特開 2023-147189 プリント配線板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023147189

(43)【公開日】2023-10-12

(54)【発明の名称】プリント配線板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/18 20060101AFI20231004BHJP

   H05K 3/38 20060101ALI20231004BHJP

【ＦＩ】

H05K3/18 J

H05K3/38 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023007796

(22)【出願日】2023-01-23

(31)【優先権主張番号】P 2022052978

(32)【優先日】2022-03-29

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100122622

【弁理士】

【氏名又は名称】森 徳久

(72)【発明者】

【氏名】籠橋 進

【テーマコード（参考）】

5E343

【Ｆターム（参考）】

5E343AA02

5E343AA17

5E343BB24

5E343DD25

5E343DD33

5E343DD43

5E343EE36

5E343EE46

5E343GG02

(57)【要約】

【課題】高い品質を有するプリント配線板の提供。
【解決手段】実施形態のプリント配線板は、第１導体層と、前記第１導体層上に形成されていて、前記第１導体層を露出するビア導体用の開口と第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第２導体層と、前記開口内に形成されていて、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体、とを有する。前記第２導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層とによって形成されている。前記シード層は、前記第１面上の第１部分と前記開口の内壁面上の第２部分と前記開口から露出する前記第１導体層上の第３部分とを有しており、前記第１部分は前記第２部分および前記第３部分より厚い。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１導体層と、
前記第１導体層上に形成されていて、前記第１導体層を露出するビア導体用の開口と第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する樹脂絶縁層と、
前記樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第２導体層と、
前記開口内に形成されていて、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体、とを有するプリント配線板であって、
前記第２導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層とによって形成されており、
前記シード層は、前記第１面上の第１部分と前記開口の内壁面上の第２部分と前記開口から露出する前記第１導体層上の第３部分とを有しており、前記第１部分は前記第２部分および前記第３部分より厚い。

【請求項2】

請求項１のプリント配線板であって、前記第２部分は前記第３部分より厚い。

【請求項3】

請求項１のプリント配線板であって、前記シード層は、第１層と前記第１層上に形成される第２層とを有しており、
前記第１層の前記第１部分は前記第１層の前記第２部分および前記第１層の前記第３部分より厚く、
前記第２層の前記第１部分は前記第２層の前記第２部分および前記第２層の前記第３部分より厚い。

【請求項4】

請求項３のプリント配線板であって、前記第１層の前記第２部分は前記第１層の前記第３部分より厚く、前記第２層の前記第２部分は前記第２層の前記第３部分より厚い。

【請求項5】

請求項３のプリント配線板であって、前記シード層の前記第１部分の厚さは、０．０２μｍ以上１．０μｍ以下であり、前記第１層の前記第１部分の厚さは、０．０１μｍ以上０．５μｍ以下であり、前記第２層の前記第１部分の厚さは、０．０１μｍ以上０．９μｍ以下である。

【請求項6】

請求項３のプリント配線板であって、前記シード層の前記第２部分の厚さは、０．００６μｍ以上０．６μｍ以下であり、前記第１層の前記第２部分の厚さは、０．００３μｍ以上０．３μｍ以下であり、前記第２層の前記第２部分の厚さは、０．００３μｍ以上０．６μｍ以下である。

【請求項7】

請求項３のプリント配線板であって、前記シード層の前記第３部分の厚さは、０．００５μｍ以上０．４μｍ以下であり、前記第１層の前記第３部分の厚さは、０．００２μｍ以上０．２μｍ以下であり、前記第２層の前記第３部分の厚さは、０．００２μｍ以上０．４μｍ以下である。

【請求項8】

請求項１のプリント配線板であって、前記第２部分の厚さと前記第１部分の厚さとの比は０．３以上０．６以下であり、前記第３部分の厚さと前記第１部分の厚さとの比は０．２５以上０．４０以下である。

【請求項9】

請求項１のプリント配線板であって、前記シード層はスパッタリングで形成される。

【請求項10】

請求項３のプリント配線板であって、前記第１層と前記第２層は銅合金と銅の組み合わせからなる。

【請求項11】

請求項１０のプリント配線板であって、前記銅合金中の銅の含有量（ｗｔ％）が９０％以上である。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書によって開示される技術は、プリント配線板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、樹脂基板と樹脂基板上に形成されている樹脂絶縁層と導体回路を有するプリント配線板を開示する。導体回路は、特定の金属を含む合金層を介して樹脂絶縁層上に形成されている。例えば、特許文献１の８段落に特定の金属は示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０００－１２４６０２号公報

