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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023152114
(43)【公開日】2023-10-16
(54)【発明の名称】メタン合成装置制御方法
(51)【国際特許分類】
   C07C 1/12 20060101AFI20231005BHJP
   C07C 9/04 20060101ALI20231005BHJP
【FI】
C07C1/12
C07C9/04
【審査請求】未請求
【請求項の数】4
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2022062062
(22)【出願日】2022-04-01
(71)【出願人】
【識別番号】000220262
【氏名又は名称】東京瓦斯株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001519
【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】赤羽 俊之輔
(72)【発明者】
【氏名】中村 和郎
(72)【発明者】
【氏名】今成 岳人
(72)【発明者】
【氏名】小笠原 慶
(72)【発明者】
【氏名】内尚 泰
(72)【発明者】
【氏名】阿部 充里
【テーマコード(参考)】
4H006
【Fターム(参考)】
4H006AA02
4H006AC13
4H006BC10
4H006BD20
4H006BD84
(57)【要約】
【課題】合成メタン濃度を所望の濃度に調整可能とする。
【解決手段】メタン合成装置制御方法は、二酸化炭素と水素を用いてメタン合成反応を生じさせる第一反応炉と、第一反応炉で生成された第一反応生成物から水を凝縮して除去する第一水凝縮器と、第一水凝縮器で得られた第一水除去物を用いてメタン合成反応を生じさせる第二反応炉と、第二反応炉で生成された第二反応生成物から水を凝縮して除去する第二水凝縮器と、を有するメタン合成装置に対し、第二反応炉の反応炉温度と、第一水凝縮器の水凝縮温度と、を組み合わせて制御することで、第二水凝縮器で生成される第二水除去物の合成メタン濃度を調整する。
【選択図】図5
【特許請求の範囲】
【請求項1】
二酸化炭素と水素を用いてメタン合成反応を生じさせる第一反応炉と、
前記第一反応炉で生成された第一反応生成物から水を凝縮して除去する第一水凝縮器と、
第一水凝縮器で得られた第一水除去物を用いてメタン合成反応を生じさせる第二反応炉と、
前記第二反応炉で生成された第二反応生成物から水を凝縮して除去する第二水凝縮器と、
を有するメタン合成装置に対し、
前記第二反応炉の反応炉温度と、前記第一水凝縮器の水凝縮温度と、を組み合わせて制御することで、前記第二水凝縮器で生成される第二水除去物の合成メタン濃度を調整する、メタン合成装置制御方法。
【請求項2】
前記第二反応炉の反応炉温度を前記第二反応炉の触媒の劣化を抑制する所定温度未満に制御する、請求項1に記載のメタン合成装置制御方法。
【請求項3】
前記第二反応炉の反応炉温度を前記第二水除去物の合成メタン濃度に応じた反応炉温度とする請求項1又は請求項2に記載のメタン合成装置制御方法。
【請求項4】
前記第二水凝縮器の水凝縮温度を前記第二水除去物の合成メタン濃度に応じた水凝縮温度とする請求項1又は請求項2に記載のメタン合成装置制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願の開示する技術は、メタン合成装置を制御するためのメタン合成装置制御方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献1には、第1反応器と第2反応器とを有するメタン製造装置が記載されている。このメタン製造装置では、第1反応器において、供給源から供給された二酸化炭素と水素とを含む原料ガスを用いて、メタン化反応を生じさせる。また、第2反応器では、第1反応器で生成されたメタンを含む反応混合ガスを用いて、メタン化反応を生じさせる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開2019-142807号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献1に記載の技術では、第1反応器と第2反応器との間のガス流路上に配置された反応混合ガス昇圧部によって、第2反応器に供給される反応混合ガスの圧力を、第1反応器に供給される原料ガスの圧力よりも高くしている。そしてこれにより、メタン製造装置のシステム効率の向上を図っている。
【0005】
