特開 2023-155035 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023155035

(43)【公開日】2023-10-20

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1368 20060101AFI20231013BHJP

   G02F 1/1334 20060101ALI20231013BHJP

   G02F 1/13357 20060101ALI20231013BHJP

【ＦＩ】

G02F1/1368

G02F1/1334

G02F1/13357

【審査請求】未請求

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022064759

(22)【出願日】2022-04-08

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】大植 善英

(72)【発明者】

【氏名】大森 優二

(72)【発明者】

【氏名】北村 孝次

(72)【発明者】

【氏名】奥山 健太郎

【テーマコード（参考）】

2H189

2H192

2H391

【Ｆターム（参考）】

2H189AA04

2H189AA72

2H189CA35

2H189HA16

2H189JA04

2H189LA10

2H189LA15

2H192AA24

2H192BC31

2H192CB05

2H192CB35

2H192CB81

2H192CC02

2H192CC42

2H192CC54

2H192DA02

2H192DA42

2H192EA02

2H192EA13

2H192JA53

2H391AA25

2H391AB14

2H391CB08

(57)【要約】

【課題】表示品位を向上させる、表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、アレイ基板と、対向基板と、アレイ基板と対向基板との間の液晶層と、アレイ基板の側面又は対向基板の側面に光が入るように配置される光源と、を備え、アレイ基板は、第１方向に間隔をおいて並ぶ複数の信号線と、第２方向に間隔をおいて並ぶ複数の走査線と、走査線と信号線とに接続されたスイッチング素子と、少なくともスイッチング素子を覆う有機絶縁層と、有機絶縁層の上方に重畳して設けられた金属層と、を有している。信号線の位置ずれ部分と、金属層の位置ずれ部分とが非重畳である。または、走査線の位置ずれ部分と、金属層の位置ずれ部分とが非重畳である。あるいは、遮光層の位置ずれ部分と、信号線の位置ずれ部分とが、非重畳である。
【選択図】図２２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

アレイ基板と、
対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間の液晶層と、
前記アレイ基板の側面又は前記対向基板の側面に光が入るように配置される光源と、を備え、
前記アレイ基板は、
第１方向に間隔をおいて並ぶ複数の信号線と、
第２方向に間隔をおいて並ぶ複数の走査線と、
前記走査線と前記信号線とに接続されたスイッチング素子と、
少なくとも前記スイッチング素子を覆う有機絶縁層と、
前記有機絶縁層の上方に重畳して設けられた金属層と、を有し、
前記信号線の位置ずれ部分と、前記金属層の位置ずれ部分と、が非重畳である、表示装置。

【請求項2】

前記走査線と同層であって、前記信号線に沿って延在し、かつ前記信号線の一部と重なる位置に設けられている遮光層をさらに備え、前記遮光層の位置ずれ部分と、前記信号線の位置ずれ部分とが、非重畳である、請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記金属層は、平面視で、複数の前記信号線及び複数の前記走査線と重なっており、かつ前記有機絶縁層の上で格子状に配置されている請求項１に記載の表示装置。

【請求項4】

平面視で、前記信号線に重なる金属層の幅は、当該信号線の幅よりも大きく、前記走査線に重なる金属層の幅は、当該走査線の幅よりも大きい、請求項１に記載の表示装置。

【請求項5】

アレイ基板と、
対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間の液晶層と、
前記アレイ基板の側面又は前記対向基板の側面に光が入るように配置される光源と、を備え、
前記アレイ基板は、
第１方向に間隔をおいて並ぶ複数の信号線と、
第２方向に間隔をおいて並ぶ複数の走査線と、
前記走査線と前記信号線とに接続されたスイッチング素子と、
少なくとも前記スイッチング素子を覆う有機絶縁層と、
前記有機絶縁層の上方に重畳して設けられた金属層と、を有し、
前記走査線の位置ずれ部分と、前記金属層の位置ずれ部分と、が非重畳である、表示装置。

【請求項6】

前記信号線の位置ずれ部分と、前記金属層の位置ずれ部分とが非重畳である、請求項５に記載の表示装置。

【請求項7】

前記走査線と同層であって、前記信号線に沿って延在し、かつ前記信号線の一部と重なる位置に設けられている遮光層をさらに備え、前記遮光層の位置ずれ部分と、前記信号線の位置ずれ部分とが、非重畳である、請求項６に記載の表示装置。

【請求項8】

前記金属層は、平面視で、複数の前記信号線及び複数の前記走査線と重なっており、かつ前記有機絶縁層の上で格子状に配置されている請求項５に記載の表示装置。

【請求項9】

平面視で、前記信号線に重なる金属層の幅は、当該信号線の幅よりも大きく、前記走査線に重なる金属層の幅は、当該走査線の幅よりも大きい、請求項５に記載の表示装置。

【請求項10】

アレイ基板と、
対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間の液晶層と、
前記アレイ基板の側面又は前記対向基板の側面に光が入るように配置される光源と、を備え、
前記アレイ基板は、
第１方向に間隔をおいて並ぶ複数の信号線と、
第２方向に間隔をおいて並ぶ複数の走査線と、
前記走査線と同層であって、前記信号線に沿って延在し、かつ前記信号線の一部と重なる位置に設けられている遮光層と、
前記走査線と前記信号線とに接続されたスイッチング素子と、
少なくとも前記スイッチング素子を覆う有機絶縁層と、
前記有機絶縁層の上方に重畳して設けられた金属層と、を有し、
前記遮光層の位置ずれ部分と、前記信号線の位置ずれ部分とが、非重畳である、表示装置。

【請求項11】

前記金属層は、平面視で、複数の前記信号線及び複数の前記走査線と重なっており、かつ前記有機絶縁層の上で格子状に配置されている、請求項１０に記載の表示装置。

【請求項12】

平面視で、前記信号線に重なる金属層の幅は、当該信号線の幅よりも大きく、前記走査線に重なる金属層の幅は、当該走査線の幅よりも大きい、請求項１０に記載の表示装置。

【請求項13】

前記アレイ基板は、画素毎に配置された複数の第１透光性電極を有し、
前記対向基板は、前記第１透光性電極と重畳する位置に第２透光性電極を有し、
前記アレイ基板は、前記画素において、平面視で前記第１透光性電極に、無機絶縁層を介して少なくとも一部が重なる第３透光性電極をさらに備え、前記金属層が前記第３透光性電極に積層されている、請求項１から１２のいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項14】

前記液晶層は、高分子分散型液晶であり、
前記アレイ基板から前記対向基板の背景が視認され、前記対向基板から前記アレイ基板の背景が視認される、請求項１から１２のいずれか１項に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、第１透光性基板と、第１透光性基板と対向して配置される第２透光性基板と、第１透光性基板と第２透光性基板との間に封入される高分子分散型液晶を有する液晶層と、第１透光性基板及び第２透光性基板の少なくとも１つの側面に対向して配置される少なくとも１つの発光部とを備える表示装置が記載されている。

【0003】

特許文献２には、１つの露光領域を第１の露光領域と第２の露光領域に分割し、それぞれの露光領域を個別に露光する場合、境界部分で、形成されるレジストパターンに合わせずれ（金属層の位置ずれ）が生じたり、レジストパターンの寸法に大きな変動が生じたりする画質むらの発生を抑制することが可能なＴＦＴ基板（液晶表示装置）の製造方法が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０２０－１６０２５４号公報

【特許文献2】特開２００９－１４５６８１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

特許文献２に記載されている表示装置の製造方法では、第１の露光領域の一部とする複数の第１の小領域と、第２の露光領域の一部とする複数の第２の小領域とが、市松状やモザイク状に配列されるように、境界部分が複数の小領域に分割されて露光される。