【発明の概要】

【0004】

［特許文献１の課題］
特許文献１の合金層を備えるプリント配線板では、導体回路と樹脂絶縁層の密着力が十分ではないと考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明のプリント配線板は、第１導体層と、前記第１導体層上に形成されていて、前記第１導体層を露出するビア導体用の開口と第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第２導体層と、前記開口内に形成されていて、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体、とを有する。前記第２導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層とによって形成されている。前記シード層は、前記第１面上の第１部分と前記開口の内壁面上の第２部分と前記開口から露出する前記第１導体層上の第３部分とを有しており、前記第１部分は前記第２部分および前記第３部分より厚い。

【0006】

本発明の実施形態のプリント配線板によると、樹脂絶縁層の第１面上にシード層の厚い部位（第１部分）が配置される。そのため、第２導体層と樹脂絶縁層間の密着強度を高くすることができる。安定した性能を有するプリント配線板が得られる。

【0007】

第２部分の厚みが第１部分の厚みより薄い。シード層形成後のビア導体用の開口の体積を大きくすることができる。ビア導体用の開口の径が小さくても、ビア導体用の開口を電解めっき層で充填することができる。

【0008】

第１導体層とビア導体は第３部分を介して接続される。第３部分の厚みが第１部分の厚みより小さい。第３部分の影響を小さくすることができる。第３部分を介する接続抵抗が高くなりがたい。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】実施形態のプリント配線板を模式的に示す断面図。

【図2】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図3】シード層の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図4A】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4B】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4C】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4D】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4E】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4F】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4G】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0010】

［実施形態］
図１は実施形態のプリント配線板２を示す断面図である。図２は実施形態のプリント配線板２の一部を示す拡大断面図である。図１に示されるように、プリント配線板２は、絶縁層４と第１導体層１０と樹脂絶縁層２０と第２導体層３０とビア導体４０とを有する。

【0011】

絶縁層４は樹脂を用いて形成される。絶縁層４はシリカ、アルミナ等の無機粒子を含んでもよい。絶縁層４は、ガラスクロス等の補強材を含んでもよい。絶縁層４は、第３面６（図中の上面）と第３面６と反対側の第４面８（図中の下面）を有する。

【0012】

第１導体層１０は絶縁層４の第３面６上に形成されている。第１導体層１０は信号配線１２とパッド１４を含む。図に示されていないが、第１導体層１０は信号配線１２とパッド１４以外の導体回路も含んでいる。第１導体層１０は主に銅によって形成される。第１導体層１０は、絶縁層４上のシード層１０ａとシード層１０ａ上の電解めっき層１０ｂで形成されている。シード層１０ａは第３面６上の第１層１１ａと第１層１１ａ上の第２層１１ｂで形成されている。第１層１１ａは銅合金で形成されている。銅合金中の銅の含有量（ｗｔ％）は９０％以上である。第２層１１ｂは銅で形成されている。電解めっき層１０ｂは銅で形成されている。第１層１１ａは絶縁層４に接している。

【0013】

樹脂絶縁層２０は絶縁層４の第３面６と第１導体層１０上に形成されている。樹脂絶縁層２０は第１面２２（図中の上面）と第１面２２と反対側の第２面２４（図中の下面）を有する。樹脂絶縁層２０の第２面２４は第１導体層１０と対向する。樹脂絶縁層２０はパッド１４を露出する開口２６を有している。樹脂絶縁層２０はエポキシ系樹脂とエポキシ系樹脂内に分散されている無機粒子で形成されている。樹脂の例は熱硬化性樹脂と光硬化性樹脂である。無機粒子は、例えば、シリカやアルミナである。

【0014】

樹脂絶縁層２０の第１面２２はほとんど樹脂で形成されている。第１面２２から無機粒子は少量露出する。樹脂絶縁層２０の第１面２２には凹凸が形成されていない。第１面２２は荒らされていない。第１面２２は平滑に形成されている。