実際のメタン合成装置では、合成されるメタンの濃度(合成メタン濃度)として、所望の濃度にすることが求められることがある。しかしながら、合成メタン濃度を所望の濃度に調整する技術については提案されていない。
【0006】
本発明は上記事実を考慮し、合成メタン濃度を所望の濃度に調整することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
第一態様は、二酸化炭素と水素を用いてメタン合成反応を生じさせる第一反応炉と、前記第一反応炉で生成された第一反応生成物から水を凝縮して除去する第一水凝縮器と、第一水凝縮器で得られた第一水除去物を用いてメタン合成反応を生じさせる第二反応炉と、前記第二反応炉で生成された第二反応生成物から水を凝縮して除去する第二水凝縮器と、を有するメタン合成装置に対し、前記第二反応炉の反応炉温度と、前記第一水凝縮器の水凝縮温度と、を組み合わせて制御することで、前記第二水凝縮器で生成される第二水除去物の合成メタン濃度を調整する、メタン合成装置制御方法である。
【0008】
第一態様のメタン合成装置制御方法では、第一反応炉と第二反応炉の2つの反応炉を有している。メタン合成反応を2段階で行うので、メタン合成反応を1段階で行う構成と比較して、第二水凝縮器で生成される第二水除去物のタン変換率を必要に応じて高くすることが可能となる。
【0009】
また、このメタン合成装置制御方法では、反応炉温度と、水凝縮温度と、を組み合わせて制御し、第二水凝縮器で生成される第二凝縮物の合成メタン濃度を調整する。したがって、反応炉温度のみ、又は水凝縮温度のみ、を制御して合成メタン濃度を調整する構成と比較して、合成メタン濃度を所望の濃度に調整することが可能である。たとえば、合成メタン濃度の変化の感度は、反応炉温度に対して高く、水凝縮温度に対して低い場合がある。この場合は、まず、反応炉温度を制御して合成メタン濃度を所望の値に近づけ、次いで水凝縮温度を制御して合成メタン濃度の微調整を行うことが可能である。
【0010】
第二態様は、第一態様において、前記第二反応炉の反応炉温度を前記第二反応炉の触媒の劣化を抑制する所定温度未満に制御する。
【0011】
これにより、第二反応炉での触媒の劣化を抑制することが可能である。そして、第二反応炉の反応炉温度を上げない場合でも、水凝縮温度の制御により、第二水除去物の合成メタン濃度を調整可能である。
【0012】
第三態様では、第一又は第二態様において、前記第二反応炉の反応炉温度を前記第二水除去物の合成メタン濃度に応じた反応炉温度とする。
【0013】
このように、第二反応炉の反応炉温度を制御することで、第二水除去物の合成メタン濃度を調整し、所望の合成メタン濃度に近づけることが可能である。たとえば、水凝縮温度は一定に維持しつつ、第二反応炉の反応炉温度を制御することで、第二水除去物の合成メタン濃度を調整することも可能である。
【0014】
第四態様では、第一から第三の何れか一態様において、前記第二水凝縮器の水凝縮温度を前記第二水除去物の合成メタン濃度に応じた水凝縮温度とする。
【0015】
このように、水凝縮温度を制御することで、第二水除去物の合成メタン濃度を調整し、所望の合成メタン濃度に近づけることが可能である。たとえば、第二反応炉の反応炉温度は一定に維持しつつ、水凝縮温度を制御することで、第二水除去物の合成メタン濃度を調整することも可能である。
【発明の効果】
【0016】
本願では、合成メタン濃度を所望の濃度に調整することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0017】
図1図1は第一実施形態のメタン合成装置を示す構成図である。
図2図2は第一実施形態のメタン合成装置の制御装置のハードウエア構成を示すブロック図である。
図3図3は第一実施形態のメタン合成装置にけるメタネーション温度と合成メタン濃度との関係を示すグラフである。
図4図4は第一実施形態のメタン合成装置にける水凝縮温度と合成メタン濃度との関係を示すグラフである。
図5図5は第一実施形態のメタン合成装置における合成メタン濃度調整処理の一例を示すフローチャートである。
図6図6は第二実施形態のメタン合成装置を示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下、図面を参照して本願の実施形態の一例を詳細に説明する。
【0019】
図1には、第一実施形態のメタン合成装置制御方法を適用する一例としてのメタン合成装置12が示されている。
【0020】
メタン合成装置12は、水分解装置14及びメタネーション装置16を有している。さらに、メタネーション装置16は、第一メタネーション反応炉18、第一水凝縮器20、第二メタネーション反応炉22及び第二水凝縮器24を有している。
【0021】
