(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023147184
(43)【公開日】2023-10-12
(54)【発明の名称】電子部品
(51)【国際特許分類】
H03H 7/09 20060101AFI20231004BHJP
H01F 27/00 20060101ALI20231004BHJP
H01F 17/00 20060101ALI20231004BHJP
H01F 27/28 20060101ALI20231004BHJP
【ＦＩ】
H03H7/09 Z
H01F27/00 S
H01F17/00 A
H01F27/28 K
H01F27/28 104
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023003718
(22)【出願日】2023-01-13
(31)【優先権主張番号】P 2022053161
(32)【優先日】2022-03-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000003067
【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088155
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 芳樹
(74)【代理人】
【識別番号】100113435
【弁理士】
【氏名又は名称】黒木 義樹
(74)【代理人】
【識別番号】100124062
【弁理士】
【氏名又は名称】三上 敬史
(72)【発明者】
【氏名】大橋 武
(72)【発明者】
【氏名】中澤 道幸
(72)【発明者】
【氏名】大塚 隆史
【テーマコード（参考）】
5E043
5E070
5J024
【Ｆターム（参考）】
5E043AA08
5E070AA05
5E070AB03
5E070CB02
5E070CB20
5J024AA02
5J024BA11
5J024CA04
5J024CA06
5J024DA04
5J024DA29
5J024DA31
5J024DA33
5J024DA34
5J024DA35
5J024EA03
(57)【要約】
【課題】インダクタの磁気結合の微調整を行うことができる電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品１では、第一インダクタＬ１と第二インダクタＬ２とは、第一方向Ｄ１において並んで配置され、第一インダクタＬ１と第二インダクタＬ２とが第一方向Ｄ１において隣り合う領域Ｒにおいて、インダクタパターン７９の上面７９Ｓ１とインダクタパターン８０の上面８０Ｓ１との第二方向Ｄ２における位置、及び、インダクタパターン７９の下面７９Ｓ２とインダクタパターン８０の下面８０Ｓ２との第二方向Ｄ２における位置の少なくとも一方が異なる。
【選択図】図７
【解決手段】電子部品１では、第一インダクタＬ１と第二インダクタＬ２とは、第一方向Ｄ１において並んで配置され、第一インダクタＬ１と第二インダクタＬ２とが第一方向Ｄ１において隣り合う領域Ｒにおいて、インダクタパターン７９の上面７９Ｓ１とインダクタパターン８０の上面８０Ｓ１との第二方向Ｄ２における位置、及び、インダクタパターン７９の下面７９Ｓ２とインダクタパターン８０の下面８０Ｓ２との第二方向Ｄ２における位置の少なくとも一方が異なる。
【選択図】図７
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第一方向において互いに対向している一対の端面と、第二方向において互いに対向している一対の主面と、第三方向において互いに対向している一対の側面と、を有している素体と、
前記素体内に配置されていると共に共振器を構成しているインダクタ及びキャパシタと、を備え、
前記インダクタは、第一インダクタパターンを含んで構成される第一インダクタと、第二インダクタパターンを含んで構成される第二インダクタと、を有し、
前記第一インダクタパターンは、前記第二方向において一方の前記主面寄りに位置している第一面と、前記第二方向において他方の前記主面寄りに位置している第二面と、を有し、
前記第二インダクタパターンは、前記第二方向において一方の前記主面寄りに位置している第三面と、前記第二方向において他方の前記主面寄りに位置している第四面と、を有し、
前記第一インダクタと前記第二インダクタとは、前記第二方向から見て並んで配置され、
前記第一インダクタと前記第二インダクタとが隣り合う領域において、前記第一インダクタパターンの前記第一面と前記第二インダクタパターンの前記第三面との前記第二方向における位置、及び、前記第一インダクタパターンの前記第二面と前記第二インダクタパターンの前記第四面との前記第二方向における位置の少なくとも一方が異なる、電子部品。
前記素体内に配置されていると共に共振器を構成しているインダクタ及びキャパシタと、を備え、
前記インダクタは、第一インダクタパターンを含んで構成される第一インダクタと、第二インダクタパターンを含んで構成される第二インダクタと、を有し、
前記第一インダクタパターンは、前記第二方向において一方の前記主面寄りに位置している第一面と、前記第二方向において他方の前記主面寄りに位置している第二面と、を有し、
前記第二インダクタパターンは、前記第二方向において一方の前記主面寄りに位置している第三面と、前記第二方向において他方の前記主面寄りに位置している第四面と、を有し、
前記第一インダクタと前記第二インダクタとは、前記第二方向から見て並んで配置され、
前記第一インダクタと前記第二インダクタとが隣り合う領域において、前記第一インダクタパターンの前記第一面と前記第二インダクタパターンの前記第三面との前記第二方向における位置、及び、前記第一インダクタパターンの前記第二面と前記第二インダクタパターンの前記第四面との前記第二方向における位置の少なくとも一方が異なる、電子部品。
【請求項2】
前記第一インダクタと前記第二インダクタとが隣り合う前記領域において、前記第一インダクタパターンの数と前記第二インダクタパターンの数とが異なる、請求項１に記載の電子部品。
【請求項3】
前記第一インダクタと前記第二インダクタとが隣り合う前記領域において、前記第一インダクタパターンと前記第二インダクタパターンとは、前記第一方向において互いに対向する部分を有する、請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項4】
前記第二インダクタパターンは、複数の前記第一インダクタパターンに対して対向する部分を有する、請求項３に記載の電子部品。
【請求項5】
前記第一インダクタパターンと前記第二インダクタパターンとは、前記第二方向における厚みが異なる、請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項6】
第一方向において互いに対向している一対の端面と、第二方向において互いに対向している一対の主面と、第三方向において互いに対向している一対の側面と、を有している素体と、
前記素体内に配置されていると共に共振器を構成しているインダクタと、を備え、
前記インダクタは、第一インダクタパターンを含んで構成される第一インダクタと、第二インダクタパターンを含んで構成される第二インダクタと、を有し、
前記第一インダクタパターンは、前記第二方向において一方の前記主面寄りに位置している第一面と、前記第二方向において他方の前記主面寄りに位置している第二面と、を有し、
前記第二インダクタパターンは、前記第二方向において一方の前記主面寄りに位置している第三面と、前記第二方向において他方の前記主面寄りに位置している第四面と、を有し、
前記第一インダクタと前記第二インダクタとは、前記第二方向から見て並んで配置され、
前記第一インダクタと前記第二インダクタとが隣り合う領域において、前記第一インダクタパターンの前記第一面と前記第二インダクタパターンの前記第三面との前記第二方向における位置、及び、前記第一インダクタパターンの前記第二面と前記第二インダクタパターンの前記第四面との前記第二方向における位置の少なくとも一方が異なる、電子部品。
前記素体内に配置されていると共に共振器を構成しているインダクタと、を備え、
前記インダクタは、第一インダクタパターンを含んで構成される第一インダクタと、第二インダクタパターンを含んで構成される第二インダクタと、を有し、
前記第一インダクタパターンは、前記第二方向において一方の前記主面寄りに位置している第一面と、前記第二方向において他方の前記主面寄りに位置している第二面と、を有し、
前記第二インダクタパターンは、前記第二方向において一方の前記主面寄りに位置している第三面と、前記第二方向において他方の前記主面寄りに位置している第四面と、を有し、
前記第一インダクタと前記第二インダクタとは、前記第二方向から見て並んで配置され、
前記第一インダクタと前記第二インダクタとが隣り合う領域において、前記第一インダクタパターンの前記第一面と前記第二インダクタパターンの前記第三面との前記第二方向における位置、及び、前記第一インダクタパターンの前記第二面と前記第二インダクタパターンの前記第四面との前記第二方向における位置の少なくとも一方が異なる、電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
従来の電子部品として、たとえば、特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１に記載の電子部品は、少なくとも三つのインダクタが同一の素子本体内に形成されるように、導電パターンが形成された絶縁層が複数積層されている。電子部品では、三つのインダクタをそれぞれ形成するための第一コイルパターン（インダクタパターン）、第二コイルパターン、及び第三コイルパターンのうちのいずれか一つのパターンが、他の二つのコイルパターンとは異なる積層位置に形成してあり、これらの間の電磁結合が、それらの間に存在する絶縁層を介して積層方向に行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００６－２６９６５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
従来の電子部品では、インダクタは、インダクタパターンが形成された絶縁層が積層されることにより構成されている。この構成では、隣り合うインダクタにおいて、インダクタパターンは、同じ層（位置）又は異なる層に配置される。たとえば、インダクタ同士の磁気結合の結合度を低下させるために、一方のインダクタのインダクタパターンと他方のインダクタのインダクタパターンとを異なる層に配置した場合、少なくとも絶縁層の一層分の距離だけ離れる。そのため、従来の電子部品では、インダクタの磁気結合の微調整を行うことができなった。
【0005】
本発明の一側面は、インダクタの磁気結合の微調整を行うことができる電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
（１）本発明の一側面に係る電子部品は、第一方向において互いに対向している一対の端面と、第二方向において互いに対向している一対の主面と、第三方向において互いに対向している一対の側面と、を有している素体と、素体内に配置されていると共に共振器を構成しているインダクタ及びキャパシタと、を備え、インダクタは、第一インダクタパターンを含んで構成される第一インダクタと、第二インダクタパターンを含んで構成される第二インダクタと、を有し、第一インダクタパターンは、第二方向において一方の主面寄りに位置している第一面と、第二方向において他方の主面寄りに位置している第二面と、を有し、第二インダクタパターンは、第二方向において一方の主面寄りに位置している第三面と、第二方向において他方の主面寄りに位置している第四面と、を有し、第一インダクタと第二インダクタとは、第二方向から見て並んで配置され、第一インダクタと第二インダクタとが隣り合う領域において、第一インダクタパターンの第一面と第二インダクタパターンの第三面との第二方向における位置、及び、第一インダクタパターンの第二面と第二インダクタパターンの第四面との第二方向における位置の少なくとも一方が異なる。