【0015】

第２導体層３０は樹脂絶縁層２０の第１面２２上に形成されている。第２導体層３０は第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６とを含む。図に示されていないが、第２導体層３０は第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６以外の導体回路も含んでいる。第１信号配線３２と第２信号配線３４はペア配線を形成している。第２導体層３０は主に銅によって形成される。第２導体層３０は、第１面２２上のシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。シード層３０ａは第１面２２上の第１層３１ａと第１層３１ａ上の第２層３１ｂで形成されている。第１層３１ａは銅合金で形成されている。銅合金中の銅の含有量（ｗｔ％）は９０％以上である。第２層３１ｂは銅で形成されている。電解めっき層３０ｂは銅で形成されている。第１層３１ａは第１面２２に接している。

【0016】

ビア導体４０は開口２６内に形成されている。ビア導体４０は第１導体層１０と第２導体層３０を接続する。図１ではビア導体４０はパッド１４とランド３６を接続する。ビア導体４０はシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。ビア導体４０を形成するシード層３０ａと第２導体層３０を形成するシード層３０ａは共通である。ビア導体４０を形成するシード層３０ａは、開口２６の内壁面２７と開口２６から露出するパッド１４の上面を覆う第１層３１ａと第１層３１ａ上の第２層３１ｂで形成されている。第１層３１ａはパッド１４の上面と内壁面２７に接している。

【0017】

シード層３０ａは、第１面２２上の第１部分Ｐ１と、開口２６の内壁面２７上の第２部分Ｐ２と開口２６から露出するパッド１４上の第３部分Ｐ３とを有している。図３はシード層３０ａの一部を示す拡大断面図である。図３（ａ）は図２中の符号ＩＩＩ－１で示される部分（第１部分Ｐ１）を示す。図３（ｂ）は図２中の符号ＩＩＩ－２で示される部分（第２部分Ｐ２）を示す。図３（ｃ）は図２中の符号ＩＩＩ－３で示される部分（第３部分Ｐ３）を示す。図３に示されるように、第１部分Ｐ１の厚さＴ１は、第２部分Ｐ２の厚さＴ２および第３部分Ｐ３の厚さＴ３より厚い。また、第２部分Ｐ２の厚さＴ２は第３部分Ｐ３の厚さＴ３より厚い。

【0018】

シード層３０ａが複数の層で形成される場合、厚さＴ１と厚さＴ２と厚さＴ３は各層の厚さの合計である。

【0019】

第１層３１ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ａは、第１層３１ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａおよび第１層３１ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａより厚い。また、第１層３１ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａは第１層３１ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａより厚い。

【0020】

他の層の厚さも第１層３１ａの厚さと同様な関係を有する。従って、シード層３０ａが２層で形成される場合、第２層３１ｂの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ｂは、第２層３１ｂの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ｂおよび第２層３１ｂの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ｂより厚い。また、第２層３１ｂの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ｂは第２層３１ｂの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ｂより厚い。

【0021】

第２層３１ｂの厚さは第１層３１ａの厚さより厚い。厚さＴ１ｂは厚さＴ１ａより厚い。厚さＴ２ｂは厚さＴ２ａより厚い。厚さＴ３ｂは厚さＴ３ａより厚い。

【0022】

樹脂絶縁層２０の第１面２２上のシード層３０ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１は、０．０２μｍ以上１．０μｍ以下である。第１層３１ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ａは、０．０１μｍ以上０．５μｍ以下である。第２層３１ｂの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ｂは、０．０１μｍ以上０．９μｍ以下である。シード層３０ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１が０．０２μｍ未満であると、例えば、樹脂絶縁層２０とシード層３０ａ間の密着強度が低い。第１部分Ｐ１の厚さＴ１が１．０μｍをこえると、シード層のエッチング量が多くなるため、配線幅の制御が難しい。

【0023】

開口２６の内壁面２７上のシード層３０ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２は、０．００６μｍ以上０．６μｍ以下である。第１層３１ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａは、０．００３μｍ以上０．３μｍ以下である。第２層３１ｂの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ｂは、０．００３μｍ以上０．６μｍ以下である。開口２６の内壁面２７はプラズマで荒らされる。開口２６の内壁面２７は樹脂絶縁層２０を形成する樹脂と無機粒子で形成される。シード層３０ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２とシード層３０ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１との比（Ｔ２／Ｔ１）は０．３以上、０．６以下である。

