特開 2023-153074 検出器組立体と結合したカメラを使用したナビゲーション精度の向上

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023153074

(43)【公開日】2023-10-17

(54)【発明の名称】検出器組立体と結合したカメラを使用したナビゲーション精度の向上

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/66 20060101AFI20231005BHJP

   G01N 23/223 20060101ALI20231005BHJP

【ＦＩ】

H01L21/66 P

H01L21/66 N

G01N23/223

【審査請求】未請求

【請求項の数】26

【出願形態】ＯＬ

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2023057303

(22)【出願日】2023-03-31

(31)【優先権主張番号】17/709,451

(32)【優先日】2022-03-31

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(71)【出願人】

【識別番号】517006463

【氏名又は名称】ブルカー テクノロジーズ リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100094569

【弁理士】

【氏名又は名称】田中 伸一郎

(74)【代理人】

【識別番号】100103610

【弁理士】

【氏名又は名称】▲吉▼田 和彦

(74)【代理人】

【識別番号】100109070

【弁理士】

【氏名又は名称】須田 洋之

(74)【代理人】

【識別番号】100067013

【弁理士】

【氏名又は名称】大塚 文昭

(74)【代理人】

【識別番号】100109335

【弁理士】

【氏名又は名称】上杉 浩

(74)【代理人】

【識別番号】100120525

【弁理士】

【氏名又は名称】近藤 直樹

(74)【代理人】

【識別番号】100139712

【弁理士】

【氏名又は名称】那須 威夫

(74)【代理人】

【識別番号】100141553

【弁理士】

【氏名又は名称】鈴木 信彦

(74)【代理人】

【識別番号】100196612

【弁理士】

【氏名又は名称】鎌田 慎也

(72)【発明者】

【氏名】アレクサンダー クロクマル

(72)【発明者】

【氏名】アレクサンダー ブラント

(72)【発明者】

【氏名】ドール ペリー

(72)【発明者】

【氏名】アッシャー ペレド

(72)【発明者】

【氏名】マシュー ウォーミントン

【テーマコード（参考）】

2G001

4M106

【Ｆターム（参考）】

2G001AA01

2G001BA04

2G001BA29

2G001CA01

2G001DA06

2G001EA03

2G001LA11

2G001PA11

4M106AA01

4M106CA48

4M106CA50

4M106CB21

4M106DB04

4M106DB07

4M106DB18

4M106DH03

4M106DH12

4M106DH25

4M106DH34

4M106DJ04

(57)【要約】

【課題】Ｘ線測定におけるナビゲーション精度を向上させるための方法及びシステムを提供すること。
【解決手段】システムは、第１及び第２の撮像組立体と、プロセッサとを含む。第１の撮像組立体は、試料中の測定部位の第１の画像を生成するように構成される。第２の撮像組立体は、測定組立体と結合され、測定部位の第２の画像を生成するように構成される。プロセッサは、（ｉ）第１の画像に基づいて、測定組立体に対する試料の第１の移動を実行し、（ｉｉ）第２の画像に基づいて、試料を測定組立体と位置合わせするための試料の第２の移動を実行し、（ｉｉｉ）測定組立体を制御して測定部位において測定を実行する、ように構成される。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

システムであって、
試料中の測定部位の第１の画像を生成するように構成された第１の撮像組立体と、
測定組立体と結合され、前記測定部位の第２の画像を生成するように構成された第２の撮像組立体と、
プロセッサと、
を含み、
前記プロセッサは、
（ｉ）前記第１の画像に基づいて、前記測定組立体に対する前記試料の第１の移動を実行し、
（ｉｉ）前記第２の画像に基づいて、前記試料を前記測定組立体と位置合わせするため前記試料の第２の移動を実行し、
（ｉｉｉ）前記測定部位にて測定を実行するように前記測定組立体を制御する、
ように構成される、
システム。

【請求項2】

前記試料は半導体基板を含み、前記測定部位は、前記半導体基板において生成された構造体を含み、前記第１の撮像組立体は光学顕微鏡を含み、前記第２の撮像組立体は光学カメラを含む、請求項１に記載のシステム。

【請求項3】

前記光学顕微鏡は、１又は２以上の倍率で前記第１の画像を生成するように構成され、前記光学カメラは、前記第２の画像を生成するように構成され、前記プロセッサは、前記第１の画像及び前記第２の画像において前記測定部位を識別するように構成される、請求項２に記載のシステム。

【請求項4】

前記測定組立体は、１又は２以上のＸ線検出器組立体（ＸＤＡ）を含み、各ＸＤＡは、測定位置を囲む複数のエネルギー分散型Ｘ線検出器を含み、（ｉ）前記光学顕微鏡と前記測定位置との間の第１の距離が５０ｍｍよりも大きく、（ｉｉ）前記光学カメラと前記測定位置との間の第２の距離が２５ｍｍよりも小さい、請求項２及び３の何れかに記載のシステム。

【請求項5】

少なくとも前記第２の画像に基づいて、前記プロセッサは、前記測定位置を前記測定部位と位置合わせするように構成される、請求項４に記載のシステム。

【請求項6】

前記光学カメラは、前記エネルギー分散型Ｘ線検出器の少なくとも１つから２０ｍｍよりも小さい第３の距離に位置決めされる、請求項４に記載のシステム。

【請求項7】

前記光学カメラは、単一の倍率で前記第２の画像を生成するように構成される、請求項４に記載のシステム。

【請求項8】

前記エネルギー分散型Ｘ線検出器の少なくとも１つは、シリコンドリフト検出器（ＳＤＤ）を含む、請求項４に記載のシステム。

【請求項9】

Ｘ線ビームを前記測定位置に向けるように構成されたＸ線源を含み、前記Ｘ線ビームを向けることに応答して、前記エネルギー分散型Ｘ線検出器の少なくとも１つが、前記試料から放出される蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）を検出するように構成される、請求項４に記載のシステム。

【請求項10】

前記測定位置が前記測定部位と位置合わせされたときに、前記プロセッサは、前記半導体基板に生成された構造体においてＸＲＦ測定を実行するように構成される、請求項９に記載のシステム。

【請求項11】

（ｉ）前記第１の画像に基づいて、前記プロセッサは、前記第１の移動において、前記測定部位と前記測定位置との間の第１の位置決め誤差を得るように構成され、（ｉｉ）前記第２の画像に基づいて、前記プロセッサは、前記第２の移動において、前記測定部位と前記測定位置との間の第２の位置決め誤差を得るように構成され、前記第２の位置決め誤差は、前記第１の位置決め誤差よりも小さい、請求項４に記載のシステム。