【0007】
本発明の一側面に係る電子部品では、第一インダクタと第二インダクタとが隣り合う領域において、第一インダクタパターンの第一面と第二インダクタパターンの第三面との第二方向における位置、及び、第一インダクタパターンの第二面と第二インダクタパターンの第四面との第二方向における位置の少なくとも一方が異なる。このように、第一インダクタと第二インダクタとが隣り合う領域、すなわち磁気結合する部分において、第一インダクタパターンの第一面と第二インダクタパターンの第三面との位置、及び／又は、第一インダクタパターンの第二面と第二インダクタの第四面との位置を異ならせると、第一インダクタと第二インダクタとの磁気結合の結合度が変化する。このように、電子部品では、絶縁層の厚みに依存することなく、第一インダクタと第二インダクタとの磁気結合を調整することができる。したがって、電子部品では、インダクタの磁気結合の微調整することができる。
【0008】
（２）上記（１）の電子部品において、第一インダクタと第二インダクタとが隣り合う領域において、第一インダクタパターンの数と第二インダクタパターンの数とが異なっていてもよい。このように、第一インダクタパターンと第二インダクタパターンとの数を異ならせることによって、第一インダクタと第二インダクタとの磁気結合を調整することができる。
【0009】
（３）上記（１）又は（２）の電子部品において、第一インダクタと第二インダクタとが隣り合う領域において、第一インダクタパターンと第二インダクタパターンとは、第一方向において互いに対向する部分を有していてもよい。この構成では、第一インダクタパターンと第二インダクタパターンとが対向する部分を有しているため、第一インダクタと第二インダクタとの磁気結合を磁気結合の結合度を微調整することができる。
【0010】
（４）上記（３）の電子部品において、第二インダクタパターンは、複数の第一インダクタパターンに対して対向する部分を有していてもよい。この構成では、第一インダクタと第二インダクタとの磁気結合の結合度を高めることができる。
【0011】
（５）上記（１）～（４）のいずれか一つの電子部品において、第一インダクタパターンと第二インダクタパターンとは、第二方向における厚みが異なっていてもよい。この構成では、第一インダクタと第二インダクタとが第一方向において隣り合う領域において、第一インダクタパターンの第一面と第二インダクタパターンの第三面との第二方向における位置、及び、第一インダクタパターンの第二面と第二インダクタパターンの第四面との第二方向における位置の少なくとも一方が異なる構成とすることができる。
【0012】
（６）本発明の一側面に係る電子部品は、第一方向において互いに対向している一対の端面と、第二方向において互いに対向している一対の主面と、第三方向において互いに対向している一対の側面と、を有している素体と、素体内に配置されていると共に共振器を構成しているインダクタと、を備え、インダクタは、第一インダクタパターンを含んで構成される第一インダクタと、第二インダクタパターンを含んで構成される第二インダクタと、を有し、第一インダクタパターンは、第二方向において一方の主面寄りに位置している第一面と、第二方向において他方の主面寄りに位置している第二面と、を有し、第二インダクタパターンは、第二方向において一方の主面寄りに位置している第三面と、第二方向において他方の主面寄りに位置している第四面と、を有し、第一インダクタと第二インダクタとは、第二方向から見て並んで配置され、第一インダクタと第二インダクタとが隣り合う領域において、第一インダクタパターンの第一面と第二インダクタパターンの第三面との第二方向における位置、及び、第一インダクタパターンの第二面と第二インダクタパターンの第四面との第二方向における位置の少なくとも一方が異なる。
【0013】
本発明の一側面に係る電子部品では、第一インダクタと第二インダクタとが隣り合う領域において、第一インダクタパターンの第一面と第二インダクタパターンの第三面との第二方向における位置、及び、第一インダクタパターンの第二面と第二インダクタパターンの第四面との第二方向における位置の少なくとも一方が異なる。このように、第一インダクタと第二インダクタとが隣り合う領域、すなわち磁気結合する部分において、第一インダクタパターンの第一面と第二インダクタパターンの第三面との位置、及び／又は、第一インダクタパターンの第二面と第二インダクタの第四面との位置を異ならせると、第一インダクタと第二インダクタとの磁気結合の結合度が変化する。このように、電子部品では、絶縁層の厚みに依存することなく、第一インダクタと第二インダクタとの磁気結合を調整することができる。したがって、電子部品では、インダクタの磁気結合の微調整することができる。
【発明の効果】
【0014】
本発明の一側面によれば、インダクタの磁気結合の微調整を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
【0017】
［第一実施形態］
図１は、第一実施形態に係る電子部品の斜視図である。図２は、図１に示す電子部品を絶縁体側から見た図である。図３は、図１に示す電子部品を基板側からみた図である。図４（ａ）は、電子部品の側面図であり、図４（ｂ）は、電子部品の端面図である。
図１は、第一実施形態に係る電子部品の斜視図である。図２は、図１に示す電子部品を絶縁体側から見た図である。図３は、図１に示す電子部品を基板側からみた図である。図４（ａ）は、電子部品の側面図であり、図４（ｂ）は、電子部品の端面図である。
【0018】
図１に示される電子部品１は、ＬＣフィルタである。電子部品１は、いわゆる薄膜ＬＣフィルタである。図１及び図２に示されるように、電子部品１は、基板２と、絶縁体（素体）３と、絶縁体３に配置された第一端子電極４、第二端子電極５、第三端子電極６、第四端子電極７、第五端子電極８及び第六端子電極９と、を備えている。
【0019】
基板２は、直方体形状を呈している。直方体形状には、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状が含まれる。基板２は、その外表面として、互いに対向している一対の端面２ａ，２ｂと、互いに対向している一対の主面２ｃ，２ｄと、互いに対向している一対の側面２ｅ，２ｆと、を有している。
【0020】
一対の端面２ａ，２ｂが対向している対向方向が第一方向Ｄ１である。一対の主面２ｃ，２ｄが対向している対向方向が第二方向Ｄ２である。一対の側面２ｅ，２ｆが対向している対向方向が第三方向Ｄ３である。本実施形態では、第一方向Ｄ１は、基板２の長手方向である。第二方向Ｄ２は、基板２の高さ方向であり、第一方向Ｄ１と直交している。第三方向Ｄ３は、基板２の幅方向であり、第一方向Ｄ１と第二方向Ｄ２とに直交している。
【0021】
一対の端面２ａ，２ｂは、一対の主面２ｃ，２ｄの間を連結するように第二方向Ｄ２に延びている。一対の端面２ａ，２ｂは、第三方向Ｄ３にも延びている。一対の側面２ｅ，２ｆは、一対の主面２ｃ，２ｄの間を連結するように第二方向Ｄ２に延びている。一対の側面２ｅ，２ｆは、第一方向Ｄ１にも延びている。
【0022】
基板２は、化学的・熱的に安定で応力発生が少なく、表面の平滑性を保つことができる材料で形成されている。当該材料としては、特に限定されるものではないが、シリコン単結晶、アルミナ、サファイア、窒化アルミ、ＭｇＯ単結晶、ＳｒＴｉＯ３単結晶、表面酸化シリコン、ガラス、石英、フェライトなどを用いることができる。
【0023】
絶縁体３は、直方体形状を呈している。絶縁体３は、その外表面として、互いに対向している一対の端面３ａ，３ｂと、互いに対向している一対の主面３ｃ，３ｄと、互いに対向している一対の側面３ｅ，３ｆと、を有している。一対の端面３ａ，３ｂは、第一方向Ｄ１において対向している。一対の主面３ｃ，３ｄは、第二方向Ｄ２において対向している。一対の側面３ｅ，３ｆは、第三方向Ｄ３において対向している。
【0024】
一対の端面３ａ，３ｂは、一対の主面３ｃ，３ｄの間を連結するように第二方向Ｄ２に延びている。一対の端面３ａ，３ｂは、第三方向Ｄ３にも延びている。一対の側面３ｅ，３ｆは、一対の主面３ｃ，３ｄの間を連結するように第二方向Ｄ２に延びている。一対の側面３ｅ，３ｆは、第一方向Ｄ１にも延びている。絶縁体３の第一方向Ｄ１の寸法は、基板２の第一方向Ｄ１の寸法と同等である。絶縁体３の第三方向Ｄ３の寸法は、基板２の第三方向Ｄ３の寸法と同等である。
【0025】
なお、本実施形態で「同等」とは、等しいことに加えて、予め設定した範囲での微差又は製造誤差などを含んだ値を同等としてもよい。たとえば、複数の値が、当該複数の値の平均値の±５％の範囲内に含まれているのであれば、当該複数の値は同等であると規定する。
【0026】
絶縁体３は、複数の絶縁体層が積層されることによって構成されている。絶縁体層は、ポリイミドなどの有機絶縁材料からなる。絶縁体層は、第二方向Ｄ２に積層されている。すなわち、第二方向Ｄ２が積層方向である。実際の絶縁体３では、複数の絶縁体層は、その層間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【0027】
基板２と絶縁体３とは、一体に設けられている。基板２と絶縁体３とは、主面２ｃと主面３ｄとが対向するように配置されている。基板２と絶縁体３との間には、平坦化層１０が配置されている。平坦化層１０は、基板２の主面２ｃと絶縁体３の主面３ｄとの間に配置されている。平坦化層１０としては、アルミナ、酸化シリコンなどを用いることができる。
【0028】
図１及び図３に示されるように、第一端子電極４、第二端子電極５、第三端子電極６、第四端子電極７、第五端子電極８及び第六端子電極９は、絶縁体３の主面３ｃに配置されている。第四端子電極７及び第六端子電極９は、入出力端子である。第一端子電極４、第二端子電極５、第三端子電極６及び第五端子電極８は、グラウンド端子である。
【0029】
第一端子電極４、第二端子電極５、第三端子電極６、第四端子電極７、第五端子電極８及び第六端子電極９は、平面視において、略長方形状を呈している。長方形状には、角部及び稜線部が面取りされている形状、及び、角部及び稜線部が丸められている形状が含まれる。第一端子電極４、第三端子電極６、第四端子電極７及び第六端子電極９は、一つの角部が丸められている（湾曲している）形状を呈している。
【0030】
第一端子電極４は、端面３ａ寄りで且つ側面３ｅ寄りの位置に配置されている。第二端子電極５は、端面３ａと端面３ｂとの間で且つ側面３ｅ寄りの位置に配置されている。第三端子電極６は、端面３ｂ寄りで且つ側面３ｅ寄りの位置に配置されている。第四端子電極７は、端面３ａ寄りで且つ側面３ｆ寄りの位置に配置されている。第五端子電極８は、端面３ａと端面３ｂとの間で且つ側面３ｆ寄りの位置に配置されている。第六端子電極９は、端面３ｂ寄りで且つ側面３ｆ寄りの位置に配置されている。
【0031】
第一端子電極４、第二端子電極５及び第三端子電極６は、第一方向Ｄ１において所定の間隔をあけて配置されている。第四端子電極７、第五端子電極８及び第六端子電極９は、第一方向Ｄ１において所定の間隔をあけて配置されている。第一端子電極４と第四端子電極７とは、第三方向Ｄ３において所定の間隔をあけて配置されている。第二端子電極５と第五端子電極８とは、第三方向Ｄ３において所定の間隔をあけて配置されている。第三端子電極６と第六端子電極９とは、第三方向Ｄ３において所定の間隔をあけて配置されている。
