特開2023-14993深く空乏したチャネルを有する半導体デバイスおよびその製造方法

発明の名称　深く空乏したチャネルを有する半導体デバイスおよびその製造方法

出願人　三重富士通セミコンダクター株式会社　（識別番号 315002243）

　　　　特許公開件数ランキング 6922 位（2件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 2705 位（5件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2023-14993

公報発行日　2023年1月31

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2023-14993

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