(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023151276
(43)【公開日】2023-10-16
(54)【発明の名称】圧電素子
(51)【国際特許分類】
H10N 30/87 20230101AFI20231005BHJP
H10N 30/20 20230101ALI20231005BHJP
H10N 30/06 20230101ALI20231005BHJP
【ＦＩ】
H01L41/047
H01L41/09
H01L41/29
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022060800
(22)【出願日】2022-03-31
(71)【出願人】
【識別番号】000003067
【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088155
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 芳樹
(74)【代理人】
【識別番号】100113435
【弁理士】
【氏名又は名称】黒木 義樹
(74)【代理人】
【識別番号】100124062
【弁理士】
【氏名又は名称】三上 敬史
(72)【発明者】
【氏名】三井 拓樹
(72)【発明者】
【氏名】坂本 英也
(72)【発明者】
【氏名】太田 佳生
(72)【発明者】
【氏名】加藤 美帆
(72)【発明者】
【氏名】井尻 博之
(72)【発明者】
【氏名】武田 明丈
(57)【要約】
【課題】内部電極での電気的な接続の信頼性を向上する圧電素子を提供する。
【解決手段】圧電素子ＰＤ１は、素体１と、外部電極と、内部電極と、を備えている。内部電極は、互いに対向している内部導体３１，３２を有している。内部導体３１は、互いに連続している導体部分３１ａ，３１ｂを含んでいる。内部導体３２は、第一方向Ｄ１で導体部分３１ａと対向している導体部分３２ａと、導体部分３１ｂに接続されている領域３２ｃと、領域３２ｃと連続し、かつ、導体部分３２ａと連続している領域３２ｄとを有する導体部分３２ｂと、を含んでいる。導体部分３２ｂは、第一方向Ｄ１に素体部分５ｂを貫通する貫通孔３５ｂ内に位置している。導体部分３２ｂの第一方向Ｄ１での厚みは、貫通孔３５ｂの中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している。
【選択図】図５
【解決手段】圧電素子ＰＤ１は、素体１と、外部電極と、内部電極と、を備えている。内部電極は、互いに対向している内部導体３１，３２を有している。内部導体３１は、互いに連続している導体部分３１ａ，３１ｂを含んでいる。内部導体３２は、第一方向Ｄ１で導体部分３１ａと対向している導体部分３２ａと、導体部分３１ｂに接続されている領域３２ｃと、領域３２ｃと連続し、かつ、導体部分３２ａと連続している領域３２ｄとを有する導体部分３２ｂと、を含んでいる。導体部分３２ｂは、第一方向Ｄ１に素体部分５ｂを貫通する貫通孔３５ｂ内に位置している。導体部分３２ｂの第一方向Ｄ１での厚みは、貫通孔３５ｂの中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
圧電素体と、
前記圧電素体の外表面に配置されている外部電極と、
前記外部電極に接続されていると共に、前記圧電素体内に配置されている内部電極と、
を備え、
前記内部電極は、互いに対向している第一内部導体と第二内部導体とを有し、
前記第一内部導体は、互いに連続している第一導体部分と第二導体部分とを含み、
前記第二内部導体は、
前記第一内部導体と前記第二内部導体とが対向している方向で前記第一導体部分と対向している第三導体部分と、
前記第二導体部分に接続されている第一領域と、前記第一領域と連続し、かつ、前記第三導体部分と連続している第二領域とを有する第四導体部分と、を含み、
前記圧電素体は、前記第一内部導体と前記第二内部導体との間に位置する素体部分を含み、
前記第四導体部分は、前記方向に前記素体部分を貫通する貫通孔内に位置し、
前記第四導体部分の前記方向での厚みは、前記貫通孔の中心線に近づくにつれて増加している、圧電素子。
前記圧電素体の外表面に配置されている外部電極と、
前記外部電極に接続されていると共に、前記圧電素体内に配置されている内部電極と、
を備え、
前記内部電極は、互いに対向している第一内部導体と第二内部導体とを有し、
前記第一内部導体は、互いに連続している第一導体部分と第二導体部分とを含み、
前記第二内部導体は、
前記第一内部導体と前記第二内部導体とが対向している方向で前記第一導体部分と対向している第三導体部分と、
前記第二導体部分に接続されている第一領域と、前記第一領域と連続し、かつ、前記第三導体部分と連続している第二領域とを有する第四導体部分と、を含み、
前記圧電素体は、前記第一内部導体と前記第二内部導体との間に位置する素体部分を含み、
前記第四導体部分は、前記方向に前記素体部分を貫通する貫通孔内に位置し、
前記第四導体部分の前記方向での厚みは、前記貫通孔の中心線に近づくにつれて増加している、圧電素子。
【請求項2】
前記第二領域の前記方向での厚みが増加する度合いは、前記第一領域の前記方向での厚みが増加する度合いより小さい、請求項１に記載の圧電素子。
【請求項3】
前記方向は、前記第一内部導体から前記第二内部導体に向かう第一方向と、前記第二内部導体から前記第一内部導体に向かう第二方向と、を含み、
前記方向に直交し、かつ、前記第三導体部分を含む平面を基準面として、前記第二領域は、前記基準面から前記第一方向に厚みを有する領域部分と、前記基準面から前記第二方向に厚みを有する領域部分と、を含み、
前記第二領域が含む各前記領域部分の、前記方向での厚みは、前記中心線に近づくにつれて増加している、請求項１又は２に記載の圧電素子。
前記方向に直交し、かつ、前記第三導体部分を含む平面を基準面として、前記第二領域は、前記基準面から前記第一方向に厚みを有する領域部分と、前記基準面から前記第二方向に厚みを有する領域部分と、を含み、
前記第二領域が含む各前記領域部分の、前記方向での厚みは、前記中心線に近づくにつれて増加している、請求項１又は２に記載の圧電素子。
【請求項4】
前記方向から見て、前記第二導体部分の外縁の全体が、前記第二領域の外縁より内側に位置している、請求項１～３のいずれか一項に記載の圧電素子。
【請求項5】
前記第二領域には、前記第一領域から前記方向に離れた端部に、窪みが形成されている、請求項１～４のいずれか一項に記載の圧電素子。
【請求項6】
前記窪みの深さは、前記中心線に近づくにつれて増加している、請求項５に記載の圧電素子。
【請求項7】
前記方向から見て、前記第二導体部分は、前記窪みの外周縁の内側に位置している、請求項５又は６に記載の圧電素子。
【請求項8】
前記第二領域及び前記窪みは、前記方向から見て、円形状を呈している、請求項５～７のいずれか一項に記載の圧電素子。
【請求項9】
前記第一領域の前記方向での長さは、前記窪みの底部と、前記第二導体部分との前記方向での長さより小さい、請求項５～８のいずれか一項に記載の圧電素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、圧電素子に関する。
【背景技術】
【0002】
知られている圧電素子は、圧電素体と、素体の外表面に配置されている外部電極と、外部電極に接続されていると共に、素体内に配置されている内部電極と、を備えている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特許第６７４７１１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の一態様は、内部電極での電気的な接続の信頼性を向上する圧電素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明者らは、内部電極での電気的な接続の信頼性を向上する圧電素子について、調査研究を行った。この結果、本発明者らは、以下の知見を新たに得て、本発明を想到するに至った。
内部電極は、互いに対向している第一内部導体と第二内部導体とを有する場合がある。この場合、第一内部導体は、互いに連続している第一導体部分と第二導体部分とを含み、第二内部導体は、互いに連続している第三導体部分と第四導体部分とを含む。第三導体部分は、第一内部導体と第二内部導体とが対向している方向で第一導体部分と対向している。第四導体部分は、第二導体部分に接続されている。
圧電素子では、圧電素体の変形に伴って、圧電素体からの応力が内部電極に作用することがあり、圧電素体から作用する応力は、内部電極の形状が変化する箇所に集中しやすい。内部電極の形状は、第四導体部分と、第二及び第三導体部分とが互いに接続又は連続している接続箇所で変化しており、圧電素体から作用する応力は、接続箇所に集中しやすい。応力の集中によって、接続箇所での電気的な接続の信頼性が低下する。電気的な接続の信頼性が低下した内部電極は、駆動信号の安定的な伝送を実現しがたい。
本発明者らの検討では、接続箇所での形状の変化が減少した内部電極は、圧電素体から作用する応力の接続箇所への集中を抑制する。応力集中の抑制は、内部電極での電気的な接続の信頼性を向上する。
内部電極は、互いに対向している第一内部導体と第二内部導体とを有する場合がある。この場合、第一内部導体は、互いに連続している第一導体部分と第二導体部分とを含み、第二内部導体は、互いに連続している第三導体部分と第四導体部分とを含む。第三導体部分は、第一内部導体と第二内部導体とが対向している方向で第一導体部分と対向している。第四導体部分は、第二導体部分に接続されている。
圧電素子では、圧電素体の変形に伴って、圧電素体からの応力が内部電極に作用することがあり、圧電素体から作用する応力は、内部電極の形状が変化する箇所に集中しやすい。内部電極の形状は、第四導体部分と、第二及び第三導体部分とが互いに接続又は連続している接続箇所で変化しており、圧電素体から作用する応力は、接続箇所に集中しやすい。応力の集中によって、接続箇所での電気的な接続の信頼性が低下する。電気的な接続の信頼性が低下した内部電極は、駆動信号の安定的な伝送を実現しがたい。
本発明者らの検討では、接続箇所での形状の変化が減少した内部電極は、圧電素体から作用する応力の接続箇所への集中を抑制する。応力集中の抑制は、内部電極での電気的な接続の信頼性を向上する。
【0006】
本発明の一態様に係る圧電素子は、圧電素体と、圧電素体の外表面に配置されている外部電極と、外部電極に接続されていると共に、圧電素体内に配置されている内部電極と、を備えている。内部電極は、互いに対向している第一内部導体と第二内部導体とを有している。第一内部導体は、互いに連続している第一導体部分と第二導体部分とを含んでいる。第二内部導体は、第一内部導体と第二内部導体とが対向している方向で第一導体部分と対向している第三導体部分と、第二導体部分に接続されている第一領域と、第一領域と連続し、かつ、第三導体部分と連続している第二領域とを有する第四導体部分と、を含んでいる。圧電素体は、第一内部導体と第二内部導体との間に位置する素体部分を含んでいる。第四導体部分は、上記方向に素体部分を貫通する貫通孔内に位置している。第四導体部分の上記方向での厚みは、貫通孔の中心線に近づくにつれて増加している。
【0007】
上記一態様では、互いに対向している第一内部導体と第二内部導体とは、第四導体部分によって、互いに接続されている。第四導体部分は、第二内部導体の第三導体部分と連続しており、第四導体部分の上記方向での厚みは、貫通孔の中心線に近づくにつれて増加している。したがって、第四導体部分と第三導体部分とが互いに連続する箇所で、内部電極の形状が緩やかに変化する。圧電素体の変形に伴って圧電素体から内部電極に作用する応力は、上記連続する箇所に集中しがたい。上記連続する箇所において、応力の集中による電気的な接続の信頼性の低下が抑制される。この結果、内部電極での電気的な接続の信頼性が向上する。
【0008】
上記一態様では、第二領域の上記方向での厚みが増加する度合いは、第一領域の上記方向での厚みが増加する度合いより小さくてもよい。
第二領域の上記方向での厚みが増加する度合いが、第一領域の上記方向での厚みが増加する度合いより小さい構成では、上記連続する箇所で内部電極の形状がより緩やかに変化する。圧電素体の変形に伴って圧電素体から内部電極に作用する応力は、上記連続する箇所により集中しがたい。この結果、内部電極での電気的な接続の信頼性がより向上する。
第二領域の上記方向での厚みが増加する度合いが、第一領域の上記方向での厚みが増加する度合いより小さい構成では、上記連続する箇所で内部電極の形状がより緩やかに変化する。圧電素体の変形に伴って圧電素体から内部電極に作用する応力は、上記連続する箇所により集中しがたい。この結果、内部電極での電気的な接続の信頼性がより向上する。
【0009】
上記一態様では、上記方向は、第一内部導体から第二内部導体に向かう第一方向と、第二内部導体から第一内部導体に向かう第二方向と、を含んでいてもよい。上記方向に直交し、かつ、第三導体部分を含む平面を基準面として、第二領域は、基準面から第一方向に厚みを有する領域部分と、基準面から第二方向に厚みを有する領域部分と、を含んでいてもよい。第二領域が含む各領域部分の、上記方向での厚みは、中心線に近づくにつれて増加していてもよい。
第二領域が含む各領域部分の、上記方向での厚みが、中心線に近づくにつれて増加している構成では、上記連続する箇所で内部電極の形状が更により緩やかに変化する。圧電素体の変形に伴って圧電素体から内部電極に作用する応力は、上記連続する箇所に更により集中しがたい。この結果、内部電極での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
第二領域が含む各領域部分の、上記方向での厚みが、中心線に近づくにつれて増加している構成では、上記連続する箇所で内部電極の形状が更により緩やかに変化する。圧電素体の変形に伴って圧電素体から内部電極に作用する応力は、上記連続する箇所に更により集中しがたい。この結果、内部電極での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
【0010】
上記一態様では、上記方向から見て、第二導体部分の外縁の全体が、第二領域の外縁より内側に位置していてもよい。
上記方向から見て、第二導体部分の外縁の全体が、第二領域の外縁より内側に位置している構成では、上記方向から見て、第二領域の外縁が中心線からより離れて位置しており、第二領域の上記方向での厚みの増加の度合いが減少する。上記連続する箇所で内部電極の形状が更により緩やかに変化する。圧電素体の変形に伴って圧電素体から内部電極に作用する応力は、上記連続する箇所に更により集中しがたい。この結果、内部電極での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
上記方向から見て、第二導体部分の外縁の全体が、第二領域の外縁より内側に位置している構成では、上記方向から見て、第二領域の外縁が中心線からより離れて位置しており、第二領域の上記方向での厚みの増加の度合いが減少する。上記連続する箇所で内部電極の形状が更により緩やかに変化する。圧電素体の変形に伴って圧電素体から内部電極に作用する応力は、上記連続する箇所に更により集中しがたい。この結果、内部電極での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
【0011】
上記一態様では、第二領域には、第一領域から上記方向に離れた端部に、窪みが形成されていてもよい。
第二領域において、第一領域から上記方向に離れた端部に、窪みが形成されている構成では、第二領域に窪みが形成された分、第四導体部分の上記方向での厚みが減少している。厚みの減少によって、第四導体部分は、圧電素体の変形に伴う第三導体部分の収縮及び延伸に対してより追随しやすい。したがって、上記連続する箇所での電気的な接続の信頼性の低下がより抑制される。この結果、内部電極での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
第二領域において、第一領域から上記方向に離れた端部に、窪みが形成されている構成では、第二領域に窪みが形成された分、第四導体部分の上記方向での厚みが減少している。厚みの減少によって、第四導体部分は、圧電素体の変形に伴う第三導体部分の収縮及び延伸に対してより追随しやすい。したがって、上記連続する箇所での電気的な接続の信頼性の低下がより抑制される。この結果、内部電極での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
【0012】
上記一態様では、窪みの深さは、中心線に近づくにつれて増加していてもよい。
窪みの深さが、中心線に近づくにつれて増加している構成では、第四導体部分の上記方向での厚みが、中心線に近づくにつれて減少しており、第四導体部分は、圧電素体の変形に伴う第三導体部分の収縮及び延伸に対して更により追随しやすい。したがって、上記連続する部分での電気的な接続の信頼性の低下が更により抑制される。この結果、内部電極での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
窪みの深さが、中心線に近づくにつれて増加している構成では、第四導体部分の上記方向での厚みが、中心線に近づくにつれて減少しており、第四導体部分は、圧電素体の変形に伴う第三導体部分の収縮及び延伸に対して更により追随しやすい。したがって、上記連続する部分での電気的な接続の信頼性の低下が更により抑制される。この結果、内部電極での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
【0013】
上記一態様では、上記方向から見て、第二導体部分は、窪みの外周縁の内側に位置していてもよい。
上記方向から見て、第二導体部分が窪みの外周縁の内側に位置している構成では、窪みの形成によって第四導体部分の上記方向での厚みが減少する範囲がより拡大する。広い範囲での厚みの減少によって、第四導体部分は、圧電素体の変形に伴う第三導体部分の収縮及び延伸に対して更により追随しやすい。したがって、上記連続する部分での電気的な接続の信頼性の低下が更により抑制される。この結果、内部電極での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
上記方向から見て、第二導体部分が窪みの外周縁の内側に位置している構成では、窪みの形成によって第四導体部分の上記方向での厚みが減少する範囲がより拡大する。広い範囲での厚みの減少によって、第四導体部分は、圧電素体の変形に伴う第三導体部分の収縮及び延伸に対して更により追随しやすい。したがって、上記連続する部分での電気的な接続の信頼性の低下が更により抑制される。この結果、内部電極での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
【0014】
上記一態様では、第二領域及び窪みは、上記方向から見て、円形状を呈していてもよい。
第二領域及び窪みが、上記方向から見て、円形状を呈している構成では、第四導体部分は、圧電素体の変形に伴う第三導体部分の上記方向に交差する方向での収縮及び延伸に対してより追随しやすい。したがって、上記連続する部分での電気的な接続の信頼性の低下が更により抑制される。この結果、内部電極での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
第二領域及び窪みが、上記方向から見て、円形状を呈している構成では、第四導体部分は、圧電素体の変形に伴う第三導体部分の上記方向に交差する方向での収縮及び延伸に対してより追随しやすい。したがって、上記連続する部分での電気的な接続の信頼性の低下が更により抑制される。この結果、内部電極での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
【0015】
上記一態様では、第一領域の上記方向での長さは、窪みの底部と、第二導体部分との上記方向での長さより小さくてもよい。
第一領域の上記方向での長さは、窪みの底部と、第二導体部分との上記方向での長さより小さい構成では、第四導体部分は、圧電素体の変形に伴う第三導体部分の収縮及び延伸に対して更により追随しやすい。したがって、上記連続する部分での電気的な接続の信頼性の低下が更により抑制される。この結果、内部電極での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
