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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023153237
(43)【公開日】2023-10-17
(54)【発明の名称】発光装置
(51)【国際特許分類】
H10K 59/12 20230101AFI20231005BHJP
H01L 29/786 20060101ALI20231005BHJP
H10K 50/00 20230101ALI20231005BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20231005BHJP
H10K 59/123 20230101ALI20231005BHJP
H10K 59/35 20230101ALI20231005BHJP
H10K 59/90 20230101ALI20231005BHJP
H05B 33/14 20060101ALN20231005BHJP
【ＦＩ】
H10K59/12
H01L29/78 612C
H01L29/78 618C
H10K50/00
H10K50/10
H10K59/123
H10K59/35
H10K59/90
H05B33/14 Z
【審査請求】有
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023130890
(22)【出願日】2023-08-10
(62)【分割の表示】P 2023024014の分割
【原出願日】2004-06-11
(11)【特許番号】
(45)【特許公報発行日】2023-09-29
(31)【優先権主張番号】P 2003171366
(32)【優先日】2003-06-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2003183796
(32)【優先日】2003-06-27
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000153878
【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所
(72)【発明者】
【氏名】山崎 舜平
(72)【発明者】
【氏名】宮入 里築子
(72)【発明者】
【氏名】中村 康男
(57)【要約】
【課題】発光装置の高精細化が進んでも、対向電極の電位降下に起因する輝度の勾配が視
認されてしまうのを防ぐことが出来、なおかつ工程数を増やさずに補助電極を形成する。
【解決手段】基板上に第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜上に第１の電極及び補助
電極をそれぞれ形成し、前記第１の電極の端部及び前記補助電極の端部を覆うように第２
の絶縁膜を形成し、前記第２の絶縁膜において、前記第１の電極を露出させる第１の開口
部、及び前記補助電極を露出させる第２の開口部を形成し、前記第１の開口部において前
記第１の電極と電気的に接続される電界発光層を形成し、前記電界発光層と重なり、かつ
前記第２の開口部において前記補助電極と電気的に接続される第２の電極を形成する。
【選択図】図２
認されてしまうのを防ぐことが出来、なおかつ工程数を増やさずに補助電極を形成する。
【解決手段】基板上に第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜上に第１の電極及び補助
電極をそれぞれ形成し、前記第１の電極の端部及び前記補助電極の端部を覆うように第２
の絶縁膜を形成し、前記第２の絶縁膜において、前記第１の電極を露出させる第１の開口
部、及び前記補助電極を露出させる第２の開口部を形成し、前記第１の開口部において前
記第１の電極と電気的に接続される電界発光層を形成し、前記電界発光層と重なり、かつ
前記第２の開口部において前記補助電極と電気的に接続される第２の電極を形成する。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
マトリクス状に配置された複数の画素を有し、
前記複数の画素の少なくとも一は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのＬ／Ｗ（Ｌはチャネル長、Ｗはチャネル幅）は、前記第２のトランジスタのＬ／Ｗよりも大きい発光装置であって、
前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第１の導電層と、
前記第２のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第２の導電層と、
前記第１の導電層と重なる第１の領域、前記第２の導電層と重なる第２の領域、第３の領域及び第４の領域を有する半導体層と、を有し、
前記第１の領域の面積は、前記第２の領域の面積よりも大きく、
前記第１の領域は、前記第３の領域と前記第２の領域とをこの順に介して前記第４の領域と繋がっており、
前記第１の領域と前記第２の領域とは、前記第３の領域を介して繋がっており、
前記第３の領域と前記第４の領域とは、前記第２の領域を介して繋がっており、
前記第４の領域は、電源線と接する部分を有し、
前記第１の領域は、前記電源線との重なりを有し、
前記第３の領域は、前記電源線との重なりを有する、発光装置。
前記複数の画素の少なくとも一は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのＬ／Ｗ（Ｌはチャネル長、Ｗはチャネル幅）は、前記第２のトランジスタのＬ／Ｗよりも大きい発光装置であって、
前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第１の導電層と、
前記第２のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第２の導電層と、
前記第１の導電層と重なる第１の領域、前記第２の導電層と重なる第２の領域、第３の領域及び第４の領域を有する半導体層と、を有し、
前記第１の領域の面積は、前記第２の領域の面積よりも大きく、
前記第１の領域は、前記第３の領域と前記第２の領域とをこの順に介して前記第４の領域と繋がっており、
前記第１の領域と前記第２の領域とは、前記第３の領域を介して繋がっており、
前記第３の領域と前記第４の領域とは、前記第２の領域を介して繋がっており、
前記第４の領域は、電源線と接する部分を有し、
前記第１の領域は、前記電源線との重なりを有し、
前記第３の領域は、前記電源線との重なりを有する、発光装置。
【請求項2】
マトリクス状に配置された複数の画素を有し、
前記複数の画素の少なくとも一は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのＬ／Ｗ（Ｌはチャネル長、Ｗはチャネル幅）は、前記第２のトランジスタのＬ／Ｗよりも大きい発光装置であって、
前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第１の導電層と、
前記第２のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第２の導電層と、
前記第１の導電層と重なる第１の領域、前記第２の導電層と重なる第２の領域、第３の領域及び第４の領域を有する半導体層と、を有し、
前記第１の領域の面積は、前記第２の領域の面積よりも大きく、
前記第１の領域は、前記第３の領域と前記第２の領域とをこの順に介して前記第４の領域と繋がっており、
前記第１の領域と前記第２の領域とは、前記第３の領域を介して繋がっており、
前記第３の領域と前記第４の領域とは、前記第２の領域を介して繋がっており、
前記第４の領域は、電源線と接する部分を有し、
前記第１の領域は、前記電源線との重なりを有し、
前記第３の領域は、前記電源線との重なりを有し、
前記第２のトランジスタは、チャネル長方向が前記電源線の延伸方向と平行な方向である領域を有する、発光装置。
前記複数の画素の少なくとも一は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのＬ／Ｗ（Ｌはチャネル長、Ｗはチャネル幅）は、前記第２のトランジスタのＬ／Ｗよりも大きい発光装置であって、
前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第１の導電層と、
前記第２のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第２の導電層と、
前記第１の導電層と重なる第１の領域、前記第２の導電層と重なる第２の領域、第３の領域及び第４の領域を有する半導体層と、を有し、
前記第１の領域の面積は、前記第２の領域の面積よりも大きく、
前記第１の領域は、前記第３の領域と前記第２の領域とをこの順に介して前記第４の領域と繋がっており、
前記第１の領域と前記第２の領域とは、前記第３の領域を介して繋がっており、
前記第３の領域と前記第４の領域とは、前記第２の領域を介して繋がっており、
前記第４の領域は、電源線と接する部分を有し、
前記第１の領域は、前記電源線との重なりを有し、
前記第３の領域は、前記電源線との重なりを有し、
前記第２のトランジスタは、チャネル長方向が前記電源線の延伸方向と平行な方向である領域を有する、発光装置。
【請求項3】
マトリクス状に配置された複数の画素を有し、
前記複数の画素の少なくとも一は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有する発光装置であって、
前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第１の導電層と、
前記第２のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第２の導電層と、
前記第１の導電層と重なる第１の領域、前記第２の導電層と重なる第２の領域、第３の領域及び第４の領域を有する半導体層と、を有し、
平面視において、前記第１の領域は、曲がった形状を有し、
前記第１の領域の面積は、前記第２の領域の面積よりも大きく、
前記第１の領域は、前記第３の領域と前記第２の領域とをこの順に介して前記第４の領域と繋がっており、
前記第１の領域と前記第２の領域とは、前記第３の領域を介して繋がっており、
前記第３の領域と前記第４の領域とは、前記第２の領域を介して繋がっており、
前記第４の領域は、電源線と接する部分を有し、
前記第１の領域は、前記電源線との重なりを有し、
前記第３の領域は、前記電源線との重なりを有する、発光装置。
前記複数の画素の少なくとも一は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有する発光装置であって、
前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第１の導電層と、
前記第２のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第２の導電層と、
前記第１の導電層と重なる第１の領域、前記第２の導電層と重なる第２の領域、第３の領域及び第４の領域を有する半導体層と、を有し、
平面視において、前記第１の領域は、曲がった形状を有し、
前記第１の領域の面積は、前記第２の領域の面積よりも大きく、
前記第１の領域は、前記第３の領域と前記第２の領域とをこの順に介して前記第４の領域と繋がっており、
前記第１の領域と前記第２の領域とは、前記第３の領域を介して繋がっており、
前記第３の領域と前記第４の領域とは、前記第２の領域を介して繋がっており、
前記第４の領域は、電源線と接する部分を有し、
前記第１の領域は、前記電源線との重なりを有し、
前記第３の領域は、前記電源線との重なりを有する、発光装置。
【請求項4】
マトリクス状に配置された複数の画素を有し、
前記複数の画素の少なくとも一は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有する発光装置であって、
前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第１の導電層と、
前記第２のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第２の導電層と、
前記第１の導電層と重なる第１の領域、前記第２の導電層と重なる第２の領域、第３の領域及び第４の領域を有する半導体層と、を有し、
平面視において、前記第１の領域は、曲がった形状を有し、
前記第１の領域の面積は、前記第２の領域の面積よりも大きく、
前記第１の領域は、前記第３の領域と前記第２の領域とをこの順に介して前記第４の領域と繋がっており、
前記第１の領域と前記第２の領域とは、前記第３の領域を介して繋がっており、
前記第３の領域と前記第４の領域とは、前記第２の領域を介して繋がっており、
前記第４の領域は、電源線と接する部分を有し、
前記第１の領域は、前記電源線との重なりを有し、
前記第３の領域は、前記電源線との重なりを有し、
前記第２のトランジスタは、チャネル長方向が前記電源線の延伸方向と平行な方向である領域を有する、発光装置。
前記複数の画素の少なくとも一は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有する発光装置であって、
前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第１の導電層と、
前記第２のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第２の導電層と、
前記第１の導電層と重なる第１の領域、前記第２の導電層と重なる第２の領域、第３の領域及び第４の領域を有する半導体層と、を有し、
平面視において、前記第１の領域は、曲がった形状を有し、
前記第１の領域の面積は、前記第２の領域の面積よりも大きく、
前記第１の領域は、前記第３の領域と前記第２の領域とをこの順に介して前記第４の領域と繋がっており、
前記第１の領域と前記第２の領域とは、前記第３の領域を介して繋がっており、
前記第３の領域と前記第４の領域とは、前記第２の領域を介して繋がっており、
前記第４の領域は、電源線と接する部分を有し、
前記第１の領域は、前記電源線との重なりを有し、
前記第３の領域は、前記電源線との重なりを有し、
前記第２のトランジスタは、チャネル長方向が前記電源線の延伸方向と平行な方向である領域を有する、発光装置。
【請求項5】
マトリクス状に配置された複数の画素を有し、
前記複数の画素の少なくとも一は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのＬ／Ｗ（Ｌはチャネル長、Ｗはチャネル幅）は、前記第２のトランジスタのＬ／Ｗよりも大きい発光装置であって、
前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第１の導電層と、
前記第２のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第２の導電層と、
前記第１の導電層と重なる第１の領域、前記第２の導電層と重なる第２の領域、第３の領域及び第４の領域を有する半導体層と、を有し、
平面視において、前記第１の領域は、曲がった形状を有し、
前記第１の領域の面積は、前記第２の領域の面積よりも大きく、
前記第１の領域は、前記第３の領域と前記第２の領域とをこの順に介して前記第４の領域と繋がっており、
前記第１の領域と前記第２の領域とは、前記第３の領域を介して繋がっており、
前記第３の領域と前記第４の領域とは、前記第２の領域を介して繋がっており、
前記第４の領域は、電源線と接する部分を有し、
前記第１の領域は、前記電源線との重なりを有し、
前記第３の領域は、前記電源線との重なりを有する、発光装置。
前記複数の画素の少なくとも一は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのＬ／Ｗ（Ｌはチャネル長、Ｗはチャネル幅）は、前記第２のトランジスタのＬ／Ｗよりも大きい発光装置であって、
前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第１の導電層と、
前記第２のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第２の導電層と、
前記第１の導電層と重なる第１の領域、前記第２の導電層と重なる第２の領域、第３の領域及び第４の領域を有する半導体層と、を有し、
平面視において、前記第１の領域は、曲がった形状を有し、
前記第１の領域の面積は、前記第２の領域の面積よりも大きく、
前記第１の領域は、前記第３の領域と前記第２の領域とをこの順に介して前記第４の領域と繋がっており、
前記第１の領域と前記第２の領域とは、前記第３の領域を介して繋がっており、
前記第３の領域と前記第４の領域とは、前記第２の領域を介して繋がっており、
前記第４の領域は、電源線と接する部分を有し、
前記第１の領域は、前記電源線との重なりを有し、
前記第３の領域は、前記電源線との重なりを有する、発光装置。
【請求項6】
マトリクス状に配置された複数の画素を有し、
前記複数の画素の少なくとも一は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのＬ／Ｗ（Ｌはチャネル長、Ｗはチャネル幅）は、前記第２のトランジスタのＬ／Ｗよりも大きい発光装置であって、