【請求項12】

前記光学カメラ及び前記エネルギー分散型Ｘ線検出器は、前記測定組立体の共通の支持構造体に結合される、請求項４に記載のシステム。

【請求項13】

前記第１の移動及び前記第２の移動の少なくとも一方は、複数の移動を含む、請求項１に記載のシステム。

【請求項14】

前記第２の移動は、前記第１の移動よりも小さい、請求項１に記載のシステム。

【請求項15】

システムであって、
（ｉ）第１の撮像組立体からの第１の信号及び（ｉｉ）測定組立体と結合された第２の撮像組立体からの第２の信号を受け取るように構成されたインターフェースと、
プロセッサと、
を含み、
前記プロセッサは、（ｉ）前記第１の信号に基づいて、試料中の測定部位を識別し、（ｉｉ）前記測定組立体に対する前記試料の第１の移動を実行し、（ｉｉｉ）前記第２の信号に基づいて前記測定部位を識別し、（ｉｖ）前記測定部位において測定を実行するために前記測定組立体に対する前記試料の第２の移動を実行する、ように構成される、
システム。

【請求項16】

前記試料は半導体基板を含み、前記測定部位は、前記半導体基板に生成された構造体を含み、前記第１の撮像組立体は光学顕微鏡を含み、前記第２の撮像組立体は光学カメラを含む、請求項１５に記載のシステム。

【請求項17】

前記測定組立体は、１又は２以上のＸ線検出器組立体（ＸＤＡ）を含み、各ＸＤＡは、測定位置を囲む複数のエネルギー分散型Ｘ線検出器を含み、（ｉ）前記光学顕微鏡と前記測定位置との間の第１の距離が５０ｍｍよりも大きく、（ｉｉ）前記光学カメラと前記測定位置との間の第２の距離が２５ｍｍよりも小さい、請求項１６に記載のシステム。

【請求項18】

（ｉ）前記第１の信号に基づいて、前記プロセッサは、前記第１の移動において、前記測定部位と前記測定位置との間の第１の位置決め誤差を得るように構成され、（ｉｉ）前記第２の信号に基づいて、前記プロセッサは、前記第２の移動において、前記測定部位と前記測定位置との間の、前記第１の位置決め誤差よりも小さい第２の位置決め誤差を得るように構成される、請求項１７に記載のシステム。

【請求項19】

前記エネルギー分散型Ｘ線検出器の少なくとも１つは、シリコンドリフト検出器（ＳＤＤ）を含む、請求項１７に記載のシステム。

【請求項20】

前記光学カメラ及び前記エネルギー分散型Ｘ線検出器は、前記測定組立体の共通の支持構造体に結合される、請求項１７に記載のシステム。

【請求項21】

方法であって、
第１の撮像組立体から第１の信号を受け取り、測定組立体に結合された第２の撮像組立体から第２の信号を受け取るステップと、
前記第１の信号に基づいて、試料中の測定部位を識別し、前記測定組立体に対する前記試料の第１の移動を実行するステップと、
前記第２の信号に基づいて前記測定部位を識別し、前記測定組立体と前記試料を位置合わせするために前記測定組立体に対する前記試料の第２の移動を実行するステップと、
前記測定部位において測定を行うステップと、
を含む、方法。

【請求項22】

前記試料は半導体基板を含み、前記測定部位は、前記半導体基板に生成された構造体を含み、前記第１の撮像組立体は光学顕微鏡を含み、前記第２の撮像組立体は光学カメラを含む、請求項２１に記載の方法。

【請求項23】

前記測定組立体は、１又は２以上のＸ線検出器組立体（ＸＤＡ）を含み、各ＸＤＡは、測定位置を囲む複数のエネルギー分散型Ｘ線検出器を含み、（ｉ）前記光学顕微鏡と前記測定位置との間の第１の距離は５０ｍｍよりも大きく、（ｉｉ）前記光学カメラと前記測定位置との間の第２の距離は２５ｍｍよりも小さい、請求項２２に記載の方法。

【請求項24】

（ｉ）前記第１の信号に基づいて、前記第１の移動において前記測定部位と前記測定位置との間の第１の位置決め誤差を得るステップと、
（ｉｉ）前記第２の信号に基づいて、前記第２の移動において前記測定部位と前記測定位置との間の、前記第１の位置決め誤差よりも小さい第２の位置決め誤差を得るステップと、を更に含む、請求項２３に記載の方法。

【請求項25】

前記カメラ及び前記エネルギー分散型Ｘ線検出器は、前記測定組立体の共通の支持構造体に結合される、請求項２４に記載の方法。

【請求項26】

前記第２の移動を実行するステップは、前記第１の移動と比較してより小さい移動を実行するステップを含む、請求項２１～２５の何れかに記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、一般に、Ｘ線分析に関し、特に、Ｘ線測定におけるナビゲーション精度を向上させるための方法及びシステムに関する。

【背景技術】

【0002】

半導体製造プロセスにおけるナビゲーション精度を向上させるための様々な技術が公開されている。

【0003】

例えば、米国特許出願公開第２００７／０２９０７０３号は、導電性端子を露出させた被検試料の表面を観察するために位置付けられる高解像度顕微鏡を使用して、集積回路の被検試料上の電気試験信号でプロービングする方法及びシステムを記載している。顕微鏡に対して被検試料を支持するためのキャリアを備えたハウジングが設けられ、プローブ組立体は、被検試料との間で電気テスト信号を搬送及び取得するために被検試料の表面上に位置決め可能である。プローブ及びキャリアの少なくとも一方を所定の試験位置にシフトさせるために駆動システムが設けられる。一形態では、システムは、駆動システムの動作時に発生する熱エネルギーからプローブ組立体及びキャリアの一方を保護するための熱シールドを有し、別の形態では、システムは、被検試料から正確な測定を行うことができるようにハウジング内を所望の温度に維持するための環境制御部を有する。

【0004】

米国特許出願公開第２０２０／０３１９４４３号は、オートフォーカスシステムが開示されていることを記載している。システムは、照明源を含む。システムは、アパーチャを含む。システムは、投影マスクを含む。システムは、検出器組立体を含む。システムは、中継システムを含み、中継システムは、投影マスクを介して伝送される照明を撮像システムに光学的に結合するように構成される。リレーシステムはまた、投影マスクから１又は２以上のパターンを被検試料に投影し、被検試料から検出器組立体に投影マスクの画像を送るように構成される。システムは、プログラム命令のセットを実行するように構成された１又は２以上のプロセッサを含むコントローラを含む。プログラム命令は、１又は２以上のプロセッサに、検出器組立体から投影マスクの１又は２以上の画像を受信させ、投影マスクの１又は２以上の画像の品質を決定させるように構成されている。

