(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023148403
(43)【公開日】2023-10-13
(54)【発明の名称】光源装置
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20231005BHJP
H05G 2/00 20060101ALI20231005BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 503
H05G2/00 K
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022056395
(22)【出願日】2022-03-30
(71)【出願人】
【識別番号】000102212
【氏名又は名称】ウシオ電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110003339
【氏名又は名称】弁理士法人南青山国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】寺本 雄介
【テーマコード（参考）】
2H197
4C092
【Ｆターム（参考）】
2H197CA10
2H197GA01
2H197GA03
2H197GA05
4C092AA05
4C092AA06
4C092AA15
4C092AB10
4C092AB19
4C092AC09
(57)【要約】
【課題】デブリの影響を抑制することが可能な光源装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一形態に係る光源装置は、ビーム取り込み部と、板部材と、原料供給部と、放射線取り出し部とを具備する。前記ビーム取り込み部は、エネルギービームを取り込む。前記板部材は、表面及び裏面を有し、取り込まれた前記エネルギービームが前記表面に入射する位置に配置され、前記表面に直交する方向を回転軸方向として回転する。前記原料供給部は、前記表面の前記エネルギービームが入射する入射領域にプラズマ原料を供給することでプラズマを生成させる。前記放射線取り出し部は、生成された前記プラズマから放射線を取り出して出射する。また、前記板部材は、前記入射領域に入射する前記エネルギービームの入射軸と、前記プラズマから取り出される前記放射線の出射軸との間に構成される軸間領域から、前記表面の前記入射領域における法線軸が外れるように配置される。
【選択図】図４
【解決手段】本発明の一形態に係る光源装置は、ビーム取り込み部と、板部材と、原料供給部と、放射線取り出し部とを具備する。前記ビーム取り込み部は、エネルギービームを取り込む。前記板部材は、表面及び裏面を有し、取り込まれた前記エネルギービームが前記表面に入射する位置に配置され、前記表面に直交する方向を回転軸方向として回転する。前記原料供給部は、前記表面の前記エネルギービームが入射する入射領域にプラズマ原料を供給することでプラズマを生成させる。前記放射線取り出し部は、生成された前記プラズマから放射線を取り出して出射する。また、前記板部材は、前記入射領域に入射する前記エネルギービームの入射軸と、前記プラズマから取り出される前記放射線の出射軸との間に構成される軸間領域から、前記表面の前記入射領域における法線軸が外れるように配置される。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
エネルギービームを取り込むビーム取り込み部と、
表面及び裏面を有し、取り込まれた前記エネルギービームが前記表面に入射する位置に配置され、前記表面に直交する方向を回転軸方向として回転する板部材と、
前記表面の前記エネルギービームが入射する入射領域にプラズマ原料を供給することでプラズマを生成させる原料供給部と、
生成された前記プラズマから放射線を取り出して出射する放射線取り出し部と
を具備し、
前記板部材は、前記入射領域に入射する前記エネルギービームの入射軸と、前記プラズマから取り出される前記放射線の出射軸との間に構成される軸間領域から、前記表面の前記入射領域における法線軸が外れるように配置される
光源装置。
表面及び裏面を有し、取り込まれた前記エネルギービームが前記表面に入射する位置に配置され、前記表面に直交する方向を回転軸方向として回転する板部材と、
前記表面の前記エネルギービームが入射する入射領域にプラズマ原料を供給することでプラズマを生成させる原料供給部と、
生成された前記プラズマから放射線を取り出して出射する放射線取り出し部と
を具備し、
前記板部材は、前記入射領域に入射する前記エネルギービームの入射軸と、前記プラズマから取り出される前記放射線の出射軸との間に構成される軸間領域から、前記表面の前記入射領域における法線軸が外れるように配置される
光源装置。
【請求項2】
請求項１に記載の光源装置であって、さらに、
前記板部材を収容するチャンバを具備し、
前記ビーム取り込み部は、前記チャンバに連結する入射チャンバと、前記エネルギービームを前記入射チャンバから前記チャンバ内に入射する入射側アパーチャとを有し、
前記板部材は、前記入射側アパーチャの開口から前記法線軸が外れるように配置される
光源装置。
前記板部材を収容するチャンバを具備し、
前記ビーム取り込み部は、前記チャンバに連結する入射チャンバと、前記エネルギービームを前記入射チャンバから前記チャンバ内に入射する入射側アパーチャとを有し、
前記板部材は、前記入射側アパーチャの開口から前記法線軸が外れるように配置される
光源装置。
【請求項3】
請求項１又は２に記載の光源装置であって、さらに、
前記板部材を収容するチャンバを具備し、
前記放射線取り出し部は、前記チャンバに連結する出射チャンバと、前記放射線を前記チャンバから前記出射チャンバ内に入射させる出射側アパーチャとを有し、
前記板部材は、前記出射側アパーチャの開口から前記法線軸が外れるように構成される
光源装置。
前記板部材を収容するチャンバを具備し、
前記放射線取り出し部は、前記チャンバに連結する出射チャンバと、前記放射線を前記チャンバから前記出射チャンバ内に入射させる出射側アパーチャとを有し、
前記板部材は、前記出射側アパーチャの開口から前記法線軸が外れるように構成される
光源装置。
【請求項4】
請求項１又は２に記載の光源装置であって、さらに、
前記法線軸が前記軸間領域よりも下流側となるように、前記軸間領域から前記法線軸に向かう方向でガスを吹き付けるガス供給部を具備する
光源装置。
前記法線軸が前記軸間領域よりも下流側となるように、前記軸間領域から前記法線軸に向かう方向でガスを吹き付けるガス供給部を具備する
光源装置。
【請求項5】
請求項２に記載の光源装置であって、
前記チャンバ内は、前記入射チャンバよりも減圧された雰囲気に維持される
光源装置。
前記チャンバ内は、前記入射チャンバよりも減圧された雰囲気に維持される
光源装置。
【請求項6】
請求項５に記載の光源装置であって、
前記入射チャンバ内には、内部の圧力を増加させるためのガスが供給される
光源装置。
前記入射チャンバ内には、内部の圧力を増加させるためのガスが供給される
光源装置。
【請求項7】
請求項３に記載の光源装置であって、
前記チャンバ内は、前記出射チャンバよりも減圧された雰囲気に維持される
光源装置。
前記チャンバ内は、前記出射チャンバよりも減圧された雰囲気に維持される
光源装置。
【請求項8】
請求項７に記載の光源装置であって、
前記出射チャンバ内には、内部の圧力を増加させるためのガスが供給される
光源装置。
前記出射チャンバ内には、内部の圧力を増加させるためのガスが供給される
光源装置。
【請求項9】
請求項１又は２に記載の光源装置であって、
前記軸間領域は、前記入射軸及び前記出射軸を含む平面上の前記入射軸及び前記出射軸の間の２次元領域を、前記平面の法線方向に沿って移動させた場合の軌跡により構成される３次元領域を含む
光源装置。
前記軸間領域は、前記入射軸及び前記出射軸を含む平面上の前記入射軸及び前記出射軸の間の２次元領域を、前記平面の法線方向に沿って移動させた場合の軌跡により構成される３次元領域を含む
光源装置。
【請求項10】
請求項１又は２に記載の光源装置であって、
前記入射軸と前記法線軸との間の角度、又は前記出射軸と前記法線軸との間の角度の少なくとも一方が、３０度から６０度までの範囲に含まれるように構成された
光源装置。
前記入射軸と前記法線軸との間の角度、又は前記出射軸と前記法線軸との間の角度の少なくとも一方が、３０度から６０度までの範囲に含まれるように構成された
光源装置。
【請求項11】
請求項１０に記載の光源装置であって、
前記入射軸と前記法線軸との間の角度、及び前記出射軸と前記法線軸との間の角度の各々が、３０度から６０度までの範囲に含まれるように構成された
光源装置。
前記入射軸と前記法線軸との間の角度、及び前記出射軸と前記法線軸との間の角度の各々が、３０度から６０度までの範囲に含まれるように構成された
光源装置。
【請求項12】
請求項２に記載の光源装置であって、
前記ビーム取り込み部は、前記入射領域に向かって突出し、突出側の先端に前記入射側アパーチャが設けられた入射側突出部を有する
光源装置。
前記ビーム取り込み部は、前記入射領域に向かって突出し、突出側の先端に前記入射側アパーチャが設けられた入射側突出部を有する
光源装置。
【請求項13】
請求項１２に記載の光源装置であって、
前記入射側突出部は、突出側に進むにつれて断面積が小さくなるコーン形状からなる
光源装置。
前記入射側突出部は、突出側に進むにつれて断面積が小さくなるコーン形状からなる
光源装置。
【請求項14】
請求項３に記載の光源装置であって、
前記放射線取り出し部は、前記入射領域に向かって突出し、突出側の先端に前記出射側アパーチャが設けられた出射側突出部を有する
光源装置。
前記放射線取り出し部は、前記入射領域に向かって突出し、突出側の先端に前記出射側アパーチャが設けられた出射側突出部を有する
光源装置。
【請求項15】
請求項１４に記載の光源装置であって、
前記出射側突出部は、突出側に進むにつれて断面積が小さくなるコーン形状からなる
光源装置。
前記出射側突出部は、突出側に進むにつれて断面積が小さくなるコーン形状からなる
光源装置。
【請求項16】
請求項１４又は１５に記載の光源装置であって、さらに、
前記出射側突出部に電圧を印可する電圧印加部を具備する
光源装置。
前記出射側突出部に電圧を印可する電圧印加部を具備する
光源装置。
【請求項17】
請求項１又は２に記載の光源装置であって、
前記放射線は、Ｘ線、又は極端紫外光である
光源装置。
前記放射線は、Ｘ線、又は極端紫外光である
光源装置。
【請求項18】
請求項１又は２に記載の光源装置であって、さらに、
前記表面に供給される前記プラズマ原料の厚みを調整する厚み調整機構を具備する
光源装置。
前記表面に供給される前記プラズマ原料の厚みを調整する厚み調整機構を具備する
光源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、Ｘ線や極端紫外光等の出射に適用可能な光源装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、Ｘ線は、医療用用途、工業用用途、研究用用途に用いられてきた。
医療用分野においては、Ｘ線は、胸部Ｘ線写真撮影、歯科Ｘ線写真撮影や、ＣＴ（Computer Tomogram）といった用途に用いられる。
工業用分野においては、Ｘ線は、構造物や溶接部などの物質内部を観察する非破壊検査、断層非破壊検査といった用途に用いられる。
研究用分野においては、Ｘ線は、物質の結晶構造を解析するためのＸ線回折、物質の構成元素を分析するためのＸ線分光（蛍光Ｘ線分析）といった用途に用いられる。
医療用分野においては、Ｘ線は、胸部Ｘ線写真撮影、歯科Ｘ線写真撮影や、ＣＴ（Computer Tomogram）といった用途に用いられる。
工業用分野においては、Ｘ線は、構造物や溶接部などの物質内部を観察する非破壊検査、断層非破壊検査といった用途に用いられる。
研究用分野においては、Ｘ線は、物質の結晶構造を解析するためのＸ線回折、物質の構成元素を分析するためのＸ線分光（蛍光Ｘ線分析）といった用途に用いられる。
【0003】
Ｘ線は、Ｘ線管を用いて発生させることができる。Ｘ線管は、その内部に一対の電極（陽極、陰極）を有する。陰極フィラメントに電流を流して加熱しておき、陽極と陰極間に高電圧を印加すると、フィラメントから発生するマイナスの熱電子が陽極表面にあるターゲットに高速で衝突し、当該ターゲットからＸ線が発生する。
またＸ線管において、陽極側のターゲットを液体金属ジェットとし、このターゲットに電子ビームを照射することにより、高輝度のＸ線を取り出す技術も知られている。
またＸ線管において、陽極側のターゲットを液体金属ジェットとし、このターゲットに電子ビームを照射することにより、高輝度のＸ線を取り出す技術も知られている。
【0004】
Ｘ線のうち比較的波長の長い軟Ｘ線領域にある波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、「ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）光」ともいう）は、近年露光光として使用されている。
ここで、微細パターンが構成されているＥＵＶリソグラフィ用のマスクの基材は、積層構造として、低熱膨張性ガラスから成る基板の上に、ＥＵＶ光を反射させるための多層膜（例えば、モリブデンとシリコン）が設けられてなる反射ミラーである。
そして、多層膜上に波長１３．５ｎｍの放射線を吸収する材料をパターニングすることで、ＥＵＶマスクが構成される。
ここで、微細パターンが構成されているＥＵＶリソグラフィ用のマスクの基材は、積層構造として、低熱膨張性ガラスから成る基板の上に、ＥＵＶ光を反射させるための多層膜（例えば、モリブデンとシリコン）が設けられてなる反射ミラーである。
そして、多層膜上に波長１３．５ｎｍの放射線を吸収する材料をパターニングすることで、ＥＵＶマスクが構成される。
【0005】
ＥＵＶマスクにおける許容できない欠陥の大きさは、従来のＡｒＦマスクの場合に比べると大幅に小さくなっており検出することが困難となっている。
そこで、ＥＵＶマスクの検査として、通常はアクティニック検査（Actinic inspection）と呼ばれる、リソグラフィの作業波長と一致する波長の放射線を用いた検査が行われる。例えば、波長１３．５ｎｍの放射線を用いて検査を行うと、ｌ０ｎｍよりも良好な分解能で欠陥を検出することが可能となる。
そこで、ＥＵＶマスクの検査として、通常はアクティニック検査（Actinic inspection）と呼ばれる、リソグラフィの作業波長と一致する波長の放射線を用いた検査が行われる。例えば、波長１３．５ｎｍの放射線を用いて検査を行うと、ｌ０ｎｍよりも良好な分解能で欠陥を検出することが可能となる。
