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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023152865
(43)【公開日】2023-10-17
(54)【発明の名称】接続構造体
(51)【国際特許分類】
H05K 3/28 20060101AFI20231005BHJP
H01R 11/01 20060101ALI20231005BHJP
H05K 3/32 20060101ALI20231005BHJP
【ＦＩ】
H05K3/28 B
H01R11/01 501C
H05K3/32 B
H05K3/28 G
【審査請求】未請求
【請求項の数】14
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023046920
(22)【出願日】2023-03-23
(31)【優先権主張番号】P 2022059293
(32)【優先日】2022-03-31
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2022154761
(32)【優先日】2022-09-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000108410
【氏名又は名称】デクセリアルズ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000224
【氏名又は名称】弁理士法人田治米国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】野田 大樹
(72)【発明者】
【氏名】塚尾 怜司
(72)【発明者】
【氏名】林 直樹
(72)【発明者】
【氏名】渡部 一夢
(72)【発明者】
【氏名】白岩 俊紀
【テーマコード（参考）】
5E314
5E319
【Ｆターム（参考）】
5E314AA24
5E314AA32
5E314AA42
5E314AA43
5E314AA45
5E314BB02
5E314BB10
5E314BB11
5E314CC03
5E314CC07
5E314CC20
5E314EE01
5E314EE02
5E314FF02
5E314FF05
5E314FF06
5E314FF21
5E314GG24
5E319AA03
5E319AA07
5E319AB05
5E319AC02
5E319AC03
5E319AC04
5E319AC13
5E319BB16
5E319CC03
5E319CC12
5E319GG15
5E319GG20
(57)【要約】
【課題】フィラー配列フィルムを用いて、μＬＥＤ等の第１電子部品を基板等の第２電子部品に接続した接続構造体を低圧実装により得られるようにし、また第１電子部品の発光効率の低下を抑える。
【解決手段】第１電子部品１０の電極１１と第２電子部品２０の電極２１がフィラー２を介して接続され、第２電子部品２０上の絶縁性樹脂層３に電極１１が埋め込まれ、第１電子部品１０の天面１３が絶縁性樹脂層３から露出している接続構造体１Ａが、第１電子部品１０の周りに絶縁性樹脂層３の傾斜領域４を有し、傾斜領域４に隣接して絶縁性樹脂層３の平坦領域５を有する。第１電子部品１０の電極面１１ａからの天面１３の高さをＡ、絶縁性樹脂層３から露出している部分の第１電子部品１０の高さをＢ、傾斜領域４の外縁部と第１電子部品１０との距離をＥとした場合に、０≦Ｂ/Ａ＜１、かつＥ≦５００μｍである。
【選択図】図１
【解決手段】第１電子部品１０の電極１１と第２電子部品２０の電極２１がフィラー２を介して接続され、第２電子部品２０上の絶縁性樹脂層３に電極１１が埋め込まれ、第１電子部品１０の天面１３が絶縁性樹脂層３から露出している接続構造体１Ａが、第１電子部品１０の周りに絶縁性樹脂層３の傾斜領域４を有し、傾斜領域４に隣接して絶縁性樹脂層３の平坦領域５を有する。第１電子部品１０の電極面１１ａからの天面１３の高さをＡ、絶縁性樹脂層３から露出している部分の第１電子部品１０の高さをＢ、傾斜領域４の外縁部と第１電子部品１０との距離をＥとした場合に、０≦Ｂ/Ａ＜１、かつＥ≦５００μｍである。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１電子部品の電極と第２電子部品の電極がフィラーを介して接続されると共に、第２電子部品上の絶縁性樹脂層に第１電子部品の電極及び電極の形成基面が埋め込まれ、第１電子部品の天面が絶縁性樹脂層から露出している接続構造体であって、
第１電子部品の周りに絶縁性樹脂層の厚みが第１電子部品との距離に応じて変化している傾斜領域を有すると共に、該傾斜領域に隣接して絶縁性樹脂層の厚みが一定の平坦領域を有し、
第１電子部品の電極面からの第１電子部品の天面の高さをＡ、絶縁性樹脂層から露出している部分の第１電子部品の高さをＢ、傾斜領域の外縁部と第１電子部品との距離をＥとした場合に、
０≦Ｂ/Ａ＜１、かつＥ≦５００μｍ
である接続構造体。
第１電子部品の周りに絶縁性樹脂層の厚みが第１電子部品との距離に応じて変化している傾斜領域を有すると共に、該傾斜領域に隣接して絶縁性樹脂層の厚みが一定の平坦領域を有し、
第１電子部品の電極面からの第１電子部品の天面の高さをＡ、絶縁性樹脂層から露出している部分の第１電子部品の高さをＢ、傾斜領域の外縁部と第１電子部品との距離をＥとした場合に、
０≦Ｂ/Ａ＜１、かつＥ≦５００μｍ
である接続構造体。
【請求項2】
第１電子部品の天面に隣接する側面が絶縁性樹脂層から部分的に露出している請求項１記載の接続構造体。
【請求項3】
傾斜領域において、第１電子部品との距離が大きくなるにつれて絶縁性樹脂層の厚みが小さくなっている請求項１又は２記載の接続構造体。
【請求項4】
傾斜領域において、第１電子部品との距離が大きくなるにつれて絶縁性樹脂層の厚みが大きくなっている請求項１又は２記載の接続構造体。
【請求項5】
傾斜領域の外側に平坦領域が形成されている請求項１又は２記載の接続構造体。
【請求項6】
第１電子部品の電極と第２電子部品の電極とを接続しているフィラーが、単一の絶縁性樹脂層又は複数の絶縁性樹脂層の積層体にフィラーが保持されているフィラー配列フィルムに由来するものである請求項１記載の接続構造体。
【請求項7】
第１電子部品と傾斜領域との間に絶縁性樹脂層の厚みが一定の平坦領域を有し、平坦領域における絶縁性樹脂層の厚みが傾斜領域における絶縁性樹脂層の最小厚である請求項４記載の接続構造体。
【請求項8】
第１電子部品と傾斜領域との間に絶縁性樹脂層の厚みが一定の平坦領域を有し、平坦領域における絶縁性樹脂層の厚みが傾斜領域における絶縁性樹脂層の最大厚である請求項３記載の接続構造体。
【請求項9】
該絶縁性樹脂層が個片である請求項１記載の接続構造体。
【請求項10】
絶縁性樹脂層が、ブラックマトリックス用黒色樹脂組成物から形成されている請求項３記載の接続構造体。
【請求項11】
ブラックマトリックス用黒色樹脂組成物が、チタンブラックを５質量％以上４０質量％以下含有している請求項１０記載の接続構造体。
【請求項12】
第１電子部品の高さ方向の側面長をＬ０とし、絶縁性樹脂層から露出している部分の第１電子部品の高さをＢとし、絶縁性樹脂層が形成するフィレットの高さを“Ｌ０－Ｂ”とした時に、以下の式
で定義されるフィレット形成率Ｆが６０％以上１００％以下である請求項１０又は１１記載の接続構造体。
【数1】
【請求項13】
第２電子部品の電極上にフィラー配列フィルムを貼着し、そのフィラー配列フィルムと、第１電子部品とを位置合わせして貼り合わせ、加熱加圧して第１電子部品の電極と第２電子部品の電極とを接続する、接続構造体の製造方法。
【請求項14】
