特開 2023-155034 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023155034

(43)【公開日】2023-10-20

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1339 20060101AFI20231013BHJP

   G02F 1/1368 20060101ALI20231013BHJP

   G02F 1/1334 20060101ALI20231013BHJP

   G02F 1/13357 20060101ALI20231013BHJP

   G02F 1/1337 20060101ALI20231013BHJP

【ＦＩ】

G02F1/1339 500

G02F1/1368

G02F1/1334

G02F1/13357

G02F1/1337 525

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022064758

(22)【出願日】2022-04-08

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】大植 善英

(72)【発明者】

【氏名】奥山 健太郎

(72)【発明者】

【氏名】杉山 裕紀

(72)【発明者】

【氏名】大森 優二

(72)【発明者】

【氏名】北村 孝次

【テーマコード（参考）】

2H189

2H192

2H290

2H391

【Ｆターム（参考）】

2H189AA04

2H189BA04

2H189DA07

2H189DA09

2H189DA12

2H189DA48

2H189HA16

2H189JA11

2H189LA01

2H189LA05

2H189LA15

2H192AA24

2H192BC31

2H192CB05

2H192CC42

2H192DA15

2H192DA24

2H192DA52

2H192EA02

2H192JA53

2H290AA04

2H290AA85

2H290BD01

2H290CA13

2H290CB23

2H391AA25

2H391AB14

2H391CB08

2H391EA11

(57)【要約】

【課題】表示品位を向上させる、表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、アレイ基板と対向基板との間の液晶層と、アレイ基板と、対向基板との間の距離を規制する、複数のスペーサと、アレイ基板の側面又は対向基板の側面に光が入るように配置される光源と、を備える。アレイ基板は、複数の信号線と、複数の走査線と、走査線と信号線とに接続されたスイッチング素子と、少なくともスイッチング素子を覆う有機絶縁層と、を有している。走査線と信号線とに囲まれた領域には、平面視で、スイッチング素子、走査線及び信号線に重なる第１領域の有機絶縁層の厚さよりも有機絶縁層の厚さが小さい第２領域がある。そして、第１領域に配置されたスペーサの厚さは、第１領域の有機絶縁層の厚さよりも小さい。
【選択図】図１５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

アレイ基板と、
対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間の液晶層と、
前記アレイ基板と、前記対向基板との間の距離を規制する、複数のスペーサと、
前記アレイ基板の側面又は前記対向基板の側面に光が入るように配置される光源と、を備え、
前記アレイ基板は、
第１方向に間隔をおいて並ぶ複数の信号線と、
第２方向に間隔をおいて並ぶ複数の走査線と、
前記走査線と前記信号線とに接続されたスイッチング素子と、
少なくとも前記スイッチング素子を覆う有機絶縁層と、を有し、
前記走査線と前記信号線とに囲まれた領域には、平面視で、前記スイッチング素子、前記走査線及び前記信号線に重なる第１領域の前記有機絶縁層の厚さよりも前記有機絶縁層の厚さが小さい第２領域があり、
前記第１領域に配置された前記スペーサの厚さは、前記第１領域の前記有機絶縁層の厚さよりも小さい、表示装置。

【請求項2】

前記スペーサは、平面視で、前記スイッチング素子と重畳する位置にある、請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記スペーサは、平面視で、前記信号線と重畳する位置にある、請求項１に記載の表示装置。

【請求項4】

前記スペーサは、平面視で、前記走査線と重畳する位置にある、請求項１に記載の表示装置。

【請求項5】

隣り合う２つの前記スペーサは、間隔をあけて配置されている、請求項１に記載の表示装置。

【請求項6】

前記スペーサは、平面視の断面形状が矩形又は円形である、請求項１に記載の表示装置。

【請求項7】

前記アレイ基板は、前記液晶層と接する配向膜を備え、
前記液晶層は、網目状に形成されたポリマーネットワークと、前記ポリマーネットワークの隙間に分散保持された液晶分子と含む高分子分散型液晶であり、
前記配向膜は、前記ポリマーネットワークと連結する光架橋基を有する、請求項１から６のいずれか１項に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、第１透光性基板と、第１透光性基板と対向して配置される第２透光性基板と、第１透光性基板と第２透光性基板との間に封入される高分子分散型液晶を有する液晶層と、第１透光性基板及び第２透光性基板の少なくとも１つの側面に対向して配置される少なくとも１つの発光部とを備える表示装置が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１８－０２１９７４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に記載されている表示装置では、走査線と信号線とに囲まれた領域には、平面視で信号線及び信号線に重なる絶縁層の厚さよりも絶縁層の厚さが小さいバスタブ領域がある。モノマーを重合させてポリマーネットワークを形成した場合、このポリマーネットワークは、流動性を有しており、液晶層中を浮遊している。このため、例えば、表示パネルの画面への点押しや落下衝撃などがあると、バスタブ領域にある液晶層のポリマーネットワークが不可逆的に、隣の画素へ移動してしまうことがある。これにより、画素ごとに、液晶分子の配向特性が異なることがある。画素ごとに、液晶分子の配向特性が異なると、画素毎に透過度合いが異なり、表示品位を劣化させてしまう可能性がある。

【0005】

本発明の目的は、表示品位を向上させる、表示装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

一態様に係る表示装置は、アレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間の液晶層と、前記アレイ基板と、前記対向基板との間の距離を規制する、複数のスペーサと、前記アレイ基板の側面又は前記対向基板の側面に光が入るように配置される光源と、を備え、前記アレイ基板は、第１方向に間隔をおいて並ぶ複数の信号線と、第２方向に間隔をおいて並ぶ複数の走査線と、前記走査線と前記信号線とに接続されたスイッチング素子と、少なくとも前記スイッチング素子を覆う有機絶縁層と、を有し、前記走査線と前記信号線とに囲まれた領域には、平面視で、前記スイッチング素子、前記走査線及び前記信号線に重なる第１領域の前記有機絶縁層の厚さよりも前記有機絶縁層の厚さが小さい第２領域があり、前記第１領域に配置された前記スペーサの厚さは、前記第１領域の前記有機絶縁層の厚さよりも小さい。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す斜視図である。

【図2】図２は、実施形態１の表示装置を表すブロック図である。

【図3】図３は、実施形態１のフィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。

【図4】図４は、画素電極への印加電圧と画素の散乱状態との関係を示す説明図である。

【図5】図５は、図１の表示装置の断面の一例を示す断面図である。

【図6】図６は、図１の表示装置の平面を示す平面図である。

【図7】図７は、図５の液晶層部分を拡大した拡大断面図である。

【図8】図８は、液晶層においてモノマーが重合前の状態を示す断面図である。

【図9】図９は、液晶層において散乱状態を説明するための断面図である。

【図10】図１０は、画素において、走査線、信号線及びスイッチング素子を示す平面図である。

【図11】図１１は、画素において、保持容量層を示す平面図である。

【図12】図１２は、画素において、補助金属層及び開口領域を示す平面図である。

【図13】図１３は、画素において、画素電極を示す平面図である。

【図14】図１４は、画素において、遮光層を示す平面図である。

【図15】図１５は、図１４のＸＶ－ＸＶ’の断面図である。

【図16】図１６は、図１４のＸＶＩ－ＸＶＩ’の断面図である。

【図17】図１７は、図１４のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ’の断面図である。

【図18】図１８は、周辺領域の断面図である。

【図19】図１９は、実施形態２の表示装置において、スペーサの形状及び位置を示す平面図である。

【図20】図２０は、実施形態３の表示装置において、スペーサの形状及び位置を示す平面図である。

【図21】図２１は、実施形態４の画素において、走査線、信号線及びスイッチング素子を示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本開示を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、開示の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

【0009】

（実施形態１）
図１は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す斜視図である。図２は、図１の表示装置を表すブロック図である。図３は、フィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。

