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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023156230
(43)【公開日】2023-10-24
(54)【発明の名称】光位相変調器
(51)【国際特許分類】
G02F 1/025 20060101AFI20231017BHJP
【ＦＩ】
G02F1/025
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023021801
(22)【出願日】2023-02-15
(31)【優先権主張番号】P 2022065866
(32)【優先日】2022-04-12
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000004260
【氏名又は名称】株式会社デンソー
(71)【出願人】
【識別番号】000003207
【氏名又は名称】トヨタ自動車株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】520124752
【氏名又は名称】株式会社ミライズテクノロジーズ
(74)【代理人】
【識別番号】110001128
【氏名又は名称】弁理士法人ゆうあい特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】鈴木 拓
(72)【発明者】
【氏名】山下 達弥
(72)【発明者】
【氏名】武 直矢
(72)【発明者】
【氏名】佐藤 雅重
【テーマコード（参考）】
2K102
【Ｆターム（参考）】
2K102AA18
2K102BA02
2K102BB04
2K102BC04
2K102BC05
2K102BD01
2K102CA21
2K102DA05
2K102DD03
2K102EA08
(57)【要約】
【課題】変調損失が大きくなることを抑制しつつ、光の実効屈折率が低下することを抑制する。
【解決手段】リブ部２０は、幅方向にＮ型の第１リブ部２１とＰ型の第２リブ部２２とが配置され、第１スラブ部３１は、Ｎ型とされ、第１リブ部２１と接続されて第２リブ部２２と反対側に配置され、第２スラブ部３２は、Ｐ型とされ、第２リブ部２２と接続されて第１リブ部２１と反対側に配置され、第３スラブ部３３は、Ｐ型とされ、第１リブ部２１と接続されて第２リブ部２２と反対側に配置され、第４スラブ部３４は、Ｎ型とされ、第２リブ部２２と接続されて第１リブ部２１と反対側に配置される。そして、延設方向を法線方向とする断面では、延設方向に沿って、リブ部２０と第１スラブ部３１および第２スラブ部３２とで構成されるＰＮ構造と、リブ部２０と第３スラブ部３３および第４スラブ部３４とで構成されるＰＮＰＮ構造とが交互に配置されるようにする。
【選択図】図１
【解決手段】リブ部２０は、幅方向にＮ型の第１リブ部２１とＰ型の第２リブ部２２とが配置され、第１スラブ部３１は、Ｎ型とされ、第１リブ部２１と接続されて第２リブ部２２と反対側に配置され、第２スラブ部３２は、Ｐ型とされ、第２リブ部２２と接続されて第１リブ部２１と反対側に配置され、第３スラブ部３３は、Ｐ型とされ、第１リブ部２１と接続されて第２リブ部２２と反対側に配置され、第４スラブ部３４は、Ｎ型とされ、第２リブ部２２と接続されて第１リブ部２１と反対側に配置される。そして、延設方向を法線方向とする断面では、延設方向に沿って、リブ部２０と第１スラブ部３１および第２スラブ部３２とで構成されるＰＮ構造と、リブ部２０と第３スラブ部３３および第４スラブ部３４とで構成されるＰＮＰＮ構造とが交互に配置されるようにする。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
リブ部（２０）を有する光位相変調器であって、
一方向を延設方向として延設された前記リブ部と、
前記リブ部よりも厚さが薄くされ、前記リブ部と接続される状態で配置された第１～第４スラブ部（３１～３４）と、を備え、
前記リブ部は、前記延設方向および厚さ方向と交差する幅方向に沿ってＮ型の第１リブ部（２１）とＰ型の第２リブ部（２２）とが配置され、前記延設方向に沿って前記第１リブ部と前記第２リブ部との間にＰＮ接合が構成されており、
前記第１スラブ部は、Ｎ型とされ、前記第１リブ部と接続されると共に前記第１リブ部を挟んで前記第２リブ部と反対側に配置され、
前記第２スラブ部は、Ｐ型とされ、前記第２リブ部と接続されると共に前記第２リブ部を挟んで前記第１リブ部と反対側に配置され、
前記第３スラブ部は、Ｐ型とされ、前記第１リブ部と接続されると共に前記第１リブ部を挟んで前記第２リブ部と反対側に配置され、
前記第４スラブ部は、Ｎ型とされ、前記第２リブ部と接続されると共に前記第２リブ部を挟んで前記第１リブ部と反対側に配置され、
前記延設方向を法線方向とする断面では、前記延設方向に沿って、前記リブ部と前記第１スラブ部および前記第２スラブ部とで構成されるＰＮ構造と、前記リブ部と前記第３スラブ部および前記第４スラブ部とで構成されるＰＮＰＮ構造とが交互に配置されている光位相変調器。
一方向を延設方向として延設された前記リブ部と、
前記リブ部よりも厚さが薄くされ、前記リブ部と接続される状態で配置された第１～第４スラブ部（３１～３４）と、を備え、
前記リブ部は、前記延設方向および厚さ方向と交差する幅方向に沿ってＮ型の第１リブ部（２１）とＰ型の第２リブ部（２２）とが配置され、前記延設方向に沿って前記第１リブ部と前記第２リブ部との間にＰＮ接合が構成されており、
前記第１スラブ部は、Ｎ型とされ、前記第１リブ部と接続されると共に前記第１リブ部を挟んで前記第２リブ部と反対側に配置され、
前記第２スラブ部は、Ｐ型とされ、前記第２リブ部と接続されると共に前記第２リブ部を挟んで前記第１リブ部と反対側に配置され、
前記第３スラブ部は、Ｐ型とされ、前記第１リブ部と接続されると共に前記第１リブ部を挟んで前記第２リブ部と反対側に配置され、
前記第４スラブ部は、Ｎ型とされ、前記第２リブ部と接続されると共に前記第２リブ部を挟んで前記第１リブ部と反対側に配置され、
前記延設方向を法線方向とする断面では、前記延設方向に沿って、前記リブ部と前記第１スラブ部および前記第２スラブ部とで構成されるＰＮ構造と、前記リブ部と前記第３スラブ部および前記第４スラブ部とで構成されるＰＮＰＮ構造とが交互に配置されている光位相変調器。