【0006】
一般にＥＵＶ光源装置としては、ＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）光源装置、ＬＤＰ（Laser Assisted Discharge Produced Plasma）光源装置、及びＬＰＰ（Laser Produced Plasma）光源装置が挙げられる。
ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ放射種（気相のプラズマ原料）を含む放電ガスが供給された電極間に高電圧を印加して、放電により高密度高温プラズマを生成し、そこから放射される極端紫外光を利用するものである。
ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ放射種（気相のプラズマ原料）を含む放電ガスが供給された電極間に高電圧を印加して、放電により高密度高温プラズマを生成し、そこから放射される極端紫外光を利用するものである。
【0007】
ＬＤＰ光源装置は、ＤＰＰ光源装置が改良されたものであり、例えば、放電を発生させる電極（放電電極）表面にＥＵＶ放射種を含む液体状の高温プラズマ原料（例えば、Ｓｎ（スズ）やＬｉ（リチウム）等）を供給し、当該原料に対してレーザビーム等のエネルギービーム（例えば、電子ビームやレーザビーム等）を照射して当該原料を気化し、その後、放電によって高温プラズマを生成するものである。
【0008】
ＬＰＰ光源装置は、ＥＵＶ放射用ターゲット材料である微小な液滴状に噴出されたスズ（Ｓｎ）、または、リチウム（Ｌｉ）等のドロップレットに対して、レーザ光を集光することにより当該ターゲット材料を励起してプラズマを発生させるものである。
【0009】
このように、軟Ｘ線領域にあるＥＵＶ光を発生させるＥＵＶ光源装置として、ＤＰＰ方式（ＬＤＰ方式）や、ＬＰＰ方式の光源装置を使用することが可能である。
一方で、ＥＵＶ光源装置において、ＤＰＰ方式（ＬＤＰ方式）のものは、最終的には電極間の放電によってプラズマを生成しているので、ＥＵＶ原料に起因するデブリが発生しやすい。
ＬＰＰ方式のものは、ＥＵＶ原料である微細なスズのドロップレットをターゲットとし、それに励起用レーザ光を集光させるため、光源の構造が複雑である。また、スズのドロップレットを安定して落下・供給することが難しく、ＥＵＶ光を安定して生成することが困難である。
一方で、ＥＵＶ光源装置において、ＤＰＰ方式（ＬＤＰ方式）のものは、最終的には電極間の放電によってプラズマを生成しているので、ＥＵＶ原料に起因するデブリが発生しやすい。
ＬＰＰ方式のものは、ＥＵＶ原料である微細なスズのドロップレットをターゲットとし、それに励起用レーザ光を集光させるため、光源の構造が複雑である。また、スズのドロップレットを安定して落下・供給することが難しく、ＥＵＶ光を安定して生成することが困難である。
【0010】
特許文献１には、円盤状の回転体に液体状のＸ線発生用のターゲット原料を塗布し、当該塗布された液体状原料にエネルギービーム（レーザビーム）を照射してＸ線を得る方法が提案されている。この方法によれば、比較的簡易な構成で、高輝度のＸ線を得ることが可能となる。
特許文献１に記載の方法をＥＵＶ光源装置に適用した場合、所謂ＬＰＰ方式に相当するが、液体状のＥＵＶ原料をドロップレットとして供給する必要がない。そのため、ＥＵＶ原料供給が容易で、かつ、確実に液体状のＥＵＶ原料にレーザビームを照射することが可能となり、比較的簡易な構成の装置でＥＵＶ放射を得ることが可能となる。
特許文献１に記載の方法をＥＵＶ光源装置に適用した場合、所謂ＬＰＰ方式に相当するが、液体状のＥＵＶ原料をドロップレットとして供給する必要がない。そのため、ＥＵＶ原料供給が容易で、かつ、確実に液体状のＥＵＶ原料にレーザビームを照射することが可能となり、比較的簡易な構成の装置でＥＵＶ放射を得ることが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0011】
【特許文献1】特許第６６５８３２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0012】
上記のようなＸ線やＥＵＶ光等を出射する光源装置において、デブリの影響を抑制することは重要である。
【0013】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、デブリの影響を抑制することが可能な光源装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0014】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る光源装置は、ビーム取り込み部と、板部材と、原料供給部と、放射線取り出し部とを具備する。
前記ビーム取り込み部は、エネルギービームを取り込む。
前記板部材は、表面及び裏面を有し、取り込まれた前記エネルギービームが前記表面に入射する位置に配置され、前記表面に直交する方向を回転軸方向として回転する。
前記原料供給部は、前記表面の前記エネルギービームが入射する入射領域にプラズマ原料を供給することでプラズマを生成させる。
前記放射線取り出し部は、生成された前記プラズマから放射線を取り出して出射する。
また、前記板部材は、前記入射領域に入射する前記エネルギービームの入射軸と、前記プラズマから取り出される前記放射線の出射軸との間に構成される軸間領域から、前記表面の前記入射領域における法線軸が外れるように配置される。
前記ビーム取り込み部は、エネルギービームを取り込む。
前記板部材は、表面及び裏面を有し、取り込まれた前記エネルギービームが前記表面に入射する位置に配置され、前記表面に直交する方向を回転軸方向として回転する。
前記原料供給部は、前記表面の前記エネルギービームが入射する入射領域にプラズマ原料を供給することでプラズマを生成させる。
前記放射線取り出し部は、生成された前記プラズマから放射線を取り出して出射する。
また、前記板部材は、前記入射領域に入射する前記エネルギービームの入射軸と、前記プラズマから取り出される前記放射線の出射軸との間に構成される軸間領域から、前記表面の前記入射領域における法線軸が外れるように配置される。
【0015】
この光源装置では、回転可能に構成された板部材の表面にプラズマ原料が供給されエネルギービームが照射される。これによりプラズマが生成され、放射線が出射される。
板部材は、エネルギービームの入射軸と放射線の出射軸との間の軸間領域から、エネルギービームが入射する入射領域における法線軸が外れるように配置される。
これにより、プラズマの発生にともなうデブリの影響を抑制することが可能な光源装置を提供することにある。
板部材は、エネルギービームの入射軸と放射線の出射軸との間の軸間領域から、エネルギービームが入射する入射領域における法線軸が外れるように配置される。
これにより、プラズマの発生にともなうデブリの影響を抑制することが可能な光源装置を提供することにある。
【0016】
前記光源装置は、さらに、前記板部材を収容するチャンバを具備してもよい。この場合、前記ビーム取り込み部は、前記チャンバに連結する入射チャンバと、前記エネルギービームを前記入射チャンバから前記チャンバ内に入射する入射側アパーチャとを有してもよい。また、前記板部材は、前記入射側アパーチャの開口から前記法線軸が外れるように配置されてもよい。
【0017】
前記光源装置は、さらに、前記板部材を収容するチャンバを具備してもよい。この場合、前記放射線取り出し部は、前記チャンバに連結する出射チャンバと、前記放射線を前記チャンバから前記出射チャンバ内に入射させる出射側アパーチャとを有してもよい。また、前記板部材は、前記出射側アパーチャの開口から前記法線軸が外れるように構成されてもよい。
【0018】
前記光源装置は、さらに、前記法線軸が前記軸間領域よりも下流側となるように、前記軸間領域から前記法線軸に向かう方向でガスを吹き付けるガス供給部を具備してもよい。
【0019】
前記チャンバ内は、前記入射チャンバよりも減圧された雰囲気に維持されてもよい。
【0020】
前記入射チャンバ内には、内部の圧力を増加させるためのガスが供給されてもよい。
【0021】
前記チャンバ内は、前記出射チャンバよりも減圧された雰囲気に維持されてもよい。
【0022】
前記出射チャンバ内には、内部の圧力を増加させるためのガスが供給されてもよい。
【0023】
前記軸間領域は、前記入射軸及び前記出射軸を含む平面上の前記入射軸及び前記出射軸の間の２次元領域を、前記平面の法線方向に沿って移動させた場合の軌跡により構成される３次元領域を含んでもよい。
【0024】
前記入射軸と前記法線軸との間の角度、又は前記出射軸と前記法線軸との間の角度の少なくとも一方が、３０度から６０度までの範囲に含まれるように構成されてもよい。
【0025】
前記入射軸と前記法線軸との間の角度、及び前記出射軸と前記法線軸との間の角度の各々が、３０度から６０度までの範囲に含まれるように構成されてもよい。
【0026】
前記ビーム取り込み部は、前記入射領域に向かって突出し、突出側の先端に前記入射側アパーチャが設けられた入射側突出部を有してもよい。
【0027】
前記入射側突出部は、突出側に進むにつれて断面積が小さくなるコーン形状からなってもよい。
【0028】
前記放射線取り出し部は、前記入射領域に向かって突出し、突出側の先端に前記出射側アパーチャが設けられた出射側突出部を有してもよい。
【0029】
前記出射側突出部は、突出側に進むにつれて断面積が小さくなるコーン形状からなってもよい。
【0030】
前記光源装置は、さらに、前記出射側突出部に電圧を印可する電圧印加部を具備してもよい。
【0031】
前記放射線は、Ｘ線、又は極端紫外光であってもよい。
【0032】
前記光源装置は、さらに、前記表面に供給される前記プラズマ原料の厚みを調整する厚み調整機構を具備してもよい。
【発明の効果】
【0033】
以上のように、本発明によれば、デブリの影響を抑制することが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【0034】
【図1】本発明の一実施形態に係る光源装置の構成例を示す模式図である。
【図2】原料供給機構の構成例を示す模式図である。
【図3】光源装置に適用可能なコンテナの他の構成例を示す模式図である。
【図4】回転体の配置構成について説明するための模式図である。
【図5】軸間領域を詳しく説明するための模式図である。
【図6】回転体の他の配置構成例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0035】
以下、本発明に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。
【0036】
［光源装置の基本構成］
図１は、本発明の一実施形態に係る光源装置の構成例を示す模式図である。
図１は、光源装置１を設置面から所定の高さの位置で水平方向に沿って切断した場合の模式的な断面を、上方から見た場合の図である。
図１では、光源装置１の構成及び動作を理解しやすいように、断面の構成等を説明する必要のない部分については、断面の図示を省略している。
以下、Ｘ方向を左右方向（Ｘ軸の正側が右側、負側が左側）、Ｙ方向を前後方向（Ｙ軸の正側が前方側、負側が後方側）、Ｚ方向を高さ方向（Ｚ軸の正側が上方側、負側が下方側）として説明を行う。
もちろん、本技術の適用について、光源装置１が使用される向き等が限定される訳ではない。
図１は、本発明の一実施形態に係る光源装置の構成例を示す模式図である。
図１は、光源装置１を設置面から所定の高さの位置で水平方向に沿って切断した場合の模式的な断面を、上方から見た場合の図である。
図１では、光源装置１の構成及び動作を理解しやすいように、断面の構成等を説明する必要のない部分については、断面の図示を省略している。
以下、Ｘ方向を左右方向（Ｘ軸の正側が右側、負側が左側）、Ｙ方向を前後方向（Ｙ軸の正側が前方側、負側が後方側）、Ｚ方向を高さ方向（Ｚ軸の正側が上方側、負側が下方側）として説明を行う。
もちろん、本技術の適用について、光源装置１が使用される向き等が限定される訳ではない。
【0037】
光源装置１は、ＬＰＰ方式の光源装置であり、例えば波長３０ｎｍ以下の硬Ｘ線から軟Ｘ線（ＥＵＶ光含む）までの放射線Ｒを放出することが可能である。
従って光源装置１を、Ｘ線発生装置、又はＥＵＶ光源装置（ＥＵＶ放射発生装置）として使用することが可能である。もちろん、他の波長帯域の放射線を出射する光源装置に、本技術を適用することも可能である。
従って光源装置１を、Ｘ線発生装置、又はＥＵＶ光源装置（ＥＵＶ放射発生装置）として使用することが可能である。もちろん、他の波長帯域の放射線を出射する光源装置に、本技術を適用することも可能である。
【0038】
光源装置１は、筐体２と、真空チャンバ３と、エネルギービーム入射チャンバ４と、放射線出射チャンバ５と、原料供給機構６と、制御部７とを含む。
筐体２は、おおよその外形が立方体形状となるように構成される。
筐体２は、前方面に形成される出射孔８と、右側面に形成される入射孔９と、後方面に形成される２つの貫通孔１０及び１１と、左側面に形成される貫通孔１２とを有する。
筐体２の材料は限定されず、例えば金属製の筐体が用いられる。
筐体２は、おおよその外形が立方体形状となるように構成される。
筐体２は、前方面に形成される出射孔８と、右側面に形成される入射孔９と、後方面に形成される２つの貫通孔１０及び１１と、左側面に形成される貫通孔１２とを有する。
筐体２の材料は限定されず、例えば金属製の筐体が用いられる。
【0039】
本実施形態では、前方面の出射孔８を通り、Ｙ方向（前後方向）に延在するように、放射線Ｒの出射軸ＥＡが設定される。Ｘ線やＥＵＶ光等の放射線Ｒは、出射軸ＥＡに沿って取り出され、出射孔８から前方側に向かって放出される。
また本実施形態では、右側面の入射孔９から、後方側に向かって左斜めに延在するように、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡが設定される。
図１に示すように、筐体２の外部に、エネルギービームＥＢを出射するビーム源１３が設置される。ビーム源１３は、入射軸ＩＡに沿ってエネルギービームＥＢが筐体２の内部に入射するように設置される。
エネルギービームＥＢとしては、電子ビームやレーザビームを使用することが可能である。ビーム源１３の構成としては、これらのエネルギービームＥＢを出射可能な任意の構成が採用されてよい。
また本実施形態では、右側面の入射孔９から、後方側に向かって左斜めに延在するように、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡが設定される。
図１に示すように、筐体２の外部に、エネルギービームＥＢを出射するビーム源１３が設置される。ビーム源１３は、入射軸ＩＡに沿ってエネルギービームＥＢが筐体２の内部に入射するように設置される。