【0006】

特許文献１の表示装置の製造において、特許文献２の表示装置の製造方法を適用すると、外光の入射方向によっては、境界部分に形成された金属層での光の反射によるノイズの認識度合いが部分的に強まり、表示品位が低下する可能性がある。

【0007】

本発明の目的は、表示品位を向上させる、表示装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0008】

第１の態様に係る表示装置は、アレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間の液晶層と、前記アレイ基板の側面又は前記対向基板の側面に光が入るように配置される光源と、を備え、前記アレイ基板は、第１方向に間隔をおいて並ぶ複数の信号線と、第２方向に間隔をおいて並ぶ複数の走査線と、前記走査線と前記信号線とに接続されたスイッチング素子と、少なくとも前記スイッチング素子を覆う有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上方に重畳して設けられた金属層と、を有し、前記信号線の位置ずれ部分と、前記金属層の位置ずれ部分と、が非重畳である。

【0009】

第２の態様に係る表示装置は、アレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間の液晶層と、前記アレイ基板の側面又は前記対向基板の側面に光が入るように配置される光源と、を備え、前記アレイ基板は、第１方向に間隔をおいて並ぶ複数の信号線と、第２方向に間隔をおいて並ぶ複数の走査線と、前記走査線と前記信号線とに接続されたスイッチング素子と、少なくとも前記スイッチング素子を覆う有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上方に重畳して設けられた金属層と、を有し、前記走査線の位置ずれ部分と、前記金属層の位置ずれ部分と、が非重畳である。

【0010】

第３の態様に係る表示装置は、アレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間の液晶層と、前記アレイ基板の側面又は前記対向基板の側面に光が入るように配置される光源と、を備え、前記アレイ基板は、第１方向に間隔をおいて並ぶ複数の信号線と、第２方向に間隔をおいて並ぶ複数の走査線と、前記走査線と同層であって、前記信号線に沿って延在し、かつ前記信号線の一部と重なる位置に設けられている遮光層と、前記走査線と前記信号線とに接続されたスイッチング素子と、少なくとも前記スイッチング素子を覆う有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上方に重畳して設けられた金属層と、を有し、前記遮光層の位置ずれ部分と、前記信号線の位置ずれ部分とが、非重畳である。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す斜視図である。

【図2】図２は、本実施形態の表示装置を表すブロック図である。

【図3】図３は、本実施形態のフィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。

【図4】図４は、画素電極への印加電圧と画素の散乱状態との関係を示す説明図である。

【図5】図５は、図１の表示装置の断面の一例を示す断面図である。

【図6】図６は、図１の表示装置の平面を示す平面図である。

【図7】図７は、図５の液晶層部分を拡大した拡大断面図である。

【図8】図８は、液晶層において非散乱状態を説明するための断面図である。

【図9】図９は、液晶層において散乱状態を説明するための断面図である。

【図10】図１０は、画素において、走査線、信号線及びスイッチング素子を示す平面図である。

【図11】図１１は、画素において、保持容量層を示す平面図である。

【図12】図１２は、画素において、補助金属層及び開口領域を示す平面図である。

【図13】図１３は、画素において、画素電極を示す平面図である。

【図14】図１４は、画素において、遮光層を示す平面図である。

【図15】図１５は、図１４のＸＶ－ＸＶ’の断面図である。

【図16】図１６は、図１４のＸＶＩ－ＸＶＩ’の断面図である。

【図17】図１７は、図１４のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ’の断面図である。

【図18】図１８は、周辺領域の断面図である。

【図19】図１９は、本実施形態の表示装置の露光領域を説明するための説明図である。

【図20】図２０は、本実施形態の第１の金属層を示す平面図である。

【図21】図２１は、本実施形態の第２の金属層を示す平面図である。

【図22】図２２は、本実施形態の第３の金属層を示す平面図である。

【図23】図２３は、比較例の第１の金属層、第２の金属層及び第３の金属層を模式的に示した模式図である。

【図24】図２４は、変形例の表示装置の平面を示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

本開示を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、開示の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

【0013】

図１は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す斜視図である。図２は、本実施形態の表示装置を表すブロック図である。図３は、本実施形態のフィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。

【0014】

図１に示すように、表示装置１は、表示パネル２と、光源３と、駆動回路４とを有する。ここで、表示パネル２の平面の一方向が第１方向ＰＸとされ、第１方向ＰＸと直交する方向が第２方向ＰＹとされ、ＰＸ－ＰＹ平面に直交する方向が第３方向ＰＺとされている。

【0015】

表示パネル２は、アレイ基板１０と、対向基板２０と、液晶層５０（図５参照）とを備えている。対向基板２０は、アレイ基板１０の表面に垂直な方向（図１に示すＰＺ方向）に対向する。液晶層５０（図５参照）は、アレイ基板１０と、対向基板２０と、封止部１８とで、後述する高分子分散型液晶ＬＣが封止されている。

【0016】

図１に示すように、表示パネル２において、画像を表示可能な表示領域ＡＡと、表示領域ＡＡの外側の周辺領域ＦＲと、がある。表示領域ＡＡには、複数の画素Ｐｉｘがマトリクス状に配置されている。なお、本開示において、行とは、一方向に配列されるｍ個の画素Ｐｉｘを有する画素行をいう。また、列とは、行が配列される方向と直交する方向に配列されるｎ個の画素Ｐｉｘを有する画素列をいう。そして、ｍとｎとの値は、垂直方向の表示解像度と水平方向の表示解像度に応じて定まる。また、複数の走査線ＧＬが行毎に配線され、複数の信号線ＳＬが列毎に配線されている。

【0017】

光源３は、複数の発光部３１を備えている。図２に示すように、光源制御部３２は、駆動回路４に含まれる。なお、光源制御部３２は、駆動回路４の回路とは別の回路にしてもよい。発光部３１と、光源制御部３２とは、アレイ基板１０内の配線で電気的に接続されている。

【0018】

図１に示すように、駆動回路４は、アレイ基板１０の表面に固定されている。図２に示すように、駆動回路４は、信号処理回路４１、画素制御回路４２、ゲート駆動回路４３、ソース駆動回路４４及び共通電位駆動回路４５を備えている。アレイ基板１０は、対向基板２０よりもＸＹ平面の面積が大きく、対向基板２０から露出したアレイ基板１０の張り出し部分に、駆動回路４が設けられる。

【0019】

信号処理回路４１には、外部の上位制御部９の画像出力部９１から、フレキシブル基板９２を介して、入力信号（ＲＧＢ信号など）ＶＳが入力される。

【0020】

信号処理回路４１は、入力信号解析部４１１と、記憶部４１２と、信号調整部４１３とを備える。入力信号解析部４１１は、外部から入力された第１入力信号ＶＳに基づいて第２入力信号ＶＣＳを生成する。

【0021】

第２入力信号ＶＣＳは、第１入力信号ＶＳに基づいて、表示パネル２の各画素Ｐｉｘにどのような階調値を与えるかを定める信号である。言い換えると、第２入力信号ＶＣＳは、各画素Ｐｉｘの階調値に関する階調情報を含む信号である。

【0022】

信号調整部４１３は、第２入力信号ＶＣＳから第３入力信号ＶＣＳＡを生成する。信号調整部４１３は、第３入力信号ＶＣＳＡを画素制御回路４２へ送出し、光源制御信号ＬＣＳＡを光源制御部３２へ送出する。光源制御信号ＬＣＳＡは、例えば、画素Ｐｉｘへの入力階調値に応じて設定される発光部３１の光量の情報を含む信号である。例えば、暗い画像が表示される場合、発光部３１の光量は小さく設定される。明るい画像が表示される場合、発光部３１の光量は大きく設定される。

