特開 2023-155030 配線基板及び配線基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023155030

(43)【公開日】2023-10-20

(54)【発明の名称】配線基板及び配線基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/18 20060101AFI20231013BHJP

   H05K 3/38 20060101ALI20231013BHJP

【ＦＩ】

H05K3/18 K

H05K3/38 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】18

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022064753

(22)【出願日】2022-04-08

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】池田 大介

(72)【発明者】

【氏名】高田 昌留

【テーマコード（参考）】

5E343

【Ｆターム（参考）】

5E343AA02

5E343AA17

5E343AA18

5E343AA36

5E343BB24

5E343BB44

5E343CC48

5E343CC56

5E343DD25

5E343DD33

5E343DD43

5E343EE36

5E343GG04

(57)【要約】

【課題】配線基板の品質及び特性の向上。
【解決手段】実施形態の配線基板は、第１絶縁層２１と、第１絶縁層２１の表面２１ａ上に形成されている第１導体層１１と、第１導体層１１の上に積層されている第２絶縁層２２と、第２絶縁層２２上に形成されている第２導体層１２と、第２絶縁層２２を貫通して第１導体層１１と第２導体層１２とを接続するビア導体４２と、を含んでいる。第１導体層１１は、ビア導体４２に接する導体パッド１ａ、及び配線パターン１ｂを含み、第１絶縁層２１の表面２１ａは、第１領域２１１及び第１領域２１１よりも高い面粗度を有する第２領域２１２を含み、配線パターン１ｂは第１領域２１１に形成されており、導体パッド１ａは第２領域２１２に形成されている。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の表面上に形成されている第１導体層と、
前記第１導体層の上に積層されている第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に形成されている第２導体層と、
前記第２絶縁層を貫通して前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体と、
を含む配線基板であって、
前記第１導体層は、前記ビア導体に接する導体パッド、及び配線パターンを含み、
前記第１絶縁層の前記表面は、第１領域及び前記第１領域よりも高い面粗度を有する第２領域を含み、
前記配線パターンは前記第１領域に形成されており、
前記導体パッドは前記第２領域に形成されている。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板であって、前記第１領域の面粗度は、算術平均粗さＲａで０．０１μｍ以上、０．２ｕｍ未満であり、前記第２領域の面粗度は、算術平均粗さＲａで０．２μｍ以上、１．０μｍ未満である。

【請求項3】

請求項１記載の配線基板であって、前記導体パッドは前記第２領域全体を覆っている。

【請求項4】

請求項３記載の配線基板であって、平面視における前記導体パッドの大きさは、前記第２領域よりも大きい。

【請求項5】

請求項１記載の配線基板であって、前記第１絶縁層の前記表面は、前記導体パッドが形成されている前記第２領域と前記配線パターンが形成されている前記第１領域との間で連続している。

【請求項6】

請求項１記載の配線基板であって、前記ビア導体における前記導体パッドと接している底面は、平面視で、前記第２領域と少なくも部分的に重なっている。

【請求項7】

請求項６記載の配線基板であって、前記第２領域は、平面視で、前記ビア導体の前記底面を包含している。

【請求項8】

請求項１記載の配線基板であって、前記第１絶縁層の前記表面のうち前記第１導体層に覆われていない領域は、全て、前記第１領域である。

【請求項9】

請求項１記載の配線基板であって、前記第２領域の面粗度は、前記第２絶縁層における前記第１絶縁層側と反対側の表面の面粗度よりも高い。

【請求項10】

第１絶縁層を形成することと、
前記第１絶縁層の表面を粗化することと、
前記表面上に、導体パッドと配線パターンとを含む第１導体層を形成することと、
前記第１導体層を覆う第２絶縁層を形成することと、
前記第２絶縁層を貫通して前記導体パッドと接続するビア導体を形成することと、
を含む配線基板の製造方法であって、
前記表面を粗化することは、第１領域及び前記第１領域よりも高い面粗度を有する第２領域を前記表面に設けることを含み、
前記ビア導体と接続される前記導体パッドは前記第２領域に形成され、前記配線パターンは前記第１領域に形成される。

【請求項11】

請求項１０記載の配線基板の製造方法であって、前記第１領域は、算術平均粗さＲａで０．０１μｍ以上、０．２μｍ未満の面粗度を有するように設けられ、前記第２領域は、算術平均粗さＲａで０．２μｍ以上、１．０μｍ未満の面粗度を有するように設けられる。。

【請求項12】

請求項１０記載の配線基板の製造方法であって、前記導体パッドは、平面視において前記第２領域全体を覆うように形成される。

【請求項13】

請求項１２記載の配線基板の製造方法であって、前記導体パッドは、平面視において前記第２領域よりも大きい面積を有するように形成される。

【請求項14】

請求項１０記載の配線基板の製造方法であって、
前記第１絶縁層の前記表面を粗化することは、
前記表面のうちの前記導体パッドが形成される領域を粗化する第１粗化を行うことと、
前記第１粗化によって粗化される領域及び前記配線パターンが形成される領域を粗化する第２粗化を行うことと、を含んでいる。

【請求項15】

請求項１４記載の配線基板の製造方法であって、前記第２粗化において前記表面の全面が粗化される。

【請求項16】

請求項１４記載の配線基板の製造方法であって、前記第１粗化を行うことは、前記第１粗化によって粗化される領域に対応する開口を有するレジスト膜を前記表面上に形成することを含んでいる。

【請求項17】

請求項１６記載の配線基板の製造方法であって、前記第１粗化はドライプロセスで行われ、前記第２粗化はウェットプロセスで行われる。

【請求項18】

請求項１７記載の配線基板の製造方法であって、前記第１絶縁層の前記表面を粗化することは、さらに、前記第１粗化と前記第２粗化との間に、前記表面を超音波洗浄することを含んでいる。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、絶縁層の表面上に形成された配線層を有する配線基板が開示されている。絶縁層の表面には、配線層に覆われている被覆領域を含めて全面に渡って略一様に、ミアンダ形状の溝が形成されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２１－７２４４３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示の配線基板では、外部からのストレスに対して配線層と絶縁層との密着強度が不足して、配線層の剥離が起こることがある。或いは、配線層において所望の信号伝送特性が得られないことがある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の表面上に形成されている第１導体層と、前記第１導体層の上に積層されている第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に形成されている第２導体層と、前記第２絶縁層を貫通して前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体と、を含んでいる。そして、前記第１導体層は、前記ビア導体に接する導体パッド、及び配線パターンを含み、前記第１絶縁層の前記表面は、第１領域及び前記第１領域よりも高い面粗度を有する第２領域を含み、前記配線パターンは前記第１領域に形成されており、前記導体パッドは前記第２領域に形成されている。