水分解装置14では、以下の式(1)に示すように、水分解反応により、水を水素と酸素とに分解する。
O→H+(1/2)O Q=+280kJ/mol (1)
この水分解反応は、水1molあたり280kJの吸熱反応であり、水分解装置14では、加熱装置26により熱が加えられるようになっている。
【0022】
水分解装置14で生成された水素は、メタネーション装置16の第一メタネーション反応炉18に送られる。
【0023】
第一メタネーション反応炉18では、内部に触媒を有しており、以下の式(2)に示すようにメタン合成反応により、メタンと水とが生成される。第一メタネーション反応炉18により生成されたメタン及び水は、本願の開示の技術に係る第一反応生成物の一例である。
4H+CO→CH+2HO Q=-165kJ/mol (2)
このメタン合成反応は、メタン1molあたり165kJの発熱反応であり、投入された熱エネルギーの一部が外部に放出される。たとえば、放出される熱エネルギーの一部又は全部を水分解装置14に作用させて、水分解反応に用いてもよい。
【0024】
第一メタネーション反応炉18は、温度調整装置28により触媒の温度が調整されるようになっている。以下では、第一メタネーション反応炉18の触媒の温度を、「メタネーション温度M1」とする。
【0025】
第一メタネーション反応炉18で生成された第一反応生成物は、第一水凝縮器20に送られる。
【0026】
第一水凝縮器20は、第一反応生成物から、水を凝縮し液化する。そして、生成された液体の水は、第一水凝縮器20の外部に排出される。なお、第一水凝縮器20には、熱源30から所定の温度に調整された冷媒が供給され、水の凝縮に必要な冷熱が供給されるようになっている。以下では、第一水凝縮器20の冷媒の温度を「水凝縮温度N1」とする。
【0027】
このように水が除去された状態の第一反応生成物は、第二メタネーション反応炉22に送られる。第二メタネーション反応炉22では、第一メタネーション反応炉18と同様に内部に触媒を有しており、式(2)に示したメタン合成反応により、メタンと水とが生成される。第二メタネーション反応炉22により生成されたメタン及び水は、本願の開示の技術に係る第二反応生成物の一例である。
【0028】
第二メタネーション反応炉22におけるメタン合成反応も1molあたり165kJの発熱反応であり、投入された熱エネルギーの一部が外部に放出される。たとえば、放出される熱エネルギーの一部又は全部を水分解装置14に作用させて、水分解反応に用いてもよい。
【0029】
第二メタネーション反応炉22は、温度調整装置32により触媒の温度が調整されるようになっている。以下では、第二メタネーション反応炉22の触媒の温度を、「メタネーション温度M2」とする。
【0030】
ここで、第一メタネーション反応炉18と第二メタネーション反応炉22との間に配置された第一水凝縮器20により、第一反応生成物は水が除去された状態で第二メタネーション反応炉22に送られている。したがって、第一反応生成物から水を除去しない構成と比較して、第二メタネーション反応炉22におけるメタンへの転換率が高くなっている。第二メタネーション反応炉22により生成されたメタン及び水は、本願の開示の技術に係る第二反応生成物の一例である。
【0031】
第二メタネーション反応炉22で生成されたメタン及び水を含む第二反応生成物は、第二水凝縮器24に送られる。
【0032】
第二水凝縮器24は、第二反応生成物から、水を凝縮し液化する。そして、生成された液体の水は、第二水凝縮器24の外部に排出され、メタネーション装置16における生成物である合成メタンが得られる。なお、第一水凝縮器20と同様に、第二水凝縮器24にも熱源34から所定の温度に調整された冷媒が供給され、水の凝縮に必要な冷熱が供給されるようになっている。以下では、第二水凝縮器24の冷媒の温度を「水凝縮温度N2」とする。
【0033】
第二水凝縮器24により、第二反応生成物は水が除去された状態で、合成メタンとして生成されている。したがって、第二反応生成物から水を除去しない構成と比較して、メタネーション装置16で生成される合成メタンの濃度が高くなっている。
【0034】
第二水凝縮器24における第二反応生成物の出口側には、ガス流量センサ36が設けられている。ガス流量センサ36は、第二水凝縮器24からのガスの出口において、第二反応生成物の流量(単位時間あたりに流れるガスの量)を検出可能である。
【0035】
ガス流量センサ36によって検出された第二反応生成物の流量は、制御装置38に送られる。制御装置38では、第二反応生成物の流量の情報、及びこれ以外の各種の情報を基に、温度調整装置28、32、熱源30、34等を制御する。
【0036】
図2には、制御装置38のハードウエア構成がブロック図として示されている。
