒子の重量％
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２００４－１３３０４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の課題は、導電性基体、感光層、並びに、金属元素Ｍ、酸素Ｏ及び水素Ｈを含む無機保護層をこの順に有する電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電部材を有する帯電装置と、帯電した電子写真感光体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成装置と、静電荷像現像剤を供給して、電子写真感光体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像装置と、電子写真感光体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、を備える画像形成装置において、無機保護層の表面を構成する層における、酸素Ｏと金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．３未満である場合に比べ、電子写真感光体における、電気特性及び無機保護層の耐摩耗性に優れる画像形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記課題を解決するための手段は、以下の態様が含まれる。
＜１＞
導電性基体と、感光層と、金属元素Ｍ、酸素Ｏ及び水素Ｈを含む無機保護層と、をこの順に有し、前記無機保護層の表面を構成する層における、前記酸素Ｏと前記金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．３以上１．５以下である電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する接触方式の帯電部材と前記接触方式の帯電部材に交流電圧を印加する交流電圧印加部とを有する帯電装置と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成装置と、
静電荷像現像剤を供給して、前記電子写真感光体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像装置と、
前記電子写真感光体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、
を備える画像形成装置。
＜２＞
前記無機保護層の表面を構成する層における、前記酸素Ｏと前記金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．４以上１．５以下である＜１＞に記載の画像形成装置。
＜３＞
前記無機保護層は、前記酸素Ｏと前記金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．３以上１．５未満である、前記無機保護層の表面を構成する層の単層体である＜１＞又は＜２＞に記載の画像形成装置。
＜４＞
前記無機保護層の表面を構成する層の単層体の膜厚が、０．５μｍ以上１．０μｍ以下である＜３＞に記載の画像形成装置。
＜５＞
前記交流電圧印加部により前記接触方式の帯電部材に印加する交流電圧における、ピーク間電圧Ｖｐｐが３５０Ｖ以下４０００Ｖ以下であり、周波数が１００Ｈｚ以上である＜１＞～＜４＞のいずれか１項に記載の画像形成装置。
＜６＞
前記ピーク間電圧Ｖｐｐが８００Ｖ以上１５００Ｖ以下であり、前記周波数が２５００Ｈｚ以上である＜５＞に記載の画像形成装置。
＜７＞
前記帯電部材は、前記接触方式の帯電部材よりも前記電子写真感光体の回転方向上流側に設けられ、前記電子写真感光体の表面を帯電する非接触方式の帯電部材と、前記非接触方式の帯電部材に直流電圧を印加する直流電圧印加部とを有する＜１＞～＜４＞のいずれか１項に記載の画像形成装置。
＜８＞
前記交流電圧印加部により前記接触方式の帯電部材に印加する交流電圧における、ピーク間電圧Ｖｐｐが１０００Ｖ以上４０００Ｖ以下であり、周波数が２５００Ｈｚ以上であり、
前記直流電圧印加部により前記非接触方式の帯電部材に印加する直流電圧における、電圧Ｖが６００Ｖ以上１０００Ｖ以下である、＜７＞に記載の画像形成装置。
＜９＞
前記無機保護層の光透過率が、９０％以上である＜１＞～＜８＞のいずれか１項に記載の画像形成装置。
＜１０＞
導電性基体と、感光層と、金属元素Ｍ、酸素Ｏ及び水素Ｈを含む無機保護層と、をこの順に有し、前記無機保護層の表面を構成する層における、前記酸素Ｏと前記金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．３以上１．５以下である電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する接触方式の帯電部材と前記接触方式の帯電部材に交流電圧を印加する交流電圧印加部とを有する帯電装置と、
を備える画像形成装置用ユニット。
＜１＞
導電性基体と、感光層と、金属元素Ｍ、酸素Ｏ及び水素Ｈを含む無機保護層と、をこの順に有し、前記無機保護層の表面を構成する層における、前記酸素Ｏと前記金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．３以上１．５以下である電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する接触方式の帯電部材と前記接触方式の帯電部材に交流電圧を印加する交流電圧印加部とを有する帯電装置と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成装置と、
静電荷像現像剤を供給して、前記電子写真感光体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像装置と、
前記電子写真感光体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、
を備える画像形成装置。
＜２＞
前記無機保護層の表面を構成する層における、前記酸素Ｏと前記金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．４以上１．５以下である＜１＞に記載の画像形成装置。
＜３＞
前記無機保護層は、前記酸素Ｏと前記金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．３以上１．５未満である、前記無機保護層の表面を構成する層の単層体である＜１＞又は＜２＞に記載の画像形成装置。
＜４＞
前記無機保護層の表面を構成する層の単層体の膜厚が、０．５μｍ以上１．０μｍ以下である＜３＞に記載の画像形成装置。
＜５＞
前記交流電圧印加部により前記接触方式の帯電部材に印加する交流電圧における、ピーク間電圧Ｖｐｐが３５０Ｖ以下４０００Ｖ以下であり、周波数が１００Ｈｚ以上である＜１＞～＜４＞のいずれか１項に記載の画像形成装置。
＜６＞
前記ピーク間電圧Ｖｐｐが８００Ｖ以上１５００Ｖ以下であり、前記周波数が２５００Ｈｚ以上である＜５＞に記載の画像形成装置。
＜７＞
前記帯電部材は、前記接触方式の帯電部材よりも前記電子写真感光体の回転方向上流側に設けられ、前記電子写真感光体の表面を帯電する非接触方式の帯電部材と、前記非接触方式の帯電部材に直流電圧を印加する直流電圧印加部とを有する＜１＞～＜４＞のいずれか１項に記載の画像形成装置。
＜８＞
前記交流電圧印加部により前記接触方式の帯電部材に印加する交流電圧における、ピーク間電圧Ｖｐｐが１０００Ｖ以上４０００Ｖ以下であり、周波数が２５００Ｈｚ以上であり、
前記直流電圧印加部により前記非接触方式の帯電部材に印加する直流電圧における、電圧Ｖが６００Ｖ以上１０００Ｖ以下である、＜７＞に記載の画像形成装置。
＜９＞
前記無機保護層の光透過率が、９０％以上である＜１＞～＜８＞のいずれか１項に記載の画像形成装置。
＜１０＞
導電性基体と、感光層と、金属元素Ｍ、酸素Ｏ及び水素Ｈを含む無機保護層と、をこの順に有し、前記無機保護層の表面を構成する層における、前記酸素Ｏと前記金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．３以上１．５以下である電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する接触方式の帯電部材と前記接触方式の帯電部材に交流電圧を印加する交流電圧印加部とを有する帯電装置と、
を備える画像形成装置用ユニット。
【発明の効果】
【0007】
＜１＞に係る発明によれば、導電性基体、感光層、並びに、金属元素Ｍ、酸素Ｏ及び水素Ｈを含む無機保護層をこの順に有する電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電部材を有する帯電装置と、帯電した電子写真感光体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成装置と、静電荷像現像剤を供給して、電子写真感光体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像装置と、電子写真感光体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、を備える画像形成装置において、無機保護層の表面を構成する層における、酸素Ｏと金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．３未満である場合に比べ、電子写真感光体における、電気特性及び無機保護層の耐摩耗性に優れる画像形成装置が提供される。
【0008】
＜２＞に係る発明によれば、酸素Ｏと金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．４未満である場合に比べ、電子写真感光体における、電気特性及び無機保護層の耐摩耗性に優れる画像形成装置が提供される。
【0009】
＜３＞に係る発明によれば、無機保護層が、酸素Ｏと金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．３以上１．５未満である、無機保護層の表面を構成する層を含む積層体である場合に比べ、電子写真感光体における、電気特性及び無機保護層の耐摩耗性に優れる画像形成装置が提供される。
【0010】
＜４＞に係る発明によれば、無機保護層の表面を構成する層の単層体の膜厚が、０．５μｍ未満である場合に比べ、電子写真感光体における、電気特性及び無機保護層の耐摩耗性に優れる画像形成装置が提供される。
【0011】
＜５＞に係る発明によれば、交流電圧印加部により触方式の帯電部材に印加する交流電圧における、ピーク間電圧Ｖｐｐが３５０Ｖ未満若しくは４０００Ｖ超え、又は周波数が１００Ｈｚ未満である場合に比べ、電子写真感光体における、電気特性及び無機保護層の耐摩耗性に優れる画像形成装置が提供される。
＜６＞に係る発明によれば、交流電圧印加部により触方式の帯電部材に印加する交流電圧における、ピーク間電圧Ｖｐｐが８００Ｖ未満若しくは１５００Ｖ超え、又は周波数が２５００Ｈｚ未満である場合に比べ、電子写真感光体における、電気特性及び無機保護層の耐摩耗性に優れる画像形成装置が提供される。
＜６＞に係る発明によれば、交流電圧印加部により触方式の帯電部材に印加する交流電圧における、ピーク間電圧Ｖｐｐが８００Ｖ未満若しくは１５００Ｖ超え、又は周波数が２５００Ｈｚ未満である場合に比べ、電子写真感光体における、電気特性及び無機保護層の耐摩耗性に優れる画像形成装置が提供される。
【0012】
＜７＞に係る発明によれば、導電性基体、感光層、並びに、金属元素Ｍ、酸素Ｏ及び水素Ｈを含む無機保護層をこの順に有する電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電部材を有する帯電装置と、帯電した電子写真感光体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成装置と、静電荷像現像剤を供給して、電子写真感光体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像装置と、電子写真感光体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、を備える画像形成装置において、無機保護層の表面を構成する層における、酸素Ｏと金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．３未満である場合に比べ、接触方式の帯電部材及び非接触方式の帯電部材を有し、電子写真感光体における、電気特性及び無機保護層の耐摩耗性に優れる画像形成装置が提供される。
＜８＞に係る発明によれば、交流電圧印加部により接触方式の帯電部材に印加する交流電圧における、ピーク間電圧Ｖｐｐが１０００Ｖ未満若しくは４０００Ｖ超え、若しくは周波数が２５００Ｈｚ未満、又は直流電圧印加部により非接触方式の帯電部材に印加する直流電圧における、電圧Ｖが６００Ｖ未満若しくは１０００Ｖ超えである場合に比べ、電子写真感光体における、電気特性及び無機保護層の耐摩耗性に優れる画像形成装置が提供される。
＜８＞に係る発明によれば、交流電圧印加部により接触方式の帯電部材に印加する交流電圧における、ピーク間電圧Ｖｐｐが１０００Ｖ未満若しくは４０００Ｖ超え、若しくは周波数が２５００Ｈｚ未満、又は直流電圧印加部により非接触方式の帯電部材に印加する直流電圧における、電圧Ｖが６００Ｖ未満若しくは１０００Ｖ超えである場合に比べ、電子写真感光体における、電気特性及び無機保護層の耐摩耗性に優れる画像形成装置が提供される。
【0013】
＜９＞に係る発明によれば、無機保護層の表面を構成する層における光透過率が、９０％未満である場合に比べ、電子写真感光体における、電気特性及び無機保護層の耐摩耗性に優れる画像形成装置が提供される。
【0014】
＜１０＞に係る発明によれば、導電性基体、感光層、並びに、金属元素Ｍ、酸素Ｏ及び水素Ｈを含む無機保護層をこの順に有する電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電部材を有する帯電装置と、を備える画像形成用ユニットにおいて、無機保護層の表面を構成する層における、酸素Ｏと金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．３未満である場合に比べ、電子写真感光体における、電気特性及び無機保護層の耐摩耗性に優れる画像形成用ユニットが提供される。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
【図2】本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
【図3】本実施形態における電子写真感光体の無機保護層の形成に用いる成膜装置の一例を示す概略模式図である。
【図4】本実施形態における電子写真感光体の無機保護層の形成に用いるプラズマ発生装置の例を示す概略模式図である。
【図5】本実施形態に係る画像形成装置における電子写真感光体の層構成の一例を示す模式断面図である。
【図6】本実施形態に係る画像形成装置における電子写真感光体の層構成の他の例を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、本発明の一例である実施形態について詳細に説明する。これらの説明及び実施例は本発明を例示するものであり、本発明を制限するものではない。
【0017】
本明細書において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。
本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
【0018】
本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけでなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の目的が達成されれば、本用語に含まれる。
【0019】
本明細書において実施形態を図面を参照して説明する場合、当該実施形態の構成は図面に示された構成に限定されない。また、各図における部材の大きさは概念的なものであり、部材間の大きさの相対的な関係はこれに限定されない。
【0020】
本明細書において各成分は該当する物質を複数種含んでいてもよい。本開示において組成物中の各成分の量について言及する場合、組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合には、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計量を意味する。
【0021】
＜画像形成装置＞
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体（以下単に「感光体」とも称す）と、感光体の表面を帯電する帯電装置と、帯電した感光体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成装置と、静電荷像現像剤を供給して、感光体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像装置と、感光体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、を備える。