エネルギービームＥＢとしては、電子ビームやレーザビームを使用することが可能である。ビーム源１３の構成としては、これらのエネルギービームＥＢを出射可能な任意の構成が採用されてよい。
【0040】
真空チャンバ３、エネルギービーム入射チャンバ（以下、単に入射チャンバと記載する）４、及び放射線出射チャンバ(以下、単に出射チャンバと記載する)５は、互いに空間的に接続される。すなわち、真空チャンバ３と入射チャンバ４とは互いに連結される。同様に、真空チャンバ３と出射チャンバ５とは互いに連結される。
本実施形態では、チャンバ本体１４と、チャンバ本体１４の前方面から前方側に突出する外側突出部１５と、チャンバ本体１４の内周面から内部側に突出する２つの内側突出部１６及び１７とにより、真空チャンバ３と、入射チャンバ４と、出射チャンバ５とが構成される。
チャンバ本体１４、外側突出部１５、及び２つの内側突出部１６及び１７の材料としては、例えば金属材料が用いられる。
本実施形態では、チャンバ本体１４と、チャンバ本体１４の前方面から前方側に突出する外側突出部１５と、チャンバ本体１４の内周面から内部側に突出する２つの内側突出部１６及び１７とにより、真空チャンバ３と、入射チャンバ４と、出射チャンバ５とが構成される。
チャンバ本体１４、外側突出部１５、及び２つの内側突出部１６及び１７の材料としては、例えば金属材料が用いられる。
【0041】
チャンバ本体１４は、おおよその外形が直方体形状となるように構成され、前後左右の各面が、筐体２の前後左右の各面とそれぞれ対向するように配置される。
また、チャンバ本体１４は、前方面と右側面との間の右前角部が、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡ上に位置するように配置される。
また、チャンバ本体１４は、前方面と右側面との間の右前角部が、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡ上に位置するように配置される。
【0042】
図１に示すように、チャンバ本体１４の前方面には、出射孔１８が形成される。出射孔１８は、放射線Ｒの出射軸ＥＡ上で、筐体２の前方面の出射孔８と並ぶ位置に形成される。
チャンバ本体１４の出射孔１８の周縁部から、前方側に突出するように外側突出部１５が構成される。外側突出部１５は、筐体２の出射孔８に内接するように、筐体２の出射孔８よりも前方側に大きく突出するように構成される。
また、チャンバ本体１４の内部側において、出射孔１８の周縁部から内部側に突出するように、内側突出部１６が構成される。
外側突出部１５及び内側突出部１６に囲まれた空間が、出射チャンバ５として機能する。出射チャンバ５を構成する部材である外側突出部１５及び内側突出部１６自体を、出射チャンバと呼ぶことも可能である。
外側突出部１５及び内側突出部１６は、チャンバ本体１４と一体的に形成されてもよいし、別個に形成されたのちにチャンバ本体１４に接続されてもよい。
チャンバ本体１４の出射孔１８の周縁部から、前方側に突出するように外側突出部１５が構成される。外側突出部１５は、筐体２の出射孔８に内接するように、筐体２の出射孔８よりも前方側に大きく突出するように構成される。
また、チャンバ本体１４の内部側において、出射孔１８の周縁部から内部側に突出するように、内側突出部１６が構成される。
外側突出部１５及び内側突出部１６に囲まれた空間が、出射チャンバ５として機能する。出射チャンバ５を構成する部材である外側突出部１５及び内側突出部１６自体を、出射チャンバと呼ぶことも可能である。
外側突出部１５及び内側突出部１６は、チャンバ本体１４と一体的に形成されてもよいし、別個に形成されたのちにチャンバ本体１４に接続されてもよい。
【0043】
出射チャンバ５は、放射線Ｒの出射軸ＥＡを中心軸として、コーン形状となるように構成される。出射チャンバ５は、放射線Ｒの出射軸ＥＡの方向において、中央部分の断面積が大きく、前後の端部に近づくにつれて断面積が小さくなるように構成される。すなわち、出射チャンバ５は、前後の端部に近づくにつれて絞られるような形状となる。
【0044】
チャンバ本体１４の右前角部には、入射窓１９が形成される。入射窓１９は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡ上で、筐体２の右側面の入射孔９と並ぶ位置に形成される。
また、チャンバ本体１４の右前角部の内部側において、入射窓１９を囲む位置からエネルギービームＥＢの入射軸ＩＡの方向に沿って突出するように、内側突出部１７が構成される。
チャンバ本体１４の内部空間のうち、内側突出部１７に囲まれた空間が、入射チャンバ４として機能する。入射チャンバ４を構成する内側突出部１７及びチャンバ本体１４の右前角部の部分自体を、入射チャンバと呼ぶことも可能である。
内側突出部１７は、チャンバ本体１４と一体的に形成されてもよいし、別個に形成されたのちにチャンバ本体１４に接続されてもよい。
また、チャンバ本体１４の右前角部の内部側において、入射窓１９を囲む位置からエネルギービームＥＢの入射軸ＩＡの方向に沿って突出するように、内側突出部１７が構成される。
チャンバ本体１４の内部空間のうち、内側突出部１７に囲まれた空間が、入射チャンバ４として機能する。入射チャンバ４を構成する内側突出部１７及びチャンバ本体１４の右前角部の部分自体を、入射チャンバと呼ぶことも可能である。
内側突出部１７は、チャンバ本体１４と一体的に形成されてもよいし、別個に形成されたのちにチャンバ本体１４に接続されてもよい。
【0045】
入射チャンバ４は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡを中心軸として、コーン形状となるように構成される。入射チャンバ４は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡの方向において、チャンバ本体１４の内部側の端部に近づくにつれて断面積が小さくなるように構成される。すなわち、入射チャンバ４は、内部側の端部に近づくにつれて絞られるような形状となる。
【0046】
チャンバ本体１４の内部空間のうち、出射チャンバ５として機能する内側突出部１６の内部空間、及び入射チャンバ４として機能する内側突出部１７の内部空間を除く空間が、真空チャンバ３として機能する。真空チャンバ３を構成する部分自体を、真空チャンバと呼ぶことも可能である。
図１に示すように、チャンバ本体１４は、筐体２の左側面の貫通孔１２から筐体２の外部に突出する部分を有し、その先端が排気用ポンプ２０に接続される。
排気用ポンプ２０により真空チャンバ３内が排気され、真空チャンバ３が減圧される。これにより、真空チャンバ３内にて生成される放射線Ｒの減衰が抑制される。
真空チャンバ３内は、入射チャンバ４及び出射チャンバ５に対して減圧雰囲気であればよく、必ずしも真空雰囲気でなくてもよい。また、真空チャンバ３内に不活性ガスが供給されていてもよい。
排気用ポンプ２０の具体的な構成は限定されず、真空ポンプ等の任意のポンプが用いられてよい。
図１に示すように、チャンバ本体１４は、筐体２の左側面の貫通孔１２から筐体２の外部に突出する部分を有し、その先端が排気用ポンプ２０に接続される。
排気用ポンプ２０により真空チャンバ３内が排気され、真空チャンバ３が減圧される。これにより、真空チャンバ３内にて生成される放射線Ｒの減衰が抑制される。
真空チャンバ３内は、入射チャンバ４及び出射チャンバ５に対して減圧雰囲気であればよく、必ずしも真空雰囲気でなくてもよい。また、真空チャンバ３内に不活性ガスが供給されていてもよい。
排気用ポンプ２０の具体的な構成は限定されず、真空ポンプ等の任意のポンプが用いられてよい。
【0047】
原料供給機構６は、真空チャンバ３内のプラズマ生成領域２１にてプラズマＰを生成し、放射線Ｒ（Ｘ線、ＥＵＶ光）を放出するための機構である。
原料供給機構６は、真空チャンバ３の内部に配置される、原料供給用の円盤状の回転体２２、及び液相のプラズマ原料（放射線原料）２３を収容するコンテナ２４を含む。
図１に示すように、円盤状の回転体２２には、エネルギービームＥＢが入射する入射領域２５が設定されている。回転体２２は、入射領域２５が入射軸ＩＡと出射軸ＥＡとの交点の位置に配置されるように、真空チャンバ３内に配置される。
回転体２２の入射領域２５にはプラズマ原料２３が供給され、入射領域２５にエネルギービームＥＢが入射することで、プラズマＰが生成される。
真空チャンバ３内のプラズマＰが生成される領域（空間）が、プラズマ生成領域２１となる。従って、プラズマ生成領域２１は、回転体２２の入射領域２５の位置に対応した領域となる。
その他、原料供給機構６の詳細については、後述する。
原料供給機構６は、真空チャンバ３の内部に配置される、原料供給用の円盤状の回転体２２、及び液相のプラズマ原料（放射線原料）２３を収容するコンテナ２４を含む。
図１に示すように、円盤状の回転体２２には、エネルギービームＥＢが入射する入射領域２５が設定されている。回転体２２は、入射領域２５が入射軸ＩＡと出射軸ＥＡとの交点の位置に配置されるように、真空チャンバ３内に配置される。
回転体２２の入射領域２５にはプラズマ原料２３が供給され、入射領域２５にエネルギービームＥＢが入射することで、プラズマＰが生成される。
真空チャンバ３内のプラズマＰが生成される領域（空間）が、プラズマ生成領域２１となる。従って、プラズマ生成領域２１は、回転体２２の入射領域２５の位置に対応した領域となる。
その他、原料供給機構６の詳細については、後述する。
【0048】
制御部７は、光源装置１が有する各構成要素の動作を制御する。
例えば、制御部７により、ビーム源１３や排気用ポンプ２０の動作が制御される。また制御部７により、後に説明する各種モータ、プラズマ原料循環装置、外部電圧源等の動作が制御される。
制御部７は、例えばＣＰＵやメモリ（ＲＡＭ、ＲＯＭ）等のコンピュータに必要なハードウェア回路を有する。ＣＰＵがメモリに記憶されている制御プログラムをＲＡＭにロードして実行することにより、種々の処理が実行される。
制御部７として、例えばＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等のＰＬＤ(Programmable Logic Device)、その他ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等のデバイスが用いられてもよい。
図１では、制御部７は機能ブロックとして模式的に図示されているが、制御部７が構成される位置等は任意に設計されてよい。
本実施形態では、制御部７のＣＰＵが本実施形態に係るプログラムを実行することで、本実施形態に係るプラズマ生成方法及び放射線出射方法が実行される。
例えば、制御部７により、ビーム源１３や排気用ポンプ２０の動作が制御される。また制御部７により、後に説明する各種モータ、プラズマ原料循環装置、外部電圧源等の動作が制御される。
制御部７は、例えばＣＰＵやメモリ（ＲＡＭ、ＲＯＭ）等のコンピュータに必要なハードウェア回路を有する。ＣＰＵがメモリに記憶されている制御プログラムをＲＡＭにロードして実行することにより、種々の処理が実行される。
制御部７として、例えばＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等のＰＬＤ(Programmable Logic Device)、その他ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等のデバイスが用いられてもよい。
図１では、制御部７は機能ブロックとして模式的に図示されているが、制御部７が構成される位置等は任意に設計されてよい。
本実施形態では、制御部７のＣＰＵが本実施形態に係るプログラムを実行することで、本実施形態に係るプラズマ生成方法及び放射線出射方法が実行される。
【0049】
以下、光源装置１を構成する各種チャンバ、及び原料供給機構６について、詳しく説明する。
【0050】
[入射チャンバ]
入射チャンバ４は、チャンバ本体１４の右前角部において、内側突出部１７により構成される。チャンバ本体１４の右前角部には入射窓１９が配置され、ビーム源１３から出射されるエネルギービームＥＢは、入射窓１９を通って、入射軸ＩＡに沿って、入射チャンバ４の内部に入射する。
なお、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡは、入射チャンバ４の内部に入射するエネルギービームＥＢの光軸（主軸）とも言える。
入射チャンバ４は、チャンバ本体１４の右前角部において、内側突出部１７により構成される。チャンバ本体１４の右前角部には入射窓１９が配置され、ビーム源１３から出射されるエネルギービームＥＢは、入射窓１９を通って、入射軸ＩＡに沿って、入射チャンバ４の内部に入射する。
なお、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡは、入射チャンバ４の内部に入射するエネルギービームＥＢの光軸（主軸）とも言える。
【0051】
入射窓１９は、エネルギービームＥＢを透過可能な材料からなり、入射チャンバ４の内外の圧力差に耐え得る厚さで設計される。
エネルギービームＥＢが電子ビームの場合、例えば、チタンやアルミニウムといった金属の膜を用いることができる。
エネルギービームＥＢがレーザビームの場合、例えば、ガラス材料（石英ガラス）を用いることができる。
その他、エネルギービームＥＢを透過可能な任意の材料が用いられてよい。
エネルギービームＥＢが電子ビームの場合、例えば、チタンやアルミニウムといった金属の膜を用いることができる。
エネルギービームＥＢがレーザビームの場合、例えば、ガラス材料（石英ガラス）を用いることができる。
その他、エネルギービームＥＢを透過可能な任意の材料が用いられてよい。
【0052】
内側突出部１７は、回転体２２の表面２２ａの入射領域２５に向かって突出し、突出側の先端に入射側アパーチャ２６が形成される。
入射側アパーチャ２６は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡ上にて、入射窓１９と並ぶように配置される。
入射側アパーチャ２６は、エネルギービームＥＢを入射チャンバ４から真空チャンバ３内に入射する。すなわち入射窓１９から入射軸ＩＡに沿って進行するエネルギービームＥＢは、入射側アパーチャ２６を通って、真空チャンバ３内に配置された回転体２２に入射する。
入射側アパーチャ２６は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡ上にて、入射窓１９と並ぶように配置される。
入射側アパーチャ２６は、エネルギービームＥＢを入射チャンバ４から真空チャンバ３内に入射する。すなわち入射窓１９から入射軸ＩＡに沿って進行するエネルギービームＥＢは、入射側アパーチャ２６を通って、真空チャンバ３内に配置された回転体２２に入射する。