光透過性基板の表面に形成された第１電子部品に対し、光透過性基板側からレーザー光を照射し、第２電子部品の所定箇所に配置されたフィラー配列フィルムに第１電子部品を着弾させる、接続構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、フィラー配列フィルムを用いて微小な発光素子等の第１電子部品を基板等の第２電子部品に接続して得られる接続構造体に関する。
【背景技術】
【0002】
微小な発光素子であるμＬＥＤ（micro Light-Emitting Diode）を基板上に配列してなるμＬＥＤディスプレイは、液晶ディスプレイに必要とされるバックライトを省略できることによりディスプレイを薄膜化することができ、さらに広色域化、高精細化、省電力化も実現することのできるディスプレイまたは光源として期待されている。
【0003】
μＬＥＤを配列したディスプレイの作製方法として、特許文献１にはキャリア基板上に形成した赤、青、緑のμＬＥＤアレイを移送ヘッドでピックアップし、ディスプレイ基板等の転写先基板に配置し、ハンダ層の溶着によりμＬＥＤアレイと転写先基板とを接合し、次いでその上にＩＴＯ等で接触線を形成することが記載されている。
【0004】
また、特許文献２には、ウエハ上に形成されたμＬＥＤを基板に配置し、水素添加エポキシ化合物等を用いた接着剤成分中に導電粒子を分散させた異方性導電フィルムを使用して基板と接続し、ウエハをリフトオフする方法が記載されている。特許文献２に記載の異方性導電フィルムを使用する方法によれば複数のμＬＥＤを一括実装できるので、μＬＥＤを用いたディスプレイを簡便に得ることができる。
【0005】
特許文献３には、平面視における導電粒子の面積占有率が３５％以下の導電粒子配列層を有する異方性導電フィルムを用いてＩＣチップとＦＰＣを接続するにあたり、導電粒子の捕捉効率を上げるためにパルスヒータ式ボンダーを使用し、１段階目にＩＣチップとＦＰＣとを異方性導電フィルムの絶縁性樹脂層に押し込むことで、電極を導電粒子配列層に近づける仮固定を行い、２段階目に本圧着を行うという２段階方式の接続方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特表２０１５－５００５６２号公報
【特許文献2】特開２０１７－１５７７２４号公報
【特許文献3】特開２０１９－２１６０９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
特許文献２に記載のように異方性導電フィルムを用いると、μＬＥＤを一括実装することによりディスプレイを簡便に製造することが可能となるが、ディスプレイの大面積化及び高精細化に伴って実装するμＬＥＤの数が多くなると、μＬＥＤの実装ツールに大きな推力が必要となる。
【0008】
推力の問題に対し、低圧実装を可能とするために異方性導電フィルムの樹脂層の厚さを薄くし、導電粒子を樹脂層から露出させることが考えられるが、μＬＥＤを異方性導電フィルムにアラインメントして搭載するときに異方性導電フィルムの樹脂層から導電粒子が露出していると、異方性導電フィルムに十分な粘着力を得られず、μＬＥＤの搭載が不可能となることが懸念される。
【0009】
また、ディスプレイの大面積化及び高精細化に伴いμＬＥＤ自体のサイズが小さくなり、それに伴って電極面積や電極高さも小さくなる。そのため、異方性導電フィルムを用いてμＬＥＤを一括実装すると、実装後に異方性導電フィルムの樹脂がμＬＥＤの側面で盛り上がったり、μＬＥＤの発光部が異方性導電フィルムの樹脂に埋没したりすることにより、発光効率が低下するという問題が生じる。さらに、μＬＥＤが樹脂に埋没すると実装のための圧力を効率よくμＬＥＤにかけることができず、実装ツールにより大きな推力が必要とされ、使用することのできる実装ツールが制限されてしまう。
【0010】
一方、発光面が電極と反対側の天面（ｚ面）ではなく、電極の形成基面に交叉するｘｙ面にあるμＬＥＤでは、発光面に隣接してリフレクター構造を設けることが、高輝度のディスプレイを得るために必要となるが、μＬＥＤの発光部が樹脂に埋没するとμＬＥＤの発光面に隣接してリフレクター構造を設けることが困難となる。
【0011】
このような従来技術に対し、本発明は、異方性導電フィルムを用いてμＬＥＤ等の微細な発光素子を基板に低圧実装することを可能とし、しかもその発光素子が異方性導電フィルムの樹脂に埋もれた場合には、発光効率が過度に低下することを抑え、必要に応じて発光面に隣接してリフレクター構造を設けられるようにすることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明者らは、導電粒子等のフィラーが絶縁性樹脂層に配列したフィラー配列フィルムを用いてμＬＥＤの電極等の微小な第１電子部品の接続部を、大画面テレビ用基板等の第２電子部品の電極等の接続部にフィラーを介して接続した接続構造体において、μＬＥＤの電極及び電極の形成基面は絶縁性樹脂内に埋没させるが、μＬＥＤの天面は絶縁性樹脂層から露出させ、好ましくはμＬＥＤの天面に隣接する側面も部分的に露出させ、さらに第１電子部品の周りで絶縁性樹脂層が傾斜するように絶縁性樹脂層の厚みを調整したものは低圧実装により製造でき、かつμＬＥＤから出射される光が絶縁性樹脂層で遮られることが抑制されることを想到し、本発明を完成した。
【0013】
即ち、本発明は、第１電子部品の電極と第２電子部品の電極がフィラーを介して接続されると共に、第２電子部品上の絶縁性樹脂層に第１電子部品の電極及び電極の形成基面が埋め込まれ、第１電子部品の天面が絶縁性樹脂層から露出している接続構造体であって、第１電子部品の周りに絶縁性樹脂層の厚みが第１電子部品との距離に応じて変化している傾斜領域を有すると共に、該傾斜領域に隣接して絶縁性樹脂層の厚みが一定の平坦領域を有し、
第１電子部品の電極面からの第１電子部品の天面の高さをＡ、
絶縁性樹脂層から露出している部分の第１電子部品の高さをＢ、
傾斜領域の外縁部と第１電子部品との距離をＥとした場合に、
０≦Ｂ/Ａ＜１、かつＥ≦５００μｍ
である接続構造体を提供する。
第１電子部品の電極面からの第１電子部品の天面の高さをＡ、
絶縁性樹脂層から露出している部分の第１電子部品の高さをＢ、
傾斜領域の外縁部と第１電子部品との距離をＥとした場合に、
０≦Ｂ/Ａ＜１、かつＥ≦５００μｍ
である接続構造体を提供する。
【発明の効果】
【0014】
本発明の接続構造体は第１電子部品の天面が絶縁性樹脂層から露出し、好ましくは天面に隣接する側面も絶縁性樹脂層から露出しているので、第１電子部品が発する光が絶縁性樹脂層で過度に遮られることを抑制できる。
【0015】
また、第１電子部品の電極及びその電極の形成基面は絶縁性樹脂層に埋め込まれているので、第１電子部品と第２電子部品とは確実に接続され、かつ第１電子部品の周囲には該第１電子部品との距離に応じて絶縁性樹脂層の厚みが変化している傾斜領域が形成されているので、この接続構造体は第１電子部品の実装に必要な樹脂層厚が確保されると共に、過剰な樹脂層厚が削減されたものとなる。
【0016】
また、第１電子部品がμＬＥＤのような発光素子である場合に、必要に応じてリフレクター構造を設けることも容易となる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下、本発明を、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、各図中同一符号は、同一又は同等の構成要素を表している。
【0019】
＜接続構造体＞
図１は本発明の一実施例の接続構造体１Ａの断面図であって、異方性導電フィルムや導電フィルム等のフィラー配列フィルムを用いて、第１電子部品１０を第２電子部品２０に実装して得られるものであり、実装時には低圧実装を実現でき、また高い発光効率を得ることを可能とするものである。