感光体は、導電性基体と、感光層と、金属元素Ｍ、酸素Ｏ及び水素Ｈを含む無機保護層と、をこの順に有し、無機保護層の表面を構成する層における、酸素Ｏと金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．３以上１．５以下である。
帯電装置は、電子写真感光体の表面を帯電する接触方式の帯電部材と接触方式の帯電部材に交流電圧を印加する交流電圧印加部とを有する。
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体（以下単に「感光体」とも称す）と、感光体の表面を帯電する帯電装置と、帯電した感光体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成装置と、静電荷像現像剤を供給して、感光体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像装置と、感光体の表面に形成されたトナー画像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、を備える。
感光体は、導電性基体と、感光層と、金属元素Ｍ、酸素Ｏ及び水素Ｈを含む無機保護層と、をこの順に有し、無機保護層の表面を構成する層における、酸素Ｏと金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．３以上１．５以下である。
帯電装置は、電子写真感光体の表面を帯電する接触方式の帯電部材と接触方式の帯電部材に交流電圧を印加する交流電圧印加部とを有する。
【0022】
ここで、本実施形態に係る画像形成装置は、感光体の表面に形成されたトナー画像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；感光体の表面に形成されたトナー画像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー画像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー画像の転写後、帯電前に感光体の表面に除電光を照射して除電する除電装置を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。
中間転写方式の装置の場合、転写装置は、例えば、表面にトナー画像が転写される中間転写体と、感光体の表面に形成されたトナー画像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写装置と、中間転写体の表面に転写されたトナー画像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写装置と、を有する構成が適用される。
中間転写方式の装置の場合、転写装置は、例えば、表面にトナー画像が転写される中間転写体と、感光体の表面に形成されたトナー画像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写装置と、中間転写体の表面に転写されたトナー画像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写装置と、を有する構成が適用される。
【0023】
なお、本実施形態に係る画像形成装置において、感光体及び帯電装置を少なくとも含む部分が画像形成装置用のユニットを構成し、画像形成装置に対して脱着されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。
【0024】
本実施形態に係る画像形成装置は、上記構成により、感光体における、電気特性及び無機保護層の耐摩耗性に優れる。その理由は次の通り推測される。
【0025】
感光体において、電子輸送層として機能する、金属元素Ｍ、酸素Ｏ及び水素Ｈを含む無機保護層は、帯電特性を得るための表面電子注入と、電気特性を得るための光電変換機能及び電子輸送機能と、の機能を持つ必要がある。
そして、感光体の表面に無機保護層に電子注入するためには、無機保護層の表面を構成する層を低抵抗化している。
しかし、無機保護層の表面を構成する層の低抵抗化は、表面抵抗低下には金属元素を増加させるため、光透過性が低下し、光電変換機能及び電子輸送機能が落ちる。その結果、結果的に感光体の電気特性が低下する。また、無機保護層の耐摩耗性が低下する。
そして、感光体の表面に無機保護層に電子注入するためには、無機保護層の表面を構成する層を低抵抗化している。
しかし、無機保護層の表面を構成する層の低抵抗化は、表面抵抗低下には金属元素を増加させるため、光透過性が低下し、光電変換機能及び電子輸送機能が落ちる。その結果、結果的に感光体の電気特性が低下する。また、無機保護層の耐摩耗性が低下する。
【0026】
そこで、本実施形態では、感光体の無機保護層の表面を構成する層における、酸素Ｏと金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）を１．３以上１．５以下とする。それにより、光電変換機能及び電子輸送機能と共に、耐摩耗性を向上させる。
一方で、帯電装置として、感光体の表面を帯電する接触方式の帯電部材と接触方式の帯電部材に交流電圧を印加する交流電圧印加部とを有する帯電装置を採用する。それにより、帯電部材により、感光体の表面に、つまり無機保護層に電子注入する。それにより、帯電特性も確保される。
一方で、帯電装置として、感光体の表面を帯電する接触方式の帯電部材と接触方式の帯電部材に交流電圧を印加する交流電圧印加部とを有する帯電装置を採用する。それにより、帯電部材により、感光体の表面に、つまり無機保護層に電子注入する。それにより、帯電特性も確保される。
【0027】
以上から、本実施形態に係る画像形成装置は、感光体における、電気特性及び無機保護層の耐摩耗性に優れると推測される。
【0028】
次いで、本実施形態に係る画像形成装置の構成を詳しく説明する。
【0029】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。
【0030】
図１は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１０には、図１に示すように、例えば、感光体１２が設けられている。感光体１２は、円柱状とされ、モータ等の駆動部２７にギア等の駆動力伝搬部材（不図示）を介して連結されており、当該駆動部２７により、黒点で示す回転軸の周りに回転駆動される。図１に示す例では、矢印Ａ方向に回転駆動される。
本実施形態に係る画像形成装置１０には、図１に示すように、例えば、感光体１２が設けられている。感光体１２は、円柱状とされ、モータ等の駆動部２７にギア等の駆動力伝搬部材（不図示）を介して連結されており、当該駆動部２７により、黒点で示す回転軸の周りに回転駆動される。図１に示す例では、矢印Ａ方向に回転駆動される。
【0031】
感光体１２の周辺には、例えば、帯電装置１５（帯電装置の一例）、静電荷像形成装置１６（静電荷像形成装置の一例）、現像装置１８（現像装置の一例）、転写装置３１（転写装置の一例）、クリーニング装置２２（清掃装置の一例）、及び除電装置２４が、感光体１２の回転方向に沿って順に配設されている。そして、画像形成装置１０には、定着部材２６Ａと、定着部材２６Ａに接触して配置される加圧部材２６Ｂと、を有する定着装置２６も配設されている。また、画像形成装置１０は、各装置（各部）の動作を制御する制御装置３６を有している。なお、感光体１２、帯電装置１５、静電荷像形成装置１６、現像装置１８、転写装置３１、クリーニング装置２２を含むユニットが画像形成ユニットに該当する。
【0032】
画像形成装置１０において、少なくとも感光体１２は、他の装置と一体化したプロセスカートリッジとして備えてもよい。
【0033】
以下、画像形成装置１０の各装置（各部）の詳細について説明する。
【0034】
［電子写真感光体］
感光体は、導電性基体上に、感光層及び無機保護層をこの順に有するものである。
感光層は、電荷発生材料と電荷輸送材料とを同一の感光層に含有して機能を一体化した単層型感光層でもよく、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能が分離された積層型感光層でもよい。
感光層が積層型感光層である場合、電荷発生層と電荷輸送層との順序は特に限定されないが、感光体は、導電性基体上に、電荷発生層、電荷輸送層、及び無機保護層をこの順に有する構成が好ましい。また、感光体は、これらの層以外の層を含んでいてもよい。
感光体は、導電性基体上に、感光層及び無機保護層をこの順に有するものである。
感光層は、電荷発生材料と電荷輸送材料とを同一の感光層に含有して機能を一体化した単層型感光層でもよく、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能が分離された積層型感光層でもよい。
感光層が積層型感光層である場合、電荷発生層と電荷輸送層との順序は特に限定されないが、感光体は、導電性基体上に、電荷発生層、電荷輸送層、及び無機保護層をこの順に有する構成が好ましい。また、感光体は、これらの層以外の層を含んでいてもよい。
【0035】
図５は、本実施形態に係る画像形成装置における感光体の層構成の一例を示す模式断面図である。図５に示す感光体１０７Ａは、導電性基体１０４上に、下引層１０１が設けられ、その上に電荷発生層１０２、電荷輸送層１０３、及び無機保護層１０６が順次形成された構造を有する。感光体１０７Ａにおいては、電荷発生層１０２と電荷輸送層１０３とに機能が分離された感光層１０５が構成されている。
【0036】
また、図６は、本実施形態に係る画像形成装置における感光体の層構成の他の例を示す模式断面図である。図６に示す感光体１０７Ｂは、導電性基体１０４上に、下引層１０１が設けられ、感光層１０５及び無機保護層１０６が順次形成された構造を有する。感光体１０７Ｂにおいては、電荷発生材料と電荷輸送材料とを同一の感光層１０５に含有して機能を一体化した単層型感光層が構成されている。
なお、本実施形態における感光体は、下引層１０１を設けてもよいし、設けなくてもよい。
なお、本実施形態における感光体は、下引層１０１を設けてもよいし、設けなくてもよい。
【0037】
以下、本実施形態における感光体の詳細について説明するが、符号は省略して説明する。
【0038】
（導電性基体）
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
【0039】
導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。
【0040】
粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて支持体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。
【0041】
粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。
【0042】
陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。
【0043】
陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。
【0044】
導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
【0045】
ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。
【0046】
（下引層）
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。
【0047】
無機粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１０２Ωｃｍ以上１０１１Ωｃｍ以下の無機粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。
【0048】
無機粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ２／ｇ以上がよい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。
【0049】
無機粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上８０質量％以下である。
【0050】
無機粒子は、表面処理が施されていてもよい。無機粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。
【0051】
表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。
【0052】
アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0053】
シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３－メタクリルオキシプロピル－トリス（２－メトキシエトキシ）シラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0054】
表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。
【0055】
表面処理剤の処理量は、例えば、無機粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。
【0056】
ここで、下引層は、無機粒子と共に電子受容性化合物（アクセプター化合物）を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。
【0057】
電子受容性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７－トリニトロフルオレノン、２，４，５，７－テトラニトロ－９－フルオレノン等のフルオレノン化合物；２－（４－ビフェニル）－５－（４－ｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール、２，５－ビス（４－ナフチル）－１，３，４－オキサジアゾール、２，５－ビス（４－ジエチルアミノフェニル）－１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ－ｔ－ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物；等の電子輸送性物質等が挙げられる。
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。
【0058】
電子受容性化合物は、下引層中に無機粒子と共に分散して含まれていてもよいし、無機粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。
【0059】
電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。
【0060】
乾式法は、例えば、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。
【0061】
湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、無機粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。
【0062】
なお、電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を無機粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。
【0063】
電子受容性化合物の含有量は、例えば、無機粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下がよく、好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下である。
【0064】
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。
【0065】
これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
【0066】
下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
【0067】
添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３－メタクリルオキシプロピル－トリス（２－メトキシエトキシ）シラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【0068】
ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
【0069】
チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２－エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
【0070】
アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
【0071】
これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【0072】
下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
【0073】
下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。
【0074】
下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｉｓｏ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ－ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｉｓｏ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ－ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
【0075】
下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。
【0076】
下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【0077】
下引層の膜厚は、例えば、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定される。
【0078】
（中間層）
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【0079】
これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。
【0080】
中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
【0081】
中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。
【0082】
（電荷発生層）
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。
【0083】
電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。
【0084】
これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、ヒドロキシガリウムフタロシアニン；クロロガリウムフタロシアニン；ジクロロスズフタロシアニン；チタニルフタロシアニンがより好ましい。
【0085】
一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；ビスアゾ顔料等が好ましい。
【0086】
４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ－型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。
【0087】
これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ－型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。
なお、ｎ－型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ－型とする。
なお、ｎ－型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ－型とする。
【0088】
電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。
【0089】
なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。
【0090】
電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【0091】
電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。
【0092】
電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ－ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。
【0093】
電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液－液衝突や液－壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。
【0094】
電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【0095】
電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。
【0096】
（電荷輸送層）
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。
【0097】
電荷輸送材料としては、ｐ－ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７－トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。
【0098】
電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記構造式（ａ－１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び下記構造式（ａ－２）で示されるベンジジン誘導体が好ましい。
【0099】
【化1】
【0100】
構造式（ａ－１）中、ＡｒＴ１、ＡｒＴ２、及びＡｒＴ３は、各々独立に置換若しくは無置換のアリール基、－Ｃ６Ｈ４－Ｃ（ＲＴ４）＝Ｃ（ＲＴ５）（ＲＴ６）、又は－Ｃ６Ｈ４－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）を示す。ＲＴ４、ＲＴ５、ＲＴ６、ＲＴ７、及びＲＴ８は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
【0101】
【化2】
【0102】
構造式（ａ－２）中、ＲＴ９１及びＲＴ９２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基を示す。ＲＴ１０１、ＲＴ１０２、ＲＴ１１１及びＲＴ１１２は各々独立に、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは無置換のアリール基、－Ｃ（ＲＴ１２）＝Ｃ（ＲＴ１３）（ＲＴ１４）、又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）を示し、ＲＴ１２、ＲＴ１３、ＲＴ１４、ＲＴ１５及びＲＴ１６は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２は各々独立に０以上２以下の整数を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
【0103】
ここで、構造式（ａ－１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び前記構造式（ａ－２）で示されるベンジジン誘導体のうち、特に、「－Ｃ６Ｈ４－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）」を有するトリアリールアミン誘導体、及び「－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）」を有するベンジジン誘導体が、電荷移動度の観点で好ましい。
【0104】
高分子電荷輸送材料としては、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリシラン等の電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、ポリエステル系の高分子電荷輸送材料は好ましい。なお、高分子電荷輸送材料は、単独で使用してよいが、結着樹脂と併用してもよい。
【0105】
電荷輸送層に用いる結着樹脂は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン－ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、スチレン－アルキッド樹脂、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの中でも、結着樹脂としては、ポリカーボネート樹脂又はポリアリレート樹脂が好適である。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。
なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。
なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。
【0106】
上記の結着樹脂の中でも、電荷輸送層の表面粗さをより低下させ易くし、像流れの発生をより抑制する点から、ポリカーボネート樹脂（ビスフェノールＡ、ビスフェノールＺ、ビスフェノールＣ、ビスフェノールＴＰ等の単独重合型、又はその共重合型）が好ましい。ポリカーボネート樹脂は、１種を単独で使用してもよく、２種以上併用してもよい。また、同様の点で、ポリカーボネート樹脂の中でも、ビスフェノールＺの単独重合型ポリカーボネート樹脂を含むことがより好ましい。
【0107】
電荷輸送層は、電荷輸送材料及び結着樹脂のほかに、必要に応じて無機粒子を含んでもよい。
電荷輸送層（すなわち有機感光層の最外層）が無機粒子を含むことで、無機保護層の割れが抑制される。具体的には、有機感光層の表面を構成する層に無機粒子を含有させることにより、無機粒子が有機感光層の補強材としての機能を果すことで、有機感光層が変形し難くなり、無機保護層の割れが抑制されると考えられる。また、電荷輸送層（すなわち有機感光層）が無機粒子を含むことで、電界強度が高くなっても電荷輸送層（すなわち有機感光層）の絶縁破壊が起こりにくくなる。
電荷輸送層（すなわち有機感光層の最外層）が無機粒子を含むことで、無機保護層の割れが抑制される。具体的には、有機感光層の表面を構成する層に無機粒子を含有させることにより、無機粒子が有機感光層の補強材としての機能を果すことで、有機感光層が変形し難くなり、無機保護層の割れが抑制されると考えられる。また、電荷輸送層（すなわち有機感光層）が無機粒子を含むことで、電界強度が高くなっても電荷輸送層（すなわち有機感光層）の絶縁破壊が起こりにくくなる。
【0108】
電荷輸送層に用いられる無機粒子としては、シリカ粒子、アルミナ粒子、酸化チタン粒子、チタン酸カリウム、酸化スズ粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子、硫酸バリウム粒子、酸化カルシウム粒子、炭酸カルシウム粒子、酸化マグネシウム粒子、などが挙げられる。
無機粒子は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
これらの中でも、誘電損率が高く、感光体の電気特性を低減させ難い点、また、無機保護層の割れの発生を抑制する観点から、シリカ粒子が特に好ましい。
以下、電荷輸送層に好適なシリカ粒子について詳細に説明する。
無機粒子は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
これらの中でも、誘電損率が高く、感光体の電気特性を低減させ難い点、また、無機保護層の割れの発生を抑制する観点から、シリカ粒子が特に好ましい。
以下、電荷輸送層に好適なシリカ粒子について詳細に説明する。
【0109】
シリカ粒子としては、例えば、乾式シリカ粒子、湿式シリカ粒子が挙げられる。
乾式シリカ粒子としては、シラン化合物を燃焼させて得られる燃焼法シリカ（ヒュームドシリカ）、金属珪素粉を爆発的に燃焼させて得られる爆燃法シリカ等が挙げられる。
湿式シリカ粒子としては、珪酸ナトリウムと鉱酸との中和反応によって得られる湿式シリカ粒子（アルカリ条件で合成・凝集した沈降法シリカ、酸性条件で合成・凝集したゲル法シリカ粒子等）、酸性珪酸をアルカリ性にして重合することで得られるコロイダルシリカ粒子（シリカゾル粒子等）、有機シラン化合物（例えばアルコキシシラン等）の加水分解によって得られるゾルゲル法シリカ粒子が挙げられる。
これらの中でも、シリカ粒子としては、残留電位の発生、その他電気特性の悪化による画像欠陥の抑制（細線再現性の悪化の抑制）の観点から、表面のシラノール基が少なく、低い空隙構造を持つ燃焼法シリカ粒子が望ましい。
乾式シリカ粒子としては、シラン化合物を燃焼させて得られる燃焼法シリカ（ヒュームドシリカ）、金属珪素粉を爆発的に燃焼させて得られる爆燃法シリカ等が挙げられる。
湿式シリカ粒子としては、珪酸ナトリウムと鉱酸との中和反応によって得られる湿式シリカ粒子（アルカリ条件で合成・凝集した沈降法シリカ、酸性条件で合成・凝集したゲル法シリカ粒子等）、酸性珪酸をアルカリ性にして重合することで得られるコロイダルシリカ粒子（シリカゾル粒子等）、有機シラン化合物（例えばアルコキシシラン等）の加水分解によって得られるゾルゲル法シリカ粒子が挙げられる。
これらの中でも、シリカ粒子としては、残留電位の発生、その他電気特性の悪化による画像欠陥の抑制（細線再現性の悪化の抑制）の観点から、表面のシラノール基が少なく、低い空隙構造を持つ燃焼法シリカ粒子が望ましい。
【0110】
シリカ粒子は、その表面が疎水化処理剤で表面処理されていることがよい。これにより、シリカ粒子の表面のシラノール基が低減し、残留電位の発生が抑制され易くなる。
疎水化処理剤としては、クロロシラン、アルコキシシラン、シラザン等の周知のシラン化合物が挙げられる。
これらの中でも、疎水化処理剤としては、残留電位の発生を抑制し易くする観点及び感光体表面の帯電ムラに起因する画像濃度ムラを抑制する観点から、トリメチルシリル基、デシルシリル基、又はフェニルシリル基を持つシラン化合物が望ましい。つまり、シリカ粒子の表面には、トリメチルシリル基、デシルシリル基、又はフェニルシリル基を有することがよい。
トリメチルシリル基を持つシラン化合物（トリメチルシラン化合物）としては、例えば、トリメチルクロロシラン、トリメチルメトキシシラン、１，１，１，３，３，３－ヘキサメチルジシラザン等が挙げられる。
デシルシリル基を持つシラン化合物（デシルシラン化合物）としては、例えば、デシルトリクロロシラン、デシルジメチルクロロシラン、デシルトリメトキシシラン等が挙げられる。
フェニル基を持つシラン化合物（フェニルシラン化合物）としては、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルクロロシラン等が挙げられる。
疎水化処理剤としては、クロロシラン、アルコキシシラン、シラザン等の周知のシラン化合物が挙げられる。
これらの中でも、疎水化処理剤としては、残留電位の発生を抑制し易くする観点及び感光体表面の帯電ムラに起因する画像濃度ムラを抑制する観点から、トリメチルシリル基、デシルシリル基、又はフェニルシリル基を持つシラン化合物が望ましい。つまり、シリカ粒子の表面には、トリメチルシリル基、デシルシリル基、又はフェニルシリル基を有することがよい。
トリメチルシリル基を持つシラン化合物（トリメチルシラン化合物）としては、例えば、トリメチルクロロシラン、トリメチルメトキシシラン、１，１，１，３，３，３－ヘキサメチルジシラザン等が挙げられる。
デシルシリル基を持つシラン化合物（デシルシラン化合物）としては、例えば、デシルトリクロロシラン、デシルジメチルクロロシラン、デシルトリメトキシシラン等が挙げられる。
フェニル基を持つシラン化合物（フェニルシラン化合物）としては、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルクロロシラン等が挙げられる。
【0111】
疎水化処理されたシリカ粒子の縮合率（シリカ粒子中のＳｉＯ４－の結合におけるＳｉ－Ｏ－Ｓｉの率：以下「疎水化処理剤の縮合率」ともいう）は、例えば、シリカ粒子の表面のシラノール基に対して９０％以上が挙げられ、好ましくは９１％以上、より好ましくは９５％以上である。
