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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023147595
(43)【公開日】2023-10-13
(54)【発明の名称】光半導体パッケージの製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 23/12 20060101AFI20231005BHJP
H01L 27/146 20060101ALI20231005BHJP
H04N 25/70 20230101ALI20231005BHJP
【ＦＩ】
H01L23/12 501P
H01L27/146 D
H04N5/369
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022055178
(22)【出願日】2022-03-30
(71)【出願人】
【識別番号】000236436
【氏名又は名称】浜松ホトニクス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088155
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 芳樹
(74)【代理人】
【識別番号】100113435
【弁理士】
【氏名又は名称】黒木 義樹
(74)【代理人】
【識別番号】100140442
【弁理士】
【氏名又は名称】柴山 健一
(74)【代理人】
【識別番号】100183081
【弁理士】
【氏名又は名称】岡▲崎▼ 大志
(72)【発明者】
【氏名】小松 竜大
(72)【発明者】
【氏名】森下 勝
(72)【発明者】
【氏名】井上 直
(72)【発明者】
【氏名】島井 信吾
(72)【発明者】
【氏名】諏訪 陽祐
【テーマコード（参考）】
4M118
5C024
【Ｆターム（参考）】
4M118AA10
4M118AB01
4M118BA06
4M118CA02
4M118FA06
4M118FA08
4M118HA10
4M118HA12
4M118HA31
5C024CY47
5C024EX21
5C024GX07
(57)【要約】
【課題】信頼性の向上を図ることができる光半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】光半導体パッケージの製造方法は、受光素子２と、金属ピラー６の端部６ａと、を基板５０に仮接合する第１工程と、受光素子２及び金属ピラー６を覆うモールド樹脂３を基板５０上に形成する第２工程と、受光素子２の第２面２ｂに対向する側からモールド樹脂３を研磨又は研削することにより、受光素子２の第２面２ｂと金属ピラー６の端部６ｂとを露出させる第３工程と、受光素子２の第２面２ｂ上、モールド樹脂３の端面３ｂ上に、配線層４を形成する第４工程と、受光素子２、金属ピラー６、及びモールド樹脂３から基板５０を分離する第５工程と、第５工程よりも後に、受光素子２及びモールド樹脂３に対して配線層４が位置する側とは反対側に、配線層５を形成する第６工程と、を含む。
【選択図】図１
【解決手段】光半導体パッケージの製造方法は、受光素子２と、金属ピラー６の端部６ａと、を基板５０に仮接合する第１工程と、受光素子２及び金属ピラー６を覆うモールド樹脂３を基板５０上に形成する第２工程と、受光素子２の第２面２ｂに対向する側からモールド樹脂３を研磨又は研削することにより、受光素子２の第２面２ｂと金属ピラー６の端部６ｂとを露出させる第３工程と、受光素子２の第２面２ｂ上、モールド樹脂３の端面３ｂ上に、配線層４を形成する第４工程と、受光素子２、金属ピラー６、及びモールド樹脂３から基板５０を分離する第５工程と、第５工程よりも後に、受光素子２及びモールド樹脂３に対して配線層４が位置する側とは反対側に、配線層５を形成する第６工程と、を含む。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
受光部及び前記受光部と電気的に接続された電極端子が設けられた第１面を有する受光素子と、柱状の金属部材の第１端部と、を基板に仮接合する第１工程であって、前記第１面が前記基板に対向するように前記受光素子を前記基板に仮接合する前記第１工程と、
前記受光素子及び前記金属部材を覆う樹脂部を前記基板上に形成する第２工程と、
前記受光素子の前記第１面とは反対側の第２面に対向する側から前記樹脂部を研磨又は研削することにより、前記受光素子の前記第２面と前記金属部材の前記第１端部とは反対側の第２端部とを露出させる第３工程と、
前記受光素子の前記第２面上、及び前記第２面と連続する前記樹脂部の端面上に、前記第２端部と電気的に接続される第１金属配線を含む第１配線層を形成する第４工程と、
前記受光素子、前記金属部材、及び前記樹脂部から前記基板を分離する第５工程と、
前記第５工程よりも後に、前記受光素子及び前記樹脂部に対して前記第１配線層が位置する側とは反対側に、前記第１端部と前記電極端子とを電気的に接続する第２金属配線を含む第２配線層を形成する第６工程と、を含む、
光半導体パッケージの製造方法。
前記受光素子及び前記金属部材を覆う樹脂部を前記基板上に形成する第２工程と、
前記受光素子の前記第１面とは反対側の第２面に対向する側から前記樹脂部を研磨又は研削することにより、前記受光素子の前記第２面と前記金属部材の前記第１端部とは反対側の第２端部とを露出させる第３工程と、
前記受光素子の前記第２面上、及び前記第２面と連続する前記樹脂部の端面上に、前記第２端部と電気的に接続される第１金属配線を含む第１配線層を形成する第４工程と、
前記受光素子、前記金属部材、及び前記樹脂部から前記基板を分離する第５工程と、
前記第５工程よりも後に、前記受光素子及び前記樹脂部に対して前記第１配線層が位置する側とは反対側に、前記第１端部と前記電極端子とを電気的に接続する第２金属配線を含む第２配線層を形成する第６工程と、を含む、
光半導体パッケージの製造方法。
【請求項2】
前記第１工程は、
支持部材によって、前記第１端部を露出させた状態で前記金属部材を位置決めすると共に支持する工程と、
前記支持部材に支持されている前記金属部材の前記第１端部に対して、前記基板の仮接合面を接触させることにより、前記基板に前記第１端部を仮接合する工程と、を含む、
請求項１に記載の光半導体パッケージの製造方法。
支持部材によって、前記第１端部を露出させた状態で前記金属部材を位置決めすると共に支持する工程と、
前記支持部材に支持されている前記金属部材の前記第１端部に対して、前記基板の仮接合面を接触させることにより、前記基板に前記第１端部を仮接合する工程と、を含む、
請求項１に記載の光半導体パッケージの製造方法。
【請求項3】
前記支持部材は、
前記金属部材の幅よりも大きい幅を有する貫通孔が形成された板状部材と、
前記第２端部が載置及び支持される支持基板と、を有し、
前記金属部材は、前記板状部材の前記貫通孔に挿通されて位置決めされると共に、前記支持基板に支持され、
前記金属部材が前記支持部材に支持された状態において、前記第１端部は、前記板状部材に対して前記支持基板側とは反対側に突出している、
請求項２に記載の光半導体パッケージの製造方法。
前記金属部材の幅よりも大きい幅を有する貫通孔が形成された板状部材と、
前記第２端部が載置及び支持される支持基板と、を有し、
前記金属部材は、前記板状部材の前記貫通孔に挿通されて位置決めされると共に、前記支持基板に支持され、
前記金属部材が前記支持部材に支持された状態において、前記第１端部は、前記板状部材に対して前記支持基板側とは反対側に突出している、
請求項２に記載の光半導体パッケージの製造方法。
【請求項4】
前記金属部材は、前記第２端部を含む軸部と、前記第１端部を含み且つ前記軸部よりも幅広に形成されたフランジ部と、を有し、
前記支持部材は、前記軸部の幅よりも大きく前記フランジ部の幅よりも小さい幅を有する貫通孔が形成された板状部材であり、
前記金属部材は、前記軸部が前記貫通孔に挿通され、前記フランジ部の前記第２端部側の内面が前記支持部材の前記貫通孔の周縁部に当接することによって、前記支持部材に支持される、
請求項２に記載の光半導体パッケージの製造方法。
前記支持部材は、前記軸部の幅よりも大きく前記フランジ部の幅よりも小さい幅を有する貫通孔が形成された板状部材であり、
前記金属部材は、前記軸部が前記貫通孔に挿通され、前記フランジ部の前記第２端部側の内面が前記支持部材の前記貫通孔の周縁部に当接することによって、前記支持部材に支持される、
請求項２に記載の光半導体パッケージの製造方法。
【請求項5】
前記第４工程において、前記第１金属配線における前記第２端部に接続される部分の配線幅が前記金属部材の前記第２端部の幅よりも大きくなるように、前記第１配線層を形成する、
請求項１～４のいずれか一項に記載の光半導体パッケージの製造方法。
請求項１～４のいずれか一項に記載の光半導体パッケージの製造方法。
【請求項6】
前記第４工程において、前記第１金属配線における前記第２端部に接続される部分の配線幅が前記金属部材の前記第２端部の幅よりも小さくなるように、前記第１配線層を形成する、
請求項１～４のいずれか一項に記載の光半導体パッケージの製造方法。
請求項１～４のいずれか一項に記載の光半導体パッケージの製造方法。
【請求項7】
前記第６工程において、前記第２金属配線における前記第１端部に接続される部分の配線幅が前記金属部材の前記第１端部の幅よりも大きくなるように、前記第２配線層を形成する、
請求項１～６のいずれか一項に記載の光半導体パッケージの製造方法。
請求項１～６のいずれか一項に記載の光半導体パッケージの製造方法。
【請求項8】
前記第６工程において、前記第２金属配線における前記第１端部に接続される部分の配線幅が前記金属部材の前記第１端部の幅よりも小さくなるように、前記第２配線層を形成する、
