特開 2023-151523 電気接続部材及び半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023151523

(43)【公開日】2023-10-16

(54)【発明の名称】電気接続部材及び半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/60 20060101AFI20231005BHJP

【ＦＩ】

H01L21/60 321E

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022061179

(22)【出願日】2022-03-31

(71)【出願人】

【識別番号】000002037

【氏名又は名称】新電元工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002697

【氏名又は名称】めぶき弁理士法人

(74)【代理人】

【識別番号】100104709

【弁理士】

【氏名又は名称】松尾 誠剛

(72)【発明者】

【氏名】森永 雄司

(57)【要約】      （修正有）

【課題】導電性接合材の厚さが不均一になりにくい電気接続部材を提供する。
【解決手段】電極を有する半導体素子の電極と配線パターンとを接続するために用いる板状の電気接続部材１１０であって、導電性接合材を介して半導体素子の電極に接続される半導体接続領域１１８と、半導体素子の電極に接続されない半導体非接続領域１２０と、配線パターンに接続される配線パターン接続領域１２２とを有し、半導体接続領域１１８には複数の突起１１２が形成されており、複数の突起１１２のうち隣接する２つの突起１１２の間には第１貫通孔１１４が形成されている。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

電極を有する半導体素子の前記電極と配線パターンとを接続するために用いる板状の電気接続部材であって、
導電性接合材を介して前記半導体素子の前記電極に接続される半導体接続領域と、前記半導体素子の前記電極に接続されない半導体非接続領域と、前記配線パターンに接続される配線パターン接続領域とを有し、
前記半導体接続領域には複数の突起が形成されており、
前記複数の突起のうち隣接する２つの前記突起の間には第１貫通孔が形成されていることを特徴とする電気接続部材。

【請求項2】

前記半導体素子は一方の面に複数の電極を有する半導体素子であり、
前記電気接続部材は前記複数の電極と前記配線パターンとを接続するために用いるものであることを特徴とする請求項１に記載の電気接続部材。

【請求項3】

前記半導体素子は一方の面に複数種類の電極を有する半導体素子であり、
前記電気接続部材は前記複数種類の電極のうち一の種類の電極と前記配線パターンとを接続するために用いるものであることを特徴とする請求項１に記載の電気接続部材。

【請求項4】

前記一の種類の電極は、複数の個別電極に分割されており、
前記複数の突起のそれぞれは前記複数の個別電極のそれぞれ対応する領域に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の電気接続部材。

【請求項5】

前記第１貫通孔の面積（平面積）は、前記突起の面積（平面積）よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の電気接続部材。

【請求項6】

前記突起は、円錐形状、角錐形状、円柱形状、角柱形状又は半球形状を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電気接続部材。

【請求項7】

前記電気接続部材は、前記半導体非接続領域に第２貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電気接続部材。

【請求項8】

電極を有する半導体素子と、
配線パターンと、
前記半導体素子の前記電極と前記配線パターンとを接続する板状の電気接続部材とを備える半導体装置であって、
前記電気接続部材は、請求項１乃至７のいずれかに記載の電気接続部材であることを特徴とする半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電気接続部材及び半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

次世代パワー半導体（ＧａＮ等）の出現により、スイッチング動作を従来の数百ｋＨｚから数ＭＨｚオーダーに高速化させたい、ターンオンオフ速度も１桁以上に高速化させたいといった要求と合わせ、回路システム動作時のスイッチング損失、サージ電圧及びノイズの低減を図って、動作安定性や信頼性を確保したいという要求がある。

【0003】

そこで従来、半導体素子と配線パターンとを接続する電気接続部材に、低インダクタンス化が可能な板状の電気接続部材が使用されている。この板状の電気接続部材は、導電性接合材を介して、半導体素子と接続されるものである。