疎水化処理剤の縮合率を上記範囲にすると、シリカ粒子のシラノール基がより低減し、残留電位の発生が抑制され易くなる。
疎水化処理剤の縮合率を上記範囲にすると、シリカ粒子のシラノール基がより低減し、残留電位の発生が抑制され易くなる。
【0112】
疎水化処理剤の縮合率は、ＮＭＲ（Ｎｕｃｌｅａｒ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）で検出した縮合部のケイ素の全結合可能サイトに対して、縮合したケイ素の割合を示しており、次のようにして測定する。
まず、層中からシリカ粒子を分離する。分離したシリカ粒子に対して、Ｂｒｕｋｅｒ製ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ ４００でＳｉ ＣＰ／ＭＡＳ ＮＭＲ分析を行い、ＳｉＯの置換数に応じたピーク面積を求め、それぞれ、２置換（Ｓｉ（ＯＨ）２（０－Ｓｉ）２－）、３置換（Ｓｉ（ＯＨ）（０－Ｓｉ）３－）、４置換（Ｓｉ（０－Ｓｉ）４－）の値をＱ２，Ｑ３，Ｑ４とし、疎水化処理剤の縮合率は式：（Ｑ２×２＋Ｑ３×３＋Ｑ４×４）／４×（Ｑ２＋Ｑ３＋Ｑ４）により算出する。
まず、層中からシリカ粒子を分離する。分離したシリカ粒子に対して、Ｂｒｕｋｅｒ製ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ ４００でＳｉ ＣＰ／ＭＡＳ ＮＭＲ分析を行い、ＳｉＯの置換数に応じたピーク面積を求め、それぞれ、２置換（Ｓｉ（ＯＨ）２（０－Ｓｉ）２－）、３置換（Ｓｉ（ＯＨ）（０－Ｓｉ）３－）、４置換（Ｓｉ（０－Ｓｉ）４－）の値をＱ２，Ｑ３，Ｑ４とし、疎水化処理剤の縮合率は式：（Ｑ２×２＋Ｑ３×３＋Ｑ４×４）／４×（Ｑ２＋Ｑ３＋Ｑ４）により算出する。
【0113】
シリカ粒子の体積抵抗率は、例えば、１０１１Ω・ｃｍ以上がよく、好ましくは１０１２Ω・ｃｍ以上、より好ましくは１０１３Ω・ｃｍ以上である。
シリカ粒子の体積抵抗率を上記範囲にすると、電気特性の低下が抑制される。
シリカ粒子の体積抵抗率を上記範囲にすると、電気特性の低下が抑制される。
【0114】
シリカ粒子の体積抵抗率は、次のようにして測定する。なお、測定環境は、温度２０℃、湿度５０％ＲＨとする。
まず、層中からシリカ粒子を分離する。そして、２０ｃｍ２の電極板を配した円形の治具の表面に、測定対象となる分離したシリカ粒子を１ｍｍ以上３ｍｍ以下程度の厚さになるように載せ、シリカ粒子層を形成する。この上に前記同様の２０ｃｍ２の電極板を載せシリカ粒子層を挟み込む。シリカ粒子間の空隙をなくすため、シリカ粒子層上に載せた電極板の上に４ｋｇの荷重をかけてからシリカ粒子層の厚み（ｃｍ）を測定する。シリカ粒子層上下の両電極には、エレクトロメーター及び高圧電源発生装置に接続されている。両電極に電界が予め定められた値となるように高電圧を印加し、このとき流れた電流値（Ａ）を読み取ることにより、シリカ粒子の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）を計算する。シリカ粒子の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）の計算式は、下式に示す通りである。
なお、式中、ρはシリカ粒子の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）、Ｅは印加電圧（Ｖ）、Ｉは電流値（Ａ）、Ｉ０は印加電圧０Ｖにおける電流値（Ａ）、Ｌはシリカ粒子層の厚み（ｃｍ）をそれぞれ表す。本評価では印加電圧が１０００Ｖの時の体積抵抗率を用いた。
・式：ρ＝Ｅ×２０／（Ｉ－Ｉ０）／Ｌ
まず、層中からシリカ粒子を分離する。そして、２０ｃｍ２の電極板を配した円形の治具の表面に、測定対象となる分離したシリカ粒子を１ｍｍ以上３ｍｍ以下程度の厚さになるように載せ、シリカ粒子層を形成する。この上に前記同様の２０ｃｍ２の電極板を載せシリカ粒子層を挟み込む。シリカ粒子間の空隙をなくすため、シリカ粒子層上に載せた電極板の上に４ｋｇの荷重をかけてからシリカ粒子層の厚み（ｃｍ）を測定する。シリカ粒子層上下の両電極には、エレクトロメーター及び高圧電源発生装置に接続されている。両電極に電界が予め定められた値となるように高電圧を印加し、このとき流れた電流値（Ａ）を読み取ることにより、シリカ粒子の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）を計算する。シリカ粒子の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）の計算式は、下式に示す通りである。
なお、式中、ρはシリカ粒子の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）、Ｅは印加電圧（Ｖ）、Ｉは電流値（Ａ）、Ｉ０は印加電圧０Ｖにおける電流値（Ａ）、Ｌはシリカ粒子層の厚み（ｃｍ）をそれぞれ表す。本評価では印加電圧が１０００Ｖの時の体積抵抗率を用いた。
・式：ρ＝Ｅ×２０／（Ｉ－Ｉ０）／Ｌ
【0115】
シリカ粒子を含む無機粒子の体積平均粒径は、例えば、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が挙げられ、好ましくは４０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下、更に好ましくは、５０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。
体積平均粒径が上記範囲であることで、無機保護層の割れ、及び残留電位の発生が抑制され易くなる。
体積平均粒径が上記範囲であることで、無機保護層の割れ、及び残留電位の発生が抑制され易くなる。
【0116】
無機粒子の体積平均粒径は、次のようにして測定する。以下、シリカ粒子の場合の測定方法を示すが、他の粒子であっても同様の測定方法が採用される。
シリカ粒子の体積平均粒径は、層中からシリカ粒子を分離し、このシリカ粒子の一次粒子１００個をＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）装置により４００００倍の倍率で観察し、一次粒子の画像解析によって粒子ごとの最長径、最短径を測定し、この中間値から球相当径を測定する。得られた球相当径の累積頻度における５０％径（Ｄ５０ｖ）を求め、これをシリカ粒子の体積平均粒径として測定する。
シリカ粒子の体積平均粒径は、層中からシリカ粒子を分離し、このシリカ粒子の一次粒子１００個をＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）装置により４００００倍の倍率で観察し、一次粒子の画像解析によって粒子ごとの最長径、最短径を測定し、この中間値から球相当径を測定する。得られた球相当径の累積頻度における５０％径（Ｄ５０ｖ）を求め、これをシリカ粒子の体積平均粒径として測定する。
【0117】
無機粒子の含有量は、その種類によって適宜決定されればよいが、無機保護層の割れ、及び残留電位の発生が抑制され易くなるといった点から、電荷輸送層全体（固形分）に対して、例えば、３０質量％以上が好ましく、４０質量％以上がより好ましく、５０質量％以上が更に好ましく、５５質量％以上であることが特に好ましい。
また、無機粒子の含有量の上限値は特に限定されないが、電荷輸送層の特性を確保する等の点から、９０質量％以下がよく、８０質量％以下であることが好ましく、７０質量％以下であることがより好ましく、６５質量％以下であることがさらに好ましい。
また、無機粒子の含有量は、電荷輸送材料の含有量よりも多いことが好ましく、例えば電荷輸送層全体（固形分）に対し５５質量％以上９０質量％以下であることが好ましい。
また、無機粒子の含有量の上限値は特に限定されないが、電荷輸送層の特性を確保する等の点から、９０質量％以下がよく、８０質量％以下であることが好ましく、７０質量％以下であることがより好ましく、６５質量％以下であることがさらに好ましい。
また、無機粒子の含有量は、電荷輸送材料の含有量よりも多いことが好ましく、例えば電荷輸送層全体（固形分）に対し５５質量％以上９０質量％以下であることが好ましい。
【0118】
電荷輸送層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【0119】
－電荷輸送層の特性－
電荷輸送層における無機保護層側の表面の表面粗さＲａ（算術平均表面粗さＲａ）は、例えば、０．０６μｍ以下が挙げられ、好ましくは０．０３μｍ以下、より好ましくは０．０２μｍ以下である。
この表面粗さＲａを上記範囲とすると、無機保護層の平滑性が上がり、クリーニング性が向上する。
なお、表面粗さＲａを上記範囲とするには、例えば、層の厚みを厚くする等の方法が挙げられる
電荷輸送層における無機保護層側の表面の表面粗さＲａ（算術平均表面粗さＲａ）は、例えば、０．０６μｍ以下が挙げられ、好ましくは０．０３μｍ以下、より好ましくは０．０２μｍ以下である。
この表面粗さＲａを上記範囲とすると、無機保護層の平滑性が上がり、クリーニング性が向上する。
なお、表面粗さＲａを上記範囲とするには、例えば、層の厚みを厚くする等の方法が挙げられる
【0120】
この表面粗さＲａは、次のように測定する。
まず、無機保護層を剥離した後、測定対象となる層を露出させる。そして、その層の一部をカッター等で切り出し、測定試料を取得する。
この測定試料に対して、触針式表面粗さ測定機（サーフコム１４００Ａ：東京精密社製等）を使用して測定する。その測定条件としては、ＪＩＳ Ｂ０６０１－１９９４に準拠し、評価長さＬｎ＝４ｍｍ、基準長さＬ＝０．８ｍｍ、カットオフ値＝０．８ｍｍとする。
まず、無機保護層を剥離した後、測定対象となる層を露出させる。そして、その層の一部をカッター等で切り出し、測定試料を取得する。
この測定試料に対して、触針式表面粗さ測定機（サーフコム１４００Ａ：東京精密社製等）を使用して測定する。その測定条件としては、ＪＩＳ Ｂ０６０１－１９９４に準拠し、評価長さＬｎ＝４ｍｍ、基準長さＬ＝０．８ｍｍ、カットオフ値＝０．８ｍｍとする。
【0121】
電荷輸送層の弾性率は、例えば、５ＧＰａ以上が挙げられ、６ＧＰａ以上が好ましく、６．５ＧＰａ以上がより好ましい。
電荷輸送層の弾性率を上記範囲とすると、無機保護層の割れが抑制され易くなる。
なお、電荷輸送層の弾性率を上記範囲とするには、例えば、シリカ粒子の粒径及び含有量を調整する方法、電荷輸送材料の種類及び含有量を調整する方法が挙げられる。
電荷輸送層の弾性率を上記範囲とすると、無機保護層の割れが抑制され易くなる。
なお、電荷輸送層の弾性率を上記範囲とするには、例えば、シリカ粒子の粒径及び含有量を調整する方法、電荷輸送材料の種類及び含有量を調整する方法が挙げられる。
【0122】
電荷輸送層の弾性率は、次のように測定する。
まず、無機保護層を剥離した後、測定対象となる層を露出させる。そして、その層の一部をカッター等で切り出し、測定試料を取得する。
この測定試料に対して、ＭＴＳシステムズ社製 Ｎａｎｏ Ｉｎｄｅｎｔｅｒ ＳＡ２を用いて、連続剛性法（ＣＳＭ）（米国特許４８４８１４１）により深さプロファイルを得て、その押込み深さ３０ｎｍから１００ｎｍの測定値から得た平均値を用いて測定する。
まず、無機保護層を剥離した後、測定対象となる層を露出させる。そして、その層の一部をカッター等で切り出し、測定試料を取得する。
この測定試料に対して、ＭＴＳシステムズ社製 Ｎａｎｏ Ｉｎｄｅｎｔｅｒ ＳＡ２を用いて、連続剛性法（ＣＳＭ）（米国特許４８４８１４１）により深さプロファイルを得て、その押込み深さ３０ｎｍから１００ｎｍの測定値から得た平均値を用いて測定する。
【0123】
電荷輸送層の膜厚は、例えば、１０μｍ以上４０μｍ以下が挙げられ、好ましくは１０μｍ以上３５μｍ以下、より好ましくは１５μｍ以上３０μｍ以下である。
電荷輸送層の膜厚を上記範囲にすると、無機保護層の割れ、及び残留電位の発生が抑制され易くなる。
電荷輸送層の膜厚を上記範囲にすると、無機保護層の割れ、及び残留電位の発生が抑制され易くなる。
【0124】
－電荷輸送層の形成－
電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
【0125】
電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２－ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
【0126】
電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【0127】
なお、電荷輸送層形成用塗布液中に粒子（例えばシリカ粒子やフッ素樹脂粒子）を分散させる場合、その分散方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液－液衝突や液－壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式などが挙げられる。
【0128】
また、電荷輸送層の形成後、無機保護層の形成の前に、必要に応じて、導電性基体上に形成された有機感光層に含まれる大気を、大気よりも酸素濃度が高い気体で置換する工程を経てもよい。
【0129】
（無機保護層）
－無機保護層の組成－
無機保護層は、その表面を構成する層が、金属元素Ｍ、酸素Ｏ及び水素Ｈを含む。つまり、無機保護層の表面を構成する層は、金属元素Ｍ、酸素Ｏ及び水素Ｈを含む無機材料で構成されている。
そして、無機保護層の表面を構成する層における、酸素Ｏと金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．３以上１．５以下である。
無機保護層は、酸素Ｏと金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．３以上１．５以下である、無機保護層の表面を構成する層の単層体で構成されていてもよし、当該無機保護層の表面を構成する層を含む積層体で構成されていてもよい。
ただし、電気特性向上の観点から、無機保護層は、酸素Ｏと金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．３以上１．５以下である、無機保護層の表面を構成する層の単層体で構成されていることがよい。
－無機保護層の組成－
無機保護層は、その表面を構成する層が、金属元素Ｍ、酸素Ｏ及び水素Ｈを含む。つまり、無機保護層の表面を構成する層は、金属元素Ｍ、酸素Ｏ及び水素Ｈを含む無機材料で構成されている。
そして、無機保護層の表面を構成する層における、酸素Ｏと金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．３以上１．５以下である。
無機保護層は、酸素Ｏと金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．３以上１．５以下である、無機保護層の表面を構成する層の単層体で構成されていてもよし、当該無機保護層の表面を構成する層を含む積層体で構成されていてもよい。
ただし、電気特性向上の観点から、無機保護層は、酸素Ｏと金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）が１．３以上１．５以下である、無機保護層の表面を構成する層の単層体で構成されていることがよい。
【0130】
無機保護層の表面を構成する層において、金属元素Ｍとしては、第１３族元素、等が挙げられる。
第１３族元素としては、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウムが挙げられる。
これらの中でも、感光体における、電気特性及び無機保護層の耐摩耗性の観点から、金属元素Ｍとしては、第１３族元素が好ましく、ガリウムがより好ましい。
第１３族元素としては、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウムが挙げられる。
これらの中でも、感光体における、電気特性及び無機保護層の耐摩耗性の観点から、金属元素Ｍとしては、第１３族元素が好ましく、ガリウムがより好ましい。
【0131】
無機保護層の表面を構成する層における、酸素Ｏと金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）は、１．３以上１．５以下であるが、感光体における、電気特性及び無機保護層の耐摩耗性の観点から、１．４以上１．５以下が好ましく、１．４６以上１．５以下がより好ましい。
一方で、無機保護層の表面を構成する層における、酸素Ｏと金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）は、無機保護層の剥がれ抑制の観点から、１．３以上１．５以下がより好ましい。
一方で、無機保護層の表面を構成する層における、酸素Ｏと金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）は、無機保護層の剥がれ抑制の観点から、１．３以上１．５以下がより好ましい。
【0132】
