特開 2023-155803 光電気混載基板、光電気混載システムおよび光電気混載基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023155803

(43)【公開日】2023-10-23

(54)【発明の名称】光電気混載基板、光電気混載システムおよび光電気混載基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   G02B 6/12 20060101AFI20231016BHJP

   G02B 6/122 20060101ALI20231016BHJP

   G02B 6/42 20060101ALI20231016BHJP

   G02B 26/08 20060101ALI20231016BHJP

【ＦＩ】

G02B6/12 361

G02B6/122

G02B6/12 301

G02B6/42

G02B26/08 E

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022065356

(22)【出願日】2022-04-11

(71)【出願人】

【識別番号】000003964

【氏名又は名称】日東電工株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100108523

【弁理士】

【氏名又は名称】中川 雅博

(74)【代理人】

【識別番号】100187931

【弁理士】

【氏名又は名称】澤村 英幸

(72)【発明者】

【氏名】井上 真弥

【テーマコード（参考）】

2H137

2H141

2H147

【Ｆターム（参考）】

2H137AB12

2H137BA55

2H137BB12

2H137BB25

2H137BC51

2H137CC05

2H137DA39

2H141MA12

2H141MB23

2H141MC04

2H141MC05

2H141MD12

2H141MD15

2H141MD20

2H141MD40

2H141ME06

2H141ME24

2H141ME25

2H141MF30

2H141MG10

2H147AB05

2H147AC07

2H147AC15

2H147AC17

2H147CA13

2H147CC14

2H147DA08

2H147DA10

2H147EA10C

2H147EA10D

2H147EA17C

2H147EA17D

2H147EA20A

2H147EA20B

2H147FA20

2H147GA19

(57)【要約】

【課題】 光導波路と光学素子と間で光を高い効率で伝達することが可能な光電気混載基板、光電気混載システムおよび光電気混載基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 光学素子２００を搭載可能な光電気混載基板１００は、光学素子２００を支持可能に構成された電気配線基板７０と、光導波路５０とを備え、電気配線基板７０は、光を反射するとともに光導波路５０の光軸に対して傾斜可能な反射面６２を有する反射層６０を含み、光導波路５０と光学素子２００との間で反射面６２を経由して光が伝達されるように反射面６２の角度を変化させることが可能な駆動部７０をさらに備える。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

光学素子を搭載可能な光電気混載基板であって、
前記光学素子を支持可能に構成された電気配線基板と、
光導波路とを備え、
前記電気配線基板は、光を反射するとともに前記光導波路の光軸に対して傾斜可能な反射面を有する反射層を含み、
前記光導波路と前記光学素子との間で前記反射面を経由して光が伝達されるように前記反射面の角度を変化させることが可能な駆動部をさらに備えた、光電気混載基板。

【請求項2】

前記電気配線基板は、
前記光学素子を支持する配線回路構成層と、
前記配線回路構成層を支持する支持層とを含み、
前記反射層は、前記支持層に対して傾斜可能かつ前記支持層に対して一体的に設けられた、請求項１記載の光電気混載基板。

【請求項3】

配線回路構成層は、前記光学素子が配置される開口部を有し、
前記反射層は、前記開口部内で前記支持層に対して傾斜可能に設けられ、
前記駆動部は、前記光導波路と前記光学素子との間で前記反射面を経由して光が伝達されるように前記反射面の角度を変化させることが可能に構成される、請求項２記載の光電気混載基板。

【請求項4】

前記支持層は、金属支持層により形成され、
前記反射層は、前記金属支持層の一部により構成される、請求項２または３記載の光電気混載基板。

【請求項5】

前記駆動部は、前記反射層の角度を電磁力により変化させるように構成される、請求項１～３のいずれか一項に記載の光電気混載基板。

【請求項6】

前記駆動部は、コイルを含み、
前記コイルに流れる電流と前記コイルに与えられる磁界とにより前記電磁力を発生するように構成される、請求項５記載の光電気混載基板。

【請求項7】

前記駆動部は、前記磁界を発生する磁石をさらに含み、
前記磁石は、固定位置または前記反射層のうち一方に設けられ、
前記コイルは、前記固定位置または前記反射層のうち他方に設けられる、請求項６記載の光電気混載基板。

