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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023150685
(43)【公開日】2023-10-16
(54)【発明の名称】光学製品及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
G02B 1/116 20150101AFI20231005BHJP
G02B 1/18 20150101ALI20231005BHJP
C03C 17/38 20060101ALI20231005BHJP
C23C 14/08 20060101ALI20231005BHJP
C23C 14/06 20060101ALI20231005BHJP
B32B 7/023 20190101ALI20231005BHJP
B32B 9/00 20060101ALI20231005BHJP
【ＦＩ】
G02B1/116
G02B1/18
C03C17/38
C23C14/08 D
C23C14/06 P
B32B7/023
B32B9/00 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022059908
(22)【出願日】2022-03-31
(71)【出願人】
【識別番号】000219738
【氏名又は名称】東海光学株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100078721
【弁理士】
【氏名又は名称】石田 喜樹
(74)【代理人】
【識別番号】100124420
【弁理士】
【氏名又は名称】園田 清隆
(72)【発明者】
【氏名】山口 達也
【テーマコード（参考）】
2K009
4F100
4G059
4K029
【Ｆターム（参考）】
2K009AA02
2K009CC02
2K009CC03
2K009CC42
2K009DD04
2K009EE05
4F100AA12D
4F100AA17E
4F100AA20C
4F100AA28E
4F100AG00A
4F100AH08C
4F100AK45A
4F100AT00A
4F100BA05
4F100BA07
4F100EH66C
4F100EH66D
4F100EH66E
4F100EJ65B
4F100GB41
4F100JG01E
4F100JG03
4F100JK09
4F100JL06E
4F100JN06C
4F100JN18A
4F100JN18C
4F100JN18D
4G059AA01
4G059AC04
4G059EA03
4G059EA05
4G059EA12
4G059FA05
4G059GA02
4G059GA04
4G059GA16
4K029AA09
4K029AA24
4K029BA45
4K029BA46
4K029BA47
4K029BA50
4K029BA58
4K029BA62
4K029BB02
4K029BC07
4K029CA05
4K029CA06
4K029DC03
4K029DC05
4K029DC06
4K029FA04
(57)【要約】
【課題】帯電防止性能、耐スクラッチ性能、及び反射防止性能がより高い水準で共存する光学製品、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光学製品１において、基材２の片面側に、直接光学多層膜４が形成されている。光学多層膜４は、反射防止部１０と、最も空気側に配置される表層部１２と、を備えている。表層部１２は、防汚膜を含んでいる。反射防止部１０は、低屈折率材料製の複数の低屈折率層Ｌと、高屈折率材料製の複数の高屈折率層Ｈと、ＩＴＯ製のＩＴＯ層１４と、を有している。高屈折率材料は、Ｓｉ３Ｎ４である。反射防止部１０の基材２側から数えて１層目は、高屈折率層Ｈである。反射防止部１０の基材２側から数えて２層目は、ＩＴＯ層１４である。
【選択図】図１
【解決手段】光学製品１において、基材２の片面側に、直接光学多層膜４が形成されている。光学多層膜４は、反射防止部１０と、最も空気側に配置される表層部１２と、を備えている。表層部１２は、防汚膜を含んでいる。反射防止部１０は、低屈折率材料製の複数の低屈折率層Ｌと、高屈折率材料製の複数の高屈折率層Ｈと、ＩＴＯ製のＩＴＯ層１４と、を有している。高屈折率材料は、Ｓｉ３Ｎ４である。反射防止部１０の基材２側から数えて１層目は、高屈折率層Ｈである。反射防止部１０の基材２側から数えて２層目は、ＩＴＯ層１４である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基材の少なくとも片面側に、直接又は中間膜を介して光学多層膜が形成された光学製品であって、
前記光学多層膜は、反射防止部と、最も空気側に配置される表層部と、を備えており、
前記表層部は、防汚膜を含んでおり、
前記反射防止部は、低屈折率材料製の複数の低屈折率層と、高屈折率材料製の複数の高屈折率層と、ＩＴＯ製のＩＴＯ層と、を有しており、
前記高屈折率材料は、Ｓｉ３Ｎ４であり、
前記反射防止部の前記基材側から数えて１層目は、前記高屈折率層であり、
前記反射防止部の前記基材側から数えて２層目は、前記ＩＴＯ層である
ことを特徴とする光学製品。
前記光学多層膜は、反射防止部と、最も空気側に配置される表層部と、を備えており、
前記表層部は、防汚膜を含んでおり、
前記反射防止部は、低屈折率材料製の複数の低屈折率層と、高屈折率材料製の複数の高屈折率層と、ＩＴＯ製のＩＴＯ層と、を有しており、
前記高屈折率材料は、Ｓｉ３Ｎ４であり、
前記反射防止部の前記基材側から数えて１層目は、前記高屈折率層であり、
前記反射防止部の前記基材側から数えて２層目は、前記ＩＴＯ層である
ことを特徴とする光学製品。
【請求項2】
前記低屈折率材料は、ＳｉＯ２である
ことを特徴とする請求項１に記載の光学製品。
ことを特徴とする請求項１に記載の光学製品。
【請求項3】
４２５ｎｍ以上６２５ｎｍ以下の波長域における両面反射率の平均が１％以下である
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光学製品。
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光学製品。
【請求項4】
前記反射防止部の前記基材側から数えて３層目以降の奇数層目は、前記高屈折率層であり、
前記反射防止部の前記基材側から数えて４層目以降の偶数層目は、前記低屈折率層である
ことを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の光学製品。
前記反射防止部の前記基材側から数えて４層目以降の偶数層目は、前記低屈折率層である
ことを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の光学製品。
【請求項5】
前記反射防止部の層数は、前記ＩＴＯ層を含めて１６である
ことを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載の光学製品。
ことを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載の光学製品。
【請求項6】
前記表層部は、有機ケイ素化合物製である
ことを特徴とする請求項１から請求項５の何れかに記載の光学製品。
ことを特徴とする請求項１から請求項５の何れかに記載の光学製品。
【請求項7】
前記高屈折率層、前記低屈折率層及び前記ＩＴＯ層の少なくとも何れかは、スパッタ法により形成されている
ことを特徴とする請求項１から請求項６の何れかに記載の光学製品。
ことを特徴とする請求項１から請求項６の何れかに記載の光学製品。
【請求項8】
請求項１から請求項６の何れかに記載の光学製品における前記高屈折率層、前記低屈折率層及び前記ＩＴＯ層の少なくとも何れかを、スパッタ法により前記基材の片面側に、直接又は中間膜を介して形成することで、前記反射防止部を形成し、