【0023】

そして、画素制御回路４２は、第３入力信号ＶＣＳＡに基づいて水平駆動信号ＨＤＳと垂直駆動信号ＶＤＳとを生成する。本実施形態では、フィールドシーケンシャル方式で駆動されるので、水平駆動信号ＨＤＳと垂直駆動信号ＶＤＳとが発光部３１が発光可能な色毎に生成される。

【0024】

ゲート駆動回路４３は水平駆動信号ＨＤＳに基づいて１垂直走査期間内に表示パネル２の走査線ＧＬを順次選択する。走査線ＧＬの選択の順番は任意である。

【0025】

ソース駆動回路４４は垂直駆動信号ＶＤＳに基づいて１水平走査期間内に表示パネル２の各信号線ＳＬに各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号を供給する。

【0026】

本実施形態において、表示パネル２はアクティブマトリクス型パネルである。このため、平面視で第２方向ＰＹに延在する信号（ソース）線ＳＬ及び第１方向ＰＸに延在する走査（ゲート）線ＧＬを有し、信号線ＳＬと走査線ＧＬとの交差部にスイッチング素子Ｔｒを有する。

【0027】

スイッチング素子Ｔｒとして薄膜トランジスタが用いられる。薄膜トランジスタの例としては、ボトムゲート型トランジスタ又はトップゲート型トランジスタを用いてもよい。スイッチング素子Ｔｒとして、シングルゲート薄膜トランジスタを例示するが、ダブルゲートトランジスタでもよい。スイッチング素子Ｔｒのソース電極及びドレイン電極のうち一方は信号線ＳＬに接続され、ゲート電極は走査線ＧＬに接続され、ソース電極及びドレイン電極のうち他方は、後述する高分子分散型液晶ＬＣの容量の一端に接続されている。高分子分散型液晶ＬＣの容量は、一端がスイッチング素子Ｔｒに画素電極ＰＥを介して接続され、他端が共通電極ＣＥを介してコモン電位配線ＣＯＭＬに接続されている。また、画素電極ＰＥと、コモン電位配線ＣＯＭＬに電気的に接続されている保持容量電極ＩＯとの間には、保持容量ＨＣが生じる。なお、コモン電位配線ＣＯＭＬは、共通電位駆動回路４５より供給される。

【0028】

発光部３１は、第１色（例えば、赤色）の発光体３３Ｒと、第２色（例えば、緑色）の発光体３３Ｇと、第３色（例えば、青色）の発光体３３Ｂを備えている。光源制御部３２は、光源制御信号ＬＣＳＡに基づいて、第１色の発光体３３Ｒ、第２色の発光体３３Ｇ及び第３色の発光体３３Ｂのそれぞれを時分割で発光するように制御する。このように、第１色の発光体３３Ｒ、第２色の発光体３３Ｇ及び第３色の発光体３３Ｂは、フィールドシーケンシャル方式で駆動される。

【0029】

図３に示すように、第１サブフレーム（第１所定時間）ＲＦにおいて、第１色の発光期間ＲＯＮで第１色の発光体３３Ｒが発光するとともに、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘが光を散乱させて表示する。表示パネル２全体では、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線ＳＬに各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第１色の発光期間ＲＯＮにおいて第１色のみ点灯している。

【0030】

次に、第２サブフレーム（第２所定時間）ＧＦにおいて、第２色の発光期間ＧＯＮで第２色の発光体３３Ｇが発光するとともに、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘが光を散乱させて表示する。表示パネル２全体では、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線ＳＬに各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第２色の発光期間ＧＯＮにおいて第２色のみ点灯している。

【0031】

さらに、第３サブフレーム（第３所定時間）ＢＦにおいて、第３色の発光期間ＢＯＮで第３色の発光体３３Ｂが発光するとともに、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘが光を散乱させて表示する。表示パネル２全体では、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線ＳＬに各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第３色の発光期間ＢＯＮにおいて第３色のみ点灯している。

【0032】

人間の眼には、時間的な分解能の制限があり、残像が発生するので、１フレーム（１Ｆ）の期間に３色の合成された画像が認識される。フィールドシーケンシャル方式では、カラーフィルタを不要とすることができ、カラーフィルタでの吸収ロスが低減するので、高い透過率が実現できる。カラーフィルタ方式では、第１色、第２色、第３色毎に画素Ｐｉｘを分割したサブピクセルで一画素を作るのに対し、フィールドシーケンシャル方式では、このようなサブピクセル分割をしなくてもよい。なお、第４サブフレームをさらに有し、第１色、第２色及び第３色とは異なる第４色を発光するようにしてもよい。

【0033】

図４は、画素電極への印加電圧と画素の散乱状態との関係を示す説明図である。図５は、図１の表示装置の断面の一例を示す断面図である。図６は、図１の表示装置の平面を示す平面図である。図５は、図６のＶ－Ｖ’断面である。図７は、図５の液晶層部分を拡大した拡大断面図である。図８は、液晶層において非散乱状態を説明するための断面図である。図９は、液晶層において散乱状態を説明するための断面図である。

【0034】

１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線ＳＬに各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、階調信号に応じて画素電極ＰＥへの印加電圧が変わる。画素電極ＰＥへの印加電圧が変わると、画素電極ＰＥと、共通電極ＣＥとの間の電圧が変化する。そして、図４に示すように、画素電極ＰＥへの印加電圧に応じて、画素Ｐｉｘ毎の液晶層５０の散乱状態が制御され、画素Ｐｉｘ内の散乱割合が変化する。

【0035】

図４に示すように、画素電極ＰＥへの印加電圧が飽和電圧Ｖｓａｔ以上となると、画素Ｐｉｘ内の散乱割合の変化が小さくなる。そこで、駆動回路４は、飽和電圧Ｖｓａｔよりも低い電圧範囲Ｖｄｒにおいて、垂直駆動信号ＶＤＳに応じた画素電極ＰＥへの印加電圧を変化させる。

【0036】

図５及び図６に示すように、アレイ基板１０は、第１主面１０Ａ、第２主面１０Ｂ、第１側面１０Ｃ、第２側面１０Ｄ、第３側面１０Ｅ及び第４側面１０Ｆを備える。第１主面１０Ａと第２主面１０Ｂとは、平行な平面である。また、第１側面１０Ｃと第２側面１０Ｄとは、平行な平面である。第３側面１０Ｅと第４側面１０Ｆとは、平行な平面である。

【0037】

図５及び図６に示すように、対向基板２０は、第１主面２０Ａ、第２主面２０Ｂ、第１側面２０Ｃ、第２側面２０Ｄ、第３側面２０Ｅ及び第４側面２０Ｆを備える。第１主面２０Ａと第２主面２０Ｂとは、平行な平面である。第１側面２０Ｃと第２側面２０Ｄとは、平行な平面である。第３側面２０Ｅと第４側面２０Ｆとは、平行な平面である。

【0038】

図５及び図６に示すように、光源３は、対向基板２０の第２側面２０Ｄに対向する。光源３は、サイド光源と呼ばれることもある。図５に示すように、光源３は、対向基板２０の第２側面２０Ｄへ光源光Ｌを照射する。光源３と対向する対向基板２０の第２側面２０Ｄは、光入射面となる。