前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第１の導電層と、
前記第２のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第２の導電層と、
前記第１の導電層と重なる第１の領域、前記第２の導電層と重なる第２の領域、第３の領域及び第４の領域を有する半導体層と、を有し、
平面視において、前記第１の領域は、曲がった形状を有し、
前記第１の領域の面積は、前記第２の領域の面積よりも大きく、
前記第１の領域は、前記第３の領域と前記第２の領域とをこの順に介して前記第４の領域と繋がっており、
前記第１の領域と前記第２の領域とは、前記第３の領域を介して繋がっており、
前記第３の領域と前記第４の領域とは、前記第２の領域を介して繋がっており、
前記第４の領域は、電源線と接する部分を有し、
前記第１の領域は、前記電源線との重なりを有し、
前記第３の領域は、前記電源線との重なりを有し、
前記第２のトランジスタは、チャネル長方向が前記電源線の延伸方向と平行な方向である領域を有する、発光装置。
前記複数の画素の少なくとも一は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのＬ／Ｗ（Ｌはチャネル長、Ｗはチャネル幅）は、前記第２のトランジスタのＬ／Ｗよりも大きい発光装置であって、
前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第１の導電層と、
前記第２のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第２の導電層と、
前記第１の導電層と重なる第１の領域、前記第２の導電層と重なる第２の領域、第３の領域及び第４の領域を有する半導体層と、を有し、
平面視において、前記第１の領域は、曲がった形状を有し、
前記第１の領域の面積は、前記第２の領域の面積よりも大きく、
前記第１の領域は、前記第３の領域と前記第２の領域とをこの順に介して前記第４の領域と繋がっており、
前記第１の領域と前記第２の領域とは、前記第３の領域を介して繋がっており、
前記第３の領域と前記第４の領域とは、前記第２の領域を介して繋がっており、
前記第４の領域は、電源線と接する部分を有し、
前記第１の領域は、前記電源線との重なりを有し、
前記第３の領域は、前記電源線との重なりを有し、
前記第２のトランジスタは、チャネル長方向が前記電源線の延伸方向と平行な方向である領域を有する、発光装置。
【請求項7】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１の導電層は、前記電源線との重なりを有し、
前記第２の導電層は、前記電源線との重なりを有する、発光装置。
前記第１の導電層は、前記電源線との重なりを有し、
前記第２の導電層は、前記電源線との重なりを有する、発光装置。
【請求項8】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記複数の画素の少なくとも一は、さらに発光素子を有し、
前記電源線と、前記発光素子とが少なくとも前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタを介して導通したときに、前記電源線から少なくとも前記第２のトランジスタ及び前記第１のトランジスタを介して前記発光素子に電流が供給される、発光装置。
前記複数の画素の少なくとも一は、さらに発光素子を有し、
前記電源線と、前記発光素子とが少なくとも前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタを介して導通したときに、前記電源線から少なくとも前記第２のトランジスタ及び前記第１のトランジスタを介して前記発光素子に電流が供給される、発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光素子と、前記発光素子に電流を供給するための手段とが複数の各画素に
設けられた発光装置及び該発光装置の作製方法に関する。
設けられた発光装置及び該発光装置の作製方法に関する。
【背景技術】
【0002】
発光素子は自ら発光するため視認性が高く、液晶表示装置（ＬＣＤ）で必要なバックラ
イトが要らず薄型化に最適であると共に、視野角にも制限が無い。そのため発光素子を用
いた発光装置は、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装置として注目されており、近年では携帯
電話やデジタルスチルカメラ等の電子機器に搭載されるなど、実用化されつつある。
イトが要らず薄型化に最適であると共に、視野角にも制限が無い。そのため発光素子を用
いた発光装置は、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装置として注目されており、近年では携帯
電話やデジタルスチルカメラ等の電子機器に搭載されるなど、実用化されつつある。
【0003】
発光素子は、陽極と、陰極と、これら２つの電極間に挟まれた電界発光層とを有してい
ており、これら２つの電極のうち、ビデオ信号に従って電位が制御される一方の電極（以
下、画素電極と呼ぶ）は、画素ごとに互いに分離している。また、共通の電位が与えられ
ている他方の電極（以下、対向電極と呼ぶ）は、画素電極のように画素ごとに分離させる
のは現実的ではないため、通常は、全ての画素で共通するようにベタ状となっているか、
もしくはＲＧＢ毎に共通となっている。そして対向電極への電位の供給は、パネルの端部
に設けられた接続端子を介して行なわれている。具体的には、対向電極と引き回しのため
の配線（以下、引き回し配線と呼ぶ）とのコンタクトを形成し、該引き回し配線を介して
対向電極と接続端子を電気的に接続する。そして該コンタクトは、画素部の電界発光層が
成膜されている領域を避け、該領域とは異なる領域において形成される。
ており、これら２つの電極のうち、ビデオ信号に従って電位が制御される一方の電極（以
下、画素電極と呼ぶ）は、画素ごとに互いに分離している。また、共通の電位が与えられ
ている他方の電極（以下、対向電極と呼ぶ）は、画素電極のように画素ごとに分離させる
のは現実的ではないため、通常は、全ての画素で共通するようにベタ状となっているか、
もしくはＲＧＢ毎に共通となっている。そして対向電極への電位の供給は、パネルの端部
に設けられた接続端子を介して行なわれている。具体的には、対向電極と引き回しのため
の配線（以下、引き回し配線と呼ぶ）とのコンタクトを形成し、該引き回し配線を介して
対向電極と接続端子を電気的に接続する。そして該コンタクトは、画素部の電界発光層が
成膜されている領域を避け、該領域とは異なる領域において形成される。
【0004】
ところで大画面化に伴い画素部の面積が広くなると、対向電極の抵抗に起因する電位降
下は著しくなる傾向にある。対向電極における電位降下が著しい画素ほど、発光素子の電
極間に印加される電圧Ｖｅｌの絶対値が小さくなるため、画素部全体で見たときに、輝度
の勾配が視認されるという事態が生じうる。そこで上記問題を回避するために、下記特許
文献１には、発光素子を形成した後、対向電極の面内における電位の均一化を行なうため
に、抵抗率の低い材料で形成された補助としての電極（補助電極）を、対向電極と接続す
るように形成する技術について記載されている。
下は著しくなる傾向にある。対向電極における電位降下が著しい画素ほど、発光素子の電
極間に印加される電圧Ｖｅｌの絶対値が小さくなるため、画素部全体で見たときに、輝度
の勾配が視認されるという事態が生じうる。そこで上記問題を回避するために、下記特許
文献１には、発光素子を形成した後、対向電極の面内における電位の均一化を行なうため
に、抵抗率の低い材料で形成された補助としての電極（補助電極）を、対向電極と接続す
るように形成する技術について記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２００２－０３３１９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
上述したように、補助電極を形成することは、対向電極を形成している材料の抵抗率が
高い場合や、画素部の面積を広くすることで対向電極の抵抗が高くならざるを得ない場合
において、対向電極の面内における電位の均一化を行なうのに、非常に有効な手段である
。しかし、透光性を有する対向電極を用いて電界発光層から発せられる光を対向電極側か
ら取り出すタイプ（上面発光型）の発光装置の場合、発光素子からの光をなるべく遮らな
いように、補助電極をレイアウトする必要がある。とは言え、画素部と重ならない領域に
のみ補助電極を形成しても、対向電極の面内における電位の均一化の効果がいまいち得ら
れにくい。そこで、隣接する画素の発光素子と発光素子の間など、実際に発光が得られな
い領域において、対向電極上に補助電極が形成される。
高い場合や、画素部の面積を広くすることで対向電極の抵抗が高くならざるを得ない場合
において、対向電極の面内における電位の均一化を行なうのに、非常に有効な手段である
。しかし、透光性を有する対向電極を用いて電界発光層から発せられる光を対向電極側か
ら取り出すタイプ（上面発光型）の発光装置の場合、発光素子からの光をなるべく遮らな
いように、補助電極をレイアウトする必要がある。とは言え、画素部と重ならない領域に
のみ補助電極を形成しても、対向電極の面内における電位の均一化の効果がいまいち得ら
れにくい。そこで、隣接する画素の発光素子と発光素子の間など、実際に発光が得られな
い領域において、対向電極上に補助電極が形成される。
【0007】
ところが、大画面化に加えて画素の高精細化が進み、画素のサイズが縮小化されると、
隣接する画素の発光素子と発光素子の間の幅が２０μｍを切ってしまう。このため補助電
極を上記幅に納まるようにレイアウトする必要があり、さほど精密なパターンを形成する
ことができないメタルマスクを用いた蒸着法では、補助電極を対向電極上に形成するのが
困難となりつつある。またフォトリソグラフィ法を用いて対向電極上に補助電極を形成す
る場合、μｍ以下の精度でパターンを形成することが出来るが、フォトレジストの露光、
現像、除去などの一連の工程において、光や水分の影響により発光素子の劣化が促進され
てしまう恐れがあり、好ましくない。またインクジェット法などに代表される印刷法で補
助電極を形成することも可能であるが、補助電極形成のために工程数が増えてしまい、望
ましくない。これは蒸着法、リソグラフィ法などにも言えることである。
隣接する画素の発光素子と発光素子の間の幅が２０μｍを切ってしまう。このため補助電
極を上記幅に納まるようにレイアウトする必要があり、さほど精密なパターンを形成する
ことができないメタルマスクを用いた蒸着法では、補助電極を対向電極上に形成するのが
困難となりつつある。またフォトリソグラフィ法を用いて対向電極上に補助電極を形成す
る場合、μｍ以下の精度でパターンを形成することが出来るが、フォトレジストの露光、
現像、除去などの一連の工程において、光や水分の影響により発光素子の劣化が促進され
てしまう恐れがあり、好ましくない。またインクジェット法などに代表される印刷法で補
助電極を形成することも可能であるが、補助電極形成のために工程数が増えてしまい、望
ましくない。これは蒸着法、リソグラフィ法などにも言えることである。
【0008】
本発明は上記問題に鑑み、発光装置の高精細化が進んでも、対向電極の電位降下に起因
する輝度の勾配が視認されてしまうのを防ぐことが出来、なおかつ工程数を増やさずに補
助電極を形成することが出来る、発光装置の作製方法及び発光装置の提供を課題とする。
する輝度の勾配が視認されてしまうのを防ぐことが出来、なおかつ工程数を増やさずに補
助電極を形成することが出来る、発光装置の作製方法及び発光装置の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明は、発光素子を形成した後に補助電極を形成するのではなく、発光素子の電界発
光層を形成する前に補助電極を形成する。電界発光層を形成する前に補助電極を形成する
ことで、フォトリソグラフィ法を用いて補助電極を形成することができる。そして、フォ
トリソグラフィ法を用いることで精密なパターンを形成することができ、したがって、高
精細化により発光素子と発光素子の間の幅が２０μｍを切るほど狭まっても、該幅に納ま
るように補助電極を形成することができる。また本発明では、導電性を有する膜で形成さ
れた画素部の配線やゲート電極などと共に、フォトリソグラフィ法を用いて補助電極を形
成することで、工程数を増やさずとも補助電極を形成することができる。
光層を形成する前に補助電極を形成する。電界発光層を形成する前に補助電極を形成する
ことで、フォトリソグラフィ法を用いて補助電極を形成することができる。そして、フォ
トリソグラフィ法を用いることで精密なパターンを形成することができ、したがって、高
精細化により発光素子と発光素子の間の幅が２０μｍを切るほど狭まっても、該幅に納ま
るように補助電極を形成することができる。また本発明では、導電性を有する膜で形成さ
れた画素部の配線やゲート電極などと共に、フォトリソグラフィ法を用いて補助電極を形
成することで、工程数を増やさずとも補助電極を形成することができる。
【0010】
そして補助電極により、対向電極の電位降下を抑えることができ、画素部に輝度の勾配
が視認されるのを防ぐことができる。本発明は、補助電極を対向電極上にベタで形成する
ことが困難な上面発光型の発光装置において、特に有効である。
が視認されるのを防ぐことができる。本発明は、補助電極を対向電極上にベタで形成する
ことが困難な上面発光型の発光装置において、特に有効である。
【0011】
なお本発明において補助電極は、画素部において発光素子の対向電極とコンタクトを形
成するが、通常、画素部には対向電極と画素電極の間に電界発光層が成膜されている。電
界発光層は、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子注入層、電子輸送層等を含んで
おり、特に発光層は、補助電極や対向電極に比べて抵抗が著しく高い。そこで、本発明で
は、補助電極の膜厚が発光層の膜厚に比べて厚いために、補助電極の端部において発光層
のステップカバレッジ（段差被覆性）が劣っていることを逆手にとって、コンタクトの形
成を行なう。すなわち、ステップカバレッジが劣っているために発光層で覆われていない
領域を介して、補助電極と対向電極とを電気的に接続する。なお、発光層に比べて比較的
抵抗の低い材料で形成されたホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層等は
、補助電極と対向電極とを電気的に接続するために、補助電極と対向電極の間に設けてお
いても良い。また、電界発光層全体の膜厚に対して補助電極の膜厚を厚くして、補助電極
の端部における電界発光層のカバレッジ性を落とし、対向電極と補助電極とを直接接続す
るようにしても良い。
成するが、通常、画素部には対向電極と画素電極の間に電界発光層が成膜されている。電
界発光層は、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子注入層、電子輸送層等を含んで
おり、特に発光層は、補助電極や対向電極に比べて抵抗が著しく高い。そこで、本発明で
は、補助電極の膜厚が発光層の膜厚に比べて厚いために、補助電極の端部において発光層
のステップカバレッジ（段差被覆性）が劣っていることを逆手にとって、コンタクトの形
成を行なう。すなわち、ステップカバレッジが劣っているために発光層で覆われていない
領域を介して、補助電極と対向電極とを電気的に接続する。なお、発光層に比べて比較的
抵抗の低い材料で形成されたホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層等は
、補助電極と対向電極とを電気的に接続するために、補助電極と対向電極の間に設けてお
いても良い。また、電界発光層全体の膜厚に対して補助電極の膜厚を厚くして、補助電極
の端部における電界発光層のカバレッジ性を落とし、対向電極と補助電極とを直接接続す
るようにしても良い。
【0012】
また本発明において補助電極と対向電極の接続は、上述したステップカバレッジを利用
する方法に限られない。本発明では、メタルマスクを用いて発光層を蒸着法で成膜する際
に、発光層が成膜されない領域を形成し、該領域において補助電極と対向電極とを電気的
に接続しても良い。三原色の各色に対応する発光層を、メタルマスクを用いて塗り分ける
ことで作製されるフルカラー表示の発光装置の場合、該メタルマスクを用いて発光層が成
膜されない領域を形成することができるので、上記方法を用いることで、コンタクトを形
成しても工程数を増やさずに済む。
する方法に限られない。本発明では、メタルマスクを用いて発光層を蒸着法で成膜する際
に、発光層が成膜されない領域を形成し、該領域において補助電極と対向電極とを電気的
に接続しても良い。三原色の各色に対応する発光層を、メタルマスクを用いて塗り分ける
ことで作製されるフルカラー表示の発光装置の場合、該メタルマスクを用いて発光層が成
膜されない領域を形成することができるので、上記方法を用いることで、コンタクトを形
