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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023150785
(43)【公開日】2023-10-16
(54)【発明の名称】温度検出回路、および半導体装置
(51)【国際特許分類】
G01K 7/01 20060101AFI20231005BHJP
【ＦＩ】
G01K7/01 C
G01K7/01 M
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022060059
(22)【出願日】2022-03-31
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001933
【氏名又は名称】弁理士法人 佐野特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】赤松 陽平
(72)【発明者】
【氏名】名手 智
【テーマコード（参考）】
2F056
【Ｆターム（参考）】
2F056JT06
(57)【要約】
【課題】温度検出精度を向上させつつ回路規模を小さくできる温度検出回路を提供する。
【解決手段】温度検出回路（１）は、制御端と、第１主電極と、第２主電極とを有するトランジスタ（ＢＰ１）と、前記トランジスタがオフ状態となるように前記制御端にバイアス電圧（Ｖｂｓ）を印加可能に構成されるバイアス部（２）と、前記トランジスタに流れるリーク電流（Ｉｅ_ｌｅａｋ）を電圧信号（ＶＡ）に変換するように構成される電圧変換部（Ｒ３）と、前記電圧信号と基準電圧（ＶＢ）とを比較するように構成されるコンパレータ（ＣＰ１）と、を備える。
【選択図】図１
【解決手段】温度検出回路（１）は、制御端と、第１主電極と、第２主電極とを有するトランジスタ（ＢＰ１）と、前記トランジスタがオフ状態となるように前記制御端にバイアス電圧（Ｖｂｓ）を印加可能に構成されるバイアス部（２）と、前記トランジスタに流れるリーク電流（Ｉｅ_ｌｅａｋ）を電圧信号（ＶＡ）に変換するように構成される電圧変換部（Ｒ３）と、前記電圧信号と基準電圧（ＶＢ）とを比較するように構成されるコンパレータ（ＣＰ１）と、を備える。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
制御端と、第１主電極と、第２主電極とを有するトランジスタと、
前記トランジスタがオフ状態となるように前記制御端にバイアス電圧を印加可能に構成されるバイアス部と、
前記トランジスタに流れるリーク電流を電圧信号に変換するように構成される電圧変換部と、
前記電圧信号と基準電圧とを比較するように構成されるコンパレータと、
を備える、温度検出回路。
前記トランジスタがオフ状態となるように前記制御端にバイアス電圧を印加可能に構成されるバイアス部と、
前記トランジスタに流れるリーク電流を電圧信号に変換するように構成される電圧変換部と、
前記電圧信号と基準電圧とを比較するように構成されるコンパレータと、
を備える、温度検出回路。
【請求項2】
前記バイアス部は、電源電圧を分圧抵抗により分圧することで前記バイアス電圧を生成するように構成される、請求項１に記載の温度検出回路。
【請求項3】
前記トランジスタは、バイポーラトランジスタであり、
前記制御端は、ベースであり、
前記第１主電極は、コレクタであり、
前記第２主電極は、エミッタであり、
前記バイアス部は、前記制御端であるベースに前記バイアス電圧を印加可能に構成される、請求項１または請求項２に記載の温度検出回路。
前記制御端は、ベースであり、
前記第１主電極は、コレクタであり、
前記第２主電極は、エミッタであり、