【請求項2】
前記第１リブ部と前記第２リブ部との境界面を基準とし、前記第１リブ部および前記第１スラブ部と、前記第２リブ部および前記第２スラブ部とが対称に配置されている請求項１に記載の光位相変調器。
【請求項3】
前記第１リブ部と前記第２リブ部との境界面を基準とし、前記第１リブ部および前記第３スラブ部と、前記第２リブ部および前記第４スラブ部とが対称に配置されている請求項２に記載の光位相変調器。
【請求項4】
前記第３スラブ部および前記第４スラブ部は、前記第１スラブ部および前記第２スラブ部より前記延設方向に沿った長さが長くされている請求項１ないし３のいずれか１つに記載の光位相変調器。
【請求項5】
前記第１スラブ部と前記第３スラブ部との間、および前記第２スラブ部と前記第４スラブ部との間には、不純物がドープされていない分離領域（８１、８２、９１、９２）が配置されている請求項１ないし３のいずれか１つに記載の光位相変調器。
【請求項6】
支持基板（１１）、絶縁膜（１２）、活性層（１３）が順に積層された半導体基板（１０）を有し、
前記リブ部および前記第１～第４スラブ部は、前記活性層で構成されており、
前記分離領域は、絶縁膜で構成されている請求項５に記載の光位相変調器。
前記リブ部および前記第１～第４スラブ部は、前記活性層で構成されており、
前記分離領域は、絶縁膜で構成されている請求項５に記載の光位相変調器。
【請求項7】
前記リブ部および前記第１～第４スラブ部を覆う層間絶縁膜（６０）と、
Ｎ型の前記第１スラブ部と接続される第１電極（７１）と、
Ｐ型の前記第２スラブ部と接続される第２電極（７２）と、
Ｐ型の前記第３スラブ部と接続される第３電極（７３）と、
Ｎ型の前記第４スラブ部と接続される第４電極（７４）と、を有し、
前記層間絶縁膜は、第１層間絶縁膜（６１）と第２層間絶縁膜（６２）とが積層されて構成され、
前記第１電極および前記第４電極と、前記第２電極および前記第３電極とは、一方の電極が前記第１層間絶縁膜上に配置されて互いに接続され、他方の電極が前記第２層間絶縁膜上に配置されて互いに接続されている請求項１に記載の光位相変調器。
Ｎ型の前記第１スラブ部と接続される第１電極（７１）と、
Ｐ型の前記第２スラブ部と接続される第２電極（７２）と、
Ｐ型の前記第３スラブ部と接続される第３電極（７３）と、
Ｎ型の前記第４スラブ部と接続される第４電極（７４）と、を有し、
前記層間絶縁膜は、第１層間絶縁膜（６１）と第２層間絶縁膜（６２）とが積層されて構成され、
前記第１電極および前記第４電極と、前記第２電極および前記第３電極とは、一方の電極が前記第１層間絶縁膜上に配置されて互いに接続され、他方の電極が前記第２層間絶縁膜上に配置されて互いに接続されている請求項１に記載の光位相変調器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、リブ部を有する光位相変調器に関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来より、ＰＮ接合を有する光位相変調器が提案されている（例えば、特許文献１参照）。具体的には、この光位相変調器では、一方向を延設方向として延設されたリブ部と、リブ部の両側に配置され、リブ部と繋がると共に、リブ部より厚さが薄くされた第１スラブ部および第２スラブ部とを有する光導波路を有している。
【0003】
リブ部は、延設方向および厚さ方向に対して交差する方向を幅方向とすると、幅方向にＮ型の第１リブ部とＰ型の第２リブ部とが配列されている。また、第１リブ部および第２リブ部は、延設方向に沿って周期的に配置されている。そして、延設方向に沿って隣合う第１リブ部の間には、第２リブ部が入り込んだ状態となっている。同様に、延設方向に沿って隣合う第２リブ部の間には、第１リブ部が入り込んだ状態となっている。つまり、この光位相変調器におけるリブ部は、平面形状において、略Ｌ字状とされた第１リブ部と第２リブ部とが嵌め合された状態となっている。このため、この光位相変調器では、延設方向と交差する方向にＰＮ接合を有する構成となっている。
【0004】
以下、延設方向に沿って隣合う第２リブ部の間に配置された第１リブ部を第１接続部とし、延設方向に沿って延びる第１リブ部を第１主部とする。同様に、延設方向に沿って隣合う第１リブ部の間に配置された第２リブ部を第２接続部とし、延設方向に沿って延びる第２リブ部を第２主部とする。つまり、この光位相変調器におけるリブ部では、延設方向に沿って、第１主部および第２接続部が交互に配列されていると共に、第２主部および第１接続部が交互に配置されている。
【0005】
第１スラブ部は、Ｐ型とされ、第１主部および第２接続部と接続されている。このため、第２主部は、第２接続部を介して第１スラブ部と接続されている。また、第１スラブ部が第１主部と接続されるため、第１リブ部（すなわち、第１主部）と第１スラブ部との間にＰＮ接合が構成されている。
【0006】
第２スラブ部は、Ｎ型とされ、第２主部および第１接続部と接続されている。このため、第１主部は、第１接続部を介して第２スラブ部と接続されている。また、第２スラブ部が第２主部と接続されるため、第２リブ部（すなわち、第２主部）と第２スラブ部との間にはＰＮ接合が構成されている。
【0007】
このような光位相変調器では、リブ部内のＰＮ接合に加え、第１リブ部と第１スラブ部との間、および第２リブ部と第２スラブ部との間にもＰＮ接合が構成される。このため、ＰＮ接合に逆バイアス電圧が印加された際に空乏層が広がる領域を多くでき、光の実効屈折率を高くできることが期待される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】米国特許出願公開第２０１７／０３１５３８７号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
上記のような光位相変調器では、ＰＮ接合に逆バイアス電圧が印加された際、第１接続部および第２接続部のキャリアが先に完全に排出されてしまう可能性がある。この場合、上記のような光位相変調器では、第１主部および第２主部に逆バイアス電圧が印加され難くなり、第１主部および第２主部のキャリアを十分に排出できなくなる可能性がある。したがって、上記のような光位相変調器では、ＰＮ接合に逆バイアス電圧が印加された際、第１接続部および第２接続部のキャリアが先に完全に排出されない構成とされることが考えられる。しかしながら、ＰＮ接合に逆バイアス電圧が印加された際に第１接続部および第２接続部のキャリアが残るようにした場合、残存キャリアによって光が吸収されるため、変調損失が大きくなる。