無機保護層の表面を構成する層における、無機保護層の表面を構成する層を構成する全元素に対する、金属元素Ｍ、酸素Ｏ及び水素Ｈの元素構成比率の和は、感光体における、電気特性及び無機保護層の耐摩耗性の観点から、９０％以上が好ましく、９５％がより好ましく、９８％がより好ましい。
【0133】
無機保護層の表面を構成する層には、上記無機材料の他、導電型の制御のために、例えば、ｎ型の場合、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１つ以上の元素を含んでいてもよい。また、例えば、ｐ型の場合、Ｎ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれる１つ以上の元素を含んでいてもよい。
【0134】
ここで、無機保護層の表面を構成する層が、金属元素Ｍ、酸素Ｏ及び水素Ｈを含んで構成された場合、感光体における、電気特性及び無機保護層の耐摩耗性に優れるという観点から、好適な元素構成比率は以下の通りである。
金属元素Ｍの元素構成比率は、例えば、無機保護層の全構成元素に対して、１５原子％以上５０原子％以下であることがよく、望ましくは２０原子％以上４０原子％以下、より望ましくは２０原子％以上３原子０％以下である。
酸素Ｏの元素構成比率は、例えば、無機保護層の全構成元素に対して、３０原子％以上７０原子％以下であることがよく、望ましくは４０原子％以上６０原子％以下、より望ましくは４５原子％以上５５原子％以下である。
水素Ｈの元素構成比率は、例えば、無機保護層の全構成元素に対して、１０原子％以上４０原子％以下であることがよく、望ましくは１５原子％以上３５原子％以下、より望ましくは２０原子％以上３０原子％以下である。
金属元素Ｍの元素構成比率は、例えば、無機保護層の全構成元素に対して、１５原子％以上５０原子％以下であることがよく、望ましくは２０原子％以上４０原子％以下、より望ましくは２０原子％以上３原子０％以下である。
酸素Ｏの元素構成比率は、例えば、無機保護層の全構成元素に対して、３０原子％以上７０原子％以下であることがよく、望ましくは４０原子％以上６０原子％以下、より望ましくは４５原子％以上５５原子％以下である。
水素Ｈの元素構成比率は、例えば、無機保護層の全構成元素に対して、１０原子％以上４０原子％以下であることがよく、望ましくは１５原子％以上３５原子％以下、より望ましくは２０原子％以上３０原子％以下である。
【0135】
無機保護層が積層体で構成される場合、感光体における、電気特性向上の観点から、無機保護層の表面を構成する層の下層における、酸素Ｏと金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）は、１．２以上１．３未満であることが好ましい。
無機保護層の表面を構成する層の下層は、酸素Ｏと金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）以外は、無機保護層の表面を構成する層と同様な構成とすることがよい。
無機保護層の表面を構成する層の下層は、酸素Ｏと金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）以外は、無機保護層の表面を構成する層と同様な構成とすることがよい。
【0136】
無機保護層における各元素の元素構成比率、原子数比等は、厚み方向の分布も含めてラザフォードバックスキャタリング（以下、「ＲＢＳ」と称する）により求められる
なお、ＲＢＳでは、加速器としてＮＥＣ社 ３ＳＤＨ Ｐｅｌｌｅｔｒｏｎ、エンドステーションとしてＣＥ＆Ａ社 ＲＢＳ－４００、システムとして３Ｓ－Ｒ１０を用いる。解析にはＣＥ＆Ａ社のＨＹＰＲＡプログラム等を用いる。
なお、ＲＢＳの測定条件は、Ｈｅ＋＋イオンビームエネルギーは２．２７５ｅＶ、検出角度１６０°、入射ビームに対してＧｒａｚｉｎｇ Ａｎｇｌｅは約１０９°とする。
なお、ＲＢＳでは、加速器としてＮＥＣ社 ３ＳＤＨ Ｐｅｌｌｅｔｒｏｎ、エンドステーションとしてＣＥ＆Ａ社 ＲＢＳ－４００、システムとして３Ｓ－Ｒ１０を用いる。解析にはＣＥ＆Ａ社のＨＹＰＲＡプログラム等を用いる。
なお、ＲＢＳの測定条件は、Ｈｅ＋＋イオンビームエネルギーは２．２７５ｅＶ、検出角度１６０°、入射ビームに対してＧｒａｚｉｎｇ Ａｎｇｌｅは約１０９°とする。
【0137】
ＲＢＳ測定は、具体的には以下のように行う
まず、Ｈｅ＋＋イオンビームを試料に対して垂直に入射し、検出器をイオンビームに対して、１６０°にセットし、後方散乱されたＨｅのシグナルを測定する。検出したＨｅのエネルギーと強度から組成比と膜厚を決定する。組成比及び膜厚を求める精度を向上させるために二つの検出角度でスペクトルを測定してもよい。深さ方向分解能や後方散乱力学の異なる二つの検出角度で測定しクロスチェックすることにより精度が向上する。
ターゲット原子によって後方散乱されるＨｅ原子の数は、１）ターゲット原子の原子番号、２）散乱前のＨｅ原子のエネルギー、３）散乱角度の３つの要素のみにより決まる。 測定された組成から密度を計算によって仮定して、これを用いて厚みを算出する。密度の誤差は２０％以内である。
まず、Ｈｅ＋＋イオンビームを試料に対して垂直に入射し、検出器をイオンビームに対して、１６０°にセットし、後方散乱されたＨｅのシグナルを測定する。検出したＨｅのエネルギーと強度から組成比と膜厚を決定する。組成比及び膜厚を求める精度を向上させるために二つの検出角度でスペクトルを測定してもよい。深さ方向分解能や後方散乱力学の異なる二つの検出角度で測定しクロスチェックすることにより精度が向上する。
ターゲット原子によって後方散乱されるＨｅ原子の数は、１）ターゲット原子の原子番号、２）散乱前のＨｅ原子のエネルギー、３）散乱角度の３つの要素のみにより決まる。 測定された組成から密度を計算によって仮定して、これを用いて厚みを算出する。密度の誤差は２０％以内である。
【0138】
なお、水素の元素構成比率は、ハイドロジェンフォワードスキャタリング（以下、「ＨＦＳ」と称する）により求められる。
ＨＦＳ測定では、加速器としてＮＥＣ社 ３ＳＤＨ Ｐｅｌｌｅｔｒｏｎ、エンドステーションとしてＣＥ＆Ａ社 ＲＢＳ－４００を用い、システムとして３Ｓ－Ｒ１０を用いる。解析にはＣＥ＆Ａ社のＨＹＰＲＡプログラムを用いる。そして、ＨＦＳの測定条件は、以下の通りである。
・Ｈｅ＋＋イオンビームエネルギー：２．２７５ｅＶ
・検出角度：１６０°入射ビームに対してＧｒａｚｉｎｇ Ａｎｇｌｅ３０°
ＨＦＳ測定では、加速器としてＮＥＣ社 ３ＳＤＨ Ｐｅｌｌｅｔｒｏｎ、エンドステーションとしてＣＥ＆Ａ社 ＲＢＳ－４００を用い、システムとして３Ｓ－Ｒ１０を用いる。解析にはＣＥ＆Ａ社のＨＹＰＲＡプログラムを用いる。そして、ＨＦＳの測定条件は、以下の通りである。
・Ｈｅ＋＋イオンビームエネルギー：２．２７５ｅＶ
・検出角度：１６０°入射ビームに対してＧｒａｚｉｎｇ Ａｎｇｌｅ３０°
【0139】
ＨＦＳ測定は、Ｈｅ＋＋イオンビームに対して検出器が３０°に、試料が法線から７５°になるようにセットすることにより、試料の前方に散乱する水素のシグナルを拾う。この時検出器をアルミ箔で覆い、水素とともに散乱するＨｅ原子を取り除くことがよい。定量は参照用試料と被測定試料との水素のカウントを阻止能で規格化した後に比較することによって行う。参照用試料としてＳｉ中にＨをイオン注入した試料と白雲母を使用する。
白雲母は水素濃度が６．５原子％であることが知られている。
最表面に吸着しているＨは、例えば、清浄なＳｉ表面に吸着しているＨ量を差し引くことによって補正を行う。
白雲母は水素濃度が６．５原子％であることが知られている。
最表面に吸着しているＨは、例えば、清浄なＳｉ表面に吸着しているＨ量を差し引くことによって補正を行う。
【0140】
なお、無機保護層は、目的に応じて、厚み方向に組成比に分布を有していてもよいし、多層構成からなるものであってもよい。
【0141】
－無機保護層の特性－
無機保護層の光透過率は、９０％以上が好ましく、９５％より好ましい。
無機保護層の光透過率が上記範囲であると、電気特性が向上する。
無機保護層の光透過率は、次の通り測定する。
まず、測定対象の感光体保護層成膜時に、同時に石英ガラス上に無機保護層を成膜することで試料を採取する。
石英ガラス上の無機保護層の試料に対して、分光光度計（島津製作所製 ＵＶ-２６０００）により、光透過率を測定する。
無機保護層の体積抵抗率は、５．０×１０9Ωｃｍ以上１．０×１０１3Ωｃｍ未満が好ましい。無機保護層の体積抵抗率は、電気特性向上の点で、８．０×１０10Ωｃｍ以上７．０×12ｃｍ以下がより好ましい。
無機保護層の光透過率は、９０％以上が好ましく、９５％より好ましい。
無機保護層の光透過率が上記範囲であると、電気特性が向上する。
無機保護層の光透過率は、次の通り測定する。
まず、測定対象の感光体保護層成膜時に、同時に石英ガラス上に無機保護層を成膜することで試料を採取する。
石英ガラス上の無機保護層の試料に対して、分光光度計（島津製作所製 ＵＶ-２６０００）により、光透過率を測定する。
無機保護層の体積抵抗率は、５．０×１０9Ωｃｍ以上１．０×１０１3Ωｃｍ未満が好ましい。無機保護層の体積抵抗率は、電気特性向上の点で、８．０×１０10Ωｃｍ以上７．０×12ｃｍ以下がより好ましい。
【0142】
この体積抵抗率は、ｎＦ社製ＬＣＲメーターＺＭ２３７１を用いて、周波数１００Ｈｚ、電圧１Ｖの条件にて測定した抵抗値から、電極面積、試料厚みに基づき算出して求められる。
なお、測定試料は、測定対象となる無機保護層の成膜時の同条件でアルミ基体上に成膜し、その成膜物上に真空蒸着により金電極を形成し得られた試料であってもよいし、又は作製後の電子写真感光体から無機保護層を剥離し、一部エッチングして、これを一対の電極で挟み込んだ試料であってもよい。
なお、測定試料は、測定対象となる無機保護層の成膜時の同条件でアルミ基体上に成膜し、その成膜物上に真空蒸着により金電極を形成し得られた試料であってもよいし、又は作製後の電子写真感光体から無機保護層を剥離し、一部エッチングして、これを一対の電極で挟み込んだ試料であってもよい。
【0143】
無機保護層は、微結晶膜、多結晶膜、非晶質膜などの非単結晶膜であることが望ましい。これらの中でも、非晶質は表面の平滑性で特に望ましいが、微結晶膜は硬度の点でより望ましい。
無機保護層の成長断面は、柱状構造をとっていてもよいが、滑り性の観点からは平坦性の高い構造が望ましく、非晶質が望ましい。
なお、結晶性、非晶質性は、ＲＨＥＥＤ（反射高速電子線回折）測定により得られた回折像の点や線の有無により判別される。
無機保護層の成長断面は、柱状構造をとっていてもよいが、滑り性の観点からは平坦性の高い構造が望ましく、非晶質が望ましい。
なお、結晶性、非晶質性は、ＲＨＥＥＤ（反射高速電子線回折）測定により得られた回折像の点や線の有無により判別される。
【0144】
無機保護層の弾性率は３０ＧＰａ以上８０ＧＰａ以下であることがよく、望ましくは４０ＧＰａ以上６５ＧＰａ以下である。
この弾性率を上記範囲とすると、無機保護層の凹部（打痕状の傷）の発生、剥れや割れが抑制され易くなる。
この弾性率は、ＭＴＳシステムズ社製 Ｎａｎｏ Ｉｎｄｅｎｔｅｒ ＳＡ２を用いて、連続剛性法（ＣＳＭ）（米国特許４８４８１４１）により深さプロファイルを得て、その押込み深さ３０ｎｍから１００ｎｍの測定値から得た平均値を用いる。下記は測定条件である。
・測定環境：２３℃、５５％ＲＨ
・使用圧子：ダイヤモンド製正三角錐圧子（Ｂｅｒｋｏｖｉｃ圧子）三角錐圧子
・試験モード：ＣＳＭモード
なお、測定試料は、測定対象となる無機保護層の成膜時の同条件で基体上に成膜した試料であってもよいし、又は作製後の電子写真感光体から無機保護層を剥離し、一部エッチングした試料であってもよい。
この弾性率を上記範囲とすると、無機保護層の凹部（打痕状の傷）の発生、剥れや割れが抑制され易くなる。
この弾性率は、ＭＴＳシステムズ社製 Ｎａｎｏ Ｉｎｄｅｎｔｅｒ ＳＡ２を用いて、連続剛性法（ＣＳＭ）（米国特許４８４８１４１）により深さプロファイルを得て、その押込み深さ３０ｎｍから１００ｎｍの測定値から得た平均値を用いる。下記は測定条件である。
・測定環境：２３℃、５５％ＲＨ
・使用圧子：ダイヤモンド製正三角錐圧子（Ｂｅｒｋｏｖｉｃ圧子）三角錐圧子
・試験モード：ＣＳＭモード
なお、測定試料は、測定対象となる無機保護層の成膜時の同条件で基体上に成膜した試料であってもよいし、又は作製後の電子写真感光体から無機保護層を剥離し、一部エッチングした試料であってもよい。
【0145】
無機保護層の膜厚は、例えば、０．２μｍ以上１０．０μｍ以下であることがよく、望ましくは０．４μｍ以上５．０μｍ以下である。
この膜厚を上記範囲とすると、感光体における、電気特性及び無機保護層の耐摩耗性が向上する。
この膜厚を上記範囲とすると、感光体における、電気特性及び無機保護層の耐摩耗性が向上する。
【0146】
－無機保護層の形成－
無機保護層の形成には、例えば、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、有機金属気相成長法、分子線エキタピシー法、蒸着、スパッタリング等の公知の気相成膜法が利用される。
無機保護層の形成には、例えば、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、有機金属気相成長法、分子線エキタピシー法、蒸着、スパッタリング等の公知の気相成膜法が利用される。
【0147】
以下、無機保護層の形成について、成膜装置の一例を図面に示しつつ具体例を挙げて説明する。なお、以下の説明は、ガリウム、酸素、及び水素を含んで構成された無機保護層の形成方法について示すが、これに限られず、目的とする無機保護層の組成に応じて、周知の形成方法を適用すればよい。
【0148】
図３は、本実施形態に係る電子写真感光体の無機保護層の形成に用いる成膜装置の一例を示す概略模式図であり、図３（Ａ）は、成膜装置を側面から見た場合の模式断面図を表し、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示す成膜装置のＡ１－Ａ２間における模式断面図を表す。図３中、２１０は成膜室、２１１は排気口、２１２は基体回転部、２１３は基体支持部材、２１４は基体、２１５はガス導入管、２１６はガス導入管２１５から導入したガスを噴射する開口を有するシャワーノズル、２１７はプラズマ拡散部、２１８は高周波電力供給部、２１９は平板電極、２２０はガス導入管、２２１は高周波放電管部である。
【0149】
図３に示す成膜装置において、成膜室２１０の一端には、不図示の真空排気装置に接続された排気口２１１が設けられており、成膜室２１０の排気口２１１が設けられた側と反対側に、高周波電力供給部２１８、平板電極２１９及び高周波放電管部２２１からなるプラズマ発生装置が設けられている。
このプラズマ発生装置は、高周波放電管部２２１と、高周波放電管部２２１内に配置され、放電面が排気口２１１側に設けられた平板電極２１９と、高周波放電管部２２１外に配置され、平板電極２１９の放電面と反対側の面に接続された高周波電力供給部２１８とから構成されたものである。なお、高周波放電管部２２１には、高周波放電管部２２１内にガスを供給するためのガス導入管２２０が接続されており、このガス導入管２２０のもう一方の端は、不図示の第１のガス供給源に接続されている。
このプラズマ発生装置は、高周波放電管部２２１と、高周波放電管部２２１内に配置され、放電面が排気口２１１側に設けられた平板電極２１９と、高周波放電管部２２１外に配置され、平板電極２１９の放電面と反対側の面に接続された高周波電力供給部２１８とから構成されたものである。なお、高周波放電管部２２１には、高周波放電管部２２１内にガスを供給するためのガス導入管２２０が接続されており、このガス導入管２２０のもう一方の端は、不図示の第１のガス供給源に接続されている。
【0150】
なお、図３に示す成膜装置に設けられたプラズマ発生装置の代わりに、図４に示すプラズマ発生装置を用いてもよい。図４は、図３に示す成膜装置において利用されるプラズマ発生装置の他の例を示す概略模式図であり、プラズマ発生装置の側面図である。図４中、２２２が高周波コイル、２２３が石英管を表し、２２０は、図３中に示すものと同様である。このプラズマ発生装置は、石英管２２３と、石英管２２３の外周面沿って設けられた高周波コイル２２２とからなり、石英管２２３の一方の端は成膜室２１０（図４中、不図示）と接続されている。また、石英管２２３のもう一方の端には、石英管２２３内にガスを導入するためのガス導入管２２０が接続されている。
【0151】
図４において、平板電極２１９の放電面側には、放電面に沿って延びる棒状のシャワーノズル２１６が接続されており、シャワーノズル２１６の一端は、ガス導入管２１５と接続されており、このガス導入管２１５は成膜室２１０外に設けられた不図示の第２のガス供給源と接続されている。
また、成膜室２１０内には、基体回転部２１２が設けられており、円筒状の基体２１４が、シャワーノズル２１６の長手方向と基体２１４の軸方向とが沿って対面するように基体支持部材２１３を介して基体回転部２１２に取りつけられるようになっている。成膜に際しては、基体回転部２１２が回転することによって、基体２１４が周方向に回転する。なお、基体２１４としては、例えば、予め有機感光層まで積層された感光体等が用いられる。