図１は本発明の一実施例の接続構造体１Ａの断面図であって、異方性導電フィルムや導電フィルム等のフィラー配列フィルムを用いて、第１電子部品１０を第２電子部品２０に実装して得られるものであり、実装時には低圧実装を実現でき、また高い発光効率を得ることを可能とするものである。
【0020】
接続構造体１Ａでは、第１電子部品１０の電極１１と第２電子部品２０の電極２１とがフィラー２を介して接続されている。フィラー２は、フィラー配列フィルムに由来する導電粒子である。また、第２電子部品２０上の絶縁性樹脂層３に第１電子部品１０の電極１１及び電極１１の形成基面１２が埋め込まれ、第１電子部品１０の天面１３が絶縁性樹脂層３から露出している。絶縁性樹脂層３は、フィラー配列フィルムに由来する。
【0021】
ここで、第１電子部品１０としては、ミニＬＥＤ、μＬＥＤ等の光半導体素子をあげることができる。
【0022】
第１電子部品１０の外形とサイズについては、例えば、外形が矩形の場合、その長辺は２００μｍ以下、又は１５０μｍ未満、又は５０μｍ未満、又は２０μｍ未満とすることができる。より具体的には、例えば１０μｍ×２０μｍ、７μｍ×１４μｍ、５μｍ×５μｍの矩形をあげることができる。なお、第１電子部品１０の外形は矩形に限られず、例えば菱形でもよい。
【0023】
第１電子部品１０の好ましい厚さは、該第１電子部品１０の材質や強度、電極の高さ、接続の条件等によって変わるが、例えば、第１電子部品１０の電極１１の面積が１０００μｍ2以下又は第１電子部品の最長辺の長さが３００μｍ以上の場合、その厚さを２００μｍ以下、さらには５０μｍ以下とすることができ、最長辺の長さが３００μｍ以下の場合、厚さを５０μｍ以下とすることができ、最長辺の長さが１５０μｍ以下の場合、厚さを３０μｍ以下とすることができ、最長辺の長さが５０μｍ以下の場合、厚さを２０μｍ以下、さらには１５μｍ以下、特に１０μｍ以下とすることができる。第１電子部品の最長辺の長さと厚みの比率が１に近くなれば、接続時の押し込みにより第１電子部品に横ズレが生じることが懸念されるためである。なお、この場合の厚さには、電極１１の高さは含まれない。
【0024】
第１電子部品１０は、電極１１の面積が１０００μｍ2以下、又は電子部品の最長辺の長さが６００μｍ以下、３００μｍ以下、１５０μｍ以下、更には５０μｍ以下の微小な電子部品とすることができ、例えば長辺５μｍ～５０μｍ、短辺３μｍ～４０μｍの矩形をあげることができる。電極１１のサイズの短辺の下限は、載置工程の利便性から好ましくは３μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上である。
【0025】
第１電子部品１０の電極１１の高さは実質的にゼロでもよいが、加圧硬化工程を行う場合や、重ね合わせ工程後加圧硬化工程前に必要に応じて行う加圧工程において、電極以外が加圧されないようにし、加圧により導電粒子が効率よく電極に押し込まれるようにする点から、電極１１の高さは導電粒子の平均粒子径の１倍より高いことが好ましい。一方、電極１１の高さが過度に高いと電極間に充填される樹脂量が不用に多くなるので電極１１の高さは導電粒子の平均粒子径の３倍以下が好ましく、２倍以下がより好ましい。
【0026】
一方、第１電子部品１０を接続する第２電子部品２０としては種々の基板を挙げることができ、ガラス基板、プラスチック基板などの透明基板でもよく、不透明な基板でもよい。また、第２電子部品２０は、セラミック基板、リジットな樹脂基板、ＦＰＣ等の基板であってもよい。
【0027】
（接続構造体における絶縁性樹脂層の厚みの変化）
本発明の接続構造体では、第１電子部品１０の周りの絶縁性樹脂層３の厚みの変化が特徴的となっており、絶縁性樹脂層３が第１電子部品１０の周囲に傾斜領域４を有する。傾斜領域４は絶縁性樹脂層３の厚みが、第１電子部品１０との距離に応じて変化している領域であり、本実施例では、第１電子部品１０の天面１３に隣接する側面１４が絶縁性樹脂層３から部分的に露出しており、側面１４に隣接して傾斜領域４が形成されている。この傾斜領域４では絶縁性樹脂層３の厚みが第１電子部品１０との距離が大きくなるにつれて小さくなっている。
本発明の接続構造体では、第１電子部品１０の周りの絶縁性樹脂層３の厚みの変化が特徴的となっており、絶縁性樹脂層３が第１電子部品１０の周囲に傾斜領域４を有する。傾斜領域４は絶縁性樹脂層３の厚みが、第１電子部品１０との距離に応じて変化している領域であり、本実施例では、第１電子部品１０の天面１３に隣接する側面１４が絶縁性樹脂層３から部分的に露出しており、側面１４に隣接して傾斜領域４が形成されている。この傾斜領域４では絶縁性樹脂層３の厚みが第１電子部品１０との距離が大きくなるにつれて小さくなっている。
【0028】
また、本発明の接続構造体では、絶縁性樹脂層３の厚みが一定の平坦領域５が傾斜領域４に隣接して存在し、本実施例の接続構造体１Ａでは、傾斜領域４の外側に隣接して平坦領域５が形成されている。
【0029】
本発明の接続構造体では、第１電子部品１０の電極面１１ａからの第１電子部品１０の天面１３の高さをＡ、第１電子部品１０の絶縁性樹脂層３から露出している部分の高さ（即ち、電極面１１ａに垂直な方向の第１電子部品１０の露出距離）をＢ、傾斜領域４の外縁部と第１電子部品１０との距離をＥとした場合に、“０≦Ｂ/Ａ＜１、かつＥ≦５００μｍ”が満たされる。
【0030】
上記式中の「Ｂ／Ａ＝０」は、第１電子部品１０の天面１３と、第１電子部品１０の周囲で該第１電子部品１０に隣接している絶縁性樹脂層３の上面が面一であることを意味し、「Ｂ/Ａ＜０」は、第１電子部品１０の天面１３が、該第１電子部品１０に隣接した絶縁性樹脂層３の上面よりも凹んでいることを意味する。本発明においては、第１電子部品１０の天面１３は該第１電子部品１０に隣接した絶縁性樹脂層３の上面よりも上方に突出していることが好ましい。第１電子部品１０（例えば、μＬＥＤ）から光が発せられた場合には、光が絶縁性樹脂層３で遮られることを抑制することができるからである。また、「Ｂ／Ａ＜１」は、第１電子部品１０が絶縁性樹脂層３に埋め込まれていることを意味する。第１電子部品１０を第２電子部品に固定するためである。ところで、「Ｂ/Ａ＜１」とすることにより、第２電子部品２０上の絶縁性樹脂層３に第１電子部品１０の電極１１及び電極１１の形成基面１２が埋め込まれていることになるが、この埋め込みの程度が大きくなると、第１電子部品１０がμＬＥＤである場合には光取り出し効率が小さくなり、埋め込みの程度が小さくなる（換言すれば、μＬＥＤなどの第１電子部品１０の露出の程度が小さくなる）と、多数個の第１電子部品１０を第２電子部品に実装した際に、結果物である接続構造体の厚さ精度が低下する傾向がある。従って、「Ｂ／Ａ」は、接続構造体の厚み公差を小さくする観点から、好ましくは０．１以上であり、光取り出し効率を低下させないために好ましくは０．５以下である。
【0031】
また、Ｅは、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下である。接続構造体１Ａにおける絶縁性樹脂層３の厚みが第１電子部品１０の天面の高さで一定の場合に比して、Ｅ≦５００μｍを規定することにより接続構造体１Ａを構成する樹脂量を抑制し、接続構造体１Ａを低圧実装により得ることを可能とする。リフローで実装する場合も、このような厚みになるよう調整すればよい。
【0032】
＜接続構造体の変形態様その１＞
本発明の接続構造体は種々の変形態様をとることができる。例えば、図２に示した接続構造体１Ｂのように、傾斜領域４における絶縁性樹脂層３の厚みを、第１電子部品１０との距離が大きくなるにつれて大きくしてもよい。
本発明の接続構造体は種々の変形態様をとることができる。例えば、図２に示した接続構造体１Ｂのように、傾斜領域４における絶縁性樹脂層３の厚みを、第１電子部品１０との距離が大きくなるにつれて大きくしてもよい。
【0033】