【0032】
第一端子電極４、第二端子電極５、第三端子電極６、第四端子電極７、第五端子電極８及び第六端子電極９は、たとえば、金、ニッケル、銅、銀などで形成することができる。
【0033】
電子部品１は、絶縁体３内にＬＣフィルタ部１１が配置されている。図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）、図５（ｄ）、図５（ｅ）、図５（ｆ）、図５（ｇ）及び図５（ｈ）は、ＬＣフィルタ部１１を構成する導体パターンを示す図である。電子部品１では、基板２側（絶縁体３の主面３ｄ側）から、図５（ｈ）、図５（ｇ）、図５（ｆ）、図５（ｅ）、図５（ｄ）、図５（ｃ）、図５（ｂ）及び図５（ａ）に示される順に導体パターンが配置されている。導体パターンには、インダクタパターン、キャパシタパターン及びスルーホールパターンが含まれている。導体パターンは、たとえば、銅で形成することができる。なお、スルーホールパターンは、ビアパターンであってもよい。
【0034】
図５（ｈ）に示されるように、ＬＣフィルタ部１１は、導体パターン２０、導体パターン２１、導体パターン２２、導体パターン２３、導体パターン２４、導体パターン２５、導体パターン２６、導体パターン２７及び導体パターン２８を有している。導体パターン２０～２８は、平坦化層１０上に配置されている。
【0035】
図５（ｇ）に示されるように、ＬＣフィルタ部１１は、キャパシタパターン２９、キャパシタパターン３０、キャパシタパターン３１、キャパシタパターン３２、キャパシタパターン３３、キャパシタパターン３４、キャパシタパターン３５、キャパシタパターン３６、キャパシタパターン３７及びキャパシタパターン３８を有している。
【0036】
図５（ｆ）に示されるように、ＬＣフィルタ部１１は、スルーホールパターン３９、スルーホールパターン４０、スルーホールパターン４１、スルーホールパターン４２、スルーホールパターン４３、スルーホールパターン４４、スルーホールパターン４５、スルーホールパターン４６、スルーホールパターン４７、スルーホールパターン４８、スルーホールパターン４９、スルーホールパターン５０、スルーホールパターン５１、スルーホールパターン５２、スルーホールパターン５３及びスルーホールパターン５４を有している。
【0037】
図５（ｅ）に示されるように、ＬＣフィルタ部１１は、インダクタパターン（第一インダクタパターン）５５、導体パターン５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃ、インダクタパターン（第一インダクタパターン）５７、導体パターン５８、導体パターン５９、導体パターン６０、導体パターン６１、導体パターン６２、導体パターン６３及び導体パターン６４を有している。インダクタパターン５５は、第一方向Ｄ１において、端面２ａ寄りに配置されている。インダクタパターン５７は、第一方向Ｄ１において、端面２ｂ寄りに配置されている。
【0038】
図５（ｄ）に示されるように、ＬＣフィルタ部１１は、スルーホールパターン６５、スルーホールパターン６６、スルーホールパターン６７、スルーホールパターン６８、スルーホールパターン６９、スルーホールパターン７０、スルーホールパターン７１、スルーホールパターン７２、スルーホールパターン７３、スルーホールパターン７４、スルーホールパターン７５、スルーホールパターン７６、スルーホールパターン７７及びスルーホールパターン７８を有している。
【0039】
図５（ｃ）に示されるように、ＬＣフィルタ部１１は、インダクタパターン（第一インダクタパターン）７９、インダクタパターン（第二インダクタパターン）８０、インダクタパターン（第一インダクタパターン）８１、導体パターン８２、導体パターン８３及び導体パターン８４を有している。
【0040】
インダクタパターン７９は、第一方向Ｄ１において、端面２ａ寄りに配置されている。インダクタパターン８１は、第一方向Ｄ１において、端面２ｂ寄りに配置されている。インダクタパターン８０は、第一方向Ｄ１において、インダクタパターン７９とインダクタパターン８１との間に配置されている。インダクタパターン７９、インダクタパターン８０及びインダクタパターン８１は、第二方向Ｄ２から見て、第一方向Ｄ１において並んで配置されている。本実施形態において、並んで配置されるとは、インダクタパターンを端面３ａ，３ｂ又は側面３ｅ，３ｆから任意の方向に沿って見た場合に、二つのインダクタパターンの少なくとも一部が重なる（重複する部分を有する）ことを意味する。
【0041】
図５（ｂ）に示されるように、ＬＣフィルタ部１１は、スルーホールパターン８５、スルーホールパターン８６、スルーホールパターン８７、スルーホールパターン８８、スルーホールパターン８９及びスルーホールパターン９０を有している。
【0042】
図５（ａ）に示されるように、電子部品１は、第一端子電極４、第二端子電極５、第三端子電極６、第四端子電極７、第五端子電極８及び第六端子電極９を有している。
【0043】
図５（ｅ）に示されるように、インダクタパターン５５は、第三方向Ｄ３に沿って延在する第一パターン部５５ａと、第一パターン部５５ａの端部に接続されると共に第一方向Ｄ１に沿って延在する第二パターン部５５ｂと、第二パターン部５５ｂの端部に接続されると共に第三方向Ｄ３に沿って延在する第三パターン部５５ｃと、第三パターン部５５ｃの端部に接続されると共に第一方向Ｄ１に沿って延在する第四パターン部５５ｅと、を有している。第一パターン部５５ａは、端面３ａ寄りに配置されている。第一パターン部５５ａと第三パターン部５５ｃとは、第一方向Ｄ１において離間している。第二パターン部５５ｂと第四パターン部５５ｄとは、第三方向Ｄ３において離間している。
【0044】
インダクタパターン５５には、パッド５５Ｐが設けられている。パッド５５Ｐは、第二パターン部５５ｂから側面３ｅに向かって突出している。パッド５５Ｐは、第二方向Ｄ２から見て、第一端子電極４と第二端子電極５との間の領域に位置している。パッド５５Ｐは、スルーホールパターン４４を介して、キャパシタパターン２９に接続されている。
【0045】
インダクタパターン５７は、第三方向Ｄ３に沿って延在する第一パターン部５７ａと、第一パターン部５７ａの端部に接続されると共に第一方向Ｄ１に沿って延在する第二パターン部５７ｂと、第二パターン部５７ｂの端部に接続されると共に第三方向Ｄ３に沿って延在する第三パターン部５７ｃと、第三パターン部５７ｃの端部に接続されると共に第一方向Ｄ１に沿って延在する第四パターン部５７ｅと、を有している。第一パターン部５７ａは、端面３ｂ寄りに配置されている。第一パターン部５７ａと第三パターン部５７ｃとは、第一方向Ｄ１において離間している。第二パターン部５７ｂと第四パターン部５７ｄとは、第三方向Ｄ３において離間している。
【0046】
インダクタパターン５７には、パッド５７Ｐが設けられている。パッド５７Ｐは、第二パターン部５７ｂからから側面３ｅに向かって突出している。パッド５７Ｐは、第二方向Ｄ２から見て、第二端子電極５と第三端子電極６との間の領域に位置している。パッド５７Ｐは、スルーホールパターン４５を介して、キャパシタパターン３０に接続されている。
【0047】
図５（ｃ）に示されるように、インダクタパターン７９は、第三方向Ｄ３に沿って延在する第一パターン部７９ａと、第一パターン部７９ａの端部に接続されると共に第一方向Ｄ１に沿って延在する第二パターン部７９ｂと、第二パターン部７９ｂの端部に接続されると共に第三方向Ｄ３に沿って延在する第三パターン部７９ｃと、第三パターン部７９ｃの端部に接続されると共に第一方向Ｄ１に沿って延在する第四パターン部７９ｄと、を有している。第一パターン部７９ａは、端面３ａ寄りに配置されている。第一パターン部７９ａと第三パターン部７９ｃとは、第一方向Ｄ１において離間している。第二パターン部７９ｂと第四パターン部７９ｄとは、第三方向Ｄ３において離間している。
【0048】
インダクタパターン８０は、第一方向Ｄ１に沿って延在する第一パターン部８０ａと、第一パターン部８０ａの一端部に接続されると共に第三方向Ｄ３に沿って延在する第二パターン部８０ｂと、第一パターン部８０ａの他端部に接続されると共に第三方向Ｄ３に沿って延在する第三パターン部８０ｃと、第二パターン部８０ｂの端部に接続されると共に第一方向Ｄ１に沿って延在する第四パターン部８０ｄと、第三パターン部８０ｃの端部に接続されると共に第一方向Ｄ１に沿って延在する第五パターン部８０ｅと、を有している。第二パターン部８０ｂと第三パターン部８０ｃとは、第一方向Ｄ１において離間している。
【0049】
インダクタパターン８１は、第三方向Ｄ３に沿って延在する第一パターン部８１ａと、第一パターン部８１ａの端部に接続されると共に第一方向Ｄ１に沿って延在する第二パターン部８１ｂと、第二パターン部８１ｂの端部に接続されると共に第三方向Ｄ３に沿って延在する第三パターン部８１ｃと、第三パターン部８１ｃの端部に接続されると共に第一方向Ｄ１に沿って延在する第四パターン部８１ｅと、を有している。第一パターン部８１ａは、端面３ｂ寄りに配置されている。第一パターン部８１ａと第三パターン部８１ｃとは、第一方向Ｄ１において離間している。第二パターン部８１ｂと第四パターン部８１ｄとは、第三方向Ｄ３において離間している。
【0050】
スルーホールパターン３９は、導体パターン２０と導体パターン５８とを接続している。スルーホールパターン４０は、導体パターン２０と導体パターン５６Ａとを接続している。スルーホールパターン４１は、導体パターン２０と導体パターン５９とを接続している。スルーホールパターン４２は、導体パターン２１とインダクタパターン５５とを接続している。スルーホールパターン４３は、導体パターン２２とインダクタパターン５７とを接続している。スルーホールパターン４４は、キャパシタパターン２９とインダクタパターン５５のパッド５５Ｐとを接続している。スルーホールパターン４５は、キャパシタパターン３０とインダクタパターン５７のパッド５７Ｐとを接続している。
【0051】
スルーホールパターン４６は、キャパシタパターン３１と導体パターン５６Ｂとを接続している。スルーホールパターン４７は、キャパシタパターン３２と導体パターン５６Ｃとを接続している。スルーホールパターン４８は、キャパシタパターン３３と導体パターン６０とを接続している。スルーホールパターン４９は、キャパシタパターン３４と導体パターン６１とを接続している。スルーホールパターン５０は、キャパシタパターン３５と導体パターン６２とを接続している。スルーホールパターン５１は、キャパシタパターン３６と導体パターン６３とを接続している。スルーホールパターン５２は、キャパシタパターン３７と導体パターン６２とを接続している。スルーホールパターン５３は、キャパシタパターン３８と導体パターン６３とを接続している。スルーホールパターン５４は、導体パターン２４と導体パターン６４とを接続している。
【0052】
スルーホールパターン６５は、導体パターン５８とインダクタパターン７９とを接続している。スルーホールパターン６６は、導体パターン５６Ａとインダクタパターン８０とを接続している。スルーホールパターン６７は、導体パターン５９とインダクタパターン８１とを接続している。スルーホールパターン６８は、インダクタパターン５５と導体パターン８２とを接続している。スルーホールパターン６９は、導体パターン６４と導体パターン８４とを接続している。スルーホールパターン７０は、インダクタパターン５７と導体パターン８３とを接続している。スルーホールパターン７１は、インダクタパターン５５とインダクタパターン７９とを接続している。