【0010】
本発明は上記点に鑑み、変調損失が大きくなることを抑制しつつ、光の実効屈折率が低下することを抑制できる光位相変調器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0011】
上記目的を達成するための請求項１は、リブ部（２０）を有する光位相変調器であって、一方向を延設方向として延設されたリブ部と、リブ部よりも厚さが薄くされ、リブ部と接続される状態で配置された第１～第４スラブ部（３１～３４）と、を備え、リブ部は、延設方向および厚さ方向と交差する幅方向に沿ってＮ型の第１リブ部（２１）とＰ型の第２リブ部（２２）とが配置され、延設方向に沿って第１リブ部と第２リブ部との間にＰＮ接合が構成されており、第１スラブ部は、Ｎ型とされ、第１リブ部と接続されると共に第１リブ部を挟んで第２リブ部と反対側に配置され、第２スラブ部は、Ｐ型とされ、第２リブ部と接続されると共に第２リブ部を挟んで第１リブ部と反対側に配置され、第３スラブ部は、Ｐ型とされ、第１リブ部と接続されると共に第１リブ部を挟んで第２リブ部と反対側に配置され、第４スラブ部は、Ｎ型とされ、第２リブ部と接続されると共に第２リブ部を挟んで第１リブ部と反対側に配置され、延設方向を法線方向とする断面では、延設方向に沿って、リブ部と第１スラブ部および第２スラブ部とで構成されるＰＮ構造と、リブ部と第３スラブ部および第４スラブ部とで構成されるＰＮＰＮ構造とが交互に配置されている。
【0012】
これによれば、光位相変調器は、ＰＮ接合が構成される部分と、ＰＮＰＮ接合が構成される部分とが延設方向に交互に繰り返し配置された構成とされている。そして、逆バイアス電圧が印加されると、第１リブ部と第２リブ部との間、第１リブ部と第３スラブ部との間、第２リブ部と第４スラブ部との間のＰＮ接合で空乏層が広がる。このため、光の実効屈折率が低くなることを抑制できる。
【0013】
また、第１リブ部は、第１リブ部を挟んで第２リブ部と反対側に配置された第１スラブ部と電気的に接続されている。第２リブ部は、第２リブ部を挟んで第１リブ部と反対側に配置された第２スラブ部と電気的に接続されている。そして、この光位相変調器では、リブ部内に、延設方向と交差するＰＮ接合が配置されていない。このため、残存キャリアによる変調損失が大きくなることを抑制できる。
【0014】
なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】第１実施形態における光位相変調器の平面図である。
【図4】第２実施形態における光位相変調器の平面図である。
【図6】第３実施形態における光位相変調器の断面図である。
【図7】第４実施形態における光位相変調器の平面図である。
【図10】第５実施形態における光位相変調器の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【0017】
（第１実施形態）
第１実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、本実施形態の光位相変調器は、光ファイバ用の通信デバイス等に利用されると好適である。
第１実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、本実施形態の光位相変調器は、光ファイバ用の通信デバイス等に利用されると好適である。
【0018】
本実施形態の光位相変調器は、図１～図３に示されるように、支持基板１１、絶縁膜１２、活性層１３が積層されたＳＯＩ（Silicon On Insulatorの略）基板で構成される半導体基板１０を用いて構成されている。本実施形態では、支持基板１１がシリコン等で構成され、絶縁膜１２が酸化膜等で構成され、活性層１３がシリコン等で構成されている。以下、半導体基板１０の面方向に対する法線方向に沿った方向を厚さ方向ともいい、厚さ方向と交差する方向（すなわち、直交する方向）であって、半導体基板１０の面方向に沿った方向を幅方向ともいう。なお、半導体基板１０の面方向に対する法線方向とは、言い換えると、支持基板１１、絶縁膜１２、活性層１３の積層方向に沿った方向である。また、図１では、後述する層間絶縁膜６０を省略して示している。
【0019】
活性層１３は、不純物がドープされたリブ部２０、第１スラブ部３１、第２スラブ部３２、第３スラブ部３３、第４スラブ部３４を有している。また、活性層１３は、第１接続部４１、第２接続部４２、第３接続部４３、第４接続部４４、第１コンタクト部５１、第２コンタクト部５２、第３コンタクト部５３、および第４コンタクト部５４を有している。
【0020】
具体的には、リブ部２０は、半導体基板１０の面方向における一方向を延設方向（以下では、単に延設方向ともいう）として延設されている。例えば、図１中では、紙面上下方向が延設方向となる。そして、リブ部２０は、幅方向に、Ｎ型の第１リブ部２１と、Ｐ型の第２リブ部２２とが配列され、第１リブ部２１と第２リブ部２２との間にＰＮ接合が構成されている。なお、第１リブ部２１および第２リブ部２２は、延設方向にて分断されることなく延設されている。また、本実施形態では、第１リブ部２１および第２リブ部２２は、不純物濃度が同程度とされている。
【0021】
第１スラブ部３１は、Ｎ型とされており、第１リブ部２１と接続されるように、第２リブ部２２と反対側に配置されている。また、第１スラブ部３１は、第１リブ部２１と同じ不純物濃度とされている。第２スラブ部３２は、Ｐ型とされており、第２リブ部２２と接続されるように、第１リブ部２１と反対側に配置されている。また、第２スラブ部３２は、第２リブ部２２と同じ不純物濃度とされている。そして、第１スラブ部３１および第２スラブ部３２は、延設方向に沿って周期的に配置されている。つまり、第１スラブ部３１および第２スラブ部３２は、それぞれ延設方向に離間した状態で複数配置されている。
【0022】