成しても工程数を増やさずに済む。
【0013】
なお本明細書において発光装置は、発光素子が封止された状態にあるパネルと、該パネ
ルにコントローラを含むＩＣ等を実装した状態にあるモジュールとを含む。
ルにコントローラを含むＩＣ等を実装した状態にあるモジュールとを含む。
【0014】
また電界発光層が有する単層または複数の層は、無機化合物を含んでいる場合もある。
電界発光層におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（
蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）とが含まれる。
電界発光層におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（
蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）とが含まれる。
【発明の効果】
【0015】
本発明は、発光素子を形成する前に補助電極を形成することで、フォトリソグラフィ法
を用いて補助電極を形成することができる。そして、フォトリソグラフィ法を用いること
で精密なパターンを形成することができ、したがって、高精細化により発光素子と発光素
子の間の幅が２０μｍを切るほど狭まっても、該幅に納まるように補助電極を形成するこ
とができる。また本発明では、導電性を有する膜で形成された画素部の配線やゲート電極
などと共に、フォトリソグラフィ法を用いて補助電極を形成することで、工程数を増やさ
ずとも補助電極を形成することができる。そして、補助電極によって対向電極の電位降下
を抑えることができ、画素部に輝度の勾配が視認されるのを防ぐことができる。本発明は
、補助電極を対向電極上にベタで形成することが困難な上面発光型の発光装置において、
特に有効である。
を用いて補助電極を形成することができる。そして、フォトリソグラフィ法を用いること
で精密なパターンを形成することができ、したがって、高精細化により発光素子と発光素
子の間の幅が２０μｍを切るほど狭まっても、該幅に納まるように補助電極を形成するこ
とができる。また本発明では、導電性を有する膜で形成された画素部の配線やゲート電極
などと共に、フォトリソグラフィ法を用いて補助電極を形成することで、工程数を増やさ
ずとも補助電極を形成することができる。そして、補助電極によって対向電極の電位降下
を抑えることができ、画素部に輝度の勾配が視認されるのを防ぐことができる。本発明は
、補助電極を対向電極上にベタで形成することが困難な上面発光型の発光装置において、
特に有効である。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】本発明の発光装置における、画素部の構成を示す図。
【図3】本発明の発光装置における、画素部の構成を示す図。
【図4】本発明の発光装置における、画素部の断面図。
【図5】本発明の発光装置における、画素部の断面図。
【図6】本発明の発光装置における、画素部の断面図。
【図7】本発明の発光装置における、画素部の断面図。
【図8】本発明の発光装置における、画素部の断面図。
【図9】本発明の発光装置における、画素部の構成を示す図。
【図11】本発明の発光装置における、補助配線と対向電極の接続部の構成を示す図。
【図12】本発明の発光装置の構成を示す図。
【図13】本発明の発光装置における、画素部の回路図。
【図14】本発明の発光装置における、画素部の回路図。
【図15】本発明の発光装置における、引き回し配線と接続配線のレイアウトを示す図。
【図16】本発明の発光装置における、画素の回路図。
【図17】本発明の発光装置における、画素の回路図。
【図18】本発明の発光装置における、画素の上面図。
【図19】本発明の発光装置における、画素の断面図。
【図20】本発明の発光装置における、画素の断面図。
【図21】本発明の発光装置における、画素の断面図。
【図22】本発明の発光装置における、画素の断面図。
【図23】本発明の発光装置における、画素の断面図。
【図24】本発明の発光装置における、画素の断面図。
【図25】本発明の発光装置の上面図及び断面図。
【図26】本発明の発光装置を用いた電子機器の図。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多く
の異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱すること
なくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従っ
て、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
の異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱すること
なくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従っ
て、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【0018】
（実施の形態１）
図１を用いて、本実施の形態の発光装置が有する画素部の構成について説明する。図１
は、画素部の上面図と、引き回し配線の上面図を示している。３０１は接続端子、３０２
ａ、３０２ｂ、３０２ｃは引き回し配線に相当する。また画素部に形成されている電極３
０３は補助電極に相当し、引き回し配線３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃを介して接続端子
３０１と接続されている。なお図１では、接続端子３０１と補助電極３０３とを、３つの
引き回し配線３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃを用いて電気的に接続しているが、引き回し
配線の形態は図１に示した構成に限定されず、接続端子３０１と補助電極３０３とを電気
的に接続することができるのならば、どのような形態であっても良い。接続端子と、引き
回し配線と、補助電極とが全て１つの導電膜で形成されていても良い。
図１を用いて、本実施の形態の発光装置が有する画素部の構成について説明する。図１
は、画素部の上面図と、引き回し配線の上面図を示している。３０１は接続端子、３０２
ａ、３０２ｂ、３０２ｃは引き回し配線に相当する。また画素部に形成されている電極３
０３は補助電極に相当し、引き回し配線３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃを介して接続端子
３０１と接続されている。なお図１では、接続端子３０１と補助電極３０３とを、３つの
引き回し配線３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃを用いて電気的に接続しているが、引き回し
配線の形態は図１に示した構成に限定されず、接続端子３０１と補助電極３０３とを電気
的に接続することができるのならば、どのような形態であっても良い。接続端子と、引き
回し配線と、補助電極とが全て１つの導電膜で形成されていても良い。
【0019】
画素部には複数の配線がレイアウトされており、具体的に本実施の形態では、画素を選
択するための走査線３０６と、選択された画素にビデオ信号を供給するための信号線３０
４と、発光素子に電流を供給するための電源線３０５とを有している。なお本発明の画素
部に設ける配線はこれら３つの配線に限定されない。画素の構成によっては、上記配線の
他に別の配線を設ける場合もある。
択するための走査線３０６と、選択された画素にビデオ信号を供給するための信号線３０
４と、発光素子に電流を供給するための電源線３０５とを有している。なお本発明の画素
部に設ける配線はこれら３つの配線に限定されない。画素の構成によっては、上記配線の
他に別の配線を設ける場合もある。
【0020】
そして、本実施の形態では、１つの導電膜をパターニングして信号線３０４及び電源線
３０５を形成する工程において、補助電極３０３も形成する。上記構成により、補助電極
３０３の形成のために工程数を増やさなくとも良い。なお、補助電極３０３は、必ずしも
信号線３０４及び電源線３０５と同じ導電膜をパターニングして形成する必要はない。信
号線３０４及び電源線３０５以外の配線、例えば走査線３０６を形成する工程において、
形成しても良い。
３０５を形成する工程において、補助電極３０３も形成する。上記構成により、補助電極
３０３の形成のために工程数を増やさなくとも良い。なお、補助電極３０３は、必ずしも
信号線３０４及び電源線３０５と同じ導電膜をパターニングして形成する必要はない。信
号線３０４及び電源線３０５以外の配線、例えば走査線３０６を形成する工程において、
形成しても良い。
【0021】
なお本実施の形態のように、信号線３０４、電源線３０５が引き回し配線３０２ｃと同
じ導電膜で成膜されている場合、引き回し配線３０２ｃの下を潜るように、信号線３０４
及び電源線３０５を別の層に形成された配線３１５と接続することで、信号線３０４及び
電源線３０５を引き回し配線３０２ｃと接触させないように交差させることができる。
じ導電膜で成膜されている場合、引き回し配線３０２ｃの下を潜るように、信号線３０４
及び電源線３０５を別の層に形成された配線３１５と接続することで、信号線３０４及び
電源線３０５を引き回し配線３０２ｃと接触させないように交差させることができる。
【0022】
また図１において３０７は画素電極（第１の電極）に相当し、画素ごとに分離している
。そして破線３０９に示す複数の各領域に、各色に対応する電界発光層が形成されている
。さらに破線３１０に示す領域に対向電極（第２の電極）が形成されており、画素電極３
０７と対向電極３１０との間に電界発光層３０９が挟まれている。なお本実施の形態では
、陽極を画素電極として用い、陰極を対向電極として用いる例を示しているが、本発明は
この構成に限定されない。陰極を画素電極として、陽極を対向電極として用いても良い。
。そして破線３０９に示す複数の各領域に、各色に対応する電界発光層が形成されている
。さらに破線３１０に示す領域に対向電極（第２の電極）が形成されており、画素電極３
０７と対向電極３１０との間に電界発光層３０９が挟まれている。なお本実施の形態では
、陽極を画素電極として用い、陰極を対向電極として用いる例を示しているが、本発明は
この構成に限定されない。陰極を画素電極として、陽極を対向電極として用いても良い。
【0023】
なお図１では、引き回し配線３０２ａと、半導体膜で形成された抵抗３３４の一端と
が接続されており、また抵抗３３４の他の一端が配線３３１を介して接続端子３３０と電
気的に接続されている。抵抗３３４を設けることで、接続端子３０１に入力された信号の
ノイズを低減したり、静電気などによって後段の回路素子が破壊されてしまうのを防いだ
りすることができる。
が接続されており、また抵抗３３４の他の一端が配線３３１を介して接続端子３３０と電
気的に接続されている。抵抗３３４を設けることで、接続端子３０１に入力された信号の
ノイズを低減したり、静電気などによって後段の回路素子が破壊されてしまうのを防いだ
りすることができる。
【0024】
図１のＡ－Ａ’における断面図を図２（Ａ）に、図１のＢ－Ｂ’における断面図を図２
（Ｂ）に、図１のＣ－Ｃ’における断面図を図２（Ｃ）に示す。図２（Ａ）に示すように
、画素に入力されたビデオ信号に従って画素電極３０７に電位を与えるための配線（以下
、接続配線）３１１が、信号線３０４、電源線３０５、補助電極３０３と共に第１の層間
絶縁膜（第１の絶縁膜）３１２上に設けられており、画素電極３０７は、接続配線３１１
上に接するように形成されている。また、対向電極３１０は透光性を有する電極で形成さ
れており、電界発光層３０９において生じる光は、接続配線３１１において反射するので
、対向電極３１０側から取り出すことができる。
（Ｂ）に、図１のＣ－Ｃ’における断面図を図２（Ｃ）に示す。図２（Ａ）に示すように
、画素に入力されたビデオ信号に従って画素電極３０７に電位を与えるための配線（以下
、接続配線）３１１が、信号線３０４、電源線３０５、補助電極３０３と共に第１の層間
絶縁膜（第１の絶縁膜）３１２上に設けられており、画素電極３０７は、接続配線３１１
上に接するように形成されている。また、対向電極３１０は透光性を有する電極で形成さ
れており、電界発光層３０９において生じる光は、接続配線３１１において反射するので
、対向電極３１０側から取り出すことができる。
【0025】
そして本実施の形態のように、上面発光型の発光装置の場合、対向電極３１０として透
光性を有する陰極を用いる。具体的には、電界発光層で生じた光を取り出すことが可能な
程度に薄い膜厚を有する電極を用いる。好ましくは、５ｎｍ～３０ｎｍ程度の膜厚とする
。また、本実施の形態では、対向電極３１０を覆うように、透光性を有する透明導電膜３
１６を成膜する。透明導電膜３１６は必ずしも設ける必要はないが、膜厚を薄くすること
によって対向電極３１０自体の抵抗が高まっても、電位降下を抑えることができる。
光性を有する陰極を用いる。具体的には、電界発光層で生じた光を取り出すことが可能な
程度に薄い膜厚を有する電極を用いる。好ましくは、５ｎｍ～３０ｎｍ程度の膜厚とする
。また、本実施の形態では、対向電極３１０を覆うように、透光性を有する透明導電膜３
１６を成膜する。透明導電膜３１６は必ずしも設ける必要はないが、膜厚を薄くすること
によって対向電極３１０自体の抵抗が高まっても、電位降下を抑えることができる。
【0026】
なお本実施の形態では、電界発光層から発せられる光を対向電極側から取り出す構成に
ついて説明したが、本発明はこの構成に限定されない。画素電極側から光を取り出すタイ
プ（下面発光型）であっても良いし、対向電極と画素電極の両方から光を取り出すタイプ
（両面発光型）であっても良い。
ついて説明したが、本発明はこの構成に限定されない。画素電極側から光を取り出すタイ
プ（下面発光型）であっても良いし、対向電極と画素電極の両方から光を取り出すタイプ
（両面発光型）であっても良い。
【0027】
そして第２の層間絶縁膜（第２の絶縁膜）３１３が、画素電極３０７の端部と、信号線
３０４と、電源線３０５と、引き回し配線３０２ｃの端部と、補助電極３０３の端部とを
覆うように、第１の層間絶縁膜３１２上に形成されている。第２の層間絶縁膜３１３は開
口部３０８ａ、３０８ｂを有しており、該開口部３０８ａ、３０８ｂにおいて、画素電極
３０７の一部と、引き回し配線３０２ｃの一部と、補助電極３０３の一部とが露出してい
る。開口部３０８ａでは、画素電極３０７と、電界発光層３０９と対向電極３１０とが重
なり合い、発光素子３１４が形成されている。
３０４と、電源線３０５と、引き回し配線３０２ｃの端部と、補助電極３０３の端部とを
覆うように、第１の層間絶縁膜３１２上に形成されている。第２の層間絶縁膜３１３は開
口部３０８ａ、３０８ｂを有しており、該開口部３０８ａ、３０８ｂにおいて、画素電極
３０７の一部と、引き回し配線３０２ｃの一部と、補助電極３０３の一部とが露出してい
る。開口部３０８ａでは、画素電極３０７と、電界発光層３０９と対向電極３１０とが重
なり合い、発光素子３１４が形成されている。
【0028】
なお本実施の形態では、メタルマスクを用いて三原色の各色に対応する電界発光層を蒸
着法で成膜する際に、電界発光層が成膜されない領域を形成し、該領域において補助電極
と対向電極とを電気的に接続する。具体的には、開口部３０８ｂと、電界発光層３０９が
成膜されている領域とを、完全にもしくは部分的に重ねないようにする。つまり、開口部
３０８ｂにおいて補助電極３０３が完全にまたは部分的に露出した状態で、対向電極３１
０が形成されることとなる。上記構成により、開口部３０８ｂにおいて補助電極３０３を
対向電極３１０と接続することができる。さらに本実施の形態のように、対向電極３１０
を覆うように透明導電膜３１６を成膜することで、対向電極３１０と補助電極３０３との
電気的な接続をより確かなものとすることができる。上記構成により、画素部において補
助電極３０３と対向電極３１０を電気的に接続することができる。
着法で成膜する際に、電界発光層が成膜されない領域を形成し、該領域において補助電極
と対向電極とを電気的に接続する。具体的には、開口部３０８ｂと、電界発光層３０９が
成膜されている領域とを、完全にもしくは部分的に重ねないようにする。つまり、開口部
３０８ｂにおいて補助電極３０３が完全にまたは部分的に露出した状態で、対向電極３１
０が形成されることとなる。上記構成により、開口部３０８ｂにおいて補助電極３０３を
対向電極３１０と接続することができる。さらに本実施の形態のように、対向電極３１０
を覆うように透明導電膜３１６を成膜することで、対向電極３１０と補助電極３０３との
電気的な接続をより確かなものとすることができる。上記構成により、画素部において補
助電極３０３と対向電極３１０を電気的に接続することができる。
【0029】
一方、引き回し配線３０２ｃと対向電極３１０は、間に電界発光層３０９が成膜されて
いない。よって図２（Ｂ）に示すように、開口部３０８ｂにおいて、引き回し配線３０２
ｃと対向電極３１０は接続される。そして、接続端子３０１から供給される電源電位が、
引き回し配線３０２ｃを介して、補助電極３０３と対向電極３１０に供給される。補助電