【0037】
制御装置38は、コンピュータ40を有する。コンピュータ40は、プロセッサ42、メモリ44、ストレージ46、入力装置48、出力装置50、記憶媒体読取装置52及び通信I/F(Interface)54を有する。これらの各要素は、バス56を介して相互に通信可能に接続されている。
【0038】
ストレージ46には、後述する濃度調整処理を実行するための濃度調整プログラム58が格納されている。プロセッサ42は、各種のプログラムを実行したり、各要素を制御したりすることが可能である。具体的には、プロセッサ42は、ストレージ46からプログラムを読み出し、メモリ44を作業領域としてプログラムを実行する。すなわち、プロセッサ42は、ストレージ46に格納されているプログラムに従って、各要素の制御及び各種の演算処理を行う。
【0039】
メモリ44には、作業領域として、一時的にプログラム及び各種のデータを記憶可能である。
【0040】
ストレージ46は、たとえば、ROM(Read Only Memory)、HDD(Hard Disc Drive)、及びSDD(Solid State Drive)等であり、各種プログラム及び各種データが格納される。このプログラムには、上記した濃度調整プログラム等のアプリケーションプログラムだけでなく、オペレーティングシステムも含まれる。
【0041】
入力装置48は、コンピュータ40に対し各種の入力を行うための装置である。入力装置48としては、操作スイッチや操作ボタン等が含まれる他、パーソナルコンピュータ等に使用されるキーボードやマウス等のポインティングデバイス等を含んでいてもよい。
【0042】
出力装置50は、コンピュータ40からの各種の情報を出力するための装置であり、たとえば、ディスプレイや表示ランプ、スピーカー等が含まれる。出力装置50としてタッチパネルディスプレイを用いることも可能であり、この場合には、タッチパネルディスプレイが入力装置48としても機能する。
【0043】
記憶媒体読取装置52は、各種の記憶媒体に記憶されたデータの読み込み、及び、記憶媒体に対するデータの書き込みを行う装置である。記憶媒体としては、たとえば、CD(Compact Disc)-ROM、DVD(Digital Versatile Disc)-ROM、ブルーレイディスク、USB(Universal Serial Bus)メモリ等を挙げることができる。
【0044】
通信I/F54は、他の機器と通信するためのインターフェースである。通信のためには、たとえば、イーサネット(登録商標)、FDDI(Fiber Distributed Dsta Interface)等の規格が用いられる。
【0045】
本実施形態では、通信I/F54は、加熱装置26、温度調整装置28、32、熱源30、34のそれぞれと通信することにより、これら装置の制御及び各種状態の取得が可能である。この通信は、無線であってもよいし、有線であってもよい。
【0046】
さらに、ストレージ46には、後述するメタネーション温度Mと合成メタン濃度との関係を示すデータ(図3参照)、及び水凝縮温度Nと合成メタン濃度との関係を示すデータ(図4参照)が格納されている。
【0047】
次に、本実施形態のメタン合成装置制御方法について説明する。
【0048】
上記したように、第一メタネーション反応炉18におけるメタネーション温度をM1、第二メタネーション反応炉22におけるメタネーション温度をM2とする。「メタネーション温度」とは、それぞれのメタネーション反応炉における触媒の温度である。メタネーション温度M1とメタネーション温度M2とは異なる値であってもよい。本実施形態では、M1及びM2のいずれも可変であり、以下ではM1=M2としている。また、以下では、メタネーション温度M1及びM2を単に「メタネーション温度M」と表記する。
【0049】
さらに、第一水凝縮器20における水凝縮温度をN1、第二水凝縮器24における水凝縮温度をN2とする。「水凝縮温度」とは、それぞれの水凝縮装置における冷媒の温度である。本実施形態では、水凝縮温度N1は可変とし、水凝縮温度N2は25℃に維持している。以下では、水凝縮温度N1を単に「水凝縮温度N」と表記する。
【0050】
ここで、図3には、水凝縮温度Nを25℃、100℃及び150℃のいずれかの一定温度に設定し、メタネーション温度150℃から500℃まで変化させた場合の、合成メタン濃度が示されている。なお、本実施形態のメタン合成装置制御方法では、一例として、メタン合成装置12におけるガス圧力を0.7MPaGまで高くして制御することが可能である。これにより、上記のように、150℃のような高温の水凝縮温度Nを実現可能である。
【0051】