第一領域の上記方向での長さは、窪みの底部と、第二導体部分との上記方向での長さより小さい構成では、第四導体部分は、圧電素体の変形に伴う第三導体部分の収縮及び延伸に対して更により追随しやすい。したがって、上記連続する部分での電気的な接続の信頼性の低下が更により抑制される。この結果、内部電極での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
【発明の効果】
【0016】
本発明の一態様は、内部電極での電気的な接続の信頼性を向上する圧電素子を提供する。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【図1】一実施形態に係る圧電素子を示す斜視図である。
【図2】本実施形態に係る圧電素子の断面構成を示す図である。
【図3】貫通孔の配列を示す図である。
【図4】内部導体の構成を示す図である。
【図5】内部導体の構成を示す図である。
【図6】内部導体の構成を示す図である。
【図7】内部導体の構成を示す図である。
【図8】内部導体の構成を示す図である。
【図9】内部導体の構成を示す図である。
【図10】内部導体の構成を示す図である。
【図11】内部導体の構成を示す図である。
【図12】内部導体の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【0019】
図１～図１２を参照して、本実施形態に係る圧電素子ＰＤ１の構成を説明する。図１は、本実施形態に係る圧電素子を示す斜視図である。図２は、本実施形態に係る圧電素子の断面構成を示す図である。図３は、貫通孔の配列を示す図である。図４～図１２は、内部導体の構成を示す図である。図４～図１２では、各部を明確に示すため、ハッチングが省略されている。
【0020】
図１及び図２に示されるように、圧電素子ＰＤ１は、素体１と、外部電極１０，２０と、内部電極３０，４０と、を備えている。外部電極１０，２０は、素体１の外表面に配置されている。内部電極３０，４０は、素体１内に配置されている。内部電極３０，４０は、外部電極１０，２０に接続されている。内部電極３０，４０は、外部電極１０，２０のうち、対応する外部電極１０，２０に接続されている。内部電極３０，４０は、対応する外部電極１０，２０と物理的かつ電気的に接続されている。外部電極１０，２０には、たとえば、互いに極性が異なる電圧が印加される。
【0021】
本実施形態では、素体１は、直方体形状を呈している圧電素体である。素体１は、互いに対向している一対の主面１ａ，１ｂと、互いに対向している一対の側面１ｃ，１ｄと、互いに対向している一対の側面１ｅ，１ｆと、を有している。主面１ａ，１ｂ、側面１ｃ，１ｄ、及び側面１ｅ，１ｆは、素体１の外表面を構成している。主面１ａ，１ｂ、側面１ｃ，１ｄ、及び側面１ｅ，１ｆは、矩形状を呈している。
【0022】
主面１ａ，１ｂは、第一方向Ｄ１で互いに対向している。主面１ａ，１ｂは、素体１の第一方向Ｄ１での両端を規定している。側面１ｃ，１ｄは、主面１ａ，１ｂと隣り合うと共に、第一方向Ｄ１に交差する第二方向Ｄ２で互いに対向している。側面１ｃ，１ｄは、素体１の第二方向Ｄ２での両端を規定している。側面１ｅ，１ｆは、主面１ａ，１ｂ及び側面１ｃ，１ｄと隣り合うと共に、第一方向Ｄ１及び第二方向Ｄ２に交差する第三方向Ｄ３で互いに対向している。側面１ｅ，１ｆは、素体１の第三方向Ｄ３での両端を規定している。本実施形態では、第一方向Ｄ１、第二方向Ｄ２、及び第三方向Ｄ３は、互いに直交している。本明細書での「直方体形状」は、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状を含む。本明細書での「矩形状」は、たとえば、各角が面取りされている形状、及び、各角が丸められている形状を含む。
【0023】
主面１ａ，１ｂは、側面１ｃと側面１ｄとを連結するように、第二方向Ｄ２に延在している。主面１ａ，１ｂは、側面１ｅと側面１ｆとを連結するように、第三方向Ｄ３に延在している。側面１ｃ，１ｄは、主面１ａと主面１ｂとを連結するように、第一方向Ｄ１に延在している。側面１ｃ，１ｄは、側面１ｅと側面１ｆとを連結するように、第三方向Ｄ３に延在している。側面１ｅ，１ｆは、主面１ａと主面１ｂとを連結するように、第一方向Ｄ１に延在している。側面１ｅ，１ｆは、側面１ｃと側面１ｄとを連結するように、第二方向Ｄ２に延在している。主面１ａ，１ｂと、側面１ｃ，１ｄと、側面１ｅ，１ｆとは、間接的に隣り合っていてもよい。この場合、主面１ａ，１ｂと、側面１ｃ，１ｄと、側面１ｅ，１ｆとの間には、稜線部が位置する。
【0024】
素体１の第一方向Ｄ１での長さ、すなわち、素体１の厚みは、たとえば、０．２～０．５ｍｍである。素体１の第二方向Ｄ２での長さは、たとえば、２０ｍｍである。素体１の第三方向Ｄ３での長さは、たとえば、１０ｍｍである。素体１では、たとえば、第二方向Ｄ２が長辺方向である。
【0025】
素体１は、たとえば、複数の圧電体層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅを有している。本実施形態では、素体１は、５層の圧電体層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅを有している。圧電体層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅは、たとえば、第一方向Ｄ１に積層されている。圧電体層３ａは、主面１ａを有している。圧電体層３ｅは、主面１ｂを有している。圧電体層３ｂ，３ｃ，３ｄは、圧電体層３ａと圧電体層３ｅとの間に位置している。本実施形態では、圧電体層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅの厚みは、互いに同等である。本明細書での「同等」は、必ずしも、値が一致していることだけを意味するのではない。予め設定した範囲での微差、製造誤差、又は測定誤差が含まれている場合でも、厚みが同等であるとしてもよい。本実施形態では、圧電素子ＰＤ１は、いわゆる積層型圧電素子である。
【0026】
圧電体層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅは、圧電材料からなる。本実施形態では、圧電体層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅは、圧電セラミック材料からなる。圧電セラミック材料は、たとえば、ＰＺＴ［Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ３］、ＰＴ（ＰｂＴｉＯ３）、又はチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を含む。圧電体層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅは、たとえば、上述した圧電セラミック材料を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成される。実際の素体１では、圧電体層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅは、圧電体層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅの間の境界が認識できない程度に一体化されている。
【0027】
外部電極１０は、たとえば、主面１ｂに配置されている。外部電極１０は、第一方向Ｄ１から見て、たとえば、主面１ｂの全ての縁（四辺）から離間している。外部電極２０は、たとえば、主面１ｂに配置されている。外部電極２０は、第一方向Ｄ１から見て、たとえば、主面１ｂの全ての縁（四辺）から離間している。本実施形態では、第一方向Ｄ１から見て、外部電極１０，２０は、矩形状を呈している。外部電極１０，２０は、第一方向Ｄ１から見て、たとえば、互いに同形状を呈している。第一方向Ｄ１から見て、外部電極１０，２０の長辺方向は、たとえば、第二方向Ｄ２と一致し、外部電極１０，２０の短辺方向は、第三方向Ｄ３と一致している。外部電極１０，２０は、導電性材料を含んでいる。外部電極１０，２０の導電性材料には、たとえば、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ－Ｐｄ合金、又はＡｇ－Ｐｄ合金が用いられる。外部電極１０，２０は、たとえば、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。
【0028】
内部電極３０は、たとえば、外部電極１０と接続されている。内部電極３０は、内部導体３１と、内部導体３２と、内部導体３３と、内部導体３４とを有している。内部導体３１と、内部導体３２と、内部導体３３と、内部導体３４とは、第一方向Ｄ１において、互いに異なる位置（層）に配置されている。内部導体３１と、内部導体３２と、内部導体３３と、内部導体３４との各々は、互いに、第一方向Ｄ１に間隔を有して対向している。内部導体３１と、内部導体３２と、内部導体３３と、内部導体３４とは、たとえば、第一方向Ｄ１で、この順に並んでいる。内部導体３４は、第一方向Ｄ１で外部電極１０と対向している。内部導体３１と、内部導体３２と、内部導体３３と、内部導体３４とは、素体１の外表面には露出していない。したがって、内部導体３１と、内部導体３２と、内部導体３３と、内部導体３４とは、主面１ａ，１ｂの全ての縁（四辺）から離間している。内部導体３１と、内部導体３２と、内部導体３３と、内部導体３４とは、側面１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆからも離間している。たとえば、内部導体３１が、第一内部導体を構成する場合、内部導体３２は、第二内部導体を構成する。たとえば、内部導体３２が、第一内部導体を構成する場合、内部導体３３は、第二内部導体を構成する。たとえば、内部導体３３が、第一内部導体を構成する場合、内部導体３４は、第二内部導体を構成する。
【0029】
素体１は、たとえば、複数の素体部分５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅを含んでいる。素体部分５ａは、主面１ａと内部導体３１との間に位置している。素体部分５ａは、たとえば、圧電体層３ａを含んでいる。素体部分５ｂは、内部導体３１と内部導体３２との間に位置している。素体部分５ｂは、たとえば、圧電体層３ｂを含んでいる。素体部分５ｃは、内部導体３２と内部導体３３との間に位置している。素体部分５ｃは、たとえば、圧電体層３ｃを含んでいる。素体部分５ｄは、内部導体３３と内部導体３４との間に位置している。素体部分５ｄは、たとえば、圧電体層３ｄを含んでいる。素体部分５ｅは、内部導体３４と主面１ｂとの間に位置している。素体部分５ｅは、たとえば、圧電体層３ｅを含んでいる。内部導体３１は、素体部分５ａと素体部分５ｂとの間に位置している。内部導体３２は、素体部分５ｂと素体部分５ｃとの間に位置している。内部導体３３は、素体部分５ｃと素体部分５ｄとの間に位置している。内部導体３４は、素体部分５ｄと素体部分５ｅとの間に位置している。
【0030】
本実施形態では、貫通孔３５ｂ，３５ｃ，３５ｄ，３５ｅが形成されている。素体部分５ｂには、第一方向Ｄ１に素体部分５ｂを貫通する貫通孔３５ｂが形成されている。素体部分５ｃには、第一方向Ｄ１に素体部分５ｃを貫通する貫通孔３５ｃが形成されている。素体部分５ｄには、第一方向Ｄ１に素体部分５ｄを貫通する貫通孔３５ｄが形成されている。素体部分５ｅには、第一方向Ｄ１に素体部分５ｅを貫通する貫通孔３５ｅが形成されている。
【0031】
図３に示されるように、貫通孔３５ｂ，３５ｃ，３５ｄ，３５ｅは、第一方向Ｄ１から見て、たとえば、行列状に配列されている。図３に示された例では、貫通孔３５ｂ，３５ｃ，３５ｄ，３５ｅは、第一方向Ｄ１から見て、２行２列の行列状に配列している。貫通孔３５ｂ，３５ｄは、第一方向Ｄ１から見て、たとえば、互いに重なっている。貫通孔３５ｃ，３５ｅは、第一方向Ｄ１から見て、たとえば、互いに重なっている。貫通孔３５ｂ，３５ｄ及び貫通孔３５ｃ，３５ｅは、第一方向Ｄ１から見て、たとえば、互いに等間隔で配列されている。貫通孔３５ｂ，３５ｄ及び貫通孔３５ｃ，３５ｅは、たとえば、等間隔で引かれた格子、すなわち、正方格子の交点に配列されている。貫通孔３５ｂ，３５ｄの第二方向Ｄ２での配列間隔は、たとえば、貫通孔３５ｃ，３５ｅの第二方向Ｄ２での配列間隔と等しい。貫通孔３５ｂ，３５ｄの第三方向Ｄ３での配列間隔は、たとえば、貫通孔３５ｃ，３５ｅの第三方向Ｄ３での配列間隔と等しい。貫通孔３５ｃ，３５ｅは、第一方向Ｄ１から見て、貫通孔３５ｂ，３５ｄに対して、たとえば、第二方向Ｄ２及び第三方向Ｄ３に、貫通孔３５ｂ，３５ｃ，３５ｄ，３５ｅの配列間隔の１／２ずつ平行移動して配置されている。貫通孔３５ｃ，３５ｅは、第一方向Ｄ１から見て、貫通孔３５ｂ，３５ｄに対して、第二方向Ｄ２及び第三方向Ｄ３のいずれか一方向のみに、貫通孔３５ｂ，３５ｃ，３５ｄ，３５ｅの配列間隔の１／２ずつ平行移動して配置されていてもよい。貫通孔３５ｂ，３５ｃ，３５ｄ，３５ｅは、第一方向Ｄ１から見て、たとえば、３行３列の行列状に配列していてもよい。
【0032】
内部電極４０は、たとえば、外部電極２０と接続されている。内部電極４０は、内部導体４１と、内部導体４２と、内部導体４３と、内部導体４４とを有している。内部導体４１と、内部導体４２と、内部導体４３と、内部導体４４とは、第一方向Ｄ１において、互いに異なる位置（層）に配置されている。内部導体４１と、内部導体４２と、内部導体４３と、内部導体４４との各々は、互いに、第一方向Ｄ１に間隔を有して対向している。内部導体４１と、内部導体４２と、内部導体４３と、内部導体４４とは、たとえば、第一方向Ｄ１で、この順に並んでいる。内部導体４４は、第一方向Ｄ１で外部電極２０と対向している。内部導体４１と、内部導体４２と、内部導体４３と、内部導体４４とは、素体１の外表面には露出していない。したがって、内部導体４１と、内部導体４２と、内部導体４３と、内部導体４４とは、主面１ａ，１ｂの全ての縁（四辺）から離間している。内部導体４１と、内部導体４２と、内部導体４３と、内部導体４４とは、側面１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆからも離間している。たとえば、内部導体４１が、第一内部導体を構成する場合、内部導体４２は、第二内部導体を構成する。たとえば、内部導体４２が、第一内部導体を構成する場合、内部導体４３は、第二内部導体を構成する。たとえば、内部導体４３が、第一内部導体を構成する場合、内部導体４４は、第二内部導体を構成する。
【0033】
素体部分５ａは、主面１ａと内部導体４１との間に位置している。素体部分５ａは、たとえば、圧電体層３ａを含んでいる。素体部分５ｂは、内部導体４１と内部導体４２との間に位置している。素体部分５ｂは、たとえば、圧電体層３ｂを含んでいる。素体部分５ｃは、内部導体４２と内部導体４３との間に位置している。素体部分５ｃは、たとえば、圧電体層３ｃを含んでいる。素体部分５ｄは、内部導体４３と内部導体４４との間に位置している。素体部分５ｄは、たとえば、圧電体層３ｄを含んでいる。素体部分５ｅは、内部導体４４と主面１ｂとの間に位置している。素体部分５ｅは、たとえば、圧電体層３ｅを含んでいる。内部導体４１は、素体部分５ａと素体部分５ｂとの間に位置している。内部導体４２は、素体部分５ｂと素体部分５ｃとの間に位置している。内部導体４３は、素体部分５ｃと素体部分５ｄとの間に位置している。内部導体４４は、素体部分５ｄと素体部分５ｅとの間に位置している。
【0034】
本実施形態では、貫通孔４５ｂ，４５ｃ，４５ｄ，４５ｅが形成されている。素体部分５ｂには、第一方向Ｄ１に素体部分５ｂを貫通する貫通孔４５ｂが形成されている。素体部分５ｃには、第一方向Ｄ１に素体部分５ｃを貫通する貫通孔４５ｃが形成されている。素体部分５ｄには、第一方向Ｄ１に素体部分５ｄを貫通する貫通孔４５ｄが形成されている。素体部分５ｅには、第一方向Ｄ１に素体部分５ｅを貫通する貫通孔４５ｅが形成されている。
【0035】
貫通孔４５ｂ～４５ｅは、第一方向Ｄ１から見て、たとえば、行列状に配列されている。たとえば、第一方向Ｄ１から見て、それぞれ４つの貫通孔４５ｂ～４５ｅが、２行２列の行列状に配列している。貫通孔４５ｂ，４５ｄ及び貫通孔４５ｃ，４５ｅは、第一方向Ｄ１から見て、たとえば、互いに等間隔で配列されている。貫通孔４５ｂ，４５ｄ及び貫通孔４５ｃ，４５ｅは、たとえば、等間隔で引かれた格子、すなわち、正方格子の交点に配列されている。貫通孔４５ｂ～４５ｅの配列は、たとえば、図３に例示されている貫通孔３５ｂ～３５ｅの配列と同じである。
【0036】
図２に示されている例では、内部導体３１と内部導体４２とは、第一方向Ｄ１で互いに対向している。内部導体３１と内部導体４２とは、素体部分５ｂを挟んでいる。内部導体４２と内部導体３３とは、第一方向Ｄ１で互いに対向している。内部導体４２と内部導体３３とは、素体部分５ｃを挟んでいる。内部導体３３と内部導体４４とは、第一方向Ｄ１で互いに対向している。内部導体３３と内部導体４４とは、素体部分５ｄを挟んでいる。
【0037】
素体１では、素体部分５ｂのうち内部導体３１と内部導体４２とで挟まれた領域と、素体部分５ｃのうち内部導体４２と内部導体３３とで挟まれた領域と、素体部分５ｄのうち内部導体３３と内部導体４４とで挟まれた領域とは、圧電的に活性な活性領域を構成する。内部導体３１と内部導体４２との間、内部導体４２と内部導体３３との間、及び内部導体３３と内部導体４４との間に、活性領域が形成される。第一方向Ｄ１から見て、素体部分５ｂ，５ｃ，５ｄにおいて、内部導体３１及び内部導体４２と、内部導体４２及び内部導体３３と、内部導体３３及び内部導体４４とが互いに重なっている領域の外縁が、活性領域と、圧電効果的に不活性な不活性領域との境界を画成している。素体１では、素体部分５ａと素体部分５ｅとは、不活性領域を構成する。
【0038】
内部電極３０，４０は、たとえば、Ａｇ－Ｐｄ合金を含んでいる。内部電極３０，４０は、たとえば、素体１との同時焼成によって形成され、Ａｇ及びＰｄからなる粒子を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。内部電極３０，４０は、Ａｇ－Ｐｄ合金以外に、たとえば、Ｐｔ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ、及びこれらの合金からなる導電性材料を含んでいる。内部電極３０，４０は、これらの導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成されてもよい。
【0039】
図４及び図５は、内部導体３１，３２の構成を示す図である。図４及び図５に示されるように、内部導体３１は、導体部分３１ａと導体部分３１ｂとを含んでいる。導体部分３１ａと導体部分３１ｂとは、互いに連続している。導体部分３１ａと導体部分３１ｂとは、たとえば、第二方向Ｄ２及び第三方向Ｄ３で、互いに連続している。たとえば、導体部分３１ａが、第一導体部分を構成する場合、導体部分３１ｂは、第二導体部分を構成する。
【0040】
内部導体３２は、導体部分３２ａと導体部分３２ｂとを含んでいる。導体部分３２ａは、第一方向Ｄ１で導体部分３１ａと対向している。導体部分３２ｂは、第一方向Ｄ１に延在していると共に、内部導体３１に接続されている。導体部分３２ｂは、領域３２ｃと領域３２ｄとを有している。領域３２ｃは、導体部分３１ｂに接続されている。領域３２ｃは、たとえば、導体部分３１ｂに物理的かつ電気的に接続されている。領域３２ｄは、領域３２ｃと連続し、かつ、導体部分３２ａと連続している。本実施形態では、領域３２ｄは、第一方向Ｄ１で領域３２ｃと連続し、第二方向Ｄ２及び第三方向Ｄ３で導体部分３２ａと連続している。導体部分３２ｂは、貫通孔３５ｂ内に位置している。たとえば、導体部分３２ａが、第三導体部分を構成する場合、導体部分３２ｂは、第四導体部分を構成する。たとえば、導体部分３２ａが、第三導体部分を構成する場合、導体部分３２ｂは、接続部分を構成する。たとえば、領域３２ｃが、第一領域を構成する場合、領域３２ｄは、第二領域を構成する。導体部分３１ａ及び導体部分３２ａの厚みは、たとえば、２μｍである。
【0041】