【0005】

米国特許出願公開第２０１９／０３１００８０号は、サイト毎アライメントを提供するオーバーレイ計量ツールが、テレセントリック撮像システムに結合されたコントローラを含むことを記載されている。コントローラは、撮像システムによって２又は３以上の合焦位置で取り込まれた試料上のオーバーレイターゲットの２又は３以上のアライメント画像を受信し、アライメント画像に基づいて撮像システム内のオーバーレイターゲットのアライメントを示すアライメントデータを生成し、オーバーレイターゲットのアライメントが選択したアライメント公差内にある場合にはアライメント画像を測定画像としてセットし、オーバーレイターゲットのアライメントが選択されたアライメント公差外である場合には、撮像システムにおけるオーバーレイターゲットのアライメントを調整するように撮像システムに指示して、撮像システムから１又は２以上の測定画像を更に受け取り、次いで、測定画像の少なくとも１つに基づいて試料の２又は３以上の層間のオーバーレイを判定することができる。

【0006】

米国特許出願公開第２０１５／０２４１４６９号は、走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）システム及び関連する方法を記載している。ＳＰＭシステムは、試料のナノスケール特徴と相互作用し、ターゲット領域内で走査してそのターゲット領域の３次元画像を生成するように適合されたプローブを有し、システムは、試料固有の座標系に従って試料の複数の関心特徴の位置情報を維持し、ＳＰＭシステムは、ＳＰＭ座標系に従って試料に対するプローブの位置決めを調整するように構成されており、ＳＰＭシステムは更に、試料固有座標系と前記ＳＰＭ座標系との間のアライメント誤差のセットを決定して、決定したアライメント誤差を相殺するために前記ＳＰＭ座標系に補正を適用することによって、試料固有座標系とＳＰＭ座標系との動的関係を管理するように構成される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】米国特許出願公開第２００７／０２９０７０３号明細書

【特許文献2】米国特許出願公開第２０２０／０３１９４４３号明細書

【特許文献3】米国特許出願公開第２０１９／０３１００８０号明細書

【特許文献4】米国特許出願公開第２０１５／０２４１４６９号明細書

【特許文献5】米国特許第６，１０８，３９８号明細書

【特許文献6】米国特許第９，６３２，０４３号明細書

【発明の概要】

【0008】

本明細書で説明する本発明の実施形態は、第１及び第２の撮像組立体と、プロセッサとを含むシステムを提供する。

【0009】

第１の撮像組立体(first imaging assembly)は、試料中の測定部位(measurement site)の第１の画像を生成する(produce)ように構成される。第２の撮像組立体は、測定組立体(measurement assembly)と結合され、測定部位の第２の画像を生成するように構成される。プロセッサは、（ｉ）第１の画像に基づいて、測定組立体に対する試料の第１の移動を実行し、（ｉｉ）第２の画像に基づいて、試料を測定組立体と位置合わせするため試料の第２の移動を実行し、（ｉｉｉ）測定部位において測定を実行するように測定組立体を制御する、ように構成される。

【0010】

幾つかの実施形態において、試料は半導体基板を含み、測定部位は、半導体基板において生成された構造体(structure)を含み、第１の撮像組立体は光学顕微鏡を含み、第２の撮像組立体は光学カメラを含む。

【0011】

他の実施形態では、光学顕微鏡は、１又は２以上の倍率で第１の画像を生成するように構成され、光学カメラは、第２の画像を生成するように構成され、プロセッサは、第１の画像及び第２の画像において測定部位を識別するように構成される。更に他の実施形態では、測定組立体は、１又は２以上のＸ線検出器組立体(X-ray detector assemblies)（ＸＤＡ）を含み、各ＸＤＡは、測定位置を取り囲む複数のエネルギー分散型Ｘ線検出器(X-ray detector assemblies)を含み、（ｉ）光学顕微鏡と測定位置との間の第１の距離は５０ｍｍよりも大きく、（ｉｉ）光学カメラと測定位置との間の第２の距離は２５ｍｍよりも小さい。

【0012】

幾つかの実施形態では、少なくとも第２の画像に基づいて、プロセッサは、測定位置を測定部位と位置合わせするように構成される。他の実施形態では、光学カメラは、ＳＤＤの少なくとも１つから２０ｍｍよりも小さい第３の距離に位置決めされる(positioned)。更に他の実施形態では、光学カメラは、単一の倍率で第２の画像を生成するように構成される。

【0013】

幾つかの実施形態では、エネルギー分散型Ｘ線検出器の少なくとも１つは、シリコンドリフト検出器（ＳＤＤ）を含む。他の実施形態では、システムは、Ｘ線ビームを測定位置に向ける(direct)ように構成されたＸ線源を含み、Ｘ線ビームを向けることに応答して、エネルギー分散型Ｘ線検出器の少なくとも１つが、試料から放出される蛍光Ｘ線(X-ray fluorescence)（ＸＲＦ）を検出するように構成される。更に他の実施形態では、測定位置が測定部位と位置合わせされたとき、プロセッサは、半導体基板に生成された構造体においてＸＲＦ測定を実行するように構成される。

【0014】

幾つかの実施形態では、（ｉ）第１の画像に基づいて、プロセッサは、第１の移動において、測定部位と測定位置との間の第１の位置決め誤差を得るように構成され、（ｉｉ）第２の画像に基づいて、プロセッサは、第２の移動において、測定部位と測定位置との間の第２の位置決め誤差を得るように構成され、第２の位置決め誤差は、第１の位置決め誤差よりも小さい。他の実施形態では、光学カメラ及びＳＤＤは、測定組立体の共通の支持構造体(common support structure)に結合される。

【0015】

実施形態において、第１の移動及び第２の移動の少なくとも一方は、複数の移動を含む。別の実施形態では、第２の移動は、第１の移動よりも小さい。

【0016】

本発明の実施形態によれば、システムであって、（ａ）（ｉ）第１の撮像組立体からの第１の信号及び（ｉｉ）測定組立体と結合された第２の撮像組立体からの第２の信号を受け取る（受信する）ように構成されインターフェースと、（ｂ）プロセッサと、を備え、上記プロセッサが、（ｉ）第１の信号に基づいて、試料中の測定部位を識別し、（ｉｉ）測定組立体に対する試料の第１の移動を実行し、（ｉｉｉ）第２の信号に基づいて測定部位を識別し、（ｉｖ）測定部位において測定を実行するために測定組立体に対する試料の第２の移動を実行する、ように構成される、システムが追加的に提供される。