【0039】

図５に示すように、光源３から照射された光源光Ｌは、アレイ基板１０の第１主面１０Ａ及び対向基板２０の第１主面２０Ａで反射しながら、第２側面２０Ｄから遠ざかる方向（第２方向ＰＹ）に伝播する。アレイ基板１０の第１主面１０Ａ又は対向基板２０の第１主面２０Ａから外部へ光源光Ｌが向かうと、屈折率の大きな媒質から屈折率の小さな媒質へ進むことになるので、光源光Ｌがアレイ基板１０の第１主面１０Ａ又は対向基板２０の第１主面２０Ａへ入射する入射角が臨界角よりも大きければ、光源光Ｌがアレイ基板１０の第１主面１０Ａ又は対向基板２０の第１主面２０Ａで全反射する。

【0040】

図５に示すように、アレイ基板１０及び対向基板２０の内部を伝播した光源光Ｌは、散乱状態となっている液晶がある画素Ｐｉｘで散乱され、散乱光の入射角が臨界角よりも小さな角度となって、放射光６８、６８Ａがそれぞれ対向基板２０の第１主面２０Ａ、アレイ基板１０の第１主面１０Ａから外部に放射される。対向基板２０の第１主面２０Ａ、アレイ基板１０の第１主面１０Ａからそれぞれ外部に放射された放射光６８、６８Ａは、観察者に観察される。以下、図７から図９を用いて、散乱状態となっている高分子分散型液晶と、非散乱状態の高分子分散型液晶とについて説明する。

【0041】

図７に示すように、アレイ基板１０には、第１配向膜ＡＬ１が設けられている。対向基板２０には、第２配向膜ＡＬ２が設けられている。第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２は、例えば、垂直配向膜である。

【0042】

液晶とモノマーを含む溶液がアレイ基板１０と対向基板２０との間に封入されている。次に、モノマー及び液晶を第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２によって配向させた状態で、紫外線又は熱によってモノマーを重合させ、バルク５１を形成する。これにより、網目状に形成された高分子のネットワークの隙間に液晶が分散されたリバースモードの高分子分散型液晶ＬＣを有する液晶層５０が形成される。

【0043】

このように、高分子分散型液晶ＬＣは、高分子によって形成されたバルク５１と、バルク５１内に分散された複数の微粒子５２と、を有する。微粒子５２は、液晶によって形成されている。バルク５１及び微粒子５２は、それぞれ光学異方性を有している。

【0044】

微粒子５２に含まれる液晶の配向は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間の電圧差によって制御される。画素電極ＰＥへの印加電圧により、液晶の配向が変化する。液晶の配向が変化することにより、画素Ｐｉｘを通過する光の散乱の度合いが変化する。

【0045】

例えば、図８に示すように、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電圧が印加されていない状態では、バルク５１の光軸Ａｘ１と微粒子５２の光軸Ａｘ２の向きは互いに等しい。微粒子５２の光軸Ａｘ２は、液晶層５０のＰＺ方向と平行である。バルク５１の光軸Ａｘ１は、電圧の有無に関わらず、液晶層５０のＰＺ方向と平行である。

【0046】

バルク５１と微粒子５２の常光屈折率は互いに等しい。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電圧が印加されていない状態では、あらゆる方向においてバルク５１と微粒子５２との間の屈折率差がゼロになる。液晶層５０は、光源光Ｌを散乱しない非散乱状態となる。光源光Ｌは、アレイ基板１０の第１主面１０Ａ及び対向基板２０の第１主面２０Ａで反射しながら、光源３（発光部３１）から遠ざかる方向に伝播する。液晶層５０が光源光Ｌを散乱しない非散乱状態であると、アレイ基板１０の第１主面１０Ａから対向基板２０の第１主面２０Ａ側の背景が視認され、対向基板２０の第１主面２０Ａからアレイ基板１０の第１主面１０Ａ側の背景が視認される。

【0047】

図９に示すように、電圧が印加された画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間では、微粒子５２の光軸Ａｘ２は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に発生する電界によって傾くことになる。バルク５１の光軸Ａｘ１は、電界によって変化しないため、バルク５１の光軸Ａｘ１と微粒子５２の光軸Ａｘ２の向きは互いに異なる。電圧が印加された画素電極ＰＥがある画素Ｐｉｘにおいて、光源光Ｌが散乱される。上述したように散乱された光源光Ｌの一部がアレイ基板１０の第１主面１０Ａ又は対向基板２０の第１主面２０Ａから外部に放射された光は、観察者に観察される。

【0048】

電圧が印加されていない画素電極ＰＥがある画素Ｐｉｘでは、アレイ基板１０の第１主面１０Ａから対向基板２０の第１主面２０Ａ側の背景が視認され、対向基板２０の第１主面２０Ａからアレイ基板１０の第１主面１０Ａ側の背景が視認される。そして、本実施形態の表示装置１は、画像出力部９１から第１入力信号ＶＳが入力されると、画像が表示される画素Ｐｉｘの画素電極ＰＥに電圧が印加され、第３入力信号ＶＣＳＡに基づく画像が背景とともに視認される。このように、高分子分散型液晶が散乱状態にあるとき、表示領域において画像が表示される。

【0049】

電圧が印加された画素電極ＰＥがある画素Ｐｉｘにおいて光源光Ｌが散乱されて外部に放射された光によって表示された画像は、背景に重なり、表示されることになる。換言すると、本実施形態の表示装置１は、放射光６８又は放射光６８Ａと、背景との組み合わせにより、画像を背景に重ね合わせて表示する。

【0050】

図３に示す１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎにおいて、書き込まれた各画素電極ＰＥ（図７参照）の電位が、各１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎの後にある第１色の発光期間ＲＯＮ、第２色の発光期間ＧＯＮ及び第３色の発光期間ＢＯＮの少なくとも１つに保持されている必要がある。書き込まれた各画素電極ＰＥ（図７参照）の電位が、各１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎの後にある第１色の発光期間ＲＯＮ、第２色の発光期間ＧＯＮ及び第３色の発光期間ＢＯＮの少なくとも１つで保持できないと、いわゆるフリッカーなどが生じやすい。言い換えると、走査線の選択時間である１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎを短くし、いわゆるフィールドシーケンシャル方式で駆動における視認性を高めるためには、第１色の発光期間ＲＯＮ、第２色の発光期間ＧＯＮ及び第３色の発光期間ＢＯＮのそれぞれで、書き込まれた各画素電極ＰＥ（図７参照）の電位を保持しやすくする要望がある。

【0051】

図１０は、画素において、走査線、信号線及びスイッチング素子を示す平面図である。図１１は、画素において、保持容量層を示す平面図である。図１２は、画素において、補助金属層及び開口領域を示す平面図である。図１３は、画素において、画素電極を示す平面図である。図１４は、画素において、遮光層を示す平面図である。図１５は、図１４のＸＶ－ＸＶ’の断面図である。図１６は、図１４のＸＶI－ＸＶI’の断面図である。図１７は、図１４のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ’の断面図である。図１８は、周辺領域の断面図である。図１、図２及び図１０に示すように、アレイ基板１０には、複数の信号線ＳＬと複数の走査線ＧＬとが平面視において格子状に設けられている。言い換えると、アレイ基板１０の一方の面には、第１方向ＰＸに間隔をおいて並ぶ複数の信号線と、第２方向ＰＹに間隔をおいて並ぶ複数の走査線と、を備える。

【0052】

図１０に示すように、隣り合う走査線ＧＬと隣り合う信号線ＳＬとで囲まれる領域が、画素Ｐｉｘである。画素Ｐｉｘには、画素電極ＰＥとスイッチング素子Ｔｒとが設けられている。本実施形態において、スイッチング素子Ｔｒは、ボトムゲート型の薄膜トランジスタである。スイッチング素子Ｔｒは、走査線ＧＬと電気的に接続されているゲート電極ＧＥと平面視において重畳する半導体層ＳＣを有する。