極３０３を用いることで、対向電極３１０の電位降下を抑えることができ、画素部に輝度
の勾配が視認されるのを防ぐことができる。本発明は、補助電極を対向電極上にベタで形
成することが困難な上面発光型の発光装置において、特に有効である。
いない。よって図２（Ｂ）に示すように、開口部３０８ｂにおいて、引き回し配線３０２
ｃと対向電極３１０は接続される。そして、接続端子３０１から供給される電源電位が、
引き回し配線３０２ｃを介して、補助電極３０３と対向電極３１０に供給される。補助電
極３０３を用いることで、対向電極３１０の電位降下を抑えることができ、画素部に輝度
の勾配が視認されるのを防ぐことができる。本発明は、補助電極を対向電極上にベタで形
成することが困難な上面発光型の発光装置において、特に有効である。
【0030】
また本発明は、発光素子を形成する前に補助電極を形成することで、フォトリソグラフ
ィ法を用いて補助電極を形成することができる。そして、フォトリソグラフィ法を用いる
ことで精密なパターンを形成することができ、したがって、高精細化により発光素子と発
光素子の間の幅が２０μｍを切るほど狭まっても、該幅に納まるように補助電極を形成す
ることができる。また本発明では、導電性を有する膜で形成された画素部の配線やゲート
電極などと共に、フォトリソグラフィ法を用いて補助電極を形成することで、工程数を増
やさずとも補助電極を形成することができる。
ィ法を用いて補助電極を形成することができる。そして、フォトリソグラフィ法を用いる
ことで精密なパターンを形成することができ、したがって、高精細化により発光素子と発
光素子の間の幅が２０μｍを切るほど狭まっても、該幅に納まるように補助電極を形成す
ることができる。また本発明では、導電性を有する膜で形成された画素部の配線やゲート
電極などと共に、フォトリソグラフィ法を用いて補助電極を形成することで、工程数を増
やさずとも補助電極を形成することができる。
【0031】
なお本実施の形態では、引き回し配線３０２ｃと補助電極３０３とが、１つの開口部
３０８ｂにおいて対向電極３１０と接続しているが、開口部の形状は本実施の形態に限定
されない。引き回し配線３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃを露出させる開口部と補助電極３
０３を露出させる開口部とが分離していても良いし、補助電極３０３を露出させる開口部
を複数設けるようにしても良い。
３０８ｂにおいて対向電極３１０と接続しているが、開口部の形状は本実施の形態に限定
されない。引き回し配線３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃを露出させる開口部と補助電極３
０３を露出させる開口部とが分離していても良いし、補助電極３０３を露出させる開口部
を複数設けるようにしても良い。
【0032】
また本実施の形態では、電界発光層を色ごとに分離させた場合について説明したが、少
なくとも発光層を分離していれば良く、発光層に比べて比較的抵抗の低い材料で形成され
たホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層等は敢えて分離しなくとも良い
。この場合、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層または電子輸送層を介して、補助
電極と対向電極とを電気的に接続することができる。
なくとも発光層を分離していれば良く、発光層に比べて比較的抵抗の低い材料で形成され
たホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層等は敢えて分離しなくとも良い
。この場合、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層または電子輸送層を介して、補助
電極と対向電極とを電気的に接続することができる。
【0033】
本実施の形態のように、発光層をメタルマスクで塗り分けることで作製されるフルカラ
ー表示の発光装置の場合、該メタルマスクを用いて発光層が成膜されない領域を形成する
ことができるので、上記方法を用いることで、コンタクトを形成しても工程数を増やさず
に済む。なお、開口部に形成された電界発光層を、Ａｒ、Ｈ、Ｆ、またはＯから選ばれた
一種または複数種のガスをエッチングガスとし、メタルマスクを用いたプラズマエッチン
グで選択的に除去するようにしても良い。
ー表示の発光装置の場合、該メタルマスクを用いて発光層が成膜されない領域を形成する
ことができるので、上記方法を用いることで、コンタクトを形成しても工程数を増やさず
に済む。なお、開口部に形成された電界発光層を、Ａｒ、Ｈ、Ｆ、またはＯから選ばれた
一種または複数種のガスをエッチングガスとし、メタルマスクを用いたプラズマエッチン
グで選択的に除去するようにしても良い。
【0034】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１とは異なる、開口部の形状の一形態について説明する
。
本実施の形態では、実施の形態１とは異なる、開口部の形状の一形態について説明する
。
【0035】
図３に、本実施の形態における画素部の上面図を示す。４０３は開口部に相当し、該開
口部４０３において対向電極４０４と補助電極４０１とが電気的に接続されている。本実
施の形態では、補助電極４０１が開口部４０３において対向電極４０４と直接または電気
的に接続するように、電界発光層４０５を形成する際に、メタルマスクを用いて電界発光
層４０５が開口部４０３を完全に覆わないようにする。この場合、補助電極の端部は、開
口部において露出されていても良いし、第２の層間絶縁膜で覆われていても良い。
口部４０３において対向電極４０４と補助電極４０１とが電気的に接続されている。本実
施の形態では、補助電極４０１が開口部４０３において対向電極４０４と直接または電気
的に接続するように、電界発光層４０５を形成する際に、メタルマスクを用いて電界発光
層４０５が開口部４０３を完全に覆わないようにする。この場合、補助電極の端部は、開
口部において露出されていても良いし、第２の層間絶縁膜で覆われていても良い。
【0036】
なお、開口部４０３において補助電極４０１の端部を露出させ、該端部に、カバレッジ
性を利用して電界発光層４０５に被覆されていない部分を意図的に作り、対向電極４０４
と補助電極４０１を接続するようにしても良い。
性を利用して電界発光層４０５に被覆されていない部分を意図的に作り、対向電極４０４
と補助電極４０１を接続するようにしても良い。
【0037】
また引き回し配線４０６は、開口部４０２において部分的に露出している。開口部４０
２は電界発光層４０５と重なっていないので、引き回し配線４０６と対向電極４０４は開
口部４０２において接続される。
２は電界発光層４０５と重なっていないので、引き回し配線４０６と対向電極４０４は開
口部４０２において接続される。
【0038】
また、４０７は各画素に設けられた画素電極に相当する。そして、開口部４０８におい
て、画素電極４０７と、電界発光層４０５と、対向電極４０４とが重なり、発光素子が形
成されている。
て、画素電極４０７と、電界発光層４０５と、対向電極４０４とが重なり、発光素子が形
成されている。
【0039】
なお図３に示すように、開口部４０３を、発光素子が形成されている開口部４０８の四
隅に配置することで、開口部４０３、４０８を形成する際のマスクのずれに伴い、開口部
４０８が隣接する他の配線とショートするのを抑えることができる。
隅に配置することで、開口部４０３、４０８を形成する際のマスクのずれに伴い、開口部
４０８が隣接する他の配線とショートするのを抑えることができる。
【0040】
（実施の形態３）
本実施の形態では、補助電極と対向電極の接続部分の構造が、実施の形態１とは異なる
形態について説明する。
本実施の形態では、補助電極と対向電極の接続部分の構造が、実施の形態１とは異なる
形態について説明する。
【0041】
図９を用いて、本実施の形態の発光装置が有する画素部の構成について説明する。図９
は、画素部の上面図と、引き回し配線の上面図を示している。１０１は接続端子、１０２
ａ、１０２ｂ、１０２ｃは引き回し配線、１０３は補助電極に相当する。図１と同様に、
補助電極１０３は、引き回し配線１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃを介して接続端子１０１
と電気的に接続されている。
は、画素部の上面図と、引き回し配線の上面図を示している。１０１は接続端子、１０２
ａ、１０２ｂ、１０２ｃは引き回し配線、１０３は補助電極に相当する。図１と同様に、
補助電極１０３は、引き回し配線１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃを介して接続端子１０１
と電気的に接続されている。
【0042】
そして実施の形態１と同様に、画素部には走査線１０６と、信号線１０４と、電源線１
０５とが設けられている。本発明の画素部に設ける配線はこれら３つの配線に限定されな
い。画素の構成によっては、上記配線の他に別の配線を設ける場合もある。そして、実施
の形態１と同様に、本実施の形態においても、１つの導電膜をパターニングして信号線１
０４及び電源線１０５を形成する工程において、補助電極１０３が形成されている。上記
構成により、補助電極１０３の形成のために工程数を増やさなくとも良い。なお、補助電
極１０３は、必ずしも信号線１０４及び電源線１０５と同じ導電膜をパターニングして形
成する必要はない。信号線１０４及び電源線１０５以外の配線、例えば走査線を形成する
工程において、形成しても良い。
０５とが設けられている。本発明の画素部に設ける配線はこれら３つの配線に限定されな
い。画素の構成によっては、上記配線の他に別の配線を設ける場合もある。そして、実施
の形態１と同様に、本実施の形態においても、１つの導電膜をパターニングして信号線１
０４及び電源線１０５を形成する工程において、補助電極１０３が形成されている。上記
構成により、補助電極１０３の形成のために工程数を増やさなくとも良い。なお、補助電
極１０３は、必ずしも信号線１０４及び電源線１０５と同じ導電膜をパターニングして形
成する必要はない。信号線１０４及び電源線１０５以外の配線、例えば走査線を形成する
工程において、形成しても良い。
【0043】
また図９において１０７は画素電極に相当する。そして本実施の形態では、破線１０９
に示す領域に電界発光層が形成されている。さらに破線１１０に示す領域に対向電極が形
成されており、画素電極１０７と対向電極１１０との間に電界発光層１０９が挟まれてい
る。
に示す領域に電界発光層が形成されている。さらに破線１１０に示す領域に対向電極が形
成されており、画素電極１０７と対向電極１１０との間に電界発光層１０９が挟まれてい
る。
【0044】
なお図９では、引き回し配線１０２ａと、半導体膜で形成された抵抗１３４の一端と
が接続されており、また抵抗１３４の他の一端が配線１３１を介して接続端子１３０と電
気的に接続されている。抵抗１３４を設けることで、接続端子１０１に入力された信号の
ノイズを低減したり、静電気などによって後段の回路素子が破壊されてしまうのを防いだ
りすることができる。
が接続されており、また抵抗１３４の他の一端が配線１３１を介して接続端子１３０と電
気的に接続されている。抵抗１３４を設けることで、接続端子１０１に入力された信号の
ノイズを低減したり、静電気などによって後段の回路素子が破壊されてしまうのを防いだ
りすることができる。
【0045】
図９のＡ－Ａ’における断面図を図１０（Ａ）に、図９のＢ－Ｂ’における断面図を図
１０（Ｂ）に示す。図１０（Ａ）に示すように、実施の形態１と同様に、接続配線１１１
が、信号線１０４、電源線１０５、補助電極１０３と共に第１の層間絶縁膜１１２上に設
けられており、画素電極１０７は、接続配線１１１上に接するように形成されている。ま
た、対向電極１１０は透光性を有する電極で形成されており、電界発光層１０９において
生じる光は、接続配線１１１において反射するので、対向電極１１０側から取り出すこと
ができる。
１０（Ｂ）に示す。図１０（Ａ）に示すように、実施の形態１と同様に、接続配線１１１
が、信号線１０４、電源線１０５、補助電極１０３と共に第１の層間絶縁膜１１２上に設
けられており、画素電極１０７は、接続配線１１１上に接するように形成されている。ま
た、対向電極１１０は透光性を有する電極で形成されており、電界発光層１０９において
生じる光は、接続配線１１１において反射するので、対向電極１１０側から取り出すこと
ができる。
【0046】
そして第２の層間絶縁膜１１３が、画素電極１０７の端部と、信号線１０４と、電源線
１０５とを覆うように、第１の層間絶縁膜１１２上に形成されている。第２の層間絶縁膜
１１３は開口部１０８ａ、１０８ｂを有しており、該開口部１０８ａ、１０８ｂにおいて
、画素電極１０７の一部と、引き回し配線１０２の一部と、補助電極１０３が露出してい
る。開口部１０８ａでは、画素電極１０７と、電界発光層１０９と対向電極１１０とが重
なり合い、発光素子１１４が形成されている。なお図９では、開口部１０８ｂにおいて補
助電極１０３の端部が露出せずに、第２の層間絶縁膜１１３に覆われているが、本実施の
形態はこの構成に限定されない。補助電極１０３の端部が露出していても良い。
１０５とを覆うように、第１の層間絶縁膜１１２上に形成されている。第２の層間絶縁膜
１１３は開口部１０８ａ、１０８ｂを有しており、該開口部１０８ａ、１０８ｂにおいて
、画素電極１０７の一部と、引き回し配線１０２の一部と、補助電極１０３が露出してい
る。開口部１０８ａでは、画素電極１０７と、電界発光層１０９と対向電極１１０とが重
なり合い、発光素子１１４が形成されている。なお図９では、開口部１０８ｂにおいて補
助電極１０３の端部が露出せずに、第２の層間絶縁膜１１３に覆われているが、本実施の
形態はこの構成に限定されない。補助電極１０３の端部が露出していても良い。
【0047】
開口部１０８ｂでは、補助電極１０３の端部が第２の層間絶縁膜１１３に覆われずに露
出した状態で、電界発光層１０９が形成される。そのため、電界発光層１０９を蒸着法で
形成した場合、補助電極１０３が該電界発光層１０９によって完全にではなく部分的に被
覆され、被覆されなかった部分が対向電極１１０と接続する。
出した状態で、電界発光層１０９が形成される。そのため、電界発光層１０９を蒸着法で
形成した場合、補助電極１０３が該電界発光層１０９によって完全にではなく部分的に被
覆され、被覆されなかった部分が対向電極１１０と接続する。
【0048】
図１１に、補助電極１０３と対向電極１１０の接続している部分の拡大図を示す。図１
１に示すように本実施の形態では、蒸着法を用いて電界発光層１０９を形成する際に、補
助電極１０３全体を完全ではなく部分的に被覆するように形成する。続いて対向電極１１
０を形成することで、破線で囲んだ部分１２０に示すように、補助電極１０３の露出した
端部と対向電極１１０が接続される。さらに本実施の形態のように、対向電極１１０を覆
うように透明導電膜１１６を成膜することで、対向電極１１０と補助電極１０３との電気
的な接続をより確かなものとすることができる。上記構成により、画素部において補助電
極１０３と対向電極１１０を電気的に接続することができる。
１に示すように本実施の形態では、蒸着法を用いて電界発光層１０９を形成する際に、補
助電極１０３全体を完全ではなく部分的に被覆するように形成する。続いて対向電極１１
０を形成することで、破線で囲んだ部分１２０に示すように、補助電極１０３の露出した
端部と対向電極１１０が接続される。さらに本実施の形態のように、対向電極１１０を覆
うように透明導電膜１１６を成膜することで、対向電極１１０と補助電極１０３との電気
的な接続をより確かなものとすることができる。上記構成により、画素部において補助電
極１０３と対向電極１１０を電気的に接続することができる。
【0049】
なお本実施の形態では、陽極を画素電極として用い、陰極を対向電極として用いる例を
示しているが、本発明はこの構成に限定されない。陰極を画素電極として、陽極を対向電
極として用いても良い。また本実施の形態では上面発光型の発光装置とし、実施の形態１
と同様に、対向電極１１０として透光性を有する電極を用い、対向電極１１０を覆うよう
に、透光性を有する透明導電膜１１６を成膜する。透明導電膜１１６は必ずしも設ける必
要はないが、膜厚を薄くすることによって対向電極１１０自体の抵抗が高まっても、電位
降下を抑えることができる。
示しているが、本発明はこの構成に限定されない。陰極を画素電極として、陽極を対向電
極として用いても良い。また本実施の形態では上面発光型の発光装置とし、実施の形態１
と同様に、対向電極１１０として透光性を有する電極を用い、対向電極１１０を覆うよう
に、透光性を有する透明導電膜１１６を成膜する。透明導電膜１１６は必ずしも設ける必
要はないが、膜厚を薄くすることによって対向電極１１０自体の抵抗が高まっても、電位
降下を抑えることができる。
【0050】
本実施の形態では、電界発光層から発せられる光を対向電極側から取り出す構成につい
て説明したが、本発明はこの構成に限定されない。画素電極側から光を取り出すタイプ（
下面発光型）であっても良いし、対向電極と画素電極の両方から光を取り出すタイプ（両
面発光型）であっても良い。
て説明したが、本発明はこの構成に限定されない。画素電極側から光を取り出すタイプ（
