特開 2023-146492 半導体装置の製造方法及び半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023146492

(43)【公開日】2023-10-12

(54)【発明の名称】半導体装置の製造方法及び半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/50 20060101AFI20231004BHJP

   H01L 21/56 20060101ALI20231004BHJP

【ＦＩ】

H01L23/50 K

H01L21/56 T

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022053693

(22)【出願日】2022-03-29

(71)【出願人】

【識別番号】592074614

【氏名又は名称】日電精密工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100108062

【弁理士】

【氏名又は名称】日向寺 雅彦

(74)【代理人】

【識別番号】100168332

【弁理士】

【氏名又は名称】小崎 純一

(74)【代理人】

【識別番号】100146592

【弁理士】

【氏名又は名称】市川 浩

(74)【代理人】

【氏名又は名称】白井 達哲

(74)【代理人】

【識別番号】100172188

【弁理士】

【氏名又は名称】内田 敬人

(74)【代理人】

【識別番号】100197538

【弁理士】

【氏名又は名称】竹内 功

(74)【代理人】

【識別番号】100176751

【弁理士】

【氏名又は名称】星野 耕平

(72)【発明者】

【氏名】石原 隆雄

(72)【発明者】

【氏名】荒井 一尚

(72)【発明者】

【氏名】明島 周三

【テーマコード（参考）】

5F061

5F067

【Ｆターム（参考）】

5F061AA01

5F061BA01

5F061CA21

5F061CB13

5F067AA01

5F067AB04

5F067BA02

5F067BC13

5F067BD05

5F067DB00

5F067DE01

(57)【要約】

【課題】樹脂と金属とをそれぞれに適した異なる方法で切断する新規な半導体装置の製造方法、及びリードが半導体装置の外形を形成する樹脂の側面から突出し実装信頼性が高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、回転ブレードにより第１連結部上の樹脂を切削加工し、第１連結部に達し、第１連結部の幅よりも広い幅の溝を樹脂に形成する樹脂分離工程と、溝に露出する第１連結部をせん断プレス加工またはレーザ加工により切断して、隣り合うダイパッドの間に位置するリード同士を分離する切断工程とを備える。
【選択図】図７

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数のダイパッドと、それぞれの前記ダイパッドの周囲に位置する複数のリードと、隣り合う前記ダイパッドの間に位置する前記リード同士をつなぐ第１連結部とを有するリードフレームと、前記ダイパッド上に搭載された半導体チップと、前記リードフレーム及び前記半導体チップを覆う樹脂と、を有する構造体を準備する工程と、
回転ブレードにより前記第１連結部上の前記樹脂を切削加工し、前記第１連結部に達し、前記第１連結部の幅よりも広い幅の溝を前記樹脂に形成する樹脂分離工程と、
前記溝に露出する前記第１連結部をせん断プレス加工またはレーザ加工により切断して、隣り合う前記ダイパッドの間に位置する前記リード同士を分離する切断工程と、
を備える半導体装置の製造方法。

【請求項2】

前記樹脂分離工程において、前記回転ブレードを前記第１連結部に当てて前記第１連結部の上面を粗面化する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項3】

ダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に位置する複数のリードと、
前記ダイパッド上に搭載され、前記リードと電気的に接続された半導体チップと、
前記ダイパッド及び前記半導体チップを覆う樹脂と、
を備え、
前記リードは、前記樹脂に覆われたインナー部と、前記樹脂の側面から突出するアウター部とを有し、
前記アウター部の上面の表面粗さは、前記アウター部の側面及び下面の表面粗さよりも大きい半導体装置。

【請求項4】

前記アウター部における前記側面と前記下面とが形成する第１角部が面取りされている請求項３に記載の半導体装置。

【請求項5】

前記アウター部における前記上面と前記側面とが形成する第２角部が面取りされている請求項３または４に記載の半導体装置。

【請求項6】

前記アウター部の前記樹脂の側面から突出する長さは、０．０５ｍｍ以上０．１ｍｍ以下である請求項３～５のいずれか１つに記載の半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

