特開2023-155306IP Force 特許公報全文掲載

ホーム > 特許ランキング > ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 > 特開2023-155306

技術分野

光電変換を行うことで撮像を行う撮像装置およびその撮像装置を備えた電子機器

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】電荷が光電変換部から転送先へ円滑に転送される撮像装置を提供する。
【解決手段】この撮像装置は、表面とその表面と反対側の裏面とを含む半導体層と、その半導体層に埋設され受光量に応じた電荷を光電変換により生成する光電変換部と、半導体層の表面から裏面へ向けてそれぞれ延在する第１の部分および第２の部分を含み電荷を光電変換部から同一の転送先へ転送する転送部とを備える。第１の部分は、表面と裏面との間に第１の底部を有し、表面から第１の底部へ至るまで第１の長さを有する。第２の部分は、表面と裏面との間に第２の底部を有し、表面から第２の底部へ至るまで第１の長さよりも短い第２の長さを有する。
【選択図】図４

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)

この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】 本開示の第１の実施の形態に係る撮像装置の機能の構成例を示すブロック図である。
【図1B】 第１の実施の形態の第１の変形例としての撮像装置の機能の構成例を示すブロック図である。
【図1C】 第１の実施の形態の第２の変形例としての撮像装置の機能の構成例を示すブロック図である。
【図2】 図１Ａに示した撮像装置における一のセンサ画素の回路構成を表す回路図である。
【図3】 図１Ａに示した撮像装置における一部のセンサ画素の構成を模式的に表す平面図である。
【図4】 図１Ａに示した撮像装置における一部のセンサ画素の構成を模式的に表す断面図、および深さ方向のポテンシャル状態を表す模式図である。
【図5】 第１の実施の形態の第３の変形例としてのセンサ画素を表す平面図である。
【図6】 第１の実施の形態の第４の変形例としてのセンサ画素を表す平面図である。
【図7】 第１の実施の形態の第５の変形例としてのセンサ画素を表す平面図である。
【図8】 第１の実施の形態の第６の変形例としてのセンサ画素を表す平面図である。
【図9A】 本開示の第２の実施の形態としてのセンサ画素を表す平面図である。
【図9B】 図９Ａに示したセンサ画素の回路構成を表す回路図である。
【図10A】 本開示の第３の実施の形態としてのセンサ画素を表す平面図である。
【図10B】 図１０Ａに示したセンサ画素の回路構成を表す回路図である。
【図11A】 本開示の第４の実施の形態としてのセンサ画素を表す平面図である。
【図11B】 図１１Ａに示したセンサ画素の回路構成を表す回路図である。
【図11C】 図１１Ａに示したセンサ画素の構成を模式的に表す断面図である。
【図12A】 図１１Ａに示したセンサ画素の各駆動信号の波形を表す第１のタイムチャートである。
【図12B】 図１１Ａに示したセンサ画素の各駆動信号の波形を表す第２のタイムチャートである。
【図12C】 図１１Ａに示したセンサ画素の各駆動信号の波形を表す第３のタイムチャートである。
【図13A】 第４の実施の形態の第１の変形例としてのセンサ画素を表す平面図である。
【図13B】 第４の実施の形態の第２の変形例としてのセンサ画素を表す平面図である。
【図13C】 第４の実施の形態の第３の変形例としてのセンサ画素を表す平面図である。
【図13D】 第４の実施の形態の第４の変形例としてのセンサ画素を表す平面図である。
【図14】 電子機器の全体構成例を表す概略図である。
【図15】 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。
【図16】 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
【図17】 内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
【図18】 カメラヘッド及びＣＣＵの機能構成の一例を示すブロック図である。

選択図 図4出願人が指定した本件の代表的な図

全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録

［広告欄］

ログインすれば広告は減ります

ログインすれば広告は減ります

Copyright © Science Impact Inc. All Rights Reserved.