図５に示されるように、導体部分３２ｂの第一方向Ｄ１での厚みは、貫通孔３５ｂの中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している。したがって、領域３２ｃと領域３２ｄとにおいて、第一方向Ｄ１での厚みが、中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している。領域３２ｃと領域３２ｄとの第一方向Ｄ１での合計厚みは、導体部分３２ａから導体部分３１ａに向かう方向で、中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している。たとえば、中心線ＣＬ１は、第一方向Ｄ１に延びている。
【0042】
本実施形態では、領域３２ｄの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いは、領域３２ｃの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いと異なっている。たとえば、領域３２ｄの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いは、領域３２ｃの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いより小さい。したがって、導体部分３２ｂの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いは、たとえば、領域３２ｄと領域３２ｃとの境界で減少する。領域３２ｄの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いは、領域３２ｃの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いより大きくてもよい。領域３２ｄの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いは、領域３２ｃの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いと略同一でもよい。
【0043】
本実施形態では、第一方向Ｄ１は、内部導体３１から内部導体３２に向かう方向Ｄ１ａと、内部導体３２から内部導体３１に向かう方向Ｄ１ｂと、を含んでいる。領域３２ｄは、領域部分３２ｄ１と、領域部分３２ｄ２と、を含んでいる。基準面ＳＰ１は、第一方向Ｄ１に直交し、かつ、導体部分３２ａを含む平面である。領域３２ｄは、基準面ＳＰ１から方向Ｄ１ａに厚みを有する領域部分３２ｄ２と、基準面ＳＰ１から方向Ｄ１ｂに厚みを有する領域部分３２ｄ１と、を含んでいる。各領域部分３２ｄ１，３２ｄ２の、第一方向Ｄ１での厚みは、中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している。たとえば、方向Ｄ１ａが第一方向を構成する場合、方向Ｄ１ｂは、第二方向を構成する。
【0044】
第一方向Ｄ１から見て、領域３２ｄは、たとえば、円形状を呈している。第一方向Ｄ１から見て、領域３２ｃ及び導体部分３１ｂも、たとえば、円形状を呈している。領域３２ｄは、第一方向Ｄ１から見て、導体部分３１ｂの全周にわたって、導体部分３１ｂの外側に延在している。したがって、たとえば、第一方向Ｄ１から見て、領域３２ｄの円形状は、導体部分３１ｂの円形状を含んでおり、かつ、導体部分３１ｂの円形状の外側にまで拡がっている。本明細書での「円形状」は、たとえば、真円形状又は楕円形状を含む。
【0045】
領域３２ｄには、領域３２ｃから第一方向Ｄ１に離れた端部３２ｆに、窪み３６が形成されている。窪み３６は、第一方向Ｄ１から見て、たとえば、円形状を呈している。窪み３６内には、たとえば、素体部分５ｃが充填している。窪み３６は、導体部分３１ａから導体部分３２ａに向かう方向に開口している。窪み３６は、たとえば、開口縁３６ａと、底部３６ｂと、開口縁３６ａと底部３６ｂとを連結する傾斜部３６ｃによって構成されている。窪み３６の深さは、開口縁３６ａから底部３６ｂに近づくにつれて増加している。開口縁３６ａは、第一方向Ｄ１から見て、窪み３６の外周縁を画成している。第一方向Ｄ１から見て、導体部分３１ｂは、窪み３６の外周縁の内側に位置している。底部３６ｂは、第一方向Ｄ１から見て、たとえば、円形状を呈している。底部３６ｂの幅は、開口縁３６ａの幅、すなわち、開口幅Ｗ１より小さい。傾斜部３６ｃは、たとえば、底部３６ｂの幅が開口幅Ｗ１より小さくなるように、形成されている。底部３６ｂは、たとえば、中心線ＣＬ１と交差している。窪み３６の中心軸は、たとえば、中心線ＣＬ１と略一致している。
【0046】
本実施形態では、第一方向Ｄ１から見て、導体部分３１ｂの外縁の全体は、たとえば、領域３２ｄの外縁より内側に位置している。したがって、開口幅Ｗ１は、たとえば、導体部分３１ｂの幅Ｗ２より大きい。したがって、窪み３６は、第一方向Ｄ１から見て、導体部分３１ｂの全周にわたって、導体部分３１ｂの外側に延在している。開口幅Ｗ１は、導体部分３１ｂの幅Ｗ２より小さくてもよく、導体部分３１ｂの幅Ｗ２と略同一であってもよい。
【0047】
領域３２ｃの第一方向Ｄ１での長さＨ１は、たとえば、底部３６ｂと導体部分３１ｂとの第一方向Ｄ１での長さＨ２より小さい。したがって、導体部分３２ｂの厚みが増加する度合いが変化する位置は、第一方向Ｄ１で、底部３６ｂに比べて、導体部分３１ｂに近い。長さＨ１は、長さＨ２より大きくてもよく、長さＨ２と略同一であってもよい。窪み３６が形成されている分、導体部分３２ｂの第一方向Ｄ１での厚みが減少している。
【0048】
図４及び図５に示されているように、導体部分３２ｂは、領域３２ｐと領域３２ｑとを有している。領域３２ｐは、導電性を有する第一材料を含んでいる。領域３２ｑは、第一材料とは異なる第二材料を含んでいる。第二材料の線膨張係数は、第一材料の線膨張係数と異なっている。第二材料の線膨張係数は、たとえば、第一材料の線膨張係数より小さい。本明細書では、「線膨張係数」は、材料の長さが温度変化によって変化する割合を表している。この「線膨張係数」は、たとえば、温度変化１℃あたりの長さの変化率で定義される。
【0049】
第一材料は、たとえば、導体部分３２ｂ以外の内部電極３０に含まれる材料と同一の導電性材料を含んでいる。本実施形態では、第一材料は、たとえば、Ａｇ－Ｐｄ合金、又は、Ｐｔ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ、及びこれらの合金からなる導電性材料を含んでいる。導体部分３２ｂは、これらの導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成されてもよい。
【0050】
第二材料は、たとえば、セラミック材料を含んでいる。第二材料に含まれるセラミック材料は、たとえば、素体１に含まれるセラミック材料と同一である。第二材料に含まれるセラミック材料は、たとえば、酸化銅を含有している。
【0051】
導体部分３２ｂは、たとえば、複数の領域３２ｑを有している。複数の領域３２ｑは、領域３２ｐ内に分布している。複数の領域３２ｑは、たとえば、領域３２ｐ内に均一に分布している。この場合、領域３２ｐは、複数の領域３２ｑが他の領域に比べて片寄って分布している領域を有しない。
【0052】
領域３２ｑは、たとえば、素体１に向けて突出する突起状の部位３２ｒを有している。したがって、領域３２ｑは、たとえば、素体１と接している。領域３２ｑは、たとえば、素体１と一体化していてもよい。
【0053】
領域３２ｑは、領域３２ｃ及び領域３２ｄの少なくともいずれか一方に位置している。したがって、領域３２ｑは、たとえば、領域３２ｃ及び領域３２ｄの両方に位置している。領域３２ｑは、たとえば、領域３２ｃに位置し、領域３２ｄに位置していない。領域３２ｑは、たとえば、領域３２ｄに位置し、領域３２ｃに位置していない。
【0054】
領域３２ｑは、たとえば、領域３２ｄ内であって、窪み３６を画成する面を含む領域３２ｓに位置している。本実施形態では、領域３２ｑは、たとえば、領域３２ｃ、領域３２ｄ、及び領域３２ｓに位置している。領域３２ｑは、たとえば、領域３２ｃ及び領域３２ｓに位置し、領域３２ｄに位置していない。領域３２ｑは、たとえば、領域３２ｄ及び領域３２ｓに位置し、領域３２ｃに位置していない。領域３２ｑは、領域３２ｓに位置していなくてもよい。領域３２ｃ，３２ｄ，３２ｓでは、領域３２ｑが位置している場合、たとえば、部位３２ｒが、素体１に向けて突出してもよい。
【0055】
図４及び図５に示されているように、導体部分３２ｂには、空洞５０が形成されている。本実施形態では、一つ又は複数の空洞５０が形成されている。図４及び図５は、複数の空洞５０が形成されている例を示している。空洞５０内には、たとえば、不活性ガスが含まれている。空洞５０内に含まれる不活性ガスは、たとえば、Ｎ２又はＣＯ２であり、不活性ガスの濃度は、たとえば、希薄である。空洞５０の断面は、多角形状を呈している。
【0056】
複数の空洞５０は、導体部分３２ｂ内に分布するように形成されている。複数の空洞５０は、たとえば、導体部分３２ｂ内に均一に分布するように形成されている。この場合、導体部分３２ｂは、複数の空洞５０が他の領域に比べて片寄って分布している領域を有しない。
【0057】
空洞５０は、領域３２ｃ及び領域３２ｄの少なくともいずれか一方に形成されている。したがって、空洞５０は、たとえば、領域３２ｃ及び領域３２ｄの両方に形成されている。空洞５０は、たとえば、領域３２ｃに形成され、領域３２ｄには、形成されていない。空洞５０は、たとえば、領域３２ｄに形成され、領域３２ｃには、形成されていない。
【0058】
空洞５０は、たとえば、領域３２ｃ内であって、窪み３６を画成する面を含む領域３２ｓに形成されている。本実施形態では、空洞５０は、たとえば、領域３２ｃ、領域３２ｄ及び領域３２ｓに形成されている。空洞５０は、たとえば、領域３２ｃ及び領域３２ｓに形成され、領域３２ｄに形成されていない。空洞５０は、たとえば、領域３２ｄ及び領域３２ｓに位置し、領域３２ｃに形成されていない。空洞５０は、領域３２ｓに形成されていなくてもよい。
【0059】
導体部分３２ｂには、導体部分３２ｂの外周面に開口している窪み５１が形成されている。たとえば、複数の窪み５１が形成されている。窪み５１内には、素体１が充填されている。図４及び図５に示された例では、窪み５１内に、素体部分５ｂ，５ｃが充填されている。
【0060】
図６は、内部導体３３，３４の構成を示す図である。図６に示されるように、内部導体３３は、導体部分３３ａと導体部分３３ｂとを含んでいる。導体部分３３ａと導体部分３３ｂとは、互いに連続している。導体部分３３ａと導体部分３３ｂとは、たとえば、第二方向Ｄ２及び第三方向Ｄ３で、互いに連続している。たとえば、導体部分３３ａが、第一導体部分を構成する場合、導体部分３３ｂは、第二導体部分を構成する。
【0061】
内部導体３４は、導体部分３４ａと導体部分３４ｂとを含んでいる。導体部分３４ａは、第一方向Ｄ１で導体部分３３ａと対向している。導体部分３４ｂは、第一方向Ｄ１に延在していると共に、内部導体３３に接続されている。導体部分３４ｂは、領域３４ｃと領域３４ｄとを有している。領域３４ｃは、導体部分３３ｂに接続されている。領域３４ｃは、たとえば、導体部分３３ｂに物理的かつ電気的に接続されている。領域３４ｄは、領域３４ｃと連続し、かつ、導体部分３４ａと連続している。本実施形態では、領域３４ｄは、第一方向Ｄ１で領域３４ｃと連続し、第二方向Ｄ２及び第三方向Ｄ３で導体部分３４ａと連続している。導体部分３４ｂは、貫通孔３５ｄ内に位置している。たとえば、導体部分３４ａが、第三導体部分を構成する場合、導体部分３４ｂは、第四導体部分を構成する。たとえば、導体部分３４ａが、第三導体部分を構成する場合、導体部分３４ｂは、接続部分を構成する。たとえば、領域３４ｃが、第一領域を構成する場合、領域３４ｄは、第二領域を構成する。導体部分３３ａ及び導体部分３４ａの厚みは、たとえば、２μｍである。
【0062】
図６に示されるように、導体部分３４ｂの第一方向Ｄ１での厚みは、貫通孔３５ｄの中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している。したがって、領域３４ｃと領域３４ｄとにおいて、第一方向Ｄ１での厚みが、中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している。領域３４ｃと領域３４ｄとの第一方向Ｄ１での合計厚みは、導体部分３４ａから導体部分３３ａに向かう方向で、中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している。たとえば、中心線ＣＬ１は、第一方向Ｄ１に延びている。
【0063】
本実施形態では、領域３４ｄの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いは、領域３４ｃの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いと異なっている。たとえば、領域３４ｄの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いは、領域３４ｃの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いより小さい。したがって、導体部分３４ｂの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いは、たとえば、領域３４ｄと領域３４ｃとの境界で減少する。領域３４ｄの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いは、領域３４ｃの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いより大きくてもよい。領域３４ｄの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いは、領域３４ｃの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いと略同一でもよい。
【0064】
本実施形態では、第一方向Ｄ１は、内部導体３３から内部導体３４に向かう方向Ｄ１ａと、内部導体３４から内部導体３３に向かう方向Ｄ１ｂと、を含んでいる。領域３４ｄは、領域部分３４ｄ１と、領域部分３４ｄ２と、を含んでいる。基準面ＳＰ１は、第一方向Ｄ１に直交し、かつ、導体部分３４ａを含む平面である。領域３４ｄは、基準面ＳＰ１から方向Ｄ１ａに厚みを有する領域部分３４ｄ２と、基準面ＳＰ１から方向Ｄ１ｂに厚みを有する領域部分３４ｄ１と、を含んでいる。各領域部分３４ｄ１，３４ｄ２の、第一方向Ｄ１での厚みは、中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している。たとえば、方向Ｄ１ａが第一方向を構成する場合、方向Ｄ１ｂは、第二方向を構成する。
【0065】
第一方向Ｄ１から見て、領域３４ｄは、たとえば、円形状を呈している。第一方向Ｄ１から見て、領域３４ｃ及び導体部分３３ｂも、たとえば、円形状を呈している。領域３４ｄは、第一方向Ｄ１から見て、導体部分３３ｂの全周にわたって、導体部分３３ｂの外側に延在している。したがって、たとえば、第一方向Ｄ１から見て、領域３４ｄの円形状は、導体部分３３ｂの円形状を含んでおり、かつ、導体部分３３ｂの円形状の外側にまで拡がっている。
【0066】
領域３４ｄには、領域３４ｃから第一方向Ｄ１に離れた端部３４ｆに、窪み３６が形成されている。窪み３６は、第一方向Ｄ１から見て、たとえば、円形状を呈している。窪み３６内には、たとえば、素体部分５ｅが充填している。窪み３６は、導体部分３３ａから導体部分３４ａに向かう方向に開口している。窪み３６は、たとえば、開口縁３６ａと、底部３６ｂと、開口縁３６ａと底部３６ｂとを連結する傾斜部３６ｃによって構成されている。窪み３６の深さは、開口縁３６ａから底部３６ｂに近づくにつれて増加している。開口縁３６ａは、第一方向Ｄ１から見て、窪み３６の外周縁を画成している。第一方向Ｄ１から見て、導体部分３３ｂは、窪み３６の外周縁の内側に位置している。底部３６ｂは、第一方向Ｄ１から見て、たとえば、円形状を呈している。底部３６ｂの幅は、開口縁３６ａの幅、すなわち、開口幅Ｗ１より小さい。傾斜部３６ｃは、たとえば、底部３６ｂの幅が開口幅Ｗ１より小さくなるように、形成されている。底部３６ｂは、たとえば、中心線ＣＬ１と交差している。窪み３６の中心軸は、たとえば、中心線ＣＬ１と略一致している。
【0067】
本実施形態では、第一方向Ｄ１から見て、導体部分３３ｂの外縁の全体は、たとえば、領域３４ｄの外縁より内側に位置している。したがって、開口幅Ｗ１は、たとえば、導体部分３３ｂの幅Ｗ２より大きい。したがって、窪み３６は、第一方向Ｄ１から見て、導体部分３３ｂの全周にわたって、導体部分３３ｂの外側に延在している。開口幅Ｗ１は、導体部分３３ｂの幅Ｗ２より小さくてもよく、導体部分３３ｂの幅Ｗ２と略同一であってもよい。
【0068】
領域３４ｃの第一方向Ｄ１での長さＨ１は、たとえば、底部３６ｂと導体部分３３ｂとの第一方向Ｄ１での長さＨ２より小さい。したがって、導体部分３４ｂの厚みが増加する度合いが変化する位置は、第一方向Ｄ１で、底部３６ｂに比べて、導体部分３３ｂに近い。長さＨ１は、長さＨ２より大きくてもよく、長さＨ２と略同一であってもよい。窪み３６が形成されている分、導体部分３４ｂの第一方向Ｄ１での厚みが減少している。
【0069】
図６に示されているように、導体部分３４ｂは、領域３４ｐと領域３４ｑとを有している。領域３４ｐは、第一材料を含んでいる。領域３４ｑは、第二材料を含んでいる。第二材料の線膨張係数は、第一材料の線膨張係数と異なっている。領域３４ｐに含まれる第一材料は、たとえば、領域３２ｐに含まれる第一材料と同じである。領域３４ｑに含まれる第二材料は、たとえば、領域３２ｑに含まれる第二材料と同じである。
【0070】
導体部分３４ｂは、たとえば、複数の領域３４ｑを有している。複数の領域３４ｑは、領域３４ｐ内に分布している。複数の領域３４ｑは、たとえば、領域３４ｐ内に均一に分布している。この場合、領域３４ｐは、複数の領域３４ｑが他の領域に比べて片寄って分布している領域を有しない。
【0071】
領域３４ｑは、たとえば、素体１に向けて突出する突起状の部位３４ｒを有している。したがって、領域３４ｑは、たとえば、素体１と接している。領域３４ｑは、たとえば、素体１と一体化していてもよい。
【0072】
領域３４ｑは、領域３４ｃ及び領域３４ｄの少なくともいずれか一方に位置している。したがって、領域３４ｑは、たとえば、領域３４ｃ及び領域３４ｄの両方に位置している。領域３４ｑは、たとえば、領域３４ｃに位置し、領域３４ｄに位置していない。領域３４ｑは、たとえば、領域３４ｄに位置し、領域３４ｃに位置していない。
【0073】
領域３４ｑは、たとえば、領域３４ｄ内であって、窪み３６を画成する面を含む領域３４ｓに位置している。本実施形態では、領域３４ｑは、たとえば、領域３４ｃ、領域３４ｄ、及び領域３４ｓに位置している。領域３４ｑは、たとえば、領域３４ｃ及び領域３４ｓに位置し、領域３４ｄに位置していない。領域３４ｑは、たとえば、領域３４ｄ及び領域３４ｓに位置し、領域３４ｃに位置していない。領域３４ｑは、領域３４ｓに位置していなくてもよい。領域３４ｃ，３４ｄ，３４ｓでは、領域３４ｑが位置している場合、たとえば、部位３４ｒが、素体１に向けて突出してもよい。
【0074】
図６に示されているように、導体部分３４ｂには、空洞５０が形成されている。本実施形態では、一つ又は複数の空洞５０が形成されている。図６は、複数の空洞５０が形成されている例を示している。空洞５０内には、たとえば、導体部分３２ｂに形成された空洞５０に含まれる不活性ガスと同じガスが含まれている。不活性ガスの濃度は、たとえば、希薄である。空洞５０の断面は、多角形状を呈している。
【0075】
複数の空洞５０は、導体部分３４ｂ内に分布するように形成されている。複数の空洞５０は、たとえば、導体部分３４ｂ内に均一に分布するように形成されている。この場合、導体部分３４ｂは、複数の空洞５０が他の領域に比べて片寄って分布している領域を有しない。
【0076】
空洞５０は、領域３４ｃ及び領域３４ｄの少なくともいずれか一方に形成されている。したがって、空洞５０は、たとえば、領域３４ｃ及び領域３４ｄの両方に形成されている。空洞５０は、たとえば、領域３４ｃに形成され、領域３４ｄには、形成されていない。空洞５０は、たとえば、領域３４ｄに形成され、領域３４ｃには、形成されていない。
【0077】
空洞５０は、たとえば、領域３４ｃ内であって、窪み３６を画成する面を含む領域３４ｓに形成されている。本実施形態では、空洞５０は、たとえば、領域３４ｃ、領域３４ｄ及び領域３４ｓに形成されている。空洞５０は、たとえば、領域３４ｃ及び領域３４ｓに形成され、領域３４ｄに形成されていない。空洞５０は、たとえば、領域３４ｄ及び領域３４ｓに位置し、領域３４ｃに形成されていない。空洞５０は、領域３４ｓに形成されていなくてもよい。