【0004】

特許文献１には、電気接続部材の第１接合部と第２接合部との間の下面の中間部に、はんだなどの導電性接合材が第１接合部と半導体素子の上部電極との間から中間部に漏れ拡がるのを抑制するように、金属の酸化膜が形成されている半導体装置が開示されている。特許文献１に記載の半導体装置によれば、導電性接合材の電気接続部材への漏れ拡がりを抑制して、半導体装置の信頼性を向上できる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１９－２２０６５３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかしながら、上記した従来技術においては、半導体素子の全面に導電性接合材を塗布し、電気接続部材を配置した状態でリフローすることにより半導体素子と電気接続部材とを接続しているため、半導体素子と電気接続部材とが傾いた状態で接合されて導電性接合材の厚さが不均一となる場合があるという問題があった。また、これに起因して、製造される半導体装置の信頼性が低下するという問題があった。

【0007】

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、導電性接合材の厚さが不均一になりにくい電気接続部材及び信頼性の低下が抑制された半導体装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

（１）本発明の電気接続部材は、電極を有する半導体素子の前記電極と配線パターンとを接続するために用いる板状の電気接続部材であって、導電性接合材を介して前記半導体素子の前記電極に接続される半導体接続領域と、前記半導体素子の前記電極に接続されない半導体非接続領域と、前記配線パターンに接続される配線パターン接続領域とを有し、
前記半導体接続領域には複数の突起が形成されており、前記複数の突起のうち隣接する２つの前記突起の間には第１貫通孔が形成されていることを特徴とする。

【0009】

（２）本発明の電気接続部材においては、前記半導体素子は一方の面に複数の電極を有する半導体素子であり、前記電気接続部材は前記複数の電極と前記配線パターンとを接続するために用いるものであることが好ましい。

【0010】

（３）本発明の電気接続部材においては、前記半導体素子は一方の面に複数種類の電極を有する半導体素子であり、前記電気接続部材は前記複数種類の電極のうち一の種類の電極と前記配線パターンとを接続するために用いるものであることが好ましい。

【0011】

（４）本発明の電気接続部材において、前記一の種類の電極は複数の個別電極に分割されており、前記複数の突起のそれぞれは前記複数の個別電極のそれぞれ対応する領域に形成されていることが好ましい。

【0012】

（５）本発明の電気接続部材において、前記第１貫通孔の面積（平面積）は、前記突起の面積（平面積）よりも小さいことが好ましい。

【0013】

（６）本発明の電気接続部材において、前記突起は、円錐形状又は角錐形状を有することが好ましい。

【0014】

（７）本発明の電気接続部材においては、前記半導体非接続領域に第２貫通孔が形成されていることが好ましい。

【0015】

（８）本発明の半導体装置は、電極を有する半導体素子と、配線パターンと、前記半導体素子の前記電極と前記配線パターンとを接続する板状の電気接続部材とを備える半導体装置であって、前記電気接続部材は、本発明の電気接続部材であることを特徴とする。

【発明の効果】

【0016】

本発明の電気接続部材によれば、半導体接続領域には複数の突起が形成されていることから、半導体素子と電気接続部材とが傾いた状態で接合されることが防止され、導電性接合材の厚さが均一となる。また、複数の突起の形成位置に対応した位置に導電性接合材を塗布することで不要な導電性接合材の塗布を抑制することができる。また、本発明の電気接続部材によれば、隣接する２つの突起の間には第１貫通孔が形成されていることから、溶融した導電性接合材の流れが分断されることで、導電性接合材の流れがコントロールし易くなり、必要以上の導電性接合材の濡れ拡がりを防止することができる。それらの結果、本発明の電気接続部材によれば、製造される半導体装置の信頼性が低下するのを抑制することができ、本発明の半導体装置は、信頼性の低下が抑制された半導体装置となる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】本発明の電気接続部材１１０の斜視図である。