前記バイアス部は、前記制御端であるベースに前記バイアス電圧を印加可能に構成される、請求項１または請求項２に記載の温度検出回路。
【請求項4】
前記電圧変換部は、前記エミッタに接続される電圧変換抵抗である、請求項３に記載の温度検出回路。
【請求項5】
制御端と、第１主電極と、第２主電極とを有するトランジスタと、
前記トランジスタに流れるリーク電流を電圧信号に変換するように構成される電圧変換部と、
前記電圧信号と基準電圧とを比較するように構成されるコンパレータと、
を備え、
前記制御端と前記第２主電極とが短絡されることで、前記トランジスタはオフ状態である、温度検出回路。
前記トランジスタに流れるリーク電流を電圧信号に変換するように構成される電圧変換部と、
前記電圧信号と基準電圧とを比較するように構成されるコンパレータと、
を備え、
前記制御端と前記第２主電極とが短絡されることで、前記トランジスタはオフ状態である、温度検出回路。
【請求項6】
前記トランジスタは、バイポーラトランジスタであり、
前記制御端は、ベースであり、
前記第１主電極は、コレクタであり、
前記第２主電極は、エミッタである、請求項５に記載の温度検出回路。
前記制御端は、ベースであり、
前記第１主電極は、コレクタであり、
前記第２主電極は、エミッタである、請求項５に記載の温度検出回路。
【請求項7】
前記トランジスタは、ＭＯＳトランジスタであり、
前記制御端は、ゲートであり、
前記第１主電極は、ドレインであり、
前記第２主電極は、ソースである、請求項５に記載の温度検出回路。
前記制御端は、ゲートであり、
前記第１主電極は、ドレインであり、
前記第２主電極は、ソースである、請求項５に記載の温度検出回路。
【請求項8】
電源電圧の印加端に接続可能なカソードを有するツェナーダイオードと、
前記ツェナーダイオードに流れるリーク電流を電圧信号に変換するように構成される電圧変換部と、
前記電圧信号と基準電圧とを比較するように構成されるコンパレータと、
を備え、
前記電源電圧は、前記ツェナーダイオードに逆バイアスを印加するとともに、前記ツェナーダイオードのツェナー電圧よりも低い、温度検出回路。
前記ツェナーダイオードに流れるリーク電流を電圧信号に変換するように構成される電圧変換部と、
前記電圧信号と基準電圧とを比較するように構成されるコンパレータと、
を備え、
前記電源電圧は、前記ツェナーダイオードに逆バイアスを印加するとともに、前記ツェナーダイオードのツェナー電圧よりも低い、温度検出回路。
【請求項9】
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の温度検出回路を備える半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、温度検出回路に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、過熱検出回路などの温度検出回路が知られている（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００２－３６８１１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上記のような温度検出回路においては、温度検出精度および回路規模の点で改善の余地があった。
【0005】
上記状況に鑑み、本開示は、温度検出精度を向上させつつ回路規模を小さくできる温度検出回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
例えば、本開示の一態様に係る温度検出回路は、制御端と、第１主電極と、第２主電極とを有するトランジスタと、
前記トランジスタがオフ状態となるように前記制御端にバイアス電圧を印加可能に構成されるバイアス部と、