また、本実施形態では、第１リブ部２１および第１スラブ部３１と、第２リブ部２２および第２スラブ部３２とは、第１リブ部２１と第２リブ部２２との境界面（すなわち、リブ部２０のＰＮ接合面）を基準として対称に形成されている。
【0023】
第３スラブ部３３は、Ｐ型とされており、第１リブ部２１と接続されるように、第２リブ部２２と反対側に配置されている。詳しくは、第３スラブ部３３は、延設方向に沿って隣合う第１スラブ部３１の間に配置されている。また、第３スラブ部３３は、第２リブ部２２と同じ不純物濃度とされている。
【0024】
第４スラブ部３４は、Ｎ型とされており、第２リブ部２２と接続されるように、第１リブ部２１と反対側に配置されている。詳しくは、第４スラブ部３４は、延設方向に沿って隣合う第２スラブ部３２の間に配置されている。また、第４スラブ部３４は、第１リブ部２１と同じ不純物濃度とされている。
【0025】
そして、本実施形態では、第３スラブ部３３および第４スラブ部３４は、第１リブ部２１と第２リブ部２２との境界面を基準として対称に形成されている。また、本実施形態では、第３スラブ部３３および第４スラブ部３４は、第１スラブ部３１および第２スラブ部３２よりも延設方向に沿った長さが長くされている。
【0026】
さらに、第１～第４スラブ部３１～３４は、厚さがリブ部２０よりも薄くされている。
【0027】
そして、本実施形態では、リブ部２０および第１～第４スラブ部３１～３４を光導波路ＯＷとすると、光導波路ＯＷは、次のように構成されている。すなわち、光導波路ＯＷは、延設方向を法線方向とする断面において、ＰＮ接合が構成される部分と、ＰＮＰＮ接合が構成される部分とが延設方向に交互に繰り返し配置された構成とされている。つまり、リブ部２０は、第１リブ部２１内に第１リブ部２１を横断して第２リブ部２２と接続される接続部分が配置されておらず、第２リブ部２２内に第２リブ部２２を横断して第１リブ部２１と接続される接続部分が配置されていない。言い換えると、リブ部２０では、延設方向と交差するＰＮ接合が形成されていない。
【0028】
第１接続部４１は、不純物濃度が第１スラブ部３１よりも高くされたＮ＋型とされ、第１スラブ部３１を挟んで第１リブ部２１と反対側に配置されて第１スラブ部３１と接続されている。第２接続部４２は、不純物濃度が第２スラブ部３２よりも高くされたＰ＋型とされ、第２スラブ部３２を挟んで第２リブ部２２と反対側に配置されて第２スラブ部３２と接続されている。そして、本実施形態の第１、第２接続部４１、４２は、第１、第２スラブ部３１、３２と延設方向の長さおよび厚さが同じとされている。
【0029】
第３接続部４３は、不純物濃度が第３スラブ部３３よりも高くされたＰ＋型とされ、第３スラブ部３３を挟んで第１リブ部２１と反対側に配置されて第３スラブ部３３と接続されている。第４接続部４４は、不純物濃度が第４スラブ部３４よりも高くされたＮ＋型とされ、第４スラブ部３４を挟んで第２リブ部２２と反対側に配置されて第４スラブ部３４と接続されている。そして、本実施形態の第３、第４接続部４３、４４は、第３、第４スラブ部３３、３４と延設方向の長さおよび厚さが同じとされている。
【0030】
第１コンタクト部５１は、不純物濃度が第１接続部４１よりも高くされたＮ＋＋型とされ、第１接続部４１を挟んで第１リブ部２１と反対側に配置されて第１接続部４１と接続されている。第２コンタクト部５２は、不純物濃度が第２接続部４２よりも高くされたＰ＋＋型とされ、第２接続部４２を挟んで第２リブ部２２と反対側に配置されて第２接続部４２と接続されている。そして、本実施形態の第１、第２コンタクト部５１、５２は、第１、第２スラブ部３１、３２と延設方向の長さが同じとされている。また、本実施形態の第１、第２コンタクト部５１、５２は、リブ部２０と厚さが同じとされている。
【0031】
第３コンタクト部５３は、不純物濃度が第３接続部４３よりも高くされたＰ＋＋型とされ、第３接続部４３を挟んで第１リブ部２１と反対側に配置されて第３接続部４３と接続されている。第４コンタクト部５４は、不純物濃度が第４接続部４４よりも高くされたＮ＋＋型とされ、第４接続部４４を挟んで第２リブ部２２と反対側に配置されて第４接続部４４と接続されている。そして、本実施形態の第３、第４コンタクト部５３、５４は、第３、第４スラブ部３３、３４と延設方向の長さが同じとされている。また、本実施形態の第３、第４コンタクト部５３、５４は、リブ部２０と厚さが同じとされている。
【0032】
活性層１３上には、層間絶縁膜６０が配置されている。層間絶縁膜６０には、第１コンタクト部５１を露出させる第１コンタクトホール６１が形成されていると共に、第２コンタクト部５２を露出させる第２コンタクトホール６２が形成されている。層間絶縁膜６０には、第３コンタクト部５３を露出させる第３コンタクトホール６３が形成されていると共に、第４コンタクト部５４を露出させる第４コンタクトホール６４が形成されている。
【0033】
層間絶縁膜６０上には、第１コンタクトホール６１を通じて第１コンタクト部５１と接続される第１電極７１が形成されていると共に、第２コンタクトホール６２を通じて第２コンタクト部５２と接続される第２電極７２が形成されている。層間絶縁膜６０上には、第３コンタクトホール６３を通じて第３コンタクト部５３と接続される第３電極７３が形成されていると共に、第４コンタクトホール６４を通じて第４コンタクト部５４と接続される第４電極７４が形成されている。
【0034】
以上が本実施形態における光位相変調器の構成である。次に、光位相変調器の作動について説明する。
【0035】
本実施形態の光位相変調器では、主にリブ部２０の延設方向に沿って光が伝搬する。そして、第１、第４電極７１、７４に第２、第３電極７２、７３より高い電圧（すなわち、逆バイアス電圧）が印加されることにより、ＰＮ接合で空乏層が広がり、キャリア密度が減少する。この際、本実施形態では、第１リブ部２１と第２リブ部２２との間、第１リブ部２１と第３スラブ部３３との間、第２リブ部２２と第４スラブ部３４との間のＰＮ接合で空乏層が広がる。このため、光の実効屈折率の変化を大きくできる。なお、図１～図３は、逆バイアス電圧が印加された際の状態を示しており、第１、第４電極７１、７４に第２、第３電極７２、７３より高い電圧が印加される状態として、電圧Ｖ＋と電圧Ｖ－を示している。そして、後述の対応する各図においても、同様の電圧Ｖ＋と電圧Ｖ－を示している。
【0036】