図３に示した接続構造体１Ｃのように、第１電子部品１０と傾斜領域４との間に絶縁性樹脂層３の厚みが一定の平坦領域５ａを設け、平坦領域５ａにおける絶縁性樹脂層３の厚みを傾斜領域４における絶縁性樹脂層３の最小厚としてもよい。
【0034】
図４に示した接続構造体１Ｄのように、第１電子部品１０と傾斜領域４との間に絶縁性樹脂層３の厚みが一定の平坦領域５ａを設け、平坦領域５ａにおける絶縁性樹脂層３の厚みを傾斜領域４における絶縁性樹脂層３の最大厚としてもよい。接続構造体１Ｄにおいて、第１電子部品１０の絶縁性樹脂層３から露出している部分の高さＢはゼロであるから、Ｂ／Ａ＝０である。この点で接続構造体１Ｄは上述の接続構造体１Ａ、１Ｂ、１Ｃと異なるが、接続構造体の用途によりＢ／Ａ＝０でもよい。
【0035】
また、接続構造体１Ｄでは傾斜領域４の外側に隣接して平坦領域５ｂを設け、平坦領域５ｂにおける絶縁性樹脂層３の厚みを、傾斜領域４における絶縁性樹脂層３の最小厚としている。
【0036】
図１～図４に示した態様の中では、第１電子部品１０から傾斜領域４の外縁部までの小領域、即ち第１電子部品から距離Ｅまでの領域で樹脂量が最も多いのは図４に示した接続構造体１Ｄであり、最も少ないのは図３に示した接続構造体１Ｃであるが、図４に示した接続構造体１Ｄは、斜面領域４の外側の樹脂量が低減している。したがって、本発明の接続構造体を搭載する電子物品において、図１～図４のいずれの態様の接続構造体を使用するかは、当該電子物品の用途等に応じて適宜定めることができる。
【0037】
＜接続構造体の変形態様その２＞
前述の＜接続構造体の変形態様その１＞は、接続構造体の形状的構成の観点からの変形態様を説明したが、＜接続構造体の変形態様その２＞では、接続構造体の形状的構成を前提として、μＬＥＤの発光効率を過度に抑制することなく、絶縁性樹脂層をブラックマトリックスとして使用することに着目した変形態様を説明する。
前述の＜接続構造体の変形態様その１＞は、接続構造体の形状的構成の観点からの変形態様を説明したが、＜接続構造体の変形態様その２＞では、接続構造体の形状的構成を前提として、μＬＥＤの発光効率を過度に抑制することなく、絶縁性樹脂層をブラックマトリックスとして使用することに着目した変形態様を説明する。
【0038】
（絶縁性樹脂層をブラックマトリックスとして利用することに着目した理由）
近年、マイクロＬＥＤディスプレイは、高発光効率且つ長寿命のマイクロＬＥＤ自体を発光させているため、高輝度、低消費電力、高コントラスト、長寿命という好ましい特性を有するディスプレイとなることが期待されている。このようなマイクロＬＥＤディスプレイでは、ディスプレイ基板上に、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ及び青色ＬＥＤが所定の間隔を空けて設けられており、しかも自発発光するため、ブラックマトリックスで色毎に区切られたカラーフィルタを用いない場合もある。このような場合には、混色防止を目的にマイクロＬＥＤ間にブラックマトリックスを形成する必要がある（特表２０２１－５０６１０８号公報、ＷＯ２０２１／０６０８３２Ａ１公報等）。
近年、マイクロＬＥＤディスプレイは、高発光効率且つ長寿命のマイクロＬＥＤ自体を発光させているため、高輝度、低消費電力、高コントラスト、長寿命という好ましい特性を有するディスプレイとなることが期待されている。このようなマイクロＬＥＤディスプレイでは、ディスプレイ基板上に、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ及び青色ＬＥＤが所定の間隔を空けて設けられており、しかも自発発光するため、ブラックマトリックスで色毎に区切られたカラーフィルタを用いない場合もある。このような場合には、混色防止を目的にマイクロＬＥＤ間にブラックマトリックスを形成する必要がある（特表２０２１－５０６１０８号公報、ＷＯ２０２１／０６０８３２Ａ１公報等）。
【0039】
マイクロＬＥＤディスプレイにブラックマトリックスを形成する手法としては、（ａ）マイクロＬＥＤの実装前のディスプレイ基板の片全面に黒色転写層形成用組成物を塗布し、ディスプレイ基板の非ブラックマトリックス領域に塗布された黒色転写層形成用組成物をエッチング処理やフォトリソ処理により除去する方法、（ｂ）スクリーン印刷によりブラックマトリックスをキャリアフィルム上に形成した黒色転写フィルムを、マイクロＬＥＤの実装前のディスプレイ基板にアライメントして貼り付け、キャリアフィルムを引き剥がす方法、（ｃ）マイクロＬＥＤが実装されているディスプレイ基板に、ブラックマトリックスが形成されたカバーガラスを被せる方法、（ｄ）マイクロＬＥＤが実装されているディスプレイ基板のマイクロＬＥＤ間に、インクジェット法によりブラックマトリックス用インク組成物を塗布する方法、等が知られている。
【0040】
しかしながら、前記（ａ）の方法では、ブラックマトリックスの形成に時間を要し、前記（ｂ）、（ｃ）の方法では、ブラックマトリックスの位置精度が十分とはいえず、前記（ｄ）の方法では、マイクロＬＥＤの混色を抑制するのに十分な高さでブラックマトリックスを形成することが困難であった。
【0041】
このため、マイクロＬＥＤを用いた画像表示装置や照明装置等の発光装置を製造する際に、ブラックマトリックスの形成に時間を要さず、ブラックマトリックスの位置精度を十分なものとし、発光効率を過度に抑制することなく、マイクロＬＥＤの混色を抑制するのに十分な高さでブラックマトリックスを形成する必要がある。この必要性があることが、絶縁性樹脂層をブラックマトリックスとして利用することに着目した理由である。
【0042】
（ブラックマトリックスとして機能する絶縁性樹脂層）
図１～４において、絶縁性樹脂層３をブラックマトリックスとして機能させるために、絶縁性樹脂層３をブラック顔料を含有した絶縁性樹脂組成物から形成する。換言すれば、異方性導電フィルムあるいはフィラー配列フィルムを構成する絶縁性樹脂層もしくは導電粒子あるいはフィラーを保持する絶縁性樹脂層をブラック顔料を含有した絶縁性樹脂組成物から形成する。図１～図４では、第１電子部品１０（μＬＥＤ）の表面はブラックマトリックスとして機能する絶縁性樹脂層３で覆われていないので、発光効率の過度の低下を引き起こさず、しかも第１電子部品１０の側面の少なくとも一部を被覆しているので、側面方向へ出射する光量を抑制することができ、μＬＥＤの混色を抑制することができる。
図１～４において、絶縁性樹脂層３をブラックマトリックスとして機能させるために、絶縁性樹脂層３をブラック顔料を含有した絶縁性樹脂組成物から形成する。換言すれば、異方性導電フィルムあるいはフィラー配列フィルムを構成する絶縁性樹脂層もしくは導電粒子あるいはフィラーを保持する絶縁性樹脂層をブラック顔料を含有した絶縁性樹脂組成物から形成する。図１～図４では、第１電子部品１０（μＬＥＤ）の表面はブラックマトリックスとして機能する絶縁性樹脂層３で覆われていないので、発光効率の過度の低下を引き起こさず、しかも第１電子部品１０の側面の少なくとも一部を被覆しているので、側面方向へ出射する光量を抑制することができ、μＬＥＤの混色を抑制することができる。
【0043】
絶縁性樹脂組成物を黒色化するための黒色着色剤としては、カーボンブラックやチタンブラック等の公知のブラック顔料を使用することができる。中でも、不純物イオンの含有量が極めて低く、しかもそれ自体が絶縁性であるチタンブラックを好ましく使用することができる。ブラック顔料としてチタンブラックを使用した場合、ブラックマトリックス用黒色樹脂組成物中のチタンブラック含有量は、好ましくは５質量％以上、より好ましくは１０質量％以上、好ましくは４０質量％以下、より好ましくは３０質量％以下である。これらのブラック顔料の平均粒子径は、１０～１００ｎｍである。このブラック顔料は導電粒子の平均粒子径より小さいことが望ましい。
【0044】