請求項１～６のいずれか一項に記載の光半導体パッケージの製造方法。
請求項１～６のいずれか一項に記載の光半導体パッケージの製造方法。
【請求項9】
前記第５工程は、少なくとも前記第３工程よりも後に実施される、
請求項１～８のいずれか一項に記載の光半導体パッケージの製造方法。
請求項１～８のいずれか一項に記載の光半導体パッケージの製造方法。
【請求項10】
前記第４工程は、前記第３工程の後に実施され、
前記第５工程は、前記第４工程の後に実施される、
請求項９に記載の光半導体パッケージの製造方法。
前記第５工程は、前記第４工程の後に実施される、
請求項９に記載の光半導体パッケージの製造方法。
【請求項11】
前記受光素子は、前記第１面に受光面を有する、
請求項１～１０のいずれか一項に記載の光半導体パッケージの製造方法。
請求項１～１０のいずれか一項に記載の光半導体パッケージの製造方法。
【請求項12】
基板上に、第１金属配線を含むと共に前記基板を露出させる開口部が設けられた第１配線層を形成する第１工程と、
前記第１金属配線の第１端部に接続され、前記第１配線層から前記基板側とは反対側に突出する金属部材を形成する第２工程と、
受光部及び前記受光部と電気的に接続された電極端子が設けられた第１面を有する受光素子を準備する第３工程と、
前記第１端部とは異なる前記第１金属配線の第２端部と前記電極端子とが電気的に接続され、且つ、前記受光部が前記開口部に対向する位置に配置されて前記基板と前記受光素子との間に内部空間が形成されるように、前記受光素子を配置する第４工程と、
前記受光素子、前記金属部材、及び前記第１配線層を覆うと共に前記内部空間に充填され、前記受光部の検出対象となる光に対する透明性を有する樹脂部を形成する第５工程と、
前記受光素子の前記第１面とは反対側の第２面に対向する側から前記樹脂部を研磨又は研削することにより、前記第２面と前記金属部材の前記第１金属配線に接続される側とは反対側の端部とを露出させる第６工程と、
前記受光素子の前記第２面上、及び前記第２面と連続する前記樹脂部の端面上に、前記金属部材の前記端部と電気的に接続される第２金属配線を含む第２配線層を形成する第７工程と、
前記第１配線層及び前記樹脂部から前記基板を分離する第８工程と、を含む、
光半導体パッケージの製造方法。
前記第１金属配線の第１端部に接続され、前記第１配線層から前記基板側とは反対側に突出する金属部材を形成する第２工程と、
受光部及び前記受光部と電気的に接続された電極端子が設けられた第１面を有する受光素子を準備する第３工程と、
前記第１端部とは異なる前記第１金属配線の第２端部と前記電極端子とが電気的に接続され、且つ、前記受光部が前記開口部に対向する位置に配置されて前記基板と前記受光素子との間に内部空間が形成されるように、前記受光素子を配置する第４工程と、
前記受光素子、前記金属部材、及び前記第１配線層を覆うと共に前記内部空間に充填され、前記受光部の検出対象となる光に対する透明性を有する樹脂部を形成する第５工程と、
前記受光素子の前記第１面とは反対側の第２面に対向する側から前記樹脂部を研磨又は研削することにより、前記第２面と前記金属部材の前記第１金属配線に接続される側とは反対側の端部とを露出させる第６工程と、
前記受光素子の前記第２面上、及び前記第２面と連続する前記樹脂部の端面上に、前記金属部材の前記端部と電気的に接続される第２金属配線を含む第２配線層を形成する第７工程と、
前記第１配線層及び前記樹脂部から前記基板を分離する第８工程と、を含む、
光半導体パッケージの製造方法。
【請求項13】
前記第８工程は、少なくとも前記第６工程よりも後に実施される、
請求項１２に記載の光半導体パッケージの製造方法。
請求項１２に記載の光半導体パッケージの製造方法。
【請求項14】
前記第７工程は、前記第６工程の後に実施され、
前記第８工程は、前記第７工程の後に実施される、
請求項１２に記載の光半導体パッケージの製造方法。
前記第８工程は、前記第７工程の後に実施される、
請求項１２に記載の光半導体パッケージの製造方法。
【請求項15】
前記受光素子は、前記第１面に受光面を有する、
請求項１２～１４のいずれか一項に記載の光半導体パッケージの製造方法。
請求項１２～１４のいずれか一項に記載の光半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、光半導体パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、受光素子を含む半導体パッケージの製造方法が開示されている。特許文献１に開示された製造方法においては、ガラス基板上に柱状電極を含む接続用配線が形成され、接続用配線上に受光素子（光電変換デバイス領域（受光部）が設けられたシリコン基板）が搭載され、受光素子とガラス基板との間に樹脂からなる第１封止膜（アンダーフィル）が充填された後に、さらにガラス基板の上面全体が樹脂からなる第２封止膜で覆われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特許第４１２６３８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上記製造方法では、第１封止膜によって受光部が覆われてしまうため、受光感度が低下するおそれがある。また、第１封止膜と第２封止膜との界面が接続用配線に接触しているため、第１封止膜と第２封止膜との間の熱膨張係数差等に起因する応力が接続用配線に集中し、接続用配線が損傷するおそれがある。このように、上記製造方法には、半導体パッケージの信頼性の観点において、改善の余地がある。
【0005】
本開示は、信頼性の向上を図ることができる光半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の一側面に係る光半導体パッケージの製造方法は、受光部及び受光部と電気的に接続された電極端子が設けられた第１面を有する受光素子と、柱状の金属部材の第１端部と、を基板に仮接合する第１工程であって、第１面が基板に対向するように受光素子を基板に仮接合する第１工程と、受光素子及び金属部材を覆う樹脂部を基板上に形成する第２工程と、受光素子の第１面とは反対側の第２面に対向する側から樹脂部を研磨又は研削することにより、受光素子の第２面と金属部材の第１端部とは反対側の第２端部とを露出させる第３工程と、受光素子の第２面上、及び第２面と連続する樹脂部の端面上に、第２端部と電気的に接続される第１金属配線を含む第１配線層を形成する第４工程と、受光素子、金属部材、及び樹脂部から基板を分離する第５工程と、第５工程よりも後に、受光素子及び樹脂部に対して第１配線層が位置する側とは反対側に、第１端部と電極端子とを電気的に接続する第２金属配線を含む第２配線層を形成する第６工程と、を含む。
【0007】
上記製造方法では、第１工程において、基板と受光素子との間に隙間が形成されないように、受光素子が基板に仮接合される。これにより、第２工程において、受光素子と基板との間に樹脂が流れ込むこと、すなわち、受光部に対向する位置に樹脂部が形成されることを防止することができる。その結果、受光部が樹脂部に覆われることに起因する受光感度の低下を回避することができる。また、受光素子及び金属部材が基板に仮接合されることによって各部材が安定的に固定された状態で、第２工程を安定的且つ精度良く実施することが可能となる。以上により、上記製造方法によれば、光半導体パッケージを信頼性高く製造することができる。
【0008】
第１工程は、支持部材によって、第１端部を露出させた状態で金属部材を位置決めすると共に支持する工程と、支持部材に支持されている金属部材の第１端部に対して、基板の仮接合面を接触させることにより、基板に第１端部を仮接合する工程と、を含んでもよい。上記構成によれば、支持部材によって位置決め及び支持された状態の金属部材に基板の仮接合面を接触させる比較的簡易な操作によって、基板に金属部材を仮接合することができる。
【0009】
支持部材は、金属部材の幅よりも大きい幅を有する貫通孔が形成された板状部材と、第２端部が載置及び支持される支持基板と、を有してもよく、金属部材は、板状部材の貫通孔に挿通されて位置決めされると共に、支持基板に支持されてもよく、金属部材が支持部材に支持された状態において、第１端部は、板状部材に対して支持基板側とは反対側に突出していてもよい。上記構成によれば、金属部材の第１端部が板状部材よりも突出した状態で、金属部材が支持部材によって支持されるため、基板の仮接合面を第１端部に接触させる際に、基板の仮接合面が板状部材に接触することを防止することができる。すなわち、基板の仮接合面が板状部材に貼り付いてしまうことを的確に防止することができる。
【0010】
金属部材は、第２端部を含む軸部と、第１端部を含み且つ軸部よりも幅広に形成されたフランジ部と、を有してもよく、支持部材は、軸部の幅よりも大きくフランジ部の幅よりも小さい幅を有する貫通孔が形成された板状部材であってもよく、金属部材は、軸部が貫通孔に挿通され、フランジ部の第２端部側の内面が支持部材の貫通孔の周縁部に当接することによって、支持部材に支持されてもよい。上記構成によれば、フランジ部を板状部材の貫通孔の周縁部に引っかけて支持することが可能となる。すなわち、第２端部を支持するための支持基板が不要となるため、支持部材を簡素化することができる。また、フランジ部を設けることにより、基板上に立設される金属部材の姿勢（垂直性）をより安定化させることができる。
【0011】
第４工程において、第１金属配線における第２端部に接続される部分の配線幅が金属部材の第２端部の幅よりも大きくなるように、第１配線層を形成してもよい。上記構成によれば、第２工程（樹脂部形成工程）において生じ得る金属部材の位置ずれを吸収することができる。すなわち、第１金属配線の配線幅を大きくすることにより、第２工程において金属部材の位置が多少ずれたとしても、第１金属配線と金属部材（第２端部）とをより確実に接触させることができる。