また、図4には、メタネーション温度Mを300℃、350℃及び400℃のいずれかの一定温度に設定し、水凝縮温度を25℃から150℃まで変化させた場合の、合成メタン濃度が示されている。
【0052】
なお、図3及び図4のグラフにおける合成メタン濃度は、第二メタネーション反応炉22における熱平衡計算により算出される。すなわち、第二メタネーション反応炉22において、熱平衡に達する条件は、反応ギブスエネルギーが0(ゼロ)になる条件として試算する。第二メタネーション反応炉22において、状態Aから状態Bへと化学反応が生じる場合、反応ギブスエネルギーΔrGは、定温低圧条件における、反応標準ギブスエネルギーをΔrG、気体定数をR、反応進行度をxとして
ΔrG=ΔrG+RTln(x/(1-x)) (3)
となる。
【0053】
ここで、反応標準ギブスエネルギーΔrG、は、標準化学ポテンシャルμ 、μ を用いて、
ΔrG、=μ -μ
と表される。
【0054】
熱平衡に達する条件では、ΔrG=0(ゼロ)であるので、(3)より、
-ΔrG=RTln(x/(1-x)) (4)
となる。この式(4)をxについて解くことで、反応進行度xが求まる。反応進行度xが分かれば、反応式(2)において反応がどの程度進行しているかも分かるので、第二メタネーション反応炉22における熱平衡状態での成分組成が求まる。
【0055】
図3に示すグラフからは、水凝縮温度Nが一定の場合、メタネーション温度Mの上昇に伴って合成メタン濃度が低下していることが分かる。この要因としては、メタネーション温度Mが上昇するとメタネーション反応が平衡状態に近づき、メタネーション反応が進みにくくなるためであると考えられる。
【0056】
図4に示すグラフからは、メタネーション温度Mが一定の場合、水凝縮温度Nの上昇に伴って合成メタン濃度が低下していることが分かる。この要因としては、水凝縮温度Nが上昇すると、第一反応生成物中に存在する気相の水分の量が増加し、第二メタネーション反応炉22におけるメタネーション反応の平衡状態に達しやすくなるためであると考えられる。
【0057】
このように、メタン合成装置12における合成メタン濃度は、メタネーション温度M及び水凝縮温度Nの双方に依存している。そして、本実施形態のメタン合成装置制御方法では、メタネーション温度Mと水凝縮温度Nとを組み合わせて第二メタネーション反応炉22におけるメタネーション反応を制御することで、合成メタン濃度を所望の範囲に調整する。この組み合わせには、メタネーション温度Mを上下させること、及び水凝縮温度Nを上下させること、同時に行う方法の他、たとえば、メタネーション温度及び水凝縮温度Nのいずれか一方は一定温度に維持し、他方を上下させることも含む。
【0058】
具体的に、メタネーション温度Mと水凝縮温度Nとをどのように組み合わせてメタネーション反応を制御するか、という点は特に限定されない。メタン合成装置12によって生成される合成メタンに対しては、用途に応じて望ましい合成メタン濃度が要求される。したがって、所望の合成メタン濃度を短時間で確実に得られるようにする観点から、たとえば、以下の観点での組み合わせが可能である。
【0059】
すなわち、合成メタン濃度の濃度変化の感度、すなわち単位時間あたりの濃度変化の割合は、水凝縮温度Nを変化させた場合よりも、メタネーション温度Mを変化させた場合の方が高い。これは、第二水凝縮器24で生成水よりも、第二メタネーション反応炉22の触媒の方が、熱伝導率が高いためである。
【0060】
したがって、短時間で合成メタン濃度を変化させたい場合は、まず水凝縮温度Nを一定温度に維持しつつ、メタネーション温度Mを所望の合成メタン濃度に応じた温度まで変化させて、短時間で合成メタン濃度を所望の濃度に近づける。次いで、メタネーション温度Mを一定に維持しつつ、水凝縮温度Nを所望の合成メタン濃度に応じた温度まであらためて変化させて、合成メタン濃度の微調整を行う制御が可能である。
【0061】
より具体的には、たとえば、図3に示すグラフから分かるように、水凝縮温度N=100℃、メタネーション温度M=400℃の場合、合成メタン濃度は約89%である。この状態から、合成メタン濃度をたとえば95%に変更する場合、まず、メタネーション温度Mを320℃付近まで低下させる。これにより、得られる合成メタン濃度は90%に近い値となる。しかし、この状態では、メタネーション温度Mのわずかな変化により、合成メタン濃度も大きく変化してしまうことがある。すなわち、合成メタン濃度の微調整をメタネーション温度Mの変化で行うことは難しい。そこで、たとえば、メタネーション温度Mは350℃を維持する。そして、図4に示すグラフから分かるように、水凝縮温度Nを130℃程度として微調整することで、合成メタン濃度が90%により近い値となるように調整する。
【0062】