その後、前記表層部を形成する
ことを特徴とする光学製品の製造方法。
その後、前記表層部を形成する
ことを特徴とする光学製品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、所定波長域の光の反射が抑制される反射防止機能を有する光学製品、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
反射防止膜用の積層体として、特開２００５－２８８７１２号公報（特許文献１）に記載されたものが知られている。
この積層体は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の帯電防止層と、一の塗布工程により低屈折率層及び高屈折率層を形成可能な液状樹脂組成物を硬化してなる硬化膜層と、を有している。
この積層体は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の帯電防止層と、一の塗布工程により低屈折率層及び高屈折率層を形成可能な液状樹脂組成物を硬化してなる硬化膜層と、を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００５－２８８７１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
この積層体では、帯電防止層により帯電防止性を有すると共に、硬化膜により耐裂傷性を有している。
しかし、低屈折率層及び高屈折率層がそれぞれ１層ずつしか存在せず、全光線透過率が９５％程度となるような反射防止性しか得られない。
しかし、低屈折率層及び高屈折率層がそれぞれ１層ずつしか存在せず、全光線透過率が９５％程度となるような反射防止性しか得られない。
【0005】
本開示の主な目的は、帯電防止性能、耐裂傷（耐スクラッチ）性能、及び反射防止性能がより高い水準で共存する光学製品、及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本明細書は、光学製品を開示する。この光学製品は、基材の少なくとも片面側に、直接又は中間膜を介して光学多層膜を有している。光学多層膜は、反射防止部と、最も空気側に配置される表層部と、を備えている。表層部は、防汚膜を含んでいる。反射防止部は、低屈折率材料製の複数の低屈折率層と、高屈折率材料製の複数の高屈折率層と、ＩＴＯ製のＩＴＯ層と、を有している。高屈折率材料は、Ｓｉ３Ｎ４である。反射防止部の基材側から数えて１層目は、高屈折率層である。反射防止部の基材側から数えて２層目は、ＩＴＯ層である。
又、本明細書は、光学製品の製造方法を開示する。この光学製品の製造方法は、上述の光学製品における高屈折率層、低屈折率層及びＩＴＯ層の少なくとも何れかを、スパッタ法により基材の片面側に、直接又は中間膜を介して形成することで、反射防止部を形成し、その後、表層部を形成する。
又、本明細書は、光学製品の製造方法を開示する。この光学製品の製造方法は、上述の光学製品における高屈折率層、低屈折率層及びＩＴＯ層の少なくとも何れかを、スパッタ法により基材の片面側に、直接又は中間膜を介して形成することで、反射防止部を形成し、その後、表層部を形成する。
【発明の効果】
【0007】
本開示の主な効果は、帯電防止性能、耐スクラッチ性能、及び反射防止性能がより高い水準で共存する光学製品、及びその製造方法が提供されることである。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本発明に係る実施の形態の例が説明される。
本発明は、以下の形態に限定されない。
本発明は、以下の形態に限定されない。
【0010】
≪光学製品の構成等≫
図１に示されるように、本発明に係る光学製品１は、板状の基材２と、その片面（成膜面Ｍ）に直接形成される光学多層膜４と、を有している。
尚、基材２は、ブロック状等、板状以外の形状であっても良い。成膜面Ｍは、平面であっても良いし、曲面であっても良い。成膜面Ｍ及び光学多層膜４は、基材２の両面に設けられる等、複数設けられても良い。成膜面Ｍは、複数設けられた場合、成膜面Ｍ毎に互いに異なる形状であっても良い。光学多層膜４は、複数設けられた場合、光学多層膜４毎に互いに同じ（基材２を中心に対称な）構成であっても良いし、互いに異なる構成であっても良い。又、光学多層膜４は、成膜面Ｍに、中間膜を介して形成されても良い。光学多層膜４が複数設けられた場合、中間膜は、その有無を含めて、基材２から見て互いに同じ態様であっても良いし、互いに異なる態様であっても良い。基材２において、本発明の光学多層膜４と、本発明に属さない光学膜（単層膜又は光学多層膜）とが併存していても良い。
図１に示されるように、本発明に係る光学製品１は、板状の基材２と、その片面（成膜面Ｍ）に直接形成される光学多層膜４と、を有している。
尚、基材２は、ブロック状等、板状以外の形状であっても良い。成膜面Ｍは、平面であっても良いし、曲面であっても良い。成膜面Ｍ及び光学多層膜４は、基材２の両面に設けられる等、複数設けられても良い。成膜面Ｍは、複数設けられた場合、成膜面Ｍ毎に互いに異なる形状であっても良い。光学多層膜４は、複数設けられた場合、光学多層膜４毎に互いに同じ（基材２を中心に対称な）構成であっても良いし、互いに異なる構成であっても良い。又、光学多層膜４は、成膜面Ｍに、中間膜を介して形成されても良い。光学多層膜４が複数設けられた場合、中間膜は、その有無を含めて、基材２から見て互いに同じ態様であっても良いし、互いに異なる態様であっても良い。基材２において、本発明の光学多層膜４と、本発明に属さない光学膜（単層膜又は光学多層膜）とが併存していても良い。
【0011】
基材２は、透明（半透明を適宜含む）であれば、ポリカーボネイト等の樹脂（プラスチック）、あるいはガラスを始めとしていかなる材質であっても良いところ、好ましくはアルカリ元素を含んだガラスであり、より好ましくは強化ガラスであり、例えば化学強化ガラスである。
強化ガラス製の基材２は、表面に圧縮応力層が形成されているので、表面にクラックが生じたとしても、圧縮応力によりクラックの成長が抑制され、通常の（強化処理されていない）ガラス製の基材２よりも衝撃に強い。
又、基材２は、好ましくは巻き取り不能であり、ロール化不能であるものが好ましい。塑性変形を生じない限り巻き取れない程度に柔軟でない基板であれば、光学多層膜４等がより一層安定して形成され、光学製品１がより一層頑丈になる。
強化ガラス製の基材２は、表面に圧縮応力層が形成されているので、表面にクラックが生じたとしても、圧縮応力によりクラックの成長が抑制され、通常の（強化処理されていない）ガラス製の基材２よりも衝撃に強い。
又、基材２は、好ましくは巻き取り不能であり、ロール化不能であるものが好ましい。塑性変形を生じない限り巻き取れない程度に柔軟でない基板であれば、光学多層膜４等がより一層安定して形成され、光学製品１がより一層頑丈になる。
【0012】
光学多層膜４は、基材２（成膜面Ｍ）に対して形成される。
光学多層膜４は、少なくとも光学的な機能を発揮するために形成され、ここでは、少なくとも反射防止機能を発揮するために形成される。
光学多層膜４は、反射防止部１０と、表層部１２と、を有する。表層部１２は、反射防止部１０の上（基材２と反対側，空気側）に形成される。尚、反射防止部１０は、反射防止膜として捉えられても良く、表層部１２は、表層膜として捉えられても良い。
光学多層膜４は、少なくとも光学的な機能を発揮するために形成され、ここでは、少なくとも反射防止機能を発揮するために形成される。
光学多層膜４は、反射防止部１０と、表層部１２と、を有する。表層部１２は、反射防止部１０の上（基材２と反対側，空気側）に形成される。尚、反射防止部１０は、反射防止膜として捉えられても良く、表層部１２は、表層膜として捉えられても良い。
【0013】