【0024】

開口２６から露出するパッド１４上のシード層３０ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３は、０．００５μｍ以上０．４μｍ以下である。第１層３１ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａは、０．００２μｍ以上０．２μｍ以下である。第２層３１ｂの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ｂは、０．００２μｍ以上０．４μｍ以下である。第３部分Ｐ３はビア導体４０とパッド１４との接続部になる。シード層３０ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３とシード層３０ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１との比（Ｔ３／Ｔ１）は０．２５以上、０．４０以下である。

【0025】

［実施形態のプリント配線板２の製造方法］
図４Ａ～図４Ｇは実施形態のプリント配線板２の製造方法を示す。図４Ａ～図４Ｇは断面図である。図４Ａは絶縁層４と絶縁層４の第３面６上に形成されている第１導体層１０を示す。第１導体層１０はセミアディティブ法によって形成される。第１層１１ａと第２層１１ｂはスパッタリングで形成される。電解めっき層１０ｂは電解めっきで形成される。

【0026】

図４Ｂに示されるように、絶縁層４と第１導体層１０上に樹脂絶縁層２０と保護膜５０が形成される。樹脂絶縁層２０の第２面２４が絶縁層４の第３面６と対向している。樹脂絶縁層２０の第１面２２上に保護膜５０が形成されている。

【0027】

保護膜５０は樹脂絶縁層２０の第１面２２を完全に覆っている。保護膜５０の例は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製のフィルムである。保護膜５０と樹脂絶縁層２０との間に離型剤が形成されている。

【0028】

図４Ｃに示されるように、保護膜５０の上からレーザ光Ｌが照射される。レーザ光Ｌは保護膜５０と樹脂絶縁層２０を同時に貫通する。第１導体層１０のパッド１４に至るビア導体用の開口２６が形成される。レーザ光Ｌは例えばＵＶレーザ光、ＣＯ２レーザ光である。開口２６によりパッド１４が露出される。開口２６が形成される時、第１面２２は保護膜５０で覆われている。そのため、開口２６が形成される時、樹脂が飛散しても、第１面２２に樹脂が付着することが抑制される。

【0029】

その後、開口２６内が洗浄される。開口２６形成時に発生する樹脂残渣が除去される。開口２６内の洗浄はプラズマによって行われる。即ち洗浄はドライプロセスで行われる。洗浄はデスミア処理を含む。開口２６の内壁面２７はプラズマで荒らされる。開口２６の内壁面２７は樹脂絶縁層２０を形成する樹脂と無機粒子で形成される。一方、樹脂絶縁層２０の第１面２２は保護膜５０で覆われている。第１面２２はプラズマの影響を受けない。樹脂絶縁層２０の第１面２２には凹凸が形成されない。第１面２２は荒らされない。第１面２２は平滑に形成されている。

【0030】

図４Ｄに示されるように、樹脂絶縁層２０から保護膜５０が除去される。保護膜５０除去後、樹脂絶縁層２０の第１面２２を荒らすことは行われない。

【0031】

図４Ｅに示されるように、樹脂絶縁層２０の第１面２２上にシード層３０ａが形成される。シード層３０ａはスパッタリングによって形成される。シード層３０ａの形成はドライプロセスで行われる。例えば、スパッタリングはマスクを介して行われる。まず、各ビア導体用の開口２６を覆う第１マスクが樹脂絶縁層２０上に配置される。第１マスクは樹脂絶縁層２０の第１面２２のみを露出する。第１マスクを介して樹脂絶縁層２０の第１面２２上に厚さＴ１ａを有する第１部分Ｐ１が形成される。第１マスクが除去される。各ビア導体用の開口２６の内壁面２７のみを露出する第２マスクが樹脂絶縁層２０上に配置される。第２マスクを介して内壁面２７上に厚さＴ２ａを有する第２部分Ｐ２が形成される。第２マスクが除去される。各ビア導体用の開口２６から露出されるパッド１４のみを露出する第３マスクが樹脂絶縁層２０上に配置される。第３マスクを介してパッド１４上に厚さＴ３ａを有する第３部分Ｐ３が形成される。第３マスクが除去される。これにより、第１層３１ａが第１面２２上に形成される。開口２６から露出する内壁面２７とパッド１４上に第１層３１ａが形成される。その後、第１層３１ａ上に第２層３１ｂが形成される。第１層３１ａの形成方法と第２層３１ｂの形成方法は同様である。第１層３１ａは銅合金で形成される。第２層３１ｂは銅で形成される。