下面発光型）であっても良いし、対向電極と画素電極の両方から光を取り出すタイプ（両
面発光型）であっても良い。
【0051】
一方、引き回し配線１０２と対向電極１１０は、間に電界発光層１０９が成膜されてい
ない。よって図１０（Ｂ）に示すように、開口部１０８ｂにおいて、引き回し配線１０２
と対向電極１１０は接続される。そして、接続端子１０１から供給される電源電位が、引
き回し配線１０２を介して、補助電極１０３と対向電極１１０に供給される。補助電極１
０３を用いることで、対向電極１１０の電位降下を抑えることができ、画素部に輝度の勾
配が視認されるのを防ぐことができる。本発明は、補助電極を対向電極上にベタで形成す
ることが困難な上面発光型の発光装置において、特に有効である。
ない。よって図１０（Ｂ）に示すように、開口部１０８ｂにおいて、引き回し配線１０２
と対向電極１１０は接続される。そして、接続端子１０１から供給される電源電位が、引
き回し配線１０２を介して、補助電極１０３と対向電極１１０に供給される。補助電極１
０３を用いることで、対向電極１１０の電位降下を抑えることができ、画素部に輝度の勾
配が視認されるのを防ぐことができる。本発明は、補助電極を対向電極上にベタで形成す
ることが困難な上面発光型の発光装置において、特に有効である。
【0052】
また本実施の形態では、電界発光層のカバレッジ特性を逆手にとって、補助電極を一部
露出させ、補助電極と対向電極とを接続させているが、本発明はこれに限定されない。画
素部に電界発光層が部分的に成膜されない領域を形成し、該領域において補助電極と対向
電極とのコンタクトを形成するようにしても良い。また本実施の形態では、電界発光層を
全て蒸着法で形成した場合について説明したが、少なくとも発光層を蒸着法で形成してい
れば良く、発光層に比べて比較的抵抗の低い材料で形成されたホール注入層、ホール輸送
層、電子注入層、電子輸送層等は、蒸着法に限らず塗布法により形成しても良い。この場
合、補助電極の端部の発光層が形成されていない領域において、ホール注入層、ホール輸
送層、電子注入層または電子輸送層を介して、補助電極と対向電極とを電気的に接続する
ことができる。
露出させ、補助電極と対向電極とを接続させているが、本発明はこれに限定されない。画
素部に電界発光層が部分的に成膜されない領域を形成し、該領域において補助電極と対向
電極とのコンタクトを形成するようにしても良い。また本実施の形態では、電界発光層を
全て蒸着法で形成した場合について説明したが、少なくとも発光層を蒸着法で形成してい
れば良く、発光層に比べて比較的抵抗の低い材料で形成されたホール注入層、ホール輸送
層、電子注入層、電子輸送層等は、蒸着法に限らず塗布法により形成しても良い。この場
合、補助電極の端部の発光層が形成されていない領域において、ホール注入層、ホール輸
送層、電子注入層または電子輸送層を介して、補助電極と対向電極とを電気的に接続する
ことができる。
【0053】
また本発明は、発光素子を形成する前に補助電極を形成することで、フォトリソグラフ
ィ法を用いて補助電極を形成することができる。そして、フォトリソグラフィ法を用いる
ことで精密なパターンを形成することができ、したがって、高精細化により発光素子と発
光素子の間の幅が２０μｍを切るほど狭まっても、該幅に納まるように補助電極を形成す
ることができる。また本発明では、導電性を有する膜で形成された画素部の配線やゲート
電極などと共に、フォトリソグラフィ法を用いて補助電極を形成することで、工程数を増
やさずとも補助電極を形成することができる。
ィ法を用いて補助電極を形成することができる。そして、フォトリソグラフィ法を用いる
ことで精密なパターンを形成することができ、したがって、高精細化により発光素子と発
光素子の間の幅が２０μｍを切るほど狭まっても、該幅に納まるように補助電極を形成す
ることができる。また本発明では、導電性を有する膜で形成された画素部の配線やゲート
電極などと共に、フォトリソグラフィ法を用いて補助電極を形成することで、工程数を増
やさずとも補助電極を形成することができる。
【0054】
なお本実施の形態では、引き回し配線１０２と補助電極１０３とが、１つの開口部１０
８ｂにおいて対向電極１１０と接続しているが、開口部の形状は本実施の形態に限定され
ない。引き回し配線１０２を露出させる開口部と補助電極を露出させる開口部とが分離し
ていても良いし、補助電極を露出させる開口部を複数設けるようにしても良い。
８ｂにおいて対向電極１１０と接続しているが、開口部の形状は本実施の形態に限定され
ない。引き回し配線１０２を露出させる開口部と補助電極を露出させる開口部とが分離し
ていても良いし、補助電極を露出させる開口部を複数設けるようにしても良い。
【0055】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の発光装置が有する発光素子の一形態について説明する。図
４（Ａ）に、本実施の形態の、画素の断面図を示す。また図４（Ａ）の、破線５７０で囲
んだ部分の拡大図を図４（Ｂ）に、破線５７１で囲んだ部分の拡大図を図４（Ｃ）に示す
。
本実施の形態では、本発明の発光装置が有する発光素子の一形態について説明する。図
４（Ａ）に、本実施の形態の、画素の断面図を示す。また図４（Ａ）の、破線５７０で囲
んだ部分の拡大図を図４（Ｂ）に、破線５７１で囲んだ部分の拡大図を図４（Ｃ）に示す
。
【0056】
図４（Ａ）において、基板５００に、下地膜５０１が形成されており、該下地膜５０１
上に、発光素子への電流の供給を制御するトランジスタ（駆動用トランジスタ）５０２が
形成されている。駆動用トランジスタ５０２は、活性層５０３と、ゲート電極５０５と、
活性層５０３とゲート電極５０５の間に挟まれたゲート絶縁膜５０４とを有している。
上に、発光素子への電流の供給を制御するトランジスタ（駆動用トランジスタ）５０２が
形成されている。駆動用トランジスタ５０２は、活性層５０３と、ゲート電極５０５と、
活性層５０３とゲート電極５０５の間に挟まれたゲート絶縁膜５０４とを有している。
【0057】
活性層５０３は多結晶半導体膜を用いるのが好ましく、該多結晶半導体膜は、公知の技
術により非晶質珪素膜を結晶化することで形成することができる。公知の結晶化方法とし
ては、電熱炉を使用した熱結晶化方法、レーザー光を用いたレーザーアニール結晶化法、
赤外光を用いたランプアニール結晶化法がある。本実施の形態では、ＸｅＣｌガスを用い
たエキシマレーザー光を用いて結晶化する。また線状に加工したパルス発振型のエキシマ
レーザー光を用いるが、矩形であっても良いし、連続発振型のアルゴンレーザー光や連続
発振型のエキシマレーザー光を用いることもできる。或いは特開平７－１３０６５２号公
報で開示された技術に従って、触媒元素を用いる結晶化法で多結晶半導体膜を形成するこ
ともできる。また、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などで形成した多結晶半
導体膜を用いていても良い。
術により非晶質珪素膜を結晶化することで形成することができる。公知の結晶化方法とし
ては、電熱炉を使用した熱結晶化方法、レーザー光を用いたレーザーアニール結晶化法、
赤外光を用いたランプアニール結晶化法がある。本実施の形態では、ＸｅＣｌガスを用い
たエキシマレーザー光を用いて結晶化する。また線状に加工したパルス発振型のエキシマ
レーザー光を用いるが、矩形であっても良いし、連続発振型のアルゴンレーザー光や連続
発振型のエキシマレーザー光を用いることもできる。或いは特開平７－１３０６５２号公
報で開示された技術に従って、触媒元素を用いる結晶化法で多結晶半導体膜を形成するこ
ともできる。また、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などで形成した多結晶半
導体膜を用いていても良い。
【0058】
なお、活性層は珪素だけではなくシリコンゲルマニウムを用いるようにしても良い。シ
リコンゲルマニウムを用いる場合、ゲルマニウムの濃度は０．０１～４．５atomic％程度
であることが好ましい。また窒化炭素が添加された珪素を用いていても良い。
リコンゲルマニウムを用いる場合、ゲルマニウムの濃度は０．０１～４．５atomic％程度
であることが好ましい。また窒化炭素が添加された珪素を用いていても良い。
【0059】
またゲート絶縁膜５０４は、酸化珪素、窒化珪素または酸化窒化珪素を用いることがで
きる。またそれらを積層した膜、例えばＳｉＯ2上にＳｉＮを積層した膜を、ゲート絶縁
膜として用いても良い。またＳｉＯ2は、プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Orth
osilicate）とＯ2とを混合し、反応圧力４０Ｐａ、基板温度３００～４００℃とし、高周
波（１３．５６ＭＨｚ）、電力密度０．５～０．８Ｗ／ｃｍ2で放電させて、酸化シリコ
ン膜を形成した。このようにして作製される酸化シリコン膜は、その後４００～５００℃
の熱アニールによりゲート絶縁膜として良好な特性を得ることができる。また窒化アルミ
ニウムをゲート絶縁膜として用いることができる。窒化アルミニウムは熱伝導率が比較的
高く、ＴＦＴで発生した熱を効果的に拡散させることができる。またアルミニウムの含ま
れない酸化珪素や酸化窒化珪素等を形成した後、窒化アルミニウムを積層したものをゲー
ト絶縁膜として用いても良い。また、ＳｉをターゲットとしたＲＦスパッタ法を用いて形
成されたＳｉＯ2をゲート絶縁膜として用いても良い。
きる。またそれらを積層した膜、例えばＳｉＯ2上にＳｉＮを積層した膜を、ゲート絶縁
膜として用いても良い。またＳｉＯ2は、プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Orth
osilicate）とＯ2とを混合し、反応圧力４０Ｐａ、基板温度３００～４００℃とし、高周
波（１３．５６ＭＨｚ）、電力密度０．５～０．８Ｗ／ｃｍ2で放電させて、酸化シリコ
ン膜を形成した。このようにして作製される酸化シリコン膜は、その後４００～５００℃
の熱アニールによりゲート絶縁膜として良好な特性を得ることができる。また窒化アルミ
ニウムをゲート絶縁膜として用いることができる。窒化アルミニウムは熱伝導率が比較的
高く、ＴＦＴで発生した熱を効果的に拡散させることができる。またアルミニウムの含ま
れない酸化珪素や酸化窒化珪素等を形成した後、窒化アルミニウムを積層したものをゲー
ト絶縁膜として用いても良い。また、ＳｉをターゲットとしたＲＦスパッタ法を用いて形
成されたＳｉＯ2をゲート絶縁膜として用いても良い。
【0060】
またゲート電極５０５として、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、
または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成する。また、リン等の
不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を用いてもよい。ま
た単層の導電膜ではなく、複数の層からなる導電膜を積層したものであっても良い。
または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成する。また、リン等の
不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を用いてもよい。ま
た単層の導電膜ではなく、複数の層からなる導電膜を積層したものであっても良い。
【0061】
例えば、第１の導電膜を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜をＷとする組
み合わせ、第１の導電膜を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜をＴｉとする
組み合わせ、第１の導電膜を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜をＡｌとす
る組み合わせ、第１の導電膜を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜をＣｕと
する組み合わせで形成することが好ましい。また、第１の導電膜及び第２の導電膜として
リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜や、ＡｇＰ
ｄＣｕ合金を用いてもよい。
み合わせ、第１の導電膜を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜をＴｉとする
組み合わせ、第１の導電膜を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜をＡｌとす
る組み合わせ、第１の導電膜を窒化タンタル（ＴａＮ）で形成し、第２の導電膜をＣｕと
する組み合わせで形成することが好ましい。また、第１の導電膜及び第２の導電膜として
リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜や、ＡｇＰ
ｄＣｕ合金を用いてもよい。
【0062】
また、２層構造に限定されず、例えば、タングステン膜、アルミニウムとシリコンの合
金（Ａｌ－Ｓｉ）膜、窒化チタン膜を順次積層した３層構造としてもよい。また、３層構
造とする場合、タングステンに代えて窒化タングステンを用いてもよいし、アルミニウム
とシリコンの合金（Ａｌ－Ｓｉ）膜に代えてアルミニウムとチタンの合金膜（Ａｌ－Ｔｉ
）を用いてもよいし、窒化チタン膜に代えてチタン膜を用いてもよい。なお、導電膜の材
料によって、適宜最適なエッチングの方法や、エッチャントの種類を選択することが重要
である。
金（Ａｌ－Ｓｉ）膜、窒化チタン膜を順次積層した３層構造としてもよい。また、３層構
造とする場合、タングステンに代えて窒化タングステンを用いてもよいし、アルミニウム
とシリコンの合金（Ａｌ－Ｓｉ）膜に代えてアルミニウムとチタンの合金膜（Ａｌ－Ｔｉ
）を用いてもよいし、窒化チタン膜に代えてチタン膜を用いてもよい。なお、導電膜の材
料によって、適宜最適なエッチングの方法や、エッチャントの種類を選択することが重要
である。
【0063】
また駆動用トランジスタ５０２は、第１の層間絶縁膜５０７で覆われており、第１の層
間絶縁膜５０７上には、パッシベーション膜５０８とが積層されている。
間絶縁膜５０７上には、パッシベーション膜５０８とが積層されている。
【0064】
第１の層間絶縁膜５０７は、非感光性のアクリルや、酸化膜、窒化酸化珪素膜などを用
いることができる。パッシベーション膜５０８は、水分や酸素などの発光素子の劣化を促
進させる原因となる物質を、他の絶縁膜と比較して透過させにくい膜を用いる。代表的に
は、例えばＤＬＣ膜、窒化炭素膜、ＲＦスパッタ法で形成された窒化珪素膜等を用いるの
が望ましい。またパッシベーション膜５０８により、電子注入層５１３に含まれるアルカ
リ金属、アルカリ土類金属、または遷移金属がパネルの外に漏れ出すのを防ぐことができ
る。
いることができる。パッシベーション膜５０８は、水分や酸素などの発光素子の劣化を促
進させる原因となる物質を、他の絶縁膜と比較して透過させにくい膜を用いる。代表的に
は、例えばＤＬＣ膜、窒化炭素膜、ＲＦスパッタ法で形成された窒化珪素膜等を用いるの
が望ましい。またパッシベーション膜５０８により、電子注入層５１３に含まれるアルカ
リ金属、アルカリ土類金属、または遷移金属がパネルの外に漏れ出すのを防ぐことができ
る。
【0065】
パッシベーション膜５０８上には接続配線５０６が形成されており、駆動用トランジス
タ５０２はコンタクトホールを介して接続配線５０６と接続されている。またパッシベー
ション膜５０８上には、接続配線５０６と共通の導電膜をパターニングすることで得られ
る補助電極５２０が形成されている。
タ５０２はコンタクトホールを介して接続配線５０６と接続されている。またパッシベー
ション膜５０８上には、接続配線５０６と共通の導電膜をパターニングすることで得られ
る補助電極５２０が形成されている。
【0066】
また５１０は画素電極、５１１は正孔注入層、５１２は発光層、５１３は電子注入層に
相当する。画素電極５１０は接続配線５０６上に接するように形成されており、パッシベ
ーション膜５０８上には、画素電極５１０の一部と、補助電極５２０の一部とを露出させ
るための開口部５２１、５２２を有する、第２の層間絶縁膜５２３が形成されている。そ
して、パッシベーション膜５０８と開口部５２１を覆うように、正孔注入層５１１と、発
光層５１２と、電子注入層５１３とが順に形成されている。
相当する。画素電極５１０は接続配線５０６上に接するように形成されており、パッシベ
ーション膜５０８上には、画素電極５１０の一部と、補助電極５２０の一部とを露出させ
るための開口部５２１、５２２を有する、第２の層間絶縁膜５２３が形成されている。そ
して、パッシベーション膜５０８と開口部５２１を覆うように、正孔注入層５１１と、発
光層５１２と、電子注入層５１３とが順に形成されている。
【0067】
本実施の形態では、開口部５２１において、画素電極５１０と、正孔注入層５１１と、
発光層５１２と、電子注入層５１３とが重なっており、該重なっている部分が発光素子５
１４に相当する。なお発光層５１２は、開口部５２２を完全に覆わず、補助電極５２０を
