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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023146743
(43)【公開日】2023-10-12
(54)【発明の名称】認証装置及び認証装置の駆動方法
(51)【国際特許分類】
G09G 3/3233 20160101AFI20231004BHJP
G09G 3/20 20060101ALI20231004BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20231004BHJP
G09F 9/33 20060101ALI20231004BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20231004BHJP
G06V 40/13 20220101ALI20231004BHJP
【ＦＩ】
G09G3/3233
G09G3/20 611Z
G09G3/20 631H
G09G3/20 611H
G09F9/30 338
G09F9/33
G09F9/00 366A
G06V40/13
G09G3/20 691E
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022054103
(22)【出願日】2022-03-29
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110000408
【氏名又は名称】弁理士法人高橋・林アンドパートナーズ
(72)【発明者】
【氏名】池田 匡孝
【テーマコード（参考）】
5C080
5C094
5C380
5G435
【Ｆターム（参考）】
5C080AA06
5C080AA07
5C080BB05
5C080CC03
5C080DD05
5C080DD21
5C080FF11
5C080GG15
5C080GG17
5C080HH09
5C080HH13
5C080JJ02
5C080JJ03
5C080JJ04
5C080JJ06
5C094AA51
5C094BA03
5C094BA23
5C094BA27
5C094CA19
5C094DB04
5C380AA01
5C380AA03
5C380AB06
5C380AB24
5C380AB29
5C380AB34
5C380BA39
5C380BB01
5C380BE14
5C380CA24
5C380CA32
5C380CB16
5C380CB17
5C380CC04
5C380CC07
5C380CC26
5C380CC33
5C380CC37
5C380CC48
5C380CC66
5C380CD015
5C380CE01
5C380CF06
5C380CF48
5C380CF49
5C380CF61
5C380CF68
5C380DA09
5G435BB04
5G435CC09
5G435DD10
5G435EE49
(57)【要約】
【課題】ＰＵＦを利用した認証装置の駆動方法及び認証装置を提供すること。
【解決手段】認証装置は、第１のトランジスタ、第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続されたソース信号線、第１のトランジスタのソース電極に電気的に接続された電源線、第１のトランジスタのドレイン電極に第１の電極が接続された光電変換素子、及び、ゲート電極とドレイン電極との間に接続された容量素子、を含む表示装置と、ドレイン電極をリセットし、ゲート電極を初期化すると共に、容量素子に第１のトランジスタの閾値電圧に相当する第１の電荷を蓄積させ閾値電圧を補正し、ゲート電極に光電変換素子を発光させる信号を送信し、第１の電荷にデータに相当する第２の電荷を加え、光電変換素子を発光させると共に、第１の電荷及び第２の電荷に相当する電圧を読み出し、電圧を用いてＰＵＦ－ＩＤを生成する駆動を制御する制御回路と、を有する。
【選択図】図１６
【解決手段】認証装置は、第１のトランジスタ、第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続されたソース信号線、第１のトランジスタのソース電極に電気的に接続された電源線、第１のトランジスタのドレイン電極に第１の電極が接続された光電変換素子、及び、ゲート電極とドレイン電極との間に接続された容量素子、を含む表示装置と、ドレイン電極をリセットし、ゲート電極を初期化すると共に、容量素子に第１のトランジスタの閾値電圧に相当する第１の電荷を蓄積させ閾値電圧を補正し、ゲート電極に光電変換素子を発光させる信号を送信し、第１の電荷にデータに相当する第２の電荷を加え、光電変換素子を発光させると共に、第１の電荷及び第２の電荷に相当する電圧を読み出し、電圧を用いてＰＵＦ－ＩＤを生成する駆動を制御する制御回路と、を有する。
【選択図】図１６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
少なくとも第１のトランジスタ、前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続されたソース信号線、前記第１のトランジスタのソース電極に電気的に接続された電源線、前記第１のトランジスタのドレイン電極に第１の電極が接続された光電変換素子、及び、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に接続された容量素子、を含む表示装置と、
前記ドレイン電極をリセットし、前記第１のトランジスタのゲート電極を初期化すると共に、前記容量素子に前記第１のトランジスタの閾値に相当する第１の電荷を蓄積させ、前記第１のトランジスタの閾値を補正する第４の期間、前記第４の期間ののち、前記ゲート電極に前記光電変換素子を発光させる画像データを含む信号を送信し、前記容量素子の前記第１の電荷に前記画像データに相当する第２の電荷を加える第５の期間、及び、前記第５の期間ののち、前記光電変換素子を発光させると共に、前記第１の電荷及び前記第２の電荷に相当する電圧を読み出し、前記電圧を用いてＰＵＦ－ＩＤを生成する第６の期間、における駆動を制御する制御回路と
を有する認証装置。
前記ドレイン電極をリセットし、前記第１のトランジスタのゲート電極を初期化すると共に、前記容量素子に前記第１のトランジスタの閾値に相当する第１の電荷を蓄積させ、前記第１のトランジスタの閾値を補正する第４の期間、前記第４の期間ののち、前記ゲート電極に前記光電変換素子を発光させる画像データを含む信号を送信し、前記容量素子の前記第１の電荷に前記画像データに相当する第２の電荷を加える第５の期間、及び、前記第５の期間ののち、前記光電変換素子を発光させると共に、前記第１の電荷及び前記第２の電荷に相当する電圧を読み出し、前記電圧を用いてＰＵＦ－ＩＤを生成する第６の期間、における駆動を制御する制御回路と
を有する認証装置。
【請求項2】
指紋を検出し、指紋情報を生成可能な検出装置をさらに有する請求項１に記載の認証装置。
【請求項3】
前記制御回路は、ＰＵＦ－ＩＤ生成回路を有し、
前記ＰＵＦ－ＩＤ生成回路は、登録要求を受信すると第１のＰＵＦ－ＩＤを生成し、認証要求を受信すると第２のＰＵＦ－ＩＤを生成し、
前記ＰＵＦ－ＩＤは、前記第１のＰＵＦ－ＩＤと前記第２のＰＵＦ－ＩＤとを含む、
請求項２に記載の認証装置。
前記ＰＵＦ－ＩＤ生成回路は、登録要求を受信すると第１のＰＵＦ－ＩＤを生成し、認証要求を受信すると第２のＰＵＦ－ＩＤを生成し、
前記ＰＵＦ－ＩＤは、前記第１のＰＵＦ－ＩＤと前記第２のＰＵＦ－ＩＤとを含む、
請求項２に記載の認証装置。
【請求項4】
前記検出装置は、前記登録要求を受信すると第１の指紋情報を検出し、前記認証要求を受信すると第２の指紋情報を検出し、
前記指紋情報は、前記第１の指紋情報と前記第２の指紋情報とを含む、
請求項３に記載の認証装置。
前記指紋情報は、前記第１の指紋情報と前記第２の指紋情報とを含む、
請求項３に記載の認証装置。
【請求項5】
前記制御回路は、比較回路と、判定回路と、を有し、
前記比較回路は、前記第１のＰＵＦ－ＩＤ及び前記第１の指紋情報と、前記第２のＰＵＦ－ＩＤ及び前記第２の指紋情報とを比較し、比較結果を生成し、
前記判定回路は、前記比較結果を用いて個体認証を行う、
請求項４に記載の認証装置。
前記比較回路は、前記第１のＰＵＦ－ＩＤ及び前記第１の指紋情報と、前記第２のＰＵＦ－ＩＤ及び前記第２の指紋情報とを比較し、比較結果を生成し、
前記判定回路は、前記比較結果を用いて個体認証を行う、
請求項４に記載の認証装置。
【請求項6】
前記表示装置は、読み書き選択回路を、さらに有し、
前記読み書き選択回路は、前記ゲート電極に電気的に接続された第２のトランジスタ及び第３のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタを用いて画像を表示するとき、前記制御回路は前記第２のトランジスタをオンにし、前記第３のトランジスタをオフにし、前記ゲート電極に前記画像データを含む信号を送信し、
前記ＰＵＦ－ＩＤを生成するとき、前記制御回路は前記第２のトランジスタをオフにし、前記第３のトランジスタをオンにし、前記ゲート電極から前記電圧を含む読み出しデータを含む読み出し信号を受信する、
請求項４に記載の認証装置。
前記読み書き選択回路は、前記ゲート電極に電気的に接続された第２のトランジスタ及び第３のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタを用いて画像を表示するとき、前記制御回路は前記第２のトランジスタをオンにし、前記第３のトランジスタをオフにし、前記ゲート電極に前記画像データを含む信号を送信し、
前記ＰＵＦ－ＩＤを生成するとき、前記制御回路は前記第２のトランジスタをオフにし、前記第３のトランジスタをオンにし、前記ゲート電極から前記電圧を含む読み出しデータを含む読み出し信号を受信する、
請求項４に記載の認証装置。
【請求項7】
少なくとも第１のトランジスタ、前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続されたソース信号線、前記第１のトランジスタのソース電極に電気的に接続された電源線、前記第１のトランジスタのドレイン電極に第１の電極が接続された光電変換素子、及び、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に接続された容量素子、を含む表示装置と、
前記表示装置のＰＵＦ－ＩＤを生成する制御回路と、
を有する認証装置の駆動方法であって、
前記ドレイン電極をリセットし、前記第１のトランジスタのゲート電極を初期化すると共に、前記容量素子に前記第１のトランジスタの閾値電圧に相当する第１の電荷を蓄積させ、前記第１のトランジスタの閾値電圧を補正し、
前記ゲート電極に前記光電変換素子を発光させる画像データを含む信号を送信し、前記容量素子の前記第１の電荷に前記画像データに相当する第２の電荷を加え、
前記光電変換素子を発光させると共に、前記第１の電荷及び前記第２の電荷に相当する電圧を読み出し、前記電圧を用いてＰＵＦ－ＩＤを生成すること、
を含む認証装置の駆動方法。
前記表示装置のＰＵＦ－ＩＤを生成する制御回路と、
を有する認証装置の駆動方法であって、
前記ドレイン電極をリセットし、前記第１のトランジスタのゲート電極を初期化すると共に、前記容量素子に前記第１のトランジスタの閾値電圧に相当する第１の電荷を蓄積させ、前記第１のトランジスタの閾値電圧を補正し、
前記ゲート電極に前記光電変換素子を発光させる画像データを含む信号を送信し、前記容量素子の前記第１の電荷に前記画像データに相当する第２の電荷を加え、
前記光電変換素子を発光させると共に、前記第１の電荷及び前記第２の電荷に相当する電圧を読み出し、前記電圧を用いてＰＵＦ－ＩＤを生成すること、
を含む認証装置の駆動方法。
【請求項8】
指紋を検出し指紋情報を生成すること、さらに含む請求項７に記載の認証装置の駆動方法。
【請求項9】
登録要求を受信すると第１のＰＵＦ－ＩＤを生成し、
認証要求を受信すると第２のＰＵＦ－ＩＤを生成することを含み、
前記ＰＵＦ－ＩＤは、前記第１のＰＵＦ－ＩＤと前記第２のＰＵＦ－ＩＤとを含む、
請求項８に記載の認証装置の駆動方法。
認証要求を受信すると第２のＰＵＦ－ＩＤを生成することを含み、
前記ＰＵＦ－ＩＤは、前記第１のＰＵＦ－ＩＤと前記第２のＰＵＦ－ＩＤとを含む、
請求項８に記載の認証装置の駆動方法。
【請求項10】
前記登録要求を受信すると第１の指紋情報を検出し、
前記認証要求を受信すると第２の指紋情報を検出することを含み、
前記指紋情報は、前記第１の指紋情報と前記第２の指紋情報とを含む、
請求項９に記載の認証装置の駆動方法。
前記認証要求を受信すると第２の指紋情報を検出することを含み、
前記指紋情報は、前記第１の指紋情報と前記第２の指紋情報とを含む、
請求項９に記載の認証装置の駆動方法。
【請求項11】
前記第１のＰＵＦ－ＩＤ及び前記第１の指紋情報と、前記第２のＰＵＦ－ＩＤ及び前記第２の指紋情報とを比較し、比較結果を生成し、
前記比較結果を用いて個体認証を行う、
請求項１０に記載の認証装置の駆動方法。
前記比較結果を用いて個体認証を行う、
請求項１０に記載の認証装置の駆動方法。
【請求項12】
前記表示装置は、前記ゲート電極に電気的に接続された第２のトランジスタ及び第３のトランジスタを有する読み書き選択回路を、さらに有し、
前記第１のトランジスタを用いて画像を表示するとき、前記第２のトランジスタをオンにし、前記第３のトランジスタをオフにし、前記ゲート電極に前記画像データを含む信号を送信し、
前記ＰＵＦ－ＩＤを生成するとき、前記第２のトランジスタをオフにし、前記第３のトランジスタをオンにし、前記ゲート電極から前記電圧を含む読み出しデータを含む読み出し信号を受信することを含む、
請求項１１に記載の認証装置の駆動方法。
前記第１のトランジスタを用いて画像を表示するとき、前記第２のトランジスタをオンにし、前記第３のトランジスタをオフにし、前記ゲート電極に前記画像データを含む信号を送信し、
前記ＰＵＦ－ＩＤを生成するとき、前記第２のトランジスタをオフにし、前記第３のトランジスタをオンにし、前記ゲート電極から前記電圧を含む読み出しデータを含む読み出し信号を受信することを含む、
請求項１１に記載の認証装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、認証装置及び認証装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体集積回路を有する電子部品、前記電子部品を備えた電子機器、又はそれらを利用したシステムにおいて、第三者による侵入、攻撃、データの流出、データの改ざんなどの不正利用が問題となっている。
【0003】
当該電子部品、当該電子機器、又はそれらを利用したシステムの不正利用を防止するため、例えば、特許文献１及び特許文献２には、ＰＵＦ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｕｎｃｌｏｎａｂｌｅ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）を用いて、固体撮像装置の個体の認証を強化し、安全性を確保可能な固体撮像装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１９－１８０００３号公報
【特許文献2】国際公開第２０１６／１６７０７６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
また、近年、複数の画素のそれぞれを発光素子で形成した表示装置が注目されている。発光素子は、例えば、発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）、微小な発光ダイオード（マイクロＬＥＤ）、有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）素子等である。当該表示装置においても、当該表示装置を用いた不正利用を抑制するため、個体の認証を強化するとともに安全性を確保することは重要である。よって、本発明の課題の一つは、表示装置を用いた不正利用を抑制するため、ＰＵＦを利用した認証装置を提供することを課題の一つとする。また、本発明の課題の一つは、表示装置を用いた不正利用を抑制するため、ＰＵＦを利用した認証装置の駆動方法を提供することを課題の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