また、第二メタネーション反応炉22の触媒の劣化を抑制する観点から、メタネーション温度Mと水凝縮温度Nとの調整を組み合わせてもよい。すなわち、この触媒は、定格温度Tを超えた状態で運転を継続すると、劣化が進みやすい。したがって、メタネーション温度Mが定格温度Tを超えない範囲で、あるいは、超えている場合にはメタネーション温度Mを下げるように、メタネーション装置16を運転する。
【0063】
たとえば、図3に示すグラフにおいて、水凝縮温度N=100℃、メタネーション温度M=400℃で、合成メタン濃度が約89%の状態から、合成メタン濃度を低下させる場合を想定する。この場合、メタネーション温度Mを上げることで、合成メタン濃度を低下させることが可能である。しかしながら、メタネーション温度Mを上げると、第二メタネーション反応炉22の触媒の劣化を早める可能性がある。たとえば、定格温度T=400℃の場合は、上記の状態において、既にメタネーション温度Mが定格温度Tに等しい状態になってしまっている。そこで、この場合には、図4のグラフから分かるように、メタネーション温度M=400℃を維持しつつ、水凝縮温度Nを上昇させて、合成メタン濃度を低下させる。合成メタン濃度を低下させるにあたってメタネーション温度Mを上げないので、第二メタネーション反応炉22の触媒の劣化を抑制できる。
【0064】
このように、メタネーション温度Mを変化させると、合成メタン濃度を短時間で効率的に変化させられるが、メタネーション温度Mを上げることが触媒の劣化抑制という観点では好ましくない場合がある。これに対し、水凝縮温度Nについては、触媒の劣化抑制という観点での温度範囲の制限がなく、このような制限がないため、合成メタン濃度を下げる場合に、好ましく適用可能である。
【0065】
メタネーション温度Mを一定に維持し水凝縮温度Nを制御することで合成メタン濃度を調整する構成では、メタネーション温度Mを制御しなくて済むので、メタネーション温度Mの温度管理や制御が容易である。これに対し、水凝縮温度Nを一定に維持しメタネーション温度Mを制御することで合成メタン濃度を調整する構成では、水凝縮温度Nを制御しなくて済むので、水凝縮温度Nの温度管理や制御が容易である。
【0066】
図5には、合成メタン濃度を所望の濃度に近づけるための濃度調整処理のフローの一例が示されている。この濃度調整処理は、制御装置38において、たとえば所定のタイミングで実行される。なお、この濃度調整処理では、メタネーション温度Mが定格温度T未満となっている状態でメタネーション装置16を運転することを原則としている。そして、メタネーション装置16の運転中に、メタネーション温度Mが定格温度T以上となっている場合には、メタネーション温度Mを定格温度T未満にするように調整する制御を含んでいる。この濃度調整処理が実行されるごとに、合成メタン濃度が所望の範囲内となり、且つ、メタネーション温度Mが定格温度Tを超えないように(超えている場合はメタネーション温度Mを下げるように)、メタネーション装置16の運転状態が制御される。
【0067】
制御装置38は、まず、ステップS110において、濃度調整処理に用いる基礎データを取得する。この基礎データには、水凝縮温度N、メタネーション温度M及び第二反応生成物の流量が含まれる。
【0068】
次に、制御装置38は、ステップS120において、第二反応生成物における合成メタン濃度を算出する。第二メタネーション反応炉22では、上記式(2)に示す反応により、メタンと水とが生成されている。したがって、ステップS104では、ステップS102において得た第二メタネーション反応炉22に送られる第一反応生成物の量と、上記式(2)とに基づいて、合成メタンの濃度を算出する。
【0069】
次に、制御装置38は、ステップS130において、ステップS120で得た合成メタンの濃度に対する調整をどのようにすべきかを判断する。すなわち、合成メタンの濃度について、維持、上昇及び低下のいずれとすべきかを判断する。
【0070】
制御装置38は、ステップS130において、合成メタン濃度が所定の濃度よりも高くなっているため、合成メタン濃度を低下させるべき判断した場合、ステップS142に移行する。
【0071】
合成メタンの濃度を低下させるためには、図3のグラフに示したように、たとえばメタネーション温度Mを上げる方法を採り得る。しかしながら、メタネーション温度Mが定格温度Tを超えた状態でさらにメタネーション温度Mを上げると、第二メタネーション反応炉22の触媒の劣化を促進するおそれがある。そこで、制御装置38は、ステップS142において、第二メタネーション反応炉22のメタネーション温度Mが定格温度Tを超えているか否かを判断する。
【0072】
