(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023146793
(43)【公開日】2023-10-12
(54)【発明の名称】コイル部品
(51)【国際特許分類】
H01F 17/04 20060101AFI20231004BHJP
H01F 1/26 20060101ALI20231004BHJP
【ＦＩ】
H01F17/04 F
H01F1/26
【審査請求】未請求
【請求項の数】19
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022054174
(22)【出願日】2022-03-29
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100079577
【弁理士】
【氏名又は名称】岡田 全啓
(74)【代理人】
【識別番号】100167966
【弁理士】
【氏名又は名称】扇谷 一
(72)【発明者】
【氏名】石田 啓一
【テーマコード（参考）】
5E041
5E070
【Ｆターム（参考）】
5E041AA02
5E041AA04
5E041AA07
5E041BB05
5E070AB07
5E070BB03
5E070EA01
(57)【要約】 （修正有）
【課題】高い透磁率を得るとともに、良好な高周波特性を備えるコイル部品を提供する。
【解決手段】絶縁膜により被覆された導線が巻回されて形成されるコイル導体と、金属磁性体粒子と樹脂とを含有する磁性体部とを備えた素体と、コイル導体の引出部の素体の表面に露出する露出面と接続され素体の表面に配置された外部電極と、を備えるコイル部品であって、金属磁性体粒子は、金属磁性体粒子の粒度分布に存在する少なくとも１つのボトム以上の第１の金属磁性体粒子４０と、ボトム未満を第２の金属磁性体粒子４２とする。第１の金属磁性体粒子は、断面において所定の条件を満たす凹部４０ａを有する粒子を含み、第１の金属磁性体粒子の凹部の内部に、少なくとも１つの第２の金属磁性体粒子の少なくとも一部が配置される。
【選択図】図８
【解決手段】絶縁膜により被覆された導線が巻回されて形成されるコイル導体と、金属磁性体粒子と樹脂とを含有する磁性体部とを備えた素体と、コイル導体の引出部の素体の表面に露出する露出面と接続され素体の表面に配置された外部電極と、を備えるコイル部品であって、金属磁性体粒子は、金属磁性体粒子の粒度分布に存在する少なくとも１つのボトム以上の第１の金属磁性体粒子４０と、ボトム未満を第２の金属磁性体粒子４２とする。第１の金属磁性体粒子は、断面において所定の条件を満たす凹部４０ａを有する粒子を含み、第１の金属磁性体粒子の凹部の内部に、少なくとも１つの第２の金属磁性体粒子の少なくとも一部が配置される。
【選択図】図８
【特許請求の範囲】
【請求項1】
導線が巻回されて形成されるコイル導体と、
金属磁性体粒子と樹脂とを含有する磁性体部と、
を備えた素体と、
前記コイル導体の引出部の前記素体の表面に露出する露出面と電気的に接続されて前記素体の表面に配置された外部電極と、
を備えるコイル部品であって、
前記金属磁性体粒子は、第１の金属磁性体粒子と、第２の金属磁性体粒子と、を含み、
前記磁性体部の断面における断面画像から得られた円相当径に基づいて算出された金属磁性体粒子の粒度分布が少なくとも２つのピークと少なくとも１つのボトムを有し、最小頻度を有する前記ボトム以上を前記第１の金属磁性体粒子とし、最小頻度を有する前記ボトム未満を前記第２の金属磁性体粒子とし、
前記第１の金属磁性体粒子は、断面において所定の条件を満たす凹部を有する粒子を含み、
前記所定の条件は、前記凹部の開口部における先端間の最小距離をＬ01とし、前記第１の金属磁性体粒子の断面の前記凹部内における弦に相当する線分において、前記開口部の先端間の最小距離となる線分に平行な線分のうち最長距離をＬ02としたとき、Ｌ02＞Ｌ01であり、
前記第１の金属磁性体粒子の前記凹部の内部に、少なくとも１つの前記第２の金属磁性体粒子の少なくとも一部が配置される、コイル部品。
金属磁性体粒子と樹脂とを含有する磁性体部と、
を備えた素体と、
前記コイル導体の引出部の前記素体の表面に露出する露出面と電気的に接続されて前記素体の表面に配置された外部電極と、
を備えるコイル部品であって、
前記金属磁性体粒子は、第１の金属磁性体粒子と、第２の金属磁性体粒子と、を含み、
前記磁性体部の断面における断面画像から得られた円相当径に基づいて算出された金属磁性体粒子の粒度分布が少なくとも２つのピークと少なくとも１つのボトムを有し、最小頻度を有する前記ボトム以上を前記第１の金属磁性体粒子とし、最小頻度を有する前記ボトム未満を前記第２の金属磁性体粒子とし、
前記第１の金属磁性体粒子は、断面において所定の条件を満たす凹部を有する粒子を含み、
前記所定の条件は、前記凹部の開口部における先端間の最小距離をＬ01とし、前記第１の金属磁性体粒子の断面の前記凹部内における弦に相当する線分において、前記開口部の先端間の最小距離となる線分に平行な線分のうち最長距離をＬ02としたとき、Ｌ02＞Ｌ01であり、
前記第１の金属磁性体粒子の前記凹部の内部に、少なくとも１つの前記第２の金属磁性体粒子の少なくとも一部が配置される、コイル部品。
【請求項2】
前記第１の金属磁性体粒子の前記凹部の内部に、少なくとも１つの前記第２の金属磁性体粒子の全体が配置される、請求項１に記載のコイル部品。
【請求項3】
前記磁性体部中の断面において、前記凹部を有する前記第１の金属磁性体粒子のうち、前記第１の金属磁性体粒子の前記凹部の内部に少なくとも１つの前記第２の金属磁性体粒子の少なくとも一部が配置されている前記第１の金属磁性体粒子の個数の割合は５０％以上である、請求項１ないし請求項２のいずれかに記載のコイル部品。
【請求項4】
前記磁性体部中の断面において、前記第１の金属磁性体粒子の前記凹部の内部に少なくとも１つの前記第２の金属磁性体粒子の全体が配置される場合において、前記凹部の内部における前記第２の金属磁性体粒子の含有率は平均４０％以上である、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のコイル部品。
【請求項5】
前記磁性体部中の断面において、前記第１の金属磁性体粒子の前記凹部の内部に、少なくとも１つの他の前記第１の金属磁性体粒子の少なくとも一部と前記第２の金属磁性体粒子の少なくとも一部とが配置しており、前記第１の金属磁性体粒子の前記凹部中の前記他の第１の金属磁性体粒子および前記第２の金属磁性体粒子の含有率は平均５０％以上である、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のコイル部品。
【請求項6】
前記第１の金属磁性体粒子の前記粒度分布における最大頻度のピークが、１０μｍ以上５０μｍ以下である、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のコイル部品。
【請求項7】
前記第２の金属磁性体粒子の前記粒度分布における最大頻度のピークが０．２μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のコイル部品。
【請求項8】
前記第１の金属磁性体粒子と前記第２の金属磁性体粒子とが同一組成である、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載のコイル部品。
【請求項9】
前記第１の金属磁性体粒子の外表面に絶縁被膜が形成されており、前記第１の金属磁性体粒子の前記凹部の内部の表面の少なくとも一部に絶縁被膜が形成されてない、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載のコイル部品。
【請求項10】
前記磁性体部の断面において、前記樹脂の含有率について面積換算としたとき、５％以上２５％以下である、請求項１ないし請求項９のいずれかに記載のコイル部品。
【請求項11】
前記第１の金属磁性体粒子および前記第２の金属磁性体粒子の合計含有率を面積換算で１００％としたとき、前記第１の金属磁性体粒子の含有率が４０％以上８５％以下であり、前記第２の金属磁性体粒子の含有率が１５％以上６０％以下である、請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載のコイル部品。
【請求項12】
前記磁性体部の断面において、前記凹部を有する前記第１の金属磁性体粒子の外周囲長をＬ１とし、円相当の面積に換算した円の周囲長をＬ２としたとき、Ｌ１／Ｌ２の平均値は５．０以下である、請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載のコイル部品。
【請求項13】
前記磁性体部の断面において、前記第１の金属磁性体粒子の前記凹部の前記開口部における先端間の最小距離をＬ01、前記第１の金属磁性体粒子の前記凹部の前記開口部の内側を除いた周囲長をＬｃとしたとき、Ｌ01／（Ｌｃ＋Ｌ01）の平均値は０．０３以上０．４以下である、請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載のコイル部品。
【請求項14】
前記磁性体部の断面において、前記第１の金属磁性体粒子の前記凹部の前記開口部における先端間の最小距離Ｌ01の平均値は、前記第２の金属磁性体粒子の粒度分布における最大頻度のピークが位置する粒径をｄ2としたとき、Ｌ01＞ｄ2を満たす、請求項１ないし請求項１３のいずれかに記載のコイル部品。
【請求項15】
前記磁性体部の断面において、前記第１の金属磁性体粒子の前記凹部の前記開口部における先端間の最小距離となる線分の内側の領域の面積をＳ0、前記凹部を有する前記第１の金属磁性体粒子の断面積をＳｃとしたとき、Ｓ0／（Ｓｃ＋Ｓ0）の平均値は０．０５以上０．８以下である、請求項１ないし請求項１４のいずれかに記載のコイル部品。
【請求項16】
前記磁性体部は、さらに無機酸化物粒子を含有する、請求項１ないし請求項１５のいずれかに記載のコイル部品。
【請求項17】
前記磁性体部中の断面において、前記第１の金属磁性体粒子の前記凹部に、少なくとも１つの前記第２の金属磁性体粒子の少なくとも一部と、少なくとも１つの前記無機酸化物粒子の少なくとも一部が同時に配置される、請求項１６に記載のコイル部品。
【請求項18】
前記無機酸化物粒子はガラスである、請求項１６または請求項１７に記載のコイル部品。
【請求項19】
前記無機酸化物粒子はフェライトである、請求項１６または請求項１７に記載のコイル部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、コイル部品に関する。
【背景技術】
【0002】
従来のコイル部品（リアクトル）として、その本体部は、金属磁性体粒子と樹脂とを混ぜた複合材料により構成される磁性コアとコイルにより構成される。そして、磁性コアの複合材料は、軟磁性複合材料により製造される。
【0003】
従来技術の軟磁性複合材料は、透磁率が低く、それを用いて作製したリアクトルのインダクタンスは低いという欠点があった。また、従来技術では、金属磁性体粒子と樹脂とを先に混合してから、指定の形に形成する方法であることから、金属磁性体粒子に対する樹脂の使用量が多くなり、得られた軟磁性複合材料の透磁率が低下し、密度低下で、直流重畳特性が劣化する欠点があった。