【0010】

図１に示すように、表示装置１は、表示パネル２と、光源３と、駆動回路４とを有する。ここで、表示パネル２の平面の一方向が第１方向ＰＸとされ、第１方向ＰＸと直交する方向が第２方向ＰＹとされ、ＰＸ－ＰＹ平面に直交する方向が第３方向ＰＺとされている。

【0011】

表示パネル２は、アレイ基板１０と、対向基板２０と、液晶層５０（図５参照）とを備えている。対向基板２０は、アレイ基板１０の表面に垂直な方向（図１に示すＰＺ方向）に対向する。液晶層５０（図５参照）は、アレイ基板１０と、対向基板２０と、封止部１８とで、後述する高分子分散型の液晶ＬＣが封止されている。

【0012】

図１に示すように、表示パネル２において、画像を表示可能な表示領域ＡＡと、表示領域ＡＡの外側の周辺領域ＦＲと、がある。表示領域ＡＡには、複数の画素Ｐｉｘがマトリクス状に配置されている。なお、本開示において、行とは、一方向に配列されるｍ個の画素Ｐｉｘを有する画素行をいう。また、列とは、行が配列される方向と直交する方向に配列されるｎ個の画素Ｐｉｘを有する画素列をいう。そして、ｍとｎとの値は、垂直方向の表示解像度と水平方向の表示解像度に応じて定まる。また、複数の走査線ＧＬが行毎に配線され、複数の信号線ＳＬが列毎に配線されている。

【0013】

光源３は、複数の発光部３１を備えている。図２に示すように、光源制御部３２は、駆動回路４に含まれる。なお、光源制御部３２は、駆動回路４の回路とは別の回路にしてもよい。発光部３１と、光源制御部３２とは、アレイ基板１０内の配線で電気的に接続されている。

【0014】

図１に示すように、駆動回路４は、アレイ基板１０の表面に固定されている。図２に示すように、駆動回路４は、信号処理回路４１、画素制御回路４２、ゲート駆動回路４３、ソース駆動回路４４及び共通電位駆動回路４５を備えている。アレイ基板１０は、対向基板２０よりもＸＹ平面の面積が大きく、対向基板２０から露出したアレイ基板１０の張り出し部分に、駆動回路４が設けられる。

【0015】

信号処理回路４１には、外部の上位制御部９の画像出力部９１から、フレキシブル基板９２を介して、入力信号（ＲＧＢ信号など）ＶＳが入力される。

【0016】

信号処理回路４１は、入力信号解析部４１１と、記憶部４１２と、信号調整部４１３とを備える。入力信号解析部４１１は、外部から入力された第１入力信号ＶＳに基づいて第２入力信号ＶＣＳを生成する。

【0017】

第２入力信号ＶＣＳは、第１入力信号ＶＳに基づいて、表示パネル２の各画素Ｐｉｘにどのような階調値を与えるかを定める信号である。言い換えると、第２入力信号ＶＣＳは、各画素Ｐｉｘの階調値に関する階調情報を含む信号である。

【0018】

信号調整部４１３は、第２入力信号ＶＣＳから第３入力信号ＶＣＳＡを生成する。信号調整部４１３は、第３入力信号ＶＣＳＡを画素制御回路４２へ送出し、光源制御信号ＬＣＳＡを光源制御部３２へ送出する。光源制御信号ＬＣＳＡは、例えば、画素Ｐｉｘへの入力階調値に応じて設定される発光部３１の光量の情報を含む信号である。例えば、暗い画像が表示される場合、発光部３１の光量は小さく設定される。明るい画像が表示される場合、発光部３１の光量は大きく設定される。

【0019】

そして、画素制御回路４２は、第３入力信号ＶＣＳＡに基づいて水平駆動信号ＨＤＳと垂直駆動信号ＶＤＳとを生成する。本実施形態では、フィールドシーケンシャル方式で駆動されるので、水平駆動信号ＨＤＳと垂直駆動信号ＶＤＳとが発光部３１が発光可能な色毎に生成される。

【0020】

ゲート駆動回路４３は水平駆動信号ＨＤＳに基づいて１垂直走査期間内に表示パネル２の走査線ＧＬを順次選択する。走査線ＧＬの選択の順番は任意である。

【0021】

ソース駆動回路４４は垂直駆動信号ＶＤＳに基づいて１水平走査期間内に表示パネル２の各信号線ＳＬに各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号を供給する。

【0022】

本実施形態において、表示パネル２はアクティブマトリクス型パネルである。このため、平面視で第２方向ＰＹに延在する信号（ソース）線ＳＬ及び第１方向ＰＸに延在する走査（ゲート）線ＧＬを有し、信号線ＳＬと走査線ＧＬとの交差部にスイッチング素子Ｔｒを有する。

【0023】

スイッチング素子Ｔｒとして薄膜トランジスタが用いられる。薄膜トランジスタの例としては、ボトムゲート型トランジスタ又はトップゲート型トランジスタを用いてもよい。スイッチング素子Ｔｒとして、シングルゲート薄膜トランジスタを例示するが、ダブルゲートトランジスタでもよい。スイッチング素子Ｔｒのソース電極及びドレイン電極のうち一方は信号線ＳＬに接続され、ゲート電極は走査線ＧＬに接続され、ソース電極及びドレイン電極のうち他方は、後述する高分子分散型の液晶ＬＣの容量の一端に接続されている。高分子分散型の液晶ＬＣの容量は、一端がスイッチング素子Ｔｒに画素電極ＰＥを介して接続され、他端が共通電極ＣＥを介してコモン電位配線ＣＯＭＬに接続されている。また、画素電極ＰＥと、コモン電位配線ＣＯＭＬに電気的に接続されている保持容量電極ＩＯとの間には、保持容量ＨＣが生じる。なお、コモン電位配線ＣＯＭＬは、共通電位駆動回路４５より供給される。

【0024】

発光部３１は、第１色（例えば、赤色）の発光体３３Ｒと、第２色（例えば、緑色）の発光体３３Ｇと、第３色（例えば、青色）の発光体３３Ｂを備えている。光源制御部３２は、光源制御信号ＬＣＳＡに基づいて、第１色の発光体３３Ｒ、第２色の発光体３３Ｇ及び第３色の発光体３３Ｂのそれぞれを時分割で発光するように制御する。このように、第１色の発光体３３Ｒ、第２色の発光体３３Ｇ及び第３色の発光体３３Ｂは、フィールドシーケンシャル方式で駆動される。

【0025】

図３に示すように、第１サブフレーム（第１所定時間）ＲＦにおいて、第１色の発光期間ＲＯＮで第１色の発光体３３Ｒが発光するとともに、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘが光を散乱させて表示する。表示パネル２全体では、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線ＳＬに各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第１色の発光期間ＲＯＮにおいて第１色のみ点灯している。

【0026】

次に、第２サブフレーム（第２所定時間）ＧＦにおいて、第２色の発光期間ＧＯＮで第２色の発光体３３Ｇが発光するとともに、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘが光を散乱させて表示する。表示パネル２全体では、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線ＳＬに各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第２色の発光期間ＧＯＮにおいて第２色のみ点灯している。

【0027】

さらに、第３サブフレーム（第３所定時間）ＢＦにおいて、第３色の発光期間ＢＯＮで第３色の発光体３３Ｂが発光するとともに、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘが光を散乱させて表示する。表示パネル２全体では、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線ＳＬに各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第３色の発光期間ＢＯＮにおいて第３色のみ点灯している。

【0028】

人間の眼には、時間的な分解能の制限があり、残像が発生するので、１フレーム（１Ｆ）の期間に３色の合成された画像が認識される。フィールドシーケンシャル方式では、カラーフィルタを不要とすることができ、カラーフィルタでの吸収ロスが低減するので、高い透過率が実現できる。カラーフィルタ方式では、第１色、第２色、第３色毎に画素Ｐｉｘを分割したサブピクセルで一画素を作るのに対し、フィールドシーケンシャル方式では、このようなサブピクセル分割をしなくてもよい。なお、第４サブフレームをさらに有し、第１色、第２色及び第３色とは異なる第４色を発光するようにしてもよい。