【0012】
第４工程において、第１金属配線における第２端部に接続される部分の配線幅が金属部材の第２端部の幅よりも小さくなるように、第１配線層を形成してもよい。上記構成によれば、金属部材の大きさ（幅）の影響を受けずに、第１金属配線を形成することができる。例えば、金属部材（第２端部）の幅が比較的大きい場合に第１金属配線の幅を金属部材の幅よりもさらに大きくすると、第１金属配線が第１配線層に設けられる他の配線と干渉し易くなるという問題が生じ得る。上記構成によれば、このような問題の発生を回避することができる。
【0013】
第６工程において、第２金属配線における第１端部に接続される部分の配線幅が金属部材の第１端部の幅よりも大きくなるように、第２配線層を形成してもよい。上記構成によれば、第２工程（樹脂部形成工程）において生じ得る金属部材の位置ずれを吸収することができる。すなわち、第２金属配線の配線幅を大きくすることにより、第２工程において金属部材の位置が多少ずれたとしても、第２金属配線と金属部材（第１端部）とをより確実に接触させることができる。
【0014】
第６工程において、第２金属配線における第１端部に接続される部分の配線幅が金属部材の第１端部の幅よりも小さくなるように、第２配線層を形成してもよい。上記構成によれば、金属部材の大きさ（幅）の影響を受けずに、第２金属配線を形成することができる。例えば、金属部材（第１端部）の幅が比較的大きい場合に第２金属配線の幅を金属部材の幅よりもさらに大きくすると、第２金属配線が第２配線層に設けられる他の配線と干渉し易くなるという問題が生じ得る。上記構成によれば、このような問題の発生を回避することができる。
【0015】
第５工程は、少なくとも第３工程よりも後に実施されてもよい。また、第４工程は、第３工程の後に実施されてもよく、第５工程は、第４工程の後に実施されてもよい。上記構成によれば、基板を第３工程（或いは、第３工程及び第４工程）においても取り付けた状態にすることによって、各部材の支持安定性を高めた状態で第３工程（或いは、第３工程及び第４工程）を信頼性高く実施することができる。
【0016】
受光素子は、第１面に受光面を有してもよい。上記構成によれば、表面入射型の受光素子の表面が第１面である光半導体パッケージを信頼性高く製造することができる。
【0017】
本開示の他の側面に係る光半導体パッケージの製造方法は、基板上に、第１金属配線を含むと共に基板を露出させる開口部が設けられた第１配線層を形成する第１工程と、第１金属配線の第１端部に接続され、第１配線層から基板側とは反対側に突出する金属部材を形成する第２工程と、受光部及び受光部と電気的に接続された電極端子が設けられた第１面を有する受光素子を準備する第３工程と、第１端部とは異なる第１金属配線の第２端部と電極端子とが電気的に接続され、且つ、受光部が開口部に対向する位置に配置されて基板と受光素子との間に内部空間が形成されるように、受光素子を配置する第４工程と、受光素子、金属部材、及び第１配線層を覆うと共に内部空間に充填され、受光部の検出対象となる光に対する透明性を有する樹脂部を形成する第５工程と、受光素子の第１面とは反対側の第２面に対向する側から樹脂部を研磨又は研削することにより、第２面と金属部材の第１金属配線に接続される側とは反対側の端部とを露出させる第６工程と、受光素子の第２面上、及び第２面と連続する樹脂部の端面上に、金属部材の端部と電気的に接続される第２金属配線を含む第２配線層を形成する第７工程と、第１配線層及び樹脂部から基板を分離する第８工程と、を含む。
【0018】
上記製造方法では、第５工程において樹脂部が受光素子と基板との間の内部空間に充填されることにより、樹脂部が受光部を覆うことになるが、樹脂部は受光部の検出対象となる光に対する透明性を有するため、樹脂部が受光部を覆うことに起因する受光感度の低下が抑制される。さらに、第５工程において、単一の樹脂材料によって一括で、受光素子と基板との間の内部空間に充填され且つ各部材（受光素子、金属部材、及び第１配線層）を覆う樹脂部を形成することができる。これにより、２種類の樹脂部（例えば、互いに異なる材料又は異なるタイミングで形成される２つの樹脂部）が混在することに起因する信頼性の低下（例えば、２つの樹脂部の熱膨張係数差等に起因する応力による金属配線の損傷等）を回避することができる。以上により、上記製造方法によれば、光半導体パッケージを信頼性高く製造することができる。
【0019】
第８工程は、少なくとも第６工程よりも後に実施されてもよい。また、第７工程は、第６工程の後に実施されてもよく、第８工程は、第７工程の後に実施されてもよい。上記構成によれば、基板を第６工程（或いは、第６工程及び第７工程）においても取り付けた状態にすることによって、各部材の支持安定性を高めた状態で第６工程（或いは、第６工程及び第７工程）を信頼性高く実施することができる。
【0020】
受光素子は、第１面に受光面を有してもよい。上記構成によれば、表面入射型の受光素子の表面が第１面である光半導体パッケージを信頼性高く製造することができる。
【発明の効果】
【0021】
本開示によれば、信頼性の向上を図ることができる光半導体パッケージの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0022】
【発明を実施するための形態】
【0023】
以下、本開示の実施形態について図面を参照しながら説明する。各図において同一又は相当の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。なお、図面においては、実施形態に係る特徴部分を分かり易く説明するために誇張している部分がある。このため、図面の寸法比率は、実際の寸法比率とは異なっている場合がある。
【0024】
［第１実施形態］
（光半導体パッケージの構造）
図１に示されるように、第１実施形態の光半導体パッケージ１Ａは、受光素子２と、モールド樹脂３（樹脂部）と、配線層４（第１配線層）と、配線層５（第２配線層）と、金属ピラー６（金属部材）と、を有している。光半導体パッケージ１Ａは、ＦＯＷＬＰ（Fan Out Wafer Level Package）／ＦＯＰＬＰ（Fan Out Panel Level Package）の一種である。
（光半導体パッケージの構造）
図１に示されるように、第１実施形態の光半導体パッケージ１Ａは、受光素子２と、モールド樹脂３（樹脂部）と、配線層４（第１配線層）と、配線層５（第２配線層）と、金属ピラー６（金属部材）と、を有している。光半導体パッケージ１Ａは、ＦＯＷＬＰ（Fan Out Wafer Level Package）／ＦＯＰＬＰ（Fan Out Panel Level Package）の一種である。
【0025】
受光素子２は、受光部２１を有する半導体チップであり、矩形板状に形成されている。受光素子２は、第１面２ａと、第２面２ｂと、を有している。図１においては、第１面２ａと第２面２ｂとが対向する対向方向をＺ軸方向と表し、Ｚ軸方向から見た場合の受光素子２の一の辺に沿った方向をＸ軸方向と表し、Ｚ軸方向から見た場合の受光素子２の他の辺（上記一の辺に垂直な辺）に沿った方向をＹ軸方向と表している。
【0026】
第１面２ａには、受光部２１と、受光部２１と電気的に接続された複数（本実施形態では２つ）の電極端子２２と、が設けられている。本実施形態では一例として、Ｚ軸方向から見た場合の第１面２ａの略中央部に１つの受光部２１が設けられているが、複数の受光部２１が第１面２ａに設けられてもよい。この場合、複数の受光部２１は、例えば、Ｚ軸方向から見た場合に、一次元又は二次元に配列され得る。受光部２１は、第１面に沿った位置に配置されている。すなわち、受光素子２は、第１面２ａに受光面を有している。より具体的には、第１面２ａのうち受光部２１に対向する部分が受光面として機能する。図１の例では、受光部２１は、受光部２１の光入射面（第１面２ａ側の面）が第１面２ａと略面一となるように、受光素子２に埋設されている。受光部２１の例としては、Ｓｉフォトダイオード（ＳｉＰＤ）、Ｓｉアバランシェ・フォトダイオード（ＳｉＡＰＤ）、Ｓｉ－ＭＰＰＣ（Multi-Pixel Photon Counter）等が挙げられる。２つの電極端子２２は、第１面２ａ上に突出するように設けられている。
【0027】
第１面２ａ上には、絶縁層２３が設けられている。絶縁層２３は、第１面２ａ上に設けられた複数（本実施形態では２つ）の電極端子２２を囲むように設けられている。絶縁層２３には、各電極端子２２を露出させるための開口２３ａが形成されている。絶縁層２３は、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）等の無機膜、或いはポリイミド等の有機膜によって形成され得る。
【0028】
モールド樹脂３は、Ｚ軸方向から見た場合に受光素子２を包囲するように、受光素子２の側面を封止している。モールド樹脂３は、金属ピラー６も覆っている。モールド樹脂３は、例えばエポキシ樹脂等によって形成され得る。モールド樹脂３は、絶縁層２３の表面と面一に形成された端面３ａと、受光素子２の第２面２ｂと面一に形成された端面３ｂと、を有している。
【0029】
配線層４は、受光素子２の第２面２ｂ側において、受光素子２の第２面２ｂ上、及び第２面２ｂと連続するモールド樹脂３の端面３ｂ上に設けられている。配線層４は、絶縁層４１と、金属配線４２（第１金属配線）と、を含んで構成される再配線層である。絶縁層４１は、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）等の無機膜、或いはポリイミド等の有機膜によって形成され得る。金属配線４２は、例えば銅（Ｃｕ）配線である。