【0006】

本発明の配線基板の製造方法は、第１絶縁層を形成することと、前記第１絶縁層の表面を粗化することと、前記表面上に、導体パッドと配線パターンとを含む第１導体層を形成することと、前記第１導体層を覆う第２絶縁層を形成することと、前記第２絶縁層を貫通して前記導体パッドと接続するビア導体を形成することと、を含んでいる。そして、前記表面を粗化することは、第１領域及び前記第１領域よりも高い面粗度を有する第２領域を前記表面に設けることを含み、前記ビア導体と接続される前記導体パッドは前記第２領域に形成され、前記配線パターンは前記第１領域に形成される。

【0007】

本発明の実施形態によれば、導体層と絶縁層との剥離が生じ難く、良好な信号伝送特性を有する配線パターンを含む配線基板が提供されると考えられる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図2】図１のII部の拡大図。

【図3】図１に例示の第１導体層の導体パターンの一例を示す平面図。

【図4】本発明の一実施形態の配線基板の他の例を示す部分拡大図。

【図5A】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の工程の一例を示す断面図。

【図5B】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の工程の一例を示す断面図。

【図5C】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の工程の一例を示す断面図。

【図5D】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の工程の一例を示す断面図。

【図5E】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の工程の一例を示す断面図。

【図5F】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の工程の一例を示す断面図。

【図5G】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の工程の一例を示す断面図。

【図5H】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の工程の一例を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0009】

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１は一実施形態の配線基板の一例である配線基板１００を示す断面図であり、図２には、図１のII部の拡大図が示されている。また、図３は、図１の例の配線基板１００の第１導体層１１の導体パターン及び第１絶縁層２１の表面２１ａを部分的に示す平面図である。図１は図３のＩ－Ｉ線に重なる切断線での配線基板１００全体の断面を示している。なお、配線基板１００は本実施形態の配線基板の一例に過ぎない。実施形態の配線基板の積層構造、並びに、導体層及び絶縁層それぞれの数は、図１の配線基板１００の積層構造、並びに配線基板１００に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。また、以下の説明で参照される各図面では、開示される実施形態が理解され易いように特徴部が拡大して描かれていることがあり、大きさや長さについて、各構成要素が、それぞれの間の正確な比率で描かれていない場合がある。

【0010】

図１に示されるように、配線基板１００は、コア基板３と、コア基板３におけるその厚さ方向において対向する２つの主面（第１面３ａ及び第２面３ｂ）それぞれの上に交互に積層されている絶縁層及び導体層を含んでいる。コア基板３は、絶縁層３２と、絶縁層３２の両面それぞれの上に形成されている導体層３１とを含んでいる。絶縁層３２には、絶縁層３２を貫通してその両側の導体層３１同士を接続するスルーホール導体３３が形成されている。スルーホール導体３３の内部は、例えば、エポキシ樹脂などの絶縁性樹脂又は導電性樹脂で構成される充填体３４で充填されている。

【0011】

なお、実施形態の説明では、配線基板１００の厚さ方向において絶縁層３２から遠い側は「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、絶縁層３２に近い側は「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層及び各絶縁層において、絶縁層３２と反対側を向く表面は「上面」とも称され、絶縁層３２側を向く表面は「下面」とも称される。また、配線基板１００の厚さ方向は「Ｚ方向」とも称される。

【0012】

配線基板１００は、コア基板３の第１面３ａの上に順に形成された、第１絶縁層２１、第１導体層１１、第２絶縁層２２、及び第２導体層１２を含んでいる。第１絶縁層２１はコア基板３の第１面３ａを覆っている。第１導体層１１は第１絶縁層２１の表面２１ａ上に形成されており、第２絶縁層２２は第１絶縁層２１及び第１導体層１１の上に積層されている。そして、第２絶縁層２２上に第２導体層１２が形成されている。図１の配線基板１００は、さらに、コア基板３の第２面３ｂの上に交互に積層されている２つの絶縁層２３及び２つの導体層１３を備えている。

【0013】

配線基板１００は、さらに、各絶縁層を貫通し、各絶縁層を介して隣接する導体層同士を接続するビア導体４１～４３を含んでいる。ビア導体４１（第１ビア導体）は、第１絶縁層２１を貫通して導体層３１と第１導体層１１とを接続している。ビア導体４２（第２ビア導体）は、第２絶縁層２２を貫通して第１導体層１１と第２導体層１２とを接続している。各ビア導体４３は絶縁層２３を貫通しており、導体層１３と導体層３１とを接続するか、導体層１３同士を接続している。

【0014】

第２絶縁層２２及び第２導体層１２の上には、ソルダーレジスト５が形成されている。コア基板３の第２面３ｂ側の最表層にもソルダーレジスト５が形成されている。ソルダーレジスト５には、第２導体層１２又は導体層１３の一部を露出させる開口５ａが設けられている。ソルダーレジスト５は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などで形成される。

【0015】

第１及び第２の絶縁層２１、２２、並びに、絶縁層２３及び絶縁層３２は、任意の絶縁性樹脂によって形成される。図１の例では、絶縁層３２は、ガラス繊維などで形成される芯材（補強材）３２ａを含んでいる。図１には示されていないが、絶縁層３２以外の各絶縁層も、ガラス繊維などからなる芯材を含み得る。各絶縁層は、さらに、シリカ（ＳｉＯ₂）、アルミナ、又はムライトなどの微粒子からなる無機フィラー（図示せず）を含み得る。

【0016】

各絶縁層を形成する絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、及びフェノール樹脂のような熱硬化性樹脂が例示される。各絶縁層は、フッ素樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）、ポリエステル樹脂（ＰＥ）、及び変性ポリイミド樹脂（ＭＰＩ）のような熱可塑性樹脂によって形成されていてもよい。これら熱可塑性樹脂は、熱硬化性樹脂よりも低い誘電率と誘電正接とを有していることがあり、第１及び第２の導体層１１、１２などの各導体層における高周波信号の伝送に関して有利なことがある。