【0029】

図４は、画素電極への印加電圧と画素の散乱状態との関係を示す説明図である。図５は、図１の表示装置の断面の一例を示す断面図である。図６は、図１の表示装置の平面を示す平面図である。図５は、図６のＶ－Ｖ’断面である。図７は、図５の液晶層部分を拡大した拡大断面図である。図８は、液晶層において非散乱状態を説明するための断面図である。図９は、液晶層において散乱状態を説明するための断面図である。

【0030】

１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線ＳＬに各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、階調信号に応じて画素電極ＰＥへの印加電圧が変わる。画素電極ＰＥへの印加電圧が変わると、画素電極ＰＥと、共通電極ＣＥとの間の電圧が変化する。そして、図４に示すように、画素電極ＰＥへの印加電圧に応じて、画素Ｐｉｘ毎の液晶層５０の散乱状態が制御され、画素Ｐｉｘ内の散乱割合が変化する。

【0031】

図４に示すように、画素電極ＰＥへの印加電圧が飽和電圧Ｖｓａｔ以上となると、画素Ｐｉｘ内の散乱割合の変化が小さくなる。そこで、駆動回路４は、飽和電圧Ｖｓａｔよりも低い電圧範囲Ｖｄｒにおいて、垂直駆動信号ＶＤＳに応じた画素電極ＰＥへの印加電圧を変化させる。

【0032】

図５及び図６に示すように、アレイ基板１０は、第１主面１０Ａ、第２主面１０Ｂ、第１側面１０Ｃ、第２側面１０Ｄ、第３側面１０Ｅ及び第４側面１０Ｆを備える。第１主面１０Ａと第２主面１０Ｂとは、平行な平面である。また、第１側面１０Ｃと第２側面１０Ｄとは、平行な平面である。第３側面１０Ｅと第４側面１０Ｆとは、平行な平面である。

【0033】

図５及び図６に示すように、対向基板２０は、第１主面２０Ａ、第２主面２０Ｂ、第１側面２０Ｃ、第２側面２０Ｄ、第３側面２０Ｅ及び第４側面２０Ｆを備える。第１主面２０Ａと第２主面２０Ｂとは、平行な平面である。第１側面２０Ｃと第２側面２０Ｄとは、平行な平面である。第３側面２０Ｅと第４側面２０Ｆとは、平行な平面である。

【0034】

図５及び図６に示すように、光源３は、対向基板２０の第２側面２０Ｄに対向する。光源３は、サイド光源と呼ばれることもある。図５に示すように、光源３は、対向基板２０の第２側面２０Ｄへ光源光Ｌを照射する。光源３と対向する対向基板２０の第２側面２０Ｄは、光入射面となる。

【0035】

図５に示すように、光源３から照射された光源光Ｌは、アレイ基板１０の第１主面１０Ａ及び対向基板２０の第１主面２０Ａで反射しながら、第２側面２０Ｄから遠ざかる方向（第２方向ＰＹ）に伝播する。アレイ基板１０の第１主面１０Ａ又は対向基板２０の第１主面２０Ａから外部へ光源光Ｌが向かうと、屈折率の大きな媒質から屈折率の小さな媒質へ進むことになるので、光源光Ｌがアレイ基板１０の第１主面１０Ａ又は対向基板２０の第１主面２０Ａへ入射する入射角が臨界角よりも大きければ、光源光Ｌがアレイ基板１０の第１主面１０Ａ又は対向基板２０の第１主面２０Ａで全反射する。

【0036】

図５に示すように、アレイ基板１０及び対向基板２０の内部を伝播した光源光Ｌは、散乱状態となっている液晶がある画素Ｐｉｘで散乱され、散乱光の入射角が臨界角よりも小さな角度となって、放射光６８、６８Ａがそれぞれ対向基板２０の第１主面２０Ａ、アレイ基板１０の第１主面１０Ａから外部に放射される。対向基板２０の第１主面２０Ａ、アレイ基板１０の第１主面１０Ａからそれぞれ外部に放射された放射光６８、６８Ａは、観察者に観察される。

【0037】

次に、表示パネル２を構成するアレイ基板１０、対向基板２０及び液晶層５０について説明する。図７は、図５の液晶層部分を拡大した拡大断面図である。この図７では、モノマーが重合した後の状態の液晶層を示す。また、図７では、非散乱状態の液晶層を示している。図８は、液晶層においてモノマーが重合前の状態を示す断面図である。図９は、液晶層において散乱状態を説明するための断面図である。

【0038】

図７に示すように、アレイ基板１０は、第１透光性基材１９と画素電極ＰＥと第１配向膜（配向膜）ＡＬ１とを有している。対向基板２０は、第２透光性基材２９と共通電極ＣＥと第２配向膜（配向膜）ＡＬ２とを有している。液晶層５０は、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間に封止されている。なお、アレイ基板１０は、第１透光性基材１９の画素電極ＰＥ及び第１配向膜（配向膜）ＡＬ１が設けられる面とは反対側の面において、例えばガラスで形成された保護部材（図示せず）を有していてもよい。保護部材は、透光性を有していれば、樹脂でもよい。また、対向基板２０は、第２透光性基材２９の共通電極ＣＥ及び第２配向膜（配向膜）ＡＬ２が設けられる面とは反対側の面において、例えばガラスで形成された保護部材（図示せず）を有していてもよい。保護部材は、透光性を有していれば、樹脂でもよい。

【0039】

第１透光性基材１９及び第２透光性基材２９は、例えばガラスやポリエチレンテレフタレートなどの透光性を有する材料で形成されている。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥは、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透光性を有する導電材料によって形成されている。第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２は、液晶層５０中の液晶分子５２（後述する）を所定の方向に配向させるものであり、ポリイミドなどの透光性を有する配向膜材料によって形成されている。第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２は、表面（液晶層５０と接する面）に、配向処理が施されることより配向膜が形成される。本実施形態では、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２は、表面（液晶層５０と接する面）に、例えばラビング処理（ラビング配向処理）が施されることにより水平配向膜となっている。ラビング処理とは、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２の各表面を布等で一方向に沿って擦ることで該表面に異方性を生じさせ、液晶配向性を付与することをいう。なお、配向処理は、ラビング処理だけでなく、光照射によって配向処理する光配向処理でもよい。

【0040】

図８に示すように、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間には、光架橋性のモノマー５１Ａと、液晶分子５２と、光重合開始剤５３とを複数含む溶液ＬＣ´が注入されている。これらモノマー５１Ａ及び液晶分子５２は、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２の各配向処理により、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２（アレイ基板１０及び対向基板２０）の間で一様に概ね水平方向にホモジニアス配向されている。ここで、溶液ＬＣ´を注入後のシール硬化用の光照射時には、アレイ基板１０と対向基板２０とをシールするシール部（不図示）以外に光が照射されないようにマスク露光をすることが好ましい。

【0041】

次に、モノマー５１Ａ及び液晶分子５２がホモジニアス配向された状態で、水銀ランプの輝線やＬＥＤ光源を用いて、光重合開始剤５３の吸収波長の光（例えば、ｉ線、ｇ線、ｈ線などの紫外線ＵＶ）を照射する。この場合、図７に示すように、アレイ基板１０側から紫外線ＵＶを照射することが好ましい。これにより、第１配向膜ＡＬ１の光架橋反応が、第２配向膜ＡＬ２の光架橋反応よりも進み、バスタブ状の画素Ｐｉｘの底部のポリマーネットワークの移動がより抑制される。

【0042】

本実施形態では、モノマー５１Ａとして、式（１）に示す光架橋性を有するアクリレート系の材料を用いることができる。式（１）のモノマーは、左右端部にそれぞれ光架橋基としての機能を有するアクリレート基を有している。