反射防止部１０は、低屈折率材料から形成された低屈折率層Ｌと、高屈折率材料から形成された高屈折率層Ｈとを交互に積層して形成される。
低屈折率材料は、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）である。尚、低屈折率材料は、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、あるいはＳｉＯ２を含むこれらの二種以上の混合物であっても良い。
高屈折率材料は、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）である。Ｓｉ３Ｎ４により、他の一般的な高屈折率材料に比べてより大きい硬度の層がもたらされ、光学多層膜４の高硬度化、ひいては耐スクラッチ性の向上に寄与する。Ｓｉ３Ｎ４の屈折率は、約１．７であり、中屈折材料とも捉え得る。
反射防止部１０は、高屈折率層ＨとしてＳｉ３Ｎ４製のＳｉ３Ｎ４層を有することから、好ましくはスパッタ法により形成される。
低屈折率材料は、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）である。尚、低屈折率材料は、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、あるいはＳｉＯ２を含むこれらの二種以上の混合物であっても良い。
高屈折率材料は、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）である。Ｓｉ３Ｎ４により、他の一般的な高屈折率材料に比べてより大きい硬度の層がもたらされ、光学多層膜４の高硬度化、ひいては耐スクラッチ性の向上に寄与する。Ｓｉ３Ｎ４の屈折率は、約１．７であり、中屈折材料とも捉え得る。
反射防止部１０は、高屈折率層ＨとしてＳｉ３Ｎ４製のＳｉ３Ｎ４層を有することから、好ましくはスパッタ法により形成される。
【0014】
又、反射防止部１０は、帯電防止機能を具備するため、導電性を呈するＩＴＯ製のＩＴＯ層１４を有する。ＩＴＯの屈折率は、可視域（例えば４００ｎｍ以上６８０ｎｍ以下の波長域）で２．１以上２．２以下程度であるため、ＩＴＯ層１４は、高屈折率層Ｈとして扱い得る。
ＩＴＯ層１４は、好ましくはスパッタ法により形成される。
ＩＴＯ層１４は、好ましくはスパッタ法により形成される。
【0015】
反射防止部１０、即ち高屈折率層Ｈ、低屈折率層Ｌ及びＩＴＯ層１４の少なくとも何れかは、スパッタ法により形成されたものと特定可能である。
例えば、スパッタ法により形成されたＳｉ３Ｎ４製の高屈折率層Ｈは、Ｓｉ３Ｎ４製であることは容易に分かるものの、スパッタ法で形成されたＳｉ３Ｎ４の微細構造を直接同定することは、層全体を原子の見られる電子顕微鏡等で観察し尽くしたとしてもなお検討を要して現実的でなく、当業者にとっても直接の測定が極めて困難である。従って、スパッタ法により形成された高屈折率層Ｈと特定されることは有用であり、更に適宜スパッタ時の各種の条件等で高屈折率層Ｈが特定されることは、当業者にとって分かり易く有用である。
この点、低屈折率層Ｌ及びＩＴＯ層１４においても、同様である。
又、スパッタにおいてラジカルガス（プラズマガス）が導入される場合、例えばラジカル処理（プラズマ処理）された高屈折率層Ｈと特定されることは、ラジカル処理（プラズマ処理）の有無による高屈折率層Ｈの微細構造の相違が直接同定困難である（直接同定が現実的でない）ことから有用である。この場合、ラジカルガス（プラズマガス）の導入条件及び成膜室の条件の少なくとも一方等の各種の条件によって更に高屈折率層Ｈが特定されても良い。この点、低屈折率層Ｌ及びＩＴＯ層１４においても、同様である。
例えば、スパッタ法により形成されたＳｉ３Ｎ４製の高屈折率層Ｈは、Ｓｉ３Ｎ４製であることは容易に分かるものの、スパッタ法で形成されたＳｉ３Ｎ４の微細構造を直接同定することは、層全体を原子の見られる電子顕微鏡等で観察し尽くしたとしてもなお検討を要して現実的でなく、当業者にとっても直接の測定が極めて困難である。従って、スパッタ法により形成された高屈折率層Ｈと特定されることは有用であり、更に適宜スパッタ時の各種の条件等で高屈折率層Ｈが特定されることは、当業者にとって分かり易く有用である。
この点、低屈折率層Ｌ及びＩＴＯ層１４においても、同様である。
又、スパッタにおいてラジカルガス（プラズマガス）が導入される場合、例えばラジカル処理（プラズマ処理）された高屈折率層Ｈと特定されることは、ラジカル処理（プラズマ処理）の有無による高屈折率層Ｈの微細構造の相違が直接同定困難である（直接同定が現実的でない）ことから有用である。この場合、ラジカルガス（プラズマガス）の導入条件及び成膜室の条件の少なくとも一方等の各種の条件によって更に高屈折率層Ｈが特定されても良い。この点、低屈折率層Ｌ及びＩＴＯ層１４においても、同様である。
【0016】
反射防止部１０は、反射防止機能を有することから、好ましくはＩＴＯ層１４を含めて１７層以上とされる。Ｓｉ３Ｎ４の屈折率が高屈折率材料としては比較的低いため、所望の反射防止性能を得るために比較的多くの層数が必要となる。
光学多層膜４において、最も基材２側の層（基材２に最も近い層）を１層目とすると、反射防止部１０の１層目は、高屈折率層Ｈである。ＩＴＯ層１４は、高屈折率層Ｈを介して基材２に形成されるため、ＩＴＯ層１４の密着性は、ＩＴＯ層１４が基材２に直接形成される場合に比べ、より大きくなる。
又、反射防止部１０において、ＩＴＯ層１４は、２層目に配置される。ＩＴＯ層１４は、他の層に比べ、耐スクラッチ性で劣るところ、できるだけ基材２の側に配置されているため、ＩＴＯ層１４が外力から保護されて、光学製品１の耐スクラッチ性が向上する。
更に、反射防止部１０の３層目以上において、奇数層目は、高屈折率層Ｈであり、偶数層目は、低屈折率層Ｌである。
反射防止部１０の最表層（表層部１２に基材２側で隣接する層）は、低屈折率層Ｌである。
反射防止部１０では、ＩＴＯ層１４を除き、高屈折率材料（Ｓｉ３Ｎ４）及び低屈折率材料（ＳｉＯ２）が１種ずつ用いられるため、膜設計がより容易であり、成膜コストがより低廉である。
光学多層膜４において、最も基材２側の層（基材２に最も近い層）を１層目とすると、反射防止部１０の１層目は、高屈折率層Ｈである。ＩＴＯ層１４は、高屈折率層Ｈを介して基材２に形成されるため、ＩＴＯ層１４の密着性は、ＩＴＯ層１４が基材２に直接形成される場合に比べ、より大きくなる。
又、反射防止部１０において、ＩＴＯ層１４は、２層目に配置される。ＩＴＯ層１４は、他の層に比べ、耐スクラッチ性で劣るところ、できるだけ基材２の側に配置されているため、ＩＴＯ層１４が外力から保護されて、光学製品１の耐スクラッチ性が向上する。
更に、反射防止部１０の３層目以上において、奇数層目は、高屈折率層Ｈであり、偶数層目は、低屈折率層Ｌである。
反射防止部１０の最表層（表層部１２に基材２側で隣接する層）は、低屈折率層Ｌである。
反射防止部１０では、ＩＴＯ層１４を除き、高屈折率材料（Ｓｉ３Ｎ４）及び低屈折率材料（ＳｉＯ２）が１種ずつ用いられるため、膜設計がより容易であり、成膜コストがより低廉である。
【0017】
表層部１２は、表面の滑り性をより大きくして耐スクラッチ性を付与あるいは向上するため、反射防止部１０より空気側に配置される膜であり、防汚膜（撥水膜，撥油膜）である。尚、表層部１２により、光学製品１において、更に防汚機能が付与される。
表層部１２は、好ましくは有機ケイ素化合物製であり、より好ましくは、有機ケイ素化合物を重縮合させたものである。重縮合によって、被膜の厚膜化及び緻密化が可能となり、反射防止部１０との密着性及び表面硬度が高くなって、撥水性に加え撥油性も呈するものとなり、滑り性に優れた被膜が得られ易くなる。
表層部１２は、公知の蒸着法あるいはイオンスパッタリング法等により形成される。反射防止部１０（好ましくはスパッタ法）と表層部１２とで製法が異なる場合、反射防止部１０の形成後に装置を変えて表層部１２が形成される。