【0053】
入射チャンバ４の内部には、飛散したプラズマ原料２３やデブリを捕捉するための捕捉機構が配置される。
図１に示す例では、補足機構として、エネルギービームＥＢを透過し、プラズマ原料２３やデブリを捕捉する板状の回転部材である回転式窓２７が配置される。回転式窓２７は、例えば、円盤状に構成される。
回転式窓２７中心部には、図示を省略したモータの回転軸が取り付けられている。モータが回転軸を回転させることにより、回転式窓２７は回転する。モータは、制御部７によって駆動制御される。
モータは、筐体２の外部に形成され、筐体２及びチャンバ本体１４に形成された図示しない貫通孔を通って回転軸が回転式窓２７に接続される。チャンバ本体１４に回転軸を導入する際にはメカニカルシールが用いられ、入射チャンバ４内の雰囲気（後述するガス雰囲気）を維持しつつ、回転式窓２７の回転が許容される。
また、回転式窓２７を回転させる回転軸は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡとはオフセットされた位置に配置される。これにより、エネルギービームＥＢは、回転式窓２７の回転軸に干渉されず、回転式窓２７のビーム透過領域を通って進行することが可能となる。
回転式窓２７を回転させることで、回転式窓２７のビーム透過領域の実質的な面積を増大させることが可能となり、回転式窓２７の長寿命化を図ることが可能となり、回転式窓２７の交換頻度を低減することが可能となる。
なお、飛散したプラズマ原料２３及びデブリの対策については、後に詳しく説明する。
図１に示す例では、補足機構として、エネルギービームＥＢを透過し、プラズマ原料２３やデブリを捕捉する板状の回転部材である回転式窓２７が配置される。回転式窓２７は、例えば、円盤状に構成される。
回転式窓２７中心部には、図示を省略したモータの回転軸が取り付けられている。モータが回転軸を回転させることにより、回転式窓２７は回転する。モータは、制御部７によって駆動制御される。
モータは、筐体２の外部に形成され、筐体２及びチャンバ本体１４に形成された図示しない貫通孔を通って回転軸が回転式窓２７に接続される。チャンバ本体１４に回転軸を導入する際にはメカニカルシールが用いられ、入射チャンバ４内の雰囲気（後述するガス雰囲気）を維持しつつ、回転式窓２７の回転が許容される。
また、回転式窓２７を回転させる回転軸は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡとはオフセットされた位置に配置される。これにより、エネルギービームＥＢは、回転式窓２７の回転軸に干渉されず、回転式窓２７のビーム透過領域を通って進行することが可能となる。
回転式窓２７を回転させることで、回転式窓２７のビーム透過領域の実質的な面積を増大させることが可能となり、回転式窓２７の長寿命化を図ることが可能となり、回転式窓２７の交換頻度を低減することが可能となる。
なお、飛散したプラズマ原料２３及びデブリの対策については、後に詳しく説明する。
【0054】
図１に示すように、チャンバ本体１４には、入射チャンバ４に連結するように、ガス注入路２８が設置される。ガス注入路２８を介して、図示を省略したガス供給装置から、入射チャンバ４内にガスが供給される。
供給されるガスは、エネルギービームＥＢに対して透過率の高いガスであり、例えばアルゴン（Ａｒ）やヘリウム（Ｈｅ）といった希ガス等が採用される。
ガスは、入射チャンバ４の内部の圧力を増加させるために供給される。すなわちガス注入路２８から入射チャンバ４内にガスが供給されることにより、入射チャンバ４の内部圧力を、真空チャンバ３の内部圧力よりも十分に高い圧力に維持することが可能となる。
内側突出部１７は、突出側（入射側アパーチャ２６が形成されている側）に進むにつれて断面積が小さくなるコーン形状からなる。そして、その先端部には入射側アパーチャ２６が設けられている。これにより、ガスを供給して入射チャンバ４の内部圧力を増加させることに有利な構成となっている。
また内側突出部１７がコーン形状に構成されることで、チャンバ本体１４内において内側突出部１７が占める空間を小さくすることが可能となり、他の部材の配置設計等の自由度を向上させることが可能となる。この結果、装置の小型化を図ることが可能となる。
供給されるガスは、エネルギービームＥＢに対して透過率の高いガスであり、例えばアルゴン（Ａｒ）やヘリウム（Ｈｅ）といった希ガス等が採用される。
ガスは、入射チャンバ４の内部の圧力を増加させるために供給される。すなわちガス注入路２８から入射チャンバ４内にガスが供給されることにより、入射チャンバ４の内部圧力を、真空チャンバ３の内部圧力よりも十分に高い圧力に維持することが可能となる。
内側突出部１７は、突出側（入射側アパーチャ２６が形成されている側）に進むにつれて断面積が小さくなるコーン形状からなる。そして、その先端部には入射側アパーチャ２６が設けられている。これにより、ガスを供給して入射チャンバ４の内部圧力を増加させることに有利な構成となっている。
また内側突出部１７がコーン形状に構成されることで、チャンバ本体１４内において内側突出部１７が占める空間を小さくすることが可能となり、他の部材の配置設計等の自由度を向上させることが可能となる。この結果、装置の小型化を図ることが可能となる。
【0055】
本実施形態では、入射チャンバ４、内側突出部１７、入射側アパーチャ２６等により、エネルギービームを取り込むビーム取り込み部が実現される。
また、本実施形態において、内側突出部１７は、入射側突出部として機能する。
また、本実施形態において、内側突出部１７は、入射側突出部として機能する。
【0056】
[出射チャンバ]
出射チャンバ５は、出射軸ＥＡを中心軸とするコーン形状からなり、前方側の端部（外側突出部１５の前方側の端部）にマスク検査装置等の利用装置が接続される。図１に示す例では、利用装置の一部をなすチャンバとして、アプリケーションチャンバ３０が接続される。
アプリケーションチャンバ３０内の圧力は大気圧であってもよい。また、アプリケーションチャンバ３０の内部は、必要に応じてガス注入路３１よりガス（例えば、不活性ガス）を導入してパージしてもよい。またアプリケーションチャンバ３０の内部のガスは図示を省略した排気手段により排気されていてもよい。
出射チャンバ５は、出射軸ＥＡを中心軸とするコーン形状からなり、前方側の端部（外側突出部１５の前方側の端部）にマスク検査装置等の利用装置が接続される。図１に示す例では、利用装置の一部をなすチャンバとして、アプリケーションチャンバ３０が接続される。
アプリケーションチャンバ３０内の圧力は大気圧であってもよい。また、アプリケーションチャンバ３０の内部は、必要に応じてガス注入路３１よりガス（例えば、不活性ガス）を導入してパージしてもよい。またアプリケーションチャンバ３０の内部のガスは図示を省略した排気手段により排気されていてもよい。
【0057】
図１に示すように、外側突出部１５には、出射チャンバ５に連結するように、ガス注入路３２が設置される。ガス注入路３２を介して、図示を省略したガス供給装置から、出射チャンバ５内にガスが供給される。
供給されるガスは、放射線Ｒに対して透過率の高いガスであり、例えばアルゴンやヘリウムといった希ガス等が採用される。
アルゴンやヘリウムは、エネルギービームＥＢ及び放射線Ｒの両方に対して透過率の高いガスとして用いることが可能である。従って、入射チャンバ４及び出射チャンバ５の両方に同じガスが供給されてもよい。
この場合、ガス供給装置を共通して用いることが可能となるので、装置の簡素化を図ることが可能である。もちろん入射チャンバ４に供給されるガスと、出射チャンバ５に供給されるガスとして、互いに異なるガスが用いられてもよい。
ガスは、出射チャンバ５の内部の圧力を増加させるために供給される。すなわち、ガス注入路３２から出射チャンバ５内にガスが供給されることにより、出射チャンバ５の内部圧力を、真空チャンバ３の内部圧力よりも十分に高い圧力に維持することが可能となる。
供給されるガスは、放射線Ｒに対して透過率の高いガスであり、例えばアルゴンやヘリウムといった希ガス等が採用される。
アルゴンやヘリウムは、エネルギービームＥＢ及び放射線Ｒの両方に対して透過率の高いガスとして用いることが可能である。従って、入射チャンバ４及び出射チャンバ５の両方に同じガスが供給されてもよい。
この場合、ガス供給装置を共通して用いることが可能となるので、装置の簡素化を図ることが可能である。もちろん入射チャンバ４に供給されるガスと、出射チャンバ５に供給されるガスとして、互いに異なるガスが用いられてもよい。
ガスは、出射チャンバ５の内部の圧力を増加させるために供給される。すなわち、ガス注入路３２から出射チャンバ５内にガスが供給されることにより、出射チャンバ５の内部圧力を、真空チャンバ３の内部圧力よりも十分に高い圧力に維持することが可能となる。
【0058】
出射チャンバ５の内部には、出射チャンバ５の内に入射した放射線Ｒを利用装置内（アプリケーションチャンバ３０内）に導光して集光するためのコレクタ（集光鏡）３３が配置されている。図１では、出射チャンバ５に入射し集光される放射線Ｒの成分がハッチングにて図示されている。
コレクタ３３の外表面は、冷却と位置合わせの目的で出射チャンバ５の内面（外側突出部１５の内面）に接触している。
コレクタ３３としては、例えば、単一シェルの斜入射反射鏡が用いられる。コレクタ３３本体は、金属部材（例えばアルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス）で構成される。
コレクタ３３の外表面は、冷却と位置合わせの目的で出射チャンバ５の内面（外側突出部１５の内面）に接触している。
コレクタ３３としては、例えば、単一シェルの斜入射反射鏡が用いられる。コレクタ３３本体は、金属部材（例えばアルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス）で構成される。
【0059】
コレクタ３３の内側の反射面の反射コーティングは任意であるが、放射線Ｒを反射する反射コーティング材料としては、例えばルテニウム（Ｒｕ）が好適である。
なお、コレクタ３３を、本体に高価なＲｕをコーティングした構造とする代わりに、本体をガラス（二酸化ケイ素：ＳｉＯ２）とし、内側を研磨して放射線反射面を形成するように構成してもよい。
このガラス製コレクタは、反射面の反射率はＲｕコーティングが施された金属部材製コレクタと比較すると反射率は低いものの、当該Ｒｕコーティングコレクタと比較すると材料コストが非常に低く、頻繁な交換が可能となる。
なお、コレクタ３３を、本体に高価なＲｕをコーティングした構造とする代わりに、本体をガラス（二酸化ケイ素：ＳｉＯ２）とし、内側を研磨して放射線反射面を形成するように構成してもよい。
このガラス製コレクタは、反射面の反射率はＲｕコーティングが施された金属部材製コレクタと比較すると反射率は低いものの、当該Ｒｕコーティングコレクタと比較すると材料コストが非常に低く、頻繁な交換が可能となる。
【0060】
出射チャンバ５を構成する内側突出部１６は、回転体２２の表面２２ａの入射領域２５に向かって突出し、突出側の先端に出射側アパーチャ３４が形成される。
出射側アパーチャ３４は、放射線Ｒの出射軸ＥＡ上にて、チャンバ本体１４の出射孔１８、及び筐体２の出射孔８と並ぶように配置される。
出射側アパーチャ３４は、放射線Ｒを真空チャンバ３から出射チャンバ５内に入射させる。すなわち、プラズマＰから放出される放射線Ｒの一部が、出射側アパーチャ３４を通ってコレクタ３３に入射する。コレクタ３３により放射線Ｒが導光され、アプリケーションチャンバ３０内にて集光される。
出射側アパーチャ３４の開口面積を適宜設計することで、コレクタ３３に入射する放射線Ｒの開き角を制御することが可能となる。
なお、放射線Ｒの出射軸ＥＡは、プラズマＰから出射チャンバ５内に取り込まれる放射線Ｒの光軸（主軸）とも言える。
出射側アパーチャ３４は、放射線Ｒの出射軸ＥＡ上にて、チャンバ本体１４の出射孔１８、及び筐体２の出射孔８と並ぶように配置される。
出射側アパーチャ３４は、放射線Ｒを真空チャンバ３から出射チャンバ５内に入射させる。すなわち、プラズマＰから放出される放射線Ｒの一部が、出射側アパーチャ３４を通ってコレクタ３３に入射する。コレクタ３３により放射線Ｒが導光され、アプリケーションチャンバ３０内にて集光される。
出射側アパーチャ３４の開口面積を適宜設計することで、コレクタ３３に入射する放射線Ｒの開き角を制御することが可能となる。
なお、放射線Ｒの出射軸ＥＡは、プラズマＰから出射チャンバ５内に取り込まれる放射線Ｒの光軸（主軸）とも言える。
【0061】
内側突出部１６は、突出側（出射側アパーチャ３４が形成されている側）に進むにつれて断面積が小さくなるコーン形状からなる。従って、内側突出部１６をコレクタコーンと呼ぶことも可能である。
コーン形状からなる内部突出部１６の先端部には出射側アパーチャ３４が設けられているので、ガスを供給して出射チャンバ５の内部圧力を増加させることに有利な構成となっている。
また内側突出部１６がコーン形状に構成されることで、チャンバ本体１４内において内側突出部１６が占める空間を小さくすることが可能となり、他の部材の配置設計等の自由度を向上させることが可能となる。この結果、装置の小型化を図ることが可能となる。
コーン形状からなる内部突出部１６の先端部には出射側アパーチャ３４が設けられているので、ガスを供給して出射チャンバ５の内部圧力を増加させることに有利な構成となっている。
また内側突出部１６がコーン形状に構成されることで、チャンバ本体１４内において内側突出部１６が占める空間を小さくすることが可能となり、他の部材の配置設計等の自由度を向上させることが可能となる。この結果、装置の小型化を図ることが可能となる。
【0062】
図１に示すように、出射チャンバ５とアプリケーションチャンバ３０との間には、フィルタ膜３５が設けられる。
フィルタ膜３５は、真空チャンバ３内のプラズマ生成領域２１と、アプリケーションチャンバ３０とを物理的に分離する（物理的に空間を分離する）ためのものであり、飛散するプラズマ原料２３やデブリのアプリケーションチャンバ３０への進入を防止する（この点については、後に詳しく説明する）。
フィルタ膜３５は、プラズマ生成領域２１で発生する放射線Ｒを透過する材料からなる。放射線ＲがＸ線の場合、フィルタ膜３５は例えば、Ｘ線に対する透過率が非常に高いベリリウム薄膜により構成される。放射線ＲがＥＵＶ光の場合は、例えば、ジルコニウム（Ｚｒ）により構成される。
フィルタ膜３５は、真空チャンバ３内のプラズマ生成領域２１と、アプリケーションチャンバ３０とを物理的に分離する（物理的に空間を分離する）ためのものであり、飛散するプラズマ原料２３やデブリのアプリケーションチャンバ３０への進入を防止する（この点については、後に詳しく説明する）。