ステップS142において、メタネーション温度Mが定格温度Tを超えていると判断した場合は、ステップS144に移行する。ステップS144では、触媒の劣化の進行を抑制すべく、メタネーション温度Mを定格温度T未満となるように下げる。
【0073】
次に、制御装置38は、ステップS146において、合成メタン濃度が所望の濃度まで低下するように水凝縮温度Nを必要量だけ調整する。すなわち、ステップS130において合成メタン濃度を低下させるべきと判断したにも関わらず、ステップS144では、触媒の劣化の進行を抑制すべくメタネーション温度Mを下げたので、合成メタン濃度は上昇してしまう。そこで、ステップS146では、水凝縮温度Nを上げることで、所望の合成メタン濃度が得られるようにしている。具体的には、水凝縮温度Nの上昇量は、たとえば、図4に示すグラフから得られる。このように、メタネーション温度Mを定格温度T未満とし、触媒の劣化を抑制しつつ、合成メタンの濃度を確実に低下させることができる。そして、制御装置38は濃度調整処理を終了する。
【0074】
ステップS142においてメタネーション温度Mが定格温度T以下であると判断した場合は、ステップS148に移行する。ステップS148では、メタネーション温度Mを定格温度T未満の範囲で上げる。これにより、図3のグラフに示したように、合成メタンの濃度が低下する。水凝縮温度Nの変化よりも、メタネーション温度Mの変化の方が、合成メタンの濃度変化の感度が高いので、メタネーション温度Mを上げることにより、合成メタンの濃度を短時間で低下させることができる。メタネーション温度Mの上昇程度は、たとえば、図3に示すグラフから得る。
【0075】
ただし、メタネーション温度Mの上昇範囲は、定格温度T未満の範囲であるので、合成メタン濃度の低下量には限界がある。そこで、ステップS146に移行し、水凝縮温度Nを必要量だけ調整する。この場合、具体的には、メタネーション温度Mを上げることによっても合成メタン濃度を所望の濃度まで低下させることができない場合に、水凝縮温度Nを上げることで、合成メタン濃度をさらに低下させ所望の濃度とする。
【0076】
このように、ステップS146における水凝縮温度の調整は、ステップS144においてメタネーション温度Mを下げた場合、及び、ステップS148においてメタネーション温度Mを上げた場合のいずれにも対応し、合成メタンの濃度を微調整する処理である。そして、制御装置38は、このように合成メタン濃度を微調整して所望の濃度とした状態で、濃度調整処理を終了する。
【0077】
以上は、メタネーション装置16において合成メタン濃度を低下させる制御である。これに対し、制御装置38は、ステップS130において、合成メタン濃度が所定の濃度よりも低く、上昇させるべきと判断した場合、及び、合成メタン濃度が所定の濃度になっており、濃度を維持すべきと判断した場合は、ステップS152に移行する。以下では、まず、合成メタン濃度を上昇させる場合について説明する。
【0078】
ステップS152では、第二メタネーション反応炉22のメタネーション温度Mが定格温度Tを超えているか否かを判断する。
【0079】
合成メタン濃度を上昇させるためには、図3のグラフに示したように、たとえばメタネーション温度Mを下げる方法を採り得る。
【0080】
ステップS152において、メタネーション温度Mが定格温度Tを超えていると判断した場合は、ステップS154に移行する。上記したように、メタネーション温度Mが定格温度Tを超えている場合、触媒の劣化が進行しやすい。そこで、ステップS154では、メタネーション温度Mを下げる。これにより、図3のグラフに示すように、合成メタン濃度が上昇する。
【0081】
ただし、このようにメタネーション温度Mを定格温度T未満に下げると、合成メタン濃度が、所望の濃度よりも上昇してしまうことがある。そこで、ステップS156に移行し、水凝縮温度Nを必要量だけ調整する。この場合、具体的には、メタネーション温度Mを定格温度未満に下げることによって、合成メタン濃度が必要以上に上昇した場合に、水凝縮温度Nを上げることで、合成メタン濃度を低下させ所望の濃度とする。
【0082】
ステップS152においてメタネーション温度Mが定格温度T以下であると判断した場合は、ステップS156に移行する。すなわち、メタネーション温度Mは、触媒の劣化を抑制することができる温度範囲であるので、触媒の劣化を抑制する観点からさらにメタネーション温度Mを下げる必要はない。
【0083】
そして、ステップS156において、水凝縮温度Nを必要量だけ上げることで、合成メタン濃度を低下させ所望の濃度とする。
【0084】
次に、ステップS130において、合成メタン濃度を維持すべきと判断した場合について説明する。
【0085】
この場合も、合成メタン濃度を上昇させるべきと判断した場合と同様に、ステップS152において、第二メタネーション反応炉22のメタネーション温度Mが定格温度Tを超えているか否かを判断する。