重縮合前の有機ケイ素化合物は、好ましくは、－ＳｉＲｙＸ３－ｙ（Ｒは１価の有機基、Ｘは加水分解可能な基、ｙは０から２までの整数）で表される含ケイ素官能基を有する化合物である。ここで、Ｘとしては、例えば－ＯＣＨ３，－ＯＣＨ２ＣＨ３等のアルコキシ基、－ＯＣＯＣＨ３等のアシロキシ基、－ＯＮ＝ＣＲａＲｂ等のケトオキシム基（Ｒａ，Ｒｂはそれぞれ一価の有機基を表す）、－Ｃｌ，－Ｂｒ等のハロゲン基、－ＮＲｃＲｄ等のアミノ基（Ｒｃ，Ｒｄはそれぞれ一価の有機基を表す）等の基が挙げられる。
このような有機ケイ素化合物としては、含フッ素有機ケイ素化合物が好適である。含フッ素有機ケイ素化合物は、撥水撥油性、電気絶縁性、離型性、耐溶剤性、潤滑性、耐熱性、消泡性に総合的に優れている。特に、分子内にパーフルオロアルキル基あるいはパーフルオロポリエーテル基を持つ分子量１０００～５００００程度の比較的大きな有機ケイ素化合物は、滑り性に優れる。
表層部１２は、好ましくは有機ケイ素化合物製であり、より好ましくは、有機ケイ素化合物を重縮合させたものである。重縮合によって、被膜の厚膜化及び緻密化が可能となり、反射防止部１０との密着性及び表面硬度が高くなって、撥水性に加え撥油性も呈するものとなり、滑り性に優れた被膜が得られ易くなる。
表層部１２は、公知の蒸着法あるいはイオンスパッタリング法等により形成される。反射防止部１０（好ましくはスパッタ法）と表層部１２とで製法が異なる場合、反射防止部１０の形成後に装置を変えて表層部１２が形成される。
重縮合前の有機ケイ素化合物は、好ましくは、－ＳｉＲｙＸ３－ｙ（Ｒは１価の有機基、Ｘは加水分解可能な基、ｙは０から２までの整数）で表される含ケイ素官能基を有する化合物である。ここで、Ｘとしては、例えば－ＯＣＨ３，－ＯＣＨ２ＣＨ３等のアルコキシ基、－ＯＣＯＣＨ３等のアシロキシ基、－ＯＮ＝ＣＲａＲｂ等のケトオキシム基（Ｒａ，Ｒｂはそれぞれ一価の有機基を表す）、－Ｃｌ，－Ｂｒ等のハロゲン基、－ＮＲｃＲｄ等のアミノ基（Ｒｃ，Ｒｄはそれぞれ一価の有機基を表す）等の基が挙げられる。
このような有機ケイ素化合物としては、含フッ素有機ケイ素化合物が好適である。含フッ素有機ケイ素化合物は、撥水撥油性、電気絶縁性、離型性、耐溶剤性、潤滑性、耐熱性、消泡性に総合的に優れている。特に、分子内にパーフルオロアルキル基あるいはパーフルオロポリエーテル基を持つ分子量１０００～５００００程度の比較的大きな有機ケイ素化合物は、滑り性に優れる。
【0018】
上記の光学製品１において、例えば基材２はレンズ用フィルタ基材であり、光学製品はレンズ用フィルタである。この場合の代表的用途は、レンズの保護の目的でレンズの近傍（レンズの前，上等）に装着するものであり、レンズの代表例は、カメラレンズである。
レンズ用フィルタは、眼鏡レンズに比べ、プラスチックレンズ基体とされるニーズが小さく、フィルタによる色付き及び光量減の少なくとも一方を抑制するために可視域の分光反射率分布を極めて低い（例えば全域であるいは域内平均で１％以下の）反射率でフラットにするニーズが大きいところ、上記の光学製品１はかような需要に良く適合し得る。
又、レンズ用フィルタを始めとする光学製品において、更に耐スクラッチ性及び帯電防止性少なくとも一方の具備が、品質低下を抑制した状態での長寿命化、及び粉塵等の付着抑制によるメンテナンス性の向上の少なくとも一方のために望まれているところ、上記の光学製品１はかような需要に良く適合し得る。
レンズ用フィルタは、眼鏡レンズに比べ、プラスチックレンズ基体とされるニーズが小さく、フィルタによる色付き及び光量減の少なくとも一方を抑制するために可視域の分光反射率分布を極めて低い（例えば全域であるいは域内平均で１％以下の）反射率でフラットにするニーズが大きいところ、上記の光学製品１はかような需要に良く適合し得る。
又、レンズ用フィルタを始めとする光学製品において、更に耐スクラッチ性及び帯電防止性少なくとも一方の具備が、品質低下を抑制した状態での長寿命化、及び粉塵等の付着抑制によるメンテナンス性の向上の少なくとも一方のために望まれているところ、上記の光学製品１はかような需要に良く適合し得る。
【0019】
≪光学製品の製造装置等≫
次いで、上述の光学製品１を製造可能な製造装置の実施形態が、説明される。
尚、本発明に係る光学製品１の製造装置は、以下の形態に限定されない。
次いで、上述の光学製品１を製造可能な製造装置の実施形態が、説明される。
尚、本発明に係る光学製品１の製造装置は、以下の形態に限定されない。
【0020】
図２は、当該形態に係る製造装置１０１の模式的な上面図である。
製造装置１０１は、ドラム型スパッタ成膜装置（カルーセル型スパッタリング装置）であり、１以上の板状の基材２における片面に光学製品１を成膜するものである。
製造装置１０１は、成膜室としての真空室１０２と、その中央部において自身の軸周りで回転可能に配置された円筒状のドラム１０４と、を備えている。ドラム１０４の外周円筒面には、成膜対象としての基材２が、成膜面Ｍを外側に向けた状態で保持されている。
製造装置１０１は、ドラム型スパッタ成膜装置（カルーセル型スパッタリング装置）であり、１以上の板状の基材２における片面に光学製品１を成膜するものである。
製造装置１０１は、成膜室としての真空室１０２と、その中央部において自身の軸周りで回転可能に配置された円筒状のドラム１０４と、を備えている。ドラム１０４の外周円筒面には、成膜対象としての基材２が、成膜面Ｍを外側に向けた状態で保持されている。
【0021】
真空室１０２の一面には、第１スパッタ源１１０が配置されている。
第１スパッタ源１１０は、第１ターゲットＴ１をセットするスパッタカソード１１２と、一対の防着板１１４と、スパッタガスが適宜流量調整のうえで導入されるスパッタガス導入口１１６と、を備えている。
スパッタカソード１１２は、外部直流電源（図示略）と接続されている。
防着板１１４は、第１ターゲットＴ１とこれに対向するドラム１０４の部分との間を、他の真空室１０２の内部部分から区切るように配置されている。
スパッタガス導入口１１６は、防着板１１４によって区切られた空間へ向けてスパッタガスを流す。
第１スパッタ源１１０は、第１ターゲットＴ１をセットするスパッタカソード１１２と、一対の防着板１１４と、スパッタガスが適宜流量調整のうえで導入されるスパッタガス導入口１１６と、を備えている。
スパッタカソード１１２は、外部直流電源（図示略）と接続されている。
防着板１１４は、第１ターゲットＴ１とこれに対向するドラム１０４の部分との間を、他の真空室１０２の内部部分から区切るように配置されている。
スパッタガス導入口１１６は、防着板１１４によって区切られた空間へ向けてスパッタガスを流す。
【0022】
真空室１０２の別の一面には、第２スパッタ源１２０が配置されている。
第２スパッタ源１２０は、第１スパッタ源１１０と同様に、第２ターゲットＴ２をセットするスパッタカソード１２２と、一対の防着板１２４と、スパッタガス導入口１２６と、を備えている。
第２スパッタ源１２０は、第１スパッタ源１１０と同様に、第２ターゲットＴ２をセットするスパッタカソード１２２と、一対の防着板１２４と、スパッタガス導入口１２６と、を備えている。
【0023】
更に、真空室１０２の他の一面には、ラジカル源１３０が配置されている。
ラジカル源１３０は、ガスをバルブ１３２により流量調整のうえで導入可能なラジカルガス導入口１３４と、加速電圧用電源（図示略）により電圧が印加されることでプラズマを発生可能なガン１３６と、を有する。
ラジカルガス導入口１３４から真空室１０２の内部に導入されたガスは、ガン１３６が発生したプラズマによりラジカル化し、基材２に向かってビーム状に照射される。
ラジカル源１３０は、ガスをバルブ１３２により流量調整のうえで導入可能なラジカルガス導入口１３４と、加速電圧用電源（図示略）により電圧が印加されることでプラズマを発生可能なガン１３６と、を有する。
ラジカルガス導入口１３４から真空室１０２の内部に導入されたガスは、ガン１３６が発生したプラズマによりラジカル化し、基材２に向かってビーム状に照射される。
【0024】