【0017】

第１及び第２の導体層１１、１２、導体層１３及び３１、ビア導体４１～４３、並びにスルーホール導体３３は、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成される。図１の例において、導体層３１は、金属箔３１ａ、金属膜３１ｂ、及び金属膜３１ｃを含んでいる。スルーホール導体３３は、金属膜３１ｂによって導体層３１と一体的に形成されている。金属膜３１ｂ、３１ｃは、それぞれ、例えば無電解めっき膜、スパッタリング膜、及び電解めっき膜のいずれか１以上で構成される。一方、第１及び第２の導体層１１、１２、導体層１３、及びビア導体４１～４３は、それぞれ、金属膜１０ｂ及びめっき膜１０ｃによって構成されている。ビア導体４１～４３は、それぞれの上側で接続する各導体層と一体的に形成されている。めっき膜１０ｃは、例えば電解めっき膜である。金属膜１０ｂは、例えば無電解めっき膜又はスパッタリング膜であり、めっき膜１０ｃが電解めっきで形成される際の給電層として機能する。

【0018】

各導体層は、それぞれ、所定の導体パターンを含んでいる。第１導体層１１は、導体パッド１ａ及び配線パターン１ｂを含んでいる。図１及び図２の例では、第１導体層１１は、さらに、導体パターン１ｃを含んでいる。

【0019】

導体パッド１ａは、第２絶縁層２２を貫通するビア導体４２と接している。すなわち、導体パッド１ａは、その上にビア導体４２が形成される導体パッドであり、ビア導体４２に対する、所謂受けパッドである。

【0020】

配線パターン１ｂは、任意の電気信号の伝送や電力の供給に用いられる導電路として機能する導体パターンである。配線パターン１ｂは、例えば電気信号の所定の送信元と送信先とを単独で又は他の導体パターンと連携して接続していてもよく、電力の所定の給電元と給電先とを接続していてもよい。配線パターン１ｂは、例えば数ＧＨｚを超えるような高周波信号の伝送路であってもよい。

【0021】

導体パターン１ｃは、図３に示されるように、導体パッド１ａ及び配線パターン１ｂが形成されていない領域に広がる平板状の形体を有する導体パターンである。導体パターン１ｃは、第１導体層１１において導体パターン１ｃ以外の配線や接続パッドなどの導体が形成されない領域を略埋め尽くすように設けられる所謂ベタパターンであってもよい。導体パターン１ｃは、例えば、グランド電位又は特定の電源の電位が印加されるグランドプレーン又は電源プレーンとして用いられる。

【0022】

図２及び図３を引き続き参照して、配線基板１００の第１絶縁層２１の表面２１ａが、さらに説明される。図１では省略されているが、図２に示されるように、第１絶縁層２１の表面２１ａは凹凸を有している。そして、本実施形態では、凹凸の高低差が互いに異なる少なくとも二つの領域が表面２１ａに含まれている。すなわち、第１絶縁層２１の表面２１ａは、互いに異なる面粗度を有する少なくも２つの領域を含んでいる。図２及び図３の例では、表面２１ａは、第１領域２１１及び第１領域２１１よりも高い面粗度を有する第２領域２１２を含んでいる。第１領域２１１及び第２領域２１２は、それぞれ、配線基板１００の製造工程で粗化処理された粗化領域であり得る。

【0023】

例えば算術平均粗さＲａに関して、第２領域２１２の面粗度は、第１領域２１１の面粗度よりも高い。第２領域２１２内の凹凸の最大高低差は、第１領域２１１内の凹凸の最大高低差よりも大きくてもよく、第２領域２１２内の凹凸の平均高低差は、第１領域２１１内の凹凸の平均高低差よりも大きくてもよい。なお「最大高低差」は、各領域内の表面２ａの最高点と最低点との高さ（Ｚ方向の位置）の差であり、「平均高低差」は、各領域において隣り合う凸部と凹部との間の高さの差についての各領域全体での平均値である。また、算術平均粗さＲａは、例えば、日本産業規格ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定される方法によって得られる、表面の粗さの程度を示すパラメータである。

【0024】

そして本実施形態では、導体パッド１ａは第２領域２１２に形成されている。導体パッド１ａは、前述したようにビア導体４２と接続される、ビア導体４２の所謂受けパッドである。すなわち、導体パッド１ａ上にビア導体４２が形成される。ビア導体４２は、後述されるように、第２絶縁層２２を貫いて導体パッド１ａに達する貫通孔４２ａの内部に形成される。貫通孔４２ａは、例えばレーザー光が照射されるレーザー加工や、ドリル加工のような機械加工によって形成される。

【0025】

これらの加工の際に、貫通孔４２ａに露出する導体パッド１ａには、熱的ストレスや機械的ストレスなどの負荷が加わることがある。例えば、レーザー加工では、レーザー光の熱によって導体パッド１ａの温度が上昇し、導体パッド１ａの熱膨張によって、導体パッド１ａと第１絶縁層２１との間に界面剥離が生じることがある。例え導体パッド１ａがレーザー光から受けた熱が第１絶縁層２１に伝わっても、その伝わった熱量が十分でないと、両者の間に大きな温度差が生じ、熱膨張量の違いから、やはり導体パッド１ａと第１絶縁層２１との間に界面剥離が生じることがある。また、ドリル加工によって貫通孔４２が形成される場合には、ドリルと導体パッド１ａとの接触及びドリルの回転によって、導体パッド１ａと第１絶縁層２１との界面に沿う方向の力が導体パッド１ａに加わり、やはり、導体パッド１ａと第１絶縁層２１との間に界面剥離が生じることがある。