フィルタ膜３５は、プラズマ生成領域２１で発生する放射線Ｒを透過する材料からなる。放射線ＲがＸ線の場合、フィルタ膜３５は例えば、Ｘ線に対する透過率が非常に高いベリリウム薄膜により構成される。放射線ＲがＥＵＶ光の場合は、例えば、ジルコニウム（Ｚｒ）により構成される。
【0063】
なお、出射チャンバ５内はガスが供給されるものの真空チャンバ３と空間的に接続されるので減圧雰囲気である。一方、アプリケーションチャンバ３０内は、上記したように大気圧であってもよい。
この場合、出射チャンバ５とアプリケーションチャンバ３０との間には圧力差が生じる。よって、フィルタ膜３５の厚みは、この圧力差に耐え得る厚みとなる。すなわち、フィルタ膜３５は、真空チャンバ３と空間的に接続される出射チャンバ５内の減圧雰囲気を破壊しないように構成される。
この場合、出射チャンバ５とアプリケーションチャンバ３０との間には圧力差が生じる。よって、フィルタ膜３５の厚みは、この圧力差に耐え得る厚みとなる。すなわち、フィルタ膜３５は、真空チャンバ３と空間的に接続される出射チャンバ５内の減圧雰囲気を破壊しないように構成される。
【0064】
出射チャンバ５の内部には、遮蔽部材（中央掩蔽）３６が配置される。
遮蔽部材３６は、放射線Ｒの出射軸ＥＡ上にて、チャンバ本体１４の出射孔１８、筐体２の出射孔８、及びフィルタ膜３５と並ぶように配置される。
プラズマＰから放出され出射チャンバ５に入射する放射線Ｒの中には、コレクタ３３により集光されずに、出射チャンバ５内を進行する放射線成分も存在し得る。この集光されない放射性成分の少なくとも一部は広がりながら進行する。このような放射線成分は、通常、利用装置では利用されず、不要な場合が多い。
本実施形態では、遮蔽部材３６により、コレクタ３３により集光されない放射線成分を遮光することが可能である。
遮蔽部材３６は、放射線Ｒの出射軸ＥＡ上にて、チャンバ本体１４の出射孔１８、筐体２の出射孔８、及びフィルタ膜３５と並ぶように配置される。
プラズマＰから放出され出射チャンバ５に入射する放射線Ｒの中には、コレクタ３３により集光されずに、出射チャンバ５内を進行する放射線成分も存在し得る。この集光されない放射性成分の少なくとも一部は広がりながら進行する。このような放射線成分は、通常、利用装置では利用されず、不要な場合が多い。
本実施形態では、遮蔽部材３６により、コレクタ３３により集光されない放射線成分を遮光することが可能である。
【0065】
本実施形態では、出射チャンバ５、外側突出部１５、内側突出部１６、出射側アパーチャ３４等により、生成されたプラズマから放射線を取り出して出射する放射線取り出し部が実現される。
また、本実施形態において、内側突出部１６は、出射側突出部として機能する。
また、本実施形態において、内側突出部１６は、出射側突出部として機能する。
【0066】
［原料供給機構］
図２は、原料供給機構６の構成例を示す模式図である。
図２には、図１の矢印Ａの方向から回転体２２及びコンテナ２４を見た場合が図示されている。従って図２には、回転体２２の表面２２ａ側が図示されている。
図２は、原料供給機構６の構成例を示す模式図である。
図２には、図１の矢印Ａの方向から回転体２２及びコンテナ２４を見た場合が図示されている。従って図２には、回転体２２の表面２２ａ側が図示されている。
【0067】
【0068】
円盤状の回転体２２は、表面２２ａ及び裏面２２ｂを有し、表面２２ａの所定の位置に、エネルギービームＥＢが入射する入射領域２５が設定される。逆に言えば、回転体２２の２つの主面のうち、エネルギービームＥＢが入射する入射領域２５が設定される主面が表面２２ａとなる。そして反対側の主面が、裏面２２ｂとなる。
回転体２２は、例えばタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）等の高融点金属で構成される。
回転体２２は、下方側の一部が、コンテナ２４に貯留されたプラズマ原料２３に浸漬されている。
回転体２２は、例えばタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）等の高融点金属で構成される。
回転体２２は、下方側の一部が、コンテナ２４に貯留されたプラズマ原料２３に浸漬されている。
【0069】
放射線ＲとしてＸ線が出射される場合は、プラズマ原料２３としてＸ線原料が用いられる。Ｘ線原料は常温で液体状である金属であり、例えば、ガリウム（Ｇａ）や、ガリウム、インジウム（Ｉｎ）及びスズ（Ｓｎ）の共晶合金であるガリンスタン（登録商標）などのガリウム合金を用いることができる。
放射線ＲとしてＥＵＶ光が出射される場合は、プラズマ原料２３としてＥＵＶ原料が用いられる。ＥＵＶ光を放出するための原料としては、例えば、液体状のスズ（Ｓｎ）やリチウム（Ｌｉ）が用いられる。
Ｓｎ、Ｌｉは常温では固体であるので、コンテナ２４には図示を省略した温調手段が設けられる。例えば、ＥＵＶ原料がＳｎの場合は、コンテナ２４はＳｎの融点以上の温度に維持される。
放射線ＲとしてＥＵＶ光が出射される場合は、プラズマ原料２３としてＥＵＶ原料が用いられる。ＥＵＶ光を放出するための原料としては、例えば、液体状のスズ（Ｓｎ）やリチウム（Ｌｉ）が用いられる。
Ｓｎ、Ｌｉは常温では固体であるので、コンテナ２４には図示を省略した温調手段が設けられる。例えば、ＥＵＶ原料がＳｎの場合は、コンテナ２４はＳｎの融点以上の温度に維持される。
【0070】
回転体２２の裏面２２ｂの中心部には、モータ３８の回転軸３９が接続される。制御部７によりモータ３８の動作が制御され回転軸３９を介して回転体２２が回転される。回転軸３９は、回転体２２の表面２２ａに直交する方向に延在するように配置される。従って、回転体２２は、表面２２ａに直交する方向を回転方向として回転する。
回転軸３９は、筐体２の貫通孔１０を通り、メカニカルシール４２を介して、真空チャンバ３内に導入される。メカニカルシール４２は、真空チャンバ３内の減圧雰囲気を維持しつつ、回転軸３９の回転を許容する。
回転軸３９は、筐体２の貫通孔１０を通り、メカニカルシール４２を介して、真空チャンバ３内に導入される。メカニカルシール４２は、真空チャンバ３内の減圧雰囲気を維持しつつ、回転軸３９の回転を許容する。
【0071】
回転体２２の下方側の一部がコンテナ２４に貯留されたプラズマ原料２３に浸漬した状態で、回転体２２が回転軸３９を中心に回転する。これにより、プラズマ原料２３は、回転体２２の表面２２ａとの濡れ性により回転体２２の表面２２ａになじむようにコンテナ２４の原料貯留部分から引き上げられ、輸送される。従って、モータ３８及び回転軸３９は、回転体２２の表面２２ａの少なくとも一部に原料を塗布する原料供給部として機能する。
図２に示すように、本実施形態では、回転体２２の表面２２ａの周縁部の近傍に、エネルギービームＥＢが入射する入射領域２５が設定される。この入射領域２５にプラズマ原料２３が供給されるように、原料供給部（モータ３８及び回転軸３９）の構成及び動作が適宜設計される。
図２に示すように、本実施形態では、回転体２２の表面２２ａの周縁部の近傍に、エネルギービームＥＢが入射する入射領域２５が設定される。この入射領域２５にプラズマ原料２３が供給されるように、原料供給部（モータ３８及び回転軸３９）の構成及び動作が適宜設計される。
【0072】
スキマー４０は、回転体２２の表面２２ａ上に供給されるプラズマ原料２３の膜厚を所定の膜厚に調整するための膜厚調整部材として、回転体２２の周縁部の所定の位置に設けられる。
スキマー４０は、例えばチャネル構造を有する構造体であって、その内側に回転体２２を挟むように所定の間隙をもって配置される。スキマー４０は、回転体２２の表面２２ａに塗布されたプラズマ原料２３の一部を削ぎとるスクレーパーとして機能する。
スキマー４０は、例えばチャネル構造を有する構造体であって、その内側に回転体２２を挟むように所定の間隙をもって配置される。スキマー４０は、回転体２２の表面２２ａに塗布されたプラズマ原料２３の一部を削ぎとるスクレーパーとして機能する。
【0073】
回転体２２の表面２２ａとスキマー４０との間隔は、回転体２２の表面２２ａのエネルギービームＥＢが入射する入射領域２５におけるプラズマ原料２３の膜厚に対応する。そして、スキマー４０は、回転体２２の表面２２ａの入射領域２５におけるプラズマ原料２３の膜厚を、所定の膜厚に調整可能な位置に配置される。
回転体２２の表面２２ａとスキマー４０との間隔を適宜設定する。これにより、コンテナ２４の原料貯留部分において回転体２２に塗布された液体状のプラズマ原料２３は、回転体２２の回転によってスキマー４０を通過する際に、回転体２２上における膜厚が所定の膜厚となるように調整される。
回転体２２の表面２２ａとスキマー４０との間隔を適宜設定する。これにより、コンテナ２４の原料貯留部分において回転体２２に塗布された液体状のプラズマ原料２３は、回転体２２の回転によってスキマー４０を通過する際に、回転体２２上における膜厚が所定の膜厚となるように調整される。
【0074】
スキマー４０によって膜厚が調整された回転体２２上のプラズマ原料２３は、回転体２２の回転とともにエネルギービームＥＢが入射する入射領域２５に輸送される。すなわち、回転体２２の回転方向は、回転体２２上のプラズマ原料２３がスキマー４０を通過後、入射領域２５に輸送される方向である。そして、入射領域２５において、回転体２２上のプラズマ原料２３にエネルギービームＥＢが照射され、プラズマＰが発生される。
スキマー４０により、入射領域２５にほぼ均一にプラズマ原料２３を供給することが可能となる。入射領域２５におけるプラズマ原料２３の厚みを安定させることにより、プラズマＰから放射される放射線Ｒの強度を安定させることが可能となる。
本実施形態では、スキマー４０により、表面に供給されるプラズマ原料の厚みを調整する厚み調整機構が実現される。
スキマー４０により、入射領域２５にほぼ均一にプラズマ原料２３を供給することが可能となる。入射領域２５におけるプラズマ原料２３の厚みを安定させることにより、プラズマＰから放射される放射線Ｒの強度を安定させることが可能となる。
本実施形態では、スキマー４０により、表面に供給されるプラズマ原料の厚みを調整する厚み調整機構が実現される。
【0075】
プラズマ原料循環装置４１は、放射線Ｒの発生動作によりプラズマ原料２３が消費された場合に、適宜コンテナ２４にプラズマ原料２３を補充する。また、プラズマ原料循環装置４１は、プラズマ原料２３の温度調整機構（冷却機構）としても機能する。
【0076】
図２に示すように、プラズマ原料循環装置４１は、原料流入管路４４と、原料排出管路４５と、原料貯留槽４６と、原料駆動部（ポンプ）４７と、温度調整機構４８とを含む。
原料貯留槽４６には、プラズマ原料２３が貯留される。
原料流入管路４４及び原料排出管路４５は、原料貯留槽４６とコンテナ２４とを連通するように、原料貯留槽４６とコンテナ２４との間に設置される。
原料駆動部４７は、原料流入管路４４に設置される。原料駆動部４７が駆動することにより、原料貯留槽４６に貯留されたプラズマ原料２３が原料流入管路４４に流出し、原料貯留槽４６、原料流入管路４４、コンテナ２４、及び原料排出管路４５の循環系にて、プラズマ原料２３を循環させることが可能となる。
原料駆動部４７としては、例えば磁力により液体金属（プラズマ原料２３）を輸送することが可能な電磁ポンプが用いられる。もちろん、他の種類のポンプが用いられてもよい。
原料貯留槽４６には、プラズマ原料２３が貯留される。
原料流入管路４４及び原料排出管路４５は、原料貯留槽４６とコンテナ２４とを連通するように、原料貯留槽４６とコンテナ２４との間に設置される。
原料駆動部４７は、原料流入管路４４に設置される。原料駆動部４７が駆動することにより、原料貯留槽４６に貯留されたプラズマ原料２３が原料流入管路４４に流出し、原料貯留槽４６、原料流入管路４４、コンテナ２４、及び原料排出管路４５の循環系にて、プラズマ原料２３を循環させることが可能となる。
原料駆動部４７としては、例えば磁力により液体金属（プラズマ原料２３）を輸送することが可能な電磁ポンプが用いられる。もちろん、他の種類のポンプが用いられてもよい。
【0077】
本実施形態では、原料貯留槽４６及び原料駆動部４７は、真空チャンバ３の外部であって、さらに筐体２の外部に配置される。
プラズマ原料循環装置４１からコンテナ２４へと延びる原料流入管路４４及び原料排出管路４５は、筐体２の貫通孔１１を通り、シール部材４９を介して真空チャンバ３内に導入され、コンテナ２４に接続される。
シール部材４９は、真空チャンバ３内の減圧雰囲気を維持しつつ、原料流入管路４４及び原料排出管路４５を真空チャンバ３の外側から内側へ貫通するのを許容する。
プラズマ原料循環装置４１からコンテナ２４へと延びる原料流入管路４４及び原料排出管路４５は、筐体２の貫通孔１１を通り、シール部材４９を介して真空チャンバ３内に導入され、コンテナ２４に接続される。
シール部材４９は、真空チャンバ３内の減圧雰囲気を維持しつつ、原料流入管路４４及び原料排出管路４５を真空チャンバ３の外側から内側へ貫通するのを許容する。
【0078】
回転体２２の表面２２ａに塗布されたプラズマ原料２３のうち、エネルギービームＥＢが照射された部分は消費される。そのため、放射線Ｒ（Ｘ線又はＥＵＶ光）の発生動作を長期間安定して行うためには、大容量のプラズマ原料２３をコンテナ２４に貯留する必要がある。
一方で、光源装置１の真空チャンバ３の大きさとの兼ね合いから、真空チャンバ３の内部に収容可能なコンテナ２４の大きさには制約があり、大容量のプラズマ原料２３をコンテナ２４に貯留することが困難な場合も多い。
そこで、大容量のプラズマ原料２３を貯留可能な原料貯留槽４６を真空チャンバ３の外部に設置し、原料流入管路４４を介してコンテナ２４の原料貯留部分にプラズマ原料２３を補充可能に構成する。
これにより、コンテナ２４の原料貯留部分のプラズマ原料２３の量は長期間一定に保たれ、結果として放射線Ｒの発生動作を長期間安定して行うことが可能となる。
すなわち、プラズマ原料循環装置４１は、コンテナ２４の原料貯留部分のプラズマ原料２３の量が一定となるように、コンテナ２４の原料貯留部分と原料貯留槽４６との間でプラズマ原料２３を循環する。
一方で、光源装置１の真空チャンバ３の大きさとの兼ね合いから、真空チャンバ３の内部に収容可能なコンテナ２４の大きさには制約があり、大容量のプラズマ原料２３をコンテナ２４に貯留することが困難な場合も多い。
そこで、大容量のプラズマ原料２３を貯留可能な原料貯留槽４６を真空チャンバ３の外部に設置し、原料流入管路４４を介してコンテナ２４の原料貯留部分にプラズマ原料２３を補充可能に構成する。
これにより、コンテナ２４の原料貯留部分のプラズマ原料２３の量は長期間一定に保たれ、結果として放射線Ｒの発生動作を長期間安定して行うことが可能となる。
すなわち、プラズマ原料循環装置４１は、コンテナ２４の原料貯留部分のプラズマ原料２３の量が一定となるように、コンテナ２４の原料貯留部分と原料貯留槽４６との間でプラズマ原料２３を循環する。