加えて、ラジカル源１３０の両脇には、排気部１４０が設けられている。各排気部１４０では、真空室１０２内の排気が行われる。
尚、第１スパッタ源１１０、第２スパッタ源１２０、ラジカル源１３０及び各排気部１４０の少なくとも何れかの配置、及び設置数は、上述のものに限定されない。第１スパッタ源１１０、第２スパッタ源１２０、及びラジカル源１３０の少なくとも何れかにおける電流（電圧）は、直流に係るものであっても良いし、低周波、あるいは高周波（例えばＲａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ；ＲＦ）の交流に係るものであっても良い。
尚、第１スパッタ源１１０、第２スパッタ源１２０、ラジカル源１３０及び各排気部１４０の少なくとも何れかの配置、及び設置数は、上述のものに限定されない。第１スパッタ源１１０、第２スパッタ源１２０、及びラジカル源１３０の少なくとも何れかにおける電流（電圧）は、直流に係るものであっても良いし、低周波、あるいは高周波（例えばＲａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ；ＲＦ）の交流に係るものであっても良い。
【0025】
製造装置１０１の動作例（光学製品１の製造方法の例）について、主に図３に基づいて説明される。
【0026】
まず、基材２がドラム１０４にセットされると共に、第１ターゲットＴ１としてシリコン（Ｓｉ）がセットされ、第２ターゲットＴ２としてＩＴＯがセットされる（ステップＳ１）。
次に、真空室１０２の内部が排気される（ステップＳ２）。
続いて、ドラム１０４が回転され、ドラム１０４に保持された基材２が、第１スパッタ源１１０，第２スパッタ源１２０，ラジカル源１３０の各内側を順次繰り返し高速で通過するようにされる（ステップＳ３）。
次いで、基材２のクリーニングが行われる（ステップＳ４）。即ち、ラジカル源１３０のラジカルガス導入口３４から酸素（Ｏ２）ガスが導入された状態で、ガン１３６に高周波電圧が印加されて、ラジカル酸素が生成され、移動している基材２に対して所定時間照射される。かようなラジカル酸素の照射により、基材２表面に有機物等が付着していたとしても、有機物等はラジカル酸素及びプラズマで発生する紫外線によって分解剥離され、基材２の表面がクリーニングされる。かようなクリーニングにより、後に形成する膜の密着性が向上する。
次に、真空室１０２の内部が排気される（ステップＳ２）。
続いて、ドラム１０４が回転され、ドラム１０４に保持された基材２が、第１スパッタ源１１０，第２スパッタ源１２０，ラジカル源１３０の各内側を順次繰り返し高速で通過するようにされる（ステップＳ３）。
次いで、基材２のクリーニングが行われる（ステップＳ４）。即ち、ラジカル源１３０のラジカルガス導入口３４から酸素（Ｏ２）ガスが導入された状態で、ガン１３６に高周波電圧が印加されて、ラジカル酸素が生成され、移動している基材２に対して所定時間照射される。かようなラジカル酸素の照射により、基材２表面に有機物等が付着していたとしても、有機物等はラジカル酸素及びプラズマで発生する紫外線によって分解剥離され、基材２の表面がクリーニングされる。かようなクリーニングにより、後に形成する膜の密着性が向上する。
【0027】
続いて、光学多層膜４の反射防止部１０が形成される（ステップＳ５）。
即ち、ドラム１０４の回転が維持された状態で、第１スパッタ源１１０のスパッタガス導入口１１６から希ガス（ここではＡｒガス）が導入され、スパッタカソード１１２に直流（ＤＣ）電圧が印加されることで、第１ターゲットＴ１表面のＳｉが、Ａｒによるスパッタにより、基材２の表面上に堆積する。更に、ラジカル源１３０のラジカルガス導入口１３４から酸素ガス（Ｏ２ガス）が導入された状態で、ガン１３６に高周波電圧が印加されて、ラジカル酸素が生成され、Ｓｉの堆積した移動中の基材２に対して照射されて、Ｓｉの酸化がなされ、反射防止部１０の低屈折率層Ｌ（ＳｉＯ２層）が形成される。このとき、第２スパッタ源１２０は作動していない。尚、Ｏ２ガスと共に、希ガスが導入されても良い。
同様に、ドラム１０４の回転が維持された状態で、第１ターゲットＴ１のＳｉをスパッタにより基材２に堆積させつつ、ラジカル源１３０のラジカルガス導入口１３４から窒素ガス（Ｎ２ガス）が導入された状態で、ガン１３６に高周波電圧が印加されて、ラジカル窒素が生成され、Ｓｉの堆積した移動中の基材２に対して照射されて、Ｓｉの窒化がなされ、反射防止部１０の高屈折率層Ｈ（Ｓｉ３Ｎ４層）が形成される。このとき、第２スパッタ源１２０は作動していない。尚、Ｏ２ガスと共に、希ガスが導入されても良い。
又、第２スパッタ源１２０のスパッタガス導入口１２６から希ガス（ここではＡｒガス）が導入され、スパッタカソード１２２に直流電圧が印加されることで、第２ターゲットＴ２表面のＩＴＯが、Ａｒによるスパッタにより、基材２の表面上に堆積して、反射防止部１０のＩＴＯ層１４が形成される。このとき、第１スパッタ源１１０及びラジカル源１３０は作動していない。尚、ラジカル源１３０から併せて希ガスが導入されても良い。
反射防止部１０の各層の膜厚は、スパッタカソード１１２，１２２への投入電力が一定であり、単位時間当たりの成膜される物理膜厚である成膜レートが一定である場合には、スパッタリングの時間の長短により制御される。よって、所望の膜厚に相当する時間が経過した時点で、スパッタカソード１１２，１２２及びガン１３６への電圧印加が停止されて、反射防止部１０の各層の成膜が順次完了する。
即ち、ドラム１０４の回転が維持された状態で、第１スパッタ源１１０のスパッタガス導入口１１６から希ガス（ここではＡｒガス）が導入され、スパッタカソード１１２に直流（ＤＣ）電圧が印加されることで、第１ターゲットＴ１表面のＳｉが、Ａｒによるスパッタにより、基材２の表面上に堆積する。更に、ラジカル源１３０のラジカルガス導入口１３４から酸素ガス（Ｏ２ガス）が導入された状態で、ガン１３６に高周波電圧が印加されて、ラジカル酸素が生成され、Ｓｉの堆積した移動中の基材２に対して照射されて、Ｓｉの酸化がなされ、反射防止部１０の低屈折率層Ｌ（ＳｉＯ２層）が形成される。このとき、第２スパッタ源１２０は作動していない。尚、Ｏ２ガスと共に、希ガスが導入されても良い。
同様に、ドラム１０４の回転が維持された状態で、第１ターゲットＴ１のＳｉをスパッタにより基材２に堆積させつつ、ラジカル源１３０のラジカルガス導入口１３４から窒素ガス（Ｎ２ガス）が導入された状態で、ガン１３６に高周波電圧が印加されて、ラジカル窒素が生成され、Ｓｉの堆積した移動中の基材２に対して照射されて、Ｓｉの窒化がなされ、反射防止部１０の高屈折率層Ｈ（Ｓｉ３Ｎ４層）が形成される。このとき、第２スパッタ源１２０は作動していない。尚、Ｏ２ガスと共に、希ガスが導入されても良い。
又、第２スパッタ源１２０のスパッタガス導入口１２６から希ガス（ここではＡｒガス）が導入され、スパッタカソード１２２に直流電圧が印加されることで、第２ターゲットＴ２表面のＩＴＯが、Ａｒによるスパッタにより、基材２の表面上に堆積して、反射防止部１０のＩＴＯ層１４が形成される。このとき、第１スパッタ源１１０及びラジカル源１３０は作動していない。尚、ラジカル源１３０から併せて希ガスが導入されても良い。
反射防止部１０の各層の膜厚は、スパッタカソード１１２，１２２への投入電力が一定であり、単位時間当たりの成膜される物理膜厚である成膜レートが一定である場合には、スパッタリングの時間の長短により制御される。よって、所望の膜厚に相当する時間が経過した時点で、スパッタカソード１１２，１２２及びガン１３６への電圧印加が停止されて、反射防止部１０の各層の成膜が順次完了する。
【0028】
反射防止部１０の形成が完了すれば、ドラム１０４が止められ、適宜冷却が行われた後、反射防止部１０付き基材２が取り出される（ステップＳ６）。
尚、反射防止部１０と基材２との間に、製造装置１０１あるいは別の装置によって更に１以上の中間膜が付与されても良い。