【0078】
導体部分３４ｂには、導体部分３４ｂの外周面に開口している窪み５１が形成されている。たとえば、複数の窪み５１が形成されている。窪み５１内には、素体１が充填されている。図６に示された例では、窪み５１内に、素体部分５ｄ，５ｅが充填されている。
【0079】
図７は、内部導体４１，４２の構成を示す図である。図７に示されるように、内部導体４１は、導体部分４１ａと導体部分４１ｂとを含んでいる。導体部分４１ａと導体部分４１ｂとは、互いに連続している。導体部分４１ａと導体部分４１ｂとは、たとえば、第二方向Ｄ２及び第三方向Ｄ３で、互いに連続している。たとえば、導体部分４１ａが、第一導体部分を構成する場合、導体部分４１ｂは、第二導体部分を構成する。
【0080】
内部導体４２は、導体部分４２ａと導体部分４２ｂとを含んでいる。導体部分４２ａは、第一方向Ｄ１で導体部分４１ａと対向している。導体部分４２ｂは、第一方向Ｄ１に延在していると共に、内部導体４１に接続されている。導体部分４２ｂは、領域４２ｃと領域４２ｄとを有している。領域４２ｃは、導体部分４１ｂに接続されている。領域４２ｃは、たとえば、導体部分４１ｂに物理的かつ電気的に接続されている。領域４２ｄは、領域４２ｃと連続し、かつ、導体部分４２ａと連続している。本実施形態では、領域４２ｄは、第一方向Ｄ１で領域４２ｃと連続し、第二方向Ｄ２及び第三方向Ｄ３で導体部分４２ａと連続している。導体部分４２ｂは、貫通孔４５ｂ内に位置している。たとえば、導体部分４２ａが、第三導体部分を構成する場合、導体部分４２ｂは、第四導体部分を構成する。たとえば、導体部分４２ａが、第三導体部分を構成する場合、導体部分４２ｂは、接続部分を構成する。たとえば、領域４２ｃが、第一領域を構成する場合、領域４２ｄは、第二領域を構成する。導体部分４１ａ及び導体部分４２ａの厚みは、たとえば、２～２．５μｍである。
【0081】
図７に示されるように、導体部分４２ｂの第一方向Ｄ１での厚みは、貫通孔４５ｂの中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している。したがって、領域４２ｃと領域４２ｄとにおいて、第一方向Ｄ１での厚みが、中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している。領域４２ｃと領域４２ｄとの第一方向Ｄ１での合計厚みは、導体部分４２ａから導体部分４１ａに向かう方向で、中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している。たとえば、中心線ＣＬ１は、第一方向Ｄ１に延びている。
【0082】
本実施形態では、領域４２ｄの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いは、領域４２ｃの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いと異なっている。たとえば、領域４２ｄの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いは、領域４２ｃの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いより小さい。したがって、導体部分４２ｂの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いは、たとえば、領域４２ｄと領域４２ｃとの境界で減少する。領域４２ｄの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いは、領域４２ｃの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いより大きくてもよい。領域４２ｄの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いは、領域４２ｃの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いと略同一でもよい。
【0083】
本実施形態では、第一方向Ｄ１は、内部導体４１から内部導体４２に向かう方向Ｄ１ａと、内部導体４２から内部導体４１に向かう方向Ｄ１ｂと、を含んでいる。領域４２ｄは、領域部分４２ｄ１と、領域部分４２ｄ２と、を含んでいる。基準面ＳＰ１は、第一方向Ｄ１に直交し、かつ、導体部分４２ａを含む平面である。領域４２ｄは、基準面ＳＰ１から方向Ｄ１ａに厚みを有する領域部分４２ｄ２と、基準面ＳＰ１から方向Ｄ１ｂに厚みを有する領域部分４２ｄ１と、を含んでいる。各領域部分４２ｄ１，４２ｄ２の、第一方向Ｄ１での厚みは、中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している。たとえば、方向Ｄ１ａが第一方向を構成する場合、方向Ｄ１ｂは、第二方向を構成する。
【0084】
第一方向Ｄ１から見て、領域４２ｄは、たとえば、円形状を呈している。第一方向Ｄ１から見て、領域４２ｃ及び導体部分４１ｂも、たとえば、円形状を呈している。領域４２ｄは、第一方向Ｄ１から見て、導体部分４１ｂの全周にわたって、導体部分４１ｂの外側に延在している。したがって、たとえば、第一方向Ｄ１から見て、領域４２ｄの円形状は、導体部分４１ｂの円形状を含んでおり、かつ、導体部分４１ｂの円形状の外側にまで拡がっている。
【0085】
領域４２ｄには、領域４２ｃから第一方向Ｄ１に離れた端部４２ｆに、窪み４６が形成されている。窪み４６は、第一方向Ｄ１から見て、たとえば、円形状を呈している。窪み４６内には、たとえば、素体部分５ｃが充填している。窪み４６は、導体部分４１ａから導体部分４２ａに向かう方向に開口している。窪み４６は、たとえば、開口縁４６ａと、底部４６ｂと、開口縁４６ａと底部４６ｂとを連結する傾斜部４６ｃによって構成されている。窪み４６の深さは、開口縁４６ａから底部４６ｂに近づくにつれて増加している。開口縁４６ａは、第一方向Ｄ１から見て、窪み４６の外周縁を画成している。第一方向Ｄ１から見て、導体部分４１ｂは、窪み４６の外周縁の内側に位置している。底部４６ｂは、第一方向Ｄ１から見て、たとえば、円形状を呈している。底部４６ｂの幅は、開口縁４６ａの幅、すなわち、開口幅Ｗ１より小さい。傾斜部４６ｃは、たとえば、底部４６ｂの幅が開口幅Ｗ１より小さくなるように、形成されている。底部４６ｂは、たとえば、中心線ＣＬ１と交差している。窪み４６の中心軸は、たとえば、中心線ＣＬ１と略一致している。
【0086】
本実施形態では、第一方向Ｄ１から見て、導体部分４１ｂの外縁の全体は、たとえば、領域４２ｄの外縁より内側に位置している。したがって、開口幅Ｗ１は、たとえば、導体部分４１ｂの幅Ｗ２より大きい。したがって、窪み４６は、第一方向Ｄ１から見て、導体部分４１ｂの全周にわたって、導体部分４１ｂの外側に延在している。開口幅Ｗ１は、導体部分４１ｂの幅Ｗ２より小さくてもよく、導体部分４１ｂの幅Ｗ２と略同一であってもよい。
【0087】
領域４２ｃの第一方向Ｄ１での長さＨ１は、たとえば、底部４６ｂと導体部分４１ｂとの第一方向Ｄ１での長さＨ２より小さい。したがって、導体部分４２ｂの厚みが増加する度合いが変化する位置は、第一方向Ｄ１で、底部４６ｂに比べて、導体部分４１ｂに近い。長さＨ１は、長さＨ２より大きくてもよく、長さＨ２と略同一であってもよい。窪み４６が形成されている分、導体部分４２ｂの第一方向Ｄ１での厚みが減少している。
【0088】
図７に示されているように、導体部分４２ｂは、領域４２ｐと領域４２ｑとを有している。領域４２ｐは、第一材料を含んでいる。領域４２ｑは、第二材料を含んでいる。第二材料の線膨張係数は、第一材料の線膨張係数と異なっている。領域４２ｐに含まれる第一材料は、たとえば、領域３２ｐに含まれる第一材料と同じである。領域４２ｑに含まれる第二材料は、たとえば、領域３２ｑに含まれる第二材料と同じである。
【0089】
導体部分４２ｂは、たとえば、複数の領域４２ｑを有している。複数の領域４２ｑは、領域４２ｐ内に分布している。複数の領域４２ｑは、たとえば、領域４２ｐ内に均一に分布している。この場合、領域４２ｐは、複数の領域４２ｑが他の領域に比べて片寄って分布している領域を有しない。
【0090】
領域４２ｑは、たとえば、素体１に向けて突出する突起状の部位４２ｒを有している。したがって、領域４２ｑは、たとえば、素体１と接している。領域４２ｑは、たとえば、素体１と一体化していてもよい。
【0091】
領域４２ｑは、領域４２ｃ及び領域４２ｄの少なくともいずれか一方に位置している。したがって、領域４２ｑは、たとえば、領域４２ｃ及び領域４２ｄの両方に位置している。領域４２ｑは、たとえば、領域４２ｃに位置し、領域４２ｄに位置していない。領域４２ｑは、たとえば、領域４２ｄに位置し、領域４２ｃに位置していない。
【0092】
領域４２ｑは、たとえば、領域４２ｄ内であって、窪み４６を画成する面を含む領域４２ｓに位置している。本実施形態では、領域４２ｑは、たとえば、領域４２ｃ、領域４２ｄ、及び領域４２ｓに位置している。領域４２ｑは、たとえば、領域４２ｃ及び領域４２ｓに位置し、領域４２ｄに位置していない。領域４２ｑは、たとえば、領域４２ｄ及び領域４２ｓに位置し、領域４２ｃに位置していない。領域４２ｑは、領域４２ｓに位置していなくてもよい。領域４２ｃ，４２ｄ，４２ｓでは、領域４２ｑが位置している場合、たとえば、部位４２ｒが、素体１に向けて突出してもよい。
【0093】
図７に示されているように、導体部分４２ｂには、空洞５０が形成されている。本実施形態では、一つ又は複数の空洞５０が形成されており、図７は、複数の空洞５０が形成されている例を示している。空洞５０内には、たとえば、導体部分３２ｂに形成された空洞５０に含まれる不活性ガスと同じガスが含まれている。不活性ガスの濃度は、たとえば、希薄である。空洞５０の断面は、多角形状を呈している。
【0094】
複数の空洞５０は、導体部分４２ｂ内に分布するように形成されている。複数の空洞５０は、たとえば、導体部分４２ｂ内に均一に分布するように形成されている。この場合、導体部分４２ｂは、複数の空洞５０が他の領域に比べて片寄って分布している領域を有しない。一つの空洞５０は、たとえば、導体部分４２ｂの中央部に形成されている。
【0095】
空洞５０は、領域４２ｃ及び領域４２ｄの少なくともいずれか一方に形成されている。したがって、空洞５０は、たとえば、領域４２ｃ及び領域４２ｄの両方に形成されている。空洞５０は、たとえば、領域４２ｃに形成され、領域４２ｄには、形成されていない。空洞５０は、たとえば、領域４２ｄに形成され、領域４２ｃには、形成されていない。
【0096】
空洞５０は、たとえば、領域４２ｃ内であって、窪み４６を画成する面を含む領域４２ｓに形成されている。本実施形態では、空洞５０は、たとえば、領域４２ｃ、領域４２ｄ及び領域４２ｓに形成されている。空洞５０は、たとえば、領域４２ｃ及び領域４２ｓに形成され、領域４２ｄに形成されていない。空洞５０は、たとえば、領域４２ｄ及び領域４２ｓに位置し、領域４２ｃに形成されていない。空洞５０は、領域４２ｓに形成されていなくてもよい。
【0097】
導体部分４２ｂには、導体部分４２ｂの外周面に開口している窪み５１が形成されている。たとえば、複数の窪み５１が形成されている。窪み５１内には、素体１が充填されている。図７に示された例では、窪み５１内に、素体部分５ｂ，５ｃが充填されている。
【0098】
図８は、内部導体４３，４４の構成を示す図である。図８に示されるように、内部導体４３は、導体部分４３ａと導体部分４３ｂとを含んでいる。導体部分４３ａと導体部分４３ｂとは、互いに連続している。導体部分４３ａと導体部分４３ｂとは、たとえば、第二方向Ｄ２及び第三方向Ｄ３で、互いに連続している。たとえば、導体部分４３ａが、第一導体部分を構成する場合、導体部分４３ｂは、第二導体部分を構成する。
【0099】
内部導体４４は、導体部分４４ａと導体部分４４ｂとを含んでいる。導体部分４４ａは、第一方向Ｄ１で導体部分４３ａと対向している。導体部分４４ｂは、第一方向Ｄ１に延在していると共に、内部導体４３に接続されている。導体部分４４ｂは、領域４４ｃと領域４４ｄとを有している。領域４４ｃは、導体部分４３ｂに接続されている。領域４４ｃは、たとえば、導体部分４３ｂに物理的かつ電気的に接続されている。領域４４ｄは、領域４４ｃと連続し、かつ、導体部分４４ａと連続している。本実施形態では、領域４４ｄは、第一方向Ｄ１で領域４４ｃと連続し、第二方向Ｄ２及び第三方向Ｄ３で導体部分４４ａと連続している。導体部分４４ｂは、貫通孔４５ｄ内に位置している。たとえば、導体部分４４ａが、第三導体部分を構成する場合、導体部分４４ｂは、第四導体部分を構成する。たとえば、導体部分４４ａが、第三導体部分を構成する場合、導体部分４４ｂは、接続部分を構成する。たとえば、領域４４ｃが、第一領域を構成する場合、領域４４ｄは、第二領域を構成する。導体部分４３ａ及び導体部分４４ａの厚みは、たとえば、２～２．５μｍである。
【0100】
図８に示されるように、導体部分４４ｂの第一方向Ｄ１での厚みは、貫通孔４５ｄの中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している。したがって、領域４４ｃと領域４４ｄとにおいて、第一方向Ｄ１での厚みが、中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している。領域４４ｃと領域４４ｄとの第一方向Ｄ１での合計厚みは、導体部分４４ａから導体部分４３ａに向かう方向で、中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している。たとえば、中心線ＣＬ１は、第一方向Ｄ１に延びている。
【0101】
本実施形態では、領域４４ｄの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いは、領域４４ｃの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いと異なっている。たとえば、領域４４ｄの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いは、領域４４ｃの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いより小さい。したがって、導体部分４４ｂの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いは、たとえば、領域４４ｄと領域４４ｃとの境界で減少する。領域４４ｄの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いは、領域４４ｃの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いより大きくてもよい。領域４４ｄの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いは、領域４４ｃの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いと略同一でもよい。
【0102】
本実施形態では、第一方向Ｄ１は、内部導体４３から内部導体４４に向かう方向Ｄ１ａと、内部導体４４から内部導体４３に向かう方向Ｄ１ｂと、を含んでいる。領域４４ｄは、領域部分４４ｄ１と、領域部分４４ｄ２と、を含んでいる。基準面ＳＰ１は、第一方向Ｄ１に直交し、かつ、導体部分４４ａを含む平面である。領域４４ｄは、基準面ＳＰ１から方向Ｄ１ａに厚みを有する領域部分４４ｄ２と、基準面ＳＰ１から方向Ｄ１ｂに厚みを有する領域部分４４ｄ１と、を含んでいる。各領域部分４４ｄ１，４４ｄ２の、第一方向Ｄ１での厚みは、中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している。たとえば、方向Ｄ１ａが第一方向を構成する場合、方向Ｄ１ｂは、第二方向を構成する。
【0103】
第一方向Ｄ１から見て、領域４４ｄは、たとえば、円形状を呈している。第一方向Ｄ１から見て、領域４４ｃ及び導体部分４３ｂも、たとえば、円形状を呈している。領域４４ｄは、第一方向Ｄ１から見て、導体部分４３ｂの全周にわたって、導体部分４３ｂの外側に延在している。したがって、たとえば、第一方向Ｄ１から見て、領域４４ｄの円形状は、導体部分４３ｂの円形状を含んでおり、かつ、導体部分４３ｂの円形状の外側にまで拡がっている。
【0104】
領域４４ｄには、領域４４ｃから第一方向Ｄ１に離れた端部４４ｆに、窪み４６が形成されている。窪み４６は、第一方向Ｄ１から見て、たとえば、円形状を呈している。窪み４６内には、たとえば、素体部分５ｃが充填している。窪み４６は、導体部分４３ａから導体部分４４ａに向かう方向に開口している。窪み４６は、たとえば、開口縁４６ａと、底部４６ｂと、開口縁４６ａと底部４６ｂとを連結する傾斜部４６ｃによって構成されている。窪み４６の深さは、開口縁４６ａから底部４６ｂに近づくにつれて増加している。開口縁４６ａは、第一方向Ｄ１から見て、窪み４６の外周縁を画成している。第一方向Ｄ１から見て、導体部分４３ｂは、窪み４６の外周縁の内側に位置している。底部４６ｂは、第一方向Ｄ１から見て、たとえば、円形状を呈している。底部４６ｂの幅は、開口縁４６ａの幅、すなわち、開口幅Ｗ１より小さい。傾斜部４６ｃは、たとえば、底部４６ｂの幅が開口幅Ｗ１より小さくなるように、形成されている。底部４６ｂは、たとえば、中心線ＣＬ１と交差している。窪み４６の中心軸は、たとえば、中心線ＣＬ１と略一致している。
【0105】
本実施形態では、第一方向Ｄ１から見て、導体部分４３ｂの外縁の全体は、たとえば、領域４４ｄの外縁より内側に位置している。したがって、開口幅Ｗ１は、たとえば、導体部分４３ｂの幅Ｗ２より大きい。したがって、窪み４６は、第一方向Ｄ１から見て、導体部分４３ｂの全周にわたって、導体部分４３ｂの外側に延在している。開口幅Ｗ１は、導体部分４３ｂの幅Ｗ２より小さくてもよく、導体部分４３ｂの幅Ｗ２と略同一であってもよい。
【0106】
領域４４ｃの第一方向Ｄ１での長さＨ１は、たとえば、底部４６ｂと導体部分４３ｂとの第一方向Ｄ１での長さＨ２より小さい。したがって、導体部分４４ｂの厚みが増加する度合いが変化する位置は、第一方向Ｄ１で、底部４６ｂに比べて、導体部分４３ｂに近い。長さＨ１は、長さＨ２より大きくてもよく、長さＨ２と略同一であってもよい。窪み４６が形成されている分、導体部分４４ｂの第一方向Ｄ１での厚みが減少している。
【0107】
図８に示されているように、導体部分４４ｂは、領域４４ｐと領域４４ｑとを有している。領域４４ｐは、第一材料を含んでいる。領域４４ｑは、第二材料を含んでいる。第二材料の線膨張係数は、第一材料の線膨張係数と異なっている。領域４４ｐに含まれる第一材料は、たとえば、領域３２ｐに含まれる第一材料と同じである。領域４４ｑに含まれる第二材料は、たとえば、領域３２ｑに含まれる第二材料と同じである。
【0108】
導体部分４４ｂは、たとえば、複数の領域４４ｑを有している。複数の領域４４ｑは、領域４４ｐ内に分布している。複数の領域４４ｑは、たとえば、領域４４ｐ内に均一に分布している。この場合、領域４４ｐは、複数の領域４４ｑが他の領域に比べて片寄って分布している領域を有しない。
【0109】
領域４４ｑは、たとえば、素体１に向けて突出する突起状の部位４４ｒを有している。したがって、領域４４ｑは、たとえば、素体１と接している。領域４４ｑは、たとえば、素体１と一体化していてもよい。
【0110】
領域４４ｑは、領域４４ｃ及び領域４４ｄの少なくともいずれか一方に位置している。したがって、領域４４ｑは、たとえば、領域４４ｃ及び領域４４ｄの両方に位置している。領域４４ｑは、たとえば、領域４４ｃに位置し、領域４４ｄに位置していない。領域４４ｑは、たとえば、領域４４ｄに位置し、領域４４ｃに位置していない。
【0111】
領域４４ｑは、たとえば、領域４４ｄ内であって、窪み４６を画成する面を含む領域４４ｓに位置している。本実施形態では、領域４４ｑは、たとえば、領域４４ｃ、領域４４ｄ、及び領域４４ｓに位置している。領域４４ｑは、たとえば、領域４４ｃ及び領域４４ｓに位置し、領域４４ｄに位置していない。領域４４ｑは、たとえば、領域４４ｄ及び領域４４ｓに位置し、領域４４ｃに位置していない。領域４４ｑは、領域４４ｓに位置していなくてもよい。領域４４ｃ，４４ｄ，４４ｓでは、領域４４ｑが位置している場合、たとえば、部位４４ｒが、素体１に向けて突出してもよい。