【0053】
スルーホールパターン７２は、インダクタパターン５７とインダクタパターン８１とを接続している。スルーホールパターン７３は、インダクタパターン５５とインダクタパターン７９とを接続している。スルーホールパターン７４は、インダクタパターン５７とインダクタパターン８１とを接続している。スルーホールパターン７５は、導体パターン６０とインダクタパターン８０とを接続している。スルーホールパターン７６は、導体パターン６１とインダクタパターン８０とを接続している。スルーホールパターン７７は、導体パターン５６Ｂとインダクタパターン８０とを接続している。スルーホールパターン７８は、導体パターン５６Ｃとインダクタパターン８０とを接続している。
【0054】
スルーホールパターン８５は、インダクタパターン７９と第一端子電極４とを接続している。スルーホールパターン８６は、インダクタパターン８０と第二端子電極５とを接続している。スルーホールパターン８７は、インダクタパターン８１と第三端子電極６とを接続している。スルーホールパターン８８、導体パターン８２と第四端子電極７とを接続している。スルーホールパターン８９は、導体パターン８４と第五端子電極８とを接続している。スルーホールパターン９０は、導体パターン８３と第六端子電極９とを接続している。
【0055】
図６（ａ）は、図２におけるＶＩ－ＶＩ線に沿った断面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）の一部を拡大して示す図である。図６（ｂ）に示されるように、導体パターン２０とキャパシタパターン３０との間には、誘電体層１２が配置されている。誘電体層１２は、導体パターン２０～２４とキャパシタパターン２９、３１～３８との間にも配置されている。誘電体層１２は、たとえば、窒化シリコン、酸化シリコンなどの常誘電体材料、強誘電体材料などからなる無機絶縁材料で形成することができる。
【0056】
図７（ａ）は、図２におけるＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿った断面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）の一部を拡大して示す図である。本実施形態では、インダクタパターン５５、インダクタパターン５７、インダクタパターン７９、インダクタパターン８０及びインダクタパターン８１の厚み（第二方向Ｄ２の寸法）は、同等である。
【0057】
図７（ａ）に示されるように、インダクタパターン５５及びインダクタパターン７９とインダクタパターン８０とは、第一方向Ｄ１において、並んで配置されている。具体的には、インダクタパターン５５の第三パターン部５５ｃ及びインダクタパターン７９の第三パターン部７９ｃとインダクタパターン８０の第二パターン部８０ｂとが、第一方向Ｄ１において並んで配置されている。すなわち、インダクタパターン５５及びインダクタパターン７９を含んで構成される第一インダクタＬ１（図８参照）とインダクタパターン８０を含んで構成される第二インダクタＬ２（図８参照）とは、第一方向Ｄ１において隣り合うように配置されている。
【0058】
第一インダクタＬ１と第二インダクタＬ２とは、隣り合う領域Ｒ（図７（ｂ）参照）において、パターンの数が異なっている。第一インダクタＬ１と第二インダクタＬ２とが隣り合う領域Ｒにおいて、第一インダクタＬ１は、二つのインダクタパターン５５及びインダクタパターン７９が配置されており、第二インダクタＬ２は、一つのインダクタパターン８０が配置されている。第一インダクタＬ１と第二インダクタＬ２とは、隣り合う領域Ｒにおいて磁気結合している。具体的には、インダクタパターン５５及びインダクタパターン７９とインダクタパターン８０とが、領域Ｒにおいて磁気結合している。
【0059】
インダクタパターン５７及びインダクタパターン８１とインダクタパターン８０とは、第一方向Ｄ１において、並んで配置されている。具体的には、インダクタパターン５７の第三パターン部５７ｃ及びインダクタパターン８１の第三パターン部８１ｃとインダクタパターン８０の第三パターン部８０ｃとが、第一方向Ｄ１において並んで配置されている。すなわち、インダクタパターン５７及びインダクタパターン８１を含んで構成される第四インダクタＬ４（図８参照）とインダクタパターン８０を含んで構成される第三インダクタＬ３（図８参照）とは、第一方向Ｄ１において隣り合うように配置されている。
【0060】
第四インダクタＬ４と第三インダクタＬ３とは、隣り合う領域Ｒにおいて、パターンの数が異なっている。第四インダクタＬ４と第三インダクタＬ３とが隣り合う領域Ｒにおいて、第四インダクタＬ４は、二つのインダクタパターン５７及びインダクタパターン８１が配置されており、第三インダクタＬ３は、一つのインダクタパターン８０が配置されている。第四インダクタＬ４と第三インダクタＬ３とは、隣り合う領域Ｒにおいて磁気結合している。具体的には、インダクタパターン５７及びインダクタパターン８１とインダクタパターン８０とが、領域Ｒにおいて磁気結合している。
【0061】
図７（ｂ）に示されるように、インダクタパターン５５は、第二方向Ｄ２において対向する上面（第一面）５５Ｓ１及び下面（第二面）５５Ｓ２を有している。上面５５Ｓ１は、主面（一方の主面）３ｃ寄りに位置している。下面５５Ｓ２は、主面（他方の主面）３ｄ寄りに位置している。インダクタパターン７９は、第二方向Ｄ２において対向する上面（第一面）７９Ｓ１及び下面（第二面）７９Ｓ２を有している。上面７９Ｓ１は、主面３ｃ寄りに位置している。下面７９Ｓ２は、主面３ｄ寄りに位置している。インダクタパターン８０は、第二方向Ｄ２において対向する上面（第三面）８０Ｓ１及び下面（第四面）８０Ｓ２を有している。上面８０Ｓ１は、主面３ｃ寄りに位置している。下面８０Ｓ２は、主面３ｄ寄りに位置している。上面５５Ｓ１及び下面５５Ｓ２、上面７９Ｓ１及び下面７９Ｓ２、並びに、上面８０Ｓ１及び下面８０Ｓ２は、たとえば、平坦面である。
【0062】
インダクタパターン５５の上面５５Ｓ１及び下面５５Ｓ２と、インダクタパターン８０の上面８０Ｓ１及び下面８０Ｓ２とは、第二方向Ｄ２において、高さ位置が異なっている。具体的には、インダクタパターン５５の上面５５Ｓ１は、インダクタパターン８０の上面８０Ｓ１よりも第二方向Ｄ２において絶縁体３の主面３ｄ側に位置している。言い換えれば、インダクタパターン８０の上面８０Ｓ１は、インダクタパターン５５の上面５５Ｓ１よりも第二方向Ｄ２において絶縁体３の主面３ｃ側に位置している。インダクタパターン５５の下面５５Ｓ２は、インダクタパターン８０の下面８０Ｓ２よりも第二方向Ｄ２において絶縁体３の主面３ｄ側に位置している。言い換えれば、インダクタパターン８０の下面８０Ｓ２は、インダクタパターン５５の下面５５Ｓ２よりも第二方向Ｄ２において絶縁体３の主面３ｄ側に位置している。
【0063】
インダクタパターン７９の上面７９Ｓ１及び下面７９Ｓ２と、インダクタパターン８０の上面８０Ｓ１及び下面８０Ｓ２とは、第二方向Ｄ２において、高さ位置が異なっている。具体的には、インダクタパターン７９の上面７９Ｓ１は、インダクタパターン８０の上面８０Ｓ１よりも第二方向Ｄ２において絶縁体３の主面３ｃ側に位置している。言い換えれば、インダクタパターン８０の上面８０Ｓ１は、インダクタパターン７９の上面７９Ｓ１よりも第二方向Ｄ２において絶縁体３の主面３ｄ側に位置している。インダクタパターン７９の下面７９Ｓ２は、インダクタパターン８０の下面８０Ｓ２よりも第二方向Ｄ２において絶縁体３の主面３ｃ側に位置している。言い換えれば、インダクタパターン８０の下面８０Ｓ２は、インダクタパターン７９の下面７９Ｓ２よりも第二方向Ｄ２において絶縁体３の主面３ｃ側に位置している。
【0064】
インダクタパターン５５とインダクタパターン８０とは、第一方向Ｄ１において互いに対向する部分を有している。インダクタパターン５５とインダクタパターン８０とは、第三方向Ｄ３から見て、少なくとも一部が重なっている。インダクタパターン７９とインダクタパターン８０とは、第一方向Ｄ１において互いに対向する部分を有している。インダクタパターン７９とインダクタパターン８０とは、第三方向Ｄ３から見て、少なくとも一部が第二方向Ｄ２において重なっている。インダクタパターン８０は、インダクタパターン５５及びインダクタパターン７９の両方に対して、第一方向Ｄ１において互いに対向する部分を有している。
【0065】
図７（ａ）に示されるように、インダクタパターン５７は、第二方向Ｄ２において対向する上面５７Ｓ１及び下面５７Ｓ２を有している。上面５７Ｓ１は、主面３ｃ寄りに位置している。下面５７Ｓ２は、主面３ｄ寄りに位置している。インダクタパターン８１は、第二方向Ｄ２において対向する上面８１Ｓ１及び下面８１Ｓ２を有している。上面８１Ｓ１は、主面３ｃ寄りに位置している。下面８１Ｓ２は、主面３ｄ寄りに位置している。上面５７Ｓ１及び下面５７Ｓ２、並びに、上面８１Ｓ１及び下面８１Ｓ２は、たとえば、平坦面である。
【0066】
インダクタパターン５７の上面５７Ｓ１及び下面５７Ｓ２と、インダクタパターン８０の上面８０Ｓ１及び下面８０Ｓ２とは、第二方向Ｄ２において、高さ位置が異なっている。具体的には、インダクタパターン５７の上面５７Ｓ１は、インダクタパターン８０の上面８０Ｓ１よりも第二方向Ｄ２において絶縁体３の主面３ｄ側に位置している。言い換えれば、インダクタパターン８０の上面８０Ｓ１は、インダクタパターン５７の上面５７Ｓ１よりも第二方向Ｄ２において絶縁体３の主面３ｃ側に位置している。インダクタパターン５７の下面５７Ｓ２は、インダクタパターン８０の下面８０Ｓ２よりも第二方向Ｄ２において絶縁体３の主面３ｄ側に位置している。言い換えれば、インダクタパターン８０の下面８０Ｓ２は、インダクタパターン５７の下面５７Ｓ２よりも第二方向Ｄ２において絶縁体３の主面３ｄ側に位置している。
【0067】
インダクタパターン８１の上面８１Ｓ１及び下面８１Ｓ２と、インダクタパターン８０の上面８０Ｓ１及び下面８０Ｓ２とは、第二方向Ｄ２において、高さ位置が異なっている。具体的には、インダクタパターン８１の上面８１Ｓ１は、インダクタパターン８０の上面８０Ｓ１よりも第二方向Ｄ２において絶縁体３の主面３ｃ側に位置している。言い換えれば、インダクタパターン８０の上面８０Ｓ１は、インダクタパターン８１の上面８１Ｓ１よりも第二方向Ｄ２において絶縁体３の主面３ｄ側に位置している。インダクタパターン８１の下面８１Ｓ２は、インダクタパターン８０の下面８０Ｓ２よりも第二方向Ｄ２において絶縁体３の主面３ｃ側に位置している。言い換えれば、インダクタパターン８０の下面８０Ｓ２は、インダクタパターン８１の下面８１Ｓ２よりも第二方向Ｄ２において絶縁体３の主面３ｃ側に位置している。
【0068】
インダクタパターン５７とインダクタパターン８０とは、第一方向Ｄ１において互いに対向する部分を有している。インダクタパターン５７とインダクタパターン８０とは、第三方向Ｄ３から見て、少なくとも一部が重なっている。インダクタパターン８１とインダクタパターン８０とは、第一方向Ｄ１において互いに対向する部分を有している。インダクタパターン８１とインダクタパターン８０とは、第三方向Ｄ３から見て、少なくとも一部が第二方向Ｄ２において重なっている。インダクタパターン８０は、インダクタパターン５７及びインダクタパターン８１の両方に対して、第一方向Ｄ１において互いに対向する部分を有している。
【0069】
図８に示されるように、電子部品１は、第一インダクタＬ１と、第二インダクタＬ２と、第三インダクタＬ３と、第四インダクタＬ４と、第一キャパシタＣ１と、第二キャパシタＣ２と、第三キャパシタＣ３と、第四キャパシタＣ４と、第五キャパシタＣ１２と、第六キャパシタＣ３４と、第七キャパシタＣｍ１と、第八キャパシタＣｍ２と、を備えている。