尚、反射防止部１０と基材２との間に、製造装置１０１あるいは別の装置によって更に１以上の中間膜が付与されても良い。
【0029】
その後、反射防止部１０付き基材２における反射防止部１０の上に表層部１２を形成するため、反射防止部１０付き基材２が、公知の蒸着装置あるいはイオンスパッタリング装置に入れられて、表層部１２の蒸着材料（有機材料）の蒸着あるいはスパッタにより処理される（ステップＳ７）。
かようにして、表層部１２及び反射防止部１０を有する基材２、即ち光学製品１が得られる。
かようにして、表層部１２及び反射防止部１０を有する基材２、即ち光学製品１が得られる。
【実施例0030】
次いで、本発明の実施例１、及び本発明に属さない比較例１～９が、適宜図面を用いて説明される。尚、本発明は、以下の実施例に限定されない。又、本発明の捉え方により、実施例が比較例となったり、比較例が実施例となったりすることがある。
【0031】
≪基材２等≫
これらの実施例ないし比較例における基材２は、何れも化学強化ガラス製であって、レンズ用フィルタとして標準的な大きさの円板状である。
基材２は、実施例ないし比較例において共通しており、肉厚は２．００ｍｍ（ミリメートル）であり、屈折率は１．５２である。尚、基材２に対して染色等は行っておらず、基材２自体は無色透明である。
これらの実施例ないし比較例における基材２は、何れも化学強化ガラス製であって、レンズ用フィルタとして標準的な大きさの円板状である。
基材２は、実施例ないし比較例において共通しており、肉厚は２．００ｍｍ（ミリメートル）であり、屈折率は１．５２である。尚、基材２に対して染色等は行っておらず、基材２自体は無色透明である。
【0032】
≪実施例１，比較例１～９の光学多層膜４等≫
更に、実施例１，比較例１～９では、基材２の片面における成膜面Ｍの上に、光学多層膜４が形成された。
実施例１，比較例１～９の光学多層膜４は、次の表１～３に記載された通りに形成された。表１～３における「膜厚」は、物理膜厚（ｎｍ）である。
又、実施例１から表層部１２のみを省いた比較例０が形成された。同様に、比較例１～９からそれぞれ表層部１２のみを省いた比較例１’～９’が形成された。
更に、実施例１，比較例１～９では、基材２の片面における成膜面Ｍの上に、光学多層膜４が形成された。
実施例１，比較例１～９の光学多層膜４は、次の表１～３に記載された通りに形成された。表１～３における「膜厚」は、物理膜厚（ｎｍ）である。
又、実施例１から表層部１２のみを省いた比較例０が形成された。同様に、比較例１～９からそれぞれ表層部１２のみを省いた比較例１’～９’が形成された。
【0033】
【表1】
【表2】
【表3】
【0034】
実施例１では、光学多層膜４の１層目はＳｉ３Ｎ４層であり、２層目はＩＴＯ層１４である。
又、３層目はＳｉ３Ｎ４層であり、以降１６層目までＳｉＯ２層との交互構造を呈する。実施例１の光学多層膜４の１層目から１６層目までが、反射防止部１０である。
実施例１の反射防止部１０は、製造装置１０１により、クリーニング（ステップＳ４）がなされた状態で、又第１スパッタ源１１０、第２スパッタ源１２０、及びラジカル源１３０において直流が用いられた状態で、成膜される。
実施例１の光学多層膜４の１７層目は、表層部１２であり、防汚膜である。
その防汚膜は、ここでは、キヤノンオプトロン株式会社製ＯＦ－ＳＲを反射防止部１０の上に蒸着することにより、物理膜厚を４．７０ｎｍとした状態で成膜された。尚、この防汚膜の波長５００ｎｍにおける屈折率は、１．３５０であった。
又、３層目はＳｉ３Ｎ４層であり、以降１６層目までＳｉＯ２層との交互構造を呈する。実施例１の光学多層膜４の１層目から１６層目までが、反射防止部１０である。
実施例１の反射防止部１０は、製造装置１０１により、クリーニング（ステップＳ４）がなされた状態で、又第１スパッタ源１１０、第２スパッタ源１２０、及びラジカル源１３０において直流が用いられた状態で、成膜される。
実施例１の光学多層膜４の１７層目は、表層部１２であり、防汚膜である。
その防汚膜は、ここでは、キヤノンオプトロン株式会社製ＯＦ－ＳＲを反射防止部１０の上に蒸着することにより、物理膜厚を４．７０ｎｍとした状態で成膜された。尚、この防汚膜の波長５００ｎｍにおける屈折率は、１．３５０であった。
【0035】
比較例１～３のそれぞれの層構造は、互いに同一である。当該層構造は、実施例１に類似している。より詳しくは、実施例１のＩＴＯ層１４が１４層目に移設され、更に１層目がＳｉＯ２層とされると共に、２層目以降がＩＴＯ層１４を除き実施例１の１層目以降と同様に配置されることで、当該層構造が得られる。
比較例１の反射防止部１０は、製造装置１０１により、クリーニング（ステップＳ４）が省略された状態で、又第１スパッタ源１１０及び第２スパッタ源１２０において直流が用いられた状態で、成膜される。
比較例２の反射防止部１０は、製造装置１０１により、クリーニング（ステップＳ４）が省略された状態で、又第１スパッタ源１１０及び第２スパッタ源１２０においてＲＦが用いられた状態で、成膜される。
比較例３の反射防止部１０は、製造装置１０１により、クリーニング（ステップＳ４）がなされた状態で、又第１スパッタ源１１０及び第２スパッタ源１２０において直流が用いられた状態で、成膜される。
比較例１～３の各表層部１２は、実施例１の表層部１２と同様に形成される。
比較例１の反射防止部１０は、製造装置１０１により、クリーニング（ステップＳ４）が省略された状態で、又第１スパッタ源１１０及び第２スパッタ源１２０において直流が用いられた状態で、成膜される。
比較例２の反射防止部１０は、製造装置１０１により、クリーニング（ステップＳ４）が省略された状態で、又第１スパッタ源１１０及び第２スパッタ源１２０においてＲＦが用いられた状態で、成膜される。
比較例３の反射防止部１０は、製造装置１０１により、クリーニング（ステップＳ４）がなされた状態で、又第１スパッタ源１１０及び第２スパッタ源１２０において直流が用いられた状態で、成膜される。
比較例１～３の各表層部１２は、実施例１の表層部１２と同様に形成される。
【0036】
比較例４の層構造は、比較例１～３の層構造におけるＩＴＯ層１４を１４層目から５層目に移設したものである。
比較例４の反射防止部１０は、製造装置１０１により、クリーニング（ステップＳ４）がなされた状態で、又第１スパッタ源１１０及び第２スパッタ源１２０において直流が用いられた状態で、成膜される。
比較例４の表層部１２は、実施例１の表層部１２と同様に形成される。
比較例４の反射防止部１０は、製造装置１０１により、クリーニング（ステップＳ４）がなされた状態で、又第１スパッタ源１１０及び第２スパッタ源１２０において直流が用いられた状態で、成膜される。
比較例４の表層部１２は、実施例１の表層部１２と同様に形成される。
【0037】
比較例５の層構造は、比較例４の層構造における５層目のＩＴＯ層１４を、１０層構造に代えたものである。当該１０層構造は、比較例５の５～１４層目にわたる。当該１０層構造における比較例５の５，７，９，１１，１３層目は、それぞれ物理膜厚１ｎｍのＩＴＯ層１４である。又、当該１０層構造における比較例５の６，８，１０，１２，１４層目は、それぞれ物理膜厚５ｎｍのＳｉ３Ｎ４層である。比較例５の１５層目以降は、比較例４の６層目以降と同様に成る。
比較例５の反射防止部１０は、製造装置１０１により、クリーニング（ステップＳ４）がなされた状態で、又第１スパッタ源１１０及び第２スパッタ源１２０において直流が用いられた状態で、成膜される。
比較例５の表層部１２は、実施例１の表層部１２と同様に形成される。
比較例５の反射防止部１０は、製造装置１０１により、クリーニング（ステップＳ４）がなされた状態で、又第１スパッタ源１１０及び第２スパッタ源１２０において直流が用いられた状態で、成膜される。
比較例５の表層部１２は、実施例１の表層部１２と同様に形成される。
【0038】
比較例６の層構造は、比較例１～３の層構造における１４層目のＩＴＯ層１４を、窒素ラジカル処理（プラズマ処理）されたＩＴＯであるＩＴＯＮｘ製のＩＴＯＮｘ層に代えたうえで１５層目に移設して成る（１４層目：物理膜厚５８．５９ｎｍのＳｉ３Ｎ４層）。