【0026】

これに対して、本実施形態では、導体パッド１ａは、第１領域２１１よりも高い面粗度を有する第２領域２１２に形成されている。従って、第２領域２１２の比較的大きい高低差を有する凹凸のために、導体パッド１ａと第１絶縁層２１との接触面積が、少なくとも、第１領域２１１上に導体パッド１ａ全体が形成されるときよりも増大する。そのため、導体パッド１ａと第１絶縁層２１との接合強度が、第１領域２１１上に導体パッド１ａ全体が形成されるときよりも増大する。また、第２領域２１２の大きな凹凸によって、導体パッド１ａと第１絶縁層２１との間に、第１領域２１１上に導体パッド１ａが形成されるときよりも高い、所謂アンカー効果が得られる。この高いアンカー効果によって、導体パッド１ａと第１絶縁層２１との接合強度が一層向上する。

【0027】

さらに、導体パッド１ａと第１絶縁層２１の接触面積が増大すると、導体パッド１ａが例えばレーザー加工で受けた熱が、良好に第１絶縁層２１に伝達する。そのため、導体パッド１ａ側での局所的な温度上昇が低減され、導体パッド１ａと第１絶縁層２１との間での大きな温度差の発生が抑制される。結果として、導体パッド１ａと第１絶縁層２１との間で大きな熱膨張量の差異が生じ難い。このように本実施形態では、導体パッド１ａと第１絶縁層２１との間に高い接合強度が得られ、しかも大きな温度差は生じ難いので、両者の界面剥離が抑制される。

【0028】

さらに本実施形態では、配線パターン１ｂは第１領域２１１に形成されている。そのため、配線パターン１ｂが第２領域２１２に形成されるときと比べて、配線パターン１ｂにおいて良好な高周波信号の伝送特性が得られ易い。詳述すると、配線パターン１ｂが高い面粗度を有する下地の上に形成されると、その高い面粗度に応じた凹凸が、配線パターン１ｂにおけるその下地に面する表面にも形成（転写）される。一方、高周波信号は、表皮効果のために伝送路の表面付近を伝播する。そのため、伝送路である導体の表面の凹凸の大きさが大きいと、高周波信号に対するその伝送路の実質的なインピーダンスが増加し、伝送特性が低下し易い。すなわち、配線パターン１ｂが第１領域２１１よりも高い面粗度を有する第２領域２１２に形成されると、高周波信号の伝送特性が低下することがある。これに対して本実施形態では、配線パターン１ｂは、第２領域２１２ではなく第１領域２１１に形成されている。そのため、配線パターン１ｂが第２領域２１２に形成されるときと比べて、配線パターン１ｂにおいて良好な高周波信号の伝送特性が得られ易い。

【0029】

このように本実施形態では、ビア導体４２の形成に絡んで第１絶縁層２１との界面にストレスが加わり易い導体パッド１ａでは、両者の間の接合強度及び熱伝達特性の向上によって、その界面剥離が抑制され得る。一方、配線パターン１ｂは、その表面への大きな凹凸の形成が回避されるため良好な高周波信号の伝送特性を有し得る。従って、本実施形態によれば、導体層（例えば第１導体層１１）と絶縁層（例えば第１絶縁層２１）との剥離が生じ難く、しかも、良好な伝送特性を有する配線パターン（例えば配線パターン１ｂ）を含む配線基板１００のような配線基板が提供される。

【0030】

本実施形態において、第１領域２１１の面粗度は、例えば、算術平均粗さＲａで０．２μｍ未満（第１面粗度α１）であり得る。第１領域２１１の面粗度は、算術平均粗さＲａで０．０１μｍ以上、０．２μｍ未満であってもよい。第１絶縁層２１の表面２１ａにおいて０．２μｍ未満の算術平均粗さＲａを有する領域上に形成される配線パターン１ｂには、例え表皮効果が作用するほど高い周波数の信号の伝送においても、伝送特性の低下は生じ難いと考えられる。好ましくは、第１領域２１１の全面が第１面粗度α１を有する。第１領域２１１の面積の８０％以上の部分が第１面粗度α１を有していてもよい。

【0031】

一方、第２領域２１２の面粗度は、算術平均粗さＲａで０．２μｍ以上、１．０μｍ未満（第２面粗度α２）であり得る。好ましくは、第２領域２１２の全面が第２面粗度α２を有する。第２領域２１２の面積の８０％以上の部分が第２面粗度α２を有していしていてもよい。算術平均粗さＲａで１．０μｍ未満の面粗度は、任意の粗化処理で比較的容易に形成され得る。また、第２領域２１２が少なくとも算術平均粗さＲａで０．２μｍ以上の面粗度を有していれば、前述したような接合強度や熱伝達特性の向上が見込めると考えられる。

【0032】

図２及び図３の例では、導体パッド１ａは第２領域２１２全体を覆っている。すなわち、第２領域２１２において導体パッド１ａに覆われずに表面２１ａとして露出している部分は存在せず、第２領域２１２は平面視で導体パッド１ａからはみ出ていない。なお「平面視」は、配線基板１００をその厚さ方向に沿う視線で見ることを意味している。

【0033】

第１導体層１１の導体パッド１ａなどの各導体パターンが例えばセミアディティブ法で形成される場合、第１絶縁層２１の表面２１ａ全面に形成された金属膜１０ｂのうち、いずれの導体パターンも構成しない部分は、例えばクイックエッチングなどによって除去される。この除去において、表面２１ａが高い面粗度、すなわち大きな凹凸を有していると、凹部内にエッチング液が十分に入り難く、深い凹部に形成された金属膜１０ｂが除去されずに残ってしまい、導体パターン間の短絡不良を生じさせることがある。

【0034】

しかし、図２及び図３の例のように、比較的高い面粗度を有する第２領域２１２全体が覆われるように導体パッド１ａが設けられる場合は、金属膜１０ｂのうちの第２領域２１２上の部分はエッチングなどで除去されない。そのため、第２領域２１２での金属膜１０ｂの残存による短絡不良は生じ得ず、そのため、配線基板１００全体での短絡不良の発生も抑制される。高い歩留まり及び品質の配線基板１００が提供されると考えられる。

【0035】

特に、図２及び図３の例では、平面視における導体パッド１ａの大きさは、第２領域２１２よりも大きい。すなわち、導体パッド１ａの面積は、第２領域２１２の面積よりも大きい。そのため、配線基板１００の製造において、導体パッド１ａの形成位置が正規の位置からばらついても、第２領域２１２は、平面視で導体パッド１ａからはみ出し難い。すなわち、そのように導体パッド１ａの形成位置がばらついても、第２領域２１２上に形成された金属膜１０ｂの除去が必要となり難い。従って、配線基板１００の短絡不良が生じ難い。本実施形態では、第１絶縁層２１の表面２１ａのうち第１導体層１１に覆われていない領域は、全て第１領域２１１であってもよい。