【0043】

【化1】

【0044】

上記した紫外線照射により、溶液ＬＣ´中の光重合開始剤５３が光を吸収し、ラジカルを生成するため、溶液ＬＣ´中のモノマー５１Ａ同士が架橋反応して重合する。なお、モノマー５１Ａとしては、上記した式（１）に示すものに限らず、式（２－１）～式（２－４）に示すアクリレート基や、式（２－５）～式（２－８）に示すマレイミド基のような光架橋性を有する各材料を用いることができる。

【0045】

【化2】

【0046】

液晶分子５２は、誘電率異方性Δεがポジ型に形成されたネマチック液晶材料が用いられる。液晶材料として、誘電率異方性Δεがポジ型の場合には、屈折率異方性Δｎが大きな液晶組成物（液晶分子５２）が望ましく、液晶分子５２に加えて、光架橋性のモノマー５１Ａと光重合開始剤５３とが含まれている。

【0047】

光重合開始剤５３は、所定波長の紫外線照射により、ラジカルを発生してモノマー５１Ａの重合を開始させるものである。この光重合開始剤５３は、使用する紫外線波長に適したものを選択して使用することができ、例えば、以下の中から１つを使用することができる。

【0048】

（±）－カンファーキノン、アセトフェノン、ベンゾフェノン、４－ベンゾイル安息香酸、２－ベンゾイル安息香酸、２－ベンゾイル安息香酸メチル、４，４´－ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４´－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４´－ジクロロベンゾフェノン、１，４－ジベンゾイルベンゼン、ベンジル、ｐ－アニシル、２－ベンゾイル－２－プロパノール、２－ヒドロキシ－４´－（２－ヒドロキシエトキシ）－２－メチルプロピオフェノン、１－ベンジルシクロヘキサノール、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、ｏ－トシルベンゾイン、２，２－ジエトキシアセトフェノン、ベンジルジメチルケタール、２－メチル－４´－（メチルチオ）－２－モルホリノプロピオフェノン、２－ベンジル－２－（ジメチルアミノ）－４´－モノホリノブチロフェノン、２－イソニトロソプロピオフェノン、２－クロロチオキサントン、２－イソプロピルチオキサントン、２，４－ジエチルチオキサンテン－９－オン、２，２´－ビス（２－クロロフェニル）－４，４，５，５´－テトラフェニル－１，２´－ビイミダゾール、ジフェニル（２，４，６－トリメチルベンゾイル）ホスフィンオキシド、フェニルビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）ホスフィンオキシド、フェニル（２，４，６－トリメチルベンゾイル）ホスフィン酸リチウム。

【0049】

上記したモノマー５１Ａの光架橋（重合）反応により、図７に示すように、３次元の網目状のポリマーネットワーク５１が形成される。これにより、ポリマーネットワーク５１の隙間に液晶分子５２が分散されたリバースモードの高分子分散型液晶を有する液晶層５０が形成される。

【0050】

ところで、通常、モノマーを重合させてポリマーネットワークを形成した場合、このポリマーネットワークは、何ら固定されておらず液晶層中を浮遊している。このため、例えば、表示パネルの画面の点押しや落下衝撃などの要因で、液晶層のポリマーネットワークが不可逆的に移動することにより、液晶分子の配向に乱れが生じる可能性がある。このため、表示パネルの画素毎に、むらが発生してコントラストが低下する事態が生じ、表示装置（表示パネル）の耐衝撃性の向上が要望されている。

【0051】

本実施形態では、ポリマーネットワーク５１の末端（一部）が、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２に連結されている。このため、ポリマーネットワーク５１は、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２を介して、アレイ基板１０及び対向基板２０に固定される。これにより、液晶層５０を含む表示パネル２の耐衝撃性が向上し、信頼性が向上する。なお、ポリマーネットワーク５１の末端（一部）は、第１配向膜ＡＬ１にのみ連結してもよい。

【0052】

次に、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２について説明する。本実施形態では、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２は、可視領域で透明な配向膜が望ましくポリイミドによって形成されている。ポリイミドは、ポリアミド酸（ポリアミド酸化合物を含む）を加熱してイミド化することにより得ることができる。このため、液状のポリアミド酸を画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの表面にそれぞれスピンコートなどによって塗布し、これをイミド化することにより第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が形成される。ポリアミド酸は、テトラカルボン酸化合物（テトラカルボン酸二無水物）とジアミン化合物とを反応させることによって合成することができる。このため、ポリイミドは、式（３）で示すように、テトラカルボン酸二無水物由来の骨格とジアミン化合物由来の骨格とを有して形成される。

【0053】

【化3】

【0054】

この式（３）において、テトラカルボン酸二無水物由来の骨格が有するＲ１は、例えば、シクロブタン骨格、シクロブタン骨格以外の脂環式骨格、または鎖式骨格とすることができる。また、ジアミン化合物由来の骨格が有するＲ２は、例えば、シクロブタン骨格以外の脂環式骨格、または鎖式骨格とすることができる。ここで、シクロブタン骨格以外の脂環式骨格としては、例えばシクロへプタン骨格やシクロヘキサン骨格などが例示される。一方、脂環式骨格として、芳香族化合物も使用可能であるが、ポリイミドの着色が少ないものが望ましい。

【0055】

本実施形態では、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２の材料（配向膜材料）であるポリイミドは、光架橋基Ｘを該ポリイミドの側鎖に有する。具体的には、ジアミン化合物由来の骨格を形成する上記したＲ２にエーテル結合を介して、光架橋基Ｘが設けられている。また、エーテル結合の代わりにエステル結合を介して光架橋基Ｘを設けてもよい。すなわち、ポリイミドを構成するジアミン化合物が光架橋基Ｘを有する。この光架橋基Ｘは、上記したモノマー５１Ａの光架橋（重合）反応の際に、モノマー５１Ａと反応し、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２とポリマーネットワーク５１（ポリマー繊維）とをそれぞれ連結する。これにより、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２とポリマーネットワーク５１とが強固に連結されるため、液晶層５０を含む表示パネル２の耐衝撃性が向上し、信頼性が向上する。

【0056】

光架橋基Ｘは、式（４）に示すように、例えば、アクリレート基を設けることができる。この場合、式（４）に示すＲは、光架橋基が連結される基を意味しているが、上記したエーテル結合またはエステル結合を含むものとする。

【0057】

【化4】

【0058】

この構成では、ジアミン化合物由来の骨格が有するＲ２にエーテル結合またはエステル結合を介して光架橋基Ｘを設けておくことにより、該光架橋基Ｘを含むポリイミドからなる第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２を容易に形成することができ、これら第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２とポリマーネットワーク５１との連結を容易に実行することができる。また、光架橋基Ｘは、ポリイミドの側鎖に設けられているため、ポリマー主鎖に設けられている場合に比べて配向の自由度が高く、ポリマーネットワーク５１の形成時に、光架橋基Ｘと光架橋性のモノマー５１Ａとの光架橋（重合）反応の効率を高めることができる。

【0059】

また、光架橋基Ｘは、アクリレート基に限るものではなく、式（５－１）～式（５－５）に示すような、メタクリレート基、桂皮酸基、マレイミド基、フェニルジアジリン、フェニルアジドのうち少なくとも１種をポリイミドの側鎖に設けてもよい。なお、これらの光架橋基Ｘは、ポリイミドの主鎖に設けても良いし、側鎖または主鎖の末端に設けてもよい。

【0060】

【化5】

【0061】

次に、別の構成を有するポリイミドについて説明する。上記には、側鎖に光架橋基Ｘを有するポリイミドの構成を説明したが、ポリイミドの主鎖に光架橋基を有する構成を採用することもできる。具体的には、式（３）における、テトラカルボン酸二無水物由来の骨格が有するＲ１に光架橋基として、式（６－１）に示すジアゾ基を有するポリイミドや、式（６－２）に示すベンゾフェノン基を有するポリイミドを採用することができる。この式（６－１）、（６－２）において、Ｅｔはエチル基を示す。また、式（６－１）、（６－２）に示す構造式は例示であり、ジアゾ基またはベンゾフェノン基を有するポリイミドであれば、他の構成としてもよい。