【0079】
また、回転体２２の表面２２ａに塗布されたプラズマ原料２３にエネルギービームＥＢが照射されると、当該プラズマ原料２３（ターゲット）より放射線Ｒが発生すると同時に、回転体２２自体が加熱される。この加熱された回転体２２は、プラズマ原料２３が貯留されているコンテナ２４の原料貯留部分を通過する度に、コンテナ２４内のプラズマ原料２３との間で熱交換を行う。
そのため、そのままではコンテナ２４内のプラズマ原料２３の温度は徐々に変化してしまう。プラズマ原料２３の粘度が温度により変化する場合、プラズマ原料２３の温度の変化によりプラズマ原料２３に対する回転体２２の濡れ性が変化し、回転体２２へのプラズマ原料２３の付着状態が変化する。その結果、放射線Ｒの出力も変化するおそれがある。
そのため、そのままではコンテナ２４内のプラズマ原料２３の温度は徐々に変化してしまう。プラズマ原料２３の粘度が温度により変化する場合、プラズマ原料２３の温度の変化によりプラズマ原料２３に対する回転体２２の濡れ性が変化し、回転体２２へのプラズマ原料２３の付着状態が変化する。その結果、放射線Ｒの出力も変化するおそれがある。
【0080】
本実施形態に係るプラズマ原料循環装置４１は、比較的大型の原料貯留槽４６を真空チャンバ３の外部（筐体２の外部）に備える。
そのため、コンテナ２４の原料貯留部分において温度変化したプラズマ原料２３が原料排出管路４５を介して原料貯留槽４６に流入したとしても、原料貯留槽４６内のプラズマ原料２３の温度はさほど変化せず、ほぼ一定に保たれる。
そして、ほぼ一定に温度が保たれたプラズマ原料２３が、原料流入管路４４を介してコンテナ２４に流入される。
このように、プラズマ原料循環装置４１によりプラズマ原料２３を循環させることで、コンテナ２４内のプラズマ原料２３の温度はほぼ一定に保たれる。従って、回転体２２へのプラズマ原料２３の付着状態も安定し、放射線Ｒの出力を安定させることが可能となる。
そのため、コンテナ２４の原料貯留部分において温度変化したプラズマ原料２３が原料排出管路４５を介して原料貯留槽４６に流入したとしても、原料貯留槽４６内のプラズマ原料２３の温度はさほど変化せず、ほぼ一定に保たれる。
そして、ほぼ一定に温度が保たれたプラズマ原料２３が、原料流入管路４４を介してコンテナ２４に流入される。
このように、プラズマ原料循環装置４１によりプラズマ原料２３を循環させることで、コンテナ２４内のプラズマ原料２３の温度はほぼ一定に保たれる。従って、回転体２２へのプラズマ原料２３の付着状態も安定し、放射線Ｒの出力を安定させることが可能となる。
【0081】
さらに、原料貯留槽４６内のプラズマ原料２３の温度が、原料貯留槽４６の内部に設けられた温度調整機構４８によって調整されてもよい。
原料貯留槽４６は、真空チャンバ３の外部（筐体２の外部）に設置されているため、真空チャンバ３の大きさに左右されない大容量の温度調整機構４８を用いることができる。これにより、プラズマ原料２３の温度を短時間で確実に所定の温度に調整することが可能となる。
原料貯留槽４６は、真空チャンバ３の外部（筐体２の外部）に設置されているため、真空チャンバ３の大きさに左右されない大容量の温度調整機構４８を用いることができる。これにより、プラズマ原料２３の温度を短時間で確実に所定の温度に調整することが可能となる。
【0082】
このように、温度調整機構４８を有するプラズマ原料循環装置４１を用いることにより、プラズマ原料２３の温度を一定に保ったまま、コンテナ２４の原料貯留部分にプラズマ原料２３を供給することが可能となる。
例えば、液体状態における温度が常温よりも低い液体金属が、プラズマ原料２３として用いられるとする。この場合でも、常温よりも低い温度に保ったまま、液相のプラズマ原料２３を、コンテナ２４に供給することが可能である。
また、液体状態における温度が常温よりも高い液体金属が、プラズマ原料２３として用いられるとする。この場合でも、常温より高い温度に保ったまま、液相のプラズマ原料２３を、コンテナ２４に供給することが可能である。
例えば、液体状態における温度が常温よりも低い液体金属が、プラズマ原料２３として用いられるとする。この場合でも、常温よりも低い温度に保ったまま、液相のプラズマ原料２３を、コンテナ２４に供給することが可能である。
また、液体状態における温度が常温よりも高い液体金属が、プラズマ原料２３として用いられるとする。この場合でも、常温より高い温度に保ったまま、液相のプラズマ原料２３を、コンテナ２４に供給することが可能である。
【0083】
また図１に示すように、本実施形態では、チャンバ本体１４の前面側にて、真空チャンバ３と空間的に接続される領域に、放射線診断部２９が構成される。
放射線診断部２９は、放射線Ｒの出射軸ＥＡとは異なる方向に放射される放射線Ｒが入射する位置に構成される。
放射線診断部２９は、放射線Ｒの物理的状態を診断する部分であり、例えば、放射線Ｒの有無を検出する検出器や、放射線の出力を測定する測定器により構成される。
放射線診断部２９は、放射線Ｒの出射軸ＥＡとは異なる方向に放射される放射線Ｒが入射する位置に構成される。
放射線診断部２９は、放射線Ｒの物理的状態を診断する部分であり、例えば、放射線Ｒの有無を検出する検出器や、放射線の出力を測定する測定器により構成される。
【0084】
本実施形態では、回転体２２により、表面及び裏面を有し、取り込まれたエネルギービームが表面に入射する位置に配置され、表面に直交する方向を回転軸方向として回転する板部材が実現される。
また、原料供給機構６により、表面のエネルギービームが入射する入射領域にプラズマ原料を供給することでプラズマを生成させる原料供給部が実現される。
また真空チャンバ３は、板部材を収容するチャンバとして機能する。
また、原料供給機構６により、表面のエネルギービームが入射する入射領域にプラズマ原料を供給することでプラズマを生成させる原料供給部が実現される。
また真空チャンバ３は、板部材を収容するチャンバとして機能する。
【0085】
［放射線Ｒの発生プロセス］
［原料供給］
回転体２２の下方側の一部がコンテナ２４に貯留されたプラズマ原料２３に浸漬した状態で、当該回転体２２が回転軸３９を中心に回転する。
プラズマ原料２３は、回転体２２の表面２２ａとの濡れ性により回転体２２の表面２２ａになじむようにコンテナ２４の原料貯留部分から引き上げられる。そして、回転体２２の表面２２ａに塗布された状態で、エネルギービームＥＢが入射する入射領域２５に輸送される。
回転体２２の回転方向は、図２に示すように、回転体２２の表面２２ａに供給されるプラズマ原料がコンテナの原料貯留部分から引き上げられたのち、スキマー４０を通過してプラズマ生成領域２１（入射領域２５）に到達するような方向である。
［原料供給］
回転体２２の下方側の一部がコンテナ２４に貯留されたプラズマ原料２３に浸漬した状態で、当該回転体２２が回転軸３９を中心に回転する。
プラズマ原料２３は、回転体２２の表面２２ａとの濡れ性により回転体２２の表面２２ａになじむようにコンテナ２４の原料貯留部分から引き上げられる。そして、回転体２２の表面２２ａに塗布された状態で、エネルギービームＥＢが入射する入射領域２５に輸送される。
回転体２２の回転方向は、図２に示すように、回転体２２の表面２２ａに供給されるプラズマ原料がコンテナの原料貯留部分から引き上げられたのち、スキマー４０を通過してプラズマ生成領域２１（入射領域２５）に到達するような方向である。
【0086】
[プラズマ生成]
スキマー４０を通過して回転体２２上での厚みが所定の厚みに調整されたプラズマ原料２３が、回転体２２の入射領域２５に到達する。ビーム源１３から入射軸ＩＡに沿って、入射領域２５に向かってエネルギービームＥＢが出射される。エネルギービームＥＢは、入射孔９、入射窓１９、回転式窓２７、入射側アパーチャ２６を通って、プラズマ原料２３が供給された入射領域２５に入射する。
入射領域２５へエネルギービームＥＢが入射すると、入射領域２５に存在するプラズマ原料２３は加熱励起され、高温プラズマＰが生成される。プラズマ生成領域２１に生成される高温プラズマＰから、所定の波長の放射線Ｒが放出される。
スキマー４０を通過して回転体２２上での厚みが所定の厚みに調整されたプラズマ原料２３が、回転体２２の入射領域２５に到達する。ビーム源１３から入射軸ＩＡに沿って、入射領域２５に向かってエネルギービームＥＢが出射される。エネルギービームＥＢは、入射孔９、入射窓１９、回転式窓２７、入射側アパーチャ２６を通って、プラズマ原料２３が供給された入射領域２５に入射する。
入射領域２５へエネルギービームＥＢが入射すると、入射領域２５に存在するプラズマ原料２３は加熱励起され、高温プラズマＰが生成される。プラズマ生成領域２１に生成される高温プラズマＰから、所定の波長の放射線Ｒが放出される。
【0087】
[放射線Ｒの取り出し]
高温プラズマＰから放出される放射線Ｒは、様々な方向に向かって進行する。このうち、出射チャンバ５に入射した放射線Ｒは、出射チャンバ５を通過してマスク検査装置等の利用装置（アプリケーションチャンバ３０）に導光される。すなわち、高温プラズマＰから放出される放射線Ｒのうち、出射チャンバ５に入射した成分が、出射軸ＥＡに沿って外部へと取り出される。
高温プラズマＰから放出される放射線Ｒは、様々な方向に向かって進行する。このうち、出射チャンバ５に入射した放射線Ｒは、出射チャンバ５を通過してマスク検査装置等の利用装置（アプリケーションチャンバ３０）に導光される。すなわち、高温プラズマＰから放出される放射線Ｒのうち、出射チャンバ５に入射した成分が、出射軸ＥＡに沿って外部へと取り出される。
【0088】
［飛散するプラズマ原料２３、及びデブリの対策］
プラズマ原料２３の供給工程において、回転体２２が回転すると遠心力により回転体２２の表面２２ａに付着したプラズマ原料２３が飛散する場合があり得る。
また、プラズマＰの生成工程において、回転体２２に塗布されているプラズマ原料２３にエネルギービームＥＢが照射されるとプラズマ原料２３の一部が気化する。その際に、プラズマ原料２３の一部（プラズマ原料２３の粒子）がデブリとして放出される。
例えばデブリとして、イオン、中性粒子、電子等が、放射線Ｒととともに放出される。また、プラズマＰの発生にともない回転体２２がスパッタリングされ、回転体２２の材料粒子が、デブリとして放出される場合もあり得る。
プラズマ原料２３の供給工程において、回転体２２が回転すると遠心力により回転体２２の表面２２ａに付着したプラズマ原料２３が飛散する場合があり得る。
また、プラズマＰの生成工程において、回転体２２に塗布されているプラズマ原料２３にエネルギービームＥＢが照射されるとプラズマ原料２３の一部が気化する。その際に、プラズマ原料２３の一部（プラズマ原料２３の粒子）がデブリとして放出される。
例えばデブリとして、イオン、中性粒子、電子等が、放射線Ｒととともに放出される。また、プラズマＰの発生にともない回転体２２がスパッタリングされ、回転体２２の材料粒子が、デブリとして放出される場合もあり得る。
【0089】
本実施形態に係る光源装置１では、飛散するプラズマ原料２３及びエネルギービームＥＢの放射により発生するデブリの影響を抑制可能な技術が採用されている。以下、その点について説明する。
【0090】
飛散したプラズマ原料２３やデブリが、入射側アパーチャ２６から入射チャンバ４内に進入した場合、入射窓１９にプラズマ原料２３やデブリが付着してしまうことがあり得る。この場合、エネルギービームＥＢが例えばレーザビームである場合等において、入射窓１９に付着したプラズマ原料２３やデブリにより、レーザビームの強度が減少してしまう。この結果、プラズマＰから取り出される放射線Ｒの強度が減少してしまうおそれがある。
【0091】
本実施形態に係る光源装置１では、真空チャンバ３内が、入射チャンバ４よりも減圧された雰囲気に維持される。従って、ガス注入路２８から入射チャンバ４内に供給されるガスは、入射側アパーチャ２６から、真空チャンバ３に向かって流れる。これにより、飛散したプラズマ原料２３やデブリが、入射側アパーチャ２６から入射チャンバ４内に進入することを抑制することが可能である。
また、入射チャンバ４を構成する内側突出部１７がコーン形状であり、その先端部には入射側アパーチャ２６が設けられている。従って、ガス注入路２８から入射チャンバ４内にガスが供給されることにより、入射チャンバ４の内部圧力を、真空チャンバ３の内部圧力よりも十分に高い圧力に維持することが可能となる。これにより、入射側アパーチャ２６から入射チャンバ４内へのプラズマ原料２３やデブリの進入は、より困難となる。
さらに、入射側アパーチャ２６を形成すること自体が、入射チャンバ４へのプラズマ原料２３及びデブリの進入を抑制することに有利である。
また、入射チャンバ４を構成する内側突出部１７がコーン形状であり、その先端部には入射側アパーチャ２６が設けられている。従って、ガス注入路２８から入射チャンバ４内にガスが供給されることにより、入射チャンバ４の内部圧力を、真空チャンバ３の内部圧力よりも十分に高い圧力に維持することが可能となる。これにより、入射側アパーチャ２６から入射チャンバ４内へのプラズマ原料２３やデブリの進入は、より困難となる。
さらに、入射側アパーチャ２６を形成すること自体が、入射チャンバ４へのプラズマ原料２３及びデブリの進入を抑制することに有利である。
【0092】
また入射チャンバ４内には、回転式窓２７が配置される。これにより、プラズマ原料２３やデブリが入射窓１９に付着することを、十分に抑制することが可能である。なお、入射チャンバ４内へのプラズマ原料２３及びデブリの進入が抑制されているので、回転式窓２７の寿命を長くすることが可能となり、回転式窓２７の交換頻度を低減させることが可能である。
【0093】
また真空チャンバ３内は、出射チャンバ５よりも減圧された雰囲気に維持される。従って、ガス注入路３２から出射チャンバ５内に供給されるガスは、出射側アパーチャ３４から、真空チャンバ３に向かって流れる。これにより、飛散したプラズマ原料２３やデブリが、出射側アパーチャ３４から出射チャンバ５内に進入することを抑制することが可能である。
また、出射チャンバ５を構成する外側突出部１５及び内側突出部１６がコーン形状であり、その内部側の先端部には出射側アパーチャ３４が設けられている。従って、ガス注入路３２から出射チャンバ５内にガスが供給されることにより、出射チャンバ５の内部圧力を、真空チャンバ３の内部圧力よりも十分に高い圧力に維持することが可能となる。これにより、出射側アパーチャ３４から出射チャンバ５内へのプラズマ原料２３やデブリの進入は、より困難となる。
さらに、出射側アパーチャ３４を形成すること自体が、出射チャンバ５へのプラズマ原料２３及びデブリの進入を抑制することに有利である。
