(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023148187
(43)【公開日】2023-10-13
(54)【発明の名称】半導体発光装置
(51)【国際特許分類】
H01S 5/028 20060101AFI20231005BHJP
【ＦＩ】
H01S5/028
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022056083
(22)【出願日】2022-03-30
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100105957
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100068755
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 博宣
(72)【発明者】
【氏名】浅野 仁
【テーマコード（参考）】
5F173
【Ｆターム（参考）】
5F173AL03
5F173AP73
5F173AP75
5F173AP82
5F173AR99
(57)【要約】
【課題】不具合の発生を抑制可能とすること。
【解決手段】半導体発光装置１０は、素子本体２０を有する。素子本体２０は、互いに反対側を向く素子上面２０１および素子下面２０２と、素子上面２０１が向くＺ方向と直交するＸ方向において互いに反対側を向く第１端面２０３および第２端面２０４と、素子上面２０１に形成された第１電極２１と、素子下面２０２に設けられた第２電極２２と、を有する。また、半導体発光装置１０は、第１端面２０３を覆う第１端面膜３１と、第２端面２０４を覆う第２端面膜３２と、を含む。第１端面膜３１は、第１端面２０３から素子上面２０１まで連続的に素子本体２０を覆うように形成されている。第２端面膜３２は、第２端面２０４から素子上面２０１まで連続的に素子本体２０を覆うように形成されている。
【選択図】図１
【解決手段】半導体発光装置１０は、素子本体２０を有する。素子本体２０は、互いに反対側を向く素子上面２０１および素子下面２０２と、素子上面２０１が向くＺ方向と直交するＸ方向において互いに反対側を向く第１端面２０３および第２端面２０４と、素子上面２０１に形成された第１電極２１と、素子下面２０２に設けられた第２電極２２と、を有する。また、半導体発光装置１０は、第１端面２０３を覆う第１端面膜３１と、第２端面２０４を覆う第２端面膜３２と、を含む。第１端面膜３１は、第１端面２０３から素子上面２０１まで連続的に素子本体２０を覆うように形成されている。第２端面膜３２は、第２端面２０４から素子上面２０１まで連続的に素子本体２０を覆うように形成されている。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
互いに反対側を向く素子上面および素子下面と、前記素子上面が向く第１方向と直交する第２方向において互いに反対側を向く第１端面および第２端面と、前記素子上面に形成された第１電極と、前記素子下面に設けられた第２電極と、を有する素子本体と、
少なくとも前記第１端面を覆う第１端面膜と、
を含み、
前記素子本体は、前記第１端面において、前記第１方向における前記素子本体の中央よりも前記素子上面に近い部分に光を出射する出射部を有し、
前記第１端面膜は、前記第１端面を覆う第１端面被覆部と、前記素子上面の一部を覆う第１上面被覆部と、前記素子下面の一部を覆う第１下面被覆部と、を有し、前記第２方向において、前記第１下面被覆部の長さは前記第１上面被覆部の長さよりも短い、
半導体発光装置。
少なくとも前記第１端面を覆う第１端面膜と、
を含み、
前記素子本体は、前記第１端面において、前記第１方向における前記素子本体の中央よりも前記素子上面に近い部分に光を出射する出射部を有し、
前記第１端面膜は、前記第１端面を覆う第１端面被覆部と、前記素子上面の一部を覆う第１上面被覆部と、前記素子下面の一部を覆う第１下面被覆部と、を有し、前記第２方向において、前記第１下面被覆部の長さは前記第１上面被覆部の長さよりも短い、
半導体発光装置。
【請求項2】
前記第１上面被覆部の長さに対して、前記第１下面被覆部の長さは、１／５以下である、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項3】
前記第１上面被覆部の厚さに対して、前記第１下面被覆部の厚さは薄い、請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項4】
前記第１上面被覆部は、前記第１端面の側の厚さに対して、前記第２端面の側の厚さが薄い、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項5】
前記第１下面被覆部は、前記第１端面の側の厚さに対して、前記第２端面の側の厚さが薄い、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項6】
少なくとも前記第２端面を覆う第２端面膜を含み、
前記素子本体は、前記第２端面において、前記第１方向における前記素子本体の中央よりも前記素子上面に近い部分に光を出射する出射部を有し、
前記第２端面膜は、前記第２端面を覆う第２端面被覆部と、前記素子上面の一部を覆う第２上面被覆部と、前記素子下面の一部を覆う第２下面被覆部と、を有し、前記第２方向において、前記第２下面被覆部の長さは前記第２上面被覆部の長さよりも短い、
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
前記素子本体は、前記第２端面において、前記第１方向における前記素子本体の中央よりも前記素子上面に近い部分に光を出射する出射部を有し、
前記第２端面膜は、前記第２端面を覆う第２端面被覆部と、前記素子上面の一部を覆う第２上面被覆部と、前記素子下面の一部を覆う第２下面被覆部と、を有し、前記第２方向において、前記第２下面被覆部の長さは前記第２上面被覆部の長さよりも短い、
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項7】
前記第２上面被覆部の長さに対して、前記第２下面被覆部の長さは、１／５以下である、請求項６に記載の半導体発光装置。
【請求項8】
前記第２上面被覆部の厚さに対して、前記第２下面被覆部の厚さは薄い、請求項６または請求項７に記載の半導体発光装置。
【請求項9】
前記第２上面被覆部は、前記第２端面の側の厚さに対して、前記第１端面の側の厚さが薄い、請求項６から請求項８のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項10】
前記第２下面被覆部は、前記第２端面の側の厚さに対して、前記第１端面の側の厚さが薄い、請求項６から請求項９のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項11】
前記第２方向において、前記第１上面被覆部の長さは前記第２上面被覆部の長さと異なる、請求項６から請求項１０のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項12】
前記第２方向において、前記第１下面被覆部の長さは前記第２下面被覆部の長さと異なる、請求項７から請求項１１のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項13】
互いに反対側を向く素子上面および素子下面と、前記素子上面が向く第１方向と直交する第２方向において互いに反対側を向く第１端面および第２端面と、前記素子上面に形成された第１電極と、前記素子下面に設けられた第２電極と、を有する素子本体と、
前記第１端面を覆う第１端面膜と、
前記第２端面を覆う第２端面膜と、
を含み、
前記素子本体は、前記第１端面および前記第２端面の少なくとも一方において、前記第１方向における前記素子本体の中央よりも前記素子上面に近い部分に光を出射する出射部を有し、
前記第１端面膜は、前記第１端面から前記素子上面まで連続的に前記素子本体を覆うように形成され、
前記第２端面膜は、前記第２端面から前記素子上面まで連続的に前記素子本体を覆うように形成され、
前記第２電極により構成される前記素子下面の全体は、前記第１端面膜および前記第２端面膜に覆われずに露出している、
半導体発光装置。
前記第１端面を覆う第１端面膜と、
前記第２端面を覆う第２端面膜と、
を含み、
前記素子本体は、前記第１端面および前記第２端面の少なくとも一方において、前記第１方向における前記素子本体の中央よりも前記素子上面に近い部分に光を出射する出射部を有し、
前記第１端面膜は、前記第１端面から前記素子上面まで連続的に前記素子本体を覆うように形成され、
前記第２端面膜は、前記第２端面から前記素子上面まで連続的に前記素子本体を覆うように形成され、
前記第２電極により構成される前記素子下面の全体は、前記第１端面膜および前記第２端面膜に覆われずに露出している、
半導体発光装置。
【請求項14】
前記素子下面の側の前記第１端面膜の第１下端部と前記第２端面膜の第２下端部とは、前記第１方向において、前記素子下面と同じ位置にある、請求項１３に記載の半導体発光装置。
【請求項15】
前記素子下面の側の前記第１端面膜の第１下端部と前記第２端面膜の第２下端部とは、前記第１方向において、前記素子下面よりも突出していない、請求項１３または請求項１４に記載の半導体発光装置。
【請求項16】
前記第１端面膜と前記第２端面膜は、前記第１電極の一部を覆うように形成されている、請求項１３から請求項１５のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項17】
前記第１端面を覆う前記第１端面膜は、前記第１端面から前記素子上面まで連続するように形成されており、
