特開 2023-147198 プリント配線板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023147198

(43)【公開日】2023-10-12

(54)【発明の名称】プリント配線板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20231004BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023021710

(22)【出願日】2023-02-15

(31)【優先権主張番号】P 2022052979

(32)【優先日】2022-03-29

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100122622

【弁理士】

【氏名又は名称】森 徳久

(72)【発明者】

【氏名】酒井 純

(72)【発明者】

【氏名】島田 志保

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA02

5E316AA15

5E316AA32

5E316AA35

5E316AA43

5E316CC09

5E316CC31

5E316CC32

5E316CC34

5E316CC35

5E316CC37

5E316CC39

5E316CC60

5E316DD01

5E316DD17

5E316DD24

5E316DD32

5E316DD33

5E316EE33

5E316FF07

5E316FF13

5E316FF14

5E316GG15

5E316GG16

5E316GG17

5E316GG22

5E316HH21

(57)【要約】

【課題】高い品質を有するプリント配線板の提供。
【解決手段】プリント配線板は、第１導体層と、第１導体層上に形成されていて、第１導体層を露出するビア導体用の開口と第１面と第１面と反対側の第２面とを有する第１樹脂絶縁層と、第１樹脂絶縁層の第１面上に形成されている第２導体層と、開口内に形成されていて、第１導体層と第２導体層とを接続するビア導体とを有する。第２導体層とビア導体は、シード層とシード層上に形成される電解めっき層とによって形成されている。第２導体層のうち第１面と対向する面は第１面の表面形状に沿って形成されている。第２導体層は導体回路を有している。シード層は、第１層と第１層上に形成される第２層とを有しており、導体回路は、第１樹脂絶縁層に近い方から順に第１層、第２層、電解めっき層で構成されており、導体回路の断面において、第１層の幅は第２層の幅より大きく、電解めっき層の幅は第１層の幅より大きい。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１導体層と、
前記第１導体層上に形成されていて、前記第１導体層を露出するビア導体用の開口と第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する第１樹脂絶縁層と、
前記第１樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第２導体層と、
前記開口内に形成されていて、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体、とを有するプリント配線板であって、
前記第２導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層とによって形成されており、
前記第２導体層のうち前記第１面と対向する面は、前記第１面の表面形状に沿って形成されており、
前記第２導体層は導体回路を有しており、
前記シード層は、第１層と前記第１層上に形成される第２層とを有しており、前記導体回路は、前記第１樹脂絶縁層に近い方から順に前記第１層、前記第２層、前記電解めっき層で構成されており、前記導体回路の断面において、前記第１層の幅は前記第２層の幅より大きく、前記電解めっき層の幅は前記第１層の幅より大きい。

【請求項2】

請求項１のプリント配線板であって、前記第２層の表面は前記電解めっき層と接着している。

【請求項3】

請求項１のプリント配線板であって、前記導体回路の前記シード層の幅は前記導体回路の前記電解めっき層の幅よりも小さく、前記導体回路の幅は、前記シード層と前記電解めっき層の境界部分において最も小さい。

【請求項4】

請求項１のプリント配線板であって、前記導体回路の断面において、前記シード層の側面と前記第１面との間の第１角度は、前記電解めっき層の側面下端部から前記シード層と前記電解めっき層の境界部分に向かう直線と前記第１面との間の第２角度より大きい。

【請求項5】

請求項１のプリント配線板であって、
前記第２導体層と前記第１面上に形成されている第２樹脂絶縁層をさらに有し、
前記第２樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子によって形成されており、
前記第２樹脂絶縁層のうち、前記導体回路の前記シード層の側方であって前記導体回路の前記電解めっき層と前記第１面の間に配置される部分に含まれる前記無機粒子の径は１．０μｍ以下である。

【請求項6】

請求項１のプリント配線板であって、前記第１樹脂絶縁層の前記第１面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．０２μｍ以上０．０６μｍ以下である。

【請求項7】

請求項１のプリント配線板であって、前記シード層はスパッタで形成される。

【請求項8】

請求項１のプリント配線板であって、前記第１層と前記第２層は異なる材料の銅合金の組み合わせ、あるいは前記銅合金と銅の組み合わせからなる。

【請求項9】

請求項８のプリント配線板であって、前記銅合金中の銅の含有量が９０ｗｔ％以上である。

【請求項10】

請求項１のプリント配線板であって、前記第１層は、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、カルシウム、マグネシウム、鉄、モリブデン、銀のうちのいずれか１つの金属で形成されており、前記第２層は銅で形成されている。

【請求項11】

請求項１のプリント配線板であって、前記シード層の厚みは、０．０２μｍ以上１．０μｍ以下である。

【請求項12】

請求項１のプリント配線板であって、前記第１層の厚みは、０．０１μｍ以上０．５μｍ以下である。

【請求項13】

請求項１のプリント配線板であって、前記第２層の厚みは、０．０１μｍ以上０．９μｍ以下である。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書によって開示される技術は、プリント配線板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、絶縁層と絶縁層上に形成されている導体回路を有するプリント配線板を開示する。絶縁層の表面は粗化されている。導体回路は、絶縁層表面の粗化面に追従して形成される無電解めっき膜と、無電解めっき膜上に形成される電解めっき膜とによって形成されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開平１１－２１４８２８号公報