【0070】
第一インダクタＬ１は、インダクタパターン５５及びインダクタパターン７９を含んで構成されている。第二インダクタＬ２は、インダクタパターン８０を含んで構成されている。第三インダクタＬ３は、インダクタパターン８０を含んで構成されている。第四インダクタＬ４は、インダクタパターン５７及びインダクタパターン８１を含んで構成されている。第一インダクタＬ１及び第四インダクタＬ４は、二つのインダクタパターンを含んで構成されている。第二インダクタＬ２及び第三インダクタＬ３は、一つのインダクタパターンを含んで構成されている。
【0071】
第一キャパシタＣ１は、導体パターン２０及びキャパシタパターン２９によって構成されている。第二キャパシタＣ２は、導体パターン２４及びキャパシタパターン３１によって構成されている。第三キャパシタＣ３は、導体パターン２４及びキャパシタパターン３２によって構成されている。第四キャパシタＣ４は、導体パターン２０及びキャパシタパターン３０によって構成されている。
【0072】
第五キャパシタＣ１２は、導体パターン２１及びキャパシタパターン３３によって構成されている。第六キャパシタＣ３４は、導体パターン２２及びキャパシタパターン３４によって構成されている。第七キャパシタＣｍ１は、導体パターン２１，２３及びキャパシタパターン３５，３７によって構成されている。第八キャパシタＣｍ２は、導体パターン２２，２３及びキャパシタパターン３６，３８によって構成されている。
【0073】
第一インダクタＬ１及び第一キャパシタＣ１は、第一ＬＣ共振器を構成している。第二インダクタＬ２及び第二キャパシタＣ２は、第二ＬＣ共振器を構成している。第三インダクタＬ３及び第三キャパシタＣ３は、第三ＬＣ共振器を構成している。第四インダクタＬ４及び第四キャパシタＣ４は、第四ＬＣ共振器を構成している。
【0074】
続いて、電子部品１の製造方法について説明する。電子部品１の製造プロセスにおいては、集合基板を用いて複数の電子部品１が多数個取りされるが、以下に説明する製造プロセスは、１個の電子部品１の製造プロセスに着目して説明する。
【0075】
最初に、基板２上にスパッタリング法などを用いて平坦化層１０を形成し、その表面を研削或いはＣＭＰなどの鏡面化処理を行なって平滑化する。続いて、平坦化層１０の表面にレジスト層をスピンコートした後、導体パターン２０～２８の形状に対応するようにレジスト層をパターニングする。この状態で、電解めっきを行うことによりめっき層が形成される。そして、レジスト層を除去することにより、導体パターン２０～２８が形成される。
【0076】
続いて、導体パターン２０～２４上に誘電体層１２を形成する。誘電体層１２の形成方法としては、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法、ゾルゲル法、電子ビーム蒸着法などを用いることができる。
【0077】
続いて、導体パターン２０～２８の形成方法と同様の方法を用いることによって、導体パターン２０～２４上に、誘電体層１２を介して、キャパシタパターン２９～３４を形成する。次に、第一絶縁層を形成し、第一絶縁層をパターニングすることによって、第一絶縁層にスルーホールパターン３９～５１に対応する開口部を形成する。続いて、第一絶縁層上にレジスト層をスピンコートした後、インダクタパターン５５、導体パターン５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃ、インダクタパターン５７、導体パターン５８～６４の形状に対応するようにレジスト層をパターニングする。この状態で、電解めっきを行うことによりめっき層が形成される。そして、レジスト層を除去することにより、スルーホールパターン３９～５１、インダクタパターン５５、導体パターン５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃ、インダクタパターン５７、導体パターン５８～６４が形成される。
【0078】
続いて、第二絶縁層を形成し、第二絶縁層をパターニングすることによって、第二絶縁層にスルーホールパターン６５～７８に対応する開口部を形成する。次に、第二絶縁層上にレジスト層をスピンコートした後、インダクタパターン８０の形状に対応するようにレジスト層をパターニングする。この状態で、エッチングすることにより、第二絶縁層に凹部を形成する。そして、第二絶縁層において凹部を形成した箇所に電解めっきを行うことによりめっき層が形成される。そして、レジスト層を除去することにより、インダクタパターン８０が形成される。このように、第二絶縁層の凹部にインダクタパターン８０を形成することにより、インダクタパターン８０の下面８０Ｓ２とインダクタパターン７９の下面７９Ｓ２とを、第二方向Ｄ２において異なる位置に形成することができる。
【0079】
続いて、第二絶縁層上にレジスト層をスピンコートした後、インダクタパターン７９、インダクタパターン８１、導体パターン８２～８４の形状に対応するようにレジスト層をパターニングする。この状態で、電解めっきを行うことによりめっき層が形成される。そして、レジスト層を除去することにより、スルーホールパターン６５～７８、インダクタパターン７９、インダクタパターン８１、導体パターン８２～８４が形成される。
【0080】
続いて、第三絶縁層を形成し、第三絶縁層をパターニングすることによって、第三絶縁層にスルーホールパターン８５～９０に対応する開口部を形成する。続いて、第三絶縁層上にレジスト層をスピンコートした後、第一端子電極４、第二端子電極５、第三端子電極６、第四端子電極７、第五端子電極８及び第六端子電極９の形状に対応するようにレジスト層をパターニングする。この状態で、電解めっきを行うことによりめっき層が形成される。そして、レジスト層を除去することにより、スルーホールパターン８５～９０、第一端子電極４、第二端子電極５、第三端子電極６、第四端子電極７、第五端子電極８及び第六端子電極９が形成される。以上により、電子部品１が製造される。
【0081】
以上説明したように、本実施形態に係る電子部品１では、第一インダクタＬ１と第二インダクタＬ２とが第一方向Ｄ１において隣り合う領域Ｒにおいて、インダクタパターン７９の上面７９Ｓ１とインダクタパターン８０の上面８０Ｓ１との第二方向Ｄ２における位置、及び、インダクタパターン７９の下面７９Ｓ２とインダクタパターン８０の下面８０Ｓ２との第二方向Ｄ２における位置の少なくとも一方が異なる。このように、第一インダクタＬ１と第二インダクタＬ２とが隣り合う領域Ｒ、すなわち磁気結合する部分において、インダクタパターン７９の上面７９Ｓ１とインダクタパターン８０の上面８０Ｓ１との位置、及び／又は、インダクタパターン７９の下面７９Ｓ２とインダクタパターン８０の下面８０Ｓ２との位置を異ならせると、第一インダクタＬ１と第二インダクタＬ２との磁気結合の結合度が変化する。このように、電子部品１では、絶縁層の厚みに依存することなく、第一インダクタＬ１と第二インダクタＬ２との磁気結合を調整することができる。したがって、電子部品１では、インダクタの磁気結合の微調整することができる。
【0082】
本実施形態に係る電子部品１では、第一インダクタＬ１と第二インダクタＬ２とが隣り合う領域Ｒにおいて、インダクタパターン５５，７９の数とインダクタパターン８０の数とが異なっていている。このように、インダクタパターン５５，７９とインダクタパターン８０との数を異ならせることによって、第一インダクタＬ１と第二インダクタＬ２との磁気結合を調整することができる。また、電子部品１では、第四インダクタＬ４と第三インダクタＬ３とが隣り合う領域Ｒにおいて、インダクタパターン５７，８１の数とインダクタパターン８０の数とが異なっていている。このように、インダクタパターン５７，８１とインダクタパターン８０との数を異ならせることによって、第四インダクタＬ４と第三インダクタＬ３との磁気結合を調整することができる。
【0083】
本実施形態に係る電子部品１では、第一インダクタＬ１と第二インダクタＬ２とが隣り合う領域Ｒにおいて、インダクタパターン５５，７９とインダクタパターン８０とは、第一方向Ｄ１において互いに対向する部分を有している。この構成では、インダクタパターン５５，７９とインダクタパターン８０とが対向する部分を有しているため、第一インダクタＬ１と第二インダクタＬ２との磁気結合を磁気結合の結合度を微調整することができる。また、電子部品１では、第四インダクタＬ４と第三インダクタＬ３とが隣り合う領域Ｒにおいて、インダクタパターン５７，８１とインダクタパターン８０とは、第一方向Ｄ１において互いに対向する部分を有している。この構成では、インダクタパターン５７，８１とインダクタパターン８０とが対向する部分を有しているため、第四インダクタＬ４と第三インダクタＬ３との磁気結合を磁気結合の結合度を微調整することができる。
【0084】
本実施形態に係る電子部品１では、インダクタパターン８０は、インダクタパターン５５及びインダクタパターン７９に対して対向する部分を有している。この構成では、第一インダクタＬ１と第二インダクタＬ２との磁気結合の結合度を高めることができる。また、インダクタパターン８０は、インダクタパターン５７及びインダクタパターン８１に対して対向する部分を有している。この構成では、第四インダクタＬ４と第三インダクタＬ３との磁気結合の結合度を高めることができる。
【0085】
【0086】
図１０に示される電子部品１００は、ＬＣフィルタである。電子部品１００は、いわゆる薄膜ＬＣフィルタである。図１０及び図１１に示されるように、電子部品１００は、基板１０２と、絶縁体（素体）１０３と、絶縁体３に配置された第一端子電極１０４、第二端子電極１０５、第三端子電極１０６及び第四端子電極１０７と、を備えている。
【0087】
基板１０２は、電子部品１の基板２と同様の構成を有している。基板１０２は、その外表面として、互いに対向している一対の端面１０２ａ，１０２ｂと、互いに対向している一対の主面１０２ｃ，１０２ｄと、互いに対向している一対の側面１０２ｅ，１０２ｆと、を有している。一対の端面１０２ａ，１０２ｂが対向している対向方向が第一方向Ｄ１である。一対の主面１０２ｃ，１０２ｄが対向している対向方向が第二方向Ｄ２である。一対の側面１０２ｅ，１０２ｆが対向している対向方向が第三方向Ｄ３である。
【0088】
絶縁体１０３は、電子部品１の絶縁体３と同様の構成を有している。絶縁体１０３は、直方体形状を呈している。絶縁体１０３は、その外表面として、互いに対向している一対の端面１０３ａ，１０３ｂと、互いに対向している一対の主面１０３ｃ，１０３ｄと、互いに対向している一対の側面１０３ｅ，１０３ｆと、を有している。一対の端面１０３ａ，１０３ｂは、第一方向Ｄ１において対向している。一対の主面１０３ｃ，１０３ｄは、第二方向Ｄ２において対向している。一対の側面１０３ｅ，１０３ｆは、第三方向Ｄ３において対向している。
【0089】
基板１０２と絶縁体１０３とは、一体に設けられている。基板１０２と絶縁体１０３とは、主面１０２ｃと主面１０３ｄとが対向するように配置されている。基板１０２と絶縁体１０３との間には、平坦化層１０９が配置されている。平坦化層１０９は、基板１０２の主面１０２ｃと絶縁体１０３の主面１０３ｄとの間に配置されている。平坦化層１０９としては、アルミナ、酸化シリコンなどを用いることができる。
【0090】
第一端子電極１０４、第二端子電極１０５、第三端子電極１０６及び第四端子電極１０７は、絶縁体１０３の主面１０３ｃに配置されている。第一端子電極１０４及び第四端子電極１０７は、入出力端子である。第二端子電極１０５及び第三端子電極１０６は、グラウンド端子である。
【0091】