【0062】

【化6】

【0063】

この構成では、ポリイミドがそもそも光架橋基として機能する官能基を有するため、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２とポリマーネットワーク５１との連結を容易に実行することができる。また、光架橋基はポリイミドの主鎖に設けられているため、ポリマーネットワーク５１と連結されると該ポリマーネットワーク５１が動きにくくなり、固定化することができる。

【0064】

上記した構成において、ポリマーネットワーク５１及び液晶分子５２は、それぞれ光学異方性を有している。液晶分子５２の配向は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間の電圧差によって制御される。画素電極ＰＥへの印加電圧により、液晶分子５２の配向が変化する。液晶分子５２の配向が変化することにより、画素Ｐｉｘ（画素電極ＰＥ上の領域）を通過する光の散乱の度合いが変化する。

【0065】

例えば、図７に示すように、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電圧が印加されていない状態では、ポリマーネットワーク５１の光軸Ａｘ１と液晶分子５２の光軸Ａｘ２の向きは互いに概ね等しい。液晶分子５２の光軸Ａｘ２は、液晶層５０のＰＹ方向（図５）と平行である。またポリマーネットワーク５１の光軸Ａｘ１は、電圧の有無に関わらず、液晶層５０のＰＹ方向と平行である。

【0066】

ポリマーネットワーク５１と液晶分子５２の常光屈折率は互いに等しい。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電圧が印加されていない状態では、あらゆる方向においてポリマーネットワーク５１と液晶分子５２との間の屈折率差がほぼゼロになる。液晶層５０は、光源光Ｌ（図５）を散乱しない非散乱状態となる。光源光Ｌは、図５に示すように、アレイ基板１０の第１主面１０Ａ及び対向基板２０の第１主面２０Ａで反射しながら、光源３（発光部３１）から遠ざかる方向に伝播する。液晶層５０が光源光Ｌを散乱しない非散乱状態であると、アレイ基板１０の第１主面１０Ａから対向基板２０の第１主面２０Ａ側の背景が視認され、対向基板２０の第１主面２０Ａからアレイ基板１０の第１主面１０Ａ側の背景が視認される。

【0067】

図９に示すように、電圧が印加された画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間では、液晶分子５２の光軸Ａｘ２は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に発生する電界によって傾くことになる。ポリマーネットワーク５１の光軸Ａｘ１は、電界によって変化しないため、ポリマーネットワーク５１の光軸Ａｘ１と液晶分子５２の光軸Ａｘ２の向きは互いに異なる。電圧が印加された画素電極ＰＥがある画素Ｐｉｘにおいて、光源光Ｌが散乱される。上述したように散乱された光源光Ｌの一部がアレイ基板１０の第１主面１０Ａ又は対向基板２０の第１主面２０Ａから外部に放射された光は、観察者に観察される。

【0068】

電圧が印加されていない画素電極ＰＥがある画素Ｐｉｘでは、アレイ基板１０の第１主面１０Ａから対向基板２０の第１主面２０Ａ側の背景が視認され、対向基板２０の第１主面２０Ａからアレイ基板１０の第１主面１０Ａ側の背景が視認される。そして、本実施形態の表示装置１は、画像出力部９１から第１入力信号ＶＳが入力されると、画像が表示される画素Ｐｉｘの画素電極ＰＥに電圧が印加され、第３入力信号ＶＣＳＡに基づく画像が背景とともに視認される。このように、高分子分散型の液晶ＬＣが散乱状態にあるとき、表示領域において画像が表示される。

【0069】

電圧が印加された画素電極ＰＥがある画素Ｐｉｘにおいて光源光Ｌが散乱されて外部に放射された光によって表示された画像は、背景に重なり、表示されることになる。換言すると、本実施形態の表示装置１は、放射光６８又は放射光６８Ａと、背景との組み合わせにより、画像を背景に重ね合わせて表示することができる。

【0070】

電圧が印加された画素電極ＰＥがある画素Ｐｉｘにおいて光源光Ｌが散乱されて外部に放射された光によって表示された画像は、背景に重なり、表示されることになる。換言すると、本実施形態の表示装置１は、放射光６８又は放射光６８Ａと、背景との組み合わせにより、画像を背景に重ね合わせて表示する。

【0071】

図３に示す１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎにおいて、書き込まれた各画素電極ＰＥ（図７参照）の電位が、各１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎの後にある第１色の発光期間ＲＯＮ、第２色の発光期間ＧＯＮ及び第３色の発光期間ＢＯＮの少なくとも１つに保持されている必要がある。書き込まれた各画素電極ＰＥ（図７参照）の電位が、各１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎの後にある第１色の発光期間ＲＯＮ、第２色の発光期間ＧＯＮ及び第３色の発光期間ＢＯＮの少なくとも１つで保持できないと、いわゆるフリッカーなどが生じやすい。言い換えると、走査線の選択時間である１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎを短くし、いわゆるフィールドシーケンシャル方式で駆動における視認性を高めるためには、第１色の発光期間ＲＯＮ、第２色の発光期間ＧＯＮ及び第３色の発光期間ＢＯＮのそれぞれで、書き込まれた各画素電極ＰＥ（図７参照）の電位を保持しやすくする要望がある。

【0072】

図１０は、画素において、走査線、信号線及びスイッチング素子を示す平面図である。図１１は、画素において、保持容量層を示す平面図である。図１２は、画素において、補助金属層及び開口領域を示す平面図である。図１３は、画素において、画素電極を示す平面図である。図１４は、画素において、遮光層を示す平面図である。図１５は、図１４のＸＶ－ＸＶ’の断面図である。図１６は、図１４のＸＶI－ＸＶI’の断面図である。図１７は、図１４のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ’の断面図である。図１８は、周辺領域の断面図である。図１、図２及び図１０に示すように、アレイ基板１０には、複数の信号線ＳＬと複数の走査線ＧＬとが平面視において格子状に設けられている。言い換えると、アレイ基板１０の一方の面には、第１方向ＰＸに間隔をおいて並ぶ複数の信号線と、第２方向ＰＹに間隔をおいて並ぶ複数の走査線と、を備える。

【0073】

図１０に示すように、隣り合う走査線ＧＬと隣り合う信号線ＳＬとで囲まれる領域が、画素Ｐｉｘである。画素Ｐｉｘには、画素電極ＰＥとスイッチング素子Ｔｒとが設けられている。本実施形態において、スイッチング素子Ｔｒは、ボトムゲート型の薄膜トランジスタである。スイッチング素子Ｔｒは、走査線ＧＬと電気的に接続されているゲート電極ＧＥと平面視において重畳する半導体層ＳＣを有する。

【0074】

図１０に示すように、走査線ＧＬは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、これらの積層体又はこれらの合金の配線である。信号線ＳＬは、アルミニウム等の金属又は合金の配線である。

【0075】

図１０に示すように、半導体層ＳＣは、平面視において、ゲート電極ＧＥからはみ出さないように設けられている。これにより、ゲート電極ＧＥ側から半導体層ＳＣに向かう光源光Ｌが反射され、半導体層ＳＣに光リークが生じにくくなる。

【0076】

図５及び図２０に示すように、光源３から照射された光源光Ｌは、第２方向ＰＹを入射方向として、入射してくる。光源光Ｌの入射方向が第２方向ＰＹである場合、半導体層ＳＣの第１方向の幅が、半導体層ＳＣの第２方向の幅よりも小さい。これにより、光源光Ｌの入射方向に交差する方向の幅が小さくなり、光リークの影響が低減する。

【0077】

図１０に示すように、ソース電極ＳＥは、信号線ＳＬと同じ２つの導電体が、信号線ＳＬと同層でかつ信号線と交差する方向に信号線ＳＬから伸びている。これにより、信号線ＳＬと電気的に接続するソース電極ＳＥは、平面視において、半導体層ＳＣの一端部と重畳している。