また、成膜室２１０内には、基体回転部２１２が設けられており、円筒状の基体２１４が、シャワーノズル２１６の長手方向と基体２１４の軸方向とが沿って対面するように基体支持部材２１３を介して基体回転部２１２に取りつけられるようになっている。成膜に際しては、基体回転部２１２が回転することによって、基体２１４が周方向に回転する。なお、基体２１４としては、例えば、予め有機感光層まで積層された感光体等が用いられる。
【0152】
無機保護層の形成は、例えば、以下のように実施する。
まず、酸素ガス（又は、ヘリウム（Ｈｅ）希釈酸素ガス）、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、及び必要に応じ水素（Ｈ２）ガスを、ガス導入管２２０から高周波放電管部２２１内に導入すると共に、高周波電力供給部２１８から平板電極２１９に、１３．５６ＭＨｚのラジオ波を供給する。この際、平板電極２１９の放電面側から排気口２１１側へと放射状に広がるようにプラズマ拡散部２１７が形成される。ここで、ガス導入管２２０から導入されたガスは成膜室２１０を平板電極２１９側から排気口２１１側へと流れる。平板電極２１９は電極の周りをアースシールドで囲んだものでもよい。
まず、酸素ガス（又は、ヘリウム（Ｈｅ）希釈酸素ガス）、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、及び必要に応じ水素（Ｈ２）ガスを、ガス導入管２２０から高周波放電管部２２１内に導入すると共に、高周波電力供給部２１８から平板電極２１９に、１３．５６ＭＨｚのラジオ波を供給する。この際、平板電極２１９の放電面側から排気口２１１側へと放射状に広がるようにプラズマ拡散部２１７が形成される。ここで、ガス導入管２２０から導入されたガスは成膜室２１０を平板電極２１９側から排気口２１１側へと流れる。平板電極２１９は電極の周りをアースシールドで囲んだものでもよい。
【0153】
次に、トリメチルガリウムガスをガス導入管２１５、活性化装置である平板電極２１９の下流側に位置するシャワーノズル２１６を介して成膜室２１０に導入することによって、基体２１４表面にガリウムと酸素と水素とを含む非単結晶膜を成膜する。
基体２１４としては、例えば、有機感光層が形成された基体を用いる。
基体２１４としては、例えば、有機感光層が形成された基体を用いる。
【0154】
無機保護層の成膜時の基体２１４表面の温度は、有機感光層を有する有機感光体を用いるので、１５０℃以下が望ましく、１００℃以下がより望ましく、３０℃以上１００℃以下が特に望ましい。
基体２１４表面の温度が成膜開始当初は１５０℃以下であっても、プラズマの影響で１５０℃より高くなる場合には有機感光層が熱で損傷を受ける場合があるため、この影響を考慮して基体２１４の表面温度を制御することが望ましい。
基体２１４表面の温度は加熱装置及び冷却装置の少なくとも一方（図中、不図示）によって制御してもよいし、放電時の自然な温度の上昇に任せてもよい。基体２１４を加熱する場合にはヒータを基体２１４の外側や内側に設置してもよい。基体２１４を冷却する場合には基体２１４の内側に冷却用の気体又は液体を循環させてもよい。
放電による基体２１４表面の温度の上昇を避けたい場合には、基体２１４表面に当たる高エネルギーの気体流を調節することが効果的である。この場合、ガス流量や放電出力、圧力などの条件を所要温度となるように調整する。
基体２１４表面の温度が成膜開始当初は１５０℃以下であっても、プラズマの影響で１５０℃より高くなる場合には有機感光層が熱で損傷を受ける場合があるため、この影響を考慮して基体２１４の表面温度を制御することが望ましい。
基体２１４表面の温度は加熱装置及び冷却装置の少なくとも一方（図中、不図示）によって制御してもよいし、放電時の自然な温度の上昇に任せてもよい。基体２１４を加熱する場合にはヒータを基体２１４の外側や内側に設置してもよい。基体２１４を冷却する場合には基体２１４の内側に冷却用の気体又は液体を循環させてもよい。
放電による基体２１４表面の温度の上昇を避けたい場合には、基体２１４表面に当たる高エネルギーの気体流を調節することが効果的である。この場合、ガス流量や放電出力、圧力などの条件を所要温度となるように調整する。
【0155】
また、トリメチルガリウムガスの代わりにアルミニウムを含む有機金属化合物やジボラン等の水素化物を用いることもでき、これらを２種類以上混合してもよい。
例えば、無機保護層の形成の初期において、トリメチルインジウムをガス導入管２１５、シャワーノズル２１６を介して成膜室２１０内に導入することにより、基体２１４上に窒素とインジウムとを含む膜を成膜すれば、この膜が、継続して成膜する場合に発生し、有機感光層を劣化させる紫外線を吸収する。このため、成膜時の紫外線の発生による有機感光層へのダメージが抑制される。
例えば、無機保護層の形成の初期において、トリメチルインジウムをガス導入管２１５、シャワーノズル２１６を介して成膜室２１０内に導入することにより、基体２１４上に窒素とインジウムとを含む膜を成膜すれば、この膜が、継続して成膜する場合に発生し、有機感光層を劣化させる紫外線を吸収する。このため、成膜時の紫外線の発生による有機感光層へのダメージが抑制される。
【0156】
また、成膜時におけるドーパントのドーピングの方法としては、ｎ型用としてはＳｉＨ３，ＳｎＨ４を、ｐ型用としては、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム、ジメチルカルシウム、ジメチルストロンチウム、などをガス状態で使用する。また、ドーパント元素を表面層中にドーピングするには、熱拡散法、イオン注入法等の公知の方法を採用してもよい。
具体的には、例えば、少なくとも一つ以上のドーパント元素を含むガスをガス導入管２１５、シャワーノズル２１６を介して成膜室２１０内に導入することによって、ｎ型、ｐ型等の導電型の無機保護層を得る。
具体的には、例えば、少なくとも一つ以上のドーパント元素を含むガスをガス導入管２１５、シャワーノズル２１６を介して成膜室２１０内に導入することによって、ｎ型、ｐ型等の導電型の無機保護層を得る。
【0157】
図３及び図４を用いて説明した成膜装置では、放電エネルギーにより形成される活性窒素又は活性水素を、活性装置を複数設けて独立に制御してもよいし、ＮＨ３など、窒素原子と水素原子を同時に含むガスを用いてもよい。更にＨ２を加えてもよい。また、有機金属化合物から活性水素が遊離生成する条件を用いてもよい。
このようにすることで、基体２１４表面上には、活性化された、炭素原子、ガリウム原子、窒素原子、水素原子、等が制御された状態で存在する。そして、活性化された水素原子が、有機金属化合物を構成するメチル基やエチル基等の炭化水素基の水素を分子として脱離させる効果を有する。
このため、三次元的な結合を構成する硬質膜（無機保護層）が形成される。
このようにすることで、基体２１４表面上には、活性化された、炭素原子、ガリウム原子、窒素原子、水素原子、等が制御された状態で存在する。そして、活性化された水素原子が、有機金属化合物を構成するメチル基やエチル基等の炭化水素基の水素を分子として脱離させる効果を有する。
このため、三次元的な結合を構成する硬質膜（無機保護層）が形成される。
【0158】
図３及び図４に示す成膜装置のプラズマ発生装置は、高周波発振装置を用いたものであるが、これに限定されるものではなく、例えば、マイクロ波発振装置を用いてもよいし、エレクトロサイクロトロン共鳴方式やヘリコンプラズマ方式の装置を用いてもよい。また、高周波発振装置の場合は、誘導型でも容量型でもよい。
更に、これらの装置を２種類以上組み合わせて用いてもよく、同種の装置を２つ以上用いてもよい。プラズマの照射によって基体２１４表面の温度上昇を抑制するためには高周波発振装置が望ましいが、熱の照射を抑制する装置を設けてもよい。
更に、これらの装置を２種類以上組み合わせて用いてもよく、同種の装置を２つ以上用いてもよい。プラズマの照射によって基体２１４表面の温度上昇を抑制するためには高周波発振装置が望ましいが、熱の照射を抑制する装置を設けてもよい。
【0159】
２種類以上の異なるプラズマ発生装置（プラズマ発生装置）を用いる場合には、同じ圧力で同時に放電が生起されるようにすることが望ましい。また、放電する領域と、成膜する領域（基体が設置された部分）とに圧力差を設けてもよい。これらの装置は、成膜装置内をガスが導入される部分から排出される部分へと形成されるガス流に対して直列に配置してもよいし、いずれの装置も基体の成膜面に対向するように配置してもよい。
【0160】
例えば、２種類のプラズマ発生装置をガス流に対して直列に設置する場合、図３に示す成膜装置を例に上げれば、シャワーノズル２１６を電極として成膜室２１０内に放電を起こさせる第２のプラズマ発生装置として利用される。この場合、例えば、ガス導入管２１５を介して、シャワーノズル２１６に高周波電圧を印加して、シャワーノズル２１６を電極として成膜室２１０内に放電を起こさせる。又は、シャワーノズル２１６を電極として利用する代わりに、成膜室２１０内の基体２１４と平板電極２１９との間に円筒状の電極を設けて、この円筒状電極を利用して、成膜室２１０内に放電を起こさせる。
また、異なる２種類のプラズマ発生装置を同一の圧力下で利用する場合、例えば、マイクロ波発振装置と高周波発振装置とを用いる場合、励起種の励起エネルギーを大きく変えることができ、膜質の制御に有効である。また、放電は大気圧近傍（７００００Ｐａ以上１１００００Ｐａ以下）で行ってもよい。大気圧近傍で放電を行う場合にはキャリアガスとしてＨｅを使用することが望ましい。
また、異なる２種類のプラズマ発生装置を同一の圧力下で利用する場合、例えば、マイクロ波発振装置と高周波発振装置とを用いる場合、励起種の励起エネルギーを大きく変えることができ、膜質の制御に有効である。また、放電は大気圧近傍（７００００Ｐａ以上１１００００Ｐａ以下）で行ってもよい。大気圧近傍で放電を行う場合にはキャリアガスとしてＨｅを使用することが望ましい。
【0161】
無機保護層の形成は、例えば、成膜室２１０に基体上に有機感光層を形成した基体２１４を設置し、各々組成の異なる混合ガスを導入して、無機保護層を形成する。
【0162】
また、成膜条件としては、例えば高周波放電により放電する場合、低温で良質な成膜を行うには、周波数として１０ｋＨｚ以上５０ＭＨｚ以下の範囲とすることが望ましい。また、出力は基体２１４の大きさに依存するが、基体の表面積に対して０．０１Ｗ／ｃｍ２以上０．２Ｗ／ｃｍ２以下の範囲とすることが望ましい。基体２１４の回転速度は０．１ｒｐｍ以上５００ｒｐｍ以下の範囲が望ましい。
【0163】
（単層型感光層）
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、例えば、電荷発生材料と電荷輸送材料と、必要に応じて、結着樹脂、及びその他周知の添加剤と、を含む層である。なお、これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。
そして、単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して０．１質量％以上１０質量％以下がよく、好ましくは０．８質量％以上５質量％以下である。また、単層型感光層中、電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して５質量％以上５０質量％以下がよい。
単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。
単層型感光層の膜厚は、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下がよく、好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、例えば、電荷発生材料と電荷輸送材料と、必要に応じて、結着樹脂、及びその他周知の添加剤と、を含む層である。なお、これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。
そして、単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して０．１質量％以上１０質量％以下がよく、好ましくは０．８質量％以上５質量％以下である。また、単層型感光層中、電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して５質量％以上５０質量％以下がよい。
単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。
単層型感光層の膜厚は、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下がよく、好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。
【0164】
［帯電装置］
帯電装置１５は、感光体１２の表面を帯電する。
帯電装置１５は、例えば、感光体１２表面に接触して設けられ、感光体１２の表面を帯電する接触方式の帯電部材１４、及び帯電部材１４に交流電圧を印加する交流電源２８（帯電部材用の交流電圧印加部の一例）を備えている。交流電源２８は、帯電部材１４に電気的に接続されている。
帯電装置１５は、感光体１２の表面を帯電する。
帯電装置１５は、例えば、感光体１２表面に接触して設けられ、感光体１２の表面を帯電する接触方式の帯電部材１４、及び帯電部材１４に交流電圧を印加する交流電源２８（帯電部材用の交流電圧印加部の一例）を備えている。交流電源２８は、帯電部材１４に電気的に接続されている。
【0165】
接触方式の帯電部材１４としては、例えば、導電性の帯電ロール、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触方式の帯電器が挙げられる。
【0166】
交流電源２８により、帯電部材１４に印加する交流電圧における、ピーク間電圧Ｖｐｐが３５０Ｖ以下４０００Ｖ以下（好ましくは８００Ｖ以下１５００Ｖ以下）であり、周波数が１００Ｈｚ以上（好ましくは２５００Ｖ以上）であることがよい。
ここで、交流電源２８は、帯電部材１４に、直流電圧に交流電圧が重畳された重畳電圧を印加してもよい。
ここで、交流電源２８は、帯電部材１４に、直流電圧に交流電圧が重畳された重畳電圧を印加してもよい。
【0167】
帯電装置１５は、接触方式の帯電部材１４及び帯電部材１４に帯電電圧を交流印加する交流電源２８を備える形態に限られず、図２に示すように、接触方式の帯電部材１４及び交流電源２８と共に、接触方式の帯電部材１４よりも感光体１２の回転方向上流側に設けられ、感光体１２の表面を帯電する非接触方式の帯電部材１４Ａと、非接触方式の帯電部材１４Ａに直流電圧を印加する直流電源２８Ａ（直流電圧印加部の一例）と、を備える態様であってもよい。
非接触方式の帯電部材１４Ａとしては、例えば、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器又はコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等が挙げられる。
非接触方式の帯電部材１４Ａとしては、例えば、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器又はコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等が挙げられる。
【0168】
本態様の場合、交流電源２８により、接触方式の帯電部材１４に印加する交流電圧における、ピーク間電圧Ｖｐｐが１０００Ｖ以下４０００Ｖ以下であり、周波数が２５００Ｈｚ以上であることがよい。
一方、直流電源２８Ａにより、非接触方式の帯電部材１４Ａに印加する直流電圧は、６００Ｖ以下１０００Ｖ以下であることが好ましい。
一方、直流電源２８Ａにより、非接触方式の帯電部材１４Ａに印加する直流電圧は、６００Ｖ以下１０００Ｖ以下であることが好ましい。
【0169】
本形態では、接触方式の帯電部材１４が補助帯電部材として機能し、感光体１２に電子注入する役割を担うため、非接触方式の電部材１４Ａを採用しても、感光体１２における、電気特性及び無機保護層の耐摩耗性が向上する。
【0170】
［静電荷像形成装置］
静電荷像形成装置１６は、帯電された感光体１２の表面に静電荷像を形成する。具体的には、例えば、静電荷像形成装置１６は、帯電部材１４により帯電された感光体１２の表面に、形成する対象となる画像の画像情報に基づいて変調された光Ｌを照射して、感光体１２上に画像情報の画像に応じた静電荷像を形成する。
静電荷像形成装置１６は、帯電された感光体１２の表面に静電荷像を形成する。具体的には、例えば、静電荷像形成装置１６は、帯電部材１４により帯電された感光体１２の表面に、形成する対象となる画像の画像情報に基づいて変調された光Ｌを照射して、感光体１２上に画像情報の画像に応じた静電荷像を形成する。
【0171】
静電荷像形成装置１６としては、例えば、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を像様に露光する光源を持つ光学系機器等が挙げられる。
【0172】
［現像装置］