【請求項8】

前記コイルは、前記反射面を取り囲むように前記反射層に形成される、請求項６記載の光電気混載基板。

【請求項9】

前記反射面は、金属めっき層の鏡面を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の光電気混載基板。

【請求項10】

請求項１～３のいずれか一項に記載の光電気混載基板と、
前記光電気混載基板に搭載された光学素子と、
前記光学素子と前記光導波路との間で伝達された光の量に基づいて前記駆動部を制御する制御部とを備える、光電気混載システム。

【請求項11】

前記制御部は、前記光導波路との間で伝達された光の量が増加するように前記駆動部により前記反射層の角度を変化させる、請求項１０記載の光電気混載システム。

【請求項12】

光学素子を搭載可能な光電気混載基板の製造方法であって、
前記光学素子を支持可能に構成された電気配線基板と光導波路とを形成するステップと、
光を反射するとともに前記光導波路の光軸に対して傾斜可能な反射面を有する反射層を前記電気配線基板に形成するステップと、
前記光導波路と前記光学素子との間で前記反射面を経由して光が伝達されるように前記反射面の角度を変化させることが可能な駆動部を作製するステップとを含む、光電気混載基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、光電気混載基板、光電気混載システムおよび光電気混載基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年の電子機器等においては、伝送される情報量の増加に伴い、電気配線および光配線を備える光電気混載基板が用いられている。特許文献１には、光を光学素子に導くための光導波路が形成された光電気混載基板が記載される。光導波路は、アンダークラッド層と、コア層と、オーバークラッド層とを備える。コア層には、光を反射するためのミラーが形成される。特許文献１によれば、光導波路内に導かれた光は、ミラーにより光路変換された後に光電気混載基板に実装された光学素子に導かれる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２１－１０７９１９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

一般的に、光導波路から導出された光の進行方向を変換するためのミラーは、レーザ加工または回転刃等を用いた切削加工により形成される。ミラーが粗く形成された場合、ミラーにより光路変換された光が散乱することがある。また、光電気混載基板に実装された光学素子とミラーとの相対位置が、光電気混載基板ごとにずれる場合がある。この場合、所望の量の光を光電気混載基板に実装された光学素子に対して伝達することが困難になることがある。これらの結果、光の伝達効率が低下する。

【0005】

本発明の目的は、光導波路と光学素子との間で光を高い効率で伝達することが可能な光電気混載基板、光電気混載システムおよび光電気混載基板の製造方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

（１）本発明の一局面に従う光電気混載基板は、光学素子を搭載可能な光電気混載基板であって、前記光学素子を支持可能に構成された電気配線基板と、光導波路とを備え、前記電気配線基板は、光を反射するとともに前記光導波路の光軸に対して傾斜可能な反射面を有する反射層を含み、前記光導波路と前記光学素子との間で前記反射面を経由して光が伝達されるように前記反射面の角度を変化させることが可能な駆動部をさらに備える。

【0007】

この光電気混載基板によれば、光導波路から出射された光が反射層の反射面で反射されて光学素子に入射する。あるいは、光学素子から出射された光が反射層の反射面で反射されて光導波路に入射する。上記の構成によれば、反射層の反射面の角度を駆動部により変化させることが可能である。それにより、光導波路と光学素子との間で高い効率で光を伝達することが可能になる。

【0008】

（２）前記電気配線基板は、前記光学素子を支持する配線回路構成層と、前記配線回路構成層を支持する支持層とを含み、前記反射層は、前記支持層に対して傾斜可能かつ前記支持層に対して一体的に設けられてもよい。