【0030】
絶縁層４１のうちＺ軸方向において金属ピラー６と重なる部分には、開口４１ａが設けられている。開口４１ａ内には、金属ピラー６の配線層４側の端部６ｂ（第２端部）と電気的に接続される金属配線４２が設けられている。開口４１ａの幅は、金属ピラー６の端部６ｂの幅よりも大きくされている。これにより、金属配線４２における端部６ｂに接続される部分の配線幅ｗ１１が金属ピラー６の端部６ｂの幅ｗ１２よりも大きくなっている。
【0031】
金属配線４２の外側端部（Ｚ軸方向において金属ピラー６とは反対側に位置する端部）には、めっき部４３が設けられている。めっき部４３は、例えば半田等によってプリント基板等に接合される部分である。めっき部４３は、例えばニッケル及び金の二層めっき（Ｎｉ／Ａｕめっき）である。
【0032】
配線層５は、受光素子２及びモールド樹脂３に対して配線層４が位置する側とは反対側に設けられている。すなわち、配線層５は、受光素子２の第１面２ａ側において、絶縁層２３上及びモールド樹脂３の端面３ａ上に設けられている。配線層５は、絶縁層５１と、金属配線５２（第２金属配線）と、を含んで構成される再配線層である。絶縁層５１は、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）等の無機膜、或いはポリイミド等の有機膜によって形成され得る。金属配線５２は、例えば銅（Ｃｕ）配線である。
【0033】
絶縁層５１のうちＺ軸方向において金属ピラー６と重なる部分には、開口５１ａが設けられている。開口５１ａ内には、金属ピラー６の配線層５側の端部６ａ（第１端部）と電気的に接続される金属配線５２が設けられている。開口５１ａの幅は、金属ピラー６の端部６ａの幅よりも大きくされている。これにより、金属配線５２における端部６ａに接続される部分の配線幅ｗ２１が金属ピラー６の端部６ａの幅ｗ２２よりも大きくなっている。
【0034】
絶縁層５１のうちＺ軸方向において受光部２１と重なる部分には、開口部５１ｂが設けられている。すなわち、絶縁層５１は、Ｚ軸方向において受光部２１を覆わないように形成されている。
【0035】
金属配線５２は、金属ピラー６の端部６ａと受光素子２の電極端子２２とを電気的に接続している。すなわち、受光素子２（電極端子２２）は、金属配線５２、金属ピラー６、及び金属配線４２を介して、めっき部４３と電気的に接続されている。
【0036】
金属ピラー６は、柱状に形成された金属部材である。金属ピラー６は、例えば銅によって形成されている。金属ピラー６は、例えば、いわゆる銅ピラー又は銅ポストである。
【0037】
本実施形態では、電極端子２２、金属配線５２、金属ピラー６、及び金属配線４２は、それぞれ２つずつ設けられている。より具体的には、互いに電気的に接続された電極端子２２、金属配線５２、金属ピラー６、及び金属配線４２の組は、Ｙ軸方向から見た場合において、受光部２１の両側の各々に設けられている。なお、上述したように複数の受光部２１が設けられる場合には、受光部２１の数に応じて電極端子２２の数（すなわち、上記の組の数）が変動してもよい。
【0038】
（光半導体パッケージの製造方法）
図２～図７を参照して、光半導体パッケージ１Ａの製造工程の一例について説明する。本実施形態では、光半導体パッケージ１Ａは、ＣｏＷ（Chip on Wafer）方式又はＣｏＰ（Chip on Panel）方式によって製造される。
図２～図７を参照して、光半導体パッケージ１Ａの製造工程の一例について説明する。本実施形態では、光半導体パッケージ１Ａは、ＣｏＷ（Chip on Wafer）方式又はＣｏＰ（Chip on Panel）方式によって製造される。
【0039】
まず、図２に示されるように、受光素子２と金属ピラー６の端部６ａとが、仮接合部材である基板５０の仮接合面５０ａ（例えば仮接合用の接着剤が塗布された面）に仮接合される（第１工程）。すなわち、受光素子２及び金属ピラー６は、後で取り外すことが可能な態様で、一時的に基板５０に接合される。受光素子２は、第１面２ａが基板５０に対向するように基板５０に仮接合される。本実施形態では、受光素子２の第１面２ａ上に設けられた絶縁層２３が、基板５０に仮接合される。
【0040】
基板５０は、例えばシリコンウェハ、ガラスウェハ、ＳＵＳキャリア等である。基板上には、１つの光半導体パッケージ１Ａに対応する単位領域が、格子状（二次元状）に複数並んで形成される。図２～図７は、各製造工程における１つの単位領域の状態を表している。
【0041】
図３を参照して、基板５０に金属ピラー６を仮接合する方法の一例について説明する。この例では、複数（単位領域数×各単位領域に含まれる金属ピラー数）の金属ピラー６の端部６ａを露出させた状態で各金属ピラー６を位置決めする支持部材１００が用いられる。具体的には、第１工程において基板５０に金属ピラー６を仮接合する工程は、支持部材１００によって、金属ピラー６の端部６ａを露出させた状態で金属ピラー６を位置決めすると共に支持する工程と、支持部材１００に支持されている金属ピラー６の端部６ａに対して、基板５０の仮接合面５０ａを接触させることにより、基板５０に金属ピラー６の端部６ａを仮接合する工程と、を含む。上記構成によれば、支持部材１００によって位置決め及び支持された状態の金属ピラー６に基板５０の仮接合面５０ａを接触させる比較的簡易な操作によって、基板５０に金属ピラー６を仮接合することができる。
【0042】
まず、図３の（Ａ）に示されるように、支持部材１００によって、金属ピラー６の端部６ａを露出させた状態で、金属ピラー６が位置決めされると共に支持される。この例では、支持部材１００は、金属ピラー６の幅よりも大きい幅を有する貫通孔１０１ａが形成された板状部材１０１と、金属ピラー６の端部６ｂが載置及び支持される支持基板１０２と、を有している。なお、貫通孔１０１ａの大きさは、金属ピラー６を挿入可能であり、且つ、金属ピラー６の横方向の位置ずれを許容誤差範囲内に収めることが可能な大きさに調整されている。各金属ピラー６は、板状部材１０１の貫通孔１０１ａに挿通されて位置決めされると共に、支持基板１０２に支持される。金属ピラー６が支持部材１００に支持された状態において、端部６ａは、板状部材１０１に対して支持基板１０２側とは反対側に突出している。なお、板状部材１０１と支持基板１０２とは、図３に示されるように別体として形成されてもよいし、一体的に形成されてもよい。また、板状部材１０１と支持基板１０２との間には、図３に示されるようにスペース（隙間）が設けられてもよいし、このようなスペースが設けられなくてもよい。
【0043】
続いて、図３の（Ｂ）に示されるように、支持部材１００に支持されている金属ピラー６の端部６ａに対して、基板５０の仮接合面５０ａが接触させられる。これにより、図３の（Ｃ）に示されるように、基板５０の仮接合面５０ａに金属ピラー６の端部６ａが仮接合される。
【0044】
上記構成によれば、金属ピラー６の端部６ａが板状部材１０１よりも突出した状態で、金属ピラー６が支持部材１００によって支持されるため、基板５０の仮接合面５０ａを端部６ａに接触させる際に、基板５０の仮接合面５０ａが板状部材１０１に接触することを防止することができる。すなわち、基板５０の仮接合面５０ａが板状部材１０１に貼り付いてしまうことを的確に防止することができる。
【0045】
ここで、図４に示されるように、金属ピラー６の代わりにフランジ部６２を有する金属ピラー６Ａが用いられてもよい。金属ピラー６Ａは、端部６ｂを含む軸部６１と、端部６ａを含み且つ軸部６１よりも幅広に形成されたフランジ部６２と、を有する。フランジ部６２は、端部６ａにおいて、軸部６１の軸方向に直交する方向に外側に延在する部分である。軸方向から見たフランジ部６２の形状は、例えば円形状である。板状部材１０１の貫通孔１０１ａは、軸部６１の幅よりも大きくフランジ部６２の幅よりも小さい幅を有するように設定されている。金属ピラー６Ａは、軸部６１が貫通孔１０１ａに挿通され、フランジ部６２の端部６ｂ側の内面６２ａが板状部材１０１の貫通孔１０１ａの周縁部に当接することによって、板状部材１０１に支持される。この状態で、金属ピラー６Ａの端部６ａに対して、基板５０の仮接合面５０ａを接触させることにより、基板５０に金属ピラー６Ａの端部６ａを仮接合することができる。上記構成によれば、フランジ部６２を板状部材１０１の貫通孔１０１ａの周縁部に引っかけて支持することが可能となるため、端部６ｂを支持するための支持基板１０２が不要となる。その結果、支持部材１００を簡素化することができる。また、フランジ部６２を設けることにより、基板５０上に立設される金属ピラー６Ａの姿勢（垂直性）をより安定化させることができる。
【0046】
ただし、基板５０に金属ピラー６を形成する方法は、上記に限られない。例えば、金属ピラー６を移載可能に構成された移載装置によって金属ピラー６を基板５０上の指定位置に移載することにより、基板５０上に金属ピラー６を形成してもよい。上記方法によれば、移載装置を制御することにより、基板５０上の任意の位置に精度良く金属ピラー６を配置することができる。また、基板５０上に金属パターン（金属ピラー６）を形成するための半導体前工程（シード層形成、フォトリソグラフィ、電解Ｃｕめっき、レジスト除去、シード層エッチング等）を実施することにより、基板５０上に金属ピラー６を形成してもよい。上記方法によっても、金属ピラー６のパターン（位置及び形状）を高精度に制御することができる。或いは、基板５０上に金属パッドを形成し、当該金属パッド上に垂直に延びるワイヤが形成されるようにワイヤボンディングを実施し、金属パッド上に接合されたワイヤを適当な長さで切断することにより、金属ピラー６（すなわち、金属パッドとワイヤとを合わせた構造）を形成してもよい。上記方法によれば、ボンディング条件（パラメータ）を調整することにより、任意の径及び長さのワイヤ（金属ピラー６）を形成することができる。