前記トランジスタに流れるリーク電流を電圧信号に変換するように構成される電圧変換部と、
前記電圧信号と基準電圧とを比較するように構成されるコンパレータと、
を備える構成としている。
前記トランジスタがオフ状態となるように前記制御端にバイアス電圧を印加可能に構成されるバイアス部と、
前記トランジスタに流れるリーク電流を電圧信号に変換するように構成される電圧変換部と、
前記電圧信号と基準電圧とを比較するように構成されるコンパレータと、
を備える構成としている。
【0007】
また、本開示の一態様に係る温度検出回路は、制御端と、第１主電極と、第２主電極とを有するトランジスタと、
前記トランジスタに流れるリーク電流を電圧信号に変換するように構成される電圧変換部と、
前記電圧信号と基準電圧とを比較するように構成されるコンパレータと、
を備え、
前記制御端と前記第２主電極とが短絡されることで、前記トランジスタはオフ状態である構成としている。
前記トランジスタに流れるリーク電流を電圧信号に変換するように構成される電圧変換部と、
前記電圧信号と基準電圧とを比較するように構成されるコンパレータと、
を備え、
前記制御端と前記第２主電極とが短絡されることで、前記トランジスタはオフ状態である構成としている。
【0008】
また、本開示の一態様に係る温度検出回路は、電源電圧の印加端に接続可能なカソードを有するツェナーダイオードと、
前記ツェナーダイオードに流れるリーク電流を電圧信号に変換するように構成される電圧変換部と、
前記電圧信号と基準電圧とを比較するように構成されるコンパレータと、
を備え、
前記電源電圧は、前記ツェナーダイオードに逆バイアスを印加するとともに、前記ツェナーダイオードのツェナー電圧よりも低い構成としている。
前記ツェナーダイオードに流れるリーク電流を電圧信号に変換するように構成される電圧変換部と、
前記電圧信号と基準電圧とを比較するように構成されるコンパレータと、
を備え、
前記電源電圧は、前記ツェナーダイオードに逆バイアスを印加するとともに、前記ツェナーダイオードのツェナー電圧よりも低い構成としている。
【発明の効果】
【0009】
本開示に係る温度検出回路によれば、温度検出精度を向上させつつ回路規模を小さくできる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、本開示に係る例示的な実施形態について説明する。
【0012】
＜１．比較例＞
ここでは、本開示に係る例示的な実施形態について説明する前に、対比のための比較例について説明する。このような比較例を説明することで、課題が明らかとなる。
ここでは、本開示に係る例示的な実施形態について説明する前に、対比のための比較例について説明する。このような比較例を説明することで、課題が明らかとなる。
【0013】
図８は、比較例に係る温度検出回路１００の構成を示す回路図である。半導体ＩＣ（集積回路）チップをパッケージ化して構成される半導体装置には、ジャンクション温度が所定温度以上に上昇した場合に、ＩＣをシャットダウンさせる過熱保護機能が備えられる。温度検出回路１００は、このような過熱保護機能を実現する過熱検出回路として構成される。
【0014】
図８に示すように、温度検出回路１００は、定電流回路１５０と、バイポーラトランジスタＢＰＡと、分圧抵抗ＲＡ，ＲＢと、コンパレータＣＰＡと、を備える。
【0015】