また、本実施形態では、リブ部２０では、第１リブ部２１内に第１リブ部２１を横断して第２リブ部２２と接続される接続部分が配置されておらず、第２リブ部２２内に第２リブ部２２を横断して第１リブ部２１と接続される接続部分が配置されていない。このため、変調損失が大きくなることを抑制できる。ここで、第１リブ部２１内に第１リブ部２１を横断して第２リブ部２２と接続される接続部分が配置され、第２リブ部２２内に第２リブ部２２を横断して第１リブ部２１と接続される接続部分が配置されている光位相変調器を比較例の位相変調器とする。つまり、リブ部２０内に、延設方向と交差する方向に沿ったＰＮ接合を有する位相変調器を比較例の位相変調器とする。
【0037】
この場合、比較例の位相変調器では、上記のように、ＰＮ接合に逆バイアス電圧が印加された際に各接続部分のキャリアが残るように構成されるため、残存キャリアによる光の吸収によって変調損失が大きくなる。このため、リブ部２０の延設方向と交差する界面（すなわち、ＰＮ接合）の数が多くなるほど変調損失が大きくなる。これに対し、本実施形態の光位相変調器では、リブ部２０内に延設方向と交差する界面が配置されていないため、残存キャリアによる変調損失が大きくなることを抑制できる。
【0038】
以上説明した本実施形態によれば、光導波路ＯＷは、延設方向を法線方向とする断面において、ＰＮ接合が構成される部分と、ＰＮＰＮ接合が構成される部分とが延設方向に交互に繰り返し配置された構成とされている。そして、逆バイアス電圧が印加されると、第１リブ部２１と第２リブ部２２との間、第１リブ部２１と第３スラブ部３３との間、第２リブ部２２と第４スラブ部３４との間のＰＮ接合で空乏層が広がる。このため、光の実効屈折率が低くなることを抑制でき、位相変化量が低くなることを抑制できる。
【0039】
また、本実施形態によれば、第１リブ部２１は、第１リブ部２１を挟んで第２リブ部２２と反対側に配置された第１スラブ部３１と電気的に接続されている。第２リブ部２２は、第２リブ部２２を挟んで第１リブ部２１と反対側に配置された第２スラブ部３２と電気的に接続されている。このため、本実施形態の光位相変調器では、リブ部２０内に、延設方向と交差する界面が配置されていない。このため、残存キャリアによる変調損失が大きくなることを抑制できる。
【0040】
（１）本実施形態では、第１リブ部２１および第１スラブ部３１と、第２リブ部２２および第２スラブ部３２とは、第１リブ部２１と第２リブ部２２との境界面を基準として対称に形成されている。このため、ＰＮ接合に逆バイアス電圧が印加された際に第１リブ部２１と第２リブ部２２との間で空乏層の広がりが偏ることを抑制でき、変調損失が増加することを抑制できる。
【0041】
（２）本実施形態では、第３スラブ部３３および第４スラブ部３４は、第１リブ部２１と第２リブ部２２との境界面を基準として対称に形成されている。このため、ＰＮ接合に逆バイアス電圧が印加された際、第１リブ部２１と第３スラブ部３３との間、および第２リブ部２２と第４スラブ部３４との間で空乏層の広がりが偏ることを抑制でき、変調損失が増加することを抑制できる。
【0042】
（３）本実施形態では、第３スラブ部３３および第４スラブ部３４は、第１スラブ部３１および第２スラブ部３２よりも延設方向に沿った長さが長くされている。このため、第３スラブ部３３および第４スラブ部３４が第１スラブ部３１および第２スラブ部３２より延設方向に沿った長さが短くされている場合と比較して、リブ部２０との間に構成されるＰＮ接合の領域を大きくできる。このため、光の実効屈折率を大きくでき、位相変化量を大きくできる。
【0043】
（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、分離領域を配置したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、分離領域を配置したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【0044】
本実施形態の光位相変調器では、図４および図５に示されるように、第１スラブ部３１と第３スラブ部３３との間に、活性層１３で構成され、不純物がドープされていない第１アンドープ層８１が配置されている。本実施形態では、第１アンドープ層８１は、第１スラブ部３１と第３スラブ部３３との間に加え、第１接続部４１と第３接続部４３との間、および第１コンタクト部５１と第３コンタクト部５３との間にも配置されている。
【0045】
また、第２スラブ部３２と第４スラブ部３４との間には、活性層１３で構成され、不純物がドープされていない第２アンドープ層８２が配置されている。本実施形態では、第２アンドープ層８２は、第２スラブ部３２と第４スラブ部３４との間に加え、第２接続部４２と第４接続部４４との間、および第２コンタクト部５２と第４コンタクト部５４との間にも配置されている。なお、本実施形態では、第１アンドープ層８１および第２アンドープ層８２が分離領域に相当している。
【0046】
以上説明した本実施形態によれば、光導波路ＯＷは、延設方向を法線方向とする断面において、ＰＮ接合が構成される部分と、ＰＮＰＮ接合が構成される部分とが延設方向に交互に繰り返し配置された構成とされている。このため、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0047】
（１）本実施形態のような光位相変調器では、光は、主にリブ部２０を伝搬するが、第１～第４スラブ部３１～３４にも漏れ出る。そして、本実施形態では、第１スラブ部３１と第３スラブ部３３との間に第１アンドープ層８１が配置され、第２スラブ部３２と第４スラブ部３４との間に第２アンドープ層８２が配置されている。このため、各スラブ部３１～３４同士の間にＰＮ接合が構成されなくなる。つまり、第１～第４スラブ部３１～３４においても、延設方向と交差する方向にＰＮ接合が構成されなくなる。したがって、さらに変調損失を低減できる。また、各スラブ部３１～３４同士の間でＰＮ接合が構成されなくなるため、ＰＮ接合の界面で発生し得る容量を低減でき、応答性の向上を図ることもできる。
【0048】
（第３実施形態）
第３実施形態について説明する。本実施形態は、第２実施形態に対し、分離領域の構成を変更したものである。その他に関しては、第２実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