前記第２端面を覆う前記第２端面膜は、前記第２端面から前記素子上面まで連続するように形成されている、
請求項１３から請求項１６のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
前記第２端面を覆う前記第２端面膜は、前記第２端面から前記素子上面まで連続するように形成されている、
請求項１３から請求項１６のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項18】
前記第１方向および前記第２方向と直交する第３方向において、前記素子下面の側の前記第１端面膜の端部は凹凸状に形成されている、請求項１３から請求項１７のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項19】
前記第１方向および前記第２方向と直交する第３方向において、前記素子下面の側の前記第２端面膜の端部は凹凸状に形成されている、請求項１３から請求項１８のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項20】
前記素子上面を覆う前記第１端面膜は、前記第１端面の側の厚さに対して、前記第２端面の側の厚さが薄い、請求項１３から請求項１９のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体発光装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
特許文献１は、半導体発光装置としての半導体レーザ素子を開示する。この半導体レーザ素子は、基板の裏面に設けられたｎ型電極と、半導体積層構造の表面に形成されえたｐ型電極と、を有している。半導体レーザ素子は、レーザ光の出射端面を覆う保護膜を含むことができる。保護膜は、たとえば、特許文献２に開示された処理方法により形成することができる。このように形成される保護膜は、出射端面から、素子の上面と下面とを覆うように形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１３－１６５１４２号公報
【特許文献2】特開２００１－９４１９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、半導体発光装置に形成された保護膜は、搬送などの要因によって部分的な剥がれが生じる場合がある。このように剥がれる保護膜は、半導体発光装置自身における特性の低下や、半導体発光装置を用いる装置における損傷等の不具合を生じる要因となり得る。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様である半導体発光装置は、互いに反対側を向く素子上面および素子下面と、前記素子上面が向く第１方向と直交する第２方向において互いに反対側を向く第１端面および第２端面と、前記素子上面に形成された第１電極と、前記素子下面に設けられた第２電極と、を有する素子本体と、少なくとも前記第１端面を覆う第１端面膜と、を含み、前記素子本体は、前記第１端面において、前記第１方向における前記素子本体の中央よりも前記素子上面に近い部分に光を出射する出射部を有し、前記第１端面膜は、前記第１端面を覆う第１端面被覆部と、前記素子上面の一部を覆う第１上面被覆部と、前記素子下面の一部を覆う第１下面被覆部と、を有し、前記第２方向において、前記第１下面被覆部の長さは前記第１上面被覆部の長さよりも短い。
【0006】
また、本開示の別の一態様である半導体発光装置は、互いに反対側を向く素子上面および素子下面と、前記素子上面が向く第１方向と直交する第２方向において互いに反対側を向く第１端面および第２端面と、前記素子上面に形成された第１電極と、前記素子下面に設けられた第２電極と、を有する素子本体と、前記第１端面を覆う第１端面膜と、前記第２端面を覆う第２端面膜と、を含み、前記素子本体は、前記第１端面および前記第２端面の少なくとも一方において、前記第１方向における前記素子本体の中央よりも前記素子上面に近い部分に光を出射する出射部を有し、前記第１端面膜は、前記第１端面から前記素子上面まで連続的に前記素子本体を覆うように形成され、前記第２端面膜は、前記第２端面から前記素子上面まで連続的に前記素子本体を覆うように形成され、前記第２電極により構成される前記素子下面の全体は、前記第１端面膜および前記第２端面膜に覆われずに露出している。
【発明の効果】
【0007】
本開示の一態様である半導体発光装置によれば、不具合の発生を抑制可能とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、添付図面を参照して本開示の半導体発光装置のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に対象物を区別するために用いられており、対象物を順位づけするものではない。
【0010】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。
【0011】
（半導体発光装置の構成）
図１は、半導体発光装置１０を示す概略側面図である。図２は、半導体発光装置１０を示す概略平面図である。図３は、半導体発光装置１０を示す概略側面図であり、レーザ光を出射する端面の側から視た状態を示す。
図１は、半導体発光装置１０を示す概略側面図である。図２は、半導体発光装置１０を示す概略平面図である。図３は、半導体発光装置１０を示す概略側面図であり、レーザ光を出射する端面の側から視た状態を示す。
【0012】
（素子本体）
半導体発光装置１０は、端面発光型の半導体レーザ装置である。なお、半導体発光装置１０は、発光ダイオード（ＬＥＤ）素子、フォトトランジスタ、等であってもよい。半導体発光装置１０は、素子本体２０を含む。素子本体２０は、概略直方体状に形成されている。素子本体２０は、素子上面２０１、素子下面２０２、端面２０３，２０４、側面２０５，２０６を有する。素子上面２０１と素子下面２０２は、互いに反対側を向く。ここで、素子上面２０１が向く方向をＺ方向とする。このＺ方向は、半導体発光装置１０において厚さ方向に対応する。Ｚ方向と直交するとともに互いに直交する２つの方向をＸ方向およびＹ方向とする。第１端面２０３と第２端面２０４は、Ｘ方向において互いに反対側を向く。第１側面２０５と第２側面２０６は、Ｙ方向において互いに反対側を向く。本実施形態の素子本体２０は、Ｘ方向に長い直方体状である。Ｘ方向は、半導体発光装置１０の長さ方向であるといえる。Ｙ方向は、半導体発光装置１０の幅方向であるといえる。なお、本明細書において、「直方体状」には、角部や稜線部が面取りされた形状や、角部や稜線部が丸められた形状、角部や稜線部の一部又は全部に凹部が形成された形状が含まれるものとする。また、各面の一部又は全部に凹凸などが形成されていてもよい。また、「直方体状」では互いに反対側を向く面が必ずしも完全に平行となっている必要はなく、多少の傾きがあってもよい。
半導体発光装置１０は、端面発光型の半導体レーザ装置である。なお、半導体発光装置１０は、発光ダイオード（ＬＥＤ）素子、フォトトランジスタ、等であってもよい。半導体発光装置１０は、素子本体２０を含む。素子本体２０は、概略直方体状に形成されている。素子本体２０は、素子上面２０１、素子下面２０２、端面２０３，２０４、側面２０５，２０６を有する。素子上面２０１と素子下面２０２は、互いに反対側を向く。ここで、素子上面２０１が向く方向をＺ方向とする。このＺ方向は、半導体発光装置１０において厚さ方向に対応する。Ｚ方向と直交するとともに互いに直交する２つの方向をＸ方向およびＹ方向とする。第１端面２０３と第２端面２０４は、Ｘ方向において互いに反対側を向く。第１側面２０５と第２側面２０６は、Ｙ方向において互いに反対側を向く。本実施形態の素子本体２０は、Ｘ方向に長い直方体状である。Ｘ方向は、半導体発光装置１０の長さ方向であるといえる。Ｙ方向は、半導体発光装置１０の幅方向であるといえる。なお、本明細書において、「直方体状」には、角部や稜線部が面取りされた形状や、角部や稜線部が丸められた形状、角部や稜線部の一部又は全部に凹部が形成された形状が含まれるものとする。また、各面の一部又は全部に凹凸などが形成されていてもよい。また、「直方体状」では互いに反対側を向く面が必ずしも完全に平行となっている必要はなく、多少の傾きがあってもよい。
【0013】
素子本体２０は、発光層２０ａを含む複数の半導体層から構成される半導体積層構造を有している。発光層２０ａは、たとえば、１つまたは複数の活性層から構成される。発光層２０ａは、Ｘ方向に延びている。半導体発光装置１０は、第１電極２１、第２電極２２を含む。第１電極２１は、素子上面２０１に設けられている。第１電極２１は、上面２１１、下面２１２を有している。上面２１１と下面２１２は、Ｚ方向において互いに反対側を向く。第１電極２１において、上面２１１は、素子上面２０１を構成する。第２電極２２は、素子下面２０２に設けられている。第２電極２２は上面２２１、下面２２２を有している。上面２２１と下面２２２は、Ｚ方向において互いに反対側を向く。第２電極２２において、下面２２２は、素子下面２０２を構成する。第１電極２１は、たとえばｐ電極であり、第２電極２２はたとえばｎ電極である。発光層２０ａは、第１電極２１と第２電極２２とにより素子本体２０に供給される電力により発光する。素子本体２０は、発光層２０ａにて生じるレーザ光を、端面２０３，２０４から出射するように構成されている。端面２０３，２０４は、レーザ光を出射する出射部２０ａ３，２０ａ４を有しているといえる。
【0014】
発光層２０ａは、素子本体２０の厚さ方向において、素子本体２０の中央よりも素子上面２０１の側に位置している。素子本体２０は、第１端面２０３と第２端面２０４とにおいて、厚さ方向において素子本体２０の中央よりも素子上面２０１に近い部分に出射部２０ａ３，２０ａ４を有しているといえる。また、素子本体２０は、厚さ方向において互いに反対側を向く２つの面のうち、出射部２０ａ３，２０ａ４に近い側の面を素子上面２０１としているといえる。