【0009】

この場合、反射層を支持層の一部として形成することができる。それにより、反射層を容易に形成することができる。

【0010】

（３）光電気混載基板において、配線回路構成層は、前記光学素子が配置される開口部を有し、前記反射層は、前記開口部内で前記支持層に対して傾斜可能に設けられ、前記駆動部は、前記光導波路と前記光学素子との間で前記反射面を経由して光が伝達されるように前記反射面の角度を変化させることが可能に構成されてもよい。

【0011】

この場合、光学素子と光導波路とが互いに反対側に存在する場合でも、光導波路と光学素子との間で正確に高い効率で光を伝達することが可能になる。

【0012】

（４）光電気混載基板において、前記支持層は、金属支持層により形成され、前記反射層は、前記金属支持層の一部により構成されてもよい。

【0013】

この場合、反射層を容易に形成することが可能になる。

【0014】

（５）光電気混載基板において、前記駆動部は、前記反射層の角度を電磁力により変化させるように構成されてもよい。

【0015】

この場合、反射層の反射面の角度を変化させるために電磁力が用いられるので、駆動部の構成を単純化することが可能になる。

【0016】

（６）光電気混載基板において、前記駆動部は、コイルを含み、前記コイルに流れる電流と前記コイルに与えられる磁界とにより前記電磁力を発生するように構成されてもよい。

【0017】

この場合、コイルに流れる電流の大きさまたはコイルに与えられる磁界の大きさのいずれか一方を調整することにより、反射層に作用する力を変化させることができるので、反射層の反射面の角度を容易に調整することが可能になる。

【0018】

（７）光電気混載基板において、前記駆動部は、前記磁界を発生する磁石をさらに含み、前記磁石は、固定位置または前記反射層のうち一方に設けられ、前記コイルは、前記固定位置または前記反射層のうち他方に設けられてもよい。

【0019】

この場合、コイルに流れる電流の大きさを調整することにより、反射層の反射面の角度を変化させることができるので、反射層の反射面の角度をより容易に調整することが可能になる。

【0020】

（８）光電気混載基板において、前記コイルは、前記反射面を取り囲むように前記反射層に形成されてもよい。

【0021】

この場合、反射層の中央部を反射面の形成領域として使用し、反射層の外周部をコイルの形成領域として用いることができる。それにより、反射層の大型化を抑制することができる。

【0022】

（９）光電気混載基板において、前記反射面は、金属めっき層の鏡面を含んでもよい。

【0023】

この場合、反射面において反射する光の散乱を抑制することが可能になる。

【0024】

（１０）本発明の他の局面に従う光電気混載システムは、上記の光電気混載基板と、前記光電気混載基板に搭載された光学素子と、前記光学素子と前記光導波路との間で伝達された光の量に基づいて前記駆動部を制御する制御部とを備えてもよい。

【0025】

この光電気混載システムにおいては、光学素子と光導波路との間で伝達された光の量に基づいて、反射層の角度を自動的に変化させることが可能になる。それにより、光導波路と光学素子との間で高い効率で光を伝達することが可能になる。

【0026】

（１１）光電気混載システムにおいて、前記制御部は、前記光導波路との間で伝達された光の量が増加するように前記駆動部により前記反射層の角度を変化させてもよい。

【0027】

この場合、光学素子の受光部に対してより高い精度で光を導くことが可能になる。

【0028】

（１２）本発明のさらに他の局面に従う光学素子を搭載可能な光電気混載基板の製造方法であって、光電気混載基板の製造方法は、前記光学素子を支持可能に構成された電気配線基板と光導波路とを形成するステップと、光を反射するとともに前記光導波路の光軸に対して傾斜可能な反射面を有する反射層を前記電気配線基板に形成するステップと、
前記光導波路と前記光学素子との間で前記反射面を経由して光が伝達されるように前記反射面の角度を変化させることが可能な駆動部を作製するステップとを含む。

【0029】

この製造方法により製造される光電気混載基板によれば、反射層の反射面の角度を駆動部により変化させることが可能である。それにより、光導波路と光学素子との間で高い効率で光を伝達することが可能になる。

【発明の効果】

【0030】

本発明によれば、光導波路と光学素子と間で光を高い効率で伝達することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【0031】