【発明の概要】

【0004】

［特許文献１の課題］
特許文献１の技術では、特許文献１の図９に示されるように、無電解めっき膜の一部は絶縁層表面よりも絶縁層の内側に入りこんでいる。無電解めっき膜が除去される時、エッチング量が多いと考えられる。無電解めっき膜が過度に除去されると考えられる。導体回路の幅を設計値に調整することが難しいと考えられる。高い品質を有するプリント配線板が提供されないと考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明のプリント配線板は、第１導体層と、前記第１導体層上に形成されていて、前記第１導体層を露出するビア導体用の開口と第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する第１樹脂絶縁層と、前記第１樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第２導体層と、前記開口内に形成されていて、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体、とを有する。前記第２導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層とによって形成されている。前記第２導体層のうち前記第１面と対向する面は前記第１面の表面形状に沿って形成されており、前記第２導体層は導体回路を有しており、前記シード層は、第１層と前記第１層上に形成される第２層とを有しており、前記導体回路は、前記第１樹脂絶縁層に近い方から順に前記第１層、前記第２層、前記電解めっき層で構成されており、前記導体回路の断面において、前記第１層の幅は前記第２層の幅より大きく、前記電解めっき層の幅は前記第１層の幅より大きい。

【0006】

本発明の実施形態のプリント配線板では、第２導体層のうち第１面と対向する面は前記第１面の表面形状に沿って形成されている。そのため、第２導体層内の導体回路を形成するシード層は第１樹脂絶縁層の内側に入り込まない。シード層が除去される時、エッチング量を少なくすることができる。導体回路が過度にエッチングされ難い。導体回路の幅を設計値に近くすることができる。第１層の幅を第２層の幅より大きく形成することで第２導体層と第１樹脂絶縁層との密着性を高くすることができる。高い品質を有するプリント配線板を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態のプリント配線板を模式的に示す断面図。

【図2】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図3A】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図3B】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図3C】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図3D】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。

【図3E】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図3F】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図3G】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図3H】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

［実施形態］
図１は実施形態のプリント配線板２を示す断面図である。図２は実施形態のプリント配線板２の一部を示す拡大断面図である。図１に示されるように、プリント配線板２は、絶縁層４と第１導体層１０と第１樹脂絶縁層２０と第２導体層３０と第１ビア導体４０と第２樹脂絶縁層１２０と第３導体層１３０と第２ビア導体１４０を有する。

【0009】

絶縁層４は樹脂を用いて形成される。絶縁層４はシリカ等の無機粒子を含んでもよい。絶縁層４は、ガラスクロス等の補強材を含んでもよい。絶縁層４は、第３面６（図中の上面）と第３面６と反対側の第４面８（図中の下面）を有する。

【0010】

第１導体層１０は絶縁層４の第３面６上に形成されている。第１導体層１０は信号配線１２とパッド１４を含む。図に示されていないが、第１導体層１０は信号配線１２とパッド１４以外の導体回路も含んでいる。第１導体層１０は主に銅によって形成される。第１導体層１０は、絶縁層４上のシード層１０ａとシード層１０ａ上の電解めっき層１０ｂで形成されている。シード層１０ａは第３面６上の第１層１１ａと第１層１１ａ上の第２層１１ｂで形成されている。第１層１１ａは銅と銅以外の金属を含む銅合金で形成されている。第２層１１ｂは銅で形成されている。電解めっき層１０ｂは銅で形成されている。第１層１１ａは絶縁層４に接している。

【0011】

第１樹脂絶縁層２０は絶縁層４の第３面６と第１導体層１０上に形成されている。第１樹脂絶縁層２０は第１面２２（図中の上面）と第１面２２と反対側の第２面２４（図中の下面）を有する。第１樹脂絶縁層２０の第２面２４は第１導体層１０と対向する。第１樹脂絶縁層２０はパッド１４を露出する開口２６を有している。第１樹脂絶縁層２０は樹脂８０と樹脂８０内に分散されている多数の無機粒子９０で形成されている。樹脂８０はエポキシ系樹脂である。樹脂８０の例は熱硬化性樹脂と光硬化性樹脂である。無機粒子９０は、例えば、シリカやアルミナである。無機粒子９０の径の範囲は０．１μｍ以上５．０μｍ以下であって、平均粒子径は０．５μｍである。

【0012】

図１に示されるように、無機粒子９０は、開口２６の内壁面２７を形成する第１無機粒子９１と、樹脂８０内に埋まっている第２無機粒子９２を含む。第２無機粒子９２の形は球である。第１無機粒子９１の形状は球を平面で切断することで得られる。第１無機粒子９１の形状は第２無機粒子９２を平面で切断することで得られる。第１無機粒子９１の形状と第２無機粒子９２の形状は異なる。

【0013】

図１に示されるように、第１樹脂絶縁層２０の第１面２２はほとんど樹脂８０で形成されている。第１面２２から無機粒子９０（第２無機粒子９２）は少量露出する。第１樹脂絶縁層２０の第１面２２には凹凸が形成されていない。第１面２２は荒らされていない。第１面２２は平滑に形成されている。第１面２２の算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．０２μｍ以上０．０６μｍ以下である。