【0015】
（第１端面膜、第２端面膜）
半導体発光装置１０は、第１端面膜３１、第２端面膜３２を含む。第１端面膜３１は、少なくとも第１端面２０３を覆う。第２端面膜３２は、少なくとも第２端面２０４を覆う。第１端面膜３１は、絶縁性を有する。第１端面膜３１は、たとえば絶縁性を有する反射膜である。第２端面膜３２は、絶縁性を有する。第２端面膜３２は、たとえば絶縁性を有する反射膜である。
半導体発光装置１０は、第１端面膜３１、第２端面膜３２を含む。第１端面膜３１は、少なくとも第１端面２０３を覆う。第２端面膜３２は、少なくとも第２端面２０４を覆う。第１端面膜３１は、絶縁性を有する。第１端面膜３１は、たとえば絶縁性を有する反射膜である。第２端面膜３２は、絶縁性を有する。第２端面膜３２は、たとえば絶縁性を有する反射膜である。
【0016】
第１端面膜３１は、第１端面２０３の全体を覆うように形成されている。第１端面膜３１は、第１端面２０３に接する。第１端面膜３１は、素子上面２０１の一部を覆うように形成されている。第１端面膜３１は、第１端面２０３の側における素子上面２０１を覆うように形成されている。この第１端面膜３１は、第１端面２０３を覆う第１端面被覆部３１１と、素子上面２０１の一部を覆う第１上面被覆部３１２とを有しているといえる。第１上面被覆部３１２は、第１端面被覆部３１１と繋がっている。したがって、第１端面膜３１は、第１端面２０３から素子上面２０１まで連続的に素子本体２０を覆うように形成されているといえる。
【0017】
第１端面膜３１の第１下端部３１１ａは、Ｙ方向において、直線状に形成されている。第１端面膜３１において、素子下面２０２の側の第１下端部３１１ａは、Ｚ方向において、素子下面２０２と同じ位置にある。「同じ位置」とは、Ｚ方向において、素子下面２０２から、第１下端部３１１ａが素子本体２０とは反対側に向けて突出していないこと、第１端面膜３１の状態に影響しない程度に全体または部分的に突出していることを含む。
【0018】
第２端面膜３２は、第２端面２０４の全体を覆うように形成されている。第２端面膜３２は、第２端面２０４に接する。第２端面膜３２は、素子上面２０１の一部を覆うように形成されている。第２端面膜３２は、第２端面２０４の側における素子上面２０１を覆うように形成されている。この第２端面膜３２は、第２端面２０４を覆う第２端面被覆部３２１と、素子上面２０１の一部を覆う第２上面被覆部３２２とを有しているといえる。第２上面被覆部３２２は、第２端面被覆部３２１と繋がっている。したがって、第２端面膜３２は、第２端面２０４から素子上面２０１まで連続的に素子本体２０を覆うように形成されているといえる。
【0019】
第２端面膜３２の第２下端部３２１ａは、Ｙ方向において、直線状に形成されている。第２端面膜３２において、素子下面２０２の側の第２下端部３２１ａは、Ｚ方向において、素子下面２０２と同じ位置にある。「同じ位置」とは、Ｚ方向において、素子下面２０２から、第２下端部３２１ａが素子本体２０とは反対側に向けて突出していないこと、第２端面膜３２の状態に影響しない程度に全体または部分的に突出していることを含む。
【0020】
（作用）
次に、半導体発光装置１０の作用を説明する。
本実施形態の半導体発光装置１０において、第１端面膜３１は、第１端面２０３を覆うとともに、第１端面２０３から素子上面２０１までを連続的に覆うように形成されている。また、第２端面膜３２は、素子本体２０の第２端面２０４を覆うとともに、第２端面２０４から素子上面２０１までを連続的に覆うように形成されている。素子本体２０は、第１端面２０３と第２端面２０４とにおいて、Ｚ方向においける素子本体２０の中央よりも素子上面２０１に近い部分に出射部２０ａ３，２０ａ４を有している。したがって、第１端面膜３１は、第１端面２０３の出射部２０ａ３を覆うことができる。また、第２端面膜３２は、第２端面２０４の出射部２０ａ４を覆うことができる。
次に、半導体発光装置１０の作用を説明する。
本実施形態の半導体発光装置１０において、第１端面膜３１は、第１端面２０３を覆うとともに、第１端面２０３から素子上面２０１までを連続的に覆うように形成されている。また、第２端面膜３２は、素子本体２０の第２端面２０４を覆うとともに、第２端面２０４から素子上面２０１までを連続的に覆うように形成されている。素子本体２０は、第１端面２０３と第２端面２０４とにおいて、Ｚ方向においける素子本体２０の中央よりも素子上面２０１に近い部分に出射部２０ａ３，２０ａ４を有している。したがって、第１端面膜３１は、第１端面２０３の出射部２０ａ３を覆うことができる。また、第２端面膜３２は、第２端面２０４の出射部２０ａ４を覆うことができる。
【0021】
本実施形態において、半導体発光装置１０の素子下面２０２は、第１端面膜３１と第２端面膜３２により覆われていない。
ここで、本実施形態に対する比較例について説明する。なお、比較例の説明において、本実施形態の半導体発光装置１０と同じ構成部材について、同じ名称、符号を用いる。
ここで、本実施形態に対する比較例について説明する。なお、比較例の説明において、本実施形態の半導体発光装置１０と同じ構成部材について、同じ名称、符号を用いる。
【0022】
比較例の半導体発光装置は、図示しないが、本実施形態の半導体発光装置１０に対して、素子上面２０１と同様に、素子下面２０２の一部が第１端面膜と第２端面膜とにより覆われている。この素子下面２０２を覆う第１端面膜と第２端面膜は、素子上面２０１を覆う第１上面被覆部３１２および第２上面被覆部３２２と同様の厚さを有している。
【0023】
比較例の半導体発光装置は、動作を確認する等のテスト装置に搬送された後、テスト装置にセットされる。素子下面２０２を覆う第１端面膜と第２端面膜は、半導体発光素子のハンドリングにおけるこすれや引っかかり等によって、剥落したり、膜片が素子本体の端面膜と部分的に繋がった状態となった部分的な剥離となったりすることがある。このような剥離は、半導体発光装置における特性劣化等の不具合の要因となる。また、上記のような剥離が半導体発光装置を利用した製品内において生じると、製品において不良等の不具合の要因となる。
【0024】
上述したように、本実施形態において、半導体発光装置１０の素子下面２０２は、第１端面膜３１と第２端面膜３２により覆われていない。したがって、第１端面膜３１と第２端面膜３２は、半導体発光装置１０のハンドリングにおいて、こすれたり引っかかったりすることが生じ難い。したがって、本実施形態の半導体発光装置１０は、不具合の発生を抑制することができる。
【0025】
素子下面２０２を構成する第２電極２２の全体は、第１端面膜３１および第２端面膜３２に覆われずに露出している。第２電極２２は、半導体発光装置１０を利用する製品の接続パッド等に対して、はんだ等の接合部材によって接続される。したがって、半導体発光装置１０の動作によって半導体発光装置１０に生じる熱は、第２電極２２の全体から接続パッド等へと放熱される。このように、半導体発光装置１０は、良好な放熱性を有することができる。
【0026】
【0027】
レーザバー５０は、直方体状に形成されている。レーザバー５０は、バー上面５０１、バー下面５０２、バー側面５０３，５０４を有している。バー上面５０１とバー下面５０２は、Ｚ方向（厚さ方向）において互いに反対側を向く。バー側面５０３，５０４は、レーザバー５０の幅方向（Ｘ方向）において互いに反対側を向く。
【0028】
レーザバー５０は、長さ方向（Ｙ方向）に配置された複数の素子本体２０を含む。図４において、破線は、個々の素子本体２０の範囲を示す。図１～図３に示すように、素子本体２０は、素子上面２０１、素子下面２０２、端面２０３，２０４、側面２０５，２０６を有している。バー上面５０１は、複数の素子上面２０１（図１参照）により構成される。バー下面５０２は、複数の素子下面２０２（図１参照）により構成される。バー側面５０３，５０４は、複数の端面２０３，２０４（図１参照）により構成される。
【0029】
レーザバー５０は、たとえば、レーザウェハを分割して形成される。レーザウェハは、所定の半導体基板と、半導体基板上に形成された各種の半導体層（活性層２０ａを含む）と、上面の電極層と下面の電極層とを含む。レーザバー５０は、このレーザウェハを所定の幅Ｗ５０にて劈開して形成される。
【0030】
図５に示すように、半導体発光装置の製造方法は、スペーサバー６０を用意する工程を含む。
スペーサバー６０は、概略直方体状に形成されている。スペーサバー６０は、バー上面６０１、バー下面６０２を有している。長さ方向（Ｙ方向）から視て、スペーサバー６０の断面形状は、バー下面６０２を含む凸状に形成されている。バー上面６０１の幅Ｗ６１は、バー下面６０２の幅Ｗ６２よりも大きい。本実施形態において、スペーサバー６０は、スペーサバー６０の厚さ方向から視て、バー下面６０２は、スペーサバー６０の幅方向におけるバー上面６０１の中央となるように形成されている。たとえば、スペーサバー６０のバー上面６０１の幅Ｗ６１は、レーザバー５０の幅Ｗ５０以上である。スペーサバー６０の幅Ｗ６１は、レーザバー５０の幅Ｗ５０と等しいことが好ましい。なお、レーザバー５０の幅Ｗ５０は、レーザバー５０の製造過程において生じるバラツキを含む。スペーサバー６０の幅Ｗ６１は、このようなバラツキによるレーザバー５０の幅Ｗ５０の最大値と等しいことが好ましい。スペーサバー６０は、レーザバー５０の長さＬ５０よりも大きい長さＬ６０を有している。