【0078】

図１０に示すように、平面視において、隣り合うソース電極ＳＥの導電体の間の位置には、ドレイン電極ＤＥが設けられている。ドレイン電極ＤＥは、平面視において、半導体層ＳＣと重畳している。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥと重畳しない部分は、スイッチング素子Ｔｒのチャネルとして機能する。図１３に示すように、ドレイン電極ＤＥと電気的に接続されるコンタクト電極ＤＥＡは、コンタクトホールＣＨで画素電極ＰＥと電気的に接続されている。

【0079】

図１５に示すように、アレイ基板１０は、例えばガラスで形成された第１透光性基材１９を有している。第１透光性基材１９は、透光性を有していれば、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂でもよい。

【0080】

図１５に示すように、第１透光性基材１９上には、走査線ＧＬ（図１０参照）及びゲート電極ＧＥが設けられる。

【0081】

図１５に示すように、また、走査線ＧＬ及びゲート電極ＧＥを覆って第１絶縁層１１が設けられている。第１絶縁層１１は、例えば、窒化シリコンなどの透明な無機絶縁材料によって形成されている。

【0082】

第１絶縁層１１上には、半導体層ＳＣが積層されている。半導体層ＳＣは、例えば、アモルファスシリコンによって形成されているが、ポリシリコン又は酸化物半導体によって形成されていてもよい。同じ断面でみたときに、半導体層ＳＣの幅Ｌｓｃは、半導体層ＳＣに重畳するゲート電極ＧＥの幅Ｌｇｅよりも小さい。これにより、ゲート電極ＧＥが第１透光性基材１９の中を伝搬してくる光Ｌｄを遮光できる。その結果、実施形態１のスイッチング素子Ｔｒは、光リークが低減する。

【0083】

第１絶縁層１１上には、半導体層ＳＣの一部を覆うソース電極ＳＥ及び信号線ＳＬと、半導体層ＳＣの一部を覆うドレイン電極ＤＥとが設けられている。ドレイン電極ＤＥは、信号線ＳＬと同じ材料で形成されている。半導体層ＳＣ、信号線ＳＬ及びドレイン電極ＤＥ上には、第２絶縁層１２が設けられている。第２絶縁層１２は、例えば、第１絶縁層と同様に、窒化シリコンなどの透明な無機絶縁材料によって形成される。

【0084】

第２絶縁層１２上には、第２絶縁層１２の一部を覆う第３絶縁層が形成されている。第３絶縁層１３は、例えばアクリル樹脂などの透光性を有する有機絶縁材料により形成されている。第３絶縁層１３は、無機系材料によって形成された他の絶縁膜と比べて厚い膜厚を有している。

【0085】

図１５、図１６及び図１７に示すように、第３絶縁層１３がある領域と、第３絶縁層１３がない領域とがある。図１６及び図１７に示すように、第３絶縁層１３がある領域は、走査線ＧＬの上方及び信号線ＳＬの上方である。第３絶縁層１３は、走査線ＧＬ及び信号線ＳＬに沿って走査線ＧＬ及び信号線ＳＬの上方を覆う格子状になる。また、図１５に示すように、第３絶縁層１３がある領域は、半導体層ＳＣの上方、つまりスイッチング素子Ｔｒの上方である。このため、スイッチング素子Ｔｒ、走査線ＧＬ、信号線ＳＬは保持容量電極ＩＴＯから比較的距離をおいて離れることで、保持容量電極ＩＴＯからのコモン電位の影響を受けにくくなる。さらに、アレイ基板１０において、走査線ＧＬと信号線ＳＬとに囲まれた領域には第３絶縁層１３がない領域ができるので、平面視で信号線ＳＬ及び走査線ＧＬに重なる絶縁層の厚さよりも絶縁層の厚さが小さい領域ができる。走査線ＧＬと信号線ＳＬとに囲まれた領域では、走査線ＧＬの上方及び信号線ＳＬの上方よりも相対的に、光の透過率が向上し、透光性が向上する。

【0086】

図１５に示すように、第３絶縁層１３上には、保持容量電極ＩＯが設けられている。保持容量電極ＩＯは、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透光性導電材料によって形成されている。保持容量電極ＩＯは、第３透光性電極ともいう。図１１に示すように、保持容量電極ＩＯは、走査線ＧＬと信号線ＳＬとに囲まれた領域に透光性導電材料がない領域ＩＯＸを有する。保持容量電極ＩＯは、隣り合う画素Ｐｉｘに跨がって、複数の画素Ｐｉｘに渡って設けられている。保持容量電極ＩＯは、透光性導電材料がある領域が走査線ＧＬ又は信号線ＳＬに重なり、隣の画素Ｐｉｘに延びている。

【0087】

保持容量電極ＩＯは、走査線ＧＬ及び信号線ＳＬに沿って走査線ＧＬ及び信号線ＳＬの上方を覆う格子状である。これにより、透光性導電材料がない領域ＩＯＸと、画素電極ＰＥとの間の保持容量ＨＣが減少するので、透光性導電材料がない領域ＩＯＸの大きさにより保持容量ＨＣが調整される。

【0088】

図１５に示すように、保持容量電極ＩＯ上の一部には、導電性の金属層ＴＭが設けられている。導電性の金属層ＴＭは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、これらの積層体又はこれらの合金の配線である。図１２に示すように、金属層ＴＭは、平面視において、信号線ＳＬ、走査線ＧＬ及びスイッチング素子Ｔｒに重なる領域に設けられている。これにより、金属層ＴＭは、格子状となり、金属層ＴＭで囲まれた開口部ＡＰができる。

【0089】

図１２に示すように、走査線ＧＬと信号線ＳＬとに接続されたスイッチング素子Ｔｒが設けられ、少なくともスイッチング素子Ｔｒは、有機絶縁層である第３絶縁層１３で覆われており、第３絶縁層１３の上方にはスイッチング素子Ｔｒよりも大きな面積の金属層ＴＭがある。これにより、スイッチング素子Ｔｒの光リークを抑制することができる。

【0090】

金属層ＴＭは、保持容量電極ＩＯの下にあってもよく、保持容量電極ＩＯと積層されていればよい。金属層ＴＭは、保持容量電極ＩＯよりも電気抵抗が小さい。このため、表示領域ＡＡのうち画素Ｐｉｘがある位置による保持容量電極ＩＯの電位のばらつきが抑制される。

【0091】

図１２に示すように、平面視で、信号線ＳＬに重なる金属層ＴＭの幅は、信号線ＳＬの幅よりも大きい。これにより、信号線ＳＬのエッジで反射する反射光を表示パネル２より放出することを抑制する。ここで、金属層ＴＭの幅及び信号線ＳＬの幅は、信号線ＳＬの延在する方向に交差する方向の長さである。また、走査線ＧＬに重なる金属層ＴＭの幅は、走査線ＧＬの幅よりも大きい。ここで、金属層ＴＭの幅及び走査線ＧＬの幅は、走査線ＧＬの延在する方向に交差する方向の長さである。

【0092】

図１５に示すように、保持容量電極ＩＯ及び金属層ＴＭの上には、第４絶縁層１４が設けられている。第４絶縁層１４は、例えば、窒化シリコンなどの透明な無機絶縁材料によって形成されている無機絶縁層である。

【0093】

図１５に示すように、第４絶縁層１４上には、画素電極ＰＥが設けられている。画素電極ＰＥは、ＩＴＯなどの透光性導電材料によって形成されている。画素電極ＰＥは、第４絶縁層１４及び第３絶縁層１３及び第２絶縁層１２に設けられたコンタクトホールＣＨを介してコンタクト電極ＤＥＡと電気的に接続されている。図１３に示すように、画素電極ＰＥは、画素Ｐｉｘ毎に区画されている。画素電極ＰＥの上には、第１配向膜ＡＬ１が設けられている。