【0004】
そこで、円形度が高く、平均粒子径の大きい第１粒子に対してそれよりも平均粒子径の小さい第２粒子を加えることで、粒子間の隙間を埋め、得られた軟磁性複合材料の密度を上げることができるとした技術が提案されている。これにより、軟磁性複合材料によって形成された磁性コアを高透磁率とすることができ、その磁性コアを用いたリアクトルのインダクタンスを向上させることが可能になる（特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０１６－３９３３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、引用文献１に開示されるリアクトルの磁性コアに用いられる軟磁性複合材料は、円形度の高い粒径、例えば、１００μｍ～２００μｍの粒子径を使用していることから、透磁率が高くなる反面、高周波領域での損失が大きくなる問題が懸念される。
【0007】
それゆえに、この発明の主たる目的は、高い透磁率を得るとともに、良好な高周波特性を備えるコイル部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
この発明にかかるコイル部品は、導線が巻回されて形成されるコイル導体と、金属磁性体粒子と樹脂とを含有する磁性体部と、を備えた素体と、コイル導体の引出部の素体の表面に露出する露出面と電気的に接続されて素体の表面に配置された外部電極と、を備えるコイル部品であって、金属磁性体粒子は、第１の金属磁性体粒子と、第２の金属磁性体粒子と、を含み、磁性体部の断面における断面画像から得られた円相当径に基づいて算出された金属磁性体粒子の粒度分布が少なくとも２つのピークと少なくとも１つのボトムを有し、最小頻度を有する前記ボトム以上を第１の金属磁性体粒子とし、最小頻度を有するボトム未満を第２の金属磁性体粒子とし、第１の金属磁性体粒子は、断面において所定の条件を満たす凹部を有する粒子を含み、所定の条件は、凹部の開口部における先端間の最小距離をＬ01とし、第１の金属磁性体粒子の断面の凹部内における弦に相当する線分において、開口部の先端間の最小距離となる線分に平行な線分のうち最長距離をＬ02としたとき、Ｌ02＞Ｌ01であり、第１の金属磁性体粒子の凹部の内部に、少なくとも１つの第２の金属磁性体粒子の少なくとも一部が配置される、コイル部品である。
【0009】
この発明にかかるコイル部品では、磁性体部の断面における断面画像から得られた円相当径に基づいて算出された金属磁性体粒子の平均粒子径の粒度分布が少なくとも２つのピークと少なくとも１つのボトムを有し、最小頻度を有するボトム以上を第１の金属磁性体粒子とし、最小頻度を有するボトム未満を第２の金属磁性体粒子とした金属磁性体粒子を含んでおり、第１の金属磁性体粒子は、断面において所定の条件を満たす凹部を有している粒子を含んでおり、凹部を有する第１の金属磁性体粒子の凹部の内部に、少なくとも１つの第２の金属磁性体粒子の少なくとも一部が配置されるので、磁性体部における金属磁性体粒子の充填率が高くなることから、コイル部品の透磁率を高くすることができる。
また、この発明にかかるコイル部品は、金属磁性体粒子と樹脂とを含有する磁性体部において、断面において所定の条件を満たす凹部を有する第１の金属磁性体粒子を含んでおり、所定の条件が、凹部の開口部における先端間の最小距離をＬ01とし、第１の金属磁性体粒子の断面の凹部内における弦に相当する線分において、開口部の先端間の最小距離となる線分に平行な線分のうち最長距離をＬ02としたとき、Ｌ02＞Ｌ01であるので、磁性体部の体積に対する第１の金属磁性体粒子の表面積を大きくすることができることから、高周波領域における渦電流損が小さくなり、コイル部品として、より高周波でも使用することができる。
また、この発明にかかるコイル部品は、金属磁性体粒子と樹脂とを含有する磁性体部において、断面において所定の条件を満たす凹部を有する第１の金属磁性体粒子を含んでおり、所定の条件が、凹部の開口部における先端間の最小距離をＬ01とし、第１の金属磁性体粒子の断面の凹部内における弦に相当する線分において、開口部の先端間の最小距離となる線分に平行な線分のうち最長距離をＬ02としたとき、Ｌ02＞Ｌ01であるので、磁性体部の体積に対する第１の金属磁性体粒子の表面積を大きくすることができることから、高周波領域における渦電流損が小さくなり、コイル部品として、より高周波でも使用することができる。
【発明の効果】
【0010】
この発明によれば、高い透磁率を得るとともに、良好な高周波特性を備えるコイル部品を提供することができる。
【0011】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】この発明にかかるコイル部品の実施の形態を模式的に示す外観斜視図である。
【図5】磁性体部中の金属磁性体粒子における円相当径の粒度分布を示した図である。
【図7】第１の金属磁性体粒子の模式断面図である。
【図8】磁性体部の断面において、第１の金属磁性体粒子の凹部の内部に、少なくとも１つの第２の金属磁性体粒子の一部または全体が配置される状態を示した図である。
【図9】磁性体部の断面において、第１の金属磁性体粒子の凹部の内部に、複数の第２の金属磁性体粒子の一部または全体が配置される状態を示した図である。
【図10】磁性体部の断面において、第１の金属磁性体粒子の凹部の内部に、少なくとも１つの他の第１の金属磁性体粒子の少なくとも一部と第２の金属磁性体粒子の少なくとも一部または全体とが配置される状態を示した図である。
【図11】磁性体部の断面において、第１の金属磁性体粒子の凹部の開口部における先端間の最小距離Ｌ01と第２の金属磁性体粒子の粒度分布における最大頻度のピークが位置する粒径を備える第２の金属磁性体粒子ｄ2とを対比した図である。
【図12】磁性体部の断面において、三日月形状である第１の金属磁性体粒子の外周囲長Ｌ１と、第１の金属磁性体粒子の面積に相当する面積に換算した円の周囲長Ｌ２とを示した図である。
【図13】磁性体部の断面において、第１の金属磁性体粒子の凹部の開口部における先端間の最小距離Ｌ01と、第１の金属磁性体粒子の凹部の開口部の内側を除いた周囲長Ｌｃとを示した図である。
【図14】磁性体部の断面において、第１の金属磁性体粒子の開口部における先端の最小距離となる線分の内側の領域Ｒ0の面積Ｓ0と、第１の金属磁性体粒子の断面積Ｓｃとを示した図である。
【図15】磁性体部の断面において、第１の金属磁性体粒子の凹部の内部に、少なくとも１つの第２の金属磁性体粒子の少なくとも一部と、少なくとも１つの無機酸化物粒子の少なくとも一部または全部が同時に配置される状態を示した図である。
【図16】第１の金属磁性体粒子に対して絶縁被膜が形成された状態を示す図である。
【図17】素体を製造する際における第１の成形体および第２の成形体にコイル導体を組み込む状態を示す分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
１．コイル部品
以下、本発明の実施の形態にかかるコイル部品について、図面を参照しながら詳細に説明する。
以下、本発明の実施の形態にかかるコイル部品について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【0014】
図１は、この発明にかかるコイル部品の実施の形態を模式的に示す外観斜視図である。図２は、図１に示すコイル部品におけるコイル導体が埋設された磁性体部の透過斜視図である。図３は、この発明にかかるコイル部品を示す図１の線ＩＩＩ－ＩＩＩ断面図である。図４は、この発明にかかるコイル部品を示す図１の線ＩＶ－ＩＶ断面図である。
【0015】
コイル部品１０は、直方体状の素体１２と外部電極３０とを有する。
【0016】
（ａ）素体
素体１２は、磁性体部１４と、磁性体部１４に埋設されたコイル導体１６とを有する。素体１２は、外観形状が略直方体であり、加圧方向ｘに相対する第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂと、加圧方向ｘに直交する幅方向ｙに相対する第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄと、加圧方向ｘおよび幅方向ｙに直交する長さ方向ｚに相対する第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆとを有する。素体１２の寸法は、特に限定されない。
素体１２は、磁性体部１４と、磁性体部１４に埋設されたコイル導体１６とを有する。素体１２は、外観形状が略直方体であり、加圧方向ｘに相対する第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂと、加圧方向ｘに直交する幅方向ｙに相対する第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄと、加圧方向ｘおよび幅方向ｙに直交する長さ方向ｚに相対する第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆとを有する。素体１２の寸法は、特に限定されない。
【0017】
（ｂ）磁性体部
磁性体部１４は、コイル導体１６を覆う。磁性体部１４の外観形状は、素体１２の外観形状と略一致しており、略直方体形状である。磁性体部１４は、後述する第１の成形体５０および第２の成形体６０が金型内で、加温、加圧されて形成される。
磁性体部１４は、複数の金属磁性体粒子および樹脂を含む。
磁性体部１４は、コイル導体１６を覆う。磁性体部１４の外観形状は、素体１２の外観形状と略一致しており、略直方体形状である。磁性体部１４は、後述する第１の成形体５０および第２の成形体６０が金型内で、加温、加圧されて形成される。
磁性体部１４は、複数の金属磁性体粒子および樹脂を含む。
【0018】
樹脂は、特に限定されないが、例えば、熱硬化性樹脂が挙げられ、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂などの有機材料が挙げられる。樹脂材料は、１種のみであっても、２種以上であってもよい。
【0019】
金属磁性体粒子は、第１の金属磁性体粒子４０および第２の金属磁性体粒子４２を含む。
【0020】
第１の金属磁性体粒子４０および第２の金属磁性体粒子４２としては、特に限定されないが、例えば、鉄、コバルト、もしくはニッケル、またはこれらの１種または２種以上を含む合金が挙げられる。好ましくは、第１の金属磁性体粒子および第２の金属磁性体粒子は、鉄または鉄合金である。鉄合金としては、特に限定されないが、例えば、Ｆｅ－Ｓｉ、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ、Ｆｅ－Ｎｉ、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ等が挙げられる。第１の金属磁性体粒子および第２の金属磁性体粒子は、１種のみであっても、２種以上であってもよい。
【0021】