認証装置は、少なくとも第１のトランジスタ、前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続されたソース信号線、前記第１のトランジスタのソース電極に電気的に接続された電源線、前記第１のトランジスタのドレイン電極に第１の電極が接続された光電変換素子、及び、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に接続された容量素子、を含む表示装置と、前記ドレイン電極をリセットし、前記第１のトランジスタのゲート電極を初期化すると共に、前記容量素子に前記第１のトランジスタの閾値電圧に相当する第１の電荷を蓄積させ、前記第１のトランジスタの閾値電圧を補正する第４の期間、前記第４の期間ののち、前記ゲート電極に前記光電変換素子を発光させる画像データを含む信号を送信し、前記容量素子の前記第１の電荷に前記データに相当する第２の電荷を加える第５の期間、及び、前記第５の期間ののち、前記光電変換素子を発光させると共に、前記第１の電荷及び前記第２の電荷に相当する電圧を読み出し、前記電圧を用いてＰＵＦ－ＩＤを生成する第６の期間、における駆動を制御する制御回路とを有する。
【0007】
少なくとも第１のトランジスタ、前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続されたソース信号線、前記第１のトランジスタのソース電極に電気的に接続された電源線、前記第１のトランジスタのドレイン電極に第１の電極が接続された光電変換素子、及び、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に接続された容量素子、を含む表示装置と、前記表示装置のＰＵＦ－ＩＤを生成する制御回路と、を有する認証装置の駆動方法であって、前記ドレイン電極をリセットし、前記第１のトランジスタのゲート電極を初期化すると共に、前記容量素子に前記第１のトランジスタの閾値電圧に相当する第１の電荷を蓄積させ、前記第１のトランジスタの閾値電圧を補正し、前記ゲート電極に前記光電変換素子を発光させる画像データを含む信号を送信し、前記容量素子の前記第１の電荷に前記画像データに相当する第２の電荷を加え、前記光電変換素子を発光させると共に、前記第１の電荷及び前記第２の電荷に相当する電圧を読み出し、前記電圧を用いてＰＵＦ－ＩＤを生成する。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】本発明の一実施形態に係る認証装置の構成及びサーバーを示す模式図である。
【図2】本発明の一実施形態に係る認証装置の構成を示す模式的な断面図である。
【図3】本発明の一実施形態に係る表示装置及び制御装置の構成を示す模式図である。
【図4】本発明の一実施形態に係る表示装置及び制御装置の構成を示す模式図である。
【図5】本発明の一実施形態に係るドライバＩＣの構成を示す模式図である。
【図6】本発明の一実施形態に係る画素回路の構成を示す模式図である。
【図7】本発明の一実施形態に係るサブ画素の回路構成を示す回路図である。
【図8】本発明の一実施形態に係る認証装置のタイミングチャートを示す模式的な図である。
【図16】本発明の一実施形態に係る認証装置のタイミングチャートを示す模式的な図である。
【図21】本発明の一実施形態に係る認証装置を用いた認証方法を示すフローチャートである。
【図22】本発明の一実施形態に係る認証装置を用いた認証方法を示すフローチャートである。
【図23】本発明の第２実施形態に係る認証装置の構成を示す模式的な断面図である。
【図24】本発明の第２実施形態に係る検出装置及び制御装置の構成を示す模式図である。
【図25】本発明の第２実施形態に係る認証装置の構成を示す模式的な断面図である。
【図26】本発明の第３実施形態に係る認証装置の構成を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本発明の実施形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状、構成等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。なお、各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。
【0010】
＜１．第１実施形態＞
＜１－１．認証装置１０の構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係る認証装置１０の構成及びサーバー５００を示す模式図である。図２は、本発明の一実施形態に係る認証装置１０の構成を示す模式的な断面図である。認証装置１０の構成は図１及び図２に示された構成に限定されない。
＜１－１．認証装置１０の構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係る認証装置１０の構成及びサーバー５００を示す模式図である。図２は、本発明の一実施形態に係る認証装置１０の構成を示す模式的な断面図である。認証装置１０の構成は図１及び図２に示された構成に限定されない。
【0011】
図１に示されるように、認証装置１０は、表示装置１００、検出装置２００、及び制御装置３００を有する。表示装置１００及び検出装置２００は、検出装置２００に電気的に接続されている。サーバー５００は、少なくとも、比較回路３５０、判定回路３６０、及び記憶回路３７０を有する。比較回路３５０は、判定回路３６０に電気的に接続され、比較回路３５０及び判定回路３６０は、記憶回路３７０に電気的に接続されている。認証装置１０は、サーバー５００に電気的に接続されている。
【0012】
認証装置１０はサーバー５００と無線ネットワークを介した双方向通信によって電気的に接続されていてもよい。認証装置１０がサーバー５００と無線ネットワークを介した双方向通信によって接続されるとき、例えば、認証装置１０は持ち運びが可能となる。
【0013】
サーバー５００は、一例として、無線ネットワークを介して、認証装置１０にアプリケーション又はプログラムを提供するコンピュータである。例えば、認証装置１０からサーバー５００にアプリケーションの提供に関する要求があった場合、サーバー５００はアプリケーションのインストールファイルを認証装置１０に提供する。ユーザーは、認証装置１０にアプリケーションをインストールし、認証装置１０にインストールされたアプリケーションを利用することができる。例えば、サーバー５００は、ユーザー又は認証装置１０から、動作モードに関するアプリケーション又はプログラムの提供に関する要求があると、サーバー５００はアプリケーションのインストールファイル又はプログラムを認証装置１０に提供する。これによって、ユーザーは、認証装置１０にアプリケーションをインストールし、認証装置１０にインストールされたアプリケーションを利用することで、認証装置１０に動作モードに関するプログラムを実行させることができる。また、詳細は後述されるが、サーバー５００は本実施形態において、動作モードは、例えば、認証装置１０に画像を表示するための駆動方法を用いた駆動モード、認証装置１０のＰＵＦ－ＩＤを生成するための駆動方法を用いた駆動モード、認証装置１０を用いた認証方法を用いた認証モードなどである。
【0014】
表示装置１００は、表示部１０４、及び表示部１０４に配置された複数の画素１２０を有する。検出装置２００は、少なくとも、検出部２０４を有する。制御装置３００は、ＰＵＦ－ＩＤ生成回路３１０、表示装置制御回路３２０、検出装置制御回路３３０、及び記憶回路３４０を有する。
【0015】
表示装置１００は、表示部１０４、及び表示部１０４に配置された複数の画素１２０を有する。表示装置１００は、画像データ信号を受信し、表示部１０４に画像を表示する。また、表示装置１００は、複数の画素１２０の特性を含む読み出しデータ信号を生成する。検出装置２００は、検出部２０４を有する。検出装置２００は、検出部２０４を用いて読み出しデータ信号を受信すると共に、読み出した複数の読み出しデータ信号を検出装置制御回路３３０に送信する。検出装置制御回路３３０は、複数の読み出しデータ信号を用いて、例えば、被検出体（例えば、ユーザー自身の指、ユーザー自身の指紋情報、タッチペン）を検出する。
【0016】
ＰＵＦ－ＩＤ生成回路３１０は、表示装置１００、検出装置２００、表示装置制御回路３２０、検出装置制御回路３３０、及び記憶回路３４０に電気的に接続される。ＰＵＦ－ＩＤ生成回路３１０は、例えば、表示装置１００から複数の読み出しデータ信号を受信し、複数の読み出しデータ信号を用いて表示装置１００に固有の識別子（Ｉｄｅｎｔｉｆｅｒ、ＩＤ）、即ち、ＰＵＦ－ＩＤを生成する。また、ＰＵＦ－ＩＤ生成回路３１０は、生成したＰＵＦ－ＩＤを含む信号（ＰＵＦ－ＩＤ信号）を記憶回路３４０に送信する。
【0017】
表示装置制御回路３２０は、表示装置１００、検出装置２００、及び検出装置制御回路３３０に電気的に接続される。表示装置制御回路３２０は、例えば、画像データ信号、走査信号、電源電圧などの回路の動作を制御する信号を生成する。また、表示装置制御回路３２０は、例えば、表示装置１００に複数の画像データ信号を送信し、表示装置１００から複数の読み出しデータ信号を読み出し、読み出した複数の読み出しデータ信号をＰＵＦ－ＩＤ生成回路３１０に送信する。
【0018】
検出装置制御回路３３０は、表示装置１００、検出装置２００、及び記憶回路３４０に電気的に接続される。検出装置２００は、例えばＯＰＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ ｐｈｏｔｏ ｄａｉｏｄｅ）やＰＩＮ（Ｐｏｓｏｔｉｖｅ Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ Ｎｅｇａｔｉｖｅ）フォトダイオードなどの光電変換素子を用いるものであり、検出装置制御回路３３０は、例えば、検出装置２００より出力される光電変換素子から出力される信号（電荷）に応じた信号（電圧）から、指紋情報などの生体情報に関する信号を生成する。
【0019】
記憶回路３４０は、例えば、比較回路３５０に電気的に接続される。記憶回路３４０は、例えば、揮発性メモリ（図示は省略）、及び記憶回路３４０を制御するメモリ制御回路３４２を有する。メモリ制御回路３４２は、ＰＵＦ－ＩＤ信号及び検出信号を受信し、各信号に含まれる情報を紐付けし、格納する。例えば、メモリ制御回路３４２は、ユーザーからの要求に基づき、ＰＵＦ－ＩＤ信号及び検出信号に含まれる情報（例えば、ＰＵＦ－ＩＤ、指紋情報など）を紐付けし、記憶回路３４０に格納する。また、メモリ制御回路３４２は、ユーザーからの要求に基づき、ＰＵＦ－ＩＤ信号及び検出信号に含まれる情報（例えば、ＰＵＦ－ＩＤ、指紋情報など）を比較回路３５０に送信することを制御する。
【0020】
比較回路３５０は、判定回路３６０に電気的に接続される。詳細は後述されるが、比較回路３５０は、ユーザーからの要求に基づき、ＰＵＦ－ＩＤ信号及び検出信号を受信し、ＰＵＦ－ＩＤ信号及び検出信号に含まれる情報を比較し、比較結果を生成する。例えば、比較回路３５０は、紐付けされた第１のＰＵＦ－ＩＤ及び第１の指紋情報と、紐付けされた第２のＰＵＦ－ＩＤ及び第２の指紋情報とを比較し、比較結果を生成する。また、比較回路３５０は、ユーザーからの要求に基づき、比較結果を判定回路３６０に送信する。このとき、比較回路３５０は、比較結果を記憶回路３７０に送信してもよい。記憶回路３７０は比較結果を格納する。比較結果は、例えば、第１のＰＵＦ－ＩＤ及び第１の指紋情報と、第２のＰＵＦ－ＩＤ及び第２の指紋情報とが一致している情報、又は、一致していない情報（不一致である情報）を含む。なお、記憶回路３７０は、例えば、揮発性メモリ及び不揮発性メモリを含む。
【0021】
詳細は後述されるが、判定回路３６０は、比較結果を受信し、比較結果を用いて、比較結果が一致しているか否（不一致）かを判定する。例えば、第１のＰＵＦ－ＩＤ及び第１の指紋情報と、第２のＰＵＦ－ＩＤ及び第２の指紋情報とが一致している情報を含む場合、判定回路３６０は、情報は一致していると判定（第１の判定結果）し、第１のＰＵＦ－ＩＤ及び第１の指紋情報と、第２のＰＵＦ－ＩＤ及び第２の指紋情報とが一致していない情報を含む場合、判定回路３６０は、情報は不一致であると判定（第２の判定結果）する。判定回路３６０は、第１の判定結果及び第２の判定結果を記憶回路３７０に送信してもよい。記憶回路３７０は第１の判定結果及び第２の判定結果を格納する。
【0022】
また、図２に示されるように、認証装置１０は、干渉フィルタ８００、偏光板９００、粘着シート１０００、粘着シート１０１０、粘着シート１０２０、及びコリメータ１１００を、さらに有する。
【0023】
検出装置２００、コリメータ１１００、干渉フィルタ８００、表示装置１００、及び偏光板９００は、Ｚ方向に対して下から上に向かってこの順番に配置される。具体的には、コリメータ１１００は検出装置２００の上層に配置される。粘着シート１０２０はコリメータ１１００と検出装置２００との間に配置され、コリメータ１１００と検出装置２００とを接着する。干渉フィルタ８００はコリメータ１１００の上層に配置される。粘着シート１０１０は干渉フィルタ８００とコリメータ１１００との間に配置され、干渉フィルタ８００とコリメータ１１００とを接着する。表示装置１００は干渉フィルタ８００の上層に配置される。粘着シート１０００は表示装置１００と干渉フィルタ８００との間に配置され、表示装置１００と干渉フィルタ８００とを接着する。偏光板９００は表示装置１００の上層に配置される。偏光板９００は粘着シートを含み、偏光板９００は当該粘着シートを用いて表示装置１００に接着される。
【0024】
第１実施形態では、Ｘ方向はＹ方向に交差し、Ｚ方向はＸ方向及びＹ方向（ＸＹ平面）に交差する。また、第１実施形態では、Ｘ方向は第１の方向と呼ばれ、Ｙ方向は第２の方向と呼ばれ、Ｚ方向は第３の方向と呼ばれる。
【0025】
干渉フィルタ８００は、例えば、複数の誘電体を積層した多層膜を有する。干渉フィルタ８００は、例えば、誘電体と検出装置２００の界面で発生する反射光の干渉現象を利用し、特定の光の波長を透過する。認証装置１０は、干渉フィルタ８００を有することによって、透過する光の帯域を狭くすることができる。その結果、例えば、認証装置１０は、指紋の凸凹を鮮明に検出することができる。よって、認証装置１０を用いることによって、認証の精度を向上させることができる。
【0026】
コリメータ１１００は、例えば、反射光を平行光に変えることができる。詳細は後述されるが、コリメータ１１００は、例えば、マイクロレンズ２７４（図２０参照）を透過した光（透過光）を用いて反射した光（反射光）を平行光に変えて、当該平行光をコリメータ１１００の下層に位置する検出装置２００に伝送する。
【0027】
認証装置１０では、偏光板９００は、例えば、円偏光板を用いることができる。
【0028】
＜１－２．表示装置１００及び制御装置３００の構成＞
図３及び図４は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００及び制御装置３００の構成を示す模式図である。表示装置１００及び制御装置３００の構成は、図３及び図４に示された構成に限定されない。図１及び図２と同一、又は類似する構成については、ここでの説明を省略する。
図３及び図４は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００及び制御装置３００の構成を示す模式図である。表示装置１００及び制御装置３００の構成は、図３及び図４に示された構成に限定されない。図１及び図２と同一、又は類似する構成については、ここでの説明を省略する。
【0029】
図３に示されるように、表示装置１００は、表示部１０４、及び周辺部１１６に大別される。表示装置１００は、基板１０２、ドライバＩＣ１０６、走査信号線駆動回路１０８、フレキシブルプリント回路（ＦＰＣ、Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）基板１１２、複数の画素１２０、配線１２４、及び配線１２６を有する。上述のとおり、表示部１０４は、複数の画素１２０を含む。周辺部１１６は、ドライバＩＣ１０６、走査信号線駆動回路１０８、端子部１１１、ＦＰＣ基板１１２、及び複数の配線１２４を含む。複数の配線１２６は、表示部１０４及び周辺部１１６の両方に含まれる。端子部１１１は、複数の端子１１４、及び複数の端子１１８を含む。走査信号線駆動回路１０８、複数の端子１１４、複数の端子１１８、及び複数の画素１２０は、基板１０２の上面に配置される。ドライバＩＣ１０６は、ＦＰＣ基板１１２の上面に配置される。
【0030】