【0112】
図８に示されているように、導体部分４４ｂには、空洞５０が形成されている。本実施形態では、一つ又は複数の空洞５０が形成されており、図８は、複数の空洞５０が形成されている例を示している。空洞５０内には、たとえば、導体部分３２ｂに形成された空洞５０に含まれる不活性ガスと同じガスが含まれている。不活性ガスの濃度は、たとえば、希薄である。空洞５０の断面は、多角形状を呈している。
【0113】
複数の空洞５０は、導体部分４４ｂ内に分布するように形成されている。複数の空洞５０は、たとえば、導体部分４４ｂ内に均一に分布するように形成されている。この場合、導体部分４４ｂは、複数の空洞５０が他の領域に比べて片寄って分布している領域を有しない。一つの空洞５０は、たとえば、導体部分４４ｂの中央部に形成されている。
【0114】
空洞５０は、領域４４ｃ及び領域４４ｄの少なくともいずれか一方に形成されている。したがって、空洞５０は、たとえば、領域４４ｃ及び領域４４ｄの両方に形成されている。空洞５０は、たとえば、領域４４ｃに形成され、領域４４ｄには、形成されていない。空洞５０は、たとえば、領域４４ｄに形成され、領域４４ｃには、形成されていない。
【0115】
空洞５０は、たとえば、領域４４ｃ内であって、窪み４６を画成する面を含む領域４４ｓに形成されている。本実施形態では、空洞５０は、たとえば、領域４４ｃ、領域４４ｄ及び領域４４ｓに形成されている。空洞５０は、たとえば、領域４４ｃ及び領域４４ｓに形成され、領域４４ｄに形成されていない。空洞５０は、たとえば、領域４４ｄ及び領域４４ｓに位置し、領域４４ｃに形成されていない。空洞５０は、領域４４ｓに形成されていなくてもよい。
【0116】
導体部分４４ｂには、導体部分４４ｂの外周面に開口している窪み５１が形成されている。たとえば、複数の窪み５１が形成されている。窪み５１内には、素体１が充填されている。図８に示された例では、窪み５１内に、素体部分５ｄ，５ｅが充填されている。
【0117】
図９は、導体部分３２ｂに形成された空洞５０を示している。本実施形態では、一つ又は複数の空洞５０が形成されており、図９は、一の空洞５０が形成されている例を示している。一つの空洞５０は、たとえば、導体部分３２ｂの中央部に形成されている。空洞５０内には、たとえば、不活性ガスが含まれている。空洞５０内に含まれる不活性ガスは、たとえば、Ｎ２又はＣＯ２であり、不活性ガスの濃度は、たとえば、希薄である。空洞５０の断面は、多角形状を呈している。
【0118】
図９に示されているように、空洞５０を含む切断面において、空洞５０の切断面での円相当径Ｒ１は、たとえば、導体部分３２ｂの切断面での幅Ｒ２の５０％以下である。本実施形態では、空洞５０の切断面での円相当径Ｒ１は、たとえば、導体部分３２ｂの切断面での幅Ｒ２の２０％以上である。
【0119】
図１０は、導体部分３４ｂに形成された空洞５０を示している。本実施形態では、一つ又は複数の空洞５０が形成されており、図１０は、一の空洞５０が形成されている例を示している。一つの空洞５０は、たとえば、導体部分３４ｂの中央部に形成されている。空洞５０内には、たとえば、導体部分３２ｂに形成された空洞５０に含まれる不活性ガスと同じガスが含まれている。空洞５０の断面は、多角形状を呈している。
【0120】
図１０に示されているように、空洞５０を含む切断面において、空洞５０の切断面での円相当径Ｒ１は、たとえば、導体部分３４ｂの切断面での幅Ｒ２の５０％以下である。本実施形態では、空洞５０の切断面での円相当径Ｒ１は、たとえば、導体部分３４ｂの切断面での幅Ｒ２の２０％以上である。
【0121】
図１１は、導体部分４２ｂに形成された空洞５０を示している。本実施形態では、一つ又は複数の空洞５０が形成されており、図１１は、一の空洞５０が形成されている例を示している。一つの空洞５０は、たとえば、導体部分４２ｂの中央部に形成されている。空洞５０内には、たとえば、導体部分３２ｂに形成された空洞５０に含まれる不活性ガスと同じガスが含まれている。空洞５０の断面は、多角形状を呈している。
【0122】
図１１に示されているように、空洞５０を含む切断面において、空洞５０の切断面での円相当径Ｒ１は、たとえば、導体部分４２ｂの切断面での幅Ｒ２の５０％以下である。本実施形態では、空洞５０の切断面での円相当径Ｒ１は、たとえば、導体部分４２ｂの切断面での幅Ｒ２の１５％以上である。
【0123】
図１２は、導体部分４４ｂに形成された空洞５０を示している。本実施形態では、一つ又は複数の空洞５０が形成されており、図１２は、一の空洞５０が形成されている例を示している。一つの空洞５０は、たとえば、導体部分４４ｂの中央部に形成されている。空洞５０内には、たとえば、導体部分３２ｂに形成された空洞５０に含まれる不活性ガスと同じガスが含まれている。空洞５０の断面は、多角形状を呈している。
【0124】
図１２に示されているように、空洞５０を含む切断面において、空洞５０の切断面での円相当径Ｒ１は、たとえば、導体部分４４ｂの切断面での幅Ｒ２の５０％以下である。本実施形態では、空洞５０の切断面での円相当径Ｒ１は、たとえば、導体部分４４ｂの切断面での幅Ｒ２の１５％以上である。
【0125】
圧電素子ＰＤ１の製造方法の一例について説明する。製造方法の各工程の順番は、互いに入れ替わってもよい。製造方法の一例では、初めに、圧電セラミック粉末、たとえば、ＰＺＴ粉末を塗料化する。続いて、たとえば、ドクターブレード法によって、複数のグリーンシートを形成する。複数のグリーンシートは、圧電体層３ａ～３ｅを形成するために用いられる。圧電体層３ａ～３ｅは、たとえば、それぞれ、素体部分５ａ～５ｅに対応している。
【0126】
圧電素子ＰＤ１の製造方法では、続いて、たとえば、レーザ光を照射して、グリーンシートに貫通孔３５ｂ～３５ｅ，４５ｂ～４５ｅを形成するための開口を形成する。レーザ光の照射は、たとえば、２回に分けて行われる。たとえば、１回目のレーザ光の照射は、領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃを挿通させるための開口を形成し、２回目のレーザ光の照射は、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄを挿通させるための開口を形成する。領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃを挿通するための開口と、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄを挿通するための開口とは、互いに連続している。レーザ光は、たとえば、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いが領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いより小さくなるように、グリーンシートに照射される。１回目のレーザ光の照射が、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄを挿通させるための開口を形成し、２回目のレーザ光の照射が、領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃを挿通させるための開口を形成してもよい。グリーンシートにレーザ光を照射する回数は、１回であってもよい。レーザ光は、たとえば、ＹＡＧレーザ光である。
【0127】
本実施形態では、続いて、内部電極３０，４０が形成される。たとえば、圧電体層３ａを形成するための第一のグリーンシート上に、内部導体３１，４１を形成するための電極パターンを形成する。続いて、レーザ照射によって開口を形成した、圧電体層３ｂを形成するための第二のグリーンシートを、電極パターンを形成した第一のグリーンシート上に積層する。第二のグリーンシートの開口内にも、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂを形成するための導電性ペーストを充填する。本実施形態では、開口内に導電性ペーストを充填すると共に、第二のグリーンシート上に、内部導体３２，４２を形成するための電極パターンを形成する。内部導体３１，３２，４１，４２を形成するための電極パターンは、電極パターンの形成は、導電性ペーストを用いたスクリーン印刷によって形成される。
【0128】
導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂを形成するための導電性ペーストは、たとえば、第一材料と第二材料とを含んでいてもよい。この場合、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、領域３２ｐ，３４ｐ，４２ｐ，４４ｐと領域３２ｑ，３４ｑ，４２ｑ，４４ｑとを有している。導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂを形成するための導電性ペーストに含まれる第一材料の含有量は、たとえば、５５質量％である。上記導電性ペーストに含まれる第二材料の含有量は、たとえば、１０質量％である。
【0129】
充填された導電性ペーストは、たとえば、６０℃～７５℃の低温で乾燥される。乾燥時間は、たとえば、５分間である。この場合、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂには、空洞５０及び窪み５１の少なくとも一方が形成される。低温下で乾燥している間に、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂを形成するための導電性ペーストは、たとえば、低粘度の状態を保つので、貫通孔３５ｂの形状に沿った外周面を形成し得る。印刷された電極パターンは、たとえば、９０℃以上の高温で乾燥される。乾燥時間は、たとえば、１分間である。印刷された電極パターンは、高温下かつ短時間で乾燥されるので、貫通孔３５ｂ，３５ｄ，４５ｂ，４５ｄの形状に沿った外周面を有しがたい。
【0130】
本実施形態では、以下、同様の工程により、圧電体層３ｃ～３ｅを形成するためのグリーンシートに、導電性ペーストの開口への充填と電極パターンの形成とを行う。導電性ペーストの開口への充填と電極パターンの形成とを行った各グリーンシートは、互いに積層される。
【0131】
続いて、たとえば、静水圧プレス法によって、積層されたグリーンシートを加圧する。グリーンシートは、積層方向である第一方向Ｄ１に加圧される。静水圧プレス法では、たとえば、１００ＭＰａの圧力がかけられる。加圧する際の温度は、たとえば、７０℃程度である。加圧の時間は、たとえば、５分間である。積層されたグリーンシートを加圧した後、積層体が形成される。
【0132】
続いて、たとえば、積層体に対して脱バインダ処理を行う。脱バインダ処理する際の温度は、たとえば、４５０℃である。脱バインダ処理の時間は、たとえば２４時間程度である。続いて、積層体を焼成して、積層体基板を形成する。積層体を焼成する際の温度は、たとえば、１１００℃である。焼成時間は、たとえば、１８時間である。
【0133】
導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂには、空洞５０及び窪み５１の少なくとも一方を形成する場合には、積層体を焼成する際の温度は、たとえば、９４０℃程度である。焼成時間は、たとえば、１６時間である。昇温速度は、たとえば、４５０℃／時間である。積層体の焼成温度が上記の温度であることによって、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂでの金属材料の凝集が抑制される。したがって、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂ内に残留した不活性ガスが、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂ内に封止され得る。本実施形態では、内部電極３０，４０は、たとえば、導電性ペーストの焼結体として構成される。内部電極３０，４０を形成するための導電性ペーストは、たとえば、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、又はＡｇ－Ｐｄ合金を含んでいる。
【0134】
続いて、外部電極１０，２０を、たとえば、内部電極３０，４０と共に、導電性ペーストの焼結体として構成する。したがって、外部電極１０，２０を形成するために、たとえば、積層されたグリーンシートに導電性ペーストを付与する。導電性ペーストと一体となった積層グリーンシートに対して、たとえば、静水圧プレス法によって、積層されたグリーンシートを加圧する。加圧して形成した積層体に対して、たとえば、脱バインダ処理と、積層体の焼成とを行う。積層体の焼成によって、外部電極１０，２０を形成する。
【0135】
本実施形態では、外部電極１０，２０を、積層体基板の外表面に付与された導電性ペーストを焼成することによって形成してもよい。したがって、たとえば、外部電極１０，２０を形成するための導電性ペーストを積層体基板の外表面に付与し、導電性ペーストと一体となった積層体基板を焼成する。積層体基板の焼成によって、外部電極１０，２０を形成する。導電性ペーストの積層体基板への付与は、たとえば、スクリーン印刷法による。積層体基板の外表面に付与される導電性ペーストは、たとえば、Ａｇ、Ｐｄ、又はＡｇ－Ｐｄ合金を含んでいる。外部電極１０，２０を焼成する際の温度は、たとえば、８５０℃である。焼成時間は、たとえば、２時間である。
【0136】
続いて、外部電極１０，２０が形成された素体１に対して、分極処理を行う。分極処理を行う際の温度は、たとえば、１００～１１０℃である。素体１に印加される電圧は、たとえば、３ｋＶ／ｍｍである。分極処理の時間は、５分間程度である。分極処理を行った後に、圧電素子ＰＤ１が作製される。
【0137】
以上説明したように、本実施形態に係る圧電素子ＰＤ１は、素体１と、外部電極１０，２０と、内部電極３０，４０と、を備えている。内部電極３０，４０は、互いに対向している内部導体３１，３３，４１，４３と内部導体３２，３４，４２，４４とを有している。内部導体３１，３３，４１，４３は、互いに連続している導体部分３１ａ，３３ａ，４１ａ，４３ａと導体部分３１ｂ，３３ｂ，４１ｂ，４３ｂとを含んでいる。内部導体３２，３４，４２，４４は、第一方向Ｄ１で導体部分３１ａ，３３ａ，４１ａ，４３ａと対向している導体部分３２ａ，３４ａ，４２ａ，４４ａと、導体部分３１ｂ，３３ｂ，４１ｂ，４３ｂに接続されている領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃと、領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃと連続し、かつ、導体部分３２ａ，３４ａ，４２ａ，４４ａと連続している領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄとを有する導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂと、を含んでいる。素体１は、内部導体３１，３３，４１，４３と内部導体３２，３４，４２，４４との間に位置する素体部分５ｂ，５ｄを含んでいる。導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、第一方向Ｄ１に素体部分５ｂ，５ｄを貫通する貫通孔３５ｂ，３５ｄ，４５ｂ，４５ｄ内に位置している。導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの第一方向Ｄ１での厚みは、貫通孔３５ｂ，３５ｄ，４５ｂ，４５ｄの中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している。
【0138】
圧電素子ＰＤ１では、互いに対向している内部導体３１，３３，４１，４３と内部導体３２，３４，４２，４４とは、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂによって、互いに接続されている。導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、内部導体３２，３４，４２，４４の導体部分３２ａ，３４ａ，４２ａ，４４ａと連続しており、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの第一方向Ｄ１での厚みは、貫通孔３５ｂ，３５ｄ，４５ｂ，４５ｄの中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している。したがって、導体部分３２ｂと導体部分３２ａ，３４ａ，４２ａ，４４ａとが互いに連続する箇所で、内部電極３０，４０の形状が緩やかに変化する。素体１の変形に伴って素体１から内部電極３０，４０に作用する応力は、上記連続する箇所に集中しがたい。上記連続する箇所において、応力の集中による電気的な接続の信頼性の低下が抑制される。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が向上する。
【0139】
圧電素子ＰＤ１では、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いは、領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いより小さい。
この場合、上記連続する箇所で内部電極３０，４０の形状がより緩やかに変化する。素体１の変形に伴って素体１から内部電極３０，４０に作用する応力は、上記連続する箇所により集中しがたい。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性がより向上する。
この場合、上記連続する箇所で内部電極３０，４０の形状がより緩やかに変化する。素体１の変形に伴って素体１から内部電極３０，４０に作用する応力は、上記連続する箇所により集中しがたい。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性がより向上する。
【0140】
圧電素子ＰＤ１では、第一方向Ｄ１は、内部導体３１，３３，４１，４３から内部導体３２，３４，４２，４４に向かう方向Ｄ１ａと、内部導体３２，３４，４２，４４から内部導体３１，３３，４１，４３に向かう方向Ｄ１ｂと、を含んでいる。第一方向Ｄ１に直交し、かつ、導体部分３２ａ，３４ａ，４２ａ，４４ａを含む平面を基準面ＳＰ１として、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄは、基準面ＳＰ１から方向Ｄ１ａに厚みを有する領域部分３２ｄ２，３４ｄ２，４２ｄ２，４４ｄ２と、基準面ＳＰ１から方向Ｄ１ｂに厚みを有する領域部分３２ｄ１，３４ｄ１，４２ｄ１，４４ｄ１と、を含んでいる。領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄが含む各領域部分３２ｄ１，３４ｄ１，４２ｄ１，４４ｄ１，３２ｄ２，３４ｄ２，４２ｄ２，４４ｄ２の、第一方向Ｄ１での厚みは、中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している。
この場合、上記連続する箇所で内部電極３０，４０の形状が更により緩やかに変化する。素体１の変形に伴って素体１から内部電極３０，４０に作用する応力は、上記連続する箇所に更により集中しがたい。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
この場合、上記連続する箇所で内部電極３０，４０の形状が更により緩やかに変化する。素体１の変形に伴って素体１から内部電極３０，４０に作用する応力は、上記連続する箇所に更により集中しがたい。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
【0141】
圧電素子ＰＤ１では、第一方向Ｄ１から見て、導体部分３１ｂ，３３ｂ，４１ｂ，４３ｂの外縁の全体が、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄの外縁より内側に位置している。