リードフレームと、リードフレーム上に搭載された複数の半導体チップとを樹脂で一括モールドしたＱＦＮ（Quad Flat Nonleaded Package）タイプのマトリックスモールド構造においては、ダイシング位置にも樹脂が形成される。このようなマトリックスモールド構造を複数の半導体装置に個片化する場合従来、回転ブレードによりリードの金属とモールド樹脂との両方をダイシング加工で削っていた。しかし、回転ブレードを用いた金属と樹脂の同時ダイシング加工はブレードの負担が大きく、加工速度も遅くなりがちであった。また、ＱＦＮは、リードが製品外形を形成する樹脂から突出せず、実装強度の課題があり、実装状態の目視も容易ではない。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２１－１７０６８３号公報

【特許文献2】特開２００１－３２０００７号公報

【特許文献3】特許第４０８６２０２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明は、樹脂と金属とをそれぞれに適した異なる方法で切断する新規な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、リードが半導体装置の外形を形成する樹脂の側面から突出し実装信頼性が高い半導体装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の一態様によれば、半導体装置の製造方法は、複数のダイパッドと、それぞれの前記ダイパッドの周囲に位置する複数のリードと、隣り合う前記ダイパッドの間に位置する前記リード同士をつなぐ第１連結部とを有するリードフレームと、前記ダイパッド上に搭載された半導体チップと、前記リードフレーム及び前記半導体チップを覆う樹脂と、を有する構造体を準備する工程と、回転ブレードにより前記第１連結部上の前記樹脂を切削加工し、前記第１連結部に達し、前記第１連結部の幅よりも広い幅の溝を前記樹脂に形成する樹脂分離工程と、前記溝に露出する前記第１連結部をせん断プレス加工またはレーザ加工により切断して、隣り合う前記ダイパッドの間に位置する前記リード同士を分離する切断工程と、を備える。
本発明の一態様によれば、半導体装置は、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に位置する複数のリードと、前記ダイパッド上に搭載され、前記リードと電気的に接続された半導体チップと、前記ダイパッド及び前記半導体チップを覆う樹脂と、を備え、前記リードは、前記樹脂に覆われたインナー部と、前記樹脂の側面から突出するアウター部とを有し、前記アウター部の上面の表面粗さは、前記アウター部の側面及び下面の表面粗さよりも大きい。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】実施形態の半導体装置の製造方法の一工程を説明するための模式上面図。

【図2】実施形態の半導体装置の製造方法の一工程を説明するための模式上面図。

【図3】実施形態の半導体装置の製造方法の一工程を説明するための模式上面図。

【図4】実施形態の半導体装置の製造方法の一工程を説明するための模式上面図。

【図5】実施形態の半導体装置の製造方法の一工程を説明するための模式上面図。

【図6】実施形態の半導体装置の製造方法の一工程を説明するための模式上面図。

【図7】実施形態の半導体装置の製造方法の一工程を説明するための模式断面図。

【図8】実施形態の半導体装置の模式上面図。

【図9】実施形態の半導体装置の模式下面図。

【図10】実施形態の半導体装置の模式断面図。

【図11】実施形態の半導体装置におけるリードの断面ＳＥＭ画像。

【図12】図９におけるＡ－Ａ’断面図。

【図13】実施形態の半導体装置の変形例の模式上面図。

【図14】（ａ）は回転ブレードによって切断したリードの切断面の画像であり、（ｂ）はパンチング加工によって切断したリードの切断面の画像。

【図15】比較例による構造体の切断方法を説明するための模式断面図。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、図面を参照し、実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ構成には同じ符号を付している。

【0008】

実施形態の半導体装置の製造方法は、図７（ａ）に示す構造体１００を準備する工程を備える。構造体１００は、リードフレーム１０と、半導体チップ２０と、樹脂３０とを有する。