【図1】一実施の形態に係る光電気混載基板の構成を示す模式的断面図である。

【図2】図１の光電気混載基板の模式的平面図である。

【図3】図１および図２の光電気混載基板を用いた光電気混載システムの構成を示す図である。

【図4】制御部の角度調整動作を示すフローチャートである。

【図5】光電気混載基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。

【図6】光電気混載基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。

【図7】光電気混載基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。

【図8】光電気混載基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。

【図9】光電気混載基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。

【図10】光電気混載基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。

【図11】光電気混載基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。

【図12】光電気混載基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。

【図13】光電気混載基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。

【図14】光電気混載基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。

【図15】他の実施の形態に係る光電気混載基板の構成を示す模式的平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0032】

（１）光電気混載基板の構成
図１は、一実施の形態に係る光電気混載基板の構成を示す模式的断面図である。図２は、図１の光電気混載基板の模式的平面図である。なお、図１には、図２の光電気混載基板のＡ－Ａ線断面図が示される。

【0033】

図１および図２に示すように、光電気混載基板１００は、光導波路５０および電気配線基板９０を備える。電気配線基板９０は、支持層１０、ベース絶縁層２０ａ，２０ｂ、導体層３０、カバー絶縁層４０ａ，４０ｂおよび反射層６０を含む。主としてベース絶縁層２０ａ，２０ｂ、導体層３０およびカバー絶縁層４０ａ，４０ｂが配線回路構成層を構成する。

【0034】

支持層１０は、例えば非磁性の金属材料により形成される。本実施の形態において支持層１０は、ステンレスにより形成される。支持層１０は、配線回路構成層（２０ａ，２０ｂ，３０，４０ａ，４０ｂ等）を支持している。

【0035】

図２に示すように、電気配線基板９０には、開口部ＯＰが形成される。本実施の形態において、開口部ＯＰは、平面視において矩形状を有する。

【0036】

支持層１０の上面（以下、第１の支持面１０ａと呼ぶ。）には、ベース絶縁層２０ａ、導体層３０およびカバー絶縁層４０ａがこの順に積層される。本実施の形態では、ベース絶縁層２０ａは、感光性のポリイミド樹脂により形成される。なお、ベース絶縁層２０ａは、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、またはポリ塩化ビニル樹脂等の他の合成樹脂により形成されてもよい。

【0037】

本実施の形態では、導体層３０は、銅めっき層により形成される。なお、導体層３０は、銅、金、銀、白金、鉛、錫、ニッケル、コバルト、インジウム、ロジウム、クロム、タングステンおよびルテニウム等のうち１種または複数種を含む金属または合金により形成されてもよい。支持層１０の第１の支持面１０ａには、導体層３０により、配線層７３ａが形成される。

【0038】

本実施の形態では、カバー絶縁層４０ａは、感光性のポリイミド樹脂により形成される。なお、カバー絶縁層４０ａは、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、またはポリ塩化ビニル樹脂等の他の合成樹脂により形成されてもよい。カバー絶縁層４０ａの上面には、導体層３０の一部が端子部３１，３２（図２参照）として露出する。端子部３１，３２の表面には、ニッケル膜および金めっき膜の積層体が形成されてもよい。

【0039】

光電気混載基板１００の上部には、光学素子２００が取り付けられる。本実施の形態では、光学素子２００は、フォトダイオード等の受光素子である。光学素子２００は、端子部２１１，２１２および受光部２２０を有する。端子部２１１は、例えば半田等の接着層Ｓ１を介して光電気混載基板１００の端子部３１に接続される。また、端子部２１２は、例えば半田等の接着層Ｓ２を介して光電気混載基板１００の端子部３２に接続される。