【0036】

導体パッド１ａが平面視で第２領域２１２よりも大きい場合、任意の第１方向（例えば図２において矢印Ｘで示される方向）において導体パッド１ａが１つの縁部で第２領域２１２よりもはみ出ている部分（余白部）の長さＭ１は、例えば、３μｍ以上、０．２×Ｘ１以下である。なおＸ１は、第１方向における導体パッド１ａの長さである。導体パッド１ａがこの程度の長さの余白部を有していると、前述したように導体パッド１ａの形成位置がばらついても金属膜１０ｂの残存による短絡不良は生じ難く、一方、第２領域２１２の高い面粗度によって接合強度などが向上し得ると考えられる。

【0037】

図２及び図３の例において、第２領域２１２は、導体パッド１ａの平面形状と略同じ略円形の平面形状を有している。なお「平面形状」は、平面視における第２領域２１２又は導体パッド１ａの形状である。しかし、第２領域２１２の平面形状と導体パッド１ａの平面形状とは異なっていてもよい。また、第２領域２１２及び導体パッド１ａは、それぞれ、略円形に限らず、任意の平面形状を有し得る。

【0038】

なお、図２及び図３の例と異なり、第２領域２１２と導体パッド１ａとの平面視での大きさが略同じであり、両者の面積が略同じであってもよい。すなわち第２領域２１２及び導体パッド１ａが、互いに略相似の平面形状を有していてもよい。従って、第２領域２１２及び導体パッド１ａのいずれも、平面視で相手方からはみ出ていなくてもよい。

【0039】

図２及び図３の例では、ビア導体４２における導体パッド１ａと接している底面４２ｂは、平面視で、第２領域２１２と重なっている。すなわち、ビア導体４２及び貫通孔４２ａは、底面４２ｂにおいて第２領域２１２と平面視で重なる位置に形成されている。ビア導体４２の底面４２ｂが、第２領域２１２の真上に位置しており、平面視で第２領域２１２内に位置している。特に、図２及び図３の例では、第２領域２１２は、平面視でビア導体４２の底面４２ｂを包含している。すなわち、図２及び図３の例では、ビア導体４２の底面４２ｂ全体が、平面視で第２領域２１２内に位置している。ビア導体４２の底面４２ｂの面積は、第２領域２１２の面積よりも小さい。なおビア導体４２の底面４２ｂの平面形状は、図３に例示される略円形に限定されない。

【0040】

前述したような貫通孔４２ａの形成におけるストレスは、導体パッド１ａと第１絶縁層２１との界面のうち、貫通孔４２ａの底面の真下の領域、すなわちビア導体４２の底面４２ｂと平面視で重なっている領域に顕著に加わると考えられる。図２及び図３の例では、ビア導体４２の底面４２ｂが第２領域２１２と重なっているので、ストレスが加わり易い領域は、比較的高い導体パッド１ａと第１絶縁層２１との接合強度を有し得る。従って、貫通孔４２ａの形成時、及び／又は、万一その後にビア導体４２を介して導体パッド１ａと第１絶縁層２１との界面に外力が作用するときでも、導体パッド１ａと第１絶縁層２１との界面剥離が生じ難い。

【0041】

なお、ビア導体４２の底面４２ｂは、図２及び図３の例のように平面視でその全体が第２領域２１２内に位置していなくてもよく、底面４２ｂが部分的に第２領域２１２内に位置していてもよい。その場合でも、ストレスが加わり易い領域の一部を占める第２領域２１２の高い面粗度によって、導体パッド１ａと第１絶縁層２１との界面剥離が抑制される。すなわち、ビア導体４２の底面４２ｂは、平面視で、第２領域２１２と少なくとも部分的に重なっていれば、導体パッド１ａと第１絶縁層２１との界面剥離の抑制効果が得られることがある。

【0042】

図２に示されるように、第２領域２１２における表面２１ａの凹凸は、第２絶縁層２２の上面の凹凸よりも大きい。すなわち、第２領域２１２の面粗度は、第２絶縁層２２における第１絶縁層２１側と反対側の表面２２ａの面粗度よりも高い。図２の例では、表面２２ａは、第１領域２１１と略同じ面粗度を有している。配線基板１００において第２絶縁層２２は最表層の絶縁層である。従って、第２絶縁層２２上の第２導体層１２の上にビア導体４２のようなビア導体は形成されない。すなわち、第２導体層１２と第２絶縁層２２との界面には、前述したビア導体４２の形成時に第１導体層１１の導体パッド１ａと第１絶縁層２１との界面に加わり得るようなストレスは加わり得ない。従って、第２絶縁層２２の表面２２ａには、第２領域２１２のような高い面粗度は求められない。従って、第２絶縁層２２の表面２２ａは第２領域２１２よりも低い面粗度を有していてもよく、換言すると、第２領域２１２の面粗度は、第２絶縁層２２の表面２２ａの面粗度よりも高くてもよい。特に第２領域２１２は、第２領域２１２を有する絶縁層（例えば第１絶縁層２１）を含む配線基板１００のような配線基板の最外層の絶縁層の外側の表面の面粗度よりも高い面粗度を有していてもよい。

【0043】

図１～図３の例では、前述したように、第１導体層１１は、導体パターン１ｃを含んでいる。図２に示されるように、導体パターン１ｃは、第１領域２１１上に形成されている。図２に示される導体パターン１ｃの上には、ビア導体４２のようなビア導体は形成されていない。すなわち、導体パターン１ｃと第１絶縁層２１との界面には、前述したビア導体４２の形成時に導体パッド１ａと第１絶縁層２１との界面に加わり得るようなストレスは加わり得ない。従って、導体パターン１ｃが第１領域２１１の面粗度と略同じ面粗度の領域に形成されていてもよく、その領域は第１領域２１１であってもよい。その場合でも、導体パターン１ｃと第１絶縁層２１の表面２１ａとの間で界面剥離は生じ難い。