第３実施形態について説明する。本実施形態は、第２実施形態に対し、分離領域の構成を変更したものである。その他に関しては、第２実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【0049】
本実施形態の光位相変調器では、図６に示されるように、第２実施形態と比較すると、第１アンドープ層８１が配置されていた部分に第１絶縁膜９１が配置され、第２アンドープ層８２が配置されていた部分に第２絶縁膜９２が配置されている。なお、図６は、図４中のV－V線に相当する断面図である。また、本実施形態では、第１絶縁膜９１および第２絶縁膜９２が分離領域に相当する。さらに、本実施形態の第１絶縁膜９１および第２絶縁膜９２は、層間絶縁膜６０と同じ材料で構成されている。
【0050】
以上が本実施形態における光位相変調器の構成である。次に、本実施形態の光位相変調器における活性層１３の各部２１、２２、３１～３４、４１～４４、５１～５４の製造方法について説明する。
【0051】
まず、支持基板１１、絶縁膜１２、活性層１３が順に積層された半導体基板１０を用意する。次に、マスクを用い、第１リブ部２１、第１スラブ部３１、第４スラブ部３４、第１接続部４１、第４接続部４４、第１コンタクト部５１、第４コンタクト部５４を構成する部分にＮ型不純物をイオン注入する。また、別のマスクを用い、第２リブ部２２、第２スラブ部３２、第３スラブ部３３、第２接続部４２、第３接続部４３、第２コンタクト部５２、第３コンタクト部５３を構成する部分にＰ型不純物をイオン注入する。
【0052】
続いて、部分的にエッチングを行い、第１～第４スラブ部３１～３４および第１～第４接続部４１～４４となる部分の厚さを薄くする。次に、エッチングを行い、第１絶縁膜９１および第２絶縁膜９２を配置する部分の活性層１３を除去する。その後、活性層１３を除去した部分に第１絶縁膜９１および第２絶縁膜９２を配置する。なお、本実施形態では、活性層１３上に層間絶縁膜６０を配置する際に第１絶縁膜９１および第２絶縁膜９２を同じ工程で配置する。
【0053】
以上説明した本実施形態によれば、光導波路ＯＷは、延設方向を法線方向とする断面において、ＰＮ接合が構成される部分と、ＰＮＰＮ接合が構成される部分とが延設方向に交互に繰り返し配置された構成とされている。このため、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0054】
（１）本実施形態では、分離領域を第１絶縁膜９１および第２絶縁膜９２で構成している。そして、第１絶縁膜９１および第２絶縁膜９２を配置する際には、活性層１３をエッチングして除去してから配置する。このため、活性層１３で分離領域を構成する場合と比較して、分離領域の延設方向における長さがばらつくことを抑制できる。すなわち、上記第２実施形態のように分離領域を第１アンドープ層８１で構成する場合、分離領域の延設方向における長さは、第１スラブ部３１および第３スラブ部３３を構成する際の精度に依存する。同様に、分離領域を第２アンドープ層８２で構成する場合、分離領域の延設方向における長さは、第２スラブ部３２および第４スラブ部３４を構成する際の精度に依存する。つまり、上記第２実施形態の構成では、分離領域の延設方向における長さに２つの要因が影響する。これに対し、本実施形態の構成では、分離領域の延設方向における長さは、第１、第２絶縁膜９１、９２を配置するためのエッチングの精度に依存する。つまり、本実施形態の構成では、分離領域の延設方向における長さに１つの要因が影響する。このため、本実施形態によれば、分離領域の延設方向における長さに影響する要因を少なくできる。したがって、分離領域の延設方向における長さがばらつくことを抑制でき、第１～第４スラブ部３１～３４の延設方向における長さがばらつくことを抑制できる。これにより、位相変化量が変化することを抑制できる。
【0055】
（第４実施形態）
第４実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、第１電極７１～第４電極７４の接続方法を規定したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
第４実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、第１電極７１～第４電極７４の接続方法を規定したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【0056】
本実施形態の光位相変調器では、図７に示されるように、第１、第４電極７１、７４が共通の第１配線層１０１に接続され、第２、第３電極７２、７３が共通の第２配線層１０２に接続されている。
【0057】
具体的には、層間絶縁膜６０は、図８および図９に示されるように、半導体基板１０側から第１層間絶縁膜６０ａ、第２層間絶縁膜６０ｂの順に積層されて構成されている。なお、第１層間絶縁膜６０ａおよび第２層間絶縁膜６０ｂは、同じ材料で構成されている。そして、図８に示されるように、第１層間絶縁膜６０ａおよび第２層間絶縁膜６０ｂには、第１コンタクト部５１を露出させる第１コンタクトホール６１が形成されている。第１層間絶縁膜６０ａには、第２コンタクト部５２を露出させる第２コンタクトホール６２が形成されている。
【0058】
また、図９に示されるように、第１層間絶縁膜６０ａおよび第２層間絶縁膜６０ｂには、第４コンタクト部５４を露出させる第４コンタクトホール６４が形成されている。第１層間絶縁膜６０ａには、第３コンタクト部５３を露出させる第３コンタクトホール６３が形成されている。
【0059】
そして、第１層間絶縁膜６０ａ上には、第２コンタクトホール６２を通じて第２コンタクト部５２と接続される第２電極７２が配置されている。第１層間絶縁膜６０ａ上には、第３コンタクトホール６３を通じて第３コンタクト部５３と接続される第３電極７３が配置されている。つまり、ＰＮ接合に逆バイアス電圧を印加する際、負極側となる電極が第１層間絶縁膜６０ａ上に配置されている。
【0060】