【0009】

図１は、リードフレーム１０の模式上面図である。図２は、リードフレーム１０の一部分の拡大上面図である。図１、図２及び後述する図３～図６において、互いに直交する２方向を第１方向Ｘ及び第２方向Ｙとする。上面図及び下面図において、樹脂３０を網掛けで表す。

【0010】

リードフレーム１０は、金属材料からなり、例えば銅（Ｃｕ）からなる。リードフレーム１０は、アウターフレーム１１と、複数のダイパッド１２とを有する。アウターフレーム１１は四角い枠状に形成されている。アウターフレーム１１の内側に、複数のダイパッド１２が第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに並んで配置されている。アウターフレーム１１には後に示す樹脂切削時の切削ライン位置を決定するための検出マーク２００がついている。

【0011】

また、リードフレーム１０は、複数のリード１３を有する。複数のリード１３は、それぞれのダイパッド１２の周囲に位置する。ダイパッド１２とリード１３とは隙間を隔てて分離している。複数のリード１３は、アウターフレーム１１と、最も外側のダイパッド１２との間にも配置されている。

【0012】

また、リードフレーム１０は、隣り合うダイパッド１２の間に位置するリード１３同士をつなぐ複数の第１連結部（タイバー）１４を有する。複数のリード１３は、第１連結部１４の幅方向に突出して第１連結部１４に一体につながっている。第１連結部１４は、リード１３の突出方向に直交する方向に延びている。第１方向Ｘにおいて隣り合うダイパッド１２の間に位置するリード１３同士をつなぐ第１連結部１４は、第２方向Ｙに延びている。第２方向Ｙに延びる第１連結部１４の両端は、第１方向Ｘに延びるアウターフレーム１１につながっている。第２方向Ｙにおいて隣り合うダイパッド１２の間に位置するリード１３同士をつなぐ第１連結部１４は、第１方向Ｘに延びている。第１方向Ｘに延びる第１連結部１４の両端は、第２方向Ｙに延びるアウターフレームにつながっている。第１方向Ｘに延びる第１連結部１４には、その幅方向（第２方向Ｙ）における両側において、第２方向Ｙに突出する複数のリード１３がつながっている。第２方向Ｙに延びる第１連結部１４には、その幅方向（第１方向Ｘ）における両側において、第１方向Ｘに突出する複数のリード１３がつながっている。

【0013】

ダイパッド１２は上面視において四角形であり、ダイパッド１２の角は、Ｙ字状またはＩ字状の第２連結部１５（吊りピン）によって第１連結部１４につながっている。ダイパッド１２は、４つの角部において第２連結部１５を介して、ダイパッド１２の周囲に位置する４本の第１連結部１４に支持されている。第１連結部１４と第２連結部１５は、隙間を隔てて分離している。

【0014】

図７（ａ）に示すように、半導体チップ２０は、ダイパッド１２上に搭載されている。半導体チップ２０は、ダイボンディング材２２によってダイパッド１２に接合される。ダイボンディング材２２として、例えば、銀ペーストを用いることができる。半導体チップ２０は、例えば、小信号アナログデバイスである。なお、図３～図６に示す構造体１００において、半導体チップ２０の図示は省略している。半導体チップ２０は、その上面に複数のチップ端子２１を有する。図７（ａ）に示すように、半導体チップ２０は、例えば導電性のワイヤ４０によって、リード１３と電気的に接続されている。ワイヤ４０の一端はチップ端子２１に接合され、ワイヤ４０の他端はリード１３の上面に接合されている。