【0014】

開口２６の内壁面２７は樹脂８０と第１無機粒子９１で形成されている。第１無機粒子９１は平坦部を有する。内壁面２７は樹脂８０と第１無機粒子９１の平坦部とで形成されている。内壁面２７は平滑に形成されている。

【0015】

第１無機粒子９１の平坦部は第１無機粒子９１の周りに形成されている樹脂８０の面（内壁面２７を形成する面）を延長することで得られる面とほぼ一致する。図３Ｅに内壁面２７が示されている。図３Ｅ中に内壁面２７を形成する樹脂の面８０ａと平坦部９１ａが示されている。図３Ｅ中に実質的な直線で描かれている平坦部９１ａは平面を意味している。図３Ｅに示される断面において平坦部９１ａは平面である。平坦部９１ａは完全な平面でなくてもよい。平坦部９１ａは実質的な平面であってほぼ平滑な面である。

【0016】

図３Ｅに示される断面では、開口２６の形状は略逆台形に示されている。しかしながら、実際の開口２６の形状は略逆円錐台形状である。そのため実際の開口２６の内壁面（側壁）２７は略曲面である。すなわち、平坦部９１ａと樹脂８０で形成される共通な面は略曲面で形成される内壁面（側壁）２７を含む。

【0017】

第２導体層３０は第１樹脂絶縁層２０の第１面２２上に形成されている。第２導体層３０は第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６を含む。図に示されていないが、第２導体層３０は第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６以外の導体回路も含んでいる。第１信号配線３２と第２信号配線３４はペア配線を形成している。第２導体層３０は主に銅によって形成される。第２導体層３０は、第１面２２上のシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。シード層３０ａは第１面２２上の第１層３１ａと第１層３１ａ上の第２層３１ｂで形成されている。第１層３１ａは銅と銅以外の金属を含む銅合金で形成されている。第２層３１ｂは銅で形成されている。電解めっき層３０ｂは銅で形成されている。第１層３１ａは第１面２２に接している。第２層３１ｂは電解めっき層３０ｂと接着している。第２導体層３０のうち第１樹脂絶縁層２０の第１面２２と対向する面は第１面２２の表面形状に沿って形成されている。第２導体層３０は第１樹脂絶縁層２０の第１面２２の内側に入り込まない。

【0018】

第１ビア導体４０は開口２６内に形成されている。第１ビア導体４０は第１導体層１０と第２導体層３０を接続する。図１では第１ビア導体４０はパッド１４とランド３６を接続する。第１ビア導体４０はシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。第１ビア導体４０を形成するシード層３０ａと第２導体層３０を形成するシード層３０ａは共通である。第１層３１ａは内壁面２７に接している。

【0019】

第２樹脂絶縁層１２０は第１樹脂絶縁層２０の第１面２２と第２導体層３０上に形成されている。第２樹脂絶縁層１２０は第５面１２２（図中の上面）と第５面１２２と反対側の第６面１２４（図中の下面）を有する。第２樹脂絶縁層１２０の第６面１２４は第２導体層３０と対向する。第２樹脂絶縁層１２０はランド３６を露出する開口１２６を有している。第２樹脂絶縁層１２０は、樹脂１８０と樹脂１８０内に分散されている多数の無機粒子１９０で形成されている。樹脂１８０、無機粒子１９０は、第１樹脂絶縁層２０の樹脂８０、無機粒子９０と同様である。無機粒子１９０は、開口１２６の内壁面１２７を形成する第１無機粒子１９１と、樹脂１８０内に埋まっている第２無機粒子１９２を含む。第２無機粒子１９２の形は球である。第１無機粒子１９１の形状は球を平面で切断することで得られる。第１無機粒子１９１の形状と第１無機粒子９１の形状は同様である。

【0020】

第２樹脂絶縁層１２０の第５面１２２はほとんど樹脂１８０で形成されている。第５面１２２から無機粒子１９０（第２無機粒子１９２）は少量露出する。第２樹脂絶縁層１２０の第５面１２２には凹凸が形成されていない。第５面１２２は荒らされていない。第５面１２２は平滑に形成されている。

【0021】

開口１２６の内壁面１２７は樹脂１８０と第１無機粒子１９１で形成されている。内壁面１２７は樹脂１８０と第１無機粒子１９１の平坦部とで形成されている。内壁面１２７は平滑に形成されている。第１無機粒子１９１の平坦部と第１無機粒子９１の平坦部９１ａは同様である。