また内側突出部１６を形成することで、出射側アパーチャ３４を、生成されるプラズマＰに近い位置に配置することが可能となる。これにより、必要な放射線Ｒを取り込むための出射側アパーチャ３４の開口面積を小さくすることが可能となる。この結果、出射チャンバ５へのプラズマ原料２３及びデブリの進入を抑制することに有利となる。
また、出射チャンバ５を構成する外側突出部１５及び内側突出部１６がコーン形状であり、その内部側の先端部には出射側アパーチャ３４が設けられている。従って、ガス注入路３２から出射チャンバ５内にガスが供給されることにより、出射チャンバ５の内部圧力を、真空チャンバ３の内部圧力よりも十分に高い圧力に維持することが可能となる。これにより、出射側アパーチャ３４から出射チャンバ５内へのプラズマ原料２３やデブリの進入は、より困難となる。
さらに、出射側アパーチャ３４を形成すること自体が、出射チャンバ５へのプラズマ原料２３及びデブリの進入を抑制することに有利である。
また内側突出部１６を形成することで、出射側アパーチャ３４を、生成されるプラズマＰに近い位置に配置することが可能となる。これにより、必要な放射線Ｒを取り込むための出射側アパーチャ３４の開口面積を小さくすることが可能となる。この結果、出射チャンバ５へのプラズマ原料２３及びデブリの進入を抑制することに有利となる。
【0094】
例えば、放射線ＲがＥＵＶ光であって、プラズマ原料がＳｎである場合、飛散するプラズマ原料２３やデブリの大部分はＳｎとなる。このＳｎは融点が約２３２℃であるので、内側突出部１６の外表面や内表面に到達すると固化して堆積する場合があり得る。堆積が進むと、出射側アパーチャ３４が堆積したＳｎにより閉塞してしまう場合もある。
このような不具合を防止するために、図示を省略した加熱手段や温調手段によって内側突出部１６を加熱してプラズマ原料２３の融点以上に保持するようにしてもよい。これにより、出射側アパーチャ３４の閉塞を防止することが可能となる。
このような不具合を防止するために、図示を省略した加熱手段や温調手段によって内側突出部１６を加熱してプラズマ原料２３の融点以上に保持するようにしてもよい。これにより、出射側アパーチャ３４の閉塞を防止することが可能となる。
【0095】
また図１に示すように、外部電圧源５１を設置し、内側突出部１６に対して正電圧又は負電圧を印加可能であってもよい。内側突出部１６に電圧を印加することで、発生する電場によりイオン性のデブリを内側突出部１６から反発させたり、デブリの進行方向を出射チャンバ５内へ進入する方向から逸らすことが可能となる。
この場合、内側突出部１６は、セラミックス材料等からなる不図示の絶縁体によって、真空チャンバ３等の他の部品から電気的に絶縁されている。また、外部電圧源５１の動作は、制御部７により制御される。
本実施形態では、外部電圧源５１により、出射側突出部に電圧を印可する電圧印加部が実現される。
この場合、内側突出部１６は、セラミックス材料等からなる不図示の絶縁体によって、真空チャンバ３等の他の部品から電気的に絶縁されている。また、外部電圧源５１の動作は、制御部７により制御される。
本実施形態では、外部電圧源５１により、出射側突出部に電圧を印可する電圧印加部が実現される。
【0096】
出射チャンバ５の前方側の端部には、フィルタ膜３５が設けられる。フィルタ膜３５により、飛散するプラズマ原料２３やデブリが、アプリケーションチャンバ３０内に進入することをブロックすることが可能である。
なお、フィルタ膜３５の表面（出射チャンバ５側の表面）に、プラズマ原料２３やデブリが堆積すると、徐々に放射線Ｒの透過率が減少してしまう。
フィルタ膜３５の構成として、例えば、フィルタ膜３５にある程度デブリ等が堆積する場合、デブリ等が堆積していない領域が出射チャンバ５側に露出するように、回転等の移動が可能な構成が採用されてもよい。また交換可能な構成が採用されてもよい。このような構成を採用することで、飛散するプラズマ原料２３やデブリの影響を抑制することが可能となる。
なお、フィルタ膜３５の表面（出射チャンバ５側の表面）に、プラズマ原料２３やデブリが堆積すると、徐々に放射線Ｒの透過率が減少してしまう。
フィルタ膜３５の構成として、例えば、フィルタ膜３５にある程度デブリ等が堆積する場合、デブリ等が堆積していない領域が出射チャンバ５側に露出するように、回転等の移動が可能な構成が採用されてもよい。また交換可能な構成が採用されてもよい。このような構成を採用することで、飛散するプラズマ原料２３やデブリの影響を抑制することが可能となる。
【0097】
また、出射チャンバ５内には、遮蔽部材３６が配置される。遮蔽部材３６により、出射軸ＥＡやその近傍に沿って進行するデブリ等が、フィルタ膜３５に到達することを防止することが可能である。
特にデブリの一部には比較的高速で移動するものもあり、直接フィルタ膜３５に衝突すると、フィルタ膜３５にダメージを与える可能性もある。本実施形態では、遮蔽部材３６により、フィルタ膜３５へのデブリ等の衝突を防止することが可能であり、フィルタ膜３５の損傷を防止することが可能である。この結果、フィルタ膜３５の長寿命化を図ることが可能となる。
特にデブリの一部には比較的高速で移動するものもあり、直接フィルタ膜３５に衝突すると、フィルタ膜３５にダメージを与える可能性もある。本実施形態では、遮蔽部材３６により、フィルタ膜３５へのデブリ等の衝突を防止することが可能であり、フィルタ膜３５の損傷を防止することが可能である。この結果、フィルタ膜３５の長寿命化を図ることが可能となる。
【0098】
図３は、光源装置１に適用可能なコンテナの他の構成例を示す模式図である。
図３に示す例では、コンテナ２４がカバー状構造体として構成されており、回転体２２のほぼ全体を囲むことが可能である。
コンテナ２４には、回転体２２の表面２２ａに設定される入射領域２５に対応する位置に、開口部５２が形成される。開口部５２を介して、入射領域２５にエネルギービームＥＢが入射され、プラズマＰが生成される。また開口部５２を介してプラズマＰから放射線Ｒが取り出され、出射チャンバ５を介して出射される。
コンテナ２４をカバー状構造体として構成することで、回転体２２から飛散したプラズマ原料２３は、コンテナ２４の開口部５２を除き、コンテナ２４の内壁に付着する。そして、内壁に付着したプラズマ原料２３は、コンテナ２４下部の原料貯留部分に移動する。
従って、コンテナ２４の外部であって、真空チャンバ３の内部である空間には、プラズマ原料２３が飛散することは殆どない。この結果、飛散したプラズマ原料２３が真空チャンバ３の内壁に付着することを十分に抑制することが可能となる。
図３に示す例では、コンテナ２４がカバー状構造体として構成されており、回転体２２のほぼ全体を囲むことが可能である。
コンテナ２４には、回転体２２の表面２２ａに設定される入射領域２５に対応する位置に、開口部５２が形成される。開口部５２を介して、入射領域２５にエネルギービームＥＢが入射され、プラズマＰが生成される。また開口部５２を介してプラズマＰから放射線Ｒが取り出され、出射チャンバ５を介して出射される。
コンテナ２４をカバー状構造体として構成することで、回転体２２から飛散したプラズマ原料２３は、コンテナ２４の開口部５２を除き、コンテナ２４の内壁に付着する。そして、内壁に付着したプラズマ原料２３は、コンテナ２４下部の原料貯留部分に移動する。
従って、コンテナ２４の外部であって、真空チャンバ３の内部である空間には、プラズマ原料２３が飛散することは殆どない。この結果、飛散したプラズマ原料２３が真空チャンバ３の内壁に付着することを十分に抑制することが可能となる。
【0099】
【0100】
光源装置１では、回転体２２の入射領域２５に入射するエネルギービームＥＢの入射軸ＩＡと、プラズマＰから取り出される放射線Ｒの出射軸ＥＡと、回転体２２の表面２２ａの入射領域２５における法線軸ＮＡとの互いの位置関係に基づいて、回転体２２の配置構成が適宜規定される。
法線軸ＮＡは、入射領域２５のエネルギービームＥＢが入射するポイントから、法線方向に沿って延在する軸である。
法線軸ＮＡは、入射領域２５のエネルギービームＥＢが入射するポイントから、法線方向に沿って延在する軸である。
【0101】
図４に示すように、光源装置１では、入射軸ＩＡと、出射軸ＥＡと、法線軸ＮＡとが、全て互いに相違するように、回転体２２が配置される。
また回転体２２は、入射領域２５に入射するエネルギービームＥＢの入射軸ＩＡと、プラズマＰから取り出される放射線Ｒの出射軸ＥＡとの間に構成される軸間領域５４から、表面２２ａの入射領域２５における法線軸ＮＡが外れるように配置される。
すなわち、入射軸ＩＡと出射軸ＥＡとの間の軸間領域５４に、法線軸ＮＡが通らないように、回転体２２が配置される。
また回転体２２は、入射領域２５に入射するエネルギービームＥＢの入射軸ＩＡと、プラズマＰから取り出される放射線Ｒの出射軸ＥＡとの間に構成される軸間領域５４から、表面２２ａの入射領域２５における法線軸ＮＡが外れるように配置される。
すなわち、入射軸ＩＡと出射軸ＥＡとの間の軸間領域５４に、法線軸ＮＡが通らないように、回転体２２が配置される。
【0102】
平面上にプラズマ原料２３を供給してエネルギービームＥＢを照射した場合、プラズマ原料２３が気化する際に放出されるデブリは、エネルギービームＥＢが入射する領域の法線方向に沿って最も多く放出される。すなわち、法線方向に沿って延在する法線軸ＮＡに沿って、多量のデブリが放出される。
本実施形態に係る光源装置１では、法線軸ＮＡが、入射軸ＩＡ及び出射軸ＥＡの各々とは異なる位置に配置される。これにより、入射側アパーチャ２６及び出射側アパーチャ３４の各々を、プラズマＰの生成にともなって多くのデブリが放出される方向から外れた位置に設置することが可能となる。
この結果、入射チャンバ４及び出射チャンバ５へのデブリの進入を抑制することが可能となる。
本実施形態に係る光源装置１では、法線軸ＮＡが、入射軸ＩＡ及び出射軸ＥＡの各々とは異なる位置に配置される。これにより、入射側アパーチャ２６及び出射側アパーチャ３４の各々を、プラズマＰの生成にともなって多くのデブリが放出される方向から外れた位置に設置することが可能となる。
この結果、入射チャンバ４及び出射チャンバ５へのデブリの進入を抑制することが可能となる。
【0103】
また回転体２２を、入射側アパーチャ２６の開口から法線軸ＮＡが外れるように配置する。これにより、入射チャンバ４へのデブリの進入をより抑制することが可能となる。
同様に、回転体２２を、出射側アパーチャ３４の開口から法線軸ＮＡが外れるように配置する。これにより、出射チャンバ５へのデブリの進入をより抑制することが可能となる。
図４に示すように、本実施形態では、法線軸ＮＡは、入射側アパーチャ２６の開口からも、出射側アパーチャ３４の開口からも外れるように構成される。従って、入射チャンバ４及び出射チャンバ５へのデブリの進入が十分に抑制されている。
同様に、回転体２２を、出射側アパーチャ３４の開口から法線軸ＮＡが外れるように配置する。これにより、出射チャンバ５へのデブリの進入をより抑制することが可能となる。
図４に示すように、本実施形態では、法線軸ＮＡは、入射側アパーチャ２６の開口からも、出射側アパーチャ３４の開口からも外れるように構成される。従って、入射チャンバ４及び出射チャンバ５へのデブリの進入が十分に抑制されている。
【0104】
また図１及び図４に示すように、本実施形態では、入射チャンバ４の後方側に、左右方向に延在するようにガスノズル５５が設置される。ガスノズル５５は、チャンバ本体１４の右側面に、シール部材等を介して設置される。
ガスノズル５５は、図示を省略したガス供給装置接続され、チャンバ本体１４内にガスを供給する。
ガスノズル５５は、図示を省略したガス供給装置接続され、チャンバ本体１４内にガスを供給する。
【0105】
図１及び図４に示す例では、光源装置１を上方から見て、入射軸ＩＡと出射軸ＥＡとの間の軸間領域５４から左側に外れた位置に、回転体２２の入射領域２５における法線軸ＮＡが配置される。
そして、ガスノズル５５から、軸間領域５４の右側から左右方向に沿って左側に向かってガスが吹き付けられる。すなわち、入射軸ＩＡ、出射軸ＥＡ、及び法線軸ＮＡを横断する方向であって、最後に法線軸ＮＡに到達する方向に向かって、ガスが吹き付けられる。
これにより、入射領域２５における法線軸ＮＡに沿って最も多く放出されるデブリを、入射軸ＩＡ及び出射軸ＥＡから遠ざかる方向に移動させることが可能となる。
この結果、入射チャンバ４及び出射チャンバ５へのデブリの進入をさらに抑制することが可能となる。なお、ガスの流速を増加させることで、入射チャンバ４及び出射チャンバ５へのデブリの進入を抑制する効果を高めることが可能となる。
そして、ガスノズル５５から、軸間領域５４の右側から左右方向に沿って左側に向かってガスが吹き付けられる。すなわち、入射軸ＩＡ、出射軸ＥＡ、及び法線軸ＮＡを横断する方向であって、最後に法線軸ＮＡに到達する方向に向かって、ガスが吹き付けられる。
これにより、入射領域２５における法線軸ＮＡに沿って最も多く放出されるデブリを、入射軸ＩＡ及び出射軸ＥＡから遠ざかる方向に移動させることが可能となる。
この結果、入射チャンバ４及び出射チャンバ５へのデブリの進入をさらに抑制することが可能となる。なお、ガスの流速を増加させることで、入射チャンバ４及び出射チャンバ５へのデブリの進入を抑制する効果を高めることが可能となる。
【0106】
このように、法線軸ＮＡが軸間領域５４よりも下流側となるように、軸間領域５４から法線軸ＮＡに向かう方向でガスを吹き付ける。これにより、プラズマＰの生成にともって放出されるデブリが、入射チャンバ４及び出射チャンバ５に進入することを十分に抑制することが可能となる。
ガスの種類としては、アルゴンやヘリウムといった希ガス等が採用される。例えば、入射チャンバ４の内部や出射チャンバ５の内部に供給されるガスと同じ種類のガスが用いられてもよい。
ガスの種類としては、アルゴンやヘリウムといった希ガス等が採用される。例えば、入射チャンバ４の内部や出射チャンバ５の内部に供給されるガスと同じ種類のガスが用いられてもよい。
【0107】
図５は、軸間領域５４を詳しく説明するための模式図である。
光源装置１内において、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡ、及び放射線Ｒの出射軸ＥＡは、３次元空間上に設定される。
図５Ａに示すように、まず、入射軸ＩＡ及び出射軸ＥＡを含む平面５７を想定する。図５に示す例では、平面５７は、ＸＹ平面、ＹＺ平面、及びＺＸ平面のいずれとも平行にならない平面となる。具体的には、ＸＹ平面に対して、紙面手前側が下方側に傾く平面となっている。もちろん、このような平面に限定される訳ではない。
図５Ｂに示すように、入射軸ＩＡ及び出射軸ＥＡを含む平面５７上の、入射軸ＩＡ及び出射軸ＥＡの間の２次元領域５８を、平面５７の法線方向に沿って移動させる。２次元領域５８を平面５７に対して法線方向に沿って上方側及び下方側に移動させた場合の軌跡によって構成される３次元領域を、軸間領域５４として規定することが可能である。