一部露出させるようにメタルマスク５７２を用いて成膜する。よって開口部５２２におい
ては、補助電極５２０上に、正孔注入層５１１と、電子注入層５１３とが順に積層されて
いる。画素電極５１０と、正孔注入層５１１と、発光層５１２と、電子注入層５１３とが
重なっている部分が発光素子５１４に相当する。
発光層５１２と、電子注入層５１３とが重なっており、該重なっている部分が発光素子５
１４に相当する。なお発光層５１２は、開口部５２２を完全に覆わず、補助電極５２０を
一部露出させるようにメタルマスク５７２を用いて成膜する。よって開口部５２２におい
ては、補助電極５２０上に、正孔注入層５１１と、電子注入層５１３とが順に積層されて
いる。画素電極５１０と、正孔注入層５１１と、発光層５１２と、電子注入層５１３とが
重なっている部分が発光素子５１４に相当する。
【0068】
なお本実施の形態では、正孔注入層５１１として、例えばポリエチレンジオキシチオフ
ェン/ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）薄膜を塗布法で成膜することが
できる。
ェン/ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）薄膜を塗布法で成膜することが
できる。
【0069】
また本実施の形態では電子注入層として、電子輸送性の材料であるベンゾオキサゾール
誘導体と、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または遷移金属のいずれか一（例えばＬｉ
、Ｍｇ、Ｃｓ等）とを０．１～１０（モル比）で含有する電子注入性組成物を用いる。そ
して上記構成を有する電子注入層５１３を、対向電極の代わりに用いる。なお、本実施の
形態では、下記構造式（１）で示されるベンゾオキサゾール誘導体とアルカリ金属である
Ｌｉとのモル比が２となるようにして、２０ｎｍの膜厚で共蒸着法により形成する。
誘導体と、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または遷移金属のいずれか一（例えばＬｉ
、Ｍｇ、Ｃｓ等）とを０．１～１０（モル比）で含有する電子注入性組成物を用いる。そ
して上記構成を有する電子注入層５１３を、対向電極の代わりに用いる。なお、本実施の
形態では、下記構造式（１）で示されるベンゾオキサゾール誘導体とアルカリ金属である
Ｌｉとのモル比が２となるようにして、２０ｎｍの膜厚で共蒸着法により形成する。
【0070】
【化1】
【0071】
そして電子注入層５１３上に、保護膜５２４が成膜されている。保護膜５２４はパッシ
ベーション膜５０８と同様に、水分や酸素などの発光素子の劣化を促進させる原因となる
物質を、他の絶縁膜と比較して透過させにくい膜を用いる。代表的には、例えばＤＬＣ膜
、窒化炭素膜、ＲＦスパッタ法で形成された窒化珪素膜等を用いるのが望ましい。また上
述した水分や酸素などの物質を透過させにくい膜と、該膜に比べて水分や酸素などの物質
を透過させやすい膜とを積層させて、保護膜として用いることも可能である。
ベーション膜５０８と同様に、水分や酸素などの発光素子の劣化を促進させる原因となる
物質を、他の絶縁膜と比較して透過させにくい膜を用いる。代表的には、例えばＤＬＣ膜
、窒化炭素膜、ＲＦスパッタ法で形成された窒化珪素膜等を用いるのが望ましい。また上
述した水分や酸素などの物質を透過させにくい膜と、該膜に比べて水分や酸素などの物質
を透過させやすい膜とを積層させて、保護膜として用いることも可能である。
【0072】
なお第２の層間絶縁膜５２３は、正孔注入層５１１と、発光層５１２と、電子注入層５
１３とが成膜される前に、吸着した水分や酸素等を除去するために真空雰囲気下で加熱し
ておく。具体的には、１００℃～２００℃、０．５～１時間程度、真空雰囲気下で加熱処
理を行なう。望ましくは３×１０-7Ｔｏｒｒ以下とし、可能であるならば３×１０-8Ｔｏ
ｒｒ以下とするのが最も望ましい。そして、第２の層間絶縁膜５２３に真空雰囲気下で加
熱処理を施した後に正孔注入層５１１と、発光層５１２と、電子注入層５１３とを成膜す
る場合、成膜直前まで真空雰囲気下に保つことで、信頼性をより高めることができる。
１３とが成膜される前に、吸着した水分や酸素等を除去するために真空雰囲気下で加熱し
ておく。具体的には、１００℃～２００℃、０．５～１時間程度、真空雰囲気下で加熱処
理を行なう。望ましくは３×１０-7Ｔｏｒｒ以下とし、可能であるならば３×１０-8Ｔｏ
ｒｒ以下とするのが最も望ましい。そして、第２の層間絶縁膜５２３に真空雰囲気下で加
熱処理を施した後に正孔注入層５１１と、発光層５１２と、電子注入層５１３とを成膜す
る場合、成膜直前まで真空雰囲気下に保つことで、信頼性をより高めることができる。
【0073】
また第２の層間絶縁膜５２３の開口部５２１における端部は、第２の層間絶縁膜５２３
上に一部重なって形成されている発光層５１２に、該端部において穴があかないように、
丸みを帯びさせることが望ましい。具体的には、開口部における第２の層間絶縁膜の断面
が描いている曲線の曲率半径が、０．２～２μｍ程度であることが望ましい。
上に一部重なって形成されている発光層５１２に、該端部において穴があかないように、
丸みを帯びさせることが望ましい。具体的には、開口部における第２の層間絶縁膜の断面
が描いている曲線の曲率半径が、０．２～２μｍ程度であることが望ましい。
【0074】
上記構成により、後に形成される正孔注入層５１１と、発光層５１２と、電子注入層５
１３のカバレッジ性を高めることができ、画素電極５１０と電子注入層５１３が発光層５
１２に形成された穴においてショートするのを防ぐことができる。また発光層５１２の応
力を緩和させることで、発光領域が減少するシュリンクとよばれる不良を低減させること
ができ、信頼性を高めることができる。
１３のカバレッジ性を高めることができ、画素電極５１０と電子注入層５１３が発光層５
１２に形成された穴においてショートするのを防ぐことができる。また発光層５１２の応
力を緩和させることで、発光領域が減少するシュリンクとよばれる不良を低減させること
ができ、信頼性を高めることができる。
【0075】
なお図４では、第２の層間絶縁膜５２３として、ポジ型の感光性のアクリル樹脂を用い
た例を示している。感光性の有機樹脂には、光、電子、イオンなどのエネルギー線が露光
された箇所が除去されるポジ型と、露光された箇所が残るネガ型とがある。本発明ではネ
ガ型の有機樹脂膜を用いても良い。また感光性のポリイミドを用いて第２の層間絶縁膜５
２３を形成しても良い。ネガ型のアクリルを用いて第２の層間絶縁膜５２３を形成した場
合、開口部５２１における端部が、Ｓ字状の断面形状となる。このとき開口部の上端部及
び下端部における曲率半径は、０．２～２μｍとすることが望ましい。
た例を示している。感光性の有機樹脂には、光、電子、イオンなどのエネルギー線が露光
された箇所が除去されるポジ型と、露光された箇所が残るネガ型とがある。本発明ではネ
ガ型の有機樹脂膜を用いても良い。また感光性のポリイミドを用いて第２の層間絶縁膜５
２３を形成しても良い。ネガ型のアクリルを用いて第２の層間絶縁膜５２３を形成した場
合、開口部５２１における端部が、Ｓ字状の断面形状となる。このとき開口部の上端部及
び下端部における曲率半径は、０．２～２μｍとすることが望ましい。
【0076】
なお、第１の層間絶縁膜５０７または第２の層間絶縁膜５２３を、フォトレジストに用
いられる感光性有機樹脂で形成しても良い。この場合、例えば感光性有機樹脂の１つであ
るクレゾール樹脂をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
に溶かすことで得られる溶液を、基板上に塗布し、焼成する。次にクレゾール樹脂はポジ
型の感光性有機樹脂なので、開口部を形成したい部分を、フォトマスクを用いて露光する
。そして現像液で現像した後、基板を乾燥させ、１２０℃～２５０℃（例えば１２５℃）
で１時間程度の焼成を行なうことで、開口部を形成することができる。なお現像後の焼成
の前に、プリベークとして焼成の温度よりもやや低い温度（例えば１００℃程度）で焼成
しても良い。第１の層間絶縁膜５０７として感光性有機樹脂を用いることで、接続配線５
０６を形成する際に設けるコンタクトホールの口径が深さに対して小さくなるようにアス
ペクト比を高めることができる。また上記クレゾール樹脂を第１の層間絶縁膜５０７とし
て用いた場合、第１の層間絶縁膜５０７から水分が放出されるのを抑えることができるの
で、発光素子５１４の劣化を抑える目的でパッシベーション膜５０８を設ける必要がない
。したがって、パッシベーション膜５０８として用いた窒化珪素膜から、塵埃が生じ、該
塵埃によって画素電極と対向電極とがショートするのを防ぐことができる。
いられる感光性有機樹脂で形成しても良い。この場合、例えば感光性有機樹脂の１つであ
るクレゾール樹脂をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
に溶かすことで得られる溶液を、基板上に塗布し、焼成する。次にクレゾール樹脂はポジ
型の感光性有機樹脂なので、開口部を形成したい部分を、フォトマスクを用いて露光する
。そして現像液で現像した後、基板を乾燥させ、１２０℃～２５０℃（例えば１２５℃）
で１時間程度の焼成を行なうことで、開口部を形成することができる。なお現像後の焼成
の前に、プリベークとして焼成の温度よりもやや低い温度（例えば１００℃程度）で焼成
しても良い。第１の層間絶縁膜５０７として感光性有機樹脂を用いることで、接続配線５
０６を形成する際に設けるコンタクトホールの口径が深さに対して小さくなるようにアス
ペクト比を高めることができる。また上記クレゾール樹脂を第１の層間絶縁膜５０７とし
て用いた場合、第１の層間絶縁膜５０７から水分が放出されるのを抑えることができるの
で、発光素子５１４の劣化を抑える目的でパッシベーション膜５０８を設ける必要がない
。したがって、パッシベーション膜５０８として用いた窒化珪素膜から、塵埃が生じ、該
塵埃によって画素電極と対向電極とがショートするのを防ぐことができる。
【0077】
なお、第２の層間絶縁膜は上述した有機樹脂膜に限定されず、酸化珪素等の無機絶縁膜
であっても良い。
であっても良い。
【0078】
画素電極５１０はＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＳＯの他、酸化インジウムに２～２０％の酸化
亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透明導電膜を用いることができる。画素電極５１０として上記
透明導電膜の他に、窒化チタン膜またはチタン膜を用いても良い。図４では画素電極５１
０としてＩＴＯを用いている。画素電極５１０は、その表面が平坦化されるように、ＣＭ
Ｐ法、ポリビニルアルコール系の多孔質体で拭浄し、研磨しても良い。またＣＭＰ法を用
いた研磨後に、画素電極５１０の表面に紫外線照射、酸素プラズマ処理などを行ってもよ
い。
亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透明導電膜を用いることができる。画素電極５１０として上記
透明導電膜の他に、窒化チタン膜またはチタン膜を用いても良い。図４では画素電極５１
０としてＩＴＯを用いている。画素電極５１０は、その表面が平坦化されるように、ＣＭ
Ｐ法、ポリビニルアルコール系の多孔質体で拭浄し、研磨しても良い。またＣＭＰ法を用
いた研磨後に、画素電極５１０の表面に紫外線照射、酸素プラズマ処理などを行ってもよ
い。
【0079】
なお図４では、発光素子から発せられる光が基板５００側に照射される構成を示してい
るが、光が基板とは反対側に向かうような構造の発光素子としても良い。
るが、光が基板とは反対側に向かうような構造の発光素子としても良い。
【0080】
なお、実際には図４まで完成したら、さらに外気に曝されないように気密性が高く、脱
ガスの少ない保護フィルム（ラミネートフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）や透光性
のカバー材でパッケージング（封入）することが好ましい。その際、カバー材の内部を不
活性雰囲気にしたり、内部に吸湿性材料（例えば酸化バリウム）を配置したりするとＯＬ
ＥＤの信頼性が向上する。
ガスの少ない保護フィルム（ラミネートフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）や透光性
のカバー材でパッケージング（封入）することが好ましい。その際、カバー材の内部を不
活性雰囲気にしたり、内部に吸湿性材料（例えば酸化バリウム）を配置したりするとＯＬ
ＥＤの信頼性が向上する。
【0081】
なお、本発明は上述した作製方法に限定されず、公知の方法を用いて作製することが可
能である。
能である。
【0082】
なお図４に示した発光装置において、保護膜５２４が、無機絶縁膜と有機樹脂膜の積層
構造を有していても良い。図４（Ｂ）において、保護膜５２４が積層構造を有している場
合の構成を図２２（Ａ）に、図４（Ｃ）において、保護膜５２４が積層構造を有している
場合の構成を図２２（Ｂ）に示す。図２２（Ａ）、図２２（Ｂ）では、電子注入層５１３
上に接するように、無機絶縁膜５２４ａが形成されており、該無機絶縁膜５２４ａ上に有
機樹脂膜５２４ｂ、無機絶縁膜５２４ｃが順に積層されている。無機絶縁膜５２４ａ、５
２４ｃとして、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化酸
化アルミニウムまたは窒化酸化珪化アルミニウムを用いることで、発光素子５１４への水
分や酸素などの劣化を促進させる物質の侵入を防ぐことができる。また無機絶縁膜５２４
ａ、５２４ｃの間に、無機絶縁膜５２４ａ、５２４ｃよりも内部応力が小さい有機樹脂膜
５２４ｂを設けることで、保護膜５２４が応力によって剥離するのを防ぐことができる。
有機樹脂膜５２４ｂとしては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、
ベンゾシクロブテンまたはエポキシ樹脂を用いることができる。
構造を有していても良い。図４（Ｂ）において、保護膜５２４が積層構造を有している場
合の構成を図２２（Ａ）に、図４（Ｃ）において、保護膜５２４が積層構造を有している
場合の構成を図２２（Ｂ）に示す。図２２（Ａ）、図２２（Ｂ）では、電子注入層５１３
上に接するように、無機絶縁膜５２４ａが形成されており、該無機絶縁膜５２４ａ上に有
機樹脂膜５２４ｂ、無機絶縁膜５２４ｃが順に積層されている。無機絶縁膜５２４ａ、５
２４ｃとして、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化酸
化アルミニウムまたは窒化酸化珪化アルミニウムを用いることで、発光素子５１４への水
分や酸素などの劣化を促進させる物質の侵入を防ぐことができる。また無機絶縁膜５２４
ａ、５２４ｃの間に、無機絶縁膜５２４ａ、５２４ｃよりも内部応力が小さい有機樹脂膜
５２４ｂを設けることで、保護膜５２４が応力によって剥離するのを防ぐことができる。
有機樹脂膜５２４ｂとしては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、
ベンゾシクロブテンまたはエポキシ樹脂を用いることができる。
【0083】
また本実施の形態では、図４に示すように電子注入層５１３を保護膜５２４で覆ってい
るが、本発明はこれに限定されない。図４に示した発光装置において、電子注入層５１３
と保護膜５２４との間に、透明導電膜を形成した例を、図５に示す。なお図５では、図４
において既に示したものに同じ符号を付して示す。５８０は透明導電膜に相当する。電子
注入層５１３に接するように透明導電膜５８０を形成することで、対向電極として機能す
る電子注入層５１３自体の抵抗が高まっても、電位降下を抑えることができる。
るが、本発明はこれに限定されない。図４に示した発光装置において、電子注入層５１３
と保護膜５２４との間に、透明導電膜を形成した例を、図５に示す。なお図５では、図４
において既に示したものに同じ符号を付して示す。５８０は透明導電膜に相当する。電子
注入層５１３に接するように透明導電膜５８０を形成することで、対向電極として機能す
る電子注入層５１３自体の抵抗が高まっても、電位降下を抑えることができる。
【0084】
また図４、図５、図２２、図２３に示した発光装置において、電子注入層を複数の層で
構成し、最も上層の電子注入層に、最も高濃度のアルカリ金属、アルカリ土類金属、また
は遷移金属のいずれか一を添加する。図４に示した発光装置において、電子注入層を２層
設けた場合の、補助電極と正孔輸送層との接続構成を、図２４に示す。図２４において、
６５９は補助電極６６０と正孔輸送層６５４とを接続するための開口部に相当する。そし
て２層の電子注入層６５７、６５８が順に積層するように、正孔輸送層６５４上に形成さ
れている。また６６３は保護膜に相当する。図２４では、最も上層に形成されている電子
注入層６５８に、電子注入層６５７よりも高い濃度でアルカリ金属、アルカリ土類金属、
または遷移金属のいずれか一を添加する。なお、各電子注入層６５７、６５８が有する電
子輸送性の材料は、同じであっても異なっていてもどちらでも良い。
構成し、最も上層の電子注入層に、最も高濃度のアルカリ金属、アルカリ土類金属、また