第一端子電極１０４、第二端子電極１０５、第三端子電極１０６及び第四端子電極１０７は、平面視において、略長方形状を呈している。長方形状には、角部及び稜線部が面取りされている形状、及び、角部及び稜線部が丸められている形状が含まれる。
【0092】
第一端子電極１０４は、端面１０３ａ寄りで且つ側面１０３ｅ寄りの位置に配置されている。第二端子電極１０５は、端面１０３ｂ寄りで且つ側面１０３ｅ寄りの位置に配置されている。第三端子電極１０６は、端面１０３ａ寄りで且つ側面１０３ｆ寄りの位置に配置されている。第四端子電極１０７は、端面１０３ｂ寄りで且つ側面１０３ｆ寄りの位置に配置されている。
【0093】
第一端子電極１０４及び第二端子電極１０５は、第一方向Ｄ１において所定の間隔をあけて配置されている。第三端子電極１０６及び第四端子電極１０７は、第一方向Ｄ１において所定の間隔をあけて配置されている。第一端子電極１０４と第三端子電極１０６とは、第三方向Ｄ３において所定の間隔をあけて配置されている。第二端子電極１０５と第四端子電極１０７とは、第三方向Ｄ３において所定の間隔をあけて配置されている。
【0094】
第一端子電極１０４、第二端子電極１０５、第三端子電極１０６及び第四端子電極１０７は、たとえば、金、ニッケル、銅、銀などで形成することができる。
【0095】
電子部品１００は、絶縁体１０３内にＬＣフィルタ部１０８が配置されている。図１２（ａ）、図１２（ｂ）、図１２（ｃ）、図１２（ｄ）、図１２（ｅ）、図１２（ｆ）、図１２（ｇ）及び図１２（ｈ）は、ＬＣフィルタ部１０８を構成する導体パターンを示す図である。電子部品１００では、基板１０２側（絶縁体１０３の主面１０３ｄ側）から、図１２（ｈ）、図１２（ｇ）、図１２（ｆ）、図１２（ｅ）、図１２（ｄ）、図１２（ｃ）、図１２（ｂ）及び図１２（ａ）に示される順に導体パターンが配置されている。導体パターンには、インダクタパターン、キャパシタパターン及びスルーホールパターンが含まれている。導体パターンは、たとえば、銅で形成することができる。
【0096】
図１２（ｈ）に示されるように、ＬＣフィルタ部１０８は、導体パターン１１０、導体パターン１１１、導体パターン１１２、導体パターン１１３、キャパシタパターン１１４、キャパシタパターン１１５、キャパシタパターン１１６、キャパシタパターン１１７及びキャパシタパターン１１８を有している。導体パターン１１０～１１２及びキャパシタパターン１１４～１１８は、平坦化層１０９上に配置されている。
【0097】
図１２（ｇ）に示されるように、ＬＣフィルタ部１０８は、キャパシタパターン１１９、キャパシタパターン１２０、キャパシタパターン１２１、キャパシタパターン１２２及びキャパシタパターン１２３を有している。
【0098】
図１２（ｆ）に示されるように、ＬＣフィルタ部１０８は、スルーホールパターン１２４、スルーホールパターン１２５、スルーホールパターン１２６、スルーホールパターン１２７、スルーホールパターン１２８、スルーホールパターン１２９、スルーホールパターン１３０、スルーホールパターン１３１、スルーホールパターン１３２、スルーホールパターン１３３、スルーホールパターン１３４、スルーホールパターン１３５、スルーホールパターン１３６及びスルーホールパターン１３７を有している。
【0099】
図１２（ｅ）に示されるように、ＬＣフィルタ部１０８は、導体パターン１３８、導体パターン１３９、導体パターン１４０、導体パターン１４１及び導体パターン１４２を有している。
【0100】
図１２（ｄ）に示されるように、ＬＣフィルタ部１０８は、スルーホールパターン１４３、スルーホールパターン１４４、スルーホールパターン１４５、スルーホールパターン１４６、スルーホールパターン１４７、スルーホールパターン１４８及びスルーホールパターン１４９を有している。
【0101】
図１２（ｃ）に示されるように、ＬＣフィルタ部１０８は、導体パターン１５０、導体パターン１５１、導体パターン１５２及び導体パターン１５３を有している。
【0102】
図１２（ｂ）に示されるように、ＬＣフィルタ部１０８は、スルーホールパターン１５４、スルーホールパターン１５５、スルーホールパターン１５６及びスルーホールパターン１５７を有している。
【0103】
図１２（ａ）に示されるように、電子部品１００は、第一端子電極１０４、第二端子電極１０５、第三端子電極１０６及び第四端子電極１０７を有している。
【0104】
図１２（ｅ）に示されるように、導体パターン１３８は、インダクタパターン（第一インダクタパターン）１３８Ａ、接続パターン１３８Ｂ、接続パターン１３８Ｃ及び接続パターン１３８Ｄを有している。インダクタパターン１３８Ａは、第一パターン部１３８Ａａと、第一パターン部１３８Ａａの端部に接続される第二パターン部１３８Ａｂと、を有している。導体パターン１４１は、インダクタパターン１４１Ａ、接続パターン１４１Ｂ、接続パターン１４１Ｃ及び接続パターン１４１Ｄを有している。インダクタパターン１４１Ａは、第一パターン部１４１Ａａと、第一パターン部１４１Ａａの端部に接続される第二パターン部１４１Ａｂと、を有している。導体パターン１４２は、インダクタパターン１４２Ａ、接続パターン１４２Ｂ、接続パターン１４２Ｃ及び導体パターン１４２Ｄを有している。インダクタパターン１４２Ａは、第一パターン部１４２Ａａと、第一パターン部１４２Ａａの端部に接続される第二パターン部１４２Ａｂと、を有している。
【0105】
図１２（ｃ）に示されるように、導体パターン１５２は、インダクタパターン（第一インダクタパターン）１５２Ａ、インダクタパターン（第二インダクタパターン）１５２Ｂ、インダクタパターン１５２Ｃ及び接続パターン１５２Ｄを有している。
【0106】
インダクタパターン１５２Ａは、第一パターン部１５２Ａａと、第一パターン部１５２Ａａの端部に接続される第二パターン部１５２Ａｂと、第二パターン部１５２Ａｂの端部に接続される第三パターン部１５２Ａｃと、を有している。インダクタパターン１５２Ｂは、第一パターン部１５２Ｂａと、第一パターン部１５２Ｂａの端部に接続される第二パターン部１５２Ｂｂと、第二パターン部１５２Ｂｂの端部に接続される第三パターン部１５２Ｂｃと、を有している。インダクタパターン１５２Ｃは、第一パターン部１５２Ｃａと、第一パターン部１５２Ｃａの端部に接続される第二パターン部１５２Ｃｂと、第二パターン部１５２Ｃｂの端部に接続される第三パターン部１５２Ｃｃと、を有している。
【0107】
図１２（ｆ）に示されるように、スルーホールパターン１２４は、導体パターン１１０と接続パターン１３８Ｄとを接続している。スルーホールパターン１２５は、導体パターン１１１と導体パターン１３９とを接続している。スルーホールパターン１２６は、導体パターン１１２と導体パターン１４０とを接続している。スルーホールパターン１２７は、導体パターン１１３と接続パターン１４１Ｄとを接続している。
【0108】
スルーホールパターン１２８は、キャパシタパターン１１９と接続パターン１３８Ｃとを接続している。スルーホールパターン１２９は、キャパシタパターン１１４と導体パターン１４２Ｄとを接続している。スルーホールパターン１３０は、キャパシタパターン１２０と接続パターン１４２Ｂとを接続している。スルーホールパターン１３１は、キャパシタパターン１１５と接続パターン１４１Ｃとを接続している。スルーホールパターン１３２は、キャパシタパターン１２１と接続パターン１３８Ｂとを接続している。スルーホールパターン１３３は、キャパシタパターン１２２と接続パターン１４２Ｃとを接続している。スルーホールパターン１３４は、キャパシタパターン１２３と接続パターン１４１Ｂとを接続している。スルーホールパターン１３５は、キャパシタパターン１１６と導体パターン１３９とを接続している。スルーホールパターン１３６は、キャパシタパターン１１７と導体パターン１３９とを接続している。スルーホールパターン１３７は、キャパシタパターン１１８と導体パターン１３９とを接続している。
【0109】
図１２（ｄ）に示されるように、スルーホールパターン１４３は、接続パターン１３８Ｄと導体パターン１５０とを接続している。スルーホールパターン１４４は、導体パターン１３９と導体パターン１５１とを接続している。スルーホールパターン１４５は、導体パターン１４０と接続パターン１５２Ｄとを接続している。スルーホールパターン１４６は、接続パターン１４１Ｄと導体パターン１５３とを接続している。
【0110】
図１２（ｂ）に示されるように、スルーホールパターン１５４は、導体パターン１５０と第一端子電極１０４とを接続している。スルーホールパターン１５５は、導体パターン１５１と第二端子電極１０５とを接続している。スルーホールパターン１５６は、接続パターン１５２Ｄと第三端子電極１０６とを接続している。スルーホールパターン１５７は、導体パターン１５３と第四端子電極１０７とを接続している。
【0111】
図１２（ｅ）に示されるように、インダクタパターン１３８Ａ、インダクタパターン１４２Ａ及びインダクタパターン１４１Ａは、並んで配置されている。本実施形態では、インダクタパターン１３８Ａ、インダクタパターン１４２Ａ及びインダクタパターン１４１Ａは、第二方向Ｄ２から見て、第一方向Ｄ１及び第三方向Ｄ３に交差する方向において並んで配置されている。
【0112】
図１２（ｃ）に示されるように、インダクタパターン１５２Ａ、インダクタパターン１５２Ｂ及びインダクタパターン１５２Ｃは、並んで配置されている。本実施形態では、インダクタパターン１５２Ａ、インダクタパターン１５２Ｂ及びインダクタパターン１５２Ｃは、第二方向Ｄ２から見て、第一方向Ｄ１及び第三方向Ｄ３に交差する方向において並んで配置されている。
【0113】
図１３は、図１１におけるＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿った断面図である。本実施形態では、インダクタパターン１３８Ａ、インダクタパターン１４１Ａ、インダクタパターン１４２Ａ、インダクタパターン１５２Ａ、インダクタパターン１５２Ｂ及びインダクタパターン１５２Ｃの厚み（第二方向Ｄ２の寸法）は、同等である。なお、以下において、図１１におけるＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿って方向を、第四方向と記載することがある。
【0114】
インダクタパターン１３８Ａ及びインダクタパターン１５２Ａとインダクタパターン１５２Ｂとは、並んで配置されている。具体的には、インダクタパターン１３８Ａの第一パターン部１３８Ａａ及びインダクタパターン１５２Ａの第一パターン部１５２Ａａとインダクタパターン１５２Ｂの第三パターン部１５２Ｂｃとが、並んで配置されている。すなわち、インダクタパターン１３８Ａ及びインダクタパターン１５２Ａを含んで構成される第一インダクタＬ１０（図１４参照）とインダクタパターン１５２Ｂを含んで構成される第二インダクタＬ２０（図１４参照）とは、隣り合うように配置されている。
【0115】
第一インダクタＬ１０と第二インダクタＬ２０とは、隣り合う領域Ｒにおいて、パターンの数が異なっている。第一インダクタＬ１０と第二インダクタＬ２０とが隣り合う領域Ｒにおいて、第一インダクタＬ１０は、二つのインダクタパターン１３８Ａ及びインダクタパターン１５２Ａが配置されており、第二インダクタＬ２０は、一つのインダクタパターン１５２Ｂが配置されている。第一インダクタＬ１０と第二インダクタＬ２０とは、隣り合う領域Ｒにおいて磁気結合している。具体的には、インダクタパターン１３８Ａ及びインダクタパターン１５２Ａとインダクタパターン１５２Ｂとが、領域Ｒにおいて磁気結合している。
【0116】