スペーサバー６０は、概略直方体状に形成されている。スペーサバー６０は、バー上面６０１、バー下面６０２を有している。長さ方向（Ｙ方向）から視て、スペーサバー６０の断面形状は、バー下面６０２を含む凸状に形成されている。バー上面６０１の幅Ｗ６１は、バー下面６０２の幅Ｗ６２よりも大きい。本実施形態において、スペーサバー６０は、スペーサバー６０の厚さ方向から視て、バー下面６０２は、スペーサバー６０の幅方向におけるバー上面６０１の中央となるように形成されている。たとえば、スペーサバー６０のバー上面６０１の幅Ｗ６１は、レーザバー５０の幅Ｗ５０以上である。スペーサバー６０の幅Ｗ６１は、レーザバー５０の幅Ｗ５０と等しいことが好ましい。なお、レーザバー５０の幅Ｗ５０は、レーザバー５０の製造過程において生じるバラツキを含む。スペーサバー６０の幅Ｗ６１は、このようなバラツキによるレーザバー５０の幅Ｗ５０の最大値と等しいことが好ましい。スペーサバー６０は、レーザバー５０の長さＬ５０よりも大きい長さＬ６０を有している。
【0031】
図６～図８に示すように、半導体発光装置の製造方法は、治具７０に複数のレーザバー５０と複数のスペーサバー６０とを交互に積層する工程を含む。
治具７０は、ベース７１、支持部材７２，７３を含む。ベース７１は、横方向（Ｙ方向）に長い直体状に形成されている。支持部材７２，７３は、ベース７１の上面に立設されている。支持部材７２，７２は、ベース７１の上面７１１に垂直な方向（Ｚ方向）に延びるように形成されている。
治具７０は、ベース７１、支持部材７２，７３を含む。ベース７１は、横方向（Ｙ方向）に長い直体状に形成されている。支持部材７２，７３は、ベース７１の上面に立設されている。支持部材７２，７２は、ベース７１の上面７１１に垂直な方向（Ｚ方向）に延びるように形成されている。
【0032】
支持部材７２，７３は、それぞれ保持溝７２１，７３１を有している。支持部材７２，７３は、保持溝７２１，７３１が互いに対向するように配置されている。保持溝７２１，７３１は、支持部材７２，７３が延びるＺ方向に沿って形成されている。保持溝７２１，７３１は、レーザバー５０およびスペーサバー６０を挿入可能に形成されている。保持溝７２１，７３１の幅Ｗ７０は、レーザバー５０の幅Ｗ５０、スペーサバー６０の幅Ｗ６１よりも大きい。
【0033】
図７に示すように、第１支持部材７２は、保持溝７２１を形成する保持部７２２，７２３を有している。保持部７２３は、保持部７２２よりも長い。同様に、第２支持部材７３は、保持溝７３１を形成する保持部７３２，７３３を有している。保持部７３３は、保持部７３２よりも長い。これにより、保持部７２３，７３３は、支持部材７２，７３が配列された方向（Ｙ方向）、および保持溝７２１，７３１が延びる方向（Ｚ方向）に直交するＸ方向を向く当てつけ面７２３ａ，７３３ａを有している。当てつけ面７２３ａ，７３３ａを有する保持部７２３，７３３は、当てつけ部に対応する。図８に示すように、保持部７２３，７３３の間の間隔Ｌ７０は、レーザバー５０の長さＬ５０よりも小さい。
【0034】
図９～図１１に示すように、半導体発光装置の製造方法は、治具７０に、複数のレーザバー５０と複数のスペーサバー６０とを交互に積層する工程を含む。なお、図９～図１１では、第１支持部材７２、レーザバー５０、およびスペーサバー６０について示している。第２支持部材７３については、第１支持部材７２とレーザバー５０およびスペーサバー６０の関係と同様である。
【0035】
図９に示すように、レーザバー５０は、吸着部材８１によって吸着され、図７、図８に示す支持部材７２，７３の間に配置される。図９は、吸着部材８１の一例を示すものであり、吸着部材８１の形状等は任意の形状に変更することができる。図１０に示すように、レーザバー５０のバー側面５０３の側から、当てつけ部材８２を用いてレーザバー５０を支持部材７２の当てつけ面７２３ａに押し当てる。図１０は、当てつけ部材８２の一例を示すものであり、当てつけ部材８２の形状等は任意の形状に変更することができる。図１１に示すように、レーザバー５０とスペーサバー６０とが当てつけ面７２３ａに沿って積層される。なお、図示しないが、スペーサバー６０は、レーザバー５０と同様に、当てつけ部材８２を用いて支持部材７２の当てつけ面７２３ａに押し当てられる。
【0036】
図１１に示すように、スペーサバー６０のバー上面６０１は、レーザバー５０のバー下面５０２に接する。図４，図５に示すように、スペーサバー６０のバー上面６０１は、レーザバー５０の幅Ｗ５０以上の幅Ｗ６１を有している。したがって、レーザバー５０のバー下面５０２は、スペーサバー６０のバー上面６０１により覆われる。
【0037】
また、スペーサバー６０のバー下面６０２は、レーザバー５０のバー上面５０１に接する。スペーサバー６０のバー上面６０１は、レーザバー５０の幅Ｗ５０以上の幅Ｗ６１を有している。スペーサバー６０のバー下面６０２は、スペーサバー６０のバー上面６０１に対して、スペーサバー６０の幅方向の中央に位置している。したがって、レーザバー５０のバー上面５０１は、バー側面５０３，５０４の側の部分が露出する。
【0038】
半導体発光装置の製造方法は、第１端面膜５１（図１２参照）を形成する工程を含む。この第１端面膜５１は、図１に示すように個片化された半導体発光装置１０において第１端面膜３１となる膜である。図１１において、レーザバー５０のバー側面５０３の側から、たとえばスパッタリング法により、図１２に示す第１端面膜５１を形成する。なお、第１端面膜５１の形成は、たとえば真空蒸着法、ＣＶＤ法によるものであってもよい。第１端面膜５１は、スペーサバー６０により覆われていないレーザバー５０の表面、つまり、レーザバー５０のバー側面５０３と、バー側面５０３の側のバー上面５０１の部分を覆うように形成される。
【0039】
半導体発光装置の製造方法は、第２端面膜５２（図１２参照）を形成する工程を含む。この第２端面膜５２は、図１に示すように個片化された半導体発光装置１０において第２端面膜３２となる膜である。図１１において、レーザバー５０のバー側面５０４の側から、たとえばスパッタリング法により、図１２に示す第２端面膜５２を形成する。なお、第２端面膜５２の形成は、たとえば真空蒸着法、ＣＶＤ法によるものであってもよい。第２端面膜５２は、スペーサバー６０により覆われていないレーザバー５０の表面、つまり、レーザバー５０のバー側面５０４と、バー側面５０４の側のバー上面５０１の部分を覆うように形成される。
【0040】
図１２に示すように、半導体発光装置の製造方法は、個片化する工程を含む。たとえば、劈開、ダイシング、スクライブ、等によって、レーザバー５０を分割して複数の半導体発光装置１０を得る。
【0041】
（効果）
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）半導体発光装置１０は、素子本体２０を有する。素子本体２０は、互いに反対側を向く素子上面２０１および素子下面２０２と、素子上面２０１が向くＺ方向と直交するＸ方向において互いに反対側を向く第１端面２０３および第２端面２０４と、素子上面２０１に形成された第１電極２１と、素子下面２０２に設けられた第２電極２２と、を有する。また、半導体発光装置１０は、第１端面２０３を覆う第１端面膜３１と、第２端面２０４を覆う第２端面膜３２と、を含む。
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）半導体発光装置１０は、素子本体２０を有する。素子本体２０は、互いに反対側を向く素子上面２０１および素子下面２０２と、素子上面２０１が向くＺ方向と直交するＸ方向において互いに反対側を向く第１端面２０３および第２端面２０４と、素子上面２０１に形成された第１電極２１と、素子下面２０２に設けられた第２電極２２と、を有する。また、半導体発光装置１０は、第１端面２０３を覆う第１端面膜３１と、第２端面２０４を覆う第２端面膜３２と、を含む。
【0042】
第１端面膜３１は、第１端面２０３から素子上面２０１まで連続的に素子本体２０を覆うように形成されている。第２端面膜３２は、第２端面２０４から素子上面２０１まで連続的に素子本体２０を覆うように形成されている。そして、第２電極２２により構成される素子下面２０２の全体は、第１端面膜３１および第２端面膜３２に覆われずに露出している。したがって、第１端面膜３１と第２端面膜３２が半導体発光装置１０のハンドリングにおいて、こすれたり引っかかったりすることが生じ難い。したがって、本実施形態の半導体発光装置１０は、不具合の発生を抑制することができる。
【0043】
（２）半導体発光装置１０において、第１端面膜３１は、第１端面２０３を覆うとともに、第１端面２０３から素子上面２０１までを連続的に覆うように形成されている。また、第２端面膜３２は、素子本体２０の第２端面２０４を覆うとともに、第２端面２０４から素子上面２０１までを連続的に覆うように形成されている。素子本体２０は、第１端面２０３と第２端面２０４とにおいて、Ｚ方向においける素子本体２０の中央よりも素子上面２０１に近い部分に出射部２０ａ３，２０ａ４を有している。したがって、第１端面膜３１は、第１端面２０３の出射部２０ａ３を覆うことができる。また、第２端面膜３２は、第２端面２０４の出射部２０ａ４を覆うことができる。
【0044】
（３）素子下面２０２を構成する第２電極２２の全体は、第１端面膜３１および第２端面膜３２に覆われずに露出している。第２電極２２は、半導体発光装置１０を利用する製品の接続パッド等に対して、はんだ等の接合部材によって接続される。したがって、半導体発光装置１０の動作によって半導体発光装置１０に生じる熱は、第２電極２２の全体から接続パッド等へと放熱される。このように、半導体発光装置１０は、良好な放熱性を有することができる。
【0045】
（変更例）
上記実施形態は例えば以下のように変更できる。上記実施形態と以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、互いに組み合せることができる。なお、以下の変更例において、上記実施形態と共通する部分については、上記実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