【0032】

スパッタリングで第１層３１ａと第２層３１ｂが形成される。スパッタリングの条件の例が次に示される。ターゲットと樹脂絶縁層２０の第１面２２間の距離が５０ｍｍ以上２５０ｍｍ以下である。電圧が１５ｅＶ以上５０ｅＶ以下である。ガス濃度が０．１Ｐａ以上１．０Ｐａ以下である。例えば、処理時間を変えることで、シード層３０ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１と第２部分Ｐ２の厚さＴ２と第３部分Ｐ３の厚さＴ３を調整することができる。第１層３１ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ａは、第１層３１ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａおよび第１層３１ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａより厚い（図３参照）。また、第１層３１ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａは第１層３１ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａより厚い。第２層３１ｂの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ｂは、第２層３１ｂの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ｂおよび第２層３１ｂの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ｂより厚い。また、第２層３１ｂの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ｂは第２層３１ｂの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ｂより厚い。この結果、シード層３０ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１は第２部分Ｐ２の厚さＴ２および第３部分Ｐ３の厚さＴ３より厚い。シード層３０ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２は第３部分Ｐ３の厚さＴ３より厚い。

【0033】

第２層３１ｂの厚さと第１層３１ａの厚さとの比（第２層３１ｂの厚さ／第１層３１ａの厚さ）は１．２以上２以下である。比（厚さＴ１ｂ／厚さＴ１ａ）と比（厚さＴ２ｂ／厚さＴ２ａ）、比（厚さＴ３ｂ／厚さＴ３ａ）は１．２以上２以下である。

【0034】

第１部分Ｐ１は樹脂絶縁層２０の第１面２２上に形成され、第２部分Ｐ２は樹脂絶縁層２０の内壁面２７上に形成されている。第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２は共に樹脂絶縁層２０上に形成されている。第１部分Ｐ１はランド３６と第１信号配線３２、第２信号配線３４のシード層３０ａを形成する。第２部分Ｐ２はビア導体４０のシード層３０ａを形成する。樹脂絶縁層２０の熱膨張係数とシード層３０ａの熱膨張係数は異なる。そのため、プリント配線板２が熱衝撃を受けると、シード層３０ａにストレスが働くと考えられる。普通、第１信号配線３２と第２信号配線３４はビア導体４０よりかなり長く曲がっている部分を含む。そのため、大きなストレスが第１信号配線３２と第２信号配線３４内の曲がっている部分に集中するはずである。それに対し、ビア導体４０は短く、ほぼ真っすぐに形成されている。そのため、ビア導体４０に関しては、ストレスの集中は起こりがたい。従って、樹脂絶縁層２０の第１面２２上のシード層３０ａの破断を避けるために、第１信号配線３２と第２信号配線３４を形成するシード層３０ａの厚さは大きいことが好ましい。それに対し、ビア導体４０を形成する内壁面２７上のシード層３０ａの厚みは小さくてもよい。そのため、実施形態は、厚さＴ１を厚さＴ２より大きくしている。

【0035】

第２部分Ｐ２の厚さＴ２を薄くすることで、シード層３０ａを形成するために必要な時間を短縮することができる。

【0036】

図４Ｆに示されるように、シード層３０ａ上にめっきレジスト６０が形成される。めっきレジスト６０は、第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６（図１）を形成するための開口を有する。

【0037】

図４Ｇに示されるように、めっきレジスト６０から露出するシード層３０ａ上に電解めっき層３０ｂが形成される。電解めっき層３０ｂは銅で形成される。電解めっき層３０ｂは開口２６を充填する。第１面２２上のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６が形成される。第２導体層３０が形成される。開口２６内のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、ビア導体４０が形成される。ビア導体４０は、パッド１４とランド３６を接続する。第１信号配線３２と第２信号配線３４はペア配線を形成する。

【0038】

厚さＴ２が薄いと、シード層３０ａ形成後のビア導体４０用の開口２６の体積を大きくすることができる。そのため、電解めっき液が開口２６内に入りやすい。ビア導体４０を形成する電解めっき層３０ｂ内にボイドが形成され難い。低い抵抗を有するビア導体４０を形成することができる。開口２６の開口径（パッド１４上の径）Ｄ（図４Ｅ参照）が３０μｍ以下でも、ボイドを含まないビア導体４０を形成することができる。開口径Ｄが１０μｍ以上、２５μｍ以下であっても、ビア導体４０を介する接続信頼性が長期間安定である。このように、第２部分Ｐ２の厚さＴ２を小さくすることで、コストや生産性、信頼性を改善することができる。従って、厚さＴ２は厚さＴ１より小さいことが好ましい。