【図2】本発明の電気接続部材１１０を接続する対象となる半導体素子１０２の平面図である。

【図3】本発明の電気接続部材１１０を半導体素子１０２の電極１０４に接続した状態を示す図である。

【図4】実施形態に係る電子モジュール１３０の等価回路１２６を示す図である。

【図5】実施形態で用いる半導体素子（第１半導体素子１０，第２半導体素子２０）の電極構造を示す図である。

【図6】実施形態に係る電子モジュール１３０の要部拡大斜視図である。

【図7】変形例１に係る電子モジュール１３２の要部拡大斜視図である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

以下、本発明の電気接続部材及び半導体装置について、図面を参照して説明する。なお、各図面は模式図であり、必ずしも実際の寸法を厳密に反映したものではない。また、以下に説明する各実施形態は、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、各実施形態の中で説明されている諸要素及びその組み合わせの全てが本発明の解決手段に必須であるとは限らない。また、各実施形態においては、基本的な構成、特徴、機能等が同じ構成、要素（形状等が完全に同一ではない構成要素を含む。）については、実施形態をまたいで同じ符号を使用するとともに再度の説明を省略することがある。

【0019】

［電気接続部材及び半導体装置］
図１は、本発明の電気接続部材１１０の斜視図である。図２は、本発明の電気接続部材１１０を接続する対象となる半導体素子１０２の平面図である。図３は、本発明の電気接続部材１１０を半導体素子１０２の電極１０４に接続した状態を示す図である。図３（Ａ）は当該状態を示す斜視図であり、図３（Ｂ）及び図３（Ｃ）は当該状態を示す要部断面図である。図３（Ｂ）は接合工程前の要部断面図であり、図３（Ｃ）は接合工程後の要部断面図である。

【0020】

本発明の電気接続部材１１０は、図１～図３に示すように、電極１０４を有する半導体素子１０２の電極１０４と配線パターン（後述する図６における第１配線パターン４１参照）とを接続するために用いる板状の電気接続部材である。電気接続部材１１０は、図１及び図２に示すように、導電性接合材１２４を介して半導体素子１０２の電極１０４に接続される半導体接続領域１１８と、半導体素子１０２の電極１０４に接続されない半導体非接続領域１２０と、配線パターンに接続される配線パターン接続領域１２２とを有する。そして、半導体接続領域１１８には複数の突起１１２が形成されており、複数の突起１１２のうち隣接する２つの突起１１２の間（半導体非接続領域）には第１貫通孔１１４が形成されている。

【0021】

本発明の電気接続部材１１０において、半導体素子１０２は、図２に示すように、一方の面に複数の電極（個別電極１０４ａ，１０４ｂ、１０４ｃ）を有する半導体素子であり、電気接続部材１１０は複数の電極（個別電極１０４ａ，１０４ｂ、１０４ｃ）と配線パターンとを接続するために用いるものである。

【0022】

また、本発明の電気接続部材１１０において、半導体素子１０２は、図２に示すように、一方の面に複数種類の電極（電極１０４及び他の電極１０６）を有する半導体素子であり、電気接続部材１１０は複数種類の電極（電極１０４及び他の電極１０６）のうち一の種類の電極（電極１０４）と配線パターンとを接続するために用いるものである。

【0023】

また、本発明の電気接続部材１１０において、半導体素子１０２における一の種類の電極（電極１０４）は、図２に示すように、複数の個別電極１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃに分割されており、電気接続素子１１０における複数の突起１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃ（図１参照）のそれぞれは、複数の個別電極１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃ（図２及び図３参照）のそれぞれ対応する領域に形成されている。なお、本発明においては、各個別電極１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃに対応する領域に１個の突起１１２が形成されていてもよいし（図１参照）、各個別電極１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃに対応する領域に複数の突起１１２が形成されていてもよい。

【0024】

また、本発明の電気接続部材１１０において、第１貫通孔１１４の面積（平面積）は、図１に示すように、突起１１２の面積（平面積）よりも小さい。また、本発明の電気接続部材１１０において、突起１１２は、図１に示すように、円錐形状を有する。なお、本発明においては、突起１１２は、円錐形状を有するものに限定されるものではなく、角錐形状、円柱形状、角柱形状、半球形状その他の形状を有するものであってもよい。