上記実施形態は例えば以下のように変更できる。上記実施形態と以下の各変更例は、技術的な矛盾が生じない限り、互いに組み合せることができる。なお、以下の変更例において、上記実施形態と共通する部分については、上記実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
【0046】
・図１３に示すように、半導体発光装置１０Ａは、第１端面被覆部３１１の第１下端部３１１ａと第１上面被覆部３１２の端部３１２ａは、丸められた形状であってもよい。また、第１端面膜３１において、第１端面被覆部３１１と第１上面被覆部３１２とが繋がる部分３１ｃについて丸められた形状であってもよい。第２端面被覆部３２１の第２下端部３２１ａと第２上面被覆部３２２の端部３２２ａは、丸められた形状であってもよい。また、第２端面膜３２において、第２端面被覆部３２１と第２上面被覆部３２２とが繋がる部分３２ｃについて丸められた形状であってもよい。
【0047】
・図１４に示すように、半導体発光装置１０Ｂは、素子下面２０２を構成する第２電極２２において、第１端面２０３の側の端部が第１端面膜３１により覆われていてもよい。つまり、第１端面膜３１は、第１端面２０３を覆う第１端面被覆部３１１と、素子上面２０１の一部を覆う第１上面被覆部３１２と、素子下面２０２の一部を覆う第１下面被覆部３１３とを有している。Ｘ方向において、第１下面被覆部３１３の長さＬ３１３は、第１上面被覆部３１２の長さＬ３１２よりも短い。たとえば、第１下面被覆部３１３の長さＬ３１３は、第１上面被覆部３１２の長さＬ３１２の１／５以下である。好ましくは、第１下面被覆部３１３の長さＬ３１３は、第１上面被覆部３１２の長さＬ３１２の１／１０以下である。また、第１下面被覆部３１３の厚さＴ３１３は、第１上面被覆部３１２の厚さＴ３１２よりも薄い。
【0048】
また、第２電極２２において、第２端面２０４の側の端部が第２端面膜３２により覆われいてもよい。つまり、第２端面膜３２は、第２端面２０４を覆う第２端面被覆部３２１と、素子上面２０１の一部を覆う第２上面被覆部３２２と、素子下面２０２の一部を覆う第２下面被覆部３２３とを有している。Ｘ方向において、第２下面被覆部３２３の長さＬ３２３は、第２上面被覆部３２２の長さＬ３２２よりも短い。たとえば、第２下面被覆部３２３の長さＬ３２３は、第２上面被覆部３２２の長さＬ３２２の１／５以下である。好ましくは、第２下面被覆部３２３の長さＬ３２３は、第２上面被覆部３２２の長さＬ３２２の１／１０以下である。また、第２下面被覆部３２３の厚さＴ３２３は、第２上面被覆部３２２の厚さＴ３２２よりも薄い。
【0049】
図１１に示すように、レーザバー５０のバー下面５０２全体は、スペーサバー６０のバー上面６０１と接する。しかしながら、レーザバー５０のバー下面５０２とスペーサバー６０のバー上面６０１との間に隙間が生じることがある。この隙間は、たとえば、レーザバー５０に生じる反り等に起因する。このように生じる隙間によって、上記の第１下面被覆部３１３と第２下面被覆部３２３との少なくとも一方が形成されうる。このように係止絵される第１下面被覆部３１３、第２下面被覆部３２３は、上記実施形態と同様に、半導体発光装置１０のハンドリングにおいて、こすれたり引っかかったりすることが生じ難い。したがって、本実施形態の半導体発光装置１０は、不具合の発生を抑制することができる。
【0050】
・図１５に示すように、半導体発光装置１０Ｃは、第１端面膜３１において、第１上面被覆部３１２の膜厚は、第１端面２０３の側の厚さに対して、素子本体２０の中央の側（第２端面２０４の側）の厚さが薄くてもよい。同様に、第２端面膜３２において、第２上面被覆部３２２の膜厚は、第２端面２０４の側の厚さに対して、素子本体２０の中央の側（第１端面２０３の側）の厚さが薄くてもよい。図１４に示す半導体発光装置１０Ｂのように第１下面被覆部３１３を備えるものにおいて、第１上面被覆部３１２と同様に、第１端面２０３の側の厚さに対して、素子本体２０の中央の側（第２端面２０４の側）の厚さが薄くてもよい。また、第２下面被覆部３２３を備えるものにおいて、第２上面被覆部３２２と同様に、第２端面２０４の側の厚さに対して、素子本体２０の中央の側（第１端面２０３の側）の厚さが薄くてもよい。
【0051】
・図１６に示すように、半導体発光装置１０Ｄは、Ｘ方向において、第１電極２１の長さは、素子本体２０を構成する半導体層の長さ（第１端面２０３から第２端面２０４までの長さ）よりも短くてもよい。この場合、半導体層の上面と第１電極２１の上面とが素子本体２０の素子上面２０１を構成する。そして、第１端面膜３１と第２端面膜３２は、それぞれ素子上面２０１の一部を覆うように形成される。第２電極２２の長さを素子本体２０の長さよりも短くしてもよい。
【0052】
・発光層２０ａ、出射部２０ａ３，２０ａ４の位置は適宜変更されてもよい。
図１７に示すように、半導体発光装置１０Ｅの素子本体２０は、素子本体２０の厚さ方向において、素子本体２０の中央よりも素子下面２０２の側に発光層２０ａを含む。これにより、素子本体２０は、第１端面２０３において、厚さ方向における素子本体２０の中央よりも素子下面２０２の側に出射部２０ａ３を有している。また、素子本体２０は、第２端面２０４において、厚さ方向における素子本体２０の中央よりも素子下面２０２の側に出射部２０ａ４を有している。
図１７に示すように、半導体発光装置１０Ｅの素子本体２０は、素子本体２０の厚さ方向において、素子本体２０の中央よりも素子下面２０２の側に発光層２０ａを含む。これにより、素子本体２０は、第１端面２０３において、厚さ方向における素子本体２０の中央よりも素子下面２０２の側に出射部２０ａ３を有している。また、素子本体２０は、第２端面２０４において、厚さ方向における素子本体２０の中央よりも素子下面２０２の側に出射部２０ａ４を有している。
【0053】
・第１端面膜３１と第２端面膜３２のいずれか一方が省略されてもよい。
本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」との双方の意味を含む。したがって、「第１層が第２層上に形成される」という表現は、或る実施形態では第１層が第２層に接触して第２層上に直接配置され得るが、他の実施形態では第１層が第２層に接触することなく第２層の上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、第１層と第２層との間に他の層が形成される構造を排除しない。
本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」との双方の意味を含む。したがって、「第１層が第２層上に形成される」という表現は、或る実施形態では第１層が第２層に接触して第２層上に直接配置され得るが、他の実施形態では第１層が第２層に接触することなく第２層の上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、第１層と第２層との間に他の層が形成される構造を排除しない。
【0054】
本開示で使用されるＺ軸方向は必ずしも鉛直方向である必要はなく、鉛直方向に完全に一致している必要もない。したがって、本開示による種々の構造（たとえば、図１に示される構造）は、本明細書で説明されるＺ軸方向の「上」および「下」が鉛直方向の「上」および「下」であることに限定されない。たとえば、Ｘ軸方向が鉛直方向であってもよく、またはＹ軸方向が鉛直方向であってもよい。
【0055】
（付記）
本開示から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のために、付記に記載される構成要素には、実施形態中の対応する構成要素の参照符号が付されている。参照符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、参照符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
本開示から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のために、付記に記載される構成要素には、実施形態中の対応する構成要素の参照符号が付されている。参照符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各付記に記載された構成要素は、参照符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
【0056】
（付記１）
互いに反対側を向く素子上面（２０１）および素子下面（２０２）と、前記素子上面（２０１）が向く第１方向（Ｚ）と直交する第２方向（Ｘ）において互いに反対側を向く第１端面（２０３）および第２端面（２０４）と、前記素子上面（２０１）に形成された第１電極（２１）と、前記素子下面（２０２）に設けられた第２電極（２２）と、を有する素子本体（２０）と、
少なくとも前記第１端面（２０３）を覆う第１端面膜（３１）と、
を含み、
前記素子本体（２０）は、前記第１端面（２０３）において、前記第１方向（Ｚ）における前記素子本体（２０）の中央よりも前記素子上面（２０１）に近い部分に光を出射する出射部（２０ａ３）を有し、
前記第１端面膜（３１）は、前記第１端面（２０３）を覆う第１端面被覆部（３１１）と、前記素子上面（２０１）の一部を覆う第１上面被覆部（３１２）と、前記素子下面（２０２）の一部を覆う第１下面被覆部（３１３）と、を有し、前記第２方向（Ｘ）において、前記第１下面被覆部（３１３）の長さ（Ｌ３１３）は前記第１上面被覆部（３１２）の長さ（Ｌ３１２）よりも短い、
半導体発光装置。
互いに反対側を向く素子上面（２０１）および素子下面（２０２）と、前記素子上面（２０１）が向く第１方向（Ｚ）と直交する第２方向（Ｘ）において互いに反対側を向く第１端面（２０３）および第２端面（２０４）と、前記素子上面（２０１）に形成された第１電極（２１）と、前記素子下面（２０２）に設けられた第２電極（２２）と、を有する素子本体（２０）と、