【0044】

なお、図２及び図３に示されるように、第１絶縁層２１の表面２１ａは、導体パッド１ａが形成されている第２領域２１２と配線パターン１ｂが形成されている第１領域２１１との間で連続している。すなわち、第１領域２１１と第２領域２１２とは、別体として形成又は用意された２つの絶縁層それぞれの表面上の領域ではなく、一体の絶縁層（第１絶縁層２１）上に広がる連続した表面２１ａ上の領域である。２以上の絶縁層に渡る表面ではなく、第１領域２１１と第２領域２１２との間で連続する単一の絶縁層（第１絶縁層２１）の表面（表面２１ａ）に、第１領域２１１及び第２領域２１２の両方が設けられている。

【0045】

図４には、本実施形態の配線基板の他の例における図２に相当する部分の拡大図が示されている。図４の例では、第１絶縁層２１の表面２１ａは、配線パターン１ｂが形成されている第１領域２１１として略平坦な領域を有している。すなわち、配線パターン１ｂは、略平坦な第１領域２１１に形成されている。配線パターン１ｂにおいて一層良好な高周波信号の伝送特性が得られると考えられる。図４の例において、第１領域２１１は、配線基板１００の製造工程で、特段粗化されていない無粗化領域であり得る。なお、図４の例では、導体パターン１ｃも、略平坦な領域である第１領域２１１に主に形成されている。

【0046】

一方、図４の例においても、第１絶縁層２１の表面２１ａは、凹凸を有する第２領域２１２を有している。すなわち、第２領域２１２の面粗度は、第１領域２１１の面粗度よりも高い。図４の例においても、第２領域２１２は、配線基板１００の製造工程で粗化処理された粗化領域であり得る。第２領域２１２を覆うように導体パッド１ａが形成されている。このように、本実施形態では、第１領域２１１と第２領域２１２とのうちで第２領域２１２だけが粗化領域であり、第１領域２１１は無粗化領域であってもよい。例えば、第１領域２１１の面粗度（算術平気粗さＲａ）は略ゼロであってもよい。この場合、第２領域２１２は、少なくともゼロよりも高い面粗度を有し得る。すなわち、「第１領域２１１よりも高い面粗度を有する第２領域２１２」は、略ゼロである第１領域２１１の面粗度よりも高い面粗度を有する第２領域２１２を含んでいる。

【0047】

つぎに、一実施形態の配線基板の製造方法が、図１の配線基板１００を例に用いて図５Ａ～図５Ｈを参照して説明される。

【0048】

図５Ａに示されるように、コア基板３が用意される。例えばコア基板３の絶縁層３２となる絶縁層と、この絶縁層の両表面にそれぞれ積層された金属箔３１ａを含む出発基板（例えば両面銅張積層板）が用意され、コア基板３の導体層３１及びスルーホール導体３３が形成される。例えばドリル加工によってスルーホール導体３３の形成位置に貫通孔が形成される。その貫通孔内及び金属箔３１ａ上に無電解めっきや電解めっきなどによって金属膜３１ｂが形成され、貫通孔内に金属膜３１ｂからなるスルーホール導体３３が形成される。エポキシ樹脂などを充填することによって、スルーホール導体３３の内部が充填体３４で充填される。さらに、充填体３４及び金属膜３１ｂ上に無電解めっき及び電解めっきなどで金属膜３１ｃを形成することによって導体層３１が形成される。その後、サブトラクティブ法によって導体層３１をパターニングすることによって所定の導体パターンを備えるコア基板３が用意される。

【0049】

図５Ｂ～図５Ｅに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、第１絶縁層２１を形成することと、第１絶縁層２１の表面２１ａを粗化することと、を含んでいる。第１絶縁層２１の形成では、例えばフィルム状のエポキシ樹脂が、コア基板３の上に積層され、加熱及び加圧される。第１絶縁層２１は、フィルム状のエポキシ樹脂に限らず、ＢＴ樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、ＬＣＰなどの任意の樹脂によって形成され得る。絶縁層２１には、ビア導体４１（図１参照）を形成すべく貫通孔４１ａが、例えば炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。図５Ｂの例では、コア基板３の第２面３ｂ側に絶縁層２３及び貫通孔４１ａが、第１面３ａ側の第１絶縁層２１及び貫通孔４１ａと同様の方法で形成される。

【0050】

図５Ｃに示されるように、第１絶縁層２１の表面２１ａの粗化において、レジスト膜Ｒが、表面２１ａ上に設けられる。レジスト膜Ｒは、第２領域２１２（図５Ｄ参照）を画定する後続の粗化処理（以下、第２領域２１２を画定する粗化処理は「第１粗化」とも称される）で粗化されるべきではない領域を第１粗化から保護し得る任意の材料で形成される。例えば、アルカリ溶解性ポリマー及び光重合性モノマーを含むフィルム状の樹脂が、レジスト膜Ｒとして表面２１ａ上に積層される。第１粗化によって第２領域２１２となる所定の領域と対応する箇所のレジスト膜Ｒには、例えばフォトリソグラフィ技術を用いて開口Ｒ１が形成される。なお、図５Ｃの例では、絶縁層２３の上面（絶縁層２３における第１絶縁層２１側と反対側の表面）が第１粗化で粗化されないように、この上面にもレジスト膜Ｒが設けられている。しかし、絶縁層２３の上面へのレジスト膜Ｒの形成は省略されてもよい。

【0051】

図５Ｄに示されるように、第１絶縁層２１の表面２１ａのうちレジスト膜Ｒの開口Ｒ１に露出する領域を粗化する第１粗化が行われる。なお、図５Ｄ～図５Ｆには、図５Ｃに示されるＶＤ部に相当する部分における各工程での加工や処理後の状態が拡大して示されている。第１粗化で粗化された領域によって第２領域２１２が確定される。それと共に、図５Ｄの例では、第２領域２１２以外の領域である第１領域２１１が画定される。第２領域２１２には、後工程で導体パッド１ａ（図５Ｆ参照）が形成される。第１領域２１１には、後工程で配線パターン１ｂ（図５Ｆ参照）が形成される。