【0025】

また、本発明の電気接続部材１１０においては、図１及び図３に示すように、半導体非接続領域１２０に第２貫通孔１１６が形成されている。第２貫通孔１１６は、中央の突起１１２（突起１１２ｂ）から配線パターン接続領域１２２に向かう垂直線上に配置されている。

【0026】

また、本発明の電気接続部材１１０において、図３（Ａ）に示すように、半導体非接続領域１２０の全部又は一部には保護絶縁層１０８が形成されている。保護絶縁層１０８としては、レジスト層、金属酸化層などを用いることができる。

【0027】

本発明の半導体装置は、図３（Ａ）に示すように、電極１０４を有する半導体素子１０２と、配線パターン（図示せず）と、半導体素子１０２の電極１０４と配線パターンとを接続する板状の電気接続部材１１０とを備える半導体装置である。なお、図３（Ａ）中、符号１０６は他の電極を示す。

【0028】

本発明の電気接続部材１１０の半導体素子１０２への接続は以下のようにして行う。すなわち、半導体素子１０２の電極１０４に導電性接合材１２４を塗布した後、電気接続部材１１０の突起１１２（突起１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃ）（図１参照）が電極１０４（個別電極１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃ）（図２参照）に対向するように電気接続部材１１０を搭載する。その後、リフロー等により導電性接合材１２４を溶融させることで、電気接続部材１１０を半導体素子１０２の電極１０４に接続する（図３（Ｂ）～（Ｃ）参照）。なお、配線パターン接続領域１２２は図示しない基板上の配線パターンに導電性接合材を介して接続する。

【0029】

［電気接続部材及び半導体装置の効果］
本発明の電気接続部材１１０によれば、半導体接続領域１１８には複数の突起１１２が形成されていることから、半導体素子１０２と電気接続部材１１０とが傾いた状態で接合されることが防止され、導電性接合材１２４の厚さが均一となる。また、複数の突起１１２の形成位置に対応した位置に導電性接合材１２４を塗布することで不要な導電性接合材１２４の塗布を抑制することができる。また、本発明の電気接続部材１１０によれば、隣接する２つの突起１１２の間には第１貫通孔１１４が形成されていることから、溶融した導電性接合材１２４の流れが分断されることで、導電性接合材１２４の流れがコントロールし易くなり、必要以上の導電性接合材１２４の濡れ拡がりを防止することができる。その結果、製造される半導体装置の信頼性が低下するのを抑制することができ、本発明の半導体装置は、信頼性の低下が抑制された半導体装置となる。

【0030】

また、本発明の電気接続部材１１０によれば、上記したように、必要以上の導電性接合材１２４の濡れ拡がりを防止することができることから、導電性接合材１２４が半導体非接合領域１２０や他の電極１０６にまで拡がることがなくなる。

【0031】

また、本発明の電気接続部材１１０によれば、複数の突起１１２の形成位置に対応した位置に導電性接合材１２４が塗布されることになることから、半導体装置の信頼性が低下するのをより一層抑制することができる。

【0032】

本発明の電気接続部材１１０においては、第１貫通孔１１４の面積（平面積）が突起１１２の面積（平面積）よりも小さいことから、それに応じて寄生インダクタンスを低くできる。

【0033】

本発明の電気接続部材１１０によれば、突起１１２が円錐形状を有することから、突起１１２の先端側で導電性接合材１２４を増やすことができ、突起１１２の周りに均等かつ確実に導電性接合材１２４を位置付けることができる。このため、導電性接合材１２４の厚みを確保しつつ導電性接合材１２４の厚さを均一にすることができる。また、本発明の電気接続部材１１０によれば、突起１１２が円錐形状を有することから、導電性接合材１２４の厚みを確保しつつ厚さを均一にすることができ、硬化した後に導電性接合材１２４にクラックが入る等の不具合の発生を抑制できる。