定電流回路１５０は、ＰＭＯＳトランジスタＰＭ１，ＰＭ２と、定電流源ＣＩと、を有する。ＰＭＯＳトランジスタＰＭ１，ＰＭ２は、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）である。ＰＭＯＳトランジスタＰＭ１のドレインには、定電流源ＣＩが接続される。ＰＭＯＳトランジスタＰＭ１のソースは、電源電圧Ｖｃｃの印加端に接続される。ＰＭＯＳトランジスタＰＭ１のゲート・ドレイン間は、短絡される。ＰＭＯＳトランジスタＰＭ２のソースは、電源電圧Ｖｃｃの印加端に接続される。ＰＭＯＳトランジスタＰＭ２のゲートは、ＰＭＯＳトランジスタＰＭ１のゲートに接続される。このようにＰＭＯＳトランジスタＰＭ１，ＰＭ２によりカレントミラーが構成される。定電流源ＣＩにより生成される定電流は、上記カレントミラーにより定電流ＩＡにミラーリングされる。すなわち、定電流回路１５０は、定電流ＩＡを生成する回路である。
【0016】
バイポーラトランジスタＢＰＡは、ＮＰＮトランジスタにより構成される。バイポーラトランジスタＢＰＡのベース・コレクタ間は、短絡される。これにより、バイポーラトランジスタＢＰＡは、ダイオード接続される。バイポーラトランジスタＢＰＡのエミッタは、グランド電位の印加端に接続される。バイポーラトランジスタＢＰＡのコレクタは、ＰＭＯＳトランジスタＰＭ２のドレインに接続される。これにより、ダイオード接続されたバイポーラトランジスタＢＰＡに定電流ＩＡが流れる。
【0017】
バイポーラトランジスタＢＰＡのコレクタは、コンパレータＣＰＡの反転入力端（－）に接続される。これにより、コンパレータＣＰＡの反転入力端には、定電流ＩＡに応じてバイポーラトランジスタＢＰＡのコレクタに発生する電圧ＶＡが印加される。バイポーラトランジスタＢＰＡの非反転入力端（＋）には、基準電圧Ｖｒｅｇを分圧抵抗ＲＡ，ＲＢにより分圧して生成される基準電圧ＶＢが印加される。コンパレータＣＰＡは、電圧ＶＡと基準電圧ＶＢを比較して、比較結果として出力信号ＣＰＯＵＴを生成する。
【0018】
ここで、図９は、温度（Ｔ）と各種電圧（Ｖ）との関係、および温度（Ｔ）と出力信号（ＣＰＯＵＴ）との関係の一例を示す。図９に示すように、バイポーラトランジスタＢＰＡは、温度が高くなるほど、電圧ＶＡが低下する温度特性を有する。温度が所望の過熱検出温度Ｔｄ（例えば１７５℃）に達して、電圧ＶＡが基準電圧ＶＢを下回ったときにコンパレータＣＰＡから出力される出力信号ＣＰＯＵＴはローレベルからハイレベルに切り替わる。これにより、過熱保護を行うことが可能となる。
【0019】
しかしながら、図９に示すように、電流ＩＡのばらつきによって電圧ＶＡがばらつく（図２上段の破線）。これにより、出力信号ＣＰＯＵＴのレベルが切り替わる温度にばらつきΔＴが発生する。このように、比較例に係る温度検出回路１０では、温度検出精度に課題があるとともに、定電流回路１５０が必要なために回路規模が大きくなる課題があった。
【0020】
＜２．第１実施形態＞
上記のような課題を解決すべく、以下説明する本開示の実施形態が実施される。図１は、本開示の第１実施形態に係る温度検出回路１の構成を示す回路図である。温度検出回路１は、半導体装置５に備えられる。温度検出回路１により半導体装置５における過熱検出保護機能が実現される。
上記のような課題を解決すべく、以下説明する本開示の実施形態が実施される。図１は、本開示の第１実施形態に係る温度検出回路１の構成を示す回路図である。温度検出回路１は、半導体装置５に備えられる。温度検出回路１により半導体装置５における過熱検出保護機能が実現される。
【0021】
温度検出回路１は、バイアス部２と、バイポーラトランジスタＢＰ１と、電圧変換抵抗Ｒ３と、分圧抵抗Ｒ４，Ｒ５と、コンパレータＣＰ１と、を備える。
【0022】
バイアス部２は、分圧抵抗Ｒ１，Ｒ２を有する。バイアス部２は、分圧抵抗Ｒ１，Ｒ２により基準電圧Ｖｒｅｇを分圧することでバイアス電圧Ｖｂｓを生成する。
【0023】
バイポーラトランジスタＢＰ１は、ＮＰＮトランジスタにより構成される。バイポーラトランジスタＢＰ１のコレクタは、電源電圧Ｖｃｃの印加端に接続される。バイポーラトランジスタＢＰ１のベースには、バイアス電圧Ｖｂｓが印加される。バイポーラトランジスタＢＰ１のエミッタは、電圧変換抵抗Ｒ３の一端に接続される。電圧変換抵抗Ｒ３の他端は、グランド電位の印加端に接続される。