なお、ブラックマトリックスとして機能させる絶縁性樹脂組成物のブラック顔料以外の構成成分としては、後述する絶縁性樹脂層の成分と同様とすることができる。
【0045】
（ブラックマトリックスとして機能する絶縁性樹脂層３のフィレット形状）
ブラックマトリックスとして機能する絶縁性樹脂層３は、図１～図４に示す構造の形状とすることができる。具体的には、図１に示すように、第１電子部品の高さ方向の側面長をＬ０とし、絶縁性樹脂層から露出している部分の第１電子部品の高さをＢとし、絶縁性樹脂層が形成するフィレットの高さを“Ｌ０－Ｂ”とした時に、以下の式で定義されるフィレット形成率Ｆが、好ましくは６０％以上、より好ましくは７０％以上、好ましくは１００％以下、より好ましくは９０％以下である。中でも、図１又は図４に示すように、傾斜領域において、第１電子部品との距離が大きくなるにつれて絶縁性樹脂層の厚みが小さくなっているフィレット形状とすることが好ましい。
ブラックマトリックスとして機能する絶縁性樹脂層３は、図１～図４に示す構造の形状とすることができる。具体的には、図１に示すように、第１電子部品の高さ方向の側面長をＬ０とし、絶縁性樹脂層から露出している部分の第１電子部品の高さをＢとし、絶縁性樹脂層が形成するフィレットの高さを“Ｌ０－Ｂ”とした時に、以下の式で定義されるフィレット形成率Ｆが、好ましくは６０％以上、より好ましくは７０％以上、好ましくは１００％以下、より好ましくは９０％以下である。中でも、図１又は図４に示すように、傾斜領域において、第１電子部品との距離が大きくなるにつれて絶縁性樹脂層の厚みが小さくなっているフィレット形状とすることが好ましい。
【0046】
【数1】
【0047】
＜接続構造体の製造方法＞
図１の接続構造体１Ａの製造方法としては、概略、第２電子部品２０の電極２１上にフィラー配列フィルムを貼着し、そのフィラー配列フィルムと、第１電子部品１０とを位置合わせして貼り合わせ、加熱加圧して第１電子部品１０の電極１１と第２電子部品２０の電極２１とを接続する。この場合、第１電子部品１０は、ウエハ上に配列したものであってもよい。加圧加熱方法としては、特許文献３に記載のように２段階方式で加熱加圧してもよい。また、フィラー２が半田粒子等である場合に、リフローにより接続してもよい。
図１の接続構造体１Ａの製造方法としては、概略、第２電子部品２０の電極２１上にフィラー配列フィルムを貼着し、そのフィラー配列フィルムと、第１電子部品１０とを位置合わせして貼り合わせ、加熱加圧して第１電子部品１０の電極１１と第２電子部品２０の電極２１とを接続する。この場合、第１電子部品１０は、ウエハ上に配列したものであってもよい。加圧加熱方法としては、特許文献３に記載のように２段階方式で加熱加圧してもよい。また、フィラー２が半田粒子等である場合に、リフローにより接続してもよい。
【0048】
フィラー配列フィルムの仮貼りやフィルム転写及びμＬＥＤの基板上への搭載は、スタンプ材（例えば、特開２０２１－１４１１６０号公報参照）やレーザーを用いた手法（レーザーリフトオフ加工法）といった公知の手法やそれを応用した手法を用いることができ（例えば、特開平９－１２４０２０号公報、特開２０１１－７６８０８号公報、特許６６３６０１７号公報、特許６１８７６６５号公報等に記載の方法）、本発明の効果が発揮できる手法であれば特に限定はされない。
【0049】
＜接続構造体の製造方法の変形態様＞
非常に微細な第１電子部品を、配線基板等の第２電子部品に実装して接続構造体を製造する場合、前述したようなレーザーリフトオフ加工法により第１電子部品を第２電子部品に着弾させることにより実装することもできる。例えば、第１電子部品が、光透過性基板の表面に形成された膨大な数のマイクロＬＥＤである場合、第２電子部品の所定箇所（例えば配線基板の各電極）に配置されたフィラー配列フィルムに対して、光透過性基板側から個々の第１電子部品にレーザー光を照射し、第１電子部品を着弾させ、加熱加圧することで、第１電子部品をフィラー配列フィルムに押し込むことにより接続構造体を製造することができる。レーザーリフトオフ加工条件は、第１電子部品の種類や構成材料等に応じて適宜決定することができる。
非常に微細な第１電子部品を、配線基板等の第２電子部品に実装して接続構造体を製造する場合、前述したようなレーザーリフトオフ加工法により第１電子部品を第２電子部品に着弾させることにより実装することもできる。例えば、第１電子部品が、光透過性基板の表面に形成された膨大な数のマイクロＬＥＤである場合、第２電子部品の所定箇所（例えば配線基板の各電極）に配置されたフィラー配列フィルムに対して、光透過性基板側から個々の第１電子部品にレーザー光を照射し、第１電子部品を着弾させ、加熱加圧することで、第１電子部品をフィラー配列フィルムに押し込むことにより接続構造体を製造することができる。レーザーリフトオフ加工条件は、第１電子部品の種類や構成材料等に応じて適宜決定することができる。
【0050】
フィラー配列フィルムは、例えば配線基板等の第２電子部品の接続部の全面に配置してもよく、また、例えばＲＧＢ１組の１ピクセル単位（１画素単位）など表示部の一部に所定単位の個片で配置してもよい。この場合、接続構造体における絶縁性樹脂層がフィラー配列フィルムに由来するものであるから、接続構造体における絶縁性樹脂層も個片で配置されていることになり、フィラー配列フィルムを個片で使用した場合と同様の効果が期待できる。
【0051】
フィラー配列フィルムを個片で配置する場合、一つの個片で複数の微細な第１電子部品、例えば、マイクロＬＥＤを電気的に接続（以下、接続）してもよいが、一つの個片で一つのマイクロＬＥＤを接続することが好ましく、複数の個片で一つのマイクロＬＥＤを接続することも好ましい。一つの個片で接続すればフェレットの形成を調整し易くなり、複数の個片で一つのマイクロＬＥＤを接続すれば、例えばＰ電極とＮ電極を別の個片で接続することになるので、より細かい調整が可能になる。複数の個片で複数のマイクロＬＥＤを接続してもよい。例えば、複数のＰ電極とＮ電極が平行して設けられている場合、それぞれの電極の列に対応するように個片を設ければよい。また、絶縁性樹脂層の形成に黒色絶縁性樹脂組成物を利用したフィラー配列フィルムを個片で接続を行うと、マイクロＬＥＤ外縁部のフェレットにおいてブラックマトリックスを形成することができ、接続とμＬＥＤディスプレイの全体の色味の調整を行うことが可能となる。このようなフィラー配列フィルムの個片は、後述するレーザーリフトオフ法の他、スクリーン印刷法、エッチング法、インクジェット法等を利用して形成することができる。個片のサイズは、接続すべき第１電子部品の形状やサイズに応じて適宜決定することができる。
【0052】
フィラー配列フィルムの第２電子部品の表示部への配置方法としては、特に限定されるものではない。例えばフィラー配列フィルムの表示部の全面に配置する場合、ラミネートする方法などが挙げられる。また、例えばフィラー配列フィルムの個片を表示部の一部に配置する場合、レーザーリフトオフ（ＬＬＯ：Laser Lift Off）装置を用いて個片を基材フィルムから第２電子部品に直接転写、配置する方法、個片を予め密着させた転写材（スタンプ材）を用いて転写材から第２電子部品に転写、配置する方法などが挙げられる。
【0053】
なお、マイクロＬＥＤ等の第１電子部品を、第２電子部品の所定位置に熱圧着により配置されたフィラー配列フィルム又はレーザーリフトオフ加工法で転写されたフィラー配列フィルムの個片に、レーザーリフトオフ加工法で着弾させる場合、第１電子部品の着弾ずれ、変形、破壊、抜けなどが発生することを防止するために、フィラー配列フィルムの絶縁性樹脂層には、着弾の衝撃を和らげるクッション性を付与するゴム成分（例えばアクリルゴム、シリコーンゴム、ブタジエンゴム、ポリウレタン系エラストマー等）や、機械的強度を付与する無機フィラー（例えばシリカ、タルク、酸化チタン、炭酸カルシウム等）を含有させることが好ましい。