現像装置１８は、例えば、静電荷像形成装置１６による光Ｌの照射位置より感光体１２の回転方向下流側に設けられている。現像装置１８内には、現像剤を収容する収容部が設けられている。この収容部には、トナーを有する静電荷像現像剤が収容されている。トナーは、例えば、現像装置１８内で帯電された状態で収容されている。
現像装置１８は、例えば、静電荷像形成装置１６による光Ｌの照射位置より感光体１２の回転方向下流側に設けられている。現像装置１８内には、現像剤を収容する収容部が設けられている。この収容部には、トナーを有する静電荷像現像剤が収容されている。トナーは、例えば、現像装置１８内で帯電された状態で収容されている。
【0173】
また、図１に示す画像形成装置では、現像装置１８内に収容される現像剤（そのトナー）に、脂肪酸金属塩の粒子が添加されており、つまり現像装置１８が、感光体１２の表面とクリーニングブレード２２Ａとの接触部に脂肪酸金属塩を供給する供給装置を兼ねている。
なお、現像剤（そのトナー）に添加され脂肪酸金属塩の粒子の詳細については、後述する。
なお、現像剤（そのトナー）に添加され脂肪酸金属塩の粒子の詳細については、後述する。
【0174】
現像装置１８は、例えば、トナーを含む現像剤により、感光体１２の表面に形成された静電荷像を現像する現像部材１８Ａと、現像部材１８Ａに現像電圧を印加する電源３２と、を備えている。この現像部材１８Ａは、例えば、電源３２に電気的に接続されている。
【0175】
現像装置１８の現像部材１８Ａとしては、現像剤の種類に応じて選択されるが、例えば、磁石が内蔵された現像スリーブを有する現像ロールが挙げられる。
【0176】
現像装置１８（電源３２を含む）は、例えば、画像形成装置１０に設けられた制御装置３６に電気的に接続されており、制御装置３６により駆動制御されて、現像部材１８Ａに現像電圧を印加する。現像電圧を印加された現像部材１８Ａは、現像電圧に応じた現像電位に帯電される。そして、現像電位に帯電された現像部材１８Ａは、例えば、現像装置１８内に収容された現像剤を表面に保持して、現像剤に含まれるトナーを現像装置１８内から感光体１２表面へと供給する。トナーが供給された感光体１２表面では、形成された静電荷像がトナー画像として現像される。
【0177】
［転写装置］
転写装置３１は、例えば、現像部材１８Ａの配設位置より感光体１２の回転方向下流側に設けられている。転写装置３１は、例えば、感光体１２の表面に形成されたトナー画像を記録媒体３０Ａへ転写する転写部材２０と、転写部材２０に転写電圧を印加する電源３０と、を備えている。転写部材２０は、例えば、円柱状とされており、感光体１２との間で記録媒体３０Ａを挟んで搬送する。転写部材２０は、例えば、電源３０に電気的に接続されている。
転写装置３１は、例えば、現像部材１８Ａの配設位置より感光体１２の回転方向下流側に設けられている。転写装置３１は、例えば、感光体１２の表面に形成されたトナー画像を記録媒体３０Ａへ転写する転写部材２０と、転写部材２０に転写電圧を印加する電源３０と、を備えている。転写部材２０は、例えば、円柱状とされており、感光体１２との間で記録媒体３０Ａを挟んで搬送する。転写部材２０は、例えば、電源３０に電気的に接続されている。
【0178】
転写部材２０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムクリーニングブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器又はコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の非接触型転写帯電器が挙げられる。
【0179】
転写装置３１（電源３０を含む）は、例えば、画像形成装置１０に設けられた制御装置３６に電気的に接続されており、制御装置３６により駆動制御されて、転写部材２０に転写電圧を印加する。転写電圧を印加された転写部材２０は、転写電圧に応じた転写電位に帯電される。
【0180】
転写部材２０の電源３０から転写部材２０に、感光体１２上に形成されたトナー画像を構成するトナーとは逆極性の転写電圧が印加されると、例えば、感光体１２と転写部材２０との向かい合う領域（図１中、転写領域３２Ａ参照）には、感光体１２上のトナー画像を構成する各トナーを静電力により感光体１２から転写部材２０側へと移動させる電界強度の転写電界が形成される。
【0181】
記録媒体３０Ａは、例えば、図示を省略する収容部に収容されており、この収容部から図示を省略する複数の搬送部材によって搬送経路３４に沿って搬送され、感光体１２と転写部材２０との向かい合う領域である転写領域３２Ａに到る。図１中に示す例では、矢印Ｂ方向に搬送される。転写領域３２Ａに到った記録媒体３０Ａは、例えば、転写部材２０に転写電圧が印加されることにより該領域に形成された転写電界によって、感光体１２上のトナー画像が転写される。すなわち、例えば、感光体１２表面から記録媒体３０Ａへのトナーの移動により、記録媒体３０Ａ上にトナー画像が転写される。そして、感光体１２上のトナー画像は、転写電界により記録媒体３０Ａ上に転写される。
【0182】
［クリーニング装置］
クリーニング装置２２は、転写領域３２Ａより感光体１２の回転方向下流側に設けられている。クリーニング装置２２は、トナー画像を記録媒体３０Ａに転写した後に、感光体１２に付着した残留トナーをクリーニング（清掃）する。クリーニング装置２２では、残留トナー以外にも、紙粉等の付着物をクリーニングする。
クリーニング装置２２は、転写領域３２Ａより感光体１２の回転方向下流側に設けられている。クリーニング装置２２は、トナー画像を記録媒体３０Ａに転写した後に、感光体１２に付着した残留トナーをクリーニング（清掃）する。クリーニング装置２２では、残留トナー以外にも、紙粉等の付着物をクリーニングする。
【0183】
クリーニング装置２２は、クリーニングブレード２２Ａを有し、クリーニングブレード２２Ａの先端を感光体１２の回転方向と対向する方向に向けて接触させて感光体１２の表面の付着物を除去するものである。
【0184】
［除電装置］
除電装置２４は、例えば、クリーニング装置２２より感光体１２の回転方向下流側に設けられている。除電装置２４は、トナー画像を転写した後、感光体１２の表面を露光して除電する。具体的には、例えば、除電装置２４は、画像形成装置１０に設けられた制御装置３６に電気的に接続されており、制御装置３６により駆動制御されて、感光体１２の全表面（具体的には例えば画像形成領域の全面）を露光して除電する。
除電装置２４は、例えば、クリーニング装置２２より感光体１２の回転方向下流側に設けられている。除電装置２４は、トナー画像を転写した後、感光体１２の表面を露光して除電する。具体的には、例えば、除電装置２４は、画像形成装置１０に設けられた制御装置３６に電気的に接続されており、制御装置３６により駆動制御されて、感光体１２の全表面（具体的には例えば画像形成領域の全面）を露光して除電する。
【0185】
除電装置２４としては、例えば、白色光を照射するタングステンランプ、赤色光を照射する発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光源を有する装置が挙げられる。
【0186】
［定着装置］
定着装置２６は、例えば、転写領域３２Ａより記録媒体３０Ａの搬送経路３４の搬送方向下流側に設けられている。定着装置２６は、定着部材２６Ａと、定着部材２６Ａに接触して配置される加圧部材２６Ｂと、を有し、定着部材２６Ａと加圧部材２６Ｂとの接触部で記録媒体３０Ａ上に転写されたトナー画像を定着する。具体的には、例えば、定着装置２６は、画像形成装置１０に設けられた制御装置３６に電気的に接続されており、制御装置３６により駆動制御されて、記録媒体３０Ａ上に転写されたトナー画像を熱及び圧力によって記録媒体３０Ａに定着する。
定着装置２６は、例えば、転写領域３２Ａより記録媒体３０Ａの搬送経路３４の搬送方向下流側に設けられている。定着装置２６は、定着部材２６Ａと、定着部材２６Ａに接触して配置される加圧部材２６Ｂと、を有し、定着部材２６Ａと加圧部材２６Ｂとの接触部で記録媒体３０Ａ上に転写されたトナー画像を定着する。具体的には、例えば、定着装置２６は、画像形成装置１０に設けられた制御装置３６に電気的に接続されており、制御装置３６により駆動制御されて、記録媒体３０Ａ上に転写されたトナー画像を熱及び圧力によって記録媒体３０Ａに定着する。
【0187】
定着装置２６としては、それ自体公知の定着器、例えば熱ローラ定着器、オーブン定着器等が挙げられる。
具体的には、例えば、定着装置２６は、定着部材２６Ａとして、定着ロール又は定着ベルトと、加圧部材２６Ｂとして、加圧ロール又は加圧ベルトとを備える周知の定着装置が適用される。
具体的には、例えば、定着装置２６は、定着部材２６Ａとして、定着ロール又は定着ベルトと、加圧部材２６Ｂとして、加圧ロール又は加圧ベルトとを備える周知の定着装置が適用される。
【0188】
ここで、搬送経路３４に沿って搬送されて感光体１２と転写部材２０との向かい合う領域（転写領域３２Ａ）を通過することによりトナー画像を転写された記録媒体３０Ａは、例えば、図示を省略する搬送部材によってさらに搬送経路３４に沿って定着装置２６の設置位置に到り、記録媒体３０Ａ上のトナー画像の定着が行われる。
【0189】
トナー画像の定着によって画像形成された記録媒体３０Ａは、図示を省略する複数の搬送部材によって画像形成装置１０の外部へと排出される。なお、感光体１２は、除電装置２４による除電後、再度、帯電装置１５によって帯電電位に帯電される。
【0190】
［画像形成装置の動作］
本実施形態に係る画像形成装置１０の動作の一例について説明する。なお、画像形成装置１０の各種動作は、制御装置３６において実行する制御プログラムにより行われる。
本実施形態に係る画像形成装置１０の動作の一例について説明する。なお、画像形成装置１０の各種動作は、制御装置３６において実行する制御プログラムにより行われる。
【0191】
画像形成装置１０の画像形成動作について説明する。
まず、感光体１２の表面が帯電装置１５により帯電される。静電荷像形成装置１６は、帯電された感光体１２の表面を画像情報に基づいて露光する。これにより、感光体１２上に画像情報に応じた静電荷像が形成される。現像装置１８では、トナーを含む現像剤により、感光体１２の表面に形成された静電荷像が現像される。これにより、感光体１２の表面に、トナー画像が形成される。また、現像装置１８に収容される現像剤（そのトナー）には脂肪酸金属塩の粒子が添加されており、感光体１２の表面にはトナーと共に脂肪酸金属塩の粒子も供給される。
転写装置３１では、感光体１２の表面に形成されたトナー画像が記録媒体３０Ａへ転写される。記録媒体３０Ａに転写されたトナー画像は、定着装置２６により定着される。
一方、トナー画像を転写した後の感光体１２の表面が、クリーニング装置２２におけるクリーニングブレード２２Ａによりクリーニング（清掃）される、その後除電装置２４により除電される。なお、現像装置１８において感光体１２表面に供給された脂肪酸金属塩の粒子の一部は、転写装置３１によるトナー画像の転写後にも感光体１２表面に残り、クリーニングブレード２２Ａと感光体１２との接触位置に供給される。
そのため、クリーニングブレード２２Ａと感光体１２との接触位置に脂肪酸金属塩が介在することで、クリーニングブレード２２Ａによる高い清掃性能が発揮される。
まず、感光体１２の表面が帯電装置１５により帯電される。静電荷像形成装置１６は、帯電された感光体１２の表面を画像情報に基づいて露光する。これにより、感光体１２上に画像情報に応じた静電荷像が形成される。現像装置１８では、トナーを含む現像剤により、感光体１２の表面に形成された静電荷像が現像される。これにより、感光体１２の表面に、トナー画像が形成される。また、現像装置１８に収容される現像剤（そのトナー）には脂肪酸金属塩の粒子が添加されており、感光体１２の表面にはトナーと共に脂肪酸金属塩の粒子も供給される。
転写装置３１では、感光体１２の表面に形成されたトナー画像が記録媒体３０Ａへ転写される。記録媒体３０Ａに転写されたトナー画像は、定着装置２６により定着される。
一方、トナー画像を転写した後の感光体１２の表面が、クリーニング装置２２におけるクリーニングブレード２２Ａによりクリーニング（清掃）される、その後除電装置２４により除電される。なお、現像装置１８において感光体１２表面に供給された脂肪酸金属塩の粒子の一部は、転写装置３１によるトナー画像の転写後にも感光体１２表面に残り、クリーニングブレード２２Ａと感光体１２との接触位置に供給される。
そのため、クリーニングブレード２２Ａと感光体１２との接触位置に脂肪酸金属塩が介在することで、クリーニングブレード２２Ａによる高い清掃性能が発揮される。
【実施例0192】
以下、実施例及び比較例を挙げ、本発明をより具体的に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【0193】
＜電子写真感光体の作製＞
［シリカ粒子の準備］
未処理（親水性）シリカ粒子「商品名：ＯＸ５０（製造元 アエロジル社製）、体積平均粒径：４０ｎｍ」１００質量部に、疎水化処理剤としてトリメチルシラン化合物（１，１，１，３，３，３－ヘキサメチルジシラザン（東京化成社製））３０質量部を添加し、２４時間反応させ、その後濾取し、疎水化処理されたシリカ粒子を得た。これをシリカ粒子（１）とした。このシリカ粒子（１）の縮合率は、９３％であった。
［シリカ粒子の準備］
未処理（親水性）シリカ粒子「商品名：ＯＸ５０（製造元 アエロジル社製）、体積平均粒径：４０ｎｍ」１００質量部に、疎水化処理剤としてトリメチルシラン化合物（１，１，１，３，３，３－ヘキサメチルジシラザン（東京化成社製））３０質量部を添加し、２４時間反応させ、その後濾取し、疎水化処理されたシリカ粒子を得た。これをシリカ粒子（１）とした。このシリカ粒子（１）の縮合率は、９３％であった。
【0194】
［電子写真感光体１の作製］
－下引層の作製－
酸化亜鉛：（平均粒子径７０ｎｍ：テイカ社製：比表面積値１５ｍ２／ｇ）１００質量部をテトラヒドロフラン５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤（ＫＢＭ５０３：信越化学工業社製）１．３質量部を添加し、２時間攪拌した。その後、テトラヒドロフランを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤表面処理酸化亜鉛を得た。
－下引層の作製－
酸化亜鉛：（平均粒子径７０ｎｍ：テイカ社製：比表面積値１５ｍ２／ｇ）１００質量部をテトラヒドロフラン５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤（ＫＢＭ５０３：信越化学工業社製）１．３質量部を添加し、２時間攪拌した。その後、テトラヒドロフランを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤表面処理酸化亜鉛を得た。
【0195】
前記表面処理を施した酸化亜鉛（シランカップリング剤表面処理酸化亜鉛）１１０質量部を５００質量部のテトラヒドロフランと攪拌混合し、アリザリン０．６質量部を５０質量部のテトラヒドロフランに溶解させた溶液を添加し、５０℃にて５時間攪拌した。その後、減圧ろ過にてアリザリンを付与させた酸化亜鉛をろ別し、さらに６０℃で減圧乾燥を行い、アリザリン付与酸化亜鉛を得た。
【0196】
このアリザリン付与酸化亜鉛６０質量部と、硬化剤（ブロック化イソシアネート スミジュール３１７５、住友バイエルンウレタン社製）１３．５質量部と、ブチラール樹脂（エスレックＢＭ－１、積水化学工業社製）１５質量部と、メチルエチルケトン８５質量部と、を混合した混合液を得た。この混合液３８質量部と、メチルエチルケトン２５質量部と、を混合し、１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて２時間の分散を行い、分散液を得た。
【0197】
得られた分散液に、触媒としてジオクチルスズジラウレート：０．００５質量部と、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）：４０質量部と、を添加し、下引層形成用塗布液を得た。この塗布液を浸漬塗布法にて直径６０ｍｍ、長さ３５７ｍｍ、肉厚１ｍｍのアルミニウム基体上に塗布し、１７０℃、４０分の乾燥硬化を行い、厚さ１９μｍの下引層を得た。
【0198】
－電荷発生層の作製－
電荷発生物質としてのＣｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３°、１６．０°、２４．９°、２８．０°の位置に回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン１５質量部と、結着樹脂としての塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体（ＶＭＣＨ、株式会社ＮＵＣ製）１０質量部と、ｎ－酢酸ブチル２００質量部と、からなる混合物を、直径１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散した。得られた分散液に、ｎ－酢酸ブチル１７５質量部とメチルエチルケトン１８０質量部とを添加し、攪拌して電荷発生層形成用の塗布液を得た。この電荷発生層形成用の塗布液を下引層上に浸漬塗布し、常温（２５℃）で乾燥して、膜厚が０．２μｍの電荷発生層を形成した。