複数の画素１２０は、Ｘ方向と、Ｘ方向に交差するＹ方向にマトリクス状に配列される。複数の画素１２０のそれぞれは、複数のサブ画素１２０Ａ、１２０Ｂ、１２０Ｃを含む。例えば、サブ画素１２０Ａは赤色に発光する発光素子ＲＬＥＤを有し、サブ画素１２０Ｂは緑色に発光する発光素子ＧＬＥＤを有し、サブ画素１２０Ｃは青色に発光する発光素子ＢＬＥＤを有する。
【0031】
認証装置１０では、一例として、走査信号線駆動回路１０８が基板１０２の上面に配置され、ＩＣチップであるドライバＩＣ１０６がＦＰＣ基板１１２の上面に配置される。走査信号線駆動回路１０８及びドライバＩＣ１０６は、実施形態１で示される配置に限定されない。例えば、ドライバＩＣ１０６が基板１０２の上面に配置されてよく、ドライバＩＣ１０６に含まれる駆動回路の一部又は全部が基板１０２の上面に直接形成されてもよい。また、走査信号線駆動回路１０８に含まれる駆動回路の一部又は全部が基板１０２とは異なる回路基板の上に形成され、当該回路基板がＦＰＣ基板１１２の上面に配置されてよい。詳細は後述されるが、基板１０２の上面には、発光素子ＲＬＥＤ、発光素子ＧＬＥＤ、発光素子ＢＬＥＤ、及び、発光素子を制御するための各種半導体素子が形成される。
【0032】
複数の配線１２４は、例えば、複数のサブ画素１２０Ａ、１２０Ｂ、１２０Ｃに電気的に接続される。また、複数の配線１２４は複数の端子１１４と１対１で電気的に接続される。複数の配線１２４と同様に、複数の配線１２６は、例えば、複数の端子１１８と１対１で電気的に接続される。ドライバＩＣ１０６は、例えば、複数の端子１１４と電気的に接続される。端子部１１１（複数の端子１１４及び複数の端子１１８）は、ＦＰＣ基板１１２と電気的に接続され、制御装置３００と電気的に接続される。
【0033】
走査信号線駆動回路１０８及びドライバＩＣ１０６は、制御装置３００から供給される信号及び電源電圧を用いて、各画素１２０が有するトランジスタ（図７参照）を駆動させ、例えば、発光素子ＲＬＥＤを発光または非発光させる。その結果、表示装置１００は、表示部１０４に画像を表示することができる。また、走査信号線駆動回路１０８及びドライバＩＣ１０６は、制御装置３００から供給される信号及び電源電圧を用いて、各画素１２０が有するトランジスタ（図７参照）を駆動させ、各画素１２０の特性を含む読み出しデータ信号を読み出すことができる。
【0034】
図４に示されるように、走査信号線駆動回路１０８は、表示部１０４内のｎ行目に位置する複数の画素回路１３０に、共通に、走査信号ＳＧ（ｎ）、発光制御信号ＢＧ（ｎ）、初期化制御信号ＩＧ（ｎ）、リセット信号ＲＧ（ｎ）、及び第１リセット信号ＶＬ１を供給する。第１リセット信号ＶＬ１は、表示部１０４内のｎ行目に位置する複数の画素回路１３０に、電圧Ｖｒｓｔを供給する。基準電位線ＰＶＳＳは、複数の画素回路１３０に、共通に、基準電位ＶＳＳを供給する。詳細は後述されるが、画素回路１３０は、画素１２０を駆動するための回路である。
【0035】
ドライバＩＣ１０６は、表示部１０４内のｍ列目に位置する複数の画素回路１３０に、共通に、画像データ信号ＳＬ（ｍ）、及び第２リセット信号ＶＬ２を供給する。第２リセット信号ＶＬ２は、表示部１０４内のｍ列目に位置する複数の画素回路１３０に、電圧Ｖｉｎｉを供給する。第１の駆動電源線ＰＶＤＤ１は、表示部１０４内のｍ列目に位置する複数の画素回路１３０に、第１の駆動電圧ＶＤＤＨ１（図６参照）を供給する。第２の駆動電源線ＰＶＤＤ２は、表示部１０４内のｍ列目に位置する複数の画素回路１３０に、第２の駆動電圧ＶＤＤＨ２（図６参照）を供給する。第３の駆動電源線ＰＶＤＤ３は、表示部１０４内のｍ列目に位置する複数の画素回路１３０に、第３の駆動電圧ＶＤＤＨ３（図６参照）を供給する。認証装置１０では、画像データ信号の電圧はＶｓｉｇ（ｍ）、又はＶｓｉｇ（ｎ）と呼ばれる。画像データ信号ＳＬ（ｍ）は、表示部１０４で表示される画像に基づき決定される。数値ｍは６以上の任意の整数であり、数値ｎは１以上の任意の整数である。
【0036】
認証装置１０では、一例として、電圧Ｖｒｓｔ及び電圧Ｖｉｎｉは固定電圧であるが、電圧Ｖｒｓｔ及び電圧Ｖｉｎｉは時間経過とともに変化してもよい。また、認証装置１０では、一例として、走査信号線駆動回路１０８が複数の画素回路１３０にリセット信号ＲＧを供給し、ドライバＩＣ１０６が複数の画素回路１３０に第２リセット信号ＶＬ２を供給するが、走査信号線駆動回路１０８及びドライバＩＣ１０６が供給する信号はここで示される例に限定されない。例えば、ドライバＩＣ１０６が複数の画素回路１３０にリセット信号ＲＧを供給してよく、走査信号線駆動回路１０８が複数の画素回路１３０に第２リセット信号ＶＬ２を供給してもよい。認証装置１０では、電圧Ｖｒｓｔはリセット電圧と呼ばれることがあり、電圧Ｖｉｎｉは初期化電圧と呼ばれることがある。
【0037】
＜１－３．ドライバＩＣ１０６の構成＞
図５は、本発明の一実施形態に係るドライバＩＣ１０６の構成を示す模式図である。ドライバＩＣ１０６の構成は、図５に示された構成に限定されない。図１～図４と同一、又は類似する構成については、ここでの説明を省略する。
図５は、本発明の一実施形態に係るドライバＩＣ１０６の構成を示す模式図である。ドライバＩＣ１０６の構成は、図５に示された構成に限定されない。図１～図４と同一、又は類似する構成については、ここでの説明を省略する。
【0038】
ドライバＩＣ１０６は、読み書き選択回路１０７及び電源生成回路１０９を有する。読み書き選択回路１０７は、複数の選択回路４００を含む。複数の選択回路４００のそれぞれは読み出し端子４０２、書き込み端子４０４、データ信号線接続端子４０６、読み出し制御端子４０８、書き込み制御端子４１０、第１のトランジスタ４１１及び第２のトランジスタ４１３を有する。第１のトランジスタ４１１のゲート電極は読み出し制御端子４０８に電気的に接続され、第１のトランジスタ４１１の第１の電極はデータ信号線接続端子４０６に電気的に接続され、第１のトランジスタ４１１の第２の電極は読み出し端子４０２に電気的に接続される。第２のトランジスタ４１３のゲート電極は書き込み制御端子４１０に電気的に接続され、第２のトランジスタ４１３の第１の電極はデータ信号線接続端子４０６に電気的に接続され、第２のトランジスタ４１３の第２の電極は書き込み端子４０４に電気的に接続される。
【0039】
選択回路４００は、データ信号線接続端子４０６からデータ信号線４０９に、データ信号ＳＬ（１）を供給する。また、選択回路４００はデータ信号線４０９からデータ信号線接続端子４０６にデータ信号ＳＬ（１）を受信する。データ信号ＳＬは、画像データを含む画像データ信号ＷＤＳ、及び、画素１２０の特性を含む読み出しデータ信号ＲＤＳを含む。読み出し制御信号ＲＣＳは表示装置制御回路３２０（図７参照）から読み出し制御端子４０８に供給される。読み出しデータ信号ＲＤＳはデータ信号線４０９からＰＵＦ－ＩＤ生成回路３１０（図７参照）に供給される。書き込み制御信号ＷＣＳは表示装置制御回路３２０（図７参照）から書き込み制御端子４１０に供給される。画像データ信号ＷＤＳは表示装置制御回路３２０（図７参照）からデータ信号線４０９に供給される。
【0040】
選択回路４００Ａは、選択回路４００と同様に、データ信号線４０９Ａにデータ信号ＳＬ（ｍ－５）を供給し、データ信号線４０９Ａからデータ信号ＳＬ（ｍ－５）を受信する。データ信号ＳＬ（ｍ－５）は、画像データを含む画像データ信号ＷＤＳＡ、及び、画素１２０の特性を含む読み出しデータ信号ＲＤＳＡを含む。読み出し制御信号ＲＣＳＡは表示装置制御回路３２０（図７参照）から読み出し制御端子４０８に供給される。読み出しデータ信号ＲＤＳＡはデータ信号線４０９からＰＵＦ－ＩＤ生成回路３１０（図７参照）に供給される。書き込み制御信号ＷＣＳＡは表示装置制御回路３２０（図７参照）から書き込み制御端子４１０に供給される。画像データ信号ＷＤＳＡは表示装置制御回路３２０（図７参照）からデータ信号線４０９Ａに供給される。
【0041】
なお、表示装置制御回路３２０は、ＤＡコンバータ３２２（図７参照）を有する。表示装置制御回路３２０は、ＤＡコンバータ３２２を用いて、アナログの画像データ信号ＷＤＳを生成する。また、ＰＵＦ－ＩＤ生成回路３１０は、積分回路３１２（図７参照）及びＡＤコンバータ３１４を有する。ＰＵＦ－ＩＤ生成回路３１０は、積分回路３１２を用いて読み出しデータ信号ＲＤＳＡに含まれる電圧を所定の時間において積分した後に、ＡＤコンバータ３１４を用いて、積分された電圧をデジタル信号に変換することができる。ＰＵＦ－ＩＤ生成回路３１０は、デジタル信号に変換されたデータ（情報）を用いて、表示装置１００に固有のＰＵＦ－ＩＤを生成することができる。
【0042】
電源生成回路１０９は、走査信号線駆動回路１０８及びドライバＩＣ１０６を駆動するための電圧を生成し、供給する。また、電源生成回路１０９は、画素回路１３０を駆動するための電圧を生成し、画素回路１３０に直接供給してもよい。電源生成回路１０９は、例えば、電圧Ｖｒｓｔ、電圧Ｖｉｎｉ、第１の駆動電圧ＶＤＤＨ１、第２の駆動電圧ＶＤＤＨ２、及び第３の駆動電圧ＶＤＤＨ３を生成する。第１リセット信号ＶＬ１は電圧Ｖｒｓｔを含み、第２リセット信号線ＶＬ２は電圧Ｖｉｎｉを含む。第１リセット信号ＶＬ１は第１リセット電圧線４１５に供給され、第２リセット信号ＶＬ２は第２リセット電圧線４１４に供給され、第１の駆動電圧ＶＤＤＨ１は第１の駆動電源線ＰＶＤＤ１に供給され、第２の駆動電圧ＶＤＤＨ２は第２の駆動電源線ＰＶＤＤ２に供給され、第３の駆動電圧ＶＤＤＨ３は第３の駆動電源線ＰＶＤＤ３に供給される。
【0043】
読み書き選択回路１０７は、例えば、端子１１４及び配線１２４を介して、第２リセット信号線ＶＬ２を第２リセット電圧線４１４に供給してよく、端子１１４及び配線１２４を介して、データ信号ＳＬ（ｍ－５）をデータ信号線４０９Ａに供給してよく、端子１１４及び配線１２４を介して、第１の駆動電圧ＶＤＤＨ１を第１の駆動電源線ＰＶＤＤ１に供給してもよい。電源生成回路１０９は、例えば、端子１１８及び配線１２６を介して、第１リセット信号ＶＬ１を走査信号線駆動回路１０８に供給してよい。
【0044】
なお、読み書き選択回路１０７が直接基板１０２の上面に配置されてよく、読み出し制御信号ＲＣＳ及びＲＣＳＡ、書き込み制御信号ＷＣＳ及びＷＣＳＡ、画像データ信号ＷＤＳ及びＷＤＳＡが、表示装置制御回路３２０から端子１１４又は端子１１８に供給されてよく、読み出しデータ信号ＲＤＳ及びＲＤＳＡが、端子１１４又は端子１１８からＰＵＦ－ＩＤ生成回路３１０（図７参照）に供給されてもよい。
【0045】
＜１－４．画素回路１３０の構成＞
図６は、本発明の一実施形態に係る画素回路１３０の構成を示す模式図である。図７は、本発明の一実施形態に係るサブ画素１２０Ａの回路構成を示す回路図である。図６及び図７は、図４に示されたｎ行ｍ列の画素１２０の画素回路１３０の構成を示している。画素回路１３０の構成は、図６及び図７に示される構成に限定されない。図１～図５と同一、又は類似する構成については、ここでの説明を省略する。
図６は、本発明の一実施形態に係る画素回路１３０の構成を示す模式図である。図７は、本発明の一実施形態に係るサブ画素１２０Ａの回路構成を示す回路図である。図６及び図７は、図４に示されたｎ行ｍ列の画素１２０の画素回路１３０の構成を示している。画素回路１３０の構成は、図６及び図７に示される構成に限定されない。図１～図５と同一、又は類似する構成については、ここでの説明を省略する。
【0046】
画素回路１３０は、画素１２０を駆動するための回路である。図６に示されるように、画素回路１３０は、発光素子駆動部１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂを有する。発光素子駆動部１１０Ｒはサブ画素１２０Ａに含まれる発光素子ＲＬＥＤに電気的に接続され、発光素子駆動部１１０Ｇはサブ画素１２０Ｂに含まれる発光素子ＧＬＥＤに電気的に接続され、発光素子駆動部１１０Ｂはサブ画素１２０Ｃに含まれる発光素子ＢＬＥＤに電気的に接続される。
【0047】
発光素子駆動部１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂのそれぞれは、走査信号ＳＧ（ｎ）、発光制御信号ＢＧ（ｎ）、初期化制御信号ＩＧ（ｎ）、リセット信号ＲＧ（ｎ）、第１リセット信号ＶＬ１、第２リセット信号ＶＬ２、及び基準電位ＶＳＳを供給される。発光素子駆動部１１０Ｒは第１の駆動電圧ＶＤＤＨ１及びデータ信号ＳＬ（ｍ－５）を供給され、発光素子駆動部１１０Ｇは第２の駆動電圧ＶＤＤＨ２及びデータ信号ＳＬ（ｍ－４）を供給され、発光素子駆動部１１０Ｂは第３の駆動電圧ＶＤＤＨ３及びデータ信号ＳＬ（ｍ－３）を供給される。発光素子駆動部１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂにおいて、発光素子、供給される駆動電圧及びデータ信号ＳＬ以外の構成は同様である。よって、以下の説明においては、主に、発光素子駆動部１１０Ｒに関連する構成を説明する。
【0048】
認証装置１０では、発光素子駆動部１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂのそれぞれに独立に駆動電圧を供給することができるため、発光素子ＲＬＥＤ、発光素子ＧＬＥＤ、及び発光素子ＢＬＥＤに供給される電流を独立に制御することができる。その結果、表示装置１００は、各発光素子を最適に発光させることができ、各発光素子の特性を精度よく取得することができると共に各発光素子の特性を用いて表示装置１００に固有のＰＵＦ－ＩＤを生成することができる。
【0049】
図７に示されるように、発光素子駆動部１１０Ｒは、駆動トランジスタＤＲＴ、選択トランジスタＳＳＴ（第１スイッチ）、初期化トランジスタＩＳＴ（第２スイッチ）、リセットトランジスタＲＳＴ（第３スイッチ）、発光制御トランジスタＢＣＴ（第４スイッチ）、容量素子（第１の容量素子）ＳＣ１、容量素子（第２の容量素子）ＳＣ２、発光素子ＲＬＥＤ、アノード容量Ｃａｄ及び付加容量Ｃｌｅｄを含む。これらのトランジスタのそれぞれは、第１電極（ゲート電極）と、第２電極及び第３電極からなる一対の電極（ソース電極、ドレイン電極）を有する。容量素子ＳＣ１、容量素子ＳＣ２、アノード容量Ｃａｄ及び付加容量Ｃｌｅｄのそれぞれは、一対の電極を有する。なお、付加容量Ｃｌｅｄは、発光素子ＲＬＥＤの寄生容量であってよく、発光素子ＲＬＥＤと並列に設けられた容量素子と発光素子ＲＬＥＤの寄生容量とを含んでもよい。
【0050】
発光素子ＲＬＥＤを駆動する電源として、第１の駆動電源線ＰＶＤＤ１から第１の駆動電圧ＶＤＤＨ１が供給され、基準電位線ＰＶＳＳから基準電圧ＶＳＳが供給され、リセット信号ＶＬ１から電圧Ｖｒｓｔが供給される。電圧Ｖｒｓｔは、基準電位ＶＳＳ及び第１の駆動電圧ＶＤＤＨ１より小さい。
【0051】
駆動トランジスタＤＲＴは、入力された画像データ信号ＳＬ（ｍ）を用いて、発光素子ＲＬＥＤに電流を流し、発光素子ＲＬＥＤを発光させる機能を有する。選択トランジスタＳＳＴは、駆動トランジスタＤＲＴに画像データ信号ＳＬ（ｍ）を供給する機能を有する。また、選択トランジスタＳＳＴは、駆動トランジスタＤＲＴの特性をデータ信号線４０９Ａに読み出す機能を有する。初期化トランジスタＩＳＴは、駆動トランジスタＤＲＴの第１の電極（ゲート電極）６２０などに電圧Ｖｉｎｉを供給し、駆動トランジスタＤＲＴをリセットする機能を有する。発光制御トランジスタＢＣＴは、第１の駆動電源線ＰＶＤＤ１と駆動トランジスタＤＲＴとの接続、非接続を制御する。発光制御トランジスタＢＣＴは、駆動トランジスタＤＲＴと発光素子ＲＬＥＤ、及び駆動トランジスタＤＲＴと付加容量Ｃｌｅｄとの電気的な接続、非接続を制御するといってもよい。即ち、発光制御トランジスタＢＣＴは、発光素子ＲＬＥＤの発光、非発光を制御する機能を有する。
【0052】
リセットトランジスタＲＳＴは、駆動トランジスタＤＲＴの第２の電極６１０（ソース電極６１０）、発光素子ＲＬＥＤの第１の電極６６０、及び容量素子ＳＣ１の第２の電極６５０に電圧Ｖｒｓｔを供給し、駆動トランジスタＤＲＴの第２の電極６１０（ソース電極６１０）、発光素子ＲＬＥＤの第１の電極６６０、及び容量素子ＳＣ１の第２の電極６５０をリセットする機能を有する。発光素子ＲＬＥＤの第１の電極６６０は、例えば、アノード電極である。
【0053】
容量素子ＳＣ１は、駆動トランジスタＤＲＴの閾値電圧に相当する電荷（第1の電荷）を保持する機能を有する。また、容量素子ＳＣ１は、サブ画素１２０Ａが発光するために駆動トランジスタＤＲＴの第１の電極６２０（ゲート電極６２０）に入力する画像データに相当する電荷（第２の電荷）を保持する機能を有する。即ち、容量素子ＳＣ１は、入力された画像データ信号ＳＬ（ｍ）を保持するための機能を有する。
【0054】