【0053】

図１０に示すように、走査線ＧＬは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、これらの積層体又はこれらの合金の配線である。信号線ＳＬは、アルミニウム等の金属又は合金の配線である。

【0054】

図１０に示すように、半導体層ＳＣは、平面視において、ゲート電極ＧＥからはみ出さないように設けられている。これにより、ゲート電極ＧＥ側から半導体層ＳＣに向かう光源光Ｌが反射され、半導体層ＳＣに光リークが生じにくくなる。

【0055】

図５及び図２０に示すように、光源３から照射された光源光Ｌは、第２方向ＰＹを入射方向として、入射してくる。光源光Ｌの入射方向が第２方向ＰＹである場合、半導体層ＳＣの第１方向の幅が、半導体層ＳＣの第２方向の幅よりも小さい。これにより、光源光Ｌの入射方向に交差する方向の幅が小さくなり、光リークの影響が低減する。

【0056】

図１０に示すように、ソース電極ＳＥは、信号線ＳＬと同じ２つの導電体が、信号線ＳＬと同層でかつ信号線と交差する方向に信号線ＳＬから伸びている。これにより、信号線ＳＬと電気的に接続するソース電極ＳＥは、平面視において、半導体層ＳＣの一端部と重畳している。

【0057】

図１０に示すように、平面視において、隣り合うソース電極ＳＥの導電体の間の位置には、ドレイン電極ＤＥが設けられている。ドレイン電極ＤＥは、平面視において、半導体層ＳＣと重畳している。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥと重畳しない部分は、スイッチング素子Ｔｒのチャネルとして機能する。図１３に示すように、ドレイン電極ＤＥと電気的に接続されるコンタクト電極ＤＥＡは、コンタクトホールＣＨで画素電極ＰＥと電気的に接続されている。

【0058】

図１５に示すように、アレイ基板１０は、例えばガラスで形成された第１透光性基材１９を有している。第１透光性基材１９は、透光性を有していれば、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂でもよい。

【0059】

図１５に示すように、第１透光性基材１９上には、走査線ＧＬ（図１０参照）及びゲート電極ＧＥが設けられる。なお、アレイ基板１０は、第１透光性基材１９の走査線ＧＬ及びゲート電極ＧＥが設けられる面とは反対側の面において、例えばガラスで形成された保護部材（図示せず）を有していてもよい。保護部材は、透光性を有していれば、樹脂でもよい。

【0060】

図１５に示すように、また、走査線ＧＬ及びゲート電極ＧＥを覆って第１絶縁層１１が設けられている。第１絶縁層１１は、例えば、窒化シリコンなどの透明な無機絶縁材料によって形成されている。

【0061】

第１絶縁層１１上には、半導体層ＳＣが積層されている。半導体層ＳＣは、例えば、アモルファスシリコンによって形成されているが、ポリシリコン又は酸化物半導体によって形成されていてもよい。同じ断面でみたときに、半導体層ＳＣの幅Ｌｓｃは、半導体層ＳＣに重畳するゲート電極ＧＥの幅Ｌｇｅよりも小さい。これにより、ゲート電極ＧＥが第１透光性基材１９の中を伝搬してくる光Ｌｄを遮光できる。その結果、本実施形態のスイッチング素子Ｔｒは、光リークが低減する。

【0062】

第１絶縁層１１上には、半導体層ＳＣの一部を覆うソース電極ＳＥ及び信号線ＳＬと、半導体層ＳＣの一部を覆うドレイン電極ＤＥとが設けられている。ドレイン電極ＤＥは、信号線ＳＬと同じ材料で形成されている。半導体層ＳＣ、信号線ＳＬ及びドレイン電極ＤＥ上には、第２絶縁層１２が設けられている。第２絶縁層１２は、例えば、第１絶縁層と同様に、窒化シリコンなどの透明な無機絶縁材料によって形成される。

【0063】

第２絶縁層１２上には、第２絶縁層１２の一部を覆う第３絶縁層が形成されている。第３絶縁層１３は、例えばアクリル樹脂などの透光性を有する有機絶縁材料により形成されている。第３絶縁層１３は、無機系材料によって形成された他の絶縁膜と比べて厚い膜厚を有している。

【0064】

図１５、図１６及び図１７に示すように、第３絶縁層１３がある領域と、第３絶縁層１３がない領域とがある。図１６及び図１７に示すように、第３絶縁層１３がある領域は、走査線ＧＬの上方及び信号線ＳＬの上方である。第３絶縁層１３は、走査線ＧＬ及び信号線ＳＬに沿って走査線ＧＬ及び信号線ＳＬの上方を覆う格子状になる。また、図１５に示すように、第３絶縁層１３がある領域は、半導体層ＳＣの上方、つまりスイッチング素子Ｔｒの上方である。このため、スイッチング素子Ｔｒ、走査線ＧＬ、信号線ＳＬは保持容量電極ＩＴＯから比較的距離をおいて離れることで、保持容量電極ＩＴＯからのコモン電位の影響を受けにくくなる。さらに、アレイ基板１０において、走査線ＧＬと信号線ＳＬとに囲まれた領域には第３絶縁層１３がない領域ができるので、平面視で信号線ＳＬ及び走査線ＧＬに重なる絶縁層の厚さよりも絶縁層の厚さが小さい領域ができる。走査線ＧＬと信号線ＳＬとに囲まれた領域では、走査線ＧＬの上方及び信号線ＳＬの上方よりも相対的に、光の透過率が向上し、透光性が向上する。

【0065】

図１５に示すように、第３絶縁層１３上には、保持容量電極ＩＯが設けられている。保持容量電極ＩＯは、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透光性導電材料によって形成されている。保持容量電極ＩＯは、第３透光性電極ともいう。図１１に示すように、保持容量電極ＩＯは、走査線ＧＬと信号線ＳＬとに囲まれた領域に透光性導電材料がない領域ＩＯＸを有する。保持容量電極ＩＯは、隣り合う画素Ｐｉｘに跨がって、複数の画素Ｐｉｘに渡って設けられている。保持容量電極ＩＯは、透光性導電材料がある領域が走査線ＧＬ又は信号線ＳＬに重なり、隣の画素Ｐｉｘに延びている。

【0066】

保持容量電極ＩＯは、走査線ＧＬ及び信号線ＳＬに沿って走査線ＧＬ及び信号線ＳＬの上方を覆う格子状である。これにより、透光性導電材料がない領域ＩＯＸと、画素電極ＰＥとの間の保持容量ＨＣが減少するので、透光性導電材料がない領域ＩＯＸの大きさにより保持容量ＨＣが調整される。

【0067】

図１５に示すように、保持容量電極ＩＯ上の一部には、導電性の金属層ＴＭが設けられている。導電性の金属層ＴＭは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、これらの積層体又はこれらの合金の配線である。図１２に示すように、金属層ＴＭは、平面視において、信号線ＳＬ、走査線ＧＬ及びスイッチング素子Ｔｒに重なる領域に設けられている。これにより、金属層ＴＭは、格子状となり、金属層ＴＭで囲まれた開口部ＡＰができる。

【0068】

図１２に示すように、走査線ＧＬと信号線ＳＬとに接続されたスイッチング素子Ｔｒが設けられ、少なくともスイッチング素子Ｔｒは、有機絶縁層である第３絶縁層１３で覆われており、第３絶縁層１３の上方にはスイッチング素子Ｔｒよりも大きな面積の金属層ＴＭがある。これにより、スイッチング素子Ｔｒの光リークを抑制することができる。