【0094】

図１５に示すように、対向基板２０は、例えばガラスで形成された第２透光性基材２９を有している。第２透光性基材２９は、透光性を有していれば、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂でもよい。第２透光性基材２９には、共通電極ＣＥが設けられている。共通電極ＣＥは、ＩＴＯなどの透光性導電材料によって形成されている。共通電極ＣＥの表面には、第２配向膜ＡＬ２が設けられている。また、対向基板２０は、第２透光性基材２９と共通電極ＣＥとの間に遮光層ＬＳを有する。遮光層ＬＳは黒色の樹脂又は金属材料で形成されている。また、アレイ基板１０と対向基板２０との間にスペーサＰＳが形成され、スペーサＰＳは共通電極ＣＥと第２配向膜ＡＬ２との間にある。スペーサＰＳは、アレイ基板１０と対向基板２０との間の距離を規制する。

【0095】

図１２及び図１６に示すように、実施形態１の表示装置では、走査線ＧＬと同層の遮光層ＧＳが、信号線ＳＬに沿って延在し、かつ信号線ＳＬの一部と重なる位置に設けられている。遮光層ＧＳは、走査線ＧＬと同じ材料で形成されている。遮光層ＧＳは、走査線ＧＬと信号線ＳＬとが平面視において交差する部分には設けられていない。

【0096】

図１２に示すように、遮光層ＧＳと、信号線ＳＬとは、コンタクトホールＣＨＧで電気的に接続されている。これにより、信号線ＳＬのみの配線抵抗に比べて、遮光層ＧＳ及び信号線ＳＬで構成する配線抵抗が下がる。その結果、信号線ＳＬに供給された階調信号の遅延が抑制される。なお、コンタクトホールＣＨＧがなく、遮光層ＧＳと、信号線ＳＬとが接続されていなくてもよい。

【0097】

図１６に示すように、遮光層ＧＳは、信号線ＳＬに対して金属層ＴＭとは反対側に設けられている。遮光層ＧＳの幅は、信号線ＳＬの幅よりも大きく、金属層ＴＭの幅より小さい。遮光層ＧＳの幅、金属層ＴＭの幅及び信号線ＳＬの幅は、信号線ＳＬの延在する方向に交差する方向の長さである。このように、遮光層ＧＳは、信号線ＳＬよりも幅が広くなっているので、信号線ＳＬのエッジで反射する反射光を表示パネル２より放出することを抑制する。その結果、表示装置１において、画像の視認性が向上する。

【0098】

図１４及び図１５に示すように、対向基板２０には、遮光層ＬＳが設けられている。遮光層ＬＳは、平面視において、信号線ＳＬ、走査線ＧＬ及びスイッチング素子Ｔｒに重なる領域に設けられている。

【0099】

図１４、図１５、図１６及び図１７に示すように、遮光層ＬＳは、金属層ＴＭよりも大きい幅を有している。これにより、信号線ＳＬ、走査線ＧＬ及び金属層ＴＭのエッジで反射する反射光を表示パネル２より放出することを抑制する。その結果、表示装置１において、画像の視認性が向上する。

【0100】

コンタクトホールＣＨ及びコンタクトホールＣＨＧは、光源光Ｌが当たると乱反射しやすい。このため、遮光層ＬＳは、平面視において、コンタクトホールＣＨ及びコンタクトホールＣＨＧに重なる領域に設けられている。

【0101】

図１５に示すように、アレイ基板１０と対向基板２０との間には、スペーサＳＰが配置され、アレイ基板１０と対向基板２０との間の距離の均一性を向上する。

【0102】

図１８に示すように、周辺領域ＦＲでは、コモン電位配線ＣＯＭＬが引き回されている。コモン電位配線ＣＯＭＬは、例えば第１コモン電位配線ＣＯＭＬ１と、第２コモン電位配線ＣＯＭＬ２とを備える。第１コモン電位配線ＣＯＭＬ１は、導電性の導電部材ＣＰを介して、対向基板２０の共通電極ＣＥに電気的に接続している。導電部材ＣＰは導電注（ピラー）でもよく、またＡｕ粒子などの導電粒子が含有されたシール材であってもよい。

【0103】

図１８に示すように、周辺領域ＦＲでは、保持容量電極ＩＯが第２コモン電位配線ＣＯＭＬ２と電気的に接続している。金属層ＴＭは、表示領域ＡＡに配置されている。

【0104】

以上説明したように、表示装置１は、アレイ基板１０と、対向基板２０と、液晶層５０と、光源３を備える。アレイ基板１０は、画素Ｐｉｘ毎に配置された第１透光性電極である複数の画素電極ＰＥを有する。アレイ基板１０には、第１方向ＰＸに間隔をおいて並ぶ複数の信号線ＳＬと、第２方向ＰＹに間隔をおいて並ぶ複数の走査線ＧＬと、が設けられている。対向基板２０は、平面視で、画素電極ＰＥと重畳する位置に第２透光性電極である共通電極ＣＥを有する。液晶層５０は、アレイ基板１０と対向基板２０との間に封入される高分子分散型の液晶ＬＣを有する。光源３の発光部３１は、対向基板２０の側面に対し、第２方向ＰＹに光を発光する。アレイ基板１０及び対向基板２０を伝播する光の入射方向は、第２方向である。なお、発光部３１は、アレイ基板１０の側面に向かって、アレイ基板１０及び対向基板２０を伝播する光を発光するようにしてもよい。

【0105】

アレイ基板１０には、少なくともスイッチング素子Ｔｒを覆う有機絶縁層である第３絶縁層１３と、第３絶縁層１３の上方に重畳して設けられ、スイッチング素子Ｔｒよりも大きな面積の金属層ＴＭとがある。走査線ＧＬと信号線ＳＬとに囲まれた領域には、平面視で、スイッチング素子Ｔｒ、走査線ＧＬ及び信号線ＳＬに重なる第１領域の第３絶縁層１３の厚さよりも厚さが小さい第２領域がある。図１５に示すように、スペーサＰＳの厚みＨ２は、第１領域の第３絶縁層１３の厚みＨ１よりも小さい。

【0106】

これにより、スイッチング素子Ｔｒ、走査線ＧＬ及び信号線ＳＬに重なる第１領域の第３絶縁層１３と、対向基板２０との隙間が小さいので、表示パネルの画面の点押しや落下衝撃などの要因で、隙間を液晶ＬＣのポリマーネットワークが不可逆的に移動しにくくなる。その結果、画素Ｐｉｘごとの液晶分子の配向特性が揃いやすく、画素毎の透過度合いが同程度となり、表示品位が劣化しにくい。

【0107】

アレイ基板１０は、液晶ＬＣと接する第１配向膜ＡＬ１を備える。液晶ＬＣは、網目状に形成されたポリマーネットワークと、ポリマーネットワークの隙間に分散保持された液晶分子と含む高分子分散型液晶である。そして、第１配向膜ＡＬ１は、ポリマーネットワークと連結する光架橋基を有する。これにより、バスタブ状の画素Ｐｉｘの底部のポリマーネットワークの移動がより抑制される。その結果、画素Ｐｉｘごとの液晶分子の配向特性が揃いやすく、画素毎の透過度合いが同程度となり、表示品位が劣化しにくい。

【0108】

図５及び図２０に示すように、光源３から照射された光源光Ｌは、第２方向ＰＹを入射方向として、入射してくる。図１５に示すように、光Ｌｕが到達する。光Ｌｕは、スイッチング素子Ｔｒよりも光源３に近い側から到達する光源光Ｌの一部の光である。ここで、金属層ＴＭｔは、光Ｌｕを遮光するので、光リークが低減される。

【0109】

なお、第３絶縁層１３の厚みが変化する斜面であって、スイッチング素子Ｔｒに重畳する第３絶縁層１３の第１斜面以外の斜面については、金属層ＴＭがなくてもよい。

【0110】

（実施形態２）
図１９は、実施形態２の表示装置において、スペーサの形状及び位置を示す平面図である。上述した実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