【0017】

本発明の実施形態によれば、第１の撮像組立体から第１の信号、及び測定組立体に結合された第２の撮像組立体から第２の信号を受け取る（受信する）ステップを含む方法が、追加的に提供される。測定部位は、第２の信号に基づいて識別され、測定組立体に対する試料の第２の移動が、試料を測定組立体と位置合わせするために実行される。測定は、測定部位において実行される。

【0018】

本発明は、その実施形態に関する以下の詳細な説明を図面と共に参照することによって、より完全に理解されるであろう。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1】本発明の実施形態による蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）測定のためのシステムの概略説明図である。

【図2】本発明の実施形態による蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）測定のためのシステムの概略説明図である。

【図3】本発明の実施形態による、上記図２のシステムのＸ線検出器組立体（ＸＤＡ）及び光学顕微鏡の概略説明図である。

【図4】本発明の実施形態による、上記図１及び図２のシステムにおいて、Ｘ線計測を行い、ナビゲーション精度を向上させる方法を概略的に示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0020】

（概要）
集積回路（ＩＣ）の超大規模集積回路（ＶＬＳＩ）製造プロセスは、通常、製造された構造体が設計要件を満たしていることを確認するために、ＩＣデバイス内の予め定義された測定部位にてＸ線測定などの測定を含む。ＩＣデバイス内の構造体の寸法が小さくなると、測定部位のサイズが小さくなり、従って、各測定部位で適切な測定を可能にするためのナビゲーション精度(navigation accuracy)の要件が高くなる。

【0021】

以下に説明する本発明の実施形態は、ＩＣの製造中及び製造後に、ＩＣ内の特定部位でのプロセス及び／又は検査もしくは測定を実行するように構成されたシステムのナビゲーション精度を向上させる技術を提供する。本発明の実施例では、システムは、Ｘ線システムを備え、このシステムは、限定ではないが、製造中の複数のＩＣを含む半導体基板（例えば、ウェーハ）などの試料上に定められた１又は２以上の測定部位でＸ線測定を実施するように構成される。

【0022】

幾つかの実施形態では、Ｘ線システムは、測定部位にＸ線ビームを向けるように構成されたＸ線源と、測定部位を囲む複数のシリコンドリフト検出器（ＳＤＤ）又は他の固体エネルギー分散型検出器を含むことができる、Ｘ線検出器組立体（ＸＤＡ）などの測定組立体とを備える。Ｘ線ビームを向けることに応答して、ＳＤＤの少なくとも１つ、典型的には全てのＳＤＤは、限定ではないが、半導体ウェーハから放出される蛍光（ＸＲＦ）などのＸ線を検出するように構成される。

【0023】

幾つかの実施形態では、Ｘ線システムは、ウェーハにおける測定部位の第１の画像を生成するように構成された第１の撮像組立体、本発明の例では光学顕微鏡（ＯＭ）を備える。ＯＭは、本明細書において低倍率及び高倍率と呼ばれる、少なくとも２つの倍率を有することができる。低倍率（例えば、約１倍の倍率の対物レンズを有する）は、ＯＭの視野（ＦＯＶ）内の測定部位を識別するのに使用することができる。高倍率は、第１の画像を生成するのに使用することができる（例えば、約５倍と２０倍の間の倍率の対物レンズを使用して）。加えて又は代替的に、低倍率の対物レンズは、測定部位の第１の画像を取得するのに使用してもよい。

【0024】

幾つかの実施形態では、Ｘ線システムは、測定組立体と結合され、測定部位の第２の画像を生成するように構成された第２の撮像組立体、本発明の例では単一の倍率を有するカメラを備える。本明細書及び特許請求の範囲において、「と結合される(coupled with)」及び「に結合される(coupled to)」という用語はまた、カメラがそれぞれの測定組立体と一体化されていること又は一体化されることを指す。

【0025】

幾つかの実施形態では、Ｘ線システムは、プロセッサによって制御され、Ｘ線源、ＸＤＡ及び撮像組立体に対してウェーハを相対的に移動させるように構成された可動ステージを備える。第１の画像及び第２の画像に基づいて、プロセッサは、測定部位にてＸ線測定を実行するように、ＸＤＡの構成によって定義された測定位置と（ウェーハ上に定義された）測定部位を位置合わせするようにステージを制御するよう構成される。留意すべきは、測定位置と測定部位との間に何らかの位置ずれ（例えば、横方向のオフセット）があると、測定部位ではない別の構造体を測定することになり、従って、プロセス制御の品質を低下させる可能性がある。

【0026】

幾つかの実施形態では、ＯＭのＦＯＶは、Ｘ線システムにおいて、Ｘ線源及びＸＤＡの構成によって定義される測定位置から約５０ｍｍよりも大きい距離、典型的には約１００ｍｍの距離に配置される。更に、Ｘ線システムが、２又は３以上のＸ線源及びＸＤＡを備える場合、ＯＭと所与の測定位置との間の距離は、少なくとも１００ｍｍとすることができる。典型的には、ステージの位置決め精度は、とりわけ、測定位置に対する測定部位の移動距離によって決定される。従って、ステージの移動が短いほど、位置決め精度が向上することになり、従って、Ｘ線測定の品質に不可欠である、測定位置と測定部位との間の位置合わせ(alignment)が向上する。本明細書及び特許請求の範囲において、Ｘ線測定の「品質(quality)」という用語は、測定結果の正確さ（例えば、再現性(repeatability)）及び精度を意味する。例えば、ウェーハ上に配置された同じ部位ではなく、（位置決め精度の誤差に起因して）異なる部位を測定する場合は、再現性が低下する。

【0027】

幾つかの実施形態では、上述の構成において、カメラのＦＯＶは、約３ｍｍ×３ｍｍのサイズを有し、ＦＯＶの中心は、測定部位から約２５ｍｍよりも小さい距離に配置される。本発明の実施例では、約１０ｍｍ又は２０ｍｍの距離にある。

【0028】

幾つかの実施形態では、測定を実行する前に実施されるシステムの較正ステップにおいて、プロセッサは、可動ステージのマッピングを実行するように構成され、ステージの固有の位置決め精度が改善されるようにする。例えば、ステージのマッピングの後、ステージの位置決め誤差は、（ｉ）約１００ｍｍの移動において約３μｍと６μｍの間、及び（ｉｉ）約１０ｍｍの移動において約０．３μｍと０．６μｍの間となる。本明細書及び特許請求の範囲において、「位置決め誤差(positioning error)」という用語は、意図された位置と、ウェーハ上の所与の位置、例えば測定部位の実際の位置との間のオフセット（距離で測定される）を意味する。