インダクタパターン１４２Ａ及びインダクタパターン１５２Ｂとインダクタパターン１５２Ｃとは、並んで配置されている。具体的には、インダクタパターン１４２Ａの第一パターン部１４２Ａａ及びインダクタパターン１５２Ｂの第一パターン部１５２Ｂａとインダクタパターン１５２Ｃの第三パターン部１５２Ｃｃとが、並んで配置されている。すなわち、インダクタパターン１４２Ａ及びインダクタパターン１５２Ｂを含んで構成される第二インダクタＬ２０（図１４参照）とインダクタパターン１５２Ｃを含んで構成される第三インダクタＬ３０（図１４参照）とは、隣り合うように配置されている。
【0117】
第二インダクタＬ２０と第三インダクタＬ３０とは、隣り合う領域Ｒにおいて、パターンの数が異なっている。第二インダクタＬ２０と第三インダクタＬ３０とが隣り合う領域Ｒにおいて、第二インダクタＬ２０は、二つのインダクタパターン１４２Ａ及びインダクタパターン１５２Ｂが配置されており、第三インダクタＬ３０は、一つのインダクタパターン１５２Ｃが配置されている。第二インダクタＬ２０と第三インダクタＬ３０とは、隣り合う領域Ｒにおいて磁気結合している。具体的には、インダクタパターン１４２Ａ及びインダクタパターン１５２Ｂとインダクタパターン１５２Ｃとが、領域Ｒにおいて磁気結合している。
【0118】
インダクタパターン１３８Ａは、第二方向Ｄ２において対向する上面（第一面）Ｓ１１及び下面（第二面）Ｓ１２を有している。上面Ｓ１１は、主面（一方の主面）１０３ｃ寄りに位置している。下面Ｓ１２は、主面（他方の主面）１０３ｄ寄りに位置している。インダクタパターン１５２Ａは、第二方向Ｄ２において対向する上面（第一面）Ｓ２１及び下面（第二面）Ｓ２２を有している。上面Ｓ２１は、主面１０３ｃ寄りに位置している。下面Ｓ２２は、主面１０３ｄ寄りに位置している。インダクタパターン１５２Ｂは、第二方向Ｄ２において対向する上面（第三面）Ｓ３１及び下面（第四面）Ｓ３２を有している。上面Ｓ３１は、主面１０３ｃ寄りに位置している。下面Ｓ３２は、主面１０３ｄ寄りに位置している。上面Ｓ１１及び下面Ｓ１２、上面Ｓ２１及び下面Ｓ２２、並びに、上面Ｓ３１及び下面Ｓ３２は、たとえば、平坦面である。
【0119】
インダクタパターン１３８Ａの上面Ｓ１１及び下面Ｓ１２と、インダクタパターン１５２Ｂの上面Ｓ３１及び下面Ｓ３２とは、第二方向Ｄ２において、高さ位置が異なっている。具体的には、インダクタパターン１３８Ａの上面Ｓ１１は、インダクタパターン１５２Ｂの上面Ｓ３１よりも第二方向Ｄ２において絶縁体１０３の主面１０３ｄ側に位置している。言い換えれば、インダクタパターン１５２Ｂの上面Ｓ３１は、インダクタパターン１３８Ａの上面Ｓ１１よりも第二方向Ｄ２において絶縁体１０３の主面１０３ｃ側に位置している。インダクタパターン１３８Ａの下面Ｓ１２は、インダクタパターン１５２Ｂの下面Ｓ３２よりも第二方向Ｄ２において絶縁体１０３の主面１０３ｄ側に位置している。言い換えれば、インダクタパターン１５２Ｂの下面Ｓ３２は、インダクタパターン１３８Ａの下面Ｓ１２よりも第二方向Ｄ２において絶縁体１０３の主面１０３ｃ側に位置している。
【0120】
インダクタパターン１５２Ａの上面Ｓ２１及び下面Ｓ２２と、インダクタパターン１５２Ｂの上面Ｓ３１及び下面Ｓ３２とは、第二方向Ｄ２において、高さ位置が異なっている。具体的には、インダクタパターン１５２Ａの上面Ｓ２１は、インダクタパターン１５２Ｂの上面Ｓ３１よりも第二方向Ｄ２において絶縁体１０３の主面１０３ｃ側に位置している。言い換えれば、インダクタパターン１５２Ｂの上面Ｓ３１は、インダクタパターン１５２Ａの上面Ｓ２１よりも第二方向Ｄ２において絶縁体１０３の主面１０３ｄ側に位置している。インダクタパターン１５２Ａの下面Ｓ２２は、インダクタパターン１５２Ｂの下面Ｓ３２よりも第二方向Ｄ２において絶縁体１０３の主面１０３ｃ側に位置している。言い換えれば、インダクタパターン１５２Ｂの下面Ｓ３２は、インダクタパターン１５２Ａの下面Ｓ２２よりも第二方向Ｄ２において絶縁体１０３の主面１０３ｄ側に位置している。
【0121】
インダクタパターン１５２Ａとインダクタパターン１５２Ｂとは、第一方向Ｄ１において互いに対向する部分を有している。インダクタパターン１５２Ａとインダクタパターン１５２Ｂとは、第一方向Ｄ１から見て、少なくとも一部が重なっている。なお、インダクタパターン１５２Ａとインダクタパターン１５２Ｂとは、第四方向から見て、少なくとも一部が重なっているとも言える。
【0122】
インダクタパターン１４２Ａは、第二方向Ｄ２において対向する上面Ｓ４１及び下面Ｓ４２を有している。上面Ｓ４１は、主面１０３ｃ寄りに位置している。下面Ｓ４２は、主面１０３ｄ寄りに位置している。インダクタパターン１５２Ｃは、第二方向Ｄ２において対向する上面Ｓ５１及び下面Ｓ５２を有している。上面Ｓ５１は、主面１０３ｃ寄りに位置している。下面Ｓ５２は、主面１０３ｄ寄りに位置している。上面Ｓ４１及び下面Ｓ４２、並びに、上面Ｓ５１及び下面Ｓ５２は、たとえば、平坦面である。
【0123】
インダクタパターン１４２Ａの上面Ｓ４１及び下面Ｓ４２と、インダクタパターン１５２Ｃの上面Ｓ５１及び下面Ｓ５２とは、第二方向Ｄ２において、高さ位置が異なっている。具体的には、インダクタパターン１４２Ａの上面Ｓ４１は、インダクタパターン１５２Ｃの上面Ｓ５１よりも第二方向Ｄ２において絶縁体１０３の主面１０３ｄ側に位置している。言い換えれば、インダクタパターン１５２Ｃの上面Ｓ５１は、インダクタパターン１４２Ａの上面Ｓ４１よりも第二方向Ｄ２において絶縁体１０３の主面１０３ｃ側に位置している。インダクタパターン１４２Ａの下面Ｓ４２は、インダクタパターン１５２Ｃの下面Ｓ５２よりも第二方向Ｄ２において絶縁体１０３の主面１０３ｄ側に位置している。言い換えれば、インダクタパターン１５２Ｃの下面Ｓ５２は、インダクタパターン１４２Ａの下面Ｓ４２よりも第二方向Ｄ２において絶縁体１０３の主面１０３ｃ側に位置している。
【0124】
インダクタパターン１５２Ｂの上面Ｓ３１及び下面Ｓ３２と、インダクタパターン１５２Ｃの上面Ｓ５１及び下面Ｓ５２とは、第二方向Ｄ２において、高さ位置が異なっている。具体的には、インダクタパターン１５２Ｂの上面Ｓ３１は、インダクタパターン１５２Ｃの上面Ｓ５１よりも第二方向Ｄ２において絶縁体１０３の主面１０３ｄ側に位置している。言い換えれば、インダクタパターン１５２Ｃの上面Ｓ５１は、インダクタパターン１５２Ｂの上面Ｓ３１よりも第二方向Ｄ２において絶縁体１０３の主面１０３ｃ側に位置している。インダクタパターン１５２Ｂの下面Ｓ３２は、インダクタパターン１５２Ｃの下面Ｓ５２よりも第二方向Ｄ２において絶縁体１０３の主面１０３ｄ側に位置している。言い換えれば、インダクタパターン１５２Ｃの下面Ｓ５２は、インダクタパターン１５２Ｂの下面Ｓ３２よりも第二方向Ｄ２において絶縁体１０３の主面１０３ｃ側に位置している。
【0125】
インダクタパターン１５２Ｂとインダクタパターン１５２Ｃとは、第一方向Ｄ１において互いに対向する部分を有している。インダクタパターン１５２Ｂとインダクタパターン１５２Ｃとは、第一方向Ｄ１から見て、少なくとも一部が重なっている。なお、インダクタパターン１５２Ｂとインダクタパターン１５２Ｃとは、第四方向から見て、少なくとも一部が重なっているとも言える。
【0126】
図１４に示されるように、電子部品１００は、第一インダクタＬ１０と、第二インダクタＬ２０と、第三インダクタＬ３０と、第一キャパシタＣ１０と、第二キャパシタＣ２０と、第三キャパシタＣ３０と、第四キャパシタＣ１２０と、第五キャパシタＣ２３０と、を備えている。
【0127】
第一インダクタＬ１０は、インダクタパターン１３８Ａ及びインダクタパターン１５２Ａを含んで構成されている。第二インダクタＬ２０は、インダクタパターン１４２Ａ及びインダクタパターン１５２Ｂを含んで構成されている。第三インダクタＬ３０は、インダクタパターン１４１Ａ及びインダクタパターン１５２Ｃを含んで構成されている。
【0128】
第一キャパシタＣ１０は、キャパシタパターン１１６及びキャパシタパターン１２１によって構成されている。第二キャパシタＣ２０は、キャパシタパターン１１７及びキャパシタパターン１２２によって構成されている。第三キャパシタＣ３０は、キャパシタパターン１１８及びキャパシタパターン１２３によって構成されている。
【0129】
第四キャパシタＣ１２０は、キャパシタパターン１１４及びキャパシタパターン１１９によって構成されている。第五キャパシタＣ２３０は、キャパシタパターン１１５及びキャパシタパターン１２０によって構成されている。
【0130】
第一インダクタＬ１０及び第一キャパシタＣ１０は、第一ＬＣ共振器を構成している。第二インダクタＬ２０及び第二キャパシタＣ２０は、第二ＬＣ共振器を構成している。第三インダクタＬ３０及び第三キャパシタＣ３０は、第三ＬＣ共振器を構成している。
【0131】
以上説明したように、本実施形態に係る電子部品１００では、第一インダクタＬ１０と第二インダクタＬ２０とが隣り合う領域Ｒにおいて、インダクタパターン１５２Ａの上面Ｓ２１とインダクタパターン１５２Ｂの上面Ｓ３１との第二方向Ｄ２における位置、及び、インダクタパターン１５２Ａの下面Ｓ２２とインダクタパターン１５２Ｂの下面Ｓ３２との第二方向Ｄ２における位置の少なくとも一方が異なる。このように、第一インダクタＬ１０と第二インダクタＬ２０とが隣り合う領域Ｒ、すなわち磁気結合する部分において、インダクタパターン１５２Ａの上面Ｓ２１とインダクタパターン１５２Ｂの上面Ｓ３１との位置、及び／又は、インダクタパターン１５２Ａの下面Ｓ２２とインダクタパターン１５２Ｂの下面Ｓ３２との位置を異ならせると、第一インダクタＬ１０と第二インダクタＬ２０との磁気結合の結合度が変化する。このように、電子部品１００では、絶縁層の厚みに依存することなく、第一インダクタＬ１０と第二インダクタＬ２０との磁気結合を調整することができる。したがって、電子部品１００では、インダクタの磁気結合の微調整することができる。
【0132】
【0133】
図１５（ａ）に示される電子部品２００は、ストリップライン型のフィルタである。図１５（ａ）に示されるように、電子部品２００は、絶縁体（素体）２０１と、第一端子２０２及び第二端子２０３と、インダクタパターン（第一インダクタパターン）２０４及びインダクタパターン（第二インダクタパターン）２０５と、を備えている。第一端子２０２は、入力端子である。第二端子２０３は、出力端子である。
【0134】
絶縁体２０１は、直方体形状を呈している。絶縁体２０１は、その外表面として、互いに対向している一対の端面２０１ａ，２０１ｂと、互いに対向している一対の主面２０１ｃ，２０１ｄと、互いに対向している一対の側面２０１ｅ，２０１ｆと、を有している。一対の端面２０１ａ，２０１ｂは、第一方向Ｄ１において対向している。一対の主面２０１ｃ，２０１ｄは、第二方向Ｄ２において対向している。一対の側面２０１ｅ，２０１ｆは、第三方向Ｄ３において対向している。
【0135】
絶縁体２０１は、複数の絶縁体層が積層されることによって構成されている。絶縁体層は、ポリイミドなどの有機絶縁材料からなる。絶縁体層は、第二方向Ｄ２に積層されている。すなわち、第二方向Ｄ２が積層方向である。実際の絶縁体２０１では、複数の絶縁体層は、その層間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【0136】
インダクタパターン２０４は、長方形状を呈している。インダクタパターン２０４は、第一端子２０２に接続されている。インダクタパターン２０５は、長方形状を呈している。インダクタパターン２０５は、第二端子２０３に接続されている。インダクタパターン２０４は、第一方向Ｄ１において、端面２０１ａ寄りに配置されている。インダクタパターン２０５は、第一方向Ｄ１において、端面２０１ｂ寄りに配置されている。
【0137】