第２層間絶縁膜６０ｂ上には、第１コンタクトホール６１を通じて第１コンタクト部５１と接続される第１電極７１が配置されている。第２層間絶縁膜６０ｂ上には、第４コンタクトホール６４を通じて第４コンタクト部５４と接続される第４電極７４が配置されている。つまり、ＰＮ接合に逆バイアス電圧を印加する際、正極側となる電極が第２層間絶縁膜６０ｂ上に配置されている。
【0061】
そして、第２電極７２および第３電極７３は、第１層間絶縁膜６０ａ上で適宜引き回されて共通の第１配線層１０１と電気的に接続されている。同様に、第１電極７１および第４電極７４は、第２層間絶縁膜６０ｂ上で適宜引き回されて共通の第２配線層１０２と電気的に接続されている。
【0062】
以上説明した本実施形態によれば、光導波路ＯＷは、延設方向を法線方向とする断面において、ＰＮ接合が構成される部分と、ＰＮＰＮ接合が構成される部分とが延設方向に交互に繰り返し配置された構成とされている。このため、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0063】
（１）本実施形態では、第２電極７２および第３電極７３が第１層間絶縁膜６０ａ上で電気的に接続され、第１電極７１および第４電極７４が第２層間絶縁膜６０ｂ上で電気的に接続されている。このため、第１、第４電極７１、７４と第２、第３電極７２、７３とが相互に干渉することを抑制でき、配線の引き回しを容易にできる。
【0064】
（第５実施形態）
第５実施形態について説明する。本実施形態は、第２実施形態に対し、第１～第４スラブ部３１～３４の不純物濃度を変更したものである。その他に関しては、第２実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
第５実施形態について説明する。本実施形態は、第２実施形態に対し、第１～第４スラブ部３１～３４の不純物濃度を変更したものである。その他に関しては、第２実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【0065】
本実施形態では、図１０に示されるように、第１スラブ部３１および第４スラブ部３４は、第１リブ部２１よりも不純物濃度が高くされたＮ＋型とされている。同様に、第２スラブ部３２および第３スラブ部３３は、第２リブ部２２よりも不純物濃度が高くされたＰ＋型とされている。
【0066】
以上説明した本実施形態によれば、光導波路ＯＷは、延設方向を法線方向とする断面において、ＰＮ接合が構成される部分と、ＰＮＰＮ接合が構成される部分とが延設方向に交互に繰り返し配置された構成とされている。このため、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0067】
（１）本実施形態では、第１～第４スラブ部３１～３４が第１、第２リブ部２１、２２よりも不純物濃度が高くされている。このため、逆バイアス電圧が印加された際、リブ部２０のキャリアを引き抜き易くでき、位相変化量の向上を図ることができる。
【0068】
（他の実施形態）
本開示は、実施形態に準拠して記述されたが、本開示は当該実施形態や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
本開示は、実施形態に準拠して記述されたが、本開示は当該実施形態や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
【0069】
例えば、上記各実施形態において、第１リブ部２１および第１スラブ部３１と、第２リブ部２２および第２スラブ部３２とは、第１リブ部２１と第２リブ部２２との境界面を基準として対称に形成されていなくてもよい。同様に、第３スラブ部３３および第４スラブ部３４は、第１リブ部２１と第２リブ部２２との境界面を基準として対称に形成されていなくてもよい。さらに、第３スラブ部３３および第４スラブ部３４は、第１スラブ部３１および第２スラブ部３２よりも延設方向に沿った長さが長くされていなくてもよい。このような光位相変調器としても、光導波路ＯＷは、延設方向を法線方向とする断面において、ＰＮ接合が構成される部分と、ＰＮＰＮ接合が構成される部分とが延設方向に交互に繰り返し配置された構成とされる。このため、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0070】
また、上記第３実施形態において、活性層１３の各部２１、２２、３１～３４、４１～４４、５１～５４の製造工程は、適宜変更可能である。例えば、部分的にエッチングを行って第１～第４スラブ部３１～３４および第１～第４接続部４１～４４となる部分の厚さを薄くした後、第１、第２絶縁膜９１、９２を配置するためのエッチングを行う。次に、Ｎ型不純物およびＰ型不純物をイオン注入して各部２１、２２、３１～３４、４１～４４、５１～５５を構成し、その後に第１、第２絶縁膜９１、９２を配置するようにしてもよい。
【0071】
さらに、上記第４実施形態において、第１、第４電極７１、７４が第１層間絶縁膜６０ａ上に配置され、第２、第３電極７２、７３が第２層間絶縁膜６０ｂ上に配置されるようにしてもよい。
【0072】
そして、上記各実施形態を適宜組み合わせるようにしてもよい。例えば、上記第４実施形態を上記第２、第３実施形態に組み合わせ、第１、第４電極７１、７４が共通の第１配線層１０１に接続され、第２、第３電極７２、７３が共通の第２配線層１０２に接続されるようにしてもよい。上記第５実施形態を上記第１、第３、第４実施形態に組み合わせ、第１～第４スラブ部３１～３４が第１、第２リブ部２１、２２よりも不純物濃度が高くなるようにしてもよい。
（本発明の特徴）
［請求項１］
リブ部（２０）を有する光位相変調器であって、
一方向を延設方向として延設された前記リブ部と、
前記リブ部よりも厚さが薄くされ、前記リブ部と接続される状態で配置された第１～第４スラブ部（３１～３４）と、を備え、
前記リブ部は、前記延設方向および厚さ方向と交差する幅方向に沿ってＮ型の第１リブ部（２１）とＰ型の第２リブ部（２２）とが配置され、前記延設方向に沿って前記第１リブ部と前記第２リブ部との間にＰＮ接合が構成されており、
前記第１スラブ部は、Ｎ型とされ、前記第１リブ部と接続されると共に前記第１リブ部を挟んで前記第２リブ部と反対側に配置され、
前記第２スラブ部は、Ｐ型とされ、前記第２リブ部と接続されると共に前記第２リブ部を挟んで前記第１リブ部と反対側に配置され、