【0052】

第１粗化は、溶剤を用いるウェットプロセス、又は、気相中で粗化が実行されるドライプロセスなどの任意の方法で行われ得る。しかし図５Ｄの例では表面２１ａ上にレジスト膜Ｒが設けられているので、好ましくは、レジスト膜Ｒを溶解などによって損壊させない方法で第１粗化が行われる。そのため、第１粗化には、溶剤を用いないドライプロセスが好ましいことがある。例えば、第１粗化は、酸素、窒素、アルゴン、四フッ化メタン、四フッ化メタンと酸素との混合気、又は、六フッ化硫黄などのプラズマガスを用いるプラズマ処理によって行われてもよい。表面２１ａに露出していてプラズマガスと反応する樹脂成分がガスとして放散されることによって表面２１ａが粗化される。

【0053】

その後、図５Ｅに示されるように、レジスト膜Ｒが、例えば水酸化ナトリウムなどのアルカリ性剥離剤を用いて除去される。レジスト膜Ｒの除去後、第１絶縁層２１に含まれていて表面２１ａに露出又は残留し得る無機フィラー（図示せず）を除去する洗浄が行われてもよい。特に、第１粗化がドライエッチングによって行われる場合、第１絶縁層２１に含まれる無機フィラーが除去されずに表面２１ａに残留することがある。そのため、第１粗化後に洗浄、例えば、超音波洗浄が行われてもよい。

【0054】

そして、図５Ｅに示されるように、表面２１ａがさらに粗化される。第１粗化によって粗化される第１領域２１２は再度粗化される（以下、第２領域２１２を再度粗化する粗化処理は「第２粗化」とも称される）。図５Ｅの例では、第１領域２１１を含む表面２１ａの全体が粗化される。このように、本実施形態において第１絶縁層２１の表面２１ａを粗化することは、表面２１ａのうちの第２領域２１２を粗化する第１粗化を行うことと、第２領域２１２及び第１領域２１１を粗化する第２粗化を行うことと、を含み得る。さらに、表面２１ａを粗化することは、第１粗化と第２粗化との間に、前述したように、表面２１ａを超音波洗浄することを含んでいてもよい。また、第２粗化において、第１領域２１１及び第２領域２１２を含む表面２１ａの全面が粗化されてもよい。さらに、第１粗化を行うことは、前述したように、第１粗化によって粗化される第２領域２１２に対応する開口Ｒ１を有するレジスト膜Ｒ１を第１絶縁層２１の表面２１ａ上に形成することを含んでいてもよい。

【0055】

第２粗化は、第１粗化と同様に任意の方法で行われる。図５Ｅに示されるように第２粗化が行われるときにはレジスト膜Ｒは除去されているので、前述したドライプロセス、及びウェットプロセスを含む、より広い範囲の粗化方法の中から第２粗化の方法が選択され得る。例えば、アルカリ性過マンガン酸溶液などの処理液に表面２１ａを晒すウェットプロセスによって第２粗化が行われてもよい。ドライプロセスと比較して、よりシンプルな装置で容易に第２粗化を行い得ることがある。このように本実施形態では、第１粗化がドライプロセスで行われ、第２粗化がウェットプロセスで行われてもよい。

【0056】

第２粗化によって再度粗化される第２領域２１２は、第１領域２１１よりも高い面粗度を有し得る。本実施形態において第１絶縁層２１の表面２１ａを粗化することは、このように、第１領域２１１、及び第１領域２１１よりも高い面粗度を有する第２領域２１２を表面２１ａに設けることを含んでいる。第１領域２１１は、例えば、算術平均粗さＲａで０．０１μｍ以上、０．２μｍ未満の面粗度を有するように設けられる。このような面粗度を第１領域２１１が有していると、前述したように、後工程で形成される配線パターン１ｂ（図５Ｆ参照）において良好な高周波信号の伝送特性が得られると考えられる。一方、第２領域２１２は、例えば、算術平均粗さＲａで０．２μｍ以上、１．０μｍ未満の面粗度を有するように設けられる。このような面粗度を第２領域２１２が有していると、前述したような、後工程で形成される導体パッド１ａ（図５Ｆ参照）と第１絶縁層２１との界面剥離の抑制効果が得られると考えられる。

【0057】

図５Ｆに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、第１絶縁層２１の表面２１ａ上に、導体パッド１ａと配線パターン１ｂとを含む第１導体層１１を形成することを含んでいる。図５Ｆの例では、さらに導体パターン１ｃを含む第１導体層１１が形成される。第１導体層１１は、サブトラクティブ法やセミアディティブ法などの任意の方法で形成され得る。例えばセミアディティブ法が用いられる場合、表面２１ａ上、及び貫通孔４１ａ（図５Ｂ参照）内に、無電解めっきやスパッタリングによって金属膜１０ｂが形成される。金属膜１０ｂ上に、導体パッド１ａなどの第１導体層１１の導体パターンに対応する開口を有するめっきレジスト（図示せず）が形成され、その開口内に、金属膜１０ｂを給電層として用いる電解めっきによってめっき膜１０ｃが形成される。その結果、貫通孔４１ａ内にビア導体４１が形成される。そしてめっきレジストが除去された後、金属膜１０ｂのうち、めっき膜１０ｃに覆われていない部分（不要部分）が例えばエッチングによって除去される。その結果、導体パッド１ａ及び配線パターン１ｂを含む第１導体層１１が形成される。

【0058】

本実施形態では、図５Ｆに示されるように、配線パターン１ｂは第１領域２１１に形成され、導体パッド１ａは第１領域２１１よりも高い面粗度を有する第２領域２１２に形成される。そのため、前述したように、配線パターン１ｂにおいて良好な高周波信号の伝送特性が得られる。また、導体パッド１ａと第１絶縁層２１との界面では、良好な高い接合強度及び良好な熱伝達特性が得られる。導体パッド１ａの上には、後述されるようにビア導体４２（図５Ｈ参照）が形成される。ビア導体４２の形成では、前述したように、導体パッド１ａと第１絶縁層２１との界面にストレスが加わることがある。しかし、そのようなストレスが導体パッド１ａと第１絶縁層２１との界面に加わっても、良好な高い接合強度及び良好な熱伝達特性によって、導体パッド１ａと第１絶縁層２１との界面剥離が抑制され得る。