【0024】
電圧変換抵抗Ｒ３の一端は、コンパレータＣＰ１の非反転入力端（＋）に接続される。これにより、コンパレータＣＰ１の非反転入力端（＋）には、電圧変換抵抗Ｒ３の一端に発生する電圧ＶＡが印加される。コンパレータＣＰ１の反転入力端（－）には、基準電圧Ｖｒｅｇを分圧抵抗Ｒ４，Ｒ５により分圧して生成される基準電圧ＶＢが印加される。コンパレータＣＰ１は、電圧ＶＡと基準電圧ＶＢを比較して、比較結果として出力信号ＣＰＯＵＴを生成する。
【0025】
ここで、図２は、バイポーラトランジスタＢＰ１のベース・エミッタ間電圧Ｖｂｅとコレクタ電流Ｉｃとの関係の一例を示す図である。図２に示すようにコレクタ電流Ｉｃが流れないベース・エミッタ間電圧Ｖｂｅ１に対応するバイアス電圧ＶｂｓがバイポーラトランジスタＢＰ１のベースに印加される。すなわち、バイアス部２は、バイポーラトランジスタＢＰ１をオフ状態とするようなバイアス電圧Ｖｂｓを生成する。
【0026】
また、図３には、温度検出回路１における温度（Ｔ）と各種リーク電流（Ｉ）、温度（Ｔ）と各種電圧（Ｖ）、および温度（Ｔ）と出力信号ＣＰＯＵＴの各関係の一例を示す。
【0027】
温度が低い通常時には、バイポーラトランジスタＢＰ１のベース・エミッタ間に流れるベースリーク電流Ｉｂ_ｌｅａｋは流れない。そのため、バイポーラトランジスタＢＰ１に流れるコレクタリーク電流Ｉｃ_ｌｅａｋおよびエミッタリーク電流Ｉｅ_ｌｅａｋも流れない。従って、エミッタリーク電流Ｉｅ_ｌｅａｋを電圧変換抵抗Ｒ３により電流・電圧変換して生成される電圧ＶＡは０Ｖであり、コンパレータＣＰ１から出力される出力信号ＣＰＯＵＴはローレベルである。
【0028】
高温である所定の温度Ｔｓ（例えば１５０°）に温度が上昇して達すると、ベースリーク電流Ｉｂ_ｌｅａｋが流れ出す。これにより、ベースリーク電流Ｉｂ_ｌｅａｋを増幅率ｈＦＥにより増幅したコレクタリーク電流Ｉｃ_ｌｅａｋおよびエミッタリーク電流Ｉｅ_ｌｅａｋも流れ出す（Ｉｃ_ｌｅａｋ，Ｉｅ_ｌｅａｋ＝Ｉｂ_ｌｅａｋ×ｈＦＥ）。従って、電圧ＶＡが上昇を開始する。
【0029】
温度がさらに上昇すると、ベースリーク電流Ｉｂ_ｌｅａｋ、コレクタリーク電流Ｉｃ_ｌｅａｋおよびエミッタリーク電流Ｉｅ_ｌｅａｋが増加することで、電圧ＶＡが上昇する。そして、温度が所定の過熱検出温度Ｔｄに達すると、電圧ＶＡが基準電圧ＶＢを上回り、出力信号ＣＰＯＵＴがローレベルからハイレベルに切り替わる。これにより、過熱検出が行われる。
【0030】
このような本実施形態によれば、コレクタリーク電流Ｉｃ_ｌｅａｋおよびエミッタリーク電流Ｉｅ_ｌｅａｋは、温度Ｔｓからの温度上昇に伴い急峻に増加するため、過熱検出温度Ｔｄのばらつきが抑制される。過熱検出温度Ｔｄのばらつきとしては、リーク電流が流れ出す温度Ｔｓのばらつきが主要因となる。しかしながら、ばらつき要因がＰＮ接合部の作りこみ（Ｐ＋やＮ＋の拡散濃度など）のみに抑えられることにより温度Ｔｓのばらつきが抑えられるため、過熱検出温度Ｔｄのばらつきは抑制される。さらに、本実施形態の温度検出回路１では、先述した比較例のような定電流回路が不要となるため、定電流によるばらつき要因が無くなる。従って、温度検出精度を向上させつつ、回路規模を小さくすることが可能となる。
【0031】
＜３．第２実施形態＞
図４は、本開示の第２実施形態に係る温度検出回路１１の構成を示す回路図である。図４に示す温度検出回路１１は、先述した第１実施形態（図１）との相違点として、バイアス部２を備えておらず、バイポーラトランジスタＢＰ１のベース・エミッタ間を短絡している。