容量素子ＳＣ２は、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極６２０と駆動トランジスタＤＲＴのソース電極６１０との間に接続され、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極６２０と駆動トランジスタＤＲＴのソース電極６１０との間の容量である。
【0055】
表示装置１００は、画像データ信号ＳＬ（ｍ）を保持するものとして、容量素子ＳＣ１などの容量素子を有するが、画像データ信号ＳＬ（ｍ）を保持するものは容量素子でなくてもよい。例えば、信号又は電圧を保持可能な素子は、ＳＲＡＭのように２値のデータを保持可能な素子であってもよい。
【0056】
発光素子ＲＬＥＤは、ダイオード特性を有する。付加容量Ｃｌｅｄは、発光素子ＲＬＥＤが含む容量である。アノード容量Ｃａｄは、発光素子ＲＬＥＤの第１の電極６６０と第１の駆動電源線ＰＶＤＤ１との間に形成される容量である。なお、表示装置１００では、付加容量Ｃｌｅｄと容量素子ＳＣ１又は容量素子ＳＣ２とによって、画像データ信号ＳＬ（ｍ）を保持してもよい。
【0057】
初期化トランジスタＩＳＴのゲート電極は、初期化制御線４１６に電気的に接続される。初期化制御線４１６には、初期化制御信号ＩＧ（ｎ）が供給される。初期化トランジスタＩＳＴは、初期化制御信号ＩＧ（ｎ）に供給される信号によって、導通状態、非導通状態が制御される。初期化制御信号ＩＧ（ｎ）に供給される信号がローレベル（Ｌｏｗ Ｌｅｖｅｌ、Ｌレベル）のとき、初期化トランジスタＩＳＴは、非導通状態となる。初期化制御信号ＩＧ（ｎ）に供給される信号がハイレベル（Ｈｉｇｈ Ｌｅｖｅｌ、Ｈレベル）のとき、初期化トランジスタＩＳＴは、導通状態となる。初期化トランジスタＩＳＴのソース電極は、第２リセット電圧線４１４に電気的に接続される。第２リセット電圧線４１４には、第２リセット信号ＶＬ２が供給される。初期化トランジスタＩＳＴのドレイン電極は、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極６２０、選択トランジスタＳＳＴのドレイン電極、及び容量素子ＳＣ１の第１の電極６４０に電気的に接続される。容量素子ＳＣ１の第２の電極は、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極６１０、リセットトランジスタＲＳＴのドレイン電極、発光素子ＲＬＥＤの第１の電極６６０、及び付加容量Ｃｌｅｄの第１の電極に電気的に接続される。
【0058】
選択トランジスタＳＳＴのゲート電極は、走査信号線４２０に電気的に接続される。走査信号線４２０には、走査信号ＳＧ（ｎ）が供給される。選択トランジスタＳＳＴは、走査信号ＳＧ（ｎ）に供給される信号によって、導通状態、非導通状態が制御される。走査信号ＳＧ（ｎ）に供給される信号がＬレベルのとき、選択トランジスタＳＳＴは、非導通状態となる。走査信号ＳＧ（ｎ）に供給される信号がＨレベルのとき、選択トランジスタＳＳＴは、導通状態となる。選択トランジスタＳＳＴのソース電極は、データ信号線４０９に電気的に接続される。データ信号線４０９には、画像データ信号ＳＬ（ｍ）が供給される。第１実施形態では、データ信号線４０９はデータ信号線４０９Ａであり、画像データ信号ＳＬ（ｍ）は画像データ信号ＳＬ（ｍ－５）である。
【0059】
発光制御トランジスタＢＣＴのゲート電極は、発光制御線４１８に電気的に接続される。発光制御線４１８には、発光制御信号ＢＧ（ｎ）が供給される。発光制御トランジスタＢＣＴは、発光制御信号ＢＧ（ｎ）に供給される信号によって、導通状態、非導通状態が制御される。発光制御信号ＢＧ（ｎ）に供給される信号がＬレベルのとき、発光制御トランジスタＢＣＴは、非導通状態となる。発光制御信号ＢＧ（ｎ）に供給される信号がＨレベルのとき、発光制御トランジスタＢＣＴは、導通状態となる。発光制御トランジスタＢＣＴのドレイン電極は、第１の駆動電源線ＰＶＤＤ１に電気的に接続される。第１の駆動電源線ＰＶＤＤ１は駆動電源線４２８である。発光制御トランジスタＢＣＴのソース電極は、駆動トランジスタＤＲＴのドレイン電極６３０と電気的に接続される。
【0060】
リセットトランジスタＲＳＴのゲート電極は、第１リセット信号線４１２に電気的に接続される。第１リセット信号線４１２には、リセット信号ＲＧ（ｎ）が供給される。リセットトランジスタＲＳＴは、リセット信号ＲＧ（ｎ）に供給される信号によって、導通状態、非導通状態が制御される。リセット信号ＲＧ（ｎ）に供給される信号がＬレベルのとき、リセットトランジスタＲＳＴは、非導通状態となる。リセット信号ＲＧ（ｎ）に供給される信号がＨレベルのとき、リセットトランジスタＲＳＴは、導通状態となる。リセットトランジスタＲＳＴのソース電極は、第１リセット信号ＶＬ１が供給される。
【0061】
発光素子ＲＬＥＤの第２の電極６７０、及び付加容量Ｃｌｅｄの第２の電極は、基準電圧線ＰＶＳＳに電気的に接続される。基準電圧線ＰＶＳＳは、例えば、カソード電極に電気的に接続される。
【0062】
初期化トランジスタＩＳＴのドレイン電極、選択トランジスタＳＳＴのドレイン電極、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極６２０、容量素子ＳＣ２の第１の電極、及び容量素子ＳＣ１の第１の電極は、第１ノードＤＲＴＧに電気的に接続される。リセットトランジスタＲＳＴのドレイン電極、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極６１０、容量素子ＳＣ１の第２の電極、容量素子ＳＣ２の第２の電極、発光素子ＲＬＥＤの第１の電極６６０、及び付加容量Ｃｌｅｄの第１の電極は、第２ノードＤＲＴＳに電気的に接続される。駆動トランジスタＤＲＴのドレイン電極６３０、及び発光制御トランジスタＢＣＴのソース電極は、第３ノードＤＲＴＤに電気的に接続される。
【0063】
表示装置１００では、第１リセット信号線４１２は、各画素に共通の電圧Ｖｒｓｔを供給するため、第１の共通電極と呼ばれる場合がある。第２リセット電圧線４１４は、各画素に共通の電圧Ｖｉｎｉを供給するため、第２の共通電極と呼ばれる場合がある。
【0064】
表示装置１００では、導通状態とは、トランジスタのソース電極とドレイン電極とが導通し、トランジスタがオン（ＯＮ）の状態を示すものとし、非導通状態とは、トランジスタのソース電極とドレイン電極とが非導通となり、トランジスタがオフ（ＯＦＦ）の状態を示すものとする。なお、各トランジスタにおいて、ソース電極とドレイン電極とは、各電極に供給される電圧又は電位に応じて、入れ替わる場合がある。また、トランジスタがオフの状態であっても、リーク電流などのように、わずかに電流が流れることは、当業者であれば容易に理解できることである。
【0065】
図７に示される各トランジスタは、チャネル領域にシリコンやゲルマニウムなどの１４族元素、或いは半導体特性を示す酸化物を有することができる。例えば、各トランジスタのチャネル領域は、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）を有する。表示装置１００では、各トランジスタは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いて形成され、ｎチャネル型の電界効果トランジスタを有する。各トランジスタはｎチャネル型の電界効果トランジスタとｐチャネル型の電界効果トランジスタとを有してもよく、ｐチャネル型の電界効果トランジスタのみを有してもよい。表示装置１００は、用途や仕様に応じて、適宜、トランジスタの構成、保持容量の接続、電源電圧などを適合させるとよい。
【0066】
一部のトランジスタは隣接する複数の画素間で共有されてもよい。例えば、リセットトランジスタＲＳＴは、各行に１つ、走査信号線駆動回路１０８内に設けてもよく、複数の行に１つ、走査信号線駆動回路１０８内に設けてもよく、各行に１つ、周辺部１１６に設けてもよく、複数の行に１つ、周辺部１１６に設けてもよい。
【0067】
＜１－５．認証装置１０に画像を表示するための駆動方法＞
図８は、本発明の一実施形態に係る認証装置１０に画像を表示するためのタイミングチャートを示す模式的な図である。図９～図１１は、図７に示される第１の期間における画素回路１３０及び読み書き選択回路１０７を示す模式図である。図１２～図１４は、図７に示される第２の期間における画素回路１３０及び読み書き選択回路１０７を示す模式図である。図１５は、図７に示される第３の期間における画素回路１３０及び読み書き選択回路１０７を示す模式図である。認証装置１０の駆動方法は、図８～図１５示される駆動方法に限定されない。図１～図７と同一、又は類似する構成については、ここでの説明を省略する。
図８は、本発明の一実施形態に係る認証装置１０に画像を表示するためのタイミングチャートを示す模式的な図である。図９～図１１は、図７に示される第１の期間における画素回路１３０及び読み書き選択回路１０７を示す模式図である。図１２～図１４は、図７に示される第２の期間における画素回路１３０及び読み書き選択回路１０７を示す模式図である。図１５は、図７に示される第３の期間における画素回路１３０及び読み書き選択回路１０７を示す模式図である。認証装置１０の駆動方法は、図８～図１５示される駆動方法に限定されない。図１～図７と同一、又は類似する構成については、ここでの説明を省略する。
【0068】
ここでは、ｎ行目の走査信号線４２０に電気的に接続する複数の画素１２０を駆動するための認証装置１０の駆動方法を説明する。図８に示されるように、認証装置１０に画像を表示するための駆動方法は、第１の期間、第２の期間、及び第３の期間を含む。第１の期間は、リセット動作、初期化動作及び閾値補正動作を含み、第２の期間は、データ書き込み動作を含み、第３の期間は発光動作を含む。図８は、一例として、ｎ行目の走査信号線４２０に電気的に接続する複数の画素回路１３０を駆動するためのタイミングチャートを示す。図９～図１５は、ｎ行目ｍ列目のサブ画素１２０Ａの発光素子駆動部１１０Ｒ及び読み書き選択回路１０７Ａの動作状態を示す。認証装置１０は、図８に示される駆動方法を、１行目の複数の画素回路１３０から最終行の複数の画素回路１３０まで繰り返し実行する。その結果、認証装置１０は、表示装置１００に画像を表示することができる。なお、図８に示される画像を表示するためのタイミングチャートでは、一例として、全ての期間において、読み出し制御信号ＲＣＳＡにはローレベルが供給され、第１の駆動電源線ＰＶＤＤ１には第１の駆動電圧ＶＤＤＨ１が供給され、データ信号ＳＬ（ｍ－５）には電圧Ｖｓｉｇ（ｍ－５）が供給され、第２リセット信号ＶＬ２には電圧Ｖｉｎｉが供給され、第１リセット信号ＶＬ１には電圧Ｖｒｓｔが供給される。
【0069】
＜１－５－１．第１の期間のリセット動作＞
リセット動作は、発光素子駆動部１１０Ｒの第１ノードＤＲＴＧ及び第２ノードＤＲＴＳをリセットし、サブ画素１２０Ａをリセット状態にする動作である。時刻ｔ１１～時刻ｔ１３において、認証装置１０はリセット動作を実行する。
リセット動作は、発光素子駆動部１１０Ｒの第１ノードＤＲＴＧ及び第２ノードＤＲＴＳをリセットし、サブ画素１２０Ａをリセット状態にする動作である。時刻ｔ１１～時刻ｔ１３において、認証装置１０はリセット動作を実行する。
【0070】
図８又は図９を用いて、各種信号の時刻ｔ１１～時刻ｔ１２におけるタイミングを説明する。図８に示されるように、時刻ｔ１１～時刻ｔ１２では、リセット信号ＲＧ（ｎ）はローレベルからハイレベルに変化し、リセット信号ＲＧ（ｎ）にはハイレベルが供給される。発光制御信号ＢＧ（ｎ）はハイレベルからローレベルに変化し、発光制御信号ＢＧ（ｎ）にはローレベルが供給される。初期化制御信号ＩＧ（ｎ）、走査信号ＳＧ（ｎ）、及び書き込み制御信号ＷＣＳＡはローレベルが供給される。よって、図９に示されるように、初期化トランジスタＩＳＴ、選択トランジスタＳＳＴ、発光制御トランジスタＢＣＴ、第１のトランジスタ４１１、及び第２のトランジスタ４１３は非導通状態（ＯＦＦ）である。一方、リセットトランジスタＲＳＴは導通状態（ＯＮ）である。なお、駆動トランジスタＤＲＴは、非導通状態（ＯＦＦ）であるとするが、導通状態（ＯＮ）であってもよい。リセット動作では、第１の駆動電源線ＰＶＤＤ１から発光素子ＲＬＥＤの第１の電極６６０への電流が発光制御トランジスタＢＣＴによって遮断される。
【0071】
その結果、図８又は図９に示されるように、発光素子ＲＬＥＤが非発光となると共に、第３ノードＤＲＴＤ、第２ノードＤＲＴＳなどに残留していた電荷が駆動トランジスタＤＲＴ及びリセットトランジスタＲＳＴを通じて引き抜かれ、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極６１０（第２ノードＤＲＴＳ）の電圧が電圧Ｖ２ａから電圧Ｖｒｓｔに低下し、電圧Ｖｒｓｔに固定される。駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極６２０（第１ノードＤＲＴＧ、容量素子ＳＣ１の第１の電極６４０）の電圧は、１つ前のフレームで書き込んだデータ信号の電圧Ｖ１ａから電圧Ｖ１ｂに低下し、電圧Ｖ１ｂに固定される。
【0072】
電圧Ｖ１ａは第１の駆動電圧ＶＤＤＨ１より小さく、かつ、電圧Ｖｓｉｇ（ｍ－５）より大きく、電圧Ｖ２ａは電圧Ｖｓｉｇ（ｍ－５）より小さく、かつ、電圧Ｖｉｎｉより大きい。電圧Ｖｉｎｉは電圧Ｖ２ａより小さく、かつ、基準電圧ＶＳＳより大きく、電圧Ｖ１ｂは基準電圧ＶＳＳより小さく、かつ、電圧Ｖｒｓｔより大きい。
【0073】
図８又は図１０を用いて、各種信号の時刻ｔ１２～時刻ｔ１３におけるタイミングを説明する。図８に示されるように、時刻ｔ１２～時刻ｔ１３では、リセット信号ＲＧ（ｎ）はハイレベルを維持し、発光制御信号ＢＧ（ｎ）、走査信号ＳＧ（ｎ）、及び書き込み制御信号ＷＣＳＡはローレベルを維持する。初期化制御信号ＩＧ（ｎ）はローレベルからハイレベルに変化し、初期化制御信号ＩＧ（ｎ）にはハイレベルが供給される。よって、図１０に示されるように、選択トランジスタＳＳＴ、発光制御トランジスタＢＣＴ、第１のトランジスタ４１１、及び第２のトランジスタ４１３は非導通状態（ＯＦＦ）である。一方、初期化トランジスタＩＳＴ、駆動トランジスタＤＲＴ、及びリセットトランジスタＲＳＴは導通状態（ＯＮ）である。
【0074】
図８又は図１０に示されるように、時刻ｔ１２～時刻ｔ１３では、第１の駆動電源線ＰＶＤＤ１から発光素子ＲＬＥＤの第１の電極６６０への電流が発光制御トランジスタＢＣＴによって遮断され、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極６１０（第２ノードＤＲＴＳ）が電圧Ｖｒｓｔに固定されている。また、初期化トランジスタＩＳＴを介して、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極６２０（第１ノードＤＲＴＧ、容量素子ＳＣ１の第１の電極６４０）の電圧は電圧Ｖ１ｂから電圧Ｖｉｎｉに上昇し、電圧Ｖｉｎｉに固定される。即ち、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極６１０（第２ノードＤＲＴＳ）及び駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極６２０（第１ノードＤＲＴＧ）がリセット（初期化）される。
【0075】
＜１－５－２．第１の期間の初期化動作及び閾値補正動作＞
初期化動作及び閾値補正動作は、発光素子駆動部１１０Ｒの第１ノードＤＲＴＧ及び第２ノードＤＲＴＳを初期化し、第１ノードＤＲＴＧ及び第２ノードＤＲＴＳの間に接続された容量素子ＳＣ１に、駆動トランジスタＤＲＴの閾値電圧Ｖｔｈに相当する電荷を保持させる動作である。時刻ｔ１２～時刻ｔ１４において、認証装置１０は初期化動作及び閾値補正動作を実行する。時刻ｔ１１～時刻ｔ１３までの初期化動作及び閾値補正動作は、リセット動作と同様であるから、ここでの説明は省略される。認証装置１０は初期化動作及び閾値補正動作を実行する。
初期化動作及び閾値補正動作は、発光素子駆動部１１０Ｒの第１ノードＤＲＴＧ及び第２ノードＤＲＴＳを初期化し、第１ノードＤＲＴＧ及び第２ノードＤＲＴＳの間に接続された容量素子ＳＣ１に、駆動トランジスタＤＲＴの閾値電圧Ｖｔｈに相当する電荷を保持させる動作である。時刻ｔ１２～時刻ｔ１４において、認証装置１０は初期化動作及び閾値補正動作を実行する。時刻ｔ１１～時刻ｔ１３までの初期化動作及び閾値補正動作は、リセット動作と同様であるから、ここでの説明は省略される。認証装置１０は初期化動作及び閾値補正動作を実行する。
【0076】