少なくとも前記第１端面（２０３）を覆う第１端面膜（３１）と、
を含み、
前記素子本体（２０）は、前記第１端面（２０３）において、前記第１方向（Ｚ）における前記素子本体（２０）の中央よりも前記素子上面（２０１）に近い部分に光を出射する出射部（２０ａ３）を有し、
前記第１端面膜（３１）は、前記第１端面（２０３）を覆う第１端面被覆部（３１１）と、前記素子上面（２０１）の一部を覆う第１上面被覆部（３１２）と、前記素子下面（２０２）の一部を覆う第１下面被覆部（３１３）と、を有し、前記第２方向（Ｘ）において、前記第１下面被覆部（３１３）の長さ（Ｌ３１３）は前記第１上面被覆部（３１２）の長さ（Ｌ３１２）よりも短い、
半導体発光装置。
【0057】
（付記２）
前記第１上面被覆部（３１２）の長さ（Ｌ３１２）に対して、前記第１下面被覆部（３１３）の長さ（Ｌ３１３）は、１／５以下である、付記１に記載の半導体発光装置。
前記第１上面被覆部（３１２）の長さ（Ｌ３１２）に対して、前記第１下面被覆部（３１３）の長さ（Ｌ３１３）は、１／５以下である、付記１に記載の半導体発光装置。
【0058】
（付記３）
前記第１上面被覆部（３１２）の厚さ（Ｔ３１２）に対して、前記第１下面被覆部（３１３）の厚さ（Ｔ３１３）は薄い、付記１または２に記載の半導体発光装置。
前記第１上面被覆部（３１２）の厚さ（Ｔ３１２）に対して、前記第１下面被覆部（３１３）の厚さ（Ｔ３１３）は薄い、付記１または２に記載の半導体発光装置。
【0059】
（付記４）
前記第１上面被覆部（３１２）は、前記第１端面（２０３）の側の厚さに対して、前記第２端面（２０４）の側の厚さが薄い、付記１から付記３のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
前記第１上面被覆部（３１２）は、前記第１端面（２０３）の側の厚さに対して、前記第２端面（２０４）の側の厚さが薄い、付記１から付記３のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
【0060】
（付記５）
前記第１下面被覆部（３１３）は、前記第１端面（２０３）の側の厚さに対して、前記第２端面（２０４）の側の厚さが薄い、付記１から付記４のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
前記第１下面被覆部（３１３）は、前記第１端面（２０３）の側の厚さに対して、前記第２端面（２０４）の側の厚さが薄い、付記１から付記４のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
【0061】
（付記６）
少なくとも前記第２端面（２０４）を覆う第２端面膜（３２）を含み、
前記素子本体（２０）は、前記第２端面（２０４）において、前記第１方向（Ｚ）における前記素子本体（２０）の中央よりも前記素子上面（２０１）に近い部分に光を出射する出射部（２０ａ４）を有し、
前記第２端面膜（３２）は、前記第２端面（２０４）を覆う第２端面被覆部（３２１）と、前記素子上面（２０１）の一部を覆う第２上面被覆部（３２２）と、前記素子下面（２０２）の一部を覆う第２下面被覆部（３２３）と、を有し、前記第２方向（Ｘ）において、前記第２下面被覆部（３２３）の長さは前記第２上面被覆部（３２２）の長さよりも短い、
付記１から付記５のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
少なくとも前記第２端面（２０４）を覆う第２端面膜（３２）を含み、
前記素子本体（２０）は、前記第２端面（２０４）において、前記第１方向（Ｚ）における前記素子本体（２０）の中央よりも前記素子上面（２０１）に近い部分に光を出射する出射部（２０ａ４）を有し、
前記第２端面膜（３２）は、前記第２端面（２０４）を覆う第２端面被覆部（３２１）と、前記素子上面（２０１）の一部を覆う第２上面被覆部（３２２）と、前記素子下面（２０２）の一部を覆う第２下面被覆部（３２３）と、を有し、前記第２方向（Ｘ）において、前記第２下面被覆部（３２３）の長さは前記第２上面被覆部（３２２）の長さよりも短い、
付記１から付記５のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
【0062】
（付記７）
前記第２上面被覆部（３２２）の長さ（Ｌ３２２）に対して、前記第２下面被覆部（３２３）の長さ（Ｌ３２３）は、１／５以下である、付記６に記載の半導体発光装置。
前記第２上面被覆部（３２２）の長さ（Ｌ３２２）に対して、前記第２下面被覆部（３２３）の長さ（Ｌ３２３）は、１／５以下である、付記６に記載の半導体発光装置。
【0063】
（付記８）
前記第２上面被覆部（３２２）の厚さ（Ｔ３２２）に対して、前記第２下面被覆部（３２３）の厚（Ｔ３２３）さは薄い、付記６または付記７に記載の半導体発光装置。
前記第２上面被覆部（３２２）の厚さ（Ｔ３２２）に対して、前記第２下面被覆部（３２３）の厚（Ｔ３２３）さは薄い、付記６または付記７に記載の半導体発光装置。
【0064】
（付記９）
前記第２上面被覆部（３２２）は、前記第２端面（２０４）の側の厚さに対して、前記第１端面（２０３）の側の厚さが薄い、付記６から付記８のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
前記第２上面被覆部（３２２）は、前記第２端面（２０４）の側の厚さに対して、前記第１端面（２０３）の側の厚さが薄い、付記６から付記８のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
【0065】
（付記１０）
前記第２下面被覆部（３２３）は、前記第２端面（２０４）の側の厚さに対して、前記第１端面（２０３）の側の厚さが薄い、付記６から付記９のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
前記第２下面被覆部（３２３）は、前記第２端面（２０４）の側の厚さに対して、前記第１端面（２０３）の側の厚さが薄い、付記６から付記９のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
【0066】
（付記１１）
前記第２方向（Ｘ）において、前記第１上面被覆部（３１２）の長さは前記第２上面被覆部（３２２）の長さと異なる、付記６から付記１０のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
前記第２方向（Ｘ）において、前記第１上面被覆部（３１２）の長さは前記第２上面被覆部（３２２）の長さと異なる、付記６から付記１０のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
【0067】
（付記１２）
前記第２方向（Ｘ）において、前記第１下面被覆部（３１３）の長さは前記第２下面被覆部（３２３）の長さと異なる、付記７から付記１１のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
前記第２方向（Ｘ）において、前記第１下面被覆部（３１３）の長さは前記第２下面被覆部（３２３）の長さと異なる、付記７から付記１１のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
【0068】
（付記１３）
互いに反対側を向く素子上面（２０１）および素子下面（２０２）と、前記素子上面（２０１）が向く第１方向（Ｚ）と直交する第２方向（Ｘ）において互いに反対側を向く第１端面（２０３）および第２端面（２０４）と、前記素子上面（２０１）に形成された第１電極（２１）と、前記素子下面（２０２）に設けられた第２電極（２２）と、を有する素子本体（２０）と、
前記第１端面（２０３）を覆う第１端面膜（３１）と、
前記第２端面（２０４）を覆う第２端面膜（３２）と、
を含み、
前記素子本体（２０）は、前記第１端面（２０３）および前記第２端面（２０４）の少なくとも一方において、前記第１方向（Ｚ）における前記素子本体（２０）の中央よりも前記素子上面（２０１）に近い部分に光を出射する出射部（２０ａ３，２０ａ４）を有し、
前記第１端面膜（３１）は、前記第１端面（２０３）から前記素子上面（２０１）まで連続的に前記素子本体（２０）を覆うように形成され、
前記第２端面膜（３２）は、前記第２端面（２０４）から前記素子上面（２０１）まで連続的に前記素子本体（２０）を覆うように形成され、
前記第２電極（２２）により構成される前記素子下面（２０２）の全体は、前記第１端面膜（３１）および前記第２端面膜（３２）に覆われずに露出している、
半導体発光装置。
互いに反対側を向く素子上面（２０１）および素子下面（２０２）と、前記素子上面（２０１）が向く第１方向（Ｚ）と直交する第２方向（Ｘ）において互いに反対側を向く第１端面（２０３）および第２端面（２０４）と、前記素子上面（２０１）に形成された第１電極（２１）と、前記素子下面（２０２）に設けられた第２電極（２２）と、を有する素子本体（２０）と、
前記第１端面（２０３）を覆う第１端面膜（３１）と、
前記第２端面（２０４）を覆う第２端面膜（３２）と、
を含み、
前記素子本体（２０）は、前記第１端面（２０３）および前記第２端面（２０４）の少なくとも一方において、前記第１方向（Ｚ）における前記素子本体（２０）の中央よりも前記素子上面（２０１）に近い部分に光を出射する出射部（２０ａ３，２０ａ４）を有し、
前記第１端面膜（３１）は、前記第１端面（２０３）から前記素子上面（２０１）まで連続的に前記素子本体（２０）を覆うように形成され、
前記第２端面膜（３２）は、前記第２端面（２０４）から前記素子上面（２０１）まで連続的に前記素子本体（２０）を覆うように形成され、