【0015】

図３及び図７（ａ）に示すように、樹脂３０は、リードフレーム１０及び半導体チップ２０を覆う。ワイヤ４０も樹脂３０に覆われる。リードフレーム１０の下面にテープを貼り付けた状態で樹脂３０をモールドし、モールド後は上記テープを剥離する。このため、リードフレーム１０の下面は樹脂３０で覆われず、樹脂３０から露出する。樹脂３０は、ダイパッド１２とリード１３との間の隙間、ダイパッド１２と第１連結部１４との間の隙間、隣り合うリード１３間の隙間、第２連結部１５と第１連結部１４との間の隙間、及び第２連結部１５とリード１３との間の隙間にも形成される。

【0016】

上述した構造体１００は一般的には図１５に示すように、リード１３及び連結部１４、１５などの金属部分から回転ブレード５０によって切削加工し始め、一気に樹脂３０も分離する。この場合、切削開始時に簡単に検出できる金属のリード１３や連結部１４、１５が存在する。このため検出用のマーク２００をアウターフレーム１１に形成しておく必要はない。

【0017】

本発明実施形態の半導体装置の製造方法は、上述した構造体１００を準備した後、樹脂分離工程から加工を始める樹脂分離工程において、図７（ａ）に示すように、回転ブレード５０により第１連結部１４上の樹脂３０を切削加工する。例えば、０．７ｍｍほどの厚さの樹脂３０を切削する。この場合樹脂３０の表面に研削ラインのマークがないため、上述した図１に示すアウターフレーム１１に形成された検出マーク２００を利用して切削ラインを決める。

【0018】

樹脂３０の切削加工により、図４及び図７（ｂ）に示すように、第１連結部１４に達する溝３１が樹脂３０に形成される。溝３１は、第１連結部１４が延びる方向（第１方向Ｘ及び第２方向Ｙ）に延び、溝３１において第１連結部１４が露出する。溝３１によって、樹脂３０はリードフレーム１０上において複数の部分に分離される。回転ブレード５０の幅は第１連結部１４の幅（バー状に延びる方向に直交する方向の幅）よりも広く、溝３１の幅は第１連結部１４の幅よりも広くなる。

【0019】

第１方向Ｘ及び第２方向Ｙのうちの一方の方向に沿って回転ブレード５０を構造体１００に対して相対的に移動させ、一方の方向に延びる溝３１を形成する。この後、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙのうちの他方の方向に沿って回転ブレード５０を構造体１００に対して相対的に移動させ、他方の方向に延びる溝３１を形成する。

【0020】

樹脂分離工程において、回転ブレード５０を第１連結部１４に当てて、第１連結部１４の上面を少し削る。これにより、第１連結部１４の上面は、回転ブレード５０の砥粒によって粗面化される。

【0021】

溝３１は、樹脂３０におけるリードフレーム１０の上面よりも上に位置する部分に形成される。そのため、図４に示すように、溝３１に露出する領域において隣り合うリード１３間の隙間におけるリード１３の高さ（厚さ）分の樹脂３０が残っている。溝３１に露出する領域において、リード１３と第２連結部１５との間の隙間の樹脂３０、及び第１連結部１４と第２連結部１５との間の隙間の樹脂３０も残っている。それら隙間に残っている樹脂は、例えば上方から下方に打ち抜くなどの方法で除去される。これにより、図５に示すように、溝３１に露出する領域における隣り合うリード１３間の隙間、リード１３と第２連結部１５との間の隙間、及び第１連結部１４と第２連結部１５との間の隙間が再び現れる。

【0022】

実施形態の半導体装置の製造方法は、樹脂分離工程の後、切断工程を備える。切断工程において、図７（ｃ）に示すように、溝３１に露出する第１連結部１４をせん断プレス加工により切断する。例えば、せん断プレスする部分をリードフレーム１０の下面側から受け部材６２で支えた状態で、溝３１に挿入されるパンチング部材６１で第１連結部１４を下方に打ち抜く。第１連結部１４の厚さは、例えば０．２ｍｍである。

【0023】

この切断工程により、図６に示すように、隣り合うダイパッド１２の間に位置し、第１連結部１４によってつながっていたリード１３同士が分離される。また、ダイパッド１２の角と第１連結部１４とをつないでいた第２連結部１５も第１連結部１４から切断される。