図８又は図１１を用いて、各種信号の時刻ｔ１３～時刻ｔ１４におけるタイミングを説明する。図８に示されるように、時刻ｔ１３～時刻ｔ１４では、リセット信号ＲＧ（ｎ）はハイレベルからローレベルに変化し、リセット信号ＲＧ（ｎ）にはローレベルが供給される。発光制御信号ＢＧ（ｎ）はローレベルからハイレベルに変化し、発光制御信号ＢＧ（ｎ）にはハイレベルが供給される。初期化制御信号ＩＧ（ｎ）はハイレベルを維持し、走査信号ＳＧ（ｎ）、及び書き込み制御信号ＷＣＳＡはローレベルを維持する。よって、図１１に示されるように、選択トランジスタＳＳＴ、リセットトランジスタＲＳＴ、第１のトランジスタ４１１、及び第２のトランジスタ４１３は非導通状態（ＯＦＦ）である。一方、発光制御トランジスタＢＣＴ、及び初期化トランジスタＩＳＴは導通状態（ＯＮ）である。なお、駆動トランジスタＤＲＴは、第１ノードＤＲＴＧ、第２ノードＤＲＴＳ、及び第３ノードＤＲＴＤに供給される電圧に応じて、導通状態（ＯＮ）から非導通状態（ＯＦＦ）に変化する。
【0077】
初期化動作及び閾値補正動作では、発光制御トランジスタＢＣＴが第１の駆動電源線ＰＶＤＤ１（駆動電源線４２８）に電気的に接続され、駆動トランジスタＤＲＴの第３の電極６３０（第３ノードＤＲＴＤ）には第１の駆動電圧ＶＤＤＨ１が供給される。その結果、駆動トランジスタＤＲＴに、第１の駆動電源線ＰＶＤＤ１から発光素子ＲＬＥＤの第１の電極６６０の方向へ、電流が流れる（駆動トランジスタＤＲＴは導通状態）。したがって、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極６１０及び保持容量素子ＳＣ１の第２の電極６５０（即ち、第２ノードＤＲＴＳ）が充電される。
【0078】
また、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極６２０（第１ノードＤＲＴＧ）の電圧は電圧Ｖｉｎｉに固定されている。駆動トランジスタＤＲＴのソース電極６１０（第２ノードＤＲＴＳ）の電圧が、電圧Ｖｒｓｔから電圧Ｖ２ｂに上昇する。ここで、電圧Ｖ２ｂは、Ｖｉｎｉ－Ｖｔｈであり、電圧Ｖｒｓｔより大きく、基準電圧ＶＳＳより小さい。駆動トランジスタＤＲＴのソース電極６１０（第２ノードＤＲＴＳ）の電圧が、電圧Ｖ２ｂ（＝Ｖｉｎｉ－Ｖｔｈ）になると、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極６２０とソース電極６１０との間の電圧が閾値電圧Ｖｔｈとなるため、駆動トランジスタＤＲＴは非導通状態となる。
【0079】
認証装置１０（表示装置１００）は、初期化動作及び閾値補正動作によって、第１ノードＤＲＴＧと第２ノードＤＲＴＳの間（容量素子ＳＣ１）に、駆動トランジスタＤＲＴの閾値値電圧Ｖｔｈに相当する電荷を保持することができる。その結果、認証装置１０（表示装置１００）は、駆動トランジスタＤＲＴの閾値電圧を補正することができる。なお、このとき、発光素子ＲＬＥＤの第１の電極６６０と第２の電極６７０との間には、｛（Ｖｉｎｉ－Ｖｔｈ）－ＰＶＳＳ｝の電圧が供給されている。しかし、この電圧は発光素子ＲＬＥＤの発光開始電圧を上回っていないため、電流は発光素子ＲＬＥＤに流れない。よって、発光素子ＲＬＥＤは非発光（状態）である。
【0080】
＜１－５－３．第２の期間のデータ書き込み動作＞
データ書き込み動作は、発光素子駆動部１１０Ｒの第１ノードＤＲＴＧに、画像データを供給し（書き込み）、発光素子ＲＬＥＤが、画像データに応じた電圧を用いて発光可能な状態にする動作である。第２の期間は、時刻ｔ１４～時刻ｔ３１であり、時刻ｔ２２～時刻ｔ２３において、認証装置１０はデータ書き込み動作を実行する。
データ書き込み動作は、発光素子駆動部１１０Ｒの第１ノードＤＲＴＧに、画像データを供給し（書き込み）、発光素子ＲＬＥＤが、画像データに応じた電圧を用いて発光可能な状態にする動作である。第２の期間は、時刻ｔ１４～時刻ｔ３１であり、時刻ｔ２２～時刻ｔ２３において、認証装置１０はデータ書き込み動作を実行する。
【0081】
図８又は図１２を用いて、各種信号の時刻ｔ１４～時刻ｔ２２におけるタイミングを説明する。図８に示されるように、時刻ｔ１４～時刻ｔ２２では、初期化制御信号ＩＧ（ｎ）はハイレベルからローレベルに変化し、初期化制御信号ＩＧ（ｎ）にはローレベルが供給される。リセット信号ＲＧ（ｎ）、走査信号ＳＧ（ｎ）、及び書き込み制御信号ＷＣＳＡは、ローレベルを維持する。また、時刻ｔ２１において、発光制御信号ＢＧ（ｎ）はハイレベルからローレベルに変化し、発光制御信号ＢＧ（ｎ）にはローレベルが供給される。よって、図１２に示されるように、初期化トランジスタＩＳＴ、選択トランジスタＳＳＴ、駆動トランジスタＤＲＴ、リセットトランジスタＲＳＴ、第１のトランジスタ４１１、及び第２のトランジスタ４１３は非導通状態（ＯＦＦ）である。一方、発光制御トランジスタＢＣＴは導通状態（ＯＮ）から非導通状態（ＯＦＦ）に変化する。
【0082】
各トランジスタが非導通状態になることに応じて、容量素子ＳＣ１、及び容量素子ＳＣ２の容量カップリングにより、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極６２０（第１ノードＤＲＴＧ）の電圧は電圧Ｖｉｎｉから電圧Ｖ１ｃに低下し、電圧Ｖ１ｃに固定される。また、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極６１０（第２ノードＤＲＴＳ）の電圧は電圧Ｖ２ｂから電圧Ｖ２ｃに低下し、電圧Ｖ２ｃに固定される。電圧（Ｖ１ｃ－Ｖ２ｃ）は、電圧（Ｖｉｎｉ－Ｖｔｈ）と同一又は略同一であり、第１ノードＤＲＴＧと第２ノードＤＲＴＳの間（容量素子ＳＣ１）に、駆動トランジスタＤＲＴの閾値電圧Ｖｔｈに相当する電荷を保持している。なお、電圧Ｖ１ｃは基準電圧ＶＳＳより大きく、かつ、電圧Ｖｉｎｉより小さく、電圧Ｖ２ｃは基準電圧ＶＳＳより小さく、かつ、電圧Ｖｒｓｔより大きい。
【0083】
図８又は図１３を用いて、各種信号の時刻ｔ２２～時刻ｔ２３におけるタイミングを説明する。時刻ｔ２２～時刻ｔ２３では、認証装置１０（表示装置１００）は、データ書き込み動作を実行する。図８に示されるように、走査信号ＳＧ（ｎ）、及び書き込み制御信号ＷＣＳＡは、ローレベルからハイレベルに変化し、走査信号ＳＧ（ｎ）、及び書き込み制御信号ＷＣＳＡにはハイレベルが供給される。リセット信号ＲＧ（ｎ）、発光制御信号ＢＧ（ｎ）、及び初期化制御信号ＩＧ（ｎ）は、ローレベルを維持する。
【0084】
よって、図１３に示されるように、発光制御トランジスタＢＣＴ、初期化トランジスタＩＳＴ、駆動トランジスタＤＲＴ、リセットトランジスタＲＳＴ、及び第１のトランジスタ４１１は非導通状態（ＯＦＦ）である。一方、選択トランジスタＳＳＴ、及び第２のトランジスタ４１３は非導通状態（ＯＦＦ）から導通状態（ＯＮ）に変化する。選択トランジスタＳＳＴ、及び第２のトランジスタ４１３が導通状態になると、表示装置制御回路３２０は、画像データ信号ＷＤＳＡを、書き込み端子４０４に供給する。画像データ信号ＷＤＳＡは、書き込み端子４０４、第２のトランジスタ４１３、データ信号線接続端子４０６、データ信号線４０９Ａ、及び選択トランジスタＳＳＴを経由して、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極６２０（第１ノードＤＲＴＧ）に送信される。
【0085】
ここで、画像データ信号ＷＤＳＡは、データ信号ＳＬ（ｍ－５）である。データ信号ＳＬ（ｍ－５）は、電圧Ｖｓｉｇ（ｍ－５）を含み、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極６２０（第１ノードＤＲＴＧ）の電圧は、電圧Ｖ１ｃから電圧Ｖｓｉｇ（ｍ－５）に上昇し、電圧Ｖｓｉｇ（ｍ－５）に固定される。一方、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極６１０（第２ノードＤＲＴＳ）の電圧は電圧Ｖ２ｃから電圧Ｖ２ｄに上昇し、電圧Ｖ２ｄに固定される。ここで、第１ノードＤＲＴＧと第２ノードＤＲＴＳの間の電圧は、Ｖ１ｃ－Ｖ２ｃから、Ｖｓｉｇ（ｍ－５）－Ｖ２ｄに変化する。電圧（Ｖ１ｃ－Ｖ２ｃ）は、電圧（Ｖｉｎｉ－Ｖｔｈ）と同一又は略同一であるから、例えば、第１ノードＤＲＴＧと第２ノードＤＲＴＳの間の電圧は、｛Ｖｓｉｇ（ｍ－５）－（Ｖｉｎｉ－Ｖｔｈ）｝となる。よって、第１ノードＤＲＴＧと第２ノードＤＲＴＳの間の電圧は、駆動トランジスタＤＲＴの閾値電圧のばらつきが反映された電圧となる。なお、電圧Ｖ２ｄは基準電圧ＶＳＳより大きく、かつ、電圧Ｖｉｎｉより小さい。
【0086】
図８又は図１４を用いて、各種信号の時刻ｔ２３～時刻ｔ３１におけるタイミングを説明する。図８に示されるように、時刻ｔ２３～時刻ｔ３１において、走査信号ＳＧ（ｎ）、及び書き込み制御信号ＷＣＳＡは、ハイレベルからローレベルに変化し、走査信号ＳＧ（ｎ）、及び書き込み制御信号ＷＣＳＡにはローレベルが供給される。また、リセット信号ＲＧ（ｎ）、発光制御信号ＢＧ（ｎ）、及び初期化制御信号ＩＧ（ｎ）は、ローレベルを維持する。よって、図１４に示されるように、発光制御トランジスタＢＣＴ、初期化トランジスタＩＳＴ、駆動トランジスタＤＲＴ、リセットトランジスタＲＳＴ、及び第２のトランジスタ４１３は非導通状態（ＯＦＦ）である。一方、選択トランジスタＳＳＴ、及び第２のトランジスタ４１３は導通状態（ＯＮ）から非導通状態（ＯＦＦ）に変化する。
【0087】
選択トランジスタＳＳＴ、及び第２のトランジスタ４１３が非導通状態になると、全てのトランジスタが非導通状態になる。各トランジスタが非導通状態になることに応じて、容量素子ＳＣ１、及び容量素子ＳＣ２の容量カップリングにより、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極６２０（第１ノードＤＲＴＧ）の電圧は電圧Ｖｓｉｇ（ｍ－５）から電圧Ｖ１ｄに低下し、電圧Ｖ１ｄに固定される。また、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極６１０（第２ノードＤＲＴＳ）の電圧は電圧Ｖ２ｄから電圧Ｖ２ｅに低下し、電圧Ｖ２ｅに固定される。なお、電圧Ｖ１ｄは電圧Ｖｉｎｉより大きく、かつ、電圧Ｖｓｉｇ（ｍ－５）より小さく、電圧Ｖ２ｅは基準電圧ＶＳＳより小さく、かつ、電圧Ｖｒｓｔより大きい。
【0088】
時刻ｔ３１において、第１ノードＤＲＴＧと第２ノードＤＲＴＳの間の電圧は、Ｖｓｉｇ（ｍ－５）－Ｖ２ｄから、Ｖ１ｄ－Ｖ２ｅに変化する。例えば、第１ノードＤＲＴＧと第２ノードＤＲＴＳの間の電圧は、｛Ｖｓｉｇ（ｍ－５）－（Ｖｉｎｉ－Ｖｔｈ）｝を維持する。
【0089】
＜１－５－４．第３の期間の発光動作＞
発光動作は、発光素子ＲＬＥＤが画像データに応じた電圧を用いて発光する動作であり、即ち、認証装置１０（表示装置１００）が表示部１０４に画像を表示する動作である。第３の期間は、時刻ｔ３１～時刻ｔ３４である。
発光動作は、発光素子ＲＬＥＤが画像データに応じた電圧を用いて発光する動作であり、即ち、認証装置１０（表示装置１００）が表示部１０４に画像を表示する動作である。第３の期間は、時刻ｔ３１～時刻ｔ３４である。
【0090】
図８又は図１５を用いて、各種信号の時刻ｔ３１～時刻ｔ３４におけるタイミングを説明する。図８に示されるように、時刻ｔ３１～時刻ｔ３４において、発光制御信号ＢＧ（ｎ）はローレベルからハイレベルに変化し、発光制御信号ＢＧ（ｎ）にはハイレベルが供給される。また、リセット信号ＲＧ（ｎ）、初期化制御信号ＩＧ（ｎ）、走査信号ＳＧ（ｎ）、及び書き込み制御信号ＷＣＳＡは、ローレベルを維持する。よって、図１５に示されるように、初期化トランジスタＩＳＴ、選択トランジスタＳＳＴ、リセットトランジスタＲＳＴ、第１のトランジスタ４１１、及び第２のトランジスタ４１３は非導通状態（ＯＦＦ）である。一方、発光制御トランジスタＢＣＴは非導通状態（ＯＦＦ）から導通状態（ＯＮ）に変化する。
【0091】
図８又は図１５に示されるように、発光制御トランジスタＢＣＴが導通状態（ＯＮ）になることに伴い、発光制御トランジスタＢＣＴが第１の駆動電源線ＰＶＤＤ１（駆動電源線４２８）に電気的に接続され、駆動トランジスタＤＲＴの第３の電極６３０（第３ノードＤＲＴＤ）には第１の駆動電圧ＶＤＤＨ１が供給される。その結果、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極６１０（第２ノードＤＲＴＳ）の電圧は、電圧Ｖ２ｅから電圧Ｖ２ｆに上昇し、電圧Ｖ２ｆに固定される。また、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極６１０（第２ノードＤＲＴＳ）の電圧が電圧Ｖ２ｆに上昇したことに伴い、容量素子ＳＣ１、及び容量素子ＳＣ２の容量カップリングにより、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極６２０（第１ノードＤＲＴＧ）の電圧は、電圧Ｖ１ｄから電圧Ｖ１ｅに上昇し、電圧Ｖ１ｅに固定される。
【0092】
駆動トランジスタＤＲＴに、第１の駆動電源線ＰＶＤＤ１から発光素子ＲＬＥＤの第１の電極６６０の方向へ、電流が流れる（駆動トランジスタＤＲＴは導通状態）。したがって、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極６１０及び保持容量素子ＳＣ１の第２の電極６５０（即ち、第２ノードＤＲＴＳ）が充電される。第１ノードＤＲＴＧと第２ノードＤＲＴＳの間の電圧は、Ｖ１ｄ－Ｖ２ｅから、Ｖ１ｅ－Ｖ２ｆに変化する。電圧（Ｖ１ｅ－Ｖ２ｆ）は、電圧（Ｖ１ｄ－Ｖ２ｅ）と同一又は略同一であり、例えば、第１ノードＤＲＴＧと第２ノードＤＲＴＳの間の電圧は、｛Ｖｓｉｇ（ｍ－５）－（Ｖｉｎｉ－Ｖｔｈ）｝を維持する。第１ノードＤＲＴＧと第２ノードＤＲＴＳの間の電圧は、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極６２０とソース電極６１０との間の電圧Ｖｇｓである。電圧Ｖｇｓは、駆動トランジスタＤＲＴの閾値電圧Ｖｔｈを補正された電圧である。
【0093】
画像データの電圧Ｖｓｉｇ（ｍ－５）及び補正された閾値電圧に応じた電圧Ｖｇｓとを用いて、駆動トランジスタＤＲＴに流れる電流が発光素子ＲＬＥＤに流れ、発光素子ＲＬＥＤは発光（Ｅｍｉｔ）する。
【0094】
このとき、例えば、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極６２０の電圧Ｖ１ｅ（即ち、第１ノードＤＲＴＧの電圧）は、Ｖｓｉｇ（ｍ－５）－（Ｖｉｎｉ－Ｖｔｈ）＋Ｖｌｅｄである。ここで、電圧Ｖｌｅｄは、発光素子ＲＬＥＤの第１の電極６６０と第２の電極６７０との間の電圧であり、容量値Ｃｓは容量素子ＳＣ１の容量値であり、容量値Ｃｌｅｄは付加容量Ｃｌｅｄの容量値であり、容量値Ｃａｄはアノード容量Ｃａｄの容量値である。
【0095】
以上説明したように、サブ画素１２０Ａの発光素子駆動部１１０Ｒの一連の動作が完了する。発光素子駆動部１１０Ｒと同様に、サブ画素１２０Ｂの発光素子駆動部１１０Ｇの動作、及びサブ画素１２０Ｃの発光素子駆動部１１０Ｂ動作も完了する。当該動作を走査信号線の１行目の各サブ画素から最終行のサブ画素まで完了すると、１つのサブフレーム期間（例えば、第１のサブフレーム期間）の動作が完了し、同様の動作を複数のサブフレーム期間（例えば、第２のサブフレーム期間、第３のサブフレーム期間・・・）で繰り返し実行することで、１フレーム期間内での１画面の画像となる。当該動作を繰り返し、表示装置１００の表示部１０４に画像が表示される。
【0096】
＜１－６．認証装置１０のＰＵＦ－ＩＤを生成するための駆動方法＞
図１６は、本発明の一実施形態に係る認証装置１０のＰＵＦ－ＩＤを生成するためのタイミングチャートを示す模式的な図である。図９～図１１は、図１６に示される第４の期間における画素回路１３０及び読み書き選択回路１０７を示す模式図である。図１２～図１４は、図１６に示される第５の期間における画素回路１３０及び読み書き選択回路１０７を示す模式図である。図１５は、図１６に示される第６の期間における画素回路１３０及び読み書き選択回路１０７を示す模式図である。図１７～図１９は、図１６に示される第６の期間における画素回路１３０及び読み書き選択回路１０７を示す模式図である。認証装置１０の駆動方法は、図８～図１９に示される駆動方法に限定されない。図１～図１５と同一、又は類似する構成については、ここでの説明を省略する。
図１６は、本発明の一実施形態に係る認証装置１０のＰＵＦ－ＩＤを生成するためのタイミングチャートを示す模式的な図である。図９～図１１は、図１６に示される第４の期間における画素回路１３０及び読み書き選択回路１０７を示す模式図である。図１２～図１４は、図１６に示される第５の期間における画素回路１３０及び読み書き選択回路１０７を示す模式図である。図１５は、図１６に示される第６の期間における画素回路１３０及び読み書き選択回路１０７を示す模式図である。図１７～図１９は、図１６に示される第６の期間における画素回路１３０及び読み書き選択回路１０７を示す模式図である。認証装置１０の駆動方法は、図８～図１９に示される駆動方法に限定されない。図１～図１５と同一、又は類似する構成については、ここでの説明を省略する。