第１の金属磁性体粒子４０および第２の金属磁性体粒子４２の各金属磁性体粒子は、以下のように定義される。
【0022】
まず、磁性体部１４中の金属磁性体粒子の平均粒子径であるメディアン径（Ｄ５０）が、粒子の断面像より計算される。
すなわち、まず、後述する円形度測定の手法でコイル部品１０を研磨、ＦＩＢ、断面ミリングなどにて断面作製し、金属磁性体粒子の断面を露出させ、露出面を形成する。断面を露出させて露出面を形成した後、ＳＥＭにて５００倍～５０００倍で露出面を観察する。画像解析ソフトＷｉｎＲＯＯＦ２０１８を用い、５０個以上の粒子について円相当径を算出する。円相当径は、それぞれの金属磁性体粒子の断面積と同じ面積の円を考え、その円の直径を円相当径とする。そして、その円相当径が、各金属磁性体粒子の平均粒子径であるメディアン径（Ｄ５０）として算出される。円相当径の粒度分布は、図５に示すように、少なくとも２つのピークと、それらのピーク間に１つのボトムを有する。ボトムは２つのピークの間にあり、頻度が極小値を取る点である。
すなわち、まず、後述する円形度測定の手法でコイル部品１０を研磨、ＦＩＢ、断面ミリングなどにて断面作製し、金属磁性体粒子の断面を露出させ、露出面を形成する。断面を露出させて露出面を形成した後、ＳＥＭにて５００倍～５０００倍で露出面を観察する。画像解析ソフトＷｉｎＲＯＯＦ２０１８を用い、５０個以上の粒子について円相当径を算出する。円相当径は、それぞれの金属磁性体粒子の断面積と同じ面積の円を考え、その円の直径を円相当径とする。そして、その円相当径が、各金属磁性体粒子の平均粒子径であるメディアン径（Ｄ５０）として算出される。円相当径の粒度分布は、図５に示すように、少なくとも２つのピークと、それらのピーク間に１つのボトムを有する。ボトムは２つのピークの間にあり、頻度が極小値を取る点である。
【0023】
そして、最小頻度を有するボトム以上の金属磁性体粒子を第１の金属磁性体粒子４０とし、最小頻度を持つボトム未満を第２の金属磁性体粒子４２とする。粒度分布において、ピークが２つしかない場合、ピーク間のボトムが最小頻度を有するボトムとなる。
【0024】
第１の金属磁性体粒子４０の形状は球状である。また、第１の金属磁性体粒子４０は、その内部に球状の所定の条件を満たす凹部４０ａを有するものを含む。凹部４０ａを有する第１の金属磁性体粒子４０は、図６および図７に示すように、凹部４０ａを有する第１の金属磁性体粒子４０の断面形状は、三日月状である。より詳細には、第１の金属磁性体粒子４０の断面において、凹部４０ａの開口部４０ｂにおける先端間の最小距離をＬ01をとし、第１の金属磁性体粒子４０の断面の凹部４０ａ内における弦に相当する線分において、開口部４０ｂの先端間の最小距離となる線分に平行な線分のうち最長距離をＬ02としたとき、Ｌ02＞Ｌ01を満たす。
第１の金属磁性体粒子４０が、このような凹部４０ａを有することで、第１の金属磁性体粒子４０が球状であるときと比較して、体積に対する第１の金属磁性体粒子４０の表面積を大きくすることができることから、高周波領域における渦電流損が小さくなり、コイル部品１０として、より高周波でも使用することができる。
第１の金属磁性体粒子４０の粒度分布における最大頻度のピークは、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。また、第１の金属磁性体粒子４０の最大頻度のピークが１０μｍ以上であると、コイル部品１０の透磁率向上させることができる。一方、第１の金属磁性体粒子４０の最大頻度のピークが５０μｍを超えると、高周波領域における渦電流損が大きくなり、高周波領域での特性が低下する。
第１の金属磁性体粒子４０が、このような凹部４０ａを有することで、第１の金属磁性体粒子４０が球状であるときと比較して、体積に対する第１の金属磁性体粒子４０の表面積を大きくすることができることから、高周波領域における渦電流損が小さくなり、コイル部品１０として、より高周波でも使用することができる。
第１の金属磁性体粒子４０の粒度分布における最大頻度のピークは、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。また、第１の金属磁性体粒子４０の最大頻度のピークが１０μｍ以上であると、コイル部品１０の透磁率向上させることができる。一方、第１の金属磁性体粒子４０の最大頻度のピークが５０μｍを超えると、高周波領域における渦電流損が大きくなり、高周波領域での特性が低下する。
【0025】
図６に示すように、第２の金属磁性体粒子４２の形状は球状であり、断面形状は、円形である。
また、第２の金属磁性体粒子４２の粒度分布における最大頻度のピークは、０．２μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。より好ましくは８μｍ以下であり、さらに好ましくは、５μｍ以下である。第２の金属磁性体粒子４２の粒径を他の金属磁性体粒子の平均粒子径より小さくすることで、磁性体部１４における金属磁性体粒子の充填率が高くなり、磁性体部１４の透磁率を高く、また直流重畳特性を良くすることができる。第２の金属磁性体粒子４２の粒度分布における最大頻度のピークが１０μｍ以下であると、磁性体部１４において、金属磁性体粒子を高充填化させることができる。第２の金属磁性体粒子４２の粒度分布における最大頻度のピークが０．２μｍ未満であると、成形時の流動性が低下し、高充填化が困難となる。
また、第２の金属磁性体粒子４２の粒度分布における最大頻度のピークは、０．２μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。より好ましくは８μｍ以下であり、さらに好ましくは、５μｍ以下である。第２の金属磁性体粒子４２の粒径を他の金属磁性体粒子の平均粒子径より小さくすることで、磁性体部１４における金属磁性体粒子の充填率が高くなり、磁性体部１４の透磁率を高く、また直流重畳特性を良くすることができる。第２の金属磁性体粒子４２の粒度分布における最大頻度のピークが１０μｍ以下であると、磁性体部１４において、金属磁性体粒子を高充填化させることができる。第２の金属磁性体粒子４２の粒度分布における最大頻度のピークが０．２μｍ未満であると、成形時の流動性が低下し、高充填化が困難となる。
【0026】
第１の金属磁性体粒子４０の粒度分布における最大頻度のピークは、第２の金属磁性体粒子４２の粒度分布における最大頻度のピークより大きいことが好ましい。粒径の異なる粒子を含むことで、充填率が高くなり、磁性体部１４の透磁率を高く、また直流重畳特性を良くすることができる。
【0027】
凹部４０ａを有する第１の金属磁性体粒子４０の平均円形度は、０．８９以下が好ましい。
【0028】
なお、各金属磁性体粒子の円形度の測定は、以下のようにして算出される。
すなわち、各金属磁性体粒子の断面において、金属磁性体粒子の面積をＳ、周囲長をＬとしたとき、４πＳ／Ｌ2で定義される。金属磁性体粒子の断面は、コイル部品１０の素体１２を研磨、ＦＩＢ（収束イオンビーム：Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）、断面イオンミリング（ＣＰ：Ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ Ｐｏｌｉｓｈｅｒ）などにて露出させ、露出面を形成し、その露出面における金属磁性体粒子の断面を言う。素体１２の断面を露出させて露出面を形成した後、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）にて５００倍～５０００倍で各金属磁性体粒子を観察する。画像解析ソフトＷｉｎＲＯＯＦ２０１８（三谷商事株式会社）を用い、５０個以上の粒子について面積Ｓおよび周囲長Ｌを測定し、平均円形度を計算する。
すなわち、各金属磁性体粒子の断面において、金属磁性体粒子の面積をＳ、周囲長をＬとしたとき、４πＳ／Ｌ2で定義される。金属磁性体粒子の断面は、コイル部品１０の素体１２を研磨、ＦＩＢ（収束イオンビーム：Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）、断面イオンミリング（ＣＰ：Ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ Ｐｏｌｉｓｈｅｒ）などにて露出させ、露出面を形成し、その露出面における金属磁性体粒子の断面を言う。素体１２の断面を露出させて露出面を形成した後、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）にて５００倍～５０００倍で各金属磁性体粒子を観察する。画像解析ソフトＷｉｎＲＯＯＦ２０１８（三谷商事株式会社）を用い、５０個以上の粒子について面積Ｓおよび周囲長Ｌを測定し、平均円形度を計算する。
【0029】
第１の金属磁性体粒子４０および第２の金属磁性体粒子４２の合計含有率を面積換算で１００％としたとき、第１の金属磁性体粒子４０の含有率４０％以上８５％以下であることが好ましい。第１の金属磁性体粒子４０の含有率が７０％以上８５％以下であると、コイル部品１０の実効透磁率を高くできる。
【0030】
第１の金属磁性体粒子４０および第２の金属磁性体粒子４２の合計含有率を面積換算で１００％としたとき、第２の金属磁性体粒子４２の含有率が１５％以上６０％以下であることが好ましい。第２の金属磁性体粒子４２の含有率が１５％以上３０％以下であると、コイル部品１０の実効透磁率を高くできる。
【0031】
ここで、第１の金属磁性体粒子４０および第２の金属磁性体粒子４２の各金属磁性体粒子の含有率は、以下に説明するようにして算出される。
すなわち、磁性体部１４の断面を露出させ、例えば、その断面における任意の５００μｍ□の領域において、それぞれの金属磁性体粒子の断面積の総和（第１の金属磁性体粒子４０の断面積Ｓ1の総和をＳａ、第２の金属磁性体粒子４２の断面積Ｓ2の総和をＳｂ）から、それぞれの金属磁性体粒子の含有率（第１の金属磁性体粒子の含有率＝Ｓａ／（Ｓａ＋Ｓｂ）、第２の金属磁性体粒子の含有率＝Ｓｂ／（Ｓａ＋Ｓｂ）を計算する。
すなわち、磁性体部１４の断面を露出させ、例えば、その断面における任意の５００μｍ□の領域において、それぞれの金属磁性体粒子の断面積の総和（第１の金属磁性体粒子４０の断面積Ｓ1の総和をＳａ、第２の金属磁性体粒子４２の断面積Ｓ2の総和をＳｂ）から、それぞれの金属磁性体粒子の含有率（第１の金属磁性体粒子の含有率＝Ｓａ／（Ｓａ＋Ｓｂ）、第２の金属磁性体粒子の含有率＝Ｓｂ／（Ｓａ＋Ｓｂ）を計算する。
【0032】
第１の金属磁性体粒子４０と第２の金属磁性体粒子４２とは同一組成であってもよい。同一組成とすることで、磁性体部１４の内部の磁束の流れが均等になり、重畳特性が高くなる。
【0033】
なお、金属磁性体粒子の組成は、以下のようにして分析することができる。
すなわち、金属磁性体粒子の組成は、ＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分析：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）やＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法：Ｘ－ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ），ＴＯＦ－ＳＩＭＳ（飛行時間型二次イオン質量分析法：Ｔｉｍｅ ｏｆ Ｆｌｉｇｈｔ Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）のような組成分析装置により分析することができる。