【0047】
続いて、図５の（Ａ）に示されるように、各単位領域に配置された受光素子２及び金属ピラー６を覆うモールド樹脂３が、基板５０上に形成される（第２工程）。１つの単位領域に着目すると、モールド樹脂３は、受光素子２の第２面２ｂと側面とを覆うと共に、各金属ピラー６の端部６ａを除く部分（端部６ｂ及び側面）の全体を覆うように形成される。
【0048】
続いて、図５の（Ｂ）に示されるように、受光素子２の第２面２ｂに対向する側（すなわち、端面３ｂ側）からモールド樹脂３を研磨又は研削することにより、受光素子２の第２面２ｂと金属ピラー６の端部６ｂとが露出させられる（第３工程）。「研磨又は研削」とは、研磨及び研削のいずれか一方のみを実施する場合を含むと共に、研磨及び研削の両方を実施する場合を含む。このとき、各単位領域において、モールド樹脂３の端面３ｂと共に、受光素子２の第２面２ｂも併せて研磨又は研削されてもよい。同様に、金属ピラー６の端部６ｂも研磨又は研削されてもよい。つまり、モールド樹脂３の端面３ｂの研磨又は研削によって各単位領域の受光素子２の第２面２ｂ又は金属ピラー６の端部６ｂが露出した後、さらにモールド樹脂３の端面３ｂと第２面２ｂ又は端部６ｂとを一括で研磨又は研削する処理が継続されてもよい。その結果、図５の（Ｂ）に示されるように、受光素子２が薄型化されると共に、受光素子２の第２面２ｂ及び金属ピラー６の端部６ｂが外部に露出した状態となる。以上の処理により、受光素子２の第２面２ｂ、金属ピラー６の端部６ｂ、及びモールド樹脂３の端面３ｂは、略面一となる。
【0049】
続いて、図６の（Ａ）に示されるように、受光素子２の第２面２ｂ上、及び第２面２ｂと連続するモールド樹脂３の端面３ｂ上に、配線層４が形成される。本実施形態では、受光素子２の第２面２ｂ、金属ピラー６の端部６ｂ、及びモールド樹脂３の端面３ｂ上に、絶縁層４１及び金属配線４２が形成される。
【0050】
例えば、図５の（Ｂ）に示される状態から、絶縁層４１のパターニング及び金属配線４２のパターン形成を半導体プロセス（シード層形成、フォトリソグラフィ、電解めっき等）を用いて行うことにより、図６の（Ａ）に示される構造が得られる。配線層４は、金属配線４２における端部６ｂに接続される部分の配線幅が端部６ｂの幅よりも大きくなるように形成される。より具体的には、絶縁層４１の開口４１ａの幅は、金属ピラー６の端部６ｂの幅よりも大きく形成される。これにより、金属配線４２における端部６ｂに接続される部分の配線幅ｗ１１（図１参照）が金属ピラー６の端部６ｂの幅ｗ１２（図１参照）よりも大きく形成される。上記構成によれば、第２工程（モールド樹脂３を形成する工程）において生じ得る金属ピラー６の位置ずれを吸収することができる。すなわち、金属配線４２の配線幅を大きくすることにより、第２工程におけるモールド樹脂３の流入によって金属ピラー６の位置が多少ずれたとしても、金属配線４２と金属ピラー６（端部６ｂ）とをより確実に接触させることができる。
【0051】
なお、上記とは逆に、金属配線４２における端部６ｂに接続される部分の配線幅が金属ピラー６の端部６ｂの幅よりも小さくなるように、配線層４が形成されてもよい（後述する第２実施形態参照）。この場合、金属ピラー６の大きさ（幅）の影響を受けずに、金属配線４２を形成することができる。例えば、金属ピラー６（端部６ｂ）の幅が比較的大きい場合に金属配線４２の幅を金属ピラー６の幅よりもさらに大きくすると、金属配線４２が配線層４に設けられる他の配線と干渉し易くなるという問題が生じ得る。上記構成によれば、このような問題の発生を回避することができる。
【0052】
続いて、図６の（Ｂ）に示されるように、受光素子２、金属ピラー６、及びモールド樹脂３から基板５０が分離される（第５工程）。また、加工面（加工対象の面）が、受光素子２の第２面２ｂ側の面から、受光素子２の第１面２ａ側の面（すなわち、基板５０が分離された後に露出する面）に変更される。
【0053】
続いて、上記のように基板５０が受光素子２、金属ピラー６、及びモールド樹脂３から分離された後（すなわち、第５工程よりも後）に、図７の（Ａ）に示されるように、受光素子２及びモールド樹脂３に対して配線層４が位置する側とは反対側に、配線層５が形成される（第６工程）。本実施形態では、絶縁層２３のうち受光部２１と重ならない部分、金属ピラー６の端部６ａ、及びモールド樹脂３の端面３ａ上に、絶縁層５１及び金属配線５２が形成される。また、金属配線４２の外側端部に対する無電解めっきが行われることにより、上記外側端部の表面にめっき部４３が形成される。
【0054】
例えば、図６の（Ｂ）に示される状態から、絶縁層５１のパターニング及び金属配線５２のパターン形成を半導体プロセス（シード層形成、フォトリソグラフィ、電解めっき等）を用いて行うことにより、図７の（Ａ）に示される構造が得られる。配線層５は、金属配線５２における端部６ａに接続される部分の配線幅が端部６ａの幅よりも大きくなるように形成される。より具体的には、絶縁層５１の開口５１ａの幅は、金属ピラー６の端部６ａの幅よりも大きく形成される。これにより、金属配線５２における端部６ａに接続される部分の配線幅ｗ２１（図１参照）が金属ピラー６の端部６ａの幅ｗ２２（図１参照）よりも大きく形成される。上記構成によれば、第２工程（モールド樹脂３を形成する工程）において生じ得る金属ピラー６の位置ずれを吸収することができる。すなわち、金属配線５２の配線幅を大きくすることにより、第２工程におけるモールド樹脂３の流入によって金属ピラー６の位置が多少ずれたとしても、金属配線５２と金属ピラー６（端部６ａ）とをより確実に接触させることができる。
【0055】
なお、上記とは逆に、金属配線５２における端部６ａに接続される部分の配線幅が金属ピラー６の端部６ａの幅よりも小さくなるように、配線層５が形成されてもよい（後述する第２実施形態参照）。この場合、金属ピラー６の大きさ（幅）の影響を受けずに、金属配線５２を形成することができる。例えば、金属ピラー６（端部６ａ）の幅が比較的大きい場合に金属配線５２の幅を金属ピラー６の幅よりもさらに大きくすると、金属配線５２が配線層５に設けられる他の配線と干渉し易くなるという問題が生じ得る。上記構成によれば、このような問題の発生を回避することができる。
【0056】
続いて、図７の（Ｂ）に示されるように、単位領域間の境界線Ｌに沿ってダイシングが行われる。これにより、個片化された複数の光半導体パッケージ１Ａが得られる。
【0057】
（作用効果）
上記の光半導体パッケージ１Ａの製造方法では、第１工程において、基板５０と受光素子２との間に隙間が形成されないように、受光素子２が基板５０に仮接合される。これにより、第２工程において、受光素子２と基板５０との間にモールド樹脂３が流れ込むこと、すなわち、受光部２１に対向する位置にモールド樹脂３が形成されることを防止することができる。その結果、受光部２１がモールド樹脂３に覆われることに起因する受光感度の低下を回避することができる。また、受光素子２及び金属ピラー６が基板５０に仮接合されることによって各部材が安定的に固定された状態で、第２工程を安定的且つ精度良く実施することが可能となる。より具体的には、モールド樹脂３の硬化時におけるパッケージの反りの発生を抑制できる。以上により、上記製造方法によれば、光半導体パッケージ１Ａを信頼性高く製造することができる。また、受光素子２は、第１面２ａに受光面を有している。上記構成によれば、表面入射型の受光素子２の表面が第１面２ａである光半導体パッケージ１Ａを信頼性高く製造することができる。
上記の光半導体パッケージ１Ａの製造方法では、第１工程において、基板５０と受光素子２との間に隙間が形成されないように、受光素子２が基板５０に仮接合される。これにより、第２工程において、受光素子２と基板５０との間にモールド樹脂３が流れ込むこと、すなわち、受光部２１に対向する位置にモールド樹脂３が形成されることを防止することができる。その結果、受光部２１がモールド樹脂３に覆われることに起因する受光感度の低下を回避することができる。また、受光素子２及び金属ピラー６が基板５０に仮接合されることによって各部材が安定的に固定された状態で、第２工程を安定的且つ精度良く実施することが可能となる。より具体的には、モールド樹脂３の硬化時におけるパッケージの反りの発生を抑制できる。以上により、上記製造方法によれば、光半導体パッケージ１Ａを信頼性高く製造することができる。また、受光素子２は、第１面２ａに受光面を有している。上記構成によれば、表面入射型の受光素子２の表面が第１面２ａである光半導体パッケージ１Ａを信頼性高く製造することができる。
【0058】
また、上記の光半導体パッケージ１Ａの製造方法によれば、以下の効果も奏される。すなわち、特許文献１に開示された手法のように、バンプ接続を用いてガラス基板から受光素子を離間させて配置する場合には、バンプ量のばらつきに起因してガラス基板に対して受光素子が傾いてしまい、光軸ずれが生じる結果、ユニフォミティが低下するおそれがある。一方、上記の光半導体パッケージ１Ａの製造方法によれば、基板５０に対して受光素子２（絶縁層２３）を密着させるため、受光素子２が基板５０に対して傾いて配置されることを防止でき、上記のような問題の発生を回避できる。
【0059】
また、特許文献１に開示された手法では、ガラス基板と受光素子との間にアンダーフィルを封入するためにある程度受光素子をガラス基板から離して配置する必要がある。この場合、受光素子がパッケージの奥に位置することにより、ガラス基板に形成された配線層が受光部の視野を遮る構造になってしまい、受光素子のアクティブエリアが狭くなってしまう。上記の光半導体パッケージ１Ａの製造方法によれば、このような問題の発生も回避できる。
【0060】