【0097】
図１６に示される第４の期間、第５の期間、及び、第６の期間の一部は、図８～図１５に示される第１の期間、第２の期間、第３の期間の一部と同様であるから、ここでの説明は省略される。図１６に示される認証装置１０の駆動方法は、時刻ｔ３２以降の動作において、図８に示される認証装置１０の駆動方法と異なるため、ここでは、主に、時刻ｔ３２以降の動作を説明する。
【0098】
＜１－６－１．第６の期間のデータ読み出し及びＰＵＦデータ取得動作＞
データ読み出し及びＰＵＦデータ取得動作（以降、ＰＵＦデータ取得動作）は、表示装置１００に固有のＰＵＦデータを取得し、ＰＵＦ－ＩＤを生成する動作である。第６の期間は、時刻ｔ３１～時刻ｔ３４である。時刻ｔ３１～時刻ｔ３２の動作は、「１－５－４．第３の期間の発光動作」において説明された動作と同様であるから、ここでの説明は省略される。
データ読み出し及びＰＵＦデータ取得動作（以降、ＰＵＦデータ取得動作）は、表示装置１００に固有のＰＵＦデータを取得し、ＰＵＦ－ＩＤを生成する動作である。第６の期間は、時刻ｔ３１～時刻ｔ３４である。時刻ｔ３１～時刻ｔ３２の動作は、「１－５－４．第３の期間の発光動作」において説明された動作と同様であるから、ここでの説明は省略される。
【0099】
図１６又は図１７を用いて、各種信号の時刻ｔ３２～時刻ｔ３３におけるタイミングを説明する。図１６に示されるように、時刻ｔ３２～時刻ｔ３３において、走査信号ＳＧ（ｎ）及び読み出し制御信号ＲＣＳＡはローレベルからハイレベルに変化し、走査信号ＳＧ（ｎ）及び読み出し制御信号ＲＣＳＡにはハイレベルが供給される。発光制御信号ＢＧ（ｎ）はハイレベルを維持し、リセット信号ＲＧ（ｎ）、初期化制御信号ＩＧ（ｎ）、及び書き込み制御信号ＷＣＳＡは、ローレベルを維持する。よって、図１７に示されるように、発光制御トランジスタＢＣＴは導通状態（ＯＮ）であり、初期化トランジスタＩＳＴ、リセットトランジスタＲＳＴ、及び第２のトランジスタ４１３は非導通状態（ＯＦＦ）である。一方、選択トランジスタＳＳＴ及び第１のトランジスタ４１１は非導通状態（ＯＦＦ）から導通状態（ＯＮ）に変化する。また、駆動トランジスタＤＲＴは、第１ノードＤＲＴＧ、第２ノードＤＲＴＳ、及び第３ノードＤＲＴＤに供給される電圧に応じて、非導通状態（ＯＦＦ）から導通状態（ＯＮ）に変化する。
【0100】
図１６又は図１７に示されるように、発光制御トランジスタＢＣＴが導通状態（ＯＮ）になることに伴い、発光制御トランジスタＢＣＴが第１の駆動電源線ＰＶＤＤ１（駆動電源線４２８）に電気的に接続され、駆動トランジスタＤＲＴの第３の電極６３０（第３ノードＤＲＴＤ）には第１の駆動電圧ＶＤＤＨ１が供給される。選択トランジスタＳＳＴ及び第１のトランジスタ４１１が導通状態（ＯＮ）に変化した事により、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極６２０（第１ノードＤＲＴＧ）の電荷が引き抜かれる。その結果、第１ノードＤＲＴＧの電圧が低下し、駆動トランジスタＤＲＴの駆動能力が低下する。ここで、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極６１０（第２ノードＤＲＴＳ）の電圧は、駆動トランジスタＤＲＴに流れる電流と発光素子ＲＬＥＤに流れる電流とが釣り合うような電圧になる。駆動トランジスタＤＲＴに流れる電流が低下すると、第２ノードＤＲＴＳの電圧が低下する。その結果、第２ノードＤＲＴＳＤＲＴＳの電圧は、電圧Ｖ２ｆから電圧Ｖ２ｇに低下する。また、第２ノードＤＲＴＳの電圧が電圧Ｖ２ｇに低下したことに伴い、容量素子ＳＣ１、及び容量素子ＳＣ２の容量カップリングにより、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極６２０（第１ノードＤＲＴＧ）の電圧は、例えば、電圧Ｖ１ｅから電圧Ｖｓｉｇ（ｍ－５）に低下し、電圧Ｖｓｉｇ（ｍ－５）に固定される。
【0101】
以上のようにして、駆動トランジスタＤＲＴに、第１の駆動電源線ＰＶＤＤ１から発光素子ＲＬＥＤの第１の電極６６０の方向へ、電流が流れる（駆動トランジスタＤＲＴは導通状態）。したがって、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極６１０及び保持容量素子ＳＣ１の第２の電極６５０（即ち、第２ノードＤＲＴＳ）が充電される。第１ノードＤＲＴＧと第２ノードＤＲＴＳの間の電圧は、Ｖ１ｅ－Ｖ２ｆから、Ｖｓｉｇ（ｍ－５）－Ｖ２ｇに変化する。電圧（Ｖ１ｅ－Ｖ２ｆ）は、電圧（Ｖ１ｄ－Ｖ２ｅ）と同一又は略同一であり、例えば、第１ノードＤＲＴＧと第２ノードＤＲＴＳの間の電圧は、｛Ｖｓｉｇ（ｍ－５）－（Ｖｉｎｉ－Ｖｔｈ）｝を維持する。第１ノードＤＲＴＧと第２ノードＤＲＴＳの間の電圧は、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極６２０とソース電極６１０との間の電圧Ｖｇｓである。電圧Ｖｇｓは、駆動トランジスタＤＲＴの閾値電圧Ｖｔｈを補正された電圧である。
【0102】
ここで、例えば、初期化トランジスタＩＳＴ又は選択トランジスタＳＳＴのゲート電極の電圧が変化した瞬間に、初期化トランジスタＩＳＴ又は選択トランジスタＳＳＴと駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極６２０との間の容量（図示は省略）とのカップリングによって、初期化トランジスタＩＳＴ又は選択トランジスタＳＳＴのドレイン電極の電圧（即ち、第１ノードＤＲＴＧの電圧）が瞬間的に変化する場合がある。このことは、所謂、フィードスルーと呼ばれ、この瞬間的な電圧はフィードスルーに伴う電圧である。詳細な説明は省略するが、第１ノードＤＲＴＧの電圧は、この瞬間的な電圧はフィードスルーに伴う電圧（ここでは、フィードスルー電圧と呼ぶ）を含んでもよい。
【0103】
時刻ｔ３２～時刻ｔ３３において、駆動トランジスタＤＲＴは、各電極に印加される電圧に応じて電流を流し、駆動トランジスタＤＲＴに流れる電流と同等の電流が発光素子ＲＬＥＤに流れ、発光素子ＲＬＥＤは発光（Ｅｍｉｔ）する。
【0104】
また、「１－５－４．第３の期間の発光動作」において説明したとおり、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極６２０の電圧Ｖ１ｅ（即ち、第１ノードＤＲＴＧの電圧）は、例えば、Ｖｓｉｇ（ｍ－５）－（Ｖｉｎｉ－Ｖｔｈ）＋Ｖｌｅｄである。選択トランジスタＳＳＴ、及び第１のトランジスタ４１１が導通状態になると、表示装置１００は、電圧Ｖｓｉｇ（ｍ－５）－（Ｖｉｎｉ－Ｖｔｈ）＋Ｖｌｅｄ×Ｃｓ／（Ｃｓ＋Ｃａｄ＋Ｃｌｅｄ）を含む読み出しデータ信号ＲＤＳＡを、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極６２０（第１ノードＤＲＴＧ）、選択トランジスタＳＳＴ、データ信号線４０９Ａ、データ信号線接続端子４０６、第２のトランジスタ４１３、及び読み出し端子４０２を経由して、ＰＵＦ－ＩＤ生成回路３１０に送信する。
【0105】
即ち、ＰＵＦ－ＩＤ生成回路３１０は、第１ノードＤＲＴＧの電圧を含む読み出しデータを読み出し、サブ画素１２０Ａに固有のＰＵＦデータを取得する。また、読出しデータは、駆動トランジスタＤＲＴの閾値電圧Ｖｔｈを含む情報（データ）を含むため、ＰＵＦ－ＩＤ生成回路３１０（認証装置１０）は、画素毎の閾値電圧（すなわち、閾値電圧のばらつき）を取得することができる。以上のとおり、認証装置１０は、第６の期間のデータ読み出し及びＰＵＦデータ取得動作を実行する。
【0106】
＜１－６－２．第６の期間の時刻ｔ３３～時刻ｔ３４における動作＞
時刻ｔ３３～時刻ｔ３４では、表示装置１００は、データ読み出し及びＰＵＦデータ取得動作を停止する動作である。
時刻ｔ３３～時刻ｔ３４では、表示装置１００は、データ読み出し及びＰＵＦデータ取得動作を停止する動作である。
【0107】
図１６又は図１８を用いて、各種信号の時刻ｔ３３～時刻ｔ３４におけるタイミングを説明する。図１６に示されるように、時刻ｔ３３～時刻ｔ３４において、走査信号ＳＧ（ｎ）及び読み出し制御信号ＲＣＳＡはハイレベルからローレベルに変化し、走査信号ＳＧ（ｎ）及び読み出し制御信号ＲＣＳＡにはローレベルが供給される。発光制御信号ＢＧ（ｎ）はハイレベルを維持し、リセット信号ＲＧ（ｎ）、初期化制御信号ＩＧ（ｎ）、及び書き込み制御信号ＷＣＳＡは、ローレベルを維持する。よって、図１８に示されるように、発光制御トランジスタＢＣＴは導通状態（ＯＮ）であり、初期化トランジスタＩＳＴ、リセットトランジスタＲＳＴ、及び第２のトランジスタ４１３は非導通状態（ＯＦＦ）である。一方、選択トランジスタＳＳＴ及び第１のトランジスタ４１１は導通状態（ＯＮ）から非導通状態（ＯＦＦ）に変化する。また、駆動トランジスタＤＲＴは、第１ノードＤＲＴＧ、第２ノードＤＲＴＳ、及び第３ノードＤＲＴＤに供給される電圧に応じて、導通状態（ＯＮ）から非導通状態（ＯＦＦ）に変化する。
【0108】
図１６又は図１８に示されるように、発光制御トランジスタＢＣＴが導通状態（ＯＮ）を続けることに伴い、発光制御トランジスタＢＣＴが第１の駆動電源線ＰＶＤＤ１（駆動電源線４２８）に電気的に接続され、駆動トランジスタＤＲＴの第３の電極６３０（第３ノードＤＲＴＤ）には第１の駆動電圧ＶＤＤＨ１が供給され続けている。よって、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極６１０（第２ノードＤＲＴＳ）の電圧は電圧Ｖ２ｇに固定され続け、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極６２０（第１ノードＤＲＴＧ）の電圧は電圧Ｖｓｉｇ（ｍ－５）に固定され続ける。また、選択トランジスタＳＳＴ及び第１のトランジスタ４１１が非導通状態（ＯＦＦ）に変化することに伴い、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極６２０の電圧Ｖｓｉｇ（ｍ－５）はＰＵＦ－ＩＤ生成回路３１０に送信されない。
【0109】
以上のようにして、駆動トランジスタＤＲＴに、第１の駆動電源線ＰＶＤＤ１から発光素子ＲＬＥＤの第１の電極６６０の方向へ、電流が流れる（駆動トランジスタＤＲＴは導通状態）。したがって、第１ノードＤＲＴＧと第２ノードＤＲＴＳの間の電圧は、｛Ｖｓｉｇ（ｍ－５）－（Ｖｉｎｉ－Ｖｔｈ）｝を維持する。第１ノードＤＲＴＧと第２ノードＤＲＴＳの間の電圧は、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極６２０とソース電極６１０との間の電圧Ｖｇｓである。電圧Ｖｇｓは、駆動トランジスタＤＲＴの閾値電圧Ｖｔｈを補正された電圧である。
【0110】
時刻ｔ３３～時刻ｔ３４において、駆動トランジスタＤＲＴは、各電極に印加される電圧に応じて電流を流し、駆動トランジスタＤＲＴに流れる電流と同等の電流が発光素子ＲＬＥＤに流れ、発光素子ＲＬＥＤは発光（Ｅｍｉｔ）する。
【0111】
＜１－７．時刻ｔ３４以降における動作＞
時刻ｔ３４以降では、表示装置１００は、発光を停止する動作である。
時刻ｔ３４以降では、表示装置１００は、発光を停止する動作である。
【0112】
図１６又は図１９を用いて、各種信号の時刻ｔ３４におけるタイミングを説明する。図１９に示されるように、時刻ｔ３４以降において、発光制御信号ＢＧ（ｎ）はハイレベルからローレベルに変化し、発光制御信号ＢＧ（ｎ）にはローレベルが供給される。リセット信号ＲＧ（ｎ）、初期化制御信号ＩＧ（ｎ）、走査信号ＳＧ（ｎ）、読み出し制御信号ＲＣＳＡ、及び書き込み制御信号ＷＣＳＡは、ローレベルを維持する。よって、図１９に示されるように、初期化トランジスタＩＳＴ、リセットトランジスタＲＳＴ、選択トランジスタＳＳＴ、第１のトランジスタ４１１、及び第２のトランジスタ４１３は非導通状態（ＯＦＦ）である。一方、発光制御トランジスタＢＣＴは導通状態（ＯＮ）から非導通状態（ＯＦＦ）に変化する。
【0113】
図１６又は図１９に示されるように、発光制御トランジスタＢＣＴが非導通状態（ＯＦＦ）になることに伴い、第１の駆動電源線ＰＶＤＤ１から発光素子ＲＬＥＤの第１の電極６６０への電流が発光制御トランジスタＢＣＴによって遮断される。その結果、例えば、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極６１０（第２ノードＤＲＴＳ）の電圧は、電圧Ｖ２ｇから基準電圧ＶＳＳに低下し、基準電圧ＶＳＳに固定される。また、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極６１０（第２ノードＤＲＴＳ）の電圧が基準電圧ＶＳＳに低下したことに伴い、容量素子ＳＣ１、及び容量素子ＳＣ２の容量カップリングにより、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極６２０（第１ノードＤＲＴＧ）の電圧は、例えば、電圧Ｖｓｉｇ（ｍ－５）から電圧Ｖ１ｆに低下し、電圧Ｖ１ｆに固定される。
【0114】
以上のようにして、第１の駆動電源線ＰＶＤＤ１から発光素子ＲＬＥＤの第１の電極６６０への電流が発光制御トランジスタＢＣＴによって遮断される。したがって、発光素子ＲＬＥＤは非発光となる。
【0115】
以上説明したように、サブ画素１２０Ａの発光素子駆動部１１０Ｒの一連の動作が完了する。発光素子駆動部１１０Ｒと同様に、サブ画素１２０Ｂの発光素子駆動部１１０Ｇの動作、及びサブ画素１２０Ｃの発光素子駆動部１１０Ｂ動作も完了する。当該動作を走査信号線の１行目の各サブ画素から最終行のサブ画素まで完了すると、１つのサブフレーム期間（例えば、第１のサブフレーム期間）の動作が完了する。同様の動作を複数のサブフレーム期間（例えば、第２のサブフレーム期間、第３のサブフレーム期間・・・）で繰り返し実行する。こうして、１フレーム期間内における、表示装置１００から、読み出しデータを読み出し、表示装置１００に固有のＰＵＦデータを取得することができる。
【0116】
ＰＵＦ－ＩＤ生成回路３１０は、例えば、取得した複数のＰＵＦデータ（読み出しデータ信号ＲＤＳＡに含まれる電圧）をシリアルに積分回路３１２に送信する。積分回路３１２は、取得した複数のＰＵＦデータを所定の時間において積分した後に、ＡＤコンバータ３１４を用いて、積分された電圧をデジタル信号に変換する。続いて、ＰＵＦ－ＩＤ生成回路３１０は、デジタル信号に変換されたデータ（情報）を用いて、認証装置１０（表示装置１００）に固有のＰＵＦ－ＩＤを生成することができる。
【0117】
また、近年、複数の画素のそれぞれを発光素子で形成した表示装置が注目されている。発光素子は、例えば、発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）、微小な発光ダイオード（マイクロＬＥＤ）、有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）素子等である。当該表示装置においても、当該表示装置を用いた不正利用を抑制するため、個体の認証を強化するとともに安全性を確保することは重要である。よって、本発明の課題の一つは、表示装置を用いた不正利用を抑制するため、ＰＵＦを利用した認証装置を提供することを課題の一つとする。また、本発明の課題の一つは、表示装置を用いた不正利用を抑制するため、ＰＵＦを利用した認証装置の駆動方法を提供することを課題の一つとする。
【0118】
本発明の一実施形態に係る認証装置１０及び認証装置１０の駆動方法では、発光素子ＬＥＤを備える表示装置１００を用いて、閾値を補正し、閾値補正に伴う電荷に相当する電圧を含む読み出し信号を読み出し、当該電圧を用いて、発光素子ＬＥＤを備える表示装置１００に固有のＰＵＦ－ＩＤを生成することができる。その結果、生成されたＰＵＦ－ＩＤを用いて認証装置１０を管理することによって、当該表示装置を用いた不正利用を抑制することが可能である。また、本発明の一実施形態に係る認証装置１０及び認証装置１０の駆動方法では、当該表示装置に固有のＰＵＦ－ＩＤを用いて認証装置１０を管理することができるため、個体の認証を強化するとともに安全性を確保することができる。
【0119】
＜１－８．コリメータ１１００の構成＞