【0054】
このようなゴム成分や無機フィラーが配合された絶縁性樹脂層は、レーザー照射前においては、ＪＩＳ Ｋ６２５３に準拠したデュロメータＡ硬度（ＪＩＳ Ｋ６２５３に準拠）が好ましくは２０～４０、より好ましくは２０～３５、特に好ましくは２０～３０のものであり、ＪＩＳ Ｋ７２４４に準拠した動的粘弾性試験機（温度３０℃、周波数２００Ｈｚ；バイブロン、株式会社エー・アンド・デイ）により得られる貯蔵弾性率が好ましくは６０ＭＰａ以下、より好ましくは３０ＭＰａ以下、特に好ましくは１０ＭＰａ以下のものである。
【0055】
また、絶縁性樹脂層は、硬化後のＪＩＳ Ｋ７２４４に準拠した引張モードで測定された温度３０℃における貯蔵弾性率が、１００ＭＰａ以上であることが好ましく、２０００ＭＰａ以上であることが更に好ましい。温度３０℃における貯蔵弾性率が低すぎる場合、良好な導通性が得られず、接続信頼性も低下する傾向にある。温度３０℃における貯蔵弾性率は、ＪＩＳ Ｋ７２４４に準拠し、粘弾性試験機（バイブロン）を用いた引張モードで、例えば、周波数１１Ｈｚ、昇温速度３℃／ｍｉｎの測定条件で測定することができる。
【0056】
なお、マイクロＬＥＤ等の第１電子部品を、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）等のシリコーンゴム製の基板の所定位置（即ち、第１電子部品を再転写させるべき第２電子部品の所定位置に対応した位置）にレーザーリフトオフ加工法により転写（着弾）させた第１電子部品配置シートを、その第１電子部品側を第２電子部品に対向させ、位置合わせを行った後、転写させることもできる。
【0057】
＜フィラー配列フィルム＞
接続構造体１Ａの製造において使用するフィラー配列フィルムとしては、フィラーとして導電粒子が単一又は複数の絶縁性樹脂層の積層体に保持されているものを使用することができる。導電粒子が複数の絶縁性樹脂層の積層体に保持されているものを使用する場合、図５に示すように、フィラー配列フィルム３０の絶縁性樹脂層３１を、導電粒子２を保持する高粘度バインダー樹脂層３２と、高粘度バインダー樹脂層３２よりも低粘度の接着剤層３３とすることができる。
接続構造体１Ａの製造において使用するフィラー配列フィルムとしては、フィラーとして導電粒子が単一又は複数の絶縁性樹脂層の積層体に保持されているものを使用することができる。導電粒子が複数の絶縁性樹脂層の積層体に保持されているものを使用する場合、図５に示すように、フィラー配列フィルム３０の絶縁性樹脂層３１を、導電粒子２を保持する高粘度バインダー樹脂層３２と、高粘度バインダー樹脂層３２よりも低粘度の接着剤層３３とすることができる。
【0058】
接続構造体１Ａの製造方法において、図１に示したように絶縁性樹脂層３に傾斜領域４や平坦領域５が形成され、前述した数式“０≦Ｂ/Ａ＜１、かつＥ≦５００μｍ”が満たされるように形成するため、フィラー配列フィルムとしては、絶縁性樹脂層３１の厚みをＬａ、導電粒子２の平均粒子径をＤとした場合に、Ｌａ／Ｄを好ましくは０．６以上８以下、より好ましくは１以上２以下、さらに好ましくは１．０以上１．３以下とする。
【0059】
また、絶縁性樹脂層３１の厚みＬａと、第１電子部品１０の電極面１１ａから天面１３までの高さＡとの比Ｌａ／Ａを、好ましくは０．１以上１以下、より好ましくは０．５以上０．８以下とする。
【0060】
さらに、接続構造体１Ａの絶縁性樹脂層３に上述の傾斜領域４や平坦領域５をもたらすため、フィルム厚みは電極高さに対して１．５倍以上が好ましく、７．５倍以下が好ましく、４．５倍以下にすることがより好ましい。また、最低溶融粘度を８０００～１２０００Ｐａ・ｓの範囲内にすることで、比較的薄いフィルムを押し込む際にμＬＥＤの埋込状態を制御できるため好ましい。
【0061】
フィラー配列フィルム３０の絶縁性樹脂層３１の高粘度バインダー樹脂層３２と接着剤層３３を構成する樹脂は、例えば、特許文献３に記載の絶縁性樹脂層を構成するバインダーや接着剤層と同様とすることができる。異なる層に異なるフィラーを配置させて積層してもよい。
【0062】
絶縁性樹脂層３１には必要に応じてゴム成分、無機フィラー、シランカップリング剤、希釈用モノマー、充填剤、軟化剤、着色剤、難燃化剤、チキソトロピック剤などを添加することができる。
【0063】
ゴム成分を接続構造体の反りや歪みの防止のために配合してもよい。ゴム成分は、クッション性（衝撃吸収性）の高いエラストマーであれば特に限定されるものではなく、具体例として、例えば、アクリルゴム、シリコーンゴム、ブタジエンゴム、ポリウレタン樹脂（ポリウレタン系エラストマー）などを挙げることができる。
【0064】
フィラー配列フィルム３０における導電粒子２の配置は、ランダムとしても規則的配置としてもよいが、各電極１１、２１における導電粒子の捕捉性を向上させる点から、導電粒子が所定ピッチで所定方向に配置されている配列軸を１以上有する平面格子パターンが好ましく、例えば、斜方格子、六方格子、正方格子、矩形格子、平行体格子などが挙げられる。また、平面格子パターンの異なる領域があってもよい。
【0065】
フィラー配列フィルム３０において、導電粒子２の平均粒子径Ｄは，好ましくは１μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以上２μｍ以下である。
【0066】
平均粒子径は、画像型粒度分布計（一例として、ＦＰＩＡ－３０００：マルバーン・パナリティカル社製）により測定した値とすることができる。測定の際、粒子個数は１０００個以上、好ましくは２０００個以上であることが好ましい。
【0067】
導電粒子２の硬度は、２０％変形時の圧縮硬さ（２０％Ｋ値）が好ましくは２０００Ｎ／ｍｍ2以上２５０００Ｎ／ｍｍ2以下、より好ましくは５０００Ｎ／ｍｍ2以上１００００Ｎ／ｍｍ2以下である。
【0068】
フィラー配列フィルム３０における導電粒子２の個数密度は、３０個／ｍｍ2以上５０００００個／ｍｍ2以下とすることができ、好ましくは１２００００個／ｍｍ2以上３５００００個／ｍｍ2以下、より好ましくは１５００００個／ｍｍ2以上３０００００個／ｍｍ2以下とすることが好ましい。
【0069】
なお、導電粒子２の個数密度は、金属顕微鏡を用いて観察して求める他、画像解析ソフト（例えば、ＷｉｎＲＯＯＦ（三谷商事株式会社）や、Ａ像くん（登録商標）（旭化成エンジニアリング株式会社）等）により観察画像を計測して求めてもよい。導電粒子の個数は、フィラー配列フィルム上で観察された個数を計測する。
【0070】
また、導電粒子２の種類としては、公知の異方性導電フィルムに用いられている導電粒子の中から適宜選択することができる。例えば、導電粒子としては、ニッケル、コバルト、銀、銅、金、パラジウムなどの金属粒子、ハンダなどの合金粒子、金属被覆樹脂粒子、表面に絶縁性微粒子が付着している金属被覆樹脂粒子などが挙げられる。２種以上を併用することもできる。中でも、金属被覆樹脂粒子が、接続された後に樹脂粒子が反発することで端子との接触が維持され易くなり、導通性能が安定する点から好ましい。また、導電粒子の表面には公知の技術によって、導通特性に支障を来さない絶縁処理が施されていてもよい。
【0071】
なお、フィラー配列フィルムにおいてフィラーとしては、当該フィラー配列フィルムの用途に応じて、無機系フィラー（金属粒子、金属酸化物粒子、金属窒化物粒子など）、有機系フィラー（樹脂粒子、ゴム粒子など）、有機系材料と無機系材料が混在したフィラー（例えば、コアが樹脂材料で形成され、表面が金属メッキされている粒子（金属被覆樹脂粒子）、導電粒子の表面に絶縁性微粒子を付着させたもの、導電粒子の表面を絶縁処理したもの等）から、硬さ、光学的性能などの用途に求められる性能に応じて適宜選択される。
【0072】