図４は、本開示の第２実施形態に係る温度検出回路１１の構成を示す回路図である。図４に示す温度検出回路１１は、先述した第１実施形態（図１）との相違点として、バイアス部２を備えておらず、バイポーラトランジスタＢＰ１のベース・エミッタ間を短絡している。
【0032】
これにより、第１実施形態よりも回路規模を小さくしつつ、バイポーラトランジスタＢＰ１をオフ状態とすることができる。
【0033】
＜４．第３実施形態＞
図５は、本開示の第３実施形態に係る温度検出回路１２の構成を示す回路図である。図５に示す温度検出回路１２は、先述した第１実施形態（図１）との相違点として、ツェナーダイオードＺＤ１を備えている。
図５は、本開示の第３実施形態に係る温度検出回路１２の構成を示す回路図である。図５に示す温度検出回路１２は、先述した第１実施形態（図１）との相違点として、ツェナーダイオードＺＤ１を備えている。
【0034】
ツェナーダイオードＺＤ１のカソードは、電源電圧Ｖｃｃの印加端に接続される。ツェナーダイオードＺＤ１のアノードは、電圧変換抵抗Ｒ３の一端に接続される。電圧変換抵抗Ｒ３の一端がコンパレータＣＰ１の非反転入力端（＋）に接続される。
【0035】
電源電圧Ｖｃｃは、ツェナーダイオードＺＤ１に逆バイアスを印加するとともに、ツェナーダイオードＺＤ１１のツェナー電圧よりも低い電圧に設定される。例えば、ツェナー電圧が５Ｖとして、電源電圧Ｖｃｃが２Ｖなどである。
【0036】
これにより、通常時にはツェナーダイオードＺＤ１に電流が流れず、温度が高温となるとツェナーダイオードＺＤ１にリーク電流Ｉｌｅａｋが流れる。リーク電流Ｉｌｅａｋが電圧変換抵抗Ｒ３により電圧ＶＡに変換される。コンパレータＣＰ１は、電圧ＶＡと基準電圧ＶＢとを比較する。
【0037】
温度が上昇して過熱検出温度に達したときに、電圧ＶＡが基準電圧ＶＢを上回り、出力信号ＣＰＯＵＴがローレベルからハイレベルに切り替わる。これにより、過熱検出が行われる。このような本実施形態の温度検出回路１２によっても、温度検出精度を向上しつつ、回路規模を小さくできる。
【0038】
＜５．第４実施形態＞
図６は、本開示の第４実施形態に係る温度検出回路１３の構成を示す回路図である。図６に示す温度検出回路１３は、先述した第１実施形態（図１）との相違点として、ＮＭＯＳトランジスタＮＭ１を備えている。ＮＭＯＳトランジスタＮＭ１は、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴである。
図６は、本開示の第４実施形態に係る温度検出回路１３の構成を示す回路図である。図６に示す温度検出回路１３は、先述した第１実施形態（図１）との相違点として、ＮＭＯＳトランジスタＮＭ１を備えている。ＮＭＯＳトランジスタＮＭ１は、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴである。
【0039】
ＮＭＯＳトランジスタＮＭ１のドレインは、電源電圧Ｖｃｃの印加端に接続される。バイアス部２により生成されるバイアス電圧Ｖｂｓは、ＮＭＯＳトランジスタＮＭ１のゲートに印加される。ＮＭＯＳトランジスタＮＭ１のソースは、電圧変換抵抗Ｒ３の一端に接続される。
【0040】
バイアス電圧Ｖｂｓは、ＮＭＯＳトランジスタＮＭ１をオフ状態とするように設定される。すなわち、バイアス電圧Ｖｂｓは、ＮＭＯＳトランジスタＮＭ１のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓがしきい値電圧より低くなるように設定される。これにより、通常時にはＮＭＯＳトランジスタＮＭ１のドレイン・ソース間に電流が流れず、温度が高温となるとＮＭＯＳトランジスタＮＭ１のドレイン・ソース間にリーク電流Ｉｌｅａｋが流れる。リーク電流Ｉｌｅａｋが電圧変換抵抗Ｒ３により電圧ＶＡに変換される。コンパレータＣＰ１は、電圧ＶＡと基準電圧ＶＢとを比較する。
【0041】