電荷発生物質としてのＣｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３°、１６．０°、２４．９°、２８．０°の位置に回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン１５質量部と、結着樹脂としての塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体（ＶＭＣＨ、株式会社ＮＵＣ製）１０質量部と、ｎ－酢酸ブチル２００質量部と、からなる混合物を、直径１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散した。得られた分散液に、ｎ－酢酸ブチル１７５質量部とメチルエチルケトン１８０質量部とを添加し、攪拌して電荷発生層形成用の塗布液を得た。この電荷発生層形成用の塗布液を下引層上に浸漬塗布し、常温（２５℃）で乾燥して、膜厚が０．２μｍの電荷発生層を形成した。
【0199】
－電荷輸送層の作製－
シリカ粒子（１）５０質量部に、テトラヒドロフラン２５０質量部を入れ、２０℃の液温に保ちながら電荷輸送材料として４－（２，２－ジフェニルエチル）－４’，４’’－ジメチル－トリフェニルアミン２５質量部と、結着樹脂としてビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（粘度平均分子量：３００００）２５質量部と、を加え、１２時間攪拌混合し、電荷輸送層形成用塗布液を得た。
シリカ粒子（１）５０質量部に、テトラヒドロフラン２５０質量部を入れ、２０℃の液温に保ちながら電荷輸送材料として４－（２，２－ジフェニルエチル）－４’，４’’－ジメチル－トリフェニルアミン２５質量部と、結着樹脂としてビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（粘度平均分子量：３００００）２５質量部と、を加え、１２時間攪拌混合し、電荷輸送層形成用塗布液を得た。
【0200】
この電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層上に塗布して１３５℃で４０分間乾燥し、膜厚が３０μｍの電荷輸送層を形成し、有機感光体（１）を得た。
【0201】
以上の工程を経て、アルミニウム基体上に、下引層と電荷発生層と電荷輸送層とをこの順に積層形成した有機感光体（１）を得た。
【0202】
－無機保護層の形成－
次に、有機感光体（１）の表面へ、水素を含む酸化ガリウムで構成された無機保護層を形成した。この無機保護層の形成は、図３に示す構成を有する成膜装置を用いて行った。
次に、有機感光体（１）の表面へ、水素を含む酸化ガリウムで構成された無機保護層を形成した。この無機保護層の形成は、図３に示す構成を有する成膜装置を用いて行った。
【0203】
まず、有機感光体（１）を成膜装置の成膜室２１０内の基体支持部材２１３に載せ、排気口２１１を介して成膜室２１０内を圧力が０．１Ｐａになるまで真空排気した。
次に、Ｈｅ希釈４０％酸素ガス（流量５．７ｓｃｃｍ）と水素ガス（流量５００ｓｃｃｍ）とを、ガス導入管２２０から直径８５ｍｍの平板電極２１９が設けられた高周波放電管部２２１内に導入し、高周波電力供給部２１８及びマッチング回路（図３中不図示）により、１３．５６ＭＨｚのラジオ波を出力５００Ｗにセットしチューナでマッチングを取り平板電極２１９から放電を行った。この時の反射波は０Ｗであった。
次に、トリメチルガリウムガス（流量１．９ｓｃｃｍ）を、ガス導入管２１５を介してシャワーノズル２１６から成膜室２１０内のプラズマ拡散部２１７に導入した。この時、バラトロン真空計で測定した成膜室２１０内の反応圧力は５．３Ｐａであった。
この状態で、有機感光体（１）を５００ｒｐｍの速度で回転させながら６８分間成膜し、有機感光体（１）の電荷輸送層表面に膜厚６μｍの無機保護層を形成した。
無機保護層の外周面における表面粗さＲａは、１．９ｎｍであった。
次に、Ｈｅ希釈４０％酸素ガス（流量５．７ｓｃｃｍ）と水素ガス（流量５００ｓｃｃｍ）とを、ガス導入管２２０から直径８５ｍｍの平板電極２１９が設けられた高周波放電管部２２１内に導入し、高周波電力供給部２１８及びマッチング回路（図３中不図示）により、１３．５６ＭＨｚのラジオ波を出力５００Ｗにセットしチューナでマッチングを取り平板電極２１９から放電を行った。この時の反射波は０Ｗであった。
次に、トリメチルガリウムガス（流量１．９ｓｃｃｍ）を、ガス導入管２１５を介してシャワーノズル２１６から成膜室２１０内のプラズマ拡散部２１７に導入した。この時、バラトロン真空計で測定した成膜室２１０内の反応圧力は５．３Ｐａであった。
この状態で、有機感光体（１）を５００ｒｐｍの速度で回転させながら６８分間成膜し、有機感光体（１）の電荷輸送層表面に膜厚６μｍの無機保護層を形成した。
無機保護層の外周面における表面粗さＲａは、１．９ｎｍであった。
【0204】
無機保護層における、酸素とガリウムとの元素組成比（Ｏ／Ｍ＝酸素／ガリウム）は１．４５であった。
【0205】
以上の工程を経て、導電性基体上に、下引層、電荷発生層、電荷輸送層、無機保護層が順次形成された、電子写真感光体１を得た。
【0206】
［電子写真感光体２の作製］
無機保護層の形成において、Ｈｅ希釈４０％酸素ガスの流量を４．８ｓｃｃｍとした以外は、電子写真感光体１と同様にして、電子写真感光体２を得た。
無機保護層の形成において、Ｈｅ希釈４０％酸素ガスの流量を４．８ｓｃｃｍとした以外は、電子写真感光体１と同様にして、電子写真感光体２を得た。
【0207】
［電子写真感光体３の作製］
無機保護層の形成において、Ｈｅ希釈４０％酸素ガスの流量を５．３ｓｃｃｍとした以外は、電子写真感光体１と同様にして、電子写真感光体３を得た。
無機保護層の形成において、Ｈｅ希釈４０％酸素ガスの流量を５．３ｓｃｃｍとした以外は、電子写真感光体１と同様にして、電子写真感光体３を得た。
【0208】
［電子写真感光体４の作製］
無機保護層の形成において、Ｈｅ希釈４０％酸素ガスの流量を８．６ｓｃｃｍとした以外は、電子写真感光体１と同様にして、電子写真感光体４を得た。
無機保護層の形成において、Ｈｅ希釈４０％酸素ガスの流量を８．６ｓｃｃｍとした以外は、電子写真感光体１と同様にして、電子写真感光体４を得た。
【0209】
［電子写真感光体５～８の作製］
無機保護層の形成において、表１の膜厚になるよう成膜時間の調整をした以外は、電子写真感光体１と同様にして、電子写真感光体５～８を得た。
無機保護層の形成において、表１の膜厚になるよう成膜時間の調整をした以外は、電子写真感光体１と同様にして、電子写真感光体５～８を得た。
【0210】
［電子写真感光体９の作製］
無機保護層の形成において、原料ガスとしてトリメチルガリウムを用いる代わりにトリメチルアルミニウムを用いた以外は、電子写真感光体１と同様にして、電子写真感光体９を得た。
無機保護層の形成において、原料ガスとしてトリメチルガリウムを用いる代わりにトリメチルアルミニウムを用いた以外は、電子写真感光体１と同様にして、電子写真感光体９を得た。
【0211】
［電子写真感光体１０の作製］
無機保護層の形成において、原料ガスとしてトリメチルガリウムを用いる代わりにジメチル亜鉛を用いた以外は、電子写真感光体１と同様にして、電子写真感光体１０を得た。
無機保護層の形成において、原料ガスとしてトリメチルガリウムを用いる代わりにジメチル亜鉛を用いた以外は、電子写真感光体１と同様にして、電子写真感光体１０を得た。
【0212】
［電子写真感光体１１の作製］
無機保護層の形成において、表層及び下層の膜厚及び組成を表１の膜厚及び組成となるように、トリメチルガリウムガス及びＨｅ希釈４０％酸素ガスの流量比を途中変更した以外は、電子写真感光体１と同様にして、電子写真感光体１１を得た。
無機保護層の形成において、表層及び下層の膜厚及び組成を表１の膜厚及び組成となるように、トリメチルガリウムガス及びＨｅ希釈４０％酸素ガスの流量比を途中変更した以外は、電子写真感光体１と同様にして、電子写真感光体１１を得た。
【0213】
［電子写真感光体Ｃ１の作製］
無機保護層の形成において、Ｈｅ希釈４０％酸素ガスの流量を１．５ｓｃｃｍとした以外は、電子写真感光体１と同様にして、電子写真感光体Ｃ１を得た。
無機保護層の形成において、Ｈｅ希釈４０％酸素ガスの流量を１．５ｓｃｃｍとした以外は、電子写真感光体１と同様にして、電子写真感光体Ｃ１を得た。
【0214】
［電子写真感光体Ｃ２の作製］
無機保護層の形成において、Ｈｅ希釈４０％酸素ガスの流量を１２．５ｓｃｃｍとした以外は、電子写真感光体１と同様にして、電子写真感光体Ｃ２を得た。
無機保護層の形成において、Ｈｅ希釈４０％酸素ガスの流量を１２．５ｓｃｃｍとした以外は、電子写真感光体１と同様にして、電子写真感光体Ｃ２を得た。
【0215】
＜実施例１～２０、比較例１～３＞
画像形成装置（１）として、画像形成装置「ＶＥＲＳＡＮＴ１８０Ｐｒｅｓｓ（富士フイルムビジネスイノベーション社製）」の改造機（図１に示ように、接触方式の帯電ロールと帯電ロールに交流電圧を印加する交流電源を備えた画像形成装置）を用意した。
用意した画像形成装置に、各例の感光体を搭載した。
そして、交流電源により、帯電ロールに印加する交流電圧のピーク間電圧Ｖｐｐ、周波数は、表１に示す通りとし、次の評価を実施した。
ただし、比較例３は、画像形成装置「ＶＥＲＳＡＮＴ１８０Ｐｒｅｓｓ（富士フイルムビジネスイノベーション社製）」の改造機として、接触方式の帯電ロールと帯電ロールに直流電圧を印加する直流電源を備えた画像形成装置を用意した。
画像形成装置（１）として、画像形成装置「ＶＥＲＳＡＮＴ１８０Ｐｒｅｓｓ（富士フイルムビジネスイノベーション社製）」の改造機（図１に示ように、接触方式の帯電ロールと帯電ロールに交流電圧を印加する交流電源を備えた画像形成装置）を用意した。
用意した画像形成装置に、各例の感光体を搭載した。
そして、交流電源により、帯電ロールに印加する交流電圧のピーク間電圧Ｖｐｐ、周波数は、表１に示す通りとし、次の評価を実施した。
ただし、比較例３は、画像形成装置「ＶＥＲＳＡＮＴ１８０Ｐｒｅｓｓ（富士フイルムビジネスイノベーション社製）」の改造機として、接触方式の帯電ロールと帯電ロールに直流電圧を印加する直流電源を備えた画像形成装置を用意した。
【0216】
なお、表１の略称については、次の通りである。
・Ｏ／Ｍ：酸素Ｏと前記金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）
・ＩＲ ＣＨ／Ｍ－Ｏ：無機保護層中のＣ元素＋Ｈ元素とＭ元素＋Ｏ元素の比率（（Ｃ＋Ｈ）／（Ｍ＋Ｏ））を示す。評価方法はＩＲ測定で、赤外分光吸収の強度比で規定している。具体的には次の通りである。
ＣＨは、Ｃ元素＋Ｈ元素に起因する３０００ｃｍ－１付近の赤外分光吸収の強度であり、Ｍ－Ｏは、Ｍ元素＋Ｏ元素に起因する５００ｃｍ－１付近の赤外分光吸収の強度である。
赤外吸収スペクトル測定には、パーキンエルマー社製Ｓｏｅｃｔｒｕｍ Ｏｎｅフーリエ変換赤外吸収測定器システムＢ Ｓ／Ｎ比３００００：１、分解能４ｃｍ（－１）↑を用い、結晶Ｓｉ基板に着膜した試料をビームコンデンサー付きの試料台に設置した後、測定した。参照用としては着膜しないシリコンウェハーを用いた。
・Ｏ／Ｍ：酸素Ｏと前記金属元素Ｍとの元素組成比（酸素Ｏ／金属元素Ｍ）
・ＩＲ ＣＨ／Ｍ－Ｏ：無機保護層中のＣ元素＋Ｈ元素とＭ元素＋Ｏ元素の比率（（Ｃ＋Ｈ）／（Ｍ＋Ｏ））を示す。評価方法はＩＲ測定で、赤外分光吸収の強度比で規定している。具体的には次の通りである。
ＣＨは、Ｃ元素＋Ｈ元素に起因する３０００ｃｍ－１付近の赤外分光吸収の強度であり、Ｍ－Ｏは、Ｍ元素＋Ｏ元素に起因する５００ｃｍ－１付近の赤外分光吸収の強度である。
赤外吸収スペクトル測定には、パーキンエルマー社製Ｓｏｅｃｔｒｕｍ Ｏｎｅフーリエ変換赤外吸収測定器システムＢ Ｓ／Ｎ比３００００：１、分解能４ｃｍ（－１）↑を用い、結晶Ｓｉ基板に着膜した試料をビームコンデンサー付きの試料台に設置した後、測定した。参照用としては着膜しないシリコンウェハーを用いた。
【0217】
（感光体の電気特性）
ＶＥＲＳＡＮＴ１８０Ｐｒｅｓｓでの実機内電位および濃度階調性を評価した。そして、下記基準で評価した。
Ａ：露光後感光体表面電位 －２５０Ｖ以下
Ｂ：露光後感光体表面電位 －２５０Ｖより高く、－３００Ｖ以下
Ｃ：露光後感光体表面電位 －３００Ｖより高く、－３５０Ｖ以下
Ｄ：電気特性問題あり、濃度出力悪化
ＶＥＲＳＡＮＴ１８０Ｐｒｅｓｓでの実機内電位および濃度階調性を評価した。そして、下記基準で評価した。
Ａ：露光後感光体表面電位 －２５０Ｖ以下
Ｂ：露光後感光体表面電位 －２５０Ｖより高く、－３００Ｖ以下
Ｃ：露光後感光体表面電位 －３００Ｖより高く、－３５０Ｖ以下
Ｄ：電気特性問題あり、濃度出力悪化
【0218】
（感光体の耐摩耗性）
ＶＥＲＳＡＮＴ１８０Ｐｒｅｓｓでの摩耗速度により判定した。具体的には、感光体１０００回転（ｋｃｙｃｌｅと表記）あたりの摩耗量（単位ｎｍ）について、下記基準で評価した。
Ａ：０．０８ｎｍ/ｋｃｙｃｌｅ以下
Ｂ：０．０８ｎｍ/ｋｃｙｃｌｅ より大きく、０．１ｎｍ/ｋｃｙｃｌｅ以下
Ｃ：０．１ｎｍ/ｋｃｙｃｌ より大きく、０．１３ｎｍ/ｋｃｙｃｌ以下
Ｄ：摩耗による割れ欠陥発生
ＶＥＲＳＡＮＴ１８０Ｐｒｅｓｓでの摩耗速度により判定した。具体的には、感光体１０００回転（ｋｃｙｃｌｅと表記）あたりの摩耗量（単位ｎｍ）について、下記基準で評価した。
Ａ：０．０８ｎｍ/ｋｃｙｃｌｅ以下
Ｂ：０．０８ｎｍ/ｋｃｙｃｌｅ より大きく、０．１ｎｍ/ｋｃｙｃｌｅ以下
Ｃ：０．１ｎｍ/ｋｃｙｃｌ より大きく、０．１３ｎｍ/ｋｃｙｃｌ以下
Ｄ：摩耗による割れ欠陥発生
【0219】
【表1】
【0220】
＜実施例１０１～１１１＞
画像形成装置として、画像形成装置「ＶＥＲＳＡＮＴ１８０Ｐｒｅｓｓ（富士フイルムビジネスイノベーション社製）」の改造機（図２に示ように、接触方式の帯電ロールと帯電ロールに交流電圧を印加する交流電源と、非接触方式のスコロトロン帯電器とスコロトロン帯電器に直流電圧を印加する直流電源とを備えた画像形成装置）を用意した以外は、実施例１と同様にして、上記感光体の電気特性及び耐摩耗性について評価した。
ただし、交流電源により、帯電ロールに印加する交流電圧のピーク間電圧Ｖｐｐ、周波数、直流電源により、スコロトロン帯電器に印加する直流電圧は、表２に示す通りとし、実施例１と同じ評価をした。
画像形成装置として、画像形成装置「ＶＥＲＳＡＮＴ１８０Ｐｒｅｓｓ（富士フイルムビジネスイノベーション社製）」の改造機（図２に示ように、接触方式の帯電ロールと帯電ロールに交流電圧を印加する交流電源と、非接触方式のスコロトロン帯電器とスコロトロン帯電器に直流電圧を印加する直流電源とを備えた画像形成装置）を用意した以外は、実施例１と同様にして、上記感光体の電気特性及び耐摩耗性について評価した。
ただし、交流電源により、帯電ロールに印加する交流電圧のピーク間電圧Ｖｐｐ、周波数、直流電源により、スコロトロン帯電器に印加する直流電圧は、表２に示す通りとし、実施例１と同じ評価をした。
【0221】
【表2】
【0222】
上記結果から、本実施例は、比較例に比べ、電子写真感光体における、電気特性及び無機保護層の耐摩耗性に優れることがわかる。
【符号の説明】
【0223】
１０ 画像形成装置
１２ 感光体
１４ 接触方式の帯電部材
１５ 帯電装置
１６ 静電荷像形成装置
１８ 現像装置
２０ 転写部材
２２ クリーニング装置
２２Ａ クリーニングブレード
２４ 除電装置
２６ 定着装置
３０Ａ 記録媒体
３１ 転写装置
３６ 制御装置
６４ 外部供給装置
６６Ａ 脂肪酸金属塩
１０１ 下引層
１０２ 電荷発生層
１０３ 電荷輸送層
１０４ 導電性基体
１０５ 感光層
１０６ 無機保護層
１０７Ａ、１０７Ｂ 電子写真感光体（感光体）
２１０ 成膜室
２１１ 排気口
２１２ 基体回転部
２１３ 基体支持部材
２１４ 基体
２１５ ガス導入管
２１６ シャワーノズル
２１７ プラズマ拡散部
２１８ 高周波電力供給部
２１９ 平板電極
２２０ ガス導入管
２２１ 高周波放電管部
２２２ 高周波コイル
２２３ 石英管
１２ 感光体
１４ 接触方式の帯電部材
１５ 帯電装置
１６ 静電荷像形成装置
１８ 現像装置
２０ 転写部材
２２ クリーニング装置
２２Ａ クリーニングブレード
２４ 除電装置
２６ 定着装置
３０Ａ 記録媒体
３１ 転写装置
３６ 制御装置
６４ 外部供給装置
６６Ａ 脂肪酸金属塩
１０１ 下引層
１０２ 電荷発生層
１０３ 電荷輸送層
１０４ 導電性基体
１０５ 感光層
１０６ 無機保護層
１０７Ａ、１０７Ｂ 電子写真感光体（感光体）
２１０ 成膜室
２１１ 排気口
２１２ 基体回転部
２１３ 基体支持部材
２１４ 基体
２１５ ガス導入管
２１６ シャワーノズル
２１７ プラズマ拡散部
２１８ 高周波電力供給部
２１９ 平板電極
２２０ ガス導入管
２２１ 高周波放電管部
２２２ 高周波コイル
２２３ 石英管
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