この場合、第一方向Ｄ１から見て、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄの外縁が中心線ＣＬ１からより離れて位置しており、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄの第一方向Ｄ１での厚みの増加の度合いが減少する。上記連続する箇所で内部電極３０，４０の形状が更により緩やかに変化する。素体１の変形に伴って素体１から内部電極３０，４０に作用する応力は、上記連続する箇所に更により集中しがたい。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
この場合、第一方向Ｄ１から見て、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄの外縁が中心線ＣＬ１からより離れて位置しており、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄの第一方向Ｄ１での厚みの増加の度合いが減少する。上記連続する箇所で内部電極３０，４０の形状が更により緩やかに変化する。素体１の変形に伴って素体１から内部電極３０，４０に作用する応力は、上記連続する箇所に更により集中しがたい。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
【0142】
圧電素子ＰＤ１では、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄには、領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃから第一方向Ｄ１に離れた端部３２ｆ，３４ｆ，４２ｆ，４４ｆに、窪み３６，４６が形成されている。
この場合、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄに窪み３６，４６が形成された分、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの第一方向Ｄ１での厚みが減少している。厚みの減少によって、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、素体１の変形に伴う導体部分３２ａ，３４ａ，４２ａ，４４ａの収縮及び延伸に対してより追随しやすい。したがって、上記連続する部分での電気的な接続の信頼性の低下がより抑制される。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
この場合、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄに窪み３６，４６が形成された分、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの第一方向Ｄ１での厚みが減少している。厚みの減少によって、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、素体１の変形に伴う導体部分３２ａ，３４ａ，４２ａ，４４ａの収縮及び延伸に対してより追随しやすい。したがって、上記連続する部分での電気的な接続の信頼性の低下がより抑制される。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
【0143】
圧電素子ＰＤ１では、窪み３６，４６の深さは、中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している。
この場合、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの第一方向Ｄ１での厚みが、中心線ＣＬ１に近づくにつれて減少しており、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、素体１の変形に伴う導体部分３２ａ，３４ａ，４２ａ，４４ａの収縮及び延伸に対して更により追随しやすい。したがって、上記連続する部分での電気的な接続の信頼性の低下が更により抑制される。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
この場合、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの第一方向Ｄ１での厚みが、中心線ＣＬ１に近づくにつれて減少しており、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、素体１の変形に伴う導体部分３２ａ，３４ａ，４２ａ，４４ａの収縮及び延伸に対して更により追随しやすい。したがって、上記連続する部分での電気的な接続の信頼性の低下が更により抑制される。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
【0144】
圧電素子ＰＤ１では、第一方向Ｄ１から見て、導体部分３１ｂ，３３ｂ，４１ｂ，４３ｂが窪み３６，４６の開口縁の内側に位置している。
この場合、窪み３６，４６の形成によって導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの第一方向Ｄ１での厚みが減少する範囲がより拡大する。広い範囲での厚みの減少によって、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、素体１の変形に伴う導体部分３２ａ，３４ａ，４２ａ，４４ａの収縮及び延伸に対して更により追随しやすい。したがって、上記連続する部分での電気的な接続の信頼性の低下が更により抑制される。この結果、内部電極３０，４０内での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
この場合、窪み３６，４６の形成によって導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの第一方向Ｄ１での厚みが減少する範囲がより拡大する。広い範囲での厚みの減少によって、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、素体１の変形に伴う導体部分３２ａ，３４ａ，４２ａ，４４ａの収縮及び延伸に対して更により追随しやすい。したがって、上記連続する部分での電気的な接続の信頼性の低下が更により抑制される。この結果、内部電極３０，４０内での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
【0145】
圧電素子ＰＤ１では、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄ及び窪み３６，４６は、第一方向Ｄ１から見て、円形状を呈している。
この場合、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄは、素体１の変形に伴う導体部分３２ａ，３４ａ，４２ａ，４４ａの第一方向Ｄ１に交差する方向での収縮及び延伸に対してより追随しやすい。したがって、上記連続する部分での電気的な接続の信頼性の低下が更により抑制される。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
この場合、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄは、素体１の変形に伴う導体部分３２ａ，３４ａ，４２ａ，４４ａの第一方向Ｄ１に交差する方向での収縮及び延伸に対してより追随しやすい。したがって、上記連続する部分での電気的な接続の信頼性の低下が更により抑制される。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
【0146】
圧電素子ＰＤ１では、領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃの第一方向Ｄ１での長さは、窪み３６，４６の底部３６ｂ，４６ｂと、導体部分３１ｂ，３３ｂ，４１ｂ，４３ｂとの第一方向Ｄ１での長さより小さい。
この場合、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、素体１の変形に伴う導体部分３２ａ，３４ａ，４２ａ，４４ａの収縮及び延伸に対して更により追随しやすい。したがって、上記連続する部分での電気的な接続の信頼性の低下が更により抑制される。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
この場合、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、素体１の変形に伴う導体部分３２ａ，３４ａ，４２ａ，４４ａの収縮及び延伸に対して更により追随しやすい。したがって、上記連続する部分での電気的な接続の信頼性の低下が更により抑制される。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
【0147】
本発明者の検討によれば、圧電素子では、導体に与えられる駆動信号に応じて、圧電素体が伸縮して変形する。圧電素体の変形に伴って、接続部分も変形することがある。接続部分が変形する場合、接続部分には、クラックが発生することがある。接続部分にクラックが発生した場合、導体での電気的な接続の信頼性が低下する。電気的な接続の信頼性が低下した導体は、駆動信号の安定的な伝送を実現しがたい。上記導体は、たとえば、内部電極３０，４０に相当する。上記接続部分は、たとえば、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂに相当する。
したがって、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂが素体１の変形に近い変形をし得る場合、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、当該導体部分３２ｂ，３４ｂ，２ｂ，４４ｂにクラックが発生するリスクを低減する。クラック発生のリスクの低減は、素体１の変形に対する内部電極３０，４０の耐性を増大する。
したがって、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂが素体１の変形に近い変形をし得る場合、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、当該導体部分３２ｂ，３４ｂ，２ｂ，４４ｂにクラックが発生するリスクを低減する。クラック発生のリスクの低減は、素体１の変形に対する内部電極３０，４０の耐性を増大する。
【0148】
本実施形態に係る圧電素子ＰＤ１は、素体１と、外部電極１０，２０と、内部電極３０，４０と、を備えている。内部電極３０は、互いに対向している内部導体３１，３３，４１，４３と内部導体３２，３４，４２，４４とを有している。内部導体３２，３４，４２，４４は、第一方向Ｄ１に延在していると共に内部導体３１，３３，４１，４３に接続されている導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂを含んでいる。導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、導電性を有する第一材料を含む領域３２ｐ，３４ｐ，４２ｐ，４４ｐと、第一材料の線膨張係数とは異なる線膨張係数を有する、第一材料とは異なる第二材料を含む領域３２ｑ，３４ｑ，４２ｑ，４４ｑと、を有している。
【0149】
圧電素子ＰＤ１では、内部電極３０，４０は、互いに対向している内部導体３１，３３，４１，４３と内部導体３２，３４，４２，４４とを有している。内部導体３２，３４，４２，４４は、３１，３３，４１，４３に接続されている導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂを含んでいる。導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、第一材料を含む領域３２ｐ，３４ｐ，４２ｐ，４４ｐと第二材料を含む領域３２ｑ，３４ｑ，４２ｑ，４４ｑとを有しており、第二材料の線膨張係数は、第一材料の線膨張係数と異なっている。したがって、第二材料を含む領域３２ｑ，３４ｑ，４２ｑ，４４ｑを有する導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの線膨張係数は、第一材料を含む領域３２ｐ，３４ｐ，４２ｐ，４４ｐからなる導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの線膨張係数に比べて、たとえば、素体１の線膨張係数に近くなり得る。素体１の変形に伴う導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの変形が、素体１の変形に近づく。この結果、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂにクラックが発生するリスクが低減し、素体１の変形に対する内部電極３０，４０の耐性が増大する。
導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの第一方向Ｄ１での厚みが、貫通孔３５ｂ，３５ｄ，４５ｂ，４５ｄの中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している場合、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性がより向上する。すなわち、上述の通り、素体１の変形に伴って素体１から内部電極３０，４０に作用する応力が、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂに集中しがたいことに加えて、素体１の変形に伴う導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの変形が、その線膨張係数の大きさに起因して、素体１の変形に近づく。したがって、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂにクラックが発生するリスクがより確実に低減し、素体１の変形に対する内部電極３０，４０の耐性が一層増大する。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性がより向上する。
導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの第一方向Ｄ１での厚みが、貫通孔３５ｂ，３５ｄ，４５ｂ，４５ｄの中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している場合、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性がより向上する。すなわち、上述の通り、素体１の変形に伴って素体１から内部電極３０，４０に作用する応力が、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂに集中しがたいことに加えて、素体１の変形に伴う導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの変形が、その線膨張係数の大きさに起因して、素体１の変形に近づく。したがって、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂにクラックが発生するリスクがより確実に低減し、素体１の変形に対する内部電極３０，４０の耐性が一層増大する。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性がより向上する。
【0150】
圧電素子ＰＤ１では、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、第二材料を含む複数の領域３２ｑ，３４ｑ，４２ｑ，４４ｑを有し、第二材料を含む複数の領域３２ｑ，３４ｑ，４２ｑ，４４ｑは、第一材料を含む領域３２ｐ，３４ｐ，４２ｐ，４４ｐ内に分布している。
この場合、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの線膨張係数は、第一材料を含む領域３２ｐ，３４ｐ，４２ｐ，４４ｐからなる導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの線膨張係数に比べて、たとえば、素体１の線膨張係数により近くなり得る。素体１の変形に伴う導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの変形が、素体１の変形により近づく。この結果、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂにクラックが発生するリスクがより低減し、素体１の変形に対する内部電極３０，４０の耐性がより増大する。内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性がより向上する。
この場合、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの線膨張係数は、第一材料を含む領域３２ｐ，３４ｐ，４２ｐ，４４ｐからなる導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの線膨張係数に比べて、たとえば、素体１の線膨張係数により近くなり得る。素体１の変形に伴う導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの変形が、素体１の変形により近づく。この結果、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂにクラックが発生するリスクがより低減し、素体１の変形に対する内部電極３０，４０の耐性がより増大する。内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性がより向上する。
【0151】
圧電素子ＰＤ１では、第二材料を含む領域３２ｑ，３４ｑ，４２ｑ，４４ｑは、素体１に向けて突出する突起状の部位３２ｒを有している。
この場合、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、第二材料を含む領域３２ｑ，３４ｑ，４２ｑ，４４ｑの突起状の部位３２ｒを介して、素体１と接し得る。導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂと素体１との密着性が向上する。この結果、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂにクラックが発生するリスクが更により低減し、素体１の変形に対する内部電極３０，４０の耐性が更により増大する。内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
この場合、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、第二材料を含む領域３２ｑ，３４ｑ，４２ｑ，４４ｑの突起状の部位３２ｒを介して、素体１と接し得る。導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂと素体１との密着性が向上する。この結果、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂにクラックが発生するリスクが更により低減し、素体１の変形に対する内部電極３０，４０の耐性が更により増大する。内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
【0152】
圧電素子ＰＤ１では、第二材料を含む領域３２ｑ，３４ｑ，４２ｑ，４４ｑは、領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃ及び領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄの少なくともいずれか一方に位置している。