すなわち、金属磁性体粒子の組成は、ＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分析：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）やＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法：Ｘ－ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ），ＴＯＦ－ＳＩＭＳ（飛行時間型二次イオン質量分析法：Ｔｉｍｅ ｏｆ Ｆｌｉｇｈｔ Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）のような組成分析装置により分析することができる。
【0034】
磁性体部１４において、樹脂の含有率(面積換算)は、５％以上２５％以下であることが好ましい。これにより、磁性体部１４に含まれる各金属磁性体粒子の面積率が高くなり、磁性体部１４の透磁率を高くすることができる。なお、樹脂の含有率が５％以下であると、成形時に流動性を確保できず高充填化が難しい。
【0035】
ここで、磁性体部１４において、樹脂の含有率は、以下に説明するようにして算出される。
すなわち、磁性体部１４の断面を露出させ、例えば、その断面における任意の５００μｍ□の領域において、その任意の５００μｍ□の領域の面積Ｓｔに対する、樹脂の面積として算出される。
すなわち、磁性体部１４の断面を露出させ、例えば、その断面における任意の５００μｍ□の領域において、その任意の５００μｍ□の領域の面積Ｓｔに対する、樹脂の面積として算出される。
【0036】
磁性体部１４の断面において、図８（ａ）や図８（ｂ）に示すように、第１の金属磁性体粒子４０の凹部４０ａの内部に、少なくとも１つの第２の金属磁性体粒子４２の少なくとも一部が配置される。第１の金属磁性体粒子４０の凹部４０ａの内部に第２の金属磁性体粒子４２が入り込むので、凹部４０ａによる磁性体部１４の透磁率の低下を抑制できる。
【0037】
磁性体部１４の断面において、図８（ｃ）や図８（ｄ）に示すように、第１の金属磁性体粒子４０の凹部４０ａの内部に、少なくとも１つの第２の金属磁性体粒子４２の全体が配置されることが好ましい。第１の金属磁性体粒子４０の凹部４０ａの内部に第２の金属磁性体粒子４２が入り込むので、磁性体部１４の透磁率を高くすることができる。
【0038】
また、磁性体部１４の断面において、凹部４０ａを有する第１の金属磁性体粒子４０のうち、第１の金属磁性体粒子４０の凹部４０ａの内部に少なくとも１つの第２の金属磁性体粒子４２の少なくとも一部が配置されている第１の金属磁性体粒子４０の個数の割合は５０％以上である。第１の金属磁性体粒子４０の凹部４０ａに、第２の金属磁性体粒子４２が配置される第１の金属磁性体粒子４０を含む割合が大きいことから、磁性体部１４の透磁率を高くすることができる。
【0039】
磁性体部１４の断面において、図９に示すように、第１の金属磁性体粒子４０の凹部４０ａの内部に、少なくとも１つの第２の金属磁性体粒子４２の全体が入っている場合、凹部４０ａの内部における第２の金属磁性体粒子４２の含有率は平均４０％以上であることが好ましい。第１の金属磁性体粒子４０の凹部４０ａの内部に第２の金属磁性体粒子４２が入り込むので、磁性体部１４の透磁率を高くすることができる。
なお、第１の金属磁性体粒子４０の凹部４０ａの内部における第２の金属磁性体粒子４２の含有率は、図９に示すように、開口部４０ｂにおいて、第１の金属磁性体粒子４０の開口部４０ｂにおける先端間の最小距離となる線分の内側の領域Ｒ0の面積に対する領域Ｒ0内に位置する第２の金属磁性体粒子４２の面積の総和の割合として算出される。
なお、第１の金属磁性体粒子４０の凹部４０ａの内部における第２の金属磁性体粒子４２の含有率は、図９に示すように、開口部４０ｂにおいて、第１の金属磁性体粒子４０の開口部４０ｂにおける先端間の最小距離となる線分の内側の領域Ｒ0の面積に対する領域Ｒ0内に位置する第２の金属磁性体粒子４２の面積の総和の割合として算出される。
【0040】
磁性体部１４の断面において、図１０に示すように、第１の金属磁性体粒子４０1の凹部４０ａの内部に、少なくとも１つの他の第１の金属磁性体粒子４０2の少なくとも一部と、第２の金属磁性体粒子４２の少なくとも一部とが入っており、第１の金属磁性体粒子４０1の凹部４０ａにおける他の第１の金属磁性体粒子４０2および第２の金属磁性体粒子４２の含有率は平均５０％以上であることが好ましい。第１の金属磁性体粒子４０の凹部４０ａに他の第１の金属磁性体粒子４０および第２の金属磁性体粒子４２が入り込むので、磁性体部１４の透磁率を高くすることができる。
なお、第１の金属磁性体粒子４０1の凹部４０ａの内部における他の第１の金属磁性体粒子４０2および第２の金属磁性体粒子４２の含有率は、図１０に示すように、開口部４０ｂにおいて、第１の金属磁性体粒子４０1の開口部４０ｂの先端間の最小距離となる線分の内側の領域Ｒ0の面積に対する領域Ｒ0内に位置する他の第１の金属磁性体粒子４０2および第２の金属磁性体粒子４２の面積の総和の割合として算出される。
なお、第１の金属磁性体粒子４０1の凹部４０ａの内部における他の第１の金属磁性体粒子４０2および第２の金属磁性体粒子４２の含有率は、図１０に示すように、開口部４０ｂにおいて、第１の金属磁性体粒子４０1の開口部４０ｂの先端間の最小距離となる線分の内側の領域Ｒ0の面積に対する領域Ｒ0内に位置する他の第１の金属磁性体粒子４０2および第２の金属磁性体粒子４２の面積の総和の割合として算出される。
【0041】
磁性体部１４の断面において、図１１に示すように、第１の金属磁性体粒子４０の凹部４０ａの開口部４０ｂにおける先端間の最小距離Ｌ01の平均値は、第２の金属磁性体粒子４２の粒度分布における最大頻度のピークが位置する粒径ｄ2としたとき、Ｌ01＞ｄ2を満たすことが好ましい。第１の金属磁性体粒子４０の開口部４０ｂが、第２の金属磁性体粒子４２の粒度分布における最大頻度のピークが位置する径よりも大きいため、凹部４０ａに、第２の金属磁性体粒子４２が入りやすくなることから、磁性体部１４の透磁率を高くすることができる。
【0042】
第１の金属磁性体粒子４０について、図１２に示すように、磁性体部１４の断面において、三日月形状である凹部４０ａを有する第１の金属磁性体粒子４０の外周囲長をＬ１とし、第１の金属磁性体粒子４０の面積に相当する面積に換算した円の周囲長をＬ２としたとき、Ｌ１／Ｌ２の平均値は５．０以下であることが好ましい。Ｌ１／Ｌ２の平均値が５．０以下であると、高周波領域における渦電流損が小さくなり、コイル部品１０として、より高周波でも使用することができる。なお、Ｌ１／Ｌ２の平均値が５．０を超えると第１の金属磁性体粒子４０の凹部４０ａが大きくなり、磁性体部１４を構成する後述される第１の成形体５０および第２の成形体６０の熱成形時に流動させることが困難となる。そのため、磁性体部１４における金属磁性体粒子の充填率が低下し、その結果、コイル部品１０の透磁率や直流重畳特性が低下する。また、Ｌ１／Ｌ２の平均値は１．２以上であることがより好ましい。
【0043】
ここで、第１の金属磁性体粒子４０の周囲長は、磁性体部１４の断面より測定する。
すなわち、金属磁性体粒子の断面は、コイル部品１０の素体１２の中心を含み、素体１２の長さ方向ｚと直交する成形体断面を断面イオンミリング（その他、研磨、ＦＩＢ加工など）にて露出させ、露出面を形成し、その露出面における金属磁性体粒子の断面をいう。素体１２の断面を露出させて露出面を形成した後、ＳＥＭにて５００倍～５０００倍で粒子を観察する。画像解析ソフトＷｉｎＲＯＯＦ２０１８を用い、Ｌ１およびＬ２を算出する。そして、５０個以上の粒子でＬ１／Ｌ２を算出し、その平均値を求めることにより算出される。
すなわち、金属磁性体粒子の断面は、コイル部品１０の素体１２の中心を含み、素体１２の長さ方向ｚと直交する成形体断面を断面イオンミリング（その他、研磨、ＦＩＢ加工など）にて露出させ、露出面を形成し、その露出面における金属磁性体粒子の断面をいう。素体１２の断面を露出させて露出面を形成した後、ＳＥＭにて５００倍～５０００倍で粒子を観察する。画像解析ソフトＷｉｎＲＯＯＦ２０１８を用い、Ｌ１およびＬ２を算出する。そして、５０個以上の粒子でＬ１／Ｌ２を算出し、その平均値を求めることにより算出される。
【0044】
第１の金属磁性体粒子４０について、図１３に示すように、磁性体部１４の断面において、第１の金属磁性体粒子４０の凹部４０ａの開口部４０ｂにおける先端間の最小距離をＬ01とし、第１の金属磁性体粒子４０の凹部４０ａの開口部４０ｂの内側を除いた周囲長をＬｃとしたとき、Ｌ01／（Ｌｃ＋Ｌ01）の平均値は０．０３以上０．４以下であることが好ましい。
Ｌ01／（Ｌｃ＋Ｌ01）の平均値が０．０３以上であれば、凹部４０ａの内部に第２の金属磁性体粒子４２が入りやすくなることから、磁性体部１４内における金属磁性体粒子の高充填化により、コイル部品１０の透磁率を高く、また直流重畳特性を良くすることができる。一方、Ｌ01／（Ｌｃ＋Ｌ01）の平均値が０．４を超えると、第１の金属磁性体粒子４０が流動しづらくなり、磁性体部１４内における金属磁性体粒子の充填率が低くなる。
Ｌ01／（Ｌｃ＋Ｌ01）の平均値が０．０３以上であれば、凹部４０ａの内部に第２の金属磁性体粒子４２が入りやすくなることから、磁性体部１４内における金属磁性体粒子の高充填化により、コイル部品１０の透磁率を高く、また直流重畳特性を良くすることができる。一方、Ｌ01／（Ｌｃ＋Ｌ01）の平均値が０．４を超えると、第１の金属磁性体粒子４０が流動しづらくなり、磁性体部１４内における金属磁性体粒子の充填率が低くなる。
【0045】
なお、Ｌ01、Ｌｃは、コイル部品１０の素体１２に対する断面像より測定する。
ここで第１の金属磁性体粒子４０のＬ01およびＬｃは、以下の手順により算出される。
金属磁性体粒子の断面は、コイル部品１０の素体１２の中心を含み、素体１２の長さ方向ｚと直交する素体１２の断面を断面イオンミリング（その他、研磨、ＦＩＢ加工、など）にて露出させ、露出面を形成し、その露出面における金属磁性体粒子の断面をいう。素体１２の断面を露出させて露出面を形成した後、ＳＥＭにて５００倍～５０００倍で粒子を観察する。画像解析ソフトＷｉｎＲＯＯＦ２０１８を用い、Ｌ01およびＬｃを算出する。Ｌ01は第１の金属磁性体粒子４０の開口部４０ｂの先端の最短距離であり、Ｌｃは第１の金属磁性体粒子４０の開口部４０ｂの内側を除いた周囲長である。そして、１０個以上の粒子でＬ01／（Ｌｃ＋Ｌ01）を算出し、その平均値を求めることにより算出される。
ここで第１の金属磁性体粒子４０のＬ01およびＬｃは、以下の手順により算出される。