【0029】

幾つかの実施形態では、ステージマッピングの後でウェーハの処理中に、プロセッサは、複数の測定部位の座標を受け取るように構成される。各測定部位について、プロセッサは、ＯＭの低倍率ＦＯＶ内に測定部位を位置付けるためにウェーハを移動させるように構成されている。プロセッサは、第１の画像にパターン認識アルゴリズムを適用するなど、何れかの適切な技術を使用して測定部位を識別し、測定部位の第１の画像を取得及び生成するために高倍率を使用するようにＯＭを制御するよう構成される。

【0030】

幾つかの実施形態では、第１の画像に基づいて、プロセッサは、ウェーハの第１の移動を実行するようにステージを制御するように構成され、カメラのＦＯＶ内に測定部位が位置付けられるようにする。ステージの第１の移動は、約１００ｍｍの移動範囲（又は他の何れかの適切な移動）を有し、測定部位が典型的にはカメラのＦＯＶ内に位置するようにする点に留意されたい。

【0031】

幾つかの実施形態では、プロセッサは、カメラを制御して測定部位の第２の画像を生成するように構成される。このような実施形態では、プロセッサは、第１の画像及び第２の画像の両方において測定部位を識別するためのパターン認識アルゴリズムを適用することができる。その後、プロセッサは、例えば約１０ｍｍ又は２０ｍｍの第２の移動を実行するようにステージを制御するように構成され、測定部位が測定位置と位置合わせされるようにする。上述のように、ステージの移動距離を短くする、例えば約１０ｍｍにすることで、約１００ｍｍのステージ移動のときに得られる位置合わせと比較して、測定部位と測定位置との間の位置合わせが著しく改善される点に留意されたい。

【0032】

幾つかの実施形態では、第１の移動及び第２の移動の少なくとも一方は、複数の移動を含む。言い換えれば、第１の移動を行った後の１又は２以上の位置調整において、移動の一方又は両方を実施することができる。更に、第２の移動は、典型的には、第１の移動よりも小さい。

【0033】

幾つかの実施形態では、測定部位と測定位置を位置合わせした後、プロセッサは、測定組立体を制御して、測定部位にてＸ線測定を実行するように構成される。より具体的には、プロセッサは、Ｘ線源を制御して、Ｘ線ビームを測定部位に印加し、Ｘ線ビームの印加に応答してＳＤＤから受け取った信号に基づいてＸ線測定を実行する。

【0034】

開示された技術は、集積回路の生産プロセスにおいて、予め定義された測定部位にて測定を実行するＸ線システム及び他のシステムのナビゲーション精度及び測定品質を向上させる。

【0035】

（システム記述）
図１は、本発明の一実施形態による、Ｘ線システム２０の概略説明図である。

【0036】

幾つかの実施形態では、システム２０は、試料の測定部位にてＸ線測定を実行するように構成される。本発明の例では、試料は、集積回路（ＩＣ）デバイスのトランジスタ、ダイオード、メモリセルなどの構造体を有する、本明細書ではウェーハ２２と呼ばれる半導体基板を含む。本実施例では、システム２０は、蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）システムを含み、本出願人のＸＲＦシステムに関する実施形態は、例えば、米国特許第６，１０８，３９８号及び第９，６３２，０４３号において詳細に記載されている。

【0037】

幾つかの実施形態では、システム２０は、高電圧電源ユニット（ＰＳＵ）２６によって駆動される、Ｘ線源２４、本発明の例ではＸ線管を含む。Ｘ線管は、システム２０のＸＹＺ座標系においてＸ線源２４と位置合わせされたＸ線光学系２８に適切なエネルギー範囲及びフラックスを有するＸ線を放出するように構成されている。Ｘ線光学系２８は、本明細書では測定位置（ＭＰ）３０と呼ばれる小領域、例えば、ウェーハ２２の表面上の典型的には約１０μｍと２０μｍの間であるが、幾つかの用途では約１００μｍの大きさとすることができる直径を有するスポット上にＸ線ビームを合焦するように構成される。

【0038】

本明細書及び特許請求の範囲において、何れかの数値又は範囲に対する「約」又は「およそ」という用語は、構成要素の部品又は集合体が、本明細書に記載されるような意図する目的のために機能することを可能にする適切な寸法公差を示す。

【0039】

幾つかの実施形態では、システム２０は、本明細書では第１の撮像組立体又は光学顕微鏡（ＯＭ）５０とも呼ばれる統合光学検査システムを備え、位置２７にてウェーハ２２の表面の画像を生成するように構成される。本発明の実施例では、ＯＭ５０は、位置２７におけるウェーハ２２の表面の高倍率（例えば、約５倍と２０倍の間）画像及び低倍率（例えば、約１倍）画像を生成するように構成された少なくとも２つの対物レンズを有する。本発明の実施例では、ＯＭ５０の位置は、位置２７とＭＰ３０との間の距離２５を決定し、例えば、距離２５は、約５０ｍｍよりも大きく、典型的には約１００ｍｍである。

【0040】

幾つかの実施形態では、システム２０は、測定組立体３５を備え、これは、ＭＰ３０と位置合わせされているウェーハ２２の部位で１又は２以上のＸ線測定を実行するように構成される。言い換えれば、Ｘ線測定は、ＭＰ３０がウェーハ２２の表面上に位置する場所で実施される。

【0041】

幾つかの実施形態では、測定組立体３５は、限定ではないが固体エネルギー分散型Ｘ線検出器などの適切な検出器の１又は２以上のセットを含み、本発明の例では、固体エネルギー分散型Ｘ線検出器は、Ｂｒｕｋｅｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（マサチューセッツ州０１８２１、米国）により供給されるＳＤＤ、又は限定ではないがＡｍｐｔｅｋ Ｉｎｃ． （マサチューセッツ州０１７３０、米国）、及びＫＥＴＥＫ ＧｍｂＨ（ミュンヘン、８１７３７、ドイツ）などの他の何れかの適切なＳＤＤ供給業者によるＳＤＤなど、シリコンドリフト検出器（ＳＤＤ）３２を含む。ＳＤＤ３２の各セットは、それぞれのＸ線検出器組立体（ＸＤＡ）３１に配置される。