ＩＴＯＮｘ層は、製造装置１０１において、ＩＴＯのスパッタ中に、ラジカル源１３０のラジカルガス導入口１３４から窒素ガス（Ｎ２ガス）が導入された状態で、ガン１３６に高周波電圧が印加されて、ラジカル窒素が生成され、ＩＴＯの堆積した移動中の基材２に対して照射されることで形成される。ここで、ｘは、ラジカル源１３０（ガン１３６）の電圧、周波数、及び処理時間の少なくとも何れか等により決まる。又、ここではクリーニング（ステップＳ４）がなされる。
比較例６の反射防止部１０におけるＩＴＯＮｘ層以外の層は、製造装置１０１により、クリーニング（ステップＳ４）がなされた状態で、又第１スパッタ源１１０及び第２スパッタ源１２０において直流が用いられた状態で、成膜される。
比較例６の表層部１２は、実施例１の表層部１２と同様に形成される。
ＩＴＯＮｘ層は、製造装置１０１において、ＩＴＯのスパッタ中に、ラジカル源１３０のラジカルガス導入口１３４から窒素ガス（Ｎ２ガス）が導入された状態で、ガン１３６に高周波電圧が印加されて、ラジカル窒素が生成され、ＩＴＯの堆積した移動中の基材２に対して照射されることで形成される。ここで、ｘは、ラジカル源１３０（ガン１３６）の電圧、周波数、及び処理時間の少なくとも何れか等により決まる。又、ここではクリーニング（ステップＳ４）がなされる。
比較例６の反射防止部１０におけるＩＴＯＮｘ層以外の層は、製造装置１０１により、クリーニング（ステップＳ４）がなされた状態で、又第１スパッタ源１１０及び第２スパッタ源１２０において直流が用いられた状態で、成膜される。
比較例６の表層部１２は、実施例１の表層部１２と同様に形成される。
【0039】
比較例７の層構造は、比較例６の層構造における１５層目のＩＴＯＮｘ層を、Ｓｉスパッタ処理及び窒素ラジカル処理（プラズマ処理）がなされたＩＴＯであるＳｉＩＴＯＮｙ層（物理膜厚８２．７２ｎｍ）に代えたうえで、１６層目のＳｉＯ２層を省いて成る（１６層目：防汚膜）。
ＳｉＩＴＯＮｙ層は、製造装置１０１において、第２ターゲットＴ２によるＩＴＯのスパッタ中に、第１ターゲットＴ１によるＳｉのスパッタが合わせてなされると共に、ラジカル源１３０のラジカルガス導入口１３４から窒素ガス（Ｎ２ガス）が導入された状態で、ガン１３６に高周波電圧が印加されて、ラジカル窒素が生成され、Ｓｉ及びＩＴＯが混合して堆積した移動中の基材２に対して照射されることで形成される。ここで、ｙは、ラジカル源１３０（ガン１３６）の電圧、周波数、及び処理時間の少なくとも何れか等により決まる。又、ここではクリーニング（ステップＳ４）がなされる。
比較例７の反射防止部１０におけるＳｉＩＴＯＮｙ層以外の層は、製造装置１０１により、クリーニング（ステップＳ４）がなされた状態で、又第１スパッタ源１１０及び第２スパッタ源１２０において直流が用いられた状態で、成膜される。
比較例７の表層部１２は、実施例１の表層部１２と同様に形成される。
ＳｉＩＴＯＮｙ層は、製造装置１０１において、第２ターゲットＴ２によるＩＴＯのスパッタ中に、第１ターゲットＴ１によるＳｉのスパッタが合わせてなされると共に、ラジカル源１３０のラジカルガス導入口１３４から窒素ガス（Ｎ２ガス）が導入された状態で、ガン１３６に高周波電圧が印加されて、ラジカル窒素が生成され、Ｓｉ及びＩＴＯが混合して堆積した移動中の基材２に対して照射されることで形成される。ここで、ｙは、ラジカル源１３０（ガン１３６）の電圧、周波数、及び処理時間の少なくとも何れか等により決まる。又、ここではクリーニング（ステップＳ４）がなされる。
比較例７の反射防止部１０におけるＳｉＩＴＯＮｙ層以外の層は、製造装置１０１により、クリーニング（ステップＳ４）がなされた状態で、又第１スパッタ源１１０及び第２スパッタ源１２０において直流が用いられた状態で、成膜される。
比較例７の表層部１２は、実施例１の表層部１２と同様に形成される。
【0040】
比較例８の層構造は、比較例１～３の層構造における１４層目のＩＴＯ層１４を、１層目に移設して成る。比較例８の２～１４層目は、比較例１～３の１～１３層目に順に対応する。
比較例８の反射防止部１０の層は、製造装置１０１により、クリーニング（ステップＳ４）がなされた状態で、又第１スパッタ源１１０及び第２スパッタ源１２０において直流が用いられた状態で、成膜される。
比較例８の表層部１２は、実施例１の表層部１２と同様に形成される。
比較例８の反射防止部１０の層は、製造装置１０１により、クリーニング（ステップＳ４）がなされた状態で、又第１スパッタ源１１０及び第２スパッタ源１２０において直流が用いられた状態で、成膜される。
比較例８の表層部１２は、実施例１の表層部１２と同様に形成される。
【0041】
比較例９の層構造は、比較例１～３の層構造における１５層目のＳｉ３Ｎ４層の物理膜厚を、１０ｎｍから２００ｎｍに変えて成る。
比較例９の反射防止部１０の層は、製造装置１０１により、クリーニング（ステップＳ４）がなされた状態で、又第１スパッタ源１１０及び第２スパッタ源１２０において直流が用いられた状態で、成膜される。
比較例９の表層部１２は、実施例１の表層部１２と同様に形成される。
比較例９の反射防止部１０の層は、製造装置１０１により、クリーニング（ステップＳ４）がなされた状態で、又第１スパッタ源１１０及び第２スパッタ源１２０において直流が用いられた状態で、成膜される。
比較例９の表層部１２は、実施例１の表層部１２と同様に形成される。
【0042】
≪実施例１，比較例１～９の反射防止性、耐スクラッチ性、帯電防止性等≫
実施例１，比較例１～９の反射防止性等が、次の表４に示される。
実施例１，比較例１～９の反射防止性等が、次の表４に示される。
【0043】
【表4】
【0044】
反射防止性（光線透過性）に関し、実施例１について、可視域及び隣接域での分光反射率分布が測定された。
その結果が、図４に示される。図４によれば、反射率が可視域全体で０．５％以下であり、実施例１が優れた反射防止性を呈することが分かる。
比較例１～９，０，１’～９’においても、反射防止部１０を有するように設計されているため、基本的には実施例１と同様の分光反射率分布を有する。
但し、表４の「吸収」の列に示されるように、比較例１，６では、他のものとは異なり、可視域の入射光線に対して平均で１％を超える吸収が発生しており、他のもの（○）に比べて光線透過性が劣っている（△）。比較例１では、クリーニングされない基材２上にＩＴＯ層１４等が成膜され、主に微視的により乱れたＩＴＯ層１４において吸収が発生しているものと考えられる。又、比較例６では、主にＩＴＯＮｘ層において吸収が発生しているものと考えられる。他方、比較例１’，６’においても、比較例１，６と同様に吸収が発生する。
尚、反射防止性（光線透過性）に関し、好ましくは、４２５ｎｍ以上６２５ｎｍ以下の波長域における両面反射率の平均が１％以下とされる。又、この基準を過度に複雑ではない設計によって満たす観点から、反射防止部１０の層数は、ＩＴＯ層１４を含めて１７以上であることが好ましい。
その結果が、図４に示される。図４によれば、反射率が可視域全体で０．５％以下であり、実施例１が優れた反射防止性を呈することが分かる。
比較例１～９，０，１’～９’においても、反射防止部１０を有するように設計されているため、基本的には実施例１と同様の分光反射率分布を有する。
但し、表４の「吸収」の列に示されるように、比較例１，６では、他のものとは異なり、可視域の入射光線に対して平均で１％を超える吸収が発生しており、他のもの（○）に比べて光線透過性が劣っている（△）。比較例１では、クリーニングされない基材２上にＩＴＯ層１４等が成膜され、主に微視的により乱れたＩＴＯ層１４において吸収が発生しているものと考えられる。又、比較例６では、主にＩＴＯＮｘ層において吸収が発生しているものと考えられる。他方、比較例１’，６’においても、比較例１，６と同様に吸収が発生する。