【0040】

支持層１０の下面（以下、第２の支持面１０ｂと呼ぶ。）の一部領域上には、ベース絶縁層２０ｂ、配線層７３ｂおよびカバー絶縁層４０ｂがこの順に積層される。ベース絶縁層２０ｂは、ベース絶縁層２０ａと同じ絶縁材料により形成されてもよく、異なる絶縁材料により形成されてもよい。配線層７３ｂは、配線層７３ａと同じ導電材料により形成されてもよく、異なる導電材料により形成されてもよい。カバー絶縁層４０ｂは、カバー絶縁層４０ａと同じ絶縁材料により形成されてもよく、異なる絶縁材料により形成されてもよい。

【0041】

第２の支持面１０ｂの他の領域には、光導波路５０が形成される。光導波路５０は、アンダクラッド層５１、コア層５２およびオーバクラッド層５３を含む。アンダクラッド層５１、コア層５２およびオーバクラッド層５３の材料としては、例えば感光性のエポキシ樹脂等の透明材料が用いられる。光導波路５０は、太線矢印ａ１で示すように光を伝播する。本実施の形態では、光導波路５０は、支持層１０の第１および第２の支持面１０ａ，１０ｂと平行な光軸を有する。

【0042】

反射層６０は、開口部ＯＰ内に支持層１０と一体的に設けられる。図２に示すように、反射層６０は、連結部１１により支持層１０と同じ金属材料により一体的に形成される。本実施の形態では、支持層１０、連結部１１および反射層６０は同じ厚みを有する。図１に示すように、反射層６０は、比較的薄い厚みを有するので、連結部１１を支点にして撓むことが可能になる。支持層１０、連結部１１および反射層６０の厚みは、例えば、１０μｍ以上５０μｍ以下である。

【0043】

駆動部７０は、磁石７１およびコイル７２ａ，７２ｂを含む。本実施の形態において、支持層１０の第２の支持面１０ｂ側でカバー絶縁層４０ｂの一部領域に磁石７１が設けられる。磁石７１は、磁界を発生することが可能な例えば永久磁石である。コイル７２については、後述する。

【0044】

反射層６０には、上面および下面を連通する貫通孔ＡＰ（図２参照）が設けられる。コイル７２ａ，７２ｂは、反射層６０の上面および下面にそれぞれ形成される。反射層６０の上面に形成されるコイル７２ａと反射層６０の下面に形成されるコイル７２ｂとは、貫通孔ＡＰを通して連続するように形成される。コイル７２ａは、配線層７３ａと同じ導体層３０により形成される。コイル７２ｂは、配線層７３ｂと同じ導体層により形成される。本実施の形態において、コイル７２ａ，７２ｂは、反射層６０の上面の周縁部および下面の周縁部において渦巻状を有する。

【0045】

なお、コイル７２ａ，７２ｂは、反射層６０の上面および下面において、任意の巻数を有してもよい。反射層６０の上面のうちコイル７２ａ，７２ｂにより取り囲まれる領域に反射面６２が形成される。本実施の形態において、反射面６２には、ニッケルめっき層の形成による鏡面仕上げが施される。

【0046】

図２に示すように、コイル７２ａの一端は、配線層７３ａを通して光電気混載基板１００の外部端子ＯＴに接続される。コイル７２ｂの一端は、配線層７３ｂを通して光電気混載基板１００の外部端子ＩＴに接続される。ここで、電源から外部端子ＩＴ，ＯＴを通してコイル７２ａ，７２ｂに電流が供給されると、磁石７１により発生する磁界およびコイル７２ａ，７２ｂに流れる電流により電磁力（ローレンツ力）が生じる。それにより、図１に矢印ＡＣ１で示すように、支持層１０の第１の支持面１０ａに対する反射層６０の反射面６２の角度をコイル７２に流れる電流の大きさに応じて変化させることが可能になる。

【0047】

反射層６０の反射面６２に入射した光は、太線矢印ａ２に示すように、光学素子２００の受光部２２０に導かれる。以下、コイル７２に流れる電流の大きさを調整することにより、第１の支持面１０ａに対する反射層６０の支持層１０の角度を調整する動作を角度調整動作と呼ぶ。