【0042】

ここで、測定組立体３５の底面図を示す挿入図２９を参照する。本発明の実施例において、測定組立体３５は、測定組立体３５のＸＹ平面（ＸＹＺ座標系によって定義される）上のＭＰ３０の位置の投影を囲む予め定められた幾何形状に配置された４つのＳＤＤ３２を備えた単一のＸＤＡ３１を含む。

【0043】

ここで、システム２０の全体図に戻り参照する。幾つかの実施形態では、システム２０は、測定組立体３５と結合される第２の撮像組立体、本発明の例ではカメラ３３を備える。例えば、カメラ３３は、例えば、システム２０の測定組立体３５を製造する際に、測定組立体３５と一体化される。カメラ３３は、典型的には、ＳＤＤ３２の何れとも直接結合されていないが、カメラ３３及びＳＤＤ３２の両方は、測定組立体３５の共通の支持構造体（例えば、プレート）に結合され、その間で信号を交換するための電気リード又はトレースを介して外部エンティティ（後述のプロセッサなど）に電気的に接続されていることに留意されたい。

【0044】

幾つかの実施形態では、カメラ３３は、ＭＰ３０から距離２３に位置する位置２１でウェーハ２２の表面の画像を生成するように構成される。本発明の例では、距離２３は、約２５ｍｍよりも小さく、典型的には約１０ｍｍであり、カメラ３３は単倍率を有し、カメラ３３によって生成された画像は、ウェーハ２２の表面の約３ｍｍ×３ｍｍの視野（ＦＯＶ）を有している。

【0045】

代替の実施形態では、カメラ３３は、測定組立体３５と結合されることなく、（ＭＰ３０から距離２３に位置するウェーハ２２の部位で画像を生成するための）適切な位置でシステム２０に配置することができる。

【0046】

測定組立体３５、ＸＤＡ３１、及びカメラ３３の構成は、例として提供されるものである。他の実施形態では、測定組立体３５は、何れかの適切な数のＸＤＡ３１を含むことができ、その各々は、何れかの適切な構成で配置した何れかの適切な数のＳＤＤ３２（及び／又は任意の他の適切なタイプの検出器）を有する。更に、測定組立体３５は、カメラ３３に加えて又はカメラ３３の代わりに、何れかの適切な構成を使用して配置された、共に結合された何れかの適切な数の撮像組立体を有することができる。

【0047】

幾つかの実施形態では、システム２０は、本明細書で説明するように、プロセッサ３４を有する信号処理ユニット３８と、プロセッサ３４とシステム２０の他のエンティティとの間で信号を交換するように構成されたインターフェース３６と、を備える。システム２０は、プロセッサ３４によって制御され、ＸＹＺ座標系のＸＹ方向、及び任意選択的にＺ方向にもウェーハ２２を移動させるように構成された可動ステージ４０を備える。加えて又は代替的に、ステージ４０は、ＸＹＺ座標系のＺ軸を中心にウェーハを回転させるように更に構成される。

【0048】

幾つかの実施形態では、測定を行う前に実施されるシステムの較正ステップにおいて、プロセッサ３４は、可動ステージ４０のマッピングを行って、ステージの固有の位置決め精度を向上するように構成される。例えば、ステージマッピングの後、ステージ４０の位置決め誤差は、（ｉ）ステージ４０が約１００ｍｍ移動するときに約３μｍと６μｍとの間、及び（ｉｉ）ステージ４０が約１０ｍｍ移動するときに約０．３μｍと０．６μｍとの間となる。本明細書及び特許請求の範囲において、「位置決め誤差」という用語は、システム２０の基準位置に対するウェーハ２２の選択部位の意図された位置と実際の位置との間のＸＹ平面におけるオフセット（距離単位、例えば、ミリメートルで測定）をいう。場合によっては、位置決め誤差は一定ではなく、ステージ４０のＸＹ平面にわたって変化することになる。

【0049】

幾つかの実施形態では、Ｘ線測定の実行を開始するとき、プロセッサ３４は、システム２０によって測定することを意図した１又は２以上の測定部位のリストを受け取るように構成される。リストから測定部位を選択すると、ウェーハ２２が、選択された測定部位がＺ軸に沿ってＯＭ５０と位置合わせされるように移動され、プロセッサ３４はＯＭ５０を制御して、測定部位の第１の画像を生成する。プロセッサ３４は、ＯＭ５０から第１の画像を受け取り、第１の画像のＦＯＶ内の測定部位を識別するためにパターン認識アルゴリズムを適用するように構成される点に留意されたい。幾つかの実施形態では、プロセッサ３４は、第１の画像を取得するためのＯＭ５０の倍率を制御するように構成される。

【0050】

その後、プロセッサ３４は、ステージ４０を制御して、カメラ３３のＦＯＶ内に測定部位を配置するようにウェーハ２２の移動（本明細書では第１の移動とも呼ばれる）を実行する。ステージ４０の第１の移動は、約１００ｍｍ（例えば、約８０ｍｍと１２０ｍｍの間）である距離２５及び２３の移動範囲を有し、測定部位は、典型的にはカメラ３３のＦＯＶの３ｍｍ×３ｍｍ内に位置するようになる。

【0051】

幾つかの実施形態では、選択された測定部位がカメラ３３と位置合わせされると、プロセッサ３４は、カメラ３３を制御して測定部位の第２の画像を生成するように構成される。このような実施形態では、プロセッサ３４は、第２の画像において測定部位を識別するためのパターン認識アルゴリズムを適用することもできる。その後、プロセッサ３４は、ステージ４０を制御して、測定部位をＭＰ３０に位置合わせさせるために、距離２３に沿って位置２１から、例えば約１０ｍｍの移動（本明細書では第２の移動と呼ぶ）を実行するように構成される。本明細書及び特許請求の範囲において、用語「位置合わせ(align)」及びその文法的変異は、ＸＹＺ座標系のＸＹ平面において約０．５ｕｍよりも小さいオフセットを有する位置決め精度を指すことに留意されたい。

【0052】

幾つかの実施形態では、ステージ４０が移動する距離を、例えば約１００ｍｍから約１０ｍｍに低減することで、ステージ４０の位置決め精度が、例えば約５μｍから約０．５μｍにそれぞれ大幅に向上される（すなわち、位置決め誤差が低減される）。位置決め精度の向上により、ウェーハ２２上の選択された測定部位とＭＰ３０との間の位置合わせが改善される。

【0053】

幾つかの実施形態では、測定部位とＭＰ３０を位置合わせした後、プロセッサ３４は、Ｘ線源２４及び測定組立体３５を制御して、測定部位にてＸ線測定を実行するように構成される。