【0034】

また、本発明の電気接続部材１１０によれば、半導体非接続領域１２０に第２貫通孔１１６が形成されていることから、半導体接続領域１１８から配線パターン接続領域１２２の方向へ向かって導電性接合材１２４が必要以上に濡れ拡がらなくなり、半導体素子１０２の端面と電気接続部材１１０との間のショート不良を引き起こすことがなくなる。

【0035】

また、本発明の電気接続部材１１０によれば、半導体素子１０２における半導体非接続領域１２０に対応する領域の全部又は一部には保護絶縁層１０８が形成されていることから、導電性接合材１２４が半導体非接続領域１２０に向かって濡れ拡がることがなくなる。

【0036】

本発明の半導体装置は、電極１０４を有する半導体素子１０２と、配線パターン（図示せず）と、半導体素子１０２の電極１０４と前記配線パターンとを接続する板状の電気接続部材１１０とを備える半導体装置であるから、信頼性の低下が抑制された半導体装置となる。

【0037】

本願発明の電気接続部材１１０は、板状の電気接続部材であり、ワイヤ等の電気接続部材よりも接合面積が大きく、寄生インダクタンスを小さくできるため、次世代パワー半導体（窒化ガリウム、炭化ケイ素、又は、酸化ガリウムを材料とする半導体）からなる半導体素子を用いた半導体装置に適用した場合に特に大きな効果が得られる。以下の実施形態においては、そのような半導体装置として、次世代パワー半導体（ＧａＮ）からなる半導体素子を用いた電子モジュールを用いて、本発明の電気接続部材及び半導体装置を説明する。

【0038】

［半導体装置の構成例］
図４は、実施形態に係る電子モジュール１３０の等価回路１２６を示す図である。図５は、実施形態に用いる半導体素子（第１半導体素子１０，第２半導体素子２０）の電極構造を示す図である。図５（Ａ）は第１半導体素子１０の電極構造を示す図であり、図５（Ｂ）は第２半導体素子２０の電極構造を示す図である。図６は、実施形態に係る電子モジュール１３０の要部拡大斜視図である。

【0039】

第１半導体素子１０のドレイン電極１１ｄは、図４に示すように、第３配線パターン４３を介して電源端子７０に接続されている。また、第１半導体素子１０のソース電極１２ｓは、第２半導体素子２０のドレイン電極２１ｄと第１配線パターン４１に接続され、第１配線パターン４１を介して出力端子７２に接続されている。また、第２半導体素子２０のソース電極２２ｓは、第２配線パターン４２を介してグランド端子７４に接続されている。また、コンデンサ３０は、第３配線パターン４３及び第２配線パターン４２を介して電源端子７０とグランド端子７４に接続されている。直列に接続された第１半導体素子１０及び第２半導体素子２０に、コンデンサ３０が並列接続された回路となっている。なお、検出用ソース電極１２ｓｂ、検出用ソース電極２２ｓｂも設けられている。

【0040】

第１半導体素子１０及び第２半導体素子２０はともにＭＯＳトランジスタであり、図５に示すように、第１半導体素子１０又は第２半導体素子２０それぞれの同一表面の一方の側に第１ドレイン電極１１ｄ，第２ドレイン電極２１ｄが配置され、他方の側に第１ソース電極１２ｓ，第２ソース電極２２ｓが配置されている。第１ドレイン電極１１ｄは、図５（Ａ）に示すように、３個の個別電極１１ｄ１，１１ｄ２、１１ｄ３から構成されており、第２ドレイン電極２１ｄは、図５（Ｂ）に示すように、３個の個別電極２１ｄ１，２１ｄ２、２１ｄ３から構成されている。また、第１ソース電極１２ｓは、図５（Ａ）に示すように、３個の個別電極１２ｓ１，１２ｓ２、１２ｓ３から構成されており、ソース電極２２ｓは、図５（Ｂ）に示すように、３個の個別電極２２ｓ１，２２ｓ２、２２ｓ３から構成されている。なお。図５（Ａ）において、符号１３ｇは第１ゲート電極を示し、符号１２ｓｂは第１検出用ソース電極１２ｓｂを示す。また、図５（Ｂ）において、符号２３ｇは第２ゲート電極を示し、符号２２ｓｂは第２検出用ソース電極を示す。