は遷移金属のいずれか一を添加する。図４に示した発光装置において、電子注入層を２層
設けた場合の、補助電極と正孔輸送層との接続構成を、図２４に示す。図２４において、
６５９は補助電極６６０と正孔輸送層６５４とを接続するための開口部に相当する。そし
て２層の電子注入層６５７、６５８が順に積層するように、正孔輸送層６５４上に形成さ
れている。また６６３は保護膜に相当する。図２４では、最も上層に形成されている電子
注入層６５８に、電子注入層６５７よりも高い濃度でアルカリ金属、アルカリ土類金属、
または遷移金属のいずれか一を添加する。なお、各電子注入層６５７、６５８が有する電
子輸送性の材料は、同じであっても異なっていてもどちらでも良い。
【0085】
（実施の形態５）
本実施の形態では、図４で示した発光装置において、正孔注入層をプラズマエッチング
で部分的に除去する例について説明する。図６（Ａ）に、本実施の形態の、画素の断面図
を示す。また図６（Ａ）の、破線６０１で囲んだ部分の拡大図を図６（Ｂ）に、破線６０
２で囲んだ部分の拡大図を図６（Ｃ）に示す。
本実施の形態では、図４で示した発光装置において、正孔注入層をプラズマエッチング
で部分的に除去する例について説明する。図６（Ａ）に、本実施の形態の、画素の断面図
を示す。また図６（Ａ）の、破線６０１で囲んだ部分の拡大図を図６（Ｂ）に、破線６０
２で囲んだ部分の拡大図を図６（Ｃ）に示す。
【0086】
本実施の形態では、発光素子の構成自体は、図４で示した構成と同じである。具体的に
は、第２の層間絶縁膜６０４に形成された開口部６０５において、画素電極６０３の一部
が露出しており、開口部６０５を覆うように、画素電極６０３上に正孔注入層６０６、発
光層６０７、電子注入層６０８、保護膜６１３が順に積層されている。なお保護膜６１３
は必ずしも設ける必要はないが、設けることで発光素子の劣化を抑えることができる。開
口部６０５において、画素電極６０３と、正孔注入層６０６と、発光層６０７と、電子注
入層６０８とが重なっている部分が、発光素子６１１に相当する。
は、第２の層間絶縁膜６０４に形成された開口部６０５において、画素電極６０３の一部
が露出しており、開口部６０５を覆うように、画素電極６０３上に正孔注入層６０６、発
光層６０７、電子注入層６０８、保護膜６１３が順に積層されている。なお保護膜６１３
は必ずしも設ける必要はないが、設けることで発光素子の劣化を抑えることができる。開
口部６０５において、画素電極６０３と、正孔注入層６０６と、発光層６０７と、電子注
入層６０８とが重なっている部分が、発光素子６１１に相当する。
【0087】
そして第２の層間絶縁膜６０４には、開口部６０５の他に、補助電極６１０の一部を露
出するための開口部６０９が形成されている。本実施の形態では、正孔注入層６０６及び
発光層６０７が開口部６０９を完全に覆わないように、少なくとも補助電極６１０の一部
を露出させておく。具体的には、正孔注入層６０６及び発光層６０７を成膜した後に、メ
タルマスク６１２を用いたプラズマエッチングで選択的にエッチングすることで、補助電
極６１０を露出させることができる。なお、発光層６０７を蒸着法で選択的に成膜して、
正孔注入層６０６をプラズマエッチングにより選択的にエッチングするようにしても良い
。
出するための開口部６０９が形成されている。本実施の形態では、正孔注入層６０６及び
発光層６０７が開口部６０９を完全に覆わないように、少なくとも補助電極６１０の一部
を露出させておく。具体的には、正孔注入層６０６及び発光層６０７を成膜した後に、メ
タルマスク６１２を用いたプラズマエッチングで選択的にエッチングすることで、補助電
極６１０を露出させることができる。なお、発光層６０７を蒸着法で選択的に成膜して、
正孔注入層６０６をプラズマエッチングにより選択的にエッチングするようにしても良い
。
【0088】
上記構成により、開口部６０９において、補助電極６１０と対向電極として機能する電
子注入層６０８とを接続することができる。
子注入層６０８とを接続することができる。
【0089】
なお図６に示した発光装置において、保護膜６１３が、無機絶縁膜と有機樹脂膜の積層
構造を有していても良い。図６（Ｂ）において、保護膜６１３が積層構造を有している場
合の構成を図２３（Ａ）に、図６（Ｃ）において、保護膜６１３が積層構造を有している
場合の構成を図２３（Ｂ）に示す。図２３（Ａ）、図２３（Ｂ）では、電子注入層６０８
上に接するように、無機絶縁膜６１３ａが形成されており、該無機絶縁膜６１３ａ上に有
機樹脂膜６１３ｂ、無機絶縁膜６１３ｃが順に積層されている。無機絶縁膜６１３ａ、６
１３ｃとして、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化酸
化アルミニウムまたは窒化酸化珪化アルミニウムを用いることで、発光素子６１１への水
分や酸素などの劣化を促進させる物質の侵入を防ぐことができる。また無機絶縁膜６１３
ａ、６１３ｃの間に、無機絶縁膜６１３ａ、６１３ｃよりも内部応力が小さい有機樹脂膜
６１３ｂを設けることで、パッシベーション膜６１３が応力によって剥離するのを防ぐこ
とができる。有機樹脂膜６１３ｂとしては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイ
ミドアミド、ベンゾシクロブテンまたはエポキシ樹脂を用いることができる。
構造を有していても良い。図６（Ｂ）において、保護膜６１３が積層構造を有している場
合の構成を図２３（Ａ）に、図６（Ｃ）において、保護膜６１３が積層構造を有している
場合の構成を図２３（Ｂ）に示す。図２３（Ａ）、図２３（Ｂ）では、電子注入層６０８
上に接するように、無機絶縁膜６１３ａが形成されており、該無機絶縁膜６１３ａ上に有
機樹脂膜６１３ｂ、無機絶縁膜６１３ｃが順に積層されている。無機絶縁膜６１３ａ、６
１３ｃとして、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化酸
化アルミニウムまたは窒化酸化珪化アルミニウムを用いることで、発光素子６１１への水
分や酸素などの劣化を促進させる物質の侵入を防ぐことができる。また無機絶縁膜６１３
ａ、６１３ｃの間に、無機絶縁膜６１３ａ、６１３ｃよりも内部応力が小さい有機樹脂膜
６１３ｂを設けることで、パッシベーション膜６１３が応力によって剥離するのを防ぐこ
とができる。有機樹脂膜６１３ｂとしては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイ
ミドアミド、ベンゾシクロブテンまたはエポキシ樹脂を用いることができる。
【0090】
また本実施の形態では、図６に示すように電子注入層６０８を保護膜６１３で覆ってい
るが、本発明はこれに限定されない。図６に示した発光装置において、電子注入層６０８
と保護膜６１３との間に、透明導電膜を形成した例を、図７に示す。なお図７では、図６
において既に示したものに同じ符号を付して示す。６１４は透明導電膜に相当する。電子
注入層６０８に接するように透明導電膜６１４を形成することで、対向電極として機能す
る電子注入層６０８自体の抵抗が高まっても、電位降下を抑えることができる。
るが、本発明はこれに限定されない。図６に示した発光装置において、電子注入層６０８
と保護膜６１３との間に、透明導電膜を形成した例を、図７に示す。なお図７では、図６
において既に示したものに同じ符号を付して示す。６１４は透明導電膜に相当する。電子
注入層６０８に接するように透明導電膜６１４を形成することで、対向電極として機能す
る電子注入層６０８自体の抵抗が高まっても、電位降下を抑えることができる。
【0091】
また図７に示した発光装置において、開口部６０９は必ずしも電子注入層６０８に覆わ
れている必要はない。図７に示した発光装置において、補助電極６１０と保護膜６１３と
の間に透明導電膜を形成した例を、図８に示す。なお図８では、図７において既に示した
ものに同じ符号を付して示す。図８に示すように、開口部６０９を電子注入層６０８で覆
わないようにすることで、開口部６０９において透明導電膜６１４と補助電極６１０とを
直接接続される。
れている必要はない。図７に示した発光装置において、補助電極６１０と保護膜６１３と
の間に透明導電膜を形成した例を、図８に示す。なお図８では、図７において既に示した
ものに同じ符号を付して示す。図８に示すように、開口部６０９を電子注入層６０８で覆
わないようにすることで、開口部６０９において透明導電膜６１４と補助電極６１０とを
直接接続される。
【0092】
なお、図６、図７、図８に示した発光装置において、図２４に示した発光装置のように
、電子注入層を複数の層で構成し、最も上層の電子注入層に、最も高濃度のアルカリ金属
、アルカリ土類金属、または遷移金属のいずれか一を添加しても良い。
、電子注入層を複数の層で構成し、最も上層の電子注入層に、最も高濃度のアルカリ金属
、アルカリ土類金属、または遷移金属のいずれか一を添加しても良い。
【0093】
（実施の形態６）
本実施の形態では、画素内に設けられた各素子と、補助電極との接続関係について説明
する。
本実施の形態では、画素内に設けられた各素子と、補助電極との接続関係について説明
する。
【0094】
図１２に、本発明の発光装置が有するパネルの上面図を示す。図１２において７００は
基板であり、基板７００上に、信号線駆動回路７０１、走査線駆動回路７０２、画素部７
０３が設けられている。画素部７０３には、補助電極７０５、信号線７０６、走査線７０
７、電源線７０８が設けられている。信号線７０６には、信号線駆動回路７０１からビデ
オ信号が与えられており、走査線７０７の電位は、走査線駆動回路７０２によって制御さ
れている。
基板であり、基板７００上に、信号線駆動回路７０１、走査線駆動回路７０２、画素部７
０３が設けられている。画素部７０３には、補助電極７０５、信号線７０６、走査線７０
７、電源線７０８が設けられている。信号線７０６には、信号線駆動回路７０１からビデ
オ信号が与えられており、走査線７０７の電位は、走査線駆動回路７０２によって制御さ
れている。
【0095】
また基板７００の端部に複数の接続端子７０４が設けられており、該接続端子７０４を
介してパネルに各種信号や電位が供給される。補助電極７０５と電源線７０８のそれぞれ
に与えられる電位も、接続端子７０４から引き回し配線７０９を介して与えられる。
介してパネルに各種信号や電位が供給される。補助電極７０５と電源線７０８のそれぞれ
に与えられる電位も、接続端子７０４から引き回し配線７０９を介して与えられる。
【0096】
【0097】
図１３（Ａ）に示す画素は、２つのトランジスタ８０１、８０２と、発光素子８０３と
、容量素子８０４とを有する。さらに、信号線Ｓと、走査線Ｇと、電源線Ｖと、補助電極
Ｗとを有する。８０１は画素へのビデオ信号の入力を制御するためのトランジスタ（スイ
ッチング用トランジスタ）に相当し、８０２は発光素子８０３に供給される電流を制御す
るためのトランジスタ（駆動用トランジスタ）に相当する。なお容量素子８０４はスイッ
チング用トランジスタ８０１がオフのときに、駆動用トランジスタ８０２のゲート電極の
電位を保持する機能を有しており、必ずしも設ける必要はない。
、容量素子８０４とを有する。さらに、信号線Ｓと、走査線Ｇと、電源線Ｖと、補助電極
Ｗとを有する。８０１は画素へのビデオ信号の入力を制御するためのトランジスタ（スイ
ッチング用トランジスタ）に相当し、８０２は発光素子８０３に供給される電流を制御す
るためのトランジスタ（駆動用トランジスタ）に相当する。なお容量素子８０４はスイッ
チング用トランジスタ８０１がオフのときに、駆動用トランジスタ８０２のゲート電極の
電位を保持する機能を有しており、必ずしも設ける必要はない。
【0098】
具体的に、スイッチング用トランジスタ８０１は、ゲート電極が走査線Ｇに、ソースと
ドレインが、一方は信号線Ｓに、他方が駆動用トランジスタ８０２のゲート電極に接続さ
れている。駆動用トランジスタ８０２はソースが電源線Ｖに、ドレインが発光素子８０３
の画素電極に接続されている。また発光素子８０３の対向電極は補助電極Ｗに接続されて
いる。容量素子８０４が有する２つの電極は、一方が駆動用トランジスタ８０２のゲート
に、他方が電源線Ｖに接続されている。
ドレインが、一方は信号線Ｓに、他方が駆動用トランジスタ８０２のゲート電極に接続さ
れている。駆動用トランジスタ８０２はソースが電源線Ｖに、ドレインが発光素子８０３
の画素電極に接続されている。また発光素子８０３の対向電極は補助電極Ｗに接続されて
いる。容量素子８０４が有する２つの電極は、一方が駆動用トランジスタ８０２のゲート
に、他方が電源線Ｖに接続されている。
【0099】
【0100】
【0101】
なお図１３（Ａ）に示す画素は、本発明の発光装置が有する画素の一実施形態を示して
いるに過ぎず、本発明の発光装置は本実施の形態で示した画素に限定されない。
いるに過ぎず、本発明の発光装置は本実施の形態で示した画素に限定されない。
【実施例0102】
本実施例では、引き回し配線と、補助電極と、信号線と、電源線のレイアウトについて
説明する。
説明する。
【0103】
図１５に、引き回し配線と補助電極の接続部分の上面図を示す。１２０１は接続端子で
あり、配線１２０２を介して配線１２０３と接続されている。また配線１２０３は、配線
１２０４を介して配線１２０５と接続されている。配線１２０５は、補助電極１２０６と
接続されており、より具体的には、補助電極１２０６と連続した１つの導電膜で形成され
ている。したがって、図１５の場合、接続端子１２０１と補助電極１２０６とを接続して
いる引き回し配線は、配線１２０２、１２０３、１２０４、１２０５に相当する。
あり、配線１２０２を介して配線１２０３と接続されている。また配線１２０３は、配線
１２０４を介して配線１２０５と接続されている。配線１２０５は、補助電極１２０６と
接続されており、より具体的には、補助電極１２０６と連続した１つの導電膜で形成され
ている。したがって、図１５の場合、接続端子１２０１と補助電極１２０６とを接続して
いる引き回し配線は、配線１２０２、１２０３、１２０４、１２０５に相当する。
【0104】
また１２０７は信号線駆動回路に相当し、配線１２０８を介して、信号線１２０９にビ
デオ信号を供給している。そして各色に対応する電源線１２１０ｒ、１２１０ｇ、１２１
０ｂは、それぞれ配線１２１１ｒ、１２１１ｇ、１２１１ｂを介して、配線１２１２ｒ、
１２１２ｇ、１２１２ｂと接続されている。なお配線１２１２ｂはさらに配線１２１３を
介して配線１２１４に接続されている。そして配線１２１２ｒ、１２１２ｇ、１２１４は
、それぞれ接続端子１２１５ｒ、１２１５ｇ、１２１５ｂに接続されている。
デオ信号を供給している。そして各色に対応する電源線１２１０ｒ、１２１０ｇ、１２１
０ｂは、それぞれ配線１２１１ｒ、１２１１ｇ、１２１１ｂを介して、配線１２１２ｒ、
１２１２ｇ、１２１２ｂと接続されている。なお配線１２１２ｂはさらに配線１２１３を
介して配線１２１４に接続されている。そして配線１２１２ｒ、１２１２ｇ、１２１４は
、それぞれ接続端子１２１５ｒ、１２１５ｇ、１２１５ｂに接続されている。
【0105】
そして、１２１６は第２層間絶縁膜に形成された開口部に相当し、開口部１２１６にお
いて、配線１２０５と対向電極（図示せず）が直接または電気的に接続される。
いて、配線１２０５と対向電極（図示せず）が直接または電気的に接続される。
【実施例0106】
本実施例では、本発明の画素のバリエーションについて説明する。
【0107】
図１６（Ａ）に、本実施例の画素の一形態を示す。図１６（Ａ）に示す画素は、発光素
子９０１と、ビデオ信号の画素への入力を制御するためのスイッチング素子として用いる
スイッチング用トランジスタ９０２と、発光素子９０１に流れる電流値を制御する駆動用
トランジスタ９０３と、発光素子９０１への電流の供給の有無を選択するための電流制御
用トランジスタ９０４とを有している。さらに本実施例のように、トランジスタ９０４の
ゲートの電位を保持するための容量素子９０５を画素に設けても良い。
子９０１と、ビデオ信号の画素への入力を制御するためのスイッチング素子として用いる
スイッチング用トランジスタ９０２と、発光素子９０１に流れる電流値を制御する駆動用
トランジスタ９０３と、発光素子９０１への電流の供給の有無を選択するための電流制御
用トランジスタ９０４とを有している。さらに本実施例のように、トランジスタ９０４の
ゲートの電位を保持するための容量素子９０５を画素に設けても良い。
【0108】
スイッチング用トランジスタ９０２はｎ型であってもｐ型であってもどちらでも良い。
駆動用トランジスタ９０３及び電流制御用トランジスタ９０４はｎ型であってもｐ型であ
ってもどちらでも良いが、２つ共、同じ極性を有する。そして駆動用トランジスタ９０３
を飽和領域で、電流制御用トランジスタ９０４を線形領域で動作させる。駆動用トランジ
スタ９０３にはエンハンスメント型トランジスタを用いてもよいし、ディプリーション型
トランジスタを用いてもよい。
駆動用トランジスタ９０３及び電流制御用トランジスタ９０４はｎ型であってもｐ型であ
ってもどちらでも良いが、２つ共、同じ極性を有する。そして駆動用トランジスタ９０３
を飽和領域で、電流制御用トランジスタ９０４を線形領域で動作させる。駆動用トランジ
スタ９０３にはエンハンスメント型トランジスタを用いてもよいし、ディプリーション型
トランジスタを用いてもよい。
【0109】