【0054】

より具体的には、幾つかの実施形態では、プロセッサ３４は、Ｘ線源２４を制御して、Ｘ線ビームをＭＰ３０に印加する。ウェーハ２２の表面に向けられて衝突するＸ線ビームに応答して、少なくとも１つのＳＤＤ３２、典型的には各ＳＤＤ３２は、ＭＰ３０と位置合わせされたウェーハ２２上の測定部位から放出されるＸＲＦを検出するように構成される。ＭＰ３０の位置は、Ｘ線源２４、Ｘ線光学系２８、及びＳＤＤ３２の構成及び配置、並びにウェーハ２２上の部位によって決定される点に留意されたい。このような実施形態では、Ｘ線ビームの印加に応答して、プロセッサ３４は、ＳＤＤ３２から受け取った信号に基づいてＸ線計測を行う。

【0055】

図１のこの特定の構成は、例として提供され、概念的に明確にするために単純化されている。他の実施形態では、ウェーハ２２は、適切な固定具に取り付けられるが、Ｘ線源２４、Ｘ線光学系２８及び測定組立体３５は、上述したＸ線測定を行うために移動される。

【0056】

代替の実施形態では、開示された技術は、光学ベース、ＸＲＦ以外のＸ線ベース、電子ビームベース、イオンビームベースのシステムなど、他のタイプの適切な測定及び検査システムにおいて、変更すべきところは変更して使用することができる。更に、開示された技術は、測定以外の局所的な操作を実行するように構成された他のタイプのシステムにおいて、変更すべきところは変更して使用することができる。例えば、半導体基板に限定されない何れかの適切な試料上で実施される、プロービングプロセス、局所堆積プロセス、局所エッチング及び／又はドリルプロセス用に設計されたシステムである。

【0057】

幾つかの実施形態では、プロセッサ３４は、汎用コンピュータを含み、本明細書で説明する機能を実行するためにソフトウェアにてプログラムされている。ソフトウェアは、例えば、ネットワークを介して、電子形式でコンピュータにダウンロードされてもよく、或いは、代替的又は追加的に、磁気、光学、又は電子メモリなどの非一時的な有形の媒体に提供及び／又は格納することができる。

【0058】

（複数のチャネルを有するシステムにおけるナビゲーション精度の向上）
図２は、本発明の実施形態によるＸ線システム１０の概略説明図である。幾つかの実施形態において、上記図１のシステム２０は、Ｘ線測定を行うための単一のチャネルを有するが、システム１０は、複数のチャネルを有する。

【0059】

幾つかの実施形態では、システム１０は、単一のステージ４０、単一のＯＭ５０、及び共通の処理ユニット３８（インターフェース３６及びプロセッサ３４を有する）を有し、これは、上述の図１に記載したシステム２０の構成と同様である。しかしながら、本発明の実施例では、システム１０は、Ｘ線測定チャネルの２つのセットを備える。システム１０の各Ｘ線測定チャネルは、ＰＳＵ２６と、Ｘ線源２４と、測定組立体３５とを備える。より具体的には、システム１０は、測定組立体３５ａ及び３５ｂを備え、その各々が、ＳＤＤ３２及びそれぞれのカメラ３３、例えば、上述の図１で詳細に説明したように、測定組立体３５ａ及び３５ｂにそれぞれ結合されたカメラ３３ａ及び３３ｂを有している。このような実施形態において、システム１０は、同時に、２つのナビゲーションプロセス（上述の図１に記載されているように改善されたナビゲーション精度を有する）、及びウェーハ２２の２つのそれぞれの測定部位における２つのＸ線測定を実施するように構成される。

【0060】

代替の実施形態では、システム１０は、２つの異なるステージ４０を有し、従って、上述の図１に記載された技術に基づいて、システム１０は、２つのウェーハ２２上で同時にＸ線測定を実行するように構成される。加えて又は代替的に、システム１０は、２つのＯＭ５０（すなわち、各チャネルに対して別個のＯＭ）を備えることができ、ナビゲーションプロセスの第１のステップ（すなわち、ＯＭ５０を使用して第１の画像を生成すること）が両方のウェーハ２２で同時に実施できるようになる。

【0061】

システム１０及び２０のこれらの特定の構成は、本発明の実施形態によって対処される位置決め誤差などの特定の問題を例示するため、及びこのようなシステムの性能を高める際のこれらの実施形態の適用を実証するために例として示されている。しかしながら、本発明の実施形態は、この特定の種類の例示的なＸＲＦシステムに限定されるものではなく、本明細書で説明する原理は、当該技術分野で知られている他の種類の測定システムにも同様に適用することができる。

【0062】

図３は、本発明の実施形態による、上記図２のシステム１０の測定組立体３５ａ及び３５ｂの概略説明図である。

【0063】

幾つかの実施形態では、測定組立体３５ａは、４つのＳＤＤ３２を有するＸＤＡ３１ａと、上記図１のカメラ３３のようなカメラ３３ａとを備え、ＭＰ３０の投影に対して固定位置で測定組立体３５ａに結合される。

【0064】

幾つかの実施形態では、測定組立体３５ａと比較して同様の構造体を有する測定組立体３５ｂは、４つのＳＤＤ３２を有するＸＤＡ３１ｂと、測定組立体３５ａのカメラ３３ａのようなカメラ３３ｂとを備える。カメラ３３ｂは、ＭＰ３０の投影に対して固定された位置で測定組立体３５ｂと結合される。

【0065】

幾つかの実施形態では、測定組立体３５ａ及び３５ｂの各々は、Ｙ軸に沿って約２００ｍｍ、Ｘ軸に沿って約８０ｍｍのサイズを有する矩形形状を有する。隣接するＳＤＤ３２の重心（ＣＯＧ）は、互いに約１５ｍｍよりも小さい距離に位置付けられ、各ＳＤＤ３２は、約１０ｍｍから１３ｍｍの間の直径を有し、カメラ（例えば、カメラ３３ａ）は、（図１及び３に示すように）隣接ＳＤＤ３２間又はＭＰ３０の投影から３０ｍｍもしくは２０ｍｍもしくは１０ｍｍよりも小さい距離に位置付けられた他の何れかの適切な場所に配置される。