また、特許文献１に開示された手法では、ガラス基板と受光素子との間に封入したアンダーフィル内にボイドが生じたり、当該ボイドを無くすための特殊な処理を行ったりする必要が生じる場合があるが、上記の光半導体パッケージ１Ａの製造方法によれば、受光素子２（受光部２１）に対向する位置にアンダーフィルが形成されないため、上記のような問題の発生も回避できる。
【0061】
（変形例）
絶縁層２３上における受光部２１と対向する位置には、ガラス、バンドパスフィルタ、レンズ等の光学部品が取り付けられてもよい。このような光学部品を取り付ける工程は、例えば、配線層５を形成する工程（第６工程）の後に実施されてもよい。或いは、上述した光学部品は、本実施形態の製造工程が実行される前に予め受光素子２に取り付けられていてもよい。また、基板５０を受光素子２等から分離（剥離）する工程（第５工程）は、第２工程が完了してから第６工程が開始されるまでの間の任意のタイミングで実施されればよい。例えば、基板５０は、第２工程の完了後に直ちに除去されてもよい。或いは、第５工程は、少なくとも第３工程よりも後に実施されてもよい。例えば、第４工程は、第３工程の後に実施されてもよく、第５工程は、第４工程の後に実施されてもよい。上記構成によれば、基板５０を第３工程（或いは、第３工程及び第４工程）においても取り付けた状態にすることによって、各部材の支持安定性を高めた状態で第３工程（或いは、第３工程及び第４工程）を信頼性高く実施できるという利点が得られる。特に、本実施形態では、受光部２１が絶縁層２３を介して外部に露出しているため、基板５０を取り付けた状態にすることにより、各工程において受光部２１を外部からの衝撃等から適切に保護することができる。また、第６工程を実施する際に、各部材の支持安定性を高めるために、仮接合部材としての基板（例えば基板５０）を配線層４上に取り付けてもよい。
絶縁層２３上における受光部２１と対向する位置には、ガラス、バンドパスフィルタ、レンズ等の光学部品が取り付けられてもよい。このような光学部品を取り付ける工程は、例えば、配線層５を形成する工程（第６工程）の後に実施されてもよい。或いは、上述した光学部品は、本実施形態の製造工程が実行される前に予め受光素子２に取り付けられていてもよい。また、基板５０を受光素子２等から分離（剥離）する工程（第５工程）は、第２工程が完了してから第６工程が開始されるまでの間の任意のタイミングで実施されればよい。例えば、基板５０は、第２工程の完了後に直ちに除去されてもよい。或いは、第５工程は、少なくとも第３工程よりも後に実施されてもよい。例えば、第４工程は、第３工程の後に実施されてもよく、第５工程は、第４工程の後に実施されてもよい。上記構成によれば、基板５０を第３工程（或いは、第３工程及び第４工程）においても取り付けた状態にすることによって、各部材の支持安定性を高めた状態で第３工程（或いは、第３工程及び第４工程）を信頼性高く実施できるという利点が得られる。特に、本実施形態では、受光部２１が絶縁層２３を介して外部に露出しているため、基板５０を取り付けた状態にすることにより、各工程において受光部２１を外部からの衝撃等から適切に保護することができる。また、第６工程を実施する際に、各部材の支持安定性を高めるために、仮接合部材としての基板（例えば基板５０）を配線層４上に取り付けてもよい。
【0062】
［第２実施形態］
（光半導体パッケージの構造）
図８に示されるように、第２実施形態の光半導体パッケージ１Ｂは、モールド樹脂３の代わりに透明なモールド樹脂３Ｂを備える点において、光半導体パッケージ１Ａと相違している。また、光半導体パッケージ１Ｂは、金属ピラー６（金属部材）の端部６ａが絶縁層２３の上面（第１面２ａ側とは反対側の面）よりも高い位置にあり、金属配線５２における端部６ａと接続される側とは反対側の端部５２ｂと電極端子２２とを接続する金属ピラー７を更に備える点においても、光半導体パッケージ１Ａと相違している。以下、光半導体パッケージ１Ｂの構成のうち光半導体パッケージ１Ａと異なる部分について説明し、光半導体パッケージ１Ｂの構成のうち光半導体パッケージ１Ａと同様の部分についての説明を省略する。
（光半導体パッケージの構造）
図８に示されるように、第２実施形態の光半導体パッケージ１Ｂは、モールド樹脂３の代わりに透明なモールド樹脂３Ｂを備える点において、光半導体パッケージ１Ａと相違している。また、光半導体パッケージ１Ｂは、金属ピラー６（金属部材）の端部６ａが絶縁層２３の上面（第１面２ａ側とは反対側の面）よりも高い位置にあり、金属配線５２における端部６ａと接続される側とは反対側の端部５２ｂと電極端子２２とを接続する金属ピラー７を更に備える点においても、光半導体パッケージ１Ａと相違している。以下、光半導体パッケージ１Ｂの構成のうち光半導体パッケージ１Ａと異なる部分について説明し、光半導体パッケージ１Ｂの構成のうち光半導体パッケージ１Ａと同様の部分についての説明を省略する。
【0063】
モールド樹脂３Ｂは、受光部２１の検出対象となる光（波長）に対する透明性を有する材料によって形成されている。モールド樹脂３Ｂは、例えば、透明エポキシ樹脂等によって形成され得る。モールド樹脂３Ｂは、受光素子２の側面だけでなく、受光素子２の第１面２ａに対向する部分（すなわち、絶縁層２３上の領域）にも設けられており、金属ピラー６及び金属ピラー７の側面全体を覆っている。モールド樹脂３Ｂは、配線層５の開口部５１ｂの内側にも設けられている。すなわち、モールド樹脂３Ｂの端面３ｂ（第２面２ｂと面一に形成された端面）とは反対側の端面３ａは、配線層５（絶縁層５１）の外面と面一に形成されている。
【0064】
光半導体パッケージ１Ｂにおいては、配線層５（第１配線層）は、Ｚ軸方向において、絶縁層２３と離間している。このため、金属配線５２（第１金属配線）と電極端子２２とを電気的に接続するための金属ピラー７が設けられている。光半導体パッケージ１Ｂにおいては、金属配線５２は、Ｘ軸方向において外側（受光素子２と重ならない部分）に配置される端部５２ａ（第１端部）と、Ｘ軸方向において内側（受光素子２と重なる部分）に配置される端部５２ｂ（第２端部）と、を有している。端部５２ａは、金属ピラー６の端部６ａに接続されている。端部５２ｂは、金属ピラー７の端部７ａ（電極端子２２側とは反対側の端部）に接続されている。なお、光半導体パッケージ１Ｂは、必ずしも柱状の金属ピラー７を備える必要はない。例えば、端部５２ｂと電極端子２２とは、導電性バンプを介して接続されてもよい。すなわち、端部５２ｂと電極端子２２とは、何らかの導電性部材によって電気的に接続されていればよい。また、当該導電性部材が端部５２ｂと電極端子２２との間に配置されることによって、後述する第５工程においてモールド樹脂３Ｂを内部空間Ｓ（図９の（Ｂ）参照）に導入するための隙間が、絶縁層２３と絶縁層５１との間に形成されればよい。
【0065】
（光半導体パッケージの製造方法）
図９～図１１を参照して、光半導体パッケージ１Ｂの製造工程の一例について説明する。本実施形態では、光半導体パッケージ１Ｂは、ＣｏＷ方式又はＣｏＰ方式によって製造される。図９～図１１は、各製造工程における１つの単位領域の状態を示している。以下では、１つの単位領域のみに着目して説明を行う。
図９～図１１を参照して、光半導体パッケージ１Ｂの製造工程の一例について説明する。本実施形態では、光半導体パッケージ１Ｂは、ＣｏＷ方式又はＣｏＰ方式によって製造される。図９～図１１は、各製造工程における１つの単位領域の状態を示している。以下では、１つの単位領域のみに着目して説明を行う。
【0066】
まず、図９の（Ａ）に示されるように、仮接合部材である基板５０上に、基板５０を露出させる開口部５１ｂが設けられた配線層５が形成される（第１工程）。配線層５は、絶縁層５１と金属配線５２とを有している。開口部５１ｂは、絶縁層５１に設けられている。例えば、絶縁層５１のパターニング及び金属配線５２のパターン形成を半導体プロセス（シード層形成、フォトリソグラフィ、電解めっき等）を用いて行うことにより、図９の（Ａ）に示される配線層５が得られる。なお、本実施形態では、絶縁層５１の開口５１ａの幅は、金属ピラー６の端部６ａの幅よりも小さく形成されており、その結果、金属配線５２における端部６ａに接続される部分の配線幅が金属ピラー６の端部６ａの幅よりも小さく形成されている。ただし、第１実施形態と同様に、金属配線５２における端部６ａに接続される部分の配線幅は、金属ピラー６の端部６ａの幅よりも大きく形成されてもよい。
【0067】
続いて、図９の（Ａ）に示されるように、金属配線５２の端部５２ａに接続され、配線層５から基板５０側とは反対側に突出する金属ピラー６が形成される（第２工程）。金属ピラー６は、例えば、めっき処理、はんだバンプ形成処理等によって形成される。金属ピラー６は、端部５２ａに接続される端部６ａと、端部６ａとは反対側の端部６ｂと、を有している。
【0068】
続いて、図９の（Ｂ）に示されるように、受光素子２が準備される（第３工程）。続いて、端部５２ａとは異なる金属配線５２の端部５２ｂと電極端子２２とが金属ピラー７を介して電気的に接続され、且つ、受光部２１が開口部５１ｂに対向する位置に配置されて基板５０と受光素子２との間に内部空間Ｓが形成されるように、受光素子２が配置される（第４工程）。金属ピラー７は、端部５２ｂに接続される端部７ａと、端部７ａとは反対側の端部７ｂと、を有している。なお、上述した通り、金属ピラー７は、何らかの導電性部材であればよく、例えば端部７ｂと電極端子２２とをバンプ接合することによって形成される導電性バンプであってもよい。ここで、絶縁層５１の上面（基板５０側とは反対側の面）と絶縁層２３の下面（基板５０に対向する面）とは離間しており、絶縁層５１と絶縁層２３との間には、隙間が存在する。すなわち、内部空間Ｓは、当該隙間を介して、外部と連通している。言い換えれば、内部空間Ｓは、外部から遮断された閉空間とはされていない。
【0069】