また、駆動用トランジスタ９０３のＬをＷより長く、電流制御用トランジスタ９０４の
ＬをＷと同じか、それより短くてもよい。より望ましくは、駆動用トランジスタ９０３の
Ｗに対するＬの比が５以上にするとよい。上記構成によって、駆動用トランジスタ９０３
の特性の違いに起因する、画素間における発光素子９０１の輝度のばらつきをさらに抑え
ることができる。また、駆動用トランジスタのチャネル長をＬ１、チャネル幅をＷ１、電
流制御用トランジスタのチャネル長をＬ２、チャネル幅をＷ２とすると、Ｌ１／Ｗ１：Ｌ
２／Ｗ２＝Ｘ：１のとき、Ｘは５以上６０００以下とするのが望ましい。例えばＸ＝６０
００の場合、Ｌ１／Ｗ１＝５００μｍ／３μｍ、Ｌ２／Ｗ２＝３μｍ／１００μｍとする
のが望ましい。
ＬをＷと同じか、それより短くてもよい。より望ましくは、駆動用トランジスタ９０３の
Ｗに対するＬの比が５以上にするとよい。上記構成によって、駆動用トランジスタ９０３
の特性の違いに起因する、画素間における発光素子９０１の輝度のばらつきをさらに抑え
ることができる。また、駆動用トランジスタのチャネル長をＬ１、チャネル幅をＷ１、電
流制御用トランジスタのチャネル長をＬ２、チャネル幅をＷ２とすると、Ｌ１／Ｗ１：Ｌ
２／Ｗ２＝Ｘ：１のとき、Ｘは５以上６０００以下とするのが望ましい。例えばＸ＝６０
００の場合、Ｌ１／Ｗ１＝５００μｍ／３μｍ、Ｌ２／Ｗ２＝３μｍ／１００μｍとする
のが望ましい。
【0110】
スイッチング用トランジスタ９０２のゲート電極は、走査線Ｇに接続されている。スイ
ッチング用トランジスタ９０２のソースとドレインは、一方が信号線Ｓに、もう一方が電
流制御用トランジスタ９０４のゲート電極に接続されている。駆動用トランジスタ９０３
のゲート電極は第２の電源線Ｖｂに接続されている。そして駆動用トランジスタ９０３及
び電流制御用トランジスタ９０４は、第１の電源線Ｖａから供給される電流が、駆動用ト
ランジスタ９０３及び電流制御用トランジスタ９０４のドレイン電流として発光素子９０
１に供給されるように、第１の電源線Ｖａ、発光素子９０１と接続されている。本実施例
では、電流制御用トランジスタ９０４のソースが第１の電源線Ｖａに接続され、駆動用ト
ランジスタ９０３のドレインが発光素子９０１の画素電極に接続される。
ッチング用トランジスタ９０２のソースとドレインは、一方が信号線Ｓに、もう一方が電
流制御用トランジスタ９０４のゲート電極に接続されている。駆動用トランジスタ９０３
のゲート電極は第２の電源線Ｖｂに接続されている。そして駆動用トランジスタ９０３及
び電流制御用トランジスタ９０４は、第１の電源線Ｖａから供給される電流が、駆動用ト
ランジスタ９０３及び電流制御用トランジスタ９０４のドレイン電流として発光素子９０
１に供給されるように、第１の電源線Ｖａ、発光素子９０１と接続されている。本実施例
では、電流制御用トランジスタ９０４のソースが第１の電源線Ｖａに接続され、駆動用ト
ランジスタ９０３のドレインが発光素子９０１の画素電極に接続される。
【0111】
なお駆動用トランジスタ９０３のソースを第１の電源線Ｖａに接続し、電流制御用トラ
ンジスタ９０４のドレインを発光素子９０１の画素電極に接続してもよい。
ンジスタ９０４のドレインを発光素子９０１の画素電極に接続してもよい。
【0112】
発光素子９０１は陽極と陰極と、陽極と陰極との間に設けられた電界発光層とからなる
。図１６（Ａ）のように、陽極が駆動用トランジスタ９０３と接続している場合、陽極が
画素電極、陰極が対向電極となる。発光素子９０１の対向電極と、第１の電源線Ｖａのそ
れぞれには、発光素子９０１に順バイアス方向の電流が供給されるように、電位差が設け
られている。発光素子９０１の対向電極は、補助電極Ｗと接続されている。
。図１６（Ａ）のように、陽極が駆動用トランジスタ９０３と接続している場合、陽極が
画素電極、陰極が対向電極となる。発光素子９０１の対向電極と、第１の電源線Ｖａのそ
れぞれには、発光素子９０１に順バイアス方向の電流が供給されるように、電位差が設け
られている。発光素子９０１の対向電極は、補助電極Ｗと接続されている。
【0113】
容量素子９０５が有する２つの電極は、一方は第１の電源線Ｖａに接続されており、も
う一方は電流制御用トランジスタ９０４のゲート電極に接続されている。容量素子９０５
はスイッチング用トランジスタ９０２が非選択状態（オフ状態）にある時、容量素子９０
５の電極間の電位差を保持するために設けられている。なお図１６（Ａ）では容量素子９
０５を設ける構成を示したが、図１６（Ａ）に示す画素はこの構成に限定されず、容量素
子９０５を設けない構成にしても良い。
う一方は電流制御用トランジスタ９０４のゲート電極に接続されている。容量素子９０５
はスイッチング用トランジスタ９０２が非選択状態（オフ状態）にある時、容量素子９０
５の電極間の電位差を保持するために設けられている。なお図１６（Ａ）では容量素子９
０５を設ける構成を示したが、図１６（Ａ）に示す画素はこの構成に限定されず、容量素
子９０５を設けない構成にしても良い。
【0114】
図１６（Ａ）では駆動用トランジスタ９０３および電流制御用トランジスタ９０４をｐ
型とし、駆動用トランジスタ９０３のドレインと発光素子９０１の陽極とを接続した。逆
に駆動用トランジスタ９０３および電流制御用トランジスタ９０４をｎ型とするならば、
駆動用トランジスタ９０３のソースと発光素子９０１の陰極とを接続する。この場合、発
光素子９０１の陰極が画素電極、陽極が対向電極となる。
型とし、駆動用トランジスタ９０３のドレインと発光素子９０１の陽極とを接続した。逆
に駆動用トランジスタ９０３および電流制御用トランジスタ９０４をｎ型とするならば、
駆動用トランジスタ９０３のソースと発光素子９０１の陰極とを接続する。この場合、発
光素子９０１の陰極が画素電極、陽極が対向電極となる。
【0115】
次に、図１６（Ｂ）に、図１６（Ａ）に示した画素に、電流制御用トランジスタ９０４
を強制的にオフするためのトランジスタ（消去用トランジスタ）９０６を設けた画素の回
路図を示す。なお図１６（Ｂ）では、図１６（Ａ）において既に説明した素子については
、同じ符号を付して示す。なお第１の走査線は第２の走査線と区別するために、Ｇａで示
し、第２の走査線をＧｂとして示す。消去用トランジスタ９０６は、ゲート電極が第２の
走査線Ｇｂに接続されており、ソースとドレインは、一方が電流制御用トランジスタ９０
４のゲート電極に、他方が第１の電源線Ｖａに接続されている。消去用トランジスタ９０
６はｎ型であってもｐ型であってもどちらでも良い。
を強制的にオフするためのトランジスタ（消去用トランジスタ）９０６を設けた画素の回
路図を示す。なお図１６（Ｂ）では、図１６（Ａ）において既に説明した素子については
、同じ符号を付して示す。なお第１の走査線は第２の走査線と区別するために、Ｇａで示
し、第２の走査線をＧｂとして示す。消去用トランジスタ９０６は、ゲート電極が第２の
走査線Ｇｂに接続されており、ソースとドレインは、一方が電流制御用トランジスタ９０
４のゲート電極に、他方が第１の電源線Ｖａに接続されている。消去用トランジスタ９０
６はｎ型であってもｐ型であってもどちらでも良い。
【0116】
次に、図１６（Ｃ）に、図１６（Ａ）に示した画素において、駆動用トランジスタ９０
３のゲート電極を、電流制御用トランジスタ９０４のソースと共に、１つの電源線Ｖに接
続する画素の回路図を示す。なお図１６（Ｃ）では、図１６（Ａ）において既に説明した
素子については、同じ符号を付して示す。図１６（Ｃ）に示すように、電流制御用トラン
ジスタ９０４のソースと駆動用トランジスタ９０３のゲート電極を共通の電源線Ｖに接続
する場合、駆動用トランジスタ９０３にはディプリーション型トランジスタを用い、駆動
用トランジスタ９０３以外のトランジスタは、通常のエンハンスメント型トランジスタと
する。
３のゲート電極を、電流制御用トランジスタ９０４のソースと共に、１つの電源線Ｖに接
続する画素の回路図を示す。なお図１６（Ｃ）では、図１６（Ａ）において既に説明した
素子については、同じ符号を付して示す。図１６（Ｃ）に示すように、電流制御用トラン
ジスタ９０４のソースと駆動用トランジスタ９０３のゲート電極を共通の電源線Ｖに接続
する場合、駆動用トランジスタ９０３にはディプリーション型トランジスタを用い、駆動
用トランジスタ９０３以外のトランジスタは、通常のエンハンスメント型トランジスタと
する。
【0117】
次に、図１６（Ｄ）に、図１６（Ｃ）に示した画素において、電流制御用トランジスタ
９０４を強制的にオフするためのトランジスタ（消去用トランジスタ）９０６を設けた画
素の回路図を示す。なお図１６（Ｄ）では、図１６（Ａ）～図１６（Ｃ）において既に説
明した素子については、同じ符号を付して示す。消去用トランジスタ９０６は、ゲート電
極が第２の走査線Ｇｂに接続されており、ソースとドレインは、一方が電流制御用トラン
ジスタ９０４のゲート電極に、他方が電源線Ｖに接続されている。消去用トランジスタ９
０６はｎ型であってもｐ型であってもどちらでも良い。
９０４を強制的にオフするためのトランジスタ（消去用トランジスタ）９０６を設けた画
素の回路図を示す。なお図１６（Ｄ）では、図１６（Ａ）～図１６（Ｃ）において既に説
明した素子については、同じ符号を付して示す。消去用トランジスタ９０６は、ゲート電
極が第２の走査線Ｇｂに接続されており、ソースとドレインは、一方が電流制御用トラン
ジスタ９０４のゲート電極に、他方が電源線Ｖに接続されている。消去用トランジスタ９
０６はｎ型であってもｐ型であってもどちらでも良い。
【0118】
次に、図１７（Ａ）に、図１６（Ａ）に示した画素において、駆動用トランジスタ９０
３のゲート電極を、第２の走査線Ｇｂに接続する画素の回路図を示す。なお図１７（Ａ）
では、図１６（Ａ）において既に説明した素子については、同じ符号を付して示す。図１
７（Ａ）に示すように、駆動用トランジスタ９０３のゲート電極に与える電位を切り替え
ることで、ビデオ信号が有する情報に関わらず、発光素子９０１の発光を強制的に終了さ
せることができる。駆動用トランジスタ９０３にはエンハンスメント型トランジスタを用
いてもよいし、ディプリーション型トランジスタを用いてもよい。
３のゲート電極を、第２の走査線Ｇｂに接続する画素の回路図を示す。なお図１７（Ａ）
では、図１６（Ａ）において既に説明した素子については、同じ符号を付して示す。図１
７（Ａ）に示すように、駆動用トランジスタ９０３のゲート電極に与える電位を切り替え
ることで、ビデオ信号が有する情報に関わらず、発光素子９０１の発光を強制的に終了さ
せることができる。駆動用トランジスタ９０３にはエンハンスメント型トランジスタを用
いてもよいし、ディプリーション型トランジスタを用いてもよい。
【0119】
次に、図１７（Ｂ）に、図１７（Ａ）に示した画素において、電流制御用トランジスタ
９０４を強制的にオフするためのトランジスタ（消去用トランジスタ）９０６を設けた画
素の回路図を示す。なお図１７（Ｂ）では、図１６（Ａ）～図１６（Ｄ）及び図１７（Ａ
）において既に説明した素子については、同じ符号を付して示す。消去用トランジスタ９
０６は、ゲート電極が第２の走査線Ｇｂに接続されており、ソースとドレインは、一方が
電流制御用トランジスタ９０４のゲート電極に、他方が電源線Ｖに接続されている。消去
用トランジスタ９０６はｎ型であってもｐ型であってもどちらでも良い。
９０４を強制的にオフするためのトランジスタ（消去用トランジスタ）９０６を設けた画
素の回路図を示す。なお図１７（Ｂ）では、図１６（Ａ）～図１６（Ｄ）及び図１７（Ａ
）において既に説明した素子については、同じ符号を付して示す。消去用トランジスタ９
０６は、ゲート電極が第２の走査線Ｇｂに接続されており、ソースとドレインは、一方が
電流制御用トランジスタ９０４のゲート電極に、他方が電源線Ｖに接続されている。消去
用トランジスタ９０６はｎ型であってもｐ型であってもどちらでも良い。
【0120】
次に、図１７（Ｃ）に、図１６（Ａ）に示した画素において、駆動用トランジスタ９０
３のゲート電極と、電流制御用トランジスタ９０４のゲート電極とが接続されている画素
の回路図を示す。なお図１７（Ｃ）では、図１６（Ａ）において既に説明した素子につい
ては、同じ符号を付して示す。図１７（Ｃ）に示すように、電流制御用トランジスタ９０
４のゲート電極と駆動用トランジスタ９０３のゲート電極を接続する場合、駆動用トラン
ジスタ９０３にはディプリーション型トランジスタを用い、駆動用トランジスタ９０３以
外のトランジスタは、通常のエンハンスメント型トランジスタとする。
３のゲート電極と、電流制御用トランジスタ９０４のゲート電極とが接続されている画素
の回路図を示す。なお図１７（Ｃ）では、図１６（Ａ）において既に説明した素子につい
ては、同じ符号を付して示す。図１７（Ｃ）に示すように、電流制御用トランジスタ９０
４のゲート電極と駆動用トランジスタ９０３のゲート電極を接続する場合、駆動用トラン
ジスタ９０３にはディプリーション型トランジスタを用い、駆動用トランジスタ９０３以
外のトランジスタは、通常のエンハンスメント型トランジスタとする。
【0121】
次に、図１７（Ｄ）に、電流制御用トランジスタを設けない画素の構成を示す。図１７
（Ｄ）において、９１１は発光素子、９１２はスイッチング用トランジスタ、９１３は駆
動用トランジスタ、９１５は容量素子、９１６は消去用トランジスタに相当する。スイッ
チング用トランジスタ９１２は、ゲート電極が第１の走査線Ｇａに接続されており、ソー
スとドレインが、一方は信号線Ｓに、他方が駆動用トランジスタ９１３のゲート電極に接
続されている。駆動用トランジスタ９１３は、ソースが電源線Ｖに、ドレインが発光素子
９１１の画素電極に接続されている。発光素子９１１の対向電極は補助電極Ｗに接続され
ている。消去用トランジスタ９１６は、ゲート電極が第２の走査線Ｇｂに、ソースとドレ
インは、一方が駆動用トランジスタ９１３のゲート電極に、他方が電源線Ｖに接続されて
いる。
（Ｄ）において、９１１は発光素子、９１２はスイッチング用トランジスタ、９１３は駆
動用トランジスタ、９１５は容量素子、９１６は消去用トランジスタに相当する。スイッ
チング用トランジスタ９１２は、ゲート電極が第１の走査線Ｇａに接続されており、ソー
スとドレインが、一方は信号線Ｓに、他方が駆動用トランジスタ９１３のゲート電極に接
続されている。駆動用トランジスタ９１３は、ソースが電源線Ｖに、ドレインが発光素子
９１１の画素電極に接続されている。発光素子９１１の対向電極は補助電極Ｗに接続され
ている。消去用トランジスタ９１６は、ゲート電極が第２の走査線Ｇｂに、ソースとドレ
インは、一方が駆動用トランジスタ９１３のゲート電極に、他方が電源線Ｖに接続されて
いる。
【0122】
なお、本発明の発光装置が有する画素の構成は、本実施例で示した構成に限定されない
。
。
【実施例0123】
本実施例では、図１６（Ａ）に示した画素の、上面図の一実施例について説明する。図
１８に本実施例の画素の上面図を示す。
１８に本実施例の画素の上面図を示す。
【0124】
８００１は信号線、８００２は第１の電源線、８００３は第２の電源線、８００４は第
１の走査線、８００５は第２の走査線、８００６は補助電極に相当する。本実施例では、
信号線８００１と、第１の電源線８００２と、第２の電源線８００３と、補助電極８００
６は同じ導電膜で形成し、第１の走査線８００４と、第２の走査線８００５は同じ導電膜
で形成する。
また８００７はスイッチング用トランジスタであり、第１の走査線８００４の一部がゲー
ト電極として機能する。また８００８は消去用トランジスタであり、第２の走査線８００
５の一部がそのゲート電極として機能する。８００９は電流制御用トランジスタ８００９
は駆動用トランジスタに相当する。駆動用トランジスタ８０１０は、Ｌ／Ｗが電流制御用
トランジスタ８００９よりも大きくなるように、活性層が曲がりくねっている。８０１１
は画素電極に相当し、電界発光層や対向電極（共に図示せず）と、開口部８０１２におい
て互いに接するように重なっている。また補助電極８００６は、開口部８０１３において
対向電極と接続されている。８０１４は容量手段であり、第２の電源線８００３と電流制
御用トランジスタ８００９との間のゲート絶縁膜によって形成されている。
１の走査線、８００５は第２の走査線、８００６は補助電極に相当する。本実施例では、
信号線８００１と、第１の電源線８００２と、第２の電源線８００３と、補助電極８００
６は同じ導電膜で形成し、第１の走査線８００４と、第２の走査線８００５は同じ導電膜
で形成する。
また８００７はスイッチング用トランジスタであり、第１の走査線８００４の一部がゲー
ト電極として機能する。また８００８は消去用トランジスタであり、第２の走査線８００
５の一部がそのゲート電極として機能する。８００９は電流制御用トランジスタ８００９
は駆動用トランジスタに相当する。駆動用トランジスタ８０１０は、Ｌ／Ｗが電流制御用
トランジスタ８００９よりも大きくなるように、活性層が曲がりくねっている。８０１１
は画素電極に相当し、電界発光層や対向電極（共に図示せず）と、開口部８０１２におい
て互いに接するように重なっている。また補助電極８００６は、開口部８０１３において
対向電極と接続されている。８０１４は容量手段であり、第２の電源線８００３と電流制
御用トランジスタ８００９との間のゲート絶縁膜によって形成されている。
【0125】
なお本発明の上面図は一実施例であり、本発明はこれに限定されないことは言うまでも
ない。
ない。