図２０（Ａ）及び図２０（Ｂ）を用いて、本発明の一実施形態に係る認証装置１０に含まれるコリメータ１１００の構成を説明する。図２０（Ａ）は本発明の一実施形態に係る認証装置１０の断面の一部を示す模式図であり、図２０（Ｂ）は図２０（Ａ）のＡ１とＡ２に沿った断面を示す端部断面図である。
図２０（Ａ）及び図２０（Ｂ）を用いて、本発明の一実施形態に係る認証装置１０に含まれるコリメータ１１００の構成を説明する。図２０（Ａ）は本発明の一実施形態に係る認証装置１０の断面の一部を示す模式図であり、図２０（Ｂ）は図２０（Ａ）のＡ１とＡ２に沿った断面を示す端部断面図である。
【0120】
「１－１．認証装置１０の構成」において説明したとおり、検出装置２００は、粘着シート１０２０を用いて、コリメータ１１００に接着される。図２０（Ａ）又は図２０（Ｂ）に示されるように、コリメータ１１００は検出装置２００の上面に積層され、コリメータ１１００の表面は複数のマイクロレンズ２７４を有する。また、検出装置２００は、検出部２０４に複数の光電変換素子２５２を有する。複数の光電変換素子２５２のそれぞれのＺ方向上方には、複数のマイクロレンズ２７４のそれぞれが１対１で配置されている。
【0121】
図２０（Ｂ）に示されるように、コリメータ１１００では、有機絶縁層２５４、第１の遮光層２５６、ＩＲカットフィルタ２６２、有機樹脂層２６４、第２の遮光層２６６、有機絶縁層２７２、及び、マイクロレンズ２７４が、Ｚ方向に下方から上方に向かって、この順番で積層されている。
【0122】
第１の遮光層２５６は、導電膜２５８及び導電膜２５８に開孔されたピンホールに設けられた有機樹脂膜２６０を含む。また、第２の遮光層２６６は、有機樹脂層２６８及び有機樹脂層２６８に開孔されたピンホールに設けられた有機樹脂層２７０を含む。導電膜２５８に開孔されたピンホールは、有機樹脂層２６８に開孔されたピンホールより小さく、平行光が光電変換素子２５２に効率よく集光される。
【0123】
なお、有機樹脂層２６８は所謂ブラックマトリクスであり、黒い樹脂を用いて形成される。有機絶縁層２７２は透明又は半透明な樹脂を用いて形成される。
【0124】
＜１－９．認証装置１０を用いた認証方法＞
図２１は、本発明の一実施形態に係る認証装置１０を用いた認証方法のうち、ＰＵＦ－ＩＤ及び第１の指紋情報を登録する方法を示すフローチャートである。図２２は、図２１に示されるフローチャートを用いて登録されたＰＵＦ－ＩＤ及び第１の指紋情報を認証する方法を示すフローチャートである。認証装置１０の認証方法は、図２１及び図２２に示される認証方法に限定されない。図１～図２０と同一、又は類似する構成については、ここでの説明を省略する。
図２１は、本発明の一実施形態に係る認証装置１０を用いた認証方法のうち、ＰＵＦ－ＩＤ及び第１の指紋情報を登録する方法を示すフローチャートである。図２２は、図２１に示されるフローチャートを用いて登録されたＰＵＦ－ＩＤ及び第１の指紋情報を認証する方法を示すフローチャートである。認証装置１０の認証方法は、図２１及び図２２に示される認証方法に限定されない。図１～図２０と同一、又は類似する構成については、ここでの説明を省略する。
【0125】
図２１を用いて、第１のＰＵＦ－ＩＤ（第１ＩＤ）と指紋情報の紐付け及び登録について説明する。図２１に示されるように、第１のＰＵＦ－ＩＤ（第１ＩＤ）と指紋情報の紐付け及び登録が開始されると、例えば、ステップ１０１（Ｓ１０１）において、認証装置１０のユーザーは、認証装置１０に第１ＩＤとタッチした指紋（Ｆｉｎｇｅｒ Ｐｒｉｎｔ、ＦＰ）の情報（第１指紋情報）を登録するように要求（登録要求）する。例えば、ユーザーが表示装置１００の表示部１０４近傍をタッチすることに伴い、認証装置１０の検出装置２００は登録要求を受信する。登録要求は表示装置制御回路３２０及び検出装置制御回路３３０に送信され、表示装置制御回路３２０及び検出装置制御回路３３０は登録要求を処理する。登録要求は、サーバー５００にも送信され、サーバー５００は登録要求を処理する。
【0126】
ステップ１０３（Ｓ１０３）において、表示装置制御回路３２０は、表示装置１００からＰＵＦデータを取得すると共に第１ＩＤを生成するように、表示装置１００及びＰＵＦ－ＩＤ生成回路３１０に、第１の制御信号を送信する。表示装置１００及びＰＵＦ－ＩＤ生成回路３１０は、第１の制御信号を受信し、例えば、「１－５．認証装置１０に画像を表示するための駆動方法」、「１－６．認証装置１０のＰＵＦ－ＩＤを生成するための駆動方法」、及び「１－７．時刻ｔ３４以降における動作」を用いて、ＰＵＦデータを取得すると共に第１ＩＤを生成する。
【0127】
ステップ１０５（Ｓ１０５）において、例えば、第１ＩＤが記憶回路３４０に格納され、第１ＩＤは認証装置１０に登録される。
【0128】
ステップ１０７（Ｓ１０７）において、検出装置２００の検出部２０４は、表示装置１００の表示部１０４近傍をタッチしたユーザーの第１指紋情報を検出し、第１指紋情報を含む検出信号を生成する。検出装置２００は、第１指紋情報を含む検出信号を、検出装置制御回路３３０に送信する。検出装置制御回路３３０は、第１指紋情報を含む検出信号を受信する。
【0129】
ステップ１０９（Ｓ１０９）において、検出装置制御回路３３０は、例えば、記憶回路３４０から、第１ＩＤを読み出し、第１ＩＤと第１指紋情報を紐付けする。また、検出装置制御回路３３０は、紐付けされた第１ＩＤと第１指紋情報を記憶回路３４０に送信する。紐付けされた第１ＩＤと第１指紋情報は記憶回路３４０及び記憶回路３７０に送信されると共に格納され、認証装置１０及びサーバー５００に登録される。
【0130】
なお、ステップ１０５（Ｓ１０５）において、生成された第１ＩＤが記憶回路３７０に送信されると共に格納され、第１ＩＤはサーバー５００に登録されてもよい。続く、ステップ１０７（Ｓ１０７）において、検出装置２００は、第１指紋情報を含む検出信号を、記憶回路３７０に送信してもよい。さらに、ステップ１０９（Ｓ１０９）において、サーバー５００では、例えば、記憶回路３７０から、第１ＩＤ及び第１指紋情報が読み出され、第１ＩＤと第１指紋情報が紐付けされたのち、紐付けされた第１ＩＤと第１指紋情報が記憶回路３７０に送信されてもよい。
【0131】
以上のように、紐付けされた第１ＩＤと第１指紋情報の登録が終了する。
【0132】
続いて、図２２を用いて、紐付けされた第１ＩＤ及び第１指紋情報と、紐付けされた第２ＩＤ及び第２指紋情報との認証について説明する。図２２に示されるように、第２のＰＵＦ－ＩＤ（第２ＩＤ）と指紋情報の紐付け及び認証が開始されると、例えば、ステップ２０１（Ｓ２０１）において、認証装置１０のユーザーは、認証装置１０に第２ＩＤとタッチした指紋（Ｆｉｎｇｅｒ Ｐｒｉｎｔ、ＦＰ）の情報（第２指紋情報）を登録し、認証するように要求（認証要求）する。例えば、ユーザーが表示装置１００の表示部１０４近傍をタッチすることに伴い、認証装置１０の検出装置２００は認証要求を受信する。認証要求は表示装置制御回路３２０及び検出装置制御回路３３０に送信され、表示装置制御回路３２０及び検出装置制御回路３３０は認証要求を処理する。認証要求は、サーバー５００にも送信され、サーバー５００は認証要求を処理する。
【0133】
ステップ２０３（Ｓ２０３）、ステップ２０５（Ｓ２０５）、ステップ２０７（Ｓ２０７）、及びステップ２０９（Ｓ２０９）は、ステップ１０３（Ｓ１０３）、ステップ１０５（Ｓ１０５）、ステップ１０７（Ｓ１０７）、及びステップ１０９（Ｓ１０９）において、第１ＩＤ、及び第１指紋情報を、それぞれ、第２ＩＤ、及び第２指紋情報に置き換えた処理であるから、ここでの詳細な説明は省略される。
【0134】
ステップ２０９（Ｓ２０９）に続いて、ステップ２１１（Ｓ２１１）において、サーバー５００は、ユーザーからの認証要求に基づく第２の制御信号を受信する。サーバー５００内の比較回路３５０は、ユーザーからの認証要求に基づく第２の制御信号を受信すると共に、記憶回路３７０から、あらかじめ登録されていた紐付けされた第１ＩＤ及び第１指紋情報、及び、紐付けされた第２ＩＤ及び第２指紋情報とを読み出す。比較回路３５０は、あらかじめ登録されていた紐付けされた第１ＩＤ及び第１指紋情報と、紐付けされた第２ＩＤ及び第２指紋情報とを比較し、比較結果を生成する。また、比較回路３５０は、当該比較結果を判定回路３６０に送信する。
【0135】
続いて、ステップ２１３（Ｓ２１３）において、判定回路３６０は、比較結果を受信し、比較結果を用いて、あらかじめ登録されていた紐付けされた第１のＰＵＦ－ＩＤ及び第１の指紋情報と、紐付けされた第２のＰＵＦ－ＩＤ及び第２の指紋情報とが一致しているか否（不一致）かを判定する。例えば、あらかじめ登録されていた紐付けされた第１のＰＵＦ－ＩＤ及び第１の指紋情報と、紐付けされた第２のＰＵＦ－ＩＤ及び第２の指紋情報とが一致している情報を含む場合、判定回路３６０は、情報は一致していると判定（ステップＳ２１３においてＹＥＳ）し、認証装置１０はステップ２１５（Ｓ２１５）を実行する。あらかじめ登録されていた紐付けされた第１のＰＵＦ－ＩＤ及び第１の指紋情報と、紐付けされた第２のＰＵＦ－ＩＤ及び第２の指紋情報とが一致していない情報を含む場合、判定回路３６０は、情報は不一致であると判定（ステップＳ２１３においてＮＯ）し、認証装置１０はステップ２１７（Ｓ２１７）を実行する。
【0136】
ステップ２１５（Ｓ２１５）において、判定回路３６０は、比較結果が一致している情報（第１の判定結果）を含む第１の比較信号を、例えば、表示装置制御回路３２０に送信する。表示装置制御回路３２０は、第１の比較信号に基づき、一致（例えば、認証成功）を表示部１０４に出力する（表示する）ように表示装置１００を制御する。
【0137】
ステップ２１７（Ｓ２１７）において、判定回路３６０は、比較結果が一致していない情報（第２の判定結果）を含む第２の比較信号を、例えば、表示装置制御回路３２０に送信する。表示装置制御回路３２０は、第２の比較信号に基づき、不一致（例えば、認証失敗）を表示部１０４に出力する（表示する）ように表示装置１００を制御する。
【0138】
以上のように、紐付けされた第１ＩＤ及び第１指紋情報と、紐付けされた第２のＰＵＦ－ＩＤ及び第２の指紋情報との認証が終了する。
【0139】
以上説明されたように、本発明の一実施形態に係る認証装置１０及び認証装置１０の駆動方法では、ＰＵＦ－ＩＤ生成回路３１０を用いて、表示装置１００の固有のＰＵＦ－ＩＤとユーザーの指紋情報とを紐付けし、登録することができる。また、認証装置１０及び認証装置１０の駆動方法では、ＰＵＦ－ＩＤ生成回路３１０を用いて、表示装置１００の固有のＰＵＦ－ＩＤとユーザーの指紋情報とを照合し、認証に利用することができる。したがって、当該表示装置１００を用いた不正利用を抑制することが可能であると共に、個体の認証を強化し安全性を確保することができる。
【0140】
＜２．第２実施形態＞
図２３は、第２実施形態に係る認証装置１０Ａの構成を示す模式的な断面図である。図２４は、第２実施形態に係る検出装置２００Ａ及び制御装置３００の構成を示す模式図である。図２５は、第２実施形態に係る認証装置１０Ａの構成を示す模式的な断面図である。認証装置１０Ａの構成は、図２３～図２５に示される構成に限定されない。図１～図２２と同一、又は類似する構成については、ここでの説明を省略する。
図２３は、第２実施形態に係る認証装置１０Ａの構成を示す模式的な断面図である。図２４は、第２実施形態に係る検出装置２００Ａ及び制御装置３００の構成を示す模式図である。図２５は、第２実施形態に係る認証装置１０Ａの構成を示す模式的な断面図である。認証装置１０Ａの構成は、図２３～図２５に示される構成に限定されない。図１～図２２と同一、又は類似する構成については、ここでの説明を省略する。
【0141】
認証装置１０Ａは、認証装置１０と比較して、干渉フィルタ８００、粘着シート１０００、粘着シート１０１０、粘着シート１０２０、及びコリメータ１１００を有していない。また、認証装置１０Ａでは、図２３に示されるように、表示装置１００、粘着シート１０３０、検出装置２００Ａ、及び偏光板９００が、Ｚ方向に対して下から上に向かってこの順番に配置される点において、認証装置１０と異なる。認証装置１０Ａにおいて、それ以外の点は、認証装置１０と同様であるから、第２実施形態では、主に認証装置１０と異なる点が説明される。
【0142】
図２４に示されるように、検出装置２００Ａは、検出部２０４、検出部２０４に配置された複数の第２の電極２１８及び第１の電極２２０を有する。第２の電極２１８はＲｘ電極と呼ばれ、第１の電極２２０はＴｘ電極と呼ばれる。また、検出装置２００Ａは、基板２０２、ＦＰＣ基板２１２、端子部２０６、配線２１４、及び配線２１６を有する。端子部２０６は、複数の端子２１０、及び複数の端子２０８を含む。複数の端子２１０、複数の端子２０８、配線２１４、配線２１６、複数の第２の電極２１８及び複数の第１の電極２２０は、基板２０２の上面に配置される。検出装置２００Ａは、表示装置１００とは個別に、制御装置３００に電気的に接続される。
【0143】
認証装置１０Ａにおいても、偏光板９００は、例えば、円偏光板を用いることができる。
【0144】
複数の第１の電極２２０は、上面視においてＸ方向（行方向）と平行に配置され、複数の第２の電極２１８、上面視においてＹ方向（列方向）と平行に配置される。
【0145】
複数の配線２１６は、例えば、複数の第２の電極２１８に電気的に接続される。また、複数の配線２１６は複数の端子２０８と１対１で電気的に接続される。複数の配線２１６と同様に、複数の配線２１４は、例えば、複数の第１の電極２２０に電気的に接続される。複数の第１の電極２２０は、例えば、複数の端子２１０と１対１で電気的に接続される。例えば、第２の電極２１８は、配線２１６、端子２０８、及びＦＰＣ基板２１２を経由して、検出装置制御回路３３０に電気的に接続される。また、第１の電極２２０は、配線２１４、端子２１０、及びＦＰＣ基板２１２を経由して、検出装置制御回路３３０に電気的に接続される。
【0146】
複数の第２の電極２１８及び複数の第１の電極２２０は、検出装置制御回路３３０から供給される信号を用いて、読み出しデータを読み出し、検出装置２００Ａは被検出体を検出することができる。
【0147】
複数の端子２０８及び複数の端子２１０は、検出装置２００Ａの一つの辺に並ぶように形成することができる。このため、単一のＦＰＣ基板２１２を用いて、読み出しを制御する信号及び読み出し信号を、第１の電極２２０及び第２の電極２１８に供給する、又は、第１の電極２２０及び第２の電極２１８から受信することができる。
【0148】
例えば、検出装置制御回路３３０は、読み出しを制御する信号を一つ以上生成することができる。また、当該生成された信号は、複数の同じ信号であってもよいし、お互いに異なる複数の信号であってもよいし、同じ信号とお互いに異なる複数の信号であってもよい。
【0149】
ここで、検出装置２００Ａを、相互容量方式を例に、簡単に説明する。例えば、相互容量方式において、被検出体が検出装置２００Ａに触れることで、第１の電極２２０及び第２の電極２１８における寄生容量から、被検出体と第１の電極２２０と第２の電極２１８との間に生ずる容量が減算される。読み出しを制御する信号を用いて、この変化を読み取ること（読み出し信号を生成すること）で、被検出体の指紋情報を取得することができる。また、被検出体が検出装置２００Ａに触れた位置が検出される。なお、検出装置２００Ａの動作は、ここで説明した例に限定されない。検出装置２００Ａの動作は、自己容量方式を用いてもよい。
【0150】
例えば、検出装置２００Ａは、ユーザーの指紋情報を取得し、当該指紋情報を含む信号を検出装置制御回路３３０に供給する。検出装置制御回路３３０は、当該指紋情報を含む信号を記憶回路３４０に送信し、指紋情報を記憶回路３４０に格納させることができる。
【0151】
続いて、図２５を用いて、認証装置１０Ａの断面について、説明する。表示装置１００において、半導体膜７０Ａ、７０Ｂが、基板１０２の上面に、任意の構成である下地層２０１を介して、設けられる。
【0152】
発光素子駆動部１１０Ｒの駆動トランジスタＤＲＴ及び選択トランジスタＳＳＴが、下地層２０１の上側に設けられる。駆動トランジスタＤＲＴは、半導体膜７０Ａ、ゲート絶縁層２３０、ゲート電極７２Ａ（６２０、ＤＲＴＧ）、ソース電極８４Ａ（６１０）、ドレイン電極８６Ａ（６３０）を含む。駆動トランジスタＳＳＴは、半導体膜７０Ｂ、ゲート絶縁層２３０、ゲート電極７２Ｂ、ソース電極８４Ｂ、ドレイン電極８６Ｂを含む。ソース電極又はドレイン電極は、半導体膜７０Ａ、７０Ｂに不純物を注入することで形成されてもよい。ドレイン電極８６Ｂはデータ信号線４０９Ａに電気的に接続される。ゲート電極７２Ｂは、走査信号線４２０に電気的に接続される。
【0153】