金属磁性体粒子の断面は、コイル部品１０の素体１２の中心を含み、素体１２の長さ方向ｚと直交する素体１２の断面を断面イオンミリング（その他、研磨、ＦＩＢ加工、など）にて露出させ、露出面を形成し、その露出面における金属磁性体粒子の断面をいう。素体１２の断面を露出させて露出面を形成した後、ＳＥＭにて５００倍～５０００倍で粒子を観察する。画像解析ソフトＷｉｎＲＯＯＦ２０１８を用い、Ｌ01およびＬｃを算出する。Ｌ01は第１の金属磁性体粒子４０の開口部４０ｂの先端の最短距離であり、Ｌｃは第１の金属磁性体粒子４０の開口部４０ｂの内側を除いた周囲長である。そして、１０個以上の粒子でＬ01／（Ｌｃ＋Ｌ01）を算出し、その平均値を求めることにより算出される。
【0046】
第１の金属磁性体粒子４０について、図１４に示すように、磁性体部１４の断面において、第１の金属磁性体粒子４０の開口部４０ｂにおける先端間の最小距離となる線分の内側の領域Ｒ0の面積をＳ0、凹部４０ａを有する第１の金属磁性体粒子４０の断面積をＳｃとしたとき、Ｓ0／（Ｓｃ＋Ｓ0）の平均値は０．０５以上０．８以下であることが好ましい。
Ｓ0／（Ｓｃ＋Ｓ0）が０．０５以上であると第１の金属磁性体粒子４０の凹部４０ａに第２の金属磁性体粒子４２が入り込みやすくなり、コイル部品１０の透磁率を高くすることができる。また、Ｓ0／（Ｓｃ＋Ｓ0）が０．８を超えると、磁性体部１４を構成する後述される第１の成形体５０および第２の成形体６０の成形時に第１の金属磁性体粒子４０が変形しやすくなり、磁性体部１４における金属磁性体粒子の高充填化が難しくなる。
Ｓ0／（Ｓｃ＋Ｓ0）が０．０５以上であると第１の金属磁性体粒子４０の凹部４０ａに第２の金属磁性体粒子４２が入り込みやすくなり、コイル部品１０の透磁率を高くすることができる。また、Ｓ0／（Ｓｃ＋Ｓ0）が０．８を超えると、磁性体部１４を構成する後述される第１の成形体５０および第２の成形体６０の成形時に第１の金属磁性体粒子４０が変形しやすくなり、磁性体部１４における金属磁性体粒子の高充填化が難しくなる。
【0047】
なお、Ｓ0、Ｓｃは、磁性体部１４の断面像より測定する。
ここで、第１の金属磁性体粒子４０のＳ0およびＳｃは、以下の手順により算出可能である。
金属磁性体粒子の断面は、コイル部品１０の素体１２の中心を含み、素体１２の長さ方向ｚと直交する素体１２の断面を断面イオンミリング（その他、研磨、ＦＩＢ加工、など）にて露出させ、露出面を形成し、その露出面における金属磁性体粒子の断面をいう。素体１２の断面を露出させて露出面を形成した後、ＳＥＭにて５００倍～５０００倍で粒子を観察する。画像解析ソフトＷｉｎＲＯＯＦ２０１８を用い、ＳｏおよびＳｃを算出する。Ｓｏは第１の金属磁性体粒子４０の開口部４０ｂの先端の最短距離を結ぶ線分の内側の凹部４０ａの領域Ｒ0の面積であり、Ｓｃは第１の金属磁性体粒子４０の断面積である。そして、５０個以上の粒子でＳ0／（Ｓｃ＋Ｓ0）を算出し、その平均値を求めることにより算出される。
ここで、第１の金属磁性体粒子４０のＳ0およびＳｃは、以下の手順により算出可能である。
金属磁性体粒子の断面は、コイル部品１０の素体１２の中心を含み、素体１２の長さ方向ｚと直交する素体１２の断面を断面イオンミリング（その他、研磨、ＦＩＢ加工、など）にて露出させ、露出面を形成し、その露出面における金属磁性体粒子の断面をいう。素体１２の断面を露出させて露出面を形成した後、ＳＥＭにて５００倍～５０００倍で粒子を観察する。画像解析ソフトＷｉｎＲＯＯＦ２０１８を用い、ＳｏおよびＳｃを算出する。Ｓｏは第１の金属磁性体粒子４０の開口部４０ｂの先端の最短距離を結ぶ線分の内側の凹部４０ａの領域Ｒ0の面積であり、Ｓｃは第１の金属磁性体粒子４０の断面積である。そして、５０個以上の粒子でＳ0／（Ｓｃ＋Ｓ0）を算出し、その平均値を求めることにより算出される。
【0048】
磁性体部１４は、さらに無機酸化物粒子４４を含有することが好ましい。
無機酸化物粒子４４は、例えば、シリカフィラー、フェライト、ガラスである。
無機酸化物粒子４４は金属磁性体粒子と比較して電気抵抗率が高いことから、磁性体部１４が無機酸化物粒子４４を含有すれば、コイル部品１０の耐圧を向上させることができる。
無機酸化物粒子４４はガラスもしくは非磁性フェライトであることが好ましい。ガラスもしくは非磁性フェライトは磁気抵抗が高いことから、コイル部品１０の重畳特性が高くすることができる。
また、無機酸化物粒子４４は磁性フェライトであることが好ましい。磁性フェライトは透磁率が高いことから、コイル部品１０の透磁率をより高くすることができる。
無機酸化物粒子４４は、例えば、シリカフィラー、フェライト、ガラスである。
無機酸化物粒子４４は金属磁性体粒子と比較して電気抵抗率が高いことから、磁性体部１４が無機酸化物粒子４４を含有すれば、コイル部品１０の耐圧を向上させることができる。
無機酸化物粒子４４はガラスもしくは非磁性フェライトであることが好ましい。ガラスもしくは非磁性フェライトは磁気抵抗が高いことから、コイル部品１０の重畳特性が高くすることができる。
また、無機酸化物粒子４４は磁性フェライトであることが好ましい。磁性フェライトは透磁率が高いことから、コイル部品１０の透磁率をより高くすることができる。
【0049】
第１の金属磁性体粒子４０について、図１５（ａ）や図１５（ｂ）に示すように、磁性体部１４の断面において、第１の金属磁性体粒子４０の凹部４０ａの内部に、少なくとも１つの第２の金属磁性体粒子４２の少なくとも一部と、少なくとも１つの無機酸化物粒子４４の少なくとも一部とが同時に配置されることが好ましい。
【0050】
第１の金属磁性体粒子４０について、図１５（ｃ）や図１５（ｄ）に示すように、磁性体部１４の断面において、第１の金属磁性体粒子４０の凹部４０ａに、少なくとも１つの第２の金属磁性体粒子４２の少なくとも一部と、少なくとも１つの無機酸化物粒子４４の全体とが同時に入っていることがより好ましい。
【0051】
第１の金属磁性体粒子４０および第２の金属磁性体粒子４２の表面は、絶縁被膜により覆われていてもよい。各金属磁性体粒子の表面を絶縁被膜により覆うことにより、磁性体部１４の内部の抵抗を高くすることができる。また、金属磁性体粒子の表面を絶縁被膜により絶縁性が確保されるので、コイル導体１６と外部電極３０とのショート不良を抑制することができる。
【0052】
なお、図１６に示すように、第１の金属磁性体粒子４０の外表面に絶縁被膜４６が形成されており、第１の金属磁性体粒子４０の凹部４０ａの内部の表面の少なくとも一部に絶縁被膜４６が形成されてないことが好ましい。なお、凹部４０ａの内側の全てに絶縁被膜４６が形成されてないことがより好ましい。第１の金属磁性体粒子４０の凹部４０ａ内側に絶縁被膜４６がないため、磁性体面積の割合が高くなることから、磁性体部１４の実効透磁率を高くすることができる。
【0053】
絶縁被膜の材料は、ケイ素の酸化物、リン酸系ガラス、ビスマス系ガラスなどが挙げられる。
【0054】
絶縁被膜の厚みは、特に限定されないが、好ましくは５ｎｍ以上５００ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以上１００ｎｍ以下、さらに好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり得る。絶縁被膜の厚みをより大きくすることにより、磁性体部１４の耐圧性の向上や直流重畳特性の向上が見込める。また、絶縁被膜の厚みをより小さくすることにより、磁性体部１４における金属磁性体粒子の量をより多くすることができ、磁性体部１４の透磁率が向上する。
【0055】
（ｃ）コイル導体
コイル導体１６は、導電性材料を含む導線をコイル状に巻回して形成される巻回部１８と、巻回部１８の一方側に引き出される第１の引出部２２ａと巻回部１８の他方側に引き出される第２の引出部２２ｂとを有する。巻回部１８の中心部には中空領域２０が形成される。
巻回部１８は、２段に巻回されて形成されている。コイル導体１６は、平角導線をα巻き形状に巻回して形成されている。
第１の引出部２２ａは、素体１２の第１の端面１２ｅから露出して第１の露出部２４ａを形成し、第２の引出部２２ｂは、素体１２の第２の端面１２ｆから露出して第２の露出部２４ｂを形成する。第１の露出部２４ａにおいて、第１の引出部２２ａの露出面は、第１の引出部２２ａの延伸方向に対して交差するように形成される。また、第２の露出部２４ｂにおいて、第２の引出部２２ｂの露出面は、第２の引出部２２ｂの延伸方向に対して交差するように形成される。
コイル導体１６は、導電性材料を含む導線をコイル状に巻回して形成される巻回部１８と、巻回部１８の一方側に引き出される第１の引出部２２ａと巻回部１８の他方側に引き出される第２の引出部２２ｂとを有する。巻回部１８の中心部には中空領域２０が形成される。
巻回部１８は、２段に巻回されて形成されている。コイル導体１６は、平角導線をα巻き形状に巻回して形成されている。
第１の引出部２２ａは、素体１２の第１の端面１２ｅから露出して第１の露出部２４ａを形成し、第２の引出部２２ｂは、素体１２の第２の端面１２ｆから露出して第２の露出部２４ｂを形成する。第１の露出部２４ａにおいて、第１の引出部２２ａの露出面は、第１の引出部２２ａの延伸方向に対して交差するように形成される。また、第２の露出部２４ｂにおいて、第２の引出部２２ｂの露出面は、第２の引出部２２ｂの延伸方向に対して交差するように形成される。
【0056】
コイル導体１６は、金属線、ワイヤなどの導線により構成されている。コイル導体１６の導電性材料としては、特に限定されないが、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎまたはそれらの合金からなる金属成分である。好ましくは、導電性材料として銅が挙げられる。導電性材料は、１種のみであっても、２種以上であってもよい。
【0057】
コイル導体１６を構成する導線の表面には、絶縁性物質により被覆されて絶縁膜が形成される。コイル導体１６を構成する導線を絶縁性物質により被覆することにより、巻回されたコイル導体１６同士と、コイル導体１６と磁性体部１４の絶縁をより確実にすることができる。
なお、コイル導体１６を構成する導線の第１の露出部２４ａおよび第２の露出部２４ｂのそれぞれの部分には、絶縁膜は形成されていない。
なお、コイル導体１６を構成する導線の第１の露出部２４ａおよび第２の露出部２４ｂのそれぞれの部分には、絶縁膜は形成されていない。
【0058】
絶縁膜の絶縁性物質としては、特に限定されないが、例えば、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂が挙げられる。好ましくは、絶縁膜としては、ポリアミドイミド樹脂が挙げられる。
絶縁膜の厚みは、２μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
絶縁膜の厚みは、２μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
【0059】
また、コイル導体１６の第１の露出部２４ａおよび第２の露出部２４ｂの素体１２の両端面１２ｅ，１２ｆにおける露出部分（露出面）においては、絶縁膜が配置されていない。これにより、コイル導体１６と第１の下地電極層３２ａおよび第２の下地電極層３２ｂとが、直接電気的に接続することができるので、コイル導体１６と第１の下地電極層３２ａおよび第２の下地電極層３２ｂとの間の電気抵抗を低減することができる。