【0069】

金属層ＴＭは、保持容量電極ＩＯの下にあってもよく、保持容量電極ＩＯと積層されていればよい。金属層ＴＭは、保持容量電極ＩＯよりも電気抵抗が小さい。このため、表示領域ＡＡのうち画素Ｐｉｘがある位置による保持容量電極ＩＯの電位のばらつきが抑制される。

【0070】

図１２に示すように、平面視で、信号線ＳＬに重なる金属層ＴＭの幅は、信号線ＳＬの幅よりも大きい。これにより、信号線ＳＬのエッジで反射する反射光を表示パネル２より放出することを抑制する。ここで、金属層ＴＭの幅及び信号線ＳＬの幅は、信号線ＳＬの延在する方向に交差する方向の長さである。また、走査線ＧＬに重なる金属層ＴＭの幅は、走査線ＧＬの幅よりも大きい。ここで、金属層ＴＭの幅及び走査線ＧＬの幅は、走査線ＧＬの延在する方向に交差する方向の長さである。

【0071】

図１５に示すように、保持容量電極ＩＯ及び金属層ＴＭの上には、第４絶縁層１４が設けられている。第４絶縁層１４は、例えば、窒化シリコンなどの透明な無機絶縁材料によって形成されている無機絶縁層である。

【0072】

図１５に示すように、第４絶縁層１４上には、画素電極ＰＥが設けられている。画素電極ＰＥは、ＩＴＯなどの透光性導電材料によって形成されている。画素電極ＰＥは、第４絶縁層１４及び第３絶縁層１３及び第２絶縁層１２に設けられたコンタクトホールＣＨを介してコンタクト電極ＤＥＡと電気的に接続されている。図１３に示すように、画素電極ＰＥは、画素Ｐｉｘ毎に区画されている。画素電極ＰＥの上には、第１配向膜ＡＬ１が設けられている。

【0073】

図１５に示すように、対向基板２０は、例えばガラスで形成された第２透光性基材２９を有している。第２透光性基材２９は、透光性を有していれば、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂でもよい。第２透光性基材２９には、共通電極ＣＥが設けられている。共通電極ＣＥは、ＩＴＯなどの透光性導電材料によって形成されている。共通電極ＣＥの表面には、第２配向膜ＡＬ２が設けられている。また、対向基板２０は、第２透光性基材２９と共通電極ＣＥとの間に遮光層ＬＳを有する。遮光層ＬＳは黒色の樹脂又は金属材料で形成されている。また、アレイ基板１０と対向基板２０との間にスペーサＰＳが形成され、スペーサＰＳは共通電極ＣＥと第２配向膜ＡＬ２との間にある。

【0074】

図１２及び図１６に示すように、本実施形態の表示装置では、走査線ＧＬと同層の遮光層ＧＳが、信号線ＳＬに沿って延在し、かつ信号線ＳＬの一部と重なる位置に設けられている。遮光層ＧＳは、走査線ＧＬと同じ材料で形成されている。遮光層ＧＳは、走査線ＧＬと信号線ＳＬとが平面視において交差する部分には設けられていない。

【0075】

図１２に示すように、遮光層ＧＳと、信号線ＳＬとは、コンタクトホールＣＨＧで電気的に接続されている。これにより、信号線ＳＬのみの配線抵抗に比べて、遮光層ＧＳ及び信号線ＳＬで構成する配線抵抗が下がる。その結果、信号線ＳＬに供給された階調信号の遅延が抑制される。なお、コンタクトホールＣＨＧがなく、遮光層ＧＳと、信号線ＳＬとが接続されていなくてもよい。

【0076】

図１６に示すように、遮光層ＧＳは、信号線ＳＬに対して金属層ＴＭとは反対側に設けられている。遮光層ＧＳの幅は、信号線ＳＬの幅よりも大きく、金属層ＴＭの幅より小さい。遮光層ＧＳの幅、金属層ＴＭの幅及び信号線ＳＬの幅は、信号線ＳＬの延在する方向に交差する方向の長さである。このように、遮光層ＧＳは、信号線ＳＬよりも幅が広くなっているので、信号線ＳＬのエッジで反射する反射光を表示パネル２より放出することを抑制する。その結果、表示装置１において、画像の視認性が向上する。

【0077】

図１４及び図１５に示すように、対向基板２０には、遮光層ＬＳが設けられている。遮光層ＬＳは、平面視において、信号線ＳＬ、走査線ＧＬ及びスイッチング素子Ｔｒに重なる領域に設けられている。なお、対向基板２０は、第２透光性基材２９の共通電極ＣＥ及び遮光層ＬＳが設けられる面とは反対側の面において、例えばガラスで形成された保護部材（図示せず）を有していてもよい。保護部材は、透光性を有していれば、樹脂でもよい。

【0078】

図１４、図１５、図１６及び図１７に示すように、遮光層ＬＳは、金属層ＴＭよりも大きい幅を有している。これにより、信号線ＳＬ、走査線ＧＬ及び金属層ＴＭのエッジで反射する反射光を表示パネル２より放出することを抑制する。その結果、表示装置１において、画像の視認性が向上する。

【0079】

コンタクトホールＣＨ及びコンタクトホールＣＨＧは、光源光Ｌが当たると乱反射しやすい。このため、遮光層ＬＳは、平面視において、コンタクトホールＣＨ及びコンタクトホールＣＨＧに重なる領域に設けられている。

【0080】

図１５に示すように、アレイ基板１０と対向基板２０との間には、スペーサＳＰが配置され、アレイ基板１０と対向基板２０との間の距離の均一性を向上する。

【0081】

図１８に示すように、周辺領域ＦＲでは、コモン電位配線ＣＯＭＬが引き回されている。コモン電位配線ＣＯＭＬは、例えば第１コモン電位配線ＣＯＭＬ１と、第２コモン電位配線ＣＯＭＬ２とを備える。第１コモン電位配線ＣＯＭＬ１は、導電性の導電部材ＣＰを介して、対向基板２０の共通電極ＣＥに電気的に接続している。導電部材ＣＰは導電注（ピラー）でもよく、またＡｕ粒子などの導電粒子が含有されたシール材であってもよい。

【0082】

図１８に示すように、周辺領域ＦＲでは、保持容量電極ＩＯが第２コモン電位配線ＣＯＭＬ２と電気的に接続している。金属層ＴＭは、表示領域ＡＡに配置されている。

【0083】

図１９は、本実施形態の表示装置の露光領域を説明するための説明図である。たとえば、露光装置は、ＣＡＤなどで作成したレイアウトデータ（数値データ）に基づいて、複数の露光領域のうちフォトレジストを感光させる領域を指定し、露光装置の光源を走査させながら、マザーガラス基板の領域全体を露光する。このとき、露光装置は、光源とマザー基板との相対位置を移動させる移動手段と、あらかじめ用意された数値データ（設計値）に基づいて光源からの光の照射／非照射を制御する制御手段とを有する。

【0084】

露光時間を短くするには、複数の光源を用いて、表示装置を製造する。図１９に示すように、露光領域ＭＡは、第１の露光領域ＭＡ１及び第２の露光領域ＭＡ２に分割され、２つの独立した光源が、第１の露光領域ＭＡ１及び第２の露光領域ＭＡ２を並行して露光する。第１の光源で第１の露光領域ＭＡ１が露光され、第２の光源で第２の露光領域ＭＡ２が露光される。