【0041】

実施形態に係る電子モジュール１３０において、電気接続部材１１０は、図６に示すように、ドレイン電極１１ｄ１，１１ｄ２，１１ｄ３，２１ｄ１，２１ｄ２、２１ｄ３の位置に突起１１２が配置されるように、また、ソース電極１２ｓ１，１２ｓ２，１２ｓ３，２２ｓ１，２２ｓ２，２２ｓ３の位置に各突起１１２が配置されるようにして半導体素子

【0042】

実施形態に係る電子モジュール１３０は、樹脂封止型の電子モジュールであって、図６に示すように、第１配線パターン４１、第２配線パターン４２及び第３配線パターン４３を有する基板４０と、複数の第１電極（第１ドレイン電極１１ｄ，第１ソース電極１２ｓ（図示せず），第１検出用ソース電極１２ｓｂ，第１ゲート電極１３ｇ）を有する第１半導体素子１０と、複数の第２電極（第２ドレイン電極２１ｄ（図示せず），第２ソース電極２２ｓ，第２検出用ソース電極２２ｓｂ，第２ゲート電極２３ｇ）を有する第２半導体素子２０と、コンデンサ３０と、基板４０とを有する。

【0043】

第１配線パターン４１は、第１半導体素子１０が搭載され、第１電気接続部材５１により第１ソース電極１２ｓが接続され、第４電気接続部材５４により第２ドレイン電極２１ｄが接続されている。第２配線パターン４２は、第２半導体素子２０が搭載され、第２電気接続部材５２により第２ソース電極２２ｓが接続され、コンデンサ３０の一部３１が接続されている。第３配線パターン４３は、第３電気接続部材５３により第１ドレイン電極１１ｄが接続され、コンデンサ３０の他部３２が接続されている。基板４０は、例えばセラミック基板に銅回路板を直接接合したＤＣＢ基板を用いる。

【0044】

実施形態に係る電子モジュール１３０においては、図６に示すように、第２電気接続部材５２と第３電気接続部材５３は、線状の電気接続部材を使用しているが、第１電気接続部材５１と第４電気接続部材５４は、板状の電気接続部材（本発明の電気接続部材１１０）を使用している。

【0045】

第１電気接続部材５１としての電気接続部材１１０は、図６に示すように、３つある第１ソース電極１２ｓ（１２ｓ１，１２ｓ２，１２ｓ３）を覆う広さで、第１ソース電極１２ｓ（１２ｓ１，１２ｓ２，１２ｓ３）と第１配線パターン４１とを接続している。第４電気接続部材５４としての電気接続部材１１０は、３つある第２ドレイン電極２１ｄ（２１ｄ１，２１ｄ２，２１ｄ３）を覆う広さで、第２ドレイン電極２１ｄ（２１ｄ１，２１ｄ２，２１ｄ３）と第１配線パターン４１とを接続している。

【0046】

そして、これら第１電気接続部材５１及び第４電気接続部材５４として、本発明の電気接続部材１１０（すなわち、半導体接続領域１１８と、半導体非接続領域１２０と、配線パターン接続領域１２２とを有し、半導体接続領域１１８には複数の突起１１２が形成されており、複数の突起１１２のうち隣接する２つの突起の間には第１貫通孔１１４が形成された電気接続部材１１０）を用いている（図１参照）。