前記第３スラブ部は、Ｐ型とされ、前記第１リブ部と接続されると共に前記第１リブ部を挟んで前記第２リブ部と反対側に配置され、
前記第４スラブ部は、Ｎ型とされ、前記第２リブ部と接続されると共に前記第２リブ部を挟んで前記第１リブ部と反対側に配置され、
前記延設方向を法線方向とする断面では、前記延設方向に沿って、前記リブ部と前記第１スラブ部および前記第２スラブ部とで構成されるＰＮ構造と、前記リブ部と前記第３スラブ部および前記第４スラブ部とで構成されるＰＮＰＮ構造とが交互に配置されている光位相変調器。
［請求項２］
前記第１リブ部と前記第２リブ部との境界面を基準とし、前記第１リブ部および前記第１スラブ部と、前記第２リブ部および前記第２スラブ部とが対称に配置されている請求項１に記載の光位相変調器。
［請求項３］
前記第１リブ部と前記第２リブ部との境界面を基準とし、前記第１リブ部および前記第３スラブ部と、前記第２リブ部および前記第４スラブ部とが対称に配置されている請求項１または２に記載の光位相変調器。
［請求項４］
前記第３スラブ部および前記第４スラブ部は、前記第１スラブ部および前記第２スラブ部より前記延設方向に沿った長さが長くされている請求項１ないし３のいずれか１つに記載の光位相変調器。
［請求項５］
前記第１スラブ部と前記第３スラブ部との間、および前記第２スラブ部と前記第４スラブ部との間には、不純物がドープされていない分離領域（８１、８２、９１、９２）が配置されている請求項１ないし４のいずれか１つに記載の光位相変調器。
［請求項６］
支持基板（１１）、絶縁膜（１２）、活性層（１３）が順に積層された半導体基板（１０）を有し、
前記リブ部および前記第１～第４スラブ部は、前記活性層で構成されており、
前記分離領域は、絶縁膜で構成されている請求項５に記載の光位相変調器。
［請求項７］
前記リブ部および前記第１～第４スラブ部を覆う層間絶縁膜（６０）と、
Ｎ型の前記第１スラブ部と接続される第１電極（７１）と、
Ｐ型の前記第２スラブ部と接続される第２電極（７２）と、
Ｐ型の前記第３スラブ部と接続される第３電極（７３）と、
Ｎ型の前記第４スラブ部と接続される第４電極（７４）と、を有し、
前記層間絶縁膜は、第１層間絶縁膜（６１）と第２層間絶縁膜（６２）とが積層されて構成され、
前記第１電極および前記第４電極と、前記第２電極および前記第３電極とは、一方の電極が前記第１層間絶縁膜上に配置されて互いに接続され、他方の電極が前記第２層間絶縁膜上に配置されて互いに接続されている請求項１ないし６のいずれか１つに記載の光位相変調器。
（本発明の特徴）
［請求項１］
リブ部（２０）を有する光位相変調器であって、
一方向を延設方向として延設された前記リブ部と、
前記リブ部よりも厚さが薄くされ、前記リブ部と接続される状態で配置された第１～第４スラブ部（３１～３４）と、を備え、
前記リブ部は、前記延設方向および厚さ方向と交差する幅方向に沿ってＮ型の第１リブ部（２１）とＰ型の第２リブ部（２２）とが配置され、前記延設方向に沿って前記第１リブ部と前記第２リブ部との間にＰＮ接合が構成されており、
前記第１スラブ部は、Ｎ型とされ、前記第１リブ部と接続されると共に前記第１リブ部を挟んで前記第２リブ部と反対側に配置され、
前記第２スラブ部は、Ｐ型とされ、前記第２リブ部と接続されると共に前記第２リブ部を挟んで前記第１リブ部と反対側に配置され、
前記第３スラブ部は、Ｐ型とされ、前記第１リブ部と接続されると共に前記第１リブ部を挟んで前記第２リブ部と反対側に配置され、
前記第４スラブ部は、Ｎ型とされ、前記第２リブ部と接続されると共に前記第２リブ部を挟んで前記第１リブ部と反対側に配置され、
前記延設方向を法線方向とする断面では、前記延設方向に沿って、前記リブ部と前記第１スラブ部および前記第２スラブ部とで構成されるＰＮ構造と、前記リブ部と前記第３スラブ部および前記第４スラブ部とで構成されるＰＮＰＮ構造とが交互に配置されている光位相変調器。
［請求項２］
前記第１リブ部と前記第２リブ部との境界面を基準とし、前記第１リブ部および前記第１スラブ部と、前記第２リブ部および前記第２スラブ部とが対称に配置されている請求項１に記載の光位相変調器。
［請求項３］
前記第１リブ部と前記第２リブ部との境界面を基準とし、前記第１リブ部および前記第３スラブ部と、前記第２リブ部および前記第４スラブ部とが対称に配置されている請求項１または２に記載の光位相変調器。
［請求項４］
前記第３スラブ部および前記第４スラブ部は、前記第１スラブ部および前記第２スラブ部より前記延設方向に沿った長さが長くされている請求項１ないし３のいずれか１つに記載の光位相変調器。
［請求項５］
前記第１スラブ部と前記第３スラブ部との間、および前記第２スラブ部と前記第４スラブ部との間には、不純物がドープされていない分離領域（８１、８２、９１、９２）が配置されている請求項１ないし４のいずれか１つに記載の光位相変調器。
［請求項６］
支持基板（１１）、絶縁膜（１２）、活性層（１３）が順に積層された半導体基板（１０）を有し、
前記リブ部および前記第１～第４スラブ部は、前記活性層で構成されており、
前記分離領域は、絶縁膜で構成されている請求項５に記載の光位相変調器。
［請求項７］
前記リブ部および前記第１～第４スラブ部を覆う層間絶縁膜（６０）と、
Ｎ型の前記第１スラブ部と接続される第１電極（７１）と、
Ｐ型の前記第２スラブ部と接続される第２電極（７２）と、
Ｐ型の前記第３スラブ部と接続される第３電極（７３）と、
Ｎ型の前記第４スラブ部と接続される第４電極（７４）と、を有し、
前記層間絶縁膜は、第１層間絶縁膜（６１）と第２層間絶縁膜（６２）とが積層されて構成され、
前記第１電極および前記第４電極と、前記第２電極および前記第３電極とは、一方の電極が前記第１層間絶縁膜上に配置されて互いに接続され、他方の電極が前記第２層間絶縁膜上に配置されて互いに接続されている請求項１ないし６のいずれか１つに記載の光位相変調器。
【符号の説明】
【0073】
２０ リブ部
２１ 第１リブ部
２２ 第２リブ部
３１ 第１スラブ部
３２ 第２スラブ部
３３ 第３スラブ部
３４ 第４スラブ部
２１ 第１リブ部
２２ 第２リブ部
３１ 第１スラブ部
３２ 第２スラブ部
３３ 第３スラブ部
３４ 第４スラブ部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】