【0085】

第１の露光領域ＭＡ１と第２の露光領域ＭＡ２との境界領域ＭＡ３では、露光ずれが生じ、パターンの寸法に大きな変動が生じる可能性がある。同一の光源を利用し、第１のフォトマスクを使用して第１の露光領域ＭＡ１を露光し、続けて第２のフォトマスクを使用して第２の露光領域ＭＡ２を露光する場合でも、同様に、境界領域ＭＡ３では、露光ずれが生じ、パターンの寸法に大きな変動が生じたりする可能性がある。露光ずれの影響を抑制するために、境界領域ＭＡ３では、第１の露光領域の一部とする複数の第１の小領域ＭＬと、第２の露光領域の一部とする複数の第２の小領域ＭＬとが、市松状やモザイク状に配列されるように露光される。露光ずれの影響を受けると、形成する金属層が設計値以上に露光される、もしくは、形成する金属層が設計値以上に露光されないことになり、各露光領域の境界（境界領域ＭＡ３）に位置する金属層の幅が、各露光領域内の金属層の幅に比べて細くなったり、太くなったりする可能性がある。さらに、各露光領域の境界（境界領域ＭＡ３）に位置する金属層が、各露光領域内の金属層に対して、平面視で第１方向ＰＸ又は第２方向ＰＹにずれて形成されてしまう可能性がある。

【0086】

図１９に示すような露光をすることで、境界領域ＭＡ３の小領域ＭＬ単位の露光ずれは残るものの、マザー基板の露光領域ＭＡとしては、露光ずれは抑制される。しかしながら、遮光層ＧＳと、信号線ＳＬとは、平面視で重畳するように形成されるため、遮光層ＧＳを形成するときの境界領域ＭＡ３と、信号線ＳＬを形成するときの境界領域ＭＡ３とが、同じに位置になると、露光ずれの部分が重畳することになる。そうすると、金属層の露光ずれの影響を受けた部分（金属層の位置ずれ部分）が重畳することになり、光の反射箇所が重畳し、外光の入射方向によっては、ノイズの認識度合いが部分的に強まり、表示品位が低下する可能性がある。また、信号線ＳＬと、金属層ＴＭとは、平面視で重畳するように形成されるため、信号線ＳＬを形成するときの境界領域ＭＡ３と、金属層ＴＭを形成するときの境界領域ＭＡ３とが、同じに位置になると、露光ずれの部分が重畳することになる。そうすると、金属層の露光ずれの影響を受けた部分（金属層の位置ずれ部分）が重畳することになり、光の反射箇所が重畳する。同様に、走査線ＧＬと、金属層ＴＭとが平面視で重畳するので、金属層の露光ずれの影響を受けた部分（金属層の位置ずれ部分）が重畳し、光の反射箇所が重畳する。本実施形態では、重畳する光の反射箇所が少なくなるように、表示装置が製造されている。

【0087】

図２０は、本実施形態の第１の金属層を示す平面図である。図２０において、第１の金属層とは、走査線ＧＬ及び遮光層ＧＳである。図２１は、本実施形態の第２の金属層を示す平面図である。図２１において、第２の金属層は、信号線ＳＬである。図２２は、本実施形態の第３の金属層を示す平面図である。図２３は、比較例の第１の金属層、第２の金属層及び第３の金属層を模式的に示した模式図である。

【0088】

図２０に示すように、複数の小領域ＭＬ（図１９参照）のうち２つの小領域ＭＬ１が走査線ＧＬ及び遮光層ＧＳのレイアウトに重ねて例示されている。小領域ＭＬ１は、走査線ＧＬ及び遮光層ＧＳの露光に用いられる。小領域ＭＬ１の外縁と、第１の金属層である遮光層ＧＳとの交差部分Ｑ１は、露光ずれの影響を受けた部分（金属層の位置ずれの部分）になる。同様に、小領域ＭＬ１の外縁と、第１の金属層である走査線ＧＬとの交差部分Ｑ１１は、露光ずれの影響を受けた部分（金属層の位置ずれの部分）になる。

【0089】

図２１に示すように、複数の小領域ＭＬ（図１９参照）のうち２つの小領域ＭＬ２が信号線ＳＬのレイアウトに重ねて例示されている。小領域ＭＬ２は、信号線ＳＬの露光に用いられる。図２１に記載された部分は、図２０に記載された部分と同じである。図２１には、図２０に示した小領域ＭＬ１、交差部分Ｑ１及び交差部分Ｑ１１が比較のため記載されている。小領域ＭＬ２の外縁と、第２の金属層である信号線ＳＬとの交差部分Ｑ２は、露光ずれの影響を受けた部分（金属層の位置ずれの部分）になる。

【0090】

図２２に示すように、複数の小領域ＭＬ（図１９参照）のうち２つの小領域ＭＬ３が金属層ＴＭのレイアウトに重ねて例示されている。小領域ＭＬ３は、金属層ＴＭの露光に用いられる。図２２に記載された部分は、図２０及び図２１に記載された部分と同じである。図２２には、図２１に示した小領域ＭＬ１、小領域ＭＬ２、交差部分Ｑ１、交差部分Ｑ１１及び交差部分Ｑ２が比較のため記載されている。小領域ＭＬ３の外縁と、金属層ＴＭとの交差部分Ｑ３、Ｑ３３は、露光ずれの影響を受けた部分（金属層の位置ずれの部分）になる。

【0091】

仮に、小領域ＭＬ１、小領域ＭＬ２及び小領域ＭＬ３が同じ位置にあると、交差部分Ｑ１、交差部分Ｑ２及び交差部分Ｑ３が平面視で重畳し、図２３に示す交差部分ＱＱができる。交差部分ＱＱでは、露光ずれの影響を受けた部分（金属層の位置ずれの部分）の重畳があるので、例えば、第１の金属層での露光ずれの影響を受けた部分（金属層の位置ずれの部分）で反射した光が、第２の金属層での露光ずれの影響を受けた部分（金属層の位置ずれの部分）や金属層ＴＭの露光ずれの影響を受けた部分（金属層の位置ずれの部分）で再反射し、光のノイズが視認されやすくなる。

【0092】

これに対し、図２０、図２１及び図２２に示すように、小領域ＭＬ１、小領域ＭＬ２及び小領域ＭＬ３がずれていると、交差部分Ｑ１と、交差部分Ｑ２と、交差部分Ｑ３とが平面視で非重畳になる。また、小領域ＭＬ１、小領域ＭＬ２及び小領域ＭＬ３がずれていると、交差部分Ｑ１１と交差部分Ｑ３３とが平面視で非重畳になる。

【0093】

金属層ＴＭの幅は、信号線ＳＬ、遮光層ＧＳ及び走査線ＧＬの幅よりも大きい。このため、交差部分Ｑ１、交差部分Ｑ１１及び交差部分Ｑ２での露光ずれの影響を受けた部分（金属層の位置ずれの部分）に起因する光の反射は、金属層ＴＭが遮光し、光のノイズが視認されにくい。交差部分Ｑ３及び交差部分Ｑ３３での露光ずれの影響を受けた部分（金属層の位置ずれの部分）に起因する光の反射は、視認される可能性があるが、他の露光ずれの影響を受けた部分（金属層の位置ずれの部分）と重畳していないため、ノイズの認識度合いが部分的に強まることはなく、表示品位には影響しない。また、交差部分Ｑ３及び交差部分Ｑ３３での露光ずれの影響を受けた部分（金属層の位置ずれの部分）に起因する光の反射の一部は、対向基板２０に設けられた遮光層ＬＳが遮光し、視認されにくい。