【0022】

第３導体層１３０は第２樹脂絶縁層１２０の第５面１２２上に形成されている。第３導体層１３０は第１信号配線１３２と第２信号配線１３４とランド１３６を含む。図に示されていないが、第３導体層１３０は第１信号配線１３２と第２信号配線１３４とランド１３６以外の導体回路も含んでいる。第１信号配線１３２と第２信号配線１３４はペア配線を形成している。第３導体層１３０は主に銅によって形成される。第３導体層１３０は、第５面１２２上のシード層１３０ａとシード層１３０ａ上の電解めっき層１３０ｂで形成されている。シード層１３０ａ、電解めっき層１３０ｂは第２導体層３０のシード層３０ａ、電解めっき層３０ｂと同様である。シード層１３０ａは第５面１２２上の第１層１３１ａと第１層１３１ａ上の第２層１３１ｂで形成されている。第１層１３１ａは銅と銅以外の金属を含む銅合金で形成されている。第２層１３１ｂは銅で形成されている。電解めっき層１３０ｂは銅で形成されている。第１層１３１ａは第５面１２２に接している。第３導体層１３０のうち第２樹脂絶縁層１２０の第５面１２２と対向する面は第５面１２２の表面形状に沿って形成されている。第３導体層１３０は第２樹脂絶縁層１２０の第５面１２２の内側に入り込まない。

【0023】

第２ビア導体１４０は開口１２６内に形成されている。第２ビア導体１４０は第２導体層３０と第３導体層１３０を接続する。図１では第２ビア導体１４０はランド３６とランド１３６を接続する。第２ビア導体１４０はシード層１３０ａとシード層１３０ａ上の電解めっき層１３０ｂで形成されている。第２ビア導体１４０を形成するシード層１３０ａと第３導体層１３０を形成するシード層１３０ａは共通である。第１層１３１ａは内壁面１２７に接している。

【0024】

図２は、第２導体層３０の第１信号配線３２の拡大断面図を示す。図２に示されるように、第１信号配線３２は、第１樹脂絶縁層２０の第１面２２上のシード層３０ａと、シード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂによって形成されている。シード層３０ａは、第１面２２上の第１層３１ａと第１層３１ａ上の第２層３１ｂを備える。第１層３１ａは第１面２２に接している。第１面２２と対向する第１層３１ａの面は第１面２２の表面形状に沿って形成されている。第２層３１ｂは電解めっき層３０ｂと接着している。電解めっき層３０ｂは第２層３１ｂの直上に形成されている。

【0025】

図２に示されるように、第１信号配線３２のシード層３０ａの幅（図中左右方向の長さ）は、電解めっき層３０ｂの幅よりも小さい。第１信号配線３２の幅は、シード層３０ａと電解めっき層３０ｂの境界部分Ｂにおいて最も小さい。第１層３１ａの幅Ｄ２は第２層３１ｂの幅Ｄ３より大きく、電解めっき層３０ｂの幅Ｄ１は第１層３１ａの幅Ｄ２より大きい。第１信号配線３２の断面において、シード層３０ａの側面と第１面２２との間の第１角度θ１は、電解めっき層３０ｂの側面下端部から境界部分Ｂに向かう直線と第１面２２との間の第２角度θ２より大きい。

【0026】

図２に示されるように、幅Ｄ１は第１信号配線３２の側面間の距離である。幅Ｄ１は第１信号配線３２の上面近くで測定される。第１信号配線３２の上面は第１面２２から離れている面である。幅Ｄ２は第１面２２上で測定される。幅Ｄ３は第２層３１ｂと電解めっき層３０ｂとの間の界面で測定される。

【0027】

第２樹脂絶縁層１２０のうち、第１信号配線３２のシード層３０ａの側方であって、電解めっき層３０ｂと第１面２２の間に配置される特定部分Ｓには第２無機粒子１９２が含まれる。特定部分Ｓに含まれる第２無機粒子１９２の径は他の部分に含まれる第２無機粒子１９２の径より小さい。特定部分Ｓに含まれる第２無機粒子１９２の径は例えば１．０μｍ以下である。特定部分Ｓの幅は図２のＣに相当する。特定部分Ｓの幅は１．０μｍ程度である。（図２参照）

【0028】

電解めっき層３０ｂの側面が仮想的に第１面２２まで延長される。側面は幅Ｄ１を測定するために用いられる面である。延長することで得られる面は仮想的な面と称される。仮想的な面は電解めっき層３０ｂの側面を含まない。仮想的な面と第１面２２と第１信号配線３２の側面で囲まれる部分が特定部分Ｓである。

【0029】

図２は第１信号配線３２を例示するが、第２導体層３０内の他の導体回路（第２信号配線３４とランド３６）も第１信号配線３２と同様の構成を有する。第３導体層１３０内の導体回路（第１信号配線１３２、第２信号配線１３４、ランド１３６）も第１信号配線３２と同様の構成を有する。

【0030】

［実施形態のプリント配線板２の製造方法］
図３Ａ～図３Ｈは実施形態のプリント配線板２の製造方法を示す。図３Ａ～図３Ｃ、図３Ｅ～図３Ｈは断面図である。図３Ｄは拡大断面図である。図３Ａは絶縁層４と絶縁層４の第３面６上に形成されている第１導体層１０を示す。第１導体層１０はセミアディティブ法によって形成される。第１層１１ａと第２層１１ｂはスパッタで形成される。電解めっき層１０ｂは電解めっきで形成される。

【0031】

図３Ｂに示されるように、絶縁層４と第１導体層１０上に第１樹脂絶縁層２０と保護膜５０が形成される。第１樹脂絶縁層２０の第２面２４が絶縁層４の第３面６と対向している。第１樹脂絶縁層２０の第１面２２上に保護膜５０が形成されている。第１樹脂絶縁層２０は樹脂８０と無機粒子９０（第２無機粒子９２）を有する。無機粒子９０は樹脂８０内に埋まっている。