前記第２電極（２２）により構成される前記素子下面（２０２）の全体は、前記第１端面膜（３１）および前記第２端面膜（３２）に覆われずに露出している、
半導体発光装置。
【0069】
（付記１４）
前記素子下面（２０２）の側の前記第１端面膜（３１）の第１下端部と前記第２端面膜（３２）の第２下端部とは、前記第１方向（Ｚ）において、前記素子下面（２０２）と同じ位置にある、付記１３に記載の半導体発光装置。
前記素子下面（２０２）の側の前記第１端面膜（３１）の第１下端部と前記第２端面膜（３２）の第２下端部とは、前記第１方向（Ｚ）において、前記素子下面（２０２）と同じ位置にある、付記１３に記載の半導体発光装置。
【0070】
（付記１５）
前記素子下面（２０２）の側の前記第１端面膜（３１）の第１下端部と前記第２端面膜（３２）の第２下端部とは、前記第１方向（Ｚ）において、前記素子下面（２０２）よりも突出していない、付記１３または付記１４に記載の半導体発光装置。
前記素子下面（２０２）の側の前記第１端面膜（３１）の第１下端部と前記第２端面膜（３２）の第２下端部とは、前記第１方向（Ｚ）において、前記素子下面（２０２）よりも突出していない、付記１３または付記１４に記載の半導体発光装置。
【0071】
（付記１６）
前記第１端面膜（３１）と前記第２端面膜（３２）は、前記第１電極（２１）の一部を覆うように形成されている、付記１３から付記１５のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
前記第１端面膜（３１）と前記第２端面膜（３２）は、前記第１電極（２１）の一部を覆うように形成されている、付記１３から付記１５のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
【0072】
（付記１７）
前記第１端面（２０３）を覆う前記第１端面膜（３１）は、前記第１端面（２０３）から前記素子上面（２０１）まで連続するように形成されており、
前記第２端面（２０４）を覆う前記第２端面膜（３２）は、前記第２端面（２０４）から前記素子上面（２０１）まで連続するように形成されている、
付記１３から付記１６のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
前記第１端面（２０３）を覆う前記第１端面膜（３１）は、前記第１端面（２０３）から前記素子上面（２０１）まで連続するように形成されており、
前記第２端面（２０４）を覆う前記第２端面膜（３２）は、前記第２端面（２０４）から前記素子上面（２０１）まで連続するように形成されている、
付記１３から付記１６のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
【0073】
（付記１８）
前記第１方向（Ｚ）および前記第２方向（Ｘ）と直交する第３方向において、前記素子下面（２０２）の側の前記第１端面膜（３１）の端部は凹凸状に形成されている、付記１３から付記１７のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
前記第１方向（Ｚ）および前記第２方向（Ｘ）と直交する第３方向において、前記素子下面（２０２）の側の前記第１端面膜（３１）の端部は凹凸状に形成されている、付記１３から付記１７のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
【0074】
（付記１９）
前記第１方向（Ｚ）および前記第２方向（Ｘ）と直交する第３方向において、前記素子下面（２０２）の側の前記第２端面膜（３２）の端部は凹凸状に形成されている、付記１３から付記１８のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
前記第１方向（Ｚ）および前記第２方向（Ｘ）と直交する第３方向において、前記素子下面（２０２）の側の前記第２端面膜（３２）の端部は凹凸状に形成されている、付記１３から付記１８のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
【0075】
（付記２０）
前記素子上面（２０１）を覆う前記第１端面膜（３１）は、前記第１端面（２０３）の側の厚さに対して、前記第２端面（２０４）の側の厚さが薄い、付記１３から付記１９のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
前記素子上面（２０１）を覆う前記第１端面膜（３１）は、前記第１端面（２０３）の側の厚さに対して、前記第２端面（２０４）の側の厚さが薄い、付記１３から付記１９のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
【0076】
（付記２１）
前記素子上面（２０１）を覆う前記第２端面膜（３２）は、前記第２端面（２０４）の側の厚さに対して、前記第１端面（２０３）の側の厚さが薄い、付記１３から付記２０のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
前記素子上面（２０１）を覆う前記第２端面膜（３２）は、前記第２端面（２０４）の側の厚さに対して、前記第１端面（２０３）の側の厚さが薄い、付記１３から付記２０のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
【0077】
（付記２２）
短冊状に形成された複数のレーザバー（５０）を用意する工程と、
短冊状に形成された複数のスペーサバー（６０）を用意する工程と、
治具に前記複数のレーザバー（５０）と前記スペーサバー（６０）とを交互に積層する工程と、
前記複数のレーザバー（５０）の長さ方向に沿った第１バー側面（５０３）を覆う第１端面膜（５１，３１）を形成する工程と、
前記複数のレーザバー（５０）の幅方向において前記第１バー側面（５０３）と反対側を向く第２バー側面（５０４）を覆う第２端面膜（５２，３２）を形成する工程と、
を含み、
前記複数のレーザバー（５０）は、厚さ方向において互いに反対側を向く素子上面（２０１）および素子下面（２０２）と、厚さ方向および長さ方向と直交する幅方向において互いに反対側を向く第１端面（２０３）および第２端面（２０４）とを有し、前記第１端面（２０３）および前記第２端面（２０４）の少なくとも一方から光を出射するように構成され、前記長さ方向に配置された複数の素子本体（２０）を含み、前記第１バー側面（５０３）は前記複数の素子本体（２０）の第１端面（２０３）により構成され、前記第２バー側面（５０４）は前記複数の素子本体（２０）の第２端面（２０４）により構成され、
前記複数のスペーサバー（６０）は、厚さ方向において互いに反対側を向く上面および下面を有し、前記素子上面（２０１）の幅は前記素子下面（２０２）の幅以上であり、
前記治具は、前記複数のレーザバー（５０）および前記複数のスペーサバー（６０）を積層する積層方向と平行な当てつけ面を有する当てつけ部を含み、
前記複数のレーザバー（５０）と前記複数のスペーサバー（６０）とを交互に積層する工程において、前記第１バー側面（５０３）と前記スペーサバー（６０）の側面とを当てつけ治具により前記当てつけ部の前記当てつけ面に押し当てるようにした、
半導体発光装置の製造方法。
短冊状に形成された複数のレーザバー（５０）を用意する工程と、
短冊状に形成された複数のスペーサバー（６０）を用意する工程と、
治具に前記複数のレーザバー（５０）と前記スペーサバー（６０）とを交互に積層する工程と、
前記複数のレーザバー（５０）の長さ方向に沿った第１バー側面（５０３）を覆う第１端面膜（５１，３１）を形成する工程と、
前記複数のレーザバー（５０）の幅方向において前記第１バー側面（５０３）と反対側を向く第２バー側面（５０４）を覆う第２端面膜（５２，３２）を形成する工程と、
を含み、
前記複数のレーザバー（５０）は、厚さ方向において互いに反対側を向く素子上面（２０１）および素子下面（２０２）と、厚さ方向および長さ方向と直交する幅方向において互いに反対側を向く第１端面（２０３）および第２端面（２０４）とを有し、前記第１端面（２０３）および前記第２端面（２０４）の少なくとも一方から光を出射するように構成され、前記長さ方向に配置された複数の素子本体（２０）を含み、前記第１バー側面（５０３）は前記複数の素子本体（２０）の第１端面（２０３）により構成され、前記第２バー側面（５０４）は前記複数の素子本体（２０）の第２端面（２０４）により構成され、
前記複数のスペーサバー（６０）は、厚さ方向において互いに反対側を向く上面および下面を有し、前記素子上面（２０１）の幅は前記素子下面（２０２）の幅以上であり、
前記治具は、前記複数のレーザバー（５０）および前記複数のスペーサバー（６０）を積層する積層方向と平行な当てつけ面を有する当てつけ部を含み、
前記複数のレーザバー（５０）と前記複数のスペーサバー（６０）とを交互に積層する工程において、前記第１バー側面（５０３）と前記スペーサバー（６０）の側面とを当てつけ治具により前記当てつけ部の前記当てつけ面に押し当てるようにした、
半導体発光装置の製造方法。
【0078】
（付記２３）
前記治具は、前記複数のレーザバー（５０）と前記複数のスペーサバー（６０）の積層方向に延びる保持溝を有する第１支持部材および第２支持部材を有し、前記第１支持部材および前記第２支持部材は、それぞれの前記保持溝が対向するとともに前記第１支持部材と前記第２支持部材との間の間隔が前記複数のレーザバー（５０）の長さよりも広く配置され、前記当てつけ部は、前記第１支持部材および前記第２支持部材において、互いに他方の支持部材に向けて突出するとともに前記一対の当てつけ部の間の間隔が前記複数のレーザバー（５０）の長さよりも短くなるように形成されている、
付記２２に記載の半導体発光装置の製造方法。