【0060】
（ｄ）外部電極
素体１２の第１の端面１２ｅ側および第２の端面１２ｆ側には、外部電極３０が配置される。外部電極３０は、第１の外部電極３０ａおよび第２の外部電極３０ｂを有する。
素体１２の第１の端面１２ｅ側および第２の端面１２ｆ側には、外部電極３０が配置される。外部電極３０は、第１の外部電極３０ａおよび第２の外部電極３０ｂを有する。
【0061】
第１の外部電極３０ａは、素体１２の第１の端面１２ｅの表面に配置される。なお、第１の外部電極３０ａは、第１の端面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部を覆うように形成されていてもよく、第１の端面１２ｅから第２の主面１２ｂへと延伸され、第１の端面１２ｅと第２の主面１２ｂのそれぞれ一部を覆うように形成されていてもよい。この場合、第１の外部電極３０ａは、コイル導体１６の第１の露出部２４ａと直接電気的に接続され、第１の引出部２２ａと電気的に接続される。
【0062】
第２の外部電極３０ｂは、素体１２の第２の端面１２ｆの表面に配置される。なお、第２の外部電極３０ｂは、第２の端面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部を覆うように形成されていてもよく、第２の端面１２ｆから第２の主面１２ｂへと延伸され、第２の端面１２ｆと第２の主面１２ｂのそれぞれ一部を覆うように形成されていてもよい。この場合、第２の外部電極３０ｂは、コイル導体１６の第２の露出部２４ｂと直接電気的に接続され、第２の引出部２２ｂと電気的に接続される。
【0063】
第１の外部電極３０ａおよび第２の外部電極３０ｂのそれぞれの厚みは、特に限定されないが、例えば１μｍ以上５０μｍ以下、好ましくは５μｍ以上２０μｍ以下であり得る。
【0064】
第１の外部電極３０ａは、第１の下地電極層３２ａと、第１の下地電極層３２ａの表面に配置される第１のめっき層３４ａとを含む。同様に、第２の外部電極３０ｂは、第２の下地電極層３２ｂと、第２の下地電極層３２ｂの表面に配置される第２のめっき層３４ｂとを含む。
【0065】
第１の下地電極層３２ａは、素体１２の第１の端面１２ｅの表面に配置される。従って、第１の下地電極層３２ａは、コイル導体１６の第１の露出部２４ａと直接接している。なお、第１の下地電極層３２ａは、第１の端面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部を覆うように形成されていてもよく、第１の端面１２ｅから延伸して、第１の端面１２ｅと第２の主面１２ｂのそれぞれ一部を覆うように形成されていてもよい。
【0066】
また、第２の下地電極層３２ｂは、素体１２の第２の端面１２ｆの表面に配置される。従って、第２の下地電極層３２ｂは、コイル導体１６の第２の露出部２４ｂと直接接している。なお、第２の下地電極層３２ｂは、第２の端面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部を覆うように形成されていてもよく、第２の端面１２ｆから延伸して、第２の端面１２ｆと第２の主面１２ｂのそれぞれ一部を覆うように形成されていてもよい。
【0067】
第１の下地電極層３２ａおよび第２の下地電極層３２ｂは樹脂電極層により形成されてもよい。樹脂電極層は、樹脂成分と金属成分とを含む。樹脂電極層の樹脂成分は、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂等から選ばれる少なくとも１つを含む。樹脂電極層の金属成分としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。樹脂電極層は、複数層であってもよい。樹脂電極層は、樹脂成分および金属成分を含む導電性ペーストを素体１２にディップにより塗布して熱硬化して形成されてもよい。
【0068】
また、第１の下地電極層３２ａおよび第２の下地電極層３２ｂは、それぞれめっき電極として形成されてもよい。第１の下地電極層３２ａおよび第２の下地電極層３２ｂは、電解めっきにより形成されてもよいし、無電解めっきにより形成されてもよい。
【0069】
また、第１の下地電極層３２ａおよび第２の下地電極層３２ｂを構成する金属材料の主成分とコイル導体１６を構成する金属材料の主成分とは同一組成であることが好ましい。これにより、コイル導体１６と第１の下地電極層３２ａおよび第２の下地電極層３２ｂとの間の金属結合がより強固となることから接合強度が高くなり、直流抵抗を低減させることができる。
【0070】
第１の下地電極層３２ａおよび第２の下地電極層３２ｂの平均厚みは、たとえば、１０μｍである。
【0071】
第１のめっき層３４ａは、第１の下地電極層３２ａを覆うように配置されている。具体的には、第１のめっき層３４ａは、第１の端面１２ｅに配置される第１の下地電極層３２ａを覆うように配置され、さらに第１の端面１２ｅから延伸して、第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄに配置される第１の下地電極層３２ａの表面を覆うように配置されていてもよく、第１の端面１２ｅから延伸して第２の主面１２ｂのそれぞれ一部を覆うように配置されている第１の下地電極層３２ａを覆うように配置されていてもよい。
【0072】
第２のめっき層３４ｂは、第２の下地電極層３２ｂを覆うように配置されている。具体的には、第２のめっき層３４ｂは、第２の端面１２ｆに配置される第２の下地電極層３２ｂを覆うように配置され、さらに第２の端面１２ｆから延伸して、第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄに配置される第２の下地電極層３２ｂの表面を覆うように配置されていてもよく、第２の端面１２ｆから延伸して第２の主面１２ｂのそれぞれ一部を覆うように配置されている第２の下地電極層３２ｂを覆うように配置されていてもよい。
【0073】
第１のめっき層３４ａおよび第２のめっき層３４ｂの金属材料としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金またはＡｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。
【0074】
第１のめっき層３４ａおよび第２のめっき層３４ｂは、複数層に形成されてもよい。
第１のめっき層３４ａは、第１のＮｉめっき層３６ａと第１のＮｉめっき層３６ａの表面に形成される第１のＳｎめっき層３８ａとの２層構造である。第２のめっき層３４ｂは、第２のＮｉめっき層３６ｂと第２のＮｉめっき層３６ｂの表面に形成される第２のＳｎめっき層３８ｂとの２層構造である。
第１のめっき層３４ａは、第１のＮｉめっき層３６ａと第１のＮｉめっき層３６ａの表面に形成される第１のＳｎめっき層３８ａとの２層構造である。第２のめっき層３４ｂは、第２のＮｉめっき層３６ｂと第２のＮｉめっき層３６ｂの表面に形成される第２のＳｎめっき層３８ｂとの２層構造である。
【0075】
第１のＮｉめっき層３６ａおよび第２のＮｉめっき層３６ｂの平均厚みは、たとえば、５μｍである。
また、第１のＳｎめっき層３８ａおよび第２のＳｎめっき層３８ｂの平均厚みは、たとえば、１０μｍである。
また、第１のＳｎめっき層３８ａおよび第２のＳｎめっき層３８ｂの平均厚みは、たとえば、１０μｍである。
【0076】
なお、第１の外部電極３０ａおよび第２の外部電極３０ｂは、以下のような構成により設けられてもよい。
たとえば、第１の下地電極層３２ａおよび第２の下地電極層３２ｂは、Ａｇ含有の樹脂電極でもよく、スパッタによるＡｇスパッタ層、Ｃｕスパッタ層あるいはＴｉスパッタ層により構成されていてもよい。なお、第１の下地電極層３２ａおよび第２の下地電極層３２ｂが、Ａｇ含有の樹脂電極により構成される場合には、ガラスフリットが含有されていてもよい。また、第１の下地電極層３２ａおよび第２の下地電極層３２ｂがスパッタ層により形成される場合、Ｔｉスパッタ層上にＣｕスパッタ層が形成されるようにしてもよい。
また、第１のめっき層３４ａおよび第２のめっき層３４ｂは、最外層がＳｎめっき層３８ａ，３８ｂのみにより構成されてもよい。
さらに、第１の下地電極層３２ａおよび第２の下地電極層３２ｂを形成せず、素体１２上に、Ａｇめっき層やＮｉめっき層を形成するようにしてもよい。
たとえば、第１の下地電極層３２ａおよび第２の下地電極層３２ｂは、Ａｇ含有の樹脂電極でもよく、スパッタによるＡｇスパッタ層、Ｃｕスパッタ層あるいはＴｉスパッタ層により構成されていてもよい。なお、第１の下地電極層３２ａおよび第２の下地電極層３２ｂが、Ａｇ含有の樹脂電極により構成される場合には、ガラスフリットが含有されていてもよい。また、第１の下地電極層３２ａおよび第２の下地電極層３２ｂがスパッタ層により形成される場合、Ｔｉスパッタ層上にＣｕスパッタ層が形成されるようにしてもよい。
また、第１のめっき層３４ａおよび第２のめっき層３４ｂは、最外層がＳｎめっき層３８ａ，３８ｂのみにより構成されてもよい。
さらに、第１の下地電極層３２ａおよび第２の下地電極層３２ｂを形成せず、素体１２上に、Ａｇめっき層やＮｉめっき層を形成するようにしてもよい。
【0077】
コイル部品１０は、長さ方向ｚの寸法をＬ寸法とすると、Ｌ寸法は、１．０ｍｍ以上１２．０ｍｍ以下が好ましい。コイル部品１０の幅方向ｙの寸法をＷ寸法とすると、Ｗ寸法は、０．５ｍｍ以上１２．０ｍｍ以下が好ましい。コイル部品１０の加圧方向ｘの寸法をＴ寸法は、０．５ｍｍ以上６．０ｍｍ以下が好ましい。
【0078】
図１に示すコイル部品１０によれば、磁性体部１４の断面における断面画像から得られた円相当径に基づいて算出された金属磁性体粒子の平均粒子径の粒度分布が少なくとも２つのピークと少なくとも１つのボトムを有し、最小頻度を有するボトム以上を第１の金属磁性体粒子４０とし、最小頻度を有するボトム未満を第２の金属磁性体粒子４２とした金属磁性体粒子を含んでおり、第１の金属磁性体粒子４０は、断面において所定の条件を満たす凹部４０ａを有している粒子を含んでおり、凹部４０ａを有する第１の金属磁性体粒子４０の凹部４０ａの内部に、少なくとも１つの第２の金属磁性体粒子４２の少なくとも一部が配置されるので、磁性体部における金属磁性体粒子の充填率が高くなることから、コイル部品の透磁率を高くすることができる。
【0079】
また、図１に示すコイル部品１０によれば、金属磁性体粒子と樹脂とを含有する磁性体部１４において、断面において所定の条件を満たす凹部４０ａを有する第１の金属磁性体粒子４０を含んでおり、所定の条件が、凹部４０ａの開口部４０ｂにおける先端間の最小距離をＬ01とし、第１の金属磁性体粒子４０の断面の凹部４０ａ内における弦に相当する線分において、開口部４０ｂの先端間の最小距離となる線分に平行な線分のうち最長距離をＬ02としたとき、Ｌ02＞Ｌ01であるので、磁性体部１４の体積に対する第１の金属磁性体粒子４０の表面積を大きくすることができることから、高周波領域における渦電流損が小さくなり、コイル部品として、より高周波でも使用することができる。
【0080】
２．コイル部品の製造方法