この場合、領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃ及び領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄの少なくともいずれか一方の線膨張係数は、第一材料を含む領域３２ｐ，３４ｐ，４２ｐ，４４ｐからなる導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの線膨張係数に比べて、素体１の線膨張係数に近くなり得る。素体１の変形に伴う領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃ及び領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄの変形が、素体１の変形に近づく。この結果、領域３２ｃ及び領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄにクラックが発生するリスクが低減し、素体１の変形に対する内部電極３０の耐性が更により増大する。内部電極３０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
この場合、領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃ及び領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄの少なくともいずれか一方の線膨張係数は、第一材料を含む領域３２ｐ，３４ｐ，４２ｐ，４４ｐからなる導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの線膨張係数に比べて、素体１の線膨張係数に近くなり得る。素体１の変形に伴う領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃ及び領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄの変形が、素体１の変形に近づく。この結果、領域３２ｃ及び領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄにクラックが発生するリスクが低減し、素体１の変形に対する内部電極３０の耐性が更により増大する。内部電極３０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
【0153】
圧電素子ＰＤ１では、第二材料を含む領域３２ｑ，３４ｑ，４２ｑ，４４ｑは、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄ内であって、窪み３６，４６を画成する面を含む領域３２ｓ，３４ｓ，４２ｓ，４４ｓに位置している。
この場合、窪み３６，４６と素体１との剥離が抑制され得る。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
この場合、窪み３６，４６と素体１との剥離が抑制され得る。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
【0154】
本発明者の検討によれば、圧電素子では、圧電素体の変形に伴って、圧電素体からの応力が導体に作用することがある。圧電素体から作用する応力は、接続部分に集中することがある。圧電素体から作用する応力が接続部分に集中する場合、接続部分にクラックが発生するおそれがある。接続部分にクラックが発生した場合、導体での電気的な接続の信頼性が低下する。電気的な接続の信頼性が低下した導体は、駆動信号の安定的な伝送を実現しがたい。上記導体は、たとえば、内部電極３０，４０に相当する。上記接続部分は、たとえば、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂに相当する。
したがって、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂが変形し得る構成では、素体１から作用する応力が接続部分に作用する場合でも、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、当該導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂにクラックが発生するリスクを低減する。クラック発生のリスクの低減は、素体１から作用する応力に対する、内部電極３０，４０の耐性を更により増大する。
したがって、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂが変形し得る構成では、素体１から作用する応力が接続部分に作用する場合でも、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、当該導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂにクラックが発生するリスクを低減する。クラック発生のリスクの低減は、素体１から作用する応力に対する、内部電極３０，４０の耐性を更により増大する。
【0155】
本実施形態に係る圧電素子ＰＤ１は、素体１と、外部電極１０，２０と、内部電極３０，４０と、を備えている。内部電極３０，４０は、互いに対向している内部導体３１，３３，４１，４３と内部導体３２，３４，４２，４４とを有している。内部導体３２，３４，４２，４４は、第一方向Ｄ１に延在していると共に内部導体３１，３３，４１，４３に接続されている導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂを含んでいる。導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂには、空洞５０が形成されている。
【0156】
圧電素子ＰＤ１では、内部電極３０，４０は、互いに対向している内部導体３１，３３，４１，４３と内部導体３２，３４，４２，４４とを有している。内部導体３２，３４，４２，４４は、内部導体３１，３３，４１，４３に接続されている導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂを含んでいる。導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂには、空洞５０が形成されている。空洞５０が形成された導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、空洞５０が形成されていない導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂに比して、空洞５０が存在する分、全体的に見て、緻密な焼結体を構成しがたい。空洞５０が形成された導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、空洞５０が形成されていない導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂに比して、変形しやすい。したがって、素体１の変形に伴って素体１からの応力が導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂに作用する場合、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂには、クラックが発生しがたい。この結果、素体１から作用する応力に対する、内部電極３０，４０の耐性が増大する。
上述の通り、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの第一方向Ｄ１での厚みが、貫通孔３５ｂ，３５ｄ，４５ｂ，４５ｄの中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している場合、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂに空洞５０が形成された場合、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂには、空洞５０が形成されていない導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂに比して、クラックがより発生しがたい。この結果、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂにクラックが発生するリスクが確実に低減し、素体１の変形に対する内部電極３０，４０の耐性が増大する。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
上述の通り、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの第一方向Ｄ１での厚みが、貫通孔３５ｂ，３５ｄ，４５ｂ，４５ｄの中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している場合、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂに空洞５０が形成された場合、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂには、空洞５０が形成されていない導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂに比して、クラックがより発生しがたい。この結果、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂにクラックが発生するリスクが確実に低減し、素体１の変形に対する内部電極３０，４０の耐性が増大する。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
【0157】
圧電素子ＰＤ１では、第一方向Ｄ１に延在する平面で導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂを切断した切断面であって、空洞５０を含む切断面において、空洞５０の切断面での円相当径Ｒ１は、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの切断面での幅Ｒ２の５０％以下である。
この場合、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂでの空洞５０の形成による電気的な断線が生じがたい。導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂによる駆動信号の安定的な伝送が実現され、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性がより向上する。
この場合、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂでの空洞５０の形成による電気的な断線が生じがたい。導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂによる駆動信号の安定的な伝送が実現され、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性がより向上する。
【0158】
圧電素子ＰＤ１では、空洞５０の断面は、多角形状を呈している。
この場合、空洞５０を画成する面が、複数の角及び稜を有するので、素体１の変形に応じて、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、変形しやすい。導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂには、クラックがより発生しがたい。この結果、素体１から作用する応力に対する、内部電極３０，４０の耐性がより増大する。内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
この場合、空洞５０を画成する面が、複数の角及び稜を有するので、素体１の変形に応じて、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、変形しやすい。導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂには、クラックがより発生しがたい。この結果、素体１から作用する応力に対する、内部電極３０，４０の耐性がより増大する。内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
【0159】
圧電素子ＰＤ１では、空洞５０は、領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃ及び領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄの少なくともいずれか一方に形成されている。
この場合、領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃ及び領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄの少なくともいずれか一方は、変形しやすい。領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃ，３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄには、クラックがより発生しがたい。この結果、素体１から作用する応力に対する、内部電極３０，４０の耐性がより増大する。
この場合、領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃ及び領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄの少なくともいずれか一方は、変形しやすい。領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃ，３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄには、クラックがより発生しがたい。この結果、素体１から作用する応力に対する、内部電極３０，４０の耐性がより増大する。
【0160】
圧電素子ＰＤ１では、空洞５０は、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄ内であって、窪み５０を画成する面を含む領域３２ｓ，３４ｓ，４２ｓ，４４ｓに形成されている。
この場合、窪み３６，４６と素体１との剥離が抑制され得る。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
この場合、窪み３６，４６と素体１との剥離が抑制され得る。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
【0161】
圧電素子ＰＤ１では、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂには、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの外周面に開口している窪み５１が形成されている。
この場合、窪み５１が形成されている外周面は、窪み５１が形成されていない外周面に比べて、素体１から伝わる振動を反射しがたい。したがって、素体１の変形に伴う振動が素体１内で伝わりやすく、圧電素子ＰＤ１の共振特性が向上する。
この場合、窪み５１が形成されている外周面は、窪み５１が形成されていない外周面に比べて、素体１から伝わる振動を反射しがたい。したがって、素体１の変形に伴う振動が素体１内で伝わりやすく、圧電素子ＰＤ１の共振特性が向上する。
【0162】
圧電素子ＰＤ１は、素体１と、外部電極１０，２０と、内部電極３０，４０と、を備えている。内部電極３０，４０は、互いに対向している内部導体３１と内部導体３２とを有している。内部導体３２，３４，４２，４４は、第一方向Ｄ１に延在していると共に内部導体３１，３３，４１，４３に接続されている導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂを含んでいる。導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂには、窪み５１が形成されている。
【0163】
圧電素子ＰＤ１では、内部電極３０，４０は、互いに対向している内部導体３１，３３，４１，４３と内部導体３２，３４，４２，４４とを有している。内部導体３２，３４，４２，４４は、内部導体３１，３３，４１，４３に接続されている導体部分３２ｂを含んでいる。導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂには、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの外周面に開口している窪み５１が形成されている。窪み５１が形成された導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂには、空洞５０が形成されていない導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂに比して、クラックが発生しがたい。素体１から作用する応力に対する、内部電極３０，４０の耐性が増大する。内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が向上する。
本実施形態では、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂに、窪み５１及び空洞５０の少なくともいずれか一方が形成され、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂが、第二材料を含む領域３２ｑ，３４ｑ，４２ｑ，４４ｑをも有する場合には、上記信頼性が更により向上する。導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂが、第二材料を含む領域３２ｑ，３４ｑ，４２ｑ，４４ｑを有する場合、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂが、より低い焼結温度を有する。したがって、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂには、空洞５０が形成されていない導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂに比して、よりクラックが発生しがたい。内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が向上する。
本実施形態では、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂに、窪み５１及び空洞５０の少なくともいずれか一方が形成され、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂが、第二材料を含む領域３２ｑ，３４ｑ，４２ｑ，４４ｑをも有する場合には、上記信頼性が更により向上する。導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂが、第二材料を含む領域３２ｑ，３４ｑ，４２ｑ，４４ｑを有する場合、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂが、より低い焼結温度を有する。したがって、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂには、空洞５０が形成されていない導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂに比して、よりクラックが発生しがたい。内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が向上する。
【0164】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【0165】