例えば、フィラー配列フィルムをμＬＥＤ等の微小光学素子の発色の調整や、カラーディスプレイにおけるブラックマトリックス等の用途に使用する場合、フィラーとして公知の色素、顔料、光散乱性粒子等を含有させてもよい。
【0073】
＜フィラー配列フィルムの製造方法＞
フィラー配列フィルム３０は、接続構造体１Ａにおける絶縁性樹脂層３１が図１に示した傾斜領域４と平坦領域５を有するように、最低溶融粘度と厚みを調整する以外は公知の異方性導電フィルムと同様に製造することができる。
フィラー配列フィルム３０は、接続構造体１Ａにおける絶縁性樹脂層３１が図１に示した傾斜領域４と平坦領域５を有するように、最低溶融粘度と厚みを調整する以外は公知の異方性導電フィルムと同様に製造することができる。
【0074】
例えば、特許文献３に記載の異方性導電フィルムの製造方法と同様に、まず、導電粒子の配列パターンに応じた凹部が形成された型を用意し、その型に導電粒子２を充填し、その上に剥離フィルム上に形成した高粘度バインダー樹脂層３２を貼り合わせて、導電粒子２を高粘度バインダー樹脂層３２に押し込んで転着し、その転着面に接着剤層３３を積層する。ここで、絶縁性樹脂層３１の厚みを図１に示したように変化させるため、最低溶融粘度と厚みを調整し、絶縁性樹脂層を更に積層してもよい。
【0075】
＜フィラー配列フィルムの使用例＞
フィラー配列フィルムは、例えばＲＧＢ１組の１ピクセル単位（１画素単位）など、所定単位の個片であってもよい。マイクロＬＥＤのそれぞれの電極に対応する基板側の電極に応じて個片を離間させて設けてもよい。即ち、フィラー配列フィルムは個片状の形態をとることができる。個片の形状は、特に限定されるものではなく、接続対象である電子部品の寸法に応じて適宜設定することができる。フィラー配列フィルムの個片をＬＬＯ装置（例えば、商品名：Ｉｎｖｉｓｉ ＬＵＭ-ＸＴＲ、信越化学工業株式会社）を用いるレーザーリフトオフ加工法（特開２０１７－１５７７２４号公報参照）により基材フィルム上に形成する場合は、捲れや欠けの発生を抑制するため、個片の形状は、鈍角からなる多角形、角が丸い多角形、楕円、長円、及び円から選択される少なくとも１種であることが好ましい。前出の本発明の接続構造体は、このような形状の個片からなる接続用のフィラー配列フィルムとマイクロＬＥＤの組み合わせからなってもよく、個片になるフィルムの厚みや粘度等を調整することで、マイクロＬＥＤが個片内に埋め込まれている態様も包含する。個片の形状が、鈍角からなる多角形、角が丸い多角形、楕円、長円、及び円から選択される少なくとも１種であり、基板側の電極のみに個々に離間して載置され、マイクロＬＥＤの電極が離間した個片でそれぞれが接続された状態であってもよい。
フィラー配列フィルムは、例えばＲＧＢ１組の１ピクセル単位（１画素単位）など、所定単位の個片であってもよい。マイクロＬＥＤのそれぞれの電極に対応する基板側の電極に応じて個片を離間させて設けてもよい。即ち、フィラー配列フィルムは個片状の形態をとることができる。個片の形状は、特に限定されるものではなく、接続対象である電子部品の寸法に応じて適宜設定することができる。フィラー配列フィルムの個片をＬＬＯ装置（例えば、商品名：Ｉｎｖｉｓｉ ＬＵＭ-ＸＴＲ、信越化学工業株式会社）を用いるレーザーリフトオフ加工法（特開２０１７－１５７７２４号公報参照）により基材フィルム上に形成する場合は、捲れや欠けの発生を抑制するため、個片の形状は、鈍角からなる多角形、角が丸い多角形、楕円、長円、及び円から選択される少なくとも１種であることが好ましい。前出の本発明の接続構造体は、このような形状の個片からなる接続用のフィラー配列フィルムとマイクロＬＥＤの組み合わせからなってもよく、個片になるフィルムの厚みや粘度等を調整することで、マイクロＬＥＤが個片内に埋め込まれている態様も包含する。個片の形状が、鈍角からなる多角形、角が丸い多角形、楕円、長円、及び円から選択される少なくとも１種であり、基板側の電極のみに個々に離間して載置され、マイクロＬＥＤの電極が離間した個片でそれぞれが接続された状態であってもよい。
【0076】
フィラー配列フィルムの個片の寸法（縦×横）は、接続対象である電子部品の寸法に応じて適宜設定され、電子部品の面積に対する個片の面積の比は、好ましくは２以上、より好ましくは４以上、さらに好ましくは５以上である。また、個片の厚みは、フィラー配列フィルムの厚みと同様、導電粒子の平均粒子径に好ましくは１～４μｍ、特に好ましくは１～２μｍを加算したものであり、好ましくは１μｍ以上１０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以上６μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上４μｍ以下である。なお、このようなフィラー配列フィルムの個片は、電子部品にのみ設けられてもよく、電子部品の電極のみに設けられてもよい。適切な樹脂の埋込状態を得るために、個片を複数個転写させ所定の樹脂厚みになるようにしてもよい。本発明は、このような接続構造体の製造方法も包含する。
【0077】
また、基材フィルム上の個片間の距離は、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、さらに好ましくは１０μｍ以上である。また、個片間の距離の上限は、好ましくは３０００μｍ以下、より好ましくは１０００μｍ以下、さらに好ましくは５００μｍ以下である。個片間の距離が小さ過ぎる場合、個片のＬＬＯによる転写が困難となり、個片間の距離が大きい場合、個片を貼り付ける方法が好ましくなる。個片間の距離は、顕微鏡観察（光学顕微鏡、金属顕微鏡、電子顕微鏡など）を用いて計測することができる。
【0078】
＜個片状のフィラー配列フィルムの製造方法）
フィラー配列フィルムの個片は、スリットやハーフカットにより形成してもよく、ＬＬＯ装置を用いて形成してもよい。ＬＬＯ装置を用いて個片を形成する場合、基材フィルムは、レーザー光に対して透過性を有するものであればよく、中でも全波長に亘って高い光透過率を有する石英ガラスであることが好ましい。
フィラー配列フィルムの個片は、スリットやハーフカットにより形成してもよく、ＬＬＯ装置を用いて形成してもよい。ＬＬＯ装置を用いて個片を形成する場合、基材フィルムは、レーザー光に対して透過性を有するものであればよく、中でも全波長に亘って高い光透過率を有する石英ガラスであることが好ましい。
【0079】
ＬＬＯ装置を用いてフィラー配列フィルムの個片を形成する場合、基材フィルム上に設けられたフィラー配列フィルムに対して基材フィルム側からレーザー光を照射し、照射部分のフィラー配列フィルムを除去することにより、基材フィルム上にフィラー配列フィルムの所定形状の個片を形成することができる。
【0080】
例えば、開口の窓部が四角形状であるマスクを用い、基材フィルムからフィラー配列フィルムの不要部分を除去することにより、フィラー配列フィルムの残存部分で所定形状の個片を構成することができる。また、例えば、開口の窓部内に所定形状の遮光部が形成されたマスクを用い、基材フィルムから個片周囲のフィラー配列フィルムの不要部分を除去することにより、フィラー配列フィルムの残存部分で所定形状の個片を構成することができる。
【0081】
また、ＬＬＯ装置を用いて個片を作製した場合、個片の反応率は、２５％以下、好ましくは２０％以下、さらに好ましくは１５％以下である。これにより、優れた転写性を得ることができる。なお、レーザー照射前の硬化性樹脂膜やレーザー照射後に得られた個片の反応率の測定は、例えばＦＴ－ＩＲを用いて反応基の減少率により求めることができる。例えば、エポキシ化合物の反応を利用した硬化性樹脂膜の場合、試料に赤外線を照射させてＩＲスペクトルを測定し、ＩＲスペクトルのメチル基（２９３０ｃｍ－１付近）及びエポキシ基（９１４ｃｍ－１付近）のピーク高さを測定し、下記式のように、メチル基のピーク高さに対するエポキシ基のピーク高さの反応前後（例えばレーザー照射前後）の比率で算出することができる。