尚、反射防止性（光線透過性）に関し、好ましくは、４２５ｎｍ以上６２５ｎｍ以下の波長域における両面反射率の平均が１％以下とされる。又、この基準を過度に複雑ではない設計によって満たす観点から、反射防止部１０の層数は、ＩＴＯ層１４を含めて１７以上であることが好ましい。
【0045】
又、耐スクラッチ性に関し、それぞれ次の耐スクラッチ性試験が行われた。
即ち、引掻試験機における往復移動可能であるアームに取り付けられた紙やすり（スコッチブライト工業用パッド＃３０００）が、光学多層膜４に対して荷重が２００ｇとなるように押し付けられた状態で１０往復（ストローク片道２０ｍｍ）された。そして、傷の有無が直接の視認により確認され、目視可能な１本以上の傷の発生がみられる場合に「×」と評価され、目視可能な傷が１本もみられない場合に「○」と評価された。
まず、表層部１２（防汚膜）のない比較例０，１’～９’は、いずれも評価「×」で、耐スクラッチ性に劣っていた。
次に、表４の「耐スクラッチ性」の列に示されるように、実施例１及び比較例６は、他のもの（×）と異なり、耐スクラッチ性に優れていた（○）。良好な耐スクラッチ性は、主に、実施例１のＩＴＯ層１４の配置（２層目）、あるいは比較例６のＩＴＯＮｘ層の設置によるものと考えられる。
即ち、引掻試験機における往復移動可能であるアームに取り付けられた紙やすり（スコッチブライト工業用パッド＃３０００）が、光学多層膜４に対して荷重が２００ｇとなるように押し付けられた状態で１０往復（ストローク片道２０ｍｍ）された。そして、傷の有無が直接の視認により確認され、目視可能な１本以上の傷の発生がみられる場合に「×」と評価され、目視可能な傷が１本もみられない場合に「○」と評価された。
まず、表層部１２（防汚膜）のない比較例０，１’～９’は、いずれも評価「×」で、耐スクラッチ性に劣っていた。
次に、表４の「耐スクラッチ性」の列に示されるように、実施例１及び比較例６は、他のもの（×）と異なり、耐スクラッチ性に優れていた（○）。良好な耐スクラッチ性は、主に、実施例１のＩＴＯ層１４の配置（２層目）、あるいは比較例６のＩＴＯＮｘ層の設置によるものと考えられる。
【0046】
更に、帯電防止性に関し、それぞれ抵抗値が測定された。
即ち、表面抵抗測定機により、それぞれの単位面積（ここでは１平方センチメートル）当たりの表面抵抗値（オーム毎スクエア；Ω／□）が測定された。抵抗値が低いほど、静電気を逃がし易くて帯電し難く、帯電防止性に優れることになる。又、抵抗値が１×１０１０Ω／□以下の程度であれば、その抵抗値を有する光学製品に対し、帯電した発泡スチロール粉は接触させても付着せず、抵抗値が１×１０１１Ω／□以下の程度であれば、帯電した発泡スチロール粉が接触の瞬間において光学製品に付着しそうになるものの、すぐに落下することになる。よって、ここでは、抵抗値が１×１０１１Ω／□以下のものが、良好な帯電防止性を有するものと評価される。
すると、実施例１、比較例１～４，６，８～９が良好な帯電防止性能を有していることになる。比較例５の帯電防止性能が劣るのは、各ＩＴＯ層１４の物理膜厚が１ｎｍと薄すぎて、各ＩＴＯ層１４で十分な導電性を得られないことによるものと考えられる。又、比較例７の帯電防止性能が劣るのは、ＩＴＯに比べＳｉＩＴＯＮｙの導電性が低いことによるものと考えられる。
即ち、表面抵抗測定機により、それぞれの単位面積（ここでは１平方センチメートル）当たりの表面抵抗値（オーム毎スクエア；Ω／□）が測定された。抵抗値が低いほど、静電気を逃がし易くて帯電し難く、帯電防止性に優れることになる。又、抵抗値が１×１０１０Ω／□以下の程度であれば、その抵抗値を有する光学製品に対し、帯電した発泡スチロール粉は接触させても付着せず、抵抗値が１×１０１１Ω／□以下の程度であれば、帯電した発泡スチロール粉が接触の瞬間において光学製品に付着しそうになるものの、すぐに落下することになる。よって、ここでは、抵抗値が１×１０１１Ω／□以下のものが、良好な帯電防止性を有するものと評価される。
すると、実施例１、比較例１～４，６，８～９が良好な帯電防止性能を有していることになる。比較例５の帯電防止性能が劣るのは、各ＩＴＯ層１４の物理膜厚が１ｎｍと薄すぎて、各ＩＴＯ層１４で十分な導電性を得られないことによるものと考えられる。又、比較例７の帯電防止性能が劣るのは、ＩＴＯに比べＳｉＩＴＯＮｙの導電性が低いことによるものと考えられる。
【0047】
そして、実施例１において、反射防止性、耐スクラッチ性、帯電防止性の全てにおいて良好な結果が得られた。
【0048】
≪まとめ等≫
実施例１は、基材２の片面側に、直接光学多層膜４が形成された光学製品１である。光学多層膜４は、反射防止部１０と、最も空気側に配置される表層部１２と、を備えている。表層部１２は、防汚膜を含んでいる。反射防止部１０は、低屈折率材料製の複数の低屈折率層Ｌと、高屈折率材料製の複数の高屈折率層Ｈと、ＩＴＯ製のＩＴＯ層１４と、を有している。高屈折率材料は、Ｓｉ３Ｎ４である。反射防止部１０の基材２側から数えて１層目は、高屈折率層Ｈである。反射防止部１０の基材２側から数えて２層目は、ＩＴＯ層１４である。
よって、帯電防止性能、耐スクラッチ性能、及び反射防止性能がより高い水準で共存する光学製品１が提供される。
実施例１は、基材２の片面側に、直接光学多層膜４が形成された光学製品１である。光学多層膜４は、反射防止部１０と、最も空気側に配置される表層部１２と、を備えている。表層部１２は、防汚膜を含んでいる。反射防止部１０は、低屈折率材料製の複数の低屈折率層Ｌと、高屈折率材料製の複数の高屈折率層Ｈと、ＩＴＯ製のＩＴＯ層１４と、を有している。高屈折率材料は、Ｓｉ３Ｎ４である。反射防止部１０の基材２側から数えて１層目は、高屈折率層Ｈである。反射防止部１０の基材２側から数えて２層目は、ＩＴＯ層１４である。
よって、帯電防止性能、耐スクラッチ性能、及び反射防止性能がより高い水準で共存する光学製品１が提供される。
【0049】
又、実施例１の低屈折率材料は、ＳｉＯ２である。よって、十分な質を有する低屈折率材料がより低コストで得られる。
更に、実施例１では、４２５ｎｍ以上６２５ｎｍ以下の波長域における両面反射率の平均が１％以下である。よって、反射防止性能がより十分なものとなる。
更に、実施例１では、４２５ｎｍ以上６２５ｎｍ以下の波長域における両面反射率の平均が１％以下である。よって、反射防止性能がより十分なものとなる。
【0050】
加えて、実施例１では、反射防止部１０の３層目以降の奇数層目は、高屈折率層Ｈであり、反射防止部１０の４層目以降の偶数層目は、低屈折率層Ｌである。よって、高屈折率層Ｈ及び低屈折率層Ｌの交互膜により、反射抑制機能を有する反射防止部１０がより容易に得られる。
又、反射防止部１０の層数は、ＩＴＯ層１４を含めて１６である。よって、Ｓｉ３Ｎ４製の高屈折率層Ｈを含む反射防止部１０において、十分な反射抑制機能が得られる。
更に、表層部１２は、有機ケイ素化合物製である。よって、十分に平滑であり耐スクラッチ性の向上に寄与する防汚膜が、より容易に得られる。
又更に、高屈折率層、低屈折率層及びＩＴＯ層１４の少なくとも何れかは、スパッタ法により形成されている。よって、帯電防止性能、耐スクラッチ性能、及び反射防止性能の少なくとも何れかの向上に一層寄与する高屈折率層、低屈折率層及びＩＴＯ層１４の少なくとも何れかが得られる。
又、反射防止部１０の層数は、ＩＴＯ層１４を含めて１６である。よって、Ｓｉ３Ｎ４製の高屈折率層Ｈを含む反射防止部１０において、十分な反射抑制機能が得られる。
更に、表層部１２は、有機ケイ素化合物製である。よって、十分に平滑であり耐スクラッチ性の向上に寄与する防汚膜が、より容易に得られる。
又更に、高屈折率層、低屈折率層及びＩＴＯ層１４の少なくとも何れかは、スパッタ法により形成されている。よって、帯電防止性能、耐スクラッチ性能、及び反射防止性能の少なくとも何れかの向上に一層寄与する高屈折率層、低屈折率層及びＩＴＯ層１４の少なくとも何れかが得られる。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】