【0094】

以上説明したように、表示装置１は、アレイ基板１０と、対向基板２０と、液晶層５０と、光源３を備える。アレイ基板１０は、画素Ｐｉｘ毎に配置された第１透光性電極である複数の画素電極ＰＥを有する。アレイ基板１０には、第１方向ＰＸに間隔をおいて並ぶ複数の信号線ＳＬと、第２方向ＰＹに間隔をおいて並ぶ複数の走査線ＧＬと、が設けられている。対向基板２０は、平面視で、画素電極ＰＥと重畳する位置に第２透光性電極である共通電極ＣＥを有する。液晶層５０は、アレイ基板１０と対向基板２０との間に封入される高分子分散型液晶ＬＣを有する。光源３の発光部３１は、対向基板２０の側面に対し、第２方向ＰＹに光を発光する。アレイ基板１０及び対向基板２０を伝播する光の入射方向は、第２方向である。なお、発光部３１は、アレイ基板１０の側面に向かって、アレイ基板１０及び対向基板２０を伝播する光を発光するようにしてもよい。

【0095】

信号線ＳＬの位置ずれ部分と、金属層ＴＭの位置ずれ部分とが非重畳である。これにより、信号線ＳＬの金属層の位置ずれ部分で反射した光は、金属層ＴＭの位置ずれ部分で強め合いにくくなり、表示装置１は、表示品位が低下しにくい。

【0096】

走査線ＧＬの位置ずれ部分と、金属層ＴＭの位置ずれ部分とが非重畳である。これにより、走査線ＧＬの金属層の位置ずれ部分で反射した光は、金属層ＴＭの位置ずれ部分で強め合いにくくなり、表示装置１は、表示品位が低下しにくい。

【0097】

走査線ＧＬと同層であって、信号線ＳＬに沿って延在し、かつ信号線ＳＬの一部と重なる位置に設けられている遮光層ＧＳをさらに備え、遮光層ＧＳの位置ずれ部分と、信号線ＳＬの位置ずれ部分とが、非重畳である。遮光層ＧＳの金属層の位置ずれ部分で反射した光は、信号線ＳＬの位置ずれ部分で強め合いにくくなり、表示装置１は、表示品位が低下しにくい。

【0098】

（変形例）
図２４は、変形例の画素を示す平面図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

【0099】

図２４に示すように、変形例の画素Ｐｉｘの構成は、本実施形態の画素Ｐｉｘの構成と異なり、隣り合う画素Ｐｉｘの間に２つの信号線ＳＬがある。一方の信号線ＳＬは、１つ置きの画素Ｐｉｘの走査線ＧＬとの交差部分にあるスイッチング素子Ｔｒ１と電気的に接続される。他方の信号線ＳＬは、スイッチング素子Ｔｒ１がある画素Ｐｉｘを除いて１つ置きの画素Ｐｉｘの走査線ＧＬとの交差部分にあるスイッチング素子Ｔｒ２と電気的に接続される。

【0100】

これにより、ゲート駆動回路４３が隣り合う２つの走査線ＧＬを同時に選択することができる。その結果、図３に示す１垂直走査時間ＧａｔｅＳｃａｎが短くなる。各１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎが短くなると、各１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎの後にある第１色の発光期間ＲＯＮ、第２色の発光期間ＧＯＮ及び第３色の発光期間ＢＯＮが相対的に長くすることができる。

【0101】

変形例では、信号線ＳＬの数が増えるので、信号線ＳＬの位置ずれ部分が増える。変形例においても、信号線ＳＬの位置ずれ部分と、金属層ＴＭの位置ずれ部分とが非重畳である。これにより、信号線ＳＬの金属層の位置ずれ部分で反射した光は、金属層ＴＭの位置ずれ部分で強め合いにくくなり、表示装置１は、表示品位が低下しにくい。

【0102】

また、変形例においても、遮光層ＧＳの位置ずれ部分と、信号線ＳＬの位置ずれ部分とが、非重畳である。遮光層ＧＳの金属層の位置ずれ部分で反射した光は、信号線ＳＬの位置ずれ部分で強め合いにくくなり、表示装置１は、表示品位が低下しにくい。同様に、走査線ＧＬの位置ずれ部分と、金属層ＴＭの位置ずれ部分とが非重畳である。これにより、走査線ＧＬの金属層の位置ずれ部分で反射した光は、金属層ＴＭの位置ずれ部分で強め合いにくくなり、表示装置１は、表示品位が低下しにくい。

【0103】

本実施形態について、スイッチング素子Ｔｒがボトムゲート型であるとして説明を行ったが、上述しているようにスイッチング素子Ｔｒは、ボトムゲート構造に限らずトップゲート型であってもよい。スイッチング素子Ｔｒがトップゲート型であれば、図１５の絶縁膜積層構造を参考に説明すると、半導体層ＳＣは第１透光性基材１９と第１絶縁層その間に配置され、ゲート電極ＧＥは第１絶縁層１１と第２絶縁層１２との間に配置され、ソース電極ＳＥ及びコンタクト電極ＤＥＡは第２絶縁層１２と第３絶縁層１３との間に形成される構造となる。

【0104】

さらに、コモン電位については、直流電圧が供給される、つまり一定のコモン電位であってもよく、また交流電圧が共有される、つまり上限値と下限値の２つを有するコモン電位であってもよい。コモン電位が直流であっても交流であっても保持容量電極ＩＯ及び共通電極ＣＥには共通の電位が供給される。

【0105】

また、格子状の有機絶縁膜である第３絶縁層１３については、格子状の内側の第３絶縁層１３が完全に除去され下層の第２絶縁層１２や保持容量電極ＩＯを露出する構造を開示しているが、これに限られない。例えば、複数の信号線ＳＬと複数の走査線ＧＬとで囲まれる格子状領域の内側については、ハーフトーン露光で第３絶縁層１３の膜厚の一部を薄く残す構造であってもよい。これにより、第３絶縁層１３は、複数の信号線ＳＬと複数の走査線ＧＬとで囲まれる格子状領域よりも、格子状領域の内側の膜厚が薄くなる。

【0106】

以上、好適な実施の形態を説明したが、本開示はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本開示の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本開示の技術的範囲に属する。

【符号の説明】

【0107】

１ 表示装置
２ 表示パネル
３ 光源
４ 駆動回路
９ 上位制御部
１０ アレイ基板
１１ 第１絶縁層
１２ 第２絶縁層
１３ 第３絶縁層
１４ 第４絶縁層
２０ 対向基板
３１ 発光部
４１ 信号処理回路
４２ 画素制御回路
４３ ゲート駆動回路
４４ ソース駆動回路
４５ 共通電位駆動回路
５０ 液晶層
ＡＰ 開口部
ＣＥ 共通電極
ＣＨ コンタクトホール
ＣＯＭＬ コモン電位配線
ＣＰ 導電部材
ＤＥ ドレイン電極
ＤＥＡ コンタクト電極
ＦＲ 周辺領域
ＧＥ ゲート電極
ＧＬ 走査線
ＧＯＮ 発光期間
ＧＳ 遮光層
ＨＣ 保持容量
ＨＤＳ 水平駆動信号
ＩＯ 保持容量電極
ＩＯＸ 透光性導電材料がない領域
ＬＣ 高分子分散型液晶
ＬＳ 遮光層
ＭＡ 露光領域
ＭＡ１ 第１の露光領域
ＭＡ２ 第２の露光領域
ＭＡ３ 境界領域
ＭＬ、ＭＬ１、ＬＭ２、ＭＬ３ 小領域
ＰＥ 画素電極
ＳＣ 半導体層
ＳＥ ソース電極
ＳＧＳ 遮光構造体
ＴＭ、ＴＭｔ 金属層
Ｔｒ、Ｔｒ１、Ｔｒ２ スイッチング素子
Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ１１、Ｑ３３ 交差部分

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】