温度が上昇して過熱検出温度に達したときに、電圧ＶＡが基準電圧ＶＢを上回り、出力信号ＣＰＯＵＴがローレベルからハイレベルに切り替わる。これにより、過熱検出が行われる。このような本実施形態の温度検出回路１３によっても、温度検出精度を向上しつつ、回路規模を小さくできる。
【0042】
＜６．第５実施形態＞
図７は、本開示の第５実施形態に係る温度検出回路１４の構成を示す回路図である。図７に示す温度検出回路１４は、先述した第４実施形態（図６）との相違点として、バイアス部２を備えておらず、ＮＭＯＳトランジスタＮＭ１のゲート・ソース間を短絡している。
図７は、本開示の第５実施形態に係る温度検出回路１４の構成を示す回路図である。図７に示す温度検出回路１４は、先述した第４実施形態（図６）との相違点として、バイアス部２を備えておらず、ＮＭＯＳトランジスタＮＭ１のゲート・ソース間を短絡している。
【0043】
これにより、第４実施形態よりも回路規模を小さくしつつ、ＮＭＯＳトランジスタＮＭ１をオフ状態とすることができる。
【0044】
＜７．その他＞
以上、例示的な実施形態について説明したが、本発明の趣旨の範囲内において、実施形態は種々に変形が可能である。
以上、例示的な実施形態について説明したが、本発明の趣旨の範囲内において、実施形態は種々に変形が可能である。
【0045】
＜８．付記＞
以上の通り、例えば、本開示の一態様に係る温度検出回路（１）は、
制御端と、第１主電極と、第２主電極とを有するトランジスタ（ＢＰ１）と、
前記トランジスタがオフ状態となるように前記制御端にバイアス電圧（Ｖｂｓ）を印加可能に構成されるバイアス部（２）と、
前記トランジスタに流れるリーク電流（Ｉｅ_ｌｅａｋ）を電圧信号（ＶＡ）に変換するように構成される電圧変換部（Ｒ３）と、
前記電圧信号と基準電圧（ＶＢ）とを比較するように構成されるコンパレータ（ＣＰ１）と、
を備える構成としている（第１の構成）。
以上の通り、例えば、本開示の一態様に係る温度検出回路（１）は、
制御端と、第１主電極と、第２主電極とを有するトランジスタ（ＢＰ１）と、
前記トランジスタがオフ状態となるように前記制御端にバイアス電圧（Ｖｂｓ）を印加可能に構成されるバイアス部（２）と、
前記トランジスタに流れるリーク電流（Ｉｅ_ｌｅａｋ）を電圧信号（ＶＡ）に変換するように構成される電圧変換部（Ｒ３）と、
前記電圧信号と基準電圧（ＶＢ）とを比較するように構成されるコンパレータ（ＣＰ１）と、
を備える構成としている（第１の構成）。
【0046】
また、上記第１の構成において、前記バイアス部（２）は、電源電圧（Ｖｒｅｇ）を分圧抵抗（Ｒ１，Ｒ２）により分圧することで前記バイアス電圧を生成するように構成されることとしてもよい（第２の構成）。
【0047】
また、上記第１または第２の構成において、前記トランジスタは、バイポーラトランジスタ（ＢＰ１）であり、
前記制御端は、ベースであり、
前記第１主電極は、コレクタであり、
前記第２主電極は、エミッタであり、
前記バイアス部（２）は、前記制御端であるベースに前記バイアス電圧（Ｖｂｓ）を印加可能に構成されてもよい（第３の構成）。
前記制御端は、ベースであり、
前記第１主電極は、コレクタであり、
前記第２主電極は、エミッタであり、
前記バイアス部（２）は、前記制御端であるベースに前記バイアス電圧（Ｖｂｓ）を印加可能に構成されてもよい（第３の構成）。
【0048】
また、上記第３の構成において、前記電圧変換部は、前記エミッタに接続される電圧変換抵抗（Ｒ３）である構成としてもよい（第４の構成）。
【0049】
また、本開示の一態様に係る温度検出回路（１１）は、制御端と、第１主電極と、第２主電極とを有するトランジスタ（ＢＰ１）と、
前記トランジスタに流れるリーク電流を電圧信号（ＶＡ）に変換するように構成される電圧変換部（Ｒ３）と、