次に、コイル部品の製造方法について説明する。
次に、コイル部品の製造方法について説明する。
【0081】
コイル部品の製造方法は、（ａ）造粒粉を製造する工程、（ｂ）第１の成形体および第２の成形体を製造する工程、（ｃ）素体を製造する工程、（ｄ）外部電極を形成する工程、を含む。
【0082】
（ａ）造粒粉を製造する工程
製造される造粒粉は、金属磁性体粒子Ａ、金属磁性体粒子Ｂ、樹脂および溶剤を含む複合材料である。
製造される造粒粉は、金属磁性体粒子Ａ、金属磁性体粒子Ｂ、樹脂および溶剤を含む複合材料である。
【0083】
（金属磁性体粒子の準備）
まず、金属磁性体粒子Ａおよび金属磁性体粒子Ｂが準備される。
まず、金属磁性体粒子Ａおよび金属磁性体粒子Ｂが準備される。
【0084】
（金属磁性体粒子Ａ）
金属磁性体粒子Ａとして、例えば、α－Ｆｅ、Ｆｅ－Ｓｉ、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ、Ｆｅ－Ｎｉ、Ｆｅ－Ｃｏ等のＦｅ系軟磁性材料粉末を使用することができる。また、金属磁性体粒子の材料形態についても、良好な軟磁性特性を有する非晶質が好ましいが特に限定されるものではなく、結晶質であってもよい。
金属磁性体粒子Ａとして、例えば、α－Ｆｅ、Ｆｅ－Ｓｉ、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ、Ｆｅ－Ｎｉ、Ｆｅ－Ｃｏ等のＦｅ系軟磁性材料粉末を使用することができる。また、金属磁性体粒子の材料形態についても、良好な軟磁性特性を有する非晶質が好ましいが特に限定されるものではなく、結晶質であってもよい。
【0085】
金属磁性体粒子Ａの平均粒子径は、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。なお、平均粒子径とは、例えば、メディアン径（Ｄ５０）である。なお、金属磁性体粒子Ｂの平均粒子径が５０μｍを超えると、高周波領域における渦電流損が大きくなり、高周波領域での特性が低下する。
【0086】
金属磁性体粒子Ａには、凹部が形成された粒子が含まれる。
金属磁性体粒子Ａに凹部を形成するために、以下に説明する処理が行われる。
すなわち、準備される磁性材料粉末に対して、ガスアトマイズ法や水アトマイズ法によって金属磁性体粒子Ａが作製される。ここで、ガスや水の噴霧量を増やしたり噴霧圧をあげることによって、空洞の形成を促進したり、空洞の大きさを大きくしたり、真球度を制御することが可能である。通常、金属磁性体粒子にアトマイズ法で凹部を形成しようとすると、粒子の形状は真球から遠くなり、作製された粒子全体の平均真球度は高くなる。本実施の形態では水アトマイズによって金属磁性体粒子Ａを作製した。また、作製された金属磁性体粒子の外観を選別し、空洞有りと無しの含有比を調節することができる。
なお、凹部を有した金属磁性体粒子の作製方法はアトマイズ法に限られず、他の方法が用いられてもよい。
金属磁性体粒子Ａに凹部を形成するために、以下に説明する処理が行われる。
すなわち、準備される磁性材料粉末に対して、ガスアトマイズ法や水アトマイズ法によって金属磁性体粒子Ａが作製される。ここで、ガスや水の噴霧量を増やしたり噴霧圧をあげることによって、空洞の形成を促進したり、空洞の大きさを大きくしたり、真球度を制御することが可能である。通常、金属磁性体粒子にアトマイズ法で凹部を形成しようとすると、粒子の形状は真球から遠くなり、作製された粒子全体の平均真球度は高くなる。本実施の形態では水アトマイズによって金属磁性体粒子Ａを作製した。また、作製された金属磁性体粒子の外観を選別し、空洞有りと無しの含有比を調節することができる。
なお、凹部を有した金属磁性体粒子の作製方法はアトマイズ法に限られず、他の方法が用いられてもよい。
【0087】
また、金属磁性体粒子Ａの外表面は絶縁被膜で被覆される。ここで、機械的手法で絶縁被膜を形成する場合は、金属磁性体粒子と絶縁材料粉末とを回転容器に投入し、メカノケミカル処理により粒子複合化を行い、これにより磁性体粉末の表面に絶縁被膜を被覆形成することができる。なお、金属磁性体粒子Ａの凹部の内側には絶縁被膜が形成されていないことが好ましい。金属磁性体粒子Ａの凹部の内側に絶縁被膜が形成されない場合、コイル部品の実効透磁率を高くすることができる。
【0088】
上述した凹部を備えた金属磁性体粒子Ａの材料として、例えば、平均粒子径が２６μｍであり、リン酸亜鉛ガラスによる厚み１０ｎｍの絶縁被膜により被覆されたＦｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金粒子が準備される。なお、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金粒子は、Ｆｅが９０．８ｗｔ％、Ｓｉが６．７ｗｔ５、Ｃｒが２．５ｗｔ％含有される。
【0089】
（金属磁性体粒子Ｂ）
金属磁性体粒子Ｂとして、例えば、α－Ｆｅ、Ｆｅ－Ｓｉ、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ、Ｆｅ－Ｎｉ、Ｆｅ－Ｃｏ等のＦｅ系軟磁性材料粉末を使用することができる。また、金属磁性体粒子の材料形態についても、良好な軟磁性特性を有する非晶質が好ましいが特に限定されるものではなく、結晶質であってもよい。
金属磁性体粒子Ｂとして、例えば、α－Ｆｅ、Ｆｅ－Ｓｉ、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ、Ｆｅ－Ｎｉ、Ｆｅ－Ｃｏ等のＦｅ系軟磁性材料粉末を使用することができる。また、金属磁性体粒子の材料形態についても、良好な軟磁性特性を有する非晶質が好ましいが特に限定されるものではなく、結晶質であってもよい。
【0090】
金属磁性体粒子Ｂは、ガスアトマイズ法や水アトマイズ法によって作製される。
【0091】
金属磁性体粒子Ｂの平均粒子径は、０．２μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。金属磁性体粒子Ｂの平均粒子径は、より好ましくは８μｍ以下であり、さらに好ましくは、５μｍ以下である。なお、平均粒子径とは、例えば、メディアン径（Ｄ５０）である。金属磁性体粒子Ｂが０．２μｍ未満であると、成形時の流動性が低下し、高充填化が困難となる。
【0092】
また、金属磁性体粒子Ｂの表面は絶縁被膜で被覆される。ここで、機械的手法で絶縁被膜を形成する場合は、金属磁性体粒子と絶縁材料粉末とを回転容器に投入し、メカノケミカル処理により粒子複合化を行い、これにより磁性体粉末の表面に絶縁被膜を被覆形成することができる。
【0093】
上述した金属磁性体粒子Ｂの材料として、例えば、平均粒子径が４μｍであり、リン酸亜鉛ガラスによる厚み１０ｎｍの絶縁被膜により被覆されたＦｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金粒子が準備される。なお、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金粒子は、Ｆｅが９０．８ｗｔ％、Ｓｉが６．７ｗｔ５、Ｃｒが２．５ｗｔ％含有される。
【0094】
なお、各金属磁性体粒子の平均粒子径は、以下の方法により測定される。
まず、造粒前の各金属磁性体粒子の平均粒子径であるメディアン径（Ｄ５０）は、レーザー回折式の粒度分布測定装置等を用いることにより測定することができる。ここで、メディアン径（Ｄ５０）とは、平均粒径Ｄ５０（体積基準の累積百分率５０％相当粒径）を意味する。
まず、造粒前の各金属磁性体粒子の平均粒子径であるメディアン径（Ｄ５０）は、レーザー回折式の粒度分布測定装置等を用いることにより測定することができる。ここで、メディアン径（Ｄ５０）とは、平均粒径Ｄ５０（体積基準の累積百分率５０％相当粒径）を意味する。
【0095】
（樹脂）
複合材料に含有される樹脂材料としては、例えば、熱硬化性樹脂が挙げられ、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂などの有機材料が挙げられる。樹脂材料は、１種のみであっても、２種以上であってもよい。
本実施の形態では、熱硬化性樹脂として、エポキシ樹脂が使用される。
樹脂の含有率は、比較的低い方が、コイル部品１０の実効透磁率を高くすることができるので好ましい。具体的には、特に（面積換算で）２５％以下が好ましい。一方、５％未満の場合、成形時に流動性を確保できず高充填化が難しいため、５％以上が好ましい。
複合材料に含有される樹脂材料としては、例えば、熱硬化性樹脂が挙げられ、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂などの有機材料が挙げられる。樹脂材料は、１種のみであっても、２種以上であってもよい。
本実施の形態では、熱硬化性樹脂として、エポキシ樹脂が使用される。
樹脂の含有率は、比較的低い方が、コイル部品１０の実効透磁率を高くすることができるので好ましい。具体的には、特に（面積換算で）２５％以下が好ましい。一方、５％未満の場合、成形時に流動性を確保できず高充填化が難しいため、５％以上が好ましい。
【0096】
なお、本実施の形態においては、造粒粉成形を以下の体積割合で混合した。
すなわち、金属磁性体粒子Ａ：金属磁性体粒子Ｂ：樹脂＝５６：１９：２５、とした。
すなわち、金属磁性体粒子Ａ：金属磁性体粒子Ｂ：樹脂＝５６：１９：２５、とした。
【0097】
（溶剤）
また、溶剤として、アセトンが準備される。
また、溶剤として、アセトンが準備される。
【0098】
（造粒粉の製造）
続いて、準備された金属磁性体粒子Ａ、金属磁性体粒子Ｂ、樹脂材料および溶剤を用いて、造粒粉が製造される。
続いて、準備された金属磁性体粒子Ａ、金属磁性体粒子Ｂ、樹脂材料および溶剤を用いて、造粒粉が製造される。
【0099】
まず、金属磁性体粒子Ａおよび金属磁性体粒子Ｂが撹拌容器内で混合し、撹拌される。混合される各金属磁性体粒子の混合比率は、重量比で、金属磁性体粒子Ａ：金属磁性体粒子Ｂ＝７５：２５である。
なお、金属磁性体粒子Ａと金属磁性体粒子Ｂの粒径の比率（金属磁性体粒子Ａの平均粒子径／金属磁性体粒子Ｂの平均粒子径）が高い程、コイル部品の金属磁性体粒子の充填率が高くなり、透磁率を高くすることができ、また直流重畳特性を高くすることができる。
なお、金属磁性体粒子Ａと金属磁性体粒子Ｂの粒径の比率（金属磁性体粒子Ａの平均粒子径／金属磁性体粒子Ｂの平均粒子径）が高い程、コイル部品の金属磁性体粒子の充填率が高くなり、透磁率を高くすることができ、また直流重畳特性を高くすることができる。
【0100】
次に、撹拌容器内で混合・撹拌された金属磁性体粒子Ａおよび金属磁性体粒子Ｂに対して、準備された樹脂および溶剤が投入される。
なお、樹脂の投入量は、金属磁性体粒子Ａおよび金属磁性体粒子Ｂの合計重量の３．０ｗｔ％であり、溶剤の投入量は、金属磁性体粒子Ａおよび金属磁性体粒子Ｂの合計重量の１．０ｗｔ％である。
なお、樹脂の投入量は、金属磁性体粒子Ａおよび金属磁性体粒子Ｂの合計重量の３．０ｗｔ％であり、溶剤の投入量は、金属磁性体粒子Ａおよび金属磁性体粒子Ｂの合計重量の１．０ｗｔ％である。
【0101】
続いて、撹拌容器内において投入されている金属磁性体粒子Ａ、金属磁性体粒子Ｂ、樹脂および溶剤が撹拌されて、乾燥される。