【0024】

第１方向Ｘ及び第２方向Ｙのうちの一方の方向に延びるパンチング部材６１で一方の方向に延びる第１連結部１４を下方に打ち抜く。この後、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙのうちの他方の方向に延びるパンチング部材６１で他方の方向に延びる第１連結部１４を下方に打ち抜く。第１方向Ｘに延びる複数の第１連結部１４を同時に打ち抜くことができ、また、第２方向Ｙに延びる複数の第１連結部１４を同時に打ち抜くことができる。

【0025】

せん断プレス加工（パンチング）で打ち抜かれる部分の幅は、樹脂分離工程で形成される溝３１の幅よりも小さい。したがって、リード１３の一部が、溝３１に露出する樹脂３０の側面３０ａから突出する。溝３１の幅は、例えば０．３ｍｍである。せん断プレス加工（パンチング）で打ち抜かれる部分の幅は、リードフレーム１０の厚さと同じであり、例えば０．２ｍｍである。リード１３の樹脂３０の側面３０ａからの突出量は、例えば０．０５ｍｍである。

【0026】

上述した樹脂分離工程及び連結部の切断工程により、構造体１００は複数の半導体装置に個片化される。

【0027】

回転ブレードを用いた切削加工において、金属は樹脂よりも削れにくく回転ブレードへの負担が大きい。一般的に樹脂だけを回転ブレードで切削する場合、ブレードはメタルとダイヤモンド砥粒を焼結したブレード、あるいはダイヤモンドをＮｉ電鋳したブレードを採用する。このメタルブレードで金属を切削すると、砥粒間に切り屑が詰まる目詰まりが起こりやすくなる。そのため、金属を切削する際には、樹脂とメタルとダイヤモンド砥粒を混合焼結したブレードを使う。この混合ブレードは柔らかいため摩耗が激しく、結果的にはメタルブレードで切削する場合に比べて切削スピードが大幅に遅くなる問題があった。

【0028】

本実施形態によれば、回転ブレード５０を用いるのは実質的に樹脂３０の切削のみである。回転ブレード５０による金属の加工はリード３０の上面を少し削るだけである。回転ブレード５０で金属を切断しない。これにより、切削加工の高速化を図ることができる。金属であるリードフレーム１０の切断はせん断プレス加工（例えばパンチング加工）により短時間で行える。また、回転ブレード５０を金属の切断に用いないため、目詰まりの問題もなく、回転ブレード５０の劣化を軽減し、回転ブレード５０の使用寿命を延ばすことができる。また、回転ブレード５０の交換やメンテナンスの頻度も低くでき、製造コストを低減できる。また、回転ブレード５０は、金属よりも切削が容易な樹脂３０のみに使用するため、第１方向Ｘに並び、回転軸が同じ複数枚の回転ブレード５０を用いて第２方向Ｙに延びる複数の溝３１を同時加工することが容易となる。同様に、第２方向Ｙに並び、回転軸が同じ複数枚の回転ブレード５０を用いて第１方向Ｘに延びる複数の溝３１を同時加工することが容易となる。

【0029】

回転ブレード５０で金属を切削すると、図１４（ａ）に示すように、回転ブレード５０の進行方向の前方側に向かってバリ（金属くずの突起）が発生する場合がある。このバリは、隣り合うリード１３間の短絡の原因になり得る。本実施形態によれば、金属部分をせん断プレス加工によりリード１３を切断するため、図１４（ｂ）に示すように、隣のリード１３に向かってバリ（金属くずの突起）が発生しない。これにより、半導体装置の信頼性を高くすることができる。

【0030】

図８は、実施形態の半導体装置の製造方法により個片化された半導体装置１の模式上面図であり、図９は、半導体装置１の模式下面図であり、図１０（ａ）は、半導体装置１の模式断面図である。