【0048】

（２）光電気混載システムの構成および動作
図３は、図１および図２の光電気混載基板１００を用いた光電気混載システムの構成を示す図である。図４は、制御部の角度調整動作を示すフローチャートである。図３の光電気混載システム１は、光電気混載基板１００、光学素子２００および制御部３００を含む。光電気混載基板１００および光学素子２００は、上述した構成を有する。

【0049】

制御部３００は、ＣＰＵ、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）および記憶装置を含む。ＲＡＭは、ＣＰＵの作業領域として用いられる。ＣＰＵが記憶装置に記憶された角度調整プログラムをＲＡＭ上で実行することにより光電気混載基板１００の駆動部７０が制御される。なお、制御部３００は、制御回路として、光電気混載基板１００内に形成されてもよい。あるいは、制御部３００は、光電気混載基板１００とは別個に設けられてもよい。

【0050】

制御部３００は、光学素子２００の受光部２２０の受光量に基づいて、光電気混載基板１００の駆動部７０を制御する。具体的には、角度調整動作を行うために光電気混載基板１００のコイル７２ａ，７２ｂに流れる電流の大きさを調整する。

【0051】

図４に示すように、まず、制御部３００は、コイル７２ａ，７２ｂに対して電流の供給を開始する（ステップＳ１）。次に、制御部３００は、光学素子２００の出力信号に基づいて、光学素子２００の受光部２２０の受光量の値が予め定められたしきい値より大きいか否かを判定する（ステップＳ２）。受光量の値が予め定められたしきい値以下である場合、制御部３００は、コイル７２ａ，７２ｂに供給される電流の大きさを調整する（ステップＳ３）。それにより、反射層６０の角度が変化し、光学素子２００の受光部２２０の受光量が変化する。その後、制御部３００は、ステップＳ２に戻る。ステップＳ２において、受光量の値が予め定められたしきい値以下である場合においては、ステップＳ２，Ｓ３の動作が繰り返し行われる。ステップＳ２において、受光量の値が予め定められたしきい値より大きい場合、制御部３００の角度調整動作が終了する。このようにして、受光部２２０の受光量がしきい値よりも大きくなるように、反射層６０の角度が調整される。

【0052】

（３）光電気混載基板１００の製造方法
図５～図１４は、図１および図２の光電気混載基板１００の製造方法の一例を説明するための模式的断面図である。本実施の形態において、光電気混載基板１００は、例えば、ロール・ツー・ロール方式により製造される。

【0053】

図５に示すように、支持層１０に第１の支持面１０ａおよび第２の支持面１０ｂを貫通するように貫通孔ＡＰを形成する。支持層１０は、例えばステンレスにより形成される。次に、図６に示すように、支持層１０の第１および第２の支持面１０ａ，１０ｂおよび貫通孔ＡＰの内面にベース絶縁層２０ａ，２０ｂを塗布する。ベース絶縁層２０ａ，２０ｂは、例えば感光性ポリイミドにより形成される。

【0054】

続いて、図７に示すように、ベース絶縁層２０ａ，２０ｂを露光、現像および硬化することによりベース絶縁層２０ａ，２０ｂのパターンを形成する。本例では、支持層１０のうち後の工程で反射層６０が形成される領域上のベース絶縁層２０ａ，２０ｂの部分が除去される。また、図１の支持層１０と反射層６０とを分離するためのベース絶縁層２０ａ，２０ｂの部分が除去される。

【0055】

次に、図８に示すように、例えば、セミアディティブ法により、ベース絶縁層２０ａに導体層３０、コイル７２ａおよび配線層７３ａを形成し、ベース絶縁層２０ｂ上にコイル７２ｂおよび配線層７３ｂを形成する。具体的には、第１および第２の支持面１０ａ，１０ｂ上のベース絶縁層２０ａ，２０ｂ上および貫通孔ＡＰの内周面にスパッタ法により例えばクロムおよび銅の積層膜をシード層として形成する。この状態で、フォトリソグラフィにより、ベース絶縁層２０ａ上のシード層上に導体層３０、コイル７２ａおよび配線層７３ａを形成し、ベース絶縁層２０ｂ上のシード層上にコイル７２ｂおよび配線層７３ｂを形成する。その後、ベース絶縁層２０ａ，２０ｂ上で露出するシード層の領域を除去する。