【0039】

その後、めっきレジスト６０が除去される。電解めっき層３０ｂから露出するシード層３０ａが除去される。第２導体層３０とビア導体４０は同時に形成される。実施形態のプリント配線板２（図１）が得られる。

【0040】

パッド１４を形成する電解めっき層１０ｂとビア導体４０を形成する電解めっき層３０ｂは第３部分Ｐ３を形成するシード層３０ａを挟んでいる。シード層３０ａはスパッタリングを用いて形成される。電解めっきとスパッタリング（スパッタ）は異なる手法なので、プリント配線板２が熱衝撃を受けると、両者の収縮量や膨張量は異なると考えられる。そのため、ビア導体４０を介する接続信頼性はシード層３０ａとパッド１４を形成する電解めっき層１０ｂ間で低下しやすい。あるいは、シード層３０ａとビア導体４０を形成する電解めっき層３０ｂ間で低下しやすい。接続信頼性に対するスパッタ製シード層３０ａの影響度を小さくするため、パッド１４上のスパッタ製シード層３０ａの厚さは薄いことが好ましい。そのため、実施形態は、第３部分Ｐ３の厚さＴ３を薄くする。具体的には、実施形態は厚さＴ３を厚さＴ１より小さくする。実施形態は厚さＴ３を厚さＴ２より小さくする。これにより、ビア導体４０がスパッタ製シード層３０ａと電解めっき層３０ｂで形成されても、高い接続信頼性を有するプリント配線板２を提供することができる。

【0041】

実施形態のプリント配線板２（図１、図２）によると、樹脂絶縁層２０の第１面２２上にシード層３０ａの厚い部位（第１部分Ｐ１）が配置される。そのため、第２導体層３０と樹脂絶縁層２０間の密着強度を高くすることができる。安定した性能を有するプリント配線板１が提供される。

【0042】

実施形態のプリント配線板２では樹脂絶縁層２０の第１面２２はほとんど樹脂で形成されている。第１面２２から無機粒子は少量露出する。第１面２２には凹凸が形成されない。樹脂絶縁層２０の第１面２２近傍部分の比誘電率の標準偏差が大きくなることが抑制される。第１面２２の比誘電率は場所によって大きく変わらない。第１信号配線３２と第２信号配線３４が第１面２２に接していても、第１信号配線３２と第２信号配線３４間の電気信号の伝搬速度の差を小さくすることができる。そのため、実施形態のプリント配線板２ではノイズが抑制される。実施形態のプリント配線板２にロジックＩＣが実装されても、第１信号配線３２で伝達されるデータと第２信号配線３４で伝達されるデータがロジックＩＣにほぼ遅延なく到達する。ロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。第１信号配線３２の長さと第２信号配線３４の長さが５ｍｍ以上であっても、両者の伝搬速度の差を小さくすることができる。第１信号配線３２の長さと第２信号配線３４の長さが１０ｍｍ以上、２０ｍｍ以下であっても、ロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。図に示されないが、プリント配線板２の各辺の長さは５０ｍｍ以上である。各辺の長さは１００ｍｍ以上であることが好ましい。各辺の長さは２５０ｍｍ以下である。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0043】

［実施形態の別例］
実施形態の別例では、シード層１０ａ、３０ａの第１層１１ａ、３１ａは、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、カルシウム、マグネシウム、鉄、モリブデン、銀、のうちのいずれか１つの金属で形成されている。

【符号の説明】

【0044】

２ ：プリント配線板
４ ：絶縁層
１０ ：第１導体層
１２ ：信号配線
１４ ：パッド
２０ ：樹脂絶縁層
２２ ：第１面
２４ ：第２面
２６ ：開口
２７ ：内壁面
３０ ：第２導体層
３０ａ ：シード層
３０ｂ ：電解めっき層
３１ａ ：第１層
３１ｂ ：第２層
３２ ：第１信号配線
３４ ：第２信号配線
３６ ：ランド
４０ ：ビア導体
Ｐ１ ：第１部分
Ｐ２ ：第２部分
Ｐ３ ：第３部分

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図4F】

【図4G】