【0031】

半導体装置１は、ダイパッド１２と、ダイパッド１２の周囲においてダイパッド１２から離れて位置する複数のリード１３と、ダイパッド１２上に搭載され、例えばワイヤ４０によりリード１３と電気的に接続された半導体チップ２０と、ダイパッド１２及び半導体チップ２０を覆う樹脂とを備える。

【0032】

前述したように、リード１３の一部は樹脂３０の側面３０ａから突出する。すなわち、リード１３は、樹脂３０に覆われたインナー部１３ａと、樹脂３０の側面３０ａから突出するアウター部１３ｂとを有する。インナー部１３ａの上面においてワイヤ４０がリード１３に接合されている。アウター部１３ｂの側面１３ｂ２は、前述したせん断プレス加工による切断面である。

【0033】

樹脂３０を分離するための溝３１の幅を０．３ｍｍより広げるとインナー部１３ａが短くなり、ワイヤ４０をボンディングする領域を確保できない可能性がある。このため、溝３１の幅は、公差含め０．３ｍｍ±０．０５ｍｍが好ましい。一方、パンチング部材６１の幅がリードフレーム１０の板厚以下だとパンチングできないため、リードフレーム１０の板厚相当で０．１５ｍｍ以上０．２ｍｍ以下が好ましい。したがって、アウター部１３ｂの樹脂３０の側面３０ａから突出する長さは、０．０５ｍｍ以上０．１ｍｍ以下が好ましい。

【0034】

図９に示すように、リード１３の下面は、樹脂３０から露出している。半導体装置１は、図１０（ｂ）に示すように、接合部材を介して配線基板７０上に実装される。接合部材は、例えば半田９０である。

【0035】

配線基板７０は、絶縁性の基板７１と、基板７１の表面に形成された複数のパッド７２を有する。パッド７２は、基板７１の表面に形成された配線パターンと電気的に接続されている。

【0036】

パッド７２の上面に、半田９０を介してリード１３の下面が接合される。さらに、半田９０は、リード１３のアウター部１３ｂの側面１３ｂ２及び上面１３ｂ１に濡れ上がり、アウター部１３ｂを覆うようなフィレットを形成する。

【0037】

本実施形態によれば、樹脂３０を分離する溝３１を形成する工程において回転ブレード５０で第１連結部１４の上面を少し削り、第１連結部１４の上面が粗面化される。したがって、アウター部１３ｂの上面１３ｂ１の表面粗さは、アウター部１３ｂの側面１３ｂ２及び下面１３ｂ３の表面粗さよりも大きい。これにより、アウター部１３ｂの上面１３ｂ１の表面張力が大きくなることにより半田９０のフィレットが付きやすくなり、フィレットの大きさを大きくして、接合強度を高めることができる。また、大きなフィレットは上方から視認しやすくなり、半田９０の接合不良を見つけやすくなる。

【0038】

図１１、リード１３のアウター部１３ｂの断面ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）画像である。

【0039】

前述した第１連結部１４のせん断プレス加工により、アウター部１３ｂにおける側面１３ｂ２と下面１３ｂ３とが形成する第１角部が面取りされる。面取りされた部分１３ｂ４は、側面１３ｂ２及び下面１３ｂ３に対して傾斜した傾斜、または曲面、または傾斜面と曲面の両方を含む。これにより、アウター部１３ｂに濡れ広がる半田９０の量を多くでき、接合強度をより高めることができる。

【0040】

また、アウター部１３ｂにおける上面１３ｂ１と側面１３ｂ２とが形成する第２角部も、せん断プレス加工時にパンチング部材６１によって下方に引き込まれるような力を受けて面取りされる。面取りされた部分１３ｂ５は、上面１３ｂ１及び側面１３ｂ２に対して傾斜した傾斜、または曲面、または傾斜面と曲面の両方を含む。これにより、半田９０が側面１３ｂ２から上面１３ｂ１に乗り上がるように広がりやすくなり、アウター部１３ｂに付く半田９０の量を多くでき、接合強度をより高めることができる。