【0056】

その後、図９に示すように、導体層３０、コイル７２ａおよび配線層７３ａを覆うように、ベース絶縁層２０ａ上にカバー絶縁層４０ａを塗布し、コイル７２ｂおよび配線層７３ｂを覆うようにベース絶縁層２０ｂ上にカバー絶縁層４０ｂを塗布する。カバー絶縁層４０ａ，４０ｂは、例えば感光性ポリイミドにより形成される。

【0057】

次に、図１０に示すように、カバー絶縁層４０ａ，４０ｂを露光、現像および硬化することにより、カバー絶縁層４０ａ，４０ｂのパターンを形成する。本例では、支持層１０のうち後の工程で反射層６０が形成される領域上のカバー絶縁層４０ａ，４０ｂの部分が除去される。これにより、反射面６２が形成される。また、図１の支持層１０と反射層６０とを分離するためのカバー絶縁層４０ａ，４０ｂの領域が除去される。それにより、領域ＯＡ１内で支持層１０が露出する。さらに、導体層３０の一部が端子部３１，３２として露出するように、カバー絶縁層４０ａの所定の領域が除去される。

【0058】

次いで、図１１に示すように、領域ＯＡ１内で露出する支持層１０の部分をエッチングにより除去する。それにより、支持層１０の一部として反射層６０が形成される。この状態においては、反射層６０は、ベース絶縁層２０ａおよびカバー絶縁層４０ａにより支持される。このとき、反射面６２には、ニッケルめっき層の形成による鏡面仕上げが施されてもよい。

【0059】

次に、図１２に示すように、ベース絶縁層２０ｂ上の一部の領域にアンダクラッド層５１、コア層５２およびオーバクラッド層５３を光導波路５０として形成する。具体的には、ベース絶縁層２０ｂ上へのアンダクラッド層５１の塗布および硬化、アンダクラッド層５１上へのコア層５２の塗布、現像および硬化、およびコア層５２上への塗布および硬化を行う。

【0060】

その後、図１２に太い矢印ａ３で示すように、領域ＯＡ１内の反射層６０を支持するベース絶縁層２０ａおよびカバー絶縁層４０ａの部分をカッター等を用いて機械的に除去する。それにより、図１３に示すように、連結部１１を支点にして反射層６０が傾斜する。最後に、図１４に示すように、磁石７１をベース絶縁層２０ｂ上に取り付ける。

【0061】

（４）実施の形態の効果
本実施の形態の光電気混載基板１００によれば、光導波路５０から出射された光が反射層６０の反射面６２で反射されて光学素子２００に入射する。上記の構成によれば、光導波路５０の光軸に対する反射層６０の反射面６２の角度を駆動部７０により変化させることが可能である。それにより、光導波路５０と光学素子２００との間で高い効率で光を伝達することが可能になる。

【0062】

また、支持層１０の一部が反射層６０として形成されるので、反射層６０を容易に形成することができる。さらに、反射層６０の反射面６２の角度を変化させるために電磁力が用いられるので、駆動部７０の構成を単純化することが可能になる。

【0063】

また、コイル７２ａ，７２ｂは、反射層６０の反射面６２を取り囲むように形成されるので、反射層６０の中央部を反射面６２の形成領域として使用し、反射層６０の外周部をコイル７２ａ，７２ｂの形成領域として使用することができる。それにより、反射層６０の大型化を抑制することができる。さらに、コイル７２ａ，７２ｂが反射層６０に形成され、磁石７１が支持層１０上に固定されているので、反射層６０の重量の増加を抑制することができる。それにより、反射層６０の傾斜角度を精密に調整することができる。

【0064】

また、反射面６２には、ニッケルめっき層による鏡面仕上げが施されるので、反射面６２において反射する光の散乱を抑制することが可能になる。それにより、光学素子２００の受光部２２０への光の入射効率が向上する。