【0102】
そして、ふるい振盪機を用いて、撹拌された金属磁性体粒子Ａ、金属磁性体粒子Ｂ、樹脂および溶剤の複合材料から粗粒を除くことで造粒粉が得られる。
【0103】
なお、各金属磁性体粒子の混合比率や混合・撹拌時間、Ｌ01／ｄ2の値などを変えることで、第１の金属磁性体粒子の凹部の内部に、他の第１の金属磁性体粒子や第２の金属磁性体粒子が配置される割合を調節することができる。
【0104】
（ｂ）第１の成形体および第２の成形体を製造する工程
次に、得られた造粒粉を用いて第１の成形体５０および第２の成形体６０が製造される。
次に、得られた造粒粉を用いて第１の成形体５０および第２の成形体６０が製造される。
【0105】
ここで、まず、第１の成形体５０の構造について説明する。
第１の成形体５０は、図１７に示すように、板状の底面部５２と、底面部５２の上面５２ａに設けられた柱状の巻軸部５４と、巻軸部５４を囲み、底面部５２の上面５２ａに設けられた第１の側面側壁部５６ａ、第２の側面側壁部５６ｂ、第１の端面側壁部５６ｃおよび第２の端面側壁部５６ｄとを備えている。
第１の側面側壁部５６ａと第２の側面側壁部５６ｂとは、幅方向ｙで対向するように底面部５２の上面５２ａに配置され、第１の端面側壁部５６ｃと第２の端面側壁部５６ｄとは、長さ方向ｚで対向するように底面部５２の上面５２ａに配置される。
第１の端面側壁部５６ｃには第１の切り欠き部５８ａが設けられる。第２の端面側壁部５６ｄには第２の切り欠き部５８ｂが設けられる。
巻軸部５４は、中心軸Ａに略垂直方向の断面はオーバル形状もしくは略楕円形状である。巻軸部５４は、図１７に示すように、底面部５２から離れるに従って先細りになっていてもよい。つまり、巻軸部５４は、底面部５２に接続する根元よりも先端部５４ａの方が細くなっていてもよい。
第１の成形体５０は、図１７に示すように、板状の底面部５２と、底面部５２の上面５２ａに設けられた柱状の巻軸部５４と、巻軸部５４を囲み、底面部５２の上面５２ａに設けられた第１の側面側壁部５６ａ、第２の側面側壁部５６ｂ、第１の端面側壁部５６ｃおよび第２の端面側壁部５６ｄとを備えている。
第１の側面側壁部５６ａと第２の側面側壁部５６ｂとは、幅方向ｙで対向するように底面部５２の上面５２ａに配置され、第１の端面側壁部５６ｃと第２の端面側壁部５６ｄとは、長さ方向ｚで対向するように底面部５２の上面５２ａに配置される。
第１の端面側壁部５６ｃには第１の切り欠き部５８ａが設けられる。第２の端面側壁部５６ｄには第２の切り欠き部５８ｂが設けられる。
巻軸部５４は、中心軸Ａに略垂直方向の断面はオーバル形状もしくは略楕円形状である。巻軸部５４は、図１７に示すように、底面部５２から離れるに従って先細りになっていてもよい。つまり、巻軸部５４は、底面部５２に接続する根元よりも先端部５４ａの方が細くなっていてもよい。
【0106】
次に、第２の成形体６０の構造について説明する。
第２の成形体６０は、図１７に示すように、第１の主面６０ａおよび第２の主面６０ｂが略矩形の板状の部材である。
第２の成形体６０は、図１７に示すように、第１の主面６０ａおよび第２の主面６０ｂが略矩形の板状の部材である。
【0107】
上述した第１の成形体５０および第２の成形体６０は次のようにして製造される。
まず、造粒粉を製造する工程において製造された造粒粉を第１の成形体となるような金型を用いて成形される。このとき、温度は室温に設定され、５０ＭＰａで加圧される。次に、製造された造粒粉を第２の成形体となるような金型を用いて成形される。このとき、温度は室温に設定され、５０ＭＰａで加圧される。
まず、造粒粉を製造する工程において製造された造粒粉を第１の成形体となるような金型を用いて成形される。このとき、温度は室温に設定され、５０ＭＰａで加圧される。次に、製造された造粒粉を第２の成形体となるような金型を用いて成形される。このとき、温度は室温に設定され、５０ＭＰａで加圧される。
【0108】
上述したように製造された第１の成形体および第２の成形体に対して、さらに、温度１００℃を１０秒与え、仮硬化される。
以上より、第１の成形体５０および第２の成形体６０が製造される。
以上より、第１の成形体５０および第２の成形体６０が製造される。
【0109】
（ｃ）素体を製造する工程
続いて、製造された第１の成形体５０および第２の成形体６０を用いて、コイル導体１６が埋設された素体１２を製造する。
続いて、製造された第１の成形体５０および第２の成形体６０を用いて、コイル導体１６が埋設された素体１２を製造する。
【0110】
図１７に示すように、第１の成形体５０の底面部５２の上面５２ａと第２の成形体６０の一方の主面６０ａ（または６０ｂ）とを対向させて、第１の成形体５０および第２の成形体６０の間に、コイル導体１６を組み込む。そして、第１の成形体５０および第２の成形体６０、コイル導体１６を挟み込んだ状態で接合される。
【0111】
より詳細には、まず、第１の成形体５０が、素体成形用の金型のキャビティに収容される。
続いて、第１の成形体５０の巻軸部５４が巻回部１８の中空領域２０内に配置されるように、コイル導体１６を第１の成形体５０と第２の成形体６０との間に配置する。このとき、コイル導体１６の第１の引出部２２ａが第１の成形体５０の第１の切り欠き部５８ａから引き出され、第２の引出部２２ｂが第１の成形体５０の第２の切り欠き部５８ｂから引き出されるようにコイル導体１６を配置する。なお、このコイル導体１６の表面には絶縁被膜が形成される。
そして、コイル導体１６の配置された第１の成形体５０を覆うように第２の成形体６０が載置される。
続いて、第１の成形体５０に第２の成形体６０が載置された状態で、２００℃に加温される。そして、加温された状態で、１０ＭＰａで１２０秒加圧して、熱成形される。
続いて、第１の成形体５０の巻軸部５４が巻回部１８の中空領域２０内に配置されるように、コイル導体１６を第１の成形体５０と第２の成形体６０との間に配置する。このとき、コイル導体１６の第１の引出部２２ａが第１の成形体５０の第１の切り欠き部５８ａから引き出され、第２の引出部２２ｂが第１の成形体５０の第２の切り欠き部５８ｂから引き出されるようにコイル導体１６を配置する。なお、このコイル導体１６の表面には絶縁被膜が形成される。
そして、コイル導体１６の配置された第１の成形体５０を覆うように第２の成形体６０が載置される。
続いて、第１の成形体５０に第２の成形体６０が載置された状態で、２００℃に加温される。そして、加温された状態で、１０ＭＰａで１２０秒加圧して、熱成形される。
【0112】
以上のようにして、素体１２が製造される。
【0113】
（ｄ）外部電極を形成する工程
次に、素体１２の第１の端面１２ｅに第１の外部電極３０ａが形成され、第２の端面１２ｆに第２の外部電極３０ｂが形成される。
次に、素体１２の第１の端面１２ｅに第１の外部電極３０ａが形成され、第２の端面１２ｆに第２の外部電極３０ｂが形成される。
【0114】
続いて、素体１２の第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆに下地電極層となるＡｇ含有導電性ペーストを塗布し、下地電極層を形成する。下地電極層として樹脂電極層を形成する場合には、樹脂成分と金属とを含む導電性ペーストを例えばディッピングなどの方法により、塗布し、その後、熱硬化処理を行い、下地電極層が形成される。この時の熱硬化処理の温度は、１２０℃以上２００℃以下であることが好ましい。
【0115】
次に、下地電極層の表面にめっき層が形成される。より詳細には、下地電極層上に、Ｎｉめっき層およびＮｉめっき層上にＳｎめっき層が形成され、外部電極３０が形成される。これにより、コイル導体１６の第１の露出部２４ａは、第１の外部電極３０ａと電気的に接続され、コイル導体１６の第２の露出部２４ｂは、第２の外部電極３０ｂと電気的に接続される。めっき処理を行うにあたっては、無電解めっきにより形成されてもよい。
【0116】
上述のようにして、コイル部品１０が製造される。
【0117】
なお、以上のように、本発明の実施の形態は、前記記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。
すなわち、本発明の技術的思想及び目的の範囲から逸脱することなく、以上説明した実施の形態に対し、機序、形状、材質、数量、位置又は配置等に関して、様々の変更を加えることができるものであり、それらは、本発明に含まれるものである。
すなわち、本発明の技術的思想及び目的の範囲から逸脱することなく、以上説明した実施の形態に対し、機序、形状、材質、数量、位置又は配置等に関して、様々の変更を加えることができるものであり、それらは、本発明に含まれるものである。
【符号の説明】
【0118】
１０ コイル部品
１２ 素体
１２ａ 第１の主面
１２ｂ 第２の主面
１２ｃ 第１の側面
１２ｄ 第２の側面
１２ｅ 第１の端面
１２ｆ 第２の端面
１４ 磁性体部
１６ コイル導体
１８ 巻回部
２０ 中空領域
２２ａ 第１の引出部
２２ｂ 第２の引出部
２４ａ 第１の露出部
２４ｂ 第２の露出部
３０ 外部電極
３０ａ 第１の外部電極
３０ｂ 第２の外部電極
３２ａ 第１の下地電極層
３２ｂ 第２の下地電極層
３４ａ 第１のめっき層
３４ｂ 第２のめっき層
３６ａ 第１のＮｉめっき層
３６ｂ 第２のＮｉめっき層
３８ａ 第１のＳｎめっき層
３８ｂ 第２のＳｎめっき層
４０ 第１の金属磁性体粒子
４０ａ 凹部
４０ｂ 開口部
４２ 第２の金属磁性体粒子
４４ 無機成分粒子
４６ 絶縁被膜
５０ 第１の成形体
５２ 底面部
５２ａ 上面
５２ｂ 下面
５４ 巻軸部
５４ａ 先端部
５６ａ 第１の側面側壁部
５６ｂ 第２の側面側壁部
５６ｃ 第１の端面側壁部
５６ｄ 第２の端面側壁部
５８ａ 第１の切り欠き部
５８ｂ 第２の切り欠き部
６０ 第２の成形体
６０ａ 第１の主面
６０ｂ 第２の主面
ｘ 加圧方向（高さ方向）
ｙ 幅方向
ｚ 長さ方向
１２ 素体
１２ａ 第１の主面
１２ｂ 第２の主面
１２ｃ 第１の側面
１２ｄ 第２の側面
１２ｅ 第１の端面
１２ｆ 第２の端面
１４ 磁性体部
１６ コイル導体
１８ 巻回部
２０ 中空領域
２２ａ 第１の引出部
２２ｂ 第２の引出部
２４ａ 第１の露出部
２４ｂ 第２の露出部
３０ 外部電極
３０ａ 第１の外部電極
３０ｂ 第２の外部電極
３２ａ 第１の下地電極層
３２ｂ 第２の下地電極層
３４ａ 第１のめっき層
３４ｂ 第２のめっき層
３６ａ 第１のＮｉめっき層
３６ｂ 第２のＮｉめっき層
３８ａ 第１のＳｎめっき層
３８ｂ 第２のＳｎめっき層
４０ 第１の金属磁性体粒子
４０ａ 凹部
４０ｂ 開口部
４２ 第２の金属磁性体粒子
４４ 無機成分粒子
４６ 絶縁被膜
５０ 第１の成形体
５２ 底面部
５２ａ 上面
５２ｂ 下面
５４ 巻軸部
５４ａ 先端部
５６ａ 第１の側面側壁部
５６ｂ 第２の側面側壁部
５６ｃ 第１の端面側壁部
５６ｄ 第２の端面側壁部
５８ａ 第１の切り欠き部
５８ｂ 第２の切り欠き部
６０ 第２の成形体
６０ａ 第１の主面
６０ｂ 第２の主面
ｘ 加圧方向（高さ方向）
ｙ 幅方向
ｚ 長さ方向
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】