【0066】

図３の例では、測定組立体３５ａ及び３５ｂは、互いから約１２０ｍｍの距離に位置付けられ、その間にＯＭ５０を配置するための十分なスペースを可能にするようにする。他の実施形態では、ＯＭ５０は、他の何れかの適切な位置でシステム１０に取り付けることができ、従って、測定組立体３５ａ及び３５ｂは、他の何れかの適切な距離で互いに位置付けることができる。Ｘ線チャネル間の距離は、ウェーハ２２のサイズ及びシステム１０のユーザのサンプリング機構に基づいて構成可能且つ決定することができ、ウェーハ２２上の（又は上述の実施形態における異なるウェーハ２２上の）２つのＸ線測定を同時に可能にすることができる点に留意されたい。

【0067】

測定組立体３５ａ及び３５ｂ並びにその構成要素の構成、形状、及び寸法は、例として提供される。他の実施形態では、測定組立体３５ａ及び３５ｂは、互いに類似していても異なっていてもよい、他の何れかの適切な構成を有することができ、図１及び図３に記載された構成要素に加えて又はその代わりに、同じ構成要素又は他の何れかの適切な構成要素を有することができる。

【0068】

図４は、本発明の実施形態による、Ｘ線システム２０においてＸ線測定を行って、ナビゲーション精度を向上させるための方法を概略的に示すフローチャートである。本方法は、上記図２のシステム１０においてＸ線測定を行う場合にも、変更すべきところは変更して適用することができる。

【0069】

ウェーハ装填ステップ１００において、プロセッサ３４は、システム２０上のウェーハ２２の装填（何れかの適切な装填技術を使用して）及びステージ４０上のウェーハ２２の配置を制御し、その後、ウェーハ２２をステージ４０に取り付けるように構成される。

【0070】

測定部位選択ステップ１０２において、プロセッサ３４は、測定部位のリストを受け取り、リストから測定部位を選択し、選択された測定部位をＯＭ５０と位置合わせするためにウェーハ２２（ステージ４０を用いて）を選択部位の座標に移動させ、上述の図１で詳細に説明したように、測定部位がＯＭ５０のＦＯＶ内に位置付けられるようにする。

【0071】

第１の画像生成ステップ１０４において、プロセッサ３４は、ＯＭ５０から受け取った画像信号に基づいて、測定部位の第１の画像を生成し、上述の図１で詳細に説明したように、第１の画像において測定部位を識別する。幾つかの実施形態では、プロセッサ３４は、識別された測定部位とＯＭ５０の視野（ＦＯＶ）の中心との間の距離を計算するように構成され、これは、とりわけ、ステージ４０の配置誤差を示す。

【0072】

幾つかの実施形態では、プロセッサ３４は、ステージ４０を制御して、計算された誤差を補正するため及び測定部位をＯＭ５０のＦＯＶの中心と位置合わせするために、ウェーハ２２を移動させる。

【0073】

第１の移動ステップ１０６において、プロセッサ３４は、ステージ４０を制御して、ウェーハ２２を約１００ｍｍ移動させ、測定組立体３５と結合されているカメラ３３と位置合わせされた測定部位を位置付けるように（例えば、ＸＹＺ座標系のＸＹ平面で）する。

【0074】

幾つかの実施形態では、プロセッサ３４は、ステップ１０４で計算された誤差を使用して、ステージ４０の位置決め精度を向上させるためのステージ４０のマッピング（本明細書では、ステージマッピングとも呼ばれる）を実行することができる。

【0075】

第２の画像生成ステップ１０８において、プロセッサ３４は、上述の図１において詳細に説明したように、カメラ３３から受け取った画像信号に基づいて、測定部位の第２の画像を生成する。ステップ１０８は、カメラ３３によって生成された第２の画像のＦＯＶ内に測定部位が位置付けられたときに終了する。

【0076】

幾つかの実施形態において、プロセッサ３４は、測定部位とカメラ３３から受け取った信号に基づいて生成された第２の画像のＦＯＶ中心との間の計算された距離に基づいて、ステージ４０の配置誤差を計算し、配置誤差を補正するためにステージマッピングを調整するように構成されている。

【0077】

幾つかの実施形態では、プロセッサ３４は、ステージ４０を制御して、計算された誤差を補正し、カメラ３３のＦＯＶの中心に測定部位を配置するためにウェーハ２２を移動させる。他の実施形態では、カメラ３３のＦＯＶの中心に測定部位を位置決めするためのウェーハ２２の移動は、方法の別のステップとみなすことができる点に留意されたい。

【0078】

第２の移動ステップ１１０において、プロセッサ３４は、ステージ４０を制御してウェーハ２２を約１０ｍｍ又は１５ｍｍ移動させ、上述の図１で詳細に説明したように、測定組立体３５のＸ線源２４及びＸＤＡ３１と（ＸＹ平面で）位置合わせされた測定部位を位置付けるようにする。

【0079】

Ｘ線測定ステップ１１２において、プロセッサ３４は、上述の図１で詳細に説明したように、測定組立体３５のＸ線源２４及びＸＤＡ３１を制御して、測定サイトにおいて１又は２以上のＸ線測定を実行する。

【0080】

決定ステップ１１４において、プロセッサ３４は、ウェーハ２２の別の測定部位にてＸ線測定を行うか否かをチェックする。別の測定が必要な場合、本方法はステップ１０２にループバックする。

【0081】

ウェーハ２２上で追加の測定が必要とされない場合、本方法は、ウェーハ装填解除ステップ１１６に進み、ここでプロセッサ３４が、システム２０のロボットを制御してウェーハ２２を装填解除する。

【0082】

図４の方法は、例として提供されたものであり、半導体ウェーハ上の測定又は１又は２以上の測定部位を有する他の適切な基板上の測定など、他のプロセスにおいて変更すべきところは変更して使用することができる。

【0083】

上述した実施形態は例として引用されたものであり、添付の特許請求の範囲は、本明細書で特に示され記載されたものに限定されないことは理解されるであろう。むしろ、範囲は、本明細書に記載された様々な特徴の組み合わせ及び部分組み合わせの両方を含み、並びに上述の記載を読んだときに当業者には想起されるであろう、先行技術に開示されていないその変形及び修正形態を含む。本発明の特許出願において引用により組み込まれた文献は、本明細書において明示的又は暗黙的になされた定義と矛盾する方法でこれらの組み込まれた文献において用語が定義されている限り、本明細書における定義のみを考慮すべきであることを除いて、本出願の不可欠な部分とみなされる。

【符号の説明】

【0084】

２０ Ｘ線システム
２２ ウェーハ
２４ Ｘ線源
２６ 高電圧電源ユニット（ＰＳＵ）
２８ Ｘ線光学系
３６ インターフェース
３４ プロセッサ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【外国語明細書】