【0065】

上記実施の形態の光電気混載システム１によれば、光学素子２００の受光量に基づいて、反射面６２の角度を変化させることが可能になる。また、光学素子２００の受光量が増加するように駆動部７０により反射面６２の角度が変化されるので、光学素子２００の受光部２２０に対してより高い精度で光を導くことが可能になる。

【0066】

（５）他の実施の形態
（５－１）上記実施の形態において、光電気混載基板１００に搭載される光学素子２００は、受光部２２０を有する受光素子であるが、本発明はこれに限定されない。光学素子２００は、光を出射する出射部を有する発光ダイオードまたはレーザダイオード等の発光素子であってもよい。この場合、反射層６０の傾斜角度を調整することにより光学素子２００の出射部から出射された光を反射層６０の反射面６２を経由して光導波路５０に正確に導くことが可能になる。

【0067】

（５－２）上記実施の形態において、コイル７２ａ，７２ｂが反射層６０に形成され、磁石７１が支持層１０の第２の支持面１０ｂ上に固定されているが、本発明はこれに限定されない。図１５は、他の実施の形態に係る光電気混載基板の模式的平面図である。他の実施の形態に係る光電気混載基板１００ａにおいては、コイル７２ａ，７２ｂが開口部ＯＰを取り囲むように支持層１０上に形成され、磁石７１が反射層６０の下面に設けられる。この場合、上記実施の形態における駆動部７０と同様に、電磁力が生じる。それにより、光導波路５０の光軸に対する反射層６０の角度をコイルに流れる電流の大きさに応じて変化させることが可能になる。

【0068】

（５－３）上記実施の形態では、電気配線基板９０の上面に光学素子２００が配置され、電気配線基板９０の下面に光導波路５０が配置されているが、光学素子２００および光導波路５０の配置はこれに限定されない。例えば、光導波路５０が電気配線基板９０内に形成されてもよい。また、受光部２２０または出射部が光学素子２００の側面に存在する場合には、光学素子２００と光導波路５０とが電気配線基板９０の同じ面上に設けられてもよい。この場合、反射層６０は、起立した状態で傾斜可能に形成される。

【0069】

（５－４）上記実施の形態では、駆動部７０が磁石７１およびコイル７２ａ，７２ｂにより構成されるが、駆動部７０は他の構成を有してもよい。例えば、コイル７２ａ，７２ｂのうちいずれか一方のみが形成されてもよい。また、磁界を形成するために磁石７１の代わりに他のコイルが用いられてもよい。

【0070】

（５－５）上記実施の形態では、駆動部７０が電磁力により反射層６０の角度を変化させているが、本発明はこれに限定されない。例えば、駆動部が静電アクチュエータ等による静電気力により反射層６０の角度を変化させてもよい。

【0071】

（５－６）上記実施の形態では、反射層６０が金属材料により形成されるが、本発明はこれに限定されない。例えば、反射層６０がポリイミド等の絶縁材料により形成され、反射層６０の一面上に金属めっき層等により反射面６２が形成されてもよい。

【符号の説明】

【0072】

１…光電気混載システム，１０…支持層，１０ａ…第１の支持面，１０ｂ…第２の支持面，１１…連結部，２０ａ，２０ｂ…ベース絶縁層，３０…導体層，３１，３２…端子部，４０ａ，４０ｂ…カバー絶縁層，５０…光導波路，５１…アンダクラッド層，５２…コア層，５３…オーバクラッド層，６０…反射層，６２…反射面，７０…駆動部，７１…磁石，７２，７２ａ，７２ｂ…コイル，７３ａ，７３ｂ…配線層，９０…電気配線基板，１００，１００ａ…光電気混載基板，２００…光学素子，２１１，２１２…端子部，２２０…受光部，３００…制御部，ＡＰ…貫通孔，ＩＴ…外部端子，ＯＡ１…領域，ＯＰ…開口部，ＯＴ…外部端子，Ｓ１，Ｓ２…接着層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】