圧電素子ＰＤ１では、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いは、領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いより小さくなくてもよい。領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いが、領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃの第一方向Ｄ１での厚みが増加する度合いより小さい構成では、上述したように、第四導体部分と第三導体部分とが互いに連続する箇所で内部電極３０，４０の形状がより緩やかに変化する。素体１の変形に伴って素体１から内部電極３０，４０に作用する応力は、上記連続する箇所により集中しがたい。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性がより向上する。
圧電素子ＰＤ１では、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄが含む各領域部分３２ｄ１，３４ｄ１，４２ｄ１，４４ｄ１，３２ｄ２，３４ｄ２，４２ｄ２，４４ｄ２の、第一方向Ｄ１での厚みは、中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加していなくてもよい。領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄが含む各領域部分３２ｄ１，３４ｄ１，４２ｄ１，４４ｄ１，３２ｄ２，３４ｄ２，４２ｄ２，４４ｄ２の、第一方向Ｄ１での厚みが、中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している構成では、上述したように、第四導体部分と第三導体部分とが互いに連続する箇所で内部電極３０，４０の形状が更により緩やかに変化する。素体１の変形に伴って素体１から内部電極３０，４０に作用する応力は、上記連続する箇所に更により集中しがたい。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
圧電素子ＰＤ１では、第一方向Ｄ１から見て、導体部分３１ｂ，３３ｂ，４１ｂ，４３ｂの外縁の全体は、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄの外縁より内側に位置していなくてもよい。第一方向Ｄ１から見て、導体部分３１ｂ，３３ｂ，４１ｂ，４３ｂの外縁の全体が、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄの外縁より内側に位置している構成では、第一方向Ｄ１から見て、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄの外縁が中心線ＣＬ１からより離れて位置しており、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄの第一方向Ｄ１での厚みの増加の度合いが減少する。第四導体部分と第三導体部分とが互いに連続する箇所で内部電極３０，４０の形状が更により緩やかに変化する。素体１の変形に伴って素体１から内部電極３０，４０に作用する応力は、上記連続する箇所に更により集中しがたい。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
圧電素子ＰＤ１では、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄには、領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃから第一方向Ｄ１に離れた端部３２ｆ，３４ｆ，４２ｆ，４４ｆに、窪み３６，４６が形成されていなくてもよい。領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄには、領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃから第一方向Ｄ１に離れた端部３２ｆ，３４ｆ，４２ｆ，４４ｆに、窪み３６，４６が形成されている構成では、上述したように、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄに窪み３６，４６が形成された分、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの第一方向Ｄ１での厚みが減少している。厚みの減少によって、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、素体１の変形に伴う導体部分３２ａ，３４ａ，４２ａ，４４ａの収縮及び延伸に対してより追随しやすい。したがって、第四導体部分と第三導体部分とが互いに連続する箇所での電気的な接続の信頼性の低下がより抑制される。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
圧電素子ＰＤ１では、窪み３６，４６の深さは、中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加していなくてもよい。窪み３６，４６の深さが、中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している構成では、上述したように、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの第一方向Ｄ１での厚みが、中心線ＣＬ１に近づくにつれて減少しており、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、素体１の変形に伴う導体部分３２ａ，３４ａ，４２ａ，４４ａの収縮及び延伸に対して更により追随しやすい。したがって、上記連続する部分での電気的な接続の信頼性の低下が更により抑制される。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
圧電素子ＰＤ１では、第一方向Ｄ１から見て、導体部分３１ｂ，３３ｂ，４１ｂ，４３ｂは、窪み３６，４６の開口縁の内側に位置していなくてもよい。第一方向Ｄ１から見て、導体部分３１ｂ，３３ｂ，４１ｂ，４３ｂが窪み３６，４６の開口縁の内側に位置している構成では、上述したように、窪み３６，４６の形成によって導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの第一方向Ｄ１での厚みが減少する範囲がより拡大する。広い範囲での厚みの減少によって、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、素体１の変形に伴う導体部分３２ａ，３４ａ，４２ａ，４４ａの収縮及び延伸に対して更により追随しやすい。したがって、上記連続する部分での電気的な接続の信頼性の低下が更により抑制される。この結果、内部電極３０，４０内での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
圧電素子ＰＤ１では、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄ及び窪み３６，４６は、第一方向Ｄ１から見て、円形状を呈していなくてもよい。領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄ及び窪み３６，４６が、第一方向Ｄ１から見て、円形状を呈している構成では、上述したように、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄは、素体１の変形に伴う導体部分３２ａ，３４ａ，４２ａ，４４ａの第一方向Ｄ１に交差する方向での収縮及び延伸に対してより追随しやすい。したがって、上記連続する部分での電気的な接続の信頼性の低下が更により抑制される。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
圧電素子ＰＤ１では、領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃの第一方向Ｄ１での長さは、窪み３６，４６の底部３６ｂ，４６ｂと、導体部分３１ｂ，３３ｂ，４１ｂ，４３ｂとの第一方向Ｄ１での長さより小さくなくてもよい。領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃの第一方向Ｄ１での長さが、窪み３６，４６の底部３６ｂ，４６ｂと、導体部分３１ｂ，３３ｂ，４１ｂ，４３ｂとの第一方向Ｄ１での長さより小さい構成では、上述したように、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、素体１の変形に伴う導体部分３２ａ，３４ａ，４２ａ，４４ａの収縮及び延伸に対して更により追随しやすい。したがって、上記連続する部分での電気的な接続の信頼性の低下が更により抑制される。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
圧電素子ＰＤ１では、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄが含む各領域部分３２ｄ１，３４ｄ１，４２ｄ１，４４ｄ１，３２ｄ２，３４ｄ２，４２ｄ２，４４ｄ２の、第一方向Ｄ１での厚みは、中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加していなくてもよい。領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄが含む各領域部分３２ｄ１，３４ｄ１，４２ｄ１，４４ｄ１，３２ｄ２，３４ｄ２，４２ｄ２，４４ｄ２の、第一方向Ｄ１での厚みが、中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している構成では、上述したように、第四導体部分と第三導体部分とが互いに連続する箇所で内部電極３０，４０の形状が更により緩やかに変化する。素体１の変形に伴って素体１から内部電極３０，４０に作用する応力は、上記連続する箇所に更により集中しがたい。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
圧電素子ＰＤ１では、第一方向Ｄ１から見て、導体部分３１ｂ，３３ｂ，４１ｂ，４３ｂの外縁の全体は、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄの外縁より内側に位置していなくてもよい。第一方向Ｄ１から見て、導体部分３１ｂ，３３ｂ，４１ｂ，４３ｂの外縁の全体が、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄの外縁より内側に位置している構成では、第一方向Ｄ１から見て、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄの外縁が中心線ＣＬ１からより離れて位置しており、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄの第一方向Ｄ１での厚みの増加の度合いが減少する。第四導体部分と第三導体部分とが互いに連続する箇所で内部電極３０，４０の形状が更により緩やかに変化する。素体１の変形に伴って素体１から内部電極３０，４０に作用する応力は、上記連続する箇所に更により集中しがたい。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
圧電素子ＰＤ１では、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄには、領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃから第一方向Ｄ１に離れた端部３２ｆ，３４ｆ，４２ｆ，４４ｆに、窪み３６，４６が形成されていなくてもよい。領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄには、領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃから第一方向Ｄ１に離れた端部３２ｆ，３４ｆ，４２ｆ，４４ｆに、窪み３６，４６が形成されている構成では、上述したように、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄに窪み３６，４６が形成された分、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの第一方向Ｄ１での厚みが減少している。厚みの減少によって、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、素体１の変形に伴う導体部分３２ａ，３４ａ，４２ａ，４４ａの収縮及び延伸に対してより追随しやすい。したがって、第四導体部分と第三導体部分とが互いに連続する箇所での電気的な接続の信頼性の低下がより抑制される。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
圧電素子ＰＤ１では、窪み３６，４６の深さは、中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加していなくてもよい。窪み３６，４６の深さが、中心線ＣＬ１に近づくにつれて増加している構成では、上述したように、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの第一方向Ｄ１での厚みが、中心線ＣＬ１に近づくにつれて減少しており、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、素体１の変形に伴う導体部分３２ａ，３４ａ，４２ａ，４４ａの収縮及び延伸に対して更により追随しやすい。したがって、上記連続する部分での電気的な接続の信頼性の低下が更により抑制される。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
圧電素子ＰＤ１では、第一方向Ｄ１から見て、導体部分３１ｂ，３３ｂ，４１ｂ，４３ｂは、窪み３６，４６の開口縁の内側に位置していなくてもよい。第一方向Ｄ１から見て、導体部分３１ｂ，３３ｂ，４１ｂ，４３ｂが窪み３６，４６の開口縁の内側に位置している構成では、上述したように、窪み３６，４６の形成によって導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの第一方向Ｄ１での厚みが減少する範囲がより拡大する。広い範囲での厚みの減少によって、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、素体１の変形に伴う導体部分３２ａ，３４ａ，４２ａ，４４ａの収縮及び延伸に対して更により追随しやすい。したがって、上記連続する部分での電気的な接続の信頼性の低下が更により抑制される。この結果、内部電極３０，４０内での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
圧電素子ＰＤ１では、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄ及び窪み３６，４６は、第一方向Ｄ１から見て、円形状を呈していなくてもよい。領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄ及び窪み３６，４６が、第一方向Ｄ１から見て、円形状を呈している構成では、上述したように、領域３２ｄ，３４ｄ，４２ｄ，４４ｄは、素体１の変形に伴う導体部分３２ａ，３４ａ，４２ａ，４４ａの第一方向Ｄ１に交差する方向での収縮及び延伸に対してより追随しやすい。したがって、上記連続する部分での電気的な接続の信頼性の低下が更により抑制される。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
圧電素子ＰＤ１では、領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃの第一方向Ｄ１での長さは、窪み３６，４６の底部３６ｂ，４６ｂと、導体部分３１ｂ，３３ｂ，４１ｂ，４３ｂとの第一方向Ｄ１での長さより小さくなくてもよい。領域３２ｃ，３４ｃ，４２ｃ，４４ｃの第一方向Ｄ１での長さが、窪み３６，４６の底部３６ｂ，４６ｂと、導体部分３１ｂ，３３ｂ，４１ｂ，４３ｂとの第一方向Ｄ１での長さより小さい構成では、上述したように、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、素体１の変形に伴う導体部分３２ａ，３４ａ，４２ａ，４４ａの収縮及び延伸に対して更により追随しやすい。したがって、上記連続する部分での電気的な接続の信頼性の低下が更により抑制される。この結果、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性が更により向上する。
【0166】
圧電素子ＰＤ１では、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂは、第二材料を含む領域３２ｑ，３４ｑ，４２ｑ，４４ｑを有していなくてもよい。導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂが、第二材料を含む領域３２ｑ，３４ｑ，４２ｑ，４４ｑを有している構成は、上述したように、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性をより向上する。
【0167】
圧電素子ＰＤ１では、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂに、空洞５０が形成されていなくてもよい。導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂに、空洞５０が形成されている構成は、上述したように、内部電極３０，４０での電気的な接続の信頼性をより向上する。
圧電素子ＰＤ１では、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂには、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの外周面に開口している窪み５１が形成されていなくてもよい。導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂには、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの外周面に開口している窪み５１が形成されている構成では、上述したように、素体１の変形に伴う振動が素体１内で伝わりやすく、圧電素子ＰＤ１の共振特性が向上する。
圧電素子ＰＤ１では、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂには、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの外周面に開口している窪み５１が形成されていなくてもよい。導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂには、導体部分３２ｂ，３４ｂ，４２ｂ，４４ｂの外周面に開口している窪み５１が形成されている構成では、上述したように、素体１の変形に伴う振動が素体１内で伝わりやすく、圧電素子ＰＤ１の共振特性が向上する。
【符号の説明】
【0168】
１…素体、５ｂ…素体部分、１０…外部電極、２０…外部電極、３０…内部電極、３１…内部導体、３１ａ…導体部分、３１ｂ…導体部分、３２…内部導体、３２ａ…導体部分、３２ｂ…導体部分、３２ｃ…領域、３２ｄ…領域、３２ｄ１…領域部分、３２ｄ２…領域部分、３２ｆ…端部、３２ｐ…領域、３２ｑ…領域、３３…内部導体、３３ａ…導体部分、３３ｂ…導体部分、３４…内部導体、３４ａ…導体部分、３４ｂ…導体部分、３４ｃ…領域、３４ｄ…領域、３４ｄ１…領域部分、３４ｄ２…領域部分、３４ｆ…端部、３５ｂ…貫通孔、３５ｃ…貫通孔、３６…窪み、４０…内部電極、４１…内部導体、４１ａ…導体部分、４１ｂ…導体部分、４２…内部導体、４２ａ…導体部分、４２ｂ…導体部分、４２ｃ…領域、４２ｄ…領域、４２ｄ１…領域部分、４２ｄ２…領域部分、４２ｆ…端部、４２ｐ…領域、４２ｑ…領域、４３…内部導体、４３ａ…導体部分、４３ｂ…導体部分、４４…内部導体、４４ａ…導体部分、４４ｂ…導体部分、４４ｃ…領域、４４ｄ…領域、４４ｄ１…領域部分、４４ｄ２…領域部分、４４ｆ…端部、４５ｂ…貫通孔、４５ｃ…貫通孔、４６…窪み、５０…空洞、５１…窪み、ＣＬ１…中心線、Ｄ１…第一方向、Ｄ１ａ…方向、Ｄ１ｂ…方向、ＰＤ１…圧電素子、ＳＰ１…基準面。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】