【0111】

図１９に示すように、スペーサＰＳは、平面視でスイッチング素子Ｔｒ、信号線ＳＬ及び走査線ＧＬに重畳する位置に配置されている。スペーサＰＳは、平面視の断面形状が円形である。

【0112】

１つの信号線ＳＬには、平面視で複数のスペーサＰＳが重畳するように配置されており、隣り合う２つのスペーサＰＳは、間隔をあけて配置されている。これにより、スペーサＰＳ自体が障害となり、液晶ＬＣのポリマーネットワークが、信号線ＳＬに重なる第１領域の第３絶縁層１３と対向基板２０との隙間を不可逆的に移動しにくくする。

【0113】

図１９に示すように、各画素Ｐｉｘの走査線ＧＬには、平面視で走査線ＧＬに重畳するスペーサＰＳがある。このため、隣接する画素Ｐｉｘにおいて、１つの走査線ＧＬには、平面視で、走査線ＧＬに重畳する複数のスペーサＰＳが配置されており、隣り合う２つのスペーサＰＳは、間隔をあけて配置されている。これにより、スペーサＰＳ自体が障害となり、液晶ＬＣのポリマーネットワークが、走査線ＧＬに重なる第１領域の第３絶縁層１３と対向基板２０との隙間を不可逆的に移動しにくくする。

【0114】

上述したように隣り合う２つのスペーサＰＳは、間隔をあけて配置されているので、製造時、液晶ＬＣ層の封入が可能である。

【0115】

（実施形態３）
図２０は、実施形態３の表示装置において、スペーサの形状及び位置を示す平面図である。上述した実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

【0116】

図２０に示すように、スペーサＰＳは、平面視でスイッチング素子Ｔｒ、信号線ＳＬ及び走査線ＧＬに重畳する位置に配置されている。平面視でスイッチング素子Ｔｒに重畳するスペーサＰＳは、平面視の断面形状が円形である。平面視で、信号線ＳＬ及び走査線ＧＬに重畳するスペーサＰＳは、平面視の断面形状が矩形である。

【0117】

図２０に示すように、各画素Ｐｉｘの信号線ＳＬには、平面視で信号線ＳＬに重畳するスペーサＰＳがある。このため、隣接する画素Ｐｉｘにおいて、１つの信号線ＳＬには、平面視で複数のスペーサＰＳが重畳するように配置されており、隣り合う２つのスペーサＰＳは、間隔をあけて配置されている。スペーサＰＳの長手方向は、信号線ＳＬの長手方向に沿う。これにより、実施形態２よりもスペーサＰＳ自体が大きくなり、液晶ＬＣのポリマーネットワークが、信号線ＳＬに重なる第１領域の第３絶縁層１３と対向基板２０との隙間を不可逆的に移動しにくくする。

【0118】

図２０に示すように、各画素Ｐｉｘの走査線ＧＬには、平面視で走査線ＧＬに重畳するスペーサＰＳがある。このため、隣接する画素Ｐｉｘにおいて、１つの走査線ＧＬには、平面視で、走査線ＧＬに重畳する複数のスペーサＰＳが配置されており、隣り合う２つのスペーサＰＳは、間隔をあけて配置されている。スペーサＰＳの長手方向は、走査線ＧＬの長手方向に沿う。これにより、実施形態２よりもスペーサＰＳ自体が大きくなり、液晶ＬＣのポリマーネットワークが、走査線ＧＬに重なる第１領域の第３絶縁層１３と対向基板２０との隙間を不可逆的に移動しにくくする。

【0119】

上述したように隣り合う２つのスペーサＰＳは、間隔をあけて配置されているので、製造時、液晶ＬＣ層の封入が可能である。

【0120】

（実施形態４）
図２１は、実施形態４の画素を示す平面図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

【0121】

図２１に示すように、実施形態４の画素Ｐｉｘの構成は、実施形態１の画素Ｐｉｘの構成と異なり、隣り合う画素Ｐｉｘの間に２つの信号線ＳＬがある。一方の信号線ＳＬは、１つ置きの画素Ｐｉｘの走査線ＧＬとの交差部分にあるスイッチング素子Ｔｒ１と電気的に接続される。他方の信号線ＳＬは、スイッチング素子Ｔｒ１がある画素Ｐｉｘを除いて１つ置きの画素Ｐｉｘの走査線ＧＬとの交差部分にあるスイッチング素子Ｔｒ２と電気的に接続される。

【0122】

これにより、ゲート駆動回路４３が隣り合う２つの走査線ＧＬを同時に選択することができる。その結果、図３に示す１垂直走査時間ＧａｔｅＳｃａｎが短くなる。各１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎが短くなると、各１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎの後にある第１色の発光期間ＲＯＮ、第２色の発光期間ＧＯＮ及び第３色の発光期間ＢＯＮが相対的に長くすることができる。

【0123】

（変形例）
実施形態１から３について、スイッチング素子Ｔｒがボトムゲート型であるとして説明を行ったが、上述しているようにスイッチング素子Ｔｒは、ボトムゲート構造に限らずトップゲート型であってもよい。スイッチング素子Ｔｒがトップゲート型であれば、図１５の絶縁膜積層構造を参考に説明すると、半導体層ＳＣは第１透光性基材１９と第１絶縁層その間に配置され、ゲート電極ＧＥは第１絶縁層１１と第２絶縁層１２との間に配置され、ソース電極ＳＥ及びコンタクト電極ＤＥＡは第２絶縁層１２と第３絶縁層１３との間に形成される構造となる。

【0124】

さらに、コモン電位については、直流電圧が供給される、つまり一定のコモン電位であってもよく、また交流電圧が共有される、つまり上限値と下限値の２つを有するコモン電位であってもよい。コモン電位が直流であっても交流であっても保持容量電極ＩＯ及び共通電極ＣＥには共通の電位が供給される。

【0125】

また、格子状の有機絶縁膜である第３絶縁層１３については、格子状の内側の第３絶縁層１３が完全に除去され下層の第２絶縁層１２や保持容量電極ＩＯを露出する構造を開示しているが、これに限られない。例えば、複数の信号線ＳＬと複数の走査線ＧＬとで囲まれる格子状領域の内側については、ハーフトーン露光で第３絶縁層１３の膜厚の一部を薄く残す構造であってもよい。これにより、第３絶縁層１３は、複数の信号線ＳＬと複数の走査線ＧＬとで囲まれる格子状領域よりも、格子状領域の内側の膜厚が薄くなる。

【0126】

以上、好適な実施の形態を説明したが、本開示はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本開示の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本開示の技術的範囲に属する。

【符号の説明】

【0127】

１ 表示装置
２ 表示パネル
３ 光源
４ 駆動回路
９ 上位制御部
１０ アレイ基板
１１ 第１絶縁層
１２ 第２絶縁層
１３ 第３絶縁層
１４ 第４絶縁層
２０ 対向基板
３１ 発光部
４１ 信号処理回路
４２ 画素制御回路
４３ ゲート駆動回路
４４ ソース駆動回路
４５ 共通電位駆動回路
５０ 液晶層
ＡＰ 開口部
ＣＥ 共通電極
ＣＨ コンタクトホール
ＣＯＭＬ コモン電位配線
ＣＰ 導電部材
ＤＥ ドレイン電極
ＤＥＡ コンタクト電極
ＦＲ 周辺領域
ＧＥ ゲート電極
ＧＬ 走査線
ＧＯＮ 発光期間
ＧＳ 遮光層
ＨＣ 保持容量
ＨＤＳ 水平駆動信号
ＩＯ 保持容量電極
ＩＯＸ 透光性導電材料がない領域
ＬＣ 高分子分散型液晶
ＬＳ 遮光層
ＰＥ 画素電極
ＳＣ 半導体層
ＳＥ ソース電極
ＳＧＳ 遮光構造体
ＴＭ、ＴＭｔ 金属層
Ｔｒ、Ｔｒ１、Ｔｒ２ スイッチング素子

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】