前記治具は、前記複数のレーザバー（５０）と前記複数のスペーサバー（６０）の積層方向に延びる保持溝を有する第１支持部材および第２支持部材を有し、前記第１支持部材および前記第２支持部材は、それぞれの前記保持溝が対向するとともに前記第１支持部材と前記第２支持部材との間の間隔が前記複数のレーザバー（５０）の長さよりも広く配置され、前記当てつけ部は、前記第１支持部材および前記第２支持部材において、互いに他方の支持部材に向けて突出するとともに前記一対の当てつけ部の間の間隔が前記複数のレーザバー（５０）の長さよりも短くなるように形成されている、
付記２２に記載の半導体発光装置の製造方法。
【0079】
（付記２４）
前記当てつけ部は、前記第１支持部材および前記第２支持部材において、前記保持溝に沿って設けられている、
付記２３に記載の半導体発光装置の製造方法。
前記当てつけ部は、前記第１支持部材および前記第２支持部材において、前記保持溝に沿って設けられている、
付記２３に記載の半導体発光装置の製造方法。
【0080】
（付記２５）
前記治具の前記当てつけ面に前記第１バー側面（５０３）および前記スペーサバー（６０）の側面を押し当てる、
付記２２から付記２４のいずれか一つに記載の半導体発光装置の製造方法。
前記治具の前記当てつけ面に前記第１バー側面（５０３）および前記スペーサバー（６０）の側面を押し当てる、
付記２２から付記２４のいずれか一つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【0081】
（付記２６）
前記スペーサバー（６０）において、前記長さ方向から視た断面形状は、前記幅方向の中央に前記長さ方向に延び、前記素子下面（２０２）を含む凸状を有し、前記スペーサバー（６０）を、前記素子下面（２０２）を前記レーザバー（５０）の前記素子上面（２０１）に接するように前記レーザバー（５０）に積層する、
付記２２から付記２５のいずれか一つに記載の半導体発光装置の製造方法。
前記スペーサバー（６０）において、前記長さ方向から視た断面形状は、前記幅方向の中央に前記長さ方向に延び、前記素子下面（２０２）を含む凸状を有し、前記スペーサバー（６０）を、前記素子下面（２０２）を前記レーザバー（５０）の前記素子上面（２０１）に接するように前記レーザバー（５０）に積層する、
付記２２から付記２５のいずれか一つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【0082】
（付記２７）
前記レーザバー（５０）を分割して、個片化された半導体発光装置を得る工程を含む、付記２２から付記２６のいずれか一つに記載の半導体発光装置の製造方法。
前記レーザバー（５０）を分割して、個片化された半導体発光装置を得る工程を含む、付記２２から付記２６のいずれか一つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【0083】
（付記２８）
互いに反対側を向く素子上面（２０１）および素子下面（２０２）と、前記素子上面（２０１）が向く第１方向（Ｚ）と直交する第２方向（Ｘ）において互いに反対側を向く第１端面（２０３）および第２端面（２０４）と、前記素子上面（２０１）に形成された第１電極（２１）と、前記素子下面（２０２）に設けられた第２電極（２２）と、を有する素子本体（２０）と、
少なくとも前記第１端面（２０３）を覆う第１端面膜（３１）と、
を含み、
前記素子本体（２０）は、前記第１端面（２０３）において、前記第１方向における前記素子本体（２０）の中央よりも前記素子下面（２０２）に近い部分に光を出射する出射部（２０ａ３）を有し、
前記第１端面膜（３１）は、前記第１端面（２０３）を覆う第１端面被覆部（３１１）と、前記素子上面（２０１）の一部を覆う第１上面被覆部（３１２）と、前記素子下面（２０２）の一部を覆う第１下面被覆部（３１３）と、を有し、前記第２方向（Ｘ）において、前記第１下面被覆部（３１３）の長さ（Ｌ３１３）は前記第１上面被覆部（３１２）の長さ（Ｌ３１２）よりも短い、
半導体発光装置。
互いに反対側を向く素子上面（２０１）および素子下面（２０２）と、前記素子上面（２０１）が向く第１方向（Ｚ）と直交する第２方向（Ｘ）において互いに反対側を向く第１端面（２０３）および第２端面（２０４）と、前記素子上面（２０１）に形成された第１電極（２１）と、前記素子下面（２０２）に設けられた第２電極（２２）と、を有する素子本体（２０）と、
少なくとも前記第１端面（２０３）を覆う第１端面膜（３１）と、
を含み、
前記素子本体（２０）は、前記第１端面（２０３）において、前記第１方向における前記素子本体（２０）の中央よりも前記素子下面（２０２）に近い部分に光を出射する出射部（２０ａ３）を有し、
前記第１端面膜（３１）は、前記第１端面（２０３）を覆う第１端面被覆部（３１１）と、前記素子上面（２０１）の一部を覆う第１上面被覆部（３１２）と、前記素子下面（２０２）の一部を覆う第１下面被覆部（３１３）と、を有し、前記第２方向（Ｘ）において、前記第１下面被覆部（３１３）の長さ（Ｌ３１３）は前記第１上面被覆部（３１２）の長さ（Ｌ３１２）よりも短い、
半導体発光装置。
【0084】
（付記２９）
少なくとも前記第２端面（２０４）を覆う第２端面膜（３２）を含み、
前記素子本体（２０）は、前記第２端面（２０４）において、前記第１方向（Ｚ）における前記素子本体（２０）の中央よりも前記素子下面（２０２）に近い部分に光を出射する出射部（２０ａ４）を有し、
前記第２端面膜（３２）は、前記第２端面（２０４）を覆う第２端面被覆部（３２１）と、前記素子上面（２０１）の一部を覆う第２上面被覆部（３２２）と、前記素子下面（２０２）の一部を覆う第２下面被覆部（３２３）と、を有し、前記第２方向（Ｘ）において、前記第２下面被覆部（３２３）の長さは前記第２上面被覆部（３２２）の長さよりも短い、
付記１から付記５のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
少なくとも前記第２端面（２０４）を覆う第２端面膜（３２）を含み、
前記素子本体（２０）は、前記第２端面（２０４）において、前記第１方向（Ｚ）における前記素子本体（２０）の中央よりも前記素子下面（２０２）に近い部分に光を出射する出射部（２０ａ４）を有し、
前記第２端面膜（３２）は、前記第２端面（２０４）を覆う第２端面被覆部（３２１）と、前記素子上面（２０１）の一部を覆う第２上面被覆部（３２２）と、前記素子下面（２０２）の一部を覆う第２下面被覆部（３２３）と、を有し、前記第２方向（Ｘ）において、前記第２下面被覆部（３２３）の長さは前記第２上面被覆部（３２２）の長さよりも短い、
付記１から付記５のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
【0085】
以上の説明は単に例示である。本開示の技術を説明する目的のために列挙された構成要素および方法（製造プロセス）以外に、より多くの考えられる組み合わせおよび置換が可能であることを当業者は認識し得る。本開示は、特許請求の範囲を含む本開示の範囲内に含まれるすべての代替、変形、および変更を包含することが意図される。
【符号の説明】
【0086】
１０，１０Ａ～１０Ｄ 半導体発光装置
２０ 素子本体
２０１ 素子上面
２０２ 素子下面
２０３ 第１端面
２０４ 第２端面
２０５ 第１側面
２０６ 第２側面
２０ａ 発光層
２０ａ３ 出射部
２０ａ４ 出射部
２１ 第１電極
２２ 第２電極
３１ 第１端面膜
３１ｃ 部分
３１１ 第１端面被覆部
３１１ａ 第１下端部
３１２ 第１上面被覆部
３１２ａ 端部
３１３ 第１下面被覆部
３２ 第２端面膜
３２ｃ 部分
３２１ 第２端面被覆部
３２１ａ 第２下端部
３２２ 第２上面被覆部
３２２ａ 端部
３２３ 第２下面被覆部
５０ レーザバー
５０１ バー上面
５０２ バー下面
５０３ バー側面
５０４ バー側面
５１ 第１端面膜
５２ 第２端面膜
６０ スペーサバー
６０１ バー上面
６０２ バー下面
７０ 治具
７１ ベース
７１１ 上面
７２ 第１支持部材
７２１ 保持溝
７２２ 保持部
７２３ 保持部
７２３ａ 当てつけ面
７３ 第２支持部材
７３１ 保持溝
７３２ 保持部
７３３ 保持部
７３３ａ 当てつけ面
８１ 吸着部材
８２ 当てつけ部材
Ｌ３１２ 長さ
Ｌ３１３ 長さ
Ｌ３２２ 長さ
Ｌ３２３ 長さ
Ｌ５０ 長さ
Ｌ６０ 長さ
Ｌ７０ 間隔
Ｔ３１２ 厚さ
Ｔ３１３ 厚さ
Ｔ３２２ 厚さ
Ｔ３２３ 厚さ
Ｗ５０ 幅
Ｗ６１ 幅
Ｗ６２ 幅
Ｗ７０ 幅
２０ 素子本体
２０１ 素子上面
２０２ 素子下面
２０３ 第１端面
２０４ 第２端面
２０５ 第１側面
２０６ 第２側面
２０ａ 発光層
２０ａ３ 出射部
２０ａ４ 出射部
２１ 第１電極
２２ 第２電極
３１ 第１端面膜
３１ｃ 部分
３１１ 第１端面被覆部
３１１ａ 第１下端部
３１２ 第１上面被覆部
３１２ａ 端部
３１３ 第１下面被覆部
３２ 第２端面膜
３２ｃ 部分
３２１ 第２端面被覆部
３２１ａ 第２下端部
３２２ 第２上面被覆部
３２２ａ 端部
３２３ 第２下面被覆部
５０ レーザバー
５０１ バー上面
５０２ バー下面
５０３ バー側面
５０４ バー側面
５１ 第１端面膜
５２ 第２端面膜
６０ スペーサバー
６０１ バー上面
６０２ バー下面
７０ 治具
７１ ベース
７１１ 上面
７２ 第１支持部材
７２１ 保持溝
７２２ 保持部
７２３ 保持部
７２３ａ 当てつけ面
７３ 第２支持部材
７３１ 保持溝
７３２ 保持部
７３３ 保持部
７３３ａ 当てつけ面
８１ 吸着部材
８２ 当てつけ部材
Ｌ３１２ 長さ
Ｌ３１３ 長さ
Ｌ３２２ 長さ
Ｌ３２３ 長さ
Ｌ５０ 長さ
Ｌ６０ 長さ
Ｌ７０ 間隔
Ｔ３１２ 厚さ
Ｔ３１３ 厚さ
Ｔ３２２ 厚さ
Ｔ３２３ 厚さ
Ｗ５０ 幅
Ｗ６１ 幅
Ｗ６２ 幅
Ｗ７０ 幅
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】