【0041】

図９は、半導体装置１における配線基板７０に対する実装面である下面を表す。ダイパッド１２の角に位置する第２連結部１５の先端部１５ｂは樹脂３０の側面から突出する。第２連結部１５において先端部１５ｂと、ダイパッド１２との間に位置する部分の下面１５ａは樹脂３０で覆われ、半導体装置１の下面（実装面）に露出しなく、先端部１５ｂの突出も目立たなくする。またこれにより、第２連結部１５を、リードと誤認識することを防げる。

【0042】

図１２は、図９におけるＡ－Ａ’断面図である。第２連結部１５の下面１５ａは、前述したリードフレーム１０において第２連結部１５は下面側から押し潰され、第２連結部１５の下面１５ａとダイパッド１２の下面１２ａとの間に段差が形成される。また、第２連結部１５の下面１５ａとリード１３の下面との間にも段差が形成される。すなわち、半導体装置１の下面側から見て、第２連結部１５の下面１５ａは、ダイパッド１２の下面１２ａ及びリード１３の下面よりも奥側に引っ込んでいる。これにより、樹脂３０は、第２連結部１５の下面１５ａを覆いつつ、ダイパッド１２の下面１２ａ及びリード１３の下面を露出させることができる。

【0043】

前述した図４に示す溝３１を形成する工程の後、隣り合うリード１３間の隙間に残っている樹脂３０、リード１３と第２連結部１５との間の隙間に残っている樹脂３０、及び第１連結部１４と第２連結部１５との間の隙間に残っている樹脂３０を除去することで、図８、図９に示すように、１つのリード１３のアウター部１３ｂについて３つの側面を樹脂３０から露出させることができる。これにより、１つのアウター部１３ｂについて３つの側面に半田９０を付けることができ、接合強度を高くできる。

【0044】

または、図４に示す溝３１を形成する工程の後、隣り合うリード１３間の隙間に残っている樹脂３０、リード１３と第２連結部１５との間の隙間に残っている樹脂３０、及び第１連結部１４と第２連結部１５との間の隙間に残っている樹脂３０を除去しなくてもよい。この場合、図１３に示すように、１つのアウター部１３ｂにおいて樹脂３０から露出する側面は１つとなる。半田９０が付く側面が１つでも、前述したように、アウター部１３ｂの上面１３ｂ１を粗面化することで、半田９０とアウター部１３ｂとの接合強度を高くでき、半導体装置１の信頼性を高くできる。

【0045】

第１連結部１４は、せん断プレス加工に限らず、レーザ加工により切断してもよい。一般に、レーザ加工において、樹脂を切断する場合と金属を切断する場合とでは、異なるレーザ装置を用いる、またはレーザ照射条件が異なる。本実施形態では、レーザ加工は、リードフレーム１０（金属）の切断にのみ用いるため、単一のレーザ装置を用意するだけでよく、条件設定も容易になる。

【0046】

リード１３がダイパッド１２の周り４方向に位置する例の説明を行ったが４方向でなく２方向にのみリード１３が存在し、第１連結部１４も１方向のみに延びる場合も含まれる。また第２連結部（吊りピン）１５はＹ字形状の説明を行ったがＩ字形状の場合もある。

【0047】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0048】

１…半導体装置、１０…リードフレーム、１２…ダイパッド、１３…リード、１３ａ…インナー部、１３ｂ…アウター部、１３ｂ１…上面、１３ｂ２…側面、１３ｂ３…下面、１４…第１連結部（タイバー）、１５…第２連結部（吊りピン）、２０…半導体チップ、２１…チップ端子、２２…ダイボンディング材、３０…樹脂、３１…溝、５０…回転ブレード、６１…パンチング部材、７０…配線基板、９０…半田、１００…構造体

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】