ゲート電極７２Ａ、７２Ｂのそれぞれは、ゲート絶縁層２３０を間に挟んで、半導体膜７０Ａ、７０Ｂと重畳する。半導体膜がゲート電極に重なる領域が各トランジスタのチャネル領域である。各半導体膜はチャネル領域を挟むようにソース及びドレイン領域を有してもよい。絶縁層２３２がゲート電極上に設けられる。
【0154】
ソース電極８４Ａ（６１０）、ドレイン電極８６Ａ（６３０）、ソース電極８４Ｂ、ドレイン電極８６Ｂのそれぞれは、絶縁層２３２又はゲート絶縁層２３０の一部を露出した開口部７４Ａ，７６Ａ，７４Ｂ、７６Ｂを介して、半導体膜７０Ａ、７０Ｂのそれぞれと電気的に接続される。
【0155】
有機絶縁層２３６は、導電層２３４上に設けられる。有機絶縁層２３６は、導電層２３４の一部を露出する開口部１２２を有する。導電層２３８、絶縁層２４０、及び導電層２４２は、この順に、有機絶縁層２３６上に設けられる。絶縁層２４０は、導電層２３４の一部を露出する開口部１２２を有する。導電層２４２は、開口部１２２を介して、導電層２３４と電気的に接続される。
【0156】
有機絶縁層２４４は、導電層２４２上に設けられる。有機絶縁層２４４は、開口部１２７と、開口部１２８とを有する。開口部１２７及び開口部１２８では、導電層２４２の一部が露出される。導電層２４６及び導電層２４８は、この順に、有機絶縁層２４４上に設けられる。導電層２４６は、開口部１２７を介して導電層２４２と電気的に接続される。また、導電層２４６は、開口部１２８を介して導電層２４２と電気的に接続される。
【0157】
有機絶縁層２４７は、発光素子ＲＬＥＤが有機絶縁層２４７内に埋設されるように設けられる。なお、図示は省略するが、発光素子ＧＬＥＤ、及び発光素子ＢＬＥＤも、発光素子ＲＬＥＤと同様に、有機絶縁層２４７内に埋設されるように設けられる。有機絶縁層２４７は、導電層２４８の一部が露出された開口部１３１を有する。導電層２４９は、有機絶縁層２４７上に設けられ、開口部１３１を介して電極２４８Ｂと電気的に接続される。
【0158】
絶縁層２３２は各トランジスタ上に設けられる。絶縁層２３２はトランジスタやその他の半導体素子に起因する凹凸を吸収し平坦な表面を与える機能を有する。絶縁層２３２は、膜表面の平坦性に優れるアクリル、ポリイミド等から選ばれた有機化合物材料を用いることができる。
【0159】
導電層２３４には、ソース電極８４Ａ（６１０）、ドレイン電極８６Ａ（６３０）、ソース電極８４Ｂ、ドレイン電極８６Ｂ（６３０）、データ信号線４０９Ａ、第１の駆動電源線ＰＶＤＤ１、配線１２４，配線１２６などが設けられる。導電層２３４は、絶縁層２３２又はゲート絶縁層２３０の一部を露出した開口部によって、ゲート電極７２Ａ（６２０）、ゲート電極７２Ｂと接続されてもよい。なお、ゲート電極７２Ａ（６２０）、ゲート電極７２Ｂは、導電層２３４に対してゲート絶縁層２３０が設けられる側に設けられる。導電層２３４、及び各ゲート電極の材料として、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、またはタングステン（Ｗ）などの金属、又はこれらの合金を用いることができる。また、導電層２３４は、単層または積層とすることができる。
【0160】
導電層２３８には、例えば、容量素子ＳＣ１の第１の電極６４０及び容量素子ＳＣ２の第１の電極６４０が設けられる。導電層２３８の材料として、例えば、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料を用いることができる。
【0161】
導電層２４２は、導電層２３４と導電層２４６とを接続するための配線層として機能することができる。例えば、容量素子ＳＣ１の第２の電極６５０が導電層２４２に設けられる。導電層２４２の材料は、導電層２３４と同様の材料及び同様の構成を用いることができる。
【0162】
導電層２４６は、発光素子ＲＬＥＤ、発光素子ＧＬＥＤ、発光素子ＢＬＥＤを実装するための電極パッドとして機能することができる。例えば、発光素子ＲＬＥＤの第１の電極６６０が導電層２４６に設けられる。また、導電層２４６は、発光素子ＲＬＥＤ、発光素子ＧＬＥＤ、発光素子ＢＬＥＤから出射された光を反射する反射層として機能することができる。導電層２４６の材料は、導電層２３４と同様の材料及び同様の構成を用いることができる。
【0163】
導電層２４８は、発光素子ＲＬＥＤ、発光素子ＧＬＥＤ、発光素子ＢＬＥＤを接合するための接合層として機能することができる。導電層２４８として、例えば、銀ペースト、ハンダ、または異方性導電膜（ＡＣＦ）を用いることができる。例えば、発光素子ＲＬＥＤは電極２４８Ａを用いて導電層２４６（６６０）に電気的に接続される。第１の電極６６０は導電層２４６を用いて形成される。
【0164】
導電層２４９は、発光素子ＲＬＥＤの第１の電極６６０、発光素子ＧＬＥＤの第１の電極６６０、発光素子ＢＬＥＤの第１の電極６６０、即ち、カソード電極を引き回すための配線層として機能することができる。即ち、カソード電極に接続される又はカソード電極として機能する基準電圧線ＰＶＳＳが導電層２４９に設けられる。また、導電層２４９は、発光素子ＲＬＥＤ、発光素子ＧＬＥＤ、発光素子ＢＬＥＤから出射された光を透過する透過層として機能することができる。導電層２４９として、例えば、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料を用いることができる。
【0165】
絶縁層２４０は、導電層２３８と導電層２４２とを離隔し、絶縁化することができる。絶縁層２４０の材料として、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯｘＮｙ）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮｘＯｙ）、または窒化アルミニウム（ＡｌＮｘ）などの無機絶縁材料を用いることができる。ここで、ＳｉＯｘＮｙおよびＡｌＯｘＮｙは、酸素（Ｏ）よりも少ない量の窒素（Ｎ）を含有するシリコン化合物およびアルミニウム化合物である。また、ＳｉＮｘＯｙおよびＡｌＮｘＯｙは、窒素よりも少ない量の酸素を含有するシリコン化合物およびアルミニウム化合物である。また、絶縁層２４０は、無機絶縁材料だけでなく、有機絶縁材料を用いることもできる。有機絶縁材料として、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、またはシロキサン樹脂などを用いることができる。絶縁層２４０は、無機絶縁層材料および有機絶縁材料が各々単独で用いられてもよく、これらが積層されてもよい。
【0166】
有機絶縁層２３６および有機絶縁層２４４は、それぞれの下方に位置する層の凹凸を平坦にすることができる有機絶縁層２３６および有機絶縁層２４４の各々の材料として、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、またはシロキサン樹脂などの有機樹脂を用いることができる。有機絶縁層２３６および有機絶縁層２４４の各々は、有機樹脂が単独で用いられてもよく、積層されていてもよい。
【0167】
有機絶縁層２４７は、導電層２４９を形成するにあたり、発光素子ＲＬＥＤ、発光素子ＧＬＥＤ、発光素子ＢＬＥＤとの段差を低減し、平坦にすることができる。有機絶縁層２４７の材料として、例えば、感光性アクリルまたは感光性ポリイミドなどの感光性有機材料を用いることができる。
【0168】
表示装置１００は、上述した積層構造を有することができる。表示装置１００では、上述した積層構造を有し、表示装置１００の長期信頼性の低下を抑制する。
【0169】
表示装置１００の上面には、粘着シート１０３０を用いて、検出装置２００Ａが接着される。粘着シート１０３０は、導電層２２１が接着される。例えば、第１の電極２２０が導電層２２１に形成される。無機絶縁膜２２３が導電層２２１の上に形成される。無機絶縁膜２２３の上に、導電層２２５が形成される。例えば、第２の電極２１８が導電層２２５に形成される。導電層２２５の上に、有機絶縁層２２７が形成される。有機絶縁層２２７上に、偏光板９００が配置される。認証装置１０と同様に、偏光板９００は粘着シートを含み、偏光板９００は当該粘着シートを用いて検出装置２００Ａに接着されてよい。以上のように、認証装置１０Ａが形成される。
【0170】
＜３．第３実施形態＞
図２６は、第３実施形態に係る認証装置１０Ｂの構成を示す模式図である。認証装置１０Ｂの構成は図２６に示された構成に限定されない。図１～図２５と同一、又は類似する構成については、ここでの説明を省略する。
図２６は、第３実施形態に係る認証装置１０Ｂの構成を示す模式図である。認証装置１０Ｂの構成は図２６に示された構成に限定されない。図１～図２５と同一、又は類似する構成については、ここでの説明を省略する。
【0171】
＜３－１．認証装置１０Ｂの構成＞
認証装置１０では、比較回路３５０、及び判定回路３６０が制御装置３００に含まれないのに対し、認証装置１０Ｂでは、比較回路３５０、及び判定回路３６０が制御装置３００Ａに含まれる。認証装置１０Ｂでは、それ以外の点は、認証装置１０と同様であるから、第３実施形態では、主に認証装置１０と異なる点が説明される。
認証装置１０では、比較回路３５０、及び判定回路３６０が制御装置３００に含まれないのに対し、認証装置１０Ｂでは、比較回路３５０、及び判定回路３６０が制御装置３００Ａに含まれる。認証装置１０Ｂでは、それ以外の点は、認証装置１０と同様であるから、第３実施形態では、主に認証装置１０と異なる点が説明される。
【0172】
認証装置１０Ｂは、例えば、無線ネットワークでサーバー（図示は省略）と通信可能に構成されている。サーバーは第１実施形態と同様に、アプリケーション又はプログラムなどを、認証装置１０Ｂに提供することができる。認証装置１０Ｂは、アプリケーション又はプログラムなどを、記憶回路３４０に格納することができる。また、認証装置１０Ｂは、アプリケーション又はプログラムなどを用いて、認証装置１０Ｂに画像を表示するための駆動方法を用いた駆動モード、認証装置１０ＢのＰＵＦ－ＩＤを生成するための駆動方法を用いた駆動モード、認証装置１０Ｂを用いた認証方法を用いた認証モードなどを実行することができる。
【0173】
制御装置３００Ａは、比較回路３５０、及び判定回路３６０を含む。比較回路３５０は、判定回路３６０に電気的に接続され、比較回路３５０及び判定回路３６０は、記憶回路３４０に電気的に接続されている。記憶回路３４０は、記憶回路３７０と同様の構成及び機能を含む。
【0174】
＜３－２．認証装置１０Ｂを用いた認証方法＞
認証装置１０Ｂを用いた認証方法は、認証装置１０を用いた認証方法と同様に、図２１及び図２２のフローチャートに基づく方法である。図２１及び図２２のフローチャートを用いて、認証装置１０Ｂを用いた認証方法を説明する。認証装置１０Ｂを用いた認証方法の説明では、認証装置１０と異なる点が、説明される。
認証装置１０Ｂを用いた認証方法は、認証装置１０を用いた認証方法と同様に、図２１及び図２２のフローチャートに基づく方法である。図２１及び図２２のフローチャートを用いて、認証装置１０Ｂを用いた認証方法を説明する。認証装置１０Ｂを用いた認証方法の説明では、認証装置１０と異なる点が、説明される。
【0175】
ステップ１０１（Ｓ１０１）、ステップ１０３（Ｓ１０３）、ステップ１０５（Ｓ１０５）、ステップ１０７（Ｓ１０７）、ステップ２０１（Ｓ２０１）、ステップ２０３（Ｓ２０３）、ステップ２０５（Ｓ２０５）、ステップ２０７（Ｓ２０７）、ステップ２０９（Ｓ２０９）、ステップ２１３（Ｓ２１３）、ステップ２１５（Ｓ２１５）、及びステップ２１７（Ｓ２１７）は、認証装置１０を用いた認証方法と同様であるから、第３実施形態での説明は省略される。
【0176】
ステップ１０９（Ｓ１０９）において、紐付けされた第１ＩＤと第１指紋情報は記憶回路３４０に送信されると共に格納され、認証装置１０Ｂに登録される。ステップ１０９（Ｓ１０９）ののち、紐付けされた第１ＩＤと第１指紋情報の登録が終了する。
【0177】
ステップ２１１（Ｓ２１１）において、比較回路３５０は、ユーザーからの認証要求に基づく第２の制御信号を受信すると共に、記憶回路３４０から、あらかじめ登録されていた紐付けされた第１ＩＤ及び第１指紋情報、及び、紐付けされた第２ＩＤ及び第２指紋情報とを読み出す。比較回路３５０は、あらかじめ登録されていた紐付けされた第１ＩＤ及び第１指紋情報と、紐付けされた第２ＩＤ及び第２指紋情報とを比較し、比較結果を生成する。また、比較回路３５０は、当該比較結果を判定回路３６０に送信する。
【0178】
ステップ２１１（Ｓ２１１）ののち、ステップ２１３（Ｓ２１３）、及び、ステップ２１５（Ｓ２１５）又はステップ２１７（Ｓ２１７）の何れか一方が実行され、紐付けされた第１ＩＤ及び第１指紋情報と、紐付けされた第２のＰＵＦ－ＩＤ及び第２の指紋情報との認証が終了する。
【0179】
第３実施形態に係る認証装置１０Ｂ及び認証装置１０Ｂの駆動方法を用いた場合においても、第１実施形態と同様に、当該表示装置１００を用いた不正利用を抑制することが可能であると共に、個体の認証を強化し安全性を確保することができる。
【0180】
本発明の実施形態として上述した各実施形態又は各実施形態の一部は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。
【0181】
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる別の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0182】
１０：認証装置、１０Ａ：認証装置、１０Ｂ：認証装置、７０Ａ：半導体膜、７０Ｂ：半導体膜、７２Ａ：ゲート電極、７２Ｂ：ゲート電極、７４Ａ：開口部、７４Ｂ：開口部、７６Ａ：開口部、７６Ｂ：開口部、８４Ａ：ソース電極、８４Ｂ：ソース電極、８６Ａ：ドレイン電極、８６Ｂ：ドレイン電極、１００：表示装置、１０２：基板、１０４：表示部、１０６：ドライバＩＣ、１０７：読み書き選択回路、１０８：走査信号線駆動回路、１０９：電源生成回路、１１０Ｂ：発光素子駆動部、１１０Ｇ：発光素子駆動部、１１０Ｒ：発光素子駆動部、１１１：端子部、１１２：ＦＰＣ基板、１１４：端子、１１６：周辺部、１１８：端子、１２０：画素、１２０Ａ：サブ画素、１２０Ｂ：サブ画素、１２０Ｃ：サブ画素、１３０：画素回路、１３１：開口部、１２４：配線、１２６：配線、１２７：開口部、２００：検出装置、２００Ａ：検出装置、２０１：下地層、２０２：基板、２０４：検出部、２０６：端子部、２０８：端子、２１０：端子、２１２：ＦＰＣ、２１４：配線、２１６：配線、２１８：第２の電極（Ｒｘ）、２２０：第１の電極（Ｔｘ）、２２１：導電層、２２３：無機絶縁膜、２２５：導電層、２２７：有機絶縁層、２３０：ゲート絶縁層、２３２：絶縁層、２３４：導電層、２３６：有機絶縁層、２３８：導電層、２４０：絶縁層、２４２：導電層、２４４：有機絶縁層、２４６：導電層、２４７：有機絶縁層、２４８：導電層、２４８Ａ：電極、２４８Ｂ：電極、２４９：導電層、２５０：検出素子ユニット、２５２：光電変換素子、２５４：有機絶縁層、２５６：第１の遮光層、２５８：導電膜、２６０：有機樹脂膜、２６２：ＩＲカットフィルタ、２６４：有機樹脂層、２６６：第２の遮光層、２６８：有機樹脂層（ブラックマトリクス）、２７０：有機樹脂層、２７２：有機絶縁層（透明樹脂）、２７４：マイクロレンズ、３００：制御装置、３００Ａ：制御装置、３１０：ＰＵＦ－ＩＤ生成回路、３１２：積分回路、３１４：ＡＤコンバータ、３２０：表示装置制御回路、３２２：ＤＡコンバータ、３３０：検出装置制御回路、３４０：記憶回路、３４２：メモリ制御回路、３５０：比較回路、３６０：判定回路、３７０：記憶回路、４００：選択回路、４００Ａ：選択回路、４０２：読み出し端子、４０４：書き込み端子、４０６：データ信号線接続端子、４０８：読み出し制御端子、４０９：データ信号線、４０９Ａ：データ信号線、４１０：書き込み制御端子、４１１：第１のトランジスタ、４１２：第１リセット信号線、４１３：第２のトランジスタ、４１４：第２リセット電圧線、４１５：第１リセット電圧線、４１６：初期化制御線、４１８：発光制御線、４２０：走査信号線、４２８：駆動電源線、５００：サーバー、８００：干渉フィルタ、９００：偏光板、１０００：粘着シート、１０１０：粘着シート、１０２０：粘着シート、１０３０：粘着シート、１１００：コリメータ、ＲＬＥＤ：発光素子、ＢＬＥＤ：発光素子、ＧＬＥＤ：発光素子、ＲＣＳ：読み出し制御信号、ＲＣＳＡ：読み出し制御信号、ＲＤＳ：読み出しデータ信号、ＲＤＳＡ：読み出しデータ信号、ＷＣＳ：書き込み制御信号、ＷＣＳＡ：書き込み制御信号、ＷＤＳ：画像データ信号、ＷＤＳＡ：画像データ信号
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】