【0059】

図５Ｆの例では、第２領域２１２全体を覆う導体パッド１ａが形成されている。すなわち、第２領域２１２において、導体パッド１ａに覆われずに表面２１ａとして露出している部分は存在せず、第２領域２１２の縁部は導体パッド１ａの縁部の外側にはみ出ていない。換言すると、その縁部が第２領域２１２の縁部の外側にはみ出ていて、平面視で第２領域２１２よりも大きい面積を有する導体パッド１ａが形成されている。

【0060】

比較的高い面粗度を有する、すなわち比較的大きな凹凸を有する第２領域２１２が導体パッド１ａの外側にはみ出ていないので、前述した金属膜１０ｂの不要部分の除去において、第２領域２１２の深い凹部内に形成された金属膜１０ｂの除去は求められない。従って、金属膜１０ｂの不要部分が残り難く、導体パッド１ａとその周囲の導体パターンとの短絡不良が生じ難い。このように、導体パッド１ａは、平面視において第２領域２１２全体を覆うように形成され得る。また、導体パッド１ａは、平面視において第２領域２１２よりも大きい面積を有するように形成されてもよい。

【0061】

図５Ｇ及び図５Ｈに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、第１導体層１１を覆う第２絶縁層２２を形成することと、第２絶縁層２２を貫通して導体パッド１ａと接続するビア導体４２を形成することと、を含んでいる。なお、前述した第１導体層１１の形成において、コア基板３の第２面３ｂ側には、導体層１３及びビア導体４３が、第１導体層１１の形成と同様の方法で形成されている。図５Ｇに示されるように、第２絶縁層２２には、第２絶縁層２２を貫いて導体パッド１ａに達する貫通孔４２ａが、ビア導体４２（図５Ｈ参照）の形成位置に形成される。図５Ｇの例では、コア基板３の第２面３ｂ側に絶縁層２３及び貫通孔４３ａが、第２絶縁層２２及び貫通孔４２ａと同様の方法で形成される。

【0062】

第２絶縁層２２は、図５Ｂを参照して説明された第１絶縁層２１の形成方法と同様に、例えばフィルム状のエポキシ樹脂を第１絶縁層２１及び第１導体層１１の上に積層して加熱及び加圧することによって形成される。第２絶縁層２２は、フィルム状のエポキシ樹脂に限らず、ＢＴ樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、ＬＣＰなどの任意の樹脂によって形成され得る。貫通孔４２ａは、例えば炭酸ガスレーザー光の照射によるレーザー加工やドリル加工などによって形成される。このレーザー加工やドリル加工時のストレスが、導体パッド１ａと第１絶縁層２１との界面に加わることがあるが、その界面での剥離は、前述したように、比較的高い面粗度を有する第２領域２１２（図５Ｆ参照）によって抑制される。

【0063】

図５Ｈに示されるように、貫通孔４２ａ内にビア導体４２が形成され、そのビア導体４２と共に、第２絶縁層２２上に第２導体層１２が形成される。第１導体層１１の導体パッド１ａは、ビア導体４２と接続され、ビア導体４２を介して第２導体層１２と接続される。ビア導体４２及び第２導体層１２は、前述した第１導体層１１及びビア導体４１と同様に、セミアディティブ法やサブトラクティブ法などの任意の方法で形成され得る。コア基板３の第２面３ｂ側には、さらに導体層１３及びビア導体４３が、第２導体層１２、及びビア導体４２と同様の方法で形成される。

【0064】

図１の配線基板１００が製造される図５Ｈの例では、ソルダーレジスト５が形成される。ソルダーレジスト５には第２導体層１２又は導体層１３の一部を露出させる開口５ａが設けられる。ソルダーレジスト５及び開口５ａは、例えば感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切な開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像とによって形成される。

【0065】

以上の工程を経る事によって、図１の例の配線基板１００が完成する。ソルダーレジスト５の開口５ａ内に露出する第２導体層１２又は導体層１３の一部の表面上には、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。

【0066】

なお、先に参照した図４の例の配線基板１００が製造される場合は、図５Ｅを参照して説明された第２粗化が省略される。このように、本実施形態の配線基板の製造方法では、前述した第２粗化が省略されてもよい。すなわち、第１領域２１１及び第２領域２１２のうちの第２領域２１２だけが粗化され、第１領域２１１が粗化されなくてもよい。

【0067】

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。前述したように、実施形態の配線基板は任意の積層構造を有し得る。例えば実施形態の配線基板はコア基板を含まないコアレス基板であってもよい。実施形態の配線基板は、任意の数の導体層及び絶縁層を含み得る。第１導体層１１及び第１絶縁層２１は、配線基板の積層構造上の任意の階層に存在し得る。配線基板に含まれる複数の導体層の全部、又は一部の複数の導体層が、第１導体層１１に含まれているような導体パッド１ａ及び配線パターン１ｂを含んでいてもよい。配線基板に含まれる複数の絶縁層の全部又は一部の複数の絶縁層が、その表面に、第１領域２１１及び第２領域２１２のような、互いに異なる面粗度を有する２つの領域を含んでいてもよい。また、導体パッド１ａは、第２領域２１２の全体を覆っていなくてもよい。ビア導体４２は、図１などの例のようなテーパー形状を有していなくてもよい。

【0068】

実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。例えば第１及び第２の絶縁層２１、２２は、フィルム状の樹脂に限らず、任意の形態の樹脂を用いて形成され得る。また、第２絶縁層２２以外の絶縁層にはビア導体が形成されなくてもよい。実施形態の配線基板の製造方法には、前述された各工程以外に任意の工程が追加されてもよく、前述された工程のうちの一部が省略されてもよい。

【符号の説明】

【0069】

１００ 配線基板
１１ 第１導体層
１２ 第２導体層
１ａ 導体パッド
１ｂ 配線パターン
２１ 第１絶縁層
２１ａ 表面
２１１ 第１領域（低面粗度領域）
２１２ 第２領域（高面粗度領域）
２２ 第２絶縁層
２２ａ 表面
４２ ビア導体
４２ａ 貫通孔
４２ｂ ビア導体の底面
Ｒ レジスト膜
Ｒ１ 開口

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図5D】

【図5E】

【図5F】

【図5G】

【図5H】