【0086】
ステップS152において、メタネーション温度Mが定格温度Tを超えていると判断した場合は、ステップS154に移行し、ステップS154では、メタネーション温度Mを下げる。これにより、触媒の劣化の進行は抑制されるが、図3のグラフに示すように、合成メタン濃度が上昇する。
【0087】
そこで、ステップS156において、水凝縮温度Nを必要量だけ上げることで、合成メタン濃度を低下させ、結果的に合成メタン濃度が維持させるようにする。
【0088】
ステップS152においてメタネーション温度Mが定格温度T以下であると判断した場合は、ステップS156に移行する。実質的には、ステップS156では、水凝縮温度Nを上下させる必要はなく、一定温度を維持すれば、合成メタン濃度は一定に維持される。そして、制御装置38は濃度調整処理を終了する。
【0089】
次に、第二実施形態について説明する。第二実施形態において、第一実施形態と同様の要素、部材等については同一符号を付して、詳細な説明を省略する。
【0090】
図6に示すように、第二実施形態のメタン合成装置62では、第一実施形態のガス流量センサ36に代えて、切替バルブ64及びサンプリング容器66を有している。そして、制御装置38が切替バルブ64を制御することで、第二メタネーション反応炉22における第二生成物の一部を、サンプリング容器66に送ることが可能とされている。
【0091】
第二実施形態のメタン合成装置62において、合成メタン濃度の調整を行うには、以下の方法を例示できる。
【0092】
すなわち、所望のメタン合成濃度となるように、メタネーション温度M及び水凝縮温度Nを一定の温度に調整しておく。そして、所定のタイミングあるいは条件下で、メタン合成装置62の運転中に切替バルブ64を制御し、第二反応生成物の一部をサンプリング容器66に送る。
【0093】
これにより、サンプリング容器66には第二反応生成物が存在しているので、この第二反応生成物の合成メタン濃度を測定する。合成メタン濃度を測定にあたっては、メタン合成装置62とは別に用意した測定装置を用いる。測定装置の具体的構成は限定されない。たとえば、サンプルの第二反応生成物を所定量だけ燃焼させ、燃焼により発生した熱量を特定することで、第二反応生成物の合成メタン濃度を測定できる。
【0094】
そして、測定した合成メタン濃度に基づき、合成メタン濃度が所望の範囲となるように、水凝縮温度Nを制御する。なお、この場合の合成メタン濃度の調整において、メタネーション温度Mを制御してもよい。すなわち、図3のグラフに示したメタネーション温度Mと合成メタン濃度との関係から、メタネーション温度Mを決定する。
【0095】
ただし、触媒の劣化を抑制する観点からは、上記したように、メタネーション温度Mは定格温度Tを超えないようにすることが好ましいのに対し、水凝縮温度Nについては、露点温度以下の範囲内において、自由に設定できる。そして、図4のグラフに示したように、水凝縮温度Nの変化に対し合成メタン濃度の変化の感度は低い。したがって、水凝縮温度Nを制御することで、触媒の劣化を抑制しつつ、合成メタン濃度の微調整を容易に行うことが可能である。
【0096】
これに対し、第一実施形態では、第二反応生成物の合成メタ濃度をメタン合成装置12の運転と並行してリアルタイムで知ることができる。
【0097】
なお、第二反応生成物のメタン合成装置62において合成メタン濃度を知る構成は、上記第一実施形態及び第二実施形態に限定されない。たとえば、第一実施形態のガス流量センサ36に代えて、あるいは併用して、第二反応生成物の合成メタン濃度を直接的に検出する濃度センサを設けてもよい。
【0098】
本願の開示の技術では、第二メタネーション反応炉22におけるメタネーション温度Mと、第一水凝縮器20における水凝縮温度Nとを制御することで、合成メタン濃度を所望の濃度に調整できる。
【0099】
また、合成メタン濃度を所望の濃度に調整するために、第二メタネーション反応炉22におけるメタネーション温度Mと、第一水凝縮器20における水凝縮温度Nとを制御すれば足り、たとえば、合成メタンガスの製造後に、メタンガスを精製する等の複雑な制御や構成を要しない。このため、低コストで所望の合成メタン濃度を有するガスを精製できる。
【符号の説明】
【0100】
12 メタン合成装置
14 水分解装置
16 メタネーション装置
18 第一メタネーション反応炉
20 第一水凝縮器
22 第二メタネーション反応炉
24 第二水凝縮器
26 加熱装置
28 温度調整装置
30 熱源
32 温度調整装置
34 熱源
36 ガス流量センサ
38 制御装置
62 メタン合成装置
64 切替バルブ
66 サンプリング容器
図1
図2
図3
図4
図5
図6