図１５（ｂ）に示されるように、本実施形態では、インダクタパターン２０４及びインダクタパターン２０５の厚み（第二方向Ｄ２の寸法）は、同等である。
【0138】
インダクタパターン２０４とインダクタパターン２０５とは、第二方向Ｄ２から見て、第一方向Ｄ１において並んで配置されている。すなわち、インダクタパターン２０４を含んで構成される第一インダクタＬ２１（図１６参照）とインダクタパターン２０５を含んで構成される第二インダクタＬ２２（図１６参照）とは、隣り合うように配置されている。第一インダクタＬ２１と第二インダクタＬ２２とは、隣り合う領域Ｒにおいて磁気結合している。
【0139】
インダクタパターン２０４は、第二方向Ｄ２において対向する上面２０４Ｓ１及び下面２０４Ｓ２を有している。上面２０４Ｓ１は、主面２０１ｃ寄りに位置している。下面２０４Ｓ２は、主面２０１ｄ寄りに位置している。インダクタパターン２０５は、第二方向Ｄ２において対向する上面２０５Ｓ１及び下面２０５Ｓ２を有している。上面２０５Ｓ１は、主面２０１ｃ寄りに位置している。下面２０５Ｓ２は、主面２０１ｄ寄りに位置している。上面２０４Ｓ１及び下面２０４Ｓ２、並びに、上面２０５Ｓ１及び下面２０５Ｓ２は、たとえば、平坦面である。
【0140】
インダクタパターン２０４の上面２０４Ｓ１及び下面２０４Ｓ２と、インダクタパターン２０５の上面２０５Ｓ１及び下面２０５Ｓ２とは、第二方向Ｄ２において、高さ位置が異なっている。具体的には、インダクタパターン２０４の上面２０４Ｓ１は、インダクタパターン２０５の上面２０５Ｓ１よりも第二方向Ｄ２において絶縁体２０１の主面２０１ｃ側に位置している。言い換えれば、インダクタパターン２０５の上面２０５Ｓ１は、インダクタパターン２０４の上面２０４Ｓ１よりも第二方向Ｄ２において絶縁体２０１の主面２０１ｄ側に位置している。インダクタパターン２０４の下面２０４Ｓ２は、インダクタパターン２０５の下面２０５Ｓ２よりも第二方向Ｄ２において絶縁体２０１の主面２０１ｃ側に位置している。言い換えれば、インダクタパターン２０５の下面２０５Ｓ２は、インダクタパターン２０４の下面２０４Ｓ２よりも第二方向Ｄ２において絶縁体２０１の主面２０１ｄ側に位置している。
【0141】
インダクタパターン２０４とインダクタパターン２０５とは、第一方向Ｄ１において互いに対向する部分を有している。インダクタパターン２０４とインダクタパターン２０５とは、第一方向Ｄ１から見て、少なくとも一部が重なっている。
【0142】
図１６に示されるように、電子部品２００は、第一インダクタＬ２１と、第二インダクタＬ２２と、を備えている。
【0143】
第一インダクタＬ２１は、インダクタパターン２０４を含んで構成されている。第二インダクタＬ２２は、インダクタパターン２０５を含んで構成されている。第一インダクタＬ２１及び第二インダクタＬ２２は、両端開放のλ／２共振器を構成している。
【0144】
以上説明したように、本実施形態に係る電子部品２００では、第一インダクタＬ２１と第二インダクタＬ２２とが隣り合う領域Ｒにおいて、インダクタパターン２０４の上面２０４Ｓ１とインダクタパターン２０５の上面２０５Ｓ１との第二方向Ｄ２における位置、及び、インダクタパターン２０４の下面２０４Ｓ２とインダクタパターン２０５の下面２０５Ｓ２との第二方向Ｄ２における位置の少なくとも一方が異なる。このように、第一インダクタＬ２１と第二インダクタＬ２２とが隣り合う領域Ｒ、すなわち磁気結合する部分において、インダクタパターン２０４の上面２０４Ｓ１とインダクタパターン２０５の上面２０５Ｓ１との位置、及び／又は、インダクタパターン２０４の下面２０４Ｓ２とインダクタパターン２０５の下面２０５Ｓ２との位置を異ならせると、第一インダクタＬ２１と第二インダクタＬ２２との磁気結合の結合度が変化する。このように、電子部品２００では、絶縁層の厚みに依存することなく、第一インダクタＬ２１と第二インダクタＬ２２との磁気結合を調整することができる。したがって、電子部品２００では、インダクタの磁気結合の微調整することができる。
【0145】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【0146】
上記第一実施形態では、第一インダクタＬ１がインダクタパターン５５及びインダクタパターン７９によって構成される形態を一例説明した。しかし、第一インダクタＬ１は、インダクタパターン７９のみによって構成されていてもよい。この構成において、図９（ａ）に示されるように、インダクタパターン７９とインダクタパターン８０とが、第一方向Ｄ１又は第三方向Ｄ３から見て、第二方向Ｄ２において重なっている。この構成において、インダクタパターン７９の上面７９Ｓ１及び下面７９Ｓ２と、インダクタパターン８０の上面８０Ｓ１及び下面８０Ｓ２とが、第二方向Ｄ２において、高さ位置が異なっている。この構成では、インダクタパターン７９とインダクタパターン８０とが第二方向Ｄ２において同じ位置の場合、すなわち、インダクタパターン７９の上面７９Ｓ１及び下面７９Ｓ２と、インダクタパターン８０の上面８０Ｓ１及び下面８０Ｓ２とが第二方向Ｄ２において同じ高さ位置である場合に比べて、第一インダクタＬ１と第二インダクタＬ２との磁気結合の結合度を低下させることができる。
【0147】
上記第一実施形態では、インダクタパターン５５及びインダクタパターン７９とインダクタパターン８０とが、第一方向Ｄ１において対向している部分を有する形態を一例に説明した。しかし、図９（ｂ）に示されるように、インダクタパターン８０は、第一方向Ｄ１においてインダクタパターン７９のみと対向していてもよい。この構成では、第一インダクタＬ１と第二インダクタＬ２との磁気結合の結合度を低下させることができる。
【0148】
上記第一実施形態では、インダクタパターン５５、インダクタパターン５７、インダクタパターン７９、インダクタパターン８０及びインダクタパターン８１の厚みが同等である形態を一例に説明した。しかし、図９（ｃ）に示されるように、たとえば、インダクタパターン８０の厚みが、インダクタパターン５５、インダクタパターン５７、インダクタパターン７９及びインダクタパターン８１の厚みよりも厚くてもよい。これにより、たとえば、インダクタパターン７９の上面７９Ｓ１と、インダクタパターン８０の上面８０Ｓ１との第二方向Ｄ２における高さ位置を異ならせることができる。この構成では、インダクタパターン８０が、インダクタパターン７９及びインダクタパターン５５と磁気結合するため、第一インダクタＬ１と第二インダクタＬ２との磁気結合の結合度を高くすることができる。
【0149】
上記第一実施形態では、第一インダクタＬ１がインダクタパターン５５及びインダクタパターン７９により構成されており、第二インダクタＬ２及び第三インダクタＬ３がインダクタパターン８０により構成されており、第四インダクタＬ４がインダクタパターン５７及びインダクタパターン８１により構成されている形態を一例に説明した。しかし、インダクタを構成するインダクタパターンの数は、設計に応じて適宜設定されればよい。
【0150】
この構成では、たとえば、第一インダクタが複数のインダクタパターンにより構成され、第二インダクタが複数のインダクタパターンにより構成される場合、第一インダクタと第二インダクタとが第一方向において隣り合う領域において、複数の第一インダクタパターンのうちの一つの第一インダクタパターンと、複数の第二インダクタパターンのうちの一つの第二インダクタパターンとの上面及び／又は下面の位置が少なくとも異なっていればよい。
【0151】
上記第一実施形態では、インダクタパターン５５の上面５５Ｓ１及び下面５５Ｓ２が平坦面である形態を一例に説明した。しかし、上面５５Ｓ１及び下面５５Ｓ２は、湾曲面、凹凸面であってもよい。インダクタパターン５７、インダクタパターン７９、インダクタパターン８０及びインダクタパターン８１についても同様である。第二実施形態、第三実施形態において例示した各インダクタパターンについても、同様である。すなわち、第二実施形態において、インダクタパターン１３８Ａの上面Ｓ１１及び下面Ｓ１２は、湾曲面、凹凸面であってもよい。インダクタパターン１４１Ａ、インダクタパターン１４２Ａ、インダクタパターン１５２Ａ、インダクタパターン１５２Ｂ及びインダクタパターン１５２Ｃについても同様である。また、第三実施形態において、インダクタパターン２０４の上面２０４Ｓ１及び下面２０４Ｓ２は、湾曲面、凹凸面であってもよい。インダクタパターン２０５についても同様である。
【0152】
上記第一実施形態では、第一インダクタＬ１がインダクタパターン５５及びインダクタパターン７９を含んで構成され、第二インダクタＬ２がインダクタパターンを構成されており、第一インダクタＬ１と第二インダクタＬ２とにおいてインダクタパターンの数が異なる形態を一例に説明した。しかし、第一インダクタ及び第二インダクタのそれぞれのインダクタパターンの数は同じであってもよい。この構成では、第一インダクタと第二インダクタとが隣り合う領域において、インダクタパターンの数が異なっていてもよい。
【0153】
上記実施形態では、電子部品１，１００，２００がチップ部品である形態を一例に説明した。しかし、電子部品の形態はこれに限定されない。たとえば、電子部品は、複数の電子部品を含む集合体の中に含まれる一つの要素であってもよい。具体的には、電子部品は、たとえば、当該電子部品の製造プロセスにおいて集合基板（ウエハ）を用いて複数の電子部品を多数個取りする場合、一つの電子部品に個片化する前の複数の電子部品の集合体の中に含まれていてもよい。
【0154】
上記第三実施形態では、電子部品２００において、第一インダクタＬ２１及び第二インダクタＬ２２が両端開放のλ／２共振器を構成している形態を一例に説明した。しかし、第一インダクタＬ２１及び第二インダクタＬ２２は、両端短絡のλ／２共振器を構成していてもいし、λ／４共振器を構成していてもよい。
【0155】
上記第三実施形態では、インダクタパターン２０４及びインダクタパターン２０５が長方形状を呈する形態を一例に説明した。しかし、インダクタパターン２０４及びインダクタパターン２０５の形状は、他の形状であってもよい。たとえば、インダクタパターン２０４及びインダクタパターン２０５は、円環状を呈していてもよい。この場合、一方のインダクタパターンの内側に、他方のインダクタパターンが配置されてもよい。
【0156】
上記電子部品は、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics：低温同時焼成セラミックス)フィルタに適用されてもよい。
【符号の説明】
【0157】
１，１００，２００…電子部品、３，１０３，２０１…絶縁体（素体）、３ａ，３ｂ，１０３ａ，１０３ｂ，２０１ａ，２０１ｂ…端面、３ｃ，３ｄ，１０３ｃ，１０３ｄ，２０１ｃ，２０１ｄ…主面、３ｅ，３ｆ，１０３ｅ，１０３ｆ，２０１ｅ，２０１ｆ…側面、５５，７９，１３８Ａ，１５２Ａ、２０４…インダクタパターン（第一インダクタパターン）、５５Ｓ１…上面（第一面）、５５Ｓ２…下面（第二面）、７９Ｓ１…上面（第一面）、７９Ｓ２…下面（第二面）、８０，１５２Ｂ，２０５…インダクタパターン（第二インダクタパターン）、８０Ｓ１…上面（第三面）、８０Ｓ２…下面（第四面）、２０４Ｓ１…上面（第一面）、２０４Ｓ２…下面（第二面）、２０５Ｓ１…上面（第一面）、２０５Ｓ２…下面（第二面）、Ｃ１…第一キャパシタ、Ｃ２…第二キャパシタ、Ｄ１…第一方向、Ｄ２…第二方向、Ｄ３…第三方向、Ｌ１，Ｌ１０…第一インダクタ、Ｌ２，Ｌ２０…第二インダクタ、Ｒ…領域、Ｓ１１，Ｓ２１，Ｓ３１…上面（第一面）、Ｓ１２，Ｓ２２，Ｓ３２…下面（第二面）。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】