【0047】

以上説明したように、実施形態に係る電子モジュール１３０（本発明の半導体装置に相当）によれば、第１電気接続部材５１及び第４電気接続部材５４として、本発明の電気接続部材１１０を用いることから、各半導体素子（第１半導体素子１０，第２半導体素子２０）と各電気接続部材（第１電気接続部材５１，第４電気接続部材５４）とが傾いた状態で接合されることが防止され、導電性接合材の厚さが均一となる。また、複数の突起の形成位置に対応した位置に導電性接合材を塗布することで不要な導電性接合材の塗布を抑制することができる。また、隣接する２つの突起の間には第１貫通孔が形成されていることから、溶融した導電性接合材の流れが分断されることで、導電性接合材の流れがコントロールし易くなり、必要以上の導電性接合材の濡れ拡がりを防止することができる。その結果、実施形態に係る電子モジュール１３０（本発明の半導体装置に相当）は、信頼性の低下が抑制された半導体装置となる。

【0048】

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で様々な変形や応用が可能である。

【0049】

（１）図７は、変形例１に係る電子モジュール１３２の要部拡大斜視図である。変形例１に係る電子モジュール１３２は、図７に示すように、実施形態に係る電子モジュール１３０における、線状の第２電気接続部材５２及び第３電気接続部材５３の代わりに、板状の第２電気接続部材５２及び板状の第３電気接続部材５３（すなわち本発明の電気接続部材１１０）を用いたものである。このような構造を有する電子モジュール（電子モジュール１３２）であっても、本発明の半導体装置が有する効果をそのまま有する。

【0050】

（２）上記した実施形態においては、一方の表面に複数の個別ドレイン電極及び複数の個別ソース電極を有する半導体素子を用いて、本発明の電気接続部材を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明は、ドレイン電極として、各個別ドレイン電極が部分的に接続された構造を有するドレイン電極を有する半導体素子や、ソース電極として、各個別ソース電極が部分的に接続された構造を有するソース電極を有する半導体素子にも適用できる。また、ドレイン電極及び各ソース電極が入り組んだ構造をもった半導体素子にも適用できる。

【0051】

（３）上記した実施形態においては、半導体素子の電極に接続する配線パターンとして、基板上に形成された配線パターンを用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明は、基板上に形成された配線パターン以外の配線パターン（例えば、リードフレーム、バルク状の配線パターンなど）を用いることもできる。

【0052】

（４）上記した実施形態においては、ハーフブリッジ回路を用いて本発明の半導体装置を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明は、トーテムポール型力率改善回路その他の回路にも適用できる。

【符号の説明】

【0053】

１０２ 半導体素子
１０４ 電極
１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃ 個別電極
１０６ 他の電極
１０８ 保護絶縁層
１１０ 電気接続部材
１１２ 突起
１１４ 第１貫通孔
１１６ 第２貫通孔
１１８ 半導体接続領域
１２０ 半導体非接続領域
１２２ 配線パターン接続領域
１２６ 等価回路
１０ 第１半導体素子
１１ｄ，１１ｄ１，１１ｄ２，１１ｄ３ 第１ドレイン電極
１２ｓ，１２ｓ１，１２ｓ２，１２ｓ３ 第１ソース電極
１２ｓｂ 第１検出用ソース電極
１３ｇ 第１ゲート電極
２０ 第２半導体素子
２１ｄ，２１ｄ１，２１ｄ２，２１ｄ３ 第２ドレイン電極
２２ｓ，２２ｓ１，２２ｓ２，２２ｓ３ 第２ソース電極
２２ｓｂ 第２検出用ソース電極
２３ｇ 第２ゲート電極
３０ コンデンサ
３１ コンデンサの一部
３２ コンデンサの他部
４０ 基板
４１ 第１配線パターン（配線パターン）
４２ 第２配線パターン（配線パターン）
４３ 第３配線パターン（配線パターン）
５１ 第１電気接続部材（電気接続部材）
５２ 第２電気接続部材（電気接続部材）
５３ 第３電気接続部材（電気接続部材）
５４ 第４電気接続部材（電気接続部材）
７０ 電源端子
７２ 出力端子
７４ グランド端子
１３０，１３２ 電子モジュール

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】