【0032】

保護膜５０は第１樹脂絶縁層２０の第１面２２を完全に覆っている。保護膜５０の例は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製のフィルムである。保護膜５０と第１樹脂絶縁層２０との間に離型剤が形成されている。

【0033】

図３Ｃに示されるように、保護膜５０の上からレーザ光Ｌが照射される。レーザ光Ｌは保護膜５０と第１樹脂絶縁層２０を同時に貫通する。第１導体層１０のパッド１４に至るビア導体用の開口２６が形成される。レーザ光Ｌは例えばＵＶレーザ光、ＣＯ２レーザ光である。開口２６によりパッド１４が露出される。開口２６が形成される時、第１面２２は保護膜５０で覆われている。そのため、開口２６が形成される時、樹脂が飛散しても、第１面２２に樹脂が付着することが抑制される。

【0034】

図３Ｄは、レーザ光照射後の開口２６の内壁面２７ｂを示す。内壁面２７ｂは樹脂８０と樹脂８０から突出している無機粒子９０で形成されている。内壁面の形状を制御するため、レーザ光照射後の内壁面２７ｂは処理される。樹脂８０から突出している無機粒子９０を選択的に除去することが好ましい。これにより、無機粒子９０から第１無機粒子９１が形成される。例えば、レーザ光照射後の内壁面２７ｂを薬品で処理することで、樹脂８０から突出している無機粒子９０が選択的に除去される。あるいは、レーザ光照射後の内壁面２７ｂをプラズマで処理することで、樹脂８０から突出している無機粒子９０が選択的に除去される。選択的に除去することは、無機粒子９０のエッチング速度が樹脂８０のエッチング速度より大きいことを含む。例えば、両者のエッチング速度差は１０倍以上である。あるいは、両者のエッチング速度差は５０倍以上である。あるいは、両者のエッチング速度差は１００倍以上である。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理することで、平坦部を有する第１無機粒子９１（図１参照）が得られる。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理するための条件を制御することで、内壁面２７の形状を制御することができる。条件の例は、温度、濃度、時間、ガスの種類や圧力である。無機粒子９０のエッチング速度と樹脂のエッチング速度が制御される。

【0035】

第１樹脂絶縁層２０にレーザ光Ｌを照射することで、樹脂８０に埋まっている第２無機粒子９２の一部がレーザ光照射後の内壁面２７ｂを形成する。図３Ｄに示されるように、レーザ光照射後の内壁面２７ｂを形成する第２無機粒子９２は、樹脂８０から突出している突出部分Ｐと樹脂８０に埋まっている部分Ｅで形成される。レーザ光照射後の内壁面２７ｂが処理される。例えば、四フッ化メタンを含むガスのプラズマで内壁面２７ｂが処理される。突出部分Ｐが選択的に除去され、実施形態の内壁面２７が形成される。第２無機粒子９２から第１無機粒子９１が形成される。図３Ｅに示されるように、突出部分Ｐを選択的に除去することで、平坦部９１ａを有する第１無機粒子９１が形成される。平坦部９１ａは平面である。球の形を持つ第２無機粒子９２が平面で切断されると、第１無機粒子９１の形状が得られる。内壁面２７は平坦部９１ａと樹脂８０の面８０ａで形成され、平坦部９１ａの露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａはほぼ同一平面上に位置する。例えば、スパッタで内壁面２７ｂ上にシード層３０ａが形成されると、突出部分Ｐはスパッタ膜の成長を阻害する。例えば、内壁面２７ｂ上に連続しているシード層３０ａが形成されない。あるいは、シード層３０ａの厚みを大きくしなければならない。微細な導体回路を形成することができない。実施形態では、突出部分Ｐが除去される。スパッタで形成されるシード層３０ａの厚みを薄くできる。スパッタで形成されるシード層３０ａの厚みが薄くても、連続しているシード層３０ａが得られる。内壁面２７が平坦部９１ａの露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａで形成されると、薄い厚みを有する第１層３１ａと第２層３１ｂを形成することができる。第１層３１ａの厚みと第２層３１ｂの厚みが薄いので、幅Ｄ１と幅Ｄ２、幅Ｄ３を容易に制御することができる。幅Ｄ１と幅Ｄ２、幅Ｄ３が目標通りに形成される。

【0036】

開口２６を形成することは、突出部分Ｐを有する無機粒子（第２無機粒子９２）９０を形成することを含む。突出部分Ｐは開口２６の内壁面２７を形成する樹脂８０から突出している。第１無機粒子９１は無機粒子（第２無機粒子９２）９０の突出部分Ｐを除去することで形成される。開口２６の内壁面２７は第１無機粒子９１の露出面９１ｂを含む。第１無機粒子９１の露出面９１ｂは突出部分Ｐを除去することで形成される。