続いて、図１０の（Ａ）に示されるように、モールド樹脂３Ｂが形成される（第５工程）。モールド樹脂３Ｂは、上述したように、受光部２１の検出対象となる光に対する透明性を有する材料によって形成されており、受光素子２、金属ピラー６，７、及び配線層５を覆うと共に内部空間Ｓ（図９の（Ｂ）参照）に充填される。
【0070】
続いて、図１０の（Ｂ）に示されるように、受光素子２の第２面２ｂに対向する側（すなわち、端面３ｂ側）からモールド樹脂３Ｂを研磨又は研削することにより、受光素子２の第２面２ｂと金属ピラー６の端部６ｂとが露出させられる（第６工程）。このとき、各単位領域において、モールド樹脂３Ｂの端面３ｂと共に、受光素子２の第２面２ｂも併せて研磨又は研削されてもよい。同様に、金属ピラー６の端部６ｂも研磨又は研削されてもよい。つまり、モールド樹脂３Ｂの端面３ｂの研磨又は研削によって各単位領域の受光素子２の第２面２ｂ又は金属ピラー６の端部６ｂが露出した後、さらにモールド樹脂３Ｂの端面３ｂと第２面２ｂ又は端部６ｂとを一括で研磨又は研削する処理が継続されてもよい。その結果、図１０の（Ｂ）に示されるように、受光素子２の第２面２ｂ及び金属ピラー６の端部６ｂが外部に露出した状態となる。以上の処理により、受光素子２の第２面２ｂ、金属ピラー６の端部６ｂ、及びモールド樹脂３Ｂの端面３ｂは、略面一となる。
【0071】
続いて、図１１の（Ａ）に示されるように、受光素子２の第２面２ｂ上、及び第２面２ｂと連続するモールド樹脂３Ｂの端面３ｂ上に、配線層４が形成される（第７工程）。本実施形態では、受光素子２の第２面２ｂ、金属ピラー６の端部６ｂ、及びモールド樹脂３Ｂの端面３ｂ上に、絶縁層４１及び金属配線４２（第２金属配線）が形成される。また、金属配線４２の外側端部に対する無電解めっきが行われることにより、上記外側端部の表面にめっき部４３が形成される。
【0072】
例えば、図１０の（Ｂ）に示される状態から、絶縁層４１のパターニング及び金属配線４２のパターン形成を半導体プロセス（シード層形成、フォトリソグラフィ、電解めっき等）を用いて行うことにより、図１１の（Ａ）に示される構造が得られる。なお、本実施形態では、絶縁層４１の開口４１ａの幅は、金属ピラー６の端部６ｂの幅よりも小さく形成されており、その結果、金属配線４２における端部６ｂに接続される部分の配線幅が金属ピラー６の端部６ｂの幅よりも小さく形成されている。ただし、第１実施形態と同様に、金属配線４２における端部６ｂに接続される部分の配線幅は、金属ピラー６の端部６ｂの幅よりも大きく形成されてもよい。
【0073】
続いて、図１１の（Ｂ）に示されるように、配線層５及びモールド樹脂３Ｂから基板５０が分離される（第８工程）。続いて、単位領域間の境界線Ｌに沿ってダイシングが行われる。これにより、個片化された複数の光半導体パッケージ１Ｂが得られる。
【0074】
（作用効果）
光半導体パッケージ１Ｂでは、第５工程においてモールド樹脂３Ｂが受光素子２と基板５０との間の内部空間Ｓに充填されることにより、モールド樹脂３Ｂが受光部２１を覆うことになるが、モールド樹脂３Ｂは受光部２１の検出対象となる光に対する透明性を有するため、モールド樹脂３Ｂが受光部２１を覆うことに起因する受光感度の低下が抑制される。さらに、第５工程において、単一の樹脂材料によって一括で、受光素子２と基板５０との間の内部空間Ｓに充填され且つ各部材（受光素子２、金属ピラー６，７、及び配線層５）を覆うモールド樹脂３Ｂを形成することができる。これにより、２種類の樹脂部（例えば、互いに異なる材料又は異なるタイミングで形成される２つの樹脂部）が混在することに起因する信頼性の低下（例えば、２つの樹脂部の熱膨張係数差等に起因する応力による金属配線の損傷等）を回避することができる。以上により、上記製造方法によれば、光半導体パッケージ１Ｂを信頼性高く製造することができる。また、受光素子２は、第１面２ａに受光面を有している。上記構成によれば、表面入射型の受光素子２の表面が第１面２ａである光半導体パッケージ１Ｂを信頼性高く製造することができる。
光半導体パッケージ１Ｂでは、第５工程においてモールド樹脂３Ｂが受光素子２と基板５０との間の内部空間Ｓに充填されることにより、モールド樹脂３Ｂが受光部２１を覆うことになるが、モールド樹脂３Ｂは受光部２１の検出対象となる光に対する透明性を有するため、モールド樹脂３Ｂが受光部２１を覆うことに起因する受光感度の低下が抑制される。さらに、第５工程において、単一の樹脂材料によって一括で、受光素子２と基板５０との間の内部空間Ｓに充填され且つ各部材（受光素子２、金属ピラー６，７、及び配線層５）を覆うモールド樹脂３Ｂを形成することができる。これにより、２種類の樹脂部（例えば、互いに異なる材料又は異なるタイミングで形成される２つの樹脂部）が混在することに起因する信頼性の低下（例えば、２つの樹脂部の熱膨張係数差等に起因する応力による金属配線の損傷等）を回避することができる。以上により、上記製造方法によれば、光半導体パッケージ１Ｂを信頼性高く製造することができる。また、受光素子２は、第１面２ａに受光面を有している。上記構成によれば、表面入射型の受光素子２の表面が第１面２ａである光半導体パッケージ１Ｂを信頼性高く製造することができる。
【0075】
また、上記の光半導体パッケージ１Ｂの製造方法では、減圧下において第５工程を実施することにより、特殊な装置を利用することなく、ボイドのないモールド樹脂３Ｂを一括で形成することができる。
【0076】
（変形例）
基板５０を配線層５等から分離（剥離）する工程（第８工程）は、第５工程が完了した後の任意のタイミングで実施されればよい。例えば、基板５０は、第５工程の完了後に直ちに除去されてもよい。或いは、第８工程は、少なくとも第６工程よりも後に実施されてもよい。例えば、第７工程は、第６工程の後に実施されてもよく、第８工程は、第７工程の後に実施されてもよい。上記構成によれば、基板５０を第６工程（或いは、第６工程及び第７工程）においても取り付けた状態にすることによって、各部材の支持安定性を高めた状態で第６工程及び第７工程を信頼性高く実施できるという利点が得られる。
基板５０を配線層５等から分離（剥離）する工程（第８工程）は、第５工程が完了した後の任意のタイミングで実施されればよい。例えば、基板５０は、第５工程の完了後に直ちに除去されてもよい。或いは、第８工程は、少なくとも第６工程よりも後に実施されてもよい。例えば、第７工程は、第６工程の後に実施されてもよく、第８工程は、第７工程の後に実施されてもよい。上記構成によれば、基板５０を第６工程（或いは、第６工程及び第７工程）においても取り付けた状態にすることによって、各部材の支持安定性を高めた状態で第６工程及び第７工程を信頼性高く実施できるという利点が得られる。
【0077】
［第３実施形態］
（光半導体パッケージの構造）
図１２に示されるように、第３実施形態の光半導体パッケージ１Ｃは、配線層５の代わりに配線層５Ｃを備える点において、光半導体パッケージ１Ａと相違している。以下、光半導体パッケージ１Ｃの構成のうち光半導体パッケージ１Ａと異なる部分について説明し、光半導体パッケージ１Ｃの構成のうち光半導体パッケージ１Ａと同様の部分についての説明を省略する。
（光半導体パッケージの構造）
図１２に示されるように、第３実施形態の光半導体パッケージ１Ｃは、配線層５の代わりに配線層５Ｃを備える点において、光半導体パッケージ１Ａと相違している。以下、光半導体パッケージ１Ｃの構成のうち光半導体パッケージ１Ａと異なる部分について説明し、光半導体パッケージ１Ｃの構成のうち光半導体パッケージ１Ａと同様の部分についての説明を省略する。
【0078】
配線層５Ｃは、絶縁層５１の代わりに絶縁層５１Ｃを有する点において、光半導体パッケージ１Ａの配線層５と相違している。絶縁層５１Ｃは、透明な樹脂絶縁膜によって形成されると共に開口部５１ｂが設けられていない点において、絶縁層５１と相違している。絶縁層５１Ｃは、受光部２１の検出対象となる光に対する透明性を有する材料によって形成されている。絶縁層５１Ｃは、例えば、透明エポキシ樹脂、透明ポリイミド樹脂等によって形成され得る。
【0079】
（光半導体パッケージの製造方法）
図１３～図１５を参照して、光半導体パッケージ１Ｃの製造工程の一例について説明する。本実施形態では、光半導体パッケージ１Ｃは、ＣｏＷ方式又はＣｏＰ方式によって製造される。図１３～図１５は、各製造工程における１つの単位領域の状態を示している。以下では、１つの単位領域のみに着目して説明を行う。
図１３～図１５を参照して、光半導体パッケージ１Ｃの製造工程の一例について説明する。本実施形態では、光半導体パッケージ１Ｃは、ＣｏＷ方式又はＣｏＰ方式によって製造される。図１３～図１５は、各製造工程における１つの単位領域の状態を示している。以下では、１つの単位領域のみに着目して説明を行う。
【0080】
本実施形態に係る光半導体パッケージ１Ｃの製造方法は、
受光部２１及び受光部２１と電気的に接続された電極端子２２が設けられた第１面２ａを有する受光素子２を準備する第１工程と、
受光部２１の検出対象となる光に対する透明性を有する絶縁層５１Ｃと金属配線５２とを含む配線層５Ｃを基板５０上に形成する第２工程と、
金属配線５２の端部５２ａに接続され、配線層５Ｃから基板５０側とは反対側に突出する金属部材（金属ピラー６）を形成する第３工程と、
金属配線５２の端部５２ｂと電極端子２２とが電気的に接続されるように、受光素子２を配線層５Ｃ上に配置する第４工程と、
受光素子２、金属ピラー６、及び配線層５Ｃを覆う樹脂部（モールド樹脂３）を形成する第５工程と、
受光素子２の第２面２ｂに対向する側からモールド樹脂３を研磨又は研削することにより、受光素子２の第２面２ｂと金属ピラー６の端部６ｂとを露出させる第６工程と、
受光素子２の第２面２ｂ上、及び第２面２ｂと連続するモールド樹脂３の端面３ｂ上に、金属ピラー６の端部６ｂと電気的に接続される金属配線４２を含む配線層４を形成する第７工程と、