【0082】
【数2】
【0083】
上記式において、Ａは反応前のエポキシ基のピーク高さ、Ｂは反応前のメチル基のピーク高さ、ａは反応後のエポキシ基のピーク高さ、ｂは反応後のメチル基のピーク高さである。なお、エポキシ基のピークに他のピークが重なる場合は、完全硬化（反応率１００％）させたサンプルのピーク高さを０％とすればよい。
【実施例0084】
＜粒子整列黒色異方性導電フィルムの作成＞
表１の黒色絶縁性樹脂組成物(i)、(ii)及び(iii)をそれぞれ混合し、得られた混合物を剥離基材に塗布し、６０℃、３ｍｉｎの乾燥処理を施すことにより、４μｍ又は６μｍ厚の黒色絶縁性樹脂フィルムをそれぞれ得た。
表１の黒色絶縁性樹脂組成物(i)、(ii)及び(iii)をそれぞれ混合し、得られた混合物を剥離基材に塗布し、６０℃、３ｍｉｎの乾燥処理を施すことにより、４μｍ又は６μｍ厚の黒色絶縁性樹脂フィルムをそれぞれ得た。
【0085】
その後、特許第６１８７６６５の段落０１１１～０１１２及び図１Ａに記載の導電粒子規則配列処理にて導電粒子（ミクロパールＡＵ、積水化学工業（株））を粒子密度５８０００個／ｍｍ２になるように規則配列させた後、黒色絶縁性樹脂フィルムに転写することにより、黒色絶縁性樹脂組成物(i)からは、粒子整列黒色異方性導電フィルムＡ、粒子整列黒色絶縁性樹脂組成物(ii)からは黒色異方性導電フィルムＢ、粒子整列黒色絶縁性樹脂組成物(iii)からは、黒色異方性導電フィルムＣを得た。
【0086】
【表1】
【0087】
＜実装サンプルの作成＞
得られた実施例１～４の黒色異方性導電フィルムを評価用基板に仮固定した被着体に評価用ＬＥＤチップを乗せて２００℃－１０Ｍｐａ－３０ｓｅｃにて圧着し実装体を得た。得られた実装体について、「混色の程度」、「フィレット形成率Ｆ」、「導通抵抗」を以下に示すように試験・評価した。得られた結果を表２に示す。
得られた実施例１～４の黒色異方性導電フィルムを評価用基板に仮固定した被着体に評価用ＬＥＤチップを乗せて２００℃－１０Ｍｐａ－３０ｓｅｃにて圧着し実装体を得た。得られた実装体について、「混色の程度」、「フィレット形成率Ｆ」、「導通抵抗」を以下に示すように試験・評価した。得られた結果を表２に示す。
【0088】
＜混色の程度＞
実施例１～４では、実装体を暗室にて、評価用ＬＥＤチップを発光させ、散乱した光の輪郭を金属顕微鏡にて測長し、その最大値で混色性を評価した。
実施例１～４では、実装体を暗室にて、評価用ＬＥＤチップを発光させ、散乱した光の輪郭を金属顕微鏡にて測長し、その最大値で混色性を評価した。
【0089】
（混色の評価）
評価ランク 基準
ＡＡ：５μｍ未満
Ａ： ５μｍ以上１５μｍ未満
Ｂ： １５μｍ以上２５μｍ未満
Ｃ： ２５μｍ以上
評価ランク 基準
ＡＡ：５μｍ未満
Ａ： ５μｍ以上１５μｍ未満
Ｂ： １５μｍ以上２５μｍ未満
Ｃ： ２５μｍ以上
【0090】
＜フィレット形成率Ｆ＞
実装体のフィレット形状をレーザー顕微鏡観察により、ＬＥＤの高さ方向の側面長Ｌ０と、絶縁性樹脂層から露出している部分のＬＥＤの高さＢとを求め、下式に従ってフィレット形成率Ｆを求めた。実用的には、フィレット形成率Ｆが６０％以上１００％以下であることが好ましい。
実装体のフィレット形状をレーザー顕微鏡観察により、ＬＥＤの高さ方向の側面長Ｌ０と、絶縁性樹脂層から露出している部分のＬＥＤの高さＢとを求め、下式に従ってフィレット形成率Ｆを求めた。実用的には、フィレット形成率Ｆが６０％以上１００％以下であることが好ましい。
【0091】
【数3】
【0092】
＜導通抵抗＞
この実装体の評価用ＬＥＤチップに２対の１０×１０μｍ電極を設け、基板側の導通配線を通して導通抵抗測定を実施した。計３０箇所測定を行い、得られた平均導通抵抗を以下の基準に従って評価した。
この実装体の評価用ＬＥＤチップに２対の１０×１０μｍ電極を設け、基板側の導通配線を通して導通抵抗測定を実施した。計３０箇所測定を行い、得られた平均導通抵抗を以下の基準に従って評価した。
【0093】
（導通抵抗評価）
評価ランク 基準
Ａ： ５０Ω以下
Ｂ： ５０Ω超１００Ω以下
Ｃ： １００Ω超２００Ω以下
Ｄ（ＮＧ）： ２００Ω超
評価ランク 基準
Ａ： ５０Ω以下
Ｂ： ５０Ω超１００Ω以下
Ｃ： １００Ω超２００Ω以下
Ｄ（ＮＧ）： ２００Ω超
【0094】
【表2】
【0095】
＜結果の考察＞
混色の程度は、フィレット形成率Ｆが６０％である実施例１～３の場合、混色評価がＡ評価であった。フィレット形成率Ｆが１００％である実施例４の場合、フィレット形成率６０％である実施例１～３の場合より更に混色の程度が良好であり、ＡＡ評価であった。実施例４の方が、ＬＥＤ側面から出射する光をよりカットできたためと考えられる。なお、実施例１～４の場合、いずれも導通抵抗評価がＡであり、実用上全く問題ないものであった。
混色の程度は、フィレット形成率Ｆが６０％である実施例１～３の場合、混色評価がＡ評価であった。フィレット形成率Ｆが１００％である実施例４の場合、フィレット形成率６０％である実施例１～３の場合より更に混色の程度が良好であり、ＡＡ評価であった。実施例４の方が、ＬＥＤ側面から出射する光をよりカットできたためと考えられる。なお、実施例１～４の場合、いずれも導通抵抗評価がＡであり、実用上全く問題ないものであった。
【産業上の利用可能性】
【0096】
本発明の接続構造体は第１電子部品の天面が絶縁性樹脂層から露出し、好ましくは天面に隣接する側面も絶縁性樹脂層から露出しているので、第１電子部品が発する光が絶縁性樹脂層で過度に遮られることを抑制できる。また、第１電子部品の電極及びその電極の形成基面は絶縁性樹脂層に埋め込まれているので、第１電子部品と第２電子部品とは確実に接続され、かつ第１電子部品の周囲には該第１電子部品との距離に応じて絶縁性樹脂層の厚みが変化している傾斜領域が形成されているので、この接続構造体は第１電子部品の実装に必要な樹脂層厚が確保されると共に、過剰な樹脂層厚が削減されたものとなる。また、絶縁性樹脂層の形成に黒色絶縁性樹脂組成物を利用すると、ＬＥＤの接続とブラックマトリックスの形成のプロセス短縮・コストダウンを図ることができる。
【符号の説明】
【0097】
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ 接続構造体
２ フィラー、導電粒子
３ 絶縁性樹脂層
４ 傾斜領域
４ａ 傾斜領域の外縁部
５、５ａ、５ｂ 平坦領域
１０ 第１電子部品、μＬＥＤ
１１ 電極
１１ａ 電極面
１２ 電極の形成基面
１３ 天面
１４ 側面
２０ 第２電子部品、基板
２１ 電極
３０ フィラー配列フィルム
３１ 絶縁性樹脂層
３２ 高粘度バインダー樹脂層
３３ 接着剤層
Ａ 第１電子部品の電極面からの第１電子部品の天面までの高さ
Ｂ 第１電子部品の絶縁性樹脂層から露出している部分の高さ
Ｅ 傾斜領域の外縁部と第１電子部品との距離
Ｄ 導電粒子の平均粒子径
Ｌａ 絶縁性樹脂層の厚み
Ｌ０ 第１電子部品の側面長さ
２ フィラー、導電粒子
３ 絶縁性樹脂層
４ 傾斜領域
４ａ 傾斜領域の外縁部
５、５ａ、５ｂ 平坦領域
１０ 第１電子部品、μＬＥＤ
１１ 電極
１１ａ 電極面
１２ 電極の形成基面
１３ 天面
１４ 側面
２０ 第２電子部品、基板
２１ 電極
３０ フィラー配列フィルム
３１ 絶縁性樹脂層
３２ 高粘度バインダー樹脂層
３３ 接着剤層
Ａ 第１電子部品の電極面からの第１電子部品の天面までの高さ
Ｂ 第１電子部品の絶縁性樹脂層から露出している部分の高さ
Ｅ 傾斜領域の外縁部と第１電子部品との距離
Ｄ 導電粒子の平均粒子径
Ｌａ 絶縁性樹脂層の厚み
Ｌ０ 第１電子部品の側面長さ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】