【0037】

球の形を持つ第２無機粒子９２を平面で切断することで第１無機粒子９１の形状を得ることは、無機粒子９０の突出部分Ｐを除去することを含む。実際の開口２６の内壁面２７は略曲面である。突出部分Ｐを除去することで平坦部９１ａが形成されるので、平坦部９１ａの露出面９１ｂは曲面を含む。すなわち、平坦部９１ａと樹脂８０で共通な面を形成することは実質的な曲面で形成される内壁面２７を形成することを含む。

【0038】

内壁面２７上に凹凸が形成されない。内壁面２７は平滑に形成される。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理するための条件を制御することで、凹凸の大きさが制御される。

【0039】

開口２６内が洗浄される。開口２６内を洗浄することにより開口２６形成時に発生する樹脂残渣が除去される。開口２６内の洗浄はプラズマによって行われる。即ち洗浄はドライプロセスで行われる。ドライプロセスのガス種は、ハロゲン系ガス（フッ素系ガス、塩素系ガス等）とＯ_２ガスの混合ガス、あるいはハロゲン系ガス（フッ素系ガス、塩素系ガス等）、Ｏ_２ガスの単独のガスである。洗浄はデスミア処理を含む。第１樹脂絶縁層２０の第１面２２は保護膜５０で覆われているためプラズマの影響を受けない。第１樹脂絶縁層２０の第１面２２には凹凸が形成されない。第１面２２は荒らされない。

【0040】

レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理することが開口２６内を洗浄することを含む場合、開口２６内を洗浄することを削除することができる。

【0041】

図３Ｅに示されるように、開口２６内を洗浄することの後に、第１樹脂絶縁層２０から保護膜５０が除去される。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理することが開口２６内を洗浄することを含む場合、レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理することの後に、第１樹脂絶縁層２０から保護膜５０が除去される。レーザ光照射後の内壁面２７ｂが処理される時、保護膜５０は第１樹脂絶縁層２０の第１面２２を覆っている。保護膜５０除去後、第１樹脂絶縁層２０の第１面２２を荒らすことは行われない。そのため、第１面２２は平滑に形成される。第１面２２の算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．０２μｍ以上０．０６μｍ以下である。

【0042】

図３Ｆに示されるように、第１樹脂絶縁層２０の第１面２２上にシード層３０ａが形成される。シード層３０ａはスパッタによって形成される。シード層３０ａの形成はドライプロセスで行われる。シード層３０ａは第１層３１ａと、第１層３１ａ上に第１層３１ａとは異なる材料で形成される第２層３１ｂとを有する。第１層３１ａと第２層３１ｂは異なる材料の銅合金の組み合わせ、あるいは銅合金と銅の組み合わせからなる。第１層３１ａは銅合金で形成されている。銅合金と第１樹脂絶縁層２０との密着強度は、銅と第１樹脂絶縁層２０との密着強度より大きい。第２層３１ｂは銅合金あるいは銅で形成される。銅合金中の銅の含有量は９０ｗｔ％以上である。銅の含有量が高いほど電気抵抗を低くできるため接続信頼性が向上する。シード層３０ａの厚みは、０．０２μｍ以上１μｍ以下、好ましくは０．０３μｍ以上０．５μｍ以下、さらに好ましくは０．０５μｍ以上０．３μｍ以下である。第１面２２の算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．０２μｍ以上０．０６μｍ以下である。シード層３０ａの厚みは、０．０２μｍ以下であると、シード層３０ａを第１樹脂絶縁層２０の表面全体に均一に形成することが困難である。厚みが１．０μｍ以上であると、シード層が除去される時、電解めっき層３０ｂの配線幅の制御が難しい。第１層３１ａが第１面２２上にスパッタで形成される。第１層３１ａの厚みは、０．０１μｍ以上０．５μｍ以下、好ましくは０．０２μｍ以上０．３μｍ以下、さらに好ましくは０．０３μｍ以上０．１μｍ以下である。第１層３１ａは０．０１μｍ以下であると、第１層３１ａと第１樹脂絶縁層２０間の密着性が低下する。第１層３１ａは０．５μｍ以上であると、配線抵抗値が高くなる。第２層３１ｂが第１層３１ａ上にスパッタで形成される。第２層３１ｂの厚みは、０．０１μｍ以上０．９μｍ以下、好ましくは０．０２μｍ以上０．３μｍ以下、さらに好ましくは０．０３μｍ以上０．２μｍ以下である。第２層３１ｂは０．０１μｍ以下であると、配線抵抗値が高くなる。第２層３１ｂが０．９μｍ以上であると、第１層３１ａは薄く形成されるため配線と第１樹脂絶縁層２０間の密着性が低下する。シード層３０ａは第１面２２の表面形状に沿って形成されている。第２導体層３０内の導体回路（第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６）を形成するシード層３０ａは第１樹脂絶縁層２０の内側に入り込まない。シード層３０ａが除去される時、エッチング量を小さくすることができる。導体回路が過度にエッチングされ難い。導体回路の幅を設計値に近くすることができる。シード層３０ａは開口２６から露出するパッド１４の上面と開口２６の内壁面２７にも形成される。第１層３１ａは銅と銅以外の金属を含む銅合金で形成される。第２層３１ｂは銅で形成される。