配線層５Ｃ及びモールド樹脂３から基板５０を分離する第８工程と、を含む。
受光部２１及び受光部２１と電気的に接続された電極端子２２が設けられた第１面２ａを有する受光素子２を準備する第１工程と、
受光部２１の検出対象となる光に対する透明性を有する絶縁層５１Ｃと金属配線５２とを含む配線層５Ｃを基板５０上に形成する第２工程と、
金属配線５２の端部５２ａに接続され、配線層５Ｃから基板５０側とは反対側に突出する金属部材（金属ピラー６）を形成する第３工程と、
金属配線５２の端部５２ｂと電極端子２２とが電気的に接続されるように、受光素子２を配線層５Ｃ上に配置する第４工程と、
受光素子２、金属ピラー６、及び配線層５Ｃを覆う樹脂部（モールド樹脂３）を形成する第５工程と、
受光素子２の第２面２ｂに対向する側からモールド樹脂３を研磨又は研削することにより、受光素子２の第２面２ｂと金属ピラー６の端部６ｂとを露出させる第６工程と、
受光素子２の第２面２ｂ上、及び第２面２ｂと連続するモールド樹脂３の端面３ｂ上に、金属ピラー６の端部６ｂと電気的に接続される金属配線４２を含む配線層４を形成する第７工程と、
配線層５Ｃ及びモールド樹脂３から基板５０を分離する第８工程と、を含む。
【0081】
まず、受光素子２（図１３の（Ｂ）参照）が準備される（第１工程）。続いて、図１３の（Ａ）に示されるように、仮接合部材である基板５０上に、配線層５Ｃが形成される（第２工程）。上述したように、配線層５Ｃは、絶縁層５１Ｃと金属配線５２とを有している。例えば、絶縁層５１Ｃのパターニング及び金属配線５２のパターン形成を半導体プロセス（シード層形成、フォトリソグラフィ、電解めっき等）を用いて行うことにより、図１３の（Ａ）に示される配線層５Ｃが得られる。なお、本実施形態では、絶縁層５１Ｃの開口５１ａの幅は、金属ピラー６の端部６ａの幅よりも大きく形成されており、その結果、金属配線５２における端部６ａに接続される部分の配線幅が金属ピラー６の端部６ａの幅よりも大きく形成されている。ただし、第２実施形態と同様に、金属配線５２における端部６ａに接続される部分の配線幅は、金属ピラー６の端部６ａの幅よりも小さく形成されてもよい。
【0082】
続いて、図１３の（Ａ）に示されるように、金属配線５２の端部５２ａに接続され、配線層５Ｃから基板５０側とは反対側に突出する金属ピラー６が形成される（第３工程）。金属ピラー６は、例えば、めっき処理、はんだバンプ形成処理等によって形成される。
【0083】
続いて、図１３の（Ｂ）に示されるように、金属配線５２の端部５２ｂと電極端子２２とが電気的に接続されるように、受光素子２が配線層５Ｃ上に配置される（第４工程）。端部５２ｂと電極端子２２とは、例えば、バンプ接合によって接続される。これにより、絶縁層５１Ｃと絶縁層２３とは、互いに当接した状態となり、絶縁層５１Ｃと絶縁層２３との間に隙間は形成されない。なお、端部５２ｂと電極端子２２とは、銅及び絶縁膜を用いたハイブリッド接合によって接続されてもよい。
【0084】
続いて、図１４の（Ａ）に示されるように、モールド樹脂３が形成される（第５工程）。モールド樹脂３は、受光素子２、金属ピラー６、及び配線層５Ｃを覆うように形成される。
【0085】
続いて、図１４の（Ｂ）に示されるように、受光素子２の第２面２ｂに対向する側（すなわち、端面３ｂ側）からモールド樹脂３を研磨又は研削することにより、受光素子２の第２面２ｂと金属ピラー６の端部６ｂとが露出させられる（第６工程）。このとき、各単位領域において、モールド樹脂３の端面３ｂと共に、受光素子２の第２面２ｂも併せて研磨又は研削されてもよい。同様に、金属ピラー６の端部６ｂも研磨又は研削されてもよい。つまり、モールド樹脂３の端面３ｂの研磨又は研削によって各単位領域の受光素子２の第２面２ｂ又は金属ピラー６の端部６ｂが露出した後、さらにモールド樹脂３の端面３ｂと第２面２ｂ又は端部６ｂとを一括で研磨又は研削する処理が継続されてもよい。その結果、図１４の（Ｂ）に示されるように、受光素子２の第２面２ｂ及び金属ピラー６の端部６ｂが外部に露出した状態となる。以上の処理により、受光素子２の第２面２ｂ、金属ピラー６の端部６ｂ、及びモールド樹脂３の端面３ｂは、略面一となる。
【0086】
続いて、図１５の（Ａ）に示されるように、受光素子２の第２面２ｂ上、及び第２面２ｂと連続するモールド樹脂３の端面３ｂ上に、配線層４が形成される（第７工程）。本実施形態では、受光素子２の第２面２ｂ、金属ピラー６の端部６ｂ、及びモールド樹脂３の端面３ｂ上に、絶縁層４１及び金属配線４２が形成される。また、金属配線４２の外側端部に対する無電解めっきが行われることにより、上記外側端部の表面にめっき部４３が形成される。
【0087】
例えば、図１４の（Ｂ）に示される状態から、絶縁層４１のパターニング及び金属配線４２のパターン形成を半導体プロセス（シード層形成、フォトリソグラフィ、電解めっき等）を用いて行うことにより、図１５の（Ａ）に示される構造が得られる。なお、本実施形態では、絶縁層４１の開口４１ａの幅は、金属ピラー６の端部６ｂの幅よりも大きく形成されており、その結果、金属配線４２における端部６ｂに接続される部分の配線幅が金属ピラー６の端部６ｂの幅よりも大きく形成されている。ただし、第２実施形態と同様に、金属配線４２における端部６ｂに接続される部分の配線幅は、金属ピラー６の端部６ｂの幅よりも小さく形成されてもよい。
【0088】
続いて、図１５の（Ｂ）に示されるように、配線層５及びモールド樹脂３から基板５０が分離される（第８工程）。続いて、単位領域間の境界線Ｌに沿ってダイシングが行われる。これにより、個片化された複数の光半導体パッケージ１Ｃが得られる。
【0089】
上記のような製造方法によれば、受光素子２の表面側（第１面２ａ側）の配線層５を先に作製した後に、受光素子２の搭載（チップマウント）、樹脂モールド（モールド樹脂３の形成）、及び受光素子２の裏面側（第２面２ｂ側）の配線層４の作製を行う手順によって、光半導体パッケージ１Ｃを製造することができる。なお、上記製造方法においても、基板５０を配線層５等から分離（剥離）する工程（第８工程）は、第５工程が完了した後の任意のタイミングで実施されればよい。例えば、基板５０は、第５工程の完了後に直ちに除去されてもよい。ただし、基板５０を第６工程及び第７工程においても取り付けた状態にすることによって、各部材の支持安定性を高めた状態で第６工程及び第７工程を信頼性高く実施できるという利点が得られる。
【0090】
上記の光半導体パッケージ１Ｃの製造方法において、「配線層５Ｃ」及び「絶縁層５１Ｃ」を「配線層５」及び「絶縁層５１」に置き換えると共に、図１３に示した工程を図１６に示す工程に置き換えることにより、光半導体パッケージ１Ａと同様の構造を有する光半導体パッケージを製造することができる。
【0091】
より具体的には、上記の光半導体パッケージ１Ｃの製造方法の第２工程は、「絶縁層５１と金属配線５２とを含むと共に基板５０を露出させる開口部５１ｂが設けられた配線層５を基板５０上に形成する第２工程」に置き換えられる。これにより、第３工程が完了した時点において、図１３の（Ａ）に示される構造の代わりに、図１６の（Ａ）に示される構造が得られる。
【0092】
また、上記の光半導体パッケージ１Ｃの製造方法の第４工程は、「金属配線５２の端部５２ｂと電極端子２２とが電気的に接続され、且つ、受光部２１が開口部５１ｂに対向する位置に配置されて基板５０と受光素子２との間に閉空間Ｓ１が形成されるように、受光素子２を配線層５上に配置する第４工程」に置き換えられる。これにより、第４工程が完了した時点において、図１３の（Ｂ）に示される構造の代わりに、図１６の（Ｂ）に示される構造が得られる。ここで、閉空間Ｓ１は、基板５０と絶縁層２３と絶縁層５１とに包囲された密閉空間とされる。このため、第５工程において、モールド樹脂３は、受光素子２、金属ピラー６、及び配線層５を覆うように形成され、閉空間Ｓ１にはモールド樹脂３は充填されない。その結果、後続の第６工程～第８工程及びダイシングが完了した時点において、図１に示した光半導体パッケージ１Ａと同様の構造を有する光半導体パッケージが得られる。
【0093】
以上、本開示のいくつかの実施形態について説明したが、本開示は、上記実施形態に限られない。各構成の材料及び形状には、上述した材料及び形状に限らず、様々な材料及び形状を採用することができる。また、上述した一の実施形態又は変形例における一部の構成は、他の実施形態又は変形例における構成に任意に適用することができる。例えば、上記実施形態で示したように、基板５０を仮接合部材として好適に用いることが可能であるが、仮接合部材は、基板以外の部材であってもよい。例えば、シート部材（例えば、シート状の非常に薄い部材）が仮接合部材として用いられてもよい。また、上記実施形態では、ＣｏＷ方式又はＣｏＰ方式による製造方法を例示したが、上記以外の方式が採用されてもよい。例えば、チップ単位で光半導体パッケージが製造される場合、上記実施形態におけるダイシング工程は省略され得る。
【符号の説明】
【0094】
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…光半導体パッケージ、２…受光素子、２ａ…第１面、２ｂ…第２面、３，３Ｂ…モールド樹脂（樹脂部）、４…配線層（第１配線層、第２配線層）、５…配線層（第１配線層、第２配線層）、６，６Ａ…金属ピラー（金属部材）、６ａ…端部（第１端部）、６ｂ…端部（第２端部）、２１…受光部、２２…電極端子、４２…金属配線（第１金属配線、第２金属配線）、５０…基板、５１ｂ…開口部、５２…金属配線（第１金属配線、第２金属配線）、６１…軸部、６２…フランジ部、６２ａ…内面、１００…支持部材、１０１…板状部材、１０１ａ…貫通孔、１０２…支持基板。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】