前記電圧信号と基準電圧（ＶＢ）とを比較するように構成されるコンパレータ（ＣＰ１）と、
を備え、
前記制御端と前記第２主電極とが短絡されることで、前記トランジスタはオフ状態である構成としている（第５の構成）。
前記トランジスタに流れるリーク電流を電圧信号（ＶＡ）に変換するように構成される電圧変換部（Ｒ３）と、
前記電圧信号と基準電圧（ＶＢ）とを比較するように構成されるコンパレータ（ＣＰ１）と、
を備え、
前記制御端と前記第２主電極とが短絡されることで、前記トランジスタはオフ状態である構成としている（第５の構成）。
【0050】
また、上記第５の構成において、前記トランジスタは、バイポーラトランジスタ（ＢＰ１）であり、
前記制御端は、ベースであり、
前記第１主電極は、コレクタであり、
前記第２主電極は、エミッタである構成としてもよい（第６の構成）。
前記制御端は、ベースであり、
前記第１主電極は、コレクタであり、
前記第２主電極は、エミッタである構成としてもよい（第６の構成）。
【0051】
また、上記第５の構成において、前記トランジスタは、ＭＯＳトランジスタ（ＮＭ１）であり、
前記制御端は、ゲートであり、
前記第１主電極は、ドレインであり、
前記第２主電極は、ソースである構成としてもよい（第７の構成）。
前記制御端は、ゲートであり、
前記第１主電極は、ドレインであり、
前記第２主電極は、ソースである構成としてもよい（第７の構成）。
【0052】
また、本開示の一態様に係る温度検出回路（１２）は、電源電圧（Ｖｃｃ）の印加端に接続可能なカソードを有するツェナーダイオード（ＺＤ１）と、
前記ツェナーダイオードに流れるリーク電流を電圧信号（ＶＡ）に変換するように構成される電圧変換部（Ｒ３）と、
前記電圧信号と基準電圧（ＶＢ）とを比較するように構成されるコンパレータ（ＣＰ１）と、
を備え、
前記電源電圧は、前記ツェナーダイオードに逆バイアスを印加するとともに、前記ツェナーダイオードのツェナー電圧よりも低い構成としている（第８の構成）。
前記ツェナーダイオードに流れるリーク電流を電圧信号（ＶＡ）に変換するように構成される電圧変換部（Ｒ３）と、
前記電圧信号と基準電圧（ＶＢ）とを比較するように構成されるコンパレータ（ＣＰ１）と、
を備え、
前記電源電圧は、前記ツェナーダイオードに逆バイアスを印加するとともに、前記ツェナーダイオードのツェナー電圧よりも低い構成としている（第８の構成）。
【0053】
また、本開示の一態様に係る半導体装置（５）は、上記第１から第８のいずれかの構成とした温度検出回路（１）を備える（第９の構成）。
【産業上の利用可能性】
【0054】
本開示は、例えば、半導体装置の過熱保護に利用することが可能である。
【符号の説明】
【0055】
１ 温度検出回路
２ バイアス部
５ 半導体装置
１０～１４ 温度検出回路
１００ 温度検出回路
１５０ 定電流回路
ＢＰ１ バイポーラトランジスタ
ＢＰＡ バイポーラトランジスタ
ＣＩ 定電流源
ＣＰ１ コンパレータ
ＣＰＡ コンパレータ
ＮＭ１ ＮＭＯＳトランジスタ
ＰＭ１，ＰＭ２ ＰＭＯＳトランジスタ
Ｒ１，Ｒ２ 分圧抵抗
Ｒ３ 電圧変換抵抗
Ｒ４，Ｒ５ 分圧抵抗
ＲＡ，ＲＢ 分圧抵抗
ＺＤ１ ツェナーダイオード
２ バイアス部
５ 半導体装置
１０～１４ 温度検出回路
１００ 温度検出回路
１５０ 定電流回路
ＢＰ１ バイポーラトランジスタ
ＢＰＡ バイポーラトランジスタ
ＣＩ 定電流源
ＣＰ１ コンパレータ
ＣＰＡ コンパレータ
ＮＭ１ ＮＭＯＳトランジスタ
ＰＭ１，ＰＭ２ ＰＭＯＳトランジスタ
Ｒ１，Ｒ２ 分圧抵抗
Ｒ３ 電圧変換抵抗
Ｒ４，Ｒ５ 分圧抵抗
ＲＡ，ＲＢ 分圧抵抗
ＺＤ１ ツェナーダイオード
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】