【0043】

図３Ｇに示されるように、シード層３０ａ上にめっきレジスト６０が形成される。めっきレジスト６０は、第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６（図１）を形成するための開口を有する。

【0044】

図３Ｈに示されるように、めっきレジスト６０から露出するシード層３０ａ上に電解めっき層３０ｂが形成される。電解めっき層３０ｂは銅で形成される。電解めっき層３０ｂは開口２６を充填する。第１面２２上のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６が形成される。第２導体層３０が形成される。開口２６内のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、第１ビア導体４０が形成される。第１ビア導体４０は、パッド１４とランド３６を接続する。第１信号配線３２と第２信号配線３４はペア配線を形成する。

【0045】

めっきレジスト６０が除去される。電解めっき層３０ｂから露出するシード層３０ａがエッチングで除去される。第２導体層３０と第１ビア導体４０が同時に形成される。第１層３１ａの幅は第２層３１ｂの幅より大きく、電解めっき層３０ｂの幅は第１層３１ａの幅より大きい。シード層３０ａのエッチング速度は電解めっき層３０ｂのエッチング速度より大きい。シード層のエッチング速度は電解メッキ層のエッチング速度の１．１倍から１．５倍である。スパッタで形成されるシード層３０ａは、電解めっき層３０ｂに比べ、金属結晶部に対するアモルファス構造部の割合が高い。一般にアモルファス構造部は結晶欠陥を多く有する。結晶欠陥を多く有するほどエッチング速度が大きい。シード層３０ａのエッチング速度は、電解めっき層３０ｂのエッチング速度より大きい。そのため、シード層３０ａが除去される時、電解めっき層３０ｂのエッチング量が小さい。導体回路が過度にエッチングされ難い。導体回路の幅を設計値に近くすることができる。シード層３０ａがエッチングで除去されると、第２導体層３０の導体回路（第１信号配線３２、第２信号配線３４、ランド３６）のシード層３０ａの幅が電解めっき層３０ｂの幅より小さい。第１層３１ａは銅合金で形成され、第２層３１ｂは銅で形成されると、第１層３１ａのみが合金である。そのため、両者のエッチング速度差を大きくすることができる。シード層３０ａを除去するためのエッチング液として、第１層３１ａより第２層３１ｂをより溶解するエッチング液が好ましい。配線の幅（配線の側壁間の距離）は第２層３１ｂと電解めっき層３０ｂとの境界部分Ｂで最も小さい。境界部分Ｂで最も応力が大きいので、第１層３１ａと第１樹脂絶縁層２０との密着性が向上する。

【0046】

第１無機粒子９１の平坦部９１ａが内壁面２７を形成するので、第１層３１ａの厚みを小さくすることができる。第１層３１ａの厚みは電解めっき層３０ｂの厚みより十分薄い。そのため、第１層３１ａを形成する粒子の配向性は電解めっき層３０ｂを形成する粒子の配向性より小さくなりやすい。あるいは、第１層３１ａの密度は電解めっき層３０ｂの密度より小さくなりやすい。あるいは、第１層３１ａの結晶性は電解めっき層３０ｂの結晶性より小さくなりやすい。第１無機粒子９１の平坦部９１ａが内壁面２７を形成するので、第２層３１ｂの厚みを小さくすることができる。第２層３１ｂの厚みは電解めっき層３０ｂの厚みより十分薄い。そのため、第２層３１ｂを形成する粒子の配向性は電解めっき層３０ｂを形成する粒子の配向性より小さくなりやすい。あるいは、第２層３１ｂの密度は電解めっき層３０ｂの密度より小さくなりやすい。あるいは、第２層３１ｂの結晶性は電解めっき層３０ｂの結晶性より小さくなりやすい。このため、第１層３１ａと第２層３１ｂのエッチング速度は電解めっき層３０ｂのエッチング速度より大きい。電解めっき層３０ｂから露出するシード層３０ａが除去されると、電解めっき層３０ｂの幅Ｄ１は第１層３１ａの幅Ｄ２より大きい。電解めっき層３０ｂの幅Ｄ１は第２層３１ｂの幅Ｄ３より大きい。電解めっき層３０ｂのエッチング速度はシード層３０ａのエッチング速度より小さい。そのため、電解めっき層３０ｂを溶解するために消費されるエッチング液中の溶解成分の量は小さい。実施形態によれば、溶解成分がシード層３０ａに十分に到達する。シード層３０ａが効率的に溶解する。目標値の幅を有する信号配線を形成することができる。第１層３１ａは第２層３１ｂで覆われている。第２層３１ｂを溶解するために溶解成分が消費される。そのため、第１層３１ａの溶解量を第２層３１ｂの溶解量より小さくすることができる。電解めっき層３０ｂから露出するシード層３０ａが除去されると、第１層３１ａの幅Ｄ２は第２層３１ｂの幅Ｄ３より大きい。

【0047】

第１信号配線３２の断面において、シード層３０ａの側面と第１面２２との間の第１角度θ１は、電解めっき層３０ｂの側面下端部から境界部分Ｂに向かう直線と第１面２２との間の第２角度θ２より大きい。シード層３０ａのエッチング速度は電解めっき層３０ｂのエッチング速度より大きいため、第１角度θ１が第２角度θ２より大きい。その結果、境界部分Ｂの深さを小さくすることができる。そのため、応力集中を緩和することができる。