回転体２２は、入射領域２５（入射ポイント）における法線軸ＮＡが、軸間領域５４から外れるように配置されればよい。
また、ガスを吹き付ける際には、法線軸ＮＡが軸間領域５４よりも下流側となるように、軸間領域５４から法線軸ＮＡに向かう方向でガスを吹き付ければよい。この条件が満たされるのであれば、ガスを吹き付ける方向は任意に設定されてよく、例えば２次元領域５８に交差するような斜め方向からガスが吹き付けられてもよい。
光源装置１内において、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡ、及び放射線Ｒの出射軸ＥＡは、３次元空間上に設定される。
図５Ａに示すように、まず、入射軸ＩＡ及び出射軸ＥＡを含む平面５７を想定する。図５に示す例では、平面５７は、ＸＹ平面、ＹＺ平面、及びＺＸ平面のいずれとも平行にならない平面となる。具体的には、ＸＹ平面に対して、紙面手前側が下方側に傾く平面となっている。もちろん、このような平面に限定される訳ではない。
図５Ｂに示すように、入射軸ＩＡ及び出射軸ＥＡを含む平面５７上の、入射軸ＩＡ及び出射軸ＥＡの間の２次元領域５８を、平面５７の法線方向に沿って移動させる。２次元領域５８を平面５７に対して法線方向に沿って上方側及び下方側に移動させた場合の軌跡によって構成される３次元領域を、軸間領域５４として規定することが可能である。
回転体２２は、入射領域２５（入射ポイント）における法線軸ＮＡが、軸間領域５４から外れるように配置されればよい。
また、ガスを吹き付ける際には、法線軸ＮＡが軸間領域５４よりも下流側となるように、軸間領域５４から法線軸ＮＡに向かう方向でガスを吹き付ければよい。この条件が満たされるのであれば、ガスを吹き付ける方向は任意に設定されてよく、例えば２次元領域５８に交差するような斜め方向からガスが吹き付けられてもよい。
【0108】
なお図５Ｂに示す例では、入射軸ＩＡ上の入射側アパーチャ２６の位置と、出射軸ＥＡ上の出射側アパーチャ３４の位置と、入射領域２５とを結ぶ三角形の領域が、２次元領域５８として規定されている。
もちろんこれに限定されず、入射軸ＩＡ上の他の点及び出射軸ＥＡ上の他の点を用いて、２次元領域５８が規定されてもよい。
また、入射軸ＩＡ上及び出射軸ＥＡ上に点を規定することなく、入射軸ＩＡ及び出射軸ＥＡの各々の延長方向を全て含むように、２次元領域５８が規定されてもよい。この場合、２次元領域５８は三角形の形状とはならず、入射軸ＩＡ及び出射軸ＥＡの各々の延長方向に広がっていく２次元領域となる。
もちろんこれに限定されず、入射軸ＩＡ上の他の点及び出射軸ＥＡ上の他の点を用いて、２次元領域５８が規定されてもよい。
また、入射軸ＩＡ上及び出射軸ＥＡ上に点を規定することなく、入射軸ＩＡ及び出射軸ＥＡの各々の延長方向を全て含むように、２次元領域５８が規定されてもよい。この場合、２次元領域５８は三角形の形状とはならず、入射軸ＩＡ及び出射軸ＥＡの各々の延長方向に広がっていく２次元領域となる。
【0109】
また、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡと法線軸ＮＡとの間の角度を大きくとれば、法線軸ＮＡに沿って最も多く放出されるデブリの、入射チャンバ４への進入を抑制することが可能となる。
同様に、放射線Ｒの出射軸ＥＡと法線軸ＮＡとの間の角度を大きくとれば、法線軸ＮＡに沿って最も多く放出されるデブリの、入射チャンバ４への進入を抑制することが可能となる。
入射軸ＩＡと法線軸ＮＡとの間の角度は、例えば入射軸ＩＡと法線軸ＮＡとを含む平面上における交差角度により規定することが可能である。同様に、出射軸ＥＡと法線軸ＮＡとの間の角度は、例えば出射軸ＥＡと法線軸ＮＡとを含む平面上における交差角度により規定することが可能である。
同様に、放射線Ｒの出射軸ＥＡと法線軸ＮＡとの間の角度を大きくとれば、法線軸ＮＡに沿って最も多く放出されるデブリの、入射チャンバ４への進入を抑制することが可能となる。
入射軸ＩＡと法線軸ＮＡとの間の角度は、例えば入射軸ＩＡと法線軸ＮＡとを含む平面上における交差角度により規定することが可能である。同様に、出射軸ＥＡと法線軸ＮＡとの間の角度は、例えば出射軸ＥＡと法線軸ＮＡとを含む平面上における交差角度により規定することが可能である。
【0110】
例えば、入射軸ＩＡと法線軸ＮＡとの間の角度、又は出射軸ＥＡと法線軸ＮＡとの間の角度の少なくとも一方が、３０度から６０度までの範囲に含まれるように光源装置１を構成する。これにより、デブリの影響を抑制することが可能となった。
また、入射軸ＩＡと法線軸ＮＡとの間の角度、及び出射軸ＥＡと法線軸ＮＡとの間の角度の各々が、３０度から６０度までの範囲に含まれるように光源装置１を構成してもよい。この場合でも、デブリに影響を抑制することが可能である。
また、入射軸ＩＡと法線軸ＮＡとの間の角度、及び出射軸ＥＡと法線軸ＮＡとの間の角度の各々が、３０度から６０度までの範囲に含まれるように光源装置１を構成してもよい。この場合でも、デブリに影響を抑制することが可能である。
【0111】
図６に示すように、入射チャンバ４と出射チャンバ５との配置を入れ替えることも可能である。
図４に示す構成例では、法線軸ＮＡに対して、出射軸ＥＡよりも入射軸ＩＡの方が、より遠くに位置している。従って、図４に示す構成例では、入射チャンバ４へのデブリの進入を、出射チャンバ５へのデブリの進入よりも、より大きく抑制すること可能である。
図６に示す構成例では、法線軸ＮＡに対して、入射軸ＩＡよりも出射軸ＥＡの方が、より遠くに位置している。従って、図６に示す構成例では、出射チャンバ５へのデブリの進入を、入射チャンバ４へのデブリの進入よりも、より大きく抑制することが可能である。
このように、入射チャンバ４及び出射チャンバ５のうち、デブリの進入をより大きく抑制したいチャンバを法線軸ＮＡから遠ざけるといった設計も可能である。これにより、デブリの影響を十分に抑制することが可能となる。
図４に示す構成例では、法線軸ＮＡに対して、出射軸ＥＡよりも入射軸ＩＡの方が、より遠くに位置している。従って、図４に示す構成例では、入射チャンバ４へのデブリの進入を、出射チャンバ５へのデブリの進入よりも、より大きく抑制すること可能である。
図６に示す構成例では、法線軸ＮＡに対して、入射軸ＩＡよりも出射軸ＥＡの方が、より遠くに位置している。従って、図６に示す構成例では、出射チャンバ５へのデブリの進入を、入射チャンバ４へのデブリの進入よりも、より大きく抑制することが可能である。
このように、入射チャンバ４及び出射チャンバ５のうち、デブリの進入をより大きく抑制したいチャンバを法線軸ＮＡから遠ざけるといった設計も可能である。これにより、デブリの影響を十分に抑制することが可能となる。
【0112】
以上、本実施形態に係る光源装置１では、回転可能に構成された回転体２２の表面２２ａにプラズマ原料２３が供給されエネルギービームＥＢが照射される。これによりプラズマＰが生成され、放射線Ｒが出射される。
回転体２２は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡと放射線Ｒの出射軸ＥＡとの間の軸間領域５４から、エネルギービームＥＢが入射する入射領域２５における法線軸ＮＡが外れるように配置される。
これにより、プラズマＰの発生にともなうデブリの影響を抑制することが可能となる。
回転体２２は、エネルギービームＥＢの入射軸ＩＡと放射線Ｒの出射軸ＥＡとの間の軸間領域５４から、エネルギービームＥＢが入射する入射領域２５における法線軸ＮＡが外れるように配置される。
これにより、プラズマＰの発生にともなうデブリの影響を抑制することが可能となる。
【0113】
光源装置１では、板形状の回転体２２の２つの主面のうち、一方の主面を表面２２ａとして、エネルギービームＥＢが入射する入射領域２５が設定される。これにより、例えば回転体２２の端面（側面）にエネルギービームＥＢを入射する場合と比べて、装置設計が容易となり、また装置の簡素化を図ることが可能となる。また、各部材の配置設計等の自由度を向上させることが可能となる。
また、回転体２２に供給されるプラズマ原料（放射線原料）が液体の場合、前記回転体２２の回転速度によっては、当該回転体２２の端面からプラズマ原料が離脱してドロップレットとして飛散する。すなわち、回転体２２の端面（側面）に供給されるプラズマ原料の状態が安定しないので、端面におけるエネルギービームＥＢが照射される領域のプラズマ原料の形状（プラズマ原料の厚み）が安定しない可能性が高く、結果としてプラズマから放射される放射線の強度が安定しない可能性がある。よって、回転体２２の端面（側面）よりも前記表面２２ａにエネルギービームＥＢを照射することが好ましい。
また、回転体２２に供給されるプラズマ原料（放射線原料）が液体の場合、前記回転体２２の回転速度によっては、当該回転体２２の端面からプラズマ原料が離脱してドロップレットとして飛散する。すなわち、回転体２２の端面（側面）に供給されるプラズマ原料の状態が安定しないので、端面におけるエネルギービームＥＢが照射される領域のプラズマ原料の形状（プラズマ原料の厚み）が安定しない可能性が高く、結果としてプラズマから放射される放射線の強度が安定しない可能性がある。よって、回転体２２の端面（側面）よりも前記表面２２ａにエネルギービームＥＢを照射することが好ましい。
【0114】
＜その他の実施形態＞
本発明は、以上説明した実施形態に限定されず、他の種々の実施形態を実現することができる。
本発明は、以上説明した実施形態に限定されず、他の種々の実施形態を実現することができる。
【0115】
各図面を参照して説明した光源装置、回転体、各種チャンバ、原料供給機構等の各構成はあくまで一実施形態であり、本技術の趣旨を逸脱しない範囲で、任意に変形可能である。すなわち本技術を実施するための他の任意の構成が採用されてよい。
【0116】
本開示において、説明の理解を容易とするために、「略」「ほぼ」「おおよそ」等の文言が適宜使用されている。一方で、これら「略」「ほぼ」「おおよそ」等の文言を使用する場合と使用しない場合とで、明確な差異が規定されるわけではない。
すなわち、本開示において、「中心」「中央」「均一」「等しい」「同じ」「直交」「平行」「対称」「延在」「軸方向」「円柱形状」「円筒形状」「リング形状」「円環形状」等の、形状、サイズ、位置関係、状態等を規定する概念は、「実質的に中心」「実質的に中央」「実質的に均一」「実質的に等しい」「実質的に同じ」「実質的に直交」「実質的に平行」「実質的に対称」「実質的に延在」「実質的に軸方向」「実質的に円柱形状」「実質的に円筒形状」「実質的にリング形状」「実質的に円環形状」等を含む概念とする。
例えば「完全に中心」「完全に中央」「完全に均一」「完全に等しい」「完全に同じ」「完全に直交」「完全に平行」「完全に対称」「完全に延在」「完全に軸方向」「完全に円柱形状」「完全に円筒形状」「完全にリング形状」「完全に円環形状」等を基準とした所定の範囲（例えば±１０％の範囲）に含まれる状態も含まれる。
従って、「略」「ほぼ」「おおよそ」等の文言が付加されていない場合でも、いわゆる「略」「ほぼ」「おおよそ」等を付加して表現され得る概念が含まれ得る。反対に、「略」「ほぼ」「おおよそ」等を付加して表現された状態について、完全な状態が必ず排除されるというわけではない。
すなわち、本開示において、「中心」「中央」「均一」「等しい」「同じ」「直交」「平行」「対称」「延在」「軸方向」「円柱形状」「円筒形状」「リング形状」「円環形状」等の、形状、サイズ、位置関係、状態等を規定する概念は、「実質的に中心」「実質的に中央」「実質的に均一」「実質的に等しい」「実質的に同じ」「実質的に直交」「実質的に平行」「実質的に対称」「実質的に延在」「実質的に軸方向」「実質的に円柱形状」「実質的に円筒形状」「実質的にリング形状」「実質的に円環形状」等を含む概念とする。
例えば「完全に中心」「完全に中央」「完全に均一」「完全に等しい」「完全に同じ」「完全に直交」「完全に平行」「完全に対称」「完全に延在」「完全に軸方向」「完全に円柱形状」「完全に円筒形状」「完全にリング形状」「完全に円環形状」等を基準とした所定の範囲（例えば±１０％の範囲）に含まれる状態も含まれる。
従って、「略」「ほぼ」「おおよそ」等の文言が付加されていない場合でも、いわゆる「略」「ほぼ」「おおよそ」等を付加して表現され得る概念が含まれ得る。反対に、「略」「ほぼ」「おおよそ」等を付加して表現された状態について、完全な状態が必ず排除されるというわけではない。
【0117】
本開示において、「Ａより大きい」「Ａより小さい」といった「より」を使った表現は、Ａと同等である場合を含む概念と、Ａと同等である場合を含なまい概念の両方を包括的に含む表現である。例えば「Ａより大きい」は、Ａと同等は含まない場合に限定されず、「Ａ以上」も含む。また「Ａより小さい」は、「Ａ未満」に限定されず、「Ａ以下」も含む。
本技術を実施する際には、上記で説明した効果が発揮されるように、「Ａより大きい」及び「Ａより小さい」に含まれる概念から、具体的な設定等を適宜採用すればよい。
本技術を実施する際には、上記で説明した効果が発揮されるように、「Ａより大きい」及び「Ａより小さい」に含まれる概念から、具体的な設定等を適宜採用すればよい。
【0118】
以上説明した本技術に係る特徴部分のうち、少なくとも２つの特徴部分を組み合わせることも可能である。すなわち各実施形態で説明した種々の特徴部分は、各実施形態の区別なく、任意に組み合わされてもよい。また上記で記載した種々の効果は、あくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果が発揮されてもよい。
【符号の説明】
【0119】
ＥＡ…放射線の出射軸
ＥＢ…エネルギービーム
ＩＡ…エネルギービームの入射軸
ＮＡ…入射領域における法線軸
Ｒ…放射線
１…光源装置
３…真空チャンバ
４…エネルギービーム入射チャンバ
５…放射線出射チャンバ
６…原料供給機構
１５…外側突出部
１６、１７…内側突出部
２１…プラズマ生成領域
２２…回転体
２２ａ…回転体の表面
２３…プラズマ原料
２４…コンテナ
２５…入射領域
２６…入射側アパーチャ
３４…出射側アパーチャ
３９…回転軸
４０…スキマー
４１…プラズマ原料循環装置
５４…軸間領域
５５…ガスノズル
ＥＢ…エネルギービーム
ＩＡ…エネルギービームの入射軸
ＮＡ…入射領域における法線軸
Ｒ…放射線
１…光源装置
３…真空チャンバ
４…エネルギービーム入射チャンバ
５…放射線出射チャンバ
６…原料供給機構
１５…外側突出部
１６、１７…内側突出部
２１…プラズマ生成領域
２２…回転体
２２ａ…回転体の表面
２３…プラズマ原料
２４…コンテナ
２５…入射領域
２６…入射側アパーチャ
３４…出射側アパーチャ
３９…回転軸
４０…スキマー
４１…プラズマ原料循環装置
５４…軸間領域
５５…ガスノズル
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】