【0048】

第２樹脂絶縁層１２０のうち、第１信号配線３２のシード層３０ａの側方であって、電解めっき層３０ｂと第１面２２の間に配置される特定部分Ｓには第２無機粒子１９２が含まれる。特定部分Ｓに含まれる第２無機粒子１９２の径は他の部分に含まれる第２無機粒子１９２の径より小さい。特定部分Ｓに含まれる第２無機粒子１９２の径は例えば１．０μｍ以下である。特定部分Ｓは小さな径を有する第２無機粒子１９２と第２樹脂絶縁層１２０の樹脂１８０で充填される。特定部分Ｓに形成されている樹脂絶縁層内の樹脂の含有量はそれ以外の部分の樹脂絶縁層内の樹脂の含有量より大きい。そのため、シード層３０ａと電解めっき層３０ｂ間の界面に発生する応力が緩和される。

【0049】

その後、第２導体層３０と第１面２２上に、第２樹脂絶縁層１２０と第３導体層１３０と第２ビア導体１４０が形成される。第２樹脂絶縁層１２０と第３導体層１３０と第２ビア導体１４０は、第１樹脂絶縁層２０と第２導体層３０と第１ビア導体４０と同様の方法で形成される。実施形態のプリント配線板２（図１）が得られる。

【0050】

実施形態のプリント配線板２では、第２導体層３０のうち第１面２２と対向する面は第１面２２の表面形状に沿って形成されている。そのため、第２導体層３０内の導体回路（第１信号配線３２、第２信号配線３４、ランド３６）を形成するシード層３０ａは第１樹脂絶縁層２０の第１面２２より内側に入り込まない。シード層３０ａを薄くすることができる。シード層３０ａの厚みのバラツキを小さくすることができる。シード層３０ａが除去される時、エッチング量が小さい。導体回路が過度にエッチングされ難い。導体回路の幅を設計値に近くすることができる。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0051】

実施形態のプリント配線板２では第１樹脂絶縁層２０の第１面２２はほとんど樹脂８０で形成されている。第１面２２では無機粒子９０が少量露出する。同様に第２樹脂絶縁層１２０の第５面１２２はほとんど樹脂１８０で形成されている。第５面１２２では無機粒子１９０が少量露出する。第１面２２、第５面１２２には凹凸が形成されない。第１樹脂絶縁層２０の第１面２２近傍部分の比誘電率の標準偏差が大きくなることが抑制される。第２樹脂絶縁層１２０の第５面１２２近傍部分の比誘電率の標準偏差が大きくなることが抑制される。第１面２２、第５面１２２の比誘電率は場所によって大きく変わらない。第１信号配線３２と第２信号配線３４が第１面２２に接していても、第１信号配線３２と第２信号配線３４間の電気信号の伝搬速度の差を小さくすることができる。同様に、第１信号配線１３２と第２信号配線１３４が第５面１２２に接していても、第１信号配線１３２と第２信号配線１３４間の電気信号の伝搬速度の差を小さくすることができる。そのため、実施形態のプリント配線板２ではノイズが抑制される。実施形態のプリント配線板２にロジックＩＣが実装されても、第１信号配線３２、１３２で伝達されるデータと第２信号配線３４、１３４で伝達されるデータがロジックＩＣにほぼ遅延なく到達する。ロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。第１信号配線３２、１３２の長さと第２信号配線３４、１３４の長さが５ｍｍ以上であっても、両者の伝搬速度の差を小さくすることができる。第１信号配線３２、１３２の長さと第２信号配線３４、１３４の長さが１０ｍｍ以上、２０ｍｍ以下であっても、ロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0052】

［実施形態の別例］
実施形態の別例では、シード層１０ａ、３０ａ、１３０ａの第１層１１ａ、３１ａ、１３１ａは、ケイ素、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、炭素、酸素、スズ、カルシウム、マグネシウム、鉄、モリブデン、銀、のうちのいずれか１つの金属で形成される。第２層１１ｂ、３１ｂ、１３１ｂは銅で形成される。実施形態と別例では、第２層１１ｂ、３１ｂ、１３１ｂが銅で形成される場合、銅の含有量（原子量％）は９９．９％以上である。９９．９５％以上が好ましい。

【符号の説明】

【0053】

２ ：プリント配線板
４ ：絶縁層
１０ ：第１導体層
２０ ：第１樹脂絶縁層
２２ ：第１面
２４ ：第２面
２６ ：開口
３０ ：第２導体層
３０ａ ：シード層
３０ｂ ：電解めっき層
３１ａ ：第１層
３１ｂ ：第２層
３２ ：第１信号配線
４０ ：第１ビア導体
１２０ ：第２樹脂絶縁層
１９０ ：無機粒子
１９１ ：第１無機粒子
１９２ ：第２無機粒子
Ｂ ：境界部分
Ｌ ：レーザ光
Ｓ ：特定部分
θ１ ：第１角度
θ２ ：第２角度

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図3E】

【図3F】

【図3G】

【図3H】